チップオンフィルム型半導体パッケージ
【課題】別の絶縁テープがなくてもドライバー集積回路チップの高い放熱効果を得ることができ、リード破損を防止することができるチップオンフィルム型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】チップオンフィルム型半導体パッケージは、フィルム２０１と、該フィルムの一方面上に形成された複数のリード２０２と、該リードの一端上に接続されるチップ２０３と、該チップと前記リードとの間の空間を埋め込むアンダーフィル層２０６と、前記フィルムの他方面上に形成され、ガラス繊維を基盤とした複合物を含む絶縁性放熱シート２０４と、を備える。
【解決手段】チップオンフィルム型半導体パッケージは、フィルム２０１と、該フィルムの一方面上に形成された複数のリード２０２と、該リードの一端上に接続されるチップ２０３と、該チップと前記リードとの間の空間を埋め込むアンダーフィル層２０６と、前記フィルムの他方面上に形成され、ガラス繊維を基盤とした複合物を含む絶縁性放熱シート２０４と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージに関し、特に、チップがフィルム上に付着されたチップオンフィルム型（ｃｈｉｐ ｏｎ ｆｉｌｍ）半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＬＣＤ）などのディスプレイ装置が低価格化、大型化、および高性能化なるにともない、ピクセル等の集積も増加されなければならない。
【０００３】
このような状況のため、ディスプレイ装置内で個々のピクセルを制御するドライバー集積回路（ｄｒｉｖｅｒ ＩＣ）のリードピッチがますます微細化され、これに伴いパッケージング方法も多様に開発されてきた。
【０００４】
ディスプレイ装置分野で主に利用されるパッケージング方法には、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）、チップオングラス（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ；ＣＯＧ）、チップオンフィルム（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ；ＣＯＦ）などがある。微細ピッチ化による工程費の低減および歩留まり向上のために、１９９０年代の末からチップオンフィルム（ＣＯＦ）技術が主に使用された。
【０００５】
チップオンフィルム（ＣＯＦ）技術は、ディスプレイドライバー集積回路（ｄｒｉｖｅｒ ＩＣ）の小型化のために開発された新しい形態のパッケージである。チップオンフィルム（ＣＯＦ）技術では、高解像度を有するディスプレイ装置を実現するために、テレビジョンおよびモニターの駆動周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに増加すると共に、ドライバー集積回路の駆動負荷が上昇し、このため、集積回路の発熱問題が深刻になっている。
【０００６】
このような発熱問題を解決するための方法が韓国登録特許第１０−０７７１８９０号公報（出願人：三星電子）に開示されている。
【０００７】
図１は、従来技術に係るチップオンフィルム型半導体パッケージを示した図である。
【０００８】
図１に示すように、チップオンフィルム型半導体パッケージは、ドライバー集積回路チップ１０３、バンプ（ｂｕｍｐ）１０６、リード１０２、アンダーフィル層１０７、フィルム１０１、放熱パッド１０４、および絶縁テープ１０５を備える。前記フィルム１０１は、柔軟性があり、複数のリード１０２およびバンプ１０６によってドライバー集積回路チップ１０３に接続される。
【０００９】
前記複数のリード１０２は、互いに分離するように配置され、リード１０２の一端が中央に集中するように配置される。
【００１０】
前記複数のリード１０２およびバンプ１０６によって接続されるドライバー集積回路チップ１０３およびフィルム１０１の周辺には、アンダーフィル層１０７が埋め込まれて、ドライバー集積回路チップ１０３とフィルム１０１とを安定的に固定する。図面符号１０６はバンプを示す。
【００１１】
一方、前記リードと接触したフィルム１０１の反対面には、放熱パッド１０４が接着剤（図示せず）によって付着される。放熱パッド１０４は、ドライバー集積回路チップ１０３の動作によって発生する熱をアンダーフィル層１０７およびリード１０２を介して外側に放熱するためのものであって、アルミニウムなどの金属類で構成することができる。
【００１２】
上記のように、従来のチップオンフィルム型半導体パッケージは、金属類の放熱パッド１０４を用いているため、柔軟性に劣るという問題を有している。
【００１３】
そして、従来では、放熱パッド１０４がアルミニウムなどの金属類であるため、放熱パッド１０４とフィルム１０１とを接続するためには接着剤が必ず必要であり、放熱パッド１０４の絶縁処理のために別の絶縁テープ１０５を用いるしかない。このように、絶縁テープ１０５を別に付着しなければならないため、製造工程上の煩わしさがある。
【００１４】
また、金属類の放熱パッド１０４は、厚さが厚くなるとフィルム１０１上のリード破損（断線等）（ｌｅａｄ ｂｒｏｋｅｎ）のような損傷が生じるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】韓国登録特許第１０−０７７１８９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、上記のような従来技術の問題を解決するために提案されたものであって、その目的は、別の絶縁テープがなくてもドライバー集積回路チップの高い放熱効果を得ることができ、リード破損を防止することができるチップオンフィルム型半導体パッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
そこで、上記の目的を達成するための本発明に係るチップオン半導体パッケージは、フィルムと、該フィルムの一方面上に形成された複数のリードと、該リードの一端上に接続されるチップと、該チップと前記リードとの間を埋め込むアンダーフィル層と、前記フィルムの他方面上に形成された絶縁性放熱シートとを備えることを特徴とする。前記絶縁性放熱シートは、ガラス繊維（ｆｉｂｅｒ ｇｌａｓｓ）基盤（ｂａｓｅ）の複合物（ｃｏｍｐｏｕｎｄ）である。また、前記絶縁性放熱シートは、シリコンフェイス（Ｓｉ ｆａｃｅ）とガラス繊維とを積層した構造であってもよい。また、前記絶縁性放熱シートは、シリコンゴム（ｓｉｌｉｃｏｎ ｒｕｂｂｅｒ）、窒化ホウ素（ｂｏｒｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ）、およびガラス繊維を含む複合物であってもよく、この場合、シリコンゴムの含量は１９ｖｏｌ％〜２４ｖｏｌ％であり、窒化ホウ素の含量は６５ｖｏｌ％〜７１ｖｏｌ％であり、ガラス繊維の含量は１０ｖｏｌ％より小さいことが好ましい。また、前記絶縁性放熱シートは１００μｍ〜２００μｍの厚さを有することが好ましい。また、前記絶縁性放熱シートは、液状樹脂を用いた接着剤によって前記フィルム上に付着されてもよい。前記チップは、ドライバー集積回路チップ（ｄｒｉｖｅｒ ＩＣ ｃｈｉｐ）を含むものでもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、絶縁性放熱シートを用いることにより、別の絶縁処理が不要であり、費用を低減することができる。また、絶縁性放熱シートが柔軟性を有するので、フレキシブル装置に適用が可能である。ここで、フレキシブル装置とは、曲がる装置を意味し、例えば、車両用電装部品、ＬＥＤ、蛍光ランプなどの放熱目的に使用可能であり、ドライバー集積回路チップ、温度制御器、中央処理装置、メモリ、その他、電子製品の薄膜形態によってヒートシンク装着ができない製品に適用することができる。また、フレキシブルタイプの印刷回路基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ＰＣＢ）に絶縁性が必要な放熱シートとして用いることができ、ドライバー集積回路チップ、各種半導体製品群、およびヒートブロック（Ｈｅａｔ ｂｌｏｃｋ）などのヒートシンク（Ｈｅａｔｓｉｎｋ）の代わりに適用可能である。
【００１９】
また、本発明は、ガラス繊維基盤の複合物からなり、柔軟性を有する絶縁性放熱シートを用いることにより、引張力（ｔｅｎｓｉｌｅ ｆｏｒｃｅ）に優れ、金属類の放熱パッドでは実現できない引張力およびフレキシブル構造を要する製品群により幅広く適用が可能である。
【００２０】
さらに、本発明は、ドライバー集積回路チップとフィルムとの間の温度ギャップ（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｇａｐ）を緩衝するスプレッド（Ｓｐｒｅａｄ）効果と温度変化によるフィルムの収縮膨脹を抑制する役割を果たして、リード破損を減少させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】従来技術に係るチップオンフィルム型半導体パッケージを示した図である。
【図２】本発明の実施形態に係るチップオンフィルム型半導体パッケージを示した図である。
【図３Ａ】絶縁性放熱シートの一例を示した断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａによる絶縁性放熱シートの詳細図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有した者が本発明の技術的思想を容易に実施できる程度に詳細に説明するために、本発明の最も好ましい実施形態を添付図面を参照して説明する。
【００２３】
図２は、本発明の実施形態に係るチップオンフィルム型半導体パッケージを示した図である。図３Ａは、絶縁性放熱シートの一例を示した断面図である。図３Ｂは、図３Ａによる絶縁性放熱シートの詳細図である。
【００２４】
図２に示すように、本発明のチップオンフィルム型半導体パッケージ２００は、ドライバー集積回路チップ２０３、バンプ２０５、複数のリード２０２、アンダーフィル層２０６、フィルム２０１、および絶縁性放熱シート２０４を備える。フィルム２０１は、柔軟性があり、複数のリード２０２およびバンプ２０５によってドライバー集積回路チップ２０３に接続される。
【００２５】
複数のリード２０２は、フィルム２０１の下面に互いに分離するように配置され、各リード２０２の一端が中央に集中するように配置される。
【００２６】
複数のリード２０２およびバンプ２０５によって接続されるドライバー集積回路チップ２０３およびフィルム２０１の周辺には、アンダーフィル層２０６が埋め込まれてドライバー集積回路チップ２０３とフィルム２０１とを安定的に固定する。つまり、ドライバー集積回路チップ２０３とフィルム２０１の間のスペースには、アンダーフィル層２０６が埋め込まれている。
【００２７】
一方、リード２０２と接触したフィルム２０１下面の反対面（上面）には、絶縁性放熱シート２０４が接着剤２０７によって付着されている。
【００２８】
まず、フィルム２０１は、ポリイミドＰＩのような絶縁層を含んで構成される。リード２０２は銅で構成できる。リード２０２とドライバー集積回路チップ２０３とはバンプ２０５を介して接続される。ここで、バンプ２０５はＡｕバンプ（金バンプ）を用いることができる。
【００２９】
アンダーフィル層２０６は、例えば液状樹脂（ｌｉｑｕｉｄ ｒｅｓｉｎ）などが使用され得る。
【００３０】
絶縁性放熱シート２０４は、伝導性粒子が含まれた接着剤２０７、例えば、アクリル系接着剤によってフィルム２０１に付着され得る。
【００３１】
絶縁性放熱シート２０４は、ドライバー集積回路チップ２０３の動作によって発生する熱を、アンダーフィル層２０６およびリード２０２を介して外側に放熱させるためのものである。
【００３２】
絶縁性放熱シート２０４は、金属物質ではないガラス繊維を基盤とした複合物を含む。例えば、絶縁性放熱シート２０４は、ガラス繊維層及びシリコンフェイスを基盤とした層にガラス繊維層を積層した構造であってもよい。
【００３３】
また、絶縁性放熱シート２０４は、シリコンゴム、窒化ホウ素、およびガラス繊維からなる複合物であってもよく、この場合、当該複合物おいて、シリコンゴムの含量は１９ｖｏｌ％〜２４ｖｏｌ％であり、窒化ホウ素の含量は６５ｖｏｌ％〜７１ｖｏｌ％であり、ガラス繊維の含量は１０ｖｏｌ％より小さくてもよい。この場合、ガラス繊維は、複合物において基盤（ベース）となる。
【００３４】
一例に、図３Ａに示すように、絶縁性放熱シート２０４は、２枚のシリコンフェイス２０４Ａ、２０４Ｂ間にガラス繊維２０４Ｃが挿入された構造を有することができる。このように、シリコンフェイス２０４Ａ、２０４Ｂとガラス繊維２０４Ｃとが積層された構造であるため、絶縁性放熱シート２０４の熱伝導率は向上し、熱抵抗値は低くなる。
【００３５】
図３Ｂに示すように、ガラス繊維２０４Ｃは格子模様形態を有することができる。
【００３６】
絶縁性放熱シート２０４は、柔軟性（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）を有するガラス繊維を基盤とする複合物であるから、柔軟性に優れている。
【００３７】
また、シリコンフェイス、シリコンゴム、窒化ホウ素、およびガラス繊維が絶縁性を有するので、絶縁性放熱シート２０４を絶縁処理するための別の絶縁テープを用いなくてもよい。このように、別の絶縁テープを用いないので、製造費用を低減することができる。
【００３８】
好ましくは、絶縁性放熱シート２０４は、１００μｍ〜２００μｍの厚さを有する。厚さが厚いほど、放熱効果が増大する。
【００３９】
上記のような絶縁性放熱シート２０４は、ガラス繊維を基盤とするので、柔軟性を有し、これにより、ラミネート装備に別途の改造などの変更をすることなく、ロール（ｒｏｌｌ）形態で供給することができる。すなわち、リールトゥーリール（ｒｅｅｌ ｔｏ ｒｅｅｌ）でラミネータ作業を行うことにより、絶縁性放熱シート２０４をフィルム上に容易に付着することができる。従来技術の放熱パッド１０４は、アルミニウムなどの金属膜を用いることから、柔軟性に劣る。
【００４０】
また、ガラス繊維を基盤とする絶縁性放熱シート２０４は、引張力に優れ、金属類の放熱パッドでは実現できない引張力（引張性）およびフレキシブル形態を要する製品群により幅広く適用が可能である。
【００４１】
下記の表１は、アルミニウム材質の放熱パッドと絶縁性放熱シートとの熱伝導率および熱抵抗値を比較した表である。
【００４２】
【表１】
【００４３】
表１において、絶縁性放熱シート１はＢＦＧ２０Ａであり、絶縁性放熱シート２はＢＦＧ２０であり、絶縁性放熱シート３はＢＳ２０である。ＢＦＧ２０Ａ、ＢＦＧ２０、ＢＳ２０は、日曹商事株式会社の製品の商品名である。
【００４４】
表１によれば、絶縁性放熱シート１、２、および３は、従来のアルミニウム放熱パッドと近似した熱伝導率（平均値約４．５Ｗ／ｍｋ）を有し、０．２℃／Ｗ以下の熱抵抗値を有する。
【００４５】
これとともに、本発明の絶縁性放熱シートは、アルミニウム材質の放熱パッドより低い熱抵抗値および近似する熱伝導率を有する上、費用面および柔軟性において従来よりも優れており、適用分野が非常に幅広い。
【００４６】
本発明の技術思想は、上記好ましい実施形態によって具体的に記述されたが、上記の実施形態はその説明のためのものであり、その制限のためのものではないということに注意すべきである。また、この技術分野の通常の専門家であれば、本発明の技術思想の範囲内で様々な実施形態が可能であることが理解できるであろう。
【符号の説明】
【００４７】
２０１：フィルム、２０２：リード、２０３：ドライバー集積回路チップ、
２０４：絶縁性放熱シート、２０５：バンプ、２０６：アンダーフィル層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージに関し、特に、チップがフィルム上に付着されたチップオンフィルム型（ｃｈｉｐ ｏｎ ｆｉｌｍ）半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＬＣＤ）などのディスプレイ装置が低価格化、大型化、および高性能化なるにともない、ピクセル等の集積も増加されなければならない。
【０００３】
このような状況のため、ディスプレイ装置内で個々のピクセルを制御するドライバー集積回路（ｄｒｉｖｅｒ ＩＣ）のリードピッチがますます微細化され、これに伴いパッケージング方法も多様に開発されてきた。
【０００４】
ディスプレイ装置分野で主に利用されるパッケージング方法には、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）、チップオングラス（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ；ＣＯＧ）、チップオンフィルム（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ；ＣＯＦ）などがある。微細ピッチ化による工程費の低減および歩留まり向上のために、１９９０年代の末からチップオンフィルム（ＣＯＦ）技術が主に使用された。
【０００５】
チップオンフィルム（ＣＯＦ）技術は、ディスプレイドライバー集積回路（ｄｒｉｖｅｒ ＩＣ）の小型化のために開発された新しい形態のパッケージである。チップオンフィルム（ＣＯＦ）技術では、高解像度を有するディスプレイ装置を実現するために、テレビジョンおよびモニターの駆動周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに増加すると共に、ドライバー集積回路の駆動負荷が上昇し、このため、集積回路の発熱問題が深刻になっている。
【０００６】
このような発熱問題を解決するための方法が韓国登録特許第１０−０７７１８９０号公報（出願人：三星電子）に開示されている。
【０００７】
図１は、従来技術に係るチップオンフィルム型半導体パッケージを示した図である。
【０００８】
図１に示すように、チップオンフィルム型半導体パッケージは、ドライバー集積回路チップ１０３、バンプ（ｂｕｍｐ）１０６、リード１０２、アンダーフィル層１０７、フィルム１０１、放熱パッド１０４、および絶縁テープ１０５を備える。前記フィルム１０１は、柔軟性があり、複数のリード１０２およびバンプ１０６によってドライバー集積回路チップ１０３に接続される。
【０００９】
前記複数のリード１０２は、互いに分離するように配置され、リード１０２の一端が中央に集中するように配置される。
【００１０】
前記複数のリード１０２およびバンプ１０６によって接続されるドライバー集積回路チップ１０３およびフィルム１０１の周辺には、アンダーフィル層１０７が埋め込まれて、ドライバー集積回路チップ１０３とフィルム１０１とを安定的に固定する。図面符号１０６はバンプを示す。
【００１１】
一方、前記リードと接触したフィルム１０１の反対面には、放熱パッド１０４が接着剤（図示せず）によって付着される。放熱パッド１０４は、ドライバー集積回路チップ１０３の動作によって発生する熱をアンダーフィル層１０７およびリード１０２を介して外側に放熱するためのものであって、アルミニウムなどの金属類で構成することができる。
【００１２】
上記のように、従来のチップオンフィルム型半導体パッケージは、金属類の放熱パッド１０４を用いているため、柔軟性に劣るという問題を有している。
【００１３】
そして、従来では、放熱パッド１０４がアルミニウムなどの金属類であるため、放熱パッド１０４とフィルム１０１とを接続するためには接着剤が必ず必要であり、放熱パッド１０４の絶縁処理のために別の絶縁テープ１０５を用いるしかない。このように、絶縁テープ１０５を別に付着しなければならないため、製造工程上の煩わしさがある。
【００１４】
また、金属類の放熱パッド１０４は、厚さが厚くなるとフィルム１０１上のリード破損（断線等）（ｌｅａｄ ｂｒｏｋｅｎ）のような損傷が生じるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】韓国登録特許第１０−０７７１８９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、上記のような従来技術の問題を解決するために提案されたものであって、その目的は、別の絶縁テープがなくてもドライバー集積回路チップの高い放熱効果を得ることができ、リード破損を防止することができるチップオンフィルム型半導体パッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
そこで、上記の目的を達成するための本発明に係るチップオン半導体パッケージは、フィルムと、該フィルムの一方面上に形成された複数のリードと、該リードの一端上に接続されるチップと、該チップと前記リードとの間を埋め込むアンダーフィル層と、前記フィルムの他方面上に形成された絶縁性放熱シートとを備えることを特徴とする。前記絶縁性放熱シートは、ガラス繊維（ｆｉｂｅｒ ｇｌａｓｓ）基盤（ｂａｓｅ）の複合物（ｃｏｍｐｏｕｎｄ）である。また、前記絶縁性放熱シートは、シリコンフェイス（Ｓｉ ｆａｃｅ）とガラス繊維とを積層した構造であってもよい。また、前記絶縁性放熱シートは、シリコンゴム（ｓｉｌｉｃｏｎ ｒｕｂｂｅｒ）、窒化ホウ素（ｂｏｒｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ）、およびガラス繊維を含む複合物であってもよく、この場合、シリコンゴムの含量は１９ｖｏｌ％〜２４ｖｏｌ％であり、窒化ホウ素の含量は６５ｖｏｌ％〜７１ｖｏｌ％であり、ガラス繊維の含量は１０ｖｏｌ％より小さいことが好ましい。また、前記絶縁性放熱シートは１００μｍ〜２００μｍの厚さを有することが好ましい。また、前記絶縁性放熱シートは、液状樹脂を用いた接着剤によって前記フィルム上に付着されてもよい。前記チップは、ドライバー集積回路チップ（ｄｒｉｖｅｒ ＩＣ ｃｈｉｐ）を含むものでもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、絶縁性放熱シートを用いることにより、別の絶縁処理が不要であり、費用を低減することができる。また、絶縁性放熱シートが柔軟性を有するので、フレキシブル装置に適用が可能である。ここで、フレキシブル装置とは、曲がる装置を意味し、例えば、車両用電装部品、ＬＥＤ、蛍光ランプなどの放熱目的に使用可能であり、ドライバー集積回路チップ、温度制御器、中央処理装置、メモリ、その他、電子製品の薄膜形態によってヒートシンク装着ができない製品に適用することができる。また、フレキシブルタイプの印刷回路基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ＰＣＢ）に絶縁性が必要な放熱シートとして用いることができ、ドライバー集積回路チップ、各種半導体製品群、およびヒートブロック（Ｈｅａｔ ｂｌｏｃｋ）などのヒートシンク（Ｈｅａｔｓｉｎｋ）の代わりに適用可能である。
【００１９】
また、本発明は、ガラス繊維基盤の複合物からなり、柔軟性を有する絶縁性放熱シートを用いることにより、引張力（ｔｅｎｓｉｌｅ ｆｏｒｃｅ）に優れ、金属類の放熱パッドでは実現できない引張力およびフレキシブル構造を要する製品群により幅広く適用が可能である。
【００２０】
さらに、本発明は、ドライバー集積回路チップとフィルムとの間の温度ギャップ（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｇａｐ）を緩衝するスプレッド（Ｓｐｒｅａｄ）効果と温度変化によるフィルムの収縮膨脹を抑制する役割を果たして、リード破損を減少させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】従来技術に係るチップオンフィルム型半導体パッケージを示した図である。
【図２】本発明の実施形態に係るチップオンフィルム型半導体パッケージを示した図である。
【図３Ａ】絶縁性放熱シートの一例を示した断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａによる絶縁性放熱シートの詳細図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有した者が本発明の技術的思想を容易に実施できる程度に詳細に説明するために、本発明の最も好ましい実施形態を添付図面を参照して説明する。
【００２３】
図２は、本発明の実施形態に係るチップオンフィルム型半導体パッケージを示した図である。図３Ａは、絶縁性放熱シートの一例を示した断面図である。図３Ｂは、図３Ａによる絶縁性放熱シートの詳細図である。
【００２４】
図２に示すように、本発明のチップオンフィルム型半導体パッケージ２００は、ドライバー集積回路チップ２０３、バンプ２０５、複数のリード２０２、アンダーフィル層２０６、フィルム２０１、および絶縁性放熱シート２０４を備える。フィルム２０１は、柔軟性があり、複数のリード２０２およびバンプ２０５によってドライバー集積回路チップ２０３に接続される。
【００２５】
複数のリード２０２は、フィルム２０１の下面に互いに分離するように配置され、各リード２０２の一端が中央に集中するように配置される。
【００２６】
複数のリード２０２およびバンプ２０５によって接続されるドライバー集積回路チップ２０３およびフィルム２０１の周辺には、アンダーフィル層２０６が埋め込まれてドライバー集積回路チップ２０３とフィルム２０１とを安定的に固定する。つまり、ドライバー集積回路チップ２０３とフィルム２０１の間のスペースには、アンダーフィル層２０６が埋め込まれている。
【００２７】
一方、リード２０２と接触したフィルム２０１下面の反対面（上面）には、絶縁性放熱シート２０４が接着剤２０７によって付着されている。
【００２８】
まず、フィルム２０１は、ポリイミドＰＩのような絶縁層を含んで構成される。リード２０２は銅で構成できる。リード２０２とドライバー集積回路チップ２０３とはバンプ２０５を介して接続される。ここで、バンプ２０５はＡｕバンプ（金バンプ）を用いることができる。
【００２９】
アンダーフィル層２０６は、例えば液状樹脂（ｌｉｑｕｉｄ ｒｅｓｉｎ）などが使用され得る。
【００３０】
絶縁性放熱シート２０４は、伝導性粒子が含まれた接着剤２０７、例えば、アクリル系接着剤によってフィルム２０１に付着され得る。
【００３１】
絶縁性放熱シート２０４は、ドライバー集積回路チップ２０３の動作によって発生する熱を、アンダーフィル層２０６およびリード２０２を介して外側に放熱させるためのものである。
【００３２】
絶縁性放熱シート２０４は、金属物質ではないガラス繊維を基盤とした複合物を含む。例えば、絶縁性放熱シート２０４は、ガラス繊維層及びシリコンフェイスを基盤とした層にガラス繊維層を積層した構造であってもよい。
【００３３】
また、絶縁性放熱シート２０４は、シリコンゴム、窒化ホウ素、およびガラス繊維からなる複合物であってもよく、この場合、当該複合物おいて、シリコンゴムの含量は１９ｖｏｌ％〜２４ｖｏｌ％であり、窒化ホウ素の含量は６５ｖｏｌ％〜７１ｖｏｌ％であり、ガラス繊維の含量は１０ｖｏｌ％より小さくてもよい。この場合、ガラス繊維は、複合物において基盤（ベース）となる。
【００３４】
一例に、図３Ａに示すように、絶縁性放熱シート２０４は、２枚のシリコンフェイス２０４Ａ、２０４Ｂ間にガラス繊維２０４Ｃが挿入された構造を有することができる。このように、シリコンフェイス２０４Ａ、２０４Ｂとガラス繊維２０４Ｃとが積層された構造であるため、絶縁性放熱シート２０４の熱伝導率は向上し、熱抵抗値は低くなる。
【００３５】
図３Ｂに示すように、ガラス繊維２０４Ｃは格子模様形態を有することができる。
【００３６】
絶縁性放熱シート２０４は、柔軟性（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）を有するガラス繊維を基盤とする複合物であるから、柔軟性に優れている。
【００３７】
また、シリコンフェイス、シリコンゴム、窒化ホウ素、およびガラス繊維が絶縁性を有するので、絶縁性放熱シート２０４を絶縁処理するための別の絶縁テープを用いなくてもよい。このように、別の絶縁テープを用いないので、製造費用を低減することができる。
【００３８】
好ましくは、絶縁性放熱シート２０４は、１００μｍ〜２００μｍの厚さを有する。厚さが厚いほど、放熱効果が増大する。
【００３９】
上記のような絶縁性放熱シート２０４は、ガラス繊維を基盤とするので、柔軟性を有し、これにより、ラミネート装備に別途の改造などの変更をすることなく、ロール（ｒｏｌｌ）形態で供給することができる。すなわち、リールトゥーリール（ｒｅｅｌ ｔｏ ｒｅｅｌ）でラミネータ作業を行うことにより、絶縁性放熱シート２０４をフィルム上に容易に付着することができる。従来技術の放熱パッド１０４は、アルミニウムなどの金属膜を用いることから、柔軟性に劣る。
【００４０】
また、ガラス繊維を基盤とする絶縁性放熱シート２０４は、引張力に優れ、金属類の放熱パッドでは実現できない引張力（引張性）およびフレキシブル形態を要する製品群により幅広く適用が可能である。
【００４１】
下記の表１は、アルミニウム材質の放熱パッドと絶縁性放熱シートとの熱伝導率および熱抵抗値を比較した表である。
【００４２】
【表１】
【００４３】
表１において、絶縁性放熱シート１はＢＦＧ２０Ａであり、絶縁性放熱シート２はＢＦＧ２０であり、絶縁性放熱シート３はＢＳ２０である。ＢＦＧ２０Ａ、ＢＦＧ２０、ＢＳ２０は、日曹商事株式会社の製品の商品名である。
【００４４】
表１によれば、絶縁性放熱シート１、２、および３は、従来のアルミニウム放熱パッドと近似した熱伝導率（平均値約４．５Ｗ／ｍｋ）を有し、０．２℃／Ｗ以下の熱抵抗値を有する。
【００４５】
これとともに、本発明の絶縁性放熱シートは、アルミニウム材質の放熱パッドより低い熱抵抗値および近似する熱伝導率を有する上、費用面および柔軟性において従来よりも優れており、適用分野が非常に幅広い。
【００４６】
本発明の技術思想は、上記好ましい実施形態によって具体的に記述されたが、上記の実施形態はその説明のためのものであり、その制限のためのものではないということに注意すべきである。また、この技術分野の通常の専門家であれば、本発明の技術思想の範囲内で様々な実施形態が可能であることが理解できるであろう。
【符号の説明】
【００４７】
２０１：フィルム、２０２：リード、２０３：ドライバー集積回路チップ、
２０４：絶縁性放熱シート、２０５：バンプ、２０６：アンダーフィル層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムと、
該フィルムの一方面上に形成された複数のリードと、
該リードの一端上に接続されたチップと、
該チップと前記リードとの間に埋め込まれたアンダーフィル層と、
前記フィルムの他方面上に形成され、ガラス繊維を基盤とした複合物を含む絶縁性放熱シートと、
を備えることを特徴とするチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項２】
前記ガラス繊維は、格子模様形態を有することを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項３】
前記絶縁性放熱シートは、シリコンフェイスとガラス繊維とを積層した構造であることを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項４】
前記絶縁性放熱シートは、シリコンゴム、窒化ホウ素、およびガラス繊維を含む複合物を有することを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項５】
前記シリコンゴムの含量は１９ｖｏｌ％〜２４ｖｏｌ％であり、前記窒化ホウ素の含量は６５ｖｏｌ％〜７１ｖｏｌ％であり、前記ガラス繊維の含量は１０ｖｏｌ％より小さいことを特徴とする請求項４に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項６】
前記絶縁性放熱シートは、１００μｍ〜２００μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項７】
前記絶縁性放熱シートは、接着剤によって前記フィルムの他方面上に付着されることを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項８】
前記チップは、ドライバー集積回路チップを備えることを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項９】
前記アンダーフィル層は、液状樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記絶縁性放熱シートは、０．２℃／Ｗ以下の熱抵抗値を有することを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項１】
フィルムと、
該フィルムの一方面上に形成された複数のリードと、
該リードの一端上に接続されたチップと、
該チップと前記リードとの間に埋め込まれたアンダーフィル層と、
前記フィルムの他方面上に形成され、ガラス繊維を基盤とした複合物を含む絶縁性放熱シートと、
を備えることを特徴とするチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項２】
前記ガラス繊維は、格子模様形態を有することを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項３】
前記絶縁性放熱シートは、シリコンフェイスとガラス繊維とを積層した構造であることを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項４】
前記絶縁性放熱シートは、シリコンゴム、窒化ホウ素、およびガラス繊維を含む複合物を有することを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項５】
前記シリコンゴムの含量は１９ｖｏｌ％〜２４ｖｏｌ％であり、前記窒化ホウ素の含量は６５ｖｏｌ％〜７１ｖｏｌ％であり、前記ガラス繊維の含量は１０ｖｏｌ％より小さいことを特徴とする請求項４に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項６】
前記絶縁性放熱シートは、１００μｍ〜２００μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項７】
前記絶縁性放熱シートは、接着剤によって前記フィルムの他方面上に付着されることを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項８】
前記チップは、ドライバー集積回路チップを備えることを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項９】
前記アンダーフィル層は、液状樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記絶縁性放熱シートは、０．２℃／Ｗ以下の熱抵抗値を有することを特徴とする請求項１に記載のチップオンフィルム型半導体パッケージ。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【公開番号】特開２０１１−９７００６（Ｐ２０１１−９７００６Ａ）
【公開日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−８８６８９（Ｐ２０１０−８８６８９）
【出願日】平成２２年４月７日（２０１０．４．７）
【出願人】（５０５０８７７８０）マグナチップセミコンダクター有限会社 (125)
【氏名又は名称原語表記】ＭＡＧＮＡＣＨＩＰ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＬＴＤ
【住所又は居所原語表記】１ Ｈｙａｎｇｊｅｏｎｇ−ｄｏｎｇ，Ｈｅｕｎｇｄｕｋ−ｇｕ，Ｃｈｅｏｎｇｊｕ Ｃｉｔｙ，Ｃｈｕｎｇ Ｃｈｅｏｎｇ Ｂｏｋ−ｄｏ，Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月７日（２０１０．４．７）
【出願人】（５０５０８７７８０）マグナチップセミコンダクター有限会社 (125)
【氏名又は名称原語表記】ＭＡＧＮＡＣＨＩＰ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＬＴＤ
【住所又は居所原語表記】１ Ｈｙａｎｇｊｅｏｎｇ−ｄｏｎｇ，Ｈｅｕｎｇｄｕｋ−ｇｕ，Ｃｈｅｏｎｇｊｕ Ｃｉｔｙ，Ｃｈｕｎｇ Ｃｈｅｏｎｇ Ｂｏｋ−ｄｏ，Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]