シス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法
【課題】シベトン等の大環状ムスク系香料の合成において特に有用な、シス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を選択的に合成する方法を提供する。
【解決手段】 １．下記式（１）で表される化合物のアルデヒド基を連結することを特徴とする、下記式（２）で表されるヒドロキシケトンの製造方法。
２．前記式（２）で表されるヒドロキシケトンのケトン基を、金属イオンの存在下に還元することを特徴とするエリスロ型ジオールの製造方法。 ３．エリスロ型ジオールの水酸基を脱離させることを特徴とするシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【解決手段】 １．下記式（１）で表される化合物のアルデヒド基を連結することを特徴とする、下記式（２）で表されるヒドロキシケトンの製造方法。
２．前記式（２）で表されるヒドロキシケトンのケトン基を、金属イオンの存在下に還元することを特徴とするエリスロ型ジオールの製造方法。 ３．エリスロ型ジオールの水酸基を脱離させることを特徴とするシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、香料合成等において有用なシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法に関し、更に詳しくは、高級調合香料の成分等として需要の大きいシベトンの合成原料として特に有用なシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ジカルボン酸誘導体は、大環状ムスク系香料の合成原料等として有用である。大環状ムスク系香料の中でも、下記式（５）で表されるシベトンは、ジャコウネコとも呼ばれる霊猫（シベット）の生殖腺分泌物から極微量得られる成分であり、高級調合香料等の重要な成分である。
【化１】
【０００３】
シベトンの合成法は、例えば非特許文献１に開示されている如く、数多く報告されているが、ジカルボン酸エステルの分子内環化反応を利用する、下記式（６）で表される方法が簡便である。
【化２】
【０００４】
当該方法でシベトンを合成する場合、前記式（６）に示すとおり、シス二重結合含有ジカルボン酸誘導体Ａが必要である。Ａを合成する方法として、オレイン酸エステルのメタセシスによる方法が非特許文献２で知られているが、当該方法により得られるＡの二重結合の異性体比は、シス：トランス＝１：１．３であり、望むシス体の選択的合成には至っていない。
アルデヒド同士を連結すればヒドロキシケトンが生成することは既に知られている。例えば、非特許文献３には、チアゾリウム塩を用いる方法が開示されている。しかし、当該文献には、分子中にアルデヒド以外の官能基を有しない単純な脂肪族アルデヒドを連結する例しか開示されておらず、分子内にカルボン酸基やエステル基を有するアルデヒドの連結が可能であることは記載されていない。
【０００５】
ヒドロキシケトンをエリスロ型ジオールに変換する方法は既に知られている。例えば、非特許文献４には、Ｚｎ（ＢＨ4）2を用いる方法が開示されている。しかし、当該文献には、分子中にヒドロキシケトン以外の官能基を有しない単純な脂肪族ヒドロキシケトンの例しか開示されておらず、分子内にカルボン酸基やエステル基を有するヒドロキシケトンにも適用可能であることは記載されていない。
エリスロ型ジオールを脱離させてシス二重結合に変換する方法は既に知られている。例えば、非特許文献５には、様々な構造のエリスロ型ジオールの水酸基を脱離させてシス二重結合に変換する方法が開示されている。しかし、分子内に２つのエステル基を有し、且つ、ジオールの脱離により非共役型の二重結合が生成する前記式（３）で表される化合物に適用した例は記載されていない。本発明者らの実験によれば、ジオールの脱離反応における選択性及び収率は、分子構造に大きく依存するので、他の分子種での実験結果をもって本発明を類推することは困難である。
【０００６】
【非特許文献１】Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，Ｎｏ．１０，１７０７（１９９９）
【非特許文献２】Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌ．Ｃｈｅｍ．２１８，６９（１９８１ ）
【非特許文献３】Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，Ｖｏｌ．６２，１７０（１ ９８４）
【非特許文献４】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．２４（２６） ，２６５３（１９８３）
【非特許文献５】Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ，８７９（１９８６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、シベトン等の大環状ムスク系香料の合成において特に有用なシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を選択的に合成する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、高選択的にシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を製造する方法を見出し、本発明を完成した。
本発明は以下のとおりである。
１．下記式（１）で表される化合物のアルデヒド基を連結することを特徴とする下記式（２）で表されるヒドロキシケトンの製造方法。
【化３】
（式中、Ｒは、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、ｎは、１〜２０の整数を表す。）
【化４】
（式中、Ｒ及びｎは、それぞれ独立に前記式（１）と同様の意味を表す。）
【０００９】
２．前記式（２）で表されるヒドロキシケトンのケトン基を、金属イオンの存在下に還元することを特徴とする下記式（３）で表されるエリスロ型ジオールの製造方法。
【化５】
（式中、Ｒ及びｎは、それぞれ独立に前記式（１）と同様の意味を表す。）
３．前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールの水酸基を脱離させることを特徴とする下記式（４）で表されるシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【化６】
（式中、Ｒ及びｎは、それぞれ独立に前記式（１）と同様の意味を表す。）
【００１０】
４．前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールを、下記式（５）で表されるジオキソラン誘導体に変換した後、脱離させることを特徴とする上記３．に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【化７】
（式中、Ｒは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、ｎは、それぞれ独立に１〜２０の整数を表し、Ｚは、炭素数１〜６のアルコキシ基もしくはアミノ基を表す。）
【００１１】
５．以下の３工程を含むことを特徴とするシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
（第一工程）
前記式（１）で表される化合物のアルデヒド基を連結し、前記式（２）で表されるヒドロキシケトンを製造する工程。
（第二工程）
前記式（２）で表されるヒドロキシケトンのケトン基を、金属イオンの存在下に還元し、前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールを製造する工程。
（第三工程）
前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールの水酸基を脱離させ、前記式（４）で表されるシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を製造する工程。
上記式（１）〜（５）において、ｎが７であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、シベトン等の大環状ムスク系香料の合成において特に有用な、シス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を選択的に合成する方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の第一は、前記式（１）で表される化合物のアルデヒド基を連結させ、前記式（２）で表されるヒドロキシケトンを製造する方法である。
アルデヒド基を連結しヒドロキシケトンを製造する方法に制限はないが、アシロイン縮合を利用するのが簡便である。アシロイン縮合の方法に制限はく、公知の方法を利用すればよいが、チアゾリウム塩を用いる方法が好ましく、例えば、下記式（７）で表されるチアゾリウム塩〔３−ベンジル−５−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチル−１，３−チアゾリウムクロライド〕を、トリエチルアミン等の塩基存在下に作用させる方法（Ｏｒｇ．Ｓｙｎｔｈ．，６２，１７０（１９８４））が挙げられる。
【化７】
【００１４】
前記式（７）で表されるチアゾリウム塩〔３−ベンジル−５−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチル−１，３−チアゾリウムクロライド〕の代わりに、ビタミンＢ１（下記式（８））を用いてもよい。
【化８】
【００１５】
チアゾリウム塩の使用量は、前記式（１）で表されるアルデヒド１ｍｏｌに対し、好ましくは０．０１〜１００ｍｏｌであり、より好ましくは０．１〜８０ｍｏｌである。トリエチルアミンの使用量は、チアゾリウム塩１ｍｏｌに対し、好ましくは、１〜１００ｍｏｌであり、より好ましくは、２〜８０ｍｏｌである。
前記式（１）において、Ｒは、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。Ｒは水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基がより好ましく、更に好ましくは水素原子又は炭素数１〜２の炭化水素基である。
前記式（１）において、ｎは、１〜２０の整数を表す。ｎは、３〜１８が好ましく、更に好ましくは５〜１６であり、最も好ましくは７である。
前記式（１）で表される化合物の製法に制限はないが、例えば、オレイン酸などの二重結合含有脂肪酸の二重結合を酸化的に開裂することにより、容易に製造することができる。
【００１６】
本発明の第二は、前記式（２）で表されるヒドロキシケトンのケトン基を、金属イオンの存在下に還元し、前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールを製造する方法である。
金属イオンの存在下で還元すれば、還元の方法に制限はなく、公知の方法を用いればよい。例えば、接触水素添加の他、ＮａＢＨ4、Ｚｎ（ＢＨ4）2、ＢＨ3等のホウ素化合物による還元などが挙げられるが、ホウ素化合物による還元がより好ましく、ＮａＢＨ4及び／又はＺｎ（ＢＨ4）2による還元が最も好ましい。ホウ素化合物の使用量は、前記式（２）で表されるヒドロキシケトン１ｍｏｌに対し、水素当量で、好ましくは１〜１００ｍｏｌであり、より好ましくは２〜８０ｍｏｌである。金属イオンの種類も制限はないが、例えば、Ｎａ+、Ｋ+等のアルカリ金属イオン、Ｃａ2+、Ｍｇ2+等のアルカリ土類金属イオン、Ｔｉ4+、Ｆｅ2+、Ｆｅ3+、Ｃｏ2+、Ｎｉ2+、Ｃｕ2+、Ｚｎ2+等の遷移金属イオン等が挙げられる。金属イオンとしては、アルカリ土類金属イオン又は遷移金属イオンが好ましく、遷移金属イオンがより好ましく、Ｚｎ2+イオンが最も好ましい。金属イオンの存在量に制限はないが、前記式（２）で表されるヒドロキシケトン１ｍｏｌに対し、好ましくは、１〜１００ｍｏｌであり、より好ましくは、１〜８０ｍｏｌである。
【００１７】
本発明の第三は、前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールの水酸基を脱離させ、前記式（４）で表されるシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を製造する方法である。ジオールの水酸基を脱離させる方法に制限はなく、公知の方法を利用すればよい。例えば、チオカーボネート化して脱離させる方法（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，８５，２６７７（１９６３））、ジアルキルアミノジオキソラン化して脱離させる方法（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，６０，５２２３（１９７０））、アルコキシジオキソラン化して脱離脱させる方法（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ，８７９（１９８６）、Ａｕｓｔｒａｌ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．，１７，１３９２（１９６４））などが挙げられるが、ジオキソラン化して脱離させる方法が好ましく、アルコキシジオキソラン化して脱離させる方法がより好ましい。
【００１８】
アルコキシジオキソラン化の方法としては、オルトギ酸メチルなどのオルトエステルを溶媒とし、ｐ−トルエンスルホン酸等を触媒として加熱する方法が好ましい。オルトギ酸メチルの使用量は、前記式（３）で表されるエリトロ型ジオール１重量部に対し、好ましくは、１〜１００重量部であり、より好ましくは、２〜８０重量部である。ジオキソラン化して脱離させる場合には、予め５０〜２５０℃に加熱した無水酢酸中へジオキソラン誘導体を加える方法が好ましい。
本発明の第四は、前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールを、上記式（５）で表されるジオキソラン誘導体に変換した後、脱離させることを特徴とする上記３．に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法である。
式中、Ｚがアルコキシ基であることが好ましく、前記式（５）で表される誘導体を、予め５０〜２５０℃に加熱した無水酢酸中に加えることが好ましい。
【００１９】
本発明の第五は、以下の３工程を含むことを特徴とするシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
（第一工程）
前記式（１）で表される化合物のアルデヒド基を連結し、前記式（２）で表されるヒドロキシケトンを製造する工程。
（第二工程）
前記式（２）で表されるヒドロキシケトンのケトン基を、金属イオンの存在下に還元し、前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールを製造する工程。
（第三工程）
前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールの水酸基を脱離させ、前記式（４）で表されるシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を製造する工程。
【００２０】
上記式（１）〜（５）において、ｎが７であることが好ましい。
第一工程において、チアゾリウム塩を用いてアルデヒド基を連結すること、チアゾリウム塩が、３−ベンジル−５−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチル−１，３−チアゾリウムクロライド及び／又はビタミンＢ１であることが好ましい。
第二工程において、ホウ素化合物を用いてケトン基を還元すること、ホウ素化合物が、ＮａＢＨ4及び／又はＺｎ（ＢＨ4）2であること、金属イオンが、アルカリ土類金属イオン及び／又は遷移金属イオンであること、金属イオンが、Ｚｎ2+であることが好ましい。
第三工程において、前記式（３）表されるエリスロ型ジオールを、前記式（５）で表されるジオキソラン誘導体に変換した後、脱離させること、Ｚがアルコキシ基であること、前記式（５）で表されるジオキソラン誘導体を、予め５０〜２５０℃に加熱した無水酢酸中に加えることが好ましい。
【実施例】
【００２１】
以下に実施例などに基づき本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例などにより何ら限定されるものではない。
［実施例１］
アゼライン酸セミアルデヒド〔前記式（１）で、Ｒが水素原子、ｎが７に相当する化合物〕５．４４ｇ（３１．６ｍｍｏｌ）をエタノール３０ｍｌに溶解し、３−ベンジル−５−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチル−１，３−チアゾリウムクロライド〔前記式（７）で表される化合物〕１．０ｇ（３．７ｍｍｏｌ）及びトリエチルアミン１４ｍｌ（１００ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、８０℃で２時間加熱、攪拌した。当該反応混合物を室温に冷却した後、１ＮのＨＣｌ（１１０ｍｌ）中に投入し、トルエン３００ｍｌを加え、５０℃で１０分間加熱、攪拌した後、トルエン相を分取した。当該トルエン相を５℃に冷却し、ヒドロキシケトン〔前記式（２）で、Ｒが水素原子、ｎが７に相当する化合物〕２．８ｇ（８．１ｍｍｏｌ）を白色固体として得た。
【００２２】
当該ヒドロキシケトン０．８５ｇ（２．４７ｍｍｏｌ）を、１ｗｔ％ＨＣｌ含有無水メタノール１０ｍｌに溶解し、窒素雰囲気下、１時間加熱還流した。当該反応混合物を室温に冷却した後、ＮａＨＣＯ3０．２６ｇを加え、室温で１０分間攪拌した後、酢酸エチル５０ｍｌと水１０ｍｌを加え、室温で１０分間攪拌した後、酢酸エチル相を分取した。当該酢酸エチル相の酢酸エチルを減圧下に留去し、ヒドロキシケトンジメチルエステル〔前記式（２）で、Ｒがメチル基、ｎが７に相当する化合物〕０．８８ｇ（２．３５ｍｍｏｌ）を得た。
当該ヒドロキシケトンジメチルエステル０．６１１ｇ（１．６４ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル１１ｍｌに溶解し、Ｚｎ（ＢＨ4）2のジエチルエーテル溶液（０．１５ｍｏｌ／ｌ）１１ｍｌを０℃で加え、０℃で１０分攪拌した。当該反応混合物に０℃で１ＮＨＣｌ１５ｍｌとジエチルエーテル５０ｍｌを加え、室温で１０分間攪拌した後、ジエチルエーテル相を分取した。当該ジエチルエーテル相のジエチルエーテルを減圧下に留去し、ジオールジメチルエステル〔前記式（３）で、Ｒがメチル基、ｎが７に相当する化合物〕０．６１０ｇ（１．６３ｍｍｏｌ）を得た。
【００２３】
当該ジオールジメチルエステル０．５２ｇ（１．３９ｍｍｏｌ）、オルトギ酸メチル（ＣＨ（ＯＭｅ）3）７ｍｌ及び触媒量のｐ−トルエンスルホン酸を混合し、窒素雰囲気下、１００℃で１時間加熱、攪拌した。当該反応物を室温に冷却した後、飽和ＮａＨＣＯ3水溶液５ｍｌとトルエン５０ｍｌを加え、室温で５分間混合した後、トルエン相を分取した。当該トルエン相のトルエンを留去し、ジオキソラン化合物〔前記式（５）で、Ｒがメチル基、ｎが７、Ｚがメトキシ基に相当する化合物〕を得た。当該ジオキソラン化合物を無水酢酸１０ｍｌに溶解した溶液を、予め加熱還流状態（１３９℃）にしておいた無水酢酸１０ｍｌ中へ、３０分かけて滴下した後、１時間加熱還流した。当該反応物の無水酢酸を減圧下に留去した後、飽和ＮａＨＣＯ3水溶液５ｍｌとトルエン５０ｍｌを加え、室温で５分間混合した後、トルエン相を分取した。当該トルエン相のトルエンを減圧下に留去し、アルケンジメチルエステル〔前記式（４）で、Ｒがメチル基、ｎが７に相当する化合物〕０．４４３ｇ（１．３０ｍｍｏｌ）を得た。 1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）分析の結果、当該アルケンジメチルエステルの二重結合の異性体比は、シス：トランス＝８７：１３であった。
【００２４】
［実施例２］
アゼライン酸セミアルデヒド（前記式（１）で、Ｒが水素原子、ｎが７に相当する化合物）１．０ｇ（５．８ｍｍｏｌ）をエタノール１０ｍｌに溶解し、ビタミンＢ１の塩酸塩（前記式（８）で表される化合物の塩酸塩）０．２ｇ（０．６ｍｍｏｌ）及びトリエチルアミン５ｍｌ（３６ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、８０℃で２時間加熱、攪拌した。当該反応混合物を室温に冷却した後１ＮのＨＣｌ（４０ｍｌ）中に投入し、トルエン１００ｍｌを加え、５０℃で１０分間加熱、攪拌した後、トルエン相を分取した。当該トルエン相を５℃に冷却し、ヒドロキシケトン（前記式（２）で、Ｒが水素原子、ｎが７に相当する化合物）０．５ｇ（１．４５ｍｍｏｌ）を白色固体として得た。
【００２５】
［比較例１］
窒素置換したフラスコにＷＣｌ6（０．２０ｇ、０．５１ｍｍｏｌ）を秤りとり、無水ベンゼン１０ｍｌを加えた。ＳｎＭｅ4（０．１０ｇ、０．５５ｍｍｏｌ）を徐々に加え、２５℃で１０分間攪拌した。オレイン酸メチル（２．２８ｇ、７．７ｍｍｏｌ）を無水ベンゼン４ｍｌに溶解した溶液を一気に加え、２５℃で１０分間攪拌した後、７０℃で２０時間攪拌した。１０％ＮａＯＨを５ｍｌ加えた後、エーテル（ジエチルエーテル／石油エーテル＝１／４容量比）３０ｍｌで２回抽出した。得られたエーテル層を、５ＮのＨＣｌ、飽和ＮａＨＣＯ3水溶液、飽和ＮａＣｌ水溶液で洗浄した後、ＭｇＳＯ4で乾燥した。ＭｇＳＯ4をろ過で除いた後エーテルを減圧下に留去し、粗生成物を得た。粗生成物中に含まれる２種のアルケンをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離し、アルケンジエチルエステル〔前記式（４）で、Ｒがメチル基、ｎが７に相当する化合物〕０．８４ｇ（２．４７ｍｍｏｌ）を得た。 1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）分析の結果、当該アルケンジメチルエステルの二重結合の異性体比は、シス：トランス＝４３：５７であった。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本発明により、シベトン等の大環状ムスク系香料の合成において特に有用な、シス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を選択的に合成する方法を提供することが可能となる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、香料合成等において有用なシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法に関し、更に詳しくは、高級調合香料の成分等として需要の大きいシベトンの合成原料として特に有用なシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ジカルボン酸誘導体は、大環状ムスク系香料の合成原料等として有用である。大環状ムスク系香料の中でも、下記式（５）で表されるシベトンは、ジャコウネコとも呼ばれる霊猫（シベット）の生殖腺分泌物から極微量得られる成分であり、高級調合香料等の重要な成分である。
【化１】
【０００３】
シベトンの合成法は、例えば非特許文献１に開示されている如く、数多く報告されているが、ジカルボン酸エステルの分子内環化反応を利用する、下記式（６）で表される方法が簡便である。
【化２】
【０００４】
当該方法でシベトンを合成する場合、前記式（６）に示すとおり、シス二重結合含有ジカルボン酸誘導体Ａが必要である。Ａを合成する方法として、オレイン酸エステルのメタセシスによる方法が非特許文献２で知られているが、当該方法により得られるＡの二重結合の異性体比は、シス：トランス＝１：１．３であり、望むシス体の選択的合成には至っていない。
アルデヒド同士を連結すればヒドロキシケトンが生成することは既に知られている。例えば、非特許文献３には、チアゾリウム塩を用いる方法が開示されている。しかし、当該文献には、分子中にアルデヒド以外の官能基を有しない単純な脂肪族アルデヒドを連結する例しか開示されておらず、分子内にカルボン酸基やエステル基を有するアルデヒドの連結が可能であることは記載されていない。
【０００５】
ヒドロキシケトンをエリスロ型ジオールに変換する方法は既に知られている。例えば、非特許文献４には、Ｚｎ（ＢＨ4）2を用いる方法が開示されている。しかし、当該文献には、分子中にヒドロキシケトン以外の官能基を有しない単純な脂肪族ヒドロキシケトンの例しか開示されておらず、分子内にカルボン酸基やエステル基を有するヒドロキシケトンにも適用可能であることは記載されていない。
エリスロ型ジオールを脱離させてシス二重結合に変換する方法は既に知られている。例えば、非特許文献５には、様々な構造のエリスロ型ジオールの水酸基を脱離させてシス二重結合に変換する方法が開示されている。しかし、分子内に２つのエステル基を有し、且つ、ジオールの脱離により非共役型の二重結合が生成する前記式（３）で表される化合物に適用した例は記載されていない。本発明者らの実験によれば、ジオールの脱離反応における選択性及び収率は、分子構造に大きく依存するので、他の分子種での実験結果をもって本発明を類推することは困難である。
【０００６】
【非特許文献１】Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，Ｎｏ．１０，１７０７（１９９９）
【非特許文献２】Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌ．Ｃｈｅｍ．２１８，６９（１９８１ ）
【非特許文献３】Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，Ｖｏｌ．６２，１７０（１ ９８４）
【非特許文献４】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．２４（２６） ，２６５３（１９８３）
【非特許文献５】Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ，８７９（１９８６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、シベトン等の大環状ムスク系香料の合成において特に有用なシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を選択的に合成する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、高選択的にシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を製造する方法を見出し、本発明を完成した。
本発明は以下のとおりである。
１．下記式（１）で表される化合物のアルデヒド基を連結することを特徴とする下記式（２）で表されるヒドロキシケトンの製造方法。
【化３】
（式中、Ｒは、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、ｎは、１〜２０の整数を表す。）
【化４】
（式中、Ｒ及びｎは、それぞれ独立に前記式（１）と同様の意味を表す。）
【０００９】
２．前記式（２）で表されるヒドロキシケトンのケトン基を、金属イオンの存在下に還元することを特徴とする下記式（３）で表されるエリスロ型ジオールの製造方法。
【化５】
（式中、Ｒ及びｎは、それぞれ独立に前記式（１）と同様の意味を表す。）
３．前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールの水酸基を脱離させることを特徴とする下記式（４）で表されるシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【化６】
（式中、Ｒ及びｎは、それぞれ独立に前記式（１）と同様の意味を表す。）
【００１０】
４．前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールを、下記式（５）で表されるジオキソラン誘導体に変換した後、脱離させることを特徴とする上記３．に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【化７】
（式中、Ｒは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、ｎは、それぞれ独立に１〜２０の整数を表し、Ｚは、炭素数１〜６のアルコキシ基もしくはアミノ基を表す。）
【００１１】
５．以下の３工程を含むことを特徴とするシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
（第一工程）
前記式（１）で表される化合物のアルデヒド基を連結し、前記式（２）で表されるヒドロキシケトンを製造する工程。
（第二工程）
前記式（２）で表されるヒドロキシケトンのケトン基を、金属イオンの存在下に還元し、前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールを製造する工程。
（第三工程）
前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールの水酸基を脱離させ、前記式（４）で表されるシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を製造する工程。
上記式（１）〜（５）において、ｎが７であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、シベトン等の大環状ムスク系香料の合成において特に有用な、シス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を選択的に合成する方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の第一は、前記式（１）で表される化合物のアルデヒド基を連結させ、前記式（２）で表されるヒドロキシケトンを製造する方法である。
アルデヒド基を連結しヒドロキシケトンを製造する方法に制限はないが、アシロイン縮合を利用するのが簡便である。アシロイン縮合の方法に制限はく、公知の方法を利用すればよいが、チアゾリウム塩を用いる方法が好ましく、例えば、下記式（７）で表されるチアゾリウム塩〔３−ベンジル−５−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチル−１，３−チアゾリウムクロライド〕を、トリエチルアミン等の塩基存在下に作用させる方法（Ｏｒｇ．Ｓｙｎｔｈ．，６２，１７０（１９８４））が挙げられる。
【化７】
【００１４】
前記式（７）で表されるチアゾリウム塩〔３−ベンジル−５−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチル−１，３−チアゾリウムクロライド〕の代わりに、ビタミンＢ１（下記式（８））を用いてもよい。
【化８】
【００１５】
チアゾリウム塩の使用量は、前記式（１）で表されるアルデヒド１ｍｏｌに対し、好ましくは０．０１〜１００ｍｏｌであり、より好ましくは０．１〜８０ｍｏｌである。トリエチルアミンの使用量は、チアゾリウム塩１ｍｏｌに対し、好ましくは、１〜１００ｍｏｌであり、より好ましくは、２〜８０ｍｏｌである。
前記式（１）において、Ｒは、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。Ｒは水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基がより好ましく、更に好ましくは水素原子又は炭素数１〜２の炭化水素基である。
前記式（１）において、ｎは、１〜２０の整数を表す。ｎは、３〜１８が好ましく、更に好ましくは５〜１６であり、最も好ましくは７である。
前記式（１）で表される化合物の製法に制限はないが、例えば、オレイン酸などの二重結合含有脂肪酸の二重結合を酸化的に開裂することにより、容易に製造することができる。
【００１６】
本発明の第二は、前記式（２）で表されるヒドロキシケトンのケトン基を、金属イオンの存在下に還元し、前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールを製造する方法である。
金属イオンの存在下で還元すれば、還元の方法に制限はなく、公知の方法を用いればよい。例えば、接触水素添加の他、ＮａＢＨ4、Ｚｎ（ＢＨ4）2、ＢＨ3等のホウ素化合物による還元などが挙げられるが、ホウ素化合物による還元がより好ましく、ＮａＢＨ4及び／又はＺｎ（ＢＨ4）2による還元が最も好ましい。ホウ素化合物の使用量は、前記式（２）で表されるヒドロキシケトン１ｍｏｌに対し、水素当量で、好ましくは１〜１００ｍｏｌであり、より好ましくは２〜８０ｍｏｌである。金属イオンの種類も制限はないが、例えば、Ｎａ+、Ｋ+等のアルカリ金属イオン、Ｃａ2+、Ｍｇ2+等のアルカリ土類金属イオン、Ｔｉ4+、Ｆｅ2+、Ｆｅ3+、Ｃｏ2+、Ｎｉ2+、Ｃｕ2+、Ｚｎ2+等の遷移金属イオン等が挙げられる。金属イオンとしては、アルカリ土類金属イオン又は遷移金属イオンが好ましく、遷移金属イオンがより好ましく、Ｚｎ2+イオンが最も好ましい。金属イオンの存在量に制限はないが、前記式（２）で表されるヒドロキシケトン１ｍｏｌに対し、好ましくは、１〜１００ｍｏｌであり、より好ましくは、１〜８０ｍｏｌである。
【００１７】
本発明の第三は、前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールの水酸基を脱離させ、前記式（４）で表されるシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を製造する方法である。ジオールの水酸基を脱離させる方法に制限はなく、公知の方法を利用すればよい。例えば、チオカーボネート化して脱離させる方法（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，８５，２６７７（１９６３））、ジアルキルアミノジオキソラン化して脱離させる方法（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，６０，５２２３（１９７０））、アルコキシジオキソラン化して脱離脱させる方法（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ，８７９（１９８６）、Ａｕｓｔｒａｌ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．，１７，１３９２（１９６４））などが挙げられるが、ジオキソラン化して脱離させる方法が好ましく、アルコキシジオキソラン化して脱離させる方法がより好ましい。
【００１８】
アルコキシジオキソラン化の方法としては、オルトギ酸メチルなどのオルトエステルを溶媒とし、ｐ−トルエンスルホン酸等を触媒として加熱する方法が好ましい。オルトギ酸メチルの使用量は、前記式（３）で表されるエリトロ型ジオール１重量部に対し、好ましくは、１〜１００重量部であり、より好ましくは、２〜８０重量部である。ジオキソラン化して脱離させる場合には、予め５０〜２５０℃に加熱した無水酢酸中へジオキソラン誘導体を加える方法が好ましい。
本発明の第四は、前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールを、上記式（５）で表されるジオキソラン誘導体に変換した後、脱離させることを特徴とする上記３．に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法である。
式中、Ｚがアルコキシ基であることが好ましく、前記式（５）で表される誘導体を、予め５０〜２５０℃に加熱した無水酢酸中に加えることが好ましい。
【００１９】
本発明の第五は、以下の３工程を含むことを特徴とするシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
（第一工程）
前記式（１）で表される化合物のアルデヒド基を連結し、前記式（２）で表されるヒドロキシケトンを製造する工程。
（第二工程）
前記式（２）で表されるヒドロキシケトンのケトン基を、金属イオンの存在下に還元し、前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールを製造する工程。
（第三工程）
前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールの水酸基を脱離させ、前記式（４）で表されるシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を製造する工程。
【００２０】
上記式（１）〜（５）において、ｎが７であることが好ましい。
第一工程において、チアゾリウム塩を用いてアルデヒド基を連結すること、チアゾリウム塩が、３−ベンジル−５−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチル−１，３−チアゾリウムクロライド及び／又はビタミンＢ１であることが好ましい。
第二工程において、ホウ素化合物を用いてケトン基を還元すること、ホウ素化合物が、ＮａＢＨ4及び／又はＺｎ（ＢＨ4）2であること、金属イオンが、アルカリ土類金属イオン及び／又は遷移金属イオンであること、金属イオンが、Ｚｎ2+であることが好ましい。
第三工程において、前記式（３）表されるエリスロ型ジオールを、前記式（５）で表されるジオキソラン誘導体に変換した後、脱離させること、Ｚがアルコキシ基であること、前記式（５）で表されるジオキソラン誘導体を、予め５０〜２５０℃に加熱した無水酢酸中に加えることが好ましい。
【実施例】
【００２１】
以下に実施例などに基づき本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例などにより何ら限定されるものではない。
［実施例１］
アゼライン酸セミアルデヒド〔前記式（１）で、Ｒが水素原子、ｎが７に相当する化合物〕５．４４ｇ（３１．６ｍｍｏｌ）をエタノール３０ｍｌに溶解し、３−ベンジル−５−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチル−１，３−チアゾリウムクロライド〔前記式（７）で表される化合物〕１．０ｇ（３．７ｍｍｏｌ）及びトリエチルアミン１４ｍｌ（１００ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、８０℃で２時間加熱、攪拌した。当該反応混合物を室温に冷却した後、１ＮのＨＣｌ（１１０ｍｌ）中に投入し、トルエン３００ｍｌを加え、５０℃で１０分間加熱、攪拌した後、トルエン相を分取した。当該トルエン相を５℃に冷却し、ヒドロキシケトン〔前記式（２）で、Ｒが水素原子、ｎが７に相当する化合物〕２．８ｇ（８．１ｍｍｏｌ）を白色固体として得た。
【００２２】
当該ヒドロキシケトン０．８５ｇ（２．４７ｍｍｏｌ）を、１ｗｔ％ＨＣｌ含有無水メタノール１０ｍｌに溶解し、窒素雰囲気下、１時間加熱還流した。当該反応混合物を室温に冷却した後、ＮａＨＣＯ3０．２６ｇを加え、室温で１０分間攪拌した後、酢酸エチル５０ｍｌと水１０ｍｌを加え、室温で１０分間攪拌した後、酢酸エチル相を分取した。当該酢酸エチル相の酢酸エチルを減圧下に留去し、ヒドロキシケトンジメチルエステル〔前記式（２）で、Ｒがメチル基、ｎが７に相当する化合物〕０．８８ｇ（２．３５ｍｍｏｌ）を得た。
当該ヒドロキシケトンジメチルエステル０．６１１ｇ（１．６４ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル１１ｍｌに溶解し、Ｚｎ（ＢＨ4）2のジエチルエーテル溶液（０．１５ｍｏｌ／ｌ）１１ｍｌを０℃で加え、０℃で１０分攪拌した。当該反応混合物に０℃で１ＮＨＣｌ１５ｍｌとジエチルエーテル５０ｍｌを加え、室温で１０分間攪拌した後、ジエチルエーテル相を分取した。当該ジエチルエーテル相のジエチルエーテルを減圧下に留去し、ジオールジメチルエステル〔前記式（３）で、Ｒがメチル基、ｎが７に相当する化合物〕０．６１０ｇ（１．６３ｍｍｏｌ）を得た。
【００２３】
当該ジオールジメチルエステル０．５２ｇ（１．３９ｍｍｏｌ）、オルトギ酸メチル（ＣＨ（ＯＭｅ）3）７ｍｌ及び触媒量のｐ−トルエンスルホン酸を混合し、窒素雰囲気下、１００℃で１時間加熱、攪拌した。当該反応物を室温に冷却した後、飽和ＮａＨＣＯ3水溶液５ｍｌとトルエン５０ｍｌを加え、室温で５分間混合した後、トルエン相を分取した。当該トルエン相のトルエンを留去し、ジオキソラン化合物〔前記式（５）で、Ｒがメチル基、ｎが７、Ｚがメトキシ基に相当する化合物〕を得た。当該ジオキソラン化合物を無水酢酸１０ｍｌに溶解した溶液を、予め加熱還流状態（１３９℃）にしておいた無水酢酸１０ｍｌ中へ、３０分かけて滴下した後、１時間加熱還流した。当該反応物の無水酢酸を減圧下に留去した後、飽和ＮａＨＣＯ3水溶液５ｍｌとトルエン５０ｍｌを加え、室温で５分間混合した後、トルエン相を分取した。当該トルエン相のトルエンを減圧下に留去し、アルケンジメチルエステル〔前記式（４）で、Ｒがメチル基、ｎが７に相当する化合物〕０．４４３ｇ（１．３０ｍｍｏｌ）を得た。 1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）分析の結果、当該アルケンジメチルエステルの二重結合の異性体比は、シス：トランス＝８７：１３であった。
【００２４】
［実施例２］
アゼライン酸セミアルデヒド（前記式（１）で、Ｒが水素原子、ｎが７に相当する化合物）１．０ｇ（５．８ｍｍｏｌ）をエタノール１０ｍｌに溶解し、ビタミンＢ１の塩酸塩（前記式（８）で表される化合物の塩酸塩）０．２ｇ（０．６ｍｍｏｌ）及びトリエチルアミン５ｍｌ（３６ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下、８０℃で２時間加熱、攪拌した。当該反応混合物を室温に冷却した後１ＮのＨＣｌ（４０ｍｌ）中に投入し、トルエン１００ｍｌを加え、５０℃で１０分間加熱、攪拌した後、トルエン相を分取した。当該トルエン相を５℃に冷却し、ヒドロキシケトン（前記式（２）で、Ｒが水素原子、ｎが７に相当する化合物）０．５ｇ（１．４５ｍｍｏｌ）を白色固体として得た。
【００２５】
［比較例１］
窒素置換したフラスコにＷＣｌ6（０．２０ｇ、０．５１ｍｍｏｌ）を秤りとり、無水ベンゼン１０ｍｌを加えた。ＳｎＭｅ4（０．１０ｇ、０．５５ｍｍｏｌ）を徐々に加え、２５℃で１０分間攪拌した。オレイン酸メチル（２．２８ｇ、７．７ｍｍｏｌ）を無水ベンゼン４ｍｌに溶解した溶液を一気に加え、２５℃で１０分間攪拌した後、７０℃で２０時間攪拌した。１０％ＮａＯＨを５ｍｌ加えた後、エーテル（ジエチルエーテル／石油エーテル＝１／４容量比）３０ｍｌで２回抽出した。得られたエーテル層を、５ＮのＨＣｌ、飽和ＮａＨＣＯ3水溶液、飽和ＮａＣｌ水溶液で洗浄した後、ＭｇＳＯ4で乾燥した。ＭｇＳＯ4をろ過で除いた後エーテルを減圧下に留去し、粗生成物を得た。粗生成物中に含まれる２種のアルケンをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離し、アルケンジエチルエステル〔前記式（４）で、Ｒがメチル基、ｎが７に相当する化合物〕０．８４ｇ（２．４７ｍｍｏｌ）を得た。 1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）分析の結果、当該アルケンジメチルエステルの二重結合の異性体比は、シス：トランス＝４３：５７であった。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本発明により、シベトン等の大環状ムスク系香料の合成において特に有用な、シス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を選択的に合成する方法を提供することが可能となる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される化合物のアルデヒド基を連結することを特徴とする下記式（２）で表されるヒドロキシケトンの製造方法。
【化１】
（式中、Ｒは、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、ｎは、１〜２０の整数を表す。）
【化２】
（式中、Ｒ及びｎは、それぞれ独立に前記式（１）と同様の意味を表す。）
【請求項２】
ｎが７であることを特徴とする請求項１に記載のヒドロキシケトンの製造方法。
【請求項３】
チアゾリウム塩を用いてアルデヒド基を連結することを特徴とする請求項１又は２に記載のヒドロキシケトンの製造方法。
【請求項４】
チアゾリウム塩が、３−置換−５−（２−ヒドロキシアルキル）−４−アルキル−１，３−チアゾリウムクロライドであることを特徴とする請求項３記載のヒドロキシケトンの製造方法。
【請求項５】
チアゾリウム塩が、３−ベンジル−５−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチル−１，３−チアゾリウムクロライド及び／又はビタミンＢ１であることを特徴とする請求項４記載のヒドロキシケトンの製造方法。
【請求項６】
前記式（２）で表されるヒドロキシケトンのケトン基を、金属イオンの存在下に還元することを特徴とする下記式（３）で表されるエリスロ型ジオールの製造方法。
【化３】
（式中、Ｒ及びｎは、それぞれ独立に前記式（１）と同様の意味を表す。）
【請求項７】
ｎが７である請求項６に記載のエリスロ型ジオールの製造方法。
【請求項８】
ホウ素化合物を用いてケトン基を還元することを特徴とする請求項６又は７に記載のエリスロ型ジオールの製造方法。
【請求項９】
ホウ素化合物が、ＮａＢＨ4及び／又はＺｎ（ＢＨ4）2であることを特徴とする請求項８に記載のエリスロ型ジオールの製造方法。
【請求項１０】
金属イオンが、アルカリ土類金属イオン及び／又は遷移金属イオンであることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載のエリスロ型ジオールの製造方法。
【請求項１１】
金属イオンが、Ｚｎ2+である請求項６〜１０のいずれか１項に記載のエリスロ型ジオールの製造方法。
【請求項１２】
前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールの水酸基を脱離させることを特徴とする下記式（４）で表されるシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【化４】
（式中、Ｒ及びｎは、それぞれ独立に前記式（１）と同様の意味を表す。）
【請求項１３】
ｎが７であることを特徴とする請求項１２に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１４】
前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールを、下記式（５）で表されるジオキソラン誘導体に変換した後、脱離させることを特徴とする請求項１２又は１３に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【化５】
（式中、Ｒは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、ｎは、それぞれ独立に１〜２０の整数を表し、Ｚは、炭素数１〜６のアルコキシ基もしくはアミノ基を表す。）
【請求項１５】
ｎが７であることを特徴とする請求項１４に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１６】
Ｚがアルコキシ基であることを特徴とする請求項１４または１５に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１７】
前記式（５）で表されるジオキソラン誘導体を、予め５０〜２５０℃に加熱した無水酢酸中に加えることを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか１項に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１８】
以下の３工程を含むことを特徴とするシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
（第一工程）
前記式（１）で表される化合物のアルデヒド基を連結し、前記式（２）で表されるヒドロキシケトンを製造する工程。
（第二工程）
前記式（２）で表されるヒドロキシケトンのケトン基を、金属イオンの存在下に還元し、前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールを製造する工程。
（第三工程）
前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールの水酸基を脱離させ、前記式（４）で表されるシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を製造する工程。
【請求項１９】
ｎが７であることを特徴とする請求項１８に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２０】
第一工程において、チアゾリウム塩を用いてアルデヒド基を連結することを特徴とする請求項１８又は１９に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２１】
チアゾリウム塩が、３−ベンジル−５−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチル−１，３−チアゾリウムクロライド及び／又はビタミンＢ１であることを特徴とする請求項２０に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２２】
第二工程において、ホウ素化合物を用いてケトン基を還元することを特徴とする請求項１８〜２１のいずれか１項に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２３】
ホウ素化合物が、ＮａＢＨ4及び／又はＺｎ（ＢＨ4）2であることを特徴とする請求項２２に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２４】
第二工程において、金属イオンが、アルカリ土類金属イオン及び／又は遷移金属イオンであることを特徴とする請求項１８〜２３のいずれか１項に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２５】
金属イオンが、Ｚｎ2+であることを特徴とする請求項２４記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２６】
第三工程において、前記式（３）表されるエリスロ型ジオールを、前記式（５）で表されるジオキソラン誘導体に変換した後、脱離させることを特徴とする請求項１８〜２５のいずれか１項に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２７】
Ｚがアルコキシ基であることを特徴とする請求項２６に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２８】
前記式（５）で表されるジオキソラン誘導体を、予め５０〜２５０℃に加熱した無水酢酸中に加えることを特徴とする請求項２６又は２７に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１】
下記式（１）で表される化合物のアルデヒド基を連結することを特徴とする下記式（２）で表されるヒドロキシケトンの製造方法。
【化１】
（式中、Ｒは、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、ｎは、１〜２０の整数を表す。）
【化２】
（式中、Ｒ及びｎは、それぞれ独立に前記式（１）と同様の意味を表す。）
【請求項２】
ｎが７であることを特徴とする請求項１に記載のヒドロキシケトンの製造方法。
【請求項３】
チアゾリウム塩を用いてアルデヒド基を連結することを特徴とする請求項１又は２に記載のヒドロキシケトンの製造方法。
【請求項４】
チアゾリウム塩が、３−置換−５−（２−ヒドロキシアルキル）−４−アルキル−１，３−チアゾリウムクロライドであることを特徴とする請求項３記載のヒドロキシケトンの製造方法。
【請求項５】
チアゾリウム塩が、３−ベンジル−５−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチル−１，３−チアゾリウムクロライド及び／又はビタミンＢ１であることを特徴とする請求項４記載のヒドロキシケトンの製造方法。
【請求項６】
前記式（２）で表されるヒドロキシケトンのケトン基を、金属イオンの存在下に還元することを特徴とする下記式（３）で表されるエリスロ型ジオールの製造方法。
【化３】
（式中、Ｒ及びｎは、それぞれ独立に前記式（１）と同様の意味を表す。）
【請求項７】
ｎが７である請求項６に記載のエリスロ型ジオールの製造方法。
【請求項８】
ホウ素化合物を用いてケトン基を還元することを特徴とする請求項６又は７に記載のエリスロ型ジオールの製造方法。
【請求項９】
ホウ素化合物が、ＮａＢＨ4及び／又はＺｎ（ＢＨ4）2であることを特徴とする請求項８に記載のエリスロ型ジオールの製造方法。
【請求項１０】
金属イオンが、アルカリ土類金属イオン及び／又は遷移金属イオンであることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載のエリスロ型ジオールの製造方法。
【請求項１１】
金属イオンが、Ｚｎ2+である請求項６〜１０のいずれか１項に記載のエリスロ型ジオールの製造方法。
【請求項１２】
前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールの水酸基を脱離させることを特徴とする下記式（４）で表されるシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【化４】
（式中、Ｒ及びｎは、それぞれ独立に前記式（１）と同様の意味を表す。）
【請求項１３】
ｎが７であることを特徴とする請求項１２に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１４】
前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールを、下記式（５）で表されるジオキソラン誘導体に変換した後、脱離させることを特徴とする請求項１２又は１３に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【化５】
（式中、Ｒは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、ｎは、それぞれ独立に１〜２０の整数を表し、Ｚは、炭素数１〜６のアルコキシ基もしくはアミノ基を表す。）
【請求項１５】
ｎが７であることを特徴とする請求項１４に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１６】
Ｚがアルコキシ基であることを特徴とする請求項１４または１５に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１７】
前記式（５）で表されるジオキソラン誘導体を、予め５０〜２５０℃に加熱した無水酢酸中に加えることを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか１項に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項１８】
以下の３工程を含むことを特徴とするシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
（第一工程）
前記式（１）で表される化合物のアルデヒド基を連結し、前記式（２）で表されるヒドロキシケトンを製造する工程。
（第二工程）
前記式（２）で表されるヒドロキシケトンのケトン基を、金属イオンの存在下に還元し、前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールを製造する工程。
（第三工程）
前記式（３）で表されるエリスロ型ジオールの水酸基を脱離させ、前記式（４）で表されるシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体を製造する工程。
【請求項１９】
ｎが７であることを特徴とする請求項１８に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２０】
第一工程において、チアゾリウム塩を用いてアルデヒド基を連結することを特徴とする請求項１８又は１９に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２１】
チアゾリウム塩が、３−ベンジル−５−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチル−１，３−チアゾリウムクロライド及び／又はビタミンＢ１であることを特徴とする請求項２０に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２２】
第二工程において、ホウ素化合物を用いてケトン基を還元することを特徴とする請求項１８〜２１のいずれか１項に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２３】
ホウ素化合物が、ＮａＢＨ4及び／又はＺｎ（ＢＨ4）2であることを特徴とする請求項２２に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２４】
第二工程において、金属イオンが、アルカリ土類金属イオン及び／又は遷移金属イオンであることを特徴とする請求項１８〜２３のいずれか１項に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２５】
金属イオンが、Ｚｎ2+であることを特徴とする請求項２４記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２６】
第三工程において、前記式（３）表されるエリスロ型ジオールを、前記式（５）で表されるジオキソラン誘導体に変換した後、脱離させることを特徴とする請求項１８〜２５のいずれか１項に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２７】
Ｚがアルコキシ基であることを特徴とする請求項２６に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２８】
前記式（５）で表されるジオキソラン誘導体を、予め５０〜２５０℃に加熱した無水酢酸中に加えることを特徴とする請求項２６又は２７に記載のシス二重結合含有ジカルボン酸誘導体の製造方法。
【公開番号】特開２００８−２２２５９６（Ｐ２００８−２２２５９６Ａ）
【公開日】平成２０年９月２５日（２００８．９．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−６０３８９（Ｐ２００７−６０３８９）
【出願日】平成１９年３月９日（２００７．３．９）
【出願人】（３０３０４６３１４）旭化成ケミカルズ株式会社 (2,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月２５日（２００８．９．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月９日（２００７．３．９）
【出願人】（３０３０４６３１４）旭化成ケミカルズ株式会社 (2,513)
【Ｆターム（参考）】
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