【課題】試料に対して均一なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】試料をプラズマ処理する真空処理室と、前記真空処理室の上面を形成する誘電体窓と、前記真空処理室内にガスを導入するガス導入手段と、前記真空処理室内に配置され前記試料を載置する試料台と、前記誘電体窓の上方に設けられた誘導コイル４ｄと、誘導コイル４ｄに高周波電力を供給する高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、誘導コイル４ｄの下方に配置された平板の導体１２を備え、誘導コイル４ｄは、交差した給電部を有し、導体１２は、前記給電部の下方に配置され、誘導コイル４ｄの給電部の誘導磁場分布を調整して試料上でのプラズマ分布を補正する。 （もっと読む）

【課題】 低温領域での成膜により基板上に形成された薄膜の膜質を向上させる。
【解決手段】 所定の成膜温度で形成された薄膜を有する基板が搬入される処理室と、処理室内に酸素又は窒素の少なくともいずれかを含む処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスを励起する励起部と、処理室内の基板を加熱する加熱部と、加熱部により基板を加熱させ、ガス供給部により供給させた処理ガスを励起部により励起させ、励起した処理ガスを基板の表面に供給して基板を処理する際、基板の温度が成膜温度以下の温度となるように、少なくともガス供給部、励起部及び加熱部を制御する。 （もっと読む）

【課題】表面波プラズマ発生用アンテナから出力される電力やアンテナ直下のプラズマ状態を、プラズマ生成するための電界分布を乱すことなく直接検出することができるマイクロ波放射機構を提供すること。
【解決手段】マイクロ波放射機構４１は、表面波プラズマ発生用アンテナ８１と、誘電体からなる遅波材８２と、アンテナ８１から放射されたマイクロ波により表面波プラズマを生成するための電界が形成される誘電体部材８３と、電界センサ１１２またはプラズマ発光センサ１１３と、遅波材８２および表面波プラズマ発生用アンテナ８１を貫通するように設けられたセンサ挿入孔１１０とを具備し、センサ挿入孔１１０は、スロット内側に対応する領域に、同一の円周上にスロットの１以上の整数倍の個数が均等に形成されており、電界センサ１１２またはプラズマ発光センサ１１３は、センサ挿入孔１１０の少なくとも一つに挿入されている。 （もっと読む）

【課題】３つ以上の環状アンテナ部を同心状に設けた高周波アンテナを用いた場合であっても、環状アンテナ部の電流の独立制御性が高い誘導結合プラズマ用アンテナユニットを提供すること。
【解決手段】アンテナユニット５０において、アンテナ１３は、高周波電力が供給されることにより処理室内に誘導電界を形成する同心状に設けられた少なくとも３つのアンテナ部１３ａ，１３ｂ，１３ｃを有し、各アンテナ部は、アンテナ線６１，６２，６３，６４等が渦巻き状に巻回されて構成され、アンテナ部１３ａ，１３ｂ，１３ｃのうち隣接するものどうしは、アンテナ線が互いに逆巻となるように巻回されている。 （もっと読む）

【課題】小型かつ高効率のプラズマを発生できる大気圧プラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】大気圧プラズマ発生装置１は、管軸方向に放電ガスが流れ高周波電源２１からの高周波電力が供給されることによりプラズマを発生する放電管２６と、放電管２６に高周波電力を伝達するアンテナ２５と、高周波電源２１とアンテナ２５との間に配置された整合回路とを備え、当該整合回路は、高周波電源２１の一端とアンテナ２５の一端との間に接続されたインダクタ２３、高周波電源２１の他方の一端とアンテナ２５の他方の一端との間に接続された可変コンデンサ２４を備え、アンテナ２５は、上記整合回路と連続した配線であって放電管２６の近傍に配置され実際に電流の流れる第１のアンテナ部２５１と、放電管２６と接触する部分を有する第２のアンテナ部２５２とで構成される。 （もっと読む）

【課題】任意の領域のプラズマ密度を自在に可変して、グローバルローディングを低減したエッチング処理ができるドライエッチング装置、ドライエッチング方法、フォトマスク製造装置及びフォトマスク製造方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置２０は、被エッチング材料をエッチングするドライエッチング装置である。演算機構３４は、被エッチング材料のパターンデータを記憶してパターン密度を算出する。また、マグネット３０などによって構成されるプラズマ制御機構は、エッチング処理の際に被エッチング材料のプラズマ密度を変更する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ負荷等に高周波電力を供給する高周波電源装置の負荷に低周波数の変動が生じたときに、出力制御にゆらぎが生じて高周波出力が変動するのを防止する。
【解決手段】高周波電力発生部４の出力側で検出される進行波電力又は反射波電力から電力の変動周期を検出する電力変動周期検出部１０と、制御周期と電力変動周期との差に起因して高周波電力発生部の出力の平均値にゆらぎが生じるのを防ぐために適した制御周期の適正値を検出された電力変動周期に応じて設定する制御周期設定手段１１と、制御周期を制御周期設定手段により設定された周期とするように高周波電力検出部が高周波電力を検出するタイミング及び高周波電力発生部に制御信号を与えるタイミングを制御するタイミングコントローラ１２とを設けた。 （もっと読む）

【課題】カバレージ性の高い、面内均一性に優れたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマによりターゲット（３１）から叩き出されたスパッタ粒子を基板（Ｗ）の表面に堆積させるに際して、そのスパッタ粒子をプラズマで分解して活性種を生成した後、基板表面へ堆積させる。これにより、プラズマＣＶＤに類似した成膜形態が得られ、カバレージ性の高い、面内均一性に優れたスパッタ成膜が可能となる。特に、プラズマ源に高周波電場と環状磁気中性線（２５）を用いているので、磁場ゼロ領域で非常に高密度なプラズマを効率よく発生させることができる。このプラズマは、磁気中性線の形成位置、大きさを任意に調整することで面内均一性の高いプラズマ処理が実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】基材の表面処理装置におけるリークの発生を防止する。
【解決手段】密閉容器１０、ロール電極２０を含む一対の電極、ロール電極２０と密閉容器１０の孔１１との隙間を塞ぐための磁気シール器５０とを備え、ロール電極２０が、孔１１を介して密閉容器１０外に延伸し、高周波電源に接続されるべき軸芯部２２と、軸鞘部２３とを有しており、軸芯部２２と軸鞘部２３との間が絶縁されており、磁性流体膜５６が周囲に形成される軸鞘部２３の軸方向の領域２５が、軸鞘部２３の全周にわたって、かつ軸鞘部２３の径方向の少なくとも一部において磁性体２７で形成されることによって、軸芯部２２に高周波電流を流した場合に軸芯部２２の周囲に発生する磁界に起因して磁性流体膜５６の形成が阻害されることが防止された、表面処理装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク膜又は中間膜に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンの下層レジスト膜７１、ハードマスクとしてのＳｉＯＮ膜７２、反射防止膜７３及びフォトレジスト膜７４が順に積層されたシリコン基材７０において、ＣＦ_３ＩガスとＨ_２ガスとの混合ガスから生成されたプラズマによってフォトレジスト膜７４の開口部７５の側壁面にデポ７６を堆積させて開口部７５の開口幅を縮小させるシュリンク工程と、反射防止膜７３及びＳｉＯＮ膜７２をエッチングするエッチング工程とを１ステップで行う。 （もっと読む）