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国際特許分類[H03H9/64]の内容

国際特許分類[H03H9/64]に分類される特許

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【課題】小型で低損失かつ急峻な減衰特性を有する弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】弾性表面波フィルタは、信号入力端子INと信号出力端子OUTとの間に挿入された直列腕共振子である1端子対弾性表面波共振子1と、信号入力端子INおよび信号出力端子OUTと接地との間に挿入された並列腕共振子である1端子対弾性表面波共振子2,3と、1端子対弾性表面波共振子1と並列に接続されたインダクタンス素子4とから構成される。1端子対弾性表面波共振子1〜3が形成される圧電基板は、電気機械結合係数が0.1%以上1%以下である。 (もっと読む)


【課題】入力側及び出力側のIDT電極をテーパー型に構成した弾性波フィルタにおいて、弾性波の回折損及び圧電基板の大きさを小さく抑えつつ、広い通過周波数帯域を持つ弾性波フィルタを提供すること。
【解決手段】電極指15及び反射電極16の幅寸法及び間隔寸法が一方側のバスバー14から他方側のバスバー14に向かうにつれて広がるように形成されたテーパー型の入力側IDT電極12及び出力側IDT電極13のフィルタ部30を弾性波の伝搬方向に沿って圧電基板11上に2つ配置して、電極12、13の夫々における他方側のバスバー14、14同士を入力ポート21(出力ポート22)に夫々接続すると共に、第1フィルタ部31の他方側のバスバー14に近接する領域のトラックTr2と、第2フィルタ部32の一方側のバスバー14に近接する領域のトラックTr3と、が等しくなるようにする。 (もっと読む)


【課題】弾性波デバイスの周波数の温度依存性を抑制することおよび弾性波デバイスにおけるTCFの製造バラツキを抑制すること。
【解決手段】酸化シリコン膜を成膜する第1の成膜工程(S10)と、前記酸化シリコン膜のSi−O結合の伸縮振動に関する数値を測定する測定工程(S12)と、前記数値が、目標範囲内の場合、基板上に前記第1の成膜工程で用いた条件を用い酸化シリコン膜を成膜する第2の成膜工程(S18)と、を含む弾性波デバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】長期信頼性に優れ、温度特性改善効果が高い弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】少なくとも、圧電基板2と、該圧電基板2に接着層4を介して貼り合わされた支持基板3と、前記圧電基板2の接着面と反対側の面に形成された弾性表面波を励振する櫛形電極5とを備え、前記接着層4のガラス転移点Tgが200℃以下である弾性表面波素子1。 (もっと読む)


【課題】
複数の共振器から構成される弾性波フィルタの小型化に伴い、弾性フィルタ内の配線パターンが隣接し不要な電磁結合が生じ、弾性波フィルタの特性劣化が生じるのを抑制する。
【解決手段】
基板上に配置された弾性波を利用するSAWやFBAR等の複数の共振器の間や、これら複数の共振器とグランド端子との間、共振器と入力端子との間や共振器と出力端子との間に配置された複数の配線パターンに沿って、これら配線パターンと隣接し、対向し、好ましくは配線パターン幅よりも広い幅を有するシールド電極を配置し、弾性波フィルタの小型化に伴う、弾性フィルタ内の配線パターン間の不要な電磁結合を抑制し、弾性波フィルタの特性劣化を防止する。 (もっと読む)


【課題】高減衰、高アイソレーション化と同時に低損失化を可能とする。
【解決手段】任意の周波数帯域の信号を抽出するフィルタ部3と、フィルタ部3に接続され、フィルタ部3の通過帯域より高い反共振周波数を持つ共振器1と、共振器1に並列接続されている位相変換器2とを備え、位相変換器2は、フィルタ部3の通過帯域外の周波数帯において電気的に誘導性となり、かつ入力される信号を共振器1の位相と180度異なる位相に変換する。 (もっと読む)


【課題】本発明は1対の平衡端子を有する弾性波フィルタにおいて、平衡端子間の平衡度を改善することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明の弾性波フィルタ10は、不平衡端子17に接続された第1の信号電極指11aと第1のグランド電極指11bからなる第1のIDT電極11と、第1の平衡端子18aに接続された第2の信号電極指12aと第2のグランド電極指12bからなる第2のIDT電極12と、第2の平衡端子18bに接続された第3の信号電極指13aと第3のグランド電極指13bからなる第3のIDT電極13と、を備え、第1のIDT電極11における第2のIDT電極12側に、不平衡端子17及びグランドのいずれとも接続されない擬似電極指11eが設けられている。 (もっと読む)


【課題】アンテナ端子側からの信号入力に対して耐電力性を有し、安定した特性を有するアンテナ共用器の提供。
【解決手段】アンテナ共用器における送信側フィルタは、ラダー型弾性波フィルタで構成されると共に、前記送信側フィルタにおいて、アンテナ端子側の最外腕は直列腕共振器であり、この直列腕共振器は複数の共振器が直列接続された構成であり、入力端子側の最外腕も直列共振器であり、前記アンテナ端子側の最外腕における複数の共振器のそれぞれの容量は、前記アンテナ端子側の最外腕と前記入力端子側の最外腕以外のいずれか一つの直列共振器の容量より大きいと共に、受信側フィルタにおいて、前記入力端子側初段には直列腕共振器が接続された構成。 (もっと読む)


【課題】増幅度を高めるためにバイアス電圧を高めたとしても半導体において生じた熱を速やかに放散することができ、従って半導体による増幅作用を安定にかつ確実に利用することができる弾性波装置を得る。
【解決手段】圧電基板2と、前記圧電基板2の上に形成されている誘電体層14と、前記圧電基板2と前記誘電体層14との間の境界に形成されているIDT電極3,4と、前記誘電体層14に接するように設けられた半導体層9とを備え、前記圧電基板2と前記誘電体層14との間の境界を伝搬する弾性境界波を利用した弾性境界波装置であって、前記半導体層9は、前記弾性境界波によって発生する電界と、前記半導体層9中のキャリアとが結合するように設けられており、前記半導体層中のキャリアの移動速度が、前記弾性境界波の伝搬速度よりも高い、弾性境界波装置1。 (もっと読む)


【課題】本発明は、弾性波フィルタ装置及びこれを用いたデュプレクサ及び電子機器の帯域高域部分の挿入損失劣化を低減させることを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明の弾性波フィルタ装置10は、第1の弾性波フィルタ15と第2の弾性波フィルタ16とを備え、第1の弾性波フィルタ15は、第1の縦結合型弾性波フィルタ15aと第2の縦結合型弾性波フィルタ15eとを備え、第1の不平衡信号入力部15b及び第2の不平衡信号入力部15fは入力部12と電気的に接続され、第1の平衡信号出力部15c及び第3の平衡信号出力部15gは入出力部13aと電気的に接続され、第2の平衡信号出力部15d及び第4の平衡信号出力部15hは入出力部13bと電気的に接続される。 (もっと読む)


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