【課題】複数の半導体処理装置或いはリアクタ同士の間での処理室内部或いはプラズマの状態の差を低減することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】リアクタ１０１内部の処理室１２０内の試料台１０８内に配置された電極に高周波電源１２５からの電力が整合器１２４を介して供給しつつ前記プラズマを用いてウエハ１０７が処理されるプラズマ処理装置であって、前記処理中に前記電界の電力を複数の値に変動させて検出された前記電力の値の変化に対する前記プラズマの発光の強度、前記プラズマの発光の強度の時間変動の大きさ、前記整合器の整合位置及び前記電極に供給される前記高周波電力の電圧の値の変化を含む特性データのうち少なくとも２つ種類のデータの値の遷移点の前記電力の特定の値が、別のリアクタにおいて前記ウエハと同じ種類のウエハの前記処理中に検出された前記特性データを用いて検出された前記特定の値に合わせる。 （もっと読む）

【課題】シーズニングの時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、処理容器１２、ガス供給部４４、下部電極１４、及び、上部電極４０を備えている。処理容器１２は、処理空間Ｓを画成している。ガス供給部４４は、処理空間Ｓ内に処理ガスを供給する。下部電極１４は、処理空間Ｓの下方に設けられている。上部電極４０は、処理空間Ｓの上方に設けられており、当該上部電極４０には耐プラズマ性を有する被覆層４０ｂが形成されている。当該被覆層４０ｂの表面は研磨されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハが出し入れされる方向に対して斜めに開閉駆動されるゲート弁において、プラズマが回り込みやすい側のシール部材の劣化を抑制する。
【解決手段】ゲート弁は、プラズマ処理装置のチャンバに対してウエハが出し入れされるゲートに設けられ、ウエハの出し入れの方向に対して斜めに交差する斜め方向に開閉駆動される。ゲート弁は、本体部１と、本体部１に設けられ、ゲート弁が閉じたときに、ゲート１０の周縁部に当接するシール部２と、本体部１におけるシール部２が設けられる面から突出し、シール部２の前方において、プラズマが回り込みやすい側に隙間の狭隘部３０を形成する突出部３とを備える。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の印加に伴って発生するノイズを低減することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハが搬入される処理室と、この処理室内にガスを供給するガス供給部と、処理室内を排気する排気部と、処理室内に高周波電力を印加する高周波印加部と、高周波印加部から発生するノイズを検出するノイズ検出部と、ノイズ検出部の検出結果に基づいて、前記高周波印加部から発生するノイズの逆位相の高周波を出力する逆位相出力部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理において、従来に比べて大面積の成膜用基板を、効率よく成膜する。
【解決手段】プラズマを用いた成膜装置は、成膜用基板が配置される成膜空間を備える成膜チャンバと、前記成膜空間に導入された成膜用ガスを用いてプラズマを生成するプラズマ生成ユニットと、を有する。前記プラズマ生成ユニットは、プレートであって、前記プレートの厚さ方向に貫通する複数の貫通孔と、前記貫通孔それぞれの両側の開口の周りに設けられた電極対と、を備えたプラズマ生成プレートと、前記貫通孔それぞれの中でプラズマを生成するために、前記電極対にプラズマ生成電圧を供給する電源と、前記プラズマ生成電圧の供給を前記電極対毎に制御する制御ユニットと、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板におけるプラズマ誘発損傷を減少させる方法を提供する。
【解決手段】基板２１６をチャンバ２１０内に配置し、一つ以上のプロセスガスをチャンバ２１０内に流入させ、プラズマ源電力を第１電力レベルで加えることにより、一つ以上の該プロセスガスからプラズマを生成させ、基板２１６上に膜を堆積させ、該プラズマ源電力を堆積後に該第１電力レベル以下に逓減させる。 （もっと読む）

【課題】フィーチャの微細化や基板サイズの大型化に対応し、プラズマの密度や基板面にわたる均一性のためのプラズマのパラメータの制御が可能となる装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバは、大気負荷を中立化するように構成されたカンチレバー組立体を含む。前記チャンバは壁を含み、前記壁は、内部領域を囲み、かつ、該壁に形成された開口部を有する。前記カンチレバー組立体は、前記チャンバ内で基板を支持する基板体を含む。前記カンチレバー組立体は、一部分が前記チャンバの外に配置されるように開口部を通って伸びている。前記チャンバは、前記壁に対して相対的に前記カンチレバー組立体を動かすように動作する駆動機構を含む。 （もっと読む）

【課題】誘導アンテナにより生成されるプラズマの状態が変わることを抑えつつ、誘電窓に付着したエッチング生成物の除去効率を高めることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、基板Ｓを収容するとともに、誘電窓１２で封止された真空槽Ｃと、誘電窓１２の上方に配置され、真空槽Ｃ内にプラズマを生成する誘導アンテナ２１と、誘導アンテナ２１に接続され、誘導アンテナ２１に流れる電流を抑制する電流抑制コイル２４を備えている。また、プラズマエッチング装置１０は、アンテナ用整合器２３を介して容量電極２６、誘導アンテナ２１、及び電流抑制コイル２４に高周波電力を供給するアンテナ用高周波電源２２を備えている。誘導アンテナ２１及び電流抑制コイル２４からなる直列回路と容量電極２６とからなる並列回路が、アンテナ用整合器２３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体薄膜を形成する製造方法及びその製造方法を実現するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】４族元素の原子と水素原子とを含む化合物をプラズマと活性種とに分解する工程と、活性種を基板上に堆積させる工程とを備え、分解する工程において、プラズマ生成エネルギーは休止期間と供給期間とを繰り返すように間欠的に供給され、プラズマ生成エネルギーは供給期間において時間的に変動する。 （もっと読む）

【課題】 イオン分布を制御してイオンを含むマイクロプラズマにより面内均一性の高いプラズマ処理を実現することができるマイクロ波プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 誘電体からなるマイクロ波透過板２８で天壁が構成されたチャンバー１内に、被処理体Ｗを載置する載置台２を設け、マイクロ波透過板２８を透過したマイクロ波によってプラズマを形成し、該プラズマにより載置台２に載置された被処理体Ｗにプラズマ処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波透過板２８は、載置台２と対向して設けられ、そのマイクロ波透過面の少なくとも載置台２に載置された被処理体Ｗの周縁部における被処理体Ｗのエッジまでの領域に対応する部分に凹凸状部４２を有し、被処理体Ｗの中央部に対応する部分は平坦部４３となっている。 （もっと読む）