説明

国際特許分類[H05H1/00]の内容

電気 (1,674,590) | 他に分類されない電気技術 (122,472) | プラズマ技術 (5,423) | プラズマの生成;プラズマの取扱い (4,622)

国際特許分類[H05H1/00]の下位に属する分類

国際特許分類[H05H1/00]に分類される特許

311 - 320 / 360


【課題】プラズマの着火ミスや着火遅延による弊害を防止する。
【解決手段】複数枚のウエハ1を一括処理する処理室32を形成したプロセスチューブ31と、処理室32にジクロロシランガス73を供給するガス供給管38と、処理室32にアンモニアガス71を供給するガス供給管50と、処理室32を排気する排気管35と、処理室32にプラズマを励起させる一対の電極57、57と、両電極に高周波電力を印加する高周波電源58とを備えたALD装置において、プラズマの発光を検出する光センサ63を処理室32の外部に配置し、光センサ63は高周波電源58を制御するコントローラ60を接続する。コントローラ60は光センサ63からの信号でプラズマの着火ミスや着火遅延を早期に検出して、プラズマ状態が最も不安定な着火状態が繰り返されるのを回避し、安定な成膜を確保できる状況を確保する。
(もっと読む)


【課題】プラズマ処理中の被処理物の状態をリアルタイムで観察可能とするプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置11は、内部空間15の底壁側に被処理物1が配置される真空容器12、真空容器11の外側の上方に配置され、かつ平面視で隙間が形成されるように配置された導体を備えるプラズマ発生用のコイル36、内部空間15の上方を閉鎖し、かつ平面視でコイル36の導体間の隙間と対応する位置に透明部30を備える頂壁16、及びコイル36の上方に配置され、コイル36の導体間の隙間と頂壁16の透明部30とを介して被処理物の少なくとも一部を視野に収めることができるカメラ45を備える。 (もっと読む)


本発明は、真空ライン18に連結されたチャンバ10内で行われる凍結乾燥処理中の脱水運転を監視するための装置に関する。この装置は、チャンバ10内に含まれる気体を分析するための手段を備え、この手段は、プラズマを発生するように構成された発生器と結合された気体と接触しているプラズマ源3を含む、気体をイオン化するためのシステム1、及び、プラズマにより放出される放射スペクトルの発生を分析する装置22に連結されたプラズマ発生区域の近くに配置された放射線センサ20を含む、イオン化された気体を分析するためのシステムを含む。このプラズマ源は誘導結合によって生成されることが好ましく、放射スペクトルを分析する装置は発光分析装置である。
(もっと読む)


本発明は、電流分布リアルタイム硬X線診断により取得される線積分測定値を利用する0次ベッセル関数Jによるトモグラフィ逆変換技術を使用して、円環状容器に収容されるイオン化ガスリングから放出される超熱電子の局所的放射率分布を求める方法に関する。
(もっと読む)


被処理体(W)を収容する容器(1)と、この容器(1)内のラジカルを含む雰囲気(P)に向けて紫外光(UV)を出力する紫外光発生手段(41)と、雰囲気(P)中を通過してきた紫外光(UV)を受光する紫外光受光手段(42)と、この紫外光受光手段(42)の出力信号に基づき雰囲気(P)中におけるラジカルの密度を求め、プロセスのパラメータを制御する解析制御手段(43,44)とを備えている。これにより、ラジカルの密度を一定に保持し、プロセスの再現性を向上させることができる。
(もっと読む)


【課題】 腐食性の高いハロゲン・プラズマを発生させるプラズマ発生装置において、プラズマ室に連結する外部装置の連結部に設けられたOリングの腐食を防止すると共に、その連結部の大気に対する気密性を高めたOリング構造を提供すること。
【解決手段】 ハロゲン・プラズマに対し耐腐食性の高いフッ素樹脂系資材で形成したリング径の小さい内側Oリング33と、気密性の高いゴム系資材で形成したリング径の大きい外側Oリング34とを設け、プラズマ室11の上部凹所31にマイクロ波窓として配設したアルミナ板32と前記上部凹所31の底部との間に、前記内側Oリング33と外側Oリング34とを備えたOリング構造となっている。 (もっと読む)


【課題】 プラズマ処理装置において、処理ごとに最適な真空容器内環境を提供する。
【解決手段】 真空容器1と、第1の高周波電源4と、第2の高周波電源21と、第3の高周波電源25と、第1の高周波電源からの第1の高周波電圧および第3の高周波電源からの第3の高周波電圧が混合されて供給される真空容器内に設けた第1の電極2と、上面に試料12が載置され第2の高周波電源からの第2の高周波電圧が供給される真空容器内に設けた第2の電極14と、第2の高周波電圧と第3の高周波電圧の位相差を制御する位相制御装置26とを備えるプラズマ処理装置であって、第2の高周波電圧と第3の高周波電圧は同一の周波数であり、第1の電極の第3の高周波電圧の位相を検出する第1の位相検出手段32と、第2の電極の第2の高周波電圧の位相を検出する第2の位相検出手段31とを備え、第1の位相検出手段と第2の位相検出手段の出力に基づいて、第2の高周波電圧および第3の高周波電圧の位相差を制御する。 (もっと読む)


【課題】大気圧大面積プラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】本発明による大気圧大面積プラズマ発生装置は、発振周波数が可変なVCO回路,マイクロ波の発振時間と発振の繰り返し時間可変のパルス回路を含むマイクロ波発振器1と、アイソレータと増幅器を含むマイクロ波変調器2と、前記マイクロ波変調器2の出力に接続されているユニット化した複数のマイクロ波電力増幅器と、前記各マイクロ波電力増幅器にそれぞれ接続され、それぞれにプラズマ発生用ガスが導入されている同軸共振ヘッドよりなるプラズマガスを発生する複数のマイクロ波プラズマ発生源4と、前記複数のマイクロ波プラズマ発生源4を特定の空間に向けて配列する支持構造と、前記プラズマ発生源4に関連して配置されているプラズマセンサと、制御装置5から構成されている。 (もっと読む)


【課題】プラズマチャンバ内に発生するアーキング検出・抑制回路とアルゴリズムの提供。
【解決手段】PLC12とDSP14から構成されるアーク検出抑制回路10を備える。アンテナ47からの電磁場信号48、方向性結合器からの前進出力信号25、反射出力信号27等1つ以上のセンサ信号に対して閾値を設け、アークを検出し場合RF電源20に対して、短期間に出力を低減することによってアークを抑制させ、次いで元の値に回復させる。アークが再び始まると、RF電源20は、出力を低減し、次いで出力を回復するステップを繰り返す。 (もっと読む)


【課題】 プラズマエッチングを実行中に装置安定性を維持しかつプラズマエッチング加工の再現性を向上できるプラズマエッチング法及びプラズマエッチング装置を提供する。また、プラズマエッチング法を用いて光学素子を精度及び再現性よく製造できる光学素子用成形金型及び光学素子を提供する。
【解決手段】 このプラズマエッチング法は、プラズマエッチングにおいて測定された被加工基材の電位に基づいて高周波電力を制御することで、プラズマエッチング中の被加工基材の電位を所定範囲内に制御する。 (もっと読む)


311 - 320 / 360