【課題】基材の表面処理装置におけるリークの発生を防止する。
【解決手段】密閉容器１０、ロール電極２０を含む一対の電極、ロール電極２０と密閉容器１０の孔１１との隙間を塞ぐための磁気シール器５０とを備え、ロール電極２０が、孔１１を介して密閉容器１０外に延伸し、高周波電源に接続されるべき軸芯部２２と、軸鞘部２３とを有しており、軸芯部２２と軸鞘部２３との間が絶縁されており、磁性流体膜５６が周囲に形成される軸鞘部２３の軸方向の領域２５が、軸鞘部２３の全周にわたって、かつ軸鞘部２３の径方向の少なくとも一部において磁性体２７で形成されることによって、軸芯部２２に高周波電流を流した場合に軸芯部２２の周囲に発生する磁界に起因して磁性流体膜５６の形成が阻害されることが防止された、表面処理装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】ファブリック構造電極をプラズマ生成部に用いた新規なプラズマ生成装置の電源回路を提供する。
【解決手段】商用電源（例えばＡＣ１００［Ｖ］、６０［Ｈｚ］）に接続される一つの単巻変圧器２１と複数の電子トランス２２とファブリック構造電極で構成される複数の放電電極２３からなるファブリック構造電極２０を有する。単巻変圧器２１は可変単巻変圧器であってもよい。可変単巻変圧器とすると負荷に応じた最適な電圧に調節できる利点がある。電子トランス２２と一対の放電電極２３は同数設ける。電子トランス２２を一対の放電電極と同数設けたことにより、ファブリック構造電極をプラズマ生成部に有するプラズマ生成装置に安定して電力を供給できる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成時の負荷変動に高速に対応すると共に、自動インピーダンス制御回路の長寿命化を図ることが可能な増幅システムを提供する。
【解決手段】プラズマの生成によりインピーダンスが変動する負荷と接続する増幅システムは、入力線路、第１及び第２の増幅器、出力線路、接続線路及びインピーダンス制御回路を具備する。入力線路、出力線路及び接続線路の電気長は、駆動前調整により予め設定される。インピーダンス制御回路は、駆動前調整において、入力から前記負荷側を見たインピーダンスが第１のインピーダンスと等しくなるように制御する。駆動中には、第１の増幅器は、プラズマ生成前後において第１のインピーダンスを目標として信号を増幅する。第２の増幅器は、プラズマ生成前には増幅機能をオフとし、プラズマ生成後には第１のインピーダンスを目標として信号を増幅する。 （もっと読む）

【課題】高周波プラズマ点火装置に用いられるプラズマ生成システムに関し、誘電損失を燃料の加熱に利用すると共に、共振周波数の変化を利用して、ノッキング等の異常燃焼が発生した際に過剰電流が流れるのを防止して、電極消耗の抑制を可能とするプラズマ生成システムを提供する。
【課題を解決する手段】周波数発生器５から発振された周波数ｆ_１を基本波とし、その高調波成分であって、上記基本波の２以上の整数倍の逓倍波（ｆ_２＝ｎｆ_１）を取り出す周波数逓倍手段として、放電回路部２と電力増強部４との間に磁気共鳴手段３を設けて接続すると共に、電力増強部４と磁気共鳴手段３の第１の共振コイル３１との共振周波数ｆ_２が、逓倍波の周波数（ｎｆ_１）に等しく、かつ、放電電極１０、１１が所定の圧力範囲下におかれたときの放電回路部２と磁気共鳴手段３の第２の共振コイル３０との共振周波数ｆ_０に等しくなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】隔壁の製造を容易とするとともに、その耐久性を向上させることで、ランニングコストが低減されたドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】処理容器１６の開口２６は、全部又は一部が誘電体で構成された隔壁２２により塞がれている。隔壁は、複数の貫通孔３０を有する保護部材２４によりプラズマから保護されている。開口は、隔壁の周縁部の下面が開口の周囲の開口端面２０ｂと当接することで、隔壁により密閉される。隔壁と保護部材との間に、複数の貫通孔のそれぞれにプロセスガスを分配するガス分配空間３４が形成されている。開口端面の隔壁と当接する部分には、ガス分配空間と連通され、且つプロセスガス供給源に接続された溝４４が環状に設けられている。 （もっと読む）

【課題】複数のマイクロ波源と処理容器との間のインピーダンス整合の精度を向上させる。
【解決手段】マイクロ波処理装置１は、ウエハＷを収容する処理容器２と、ウエハＷを処理するためのマイクロ波を生成して処理容器２に導入するマイクロ波導入装置３と、マイクロ波導入装置３を制御する制御部８とを備えている。マイクロ波導入装置３は、マイクロ波を生成する複数のマグネトロン３１と、複数のマグネトロン３１において生成されたマイクロ波を処理容器２に伝送する複数の導波管３２とを有し、複数のマイクロ波を同時に処理容器２に導入することが可能である。制御部８は、複数のマイクロ波を同時に処理容器２に導入する第１の状態が継続している間に、選択的且つ一時的に、複数のマグネトロン３１のうちの１つにおいてマイクロ波を生成し、このマイクロ波のみを処理容器２に導入する第２の状態に切り替える。 （もっと読む）

【課題】純粋化学エッチング並びにＲＩＥエッチングにおいてエッチング速度の均一性向上のための方法を提供する。
【解決手段】プラズマ加工システムで利用するプラズマ加工ステップの調整方法において、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で中性分子とイオンとを含んだ第１プラズマをストライク処理するステップを含む。この方法はさらに、基板上の複数層を第１エッチングステップでエッチングするステップと、基板周囲に可動均一リング３０２を設置するステップとを含む。均一性リングの底面は基板の上面とほぼ同じ高さである。方法はさらに、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で本質的に中性分子で成る第２プラズマをストライク処理するステップを含む。方法はさらに、基板上の複数層を第２エッチングステップでエッチングするステップをむ。第１ステップのエッチングと第２ステップのエッチングとは実質的に均等である。 （もっと読む）

【課題】電極剥がれや電極内での放電等を防止し、耐熱性に優れた放電電極および放電装置を提供することを目的とする。
【解決手段】従来の電極の部分を導電性の粉体５に替えることで、温度影響による電極剥がれを防止することができる。また、従来の誘電体バリアの部分を、セラミックあるいは石英で形成され、粉体５を収容可能に構成した筒６に替えることで、筒６と粉体５との間に隙間が生じにくいので、放電電圧が上昇しにくく、発熱しにくくなる。また、筒６がセラミックあるいは石英で形成されているので、耐熱性に優れ、ピンホールもなく、非常に長寿命が期待できる。その結果、電極剥がれや電極内での放電等を防止し、耐熱性に優れたプラズマ用電極１を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 面内均一な基板処理を再現性良く得ることができる基板処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板を処理する処理室と、処理室内にて基板を支持する基板支持部と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマ生成部と、基板支持部の内部に設けられる複数のインピーダンス電極と、インピーダンス電極毎に設けられた基板電位分布調整部と、処理室内を排気する排気部と、少なくともガス供給部、プラズマ生成部及び基板電位分布調整部を制御する制御部と、を備え、制御部は、少なくともガス供給部により供給した処理ガスをプラズマ生成部により励起し、励起した処理ガスを前記基板に供給して処理する際に、基板の処理面の電位分布を基板電位分布調整部によりそれぞれ調整する。 （もっと読む）

【課題】インピーダンス整合までの時間を短縮でき、処理効率を向上できるプラズマ生成用電源装置を提供する。
【解決手段】所定周波数の基準信号を生成する基準信号生成部と、基準信号を増幅し高周波電力信号を生成する電力増幅部と、高周波電力信号に含まれる進行波電力と反射波電力とを検出する検出部と、基準信号の周波数を変化させ電力増幅部での増幅度を変化させる制御部とを備えるプラズマ生成用電源装置において、第１の時間において基準信号を第１の周波数に固定して反射波電力が第１の電力値以下となるよう制御し、その後の第２の時間において、反射波電力が第２の電力値以下になるように基準信号の周波数を掃引するプラズマ生成動作を行うとともに、第１の周波数、第１の時間、第２の時間の最適値を見出すプラズマ生成パラメータ設定動作を行う。 （もっと読む）