【課題】改善された挿入損失と品質の値を有するＳＡＷデバイスの製造方法及びその製造方法により製造されたＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板１２の表面に金属電極１６を有するＳＡＷデバイス１０は、表面に堆積した誘電体層１８を含む。誘電体層１８を堆積すると、基体の表面上に拡張する金属電極１６から上方に拡張する縫い目２０、２２が得られる。誘電体層１８内の隣接する金属電極１６ａから拡張する第二の縫い目２０と結合する金属電極１６ｂから拡張する第一の縫い目２２からは別の縫い目が得られ、この縫い目は一般に金属電極１６の高さより高く形成される。誘電体層１８は、所望の金属電極１６上に誘電体層１８の厚さを提供するために、更に平坦化してよい。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な弾性境界波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波フィルタ装置１は、第１〜第３の媒質１１〜１３と、第１の媒質１１と第２の媒質１２との間に形成されている第１のＩＤＴ電極１４と、第２の媒質１２と第３の媒質１３との間に形成されている第２のＩＤＴ電極１５とを備えている。第１及び第２の媒質１１，１２のうちの少なくとも一方が圧電体により構成されていると共に、第２及び第３の媒質１２，１３のうちの少なくとも一方が圧電体により構成されている。第２の媒質１２の音速は、第１及び第３の媒質１１，１３のそれぞれの音速よりも遅い。第１のＩＤＴ電極１４により励振された弾性境界波が第２のＩＤＴ電極１５により電気信号に変換される。 （もっと読む）

【課題】フィルタの低損失化及び広帯域化を行う。
【解決手段】入力側の並列共振器Ｐ１１に対して並列にインダクタＬ１１が接続され、出力側の直列共振器Ｓ１２に対して並列にインダクタＬ１２が接続されている。インダクタＬ１１及びＬ１２は、それぞれ異なる経路上（直列共振器と並列共振器との間の経路上）に接続されている。このような構成とすることにより、入出力間においてインピーダンス整合を行うことができるので、低損失かつ広帯域のラダー型フィルタを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】所定の回路が構成された小型の半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１００は、絶縁基板１０１と、絶縁基板１０１上に形成された絶縁膜１０３ａ〜１０３ｃと、絶縁膜１０３ａ上に島状に形成され、トランジスタＴｒが形成されたシリコン層であるシリコン島領域１０３と、シリコン島領域１０３外に形成されたキャパシターＣを有する受動回路領域と、シリコン島領域１０３外かつ受動回路領域外に形成された電極パッドＰ１〜Ｐ５と、電極パッドＰ１〜Ｐ５上に搭載されたＳＡＷフィルターＳＡＷと、トランジスタＴｒ、キャパシターＣ及び電極パッドＰ１〜Ｐ５を接続するための第２配線層１０４とを備え、トランジスタＴｒ、キャパシターＣ、ＳＡＷフィルターＳＡＷ及び第２配線層１０４は、所定の回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】振動空間の密閉性を向上できる弾性波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、カバー５とを有する。カバー５は、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠部３５と、枠部３５の開口を塞ぐ蓋部３７とを有する。また、ＳＡＷ装置１は、枠部３５の内壁面３５ａから枠部３５の枠内の第１主面３ａ上にかけて形成された絶縁膜４３を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の分割共振子の熱的ストレスを相対的に調整可能な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、第１、第２の分割共振子１３Ｅ、１３Ｆを含む共振子１１を有する。第１、第２の分割共振子１３Ｅ、１３Ｆは、それぞれＳＡＷ共振子により構成され、両者の間に分岐回路を有しない状態で互いに直列に接続されている。第２の分割共振子１３Ｆは第１の分割共振子１３Ｅよりも静電容量が大きい。 （もっと読む）

第１および第２のコンバータを有するミクロ音響フィルタが提案され、第１および第２のコンバータの間で電磁性および容量性のクロストークが、追加の結合キャパシタンスと追加の電流ループとを設けることによって補償される。このとき追加の結合キャパシタンスと電流ループは、設計により設定される自然な結合に対して正負記号の点で反対向きに作用し、そのようにしてこれを完全に補償できるように配置される。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波フィルタと誘電体フィルタとを備えつつ小型化することができるフィルタ装置を提供する。
【解決手段】一方の主面に弾性表面波フィルタ用凹部空間が設けられ他方の主面に誘電積層フィルタ用凹部空間が設けられた素子搭載部材と、前記弾性表面波フィルタ用凹部空間内に設けられる弾性表面波フィルタと、前記誘電体フィルタ用凹部空間内に設けられる誘電体フィルタと、前記素子搭載部材の一方の主面と接合されて前記弾性表面波フィルタを気密封止させる蓋部材と、前記誘電体フィルタを被覆する絶縁性樹脂と、から主に構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型で、アイソレーションが良好なデュープレクサを実現する。
【解決手段】不平衡型の送信フィルタ３１と、平衡型の受信フィルタ３２と、送信フィルタ３１に接続されている送信ポート３３と、受信フィルタ３２に接続されている主受信ポート３４ａ及び副受信ポート３４ｂとを備えたデュープレクサにおいて、送信ポート３３と主受信ポート３４ａ及び副受信ポート３４ｂとの間に接続されている静電結合部３６を備えている。静電結合部３６は、送信ポート３３から主受信ポート３４ａへ流れる電力と、送信ポート３３から副受信ポート３４ｂへ流れる電力との位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱型結晶の面内配向薄膜の製造において、大面積で製造することができ、且つ装置に要するコストを抑えることができる方法及び装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１内にプラズマ生成ガスを導入し、真空容器１１内に配置されたウルツ鉱型結晶のターゲットＴをスパッタすることによる生成されたスパッタ粒子をターゲットＴに対向して真空容器１１内に配置された基板ホルダ１５に取り付けられた基板Ｓに堆積させることにより薄膜を製造する際に、基板ホルダ１５と真空容器１１の壁の間に高周波電圧を印加する。これにより、基板Ｓの表面においてプラズマシースが形成され、プラズマ生成ガスが電離して生じる陽イオンの量を増加させると共に、このプラズマシースによって陽イオンが加速され、十分なエネルギーをもって成膜中の薄膜に入射するため、ウルツ鉱型結晶の最密面が基板に平行に成長しにくくなる。その結果、全体としてウルツ鉱型結晶のc軸が面内方向に配向した面内配向薄膜を得ることができる。 （もっと読む）