シールド配線回路基板
【課題】回路とシールド材とが十分に高い接続信頼性で導通したシールド配線回路基板を提供すること。
【解決手段】ベース絶縁層３上に回路４と該回路を覆うカバー絶縁層５が形成され、カバー絶縁層５に開口６が形成され、カバー絶縁層５上に異方導電性フィルム７とシールド材８がこの順に積層され、回路４のカバー絶縁層５の開口６の底部に露出する部分に端子部９が形成され、該端子部９とシールド材８が異方導電性フィルム７を介して電気的に接続されてなるシールド配線回路基板。
【解決手段】ベース絶縁層３上に回路４と該回路を覆うカバー絶縁層５が形成され、カバー絶縁層５に開口６が形成され、カバー絶縁層５上に異方導電性フィルム７とシールド材８がこの順に積層され、回路４のカバー絶縁層５の開口６の底部に露出する部分に端子部９が形成され、該端子部９とシールド材８が異方導電性フィルム７を介して電気的に接続されてなるシールド配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシールド配線回路基板に関し、詳しくは、シールド材と配線回路基板との接続信頼性が向上したシールド配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板の回路から発生する電磁波は、隣接した回路をアンテナ化する作用があるため、ノイズの発生源となり、機器内部での回路間の誤動作やクロストーク現象を生じさせるばかりでなく、外部機器に対しても影響を及ぼす。また、他の外部機器からの電磁波によって影響を受ける場合もある。このため、例えば、フレキシブル配線回路基板等において、回路から発生する電磁波を遮蔽する対策（シールド対策）が行われており、例えば、シールド材としての金属薄膜を導電性接着剤を用いて基体である配線回路基板に貼り合わせ、同時に、回路のグランド線とシールド材（金属薄膜）とを導通させたものがある（特許文献１〜３）。
【０００３】
このような回路のグランド線とシールド材（金属薄膜）とを導通させたタイプのシールド配線回路基板は、通常、配線回路基板の回路を覆うカバー絶縁層に回路のグランド線に達する開口（貫孔）を設けておき、カバー絶縁層上に導電性接着剤の層を介してシールド材を重ねて加熱、加圧を施すことで作製される。すなわち、加熱、加圧によって、シールド材（金属薄膜）が導電性接着剤を介してカバー絶縁層に接着されると同時に、導電性接着剤がカバー絶縁層に設けられた開口に流れ込んで回路のグランド線まで達し、シールド材（金属薄膜）と回路のグランド線が導通する。
【特許文献１】特開平７−１２２８８２号公報
【特許文献２】特開２００３−２９８２８５号公報
【特許文献３】特開２００６−３１９２１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近時の電気機器または電子機器の小型化および高集積化に伴って、配線回路基板においても、回路（導体パターン）の微細化や構成材料の厚み精度など、要求品質が次第に厳しくなってきており、そのために、上記のような回路のグランド線にシールド材（金属薄膜）を導通させたタイプのシールド配線回路基板では、カバー絶縁層に設ける開口の径を小さくする必要が生じ、回路とシールド材の間に十分に高い接続信頼性が得られにくくなってきている。具体的には、回路とシールド材（金属薄膜）間の導通状態が得られない（導通不良）、或いは、導通状態が得られても、環境変化によって、回路とシールド材（金属薄膜）間の抵抗上昇が顕著になり、かかる抵抗上昇により、シールド材（金属薄膜）が新たなノイズ源になるといった問題が生じている。
【０００５】
本発明は、かかる事情に鑑みなされたもので、その解決しようとする課題は、回路とシールド材とが十分に高い接続信頼性で導通したシールド配線回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、上記課題を解決するために、従来のシールド配線回路基板における回路とシールド材間の接続信頼性が低下する原因を調べたところ、カバー絶縁層の開口径が小さくなると、十分な加熱と加圧処理を行っても、カバー絶縁層の開口内に導電性接着剤中のフィラーによる安定な導通路が形成され難いことが分かった。このため、カバー絶縁層の開口内に安定な導通路を確実に形成するという観点から研究を進めた結果、カバー絶縁層の開口内に端子部を設け、該端子部とシールド材（金属薄膜）間に、絶縁性材料からなるフィルム基材中に該基材の厚み方向に貫通する複数の導通路を設けた構造の異方導電性フィルムを介在させ、接着剤層を用いる等の工夫を凝らすことによって、カバー絶縁層の開口内の回路とシールド材（金属薄膜）とが機械的にも電気的にも安定に接続し得ることを見出し、本発明を完成するに到った。
【０００７】
すなわち、本発明は、
（１）ベース絶縁層上に回路と該回路を覆うカバー絶縁層が形成され、
前記カバー絶縁層に開口が形成され、
前記開口の底部に露出する前記回路の上に端子部が形成され、
前記カバー絶縁層上に、片面にシールド材が一体的に設けられた異方導電性フィルムが、前記片面とは反対側の片面をカバー絶縁層に直面させて積層され、
前記異方導電性フィルムは、絶縁性材料からなるフィルム基材中に該基材の厚み方向に貫通する複数の導通路が設けられた構造物であり、
前記異方導電性フィルムが前記カバー絶縁層と端子部に接着し、
前記端子部と前記シールド材が前記異方導電性フィルム中の導通路を介して導通していることを特徴とする、シールド配線回路基板、
（２）カバー絶縁層と異方導電性フィルムが接着剤層を介して接着されており、異方導電性フィルム中の導通路が該接着剤層を貫通して端子部に接触している、上記（１）記載のシールド配線回路基板、
（３）シールド材が接着剤層を介して異方導電性フィルムの片面に接着されており、異方導電性フィルム中の導通路が該接着剤層を貫通してシールド材に接触している、上記（１）又は（２）記載のシールド配線回路基板、
（４）ベース絶縁層上に回路と該回路を覆うカバー絶縁層が形成され、
前記カバー絶縁層に開口が形成され、
前記開口の底部に露出する前記回路の上に端子部が形成され、
前記端子部上に前記開口と略同一面積の異方導電性フィルムが配置され、
前記異方導電性フィルム及びカバー絶縁層上にシールド材が配置され、
前記異方導電性フィルムは、絶縁性材料からなるフィルム基材中に該基材の厚み方向に貫通する複数の導通路が設けられた構造物であり、
前記シールド材が接着剤層を介して前記異方導電性フィルム及びカバー絶縁層上に接着し、
前記異方導電性フィルム中の導通路が前記接着剤層を貫通することで、前記端子部と前記シールド材が導通していることを特徴とする、シールド配線回路基板、
（５）カバー絶縁層の厚みが１０〜５０μｍであり、開口の径（Ｗ）が１００〜２０００μｍである、上記（１）〜（４）のいずれかに記載のシールド配線回路基板、
（６）異方導電性フィルムの導通路が、金属細線により形成されたものである、上記（１）〜（５）のいずれかに記載のシールド配線回路基板、及び
（７）端子部の表面がＡｕ膜またはＳｎ膜である、上記（１）〜（６）のいずれかに記載のシールド配線回路基板、に関する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、カバー絶縁層の開口径が小さくても、回路とシールド材とが高い接続信頼性で導通し、しかも、高温高湿な環境下に晒されてもかかる高い接続信頼性の導通状態が維持され得る、高い接続信頼性と、優れた耐熱性及び耐湿性とを兼ね備えたシールド配線回路基板を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明をその好適な実施形態に即して説明する。
本発明のシールド配線回路基板は、シールド材が回路のグランド線に電気的に接続するシールド材を有する配線回路基板であり、基体である「配線回路基板」は、特に限定されず、例えば、（１）フレキシブル配線回路基板、（２）回路付サスペンション板等として用いられる金属基板付フレキシブル配線回路基板、或いは（３）リジッド基板を使用したリジッド配線回路基板等の種々の形態の配線回路基板が含まれる。
【００１０】
図１は本発明の第１例のシールド配線回路基板の模式図（図（ａ）：全体の断面図、図（ｂ）：要部拡大図）であり、金属基板付フレキシブル配線回路基板にシールド材を一体化したものである。
【００１１】
かかるシールド配線回路基板１０は、金属基板２と、金属基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３上に形成される導体パターンからなる回路４と、該回路４を被覆するカバー絶縁層５とを備える。また、回路４はグランド線４ａと信号線４ｂを有し、カバー絶縁層５に形成された開口６の底部にグランド線４ａが露出している。また、片面にシールド材（金属薄膜）８が一体的に設けられた異方導電性フィルム７がカバー絶縁層５に接着されている。
【００１２】
一方、カバー絶縁層５の開口６の底部に露出する回路４のグランド線４ａには端子部（パッド）９が形成されており、前記の片面にシールド材（金属薄膜）８が積層された異方導電性フィルム７の一部がカバー絶縁層５の開口６内に埋入して端子部（パッド）９に接着し、回路４のグランド線４ａとシールド材（金属薄膜）８が端子部（パッド）９と異方導電性フィルム７の導通路７ａを介して導通している。
【００１３】
本例のシールド配線回路基板１０では、カバー絶縁層５の開口６の底部に露出する回路４に端子部（パッド）９を設け、片面にシールド材（金属薄膜）８が積層された異方導電性フィルム７をカバー絶縁層５と開口６内の端子部（パッド）９に直接接着させている。ここで、異方導電性フィルム７は、絶縁性材料からなるフィルム基材２０中に該基材の厚み方向に貫通する複数の導通路７ａが設けられた構造物であることから、導通路７ａの端部が開口６内の端子部（パッド）９まで確実に達し、グランド線４ａ上の端子部（パッド）９とシールド材８が異方導電性フィルム中の導通路７ａを介して確実に導通する。従って、シールド材８と配線回路基板（基体）１の間に十分に高い接続信頼性が得られ、シールド材８と回路４間の導通不良によって、シールド材８がノイズ源になってしまうような不具合を解消することができる。
【００１４】
本発明において、配線回路基板（基体）１におけるベース絶縁層３およびカバー絶縁層５は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、感光性樹脂が好ましく用いられ、特に好ましくは、感光性ポリイミド樹脂である。
【００１５】
また、ベース絶縁層３およびカバー絶縁層５の厚さは、配線回路基板の具体的用途等に応じて適宜設定されるが、ベース絶縁層３の厚さは、一般的には１〜５０μｍ、好ましくは５〜２５μｍである。また、カバー絶縁層５の厚さはフレキシブル性を確保しながら、回路基板を保護し、信頼性を確保する観点から、一般的には、１０〜５０μｍ程度である。
【００１６】
また、回路（導体パターン）４には、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの金属が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、回路（導体パターン）４の厚みは、通常、２〜３０μｍ、好ましくは５〜２０μｍである。また、回路（導体パターン）４の幅は、通常、信号線４ｂにおいては５〜５００μｍ程度であり、グランド線４ａにおいては５０〜５０００μｍ程度である。なお、グランド線４ａは、シールド層と接続する部分（すなわち、カバー絶縁層の開口６の直下）においてのみパターン幅を広げ、その他の部分は、信号線４ｂのパターン幅と同じにしてもよい。
【００１７】
カバー絶縁層５に形成される開口６の形状や大きさは回路（導体パターン）４のグランド線４ａの幅に応じて決定される。通常、開口６の平面形状は正方形、矩形、円形等の一般的形状であり、また、開口６の径（図１中のＷ）は、一般的には、開口６の平面形状が正方形や矩形または円形である場合、通常、その一辺または直径が１００〜２０００μｍ程度であり、好ましくは１００〜３００μｍ程度である。
【００１８】
端子部（パッド）９は、公知の導電性材料が用いられ、多くの場合、Ａｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、半田等の導電性に優れる金属材料が用いられる。また、端子部（パッド）９の表面層は、極めて良好な導電性を示すＡｕ膜またはＳｎ膜で構成するのが好ましく、Ａｕ膜が特に好ましい。なお、回路（導体パターン）４が銅からなる場合、Ａｕ薄膜との相互反応による導電性の低下を防止するために、銅導体層とＡｕ薄膜の間にニッケル薄膜等のバリア層を介在させるのが好ましい。端子部（パッド）の平面形状は、正方形、矩形、円形等の一般的形状であり、また、端子部（パッド）の大きさは、導体層の幅等に応じて適宜決定され、一般的には、端子部の平面形状が正方形や矩形または円形である場合、通常、その一辺または直径が１００〜２０００μｍ程度であり、好ましくは１００〜３００μｍ程度である。
【００１９】
端子部(パッド）９の厚みは、通常、接続信頼性及びコストの点から０．０１μｍ〜１０μｍ程度である。なお、前記のとおり、カバー絶縁層５は回路基板のフレキシブル性、保護及び信頼性等の点から前述の厚み（１０〜５０μｍ程度）が必要であり、このことから、端子部(パッド）９とカバー絶縁層５の間には、通常、１０〜５０μｍ程度の段差が生じることとなる。
【００２０】
配線回路基板（基体）１は公知の方法で製造される。なお、ベース絶縁層３やカバー絶縁層５に感光性樹脂を使用することにより、感光性ポリアミック酸樹脂溶液などの感光性樹脂溶液を塗布し、これを露光、現像、乾燥硬化することにより、容易に所望のパターンに形成することができ、有利である。また、ベース絶縁層３は、予め絶縁材料からなるフィルムをベース絶縁層３の形状に適合するように形成し、これを金属基板２の上に粘着する（必要により接着剤層を介して貼着する）方法も好適である。
【００２１】
回路（導体パターン）４は、例えば、アディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法によって、所定パターンの導体パターンを形成する。なお、回路（導体パターン）４には、必要により、無電解メッキによって、ニッケルメッキ層で被覆してもよい。
【００２２】
端子部（パッド）９の形成方法は特に限定はされないが、例えば、電解メッキ、無電解メッキなどの公知のメッキ法にて形成することができる。
【００２３】
図２（ａ）、（ｂ）は本発明で使用する異方導電性フィルム７の平面図（図（ａ））と断面図（図（ｂ））である。前述のとおり、異方導電性フィルム７は、絶縁性材料からなるフィルム基材２０中に該基材の厚み方向に貫通する複数の導通路７ａが設けられた構造物であるが、導通路７ａの断面形状は、図２（ａ）に示されるような円形の他、多角形等の他の形状であってもよい。導通路７ａの太さ（断面径）、導通路の配列ピッチ（隣接する導通路の軸線間の距離）等は、配線回路基板のカバー絶縁層５に設ける開口６の大きさを考慮して、少なくとも一本の導通路７ａが開口６内に入り込むように設定される。一般的には、導通路７ａの太さ（断面径）は１０〜１００μｍ（好ましくは１０〜５０μｍ）の範囲内から選択され、配列ピッチは３０〜２００μｍ（好ましくは３０〜１００μｍ）の範囲内から選択される。また、導通路７ａの配列パターンは、密に集合した状態であれば、特に限定はされないが、図２（ａ）に示されるような千鳥配列状の他、マトリクス状等の規則性の高い配列パターンがよい。
【００２４】
図３（ａ）、（ｂ）は本発明で使用する異方導電性フィルム７の別の態様を示しており、該異方導電性フィルムは第１の絶縁性材料からなるフィルム基材２０中に、複数の導通路７ａが、互いに絶縁された状態で、フィルム基材２０を厚み方向に貫通した状態で配置され、各導通路７ａの、フィルム基材２０の両主面（表裏面）に露出する端面を除く表面が第２の絶縁性材料２１で被覆されている。導通路７ａの配列パターンはマトリクス状である。
【００２５】
本発明において、異方導電性フィルム７は、通常、フィルム基材２０が接着性を有する。従って、フィルム基材２０を構成する絶縁性材料は、そのままの状態で接着性を示すか、あるいはそのままの状態では接着性を示さないが、加熱および／または加圧により接着可能となる絶縁性材料であり、例えば、加熱および／または加圧により融着および／または圧着する熱可塑性樹脂や、加熱により溶融、硬化して接着する熱硬化性樹脂が用いられる。具体的には、熱可塑性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。
【００２６】
接着性を有する絶縁性材料が、熱可塑性樹脂からなる場合、端子部９との接合部を再加熱して樹脂を可塑化することにより、端子部９との接着を解くことができる。よって、端子部（パッド）９と異方導電性フィルムの接着状態が好ましくない場合（基材樹脂とパッドとの接着が不完全な場合や、導通路７ａの端部とパッドとの接触が不完全な場合）、接合のやり直し（リワーク）を行うことができる。一方、熱硬化性樹脂からなる場合、高温になるほど硬化が進むので、高温での接着力が高くなり、接続信頼性が一層向上する。
【００２７】
なお、図３の形態の異方導電性フィルムの場合、第１の絶縁性材料と第２の材料を適宜選択することにより、フィルム基材が単一の材料で構成されたものに比べて、異方導電性フィルムの強度、耐熱性、誘電特性、応力緩和特性の点で優れたものとなる。よって、図３の形態の異方導電性フィルムを用いることにより、結果的に、強度的にも導通性の点からもより信頼性の高い接続を得ることが可能である。具体的には、フィルム基材２０と導通路７ａとの接着性を良好とするためには、例えば、第１の絶縁性材料としてポリエーテルイミド樹脂を、第２の材料としてポリアミド樹脂を選択する。また、異方導電性フィルムの強度を良好とするためには、例えば、第１の絶縁性材料としてポリイミド樹脂を、第２の材料としてエポキシ樹脂を選択する。また、異方導電性フィルムの耐熱性を良好とするためには、例えば、第１の絶縁性材料としてポリイミド樹脂やポリカルボジイミド樹脂を、第２の材料としてポリエステル樹脂やポリウレタン樹脂を選択する。
【００２８】
異方導電性フィルム７のフィルム基材２０には、各種の充填剤、可塑剤等あるいはゴム材料が添加されていてもよく、充填剤としては、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、可塑剤としては、例えば、ＴＣＰ（リン酸トリクレシル）、ＤＯＰ（フタル酸ジオクチル）、ゴム材料としては、例えばＮＢＳ（アクリロニトリルブタジエンゴム）、ＳＢＳ（スチレン−ブタジエン−スチレン−ブロック共重合体）等が挙げられる。
【００２９】
異方導電性フィルム７の導通路７ａの構成材料としては、公知の材料が挙げられ、例えば、銅、金、アルミニウム、ニッケル、ハンダ等の金属材料が挙げられる。また、これら金属材料とポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂等の有機材料との混合物を用いてもよい。電気特性の点で金属材料が好ましく、特に金、銅などの良導体を用いるのが好ましい。
【００３０】
図４（ａ）、（ｂ）は導通路７ａの好適な態様を示している。図４（ａ）は、導通路７ａの大部分を銅（Ｃｕ）で形成し、導通路７ａの両端部をＮｉ／Ａｕメッキで形成したものである。また、図４（ｂ）は、導通路７ａの両端部を除く大部分を銅（Ｃｕ）で形成し、導通路の両端部をＮｉ／ハンダメッキで形成したものである。図４（ａ）の形態とした場合、前記した表面をＡｕ膜とする端子部（パッド）９の好ましい形態と組み合わせることで、導通路７ａの端部とパッド９の接触がＡｕ同士の接触となり、極めて良好な導通性が得られる。一方、図４（ｂ）の形態とした場合、フィルムの主面をパッドに熱圧着または圧着して、フィルムの基材樹脂を端子部（パッド）９に接着した後、接合部を加熱するとハンダが速やかに溶融して端子部（パッド）９に融着する。よって、一旦、端子部（パッド）９に接着した基材樹脂が可塑化して接着が解かれてしまうような事態を生じることなく、導通路の端部がパッドに融着して、強固な接続を得ることができる。なお、Ｎｉ／ハンダメッキに代えて、Ｎｉ／Ｓｎメッキを形成してもよく、同様の効果を得ることができる。
【００３１】
異方導電性フィルム７は、フィルム基材２０に貫孔を開け、該貫孔内に金属材料をメッキで析出させる方法によって導通路７ａを形成したものでもよいが、金属細線によって導通路７ａを形成したものが好ましい。このような金属細線による導通路を形成した異方導電性フィルムは、金属細線に絶縁性材料からなる被覆層を形成して絶縁導線とし、該絶縁導線を芯材にロール状に巻いて、加熱および／または加圧を施すことで絶縁性材料からなる被覆層どうしが融着および／または圧着したロール状物を作成し、該ロール状物を絶縁導線の軸線と角度をなして交差する平面を断面として所定のフィルム厚さに切断する方法によって製造することができる。図３の態様の異方導電性フィルムの場合、絶縁導線として、金属細線に第２の絶縁性材料からなる被覆層と第１の絶縁性材料からなる被覆層を順次形成して絶縁導線を使用すればよい。なお、図４の態様の導通路を有する異方導電性フィルムは、メッキで導通路を形成する場合、銅、Ｎｉ、ハンダ（Ａｕ）の順に３段階のメッキを行えばよく、金属細線で導通路を形成する場合、銅細線による導通路の端部を、酸或いはアルカリによるケミカルエッチング等を用いて選択的にエッチングし、エッチングにより除去された凹部に、Ｎｉ、ハンダ（Ａｕ）の順にメッキを行う方法により得ることができる。
【００３２】
異方導電性フィルム７の厚みは、厚みが小さすぎると、導通路と回路（導体パターン）間の導電性、導通路とシールド材間の導電性等が不十分となる恐れがあり、また、大きすぎると接続抵抗が高くなり、電気的信頼性が低下するおそれがある。したがって、一般的には１０〜２００μｍ程度、好ましくは１０〜１００μｍ程度であるが、特に、開口６内の端子部９の表面とカバー絶縁層５の表面間の段差を吸収しつつ、導通路７と端子部９間に高信頼性の導通状態を確保する観点から、より好ましくは１５〜８０μｍであり、とりわけ好ましくは２０〜７０μｍである。
【００３３】
異方導電性フィルム７は、フィルム基材が圧着のみで接着するものであれば、異方導電性フィルム７の主面を被接続体に接触させて加圧するだけでよい。フィルム基材が加熱、加圧で接着するものであれば、加熱、加圧を行う。より高い接続信頼性を得るためには、加熱及び加圧を行うのが好ましい。
【００３４】
シールド材（金属薄膜）８としては、例えば、銅、クロム、ニッケル、金、銀、白金、パラジウム、チタン、タンタル、はんだ、またはこれらの合金などの薄膜を用いることができ、中でも、銅、銀が好ましい。また、シールド材（金属薄膜）８の厚みは１〜１８μｍが好ましく、２〜１２μｍがより好ましい。厚みが１μｍ未満では、電磁シールド効果が低下する傾向となり、厚みが１８μｍを超えると基板が厚くなり過ぎることから、可撓性が得られにくくなる傾向となるため、好ましくない。シールド材（金属薄膜）８は、電解メッキ、無電解メッキなどのメッキ法や、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などの真空成膜法により形成することができる。なお、シールド材（金属薄膜）８は異方導電性フィルム７をカバー絶縁層５に接着する前に、異方導電性フィルム７の片面に形成（積層）しておいても、異方導電性フィルム７をカバー絶縁層５に接着した後に、異方導電性フィルム７の片面に形成（積層）してもよい。異方導電性フィルム７をカバー絶縁層５に接着する前に、シールド材（金属薄膜）８を異方導電性フィルム７の片面に形成（積層）する態様の場合、異方導電性フィルムとシールド材を一括して打ち抜き加工できる等の点で好ましい。
【００３５】
前記図１の第１例のシールド配線回路基板１０では、カバー絶縁層５上に、例えば、片面にシールド材（金属薄膜）８が積層された異方導電性フィルム７を載置した状態で、加圧するか、又は、加圧及び加熱をすることで、図１に示されるように、異方導電性フィルム７がカバー絶縁層５に接着し、異方導電性フィルム７の一部がカバー絶縁層５の開口６の内部で回路４の一部に形成した端子部（パッド）９に接着して、シールド材が回路と電気的に導通した状態で回路基板に強固に一体化したシールド配線回路基板が得られる。
【００３６】
ここで、接着に要する加圧力は、一般的には、０．１〜１ｋｇｆ／ｍｍ２程度であり、好ましくは０．１〜０．８ｋｇｆ／ｍｍ２程度である。また、加圧及び加熱を行う場合の加熱温度は、一般的には２００〜３５０℃程度であり、好ましくは２００〜３００℃程度である。
【００３７】
なお、異方導電性フィルム７のカバー絶縁層５への接着作業は少なくとも異方導電性フィルム７の導通路７ａの端部が端子部（パッド）９に接触する状態となるように行えばよいが、導通路７ａの端部が端子部（パッド）９に融着するように加熱を行うのが、より高い接続信頼性を得る上で好ましい。
【００３８】
図５は本発明の第２例のシールド配線回路基板の模式断面図であり、図において、図１（ｂ）と同一符号は同一または相当する部分を示す。
【００３９】
本第２例のシールド配線回路基板３０では、カバー絶縁層５上に予め接着剤層１２Ａを設け、異方導電性フィルム７のカバー絶縁層５への圧着（接着）を接着剤層１２Ａを介して行っている。すなわち、カバー絶縁層５／接着剤層１２Ａ／異方導電性フィルム７の積層構造を形成後、加圧、或いは、加圧及び加熱を行うことにより、異方導電性フィルム７とカバー絶縁層５が接着剤層１２Ａを介して接着し、異方導電性フィルム７中のフィルム基材２０よりも剛性の高い導通路７ａが接着剤層１２Ａを突き破って端子部（パッド）９に接触している。よって、カバー絶縁層５と異方導電性フィルム７とが接着剤層１２Ａによって強固に接着した状態で、異方導電性フィルム７の導通路７ａが端子部（パッド）９に接触しており、異方導電性フィルム７と端子部（パッド）９間が電気的にも機械的にもより高い信頼性で接続した接続構造が得られる。
【００４０】
接着剤層１２Ａは一般的な樹脂及び金属に対して接着性を有する、高耐熱性の接着剤であれば、制限なく使用することができる。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、熱可塑性ポリイミド等が挙げられ、中でも、安価なエポキシ樹脂が好ましい。接着剤層１２Ａの厚みは、十分な接着力を得る観点から、一般的には５〜５０μｍ程度であり、好ましくは１０〜２５μｍ程度である。なお、ここでの厚みは、カバー絶縁層５上への塗布厚み、すなわち、カバー絶縁層５に異方導電性フィルム７を該接着剤層を介して圧着する前の厚みである。
【００４１】
圧着作業における加圧、或いは、加圧及び加熱の条件は、前述の第１例のシールド配線回路基板での条件と同等でよい。
【００４２】
図６は本発明の第３例のシールド配線回路基板の模式断面図であり、図において、図１（ｂ）と同一符号は同一または相当する部分を示す。
【００４３】
本第３例のシールド配線回路基板４０では、異方導電性フィルム７に接着剤層１２Ｂを介してシールド材（金属薄膜）８を接着しておき、かかる異方導電性フィルム７／接着剤層１２Ｂ／シールド材（金属薄膜）８の積層構造を形成後、加圧、或いは、加圧及び加熱を行うことで、異方導電性フィルム７とシールド材（金属薄膜）８間の接着（一体化）と導通を行ったものである。すなわち、加圧、或いは、加圧及び加熱を行うことで、異方導電性フィルム７とシールド材（金属薄膜）８とが接着剤層１２Ｂを介して接着するとともに、異方導電性フィルム７中のフィルム基材２０よりも剛性の高い導通路７ａは接着剤層１２Ｂを突き破ってシールド材（金属薄膜）８に接触するため、異方導電性フィルム７とシールド材（金属薄膜）８間が電気的にも機械的にもより高い信頼性で接続した接続構造が得られる。
【００４４】
接着剤層１２Ｂには、一般的な樹脂及び金属に対して接着性を有する、高耐熱性の接着剤であれば制限なく使用することができ、具体的には、前記接着剤層１２Ａの具体例として挙げた接着剤と同様のものが挙げられ、また、接着剤層１２Ｂの厚みも、前記接着剤層１２Ａのそれと同等でよい。また、接着剤層１２Ｂはシールド材８の片面に予め形成しておくことができる。なお、圧着作業における加圧、或いは、加圧及び加熱の条件は、前述の第１例のシールド配線回路基板での条件と同等でよい。
【００４５】
なお、本第３例では、シールド材（金属薄膜）８を接着剤層を介して異方導電性フィルム７に一体化するので、シールド材（金属薄膜）８としては、通常、金属箔が使用される。金属箔の構成金属は、前記で説明した、銅、クロム、ニッケル、金、銀、白金、パラジウム、チタン、タンタル、はんだ、またはこれらの合金等が好適である。
【００４６】
図７、８は本発明の第４例のシールド配線回路基板の要部断面の模式図であり、図７はシールド材の圧着作業前の状態図、図８はシールド材の圧着作業後の状態図である。これらの図において、図１と同一符号は同一又は相当する部分を示す。
【００４７】
かかる第４例のシールド配線回路基板５０は、カバー絶縁層５に設けた開口６と略同一面積の異方導電性フィルム７Ａを使用し、該異方導電性フィルム７Ａで開口６を塞いだ状態で、該異方導電性フィルム７Ａ及びカバー絶縁層５の上に接着剤層１２Ｃを設けて、シールド材（金属薄膜）８を該接着剤層１２Ｃを介して異方導電性フィルム７及びカバー絶縁層５に圧着したものである。
【００４８】
すなわち、シールド材（金属薄膜）８の圧着作業前の異方導電性フィルム７Ａ（図７）は、シールド材８の圧着作業によって圧縮して、図８に示されるように、フィルム基材２０よりも剛性の高い導通路７ａが接着剤層１２Ｃを突き破って貫通して、シールド材（金属薄膜）８に接触することとなり、端子部（パッド）９とシールド材（金属薄膜）８を異方導電性フィルム７Ａ中の導通路７ａを介して確実に導通させることができる。なお、シールド材８の圧着作業における加圧、或いは、加圧及び加熱の条件は、前述の第１例のシールド配線回路基板の条件と同等でよい。
【００４９】
接着剤層１２Ｃには、一般的な樹脂及び金属に対して接着性を有する、高耐熱性の接着剤であれば制限なく使用することができ、具体的には、前記接着剤層１２の具体例として挙げた接着剤と同様のものが挙げられる。
【００５０】
接着剤層１２Ｃの厚みは、十分な接着力を得る観点から、一般的には５〜５０μｍ程度であり、好ましくは１０〜２５μｍ程度である。なお、接着剤層１２Ｃはシールド材（金属薄膜）８の片面に予め形成しておくことができる。
【００５１】
カバー絶縁層５に設けた開口６と略同一面積の異方導電性フィルム７Ａを使用する本第４例のシールド配線回路基板５０においても、異方導電性フィルム７Ａは金属細線にて導通路７ａを形成したものが好ましい。
【００５２】
本態様では特に異方導電性フィルム７Ａの厚み（＝導通路７ａの長さ）及び大きさが重要であり、異方導電性フィルム７Ａの厚み（＝導通路７ａの長さ）は、好ましくは１５〜１００μｍであり、より好ましくは２０〜７０μｍである。異方導電性フィルム７Ａの厚み（＝導通路７ａの長さ）が１５μｍ未満の場合、導通路と回路間の導通性及び導通路とシールド材間の導通性が不十分となる恐れがあり、また、異方導電性フィルム７Ａの厚み（＝導通路７ａの長さ）が１００μｍを超えると、接着剤層１２Ｃとカバー絶縁層５との接着を阻害する恐れがあり、好ましくない。
【００５３】
異方導電性フィルム７Ａの大きさは、カバー絶縁層５に設ける開口６と略同一面積に設定する。ここで「開口６と略同一面積」とは、異方導電性フィルム７Ａの平面形状が開口６の形状に対して略相似形の関係にあり、同心に重ねて配置したときに、開口６の輪郭に対して異方導電性フィルム７Ａの外周(周縁）が開口６の輪郭より５０００μｍを超えない範囲で大きい関係である。「開口６の輪郭に対して異方導電性フィルム７Ａの外周(周縁）が大きい」とは、同心（中心点）から開口６の輪郭及び異方導電性フィルム７Ａの外周(周縁）に交わる直線を引いたときに、該直線上の開口６の輪郭との交点から中心点までの距離（Ｘ１）よりも異方導電性フィルム７Ａの外周(周縁）との交点から中心点までの距離(Ｘ２）が大きいことであり、「５０００μｍを超えない範囲で大きい」とは、異方導電性フィルム７Ａの外周(周縁）との交点から中心点までの距離(Ｘ２）と輪郭との交点から中心点までの距離（Ｘ１）との差（Ｘ２−Ｘ１）が５０００μｍ以下であることを意味する。異方導電性フィルムの厚みによっても異なるが、当該寸法差（Ｘ２−Ｘ１）が５０００μｍを超えて大きい場合は、接着層とカバー絶縁層との接着を阻害する傾向となり、かかる寸法差（Ｘ２−Ｘ１）が小さすぎると、開口６上に異方導電性フィルムを配置するのが困難となり、位置合せが困難になる。
【００５４】
また、本第４例のシールド配線回路基板５０においては、シールド材（金属薄膜）８の圧着作業時に異方導電性フィルム７Ａが良好な変形性を示すように、異方導電性フィルム７Ａは−３０〜３００℃での構造物全体としての弾性率が１〜２００００ＭＰａの範囲にあるものが好ましく、１０〜２０００ＭＰａの範囲にあるのものがより好ましい。
【００５５】
本第４例のシールド配線回路基板５０では、カバー絶縁層５の開口６と略同一面積にした異方導電性フィルム７Ａを設けた部分を除いてシールド材８／接着剤層１２Ｃ／カバー絶縁層５の積層構造となるので、シールド材が回路基板に対してより安定的に接着して、回路とシールド材とがより一層高い接続信頼性で導通し、また、高温高湿な環境下にさらされても、かかる良好な導通状態が維持される。
【００５６】
なお、シールド材（金属薄膜）８を接着剤層１２Ｃを用いて回路基板と一体化するので、シールド材（金属薄膜）８には、前記第３例と同様に、金属箔が使用される。金属箔の構成金属は、前記で説明した、銅、クロム、ニッケル、金、銀、白金、パラジウム、チタン、タンタル、はんだ、またはこれらの合金等が好適である。
【００５７】
本発明において、上記の第１〜第４例のシールド配線回路基板のように、配線回路基板（基体）１が金属基板付フレキシブル配線回路基板である場合、金属基板２としては、導電性の金属からなる金属箔または金属薄板であって、例えば、ステンレス、銅、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅、４２アロイなどが用いられ、ばね性および耐食性を考慮すると、ステンレスが好適である。また、金属基板２の厚さは一般に１０〜６０μｍ、好ましくは１５〜３０μｍ程度である。
【００５８】
なお、配線回路基板（基体）が、フレキシブル配線回路基板やリジッド配線回路基板である場合、それらの基材として使用されている通常のフレキシブルフィルム（基板）やリジッド基板上に、上述のベース絶縁層３、回路４、カバー絶縁層５、開口６及び端子部９を設ければよい。
【実施例】
【００５９】
以下、実施例を示して本発明を具体的に説明する。本発明は以下に記載の実施例に限定されるものではない。
実施例１
（配線回路基板（基体））
下記の材料及び寸法構成の金属基板付フレキシブル配線回路基板を用意した。
金属基板：ステンレス板（厚み：２０μｍ）
ベース絶縁層：ポリイミド（厚み：１５μｍ）
カバー絶縁層：２５μｍ厚のポリイミドフィルムに２５μｍ厚のエポキシ系接着剤層を積層した積層フィルム
開口：平面形状＝正方形、開口径（Ｗ）＝１００μｍ
回路：銅パターン（厚み＝１５μｍ、幅＝３０００μｍ）
端子部：銅導体層上にＮｉバリア層を介してＡｕ表面層を形成した積層構造（厚み＝Ｎｉ層（３μｍ）、Ａｕ層（０．６μｍ））とし、縦１００μｍ×横１００μｍの矩形形状とした。
端子部表面とカバー絶縁層表面の段差（Ｔ）：５０μｍ（端子部の断面観察を行い、測長顕微鏡で測定。）
【００６０】
（異方導電性フィルム）
先ず、外径φ３０μｍの銅線の表面にポリエーテルイミド樹脂によって厚さ約１０μｍの被覆層を形成して外径φ約５０μｍの絶縁導線を形成した。次に、巻線装置を用いて、全長（巻き幅）３００ｍｍ、断面形状３０ｍｍ×３０ｍｍの正方形の角柱状プラスチック芯材に整列巻きを行い線材を最密充填して、１層当たりの平均巻き数６０００ターン、巻き層数２５０層（＝層の厚さ約１２ｍｍ）の巻線コイルを形成した。
【００６１】
得られたロール状の巻線コイルを、約３００℃に加熱しながら、０．６ｋｇｆ／ｍｍ２で加圧し、線材が互いに一体化した巻線コイルブロックを得た。この巻線コイルブロックを、巻き付けられた線材と垂直に交わる面（プラスチック芯材の中心軸を含む平面に平行な面）を断面としてシート状にスライスし、縦：約３００ｍｍ×横１２ｍｍ、厚さ１０ｍｍの異方導電性フィルムの前段階のシートを得た。
【００６２】
次に、得られたシートをさらに薄くスライスし、外径寸法を仕上げて、縦：約４ｍｍ×横約４ｍｍ、厚さ０．０５ｍｍの異方導電性フィルムを得た。導通路（銅線）の配列ピッチは５０μｍであった。次に、導通路の両端部に、酸によるケミカルエッチングを施し、導通路のエッチングにより除去された一方の端部の凹部に、Ｎｉ、Ａｕの順にメッキを行って、２μｍのＮｉ層と、０．１μｍのＡｕ層を順次形成し、凹部を埋め込んだ。
【００６３】
（シールド配線回路基板）
異方導電性フィルムの導通路のエッチングにより除去された他方の凹部を起点にして、無電解メッキを行って、銅からなる、厚み３μｍの薄膜（シールド材）を異方導電性フィルムの片面に形成した。前述の配線回路基板のカバー絶縁層上に、かかるシールド材が積層された異方導電性フィルムをシールド材とは反対側の面を向けて載置し、この状態で、温度２５０℃、圧力約０．３ｋｇｆ／ｍｍ２で、約３０秒熱圧着することにより、シールド材が異方導電性フィルムを介して配線回路基板に接着・一体化したシールド配線回路基板を作製した。
【００６４】
実施例２
配線回路基板（基体）におけるカバー絶縁層を１２．５μｍ厚のポリイミドフィルムに１５μｍ厚のエポキシ系接着剤層を積層したものに変更し、開口径（Ｗ）を５００μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、シールド配線回路基板を作製した。
【００６５】
実施例３
配線回路基板（基体）におけるカバー絶縁層を１０μｍ厚の感光性ポリイミドフィルムに変更し、開口径（Ｗ）を２０００μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、シールド配線回路基板を作製した。
【００６６】
実施例４
配線回路基板（基体）として、実施例２で使用した配線回路基板（基体）と同じものを用意した。
シールド材として、１２．５μｍ厚のポリイミドフィルムに無電解メッキでＣｕ層（厚み：３μｍ）を形成し、その上にエポキシ系接着剤層（厚み：１５μｍ）を形成したものを用意した。
異方導電性フィルムとして、最終のメッキ工程で、導通路の両端部（凹部）にＮｉ／Ａｕ層を形成し、それ以外は実施例１で用いた異方導電性フィルムと同様にして作製した異方導電性フィルムを用意した。
配線回路基板（基体）の開口部の上に異方導電性フィルムを配置し、その上にシールド材をエポキシ系接着剤層側を配線回路基板側に向けて積層し、温度１５０℃、圧力約０．３ｋｇｆ／ｍｍ２で約３０秒熱圧着（第１作業）後、さらに温度２５０℃、圧力約０．３ｋｇｆ／ｍｍ２で約３０秒熱圧着（第２作業）を行った。すなわち、第１作業によりシールド材を配線回路基板に接着させ（このとき異方導電性フィルムの導通路が接着剤層を貫通してＣｕ層に接触が同時になされる。）、第２作業で異方導電性フィルムを端子部に接着させた。
その後、１５０℃で熱処理（アフターキュア）を行い、シールド配線回路基板を完成させた。
【００６７】
比較例１〜３
実施例１〜３のそれぞれにおいて、シールド材を積層した異方導電性フィルムの代わりに、予め片面に導電性接着剤層が形成されている市販のシールド材（タツタ システム エレクトロニクス社製、ＳＦ−ＰＣ５０００）を使用し、圧着条件を、温度１６０℃、圧力約０．３ｋｇｆ／ｍｍ２とし、その他は同様にして、シールド配線回路基板を作製した。こうして作製された実施例１に対応するものを比較例１、実施例２に対応するものを比較例２、実施例３に対応するものを比較例３とした。
【００６８】
[評価]
貼り合せ（初期）に、配線回路基板のグランドとシールド間の導通が得られたものは、実施例１〜４と比較例２、３で、比較例１は導通しなかった。
【００６９】
[環境試験]
配線回路基板にシールド材を貼り合せたサンプル（比較例１を除く）を、８５℃、８５％ＲＨに放置した。１０００時間後、抵抗変化率が１０％以下であったのは実施例１〜４で、比較例２、３は全て断線した。なお、実施例４の抵抗変化率は０．５％以下で極めて小さく、実施例１〜３の抵抗変化率（１〜２％以下）に比べてより小さかった。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の第１例のシールド配線回路基板の模式断面図（図（Ａ））と要部拡大図（図（Ｂ））である。
【図２】本発明で使用する異方導電性フィルムの一例の平面図（図（Ａ））と断面図（図（Ｂ））である。
【図３】本発明で使用する異方導電性フィルムの他の例の平面図（図（Ａ））と断面図（図（Ｂ））である。
【図４】本発明で使用する異方導電性フィルムにおける導通路の好適態様を示す図である。
【図５】本発明の第２例のシールド配線回路基板の要部の模式断面図である。
【図６】本発明の第３例のシールド配線回路基板の要部の模式断面図である。
【図７】本発明の第４例のシールド配線回路基板の要部の模式断面図（シールド材の圧着前）である。
【図８】本発明の第４例のシールド配線回路基板の要部の模式断面図（シールド材の圧着後）である。
【符号の説明】
【００７１】
１ 配線回路基板（基体）
２ 金属基板
３ ベース絶縁層
４ 回路
５ カバー絶縁層
６ 開口
７ 異方導電性フィルム
７ａ 導通路
８ シールド材（金属薄膜）
９ 端子部
１０、３０、４０、５０ シールド配線回路基板
１２、１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ 接着剤層
【技術分野】
【０００１】
本発明はシールド配線回路基板に関し、詳しくは、シールド材と配線回路基板との接続信頼性が向上したシールド配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板の回路から発生する電磁波は、隣接した回路をアンテナ化する作用があるため、ノイズの発生源となり、機器内部での回路間の誤動作やクロストーク現象を生じさせるばかりでなく、外部機器に対しても影響を及ぼす。また、他の外部機器からの電磁波によって影響を受ける場合もある。このため、例えば、フレキシブル配線回路基板等において、回路から発生する電磁波を遮蔽する対策（シールド対策）が行われており、例えば、シールド材としての金属薄膜を導電性接着剤を用いて基体である配線回路基板に貼り合わせ、同時に、回路のグランド線とシールド材（金属薄膜）とを導通させたものがある（特許文献１〜３）。
【０００３】
このような回路のグランド線とシールド材（金属薄膜）とを導通させたタイプのシールド配線回路基板は、通常、配線回路基板の回路を覆うカバー絶縁層に回路のグランド線に達する開口（貫孔）を設けておき、カバー絶縁層上に導電性接着剤の層を介してシールド材を重ねて加熱、加圧を施すことで作製される。すなわち、加熱、加圧によって、シールド材（金属薄膜）が導電性接着剤を介してカバー絶縁層に接着されると同時に、導電性接着剤がカバー絶縁層に設けられた開口に流れ込んで回路のグランド線まで達し、シールド材（金属薄膜）と回路のグランド線が導通する。
【特許文献１】特開平７−１２２８８２号公報
【特許文献２】特開２００３−２９８２８５号公報
【特許文献３】特開２００６−３１９２１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近時の電気機器または電子機器の小型化および高集積化に伴って、配線回路基板においても、回路（導体パターン）の微細化や構成材料の厚み精度など、要求品質が次第に厳しくなってきており、そのために、上記のような回路のグランド線にシールド材（金属薄膜）を導通させたタイプのシールド配線回路基板では、カバー絶縁層に設ける開口の径を小さくする必要が生じ、回路とシールド材の間に十分に高い接続信頼性が得られにくくなってきている。具体的には、回路とシールド材（金属薄膜）間の導通状態が得られない（導通不良）、或いは、導通状態が得られても、環境変化によって、回路とシールド材（金属薄膜）間の抵抗上昇が顕著になり、かかる抵抗上昇により、シールド材（金属薄膜）が新たなノイズ源になるといった問題が生じている。
【０００５】
本発明は、かかる事情に鑑みなされたもので、その解決しようとする課題は、回路とシールド材とが十分に高い接続信頼性で導通したシールド配線回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、上記課題を解決するために、従来のシールド配線回路基板における回路とシールド材間の接続信頼性が低下する原因を調べたところ、カバー絶縁層の開口径が小さくなると、十分な加熱と加圧処理を行っても、カバー絶縁層の開口内に導電性接着剤中のフィラーによる安定な導通路が形成され難いことが分かった。このため、カバー絶縁層の開口内に安定な導通路を確実に形成するという観点から研究を進めた結果、カバー絶縁層の開口内に端子部を設け、該端子部とシールド材（金属薄膜）間に、絶縁性材料からなるフィルム基材中に該基材の厚み方向に貫通する複数の導通路を設けた構造の異方導電性フィルムを介在させ、接着剤層を用いる等の工夫を凝らすことによって、カバー絶縁層の開口内の回路とシールド材（金属薄膜）とが機械的にも電気的にも安定に接続し得ることを見出し、本発明を完成するに到った。
【０００７】
すなわち、本発明は、
（１）ベース絶縁層上に回路と該回路を覆うカバー絶縁層が形成され、
前記カバー絶縁層に開口が形成され、
前記開口の底部に露出する前記回路の上に端子部が形成され、
前記カバー絶縁層上に、片面にシールド材が一体的に設けられた異方導電性フィルムが、前記片面とは反対側の片面をカバー絶縁層に直面させて積層され、
前記異方導電性フィルムは、絶縁性材料からなるフィルム基材中に該基材の厚み方向に貫通する複数の導通路が設けられた構造物であり、
前記異方導電性フィルムが前記カバー絶縁層と端子部に接着し、
前記端子部と前記シールド材が前記異方導電性フィルム中の導通路を介して導通していることを特徴とする、シールド配線回路基板、
（２）カバー絶縁層と異方導電性フィルムが接着剤層を介して接着されており、異方導電性フィルム中の導通路が該接着剤層を貫通して端子部に接触している、上記（１）記載のシールド配線回路基板、
（３）シールド材が接着剤層を介して異方導電性フィルムの片面に接着されており、異方導電性フィルム中の導通路が該接着剤層を貫通してシールド材に接触している、上記（１）又は（２）記載のシールド配線回路基板、
（４）ベース絶縁層上に回路と該回路を覆うカバー絶縁層が形成され、
前記カバー絶縁層に開口が形成され、
前記開口の底部に露出する前記回路の上に端子部が形成され、
前記端子部上に前記開口と略同一面積の異方導電性フィルムが配置され、
前記異方導電性フィルム及びカバー絶縁層上にシールド材が配置され、
前記異方導電性フィルムは、絶縁性材料からなるフィルム基材中に該基材の厚み方向に貫通する複数の導通路が設けられた構造物であり、
前記シールド材が接着剤層を介して前記異方導電性フィルム及びカバー絶縁層上に接着し、
前記異方導電性フィルム中の導通路が前記接着剤層を貫通することで、前記端子部と前記シールド材が導通していることを特徴とする、シールド配線回路基板、
（５）カバー絶縁層の厚みが１０〜５０μｍであり、開口の径（Ｗ）が１００〜２０００μｍである、上記（１）〜（４）のいずれかに記載のシールド配線回路基板、
（６）異方導電性フィルムの導通路が、金属細線により形成されたものである、上記（１）〜（５）のいずれかに記載のシールド配線回路基板、及び
（７）端子部の表面がＡｕ膜またはＳｎ膜である、上記（１）〜（６）のいずれかに記載のシールド配線回路基板、に関する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、カバー絶縁層の開口径が小さくても、回路とシールド材とが高い接続信頼性で導通し、しかも、高温高湿な環境下に晒されてもかかる高い接続信頼性の導通状態が維持され得る、高い接続信頼性と、優れた耐熱性及び耐湿性とを兼ね備えたシールド配線回路基板を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明をその好適な実施形態に即して説明する。
本発明のシールド配線回路基板は、シールド材が回路のグランド線に電気的に接続するシールド材を有する配線回路基板であり、基体である「配線回路基板」は、特に限定されず、例えば、（１）フレキシブル配線回路基板、（２）回路付サスペンション板等として用いられる金属基板付フレキシブル配線回路基板、或いは（３）リジッド基板を使用したリジッド配線回路基板等の種々の形態の配線回路基板が含まれる。
【００１０】
図１は本発明の第１例のシールド配線回路基板の模式図（図（ａ）：全体の断面図、図（ｂ）：要部拡大図）であり、金属基板付フレキシブル配線回路基板にシールド材を一体化したものである。
【００１１】
かかるシールド配線回路基板１０は、金属基板２と、金属基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３上に形成される導体パターンからなる回路４と、該回路４を被覆するカバー絶縁層５とを備える。また、回路４はグランド線４ａと信号線４ｂを有し、カバー絶縁層５に形成された開口６の底部にグランド線４ａが露出している。また、片面にシールド材（金属薄膜）８が一体的に設けられた異方導電性フィルム７がカバー絶縁層５に接着されている。
【００１２】
一方、カバー絶縁層５の開口６の底部に露出する回路４のグランド線４ａには端子部（パッド）９が形成されており、前記の片面にシールド材（金属薄膜）８が積層された異方導電性フィルム７の一部がカバー絶縁層５の開口６内に埋入して端子部（パッド）９に接着し、回路４のグランド線４ａとシールド材（金属薄膜）８が端子部（パッド）９と異方導電性フィルム７の導通路７ａを介して導通している。
【００１３】
本例のシールド配線回路基板１０では、カバー絶縁層５の開口６の底部に露出する回路４に端子部（パッド）９を設け、片面にシールド材（金属薄膜）８が積層された異方導電性フィルム７をカバー絶縁層５と開口６内の端子部（パッド）９に直接接着させている。ここで、異方導電性フィルム７は、絶縁性材料からなるフィルム基材２０中に該基材の厚み方向に貫通する複数の導通路７ａが設けられた構造物であることから、導通路７ａの端部が開口６内の端子部（パッド）９まで確実に達し、グランド線４ａ上の端子部（パッド）９とシールド材８が異方導電性フィルム中の導通路７ａを介して確実に導通する。従って、シールド材８と配線回路基板（基体）１の間に十分に高い接続信頼性が得られ、シールド材８と回路４間の導通不良によって、シールド材８がノイズ源になってしまうような不具合を解消することができる。
【００１４】
本発明において、配線回路基板（基体）１におけるベース絶縁層３およびカバー絶縁層５は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、感光性樹脂が好ましく用いられ、特に好ましくは、感光性ポリイミド樹脂である。
【００１５】
また、ベース絶縁層３およびカバー絶縁層５の厚さは、配線回路基板の具体的用途等に応じて適宜設定されるが、ベース絶縁層３の厚さは、一般的には１〜５０μｍ、好ましくは５〜２５μｍである。また、カバー絶縁層５の厚さはフレキシブル性を確保しながら、回路基板を保護し、信頼性を確保する観点から、一般的には、１０〜５０μｍ程度である。
【００１６】
また、回路（導体パターン）４には、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの金属が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、回路（導体パターン）４の厚みは、通常、２〜３０μｍ、好ましくは５〜２０μｍである。また、回路（導体パターン）４の幅は、通常、信号線４ｂにおいては５〜５００μｍ程度であり、グランド線４ａにおいては５０〜５０００μｍ程度である。なお、グランド線４ａは、シールド層と接続する部分（すなわち、カバー絶縁層の開口６の直下）においてのみパターン幅を広げ、その他の部分は、信号線４ｂのパターン幅と同じにしてもよい。
【００１７】
カバー絶縁層５に形成される開口６の形状や大きさは回路（導体パターン）４のグランド線４ａの幅に応じて決定される。通常、開口６の平面形状は正方形、矩形、円形等の一般的形状であり、また、開口６の径（図１中のＷ）は、一般的には、開口６の平面形状が正方形や矩形または円形である場合、通常、その一辺または直径が１００〜２０００μｍ程度であり、好ましくは１００〜３００μｍ程度である。
【００１８】
端子部（パッド）９は、公知の導電性材料が用いられ、多くの場合、Ａｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、半田等の導電性に優れる金属材料が用いられる。また、端子部（パッド）９の表面層は、極めて良好な導電性を示すＡｕ膜またはＳｎ膜で構成するのが好ましく、Ａｕ膜が特に好ましい。なお、回路（導体パターン）４が銅からなる場合、Ａｕ薄膜との相互反応による導電性の低下を防止するために、銅導体層とＡｕ薄膜の間にニッケル薄膜等のバリア層を介在させるのが好ましい。端子部（パッド）の平面形状は、正方形、矩形、円形等の一般的形状であり、また、端子部（パッド）の大きさは、導体層の幅等に応じて適宜決定され、一般的には、端子部の平面形状が正方形や矩形または円形である場合、通常、その一辺または直径が１００〜２０００μｍ程度であり、好ましくは１００〜３００μｍ程度である。
【００１９】
端子部(パッド）９の厚みは、通常、接続信頼性及びコストの点から０．０１μｍ〜１０μｍ程度である。なお、前記のとおり、カバー絶縁層５は回路基板のフレキシブル性、保護及び信頼性等の点から前述の厚み（１０〜５０μｍ程度）が必要であり、このことから、端子部(パッド）９とカバー絶縁層５の間には、通常、１０〜５０μｍ程度の段差が生じることとなる。
【００２０】
配線回路基板（基体）１は公知の方法で製造される。なお、ベース絶縁層３やカバー絶縁層５に感光性樹脂を使用することにより、感光性ポリアミック酸樹脂溶液などの感光性樹脂溶液を塗布し、これを露光、現像、乾燥硬化することにより、容易に所望のパターンに形成することができ、有利である。また、ベース絶縁層３は、予め絶縁材料からなるフィルムをベース絶縁層３の形状に適合するように形成し、これを金属基板２の上に粘着する（必要により接着剤層を介して貼着する）方法も好適である。
【００２１】
回路（導体パターン）４は、例えば、アディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法によって、所定パターンの導体パターンを形成する。なお、回路（導体パターン）４には、必要により、無電解メッキによって、ニッケルメッキ層で被覆してもよい。
【００２２】
端子部（パッド）９の形成方法は特に限定はされないが、例えば、電解メッキ、無電解メッキなどの公知のメッキ法にて形成することができる。
【００２３】
図２（ａ）、（ｂ）は本発明で使用する異方導電性フィルム７の平面図（図（ａ））と断面図（図（ｂ））である。前述のとおり、異方導電性フィルム７は、絶縁性材料からなるフィルム基材２０中に該基材の厚み方向に貫通する複数の導通路７ａが設けられた構造物であるが、導通路７ａの断面形状は、図２（ａ）に示されるような円形の他、多角形等の他の形状であってもよい。導通路７ａの太さ（断面径）、導通路の配列ピッチ（隣接する導通路の軸線間の距離）等は、配線回路基板のカバー絶縁層５に設ける開口６の大きさを考慮して、少なくとも一本の導通路７ａが開口６内に入り込むように設定される。一般的には、導通路７ａの太さ（断面径）は１０〜１００μｍ（好ましくは１０〜５０μｍ）の範囲内から選択され、配列ピッチは３０〜２００μｍ（好ましくは３０〜１００μｍ）の範囲内から選択される。また、導通路７ａの配列パターンは、密に集合した状態であれば、特に限定はされないが、図２（ａ）に示されるような千鳥配列状の他、マトリクス状等の規則性の高い配列パターンがよい。
【００２４】
図３（ａ）、（ｂ）は本発明で使用する異方導電性フィルム７の別の態様を示しており、該異方導電性フィルムは第１の絶縁性材料からなるフィルム基材２０中に、複数の導通路７ａが、互いに絶縁された状態で、フィルム基材２０を厚み方向に貫通した状態で配置され、各導通路７ａの、フィルム基材２０の両主面（表裏面）に露出する端面を除く表面が第２の絶縁性材料２１で被覆されている。導通路７ａの配列パターンはマトリクス状である。
【００２５】
本発明において、異方導電性フィルム７は、通常、フィルム基材２０が接着性を有する。従って、フィルム基材２０を構成する絶縁性材料は、そのままの状態で接着性を示すか、あるいはそのままの状態では接着性を示さないが、加熱および／または加圧により接着可能となる絶縁性材料であり、例えば、加熱および／または加圧により融着および／または圧着する熱可塑性樹脂や、加熱により溶融、硬化して接着する熱硬化性樹脂が用いられる。具体的には、熱可塑性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。
【００２６】
接着性を有する絶縁性材料が、熱可塑性樹脂からなる場合、端子部９との接合部を再加熱して樹脂を可塑化することにより、端子部９との接着を解くことができる。よって、端子部（パッド）９と異方導電性フィルムの接着状態が好ましくない場合（基材樹脂とパッドとの接着が不完全な場合や、導通路７ａの端部とパッドとの接触が不完全な場合）、接合のやり直し（リワーク）を行うことができる。一方、熱硬化性樹脂からなる場合、高温になるほど硬化が進むので、高温での接着力が高くなり、接続信頼性が一層向上する。
【００２７】
なお、図３の形態の異方導電性フィルムの場合、第１の絶縁性材料と第２の材料を適宜選択することにより、フィルム基材が単一の材料で構成されたものに比べて、異方導電性フィルムの強度、耐熱性、誘電特性、応力緩和特性の点で優れたものとなる。よって、図３の形態の異方導電性フィルムを用いることにより、結果的に、強度的にも導通性の点からもより信頼性の高い接続を得ることが可能である。具体的には、フィルム基材２０と導通路７ａとの接着性を良好とするためには、例えば、第１の絶縁性材料としてポリエーテルイミド樹脂を、第２の材料としてポリアミド樹脂を選択する。また、異方導電性フィルムの強度を良好とするためには、例えば、第１の絶縁性材料としてポリイミド樹脂を、第２の材料としてエポキシ樹脂を選択する。また、異方導電性フィルムの耐熱性を良好とするためには、例えば、第１の絶縁性材料としてポリイミド樹脂やポリカルボジイミド樹脂を、第２の材料としてポリエステル樹脂やポリウレタン樹脂を選択する。
【００２８】
異方導電性フィルム７のフィルム基材２０には、各種の充填剤、可塑剤等あるいはゴム材料が添加されていてもよく、充填剤としては、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、可塑剤としては、例えば、ＴＣＰ（リン酸トリクレシル）、ＤＯＰ（フタル酸ジオクチル）、ゴム材料としては、例えばＮＢＳ（アクリロニトリルブタジエンゴム）、ＳＢＳ（スチレン−ブタジエン−スチレン−ブロック共重合体）等が挙げられる。
【００２９】
異方導電性フィルム７の導通路７ａの構成材料としては、公知の材料が挙げられ、例えば、銅、金、アルミニウム、ニッケル、ハンダ等の金属材料が挙げられる。また、これら金属材料とポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂等の有機材料との混合物を用いてもよい。電気特性の点で金属材料が好ましく、特に金、銅などの良導体を用いるのが好ましい。
【００３０】
図４（ａ）、（ｂ）は導通路７ａの好適な態様を示している。図４（ａ）は、導通路７ａの大部分を銅（Ｃｕ）で形成し、導通路７ａの両端部をＮｉ／Ａｕメッキで形成したものである。また、図４（ｂ）は、導通路７ａの両端部を除く大部分を銅（Ｃｕ）で形成し、導通路の両端部をＮｉ／ハンダメッキで形成したものである。図４（ａ）の形態とした場合、前記した表面をＡｕ膜とする端子部（パッド）９の好ましい形態と組み合わせることで、導通路７ａの端部とパッド９の接触がＡｕ同士の接触となり、極めて良好な導通性が得られる。一方、図４（ｂ）の形態とした場合、フィルムの主面をパッドに熱圧着または圧着して、フィルムの基材樹脂を端子部（パッド）９に接着した後、接合部を加熱するとハンダが速やかに溶融して端子部（パッド）９に融着する。よって、一旦、端子部（パッド）９に接着した基材樹脂が可塑化して接着が解かれてしまうような事態を生じることなく、導通路の端部がパッドに融着して、強固な接続を得ることができる。なお、Ｎｉ／ハンダメッキに代えて、Ｎｉ／Ｓｎメッキを形成してもよく、同様の効果を得ることができる。
【００３１】
異方導電性フィルム７は、フィルム基材２０に貫孔を開け、該貫孔内に金属材料をメッキで析出させる方法によって導通路７ａを形成したものでもよいが、金属細線によって導通路７ａを形成したものが好ましい。このような金属細線による導通路を形成した異方導電性フィルムは、金属細線に絶縁性材料からなる被覆層を形成して絶縁導線とし、該絶縁導線を芯材にロール状に巻いて、加熱および／または加圧を施すことで絶縁性材料からなる被覆層どうしが融着および／または圧着したロール状物を作成し、該ロール状物を絶縁導線の軸線と角度をなして交差する平面を断面として所定のフィルム厚さに切断する方法によって製造することができる。図３の態様の異方導電性フィルムの場合、絶縁導線として、金属細線に第２の絶縁性材料からなる被覆層と第１の絶縁性材料からなる被覆層を順次形成して絶縁導線を使用すればよい。なお、図４の態様の導通路を有する異方導電性フィルムは、メッキで導通路を形成する場合、銅、Ｎｉ、ハンダ（Ａｕ）の順に３段階のメッキを行えばよく、金属細線で導通路を形成する場合、銅細線による導通路の端部を、酸或いはアルカリによるケミカルエッチング等を用いて選択的にエッチングし、エッチングにより除去された凹部に、Ｎｉ、ハンダ（Ａｕ）の順にメッキを行う方法により得ることができる。
【００３２】
異方導電性フィルム７の厚みは、厚みが小さすぎると、導通路と回路（導体パターン）間の導電性、導通路とシールド材間の導電性等が不十分となる恐れがあり、また、大きすぎると接続抵抗が高くなり、電気的信頼性が低下するおそれがある。したがって、一般的には１０〜２００μｍ程度、好ましくは１０〜１００μｍ程度であるが、特に、開口６内の端子部９の表面とカバー絶縁層５の表面間の段差を吸収しつつ、導通路７と端子部９間に高信頼性の導通状態を確保する観点から、より好ましくは１５〜８０μｍであり、とりわけ好ましくは２０〜７０μｍである。
【００３３】
異方導電性フィルム７は、フィルム基材が圧着のみで接着するものであれば、異方導電性フィルム７の主面を被接続体に接触させて加圧するだけでよい。フィルム基材が加熱、加圧で接着するものであれば、加熱、加圧を行う。より高い接続信頼性を得るためには、加熱及び加圧を行うのが好ましい。
【００３４】
シールド材（金属薄膜）８としては、例えば、銅、クロム、ニッケル、金、銀、白金、パラジウム、チタン、タンタル、はんだ、またはこれらの合金などの薄膜を用いることができ、中でも、銅、銀が好ましい。また、シールド材（金属薄膜）８の厚みは１〜１８μｍが好ましく、２〜１２μｍがより好ましい。厚みが１μｍ未満では、電磁シールド効果が低下する傾向となり、厚みが１８μｍを超えると基板が厚くなり過ぎることから、可撓性が得られにくくなる傾向となるため、好ましくない。シールド材（金属薄膜）８は、電解メッキ、無電解メッキなどのメッキ法や、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などの真空成膜法により形成することができる。なお、シールド材（金属薄膜）８は異方導電性フィルム７をカバー絶縁層５に接着する前に、異方導電性フィルム７の片面に形成（積層）しておいても、異方導電性フィルム７をカバー絶縁層５に接着した後に、異方導電性フィルム７の片面に形成（積層）してもよい。異方導電性フィルム７をカバー絶縁層５に接着する前に、シールド材（金属薄膜）８を異方導電性フィルム７の片面に形成（積層）する態様の場合、異方導電性フィルムとシールド材を一括して打ち抜き加工できる等の点で好ましい。
【００３５】
前記図１の第１例のシールド配線回路基板１０では、カバー絶縁層５上に、例えば、片面にシールド材（金属薄膜）８が積層された異方導電性フィルム７を載置した状態で、加圧するか、又は、加圧及び加熱をすることで、図１に示されるように、異方導電性フィルム７がカバー絶縁層５に接着し、異方導電性フィルム７の一部がカバー絶縁層５の開口６の内部で回路４の一部に形成した端子部（パッド）９に接着して、シールド材が回路と電気的に導通した状態で回路基板に強固に一体化したシールド配線回路基板が得られる。
【００３６】
ここで、接着に要する加圧力は、一般的には、０．１〜１ｋｇｆ／ｍｍ２程度であり、好ましくは０．１〜０．８ｋｇｆ／ｍｍ２程度である。また、加圧及び加熱を行う場合の加熱温度は、一般的には２００〜３５０℃程度であり、好ましくは２００〜３００℃程度である。
【００３７】
なお、異方導電性フィルム７のカバー絶縁層５への接着作業は少なくとも異方導電性フィルム７の導通路７ａの端部が端子部（パッド）９に接触する状態となるように行えばよいが、導通路７ａの端部が端子部（パッド）９に融着するように加熱を行うのが、より高い接続信頼性を得る上で好ましい。
【００３８】
図５は本発明の第２例のシールド配線回路基板の模式断面図であり、図において、図１（ｂ）と同一符号は同一または相当する部分を示す。
【００３９】
本第２例のシールド配線回路基板３０では、カバー絶縁層５上に予め接着剤層１２Ａを設け、異方導電性フィルム７のカバー絶縁層５への圧着（接着）を接着剤層１２Ａを介して行っている。すなわち、カバー絶縁層５／接着剤層１２Ａ／異方導電性フィルム７の積層構造を形成後、加圧、或いは、加圧及び加熱を行うことにより、異方導電性フィルム７とカバー絶縁層５が接着剤層１２Ａを介して接着し、異方導電性フィルム７中のフィルム基材２０よりも剛性の高い導通路７ａが接着剤層１２Ａを突き破って端子部（パッド）９に接触している。よって、カバー絶縁層５と異方導電性フィルム７とが接着剤層１２Ａによって強固に接着した状態で、異方導電性フィルム７の導通路７ａが端子部（パッド）９に接触しており、異方導電性フィルム７と端子部（パッド）９間が電気的にも機械的にもより高い信頼性で接続した接続構造が得られる。
【００４０】
接着剤層１２Ａは一般的な樹脂及び金属に対して接着性を有する、高耐熱性の接着剤であれば、制限なく使用することができる。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、熱可塑性ポリイミド等が挙げられ、中でも、安価なエポキシ樹脂が好ましい。接着剤層１２Ａの厚みは、十分な接着力を得る観点から、一般的には５〜５０μｍ程度であり、好ましくは１０〜２５μｍ程度である。なお、ここでの厚みは、カバー絶縁層５上への塗布厚み、すなわち、カバー絶縁層５に異方導電性フィルム７を該接着剤層を介して圧着する前の厚みである。
【００４１】
圧着作業における加圧、或いは、加圧及び加熱の条件は、前述の第１例のシールド配線回路基板での条件と同等でよい。
【００４２】
図６は本発明の第３例のシールド配線回路基板の模式断面図であり、図において、図１（ｂ）と同一符号は同一または相当する部分を示す。
【００４３】
本第３例のシールド配線回路基板４０では、異方導電性フィルム７に接着剤層１２Ｂを介してシールド材（金属薄膜）８を接着しておき、かかる異方導電性フィルム７／接着剤層１２Ｂ／シールド材（金属薄膜）８の積層構造を形成後、加圧、或いは、加圧及び加熱を行うことで、異方導電性フィルム７とシールド材（金属薄膜）８間の接着（一体化）と導通を行ったものである。すなわち、加圧、或いは、加圧及び加熱を行うことで、異方導電性フィルム７とシールド材（金属薄膜）８とが接着剤層１２Ｂを介して接着するとともに、異方導電性フィルム７中のフィルム基材２０よりも剛性の高い導通路７ａは接着剤層１２Ｂを突き破ってシールド材（金属薄膜）８に接触するため、異方導電性フィルム７とシールド材（金属薄膜）８間が電気的にも機械的にもより高い信頼性で接続した接続構造が得られる。
【００４４】
接着剤層１２Ｂには、一般的な樹脂及び金属に対して接着性を有する、高耐熱性の接着剤であれば制限なく使用することができ、具体的には、前記接着剤層１２Ａの具体例として挙げた接着剤と同様のものが挙げられ、また、接着剤層１２Ｂの厚みも、前記接着剤層１２Ａのそれと同等でよい。また、接着剤層１２Ｂはシールド材８の片面に予め形成しておくことができる。なお、圧着作業における加圧、或いは、加圧及び加熱の条件は、前述の第１例のシールド配線回路基板での条件と同等でよい。
【００４５】
なお、本第３例では、シールド材（金属薄膜）８を接着剤層を介して異方導電性フィルム７に一体化するので、シールド材（金属薄膜）８としては、通常、金属箔が使用される。金属箔の構成金属は、前記で説明した、銅、クロム、ニッケル、金、銀、白金、パラジウム、チタン、タンタル、はんだ、またはこれらの合金等が好適である。
【００４６】
図７、８は本発明の第４例のシールド配線回路基板の要部断面の模式図であり、図７はシールド材の圧着作業前の状態図、図８はシールド材の圧着作業後の状態図である。これらの図において、図１と同一符号は同一又は相当する部分を示す。
【００４７】
かかる第４例のシールド配線回路基板５０は、カバー絶縁層５に設けた開口６と略同一面積の異方導電性フィルム７Ａを使用し、該異方導電性フィルム７Ａで開口６を塞いだ状態で、該異方導電性フィルム７Ａ及びカバー絶縁層５の上に接着剤層１２Ｃを設けて、シールド材（金属薄膜）８を該接着剤層１２Ｃを介して異方導電性フィルム７及びカバー絶縁層５に圧着したものである。
【００４８】
すなわち、シールド材（金属薄膜）８の圧着作業前の異方導電性フィルム７Ａ（図７）は、シールド材８の圧着作業によって圧縮して、図８に示されるように、フィルム基材２０よりも剛性の高い導通路７ａが接着剤層１２Ｃを突き破って貫通して、シールド材（金属薄膜）８に接触することとなり、端子部（パッド）９とシールド材（金属薄膜）８を異方導電性フィルム７Ａ中の導通路７ａを介して確実に導通させることができる。なお、シールド材８の圧着作業における加圧、或いは、加圧及び加熱の条件は、前述の第１例のシールド配線回路基板の条件と同等でよい。
【００４９】
接着剤層１２Ｃには、一般的な樹脂及び金属に対して接着性を有する、高耐熱性の接着剤であれば制限なく使用することができ、具体的には、前記接着剤層１２の具体例として挙げた接着剤と同様のものが挙げられる。
【００５０】
接着剤層１２Ｃの厚みは、十分な接着力を得る観点から、一般的には５〜５０μｍ程度であり、好ましくは１０〜２５μｍ程度である。なお、接着剤層１２Ｃはシールド材（金属薄膜）８の片面に予め形成しておくことができる。
【００５１】
カバー絶縁層５に設けた開口６と略同一面積の異方導電性フィルム７Ａを使用する本第４例のシールド配線回路基板５０においても、異方導電性フィルム７Ａは金属細線にて導通路７ａを形成したものが好ましい。
【００５２】
本態様では特に異方導電性フィルム７Ａの厚み（＝導通路７ａの長さ）及び大きさが重要であり、異方導電性フィルム７Ａの厚み（＝導通路７ａの長さ）は、好ましくは１５〜１００μｍであり、より好ましくは２０〜７０μｍである。異方導電性フィルム７Ａの厚み（＝導通路７ａの長さ）が１５μｍ未満の場合、導通路と回路間の導通性及び導通路とシールド材間の導通性が不十分となる恐れがあり、また、異方導電性フィルム７Ａの厚み（＝導通路７ａの長さ）が１００μｍを超えると、接着剤層１２Ｃとカバー絶縁層５との接着を阻害する恐れがあり、好ましくない。
【００５３】
異方導電性フィルム７Ａの大きさは、カバー絶縁層５に設ける開口６と略同一面積に設定する。ここで「開口６と略同一面積」とは、異方導電性フィルム７Ａの平面形状が開口６の形状に対して略相似形の関係にあり、同心に重ねて配置したときに、開口６の輪郭に対して異方導電性フィルム７Ａの外周(周縁）が開口６の輪郭より５０００μｍを超えない範囲で大きい関係である。「開口６の輪郭に対して異方導電性フィルム７Ａの外周(周縁）が大きい」とは、同心（中心点）から開口６の輪郭及び異方導電性フィルム７Ａの外周(周縁）に交わる直線を引いたときに、該直線上の開口６の輪郭との交点から中心点までの距離（Ｘ１）よりも異方導電性フィルム７Ａの外周(周縁）との交点から中心点までの距離(Ｘ２）が大きいことであり、「５０００μｍを超えない範囲で大きい」とは、異方導電性フィルム７Ａの外周(周縁）との交点から中心点までの距離(Ｘ２）と輪郭との交点から中心点までの距離（Ｘ１）との差（Ｘ２−Ｘ１）が５０００μｍ以下であることを意味する。異方導電性フィルムの厚みによっても異なるが、当該寸法差（Ｘ２−Ｘ１）が５０００μｍを超えて大きい場合は、接着層とカバー絶縁層との接着を阻害する傾向となり、かかる寸法差（Ｘ２−Ｘ１）が小さすぎると、開口６上に異方導電性フィルムを配置するのが困難となり、位置合せが困難になる。
【００５４】
また、本第４例のシールド配線回路基板５０においては、シールド材（金属薄膜）８の圧着作業時に異方導電性フィルム７Ａが良好な変形性を示すように、異方導電性フィルム７Ａは−３０〜３００℃での構造物全体としての弾性率が１〜２００００ＭＰａの範囲にあるものが好ましく、１０〜２０００ＭＰａの範囲にあるのものがより好ましい。
【００５５】
本第４例のシールド配線回路基板５０では、カバー絶縁層５の開口６と略同一面積にした異方導電性フィルム７Ａを設けた部分を除いてシールド材８／接着剤層１２Ｃ／カバー絶縁層５の積層構造となるので、シールド材が回路基板に対してより安定的に接着して、回路とシールド材とがより一層高い接続信頼性で導通し、また、高温高湿な環境下にさらされても、かかる良好な導通状態が維持される。
【００５６】
なお、シールド材（金属薄膜）８を接着剤層１２Ｃを用いて回路基板と一体化するので、シールド材（金属薄膜）８には、前記第３例と同様に、金属箔が使用される。金属箔の構成金属は、前記で説明した、銅、クロム、ニッケル、金、銀、白金、パラジウム、チタン、タンタル、はんだ、またはこれらの合金等が好適である。
【００５７】
本発明において、上記の第１〜第４例のシールド配線回路基板のように、配線回路基板（基体）１が金属基板付フレキシブル配線回路基板である場合、金属基板２としては、導電性の金属からなる金属箔または金属薄板であって、例えば、ステンレス、銅、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅、４２アロイなどが用いられ、ばね性および耐食性を考慮すると、ステンレスが好適である。また、金属基板２の厚さは一般に１０〜６０μｍ、好ましくは１５〜３０μｍ程度である。
【００５８】
なお、配線回路基板（基体）が、フレキシブル配線回路基板やリジッド配線回路基板である場合、それらの基材として使用されている通常のフレキシブルフィルム（基板）やリジッド基板上に、上述のベース絶縁層３、回路４、カバー絶縁層５、開口６及び端子部９を設ければよい。
【実施例】
【００５９】
以下、実施例を示して本発明を具体的に説明する。本発明は以下に記載の実施例に限定されるものではない。
実施例１
（配線回路基板（基体））
下記の材料及び寸法構成の金属基板付フレキシブル配線回路基板を用意した。
金属基板：ステンレス板（厚み：２０μｍ）
ベース絶縁層：ポリイミド（厚み：１５μｍ）
カバー絶縁層：２５μｍ厚のポリイミドフィルムに２５μｍ厚のエポキシ系接着剤層を積層した積層フィルム
開口：平面形状＝正方形、開口径（Ｗ）＝１００μｍ
回路：銅パターン（厚み＝１５μｍ、幅＝３０００μｍ）
端子部：銅導体層上にＮｉバリア層を介してＡｕ表面層を形成した積層構造（厚み＝Ｎｉ層（３μｍ）、Ａｕ層（０．６μｍ））とし、縦１００μｍ×横１００μｍの矩形形状とした。
端子部表面とカバー絶縁層表面の段差（Ｔ）：５０μｍ（端子部の断面観察を行い、測長顕微鏡で測定。）
【００６０】
（異方導電性フィルム）
先ず、外径φ３０μｍの銅線の表面にポリエーテルイミド樹脂によって厚さ約１０μｍの被覆層を形成して外径φ約５０μｍの絶縁導線を形成した。次に、巻線装置を用いて、全長（巻き幅）３００ｍｍ、断面形状３０ｍｍ×３０ｍｍの正方形の角柱状プラスチック芯材に整列巻きを行い線材を最密充填して、１層当たりの平均巻き数６０００ターン、巻き層数２５０層（＝層の厚さ約１２ｍｍ）の巻線コイルを形成した。
【００６１】
得られたロール状の巻線コイルを、約３００℃に加熱しながら、０．６ｋｇｆ／ｍｍ２で加圧し、線材が互いに一体化した巻線コイルブロックを得た。この巻線コイルブロックを、巻き付けられた線材と垂直に交わる面（プラスチック芯材の中心軸を含む平面に平行な面）を断面としてシート状にスライスし、縦：約３００ｍｍ×横１２ｍｍ、厚さ１０ｍｍの異方導電性フィルムの前段階のシートを得た。
【００６２】
次に、得られたシートをさらに薄くスライスし、外径寸法を仕上げて、縦：約４ｍｍ×横約４ｍｍ、厚さ０．０５ｍｍの異方導電性フィルムを得た。導通路（銅線）の配列ピッチは５０μｍであった。次に、導通路の両端部に、酸によるケミカルエッチングを施し、導通路のエッチングにより除去された一方の端部の凹部に、Ｎｉ、Ａｕの順にメッキを行って、２μｍのＮｉ層と、０．１μｍのＡｕ層を順次形成し、凹部を埋め込んだ。
【００６３】
（シールド配線回路基板）
異方導電性フィルムの導通路のエッチングにより除去された他方の凹部を起点にして、無電解メッキを行って、銅からなる、厚み３μｍの薄膜（シールド材）を異方導電性フィルムの片面に形成した。前述の配線回路基板のカバー絶縁層上に、かかるシールド材が積層された異方導電性フィルムをシールド材とは反対側の面を向けて載置し、この状態で、温度２５０℃、圧力約０．３ｋｇｆ／ｍｍ２で、約３０秒熱圧着することにより、シールド材が異方導電性フィルムを介して配線回路基板に接着・一体化したシールド配線回路基板を作製した。
【００６４】
実施例２
配線回路基板（基体）におけるカバー絶縁層を１２．５μｍ厚のポリイミドフィルムに１５μｍ厚のエポキシ系接着剤層を積層したものに変更し、開口径（Ｗ）を５００μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、シールド配線回路基板を作製した。
【００６５】
実施例３
配線回路基板（基体）におけるカバー絶縁層を１０μｍ厚の感光性ポリイミドフィルムに変更し、開口径（Ｗ）を２０００μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、シールド配線回路基板を作製した。
【００６６】
実施例４
配線回路基板（基体）として、実施例２で使用した配線回路基板（基体）と同じものを用意した。
シールド材として、１２．５μｍ厚のポリイミドフィルムに無電解メッキでＣｕ層（厚み：３μｍ）を形成し、その上にエポキシ系接着剤層（厚み：１５μｍ）を形成したものを用意した。
異方導電性フィルムとして、最終のメッキ工程で、導通路の両端部（凹部）にＮｉ／Ａｕ層を形成し、それ以外は実施例１で用いた異方導電性フィルムと同様にして作製した異方導電性フィルムを用意した。
配線回路基板（基体）の開口部の上に異方導電性フィルムを配置し、その上にシールド材をエポキシ系接着剤層側を配線回路基板側に向けて積層し、温度１５０℃、圧力約０．３ｋｇｆ／ｍｍ２で約３０秒熱圧着（第１作業）後、さらに温度２５０℃、圧力約０．３ｋｇｆ／ｍｍ２で約３０秒熱圧着（第２作業）を行った。すなわち、第１作業によりシールド材を配線回路基板に接着させ（このとき異方導電性フィルムの導通路が接着剤層を貫通してＣｕ層に接触が同時になされる。）、第２作業で異方導電性フィルムを端子部に接着させた。
その後、１５０℃で熱処理（アフターキュア）を行い、シールド配線回路基板を完成させた。
【００６７】
比較例１〜３
実施例１〜３のそれぞれにおいて、シールド材を積層した異方導電性フィルムの代わりに、予め片面に導電性接着剤層が形成されている市販のシールド材（タツタ システム エレクトロニクス社製、ＳＦ−ＰＣ５０００）を使用し、圧着条件を、温度１６０℃、圧力約０．３ｋｇｆ／ｍｍ２とし、その他は同様にして、シールド配線回路基板を作製した。こうして作製された実施例１に対応するものを比較例１、実施例２に対応するものを比較例２、実施例３に対応するものを比較例３とした。
【００６８】
[評価]
貼り合せ（初期）に、配線回路基板のグランドとシールド間の導通が得られたものは、実施例１〜４と比較例２、３で、比較例１は導通しなかった。
【００６９】
[環境試験]
配線回路基板にシールド材を貼り合せたサンプル（比較例１を除く）を、８５℃、８５％ＲＨに放置した。１０００時間後、抵抗変化率が１０％以下であったのは実施例１〜４で、比較例２、３は全て断線した。なお、実施例４の抵抗変化率は０．５％以下で極めて小さく、実施例１〜３の抵抗変化率（１〜２％以下）に比べてより小さかった。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の第１例のシールド配線回路基板の模式断面図（図（Ａ））と要部拡大図（図（Ｂ））である。
【図２】本発明で使用する異方導電性フィルムの一例の平面図（図（Ａ））と断面図（図（Ｂ））である。
【図３】本発明で使用する異方導電性フィルムの他の例の平面図（図（Ａ））と断面図（図（Ｂ））である。
【図４】本発明で使用する異方導電性フィルムにおける導通路の好適態様を示す図である。
【図５】本発明の第２例のシールド配線回路基板の要部の模式断面図である。
【図６】本発明の第３例のシールド配線回路基板の要部の模式断面図である。
【図７】本発明の第４例のシールド配線回路基板の要部の模式断面図（シールド材の圧着前）である。
【図８】本発明の第４例のシールド配線回路基板の要部の模式断面図（シールド材の圧着後）である。
【符号の説明】
【００７１】
１ 配線回路基板（基体）
２ 金属基板
３ ベース絶縁層
４ 回路
５ カバー絶縁層
６ 開口
７ 異方導電性フィルム
７ａ 導通路
８ シールド材（金属薄膜）
９ 端子部
１０、３０、４０、５０ シールド配線回路基板
１２、１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ 接着剤層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース絶縁層上に回路と該回路を覆うカバー絶縁層が形成され、
前記カバー絶縁層に開口が形成され、
前記開口の底部に露出する前記回路の上に端子部が形成され、
前記カバー絶縁層上に、片面にシールド材が一体的に設けられた異方導電性フィルムが、前記片面とは反対側の片面をカバー絶縁層に直面させて積層され、
前記異方導電性フィルムは、絶縁性材料からなるフィルム基材中に該基材の厚み方向に貫通する複数の導通路が設けられた構造物であり、
前記異方導電性フィルムが前記カバー絶縁層と端子部に接着し、
前記端子部と前記シールド材が前記異方導電性フィルム中の導通路を介して導通していることを特徴とする、シールド配線回路基板。
【請求項２】
カバー絶縁層と異方導電性フィルムが接着剤層を介して接着されており、異方導電性フィルム中の導通路が該接着剤層を貫通して端子部に接触している、請求項１記載のシールド配線回路基板。
【請求項３】
シールド材が接着剤層を介して異方導電性フィルムの片面に接着されており、異方導電性フィルム中の導通路が該接着剤層を貫通してシールド材に接触している、請求項１又は２記載のシールド配線回路基板。
【請求項４】
ベース絶縁層上に回路と該回路を覆うカバー絶縁層が形成され、
前記カバー絶縁層に開口が形成され、
前記開口の底部に露出する前記回路の上に端子部が形成され、
前記端子部上に前記開口と略同一面積の異方導電性フィルムが配置され、
前記異方導電性フィルム及びカバー絶縁層上にシールド材が配置され、
前記異方導電性フィルムは、絶縁性材料からなるフィルム基材中に該基材の厚み方向に貫通する複数の導通路が設けられた構造物であり、
前記シールド材が接着剤層を介して前記異方導電性フィルム及びカバー絶縁層上に接着し、
前記異方導電性フィルム中の導通路が前記接着剤層を貫通することで、前記端子部と前記シールド材が導通していることを特徴とする、シールド配線回路基板。
【請求項５】
カバー絶縁層の厚みが１０〜５０μｍであり、開口の径（Ｗ）が１００〜２０００μｍである、請求項１〜４のいずれか１項に記載のシールド配線回路基板。
【請求項６】
異方導電性フィルムの導通路が、金属細線により形成されたものである、請求項１〜５のいずれか１項に記載のシールド配線回路基板。
【請求項７】
端子部の表面がＡｕ膜またはＳｎ膜である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のシールド配線回路基板。
【請求項１】
ベース絶縁層上に回路と該回路を覆うカバー絶縁層が形成され、
前記カバー絶縁層に開口が形成され、
前記開口の底部に露出する前記回路の上に端子部が形成され、
前記カバー絶縁層上に、片面にシールド材が一体的に設けられた異方導電性フィルムが、前記片面とは反対側の片面をカバー絶縁層に直面させて積層され、
前記異方導電性フィルムは、絶縁性材料からなるフィルム基材中に該基材の厚み方向に貫通する複数の導通路が設けられた構造物であり、
前記異方導電性フィルムが前記カバー絶縁層と端子部に接着し、
前記端子部と前記シールド材が前記異方導電性フィルム中の導通路を介して導通していることを特徴とする、シールド配線回路基板。
【請求項２】
カバー絶縁層と異方導電性フィルムが接着剤層を介して接着されており、異方導電性フィルム中の導通路が該接着剤層を貫通して端子部に接触している、請求項１記載のシールド配線回路基板。
【請求項３】
シールド材が接着剤層を介して異方導電性フィルムの片面に接着されており、異方導電性フィルム中の導通路が該接着剤層を貫通してシールド材に接触している、請求項１又は２記載のシールド配線回路基板。
【請求項４】
ベース絶縁層上に回路と該回路を覆うカバー絶縁層が形成され、
前記カバー絶縁層に開口が形成され、
前記開口の底部に露出する前記回路の上に端子部が形成され、
前記端子部上に前記開口と略同一面積の異方導電性フィルムが配置され、
前記異方導電性フィルム及びカバー絶縁層上にシールド材が配置され、
前記異方導電性フィルムは、絶縁性材料からなるフィルム基材中に該基材の厚み方向に貫通する複数の導通路が設けられた構造物であり、
前記シールド材が接着剤層を介して前記異方導電性フィルム及びカバー絶縁層上に接着し、
前記異方導電性フィルム中の導通路が前記接着剤層を貫通することで、前記端子部と前記シールド材が導通していることを特徴とする、シールド配線回路基板。
【請求項５】
カバー絶縁層の厚みが１０〜５０μｍであり、開口の径（Ｗ）が１００〜２０００μｍである、請求項１〜４のいずれか１項に記載のシールド配線回路基板。
【請求項６】
異方導電性フィルムの導通路が、金属細線により形成されたものである、請求項１〜５のいずれか１項に記載のシールド配線回路基板。
【請求項７】
端子部の表面がＡｕ膜またはＳｎ膜である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のシールド配線回路基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００９−２００１１３（Ｐ２００９−２００１１３Ａ）
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３７７３４（Ｐ２００８−３７７３４）
【出願日】平成２０年２月１９日（２００８．２．１９）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月１９日（２００８．２．１９）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
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