インクジェット記録ヘッドの製造方法
【課題】Si基板上のデバイス面を保護してエッチングする面のみをエッチング液に露出し、撥水膜がSi基板のエッチング時に発生する水素ガスに影響のない形態での処理が可能なインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】インク吐出圧力発生素子を有するSi基板上に、インクを吐出するためのインク吐出口を有するインクジェット記録ヘッドの製造方法において、保護膜でデバイス面を覆った2枚のSi基板を接着し、Si基板のエッチング面のみをエッチング液に露出して、Si基板のエッチングを行うことを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【解決手段】インク吐出圧力発生素子を有するSi基板上に、インクを吐出するためのインク吐出口を有するインクジェット記録ヘッドの製造方法において、保護膜でデバイス面を覆った2枚のSi基板を接着し、Si基板のエッチング面のみをエッチング液に露出して、Si基板のエッチングを行うことを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、インク等の液体を記録媒体に向けて噴射する液体噴射記録(インクジェット記録)に用いられる液体噴射記録ヘッド(インクジェット記録ヘッド)の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
インク吐出圧力発生素子が設けられた基板に対し垂直方向にインクを吐出する、いわゆるサイドシューター型のインクジェット記録ヘッドを製造する場合、インク吐出圧力発生素子が形成された基板に貫通口を形成することにより、インク供給口が設けられる。
【0003】
そしてこのタイプの記録ヘッドでは、インク供給口を介して基板の裏側からインクを供給する方式がとられている。このようなインクジェット記録ヘッドの製造方法としては、例えば、特許文献1や、特許文献2に記載のものが知られている。ここでは、インク吐出圧力発生素子の形成された基板の裏面(インク吐出圧力発生素子の形成されていない面)にサンドブラスト加工、或いは超音波研削加工と言った機械的加工方法によって、前記の貫通口を形成し、その後インク流路となる溝を形成する。
【0004】
更には、基板の材料にシリコン(Si)を用いる場合、インク供給口用の貫通口を基板裏面より化学的エッチングにより形成する方法も提案されている。
【0005】
Si基板に対する化学的エッチングは、形成する回路パターンなどの高密度化の点で有利なアルカリ系のエッチング液を用いた異方性エッチングが一般的に行われている。エッチング液としては、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロキシド)やKOH、ヒドラジン等、結晶面によるエッチング速度差を生じるものが用いられる。このような化学的エッチングでは、インク吐出圧力発生素子やその駆動素子等の回路が形成された基板表面がエッチング液にさらされるため、これらの回路を保護する構成が必要となる。そのための構成として、特許文献3で提案されているような、押え治具によってエッチング液の付着を防止する方法がある。
【0006】
しかしながら、基板表面に治具を用いたエッチング方法にあっては、Si基板に対する治具のセッティング不良等により、Si基板表面にエッチング液が回り込み、インク吐出圧力発生素子や駆動素子等の回路に損傷を与える場合がある。
【0007】
また、大量のバッチ処理には多大な時間を要し、事実上バッチ処理を適用できず、生産効率の観点から望ましくない。その点、前記Si基板表面にエッチング保護膜を塗布する方法、例えば、ワックスを溶かしてこれをSi基板に塗布したり、ネガレジストのようなゴム溶液を塗布乾燥して保護膜とする方法は、前記課題を最小限にとどめることができ有用である。
【0008】
一方、近年では、発色性、耐光性等に優れたインク開発が盛んであり、インクジェット記録ヘッドにおいてはインクに対応してヘッド構造も変化している。またインクの改良によりインク吐出口面の撥水性に関しても多様化され、高撥水が望まれるケースがある。高撥水が望まれるケースとしては、インクが粘性を有する場合がある。具体的には、吐出口から噴射されたインクが吐出口近辺に付着することにより、液滴が狙い方向に飛ばないことで印字品位を落とす場合がある。
【0009】
そこで、インク吐出口面に高撥水膜を形成し、かつインクジェット記録ヘッドの製造工程内で、撥水膜の撥水性の劣化を抑制する必要がある。しかし、高撥水性が要求されるインクジェット記録ヘッドに関しては、撥水膜上に保護膜として環化ゴム系の樹脂をコーティングする際、撥水膜の撥水性により、撥水膜と保護膜の接着が不十分となり、保護膜としての機能が十分に発揮されない。更に、異方性エッチングの際に発生する水素ガスが保護膜である環化ゴムを透過し、撥水膜に接触するため、撥水性を落とす場合がある。
【特許文献1】特開昭62−264957号公報
【特許文献2】米国特許第4789425号公報
【特許文献3】特開2001−358115号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
本発明の目的は、Si基板上のデバイス面を保護してエッチングする面のみをエッチング液に露出し、撥水膜がSi基板のエッチング時に発生する水素ガスに影響のない形態での処理が可能なインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法は、インク吐出圧力発生素子を有するSi基板上に、インクを吐出するためのインク吐出口を有し、以下の工程a)からi)を含むことを特徴とする。
a)エッチングによりSi基板にインク供給口を形成するためのエッチングマスクをSi基板裏面に形成する工程
b)前記Si基板の表面にインク流路となる型材を形成する工程
c)前記型材上に被覆感光性樹脂層、撥水層を順次積層する工程
d)前記被覆感光性樹脂層及び撥水層にインク吐出口を形成する工程
e)前記撥水層及びインク吐出口を覆う第1の保護膜を形成する工程
f)前記第1の保護膜を形成した2枚のSi基板を、互いに第1の保護膜面を向かい合わせて接着する工程
g)前記接着したSi基板をエッチング液に浸漬して異方性エッチングを行い、インク供給口を形成する工程
h)前記接着したSi基板を剥離すると同時に第1の保護膜を除去する工程
i)前記インク流路となる型材を除去する工程。
【0012】
また、前記工程f)と工程g)との間に、前記接着したSi基板の少なくとも接着部分を含む側面を第2の保護膜で覆い、前記接着したSi基板を封止する工程を有し、前記工程h)において、前記接着したSi基板を剥離すると同時に前記第1及び第2の保護膜を除去することを特徴とする。
【0013】
また、前記第1及び第2の保護膜が、環化ゴム系の樹脂であることを特徴とする。
【0014】
また、前記エッチング液が、テトラメチルアンモニウムハイドロキシド(TMAH)溶液、KOH溶液又はヒドラジン溶液であることを特徴とする。
【0015】
また、前記工程g)が、前記接着したSi基板を複数収納可能なカセット内で行うことを特徴とする。
【0016】
また、前記工程h)が、前記接着したSi基板を複数収納でき、内面にくさびを有するカセット内で、前記接着したSi基板を、前記第1及び第2の保護膜を溶解可能な溶液に浸漬することを特徴とする。
【発明の効果】
【0017】
本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法は、保護膜でデバイス面を覆った2枚のSi基板を接着し、Si基板のエッチング面のみをエッチング液に露出することで、エッチング時に発生する水素ガスが、保護膜を通過し、撥水膜に到達することがない。これにより、撥水膜が劣化しないため、印字品位を損なうことがない。更には、治工具等を必要とせず、エッチング時の処理枚数が減ることがないため、生産性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0018】
以下、本発明の最良形態について図面を参照して説明する。
【0019】
図7に本発明により形成されたインクジェット記録ヘッドの模式的断面図を、図8に本発明で形成されたインクジェット記録ヘッドの一部を破断して示す模式斜図を示す。本発明により製造されるインクジェット記録ヘッドは、Si基板1上に、所定のピッチで2列に並んだインク吐出圧力発生素子2を有する。なお、実際のインクジェット記録ヘッド用基板には、インク吐出圧力発生素子2だけではなく、不図示の配線やインク吐出圧力発生素子2を駆動する駆動素子等が配置されている。
【0020】
Si基板1は、Si単結晶体であることが好ましく、インク供給口3の形成を異方性エッチングにより行う場合は、結晶方位100のシリコン単結晶体であることが好ましい。インク吐出圧力発生素子2は、インク液滴を吐出させるための吐出エネルギーがインクに与えられ、インク液滴がインク吐出口6から吐出可能なものであれば、特に限定されない。
【0021】
前記インク吐出圧力発生素子2上には、被覆感光性樹脂層4により、インクを保持するためのインク流路7が形成される。また、インク吐出圧力発生素子2の上方には、インク液滴を吐出するインク吐出口6が形成されている。被覆感光性樹脂層4は、感光性樹脂と光重合開始剤を含有する感光性材料であることがパターニング精度の観点から好ましいが、これに限定されるものではない。
【0022】
また、被覆感光性樹脂層4上には、撥水層5が形成されており、インク吐出時における吐出口近辺へのインクの付着を防止する。撥水層5の材料としては、撥水性、第1の保護膜との接着性の観点から、フッ素(パープロロ)系撥水剤が好ましい。また、Si基板1には、裏面よりエッチングにより形成されたインク供給口3が、インク吐出圧力発生素子2の2つの列の間に開口している。インク供給口3はインク吐出口6とインク流路7を介して連通している。
【0023】
前記インクジェット記録ヘッドは、インク供給口3を介してインク流路内に充填されたインクに、インク吐出圧力発生素子2によって発生する圧力によりインク吐出口6からインク液滴を吐出させ、被記録媒体に付着させて記録を行う。
【0024】
次に、本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法の一例について、図面と共に説明する。
【0025】
[工程a)]
図1Aには、所定のピッチで2列に並んだインク吐出圧力発生素子2を有するSi基板1を示す。なお、実際のSi基板1には、インク吐出圧力発生素子2だけではなく、不図示の配線やインク吐出圧力発生素子2を駆動する駆動素子等が形成されている。まず、前記Si基板1のインク吐出圧力発生素子2が配置されている面とは反対の面(Si基板裏面)に、エッチングによりインク供給口を形成させるためのエッチングマスク8を形成する(図1B)。エッチングマスク8としては、エッチング時に使用するエッチング液に耐えうる材料であれば特に限定されないが、耐熱の観点からポリエーテルアミドが好ましい。
【0026】
[工程b)]
次に、図1Cに示すように、インク吐出圧力発生素子2上に、インク流路となる型材9を形成する。型材9の材料としては、ポジ型レジスト等を用いることができる。型材9の形成方法は、スピンコート、バーコート等により塗布後、露光、現像することにより行うことができる。
【0027】
[工程c)]
次に、型材上に被覆感光性樹脂層4を成膜し、更に被覆感光性樹脂層4上に、撥水層5を成膜する(図1D)。被覆感光性樹脂層4及び撥水層5は、スピンコート、スリットコート、ラミネート等、所望の膜厚によって適した成膜方法により、順次積層することができる。
【0028】
[工程d)]
次に、図1Eに示すように、インク吐出口6を形成する。インク吐出口6は、Si基板面に対して垂直方向から露光し、現像することで形成することができる。
【0029】
[工程e)]
次に、インク吐出口6が形成された被覆感光性樹脂層4及び撥水層5を、次工程で実施するSi基板1のエッチングに用いるエッチング液から保護するため、撥水層5及びインク吐出口を覆う第1の保護膜10の形成を行う(図1F)。第1の保護膜10の材料としては、次工程のアルカリエッチングにおいて耐アルカリ性を有し、Si基板1、被覆感光性樹脂層4及び撥水層5との密着性に優れ、機能素子を化学的に犯すことがなく、エッチング後容易に除去可能なものであることが好ましい。例えば、環化ゴム(ビスアジド)系の樹脂やワックス等を用いることができる。環化ゴム系の樹脂は、常温でコーティング可能で、アルカリエッチング液に対する耐性に優れるため好ましい。環化ゴム系の樹脂としては、従来からフォトリソグラフィーで用いられているネガ型のフォトレジストや、該フォトレジストから感光基を除いたもの等を用いることができる。例えば、東京応化工業製のネガレジスト「OMR−83」(商品名)、前記「OMR−83」から感光基を除いた「OBC」(商品名)等を挙げることができる。第1の保護膜形成は、スピンコート、バーコート等により行うことができる。なお、第1の保護膜10の形成において、インク吐出口6やその他デバイス面上の複雑な構造の凹部がすべて第1の保護膜10で埋められなくても構わない。
【0030】
[工程f)]
前記第1の保護膜10を形成したSi基板1を2枚作製し、互いに第1の保護膜面を向かい合わせて重ねる。次に、前記2枚のSi基板を押し付けプレート11の上に載せる(図1G)。押し付けプレート11は、後述する第2の保護膜12形成の際に、第1及び第2の保護膜材料を溶解する溶媒に腐食されない金属、テフロン(登録商標)等からなるものを用いる。
【0031】
次に、もう一つの押し付けプレート11により、前記2枚のSi基板を上方から挟み込み、圧力をかける(図1H)。前記圧力としては、2枚のSi基板が十分に接着可能な圧力であり、かつSi基板を破壊しない圧力(1Kg/cm2〜5Kg/cm2程度)で行うことができる。このとき、接着したSi基板の接着部分には、第1の保護膜10が充分成膜されていない箇所があるため、このままエッチング液に浸すとエッチング液が内部に侵入し、不良となる場合がある(図2)。これを防ぐため、第2の保護膜12を前記接着部分に垂らし、前記接着したSi基板を回転させながら第2の保護膜12で少なくとも接着部分を含む側面を覆い、接着したSi基板を封止することが好ましい(図3)。前記接着部分に垂らす第2の保護膜12は、粘性がないとほとんどが流れ落ちてしまい、隙間を埋めることができない。隙間を埋めるためにある程度粘度を持つ必要があり、具体的には0.5Pa・s(500cP)以上の環化ゴムが好ましい。なお、第1の保護膜10と第2の保護膜12の材料は同一の材料であってもよい。
【0032】
[工程g)]
次に、エッチング液に浸漬して異方性エッチングを行い、インク供給口を形成する。エッチング液としては、結晶面によるエッチング速度差を生じるものが用いられ、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロキシド)溶液、KOH溶液、ヒドラジン溶液等を用いることができる。異方性エッチングによるインク供給口の形成は、図4に示すように、第1及び第2の保護膜10、12によって接着したSi基板16をエッチング用カセット14に収納し、エッチング用カセット内でエッチング液に浸漬して行うことが好ましい。エッチング用カセット14は、仕切り15によって内部が区切られており、Si基板を複数収納可能なため、複数枚を同時にエッチング処理することができる。したがって、エッチング用カセット14を用いることにより、バッジ処理でも一度に複数枚処理することができるため、生産効率の観点から好ましい。次に、エッチングマスク8を、酸素プラズマを用いたドライエッチング法、ウエット剥離等により除去する。前記ドライエッチング法で使用するドライエッチング装置は、枚葉式、バレル型、平行平板等、様々な方式のドライエッチング装置が存在するが、特に限定されない。
【0033】
[工程h)]
次に、第1及び第2の保護膜10、12の除去及び接着したSi基板の剥離を行う。第1及び第2の保護膜10、12の除去に関しては、第1及び第2の保護膜10、12を溶解可能な溶媒に浸漬することにより、除去することができる。このとき、図5に示すような、内面に複数個所配置されたくさび18を有する保護膜除去用カセット17を使用することで、第1及び第2の保護膜10、12の除去と同時に前記接着したSi基板を1枚ずつ分離することができるため、好ましい。
【0034】
[工程i)]
次に、図6に示すように、インク流路を形成すべく、型材9を溶解可能な溶液に浸漬して溶解除去する。以上の工程により、本発明におけるインクジェット記録ヘッドを得ることができる。
【0035】
前記インクジェット記録ヘッドは、プリンタ、複写機、通信システムを有するファクシミリ、プリンタ部を有するワードプロセッサなどの装置、更には各種処理装置と複合的に組み合わせた産業記録装置に搭載可能である。そして、このインクジェット記録ヘッドを用いることによって、紙、糸、繊維、布帛、皮革、金属、プラスチック、ガラス、木材、セラミックスなど種々の被記録媒体に記録を行うことができる。なお、本発明において、「記録」とは、文字や図形などの意味を持つ画像を被記録媒体に対して付与することだけでなく、パターンなどの意味を持たない画像を付与することも意味する。
【実施例】
【0036】
以下に、本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法について、実施例と共に説明する。なお、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0037】
本実施例では、図1Aに示すSi基板1には結晶方位100のシリコン単結晶体を用いた。また、インク圧力発生素子2には、ヒータ(不図示)とこれに電気信号を供給する半導体回路とが形成されている基板を用いた。
【0038】
まず、前記Si基板1のインク吐出圧力発生素子2が配置されている面とは反対の面に、エッチングによりインク供給口を形成させるためのエッチングマスク8を形成した(図1B)。本実施例ではエッチングマスク8の材料として、ポリエーテルアミドを使用した。エッチングマスク8の形成方法は、まずSi基板1にポリエーテルアミドを溶解した溶液をスピンコートにより塗布し、ベークにより硬化した。その後、硬化したポリエーテルアミド層にポジ型レジストである「OFPR−800」(商品名、東京応化工業(株)製)をスピンコートにより塗布した。その後、「MPA−600」(商品名、キヤノンMJ(株)製)により露光、TMAH2.38質量%により現像後、ドライエッチングによりパターニングし、前記ポジ型レジストを剥離して行った。
【0039】
次に、図1Cに示すように、インク吐出圧力発生素子2上に、インク流路となる型材9を形成した。本実施例では、型材9にはポジ型レジストである「ODUR1010」(商品名、東京応化工業(株)製)を用いた。型材9の形成方法は、前記ポジ型レジストをスピンコートにより塗布後、「UX−3000」(商品名、ウシオ電機社製アライナー)により露光、メチルイソブチルケトンにより現像することにより行った。
【0040】
次に、型材9上に被覆感光性樹脂層4を成膜し、更に被覆感光性樹脂層4上に、撥水層5を成膜した(図1D)。本実施例では、被覆感光性樹脂層4の材料として以下に示す構成材1、撥水層5の材料としてフッ素(パープロロ)系撥水剤を用いた。また、成膜は、被覆感光性樹脂層4、撥水層5共にスピンコートにて行った。
【0041】
(構成材1)
エポキシ樹脂(商品名:「EHPE−3158」、ダイセル化学(株)製):100質量部
シランカップリング材(商品名:「A−187」、日本ユニカー(株)製):1質量部
光カチオン重合開始剤(商品名:「SP−170」、旭電化工業(株)製:1.5質量部
カチオン重合阻害剤(トリエタノールアミン):「SP−170」に対して13モル%。
【0042】
なお、被覆感光性樹脂層4、撥水層5をスピンコートで塗布して形成する際、構成材1、フッ素系撥水材を溶解する溶媒として、型材9を溶解しない溶媒を用いる必要がある。本実施例では、前記溶媒としてメチルイソブチルケトン/キシレン混合溶媒を用い、60質量%の濃度として用いた。
【0043】
次に、図1Eに示すように、インク吐出口6を形成した。インク吐出口6は、Si基板面に対して垂直方向から本実施形態の場合、露光は「MPA−600」(商品名:キヤノンMJ(株)社製)を使用し、露光は1000mJ/cm2で行った。前記露光機は、290〜400nm領域のUV光を照射し、メチルイソブチルケトン/キシレン混合液により現像することで形成した。
【0044】
次に、インク吐出口6が形成された被覆感光性樹脂層4及び撥水層5を、次工程で実施するSi基板1のエッチングに用いるエッチング液から保護するため、撥水層5の上に第1の保護膜10の形成を行った(図1F)。本実施例では、第1の保護膜10の材料として、環化ゴム「OBC500Cp」(商品名、東京応化工業(株)製)を用いた。第1の保護膜10の形成は、スピンコートにより行った。なお、第1の保護膜10に使用されている溶媒としては、被覆感光性樹脂層4及び撥水層5を溶解しない溶媒を用いる必要がある。本実施例では、前記溶媒としてキシレンを用いた。前記第1の保護膜10を形成したSi基板1を2枚作製し、互いに第1の保護膜10面を向かい合わせて重ねた。この時、2枚のSi基板の端面を、アライメント機構、具体的には挟み込む機構を備えた装置で挟み、固定した。
【0045】
次に、前記2枚のSi基板を押し付けプレート11の上に載せた(図1G)。本実施例で用いた押し付けプレート11には、テフロン(登録商標)からなる押し付けプレートを用いた。次に、もう一つの押し付けプレート11により、前記2枚のSi基板を上方から挟み込み、圧力をかけた(図1H)。本実施例でかけた圧力は、1Kg/cm2であった。
【0046】
次に、第2の保護膜12を前記接着部分に垂らし、前記接着したSi基板を回転させながら第2の保護膜12ですき間を埋めた(図3)。本実施例では、接着部分に垂らす第2の保護膜12には、Si基板の接着前に成膜した第1の保護膜10同様「OBC500Cp」(商品名、東京応化工業(株)製)を用いた。
【0047】
次に、図4に示すように、第1及び第2の保護膜10、12によって貼り合わされたSi基板16をエッチング用カセット14に収納し、エッチング用カセット14内でエッチング液に浸漬して異方性エッチングを行い、インク供給口3を形成した。本実施例では、エッチング液にテトラメチルアンモニウムハイドロキシド(TMAH)22質量%溶液を用い、エッチング液温度80℃にて16時間、異方性エッチングを行うことにより、インク供給口3を形成した。次に、エッチングマスク8を酸素プラズマを用いたドライエッチング法により除去した。本実施例では、生産効率を高めるため、両面エッチング可能な「ケミカルドライエッチング装置 CDE7−4」(商品名、芝浦メカトロニクス社製)にて行った。
【0048】
次に、第1及び第2の保護膜10、12の除去及び接着したSi基板の剥離を行った。第1及び第2の保護膜10、12の除去に関しては、本実施例で用いた「OBC500Cp」の場合、キシレンを用いることにより、除去することができる。第1及び第2の保護膜10、12の除去方式としては、キシレンの溜め槽に前記接着したSi基板を浸漬させて行った。前記キシレンの溜め槽には、図5に示す内面に複数個所配置されたくさび18を有する保護膜除去用カセット17を使用した。
【0049】
次に、図7に示すように、インク流路を形成すべく、型材9を乳酸メチル溶液に浸漬して溶解除去した。以上の工程により、本実施例におけるインクジェット記録ヘッドを得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【0050】
【図1A】インク吐出圧力発生素子を有するSi基板の断面模式図である。
【図1B】Si基板を貫通させる為のマスク形成後の断面模式図である。
【図1C】インク流路となる型材形成後の断面模式図である。
【図1D】被覆感光性樹脂層と撥水層を成膜後の断面模式図である。
【図1E】インク吐出口形成後の断面模式図である。
【図1F】スピンコートにて撥水層上に第1の保護膜を成膜した側面模式図である。
【図1G】第1の保護膜形成後もう一対の基板を重ね合わせた側面模式図である。
【図1H】貼り合せた基板を上下から押した状態を示す側面模式図である。
【図2】第1の保護膜による保護が不完全で、貼り合わせた基板に隙間がある状態を示す側面模式図である。
【図3】エッジに第2の保護膜を塗布している状態を示す側面模式図である。
【図4】接着したのSi基板をエッチング用カセットに収納し異方性エッチングを実施する形態模式図である。
【図5】第1及び第2の保護膜剥離時の形態模式図である。
【図6】第1及び第2の保護膜剥離後の断面模式図である。
【図7】本発明で形成されたインクジェット記録ヘッドの模式的断面図である。
【図8】本発明で形成されたインクジェット記録ヘッドの一部を破断して示す模式斜図である。
【符号の説明】
【0051】
1 Si基板
2 インク吐出圧力発生素子
3 インク供給口
4 被覆感光性樹脂層
5 撥水層
6 インク吐出口
7 インク流路
8 エッチングマスク
9 型材
10 第1の保護膜
11 押し付けプレート
12 第2の保護膜
13 保護膜ディスペンスノズル
14 エッチング用カセット
15 仕切り
16 保護膜10によって接着したSi基板
17 保護膜除去用カセット
18 くさび
19 仕切り
【技術分野】
【0001】
本発明は、インク等の液体を記録媒体に向けて噴射する液体噴射記録(インクジェット記録)に用いられる液体噴射記録ヘッド(インクジェット記録ヘッド)の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
インク吐出圧力発生素子が設けられた基板に対し垂直方向にインクを吐出する、いわゆるサイドシューター型のインクジェット記録ヘッドを製造する場合、インク吐出圧力発生素子が形成された基板に貫通口を形成することにより、インク供給口が設けられる。
【0003】
そしてこのタイプの記録ヘッドでは、インク供給口を介して基板の裏側からインクを供給する方式がとられている。このようなインクジェット記録ヘッドの製造方法としては、例えば、特許文献1や、特許文献2に記載のものが知られている。ここでは、インク吐出圧力発生素子の形成された基板の裏面(インク吐出圧力発生素子の形成されていない面)にサンドブラスト加工、或いは超音波研削加工と言った機械的加工方法によって、前記の貫通口を形成し、その後インク流路となる溝を形成する。
【0004】
更には、基板の材料にシリコン(Si)を用いる場合、インク供給口用の貫通口を基板裏面より化学的エッチングにより形成する方法も提案されている。
【0005】
Si基板に対する化学的エッチングは、形成する回路パターンなどの高密度化の点で有利なアルカリ系のエッチング液を用いた異方性エッチングが一般的に行われている。エッチング液としては、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロキシド)やKOH、ヒドラジン等、結晶面によるエッチング速度差を生じるものが用いられる。このような化学的エッチングでは、インク吐出圧力発生素子やその駆動素子等の回路が形成された基板表面がエッチング液にさらされるため、これらの回路を保護する構成が必要となる。そのための構成として、特許文献3で提案されているような、押え治具によってエッチング液の付着を防止する方法がある。
【0006】
しかしながら、基板表面に治具を用いたエッチング方法にあっては、Si基板に対する治具のセッティング不良等により、Si基板表面にエッチング液が回り込み、インク吐出圧力発生素子や駆動素子等の回路に損傷を与える場合がある。
【0007】
また、大量のバッチ処理には多大な時間を要し、事実上バッチ処理を適用できず、生産効率の観点から望ましくない。その点、前記Si基板表面にエッチング保護膜を塗布する方法、例えば、ワックスを溶かしてこれをSi基板に塗布したり、ネガレジストのようなゴム溶液を塗布乾燥して保護膜とする方法は、前記課題を最小限にとどめることができ有用である。
【0008】
一方、近年では、発色性、耐光性等に優れたインク開発が盛んであり、インクジェット記録ヘッドにおいてはインクに対応してヘッド構造も変化している。またインクの改良によりインク吐出口面の撥水性に関しても多様化され、高撥水が望まれるケースがある。高撥水が望まれるケースとしては、インクが粘性を有する場合がある。具体的には、吐出口から噴射されたインクが吐出口近辺に付着することにより、液滴が狙い方向に飛ばないことで印字品位を落とす場合がある。
【0009】
そこで、インク吐出口面に高撥水膜を形成し、かつインクジェット記録ヘッドの製造工程内で、撥水膜の撥水性の劣化を抑制する必要がある。しかし、高撥水性が要求されるインクジェット記録ヘッドに関しては、撥水膜上に保護膜として環化ゴム系の樹脂をコーティングする際、撥水膜の撥水性により、撥水膜と保護膜の接着が不十分となり、保護膜としての機能が十分に発揮されない。更に、異方性エッチングの際に発生する水素ガスが保護膜である環化ゴムを透過し、撥水膜に接触するため、撥水性を落とす場合がある。
【特許文献1】特開昭62−264957号公報
【特許文献2】米国特許第4789425号公報
【特許文献3】特開2001−358115号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
本発明の目的は、Si基板上のデバイス面を保護してエッチングする面のみをエッチング液に露出し、撥水膜がSi基板のエッチング時に発生する水素ガスに影響のない形態での処理が可能なインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法は、インク吐出圧力発生素子を有するSi基板上に、インクを吐出するためのインク吐出口を有し、以下の工程a)からi)を含むことを特徴とする。
a)エッチングによりSi基板にインク供給口を形成するためのエッチングマスクをSi基板裏面に形成する工程
b)前記Si基板の表面にインク流路となる型材を形成する工程
c)前記型材上に被覆感光性樹脂層、撥水層を順次積層する工程
d)前記被覆感光性樹脂層及び撥水層にインク吐出口を形成する工程
e)前記撥水層及びインク吐出口を覆う第1の保護膜を形成する工程
f)前記第1の保護膜を形成した2枚のSi基板を、互いに第1の保護膜面を向かい合わせて接着する工程
g)前記接着したSi基板をエッチング液に浸漬して異方性エッチングを行い、インク供給口を形成する工程
h)前記接着したSi基板を剥離すると同時に第1の保護膜を除去する工程
i)前記インク流路となる型材を除去する工程。
【0012】
また、前記工程f)と工程g)との間に、前記接着したSi基板の少なくとも接着部分を含む側面を第2の保護膜で覆い、前記接着したSi基板を封止する工程を有し、前記工程h)において、前記接着したSi基板を剥離すると同時に前記第1及び第2の保護膜を除去することを特徴とする。
【0013】
また、前記第1及び第2の保護膜が、環化ゴム系の樹脂であることを特徴とする。
【0014】
また、前記エッチング液が、テトラメチルアンモニウムハイドロキシド(TMAH)溶液、KOH溶液又はヒドラジン溶液であることを特徴とする。
【0015】
また、前記工程g)が、前記接着したSi基板を複数収納可能なカセット内で行うことを特徴とする。
【0016】
また、前記工程h)が、前記接着したSi基板を複数収納でき、内面にくさびを有するカセット内で、前記接着したSi基板を、前記第1及び第2の保護膜を溶解可能な溶液に浸漬することを特徴とする。
【発明の効果】
【0017】
本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法は、保護膜でデバイス面を覆った2枚のSi基板を接着し、Si基板のエッチング面のみをエッチング液に露出することで、エッチング時に発生する水素ガスが、保護膜を通過し、撥水膜に到達することがない。これにより、撥水膜が劣化しないため、印字品位を損なうことがない。更には、治工具等を必要とせず、エッチング時の処理枚数が減ることがないため、生産性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0018】
以下、本発明の最良形態について図面を参照して説明する。
【0019】
図7に本発明により形成されたインクジェット記録ヘッドの模式的断面図を、図8に本発明で形成されたインクジェット記録ヘッドの一部を破断して示す模式斜図を示す。本発明により製造されるインクジェット記録ヘッドは、Si基板1上に、所定のピッチで2列に並んだインク吐出圧力発生素子2を有する。なお、実際のインクジェット記録ヘッド用基板には、インク吐出圧力発生素子2だけではなく、不図示の配線やインク吐出圧力発生素子2を駆動する駆動素子等が配置されている。
【0020】
Si基板1は、Si単結晶体であることが好ましく、インク供給口3の形成を異方性エッチングにより行う場合は、結晶方位100のシリコン単結晶体であることが好ましい。インク吐出圧力発生素子2は、インク液滴を吐出させるための吐出エネルギーがインクに与えられ、インク液滴がインク吐出口6から吐出可能なものであれば、特に限定されない。
【0021】
前記インク吐出圧力発生素子2上には、被覆感光性樹脂層4により、インクを保持するためのインク流路7が形成される。また、インク吐出圧力発生素子2の上方には、インク液滴を吐出するインク吐出口6が形成されている。被覆感光性樹脂層4は、感光性樹脂と光重合開始剤を含有する感光性材料であることがパターニング精度の観点から好ましいが、これに限定されるものではない。
【0022】
また、被覆感光性樹脂層4上には、撥水層5が形成されており、インク吐出時における吐出口近辺へのインクの付着を防止する。撥水層5の材料としては、撥水性、第1の保護膜との接着性の観点から、フッ素(パープロロ)系撥水剤が好ましい。また、Si基板1には、裏面よりエッチングにより形成されたインク供給口3が、インク吐出圧力発生素子2の2つの列の間に開口している。インク供給口3はインク吐出口6とインク流路7を介して連通している。
【0023】
前記インクジェット記録ヘッドは、インク供給口3を介してインク流路内に充填されたインクに、インク吐出圧力発生素子2によって発生する圧力によりインク吐出口6からインク液滴を吐出させ、被記録媒体に付着させて記録を行う。
【0024】
次に、本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法の一例について、図面と共に説明する。
【0025】
[工程a)]
図1Aには、所定のピッチで2列に並んだインク吐出圧力発生素子2を有するSi基板1を示す。なお、実際のSi基板1には、インク吐出圧力発生素子2だけではなく、不図示の配線やインク吐出圧力発生素子2を駆動する駆動素子等が形成されている。まず、前記Si基板1のインク吐出圧力発生素子2が配置されている面とは反対の面(Si基板裏面)に、エッチングによりインク供給口を形成させるためのエッチングマスク8を形成する(図1B)。エッチングマスク8としては、エッチング時に使用するエッチング液に耐えうる材料であれば特に限定されないが、耐熱の観点からポリエーテルアミドが好ましい。
【0026】
[工程b)]
次に、図1Cに示すように、インク吐出圧力発生素子2上に、インク流路となる型材9を形成する。型材9の材料としては、ポジ型レジスト等を用いることができる。型材9の形成方法は、スピンコート、バーコート等により塗布後、露光、現像することにより行うことができる。
【0027】
[工程c)]
次に、型材上に被覆感光性樹脂層4を成膜し、更に被覆感光性樹脂層4上に、撥水層5を成膜する(図1D)。被覆感光性樹脂層4及び撥水層5は、スピンコート、スリットコート、ラミネート等、所望の膜厚によって適した成膜方法により、順次積層することができる。
【0028】
[工程d)]
次に、図1Eに示すように、インク吐出口6を形成する。インク吐出口6は、Si基板面に対して垂直方向から露光し、現像することで形成することができる。
【0029】
[工程e)]
次に、インク吐出口6が形成された被覆感光性樹脂層4及び撥水層5を、次工程で実施するSi基板1のエッチングに用いるエッチング液から保護するため、撥水層5及びインク吐出口を覆う第1の保護膜10の形成を行う(図1F)。第1の保護膜10の材料としては、次工程のアルカリエッチングにおいて耐アルカリ性を有し、Si基板1、被覆感光性樹脂層4及び撥水層5との密着性に優れ、機能素子を化学的に犯すことがなく、エッチング後容易に除去可能なものであることが好ましい。例えば、環化ゴム(ビスアジド)系の樹脂やワックス等を用いることができる。環化ゴム系の樹脂は、常温でコーティング可能で、アルカリエッチング液に対する耐性に優れるため好ましい。環化ゴム系の樹脂としては、従来からフォトリソグラフィーで用いられているネガ型のフォトレジストや、該フォトレジストから感光基を除いたもの等を用いることができる。例えば、東京応化工業製のネガレジスト「OMR−83」(商品名)、前記「OMR−83」から感光基を除いた「OBC」(商品名)等を挙げることができる。第1の保護膜形成は、スピンコート、バーコート等により行うことができる。なお、第1の保護膜10の形成において、インク吐出口6やその他デバイス面上の複雑な構造の凹部がすべて第1の保護膜10で埋められなくても構わない。
【0030】
[工程f)]
前記第1の保護膜10を形成したSi基板1を2枚作製し、互いに第1の保護膜面を向かい合わせて重ねる。次に、前記2枚のSi基板を押し付けプレート11の上に載せる(図1G)。押し付けプレート11は、後述する第2の保護膜12形成の際に、第1及び第2の保護膜材料を溶解する溶媒に腐食されない金属、テフロン(登録商標)等からなるものを用いる。
【0031】
次に、もう一つの押し付けプレート11により、前記2枚のSi基板を上方から挟み込み、圧力をかける(図1H)。前記圧力としては、2枚のSi基板が十分に接着可能な圧力であり、かつSi基板を破壊しない圧力(1Kg/cm2〜5Kg/cm2程度)で行うことができる。このとき、接着したSi基板の接着部分には、第1の保護膜10が充分成膜されていない箇所があるため、このままエッチング液に浸すとエッチング液が内部に侵入し、不良となる場合がある(図2)。これを防ぐため、第2の保護膜12を前記接着部分に垂らし、前記接着したSi基板を回転させながら第2の保護膜12で少なくとも接着部分を含む側面を覆い、接着したSi基板を封止することが好ましい(図3)。前記接着部分に垂らす第2の保護膜12は、粘性がないとほとんどが流れ落ちてしまい、隙間を埋めることができない。隙間を埋めるためにある程度粘度を持つ必要があり、具体的には0.5Pa・s(500cP)以上の環化ゴムが好ましい。なお、第1の保護膜10と第2の保護膜12の材料は同一の材料であってもよい。
【0032】
[工程g)]
次に、エッチング液に浸漬して異方性エッチングを行い、インク供給口を形成する。エッチング液としては、結晶面によるエッチング速度差を生じるものが用いられ、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロキシド)溶液、KOH溶液、ヒドラジン溶液等を用いることができる。異方性エッチングによるインク供給口の形成は、図4に示すように、第1及び第2の保護膜10、12によって接着したSi基板16をエッチング用カセット14に収納し、エッチング用カセット内でエッチング液に浸漬して行うことが好ましい。エッチング用カセット14は、仕切り15によって内部が区切られており、Si基板を複数収納可能なため、複数枚を同時にエッチング処理することができる。したがって、エッチング用カセット14を用いることにより、バッジ処理でも一度に複数枚処理することができるため、生産効率の観点から好ましい。次に、エッチングマスク8を、酸素プラズマを用いたドライエッチング法、ウエット剥離等により除去する。前記ドライエッチング法で使用するドライエッチング装置は、枚葉式、バレル型、平行平板等、様々な方式のドライエッチング装置が存在するが、特に限定されない。
【0033】
[工程h)]
次に、第1及び第2の保護膜10、12の除去及び接着したSi基板の剥離を行う。第1及び第2の保護膜10、12の除去に関しては、第1及び第2の保護膜10、12を溶解可能な溶媒に浸漬することにより、除去することができる。このとき、図5に示すような、内面に複数個所配置されたくさび18を有する保護膜除去用カセット17を使用することで、第1及び第2の保護膜10、12の除去と同時に前記接着したSi基板を1枚ずつ分離することができるため、好ましい。
【0034】
[工程i)]
次に、図6に示すように、インク流路を形成すべく、型材9を溶解可能な溶液に浸漬して溶解除去する。以上の工程により、本発明におけるインクジェット記録ヘッドを得ることができる。
【0035】
前記インクジェット記録ヘッドは、プリンタ、複写機、通信システムを有するファクシミリ、プリンタ部を有するワードプロセッサなどの装置、更には各種処理装置と複合的に組み合わせた産業記録装置に搭載可能である。そして、このインクジェット記録ヘッドを用いることによって、紙、糸、繊維、布帛、皮革、金属、プラスチック、ガラス、木材、セラミックスなど種々の被記録媒体に記録を行うことができる。なお、本発明において、「記録」とは、文字や図形などの意味を持つ画像を被記録媒体に対して付与することだけでなく、パターンなどの意味を持たない画像を付与することも意味する。
【実施例】
【0036】
以下に、本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法について、実施例と共に説明する。なお、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0037】
本実施例では、図1Aに示すSi基板1には結晶方位100のシリコン単結晶体を用いた。また、インク圧力発生素子2には、ヒータ(不図示)とこれに電気信号を供給する半導体回路とが形成されている基板を用いた。
【0038】
まず、前記Si基板1のインク吐出圧力発生素子2が配置されている面とは反対の面に、エッチングによりインク供給口を形成させるためのエッチングマスク8を形成した(図1B)。本実施例ではエッチングマスク8の材料として、ポリエーテルアミドを使用した。エッチングマスク8の形成方法は、まずSi基板1にポリエーテルアミドを溶解した溶液をスピンコートにより塗布し、ベークにより硬化した。その後、硬化したポリエーテルアミド層にポジ型レジストである「OFPR−800」(商品名、東京応化工業(株)製)をスピンコートにより塗布した。その後、「MPA−600」(商品名、キヤノンMJ(株)製)により露光、TMAH2.38質量%により現像後、ドライエッチングによりパターニングし、前記ポジ型レジストを剥離して行った。
【0039】
次に、図1Cに示すように、インク吐出圧力発生素子2上に、インク流路となる型材9を形成した。本実施例では、型材9にはポジ型レジストである「ODUR1010」(商品名、東京応化工業(株)製)を用いた。型材9の形成方法は、前記ポジ型レジストをスピンコートにより塗布後、「UX−3000」(商品名、ウシオ電機社製アライナー)により露光、メチルイソブチルケトンにより現像することにより行った。
【0040】
次に、型材9上に被覆感光性樹脂層4を成膜し、更に被覆感光性樹脂層4上に、撥水層5を成膜した(図1D)。本実施例では、被覆感光性樹脂層4の材料として以下に示す構成材1、撥水層5の材料としてフッ素(パープロロ)系撥水剤を用いた。また、成膜は、被覆感光性樹脂層4、撥水層5共にスピンコートにて行った。
【0041】
(構成材1)
エポキシ樹脂(商品名:「EHPE−3158」、ダイセル化学(株)製):100質量部
シランカップリング材(商品名:「A−187」、日本ユニカー(株)製):1質量部
光カチオン重合開始剤(商品名:「SP−170」、旭電化工業(株)製:1.5質量部
カチオン重合阻害剤(トリエタノールアミン):「SP−170」に対して13モル%。
【0042】
なお、被覆感光性樹脂層4、撥水層5をスピンコートで塗布して形成する際、構成材1、フッ素系撥水材を溶解する溶媒として、型材9を溶解しない溶媒を用いる必要がある。本実施例では、前記溶媒としてメチルイソブチルケトン/キシレン混合溶媒を用い、60質量%の濃度として用いた。
【0043】
次に、図1Eに示すように、インク吐出口6を形成した。インク吐出口6は、Si基板面に対して垂直方向から本実施形態の場合、露光は「MPA−600」(商品名:キヤノンMJ(株)社製)を使用し、露光は1000mJ/cm2で行った。前記露光機は、290〜400nm領域のUV光を照射し、メチルイソブチルケトン/キシレン混合液により現像することで形成した。
【0044】
次に、インク吐出口6が形成された被覆感光性樹脂層4及び撥水層5を、次工程で実施するSi基板1のエッチングに用いるエッチング液から保護するため、撥水層5の上に第1の保護膜10の形成を行った(図1F)。本実施例では、第1の保護膜10の材料として、環化ゴム「OBC500Cp」(商品名、東京応化工業(株)製)を用いた。第1の保護膜10の形成は、スピンコートにより行った。なお、第1の保護膜10に使用されている溶媒としては、被覆感光性樹脂層4及び撥水層5を溶解しない溶媒を用いる必要がある。本実施例では、前記溶媒としてキシレンを用いた。前記第1の保護膜10を形成したSi基板1を2枚作製し、互いに第1の保護膜10面を向かい合わせて重ねた。この時、2枚のSi基板の端面を、アライメント機構、具体的には挟み込む機構を備えた装置で挟み、固定した。
【0045】
次に、前記2枚のSi基板を押し付けプレート11の上に載せた(図1G)。本実施例で用いた押し付けプレート11には、テフロン(登録商標)からなる押し付けプレートを用いた。次に、もう一つの押し付けプレート11により、前記2枚のSi基板を上方から挟み込み、圧力をかけた(図1H)。本実施例でかけた圧力は、1Kg/cm2であった。
【0046】
次に、第2の保護膜12を前記接着部分に垂らし、前記接着したSi基板を回転させながら第2の保護膜12ですき間を埋めた(図3)。本実施例では、接着部分に垂らす第2の保護膜12には、Si基板の接着前に成膜した第1の保護膜10同様「OBC500Cp」(商品名、東京応化工業(株)製)を用いた。
【0047】
次に、図4に示すように、第1及び第2の保護膜10、12によって貼り合わされたSi基板16をエッチング用カセット14に収納し、エッチング用カセット14内でエッチング液に浸漬して異方性エッチングを行い、インク供給口3を形成した。本実施例では、エッチング液にテトラメチルアンモニウムハイドロキシド(TMAH)22質量%溶液を用い、エッチング液温度80℃にて16時間、異方性エッチングを行うことにより、インク供給口3を形成した。次に、エッチングマスク8を酸素プラズマを用いたドライエッチング法により除去した。本実施例では、生産効率を高めるため、両面エッチング可能な「ケミカルドライエッチング装置 CDE7−4」(商品名、芝浦メカトロニクス社製)にて行った。
【0048】
次に、第1及び第2の保護膜10、12の除去及び接着したSi基板の剥離を行った。第1及び第2の保護膜10、12の除去に関しては、本実施例で用いた「OBC500Cp」の場合、キシレンを用いることにより、除去することができる。第1及び第2の保護膜10、12の除去方式としては、キシレンの溜め槽に前記接着したSi基板を浸漬させて行った。前記キシレンの溜め槽には、図5に示す内面に複数個所配置されたくさび18を有する保護膜除去用カセット17を使用した。
【0049】
次に、図7に示すように、インク流路を形成すべく、型材9を乳酸メチル溶液に浸漬して溶解除去した。以上の工程により、本実施例におけるインクジェット記録ヘッドを得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【0050】
【図1A】インク吐出圧力発生素子を有するSi基板の断面模式図である。
【図1B】Si基板を貫通させる為のマスク形成後の断面模式図である。
【図1C】インク流路となる型材形成後の断面模式図である。
【図1D】被覆感光性樹脂層と撥水層を成膜後の断面模式図である。
【図1E】インク吐出口形成後の断面模式図である。
【図1F】スピンコートにて撥水層上に第1の保護膜を成膜した側面模式図である。
【図1G】第1の保護膜形成後もう一対の基板を重ね合わせた側面模式図である。
【図1H】貼り合せた基板を上下から押した状態を示す側面模式図である。
【図2】第1の保護膜による保護が不完全で、貼り合わせた基板に隙間がある状態を示す側面模式図である。
【図3】エッジに第2の保護膜を塗布している状態を示す側面模式図である。
【図4】接着したのSi基板をエッチング用カセットに収納し異方性エッチングを実施する形態模式図である。
【図5】第1及び第2の保護膜剥離時の形態模式図である。
【図6】第1及び第2の保護膜剥離後の断面模式図である。
【図7】本発明で形成されたインクジェット記録ヘッドの模式的断面図である。
【図8】本発明で形成されたインクジェット記録ヘッドの一部を破断して示す模式斜図である。
【符号の説明】
【0051】
1 Si基板
2 インク吐出圧力発生素子
3 インク供給口
4 被覆感光性樹脂層
5 撥水層
6 インク吐出口
7 インク流路
8 エッチングマスク
9 型材
10 第1の保護膜
11 押し付けプレート
12 第2の保護膜
13 保護膜ディスペンスノズル
14 エッチング用カセット
15 仕切り
16 保護膜10によって接着したSi基板
17 保護膜除去用カセット
18 くさび
19 仕切り
【特許請求の範囲】
【請求項1】
インク吐出圧力発生素子を有するSi基板上に、インクを吐出するためのインク吐出口を有するインクジェット記録ヘッドの製造方法において、以下の工程a)からi)を含むことを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。
a)エッチングによりSi基板にインク供給口を形成するためのエッチングマスクをSi基板裏面に形成する工程
b)前記Si基板の表面にインク流路となる型材を形成する工程
c)前記型材上に被覆感光性樹脂層、撥水層を順次積層する工程
d)前記被覆感光性樹脂層及び撥水層にインク吐出口を形成する工程
e)前記撥水層及びインク吐出口を覆う第1の保護膜を形成する工程
f)前記第1の保護膜を形成した2枚のSi基板を、互いに第1の保護膜面を向かい合わせて接着する工程
g)前記接着したSi基板をエッチング液に浸漬して異方性エッチングを行い、インク供給口を形成する工程
h)前記接着したSi基板を剥離すると同時に前記第1の保護膜を除去する工程
i)前記インク流路となる型材を除去する工程
【請求項2】
前記工程f)と工程g)との間に、前記接着したSi基板の少なくとも接着部分を含む側面を第2の保護膜で覆い、前記接着したSi基板を封止する工程を有し、
前記工程h)において、前記接着したSi基板を剥離すると同時に前記第1及び第2の保護膜を除去することを特徴とする請求項1に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項3】
前記第1及び第2の保護膜が、環化ゴム系の樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項4】
前記エッチング液が、テトラメチルアンモニウムハイドロキシド(TMAH)溶液、KOH溶液又はヒドラジン溶液であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項5】
前記工程g)が、前記接着したSi基板を複数収納可能なカセット内で行うことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項6】
前記工程h)が、前記接着したSi基板を複数収納でき、内面にくさびを有するカセット内で、前記接着したSi基板を、前記第1及び第2の保護膜を溶解可能な溶液に浸漬することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項1】
インク吐出圧力発生素子を有するSi基板上に、インクを吐出するためのインク吐出口を有するインクジェット記録ヘッドの製造方法において、以下の工程a)からi)を含むことを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。
a)エッチングによりSi基板にインク供給口を形成するためのエッチングマスクをSi基板裏面に形成する工程
b)前記Si基板の表面にインク流路となる型材を形成する工程
c)前記型材上に被覆感光性樹脂層、撥水層を順次積層する工程
d)前記被覆感光性樹脂層及び撥水層にインク吐出口を形成する工程
e)前記撥水層及びインク吐出口を覆う第1の保護膜を形成する工程
f)前記第1の保護膜を形成した2枚のSi基板を、互いに第1の保護膜面を向かい合わせて接着する工程
g)前記接着したSi基板をエッチング液に浸漬して異方性エッチングを行い、インク供給口を形成する工程
h)前記接着したSi基板を剥離すると同時に前記第1の保護膜を除去する工程
i)前記インク流路となる型材を除去する工程
【請求項2】
前記工程f)と工程g)との間に、前記接着したSi基板の少なくとも接着部分を含む側面を第2の保護膜で覆い、前記接着したSi基板を封止する工程を有し、
前記工程h)において、前記接着したSi基板を剥離すると同時に前記第1及び第2の保護膜を除去することを特徴とする請求項1に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項3】
前記第1及び第2の保護膜が、環化ゴム系の樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項4】
前記エッチング液が、テトラメチルアンモニウムハイドロキシド(TMAH)溶液、KOH溶液又はヒドラジン溶液であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項5】
前記工程g)が、前記接着したSi基板を複数収納可能なカセット内で行うことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項6】
前記工程h)が、前記接着したSi基板を複数収納でき、内面にくさびを有するカセット内で、前記接着したSi基板を、前記第1及び第2の保護膜を溶解可能な溶液に浸漬することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図1F】
【図1G】
【図1H】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図1F】
【図1G】
【図1H】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【公開番号】特開2009−255415(P2009−255415A)
【公開日】平成21年11月5日(2009.11.5)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−107822(P2008−107822)
【出願日】平成20年4月17日(2008.4.17)
【出願人】(000001007)キヤノン株式会社 (59,756)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年11月5日(2009.11.5)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年4月17日(2008.4.17)
【出願人】(000001007)キヤノン株式会社 (59,756)
【Fターム(参考)】
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