【課題】 異常放電を精度良く検出することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置２は、超音波センサ４１と、電位プローブ５０と、ＣＰＵを有するパーソナルコンピュータ５２とを備え、ＣＰＵは、電位プローブ５０に電位変動を検出させ、さらに、超音波センサ４１に超音波を検出させ、電位変動が検出されたタイミングと同じタイミングで超音波が検出されたと判別した場合に、異常放電が発生したと判別する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ表面改質や不純物導入工程において、半導体ウェーハ間やロット間で膜厚や不純物量のばらつきが抑制され、安定した素子特性が得られる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 複数枚の半導体基板の表面に、プラズマを用いて窒化処理、酸化処理、又は不純物導入のいずれかを行う際に、プラズマから発せられる発光中の少なくとも１種類の波長の発光強度、あるいは発光強度に加えて入射電力及び反射電力を測定する工程と、測定して得られた発光強度、あるいは発光強度と入射電力及び反射電力に基づいて、各々の半導体基板毎にプラズマに暴露する暴露時間を算出する工程と、算出した暴露時間に基づいて各々の半導体基板をプラズマに暴露して、窒化処理、酸化処理、又は不純物導入のいずれかを行う工程とを備える。 （もっと読む）

イオンビーム加速システムにおいて、過渡電流アーク抑制およびイオンビーム加速バイアス回路が記載されている。回路の２つのターミナルは、直列に接続可能で、自動的にアーク状態を検出し、電源と負荷のターミナル間で比較的低い抵抗の電気回路を与える第一の操作状態から、比較的高い抵抗の電気回路を与える第二の操作状態にスイッチすることでアークを抑制する。回路部品の特徴的選択により、アークが抑制された後に第二状態から第一状態へ回復する遅延速度を制御することができる。 （もっと読む）

プラズマ加工チャンバを有したプラズマ加工システムにおいて利用される加工工程の現場モニター方法が開示されている。本方法はプラズマ加工チャンバ内に基板を配置するステップを含んでいる。本方法は基板がプラズマ加工チャンバ内に配置されているときにプラズマ加工チャンバ内でプラズマをストライク処理するステップをさらに含んでいる。本方法はプラズマストライク処理後に存在する測定されたプラズマ周波数を獲得するステップをさらに含んでおり、測定されたプラズマ周波数はプラズマが存在しないときには第１値を有し、プラズマが存在するときには第１値とは異なる少なくとも第２値を有している。本方法は測定されたプラズマ周波数値が設定プラズマ周波数値範囲を外れていれば、測定されたプラズマ周波数値をその工程の属性と相関させるステップをさらに含んでいる。
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【課題】材料処理システムをモニタするための改良された装置及び方法を提供する。
【解決手段】材料処理システムは、プラズマ処理ツールと、プラズマデータを生成すると共に送信するためにプラズマ処理ツールに結合された複数のＲＦ応答性プラズマセンサ１９０と、複数のＲＦ応答性プラズマセンサからプラズマデータを受信するためのセンサインターフェースアセンブリ（ＳＩＡ）１８０とを含む。
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【課題】正確なDCバイアス電圧を検出することができ、かつ異常放電を生じさせることのないDCバイアス電圧測定回路を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の非接地電極に生じるDCバイアス電圧を測定するための回路であり、第１端子と、第２端子と、第１端子と前記第２端子との間に接続された第１抵抗と、第２端子と接地との間に接続された第２抵抗と、第２端子と接地との間に第２抵抗と並列に接続されたコンデンサと、から成り、第１端子にRF電源及び非接地電極が接続され、第２端子から前記DCバイアス電圧の測定値を出力するところの回路は、第１抵抗及び第２抵抗の抵抗値を合計した入力抵抗値が少なくとも５０MΩであることを特徴とする。 （もっと読む）

プラズマ加工チャンバを有したプラズマ加工システムにおいて利用される加工工程の現場モニター方法が開示されている。本方法はプラズマ加工チャンバ内に基板を配置するステップを含んでいる。本方法は基板がプラズマ加工チャンバ内に配置されているときにプラズマ加工チャンバ内でプラズマをストライク処理するステップをさらに含んでいる。本方法はプラズマストライク処理後に存在する測定されたインピーダンスを獲得するステップをさらに含んでおり、測定されたインピーダンスはプラズマが存在しないときには第１値を有し、プラズマが存在するときには第１値とは異なる少なくとも第２値を有している。本方法は測定されたインピーダンス値が設定インピーダンス値範囲を外れていれば、測定されたインピーダンス値をその工程の属性と相関させるステップをさらに含んでいる。
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【課題】プラズマ処理条件が変化することによって、プラズマのインピーダンスが、大幅に或いは急峻に変動する場合においても、適切なインピーダンス調整を実現し、プラズマ処理による製品の品質および再現性を改善する。
【解決手段】高周波電源１１３より出力された高周波電力を、整合器１１４及び高周波電極１１７を介して反応容器１０１内に導入し、プラズマを生起して、基体１０２にプラズマ処理を施す。この際、高周波電源１１３の出力インピーダンスと整合器１１４の入り口のインピーダンスとのインピーダンス整合の状態を表す整合パラメーターが、予め設定された設定条件を満たすように、整合器１１４内の整合回路のインピーダンス調整を実施する。この設定条件は、プラズマ処理条件が一定の際の設定条件をｐ、プラズマ処理条件が変化する際の設定条件をｑとした場合、ｐ⊂ｑとする。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜のプラズマエッチング時間を適切に制御することの可能なプラズマエッチング装置を得ること。
【解決手段】 プラズマエッチング装置は、放電電極及び高周波電源の間に設けられ、プラズマのリアクタンスの高調波成分を測定するセンサ２２と、所定の線形関数を利用して、前記高周波成分の平均値に対応するエッチングの終点時間を算出する手段２４とを備える。所定の線形関数は、プラズマエッチングされる薄膜のパターン開口率に応じて、複数の線形関数の中から選択される。 （もっと読む）

本発明は、プラズマの励起電流の電気的特性を測定するためのプローブに関する。当該プローブは、内側導体（２１）および外側導体（２２）を含む導電性ライン（２０）上に取り付けられており、電流センサ（４１）および電圧センサ（４２）を含み、該電流センサが、該導体（２２）中を流れる電流のための迂回路を形成するために、該導体の１つの主要部内に形成されたグルーブ（４１０）と、該導体に接続されたアースと該グルーブのポイントとの間の電圧を測定するためのポイントとを含み、それによって、該電流センサは、該励起電流の強度（Ｉ_{ｐｌａｓｍａ}）の一次時間微分に比例する電圧（Ｖ１）を測定することができる。該電圧センサ（４２）は、該励起電流の電圧（Ｖ_{ｐｌａｓｍａ}）の一次時間微分に比例する電圧（Ｖ２）を測定することができる分路センサである。本発明はまた、上記タイプのプローブを有するプラズマ反応器に関する。 （もっと読む）