【課題】ＧａＮトランジスタを理想的な還流ダイオードとして動作させ、低損失のスイッチ装置を実現できるようにする。
【解決手段】スイッチ装置は、窒化物半導体素子３０１と、窒化物半導体素子３０１を駆動する駆動部３０２とを備えている。窒化物半導体素子３０１は、第１のオーミック電極、第２のオーミック電極及び第１のゲート電極を有している。駆動部３０２は、第１のゲート電極にバイアス電圧を印加するゲート回路３１１と、第１のゲート電極と第１のオーミック電極との間に接続され、双方向に電流を流すスイッチ素子３１２とを有している。駆動部３０２は、第１のオーミック電極から第２のオーミック電極への電流を通電し且つ第２のオーミック電極から第１のオーミック電極への電流を遮断する動作を行う場合には、スイッチ素子３１２をオン状態とする。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスの誤動作を防ぐ。
【解決手段】直列に接続された２つのパワーデバイスのうち高電位側のパワーデバイスを駆動制御する半導体装置であって、高電位側のパワーデバイスの導通を示す第１状態及び高電位側のパワーデバイスの非導通を示す第２状態を有する入力信号の第１，第２状態へのレベル遷移に対応して、それぞれ第１，第２のパルス信号を発生させるパルス発生回路と、第１，第２のパルス信号を高電位側へレベルシフトして、それぞれ第１，第２のレベルシフト済みパルス信号を得るレベルシフト回路と、第１，第２のレベルシフト済みパルス信号を少なくとも第１，第２のパルス信号のパルス幅分遅延させて、それぞれ第１，第２の遅延済みパルス信号を得る遅延回路と、第１の遅延済みパルス信号をセット入力から入力し、第２の遅延済みパルス信号をリセット入力から入力するＳＲ型フリップフロップとを備える。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】ワイドバンドギャップ半導体かなるスイッチング素子Ｑ１のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲートドライブ回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続されたコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とからなる並列回路と、並列回路にコンデンサＣ２とスイッチング素子Ｑ２と抵抗Ｒ２からなる直列回路がさらに並列接続され、コンデンサＣ２とスイッチング素子Ｑ２との接続点にダイオードＤ１のアノードが接続され、ダイオードＤ１のカソードとスイッチング素子Ｑ２のゲートはスイッチング素子Ｑ１のソースに接続され、制御信号のオフ信号に対してスイッチング素子Ｑ１ゲートを負電位にバイアスする。 （もっと読む）

【課題】体格及びコストの増大が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】直流電源とグランドとの間に直列接続された２つの単位回路と、単位回路を制御する制御部と、を備え、２つの単位回路の中点に誘導性負荷が接続された半導体装置であって、２つの単位回路それぞれは、第１スイッチ素子と、第１スイッチ素子と逆並列接続された還流ダイオードと、還流ダイオードと第１スイッチ素子それぞれと並列接続されたバイパス部と、を有し、バイパス部は、直列接続された第２スイッチ素子及び抵抗を有し、制御部は、２つの単位回路の第１スイッチ素子をＯＦＦ状態にするデッド期間を挟んで、２つの第１スイッチ素子を交互にＯＮ状態とし、デッド期間において、一方の第１スイッチ素子がＯＦＦ状態からＯＮ状態に移行するまで、一方の第１スイッチ素子と並列接続された第２スイッチ素子をＯＮ状態にする。 （もっと読む）

【課題】ノイズを低減することができるインターフェース回路を提供することを課題とする。
【解決手段】インターフェース回路は、電源電圧端子が第１の電源電圧ノードに接続され、入力信号を増幅する第１のバッファ（１１１）と、第２の電源電圧ノード及び前記第１のバッファの電源電圧端子間に接続されるスイッチ（１２４）と、前記第１のバッファの入力信号がローレベルからハイレベルに立ち上がると、遅延時間経過後に前記スイッチをオフからオンに切り換える第１の制御回路（１２７）とを有する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失の増大を抑制しつつ、より高い周波数帯で発生するスイッチングノイズを抑制できるスイッチング素子の駆動装置を提供する。
【解決手段】スルーレート調整部は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴを介してＤＣモータに出力される電圧波形のスルーレートを変化させ、キャリア周波数によって決まる周波数帯よりも高い周波数帯域に現れるスイッチングノイズの周波数成分を分散させてピークレベルを低下させる。 （もっと読む）

【課題】窒化物ＦＥＴを高速スイッチング動作させることができ、且つ、サージ電圧から窒化物ＦＥＴを保護することができるスイッチング素子の保護回路。
【解決手段】直列に接続された高圧側素子Ｍ１及び低圧側素子Ｍ２と、高圧側素子をオンオフさせる信号を出力するハイサイドプリドライバ１１と、高圧側素子と逆のオンオフ状態になるように低圧素子をオンオフさせる信号を出力するローサイドプリドライバ１２と、高圧側素子と低圧側素子の接続点に制御端子が接続されたスイッチング素子Ｔｒ１と、スイッチング素子の一方の端子にカソードが接続されたダイオードＤ１と、ダイオードのアノードに入力端子が接続され、ダイオードのブレーク時にスイッチング素子の制御端子に電流を供給するとともに、低圧側素子のオフを指示する信号をローサイドプリドライバに供給する制御器２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴを高速駆動する場合であっても、寄生インダクタンスに流れる電流の時間変化に応じて発生する電圧に起因したセルフターンオンの発生を防止できるようにしたパワーＭＯＳＦＥＴの駆動回路、また、その素子値決定方法を提供する。
【解決手段】制御回路が、駆動回路によってスイッチを駆動制御することで、（２）区間においてスイッチＳ２ＨおよびＳ２Ｌをオンすると共にその他をオフとし、（３）区間においてスイッチＳ１ＬおよびＳ３Ｈをオンすると共にその他をオフとする。すると、（２）〜（３）区間にかけて、ハイサイド側のＭＯＳＦＥＴのゲートソース間を所定のインピーダンスに切り替えることができ、リカバリー後半に至ったとしてもハイサイド側のＭＯＳＦＥＴのゲートソース間電圧Ｖｇｓ１を閾値電圧Ｖｔ未満に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】駆動用半導体素子が意図せずに導通することを防止できる半導体素子制御装置を提供する。
【解決手段】駆動用トランジスタＴｒ１１は、一対の直流電源線１３、１４間に直流モータ１２とともに直列に接続される。抵抗素子Ｒ１３は、直流電源線１３と駆動用トランジスタＴｒ１１のゲート端子との間に接続される。コンデンサＣ１１および開路用トランジスタＴｒ１４の直列回路は、駆動用トランジスタＴｒ１１のゲート端子と直流電源線１４との間に接続される。駆動制御回路１５は、通常状態に設定されると、開路用トランジスタＴｒ１４をオンし、制御用トランジスタＴｒ１２、Ｔｒ１３を通じて駆動用トランジスタＴｒ１１の導通状態を制御する。駆動制御回路１５は、制御用トランジスタＴｒ１２、Ｔｒ１３の双方がオフのとき、開路用トランジスタＴｒ１４をオフする。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型素子を駆動状態と非駆動状態の間で遷移させるときの遷移期間において、電圧駆動型素子のゲート電圧を柔軟に制御するための技術を提供する。
【解決手段】駆動装置１は、電圧駆動部３と電流駆動部４を備えている。電圧駆動型素子２を駆動状態と非駆動状態の間で遷移させるときの遷移期間のうちの一部の区間では、電圧駆動部３を利用した電圧駆動型素子２のゲート電圧Ｖｇの制御が停止され、電流駆動部４を利用した電圧駆動型素子２のゲート電圧Ｖｇの制御が実行されるように構成されている。 （もっと読む）