コネクタアッセンブリ
【課題】コネクタの小型化を図ることができるコネクタアッセンブリを提供する。
【解決手段】コネクタアッセンブリ1は、コンタクト端子11を有するコネクタ10と、導体221を有するケーブル20と、コネクタ10とケーブル20とを電気的に接続する配線基板30と、を備えており、配線基板30は、第1のピッチP1で配置され、コンタクト端子11が電気的に接続される第1の接続部32と、第2のピッチP2で配置され、ケーブル20の導体221が電気的に接続される第2の接続部33と、第1の接続部32と第2の接続部33とを電気的に接続する配線34と、を有し、第1のピッチP1は第2のピッチP2よりも狭いことを特徴とする。
【解決手段】コネクタアッセンブリ1は、コンタクト端子11を有するコネクタ10と、導体221を有するケーブル20と、コネクタ10とケーブル20とを電気的に接続する配線基板30と、を備えており、配線基板30は、第1のピッチP1で配置され、コンタクト端子11が電気的に接続される第1の接続部32と、第2のピッチP2で配置され、ケーブル20の導体221が電気的に接続される第2の接続部33と、第1の接続部32と第2の接続部33とを電気的に接続する配線34と、を有し、第1のピッチP1は第2のピッチP2よりも狭いことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ケーブルとコネクタを配線基板で電気的に接続したコネクタアッセンブリに関するものである。
【背景技術】
【0002】
コネクタハウジング内に配置された接続端子とケーブルの導体とを直接接続させた電気コネクタが知られている(例えば特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第2004−015822号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記の電気コネクタでは、接続端子と導体との接続を、半田付けやスポット溶接で行っていることから、隣接する接続端子同士の短絡を抑制するために、接続端子同士のピッチを十分に確保する必要があった。このため、電気コネクタが大型化する場合があった。
【0005】
本発明が解決しようとする課題は、コネクタの小型化を図ることができるコネクタアッセンブリを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明に係るコネクタアッセンブリは、コンタクト端子を有するコネクタと、導体を有するケーブルと、前記コネクタと前記ケーブルとを電気的に接続する配線基板と、を備えたコネクタアッセンブリであって、前記配線基板は、第1のピッチで配置され、前記コンタクト端子が電気的に接続される第1の接続部と、第2のピッチで配置され、前記ケーブルの前記導体が電気的に接続される第2の接続部と、前記第1の接続部と前記第2の接続部とを電気的に接続する配線と、を有し、前記第1のピッチは前記第2のピッチよりも狭いことを特徴とする。
【0007】
上記発明において、前記ケーブルは、前記導体を有する絶縁線がケーブルシールド層から露出し、さらに前記絶縁線から前記導体が露出したケーブル露出部を有し、
前記コネクタアッセンブリは、前記配線基板及び前記ケーブル露出部の周囲に設けられたコネクタシールド層と、前記コネクタシールド層と、前記配線基板及び前記ケーブル露出部と、の間に介在する絶縁材料と、をさらに備え、前記絶縁材料において前記第1の接続部を包囲する第1の部分の誘電率と、前記絶縁材料において前記第2の接続部及び前記ケーブル露出部を包囲する第2の部分の誘電率と、が相違していてもよい。
【0008】
上記発明において、前記絶縁材料における前記第1の部分は、ホットメルトと発泡体とから構成され、前記絶縁材料における前記第2の部分は、前記ホットメルトから構成されていてもよい。
【0009】
上記発明において、前記絶縁材料における前記第1の部分は、第1のホットメルトから構成され、前記絶縁材料における前記第2の部分は、前記第1のホットメルトとは誘電率の異なる第2のホットメルトから構成されていてもよい。
【0010】
上記発明において、前記第2の部分は、前記第2の接続部を包囲する第3の部分と、前記第3の部分と隣接し、前記ケーブル露出部を包囲する第4の部分と、を含み、前記絶縁材料における前記第3の部分の誘電率と、前記絶縁材料における前記第4の部分の誘電率と、が相違していてもよい。
【0011】
上記発明において、前記絶縁材料は、固体絶縁材料と気体絶縁材料を含み、前記気体絶縁材料は、前記固体絶縁材料と前記コネクタシールド層との間、又は、前記固体絶縁材料と前記配線基板及び前記ケーブル露出部の間、に介在しており、前記固体絶縁材料における前記第1の部分の厚さと、前記固体絶縁材料における前記第2の部分の厚さと、が相違していてもよい。
【0012】
上記発明において、前記第2の部分は、前記第2の接続部を包囲する第3の部分と、前記第3の部分と隣接し、前記ケーブル露出部を包囲する第4の部分と、を含み、前記固絶縁体材料における前記第3の部分の厚さと、前記固体絶縁材料における前記第4の部分の厚さと、が相違していてもよい。
【0013】
本発明に係るコネクタアッセンブリは、コネクタと、導体を有する絶縁線がケーブルシールド層から露出し、さらに前記絶縁線から前記導体が露出したケーブル露出部を有するケーブルと、前記コネクタと前記ケーブルとを電気的に接続する配線基板と、前記配線基板及び前記ケーブル露出部の周囲に設けられたコネクタシールド層と、前記コネクタシールド層と前記配線基板及び前記ケーブル露出部との間に介在する絶縁材料と、を備えたコネクタアッセンブリであって、前記配線基板は、前記コネクタが電気的に接続される第1の接続部と、前記ケーブルの前記導体が電気的に接続される第2の接続部と、前記第1の接続部と前記第2の接続部を電気的に接続する配線と、を有し、前記コネクタシールド層から前記第1の接続部までの距離と、前記コネクタシールド層から前記第2の接続部及び前記ケーブル露出部までの距離と、が相違することを特徴とする。
【0014】
上記発明において、前記コネクタシールド層から前記第2の接続部までの距離と、前記コネクタシールド層から前記ケーブル露出部までの距離と、が相違していてもよい。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、配線基板において、コンタクト端子が電気的に接続される第1の接続部の第1のピッチが、導体が電気的に接続される第2の接続部の第2のピッチよりも狭くなっているので、コネクタの小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】図1は、本発明の第1実施形態におけるコネクタアッセンブリの斜視図である。
【図2】図2は、図1のII-II線に沿った断面図である。
【図3】図3は、図2のIII-III線に沿った断面図である。
【図4】図4は、本発明の第1実施形態におけるコネクタアッセンブリの第1変形例を示す断面図である。
【図5】図5は、本発明の第1実施形態におけるコネクタアッセンブリの第2変形例を示す断面図である。
【図6】図6は、本発明の第2実施形態におけるコネクタアッセンブリの断面図である。
【図7】図7は、本発明の第2実施形態におけるコネクタアッセンブリのコネクタシールド層を示す斜視図である。
【図8】図8は、図6のVIII-VIII線に沿った断面図である。
【図9】図9は、本発明の第2実施形態におけるコネクタアッセンブリの第1変形例を示す断面図である。
【図10】図10は、本発明の第2実施形態におけるコネクタアッセンブリの第2変形例を示す断面図である。
【図11】図11は、本発明の第3実施形態におけるコネクタアッセンブリの断面図である。
【図12】図12は、本発明の第3実施形態におけるコネクタアッセンブリの変形例を示す断面図である。
【図13】図13は、実施例及び比較例のインピーダンスを比較したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【0018】
<<第1実施形態>>
図1は本実施形態におけるコネクタアッセンブリの斜視図、図2は図1のII-II線に沿った断面図、図3は図2のIII-III線に沿った断面図、図4及び図5は本実施形態におけるコネクタアッセンブリの変形例を示す断面図である。
【0019】
本実施形態におけるコネクタアッセンブリ1は、例えば、HDMI(登録商標,High-Definition Multimedia Interface)規格に準拠した伝送ケーブルをコネクタに接続したものであり、テレビやパソコン等の電子機器間を電気的に接続する際に用いられる。なお、コネクタアッセンブリ1は、USB(Universal Serial Bus)3.0用コネクタや、ディスプレイポート(Display Port)用のコネクタに適用してもよい。
【0020】
本実施形態におけるコネクタアッセンブリ1は、図1及び図2に示すように、コネクタ10と、ケーブル20と、配線基板30と、絶縁材料40と、コネクタシールド層50と、絶縁被覆層60と、を備えている。
【0021】
コネクタ10は、コネクタアッセンブリ1と対応する他のコネクタ(例えばHDMI端子)と嵌合することで、当該他のコネクタとケーブル20とを電気的に接続する。このコネクタ10には、当該他のコネクタとの電気的な接点となる複数のコンタクト端子11(図2及び図3参照)が設けられている。なお、本実施形態におけるコネクタ10内には、19本のコンタクト端子11が設けられているが、特に限定されない。このコンタクト端子11の数は、当該他のコネクタの端子数に応じて適宜設定することができる。なお、図3では、19本中5本のコンタクト端子11を図示し、残りの14本のコンタクト端子11については、図示を省略している。
【0022】
ケーブル20は、図2に示すように、2本の絶縁線22をケーブルシールド層23で一括して被覆したケーブルユニット21を有している。このケーブルユニット21内では、ケーブルシールド層23によって、絶縁線22が外部から電磁的に遮断されている。なお、同図において、2本の絶縁線22のうち1本の絶縁線22は、図示されていない。この絶縁線22は、同図に示すように、電気信号を伝送する導体221をケーブル絶縁層222で被覆したものである。
【0023】
なお、このようなケーブルユニット21内には、特に図示しないが、ケーブルシールド層23とグランド(GND)とを電気的に接続するドレイン線が設けられている。
【0024】
本実施形態におけるケーブル20は、このようなケーブルユニット21を全部で4つ有している。また、ケーブル20は、4つのケーブルユニット21の他に、さらに7本の絶縁線を有している。このため、ケーブル20内には、合計19本の絶縁線22及びドレイン線が設けられ、これらの19本の絶縁線22とドレイン線は、配線基板30を介して、コネクタ10の19本のコンタクト端子11とそれぞれ電気的に接続されている。
【0025】
ここで、ケーブル20では、図2に示すように、ケーブル本体部20aにおいて、絶縁線22がケーブルシールド層23で被覆され、ケーブル本体部20aの端部に位置するケーブル露出部20bにおいて、絶縁線22がケーブルシールド層23から露出し、さらに導体221が絶縁線22から露出している。また、ケーブル露出部20bでは、導体221が、後述する配線基板30の第2の接続部33と半田接続されている。このように、ケーブルシールド層23から露出したケーブル露出部20bのインピーダンスは、外部環境の影響を受け易くなっている。
【0026】
配線基板30は、図2及び図3に示すように、絶縁性基板31と、第1の接続部32と、第2の接続部33と、配線34と、を有している。
【0027】
絶縁性基板31は、図2及び図3に示すように、例えばガラスエポキシ系樹脂からなる基板であり、コネクタ10とケーブル20との間に配置されている。
【0028】
第1の接続部32は、コネクタ10のコンタクト端子11と配線34とを電気的に接続している。この第1の接続部32は、図2に示すように、絶縁性基板31から露出した状態で半田32aによってコンタクト端子11と半田接続されている。なお、本実施形態では、このように第1の接続部32が絶縁性基板31から露出していることから、第1の接続部32のインピーダンスが外部環境の影響を受け易くなっている。
【0029】
ここで、配線基板30には、コネクタ10の19個のコンタクト端子11に応じて、19個の第1の接続部32が設けられている。本実施形態では、図3に示すように、9個の第1の接続部32が絶縁性基板31の一方の主面31aに配置され(9個中5個の第1の接続部32については図示を省略している。)、10個の第1の接続部(不図示)が絶縁性基板31の他方の主面に配置されている。なお、第1の接続部32の数は、19個に特に限定されず、コンタクト端子11の数に応じて適宜設定することができる。
【0030】
また、これらの第1の接続部32は、図3に示す平面視において、比較的狭い第1のピッチP1で配置されている。
【0031】
第2の接続部33は、ケーブル20の導体221と配線34とを電気的に接続している。この第2の接続部33は、図2に示すように、絶縁性基板31から露出した状態で、半田33aによって導体221と半田接続されている。なお、この第2の接続部33が絶縁性基板31から露出していることから、第2の接続部33のインピーダンスも外部環境の影響を受け易くなっている。
【0032】
ここで、配線基板30には、ケーブル20の19本の絶縁線22及びドレイン線に応じて、19個の第2の接続部33が設けられている。本実施形態では、図3に示すように、9個の第2の接続部33が絶縁性基板31の一方の主面31aに配置され(9個中5個の第2の接続部33については図示を省略している。)、10個の第2の接続部(不図示)が絶縁性基板31の他方の主面に配置されている。なお、第2の接続部33の数は、19個に限定されず、ケーブル20の絶縁線22やドレイン線に応じて適宜設定することができる。
【0033】
また、これらの第2の接続部33は、図3に示す平面視において、第2のピッチP2で配置されている。なお、第2の接続部33の第2のピッチP2は、同図に示すように、第1の接続部32の第1のピッチP1よりも相対的に広くなっている(P1<P2)。このように、第2の接続部33を比較的広い第2のピッチP2で配置することで、導体221と第2の接続部33とを接続させる際に、導体221同士が短絡することを抑制することができる。
【0034】
配線34は、図2及び図3に示すように、第1の接続部32と第2の接続部33とを電気的に接続している。本実施形態における配線基板30には、19個の第1の接続部32と19個の第2の接続部33に対応して、19本の配線34が設けられている。なお、配線34の数は、19本に限定されず、第1の接続部32及び第2の接続部33の数に応じて適宜設定することができる。
【0035】
この配線34は、図2に示すように、絶縁性基板31の内部に埋設されている。この配線34では、一端が絶縁性基板31から露出して第1の接続部32の下部と接続されており、他端が絶縁性基板31から露出して第2の接続部33の下部と接続されている。
【0036】
このように、本実施形態では、配線34が絶縁性基板31内に埋設されているので、配線34のインピーダンスが、外部環境の影響を受け難くなっている。
【0037】
また、本実施形態では、配線34同士のピッチが、図3に示す平面視のように、第1の接続部32の第1のピッチP1から第2の接続部33の第2のピッチP2の間で連続的に変化している。すなわち、これらの配線34は、第1の接続部32同士の第1のピッチP1と、第2の接続部33同士の第2のピッチP2と、を相互に変換をしつつ、第1の接続部32と第2の接続部33とを電気的に接続している。
【0038】
絶縁材料40は、図2に示すように、ケーブル20の端部と配線基板30を包囲して、ケーブル20の端部と配線基板30を保護している。
【0039】
この絶縁材料40は、第1の部分Aで配線基板30の第1の接続部32を包囲し、第2の部分Bで配線34からケーブル露出部20bまでを包囲している。なお、絶縁材料40の第2の部分Bは、少なくとも配線基板30の第2の接続部33とケーブル露出部20bを包囲する部分であればよい。
【0040】
絶縁材料40における第1の部分Aは、図2に示すように、発泡体41とホットメルト42とから構成されている。一方、絶縁材料40における第2の部分Bは、同図に示すように、ホットメルト42のみから構成されている。
【0041】
発泡体41は、同図に示すように、第1の接続部32に積層されている。発泡体41としては、発泡させたポリプロピレン(PP:Polypropylene)をテープ状にしたものを例示できる。なお、発泡体41は、ポリエチレン(PE:Polyethylene)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE:Polytetrafluoroethylene)、ポリエチレンテレフタレート(PET:Polyethylene terephthalate)、アクリル樹脂(Acrylic Resin)、ポリ塩化ビニル(PVC:Polyvinyl Chloride)等を発泡させたものであってもよい。
【0042】
この発泡体41は、内部に空気を含んでいることから、ホットメルト42(後述)よりも小さい誘電率(空気に近い誘電率)となっている。具体的には、この発泡体41の誘電率εeffは3未満(εeff<3)であることが好ましく、若しくは発泡体41の誘電正接tanδは0.01未満(tanδ<0.01)であることが好ましい。
【0043】
なお、本実施形態では、第1の接続部32とコンタクト端子11を接続する半田32aに発泡体41が積層されているが、特に限定されない。例えば、コネクタシールド層50において第1の接続部32と対向する部分に、発泡体41を積層し、発泡体41と第1の接続部32との間にホットメルト42を介在させてもよい。
【0044】
ホットメルト42は、配線基板30とケーブル露出部20bとを包囲して、配線基板30とケーブル20とを固定している。なお、上述のように、第1の接続部32には発泡体41が積層されているため、第1の部分Aのホットメルト42は、この発泡体41を介して配線基板30(第1の接続部32)を包囲している。一方、第2の部分Bのホットメルト42は、直接的に配線基板30及びケーブル露出部20bを包囲している。このホットメルト42は、耐熱性及び機械的強度に優れていればよく、ホットメルト42を、例えば、ポリアミド(Polyamide)、ポリエチレン、ポリプロピレン等で構成することができる。なお、ホットメルト42に換えて、他の絶縁材料で配線基板30からケーブル露出部20bに亘って包囲してもよい。
【0045】
上述のように、本実施形態では、絶縁材料40における第1の部分Aのみに発泡体41(空気)が含有されているため、絶縁材料40における第1の部分Aの第1の誘電率E1が、絶縁材料40における第2の部分Bの第2の誘電率E2よりも相対的に小さくなっている(空気の誘電率に近い値となっている)。
【0046】
このような絶縁材料40では、次のような方法で配線基板30及びケーブル露出部20bを包囲(配置)させている。まず、テープ状の発泡体41を第1の接続部32に載置し、次いで、配線基板30とケーブル露出部20bを、特に図示しない金型にセットし、溶融したホットメルト42を流し込む。次いで、ホットメルト42を冷却して固化させることで、絶縁材料40を配置させる。
【0047】
なお、本実施形態では、絶縁材料40の第1の部分Aに発泡体41(空気)を含有させることで、第1の部分Aの第1の誘電率E1を第2の部分Bの第2の誘電率E2よりも小さくしたが、特に限定されない。例えば、図4に示すように、絶縁材料40における第1の部分Aを第1のホットメルト42aで構成し、絶縁材料40における第2の部分Bを第2のホットメルト42bで構成してもよい。この場合の第1のホットメルト42aの誘電率は、第2のホットメルト42bの誘電率と相違している。例えば第1のホットメルト42aの誘電率を、第2のホットメルト42bの誘電率よりも相対的に小さくすることで、第1の部分Aの第1の誘電率E1を第2の部分Bの第2の誘電率E2よりも小さくする。
【0048】
図2に戻り、コネクタシールド層50は、絶縁材料40を包囲しており、絶縁材料40を介して、配線基板30及びケーブル露出部20bを外部から電磁的に遮蔽している。なお、特に図示しないが、このコネクタシールド層50の一端は、コネクタ10の金属シェルに半田付けされており、当該金属シェルを介してグランド(GND)に電気的に接続されている。
【0049】
このようなコネクタシールド層50としては、例えば、テープ状となった銅(Cu)で構成されている。なお、コネクタシールド層50の材料は、導電性を有していればよく、特に限定されない。
【0050】
絶縁被覆層60は、図2に示すように、コネクタシールド層50を包囲し、コネクタシールド層50、配線基板30及びケーブル露出部20bを保護している。この絶縁被覆層60は、例えば、ポリプロピレン系樹脂やオレフィン(Olefin)系樹脂で構成されている。
【0051】
次に、本実施形態の作用について説明する。
【0052】
本実施形態では、配線基板30を介してコンタクト端子11と導体221とを接続させることで、コンタクト端子11のピッチ(第1のピッチP1)を導体221のピッチ(第2のピッチP2)よりも相対的に狭くしている。このため、コネクタ10の小型化を図ることができる。
【0053】
さらに、本実施形態では、第1の接続部32のインピーダンス、第2の接続部33のインピーダンス及びケーブル露出部20bのインピーダンスの整合を図ることで、コネクタアッセンブリ1の伝送特性の向上を図っている。
【0054】
具体的には、図2に示すように、絶縁材料40における第1の部分Aを発泡体41とホットメルト42で構成し、絶縁材料40における第2の部分Bをホットメルト42で構成することで、第1の誘電率E1を第2の誘電率E2よりも相対的に小さくしている(E1<E2)。これにより、第1の接続部32におけるインピーダンスの低下を抑制し、第1の接続部32におけるインピーダンスと、第2の接続部33のインピーダンス及びケーブル露出部20bのインピーダンスと、の整合を図っている。
【0055】
さらに、第2の部分Bにおいて、配線34及び第2の接続部33を包囲する部分を第3の部分Cとし、第3の部分Cと隣接してケーブル露出部20bの一部を包囲する部分を第4の部分Dとし、絶縁材料40における第3の部分Cと、絶縁材料40における第4の部分Dと、を誘電率の異なる材料で構成してもよい。なお、絶縁材料40の第3の部分Cは、少なくとも配線基板30の第2の接続部33を包囲する部分であればよい。また、ここでいう、「ケーブル露出部20bの一部」とは、ケーブル露出部20bにおいて、第2の接続部33と接していない部分である。
【0056】
例えば、図5に示すように、絶縁材料40における第1の部分Aを、発泡体41と、第1のホットメルト42aと、で構成し、絶縁材料40における第3の部分Cを、第1のホットメルト42aのみで構成し、絶縁材料40における第4の部分Dを、第1のホットメルト42aとは異なる誘電率の第2のホットメルト42bで構成してもよい。これにより、第1の接続部32と、第2の接続部33と、ケーブル露出部20bと、の3箇所のインピーダンスを整合させることもできるので、コネクタアッセンブリ1の伝送特性をさらに向上させることができる。
【0057】
なお、本実施形態では、第1の誘電率E1を第2の誘電率E2よりも相対的に小さくするように絶縁材料40を構成したが、特に限定されない。例えば、第1の接続部32のピッチP1が狭くなると、上記のインピーダンスの関係が逆転する場合があるので、第1の接続部32、第2の接続部33及びケーブル露出部20b等の構成に応じて、第1の誘電率E1を、第2の誘電率E2よりも相対的に大きくするように絶縁材料を構成して、コネクタアッセンブリ内のインピーダンスの整合を図ってもよい。
【0058】
<<第2実施形態>>
次に、第2実施形態について説明する。
【0059】
図6は本実施形態におけるコネクタアッセンブリの断面図、図7は本実施形態におけるコネクタアッセンブリのコネクタシールド層を示す斜視図、図8は図6のVIII-VIII線に沿った断面図、図9及び図10は本実施形態におけるコネクタアッセンブリの変形例を示す断面図である。
【0060】
本実施形態におけるコネクタアッセンブリ1aは、絶縁材料70の構成と、コネクタシールド層80の構成と、において第1実施形態と相違するが、それ以外の構成は、第1実施形態と同様である。以下に、第1実施形態と相違する点についてのみ説明し、第1実施形態と同様の構成である部分については同一の符号を付して説明を省略する。
【0061】
本実施形態におけるコネクタシールド層80は、図7に示すように、金属シェル81で構成されている。
【0062】
金属シェル81は、配線基板30とケーブル露出部20bを収容するシェル本体部81a,81bと、内側に向かって折り曲げられることでケーブル20を固定するシェル固定部81cと、シェル本体部81aとシェル固定部81cを連結するシェル連結部81dと、で構成されている。この金属シェル81は、例えばステンレスからなる板が折り曲げられて形成されている。
【0063】
本実施形態では、コネクタシールド層80を金属シェル81で構成したので、上述のように、絶縁材料70を介さずにケーブル20を固定することができる。また、シェル本体部81a,81bをコネクタ10に接続させることで、コネクタ10と共に配線基板30を固定できる。これにより、後述する絶縁材料70に気体絶縁材料72が含まれていても、配線基板30及びケーブル20がコネクタアッセンブリ1a内で固定される。
【0064】
本実施形態における絶縁材料70は、図8に示すように、固体絶縁材料71と、気体絶縁材料72と、を含んでいる。
【0065】
この固体絶縁材料71は、例えば、ポリアミド、ポリエチレン、ポリプロピレン等からなるホットメルトで構成されており、固体絶縁層73を形成している。
【0066】
固体絶縁層73は、同図に示すように、配線基板30とケーブル露出部20bを直接的に包囲している。本実施形態では、第1の部分Aにおける固体絶縁層73の第1の厚さH1が、第2の部分Bにおける固体絶縁層73の第2の厚さH2よりも相対的に薄くなっている(H1<H2)。
【0067】
気体絶縁材料72は、例えば、空気で構成されており、固体絶縁材料71とコネクタシールド層80との間に介在して気体絶縁層74を形成している。なお気体絶縁材料72は、気体であればよく、特に空気に限定されない。
【0068】
この気体絶縁層74における厚さの関係は、固体絶縁層73とは逆であり、第1の部分Aの第3の厚さH3が、第2の部分Bの第4の厚さH4よりも相対的に厚くなっている。
【0069】
このように、本実施形態では、絶縁材料70における第1の部分Aは、絶縁材料70における第2の部分Bよりも多くの空気(気体)を含んでおり、第1の部分Aの第1の誘電率E1が、第2の部分Bの第2の誘電率E2よりも相対的に小さくなっている(E1<E2)。このため、第1の接続部32におけるインピーダンスの低下が抑制され、第1の接続部32におけるインピーダンスと、第2の接続部33のインピーダンス及びケーブル露出部20bのインピーダンスと、の整合を図ることができる。これにより、コネクタアッセンブリ1aの伝送特性を向上させることができる。
【0070】
なお、本実施形態では、気体絶縁材料72を固体絶縁材料71とコネクタシールド層80との間に介在させたが、図9に示すように、気体絶縁材料72を、配線基板30及びケーブル露出部20bと固体絶縁材料71との間に介在させてもよい。
【0071】
また、本実施形態では、第1の厚さH1が第2の厚さH2よりも相対的に薄くなっているが特に限定されず、第1の厚さH1を第2の厚さH2よりも厚くなるように、固体絶縁層73を形成してもよい。
【0072】
また、図10に示すように、絶縁材料70における第2の部分Bにおいて、配線34及び第2の接続部33を包囲する部分を第3の部分Cとし、第3の部分Cと隣接してケーブル露出部20bの一部を包囲する部分を第4の部分Dとし、固体絶縁層73における第3の部分Cの第5の厚さH5と、固体絶縁層73における第4の部分Dの第6の厚さH6と、を相違させてもよい。例えば、第5の厚さH5を第6の厚さH6よりも薄くなるように、固体絶縁層73を形成してもよい(H5<H6)。なお、第3の部分Cは、少なくとも配線基板30の第2の接続部33を包囲する部分であればよい。また、ここでいう、「ケーブル露出部20bの一部」とは、ケーブル露出部20bにおいて、第2の接続部33と接していない部分である。
【0073】
このように、固体絶縁層73において、第1の部分Aの第1の厚さH1と、第3の部分Cの第5の厚さH5と、第4の部分Dの第6の厚さH6と、をそれぞれ相違させることで、第1の接続部32と、第2の接続部33と、ケーブル露出部20bと、の3箇所のインピーダンスを整合させることもできる。これにより、コネクタアッセンブリ1aの伝送特性をさらに向上させることができる。
【0074】
<<第3実施形態>>
次に、第3実施形態について説明する。
【0075】
図11は本実施形態におけるコネクタアッセンブリの断面図、図12は本実施形態におけるコネクタアッセンブリの変形例を示す断面図である。
【0076】
本実施形態におけるコネクタアッセンブリ1bは、絶縁材料90の構成と、コネクタシールド層80の構成と、において第1実施形態と相違するが、それ以外の構成は、第1実施形態と同様である。以下に、第1実施形態と相違する点についてのみ説明し、第1実施形態と同様の構成である部分については同一の符号を付して説明を省略する。
【0077】
本実施形態における絶縁材料90は、1種類のホットメルト91のみで構成されている。
【0078】
コネクタシールド層80は、第2実施形態と同様に、金属シェル81で構成されている。本実施形態では、配線基板30とケーブル露出部20bを収容するシェル本体部81bにおいて、配線基板30の第2の接続部33及びケーブル露出部20bに対応する部分(内面)に、シールド板82が積層されている。このシールド板82は、例えばテープ状の銅で構成されている。
【0079】
本実施形態におけるコネクタアッセンブリ1bでは、コネクタシールド層80において第2の接続部33及びケーブル露出部20bに対応する部分の第8の厚さH8が、コネクタシールド層80において第1の接続部32に対応する部分の第7の厚さH7よりも相対的に厚くなっている(H7<H8)。
【0080】
すなわち、本実施形態におけるコネクタアッセンブリ1bでは、コネクタシールド層80から第1の接続部32までの距離L1よりも、コネクタシールド層80から第2の接続部33及びケーブル露出部20bまでの距離L2が相対的に短くなっており(L1>L2)、第2の接続部33のインピーダンス及びケーブル露出部20bのインピーダンスの低下を図っている。これにより、第1の接続部32のインピーダンスと、第2の接続部33のインピーダンス及びケーブル露出部20bのインピーダンスと、の整合を図ることができ、コネクタアッセンブリ1bの伝送特性の向上を図ることができる。
【0081】
なお、本実施形態では、金属シェル81にシールド板82を積層したが、特に限定されない。例えば、コネクタシールド層80において第2の接続部33及びケーブル露出部20bに対応する部分の第8の厚さH8が、コネクタシールド層80において第1の接続部32に対応する部分の第7の厚さH7よりも相対的に厚くなるように、金属シェル81を一体的に成形してもよい。
【0082】
或いは、コネクタシールド層80において第2の接続部33及びケーブル露出部20bに対応する部分を、コネクタシールド層80において第1の接続部32に対応する部分よりも、内側に向かって凸状に突出させるように金属シェル81を形成してもよい。
【0083】
また、本実施形態では、第8の厚さH8が、第7の厚さH7よりも相対的に厚くなっているが、特に限定されず、第8の厚さH8を、第7の厚さH7よりも相対的に薄くし、コネクタシールド層80から第1の接続部32までの距離L1よりも、コネクタシールド層80から第2の接続部33及びケーブル露出部20bまでの距離L2を、相対的に長くしてもよい。
【0084】
また、コネクタシールド層80から第2の接続部33までの距離L3と、コネクタシールド層80からケーブル露出部20bまでの距離L4と、を相違させるように、コネクタシールド層80を構成してもよい。例えば、図12に示すように、シェル本体部81bにおいて、ケーブル露出部20bに対応する部分(内面)に、シールド板82aをさらに積層し、コネクタシールド層80から第2の接続部33までの距離L3よりも、コネクタシールド層80からケーブル露出部20bまでの距離L4を、相対的に短くしてもよい(L3>L4)。
【0085】
このように、コネクタシールド層80から第1の接続部32までの距離L1と、コネクタシールド層80から第2の接続部32までの距離L3と、コネクタシールド層80からケーブル露出部20bまでの距離L4と、を相違させることで、第1の接続部32と、第2の接続部33と、ケーブル露出部20bと、の3箇所のインピーダンスを整合させることもできる。これにより、コネクタアッセンブリ1bの伝送特性をさらに向上させることができる。
【0086】
なお、以上に説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【0087】
また、第3実施形態に係るコネクタアッセンブリ1bにおいて、第1実施形態のように、第1の接続部32の上に発泡体を積層してもよい。これにより、コネクタアッセンブリ1bにおいてインピーダンスの整合をさらに図ることができる。
【実施例】
【0088】
以下に、本発明をさらに具体化した実施例及び比較例により本発明の効果を確認した。以下の実施例及び比較例は、上述した実施形態におけるコネクタアッセンブリの伝送特性の向上の効果を確認するためのものである。
【0089】
図13は実施例及び比較例のインピーダンスを比較したグラフである。
【0090】
<実施例1>
実施例1では、上述した第1実施形態と同一構造のサンプルを作製した。このサンプルでは、発泡体には誘電率が2.0程度となるように発泡させたポリプロピレンをテープ状にしたものを用い、ホットメルトには誘電率が3.3〜3.6のポリアミドを用い、コネクタシールド層には銅テープを用いた。
【0091】
この実施例のサンプルに対して、コネクタからケーブルに亘ってインピーダンス測定を行った。インピーダンス測定については、サンプリングオシロスコープ(日本テクトロニクス社製TDS8000)を用いた。実施例の結果を、図13に示す。なお、図13の縦軸はインピーダンス(Ω)である。また、図13の横軸は、コネクタアッセンブリにおける部位を信号伝達時間(ナノ秒)で示したものであり、41.0ナノ秒がコネクタを示し、41.2ナノ秒前後が第1の接続部を示し、41.4ナノ秒〜41.5ナノ秒が第2の接続部からケーブル露出部に亘る部分を示している。
【0092】
<比較例1>
比較例1では、絶縁材料を単一のホットメルトのみで構成したこと以外は、実施例1と同一構造のサンプルを作製した。この比較例のサンプルに対して、実施例1と同様の要領でインピーダンスを測定した。比較例の結果を図13に示す。
【0093】
<考察>
比較例1では、図13に示すように、第1の接続部におけるインピーダンスが極端に低くなっている。これは、空気よりも誘電率の大きいホットメルトのみを第1の接続部に積層したことが原因であると考えられる。
【0094】
一方、実施例1では、図13に示すように、比較例1と比べて、第1の接続部におけるインピーダンスの低下が抑制されている。実施例1では、発泡体とホットメルトで第1の接続部を包囲したので、絶縁材料の第1の部分における第1の誘電率E1が低くなり、第1の接続部におけるインピーダンスの低下が抑制されたものと考えられる。
【0095】
このように、絶縁材料における第1の部分を発泡体とホットメルトで構成し、絶縁材料における第2の部分をホットメルトで構成して、第1の誘電率E1を第2の誘電率E2よりも相対的に小さくすることで、第1の接続部と、第2の接続部及びケーブル露出部と、のインピーダンスの整合が図られることが分かる。
【符号の説明】
【0096】
1,1a,1b…コネクタアッセンブリ
10…コネクタ
20…ケーブル
22…絶縁線
221…導体
222…ケーブル絶縁層
30…配線基板
32…第1の接続部
33…第2の接続部
34…配線
40,70,90…絶縁材料
41…発泡体
42…ホットメルト
50,80…コネクタシールド層
81…金属シェル
82…シールド板
60…絶縁被覆層
【技術分野】
【0001】
本発明は、ケーブルとコネクタを配線基板で電気的に接続したコネクタアッセンブリに関するものである。
【背景技術】
【0002】
コネクタハウジング内に配置された接続端子とケーブルの導体とを直接接続させた電気コネクタが知られている(例えば特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第2004−015822号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記の電気コネクタでは、接続端子と導体との接続を、半田付けやスポット溶接で行っていることから、隣接する接続端子同士の短絡を抑制するために、接続端子同士のピッチを十分に確保する必要があった。このため、電気コネクタが大型化する場合があった。
【0005】
本発明が解決しようとする課題は、コネクタの小型化を図ることができるコネクタアッセンブリを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明に係るコネクタアッセンブリは、コンタクト端子を有するコネクタと、導体を有するケーブルと、前記コネクタと前記ケーブルとを電気的に接続する配線基板と、を備えたコネクタアッセンブリであって、前記配線基板は、第1のピッチで配置され、前記コンタクト端子が電気的に接続される第1の接続部と、第2のピッチで配置され、前記ケーブルの前記導体が電気的に接続される第2の接続部と、前記第1の接続部と前記第2の接続部とを電気的に接続する配線と、を有し、前記第1のピッチは前記第2のピッチよりも狭いことを特徴とする。
【0007】
上記発明において、前記ケーブルは、前記導体を有する絶縁線がケーブルシールド層から露出し、さらに前記絶縁線から前記導体が露出したケーブル露出部を有し、
前記コネクタアッセンブリは、前記配線基板及び前記ケーブル露出部の周囲に設けられたコネクタシールド層と、前記コネクタシールド層と、前記配線基板及び前記ケーブル露出部と、の間に介在する絶縁材料と、をさらに備え、前記絶縁材料において前記第1の接続部を包囲する第1の部分の誘電率と、前記絶縁材料において前記第2の接続部及び前記ケーブル露出部を包囲する第2の部分の誘電率と、が相違していてもよい。
【0008】
上記発明において、前記絶縁材料における前記第1の部分は、ホットメルトと発泡体とから構成され、前記絶縁材料における前記第2の部分は、前記ホットメルトから構成されていてもよい。
【0009】
上記発明において、前記絶縁材料における前記第1の部分は、第1のホットメルトから構成され、前記絶縁材料における前記第2の部分は、前記第1のホットメルトとは誘電率の異なる第2のホットメルトから構成されていてもよい。
【0010】
上記発明において、前記第2の部分は、前記第2の接続部を包囲する第3の部分と、前記第3の部分と隣接し、前記ケーブル露出部を包囲する第4の部分と、を含み、前記絶縁材料における前記第3の部分の誘電率と、前記絶縁材料における前記第4の部分の誘電率と、が相違していてもよい。
【0011】
上記発明において、前記絶縁材料は、固体絶縁材料と気体絶縁材料を含み、前記気体絶縁材料は、前記固体絶縁材料と前記コネクタシールド層との間、又は、前記固体絶縁材料と前記配線基板及び前記ケーブル露出部の間、に介在しており、前記固体絶縁材料における前記第1の部分の厚さと、前記固体絶縁材料における前記第2の部分の厚さと、が相違していてもよい。
【0012】
上記発明において、前記第2の部分は、前記第2の接続部を包囲する第3の部分と、前記第3の部分と隣接し、前記ケーブル露出部を包囲する第4の部分と、を含み、前記固絶縁体材料における前記第3の部分の厚さと、前記固体絶縁材料における前記第4の部分の厚さと、が相違していてもよい。
【0013】
本発明に係るコネクタアッセンブリは、コネクタと、導体を有する絶縁線がケーブルシールド層から露出し、さらに前記絶縁線から前記導体が露出したケーブル露出部を有するケーブルと、前記コネクタと前記ケーブルとを電気的に接続する配線基板と、前記配線基板及び前記ケーブル露出部の周囲に設けられたコネクタシールド層と、前記コネクタシールド層と前記配線基板及び前記ケーブル露出部との間に介在する絶縁材料と、を備えたコネクタアッセンブリであって、前記配線基板は、前記コネクタが電気的に接続される第1の接続部と、前記ケーブルの前記導体が電気的に接続される第2の接続部と、前記第1の接続部と前記第2の接続部を電気的に接続する配線と、を有し、前記コネクタシールド層から前記第1の接続部までの距離と、前記コネクタシールド層から前記第2の接続部及び前記ケーブル露出部までの距離と、が相違することを特徴とする。
【0014】
上記発明において、前記コネクタシールド層から前記第2の接続部までの距離と、前記コネクタシールド層から前記ケーブル露出部までの距離と、が相違していてもよい。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、配線基板において、コンタクト端子が電気的に接続される第1の接続部の第1のピッチが、導体が電気的に接続される第2の接続部の第2のピッチよりも狭くなっているので、コネクタの小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】図1は、本発明の第1実施形態におけるコネクタアッセンブリの斜視図である。
【図2】図2は、図1のII-II線に沿った断面図である。
【図3】図3は、図2のIII-III線に沿った断面図である。
【図4】図4は、本発明の第1実施形態におけるコネクタアッセンブリの第1変形例を示す断面図である。
【図5】図5は、本発明の第1実施形態におけるコネクタアッセンブリの第2変形例を示す断面図である。
【図6】図6は、本発明の第2実施形態におけるコネクタアッセンブリの断面図である。
【図7】図7は、本発明の第2実施形態におけるコネクタアッセンブリのコネクタシールド層を示す斜視図である。
【図8】図8は、図6のVIII-VIII線に沿った断面図である。
【図9】図9は、本発明の第2実施形態におけるコネクタアッセンブリの第1変形例を示す断面図である。
【図10】図10は、本発明の第2実施形態におけるコネクタアッセンブリの第2変形例を示す断面図である。
【図11】図11は、本発明の第3実施形態におけるコネクタアッセンブリの断面図である。
【図12】図12は、本発明の第3実施形態におけるコネクタアッセンブリの変形例を示す断面図である。
【図13】図13は、実施例及び比較例のインピーダンスを比較したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【0018】
<<第1実施形態>>
図1は本実施形態におけるコネクタアッセンブリの斜視図、図2は図1のII-II線に沿った断面図、図3は図2のIII-III線に沿った断面図、図4及び図5は本実施形態におけるコネクタアッセンブリの変形例を示す断面図である。
【0019】
本実施形態におけるコネクタアッセンブリ1は、例えば、HDMI(登録商標,High-Definition Multimedia Interface)規格に準拠した伝送ケーブルをコネクタに接続したものであり、テレビやパソコン等の電子機器間を電気的に接続する際に用いられる。なお、コネクタアッセンブリ1は、USB(Universal Serial Bus)3.0用コネクタや、ディスプレイポート(Display Port)用のコネクタに適用してもよい。
【0020】
本実施形態におけるコネクタアッセンブリ1は、図1及び図2に示すように、コネクタ10と、ケーブル20と、配線基板30と、絶縁材料40と、コネクタシールド層50と、絶縁被覆層60と、を備えている。
【0021】
コネクタ10は、コネクタアッセンブリ1と対応する他のコネクタ(例えばHDMI端子)と嵌合することで、当該他のコネクタとケーブル20とを電気的に接続する。このコネクタ10には、当該他のコネクタとの電気的な接点となる複数のコンタクト端子11(図2及び図3参照)が設けられている。なお、本実施形態におけるコネクタ10内には、19本のコンタクト端子11が設けられているが、特に限定されない。このコンタクト端子11の数は、当該他のコネクタの端子数に応じて適宜設定することができる。なお、図3では、19本中5本のコンタクト端子11を図示し、残りの14本のコンタクト端子11については、図示を省略している。
【0022】
ケーブル20は、図2に示すように、2本の絶縁線22をケーブルシールド層23で一括して被覆したケーブルユニット21を有している。このケーブルユニット21内では、ケーブルシールド層23によって、絶縁線22が外部から電磁的に遮断されている。なお、同図において、2本の絶縁線22のうち1本の絶縁線22は、図示されていない。この絶縁線22は、同図に示すように、電気信号を伝送する導体221をケーブル絶縁層222で被覆したものである。
【0023】
なお、このようなケーブルユニット21内には、特に図示しないが、ケーブルシールド層23とグランド(GND)とを電気的に接続するドレイン線が設けられている。
【0024】
本実施形態におけるケーブル20は、このようなケーブルユニット21を全部で4つ有している。また、ケーブル20は、4つのケーブルユニット21の他に、さらに7本の絶縁線を有している。このため、ケーブル20内には、合計19本の絶縁線22及びドレイン線が設けられ、これらの19本の絶縁線22とドレイン線は、配線基板30を介して、コネクタ10の19本のコンタクト端子11とそれぞれ電気的に接続されている。
【0025】
ここで、ケーブル20では、図2に示すように、ケーブル本体部20aにおいて、絶縁線22がケーブルシールド層23で被覆され、ケーブル本体部20aの端部に位置するケーブル露出部20bにおいて、絶縁線22がケーブルシールド層23から露出し、さらに導体221が絶縁線22から露出している。また、ケーブル露出部20bでは、導体221が、後述する配線基板30の第2の接続部33と半田接続されている。このように、ケーブルシールド層23から露出したケーブル露出部20bのインピーダンスは、外部環境の影響を受け易くなっている。
【0026】
配線基板30は、図2及び図3に示すように、絶縁性基板31と、第1の接続部32と、第2の接続部33と、配線34と、を有している。
【0027】
絶縁性基板31は、図2及び図3に示すように、例えばガラスエポキシ系樹脂からなる基板であり、コネクタ10とケーブル20との間に配置されている。
【0028】
第1の接続部32は、コネクタ10のコンタクト端子11と配線34とを電気的に接続している。この第1の接続部32は、図2に示すように、絶縁性基板31から露出した状態で半田32aによってコンタクト端子11と半田接続されている。なお、本実施形態では、このように第1の接続部32が絶縁性基板31から露出していることから、第1の接続部32のインピーダンスが外部環境の影響を受け易くなっている。
【0029】
ここで、配線基板30には、コネクタ10の19個のコンタクト端子11に応じて、19個の第1の接続部32が設けられている。本実施形態では、図3に示すように、9個の第1の接続部32が絶縁性基板31の一方の主面31aに配置され(9個中5個の第1の接続部32については図示を省略している。)、10個の第1の接続部(不図示)が絶縁性基板31の他方の主面に配置されている。なお、第1の接続部32の数は、19個に特に限定されず、コンタクト端子11の数に応じて適宜設定することができる。
【0030】
また、これらの第1の接続部32は、図3に示す平面視において、比較的狭い第1のピッチP1で配置されている。
【0031】
第2の接続部33は、ケーブル20の導体221と配線34とを電気的に接続している。この第2の接続部33は、図2に示すように、絶縁性基板31から露出した状態で、半田33aによって導体221と半田接続されている。なお、この第2の接続部33が絶縁性基板31から露出していることから、第2の接続部33のインピーダンスも外部環境の影響を受け易くなっている。
【0032】
ここで、配線基板30には、ケーブル20の19本の絶縁線22及びドレイン線に応じて、19個の第2の接続部33が設けられている。本実施形態では、図3に示すように、9個の第2の接続部33が絶縁性基板31の一方の主面31aに配置され(9個中5個の第2の接続部33については図示を省略している。)、10個の第2の接続部(不図示)が絶縁性基板31の他方の主面に配置されている。なお、第2の接続部33の数は、19個に限定されず、ケーブル20の絶縁線22やドレイン線に応じて適宜設定することができる。
【0033】
また、これらの第2の接続部33は、図3に示す平面視において、第2のピッチP2で配置されている。なお、第2の接続部33の第2のピッチP2は、同図に示すように、第1の接続部32の第1のピッチP1よりも相対的に広くなっている(P1<P2)。このように、第2の接続部33を比較的広い第2のピッチP2で配置することで、導体221と第2の接続部33とを接続させる際に、導体221同士が短絡することを抑制することができる。
【0034】
配線34は、図2及び図3に示すように、第1の接続部32と第2の接続部33とを電気的に接続している。本実施形態における配線基板30には、19個の第1の接続部32と19個の第2の接続部33に対応して、19本の配線34が設けられている。なお、配線34の数は、19本に限定されず、第1の接続部32及び第2の接続部33の数に応じて適宜設定することができる。
【0035】
この配線34は、図2に示すように、絶縁性基板31の内部に埋設されている。この配線34では、一端が絶縁性基板31から露出して第1の接続部32の下部と接続されており、他端が絶縁性基板31から露出して第2の接続部33の下部と接続されている。
【0036】
このように、本実施形態では、配線34が絶縁性基板31内に埋設されているので、配線34のインピーダンスが、外部環境の影響を受け難くなっている。
【0037】
また、本実施形態では、配線34同士のピッチが、図3に示す平面視のように、第1の接続部32の第1のピッチP1から第2の接続部33の第2のピッチP2の間で連続的に変化している。すなわち、これらの配線34は、第1の接続部32同士の第1のピッチP1と、第2の接続部33同士の第2のピッチP2と、を相互に変換をしつつ、第1の接続部32と第2の接続部33とを電気的に接続している。
【0038】
絶縁材料40は、図2に示すように、ケーブル20の端部と配線基板30を包囲して、ケーブル20の端部と配線基板30を保護している。
【0039】
この絶縁材料40は、第1の部分Aで配線基板30の第1の接続部32を包囲し、第2の部分Bで配線34からケーブル露出部20bまでを包囲している。なお、絶縁材料40の第2の部分Bは、少なくとも配線基板30の第2の接続部33とケーブル露出部20bを包囲する部分であればよい。
【0040】
絶縁材料40における第1の部分Aは、図2に示すように、発泡体41とホットメルト42とから構成されている。一方、絶縁材料40における第2の部分Bは、同図に示すように、ホットメルト42のみから構成されている。
【0041】
発泡体41は、同図に示すように、第1の接続部32に積層されている。発泡体41としては、発泡させたポリプロピレン(PP:Polypropylene)をテープ状にしたものを例示できる。なお、発泡体41は、ポリエチレン(PE:Polyethylene)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE:Polytetrafluoroethylene)、ポリエチレンテレフタレート(PET:Polyethylene terephthalate)、アクリル樹脂(Acrylic Resin)、ポリ塩化ビニル(PVC:Polyvinyl Chloride)等を発泡させたものであってもよい。
【0042】
この発泡体41は、内部に空気を含んでいることから、ホットメルト42(後述)よりも小さい誘電率(空気に近い誘電率)となっている。具体的には、この発泡体41の誘電率εeffは3未満(εeff<3)であることが好ましく、若しくは発泡体41の誘電正接tanδは0.01未満(tanδ<0.01)であることが好ましい。
【0043】
なお、本実施形態では、第1の接続部32とコンタクト端子11を接続する半田32aに発泡体41が積層されているが、特に限定されない。例えば、コネクタシールド層50において第1の接続部32と対向する部分に、発泡体41を積層し、発泡体41と第1の接続部32との間にホットメルト42を介在させてもよい。
【0044】
ホットメルト42は、配線基板30とケーブル露出部20bとを包囲して、配線基板30とケーブル20とを固定している。なお、上述のように、第1の接続部32には発泡体41が積層されているため、第1の部分Aのホットメルト42は、この発泡体41を介して配線基板30(第1の接続部32)を包囲している。一方、第2の部分Bのホットメルト42は、直接的に配線基板30及びケーブル露出部20bを包囲している。このホットメルト42は、耐熱性及び機械的強度に優れていればよく、ホットメルト42を、例えば、ポリアミド(Polyamide)、ポリエチレン、ポリプロピレン等で構成することができる。なお、ホットメルト42に換えて、他の絶縁材料で配線基板30からケーブル露出部20bに亘って包囲してもよい。
【0045】
上述のように、本実施形態では、絶縁材料40における第1の部分Aのみに発泡体41(空気)が含有されているため、絶縁材料40における第1の部分Aの第1の誘電率E1が、絶縁材料40における第2の部分Bの第2の誘電率E2よりも相対的に小さくなっている(空気の誘電率に近い値となっている)。
【0046】
このような絶縁材料40では、次のような方法で配線基板30及びケーブル露出部20bを包囲(配置)させている。まず、テープ状の発泡体41を第1の接続部32に載置し、次いで、配線基板30とケーブル露出部20bを、特に図示しない金型にセットし、溶融したホットメルト42を流し込む。次いで、ホットメルト42を冷却して固化させることで、絶縁材料40を配置させる。
【0047】
なお、本実施形態では、絶縁材料40の第1の部分Aに発泡体41(空気)を含有させることで、第1の部分Aの第1の誘電率E1を第2の部分Bの第2の誘電率E2よりも小さくしたが、特に限定されない。例えば、図4に示すように、絶縁材料40における第1の部分Aを第1のホットメルト42aで構成し、絶縁材料40における第2の部分Bを第2のホットメルト42bで構成してもよい。この場合の第1のホットメルト42aの誘電率は、第2のホットメルト42bの誘電率と相違している。例えば第1のホットメルト42aの誘電率を、第2のホットメルト42bの誘電率よりも相対的に小さくすることで、第1の部分Aの第1の誘電率E1を第2の部分Bの第2の誘電率E2よりも小さくする。
【0048】
図2に戻り、コネクタシールド層50は、絶縁材料40を包囲しており、絶縁材料40を介して、配線基板30及びケーブル露出部20bを外部から電磁的に遮蔽している。なお、特に図示しないが、このコネクタシールド層50の一端は、コネクタ10の金属シェルに半田付けされており、当該金属シェルを介してグランド(GND)に電気的に接続されている。
【0049】
このようなコネクタシールド層50としては、例えば、テープ状となった銅(Cu)で構成されている。なお、コネクタシールド層50の材料は、導電性を有していればよく、特に限定されない。
【0050】
絶縁被覆層60は、図2に示すように、コネクタシールド層50を包囲し、コネクタシールド層50、配線基板30及びケーブル露出部20bを保護している。この絶縁被覆層60は、例えば、ポリプロピレン系樹脂やオレフィン(Olefin)系樹脂で構成されている。
【0051】
次に、本実施形態の作用について説明する。
【0052】
本実施形態では、配線基板30を介してコンタクト端子11と導体221とを接続させることで、コンタクト端子11のピッチ(第1のピッチP1)を導体221のピッチ(第2のピッチP2)よりも相対的に狭くしている。このため、コネクタ10の小型化を図ることができる。
【0053】
さらに、本実施形態では、第1の接続部32のインピーダンス、第2の接続部33のインピーダンス及びケーブル露出部20bのインピーダンスの整合を図ることで、コネクタアッセンブリ1の伝送特性の向上を図っている。
【0054】
具体的には、図2に示すように、絶縁材料40における第1の部分Aを発泡体41とホットメルト42で構成し、絶縁材料40における第2の部分Bをホットメルト42で構成することで、第1の誘電率E1を第2の誘電率E2よりも相対的に小さくしている(E1<E2)。これにより、第1の接続部32におけるインピーダンスの低下を抑制し、第1の接続部32におけるインピーダンスと、第2の接続部33のインピーダンス及びケーブル露出部20bのインピーダンスと、の整合を図っている。
【0055】
さらに、第2の部分Bにおいて、配線34及び第2の接続部33を包囲する部分を第3の部分Cとし、第3の部分Cと隣接してケーブル露出部20bの一部を包囲する部分を第4の部分Dとし、絶縁材料40における第3の部分Cと、絶縁材料40における第4の部分Dと、を誘電率の異なる材料で構成してもよい。なお、絶縁材料40の第3の部分Cは、少なくとも配線基板30の第2の接続部33を包囲する部分であればよい。また、ここでいう、「ケーブル露出部20bの一部」とは、ケーブル露出部20bにおいて、第2の接続部33と接していない部分である。
【0056】
例えば、図5に示すように、絶縁材料40における第1の部分Aを、発泡体41と、第1のホットメルト42aと、で構成し、絶縁材料40における第3の部分Cを、第1のホットメルト42aのみで構成し、絶縁材料40における第4の部分Dを、第1のホットメルト42aとは異なる誘電率の第2のホットメルト42bで構成してもよい。これにより、第1の接続部32と、第2の接続部33と、ケーブル露出部20bと、の3箇所のインピーダンスを整合させることもできるので、コネクタアッセンブリ1の伝送特性をさらに向上させることができる。
【0057】
なお、本実施形態では、第1の誘電率E1を第2の誘電率E2よりも相対的に小さくするように絶縁材料40を構成したが、特に限定されない。例えば、第1の接続部32のピッチP1が狭くなると、上記のインピーダンスの関係が逆転する場合があるので、第1の接続部32、第2の接続部33及びケーブル露出部20b等の構成に応じて、第1の誘電率E1を、第2の誘電率E2よりも相対的に大きくするように絶縁材料を構成して、コネクタアッセンブリ内のインピーダンスの整合を図ってもよい。
【0058】
<<第2実施形態>>
次に、第2実施形態について説明する。
【0059】
図6は本実施形態におけるコネクタアッセンブリの断面図、図7は本実施形態におけるコネクタアッセンブリのコネクタシールド層を示す斜視図、図8は図6のVIII-VIII線に沿った断面図、図9及び図10は本実施形態におけるコネクタアッセンブリの変形例を示す断面図である。
【0060】
本実施形態におけるコネクタアッセンブリ1aは、絶縁材料70の構成と、コネクタシールド層80の構成と、において第1実施形態と相違するが、それ以外の構成は、第1実施形態と同様である。以下に、第1実施形態と相違する点についてのみ説明し、第1実施形態と同様の構成である部分については同一の符号を付して説明を省略する。
【0061】
本実施形態におけるコネクタシールド層80は、図7に示すように、金属シェル81で構成されている。
【0062】
金属シェル81は、配線基板30とケーブル露出部20bを収容するシェル本体部81a,81bと、内側に向かって折り曲げられることでケーブル20を固定するシェル固定部81cと、シェル本体部81aとシェル固定部81cを連結するシェル連結部81dと、で構成されている。この金属シェル81は、例えばステンレスからなる板が折り曲げられて形成されている。
【0063】
本実施形態では、コネクタシールド層80を金属シェル81で構成したので、上述のように、絶縁材料70を介さずにケーブル20を固定することができる。また、シェル本体部81a,81bをコネクタ10に接続させることで、コネクタ10と共に配線基板30を固定できる。これにより、後述する絶縁材料70に気体絶縁材料72が含まれていても、配線基板30及びケーブル20がコネクタアッセンブリ1a内で固定される。
【0064】
本実施形態における絶縁材料70は、図8に示すように、固体絶縁材料71と、気体絶縁材料72と、を含んでいる。
【0065】
この固体絶縁材料71は、例えば、ポリアミド、ポリエチレン、ポリプロピレン等からなるホットメルトで構成されており、固体絶縁層73を形成している。
【0066】
固体絶縁層73は、同図に示すように、配線基板30とケーブル露出部20bを直接的に包囲している。本実施形態では、第1の部分Aにおける固体絶縁層73の第1の厚さH1が、第2の部分Bにおける固体絶縁層73の第2の厚さH2よりも相対的に薄くなっている(H1<H2)。
【0067】
気体絶縁材料72は、例えば、空気で構成されており、固体絶縁材料71とコネクタシールド層80との間に介在して気体絶縁層74を形成している。なお気体絶縁材料72は、気体であればよく、特に空気に限定されない。
【0068】
この気体絶縁層74における厚さの関係は、固体絶縁層73とは逆であり、第1の部分Aの第3の厚さH3が、第2の部分Bの第4の厚さH4よりも相対的に厚くなっている。
【0069】
このように、本実施形態では、絶縁材料70における第1の部分Aは、絶縁材料70における第2の部分Bよりも多くの空気(気体)を含んでおり、第1の部分Aの第1の誘電率E1が、第2の部分Bの第2の誘電率E2よりも相対的に小さくなっている(E1<E2)。このため、第1の接続部32におけるインピーダンスの低下が抑制され、第1の接続部32におけるインピーダンスと、第2の接続部33のインピーダンス及びケーブル露出部20bのインピーダンスと、の整合を図ることができる。これにより、コネクタアッセンブリ1aの伝送特性を向上させることができる。
【0070】
なお、本実施形態では、気体絶縁材料72を固体絶縁材料71とコネクタシールド層80との間に介在させたが、図9に示すように、気体絶縁材料72を、配線基板30及びケーブル露出部20bと固体絶縁材料71との間に介在させてもよい。
【0071】
また、本実施形態では、第1の厚さH1が第2の厚さH2よりも相対的に薄くなっているが特に限定されず、第1の厚さH1を第2の厚さH2よりも厚くなるように、固体絶縁層73を形成してもよい。
【0072】
また、図10に示すように、絶縁材料70における第2の部分Bにおいて、配線34及び第2の接続部33を包囲する部分を第3の部分Cとし、第3の部分Cと隣接してケーブル露出部20bの一部を包囲する部分を第4の部分Dとし、固体絶縁層73における第3の部分Cの第5の厚さH5と、固体絶縁層73における第4の部分Dの第6の厚さH6と、を相違させてもよい。例えば、第5の厚さH5を第6の厚さH6よりも薄くなるように、固体絶縁層73を形成してもよい(H5<H6)。なお、第3の部分Cは、少なくとも配線基板30の第2の接続部33を包囲する部分であればよい。また、ここでいう、「ケーブル露出部20bの一部」とは、ケーブル露出部20bにおいて、第2の接続部33と接していない部分である。
【0073】
このように、固体絶縁層73において、第1の部分Aの第1の厚さH1と、第3の部分Cの第5の厚さH5と、第4の部分Dの第6の厚さH6と、をそれぞれ相違させることで、第1の接続部32と、第2の接続部33と、ケーブル露出部20bと、の3箇所のインピーダンスを整合させることもできる。これにより、コネクタアッセンブリ1aの伝送特性をさらに向上させることができる。
【0074】
<<第3実施形態>>
次に、第3実施形態について説明する。
【0075】
図11は本実施形態におけるコネクタアッセンブリの断面図、図12は本実施形態におけるコネクタアッセンブリの変形例を示す断面図である。
【0076】
本実施形態におけるコネクタアッセンブリ1bは、絶縁材料90の構成と、コネクタシールド層80の構成と、において第1実施形態と相違するが、それ以外の構成は、第1実施形態と同様である。以下に、第1実施形態と相違する点についてのみ説明し、第1実施形態と同様の構成である部分については同一の符号を付して説明を省略する。
【0077】
本実施形態における絶縁材料90は、1種類のホットメルト91のみで構成されている。
【0078】
コネクタシールド層80は、第2実施形態と同様に、金属シェル81で構成されている。本実施形態では、配線基板30とケーブル露出部20bを収容するシェル本体部81bにおいて、配線基板30の第2の接続部33及びケーブル露出部20bに対応する部分(内面)に、シールド板82が積層されている。このシールド板82は、例えばテープ状の銅で構成されている。
【0079】
本実施形態におけるコネクタアッセンブリ1bでは、コネクタシールド層80において第2の接続部33及びケーブル露出部20bに対応する部分の第8の厚さH8が、コネクタシールド層80において第1の接続部32に対応する部分の第7の厚さH7よりも相対的に厚くなっている(H7<H8)。
【0080】
すなわち、本実施形態におけるコネクタアッセンブリ1bでは、コネクタシールド層80から第1の接続部32までの距離L1よりも、コネクタシールド層80から第2の接続部33及びケーブル露出部20bまでの距離L2が相対的に短くなっており(L1>L2)、第2の接続部33のインピーダンス及びケーブル露出部20bのインピーダンスの低下を図っている。これにより、第1の接続部32のインピーダンスと、第2の接続部33のインピーダンス及びケーブル露出部20bのインピーダンスと、の整合を図ることができ、コネクタアッセンブリ1bの伝送特性の向上を図ることができる。
【0081】
なお、本実施形態では、金属シェル81にシールド板82を積層したが、特に限定されない。例えば、コネクタシールド層80において第2の接続部33及びケーブル露出部20bに対応する部分の第8の厚さH8が、コネクタシールド層80において第1の接続部32に対応する部分の第7の厚さH7よりも相対的に厚くなるように、金属シェル81を一体的に成形してもよい。
【0082】
或いは、コネクタシールド層80において第2の接続部33及びケーブル露出部20bに対応する部分を、コネクタシールド層80において第1の接続部32に対応する部分よりも、内側に向かって凸状に突出させるように金属シェル81を形成してもよい。
【0083】
また、本実施形態では、第8の厚さH8が、第7の厚さH7よりも相対的に厚くなっているが、特に限定されず、第8の厚さH8を、第7の厚さH7よりも相対的に薄くし、コネクタシールド層80から第1の接続部32までの距離L1よりも、コネクタシールド層80から第2の接続部33及びケーブル露出部20bまでの距離L2を、相対的に長くしてもよい。
【0084】
また、コネクタシールド層80から第2の接続部33までの距離L3と、コネクタシールド層80からケーブル露出部20bまでの距離L4と、を相違させるように、コネクタシールド層80を構成してもよい。例えば、図12に示すように、シェル本体部81bにおいて、ケーブル露出部20bに対応する部分(内面)に、シールド板82aをさらに積層し、コネクタシールド層80から第2の接続部33までの距離L3よりも、コネクタシールド層80からケーブル露出部20bまでの距離L4を、相対的に短くしてもよい(L3>L4)。
【0085】
このように、コネクタシールド層80から第1の接続部32までの距離L1と、コネクタシールド層80から第2の接続部32までの距離L3と、コネクタシールド層80からケーブル露出部20bまでの距離L4と、を相違させることで、第1の接続部32と、第2の接続部33と、ケーブル露出部20bと、の3箇所のインピーダンスを整合させることもできる。これにより、コネクタアッセンブリ1bの伝送特性をさらに向上させることができる。
【0086】
なお、以上に説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【0087】
また、第3実施形態に係るコネクタアッセンブリ1bにおいて、第1実施形態のように、第1の接続部32の上に発泡体を積層してもよい。これにより、コネクタアッセンブリ1bにおいてインピーダンスの整合をさらに図ることができる。
【実施例】
【0088】
以下に、本発明をさらに具体化した実施例及び比較例により本発明の効果を確認した。以下の実施例及び比較例は、上述した実施形態におけるコネクタアッセンブリの伝送特性の向上の効果を確認するためのものである。
【0089】
図13は実施例及び比較例のインピーダンスを比較したグラフである。
【0090】
<実施例1>
実施例1では、上述した第1実施形態と同一構造のサンプルを作製した。このサンプルでは、発泡体には誘電率が2.0程度となるように発泡させたポリプロピレンをテープ状にしたものを用い、ホットメルトには誘電率が3.3〜3.6のポリアミドを用い、コネクタシールド層には銅テープを用いた。
【0091】
この実施例のサンプルに対して、コネクタからケーブルに亘ってインピーダンス測定を行った。インピーダンス測定については、サンプリングオシロスコープ(日本テクトロニクス社製TDS8000)を用いた。実施例の結果を、図13に示す。なお、図13の縦軸はインピーダンス(Ω)である。また、図13の横軸は、コネクタアッセンブリにおける部位を信号伝達時間(ナノ秒)で示したものであり、41.0ナノ秒がコネクタを示し、41.2ナノ秒前後が第1の接続部を示し、41.4ナノ秒〜41.5ナノ秒が第2の接続部からケーブル露出部に亘る部分を示している。
【0092】
<比較例1>
比較例1では、絶縁材料を単一のホットメルトのみで構成したこと以外は、実施例1と同一構造のサンプルを作製した。この比較例のサンプルに対して、実施例1と同様の要領でインピーダンスを測定した。比較例の結果を図13に示す。
【0093】
<考察>
比較例1では、図13に示すように、第1の接続部におけるインピーダンスが極端に低くなっている。これは、空気よりも誘電率の大きいホットメルトのみを第1の接続部に積層したことが原因であると考えられる。
【0094】
一方、実施例1では、図13に示すように、比較例1と比べて、第1の接続部におけるインピーダンスの低下が抑制されている。実施例1では、発泡体とホットメルトで第1の接続部を包囲したので、絶縁材料の第1の部分における第1の誘電率E1が低くなり、第1の接続部におけるインピーダンスの低下が抑制されたものと考えられる。
【0095】
このように、絶縁材料における第1の部分を発泡体とホットメルトで構成し、絶縁材料における第2の部分をホットメルトで構成して、第1の誘電率E1を第2の誘電率E2よりも相対的に小さくすることで、第1の接続部と、第2の接続部及びケーブル露出部と、のインピーダンスの整合が図られることが分かる。
【符号の説明】
【0096】
1,1a,1b…コネクタアッセンブリ
10…コネクタ
20…ケーブル
22…絶縁線
221…導体
222…ケーブル絶縁層
30…配線基板
32…第1の接続部
33…第2の接続部
34…配線
40,70,90…絶縁材料
41…発泡体
42…ホットメルト
50,80…コネクタシールド層
81…金属シェル
82…シールド板
60…絶縁被覆層
【特許請求の範囲】
【請求項1】
コンタクト端子を有するコネクタと、
導体を有するケーブルと、
前記コネクタと前記ケーブルとを電気的に接続する配線基板と、を備えたコネクタアッセンブリであって、
前記配線基板は、
第1のピッチで配置され、前記コンタクト端子が電気的に接続される第1の接続部と、
第2のピッチで配置され、前記ケーブルの前記導体が電気的に接続される第2の接続部と、
前記第1の接続部と前記第2の接続部とを電気的に接続する配線と、を有し、前記第1のピッチは前記第2のピッチよりも狭いことを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項2】
請求項1記載のコネクタアッセンブリであって、
前記ケーブルは、前記導体を有する絶縁線がケーブルシールド層から露出し、さらに前記絶縁線から前記導体が露出したケーブル露出部を有し、
前記コネクタアッセンブリは、
前記配線基板及び前記ケーブル露出部の周囲に設けられたコネクタシールド層と、
前記コネクタシールド層と、前記配線基板及び前記ケーブル露出部と、の間に介在する絶縁材料と、をさらに備え、
前記絶縁材料において前記第1の接続部を包囲する第1の部分の誘電率と、前記絶縁材料において前記第2の接続部及び前記ケーブル露出部を包囲する第2の部分の誘電率と、が相違することを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項3】
請求項2記載のコネクタアッセンブリであって、
前記絶縁材料における前記第1の部分は、ホットメルトと発泡体とから構成され、
前記絶縁材料における前記第2の部分は、前記ホットメルトから構成されていることを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項4】
請求項2記載のコネクタアッセンブリであって、
前記絶縁材料における前記第1の部分は、第1のホットメルトから構成され、
前記絶縁材料における前記第2の部分は、前記第1のホットメルトとは誘電率の異なる第2のホットメルトから構成されていることを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項5】
請求項2記載のコネクタアッセンブリであって、
前記第2の部分は、
前記第2の接続部を包囲する第3の部分と、
前記第3の部分と隣接し、前記ケーブル露出部を包囲する第4の部分と、を含み、
前記絶縁材料における前記第3の部分の誘電率と、前記絶縁材料における前記第4の部分の誘電率と、が相違することを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項6】
請求項2記載のコネクタアッセンブリであって、
前記絶縁材料は、固体絶縁材料と気体絶縁材料を含み、
前記気体絶縁材料は、前記固体絶縁材料と前記コネクタシールド層との間、又は、前記固体絶縁材料と前記配線基板及び前記ケーブル露出部の間、に介在しており、
前記固体絶縁材料における前記第1の部分の厚さと、前記固体絶縁材料における前記第2の部分の厚さと、が相違することを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項7】
請求項6記載のコネクタアッセンブリであって、
前記第2の部分は、
前記第2の接続部を包囲する第3の部分と、
前記第3の部分と隣接し、前記ケーブル露出部を包囲する第4の部分と、を含み、
前記固体絶縁材料における前記第3の部分の厚さと、前記固体絶縁材料における前記第4の部分の厚さと、が相違することを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項8】
請求項1記載のコネクタアッセンブリであって、
前記ケーブルは、前記導体を有する絶縁線がケーブルシールド層から露出し、さらに前記絶縁線から前記導体が露出したケーブル露出部を有し、
前記コネクタアッセンブリは、
前記配線基板及び前記ケーブル露出部の周囲に設けられたコネクタシールド層と、
前記コネクタシールド層と前記配線基板及び前記ケーブル露出部との間に介在する絶縁材料と、をさらに備え、
前記コネクタシールド層から前記第1の接続部までの距離と、前記コネクタシールド層から前記第2の接続部及び前記ケーブル露出部までの距離と、が相違することを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項9】
請求項8記載のコネクタアッセブリであって、
前記コネクタシールド層から前記第2の接続部までの距離と、前記コネクタシールド層から前記ケーブル露出部までの距離と、が相違することを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項1】
コンタクト端子を有するコネクタと、
導体を有するケーブルと、
前記コネクタと前記ケーブルとを電気的に接続する配線基板と、を備えたコネクタアッセンブリであって、
前記配線基板は、
第1のピッチで配置され、前記コンタクト端子が電気的に接続される第1の接続部と、
第2のピッチで配置され、前記ケーブルの前記導体が電気的に接続される第2の接続部と、
前記第1の接続部と前記第2の接続部とを電気的に接続する配線と、を有し、前記第1のピッチは前記第2のピッチよりも狭いことを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項2】
請求項1記載のコネクタアッセンブリであって、
前記ケーブルは、前記導体を有する絶縁線がケーブルシールド層から露出し、さらに前記絶縁線から前記導体が露出したケーブル露出部を有し、
前記コネクタアッセンブリは、
前記配線基板及び前記ケーブル露出部の周囲に設けられたコネクタシールド層と、
前記コネクタシールド層と、前記配線基板及び前記ケーブル露出部と、の間に介在する絶縁材料と、をさらに備え、
前記絶縁材料において前記第1の接続部を包囲する第1の部分の誘電率と、前記絶縁材料において前記第2の接続部及び前記ケーブル露出部を包囲する第2の部分の誘電率と、が相違することを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項3】
請求項2記載のコネクタアッセンブリであって、
前記絶縁材料における前記第1の部分は、ホットメルトと発泡体とから構成され、
前記絶縁材料における前記第2の部分は、前記ホットメルトから構成されていることを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項4】
請求項2記載のコネクタアッセンブリであって、
前記絶縁材料における前記第1の部分は、第1のホットメルトから構成され、
前記絶縁材料における前記第2の部分は、前記第1のホットメルトとは誘電率の異なる第2のホットメルトから構成されていることを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項5】
請求項2記載のコネクタアッセンブリであって、
前記第2の部分は、
前記第2の接続部を包囲する第3の部分と、
前記第3の部分と隣接し、前記ケーブル露出部を包囲する第4の部分と、を含み、
前記絶縁材料における前記第3の部分の誘電率と、前記絶縁材料における前記第4の部分の誘電率と、が相違することを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項6】
請求項2記載のコネクタアッセンブリであって、
前記絶縁材料は、固体絶縁材料と気体絶縁材料を含み、
前記気体絶縁材料は、前記固体絶縁材料と前記コネクタシールド層との間、又は、前記固体絶縁材料と前記配線基板及び前記ケーブル露出部の間、に介在しており、
前記固体絶縁材料における前記第1の部分の厚さと、前記固体絶縁材料における前記第2の部分の厚さと、が相違することを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項7】
請求項6記載のコネクタアッセンブリであって、
前記第2の部分は、
前記第2の接続部を包囲する第3の部分と、
前記第3の部分と隣接し、前記ケーブル露出部を包囲する第4の部分と、を含み、
前記固体絶縁材料における前記第3の部分の厚さと、前記固体絶縁材料における前記第4の部分の厚さと、が相違することを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項8】
請求項1記載のコネクタアッセンブリであって、
前記ケーブルは、前記導体を有する絶縁線がケーブルシールド層から露出し、さらに前記絶縁線から前記導体が露出したケーブル露出部を有し、
前記コネクタアッセンブリは、
前記配線基板及び前記ケーブル露出部の周囲に設けられたコネクタシールド層と、
前記コネクタシールド層と前記配線基板及び前記ケーブル露出部との間に介在する絶縁材料と、をさらに備え、
前記コネクタシールド層から前記第1の接続部までの距離と、前記コネクタシールド層から前記第2の接続部及び前記ケーブル露出部までの距離と、が相違することを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項9】
請求項8記載のコネクタアッセブリであって、
前記コネクタシールド層から前記第2の接続部までの距離と、前記コネクタシールド層から前記ケーブル露出部までの距離と、が相違することを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【公開番号】特開2011−181306(P2011−181306A)
【公開日】平成23年9月15日(2011.9.15)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−43835(P2010−43835)
【出願日】平成22年3月1日(2010.3.1)
【出願人】(000005186)株式会社フジクラ (4,463)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年9月15日(2011.9.15)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年3月1日(2010.3.1)
【出願人】(000005186)株式会社フジクラ (4,463)
【Fターム(参考)】
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