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国際特許分類[H05K1/03]の内容

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【課題】 放熱フィンを使用せずに、高消費電力の半導体素子の使用を可能とするBGA、LGA、CGA等の低温焼成セラミックス(LFC)多層基板製半導体素子用パッケージを提供すること。
【解決手段】 LFC多層基板で作製された回路基板2の下に熱伝導性絶縁材3が接合された半導体素子用上記パッケージであって、接合体全体がキャビティーアップ構造であることを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】 業界の待望に応えることができて応用性の広い、プリント配線基板及びそのための中空導体基板を簡単な工程で製造することができて、これらを安価なものとすることのできる中空導体基板及びプリント配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 中空導体基板の製造方法において、基材に半硬化状態とした熱硬化性絶縁樹脂層を形成し、所要個所に孔明加工によって孔を形成し、前記半硬化状態とした熱硬化性絶縁樹脂層に導体材料を接着する。 (もっと読む)


【課題】 電子部品の実装工程を簡素化し、実装工程での生産性を向上させる。
【解決手段】 プリント基板1の表面に形成された信号伝送用配線2aの少なくとも一部にジグザグ部3が形成され、他方の表面にはグラウンド用配線が形成されている。ジグザグ部3には信号側スルーホール9aが設けられ、グラウンド用配線にはグラウンド側スルーホール9bが設けられている。ジグザグ部3によりインダクタ4が構成され、スルーホール9a,9bによりコンデンサが構成されて、プリント回路素子であるLCノイズフィルタ5が形成される。 (もっと読む)


【課題】 高温条件下及び高湿度条件下での寸法安定性、材料の再利用性等に優れたプリント回路板を提供する。
【解決手段】 基板フィルムと導体回路とを接着剤層を介して積層一体化したプリント回路板において、基板フィルムとして、弾性率が500kg/mm2 以上、熱膨張係数が1.5×10-5/℃以下、湿度膨張係数が1.2×10-5/%RH以下、水蒸気透過率が15g/m2 /mil・day以下、吸水率が2%以下、融点が280℃以下であるポリエチレンナフタレートフィルムを用いる。 (もっと読む)



【課題】 熱伝導を良好にするための無機フィラーと、さらに熱硬化樹脂組成物とを含み、前記熱硬化樹脂が未硬化状態では可撓性を有し、硬化後はリジットになるように構成し、基板の平面方向の熱膨脹係数が半導体と近く、放熱性に優れた熱伝導基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】 無機質フィラー70-95重量部と、熱硬化樹脂、硬化剤および硬化促進剤を含む熱硬化樹脂組成物4.9-28重量部と、溶剤0.1-2重量部を含む熱伝導シート状物200と、配線を形成するリードフレーム201を重ね合せ(C)、加熱加圧し(D)、リードフレームの表面まで熱伝導シート状物熱伝導シート状物を充填し、さらに熱伝導シート状物の中の熱硬化樹脂を硬化させ、リードフレームの必要部分を残してカットし、さらに取り出し電極とするためリードフレームを垂直に曲げ加工する(E)。 (もっと読む)


【課題】金属箔基材上のポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する回路基板において、ポリイミド樹脂が大きい伸び率を有し、従って、厳しい折り曲げ加工によっても、ポリイミド樹脂層に割れが発生しない回路基板と、それを用いる回路付きサスペンション基板を提供することにある。
【解決手段】本発明による回路基板は、金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する回路基板において、上記ポリイミド樹脂が(A)(a) m−フェニレンジアミン、及び(b) 1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン及び1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼンから選ばれる少なくとも1種からなる芳香族ジアミンと、(B)3,4,3',4' −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物との反応によって得られるポリイミド樹脂であることを特徴とする。本発明による回路付きサスペンション基板は、このような回路基板上に導体層からなる所要の回路をパターニング技術によって形成してなる。 (もっと読む)


【課題】 耐熱性,低誘電率,低熱膨張率等の優れた特性を有し、さらにフォトレジストと同様なプロセスで高精度かつ微細なヴィアホールを形成できる高性能かつ高密度な多層配線構造体を提供する。
【解決手段】 絶縁基板2上に、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を溶解したコーティング溶液を塗布し、その半硬化膜40を形成し、この表面を所定の表面粗度に粗化する。この粗化面上に金属化合物溶液を塗布,熱処理した後、再び上記樹脂のいずれかを溶解したコーティング溶液を塗布,ベーキング後、露光,現像を行い、配線パターン45を得る。配線パターン状の露出金属化合物層を還元,置換パラジウムめっき,無電解めっきにより導体43を形成する。続いて、この上に同様に樹脂層を形成後表面粗化,金属化合物層を形成し、この上に樹脂層のヴィアパターン46の形成,導体53の形成を行う。以下、層間絶縁膜工程と導体配線工程を繰り返すことにより、任意の層数を有する多層配線構造体を得る。 (もっと読む)


【課題】 耐熱性、低誘電率、低熱膨張率などの優れた特性を有し、更にフォトレジストと同様なプロセスで高精度かつ微細なヴィアホールをできる、高性能かつ高密度な配線構造を提供する。
【解決手段】 少なくとも1層の絶縁膜と導体パターンとを有し、前記絶縁膜の少なくとも1層がフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂からなることを特徴とし、絶縁膜と導体パターンの積層を繰り返すことにより、任意の層数を有する多層配線構造を得ることができる。 (もっと読む)



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