【課題】 リモートプラズマ源から供給される活性粒子の空間密度を簡単な構成で計測できるようにすること。
【解決手段】 ガス流体が通流する中空管の軸方向の設定位置に電磁波を照射して中空管内にプラズマを生じさせ、そのプラズマにより生成されるガス流体の活性粒子を容器内に導入し、その容器内を透過するレーザ光の減衰量を計測し、その減衰量に基づいてプラズマ活性粒子の密度を算出するプラズマ解離粒子の密度計測方法であって、設定位置を中空管の軸方向に沿って移動させることにより、中空管内の活性粒子の密度分布を計測することができる。 （もっと読む）

【課題】 簡単な設備でプラズマ中の特定粒子の密度を計測し、プラズマ状態の変化を抑制すること。
【解決手段】 真空容器内に高周波電源から出力された高周波の電磁波を放射し、その電磁波によって原料ガスのプラズマを発生させて、基板上の成膜対象面に成膜を行なうプラズマ成膜方法において、プラズマ中の特定粒子の発光強度を計測し、発光強度から特定粒子の密度を算出し、その密度に基づいて成膜条件を制御すること。 （もっと読む）

マイクロアークの発生を検出して、装置や基板にダメージを与えるマイクロアークを有効に抑制する。 基板処理装置は、高周波電源部１００から整合器３００を介して処理室２００に設けた電極２１０に高周波電力を印加して、プラズマＰを発生するように構成される。高周波電源１１１と整合器３００との間に方向性結合器１２１を設けて、電極２１０から反射する反射波、及び電極２１０に向かう進行波を検出器１２２に結合する。検出器１２２は反射波Ｐｒのレベル及びその微分レベルが各設定値を越えた時、検出信号を出力する。放電初期を検出期間から外すために、進行波を遅延させた遅延進行波も出力する。制御手段１３０は、検出器１２２から出力される３つの検出信号の一致がとれたとき、有害なマイクロアークが発生したとみなし、ＲＦカット信号をＣＰＵ１１６に加え、高周波電源１１１からの高周波電力を一時停止又は一時低下する。
（もっと読む）

【課題】迅速にアークを識別できる方法および装置を提供する。
【解決手段】プラズマ励起装置１において、プラズマプロセスに接続可能な交流ジェネレータ５は、内部信号を監視する信号監視部１２，１３と、信号監視部１２，１３に接続された基準パラメータ検出器１５および比較器１６と、比較器１６に接続された遮断信号形成手段１８を有しており、さらに比較器１６に接続されたしきい値設定器１７が設けられており、基準パラメータ検出器１５により内部信号の半波長の持続時間が検出される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放電処理装置のプラズマ電極間距離が狭く或いは放電空間の形状がいかなる形状であっても散乱光等の外乱を受けずにプラズマ自体の発光のみを集光可能な測定プローブを提供する。
【解決手段】測定プローブ１は、プラズマ放電処理装置Ｄにおけるプラズマ電極Ｅ１、Ｅ２間に生じるプラズマＰの分光強度を測定するための光情報を伝送する光導部材２と、プラズマＰの発光を光導部材２の端面に集光するための集光レンズ３と、集光レンズ３とプラズマ電極Ｅ１、Ｅ２との間に配置され複数のスリット６を有するスリット部材４と備える。 （もっと読む）

【課題】 プラズマパラメータとしての電子温度を正確に計測することができる電子温度計測方法を提供する。
【解決手段】 イオンエネルギーアナライザ４３によってチャンバ１１内のイオンエネルギー分布を実測し（ステップＳ９１）、電子温度を所定値に仮置きし（ステップＳ９２）、これに基づいてシースモデルによってイオンエネルギー分布をシミュレートし（ステップＳ９３）、実測されたイオンエネルギー分布におけるセカンダリーピーク及びシミュレートされたイオンエネルギー分布におけるセカンダリーピークを比較して、両ピークのエネルギー値のずれが許容値内であるか否かを判別し（ステップＳ９６）、エネルギー値のずれが許容値内である場合には、イオンエネルギー分布のシミュレーションにおいて用いられた電子温度をチャンバ１１内の空間Ｓにおけるプラズマの電子温度として推定する（ステップＳ９８）。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内壁や絶縁体等のチャンバ内部材への堆積物の付着を有効に防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】上部電極34および下部電極16との間にプラズマを生成してウエハＷにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、上部電極34に、その表面に対する所定のスパッタ効果が得られる程度にその表面の自己バイアス電圧Ｖ_ｄｃの絶対値が大きくなるように、または、印加電極におけるプラズマシースの厚さを拡大させ、前記印加電極の対向電極側に縮小されたプラズマが形成されるように、または、印加電極近傍で生成した電子を前記被処理基板上に照射させるように、または、プラズマポテンシャルが所望の値に制御されるように、または、プラズマ密度を上昇させるように、または、プラズマ密度の分布が所望のエッチングの均一性が得られる程度に均一になるように直流電圧を印加する直流電源50を具備する。 （もっと読む）

特性プロセス周波数をプロセスのスペクトル放出の特定された領域で監視することによって、時分割多重化プロセスの終点を決定する改良された方法。領域を、時分割多重化プロセスの最中に使用される材料の予想発光スペクトルに基づいて特定する。特性プロセス周波数を、時分割多重化プロセスにおける工程の持続時間に基づいて決定する。監視されるスペクトルの大きさの変化は、時分割多重化プロセスにおけるプロセスの終点及び材料の層同士の間の遷移を示す。 （もっと読む）

【課題】 静電吸着方式を用いたプラズマを用いる処理装置において、プラズマ電位の上昇を防ぎ、異常放電の発生を阻止する。
【解決手段】 真空室１１０内にプラズマ１０６を発生させる高周波源１０１と、試料１０７に高周波バイアス電力を印加する高周波源１１５と、静電吸着電極１１４を有する試料台１０８と、静電吸着電圧を前記電極に印加する直流電源１１３とを有するプラズマ処理装置において、プラズマ電位の上昇を抑制するために、静電吸着電圧を高周波バイアス電力のピークトゥーピーク電圧の４分の１から２分の１の電位分負側に移行する制御する制御手段を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマの着火ミスや着火遅延による弊害を防止する。
【解決手段】複数枚のウエハ１を一括処理する処理室３２を形成したプロセスチューブ３１と、処理室３２にジクロロシランガス７３を供給するガス供給管３８と、処理室３２にアンモニアガス７１を供給するガス供給管５０と、処理室３２を排気する排気管３５と、処理室３２にプラズマを励起させる一対の電極５７、５７と、両電極に高周波電力を印加する高周波電源５８とを備えたＡＬＤ装置において、プラズマの発光を検出する光センサ６３を処理室３２の外部に配置し、光センサ６３は高周波電源５８を制御するコントローラ６０を接続する。コントローラ６０は光センサ６３からの信号でプラズマの着火ミスや着火遅延を早期に検出して、プラズマ状態が最も不安定な着火状態が繰り返されるのを回避し、安定な成膜を確保できる状況を確保する。
（もっと読む）