コネクタ
【課題】高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができるコネクタを提供すること。
【解決手段】相手コネクタ２Ａに嵌合して接続されるコネクタ３Ａにおいて、グランド層１１１Ａ、絶縁層１１２Ａ、及び導電層１１３Ａを順次有する回路基板１１Ａを備える。導電層１１３Ａは、相手コネクタ２Ａの信号回路ＳＣ２と接触可能な信号回路ＳＣ１と、相手コネクタ２Ａのグランド回路ＧＣ２と接触可能なグランド回路ＧＣ１とを備える。グランド回路ＧＣ１とグランド層１１１Ａとを導通する導通層１１４Ａ−１が、グランド回路ＧＣ１の相手コネクタ２Ａ側に設けられる。
【解決手段】相手コネクタ２Ａに嵌合して接続されるコネクタ３Ａにおいて、グランド層１１１Ａ、絶縁層１１２Ａ、及び導電層１１３Ａを順次有する回路基板１１Ａを備える。導電層１１３Ａは、相手コネクタ２Ａの信号回路ＳＣ２と接触可能な信号回路ＳＣ１と、相手コネクタ２Ａのグランド回路ＧＣ２と接触可能なグランド回路ＧＣ１とを備える。グランド回路ＧＣ１とグランド層１１１Ａとを導通する導通層１１４Ａ−１が、グランド回路ＧＣ１の相手コネクタ２Ａ側に設けられる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、相手コネクタに嵌合して接続されるコネクタに関し、特に平衡伝送用コネクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
データの伝送の方式としては、データ毎に一本の電線を使用する通常の伝送方式と、データ毎に対をなす二本の電線を使用して、伝送すべき＋信号とこの＋信号とは大きさが等しく逆向きの−信号とを同時に伝送する平衡伝送方式がある。平衡伝送方式は、通常の伝送方式に比べてノイズの影響を受けにくいという利点を有しており、信号を高速で伝送する分野において多く採用されている。
【０００３】
図１は、従来の平衡伝送用コネクタ装置を概略的に示す斜視図である。図２は、プラグコネクタ２とジャックコネクタ３との対向する面の構造を概略的に示す図である。平衡伝送用コネクタ装置１は、プラグコネクタ２とジャックコネクタ３とよりなる。プラグコネクタ２は、バックプレーン（外部基板）４に実装してあり、ジャックコネクタ３は、ドータボード（外部基板）５の端に実装してある。プラグコネクタ２とジャックコネクタ３とが接続されて、コネクタ装置１によってバックプレーン４とドータボード５とが電気的に接続される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
プラグコネクタ２は、図１、図２に示すように、複数の信号コンタクト対２５２と、信号コンタクト対２５２毎に設けられる逆Ｌ字状の複数のグランドコンタクト２５８と、複数の信号コンタクト対２５２及び複数のグランドコンタクト２５８を支持するＵ字状の絶縁性ハウジング８とを備える。複数の信号コンタクト対２５２は、行方向（Ｘ１−Ｘ２方向）及び列方向（Ｚ１−Ｚ２方向）に格子状に整列されている。各信号コンタクト対２５２は、正負対称波形の信号を伝えるための信号コンタクト２５４、２５６から構成され、その信号コンタクト２５４、２５６は列方向に並んでいる。各グランドコンタクト２５８は、水平板部２５８−１と垂直板部２５８−２とから構成され、対応する信号コンタクト対２５２のＸ１側とＺ１側を覆っている。各水平板部２５８−１はハウジング８の裏側まで延在しており、端子部となっている。
【０００５】
ジャックコネクタ３は、図１、図２に示すように、絶縁性ハウジング６と、複数のモジュール１０と、複数のグランド板（シールド板）１１１とを備える。絶縁性ハウジング６は、プラグコネクタ２の信号コンタクト２５４、２５６に対応する開口６２−１、６２−２と、プラグコネクタ２のグランドコンタクト２５８に対応する逆Ｌ字形状のスリット６２−３とを備える。複数のモジュール１０は行方向に並んでいる。各モジュール１０は、４つの信号コンタクト対１５２を備える。４つの信号コンタクト対１５２は、列方向に並んでいる。各信号コンタクト対１５２は、正負対称波形の信号を伝えるための信号コンタクト１５４、１５６から構成され、その信号コンタクト１５４、１５６は列方向に並んでいる。隣り合うモジュール１０の間には、複数のグランド板１１１が１つずつ配置される。
【０００６】
図３は、プラグコネクタ２とジャックコネクタ３との電気的接続部分を概略的に示す断面図である。プラグコネクタ２とジャックコネクタ３とは、ハウジング８がハウジング６に嵌合され、信号コンタクト２５４、２５６が開口６２−１、６２−２からハウジング６の内部に挿入され信号コンタクト１５４、１５６と接触されることによって、電気的に接続される。このとき、グランドコンタクト２５８がスリット６２−３からハウジング６の内部に挿入され、垂直板部２５８−２が一方の信号コンタクト対２５２と他方の信号コンタクト対１５２との電気的接続部分のＸ１側に配置され、水平板部２５８−１が電気的接続部分のＺ１側に配置される。
【０００７】
この構成によれば、プラグコネクタ２とジャックコネクタ３との接続部分において、隣り合う信号対（）の間にグランドコンタクト２５８又はグランド板１１１が配置されるので、隣り合う信号の間のクロストークを抑制することができ、信号を高速で伝送することができる。
【特許文献１】特開平５−２７５１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１記載の構成では、プラグコネクタ２とジャックコネクタ３とを接続した場合に、グランドコンタクト２５８とグランド板１１１とが互いに接触されないので、グランドコンタクト２５８の先端側やグランド板１１１の先端側が伝送経路の行き止まりの部分（スタブ）となる。従って、高周波信号に対するグランドとしての効果が弱く、グランド電位の変動などの問題が生じることがある。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができるコネクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するため、本発明は、相手コネクタに嵌合して接続されるコネクタにおいて、
グランド層、絶縁層、及び導電層を順次有する回路基板を備え、
前記導電層は、前記相手コネクタの信号回路と接触可能な信号回路と、前記相手コネクタのグランド回路と接触可能なグランド回路とを備え、
前記グランド回路と前記グランド層とを導通する導通層が、前記グランド回路の前記相手コネクタ側に設けられる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができるコネクタを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。
【００１３】
図４は、本発明の平衡伝送用コネクタ装置の一実施例を示す斜視図である。実施例の各図において、Ｙ１−Ｙ２はプラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとの接続方向、Ｚ１−Ｚ２はジャックコネクタ３Ａのドータボード５Ａへの実装方向、Ｘ１−Ｘ２はＹ１−Ｙ２方向及びＺ１−Ｚ２方向に直交する方向を示す。尚、実施例の各図において、図１−図３に示す構成と対応する構成には添え字を付した同一の符号を付す。
【００１４】
平衡伝送用コネクタ装置１Ａは、プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとからなる。プラグコネクタ２Ａはバックプレーン（外部基板）４Ａに実装してあり、ジャックコネクタ３Ａはドータボード（外部基板）５Ａの端に実装してある。プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとが接続されて、コネクタ装置１Ａによってバックプレーン４Ａとドータボード５Ａとが電気的に接続される。
【００１５】
以下、各コネクタ２Ａ、３Ａの構成について説明していくが、先ず、ジャックコネクタ３Ａの構成について説明し、次いで、プラグコネクタ２Ａの構成について説明し、最後に、プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとの接続部分について説明する。
【００１６】
図５は、ジャックコネクタ３Ａを分解して示す斜視図である。ジャックコネクタ３Ａは、第１絶縁性ハウジング６Ａと、第２絶縁性ハウジング７Ａと、複数のモジュール１０Ａとを備える。
【００１７】
第１絶縁性ハウジング６Ａは、相手コネクタ２Ａの絶縁性ハウジング８Ａを嵌合するものである。第１絶縁性ハウジング６Ａには、相手コネクタ２Ａの複数の回路基板２１Ａに対応する複数の開口部６２Ａが形成してある。ジャックコネクタ３Ａと相手コネクタ２Ａとは、ハウジング６Ａがハウジング８Ａ内に嵌合され、相手コネクタ２Ａの各回路基板２１Ａが対応する開口部６２Ａからハウジング６Ａの内部に挿入されてジャックコネクタ３Ａの対応する回路基板１１Ａと接触されることによって、電気的に接続される。
【００１８】
第２絶縁性ハウジング７Ａは、第１絶縁性ハウジング６Ａを支持すると共に、複数のモジュール１０Ａを互いに平行に支持するものである。第２絶縁性ハウジング７Ａは、複数のスリット７２Ａを備え、複数のスリット７２Ａは、Ｘ１−Ｘ２方向に並ぶように形成される。各スリット７２Ａには、複数のモジュール１０Ａが１つずつ組み込まれる。
【００１９】
各モジュール１０Ａは、複数の接続パッド１６Ａを備える回路基板１１Ａと、複数のリード１２Ａと、複数の半田層１７Ａと、絶縁性のスペーサ１３Ａとを備える。複数のリード１２Ａは、回路基板１１Ａを外部基板５Ａに電気的に接続可能なものである。各リード１２Ａと対応する接続パッド１６Ａとの間には、複数の半田層１７Ａが１つずつ配置されており、半田層１７Ａを介して、各リード１２Ａが対応する接続パッド１６Ａに固定されている。尚、回路基板１１Ａの詳細については、後述する。
【００２０】
図６は、リード１２Ａと回路基板１１Ａとの接続部分を示す断面図である。回路基板１１Ａ上には、スペーサ１３Ａが固定されている。スペーサ１３Ａは、回路基板１１Ａと対向する面に、複数のガイド溝１３２Ａを備える。各リード１２は、対応するガイド溝１３２Ａ内に収容されており、半田層１７Ａが溶融したとき、対応するガイド溝１３２Ａ内を移動可能となる。半田層１７Ａには、例えば、Ｓｎ−Ｂｉ合金（融点約１４０℃）やＳｎ−Iｎ合金（融点約１９０℃）が用いられる。
【００２１】
図７は、ジャックコネクタ３Ａの外部基板５Ａへの載置状態を示す断面図であり、（Ａ）は正面から見た断面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。外部基板５Ａ上には、複数のリード１２Ａを接着するための半田ペースト１９Ａが塗布されている。図７に示す例では、外部基板５Ａの面歪みに起因して、複数のリード１２Ａの一部と半田ペースト１９Ａとの間に間隙がある。半田ペースト１９Ａには、半田層１７Ａより高融点の材料が用いられてよく、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金（融点約２２０℃）が用いられてよい。
【００２２】
図８は、図７の熱処理後の状態を示す断面図であり、（Ａ）は正面から見た断面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。加熱により各半田層１７Ａが溶融すると、各リード１２Ａが外部基板５Ａの面歪みを吸収するように対応するガイド溝１３２Ａ内を移動する。よって、熱処理後にリード１２Ａを外部基板５Ａに確実に接続することができる。
【００２３】
図９は、回路基板１１Ａの構成を示す斜視図であり、（Ａ）は全体図、（Ｂ）は（Ａ）の領域Ｔの拡大図である。回路基板１１Ａは、図６、図９に示すように、グランド層１１１Ａ、絶縁層１１２Ａ、導電層１１３Ａを順次備える。グランド層１１１Ａ及び絶縁層１１２Ａは、導電層１１３Ａを略全面的に覆っており、グランド層１１１Ａと導電層１１３Ａとは、基本的に絶縁層１１２Ａによって絶縁されている。尚、導電層１１３Ａの詳細については後述する。回路基板１１Ａの製造方法は、一般的なものであってよく、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いる方法であってよい。
【００２４】
図１０は、回路基板１１Ａの製造方法を示す工程図である。図１１は、図１０の工程に続いて、回路基板１１Ａの製造方法を示す工程図である。図１０、図１１に示す例では、最初に、リン青銅製の金属板１１１Ａ上に感光性のポリイミドインクを塗布、乾燥して絶縁層１１２Ａを形成する（図１０（Ａ））。次いで、フォトマスクを用いて絶縁層１１２Ａを露光し、現像する（図１０（Ｂ））。次いで、スパッタリングによりＮｉ−Ｗ膜５１Ａを積層し（図１０（Ｃ））、電解めっきによりＣｕ膜５２Ａを積層する（図１０（Ｄ））。次いで、フォトレジストパターン５３Ａを形成する（図１１（Ｅ））。このフォトレジストパターン５３Ａを用いてＣｕ膜５２Ａ及びＮｉ−Ｗ膜５１Ａをエッチングする（図１１（Ｆ））。最後に、フォトレジストパターン５３Ａを除去し、Ｃｕ膜５２Ａ及びＮｉ−Ｗ膜５１Ａからなる導電層１１３Ａ及び後述の導通層１１４Ａを形成する（図１１（Ｇ））。
【００２５】
尚、本実施例の回路基板１１Ａは、金属板１１１Ａ上に絶縁層１１２Ａ、導電層１１３Ａ等が順次形成された３層構造であるが、絶縁基板１１２Ａの一方の主面にグランド層１１１Ａを形成し絶縁基板１１２Ａの他方の主面に導電層１１３Ａを形成した３層構造であってもよい。いずれの場合であっても、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いる方法によって導電層１１３Ａを形成することにより、導電層１１３Ａの微細化、薄肉化をすることができ、ひいてはコネクタ３Ａを小型化することができる。
【００２６】
導電層１１３Ａは、図９に示すように、相手コネクタ２Ａの信号回路ＳＣ２（図１６参照）と接触可能な信号回路ＳＣ１と、相手コネクタ２Ａのグランド回路ＧＣ２（図１６参照）と接触可能なグランド回路ＧＣ１とを備える。
【００２７】
信号回路ＳＣ１は、相手コネクタ２Ａ側（Ｙ１側）にＺ１−Ｚ２方向に一列に並ぶように形成される４つの信号用接続パッド対１５２Ａと、外部基板５Ａ側（Ｚ２側）にＹ１−Ｙ２方向に一列に並ぶように形成される４つの信号用接続パッド対１６２Ａと、両者をつなぐ４つの信号用配線対１４２Ａとを備える。
【００２８】
各信号用接続パッド対１５２Ａは、正負対称波形の信号を伝送する一対の信号用接続パッド１５４Ａ、１５６Ａからなる。一対の信号用接続パッド１５４Ａ、１５６Ａは、Ｚ１−Ｚ２方向に並ぶように形成されている。各信号用接続パッド１５４Ａ、１５６Ａは、先端が二叉に分岐したフォーク形状である。
【００２９】
各信号用接続パッド対１６２Ａは、正負対称波形の信号を伝送する一対の信号用接続パッド１６４Ａ、１６６Ａからなる。一対の信号用接続パッド１６４Ａ、１６６Ａは、Ｙ１−Ｙ２方向に並ぶように形成されている。各信号用接続パッド１６４Ａ、１６６Ａは、矩形状である。
【００３０】
各信号用配線対１４２Ａは、正負対称波形の信号を伝送する一対の信号用配線１４４Ａ、１４６Ａからなる。一方の信号用配線１４４Ａは、Ｙ１側の信号用接続パッド１５４ＡとＺ２側の信号用接続パッド１６４Ａとの両者をつなぎ、他方の信号用配線１４６Ａは、Ｙ１側の信号用接続パッド１５６ＡとＺ２側の信号用接続パッド１６６Ａとの両者をつなぐ。
【００３１】
一方、グランド回路ＧＣ１は、相手コネクタ２Ａ側（Ｙ１側）にＺ１−Ｚ２方向に一列に並ぶように形成される４つのグランド用接続パッド１５８Ａと、外部基板５Ａ側（Ｚ２側）にＹ１−Ｙ２方向に一列に並ぶように形成される４つのグランド用接続パッド１６８Ａとを備える。
【００３２】
４つのグランド用接続パッド１５８Ａは、隣り合う信号用接続パッド対１５２Ａの間に１つずつ形成され、信号用接続パッド対１５２Ａ毎にＺ１側（又はＺ２側）に１つずつ形成される。各グランド用接続パッド１５８Ａは、信号用接続パッド１５４Ａ、１５６Ａと略同一形状であって、先端が二叉に分岐したフォーク形状である。
【００３３】
４つのグランド用接続パッド１６８Ａは、隣り合う信号用接続パッド対１６２Ａの間に１つずつ形成され、信号用接続パッド対１６２Ａ毎にＹ１側（又はＹ２側）に１つずつ形成される。各グランド用接続パッド１６８Ａは、信号用接続パッド１６４Ａ、１６６Ａと略同一形状であって、矩形状である。
【００３４】
尚、本実施例の説明において、相手コネクタ２Ａ側（Ｙ１側）に設置される、信号用接続パッド１５４Ａ、１５６Ａ及びグランド用接続パッド１５８Ａを特に区別しない場合には、接続パッド１５Ａと称す。また、外部基板５Ａ側（Ｚ２側）に設置される、信号用接続パッド１６４Ａ、１６６Ａ及びグランド用接続パッド１６８Ａを特に区別しない場合には、接続パッド１６Ａと称す。
【００３５】
図１２は、グランド回路ＧＣ１とグランド層１１１Ａとの伝送経路を示す断面図であって、（Ａ）は図９のＡ−Ａ線に沿った断面図、（Ｂ）は図９のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１２において、矢印Ｆ１は伝送経路を示し、矢印Ｓ１、Ｓ２は伝送経路Ｆ１の行き止まりの部分（スタブ）を示す。図１２に示すように、グランド回路ＧＣ１とグランド層１１１Ａとの間には、導通層１１４Ａが設けられる。この導通層１１４Ａは、図１２に示すように、絶縁層１１２Ａの外縁に設けられてもよいし、絶縁層１１２Ａを貫通して設けられてもよい。
【００３６】
導通層１１４Ａは、その特徴的な構成として、グランド回路ＧＣ１の相手コネクタ２Ａ側（Ｙ１側）に設けられる。例えば、導通層１１４Ａ−１は、図１２に示すように、グランド用接続パッド１５８Ａの相手コネクタ２Ａ側（Ｙ１側）に設けられる。これにより、伝送経路Ｆ１の相手コネクタ２Ａ側（Ｙ１側）のスタブＳ１を狭めることができる。その結果、高速伝送においても、グランド電位の変動などを抑制することができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００３７】
また、導通層１１４Ａは、グランド回路ＧＣ１の相手グランド回路ＧＣ２（相手コネクタ２Ａのグランド回路ＧＣ２）との接触部位Ｃ１又はその近傍に更に設けられてもよい。例えば、導通層１１４Ａ−２は、図１２に示すように、グランド用接続パッド１５８Ａの相手グランド用接続パッド２５８Ａとの接触部位Ｃ１近傍に設けられる。これにより、接触部位Ｃ１（相手コネクタ２Ａ）とグランド層１１１Ａとの間の伝送経路を短くすることができる。その結果、高速伝送においても、グランド電位の変動などを抑制することができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００３８】
この導通層１１４Ａ−２は、図１２に示すように、接触部位Ｃ１近傍であって、接触部位Ｃ１を基準として相手コネクタ２Ａとは反対側（Ｙ２側）に設けられてもよい。これにより、接触部位Ｃ１（相手コネクタ２Ａ）とグランド層１１１Ａとの間の最短伝送経路の伝送方向を順方向に（一方向に）することができ、伝送特性を高めることができる。
【００３９】
更に、導通層１１４Ａは、グランド回路ＧＣ１の外部基板側５Ａ（Ｚ２側）に設けられてもよい。例えば、導通層１１４Ａ−３は、図１２に示すように、グランド用接続パッド１６８Ａの外部基板５Ａ側（Ｚ２側）に設けられる。これにより、伝送経路Ｆ１の外部基板５Ａ側のスタブＳ２を狭めることができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００４０】
更にまた、導通層１１４Ａは、グランド回路ＧＣ１のリード１２Ａとの接触部位Ｃ２又はその近傍に設けられてもよい。例えば、導通層１１４Ａ−４は、図１２に示すように、グランド用接続パッド１６８Ａ近傍に設けられる。これにより、接触部位Ｃ２（リード１２Ａ）とグランド層１１１Ａとの最短伝送経路を増やすことができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００４１】
次に、プラグコネクタ２Ａの構成について説明する。図１３は、プラグコネクタ２Ａの構成を概略的に示す断面図である。図１４は、図１３の領域Ｔの拡大図である。図１５は、絶縁性ハウジング８Ａの構成を示す斜視図である。図１６は、回路基板２１Ａの構成を示す図であり、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は側面図である。
【００４２】
プラグコネクタ２Ａは、絶縁性ハウジング８Ａと、複数の接続パッド２６Ａをそれぞれ備える複数の回路基板２１Ａと、複数のリード２２Ａとを備える。絶縁性ハウジング８Ａには、図１３−図１５に示すように、複数のスリット８２ＡがＸ１−Ｘ２方向に並ぶように形成され、各スリット８２Ａには、複数の回路基板２１Ａが互いに平行に１つずつ組み込まれる。
【００４３】
複数のリード２２Ａは、回路基板２１Ａを外部基板４Ａに電気的に接続可能なものである。各リード２２Ａと対応する接続パッド２６Ａとの間には、複数の半田層２７Ａが１つずつ配置されており、半田層２７Ａを介して、各リード２２Ａが対応する接続パッド２６Ａに固定されている。
【００４４】
ハウジング８Ａは、図１３−図１５に示すように、スリット８２Ａの内面に、複数のガイド溝８４Ａを備える。各リード２２Ａは、対応するガイド溝８４Ａ内に収容されており、対応する半田層２７Ａが溶融したとき、対応するガイド溝８４Ａ内を移動可能となる。よって、相手コネクタ３Ａの場合と同様に、加熱により各半田層２７Ａが溶融すると、各リード２２Ａが外部基板４Ａの面歪みを吸収するように対応するガイド溝８４Ａ内を移動する。よって、熱処理後にリード２２Ａを外部基板４Ａに確実に接続することができる。
【００４５】
回路基板２１Ａは、図１４、図１６に示すように、グランド層２１１Ａ、絶縁層２１２Ａ、導電層２１３Ａを順次備える。グランド層２１１Ａ及び絶縁層２１２Ａは、導電層２１３Ａを略全面的に覆っており、グランド層２１１Ａと導電層２１３Ａとは、基本的に絶縁層２１２Ａによって絶縁されている。尚、導電層２１３Ａの詳細については後述する。回路基板２１Ａの製造方法は、回路基板１１Ａと同様に、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いる方法であってよい。
【００４６】
導電層２１３Ａは、図１６に示すように、相手コネクタ３Ａの信号回路ＳＣ１（図９参照）と接触可能な信号回路ＳＣ２と、相手コネクタ３Ａのグランド回路ＧＣ１（図９参照）と接触可能なグランド回路ＧＣ２とを備える。
【００４７】
信号回路ＳＣ２は、相手コネクタ３Ａ側（Ｙ２側）にＺ１−Ｚ２方向に一列に並ぶように形成される４つの信号用接続パッド対２５２Ａと、外部基板４Ａ側（Ｙ１側）にＺ１−Ｚ２方向に一列に並ぶように形成される４つの信号用接続パッド対２６２Ａと、両者をつなぐ４つの信号用配線対２４２Ａとを備える。
【００４８】
各信号用接続パッド対２５２Ａは、正負対称波形の信号を伝送する一対の信号用接続パッド２５４Ａ、２５６Ａからなる。一対の信号用接続パッド２５４Ａ、２５６Ａは、Ｚ１−Ｚ２方向に並ぶように形成されている。各信号用接続パッド２５４Ａ、２５６Ａは、矩形状である。
【００４９】
各信号用接続パッド対２６２Ａは、正負対称波形の信号を伝送する一対の信号用接続パッド２６４Ａ、２６６Ａからなる。一対の信号用接続パッド２６４Ａ、２６６Ａは、Ｚ１−Ｚ２方向に並ぶように形成されている。各信号用接続パッド２６４Ａ、２６６Ａは、矩形状である。
【００５０】
各信号用配線対２４２Ａは、正負対称波形の信号を伝送する一対の信号用配線２４４Ａ、２４６Ａからなる。一方の信号用配線２４４Ａは、Ｙ２側の信号用接続パッド２５４ＡとＹ１側の信号用接続パッド２６４Ａとの両者をつなぎ、他方の信号用配線２４６Ａは、Ｙ２側の信号用接続パッド２５６ＡとＹ１側の信号用接続パッド２６６Ａとの両者をつなぐ。
【００５１】
一方、グランド回路ＧＣ２は、相手コネクタ３Ａ側（Ｙ２側）にＺ１−Ｚ２方向に一列に並ぶように形成される４つのグランド用接続パッド２５８Ａと、外部基板４Ａ側（Ｙ１側）にＺ１−Ｚ２方向に一列に並ぶように形成される４つのグランド用接続パッド２６８Ａと、両者をつなぐ４つのグランド用配線２４８Ａとを備える。
【００５２】
４つのグランド用接続パッド２５８Ａは、隣り合う信号用接続パッド対２５２Ａの間に１つずつ形成され、信号用接続パッド対２５２Ａ毎にＺ１側（又はＺ２側）に１つずつ形成される。各グランド用接続パッド２５８Ａは、信号用接続パッド２５４Ａ、２５６Ａよりも相手コネクタ３Ａ側（Ｙ２側）に突出する矩形状である。
【００５３】
４つのグランド用接続パッド２６８Ａは、隣り合う信号用接続パッド対２６２Ａの間に１つずつ形成され、信号用接続パッド対２６２Ａ毎にＺ１側（又はＺ２側）に１つずつ形成される。各グランド用接続パッド２６８Ａは、信号用接続パッド２６４Ａ、２６６Ａと略同一形状であって、矩形状である。
【００５４】
尚、本実施例の説明において、相手コネクタ３Ａ側（Ｙ２側）に設置される、信号用接続パッド２５４Ａ、２５６Ａ及びグランド用接続パッド２５８Ａを特に区別しない場合には、接続パッド２５Ａと称す。また、外部基板４Ａ側（Ｙ１側）に設置される、信号用接続パッド２６４Ａ、２６６Ａ及びグランド用接続パッド２６８Ａを特に区別しない場合には、接続パッド２６Ａと称す。
【００５５】
図１７は、グランド回路ＧＣ２とグランド層２１１Ａとの伝送経路を示す断面図であって、（Ａ）は図１６のＡ−Ａ線に沿った断面図、（Ｂ）は図１６のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１７において、矢印Ｆ２は伝送経路を示し、矢印Ｓ３、Ｓ４は伝送経路Ｆ２の行き止まりの部分（スタブ）を示す。図１７に示すように、グランド回路ＧＣ２とグランド層２１１Ａとの間には、導通層２１４Ａが設けられる。この導通層２１４Ａは、図１７に示すように、絶縁層２１２Ａの外縁に設けられてもよいし、絶縁層２１２Ａを貫通して設けられてもよい。
【００５６】
導通層２１４Ａは、その特徴的な構成として、グランド回路ＧＣ２の相手コネクタ３Ａ側（Ｙ２側）に設けられる。例えば、導通層２１４Ａ−１は、図１７に示すように、グランド用接続パッド２５８Ａの相手コネクタ３Ａ側（Ｙ２側）に設けられる。これにより、伝送経路Ｆ２の相手コネクタ３Ａ側（Ｙ２側）のスタブＳ３を狭めることができる。その結果、高速伝送においても、グランド電位の変動などを抑制することができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００５７】
また、導通層２１４Ａは、グランド回路ＧＣ２の相手グランド回路ＧＣ１（相手コネクタ３Ａのグランド回路ＧＣ１）との接触部位Ｃ３又はその近傍に更に設けられてもよい。例えば、導通層２１４Ａ−２は、図１７に示すように、グランド用接続パッド２５８Ａの相手グランド用接続パッド１５８Ａとの接触部位Ｃ３近傍に設けられる。これにより、接触部位Ｃ３（相手コネクタ３Ａ）とグランド層２１１Ａとの間の伝送経路を短くすることができる。その結果、高速伝送においても、グランド電位の変動などを抑制することができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００５８】
この導通層２１４Ａ−２は、図１７に示すように、接触部位Ｃ３近傍であって、接触部位Ｃ３を基準として相手コネクタ３Ａとは反対側（Ｙ１側）に設けられてもよい。これにより、接触部位Ｃ３（相手コネクタ３Ａ）とグランド層２１１Ａとの間の最短伝送経路の伝送方向を順方向に（一方向に）することができ、伝送特性を高めることができる。
【００５９】
更に、導通層２１４Ａは、グランド回路ＧＣ２の外部基板側４Ａ（Ｙ１側）に設けられてもよい。例えば、導通層２１４Ａ−３は、図１７に示すように、グランド用接続パッド２６８Ａの外部基板４Ａ側（Ｙ１側）に設けられる。これにより、伝送経路Ｆ２の外部基板４Ａ側のスタブＳ４を狭めることができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００６０】
更にまた、導通層２１４Ａは、グランド回路ＧＣ２のリード２２Ａとの接触部位Ｃ４又はその近傍に設けられてもよい。例えば、導通層２１４Ａ−４は、図１７に示すように、グランド用接続パッド２６８Ａ近傍に設けられる。これにより、接触部位Ｃ４（リード２２Ａ）とグランド層２１１Ａとの最短伝送経路を増やすことができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００６１】
最後に、プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとの接続部分について図１８を参照して説明する。図１８は、プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとの接続部分を概略的に示す断面図である。プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとは、プラグコネクタ２Ａの接続パッド２５Ａがジャックコネクタ３Ａの対応する接続パッド１５Ａと接触されることによって、電気的に接続される。
【００６２】
このとき、信号用接続パッド１５４Ａと相手信号用接続パッド２５４Ａとが接触され、信号用接続パッド１５６Ａと相手信号用接続パッド２５６Ａとが接触され、グランド用接続パッド１５８Ａと相手グランド用接続パッド２５８Ａとが接触される。そして、隣り合う信号対（信号用接続パッド対１５２Ａと相手信号用接続パッド対２５２Ａとの各電気的接続部分）の間には、グランド用接続パッド１５８Ａ、２５８Ａやグランド層１１１Ａ、２１１Ａが配置される。これにより、隣り合う信号対の間のクロストークを抑制することができ、信号を高速で伝送することができる。
【００６３】
更に、図１６に示したように、グランド用接続パッド２５８は、信号用接続パッド２５４Ａ、２５６Ａよりも相手コネクタ３Ａ側（Ｙ２側）に突出する矩形状である。従って、プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとを接続する際に、グランド用接続パッド２５８を信号用接続パッド２５４Ａ、２５６Ａよりも先に接触させることができる。これにより、静電気を先に放電することができるので、コネクタ装置１Ａが搭載される機器システムを保護することができる。
【００６４】
以上説明したように、本実施例のコネクタ３Ａ（２Ａ）によれば、グランド層１１１Ａ（２１１Ａ）とグランド回路ＧＣ１（ＧＣ２）とを導通する導通層１１４Ａ−１（２１４Ａ−１）がグランド回路ＧＣ１（ＧＣ２）の相手コネクタ２Ａ（３Ａ）側に設けられるので、伝送経路Ｆ１（Ｆ２）のスタブＳ１（Ｓ２）を狭めることができる。これにより、高速伝送においても、グランド電位の変動などを抑制することができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００６５】
また、本実施例のコネクタ３Ａ（２Ａ）によれば、導通層１１４Ａ−２（２１４Ａ−２）がグランド回路ＧＣ１（ＧＣ２）の相手グランド回路ＧＣ２（ＧＣ１）との接触部位Ｃ１（Ｃ３）又はその近傍に更に設けられるので、相手コネクタ２Ａ（３Ａ）とグランド層１１１Ａ（２１１Ａ）との間の伝送経路を短くすることができる。これにより、高速伝送においても、グランド電位の変動などを抑制することができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００６６】
更に、本実施例のコネクタ３Ａ（２Ａ）によれば、導通層１１４Ａ−２（２１４Ａ−２）が接触部位Ｃ１（Ｃ３）近傍であって接触部位Ｃ１（Ｃ３）を基準として相手コネクタ２Ａ（３Ａ）とは反対側に設けられるので、相手コネクタ２Ａ（３Ａ）とグランド層１１１Ａ（２１１Ａ）との間の最短伝送経路の伝送方向を順方向に（一方向に）することができ、伝送特性を高めることができる。
【００６７】
更に、また、本実施例のコネクタ３Ａ（２Ａ）によれば、導通層１１４Ａ−３（２１４Ａ−３）がグランド回路ＧＣ１（ＧＣ２）の外部基板５Ａ（４Ａ）側に設けられるので、伝送経路の外部基板５Ａ（４Ａ）側のスタブを狭めることができる。これにより、高速伝送においても、グランド電位の変動などを抑制することができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００６８】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００６９】
例えば、上述した実施例では、導通層１１４Ａ（２１４Ａ）は、グランド回路ＧＣ１（ＧＣ２）の４箇所に設けられるとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、導通層１１４Ａ（２１４Ａ）は、グランド回路ＧＣ１（ＧＣ２）の相手コネクタ２Ａ（３Ａ）側とグランド回路ＧＣ１（ＧＣ）の外部基板５Ａ（４Ａ）側との２箇所に設けられてもよい。
【００７０】
また、上述した実施例において、グランド層１１１Ａ（２１１Ａ）から外部基板５Ａ（４Ａ）に向けて突出し、グランド層１１１Ａ（２１１Ａ）を外部基板５Ａ（４Ａ）に電気的に接続可能な端子部（図示せず）を設けてもよい。この場合、導通層１１４Ａ（２１４Ａ）は、グランド回路ＧＣ２の相手コネクタ２Ａ側にのみ設けられてもよい。
【００７１】
また、上述した実施例では、図７、図８に示したように、加熱により各半田層１７Ａ（２７Ａ）が溶融すると、各リード１２Ａ（２２Ａ）が外部基板５Ａ（４Ａ）の面歪みを吸収するように対応するガイド溝１３２Ａ（８４Ａ）内を移動するとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、コネクタ３Ａ（２Ａ）を外部基板５Ａ（４Ａ）に実装する際に、各半田層１７Ａ（２７Ａ）が溶融せずともよい。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】従来の平衡伝送用コネクタ装置を概略的に示す斜視図である。
【図２】プラグコネクタ２とジャックコネクタ３との対向する面の構造を概略的に示す図である。
【図３】プラグコネクタ２とジャックコネクタ３との電気的接続部分を概略的に示す断面図である。
【図４】本発明の平衡伝送用コネクタ装置の一実施例を示す斜視図である。
【図５】ジャックコネクタ３Ａを分解して示す斜視図である。
【図６】リード１２Ａと回路基板１１Ａとの接続部分を示す断面図である。
【図７】ジャックコネクタ３Ａの外部基板５Ａへの載置状態を示す断面図である。
【図８】図７の熱処理後の状態を示す断面図である。
【図９】回路基板１１Ａの構成を示す斜視図である。
【図１０】回路基板１１Ａの製造方法を示す工程図である。
【図１１】図１０の工程に続いて、回路基板１１Ａの製造方法を示す工程図である。
【図１２】グランド回路ＧＣ１とグランド層１１１Ａとの伝送経路を示す断面図である。
【図１３】プラグコネクタ２Ａの構成を概略的に示す断面図である。
【図１４】図１３の領域Ｔの拡大図である。
【図１５】絶縁性ハウジング８Ａの構成を示す斜視図である。
【図１６】回路基板２１Ａの構成を示す図である。
【図１７】グランド回路ＧＣ２とグランド層２１１Ａとの伝送経路を示す断面図である。
【図１８】プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとの接続部分を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
２Ａ、３Ａ コネクタ
４Ａ、５Ａ 外部基板
１１Ａ、２１Ａ 回路基板
１２Ａ、２２Ａ リード
１１１Ａ、２１１Ａ グランド層
１１２Ａ、２１２Ａ 絶縁層
１１３Ａ、２１３Ａ 導電層
１１４Ａ、２１４Ａ 導通層
１５Ａ、２５Ａ 接続パッド
１５２Ａ、２５２Ａ 信号用接続パッド対
１５４Ａ、２５４Ａ 信号用接続パッド
１５６Ａ、２５６Ａ 信号用接続パッド
１５８Ａ、２５８Ａ グランド用接続パッド
１６Ａ、２６Ａ 接続パッド
１６２Ａ、２６２Ａ 信号用接続パッド対
１６４Ａ、２６４Ａ 信号用接続パッド
１６６Ａ、２６６Ａ 信号用接続パッド
１６８Ａ、２６８Ａ グランド用接続パッド
【技術分野】
【０００１】
本発明は、相手コネクタに嵌合して接続されるコネクタに関し、特に平衡伝送用コネクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
データの伝送の方式としては、データ毎に一本の電線を使用する通常の伝送方式と、データ毎に対をなす二本の電線を使用して、伝送すべき＋信号とこの＋信号とは大きさが等しく逆向きの−信号とを同時に伝送する平衡伝送方式がある。平衡伝送方式は、通常の伝送方式に比べてノイズの影響を受けにくいという利点を有しており、信号を高速で伝送する分野において多く採用されている。
【０００３】
図１は、従来の平衡伝送用コネクタ装置を概略的に示す斜視図である。図２は、プラグコネクタ２とジャックコネクタ３との対向する面の構造を概略的に示す図である。平衡伝送用コネクタ装置１は、プラグコネクタ２とジャックコネクタ３とよりなる。プラグコネクタ２は、バックプレーン（外部基板）４に実装してあり、ジャックコネクタ３は、ドータボード（外部基板）５の端に実装してある。プラグコネクタ２とジャックコネクタ３とが接続されて、コネクタ装置１によってバックプレーン４とドータボード５とが電気的に接続される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
プラグコネクタ２は、図１、図２に示すように、複数の信号コンタクト対２５２と、信号コンタクト対２５２毎に設けられる逆Ｌ字状の複数のグランドコンタクト２５８と、複数の信号コンタクト対２５２及び複数のグランドコンタクト２５８を支持するＵ字状の絶縁性ハウジング８とを備える。複数の信号コンタクト対２５２は、行方向（Ｘ１−Ｘ２方向）及び列方向（Ｚ１−Ｚ２方向）に格子状に整列されている。各信号コンタクト対２５２は、正負対称波形の信号を伝えるための信号コンタクト２５４、２５６から構成され、その信号コンタクト２５４、２５６は列方向に並んでいる。各グランドコンタクト２５８は、水平板部２５８−１と垂直板部２５８−２とから構成され、対応する信号コンタクト対２５２のＸ１側とＺ１側を覆っている。各水平板部２５８−１はハウジング８の裏側まで延在しており、端子部となっている。
【０００５】
ジャックコネクタ３は、図１、図２に示すように、絶縁性ハウジング６と、複数のモジュール１０と、複数のグランド板（シールド板）１１１とを備える。絶縁性ハウジング６は、プラグコネクタ２の信号コンタクト２５４、２５６に対応する開口６２−１、６２−２と、プラグコネクタ２のグランドコンタクト２５８に対応する逆Ｌ字形状のスリット６２−３とを備える。複数のモジュール１０は行方向に並んでいる。各モジュール１０は、４つの信号コンタクト対１５２を備える。４つの信号コンタクト対１５２は、列方向に並んでいる。各信号コンタクト対１５２は、正負対称波形の信号を伝えるための信号コンタクト１５４、１５６から構成され、その信号コンタクト１５４、１５６は列方向に並んでいる。隣り合うモジュール１０の間には、複数のグランド板１１１が１つずつ配置される。
【０００６】
図３は、プラグコネクタ２とジャックコネクタ３との電気的接続部分を概略的に示す断面図である。プラグコネクタ２とジャックコネクタ３とは、ハウジング８がハウジング６に嵌合され、信号コンタクト２５４、２５６が開口６２−１、６２−２からハウジング６の内部に挿入され信号コンタクト１５４、１５６と接触されることによって、電気的に接続される。このとき、グランドコンタクト２５８がスリット６２−３からハウジング６の内部に挿入され、垂直板部２５８−２が一方の信号コンタクト対２５２と他方の信号コンタクト対１５２との電気的接続部分のＸ１側に配置され、水平板部２５８−１が電気的接続部分のＺ１側に配置される。
【０００７】
この構成によれば、プラグコネクタ２とジャックコネクタ３との接続部分において、隣り合う信号対（）の間にグランドコンタクト２５８又はグランド板１１１が配置されるので、隣り合う信号の間のクロストークを抑制することができ、信号を高速で伝送することができる。
【特許文献１】特開平５−２７５１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１記載の構成では、プラグコネクタ２とジャックコネクタ３とを接続した場合に、グランドコンタクト２５８とグランド板１１１とが互いに接触されないので、グランドコンタクト２５８の先端側やグランド板１１１の先端側が伝送経路の行き止まりの部分（スタブ）となる。従って、高周波信号に対するグランドとしての効果が弱く、グランド電位の変動などの問題が生じることがある。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができるコネクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するため、本発明は、相手コネクタに嵌合して接続されるコネクタにおいて、
グランド層、絶縁層、及び導電層を順次有する回路基板を備え、
前記導電層は、前記相手コネクタの信号回路と接触可能な信号回路と、前記相手コネクタのグランド回路と接触可能なグランド回路とを備え、
前記グランド回路と前記グランド層とを導通する導通層が、前記グランド回路の前記相手コネクタ側に設けられる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができるコネクタを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。
【００１３】
図４は、本発明の平衡伝送用コネクタ装置の一実施例を示す斜視図である。実施例の各図において、Ｙ１−Ｙ２はプラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとの接続方向、Ｚ１−Ｚ２はジャックコネクタ３Ａのドータボード５Ａへの実装方向、Ｘ１−Ｘ２はＹ１−Ｙ２方向及びＺ１−Ｚ２方向に直交する方向を示す。尚、実施例の各図において、図１−図３に示す構成と対応する構成には添え字を付した同一の符号を付す。
【００１４】
平衡伝送用コネクタ装置１Ａは、プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとからなる。プラグコネクタ２Ａはバックプレーン（外部基板）４Ａに実装してあり、ジャックコネクタ３Ａはドータボード（外部基板）５Ａの端に実装してある。プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとが接続されて、コネクタ装置１Ａによってバックプレーン４Ａとドータボード５Ａとが電気的に接続される。
【００１５】
以下、各コネクタ２Ａ、３Ａの構成について説明していくが、先ず、ジャックコネクタ３Ａの構成について説明し、次いで、プラグコネクタ２Ａの構成について説明し、最後に、プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとの接続部分について説明する。
【００１６】
図５は、ジャックコネクタ３Ａを分解して示す斜視図である。ジャックコネクタ３Ａは、第１絶縁性ハウジング６Ａと、第２絶縁性ハウジング７Ａと、複数のモジュール１０Ａとを備える。
【００１７】
第１絶縁性ハウジング６Ａは、相手コネクタ２Ａの絶縁性ハウジング８Ａを嵌合するものである。第１絶縁性ハウジング６Ａには、相手コネクタ２Ａの複数の回路基板２１Ａに対応する複数の開口部６２Ａが形成してある。ジャックコネクタ３Ａと相手コネクタ２Ａとは、ハウジング６Ａがハウジング８Ａ内に嵌合され、相手コネクタ２Ａの各回路基板２１Ａが対応する開口部６２Ａからハウジング６Ａの内部に挿入されてジャックコネクタ３Ａの対応する回路基板１１Ａと接触されることによって、電気的に接続される。
【００１８】
第２絶縁性ハウジング７Ａは、第１絶縁性ハウジング６Ａを支持すると共に、複数のモジュール１０Ａを互いに平行に支持するものである。第２絶縁性ハウジング７Ａは、複数のスリット７２Ａを備え、複数のスリット７２Ａは、Ｘ１−Ｘ２方向に並ぶように形成される。各スリット７２Ａには、複数のモジュール１０Ａが１つずつ組み込まれる。
【００１９】
各モジュール１０Ａは、複数の接続パッド１６Ａを備える回路基板１１Ａと、複数のリード１２Ａと、複数の半田層１７Ａと、絶縁性のスペーサ１３Ａとを備える。複数のリード１２Ａは、回路基板１１Ａを外部基板５Ａに電気的に接続可能なものである。各リード１２Ａと対応する接続パッド１６Ａとの間には、複数の半田層１７Ａが１つずつ配置されており、半田層１７Ａを介して、各リード１２Ａが対応する接続パッド１６Ａに固定されている。尚、回路基板１１Ａの詳細については、後述する。
【００２０】
図６は、リード１２Ａと回路基板１１Ａとの接続部分を示す断面図である。回路基板１１Ａ上には、スペーサ１３Ａが固定されている。スペーサ１３Ａは、回路基板１１Ａと対向する面に、複数のガイド溝１３２Ａを備える。各リード１２は、対応するガイド溝１３２Ａ内に収容されており、半田層１７Ａが溶融したとき、対応するガイド溝１３２Ａ内を移動可能となる。半田層１７Ａには、例えば、Ｓｎ−Ｂｉ合金（融点約１４０℃）やＳｎ−Iｎ合金（融点約１９０℃）が用いられる。
【００２１】
図７は、ジャックコネクタ３Ａの外部基板５Ａへの載置状態を示す断面図であり、（Ａ）は正面から見た断面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。外部基板５Ａ上には、複数のリード１２Ａを接着するための半田ペースト１９Ａが塗布されている。図７に示す例では、外部基板５Ａの面歪みに起因して、複数のリード１２Ａの一部と半田ペースト１９Ａとの間に間隙がある。半田ペースト１９Ａには、半田層１７Ａより高融点の材料が用いられてよく、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金（融点約２２０℃）が用いられてよい。
【００２２】
図８は、図７の熱処理後の状態を示す断面図であり、（Ａ）は正面から見た断面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。加熱により各半田層１７Ａが溶融すると、各リード１２Ａが外部基板５Ａの面歪みを吸収するように対応するガイド溝１３２Ａ内を移動する。よって、熱処理後にリード１２Ａを外部基板５Ａに確実に接続することができる。
【００２３】
図９は、回路基板１１Ａの構成を示す斜視図であり、（Ａ）は全体図、（Ｂ）は（Ａ）の領域Ｔの拡大図である。回路基板１１Ａは、図６、図９に示すように、グランド層１１１Ａ、絶縁層１１２Ａ、導電層１１３Ａを順次備える。グランド層１１１Ａ及び絶縁層１１２Ａは、導電層１１３Ａを略全面的に覆っており、グランド層１１１Ａと導電層１１３Ａとは、基本的に絶縁層１１２Ａによって絶縁されている。尚、導電層１１３Ａの詳細については後述する。回路基板１１Ａの製造方法は、一般的なものであってよく、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いる方法であってよい。
【００２４】
図１０は、回路基板１１Ａの製造方法を示す工程図である。図１１は、図１０の工程に続いて、回路基板１１Ａの製造方法を示す工程図である。図１０、図１１に示す例では、最初に、リン青銅製の金属板１１１Ａ上に感光性のポリイミドインクを塗布、乾燥して絶縁層１１２Ａを形成する（図１０（Ａ））。次いで、フォトマスクを用いて絶縁層１１２Ａを露光し、現像する（図１０（Ｂ））。次いで、スパッタリングによりＮｉ−Ｗ膜５１Ａを積層し（図１０（Ｃ））、電解めっきによりＣｕ膜５２Ａを積層する（図１０（Ｄ））。次いで、フォトレジストパターン５３Ａを形成する（図１１（Ｅ））。このフォトレジストパターン５３Ａを用いてＣｕ膜５２Ａ及びＮｉ−Ｗ膜５１Ａをエッチングする（図１１（Ｆ））。最後に、フォトレジストパターン５３Ａを除去し、Ｃｕ膜５２Ａ及びＮｉ−Ｗ膜５１Ａからなる導電層１１３Ａ及び後述の導通層１１４Ａを形成する（図１１（Ｇ））。
【００２５】
尚、本実施例の回路基板１１Ａは、金属板１１１Ａ上に絶縁層１１２Ａ、導電層１１３Ａ等が順次形成された３層構造であるが、絶縁基板１１２Ａの一方の主面にグランド層１１１Ａを形成し絶縁基板１１２Ａの他方の主面に導電層１１３Ａを形成した３層構造であってもよい。いずれの場合であっても、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いる方法によって導電層１１３Ａを形成することにより、導電層１１３Ａの微細化、薄肉化をすることができ、ひいてはコネクタ３Ａを小型化することができる。
【００２６】
導電層１１３Ａは、図９に示すように、相手コネクタ２Ａの信号回路ＳＣ２（図１６参照）と接触可能な信号回路ＳＣ１と、相手コネクタ２Ａのグランド回路ＧＣ２（図１６参照）と接触可能なグランド回路ＧＣ１とを備える。
【００２７】
信号回路ＳＣ１は、相手コネクタ２Ａ側（Ｙ１側）にＺ１−Ｚ２方向に一列に並ぶように形成される４つの信号用接続パッド対１５２Ａと、外部基板５Ａ側（Ｚ２側）にＹ１−Ｙ２方向に一列に並ぶように形成される４つの信号用接続パッド対１６２Ａと、両者をつなぐ４つの信号用配線対１４２Ａとを備える。
【００２８】
各信号用接続パッド対１５２Ａは、正負対称波形の信号を伝送する一対の信号用接続パッド１５４Ａ、１５６Ａからなる。一対の信号用接続パッド１５４Ａ、１５６Ａは、Ｚ１−Ｚ２方向に並ぶように形成されている。各信号用接続パッド１５４Ａ、１５６Ａは、先端が二叉に分岐したフォーク形状である。
【００２９】
各信号用接続パッド対１６２Ａは、正負対称波形の信号を伝送する一対の信号用接続パッド１６４Ａ、１６６Ａからなる。一対の信号用接続パッド１６４Ａ、１６６Ａは、Ｙ１−Ｙ２方向に並ぶように形成されている。各信号用接続パッド１６４Ａ、１６６Ａは、矩形状である。
【００３０】
各信号用配線対１４２Ａは、正負対称波形の信号を伝送する一対の信号用配線１４４Ａ、１４６Ａからなる。一方の信号用配線１４４Ａは、Ｙ１側の信号用接続パッド１５４ＡとＺ２側の信号用接続パッド１６４Ａとの両者をつなぎ、他方の信号用配線１４６Ａは、Ｙ１側の信号用接続パッド１５６ＡとＺ２側の信号用接続パッド１６６Ａとの両者をつなぐ。
【００３１】
一方、グランド回路ＧＣ１は、相手コネクタ２Ａ側（Ｙ１側）にＺ１−Ｚ２方向に一列に並ぶように形成される４つのグランド用接続パッド１５８Ａと、外部基板５Ａ側（Ｚ２側）にＹ１−Ｙ２方向に一列に並ぶように形成される４つのグランド用接続パッド１６８Ａとを備える。
【００３２】
４つのグランド用接続パッド１５８Ａは、隣り合う信号用接続パッド対１５２Ａの間に１つずつ形成され、信号用接続パッド対１５２Ａ毎にＺ１側（又はＺ２側）に１つずつ形成される。各グランド用接続パッド１５８Ａは、信号用接続パッド１５４Ａ、１５６Ａと略同一形状であって、先端が二叉に分岐したフォーク形状である。
【００３３】
４つのグランド用接続パッド１６８Ａは、隣り合う信号用接続パッド対１６２Ａの間に１つずつ形成され、信号用接続パッド対１６２Ａ毎にＹ１側（又はＹ２側）に１つずつ形成される。各グランド用接続パッド１６８Ａは、信号用接続パッド１６４Ａ、１６６Ａと略同一形状であって、矩形状である。
【００３４】
尚、本実施例の説明において、相手コネクタ２Ａ側（Ｙ１側）に設置される、信号用接続パッド１５４Ａ、１５６Ａ及びグランド用接続パッド１５８Ａを特に区別しない場合には、接続パッド１５Ａと称す。また、外部基板５Ａ側（Ｚ２側）に設置される、信号用接続パッド１６４Ａ、１６６Ａ及びグランド用接続パッド１６８Ａを特に区別しない場合には、接続パッド１６Ａと称す。
【００３５】
図１２は、グランド回路ＧＣ１とグランド層１１１Ａとの伝送経路を示す断面図であって、（Ａ）は図９のＡ−Ａ線に沿った断面図、（Ｂ）は図９のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１２において、矢印Ｆ１は伝送経路を示し、矢印Ｓ１、Ｓ２は伝送経路Ｆ１の行き止まりの部分（スタブ）を示す。図１２に示すように、グランド回路ＧＣ１とグランド層１１１Ａとの間には、導通層１１４Ａが設けられる。この導通層１１４Ａは、図１２に示すように、絶縁層１１２Ａの外縁に設けられてもよいし、絶縁層１１２Ａを貫通して設けられてもよい。
【００３６】
導通層１１４Ａは、その特徴的な構成として、グランド回路ＧＣ１の相手コネクタ２Ａ側（Ｙ１側）に設けられる。例えば、導通層１１４Ａ−１は、図１２に示すように、グランド用接続パッド１５８Ａの相手コネクタ２Ａ側（Ｙ１側）に設けられる。これにより、伝送経路Ｆ１の相手コネクタ２Ａ側（Ｙ１側）のスタブＳ１を狭めることができる。その結果、高速伝送においても、グランド電位の変動などを抑制することができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００３７】
また、導通層１１４Ａは、グランド回路ＧＣ１の相手グランド回路ＧＣ２（相手コネクタ２Ａのグランド回路ＧＣ２）との接触部位Ｃ１又はその近傍に更に設けられてもよい。例えば、導通層１１４Ａ−２は、図１２に示すように、グランド用接続パッド１５８Ａの相手グランド用接続パッド２５８Ａとの接触部位Ｃ１近傍に設けられる。これにより、接触部位Ｃ１（相手コネクタ２Ａ）とグランド層１１１Ａとの間の伝送経路を短くすることができる。その結果、高速伝送においても、グランド電位の変動などを抑制することができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００３８】
この導通層１１４Ａ−２は、図１２に示すように、接触部位Ｃ１近傍であって、接触部位Ｃ１を基準として相手コネクタ２Ａとは反対側（Ｙ２側）に設けられてもよい。これにより、接触部位Ｃ１（相手コネクタ２Ａ）とグランド層１１１Ａとの間の最短伝送経路の伝送方向を順方向に（一方向に）することができ、伝送特性を高めることができる。
【００３９】
更に、導通層１１４Ａは、グランド回路ＧＣ１の外部基板側５Ａ（Ｚ２側）に設けられてもよい。例えば、導通層１１４Ａ−３は、図１２に示すように、グランド用接続パッド１６８Ａの外部基板５Ａ側（Ｚ２側）に設けられる。これにより、伝送経路Ｆ１の外部基板５Ａ側のスタブＳ２を狭めることができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００４０】
更にまた、導通層１１４Ａは、グランド回路ＧＣ１のリード１２Ａとの接触部位Ｃ２又はその近傍に設けられてもよい。例えば、導通層１１４Ａ−４は、図１２に示すように、グランド用接続パッド１６８Ａ近傍に設けられる。これにより、接触部位Ｃ２（リード１２Ａ）とグランド層１１１Ａとの最短伝送経路を増やすことができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００４１】
次に、プラグコネクタ２Ａの構成について説明する。図１３は、プラグコネクタ２Ａの構成を概略的に示す断面図である。図１４は、図１３の領域Ｔの拡大図である。図１５は、絶縁性ハウジング８Ａの構成を示す斜視図である。図１６は、回路基板２１Ａの構成を示す図であり、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は側面図である。
【００４２】
プラグコネクタ２Ａは、絶縁性ハウジング８Ａと、複数の接続パッド２６Ａをそれぞれ備える複数の回路基板２１Ａと、複数のリード２２Ａとを備える。絶縁性ハウジング８Ａには、図１３−図１５に示すように、複数のスリット８２ＡがＸ１−Ｘ２方向に並ぶように形成され、各スリット８２Ａには、複数の回路基板２１Ａが互いに平行に１つずつ組み込まれる。
【００４３】
複数のリード２２Ａは、回路基板２１Ａを外部基板４Ａに電気的に接続可能なものである。各リード２２Ａと対応する接続パッド２６Ａとの間には、複数の半田層２７Ａが１つずつ配置されており、半田層２７Ａを介して、各リード２２Ａが対応する接続パッド２６Ａに固定されている。
【００４４】
ハウジング８Ａは、図１３−図１５に示すように、スリット８２Ａの内面に、複数のガイド溝８４Ａを備える。各リード２２Ａは、対応するガイド溝８４Ａ内に収容されており、対応する半田層２７Ａが溶融したとき、対応するガイド溝８４Ａ内を移動可能となる。よって、相手コネクタ３Ａの場合と同様に、加熱により各半田層２７Ａが溶融すると、各リード２２Ａが外部基板４Ａの面歪みを吸収するように対応するガイド溝８４Ａ内を移動する。よって、熱処理後にリード２２Ａを外部基板４Ａに確実に接続することができる。
【００４５】
回路基板２１Ａは、図１４、図１６に示すように、グランド層２１１Ａ、絶縁層２１２Ａ、導電層２１３Ａを順次備える。グランド層２１１Ａ及び絶縁層２１２Ａは、導電層２１３Ａを略全面的に覆っており、グランド層２１１Ａと導電層２１３Ａとは、基本的に絶縁層２１２Ａによって絶縁されている。尚、導電層２１３Ａの詳細については後述する。回路基板２１Ａの製造方法は、回路基板１１Ａと同様に、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いる方法であってよい。
【００４６】
導電層２１３Ａは、図１６に示すように、相手コネクタ３Ａの信号回路ＳＣ１（図９参照）と接触可能な信号回路ＳＣ２と、相手コネクタ３Ａのグランド回路ＧＣ１（図９参照）と接触可能なグランド回路ＧＣ２とを備える。
【００４７】
信号回路ＳＣ２は、相手コネクタ３Ａ側（Ｙ２側）にＺ１−Ｚ２方向に一列に並ぶように形成される４つの信号用接続パッド対２５２Ａと、外部基板４Ａ側（Ｙ１側）にＺ１−Ｚ２方向に一列に並ぶように形成される４つの信号用接続パッド対２６２Ａと、両者をつなぐ４つの信号用配線対２４２Ａとを備える。
【００４８】
各信号用接続パッド対２５２Ａは、正負対称波形の信号を伝送する一対の信号用接続パッド２５４Ａ、２５６Ａからなる。一対の信号用接続パッド２５４Ａ、２５６Ａは、Ｚ１−Ｚ２方向に並ぶように形成されている。各信号用接続パッド２５４Ａ、２５６Ａは、矩形状である。
【００４９】
各信号用接続パッド対２６２Ａは、正負対称波形の信号を伝送する一対の信号用接続パッド２６４Ａ、２６６Ａからなる。一対の信号用接続パッド２６４Ａ、２６６Ａは、Ｚ１−Ｚ２方向に並ぶように形成されている。各信号用接続パッド２６４Ａ、２６６Ａは、矩形状である。
【００５０】
各信号用配線対２４２Ａは、正負対称波形の信号を伝送する一対の信号用配線２４４Ａ、２４６Ａからなる。一方の信号用配線２４４Ａは、Ｙ２側の信号用接続パッド２５４ＡとＹ１側の信号用接続パッド２６４Ａとの両者をつなぎ、他方の信号用配線２４６Ａは、Ｙ２側の信号用接続パッド２５６ＡとＹ１側の信号用接続パッド２６６Ａとの両者をつなぐ。
【００５１】
一方、グランド回路ＧＣ２は、相手コネクタ３Ａ側（Ｙ２側）にＺ１−Ｚ２方向に一列に並ぶように形成される４つのグランド用接続パッド２５８Ａと、外部基板４Ａ側（Ｙ１側）にＺ１−Ｚ２方向に一列に並ぶように形成される４つのグランド用接続パッド２６８Ａと、両者をつなぐ４つのグランド用配線２４８Ａとを備える。
【００５２】
４つのグランド用接続パッド２５８Ａは、隣り合う信号用接続パッド対２５２Ａの間に１つずつ形成され、信号用接続パッド対２５２Ａ毎にＺ１側（又はＺ２側）に１つずつ形成される。各グランド用接続パッド２５８Ａは、信号用接続パッド２５４Ａ、２５６Ａよりも相手コネクタ３Ａ側（Ｙ２側）に突出する矩形状である。
【００５３】
４つのグランド用接続パッド２６８Ａは、隣り合う信号用接続パッド対２６２Ａの間に１つずつ形成され、信号用接続パッド対２６２Ａ毎にＺ１側（又はＺ２側）に１つずつ形成される。各グランド用接続パッド２６８Ａは、信号用接続パッド２６４Ａ、２６６Ａと略同一形状であって、矩形状である。
【００５４】
尚、本実施例の説明において、相手コネクタ３Ａ側（Ｙ２側）に設置される、信号用接続パッド２５４Ａ、２５６Ａ及びグランド用接続パッド２５８Ａを特に区別しない場合には、接続パッド２５Ａと称す。また、外部基板４Ａ側（Ｙ１側）に設置される、信号用接続パッド２６４Ａ、２６６Ａ及びグランド用接続パッド２６８Ａを特に区別しない場合には、接続パッド２６Ａと称す。
【００５５】
図１７は、グランド回路ＧＣ２とグランド層２１１Ａとの伝送経路を示す断面図であって、（Ａ）は図１６のＡ−Ａ線に沿った断面図、（Ｂ）は図１６のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１７において、矢印Ｆ２は伝送経路を示し、矢印Ｓ３、Ｓ４は伝送経路Ｆ２の行き止まりの部分（スタブ）を示す。図１７に示すように、グランド回路ＧＣ２とグランド層２１１Ａとの間には、導通層２１４Ａが設けられる。この導通層２１４Ａは、図１７に示すように、絶縁層２１２Ａの外縁に設けられてもよいし、絶縁層２１２Ａを貫通して設けられてもよい。
【００５６】
導通層２１４Ａは、その特徴的な構成として、グランド回路ＧＣ２の相手コネクタ３Ａ側（Ｙ２側）に設けられる。例えば、導通層２１４Ａ−１は、図１７に示すように、グランド用接続パッド２５８Ａの相手コネクタ３Ａ側（Ｙ２側）に設けられる。これにより、伝送経路Ｆ２の相手コネクタ３Ａ側（Ｙ２側）のスタブＳ３を狭めることができる。その結果、高速伝送においても、グランド電位の変動などを抑制することができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００５７】
また、導通層２１４Ａは、グランド回路ＧＣ２の相手グランド回路ＧＣ１（相手コネクタ３Ａのグランド回路ＧＣ１）との接触部位Ｃ３又はその近傍に更に設けられてもよい。例えば、導通層２１４Ａ−２は、図１７に示すように、グランド用接続パッド２５８Ａの相手グランド用接続パッド１５８Ａとの接触部位Ｃ３近傍に設けられる。これにより、接触部位Ｃ３（相手コネクタ３Ａ）とグランド層２１１Ａとの間の伝送経路を短くすることができる。その結果、高速伝送においても、グランド電位の変動などを抑制することができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００５８】
この導通層２１４Ａ−２は、図１７に示すように、接触部位Ｃ３近傍であって、接触部位Ｃ３を基準として相手コネクタ３Ａとは反対側（Ｙ１側）に設けられてもよい。これにより、接触部位Ｃ３（相手コネクタ３Ａ）とグランド層２１１Ａとの間の最短伝送経路の伝送方向を順方向に（一方向に）することができ、伝送特性を高めることができる。
【００５９】
更に、導通層２１４Ａは、グランド回路ＧＣ２の外部基板側４Ａ（Ｙ１側）に設けられてもよい。例えば、導通層２１４Ａ−３は、図１７に示すように、グランド用接続パッド２６８Ａの外部基板４Ａ側（Ｙ１側）に設けられる。これにより、伝送経路Ｆ２の外部基板４Ａ側のスタブＳ４を狭めることができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００６０】
更にまた、導通層２１４Ａは、グランド回路ＧＣ２のリード２２Ａとの接触部位Ｃ４又はその近傍に設けられてもよい。例えば、導通層２１４Ａ−４は、図１７に示すように、グランド用接続パッド２６８Ａ近傍に設けられる。これにより、接触部位Ｃ４（リード２２Ａ）とグランド層２１１Ａとの最短伝送経路を増やすことができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００６１】
最後に、プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとの接続部分について図１８を参照して説明する。図１８は、プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとの接続部分を概略的に示す断面図である。プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとは、プラグコネクタ２Ａの接続パッド２５Ａがジャックコネクタ３Ａの対応する接続パッド１５Ａと接触されることによって、電気的に接続される。
【００６２】
このとき、信号用接続パッド１５４Ａと相手信号用接続パッド２５４Ａとが接触され、信号用接続パッド１５６Ａと相手信号用接続パッド２５６Ａとが接触され、グランド用接続パッド１５８Ａと相手グランド用接続パッド２５８Ａとが接触される。そして、隣り合う信号対（信号用接続パッド対１５２Ａと相手信号用接続パッド対２５２Ａとの各電気的接続部分）の間には、グランド用接続パッド１５８Ａ、２５８Ａやグランド層１１１Ａ、２１１Ａが配置される。これにより、隣り合う信号対の間のクロストークを抑制することができ、信号を高速で伝送することができる。
【００６３】
更に、図１６に示したように、グランド用接続パッド２５８は、信号用接続パッド２５４Ａ、２５６Ａよりも相手コネクタ３Ａ側（Ｙ２側）に突出する矩形状である。従って、プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとを接続する際に、グランド用接続パッド２５８を信号用接続パッド２５４Ａ、２５６Ａよりも先に接触させることができる。これにより、静電気を先に放電することができるので、コネクタ装置１Ａが搭載される機器システムを保護することができる。
【００６４】
以上説明したように、本実施例のコネクタ３Ａ（２Ａ）によれば、グランド層１１１Ａ（２１１Ａ）とグランド回路ＧＣ１（ＧＣ２）とを導通する導通層１１４Ａ−１（２１４Ａ−１）がグランド回路ＧＣ１（ＧＣ２）の相手コネクタ２Ａ（３Ａ）側に設けられるので、伝送経路Ｆ１（Ｆ２）のスタブＳ１（Ｓ２）を狭めることができる。これにより、高速伝送においても、グランド電位の変動などを抑制することができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００６５】
また、本実施例のコネクタ３Ａ（２Ａ）によれば、導通層１１４Ａ−２（２１４Ａ−２）がグランド回路ＧＣ１（ＧＣ２）の相手グランド回路ＧＣ２（ＧＣ１）との接触部位Ｃ１（Ｃ３）又はその近傍に更に設けられるので、相手コネクタ２Ａ（３Ａ）とグランド層１１１Ａ（２１１Ａ）との間の伝送経路を短くすることができる。これにより、高速伝送においても、グランド電位の変動などを抑制することができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００６６】
更に、本実施例のコネクタ３Ａ（２Ａ）によれば、導通層１１４Ａ−２（２１４Ａ−２）が接触部位Ｃ１（Ｃ３）近傍であって接触部位Ｃ１（Ｃ３）を基準として相手コネクタ２Ａ（３Ａ）とは反対側に設けられるので、相手コネクタ２Ａ（３Ａ）とグランド層１１１Ａ（２１１Ａ）との間の最短伝送経路の伝送方向を順方向に（一方向に）することができ、伝送特性を高めることができる。
【００６７】
更に、また、本実施例のコネクタ３Ａ（２Ａ）によれば、導通層１１４Ａ−３（２１４Ａ−３）がグランド回路ＧＣ１（ＧＣ２）の外部基板５Ａ（４Ａ）側に設けられるので、伝送経路の外部基板５Ａ（４Ａ）側のスタブを狭めることができる。これにより、高速伝送においても、グランド電位の変動などを抑制することができ、高周波信号に対するグランドとしての効果を高めることができる。
【００６８】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００６９】
例えば、上述した実施例では、導通層１１４Ａ（２１４Ａ）は、グランド回路ＧＣ１（ＧＣ２）の４箇所に設けられるとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、導通層１１４Ａ（２１４Ａ）は、グランド回路ＧＣ１（ＧＣ２）の相手コネクタ２Ａ（３Ａ）側とグランド回路ＧＣ１（ＧＣ）の外部基板５Ａ（４Ａ）側との２箇所に設けられてもよい。
【００７０】
また、上述した実施例において、グランド層１１１Ａ（２１１Ａ）から外部基板５Ａ（４Ａ）に向けて突出し、グランド層１１１Ａ（２１１Ａ）を外部基板５Ａ（４Ａ）に電気的に接続可能な端子部（図示せず）を設けてもよい。この場合、導通層１１４Ａ（２１４Ａ）は、グランド回路ＧＣ２の相手コネクタ２Ａ側にのみ設けられてもよい。
【００７１】
また、上述した実施例では、図７、図８に示したように、加熱により各半田層１７Ａ（２７Ａ）が溶融すると、各リード１２Ａ（２２Ａ）が外部基板５Ａ（４Ａ）の面歪みを吸収するように対応するガイド溝１３２Ａ（８４Ａ）内を移動するとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、コネクタ３Ａ（２Ａ）を外部基板５Ａ（４Ａ）に実装する際に、各半田層１７Ａ（２７Ａ）が溶融せずともよい。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】従来の平衡伝送用コネクタ装置を概略的に示す斜視図である。
【図２】プラグコネクタ２とジャックコネクタ３との対向する面の構造を概略的に示す図である。
【図３】プラグコネクタ２とジャックコネクタ３との電気的接続部分を概略的に示す断面図である。
【図４】本発明の平衡伝送用コネクタ装置の一実施例を示す斜視図である。
【図５】ジャックコネクタ３Ａを分解して示す斜視図である。
【図６】リード１２Ａと回路基板１１Ａとの接続部分を示す断面図である。
【図７】ジャックコネクタ３Ａの外部基板５Ａへの載置状態を示す断面図である。
【図８】図７の熱処理後の状態を示す断面図である。
【図９】回路基板１１Ａの構成を示す斜視図である。
【図１０】回路基板１１Ａの製造方法を示す工程図である。
【図１１】図１０の工程に続いて、回路基板１１Ａの製造方法を示す工程図である。
【図１２】グランド回路ＧＣ１とグランド層１１１Ａとの伝送経路を示す断面図である。
【図１３】プラグコネクタ２Ａの構成を概略的に示す断面図である。
【図１４】図１３の領域Ｔの拡大図である。
【図１５】絶縁性ハウジング８Ａの構成を示す斜視図である。
【図１６】回路基板２１Ａの構成を示す図である。
【図１７】グランド回路ＧＣ２とグランド層２１１Ａとの伝送経路を示す断面図である。
【図１８】プラグコネクタ２Ａとジャックコネクタ３Ａとの接続部分を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
２Ａ、３Ａ コネクタ
４Ａ、５Ａ 外部基板
１１Ａ、２１Ａ 回路基板
１２Ａ、２２Ａ リード
１１１Ａ、２１１Ａ グランド層
１１２Ａ、２１２Ａ 絶縁層
１１３Ａ、２１３Ａ 導電層
１１４Ａ、２１４Ａ 導通層
１５Ａ、２５Ａ 接続パッド
１５２Ａ、２５２Ａ 信号用接続パッド対
１５４Ａ、２５４Ａ 信号用接続パッド
１５６Ａ、２５６Ａ 信号用接続パッド
１５８Ａ、２５８Ａ グランド用接続パッド
１６Ａ、２６Ａ 接続パッド
１６２Ａ、２６２Ａ 信号用接続パッド対
１６４Ａ、２６４Ａ 信号用接続パッド
１６６Ａ、２６６Ａ 信号用接続パッド
１６８Ａ、２６８Ａ グランド用接続パッド
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相手コネクタに嵌合して接続されるコネクタにおいて、
グランド層、絶縁層、及び導電層を順次有する回路基板を備え、
前記導電層は、前記相手コネクタの信号回路と接触可能な信号回路と、前記相手コネクタのグランド回路と接触可能なグランド回路とを備え、
前記グランド回路と前記グランド層とを導通する導通層が、前記グランド回路の前記相手コネクタ側に設けられるコネクタ。
【請求項２】
前記導通層が、前記グランド回路の前記相手コネクタの前記グランド回路との接触部位又は前記接触部位近傍に更に設けられる請求項１記載のコネクタ。
【請求項３】
前記導通層が、前記接触部位近傍であって、前記接触部位を基準として前記相手コネクタとは反対側に設けられる請求項２記載のコネクタ。
【請求項４】
前記回路基板を外部基板に電気的に接続可能なリードを備え、
前記導通層が、前記グランド回路の前記外部基板側に更に設けられる請求項１〜３いずれか一項記載のコネクタ。
【請求項１】
相手コネクタに嵌合して接続されるコネクタにおいて、
グランド層、絶縁層、及び導電層を順次有する回路基板を備え、
前記導電層は、前記相手コネクタの信号回路と接触可能な信号回路と、前記相手コネクタのグランド回路と接触可能なグランド回路とを備え、
前記グランド回路と前記グランド層とを導通する導通層が、前記グランド回路の前記相手コネクタ側に設けられるコネクタ。
【請求項２】
前記導通層が、前記グランド回路の前記相手コネクタの前記グランド回路との接触部位又は前記接触部位近傍に更に設けられる請求項１記載のコネクタ。
【請求項３】
前記導通層が、前記接触部位近傍であって、前記接触部位を基準として前記相手コネクタとは反対側に設けられる請求項２記載のコネクタ。
【請求項４】
前記回路基板を外部基板に電気的に接続可能なリードを備え、
前記導通層が、前記グランド回路の前記外部基板側に更に設けられる請求項１〜３いずれか一項記載のコネクタ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図５】
【公開番号】特開２０１０−２７２３１８（Ｐ２０１０−２７２３１８Ａ）
【公開日】平成２２年１２月２日（２０１０．１２．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１２２４９４（Ｐ２００９−１２２４９４）
【出願日】平成２１年５月２０日（２００９．５．２０）
【出願人】（５０１３９８６０６）富士通コンポーネント株式会社 (848)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月２日（２０１０．１２．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年５月２０日（２００９．５．２０）
【出願人】（５０１３９８６０６）富士通コンポーネント株式会社 (848)
【Ｆターム（参考）】
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