【課題】積層体を封止する封止材としてフィルムを用い、減圧条件下で封止する場合に、封止材と積層体との間の滑りが抑えられることで接続ランドと電極との接続精度に優れるとともに、封止性能にも優れた有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】積層体１２と第１のフィルム基材１４との間に、積層体１２の封止時にこれらの間で生じる滑りを防止する滑り防止材４８が設けられており、これらの間での滑りが防止されることによって貫通孔３８と積層体１２の電極３０，３２との位置が合わされており、貫通孔３８を通じて導電性材料４０により積層体１２の電極３０，３２が外部に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】外部から伝達された駆動電源によって照明用ＯＬＥＤタイルが動作することを特徴とする照明用ＯＬＥＤタイル装置を提供する。
【解決手段】本発明は照明用ＯＬＥＤタイル装置において、照明用ＯＬＥＤタイルを支持するタイルカバーに磁石を備え、照明用ＯＬＥＤタイルの電極とタイルカバーの磁石とが接触されるようにすることで外部から伝達された駆動電源がタイルカバーの磁石によって照明用ＯＬＥＤタイルが動作する。本発明による照明用ＯＬＥＤタイル装置によれば、複数個のＯＬＥＤタイルが連結された照明装置でそれぞれのＯＬＥＤタイルを金属配線で連結することなく磁石を介して連結することによって、ＯＬＥＤタイルに要する配線を減少させ、異常のあるＯＬＥＤタイルを正常作動するＯＬＥＤタイルに容易に換えることができる効果がある。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす、適切な構成を備えた保護回路等を提供する。
【解決手段】ゲート電極１０１を被覆するゲート絶縁層１０２と、ゲート絶縁層１０２上においてゲート電極１０１と重畳する第１酸化物半導体層１０３と、第１酸化物半導体層１０３上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層１０５ａと第２酸化物半導体層１０４ａが積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９とを有する非線形素子１７０ａを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層１０２上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子１７０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】表示基板と中継基板との圧着条件を固着部全体に亘って同一にすることにより、固着部における電気的抵抗の不均一性を解消することができるとともに、コントラストの低下等の表示上の不具合を生ずることがない電気光学装置、及び当該電気光学装置を備える電子機器を提供する。
【解決手段】フレキシブル基板等の中継基板に形成された配線に接続される電極７４，７５等の電極の間に平坦化膜８０が形成されており、平坦化膜８０上及び電極７４，７５の端部に第１層間絶縁層２８４が形成されている。そして、電極７４，７５上及び凸部７９に透明電極７７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生が抑制され、信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】発光デバイスが形成された第１の基板と、第２の基板とがガラスフリットを用いて封止された発光装置において、ガラスフリットを溶融、固化して形成された封止材と重なる領域に用いる配線材料には、発光装置に用いる基板の材料と線熱膨張係数の近い導電性材料を用いればよい。より具体的には、基板材料の線熱膨張係数との差が、０℃から５００℃の範囲において、５ｐｐｍ以下の線熱膨張係数を有する導電性材料を配線材料として用いる。 （もっと読む）

【課題】活性層となる酸化物導電体層への光の入射を防ぎ、ＴＦＴ特性の低下を抑制することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本技術の表示装置は、活性層が酸化物導電体よりなる薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に設けられた発光素子と、薄膜トランジスタおよび発光素子の各端面、並びに発光素子の上面の一部を覆う遮光膜とを備える。 （もっと読む）

【課題】 Ｍｏの持つＳｉバリヤ性、ＩＴＯコンタクト性という利点を維持しながら、耐酸化性を改善し、尚且つＣｕとの積層時や信号ケ−ブルの取り付け等の加熱工程を経ても低い電気低抵値を維持できる、電子部品用積層配線膜を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Ｃｕでなる主導電層と、該主導電層の一方の面および／または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がＭｏ_{１００−Ｘ}Ｎｉ_Ｘ、１０≦Ｘ≦７０で表され、残部不可避的不純物からなるＭｏ−Ｎｉ合金である電子部品用積層配線膜。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御するため、薄膜トランジスタのチャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介してゲート電極を設けた際に、プロセス数の増加を招くことなく、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を得る。
【解決手段】酸化物半導体層１３１の上方に設ける第２のゲート電極１３３を形成するとき、酸化物半導体層１３１のパターニングと同時に形成することで、第２のゲート電極１３３の作製に要するプロセス数の増加を削減する。 （もっと読む）

【課題】静電破壊を防止して歩留まり良く製造できる電気装置の製造方法、半導体基板の製造方法、電気装置用形成基板、及び電子機器を提供する。
【解決手段】支持体上に、樹脂材料からなる基材を複数積層することで第１基板を形成する工程と、素子基板から前記支持体を剥離する工程と、素子基板との間で機能素子を挟持するように第２基板を貼り付ける工程と、を有する電気装置の製造方法に関する。素子基板の形成工程においては、複数の基材間のいずれかに挟持するように電極層を配置するとともに、電極層よりも上層であって複数の前記基材間のいずれかに挟持する或いは基板本体の表面に配置するように機能素子を駆動するための半導体素子を設ける。 （もっと読む）

【課題】省エネルギーであり、寿命が長い発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、収納状態から作動状態に展開可能な面発光体８０及び該面発光体の展開された部分を発光させるように駆動電流を制御する電流制御手段を有し、面発光体８０は、複数枚の発光板８０１がアコーデオン状に連結されて形成されており、電流制御手段は、発光板８０１の各々に対応した電極を有し、発光板８０１の隣り合うもの間の角度を大きくすることにより面発光体８０が展開され、角度を小さくすることにより収納され、角度が所定値以下では、電極間の接続が断たれ、角度が所定値よりも大きい時は、電極間の接続が形成されることにより、面発光体８０が展開されたときに、展開された部分が発光することを特徴とする。 （もっと読む）