【課題】ＴＦＴと光電変換素子とを組み合わせた撮像装置において、ノイズ性能などの特性を低下させることなく、動作抵抗を変更できるようにする。
【解決手段】撮像装置は、動作抵抗が異なる複数の薄膜トランジスタＴ１，Ｔ２と、光電変換素子Ｃ１１とをそれぞれ備える複数の画素と、複数の薄膜トランジスタの少なくとも１つを選択する選択部１０２と、光電変換素子で生成された電荷を選択部により選択された薄膜トランジスタを介して出力する信号配線Ｓ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来よりも、検出電圧のダイナミックレンジを広くする。
【解決手段】マトリクス状に配置された光センサ画素と、出力線とを備え、前記各光センサ画素は、光センサ素子を有する光センサアレイであって、前記各光センサ素子は、第１の基準電圧が入力される上部電極と、下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に挟持される光依存可変抵抗素子とを有し、前記各光センサ画素は、前記下部電極と第２基準電圧との間に接続される容量素子と、第２電極に第１電源電圧が入力され、第１電極が前記下部電極に接続されるとともに、制御電極に第２クロックが入力される第１トランジスタと、第２電極に第２電源電圧が入力され、制御電極が前記下部電極に接続される第２トランジスタと、第２電極が前記第２トランジスタの第１電極に接続され、第１電極が前記出力線に接続されるとともに、制御電極に第１クロックが入力される第３トランジスタとを有し、前記光依存可変抵抗素子は、アモルファスシリコン膜である。 （もっと読む）

【課題】集積化が容易で検出感度の向上が可能な赤外線２次元イメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体膜から成る赤外線検出容量ＣＦのうち、容量部分１００は、引出配線１０２および１０４により支持されて、溝部３３０の両側のＳｉ基板に対して保持される。下部電極は、引出配線１０２と結合し、上部電極は、引出配線１０４と結合する。容量部分１００の平面形状は、長方形形状から、対角線方向に互いに対向する１０６の部分および１０８の部分を除いた形状となっている。 （もっと読む）

【課題】熱電変換素子の温度を一定に保つと共に消費電力を抑える。
【解決手段】遮光構造とされる画素１５ａ、１５ｂ中のボロメータ素子と、外部から入射される赤外線を受光する画素２ａ、２ｂ中のボロメータ素子と、を含み、電流ミラー源回路１４、自己発熱制御回路１６は、画素１５ａ、１５ｂ中のボロメータ素子の抵抗値に基づいて、第１の期間において画素１５ａ、１５ｂ、２ａ、２ｂ中のボロメータ素子への電源ＶＤＤ（発熱用電圧）の供給を制御し、第１の期間とは排他的な第２の期間において電流ミラー源回路１４、読み出し回路８は、画素１５ａ、１５ｂ、２ａ、２ｂ中のボロメータ素子に読み出し用電圧を印加するように制御する。 （もっと読む）

【課題】電気的絶縁における信頼性を確保しつつ、高速応答が可能な赤外線撮像素子を提供する。
【解決手段】この発明に係る赤外線撮像素子の製造方法は、ＳＯＩ基板に配置された複数の画素と、画素からの電気信号を読み出す回路とをＳＯＩ基板に有する熱型の赤外線撮像素子の製造方法であって、画素にシリコンダイオードによって温度を検出する検出部を形成する工程を有し、検出部を形成する工程において、ＳＯＩ基板のＳＯＩ層にシリコンダイオードを形成し、さらにシリコンダイオードを構成するシリコンの表面を熱酸化して熱酸化によって生成された熱酸化膜とＳＯＩ基板の埋め込み酸化膜層とによってシリコンダイオードを被覆する工程を備えりことを特徴とするとする。 （もっと読む）

【課題】入射する光のｓ波成分とｐ波成分とでオフセット及びアンバランスが生じない偏光面検波センサーを提供する。
【解決手段】本発明の偏光面検波センサーは、シリコン基板３０１に形成された２つのフォトダイオードと、フローティングディフュージョンＣｆｄと、シリコン基板３０１上方に形成された偏光層とを有する複数の単位画素を備え、偏光層は、２つのフォトダイオードの一方が形成されている領域の上方に形成され、入射光の第１の偏光成分を透過する第１の偏光子Ｐｓ１と、２つのフォトダイオードの他方が形成されている領域の上方に形成され、第１の偏光成分に直交する第２の偏光成分を透過する第２の偏光子とを有し、複数の単位画素それぞれは、さらに、第１の偏光子Ｐｓ１及び第２の偏光子からフローティングディフュージョンＣｆｄに入射する斜め光を遮光する遮光部３１０を備える。 （もっと読む）

【課題】暗電流があっても高いＳＮ比の信号もしくは鮮明な画像を得ることができる、小型化された近赤外イメージセンサを提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上に形成され、受光層３を有する１つまたは複数の受光素子と、近赤外光の入射側に位置する変調部５０と、後ろ側に位置する信号処理部７０とを備え、受光層３のバンドギャップ波長が、１．２μｍ以上３μｍ以下であり、変調部５０は、シリコンを主成分とするＭＥＭＳで形成されて、１つまたは複数の受光素子をカバーして、該受光素子と一体化しており、そして信号処理部７０は、受光素子の信号を読み出す信号読み出し回路、および当該受光素子からの信号を検出する信号検出部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センサ部から電荷転送素子部への熱拡散を最小限に抑える。
【解決手段】焦電センサのセンサ部１０Ｂと電荷転送素子部２０とを、それらの間にシリコン犠牲層１６を挟み込んで一体とした状態で、センサ部１０Ｂを画素単位でパターニング加工し、センサ部１０Ｂの電極層１３と電荷転送素子部２０の入力電極２２とを接続する引き出し電極３０等を形成したのち、最終工程でシリコン犠牲層１６を除去して、センサ部１０Ｂと電荷転送素子部２０との間に空隙層を形成して熱的に分離する。 （もっと読む）

赤外放射を検出するための装置であって、放射を検出するためのボロメーターのアレイと、各ボロメーターを読み取るために、ボロメーターを通して電流を流すためにあらかじめ設定された電圧でボロメーターにバイアスを印加することができる回路構成、共通モード電流を生成することができる回路構成、及びボロメーターを流れる電流と共通モード電流との間の差を積分することができる回路構成を有する信号成形回路構成とを備える装置を提供する。装置は、ボロメーターの抵抗値をボロメーターのオフセットによって決まるあらかじめ設定された量だけ変更するために、各ボロメーターに電流を注入することができる補正回路構成を備え、電流の注入はボロメーターの読み取りバイアス印加の前に実行され、変更はボロメーターの抵抗値が温度の関数として変化する方向に従って実行される。補正回路構成は、ボロメーターの抵抗値を共通の値に向けて変更することができる。
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【課題】基準電圧供給線における電圧降下と行選択線における電圧降下とを一致させることができ、誤差の少ない赤外線固体撮像素子を提供する。
【解決手段】その赤外線固体撮像素子は、それぞれ少なくとも１個以上直列接続されたダイオードを有し、複数の行及び列を構成する画素８０３と、画素の陽極が行毎に接続される行選択線３０３と、画素の陰極が列毎に接続される信号線３０２と、画素エリアと、信号線にそれぞれ接続された第１の定電流化手段と、各列にそれぞれ対応して設けられて第１の定電流化手段と同じ電流を流す第２の定電流化手段２と、第１の定電流化手段と第２の定電流化手段の電圧差を積分して出力する積分回路７と、を含む信号処理回路５０９と、を備え、信号処理回路は、画素エリアの少なくとも１つの行をダミー行８０２として含み、ダミー行の選択線を基準電圧供給線とした。 （もっと読む）