説明

シラノール類を捕集除去する気体浄化方法と装置

【課題】 低コストで小型化も容易なシラノール類を選択的に除去できる気体浄化方法と装置を提供する。
【解決手段】 半導体露光プロセスの露光装置へ供給するクリーンルーム内雰囲気ガスからシラノール類を捕集除去する気体浄化方法において、前記雰囲気ガスと接触させる表面に水酸基が存在する繊維状無機化合物3を充填した反応捕集部1と、該3を加熱する加熱手段2及び温度を検出する温度検出手段5とを具備し、該5からの信号に基づいて、前記2により前記3の表面温度を70〜300℃に制御する温度制御部4を有するものであり、前記3は、ガラス、石英、シリカ、アルミナ又はシリコンからなる1種類以上の素材で構成され、火炎研磨法又は酸処理法により表面水酸基の活性化処理を行うのがよい。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、露光装置に供給される気体の浄化装置に係り、特にシラノール類(トリメチルシラノールなど)を選択的に除去することができる気体浄化方法と装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体集積回路の高密度化に伴い回路パターンが微細化しており、露光装置における露光波長も短波長化してきている。現在では、光源としてKrFエキシマレーザー(波長約248nm)やArFエキシマレーザー(波長約193nm)が用いられており、Fレーザー(波長約157nm)の実用化も進んでいる。
このような露光波長の短波長化に加えて、スループット(単位時間当たりに処理される枚数)向上の要請から露光照度の高照度化が行われており、最近では、露光装置が設置されているクリーンルーム雰囲気ガス中の微量成分(例えばアンモニアガスや揮発性有機化合物、有機ケイ素化合物など)が、露光装置に対して悪影響をもたらすことが分かってきた。
【0003】
即ち、エネルギーの高い短波長光を高照度で用いることにより、露光装置内で雰囲気ガス中の微量成分が光化学反応を起こし、露光装置内に設置されている光学部品の表面に曇り物質として析出し、光学特性の劣化を招いている。特に、有機ケイ素化合物の一種であるシラノール類(例えばトリメチルシラノールなど)が、光学特性劣化に影響しており(非特許文献1)、雰囲気ガス中の微量成分の中でも、特にシラノール類を除去する有効な手段の開発が望まれている。通常、シリコンウエハー表面は親水性となっているため、疎水性であるフォトレジストとの密着性が悪い。そのため、ウエハーを加熱して表面の水分を除去する脱水ベーク(デハイドレーションベーク)を行い、次に密着性向上塗布剤であるヘキサメチルジシラザン(HMDS)で処理して、ウエハー表面を疎水性としレジストとの密着性を向上させている。このHMDSは、水分と反応して分解し、アンモニアとトリメチルシラノールが発生するため、クリーンルーム雰囲気ガス中の不純物成分増加の一因となる。
【0004】
そのような背景から、クリーンルーム雰囲気ガスを露光装置へ供給する際に、気体の浄化を行うことによって、光学特性の劣化原因となっている雰囲気ガス中の微量成分濃度を低減する方法が提案されている。
例えば、露光装置外部からのクリーンルーム雰囲気ガス取り込み口に、フィルタを設置する方法が特許文献1に示されており、イオン交換繊維等のイオン吸着用フィルタの他、活性炭、ゼオライトで構成されたフィルタを設置することで、低沸点シラノール類を含む有機物質等(以下、雰囲気ガス中汚染物質)を除去する方法である。
【0005】
また、物理化学処理により気体を浄化する方法として、湿度調整を行いながら紫外線を照射することにより、雰囲気ガス中の汚染物質を除去する方法が特許文献2に、酸素濃度3%以下の条件下にて光触媒反応を行うことにより、雰囲気ガス中の汚染物質を除去する方法が特許文献3に報告されている。
また、特許文献4には、過酸化水素やオゾンを含む液体を処理ガスに噴霧することにより、雰囲気ガス中の汚染物質を除去する方法が提案されている。
さらには、特許文献5には、石英インゴットから作製されたウール状繊維化合物を用いて、気体中の有機物及び硫酸ミスト、塩酸ガスを除去する方法が提案されている。
【0006】
前記方法において、フィルタ処理は、初期投資費用が高額であるとともに、フィルタの寿命が短く維持管理に手間とコストがかかることが問題となっている。また、露光装置への雰囲気ガス取り込みは、通常、 0.3〜1.0m/sの風速で行われ、かつ雰囲気ガス中の不純物濃度も数ppm以下と低濃度である。従って、物理化学反応を利用する方法では、除去処理を十分に行い難く、求める除去性能を十分に達成できないことが問題となっている。さらには、液体噴霧による除去方法は、排水設備が必要となるため装置の小型化が容易ではなく、クリーンルーム内での処理を考えると好ましくない。
一方、石英インゴットから作製されたウール状繊維化合物を用いて、気体中の有機物及び硫酸ミスト、塩酸ガスを除去する方法は、簡便な手法であるものの、気体中の有機物及び硫酸ミスト、塩酸ガスのすべてを吸着するため、問題となっているシラノール類(特にトリメチルシラノール)と吸着競合が起こり、シラノール類に関する除去性能が低下してしまうことが予想される。
【0007】
また、シラノール類は、一般的に無機化合物表面処理に用いられている(非特許文献2)。例えば、ガラス繊維強化樹脂を作製する際にガラス繊維と樹脂との親和性を高める目的で、シラノール類によりガラス繊維の表面を処理している。また、ガラス、金属等の無機表面と、フォトマスク、接着剤、塗料等の有機化合物との密着性を向上するために、シラノール類で無機表面を処理している。
無機化合物表面をシラノール類にて表面処理する方法には、湿式法及び乾式法の2種類がある。乾式法は、ミキサーに無機化合物を加え、更にシラノール類を添加混合し乾燥する。この時、シラノール類は原液のまま直接添加するか、あるいは適当な溶媒に溶かして加えても良い。湿式法は、シラノール類が溶解した水溶液に無機化合物を入れて攪拌又は浸漬し、反応後溶媒を除去後乾燥することにより処理は完了する。いずれの場合においても、乾燥は通常100〜130℃、30〜90分で行い、この乾燥過程において、シラノール類が無機化合物表面と脱水縮合反応して強固な化学結合を形成する。
【0008】
このように、無機表面をシラノール類で表面処理する方法は、無機表面にシラノール類を吸着(水素結合による)する第1の工程と、加熱による脱水縮合反応により化学結合する第2の工程の2段階処理からなる。
第1の工程において、無機表面にシラノール類を吸着する際には、シラノール類を凝縮相(液体)として無機表面に接触させており、蒸気相(気体)では十分に吸着しないと考えられてきた。そのような背景から、蒸気相(気体)を用いたシラノール類による無機表面処理はこれまで行われてこなかった。非特許文献3では、ガラス繊維表面におけるシラノール類(γ―アミノプロピル トリエトキシシラン:APES)の反応挙動を解析する目的で、蒸気相のAPESをガラス繊維と10分〜60分接触させることにより、ガラス繊維表面にAPESを化学結合しているが、蒸気相中のAPES濃度は、飽和濃度であり凝集相との境界領域濃度であり、非常に希薄な条件下で無機化合物表面にシラノール類が結合できることは知られていなかった。
【0009】
【特許文献1】特許第3265666号公報
【特許文献2】特開2006−120825公報
【特許文献3】特開2005−161136公報
【特許文献4】特開2008−091746公報
【特許文献5】特許3711376号公報
【非特許文献1】クリーンテクノロジー、2、5−9、2008
【非特許文献2】シランカップリング剤の効果と使用法(中村吉伸、長田員也;サイエンス&テクノロジー社、2006年6月)
【非特許文献3】Journal of Applied Polymer Science、Vol.62、375−384、1996
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
本発明は、上記背景技術に鑑み、露光装置の性能低下を引き起こす原因物質と考えられているシラノール類の露光装置内への混入を防ぎ、露光装置内の光学部品の光学特性劣化を防ぐことを目的とした、低コストで小型化も容易なシラノール類を選択的に除去できる気体浄化方法と装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
上記課題を解決するために、本発明では、半導体露光プロセスの露光装置へ供給するクリーンルーム内雰囲気ガスからシラノール類を捕集除去する気体浄化方法において、前記雰囲気ガスを、表面温度が70〜300℃である表面に水酸基が存在する繊維状無機化合物と接触させて、該繊維状無機化合物上に雰囲気ガス中のシラノール類を捕集除去することを特徴とする気体浄化方法としたものである。
前記気体浄化方法において、繊維状無機化合物は、ガラス、石英、シリカ、アルミナ又はシリコンからなる少なくとも1種類以上の素材で構成することができ、また、前記繊維状無機化合物は、前記シラノール類のシラノール基と該繊維状無機化合物の表面水酸基との脱水縮合反応により、シラノール類を共有結合で前記繊維状無機化合物上に化学結合することができる。
【0012】
また、本発明では、半導体露光プロセスの露光装置へ供給するクリーンルーム内雰囲気ガスからシラノール類を捕集除去する気体浄化方法において、前記雰囲気ガスと接触させる表面に水酸基が存在する繊維状無機化合物を充填した反応捕集部と、該繊維状無機化合物を加熱する加熱手段及び温度を検出する温度検出手段とを具備し、該温度検出手段からの信号に基づいて、前記加熱手段により前記繊維状無機化合物の表面温度を70〜300℃に制御する温度制御部を有することを特徴とする気体浄化装置としたものである。
【発明の効果】
【0013】
本発明によれば、半導体産業で用いられている露光装置の中でも、特に光源としてKrFエキシマレーザー(波長約248nm)やArFエキシマレーザー(波長約193nm)あるいはそれ以下の波長を用いている露光装置において、露光装置に供給される気体中に微量に存在し、性能劣化を引き起こしている主たる原因物質と考えられているシラノール類を、高温の繊維状無機化合物を用いることにより選択的に除去することが可能となる。また、除去機構の構成が簡便であることから初期投資及びランニングコストも低く抑えることが可能であり、装置の小型化も容易となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0014】
以下、本発明を、繊維状無機化合物表面と、該繊維状無機化合物表面に接触するシラノール類を含むクリーンルーム内雰囲気ガスとの反応について、詳細に説明する。
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、蒸気相中のシラノール類濃度が、非常に希薄な条件下でかつ無機化合物表面との接触時間が非常に短い時間であっても、無機化合物表面にシラノール類が結合可能であることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明は、高温状態に保持された繊維状無機化合物とシラノール類を含む処理対象ガスを接触させて、繊維状無機化合物表面にある水酸基とシラノール類を反応させることにより、該気体中に含まれている微量シラノール類を繊維状無機化合物上に化学結合させることを特徴とするものである。
高温状態とは、前記繊維状無機化合物の表面温度が70℃〜300℃の範囲であり、繊維状無機化合物は、ガラス、石英、シリカ、アルミナ又はシリコンから選ばれる少なくとも1種以上の素材の複合又は混合物である。また、処理対象ガス中のシラノール類濃度は、5ppm以下である。
【0015】
以下、本発明を図を用いて説明する。
本発明によれば、高温状態に保持された繊維状無機化合物と処理対象ガスを接触させて、繊維状無機化合物表面にある水酸基と反応させることにより、該気体中に含まれている微量シラノール類を繊維状無機化合物上に結合し、処理対象ガスより除去することが可能となる。
図1及び図2に、本発明の実施形態の一例の断面構成図を示す。図1及び図2において、処理対象ガスが反応捕集部1に供給され、加熱手段2によって高温状態に保持された繊維状無機化合物3と接触することで、処理対象ガス中のシラノール類が繊維状無機化合物3上に結合し除去される。
【0016】
加熱手段2は、繊維状無機化合物3の表面温度を70℃〜300℃に加熱させる。加熱温度は、反応捕集部1に供給される処理対象ガス流量(一般的に0.3〜1.0m/s)、及び、露光装置内の温度変動を考慮し、最適な温度が選択される。70℃よりも低い温度では、シラノール類を前記繊維状無機化合物表面に脱水縮合反応することが十分に行うことができず、求める気体浄化性能に到達しえない。また、300℃よりも高温で処理を行うと、処理後気体が露光装置内雰囲気温度を高めてしまう恐れがあり、好ましくない。
【0017】
本発明は、繊維状無機化合物3の表面にシラノール類を吸着(水素結合による)する第1の工程と、加熱による脱水縮合反応により化学結合する第2の工程により、シラノール類を繊維状無機化合物3の表面に化学結合させるものであり、従来の活性炭やゼオライトによる物理的吸着と全く異なるものである。活性炭やゼオライトの吸着材では、吸着材に補足されたシラノール類以外のガス成分により、シラノール類が脱離する現象が起こるが、本発明では、繊維状無機化合物3の表面に存在する水酸基(OH)が、シラノール類以外とは反応を生じないため、シラノール類以外のガス成分に影響されない。更に、脱水縮合反応は、高温であるほど反応速度が高くなり、極めて短時間に脱水縮合反応が完結して、シラノール類を補足除去することが可能となる。
【0018】
一方、露光装置は、温度に対して極めて厳重な管理を必要とする装置であり、このため、露光装置に供給する雰囲気ガスの温度は、例えば20〜25℃の範囲で±1℃に管理されている。本発明の脱水縮合反応は、高温により反応性が向上するが、雰囲気ガスの温度を、管理値に制御できる範囲に限定することは言うまでもなく、処理対象となるガス流量、シラノール類の濃度、クリーンルームの空調システムの機構と性能によって、最適な加熱温度に設定しなければならない。
加熱手段2における加熱方法としては、ヒーター加熱法、高周波誘導加熱法、赤外線加熱法、レーザー加熱法などを用いることができるが、特に、様々な形状の繊維状無機化合物3を加熱することが可能な、ヒーター加熱法が好適に用いられる。例えば、平面状あるいは波状に成型された繊維状無機化合物3をヒーターにて加熱する際には、メッシュ状のヒーターを用いることで高温状態に維持することが可能となる。即ち、前記加熱方法により、本発明の繊維状無機化合物表面温度を高温下に加熱、維持することができる。また、ヒーター加熱法と赤外線加熱法など、2種の加熱方法を組み合わせることで、加熱の効率化を図ることが可能となる。
【0019】
図3〜7に、本発明の高温下で用いる繊維状無機化合物の種々の形態を示す。
図3は、図1及び図2における繊維状無機化合物3が波型6である場合で、ヒーター7により高温に加熱される。図4は、ヒーター7に加えて赤外線源8で高温に加熱される。図5は、図1及び図2における繊維状無機化合物3が波型6である場合で、メッシュヒーター9により高温に加熱される。図6は、図5とは異なる形態のメッシュヒーター10により加熱される。図7は、リボン状メッシュヒーター11により加熱される。
【0020】
加熱手段2は、温度検出手段5により検出された温度に基づいて温度制御部4により制御される。温度検出手段としては、熱電対が好適に用いられ、検出された温度は、信号12となり有線手段及び無線手段の少なくとも一方の手段により、前記温度制御部4へ送信される。受信した温度に基づいて温度制御部4が加熱手段2を制御する方法としては、PID制御が好適に用いられる。温度検出手段5が検出する温度は、図1に示したように繊維状無機化合物の温度でもよく、図2に示したようにシラノール類を除去した処理後気体の温度でもよい。
【0021】
繊維状無機化合物3の材質は、表面に水酸基を有する親水性無機化合物が好ましく、ガラス、石英、無機酸化物(シリカ、アルミナ等)、シリコン(Si)、Cu、Al、Fe、などが挙げられるが、半導体ウエハーへの汚染を考慮すると、ガラス、石英、シリカ、アルミナ、シリコンから選ばれる1種又は2種以上の素材の複合又は混合物が好適に用いられる。前記繊維状無機化合物の繊維径は、直径0.1〜20μmが好ましい。0.1μm以下では、機械的強度が弱く形成加工するさいに問題となる。また、20μm以上では、単位体積当たりの表面積が小さくなり気体浄化性能が低下してしまう可能性がある。
【0022】
繊維状無機化合物3の形態としては、ウール状、織布状、不織布状の形態が好適に用いられ、その成型体としては、平板状、波状、ハニカム状などが好適に用いられる。前記繊維状無機化合物が多孔質繊維であれば、単位重量当たりの比表面積が非常に大きくなり(〜1000m2/g−繊維)、気体浄化性能を向上する効果が期待できる。
繊維状無機化合物3の表面水酸基を活性化する方法としては、公知の手法を用いることができ、例えば、酸水素炎を用いる火炎研磨法や、加熱された酸に浸漬する酸処理法が好適に用いられる。表面水酸基の密度は、一般的に6水酸基/nmであることが知られており、表面積を測定することにより、単位重量当たりの気体浄化性能が容易に予測可能である。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】本発明の気体浄化装置の一例を示す断面構成図。
【図2】本発明の気体浄化装置の他の例を示す断面構成図。
【図3】繊維状無機化合物と加熱手段の一例を示す部分拡大図。
【図4】繊維状無機化合物と加熱手段の他の例を示す部分拡大図。
【図5】繊維状無機化合物と加熱手段の他の例を示す部分拡大図。
【図6】繊維状無機化合物と加熱手段の他の例を示す部分拡大図。
【図7】繊維状無機化合物と加熱手段の他の例を示す部分拡大図。
【符号の説明】
【0024】
1:反応捕集部、2:加熱手段、3:繊維状無機化合物、4:温度制御部、5:温度検出手段、6:波型無機化合物、7:ヒーター、8:赤外線源、9、10:メッシュヒーター、11:リボン状メッシュヒーター、12:信号

【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体露光プロセスの露光装置へ供給するクリーンルーム内雰囲気ガスからシラノール類を捕集除去する気体浄化方法において、前記雰囲気ガスを、表面温度が70〜300℃である表面に水酸基が存在する繊維状無機化合物と接触させて、該繊維状無機化合物上に雰囲気ガス中のシラノール類を捕集除去することを特徴とする気体浄化方法。
【請求項2】
前記繊維状無機化合物が、ガラス、石英、シリカ、アルミナ又はシリコンからなる少なくとも1種類以上の素材で構成されていることを特徴とする請求項1記載の気体浄化方法。
【請求項3】
前記繊維状無機化合物は、前記シラノール類のシラノール基と該繊維状無機化合物の表面水酸基との脱水縮合反応により、シラノール類を共有結合で前記繊維状無機化合物上に化学結合することを特徴とする請求項1又は2記載の気体浄化方法。
【請求項4】
半導体露光プロセスの露光装置へ供給するクリーンルーム内雰囲気ガスからシラノール類を捕集除去する気体浄化方法において、前記雰囲気ガスと接触させる表面に水酸基が存在する繊維状無機化合物を充填した反応捕集部と、該繊維状無機化合物を加熱する加熱手段及び温度を検出する温度検出手段とを具備し、該温度検出手段からの信号に基づいて、前記加熱手段により前記繊維状無機化合物の表面温度を70〜300℃に制御する温度制御部を有することを特徴とする気体浄化装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【公開番号】特開2009−295765(P2009−295765A)
【公開日】平成21年12月17日(2009.12.17)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−147578(P2008−147578)
【出願日】平成20年6月5日(2008.6.5)
【出願人】(000000239)株式会社荏原製作所 (1,477)
【Fターム(参考)】