説明

フッ素を含有する化合物及び樹脂

【課題】液浸露光の際にレジスト膜の欠陥発生を抑制でき、さらにラインエッジラフネス及びトップ形状に優れたレジストパターンを形成できる樹脂を提供すること。
【解決手段】式(I)で表される化合物の存在下でラジカル重合して得られる樹脂は、上記目的を達成できる。
HS−L1−R1−R2 (I)
〔式(I)中、L1は、2価のC1-10アルカンジイル基等を表す。R1は、2価のC1-12脂肪族炭化水素基、又は2価のC3-12脂環式炭化水素基等を表す。R2は、全水素原子がフッ素原子で置換されているC3-36飽和脂環式炭化水素基、或いは全水素原子がフッ素原子又はフッ素原子及びヒドロキシ基で置換されている直鎖状又は分枝鎖状のC1-16アルキル基等を表す。但しR1及びR2の少なくとも1つは、環状有機基を含む。〕

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ラジカル重合での連鎖移動剤として有用な含フッ素化合物に関する。また本発明は、レジスト組成物に有用な前記含フッ素化合物を含む樹脂にも関する。
【背景技術】
【0002】
半導体分野では、より一層の微細加工が求められており、近年ではフォトリソグラフィの解像度を向上させるために液浸露光の研究が進められている。液浸露光は、露光装置のレンズとレジスト膜との間に空気よりも屈折率の高い液体を満たした状態で露光する技術であり、コストや安全性等の観点から現在のところ、液体として純水が用いられている。
【0003】
液浸露光用のレジスト組成物としては、例えば、液浸露光に用いられる液体(純水)と接触したときに欠陥の発生が少ないもの、ラインエッジラフネスが良好であるもの、レジストパターンの形状がより矩形であるものが求められている。
【0004】
またフォトリソグラフィでは、高感度を達成するために、酸発生剤を含む化学増幅型レジスト組成物が用いられている。この酸発生剤は光照射を受けて酸(H+)を発生し、この酸によって硬化反応又は可溶化反応が促進されるため、少ない光でも高感度を達成できる。しかし化学増幅型レジスト組成物を液浸露光に用いると、露光の際に発生した酸が純水に移動するなどの問題が考えられる。このような問題を解決するため、特許文献1では、主鎖末端にペルフルオロアルキル基を有する樹脂をレジスト組成物に使用することが開示されている。この樹脂は、末端にペルフルオロアルキル基を有するアゾ化合物を重合開始剤として用いるラジカル重合、又は末端にペルフルオロアルキル基を有するチオールを連鎖移動剤として用いるラジカル重合によって合成される。より具体的には、特許文献1の実施例は、以下のアゾ化合物又はチオールを重合開始剤又は連鎖移動剤として用いることを開示している。
【0005】
【化1】

【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2007−86175号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
特許文献1に記載されているような鎖状の重合開始剤又は連鎖移動剤を用いて合成した樹脂では、液浸露光での欠陥発生の抑制、ラインエッジラフネス及びレジストパターンの形状が満足いかない場合がある。本発明はこのような事情に着目してなされたものであって、これらの特性をより一層向上させることができる樹脂、及びそれを得るための連鎖移動剤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記目的を達成するために本発明者らが鋭意検討した結果、(1)全水素原子がフッ素原子で置換されている飽和脂環式炭化水素基(以下「ペルフルオロ飽和脂環式炭化水素基」と略称することがある)を、スルファニル基(−SH)とは反対側に有するチオール;又は(2)スルファニル基とは反対側に全水素原子がフッ素原子で置換されているアルキル基(即ちペルフルオロアルキル基)を有し、ペルフルオロアルキル基側に脂環式炭化水素基を有するチオール;を連鎖移動剤として用いれば、液浸露光での欠陥発生を良好に抑制でき、また一層優れたラインエッジラフネス及びレジストパターンの形状を実現できる樹脂が得られることを見出した。なお特許文献1の段落[0167]では、ノルボルナン環の炭素原子にスルファニル基が結合し、ノルボルナン環及びスルファニル基とは反対側にペルフルオロアルキル基を有するチオールが例示されている。しかしこのようなチオールを連鎖移動剤として用いると、主鎖からノルボルナン環までの距離が近い剛直な樹脂(重合体)が得られるため、欠陥発生及びラインエッジラフネスが悪化すると考えられる。
【0009】
上記目的を達成した本発明の化合物とは、式(I)で表される化合物である。
HS−L1−R1−R2 (I)
〔式(I)中、L1は、直鎖状又は分枝鎖状の2価のC1-10アルカンジイル基を表し;前記アルカンジイル基に含まれるメチレン基は、酸素原子(−O−)又はカルボニル基(−CO−)で置換されていてもよい。R1は、単結合、直鎖状又は分枝鎖状の2価のC1-12脂肪族炭化水素基、2価のC3-12脂環式炭化水素基、又はこれらの組合せを表し;前記脂肪族炭化水素基又は前記脂環式炭化水素基のメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又は−N(R3)−で置換されていてもよく;前記脂肪族炭化水素基の水素原子は、置換基を有してもよいC3-36脂環式炭化水素基、C6-20芳香族炭化水素基、グリシドキシ基又はC2-4アシル基で置換されていてもよく;前記脂環式炭化水素基の水素原子は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-10脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよいC3-36脂環式炭化水素基、C6-20芳香族炭化水素基、C7-21アラルキル基、グリシドキシ基又はC2-4アシル基で置換されていてもよく;R3は、水素原子、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基を表す。R2は、全水素原子がフッ素原子で置換されているC3-36飽和脂環式炭化水素基、或いは全水素原子がフッ素原子又はフッ素原子及びヒドロキシ基で置換されている直鎖状又は分枝鎖状のC1-16アルキル基を表し;前記飽和脂環式炭化水素基又は前記アルキル基のメチレン基は酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。但しR1及びR2の少なくとも1つは、環状有機基を含む。〕
【0010】
本明細書において「Cx-y」とは、「炭素数がx以上y以下」であることを意味する。また本明細書において「メチレン基が酸素原子等で置換されている脂肪族炭化水素基」とは、「見掛け上、脂肪族炭化水素基のメチレン基が酸素原子等で置換されたとみなされる基」を意味し、「実際上、脂肪族炭化水素基を合成した後に、メチレン基を酸素原子等で置換して得られる基」を意味しない。「水素原子が脂環式炭化水素基等で置換されている脂肪族炭化水素基」等の表現も同様の意味を有する。
【0011】
以下では「式(I)で表される化合物」を「化合物(I)」等と略称することがある。他の式で表される化合物又はモノマー等も同様に略称することがある。
【0012】
化合物(I)は、好ましくは式(I−1)で表される。
HS−(CH2m−CO−O−R1−R2 (I−1)
〔式(I−1)中、mは1〜4の整数を表す。R1及びR2は前記と同じである。〕
【0013】
1及びR2の少なくとも1つが、シクロヘキサン骨格又はアダマンタン骨格を含むことが好ましく、R2が、ペルフルオロシクロへキシル基又はペルフルオロアダマンチル基であることがより好ましい。化合物(I)は、さらに好ましくは、式(I−1−1)、式(I−1−2)又は式(I−1−3)で表される。なお本明細書における化学式は立体異性も包含する。
【0014】
【化2】

【0015】
1がシクロヘキサン骨格又はアダマンタン骨格を含み、R2が分子式(II)で表される化合物も好ましい。
−Cn2n1 (II)
〔式(II)中、nは1〜12の整数を表す。X1はフッ素原子又はヒドロキシ基を表す。〕
なお本明細書において「分子式」とは、「分子又は基を形成する各原子の数を表した化学式」を意味する。
【0016】
2が分子式(II)で表される化合物の中でも、式(I−1−4)で表される化合物が好ましい。
【0017】
【化3】

【0018】
本発明は、化合物(I)の連鎖移動剤としての使用も包含する。また本発明は、化合物(I)の存在下でモノマーをラジカル重合して得られる樹脂も包含する。本発明の樹脂は、酸の作用によりアルカリ可溶となるものが好ましい。なお「酸の作用によりアルカリ可溶となる」とは、「酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となる」ことを意味する。
【0019】
本発明は、前記樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物も包含する。本発明のレジスト組成物は、さらに塩基性化合物を含有していてもよい。
【発明の効果】
【0020】
化合物(I)を連鎖移動剤として用いて得られる樹脂は、液浸露光での欠陥発生を良好に抑制でき、且つ一層優れたラインエッジラフネス及びレジストパターンの形状を実現できる。
【発明を実施するための形態】
【0021】
〈化合物(I)〉
本発明の化合物(I)はスルファニル基(−SH)を有し、ラジカル重合の際にラジカル活性種に水素原子を譲渡して、自らが新たな重合体成長のためのラジカル活性種(−S・)となる連鎖移動剤として作用する。このような作用によって、本発明の化合物(I)は、フッ素原子及び脂環式炭化水素基を重合体の末端に導入できる。そして末端にフッ素原子及び脂環式炭化水素基が導入された重合体は、下記実施例で示すように液浸露光での欠陥発生が抑制され、且つ一層優れたラインエッジラフネス及びレジストパターンの形状を実現できる。以下では化合物(I)の構造、即ち式(I):
HS−L1−R1−R2 (I)
について順に説明する。
【0022】
式(I)中、L1は、直鎖状又は分枝鎖状の2価のC1-10アルカンジイル基を表し;前記アルカンジイル基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。好ましいL1は、直鎖状のC1-8(より好ましくはC1-6、さらに好ましくはC1-4)アルカンジイル基(アルキレン基)である。
【0023】
1はエステル結合(−CO−O−)を含むことが好ましく、より好ましいL1は、直鎖状のアルカンジイル基とエステル結合との組合せである。アルカンジイル基とエステル結合とを有するL1としては、好ましくはHS−直鎖状C1-8アルカンジイル基−CO−O−、より好ましくはHS−直鎖状C1-6アルカンジイル基−CO−O−、さらに好ましくはHS−直鎖状C1-4アルカンジイル基−CO−O−(即ちHS−(CH2m−CO−O−、m:1〜4の整数)である。なおL1の前記説明では、結合の方向を示すためにスルファニル基を記載している。
【0024】
式(I)中、R1は、単結合、直鎖状又は分枝鎖状の2価のC1-12脂肪族炭化水素基、2価のC3-12脂環式炭化水素基、又はこれらの組合せを表す。R1の脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基は飽和および不飽和の炭化水素基を包含するが、好ましくは飽和炭化水素基である。
【0025】
1の脂肪族炭化水素基は、好ましくは、直鎖状のC1-6(より好ましくはC1-4)アルカンジイル基である。
【0026】
1の脂環式炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよい。単環の脂環式炭化水素基としては、シクロアルカンジイル基(例えばシクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロヘプタンジイル基、シクロオクタンジイル基)やシクロアルケンジイル基(例えばシクロペンテンジイル基、シクロヘキセンジイル基、シクロヘプテンジイル基、シクロオクテンジイル基)などが挙げられる。多環の脂環式炭化水素基としては、縮合芳香族炭化水素基を水素化して得られる基(例えばヒドロナフタレンジイル基)、橋かけ環状炭化水素基(例えばアダマンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、ノルボルネンジイル基)などが挙げられる。さらに下記のような、橋かけ環(例えばノルボルナン環)と単環(例えばシクロヘプタン環やシクロヘキサン環)又は多環(例えばデカヒドロナフタレン環)とが縮合した形状の基、或いは橋かけ環同士が縮合した形状の基も、R1の脂環式炭化水素基に含まれる。好ましい2価の脂環式炭化水素基は、シクロヘキサンジイル基及びアダマンタンジイル基である。
【0027】
【化4】

【0028】
1は、上述の2価の脂肪族炭化水素基又は2価の脂環式炭化水素基のメチレン基が、見掛け上、酸素原子、カルボニル基又は−N(R3)−(前記式中、R3は、水素原子、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基を表す)で置換された形状の基を包含する。従って脂肪族炭化水素基は、その末端や内部にエーテル結合(−O−)、カルボニル基(−CO−)又はエステル結合(−CO−O−)を有していてもよく、脂環式炭化水素基は、環状エーテル、環状ケトン又はラクトン環の形状であってもよい。酸素原子又はカルボニル基でメチレン基が置換された脂環式炭化水素としては、シクロヘキサン骨格又はアダマンタン骨格を有するものが好ましく、以下のようなテトラヒドロピラン環、テトラヒドロピラン−2−オン環(δ−バレロラクトン環)、オキソアダマンタン環の基がより好ましい。
【0029】
【化5】

【0030】
1の脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基は、置換基としてC3-36脂環式炭化水素基、C6-20芳香族炭化水素基(例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基など)、グリシドキシ基又はC2-4アシル基(メタノイル基、エタノイル基(アセチル基)、プロパノイル基)を有していてもよい。なお置換基としての脂環式炭化水素基の水素原子は、さらに脂肪族炭化水素基などで置換されていてもよい。さらにR1の脂環式炭化水素基は、これらに加えて、直鎖状又は分枝鎖状のC1-10脂肪族炭化水素基(例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基)、或いはC7-21アラルキル基(例えばベンジル基)を有していてもよい。
【0031】
1が有する脂環式炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよい。単環の脂環式炭化水素基には、シクロアルキル基(例えばシクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基)やシクロアルケニル基(例えばシクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基、シクロオクテニル基)などが含まれる。多環の脂環式炭化水素基には、縮合芳香族炭化水素基を水素化して得られる基(例えばヒドロナフチル基)、橋かけ環状炭化水素基(例えばアダマンチル基、ノルボルニル基)などが含まれる。橋かけ環状炭化水素基は、その内部に不飽和結合を有していてもよい(例えばノルボルネンイル基など)。さらに下記のような、橋かけ環(例えばノルボルナン環)と単環(例えばシクロヘプタン環やシクロヘキサン環)又は多環(例えばデカヒドロナフタレン環)とが縮合した形状の基、或いは橋かけ環同士が縮合した形状の基も、脂環式炭化水素基に含まれる。
【0032】
【化6】

【0033】
1が2価の脂肪族炭化水素基であるときは、置換基として脂環式炭化水素基(より好ましくは飽和脂環式炭化水素基、さらに好ましくはシクロへキシル基又はアダマンチル基)を有していることが好ましい。
【0034】
式(I)中、R2は、C3-36ペルフルオロ飽和脂環式炭化水素基、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-16ペルフルオロアルキル基を表し、前記ペルフルオロ飽和脂環式炭化水素基又はペルフルオロアルキル基のジフルオロメチレン基は酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよく、前記ペルフルオロアルキル基のフッ素原子はヒドロキシ基で置換されていてもよい。以下では説明の便宜上、「ペルフルオロアルキル基」及び「フッ素原子はヒドロキシ基で置換されているペルフルオロアルキル基」をまとめて、「ペルフルオロアルキル基」と略称する。
【0035】
2のペルフルオロ飽和脂環式炭化水素基としては、R1で例示した飽和脂環式炭化水素基の水素原子の全てを、見掛け上、フッ素原子で置換したものが挙げられ、それらの中でも、シクロヘキサン骨格又はアダマンタン骨格を有するものが好ましく、ペルフルオロシクロへキシル基又はペルフルオロアダマンチル基がより好ましい。ペルフルオロシクロへキシル基又はペルフルオロアダマンチル基を有する好ましい化合物(I)として、化合物(I−1−1)〜化合物(I−1−3)が挙げられる。
【0036】
【化7】

【0037】
2のペルフルオロアルキル基としては、分子式(II):
−Cn2n1 (II)
で表されるものが好ましい(式(II)中、nは1〜12、より好ましくは1〜6、さらに好ましくは1〜4の整数を表す。X1はフッ素原子又はヒドロキシ基を表す。)。分子式(II)で表されるR2としては、例えばペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロ−n−プロピル基、ペルフルオロ−i−プロピル基、ペルフルオロ−n−ブチル基、ペルフルオロ−sec−ブチル基、ペルフルオロ−tert−ブチル基など、及びこれらのフッ素原子の1つを見掛け上ヒドロキシ基で置換したものが挙げられる。ペルフルオロアルキル基を有する好ましい化合物(I)として、化合物(I−1−4)が挙げられる。
【0038】
【化8】

【0039】
本発明者らが鋭意検討した結果、R2としてペルフルオロ飽和脂環式炭化水素基を有する化合物(I)を連鎖移動剤として用いて合成した樹脂(即ちペルフルオロ飽和脂環式炭化水素基が末端に導入された樹脂)は、鎖状のペルフルオロアルキル基が導入された樹脂に比べて、液浸露光の際に欠陥発生を抑制でき、且つより一層良好なラインエッジラフネスやレジストパターンの形状を達成できることを見出した。
【0040】
さらに本発明者らが検討を重ねた結果、フッ素原子を含有する基自体が環状でなくても、鎖状のペルフルオロアルキル基の近傍に脂環式炭化水素基が存在すれば、ペルフルオロ飽和脂環式炭化水素基を有するものと同様の効果を発揮できることを見出した。そのため本発明は、R2がペルフルオロ飽和炭化水素基であることに加えて、R1及びR2の少なくとも1つが環状有機基(脂環式炭化水素基、或いはメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置換された脂環式炭化水素基)を含むことを特徴とする。
【0041】
2がペルフルオロアルキル基である場合、R1は、それ自体が2価の脂環式炭化水素基又は2価の脂肪族炭化水素基と2価の脂環式炭化水素基との組合せであるか、或いは置換基として脂環式炭化水素基を有する2価の脂肪族炭化水素基である必要がある。R2のペルフルオロアルキル基とR1の脂環式炭化水素基との間の原子数は、好ましくは3個以内、より好ましくは2個以内である。
【0042】
本発明の化合物(I)、特にエステル結合を有する化合物(I−1)は、スルファニル基を有するカルボン酸:HS−(CH2m−COOHと、アルコール:HO−R1−R2とのエステル化反応によって製造できる(m、R1及びR2は前記と同じである)。カルボン酸の代わりに酸ハライド(好ましくは酸クロライド)を使用してもよい。
【0043】
エステル化反応は、通常、ジクロロエタン、トルエン、エチルベンゼン、モノクロロベンゼン、アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒中で撹拌しながら、20〜200℃程度(好ましくは50〜150℃程度)の温度範囲で行えばよい。
【0044】
エステル化反応では、酸触媒を使用してもよい。酸触媒としては、p−トルエンスルホン酸などの有機酸、及び硫酸等の無機酸が挙げられる。酸触媒は過剰に使用してもよいが、カルボン酸1モルに対して、通常、0.001〜5モル程度(好ましくは0.05〜1モル程度)である。
【0045】
反応時間を短縮するために、ディーンスターク装置などを用いて脱水しながらエステル化反応を行ってもよい。さらにエステル化反応に脱水剤を添加してもよい。脱水剤としては、例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミド;1−アルキル−2−ハロピリジニウム塩;1,1’−カルボニルジイミダゾール;ビス(2−オキソ−3−オキサゾリジニル)ホスフィン酸塩化物;1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩;ジ−2−ピリジル炭酸塩;ジ−2−ピリジルチオノ炭酸塩;4−(ジメチルアミノ)ピリジン存在下での6−メチル−2−ニトロ安息香酸無水物;などが挙げられる。脱水剤を過剰に使用してもよいが、その量は、カルボン酸1モルに対して通常0.5〜5モル程度、好ましくは1〜3モル程度である。
【0046】
エステル化反応後に得られた化合物(I)は、分液やカラムなどによって精製できる。
【0047】
〈樹脂〉
本発明は、化合物(I)を連鎖移動剤として使用して得られる樹脂、即ち化合物(I)の存在下でモノマーをラジカル重合して得られる樹脂も包含する。本発明の樹脂は、単独重合体でもよく、共重合体でもよい。但し本発明の単独重合体は、1種のモノマーに由来する構造単位に加えて、化合物(I)に由来する構造単位を末端に有する。
【0048】
ラジカル重合には、連鎖移動剤として化合物(I)の1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。化合物(I)の全使用量は、モノマーの合計モル数に対して、好ましくは1モル%以上(より好ましくは2モル%以上)、好ましくは10モル%以下(より好ましくは8モル%以下)である。
【0049】
ラジカル重合は、通常、ジオキサン、トルエン、テトラヒドロフラン、メチルイソブチルケトン、イソプロピルアルコール、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチルの溶媒中で撹拌しながら、0〜150℃(好ましくは、40〜100℃)程度の温度範囲で行えばよい。
【0050】
重合開始剤としては、例えば2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(2−メチルバレロニトリル)、1,1’−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)、ジメチル−2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)などの重合分野で公知のものを使用できる。重合開始剤は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。重合開始剤の全使用量は、モノマーの合計モル数に対して、好ましくは0.01〜1モル%程度(より好ましくは0.1〜0.5モル%程度)である。
【0051】
上記のようにして得られる本発明の樹脂の重量平均分子量は、好ましくは2,500以上(より好ましくは3,000以上)、好ましくは100,000以下(より好ましくは50,000以下)である。
【0052】
本発明の樹脂は、好ましくは、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂(以下「樹脂(A)」と略称することがある)である。樹脂(A)は、酸の作用によりアルカリ可溶となるモノマーを化合物(I)の存在下でラジカル重合することによって合成できる。
【0053】
好ましい樹脂(A)は、
(a1)酸の作用によりアルカリ可溶となり、且つC5-20脂環式炭化水素基を有する(メタ)アクリル系モノマー、
(a2)ヒドロキシ基含有アダマンチル基を有する(メタ)アクリル系モノマー、及び
(a3)ラクトン環を有する(メタ)アクリル系モノマー
を少なくとも重合させた共重合体である。
【0054】
以下では前記各モノマーを、順にそれぞれ「酸可溶化モノマー(a1)」、「ヒドロキシアダマンチル型モノマー(a2)」及び「ラクトン型モノマー(a3)」と略称することがある。なお本明細書において「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「CH2=CH−CO−」又は「CH2=C(CH3)−CO−」の構造を有するモノマーを総称する。同様に「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート又はメタクリレート」及び「アクリル酸又はメタクリル酸」を総称する。またヒドロキシアダマンチル型モノマー(a2)は、ヒドロキシ基の代わりに、酸の作用によりヒドロキシ基を形成する基(例えばアルキルカルボニルオキシ基など)を有していてもよい。
【0055】
酸可溶化モノマー(a1)に加えて、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するヒドロキシアダマンチル型モノマー(a2)及びラクトン型モノマー(a3)に由来する構造単位を有する樹脂(A)は、アルカリ現像液への溶解性が一層向上し、化学増幅型ポジ型レジスト組成物の樹脂として有用性が高まる。以下、各モノマーを順に説明する。
【0056】
〈酸可溶化モノマー(a1)〉
酸可溶化モノマー(a1)の脂環式炭化水素基としては、R1で説明した脂環式炭化水素基などが挙げられる。これらの中でも、アダマンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、ノルボルニル基(2つ以上のノルボルニル環が縮合した形状の基を含む)が好ましい。
【0057】
酸可溶化モノマー(a1)は、好ましくは結合位置が3級炭素原子(但し橋かけ環状炭化水素基の橋頭炭素原子を除く)である脂環式炭化水素基を有するモノマーであり、より好ましくは化合物(a1−1)〜化合物(a1−4)である。これらは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
【0058】
【化9】

【0059】
上記式中、La1〜La4は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、−N(Ra12)−、直鎖状又は分枝鎖状のC1-17アルカンジイル基、又はこれらの組合せを表し;Ra12は、水素原子、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基を表す。Ra1〜Ra4は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra5は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基を表し、m1は0〜14の整数を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-4アルコキシ基を表し、n1及びo1はそれぞれ独立に0〜10の整数を表す。但しm1、n1又はo1が0であるとは、それぞれ、Ra5、Ra6又はRa7が存在しないことを意味し、m1、n1又はo1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa5、Ra6又はRa7は、互いに同一でも異なってもよい。Ra8〜Ra10は、それぞれ独立に、直鎖状又は分枝鎖状のC1-8脂肪族炭化水素基、或いはC3-10脂環式炭化水素基を表す。Ra11は、下記式で表されるノルボルニル基又は縮合ノルボルニル基を表す。なお以下では「ノルボルニル基及び縮合ノルボルニル基」を「(縮合)ノルボルニル基」と略称することがある。
【0060】
【化10】

【0061】
上記式中、Ra13は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-8脂肪族炭化水素基、或いはC3-10脂環式炭化水素基を表す。Ra14及びRa15は、それぞれ独立に、水素原子、又はヘテロ原子を含んでもよいC1-8脂肪族炭化水素基を表すか;或いはRa14とRa15とが互いに結合して、炭化水素の環若しくは複素環を形成するか、又はRa14が結合する炭素原子とRa15が結合する炭素原子との間で二重結合を形成していてもよい。
【0062】
a1〜La4が、C1-17アルカンジイル基と酸素原子等との組合せである場合、主鎖を構成する原子数は17個以内であることが好ましい。結合方向を示すために結合方向を示すためにアダマンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基又は(縮合)ノルボルニル基をAdとして表現すると、組合せ形状のLa1〜La4としては、例えば
−O−C1-16アルカンジイル−Ad、−C1-16アルカンジイル−O−Ad、−Ck1アルカンジイル−O−Cj1アルカンジイル−Ad(式中、1≦k1、1≦j1、k1+j1≦16、以下同じ);
−CO−C1-16アルカンジイル−Ad、−C1-16アルカンジイル−CO−Ad、−Ck1アルカンジイル−CO−Cj1アルカンジイル−Ad;
−N(Ra12)−C1-16アルカンジイル−Ad、−C1-16アルカンジイル−N(Ra12)−Ad、−Ck1アルカンジイル−N(Ra12)−Cj1アルカンジイル−Ad;
−CO−O−Ad、−CO−O−C1-15アルカンジイル−Ad、−C1-15アルカンジイル−CO−O−Ad、−Ci1アルカンジイル−CO−O−Ch1アルカンジイル−Ad(式中、1≦i1、1≦h1、i1+h1≦15、以下同じ);
−O−CO−Ad、−O−CO−C1-15アルカンジイル−Ad、−C1-15アルカンジイル−O−CO−Ad、−Ci1アルカンジイル−O−CO−Ch1アルカンジイル−Ad;
−CO−O−C1-14アルカンジイル−O−Ad、−CO−O−C1-14アルカンジイル−CO−O−Ad;
などが挙げられる。
【0063】
好ましいLa1〜La4は、−O−Ad、−O−(CH2g1−CO−O−Ad、−N(Ra17)−(CH2g1−CO−O−Adである(前記式中、g1は1〜7、より好ましくは1〜4、さらに好ましくは1である。Ra17は、水素原子、メチル基又はエチル基である。)。このようなLa1〜La4であれば、化合物(a1−1)〜化合物(a1−4)は、脂環式炭化水素基の3級炭素原子がカルボニルオキシ基(−CO−O−)の酸素原子と結合した構造のエステル、即ち3級アルコール残基を有するエステルに該当する。3級アルコール残基を有するエステルを構造単位として含む樹脂は、酸発生剤から発生した酸の触媒作用で容易に開裂して現像液(アルカリ水溶液)への溶解性が向上するため、好ましい。
【0064】
a1〜Ra4は、好ましくはメチル基である。Ra5〜Ra7は、それぞれ独立に、好ましくはC1-4脂肪族炭化水素基、より好ましくはメチル基であり;m1〜o1は、それぞれ独立に、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
【0065】
a8〜Ra10及びRa13の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは6以下であり、脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは8以下、より好ましくは6以下である。好ましい直鎖状または分枝鎖状の脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基、1−メチルエチル基(i−プロピル基)、1,1−ジメチルエチル基(tert−ブチル基)、2,2−ジメチルエチル基、プロピル基、1−メチルプロピル基、2,2−ジメチルプロピル基、1−エチルプロピル基、ブチル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−プロピルブチル基、ペンチル基、1−メチルペンチル基、ヘキシル基、1,4−ジメチルヘキシル基、ヘプチル基、1−メチルヘプチル基、オクチル基である。好ましい脂環式炭化水素基は、シクロヘプチル基、メチルヘプチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基である。
【0066】
a11は、好ましくはノルボルナン環が1つであるノルボルニル基であり、Ra14及びRa15は、好ましくは水素原子である。
【0067】
アダマンチル基を有する酸可溶化モノマー(a1−1)としては、例えば以下のものが挙げられる。
【0068】
【化11】

【0069】
【化12】

【0070】
【化13】

【0071】
【化14】

【0072】
【化15】

【0073】
【化16】

【0074】
【化17】

【0075】
【化18】

【0076】
【化19】

【0077】
シクロへキシル基を有する酸可溶化モノマー(a1−2)としては、例えば以下のものが挙げられる。
【0078】
【化20】

【0079】
【化21】

【0080】
【化22】

【0081】
シクロヘプチル基を有する酸可溶化モノマー(a1−3)としては、例えば以下のものが挙げられる。
【0082】
【化23】

【0083】
【化24】

【0084】
(縮合)ノルボルニル基を有する酸可溶化モノマー(a1−4)としては、例えば以下のものが挙げられる。
【0085】
【化25】

【0086】
【化26】

【0087】
【化27】

【0088】
【化28】

【0089】
【化29】

【0090】
【化30】

【0091】
酸可溶化モノマー(a1)の中で、アダマンチル基を有するモノマー(a1−1)及びシクロへキシル基を有するモノマー(a1−2)が好ましい。(メタ)アクリル酸1−エチル−1−シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、(メタ)アクリル酸2−イソプロピル−2−アダマンチル、(メタ)アクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、及びメタクリル酸1−(2−メチル−2−アダマンチルオキシカルボニル)メチル(特にメタクリレート形態のもの)が、レジスト組成物の感度及びレジスト膜の耐熱性を向上させるため、より好ましい。
【0092】
〈ヒドロキシアダマンチル型モノマー(a2)〉
ヒドロキシアダマンチル型モノマー(a2)は、ヒドロキシメチル基(−CH2OH)のようなヒドロキシ含有置換基をアダマンタン環上に有していてもよいが、ヒドロキシ基(−OH)そのものをアダマンタン環上に有することが好ましい。ヒドロキシ基の数は、1つでも、2つ以上でもよい。
【0093】
ヒドロキシアダマンチル型モノマー(a2)は、好ましくは式(a2−1)で表される。モノマー(a2−1)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
【0094】
【化31】

【0095】
式(a2−1)中、La5は、酸素原子、カルボニル基、−N(Ra22)−、直鎖状又は分枝鎖状のC1-17アルカンジイル基、又はこれらの組合せを表し;Ra22は、水素原子、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基を表す。Ra18は、水素原子又はメチル基を表す。Ra19は、ヒドロキシ基、又は酸の作用によりヒドロキシ基を形成する基を表す。Ra20及びRa21は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、ヒドロキシ基、又は酸の作用によりヒドロキシ基を形成する基を表す。p1は、0〜10の整数を表す。但しp1が0であるとは、メチル基が存在しないことを意味する
【0096】
a19〜Ra21の酸の作用によりヒドロキシ基を形成する基とは、−O−Cの構造を有し、酸の作用により加水分解してヒドロキシ基を形成できるものであれば、特に限定は無い。そのような基として、例えばアルコキシ基(−O−R)、アルキルカルボニルオキシ基(−O−CO−R)、アルキルオキシカルボニルオキシ基(−O−CO−O−R)などが挙げられる(前記式中、Rはアルキル基を表す)。
【0097】
a5の説明はLa1〜La4と同じである。好ましいRa18はメチル基である。好ましいRa19はヒドロキシ基である。好ましいRa20は水素原子である。好ましいRa21は、水素原子又はヒドロキシ基である。p1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
【0098】
ヒドロキシアダマンチル型モノマー(a2−1)としては、例えば以下のものが挙げられる。
【0099】
【化32】

【0100】
【化33】

【0101】
【化34】

【0102】
【化35】

【0103】
ヒドロキシアダマンチル型モノマー(a2−1)の中でも、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、(メタ)アクリル酸3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチル、メタクリル酸1−(3−ヒドロキシ−1−アダマンチルオキシカルボニル)メチル、メタクリル酸1−(3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルオキシカルボニル)メチルが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。
【0104】
〈ラクトン型モノマー(a3)〉
ラクトン型モノマー(a3)に含まれるラクトン環は、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環のラクトン環と他の環(例えばシクロアルカン環又はノルボルナン環)との縮合環でもよい。好ましいラクトン環は、γ−ブチロラクトン環、及び以下に示すようなγ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環である。
【0105】
【化36】

【0106】
ラクトン型モノマー(a3)は、好ましくは式(a3−1)、式(a3−2)又は式(a3−3)で表される。これらは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
【0107】
【化37】

【0108】
式(a3−1)〜式(a3−3)中、La6〜La8は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、−N(Ra29)−、直鎖状又は分枝鎖状のC1-17アルカンジイル基、又はこれらの組合せを表し、Ra29は、水素原子、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基を表す。Ra23〜Ra25は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra26は、C1-4脂肪族炭化水素基を表し、q1は0〜5の整数を表す。Ra27及びRa28は、それぞれ独立にカルボキシ基、シアノ基又はC1-4脂肪族炭化水素基を表し、r1及びs1は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。但しq1、r1又はs1が0であるとは、それぞれ、Ra26、Ra27又はRa28が存在しないことを意味し、q1、r1又はs1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa26、Ra27又はRa28は、互いに同一でも異なってもよい。
【0109】
a6〜La8の説明はLa1〜La4と同じである。好ましいRa23〜Ra25はメチル基である。好ましいRa26はメチル基である。Ra27及びRa28は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。q1、r1又はs1は、それぞれ独立に、好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。
【0110】
γ−ブチロラクトン環を有するラクトン型モノマー(a3−1)としては、例えば以下のものが挙げられる。
【0111】
【化38】

【0112】
【化39】

【0113】
γ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有するラクトン型モノマー(a3−2)としては、例えば以下のものが挙げられる。
【0114】
【化40】

【0115】
【化41】

【0116】
【化42】

【0117】
【化43】

【0118】
【化44】

【0119】
γ−ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有するラクトン型モノマー(a3−3)としては、例えば以下のものが挙げられる。
【0120】
【化45】

【0121】
【化46】

【0122】
【化47】

【0123】
【化48】

【0124】
ラクトン型モノマー(a3)の中でも、(メタ)アクリル酸(5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロ−2−オキソ−3−フリル、及び(メタ)アクリル酸2−(5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−2−オキソエチルが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。
【0125】
〈その他のモノマー〉
樹脂(A)は、その他のモノマーに由来する構造単位を有していてもよい。その他のモノマーとしては、上述したモノマー(a1−1)〜モノマー(a3−3)以外の(メタ)アクリル系モノマー(a4)、例えば式(a4−1)で表されるモノマーなどが挙げられる。
【0126】
【化49】

【0127】
式(a4−1)中、La9は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、−N(Ra34)−、直鎖状又は分枝鎖状のC1-17アルカンジイル基、又はこれらの組合せを表し;Ra34は、水素原子、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基を表す。Ra30は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra31は、C5-20脂環式炭化水素基を表す。Ra32及びRa33は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基、或いはC5-20脂環式炭化水素基を表し;前記脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基の水素原子は、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
【0128】
a9の説明はLa1〜La4と同じである。好ましいRa30はメチル基である。Ra31は、好ましくはシクロへキシル基、ノルボルニル基又はアダマンチル基、より好ましくはシクロへキシル基である。Ra32及びRa33は、それぞれ独立に、好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、C1-4脂肪族炭化水素基、或いはフッ素原子及び/又はヒドロキシ基を含有するC1-4脂肪族炭化水素基である。
【0129】
また式(a5−1)で表される無水マレイン酸、式(a5−2)で表される無水イタコン酸、又は式(a5−3)で表されるノルボルネンなどのような重合性の炭素−炭素二重結合を有する化合物も、その他のモノマーとして使用できる。
【0130】
【化50】

【0131】
式(a5−3)中、Ra35及びRa36は、それぞれ独立に、水素原子、置換基(例えばヒドロキシ基)を有していてもよいC1-3脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基、又はアルコキシカルボニル基(−COORa37)を表す。但しRa35及びRa36の両方がカルボキシ基である場合、Ra35及びRa36が互いに結合して、カルボン酸無水物を形成してもよい。Ra37は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-8脂肪族炭化水素基、或いはC4-36脂環式炭化水素基を表し;前記脂環式炭化水素基のメチレン基は酸素原子又はカルボキシ基で置換されていてもよい。
【0132】
a35及びRa36の脂肪族炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基、−COORa37などが挙げられる。Ra37としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、2−オキソ−オキソラン3−イル基、2−オキソ−オキソラン4−イル基などが挙げられる。
【0133】
ノルボルネン(a5−3)としては、例えば2−ノルボルネン、2−ヒドロキシ−5−ノルボルネン、5−ノルボルネン−2−カルボン酸、5−ノルボルネン−2−カルボン酸メチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−ヒドロキシ−1−エチル、5−ノルボルネン−2−メタノール、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物などが挙げられる。
【0134】
酸に不安定な基、例えばオキシ基(−O−)が3級炭素原子(但し橋かけ環状炭化水素基の橋頭炭素原子を除く)と結合したアルコキシカルボニル基−COORa37を有するノルボルネン(a4−3)(即ち3級アルコール残基を有するエステル)は、嵩高いノルボルネン環構造を有しているにもかかわらず酸で容易に開裂して、共重合体の可溶性を向上させることができる。酸に不安定な基を有するノルボルネン(a4−3)としては、例えば、5−ノルボルネン−2−カルボン酸−t−ブチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−シクロヘキシル−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチルシクロヘキシル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−メチル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−エチル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−メチルシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチル−1−(4−オキソシクロヘキシル)エチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(1−アダマンチル)−1−メチルエチルなどが挙げられる。
【0135】
〈レジスト組成物〉
本発明は、樹脂(A)及び酸発生剤を含有するレジスト組成物も提供する。本発明のレジスト組成物は、化学増幅型ポジ型レジスト組成物として有用である。一般的な化学増幅型ポジ型レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂のほかに、通常、酸発生剤(B)及び溶剤(D)を含有し、場合により塩基性化合物(C)を含有する。以下、これら各成分について順に説明する。
【0136】
〈酸発生剤(B)〉
本発明のレジスト組成物は、酸発生剤(B)(好ましくは光酸発生剤)を、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上(好ましくは3質量部以上)、好ましくは30質量部以下(より好ましくは20質量部以下、さらに好ましくは15質量部以下)の量で含有する。
【0137】
酸発生剤は、非イオン系(例えば有機ハロゲン化物、スルホン酸エステル、スルホン等)とイオン系とに分類され、イオン系が好ましい。イオン系酸発生剤は、無機アニオン(例えばBF4-、PF6-、AsF6-、SbF6-)を有するものと、有機アニオン(例えばスルホン酸アニオン、ビススルホニルアミンアニオン)を有するものとがあり、これらの中でもスルホン酸アニオンを有するものが好ましい。酸発生剤(B)は、好ましくは、式(B1)で表されるスルホン酸塩である。
【0138】
【化51】

【0139】
式(B1)中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1-6ペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合、酸素原子、カルボニル基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-17アルカンジイル基、或いは酸素原子、カルボニル基及びC1-17アルカンジイル基からなる群から選ばれる2種以上の組合せを表す。Yは、置換基を有していてもよいC3-36脂環式炭化水素基を表し、前記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。Z+は、有機カチオンを表す。
【0140】
1及びQ2のC1-6ペルフルオロアルキル基としては、例えばペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロn−プロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロn−ブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロn−ペンチル基、ペルフルオロn−ヘキシル基などが挙げられる。これらの中で、ペルフルオロメチル基及びフッ素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
【0141】
Yの脂環式炭化水素基としては、上述のものが例示でき、それらの中でも、置換基を有していてもよいアダマンチル基及び置換基を有していてもよいオキソアダマンチル基が好ましい。
【0142】
Yの置換基としては、例えばハロゲン原子、ヒドロキシ基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-12脂肪族炭化水素基、C3-12脂環式炭化水素基、ヒドロキシ基含有C1-12脂肪族炭化水素基、C1-12アルコキシ基、C6-20芳香族炭化水素基、C7-21アラルキル基、C2-4アシル基、グリシドキシ基、或いは−(CH2m2−O−CO−Rb1基(式中、Rb1は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-16脂肪族炭化水素基、C3-16脂環式炭化水素基、又はC6-20芳香族炭化水素基を表す。m2は、0〜4の整数を表す。但しm2が0であるとはメチレン基が存在しないことを意味する。)などが挙げられる。ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。直鎖状又は分枝鎖状の脂肪族炭化水素基や脂環式炭化水素基としては、樹脂(A)で説明したものなどが例示できる。ヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基としては、例えばヒドロキシメチル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基などが挙げられる。アラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基などが挙げられる。アシル基としては、例えばアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基などが挙げられる。複数の置換基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【0143】
脂環式炭化水素基としては、例えば式(W1)〜式(W24)で表されるものが挙げられる。これらの中でも式(W11)(アダマンタン環)、式(W14)(2−オキソアダマンタン環)、式(W15)(γ−ブチロラクトン環)及び式(W19)(γ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環)が好ましく、式(W11)及び式(W14)がより好ましい。
【0144】
【化52】

【0145】
脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。
【0146】
【化53】

【0147】
ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。
【0148】
【化54】

【0149】
芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。
【0150】
【化55】

【0151】
−(CH2m2−O−CO−Rb1基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。
【0152】
【化56】

【0153】
b1のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ブタン−1,3−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基などが挙げられる。
【0154】
b1のアルカンジイル基は、直鎖状又は分枝鎖状の脂肪族炭化水素基或いは脂環式炭化水素基(好ましくは直鎖状又は分枝鎖状のC1-4脂肪族炭化水素基)の側鎖を有していてもよい。アルカンジイル基の側鎖としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基などが挙げられる。
【0155】
b1は、酸素原子、カルボニル基及びC1-17アルカンジイル基からなる群から選ばれる2種以上の組合せでもよい。そのような組合せとしては、La1〜La4で説明したものが挙げられる。
【0156】
b1は、好ましくは式(b1−1)〜式(b1−4)で示される連結部のいずれかである。なお式(b1−1)〜式(b1−4)では、結合の方向を示すためにYも記載している。
【0157】
【化57】

【0158】
式(b1−1)〜式(b1−4)中、Lb2は、単結合、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-15アルカンジイル基を表す。Lb3は、単結合、直鎖状又は分枝鎖状のC1-15アルカンジイル基、又は直鎖状又は分枝鎖状のC1-15アルカンジイル基と酸素原子との組合せを表す。Lb4〜Lb7は、それぞれ独立に、直鎖状又は分枝鎖状のC1-15アルカンジイル基を表す。Lb2〜Lb7のアルカンジイル基の炭素数は、好ましくは1〜6、より好ましくは1〜4、さらに好ましくは1又は2である。これらの中でも、連結部(b1−1)が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である連結部(b1−1)がより好ましい。
【0159】
連結部(b1−1)を有するスルホン酸アニオンの中でも、式(b1−1−1)〜式(b1−1−9)で表されるものが好ましい。
【0160】
【化58】

【0161】
式(b1−1−1)〜式(b1−1−9)中、Q1、Q2及びLb2は、前記と同じである。Rb2及びRb3は、それぞれ独立にC1-4脂肪族炭化水素基(好ましくはメチル基)を表す。
【0162】
次に具体的なスルホン酸アニオンを例示する。まず、無置換の脂環式炭化水素基と連結部(b1−1)とを含むスルホン酸アニオン;又は置換基として脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−1)とを含むスルホン酸アニオン;としては、例えば以下のものが挙げられる。
【0163】
【化59】

【0164】
【化60】

【0165】
【化61】

【0166】
置換基として−(CH2m2−O−CO−Rb1基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−1)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0167】
【化62】

【0168】
置換基としてヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−1)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0169】
【化63】

【0170】
【化64】

【0171】
【化65】

【0172】
【化66】

【0173】
置換基として芳香族炭化水素基又はアラルキル基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−1)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0174】
【化67】

【0175】
環状エーテルと連結部(b1−1)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0176】
【化68】

【0177】
ラクトン環と連結部(b1−1)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0178】
【化69】

【0179】
【化70】

【0180】
オキソ基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−1)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0181】
【化71】

【0182】
無置換の脂環式炭化水素基と連結部(b1−2)とを含むスルホン酸アニオン;又は置換基として脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−2)とを含むスルホン酸アニオン;としては、例えば以下のものが挙げられる。
【0183】
【化72】

【0184】
【化73】

【0185】
【化74】

【0186】
【化75】

【0187】
【化76】

【0188】
置換基として−(CH2m2−O−CO−Rb1基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−2)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0189】
【化77】

【0190】
置換基としてヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−2)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0191】
【化78】

【0192】
【化79】

【0193】
ラクトン環と連結部(b1−2)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0194】
【化80】

【0195】
オキソ基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−2)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0196】
【化81】

【0197】
置換基として芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−2)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0198】
【化82】

【0199】
無置換の脂環式炭化水素基と連結部(b1−3)とを含むスルホン酸アニオン;又は置換基として脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−3)とを含むスルホン酸アニオン;としては、例えば以下のものが挙げられる。
【0200】
【化83】

【0201】
置換基としてアルコキシ基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−3)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0202】
【化84】

【0203】
置換基としてヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−3)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0204】
【化85】

【0205】
オキソ基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−3)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0206】
【化86】

【0207】
置換基として脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−4)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0208】
【化87】

【0209】
置換基としてアルコキシ基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−4)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0210】
【化88】

【0211】
置換基としてヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−4)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0212】
【化89】

【0213】
オキソ基を有する脂環式炭化水素基と連結部(b1−4)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【0214】
【化90】

【0215】
上述のもののなかでも、連結部(b1−1)を有する以下のスルホン酸アニオンが好ましい。
【0216】
【化91】

【0217】
次に酸発生剤(B)に含まれるカチオンについて説明する。酸発生剤のカチオンとしては、オニウムカチオン、例えばスルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。
【0218】
式(B1)中のZ+は、好ましくは式(b2−1)〜式(b2−4)のいずれかで表される。
【0219】
【化92】

【0220】
式(b2−1)中、Rb4〜Rb6は、それぞれ独立に、直鎖状又は分枝鎖状のC1-30脂肪族炭化水素基、C3-30脂環式炭化水素基、或いはC6-20芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基および芳香族炭化水素基は、ヒドロキシ基、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-12アルコキシ基で置換されていてもよく;前記脂肪族炭化水素基および脂環式炭化水素基はC6-20芳香族炭化水素基で置換されていてもよく;前記脂肪族炭化水素基および芳香族炭化水素基はC3-30脂環式炭化水素基で置換されていてもよく;前記脂環式炭化水素基および芳香族炭化水素基は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-12脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。
【0221】
式(b2−2)中、Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-12脂肪族炭化水素基、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-12アルコキシ基を表し、n2及びo2は、それぞれ独立に0又は1を表す。但しn2又はo2が0であるとは、それぞれの置換基が存在しないことを意味する。
【0222】
式(b2−3)中、Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、直鎖状又は分枝鎖状C1-12脂肪族炭化水素基、C3-36(好ましくはC4-12)脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、直鎖状又は分枝鎖状C1-12脂肪族炭化水素基、C4-36脂環式炭化水素基、或いはC6-20芳香族炭化水素基を表し、好ましくは水素原子である。Rb12は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-12脂肪族炭化水素基、C3-12脂環式炭化水素基、或いはC6-20芳香族炭化水素基を表す。但しRb11及びRb12の芳香族炭化水素基は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-12脂肪族炭化水素基、C3-12脂環式炭化水素基、ヒドロキシ基、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-12アルコキシ基などで置換されていてもよい。またRb9とRb10と、及びRb11とRb12とは、互いに結合して3員環〜12員環(好ましくは3員環〜6員環)を形成していてもよく、これらの環のメチレン基は、酸素原子、硫黄原子(−S−)、カルボニル基で置換されていてもよい。
【0223】
式(b2−4)中、Rb13〜Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-12脂肪族炭化水素基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-12アルコキシ基を表す。Lb7は、硫黄原子又は酸素原子を表す。p2〜u2は、それぞれ独立に、0〜2の整数を表し、v2は0又は1を表す。但しp2〜v2のいずれかが0であるとは、それぞれの置換基が存在しないことを意味し、p2〜u2のいずれかが2であるとき、それぞれ、複数のRb13〜Rb18のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。
【0224】
次に式(b2−1)〜式(b2−4)に含まれる置換基を説明する。脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基および芳香族炭化水素基としては、上述したものを例示できる。好ましい脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、及び2−エチルヘキシル基である。好ましい脂環式炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2−アルキル−2−アダマンチル基、1−(1−アダマンチル)−1−アルキル基、及びイソボルニル基である。好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−t−ブチルフェニル基、4−シクロへキシルフェニル基、4−メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。置換基として芳香族炭化水素基を有する脂肪族炭化水素基(アラルキル基)としては、ベンジル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブチトキシ基、tert−ブチトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキトキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基などが挙げられる。Rb9及びRb10が形成する環としては、例えばチオラン−1−イウム環(テトラヒドロチオフェニウム環)、チアン−1−イウム環、1,4−オキサチアン−4−イウム環などが挙げられる。Rb11及びRb12が形成する環としては、例えばオキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。
【0225】
カチオン(b2−1)〜カチオン(b2−4)の中でも、カチオン(b2−1)が好ましく、式(b2−1−1)で表されるものがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、w2=x2=y2=0)がさらに好ましい。
【0226】
【化93】

【0227】
式(b2−1−1)中、Rb19〜Rb21は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-12脂肪族炭化水素基、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-12アルコキシ基を表す。w2〜y2は、それぞれ独立に0〜3の整数(好ましくは0又は1)を表す。但しw2〜y2のいずれかが0であるとは、それぞれ、Rb19〜Rb21が存在しないことを意味し、w2〜y2のいずれかが2以上のとき、それぞれ、複数のRb19〜Rb21のいずれかは、互いに同一でも異なってもよい。
【0228】
さらに式(b2−1−1)中のRb19〜Rb21は、それぞれ独立に、C4-36脂環式炭化水素基であってもよい。好ましい脂環式炭化水素基はアダマンチル基及びイソボルニル基である。また脂環式炭化水素基の水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-12脂肪族炭化水素基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-12アルコキシ基、C6-12アリール基、C7-12アラルキル基、グリシドキシ基、或いはC2-4アシル基で置換されていてもよい。
【0229】
次に酸発生剤(B)に含まれる具体的なカチオンを例示する。まずカチオン(b2−1−1)の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【0230】
【化94】

【0231】
【化95】

【0232】
カチオン(b2−2)の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【0233】
【化96】

【0234】
カチオン(b2−3)の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【0235】
【化97】

【0236】
【化98】

【0237】
カチオン(b2−4)の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【0238】
【化99】

【0239】
【化100】

【0240】
【化101】

【0241】
【化102】

【0242】
酸発生剤(B1)は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができるが、アニオン(b1−1−1)〜アニオン(b1−1−9)のいずれかとカチオン(b2−1−1)との組合せ、並びにアニオン(b1−1−3)〜(b1−1−5)のいずれかとカチオン(b2−3)との組合せが好ましい。
【0243】
好ましい酸発生剤(B1)は、式(B1−1)〜式(B1−16)で表されるものであり、これらの中でもトリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤(B1−1)、(B1−2)、(B1−6)、(B1−11)、(B1−12)、(B1−13)及び(B1−14)がより好ましい。
【0244】
【化103】

【0245】
【化104】

【0246】
【化105】

【0247】
【化106】

【0248】
酸発生剤(B1)は、例えば下記式のように、スルホン酸塩(b3−1)のカチオンMa+を、塩(b3−2)のカチオンZ+で交換することによって製造できる(下記式中、Ma+は、Li+、Na+、K+又はAg+を表し、An-は、F-、Cl-、Br-、I-、BF4-、AsF6-、SbF6-、PF6-又はClO4-を表す。)。
【0249】
【化107】

【0250】
カチオン交換反応は、通常、アセトニトリル、水、メタノール、クロロホルム、塩化メチレン等の不活性溶媒中で、0〜150℃程度(好ましくは0〜100℃程度)の温度範囲で行うことができる。塩(b3−2)の使用量は、塩(b3−1)1モルに対して、通常、0.5〜2モル程度である。得られた酸発生剤(B1)は、水洗・再結晶などによって精製できる。
【0251】
カチオン交換反応の出発原料であるスルホン酸塩(b3−1)は、様々な反応経路で製造できる。例えば連結部(b1−1)を有するスルホン酸塩(b3−1−1)は、下記式のように、カルボキシ基を有するスルホン酸塩(b4−1)とアルコール(b4−2)とのエステル化反応によって製造できる(下記式中の記号は前記と同じである。)。
【0252】
【化108】

【0253】
またスルホン酸塩(b3−1−1)は、下記式に示されるように、カルボキシ基を有するスルホニルフルオリド(b4−3)とアルコール(b4−2)とのエステル化反応後に、得られたスルホニルフルオリドをMbOHで加水分解することによっても製造できる(下記式中、Mbは、Li、Na、Kなどのアルカリ金属を表し、好ましくはLi又はNaである。他の記号は前記と同じである。)。
【0254】
【化109】

【0255】
スルホン酸塩(b4−1)又はスルホニルフルオリド(b4−3)の使用量は、アルコール(b4−2)1モルに対して、通常0.2〜3モル程度、好ましくは0.5〜2モル程度である。
【0256】
エステル化反応は、通常、ジクロロエタン、トルエン、エチルベンゼン、モノクロロベンゼン、アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒中で撹拌しながら、20〜200℃程度(好ましくは50〜150℃程度)の温度範囲で行えばよい。
【0257】
エステル化反応では、酸触媒を使用してもよい。酸触媒としては、p−トルエンスルホン酸などの有機酸、及び硫酸等の無機酸が挙げられる。酸触媒は過剰に使用してもよいが、カルボキシ基を有する化合物(カルボン酸)1モルに対して、通常、0.001〜5モル程度である。
【0258】
反応時間を短縮するために、ディーンスターク装置などを用いて脱水しながらエステル化反応を行ってもよい。さらにエステル化反応に脱水剤を添加してもよい。脱水剤としては、例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミド;1−アルキル−2−ハロピリジニウム塩;1,1’−カルボニルジイミダゾール;ビス(2−オキソ−3−オキサゾリジニル)ホスフィン酸塩化物;1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩;ジ−2−ピリジル炭酸塩;ジ−2−ピリジルチオノ炭酸塩;4−(ジメチルアミノ)ピリジン存在下での6−メチル−2−ニトロ安息香酸無水物;などが挙げられる。脱水剤を過剰に使用してもよいが、その量は、カルボン酸1モルに対して通常0.5〜5モル程度、好ましくは1〜3モル程度である。
【0259】
連結部(b1−2)を有するスルホン酸塩は、連結部(b1−1)を有するスルホン酸塩(b3−1−1)と同様の方法によって製造できる。
【0260】
連結部(b1−3)を有するスルホン酸塩(b3−1−3)は、例えば下記式のように、ヒドロキシ基を有するスルホン酸塩(b4−4)と、カルボン酸(b4−5)又は酸ハライド(b4−6)とのエステル化反応によって製造できる(下記式中、X1は、ハロゲンを表す。他の記号は前記と同じである。)。
【0261】
【化110】

【0262】
またスルホン酸塩(b3−1−3)は、下記式に示されるように、ヒドロキシ基を有するスルホニルフルオリド(b4−7)と、カルボン酸(b4−5)又は酸ハライド(b4−6)とのエステル化反応後に、得られたスルホニルフルオリドをMbOHで加水分解することによっても製造できる(下記式中の記号は前記と同じである。)。
【0263】
【化111】

【0264】
スルホン酸塩(b4−4)又はスルホニルフルオリド(b4−7)の使用量は、カルボン酸(b4−5)又は酸ハライド(b4−6)1モルに対して、通常0.5〜3モル程度、好ましくは1〜2モル程度である。その他の反応条件は、上述のエステル化反応と同様である。但し酸ハライド(b4−6)を用いるエステル化反応では、脱酸剤を使用してもよい。脱酸剤としては、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基、又は水酸化ナトリウム、炭酸カリウム等の無機塩基が挙げられる。脱酸剤は過剰に使用してもよいが、その量は、酸ハライド(b4−6)1モルに対して、通常0.001〜5モル程度、好ましくは1〜3モル程度である。
【0265】
酸ハライド(b4−6)は、カルボン酸(b4−5)と、塩化チオニル、臭化チオニル、三塩化リン、五塩化リン、三臭化リン等とを反応させることによって合成できる。酸ハライドの合成反応は、通常、ジクロロエタン、トルエン、エチルベンゼン、モノクロロベンゼン、N,N−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒中で撹拌しながら、20〜200℃程度(好ましくは50〜150℃程度)の温度範囲で行うことができる。この酸ハライドの合成反応では、アミン化合物を触媒として使用してもよい。
【0266】
連結部(b1−4)を有するスルホン酸塩(b3−1−4)は、例えば下記式のように、ヒドロキシ基を有するスルホン酸塩(b4−8)と、アルコール(b4−9)又は脱離基X2を有する化合物(b4−10)とのエーテル化反応によって製造できる(下記式中、X2は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メシルオキシ基、トシルオキシ基又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表す。他の記号は前記と同じである。)。
【0267】
【化112】

【0268】
またスルホン酸塩(b3−1−4)は、下記式に示されるように、ヒドロキシ基を有するスルホニルフルオリド(b4−11)と、アルコール(b4−9)又は脱離基含有化合物(b4−10)とのエーテル化反応後に、得られたスルホニルフルオリドをMbOHで加水分解することによっても製造できる(下記式中の記号は前記と同じである。)。
【0269】
【化113】

【0270】
スルホン酸塩(b4−8)又はスルホニルフルオリド(b4−11)の使用量は、アルコール(b4−9)又は脱離基含有化合物(b4−10)1モルに対して、通常0.5〜3モル程度、好ましくは1〜2モル程度である。
【0271】
エーテル化反応は、通常、ジクロロエタン、トルエン、エチルベンゼン、モノクロロベンゼン、アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒中で撹拌しながら、20〜200℃程度(好ましくは50〜150℃程度)の温度範囲で行えばよい。
【0272】
エーテル化反応では、酸触媒を使用してもよい。酸触媒としては、p−トルエンスルホン酸などの有機酸、及び硫酸等の無機酸が挙げられる。酸触媒は過剰に使用してもよいが、アルコール(b4−9)又は脱離基含有化合物(b4−10)1モルに対して、通常、0.001〜5モル程度である。
【0273】
反応時間を短縮するために、ディーンスターク装置などを用いて脱水しながらエーテル化反応を行ってもよい。さらにエーテル化反応に脱水剤を添加してもよい。脱水剤としては、例えば、1,1’−カルボニルジイミダゾール、N,N’−ジシクロヘキシルカルボジイミド等などが挙げられる。脱水剤を過剰に使用してもよいが、その量は、アルコール(b4−9)又は脱離基含有化合物(b4−10)1モルに対して、通常0.5〜5モル程度、好ましくは1〜3モル程度である。
【0274】
脱離基含有化合物(b4−10)を用いるエーテル化反応では、脱酸剤を使用してもよい。脱酸剤として、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基、又は水酸化ナトリウム、炭酸カリウム等の無機塩基が挙げられる。脱酸剤は過剰に使用してもよいが、その量は、脱離基含有化合物(b4−10)1モルに対して、通常0.001〜5モル程度、好ましくは1〜3モル程度である。
【0275】
脱離基含有化合物(b4−10)は、アルコール(b4−9)と、塩化チオニル、臭化チオニル、三塩化リン、五塩化リン、三臭化リン、メシルクロリド、トシルクロリド、トリフルオロメタンスルホン酸無水物等とを反応させることによって合成できる。前記合成反応は、通常、ジクロロエタン、トルエン、エチルベンゼン、モノクロロベンゼン、N,N−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒中で撹拌しながら、−70〜200℃程度(好ましくは−50〜150℃程度)の温度範囲で行うことができる。前記合成反応では、脱酸剤を用いてもよい。脱酸剤としては、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基あるいは水酸化ナトリウム、炭酸カリウム等の無機塩基が挙げられる。前記合成反応において脱酸剤を過剰に使用してもよいが、その量は、通常、アルコール(b4−9)1モルに対して、通常0.001〜5モル程度で、好ましくは1〜3モル程度である。
【0276】
〈塩基性化合物(C)〉
本発明のレジスト組成物に、クエンチャーとして塩基性化合物(C)を添加してもよい。例えば、露光後の引き置きに伴う酸失活によって生ずるレジスト膜の性能劣化を、塩基性化合物(C)を使用することで抑制できる。塩基性化合物(C)を使用する場合、その量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは0.01質量部以上(より好ましくは0.05部以上、さらに好ましくは0.1質量部以上)、好ましくは5質量部以下(より好ましくは3質量部以下、さらに好ましくは2質量部以下)である。
【0277】
塩基性化合物(C)は、窒素含有塩基性化合物が好ましい。窒素含有塩基性化合物には、アミン及びアンモニウムヒドロキシドが含まれる。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、1級アミン〜3級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香族環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物(C)は、式(C1)で表される芳香族アミン、特に式(C1−1)で表されるアニリンである。
【0278】
【化114】

【0279】
式(C1)中、Arc1は、C6-20芳香族炭化水素基を表す。Rc1及びRc2は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基、C5-10脂環式炭化水素基、或いはC6-20芳香族炭化水素基を表す。但し脂肪族炭化水素基および芳香族炭化水素基は、ヒドロキシ基、アミノ基、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-6アルコキシ基で置換されていてもよい。さらに脂肪族炭化水素基はC6-20芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、芳香族炭化水素基は直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基、C5-10脂環式炭化水素基で置換されていてもよい。またアルコキシ基は、ヒドロキシ基、アミノ基或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-6アルコキシ基で置換されていてもよく、アミノ基は、C1-4脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。
【0280】
式(C1−1)中、Rc1及びRc2は、前記と同じである。Rc3は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基、C5-10脂環式炭化水素基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6アルコキシ基、或いはC6-20芳香族炭化水素基を表す。但し脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基は、式(C1)で説明した置換基を有していてもよい。m3は0〜3の整数を表す。但しm3が0であるとは、Rc3が存在しないことを意味し、m3が2以上のとき、複数のRc3は、互いに同一でも異なってもよい。
【0281】
芳香族アミン(C1)としては、例えば1−ナフチルアミン及び2−ナフチルアミンなどが挙げられる。アニリン(C1−1)としては、例えばアニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。これらの中でもジイソプロピルアニリン(特に2,6−ジイソプロピルアニリン)が好ましい。
【0282】
別の好ましい塩基性化合物(C)は、式(C2)で表される4級アンモニウムヒドロキシドである。
【0283】
【化115】

【0284】
式(C2)中、Rc4〜Rc6は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基、C5-10脂環式炭化水素基、或いはC6-20芳香族炭化水素基を表す。Rc7は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基、或いはC5-10脂環式炭化水素基を表す。但し脂肪族炭化水素基および芳香族炭化水素基は、式(C1)で説明した置換基を有していてもよい。
【0285】
4級アンモニウムヒドロキシド(C2)としては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド(例えばテトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド)、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド(例えばテトラ−n−オクチルアンモニウムヒドロキシド)、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、コリンなどが挙げられる。これらの中でも、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−トリフルオロメチル−フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。
【0286】
その他の塩基性化合物(C)としては、式(C3)〜式(C11)で表される化合物が挙げられる。
【0287】
【化116】

【0288】
式(C3)中のRc8は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基、或いはC5-10脂環式炭化水素基を表し、Rc9及びRc10は、水素原子、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基、或いはC5-10脂環式炭化水素基を表す。式(C4)〜式(C8)中の窒素原子と結合するRc11〜Rc14、Rc16〜Rc19及びRc22は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基、C5-10脂環式炭化水素基、或いはC6-20芳香族炭化水素基を表す。式(C6)中のRc15は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基、C3-6脂環式炭化水素基、或いはC2-6アルカノイル基を表し、n3は0〜8の整数を表す。但しn3が0であるとは、Rc15が存在しないことを意味し、n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なってもよい。式(C8)中の芳香族炭素と結合するRc23は、水素原子、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基、C5-10脂環式炭化水素基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6アルコキシ基、或いはC6-20芳香族炭化水素基を表す。式(C7)及び式(C9)〜式(C11)中の芳香族炭素と結合するRc20、Rc21及びRc24〜Rc28は、それぞれ独立に、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基、C5-10脂環式炭化水素基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6アルコキシ基、或いはC6-20芳香族炭化水素基を表し、o3〜u3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。但しo3〜u3のいずれかが0であるとは、それぞれの置換基が存在しないことを意味し、o3〜u3のいずれかが2以上であるとき、それぞれ、複数のRc20〜Rc28のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。式(C7)及び式(C10)のLc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価のC2-6脂肪族炭化水素基(好ましくはC2-6アルキレン基)、カルボニル基、−N(Rc29)−、チオ基(−S−)、ジチオ基(−S−S−)、又はこれらの組合せを表し、Rc29は、水素原子、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基を表す。また式(C3)〜式(C11)中の脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基は、式(C1)で説明した置換基を有していてもよい。
【0289】
化合物(C3)としては、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられる。
【0290】
化合物(C4)としては、例えばピペラジンなどが挙げられる。化合物(C5)としては、例えばモルホリンなどが挙げられる。化合物(C6)としては、例えばピペリジン、及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。化合物(C7)としては、例えば2,2’−メチレンビスアニリンなどが挙げられる。
【0291】
化合物(C8)としては、例えば、イミダゾール、4−メチルイミダゾールなどが挙げられる。化合物(C9)としては、例えば、ピリジン、4−メチルピリジンなどが挙げられる。化合物(C10)としては、例えば、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミンなどが挙げられる。化合物(C11)としては、例えばビピリジンなどが挙げられる。
【0292】
〈溶剤(D)〉
樹脂(A)、酸発生剤(B)、塩基性化合物(C)、及び後述するその他の任意成分(E)は、通常、溶剤(D)に溶解している。溶剤(D)としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ−ブチロラクトンのような環状エステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどを挙げることができる。
【0293】
溶剤(D)の含有量は、レジスト組成物全体に対して、通常、50質量%以上(好ましくは70質量%以上、より好ましくは90質量%以上)、99質量%以下(好ましくは97質量%以下)である。
【0294】
〈その他の任意成分(E)〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の任意成分(E)を含有していてもよい。任意成分(E)に特に限定は無く、レジスト分野で公知の添加剤、例えば増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料などを利用できる。
【0295】
本発明のレジスト組成物は、化学増幅型ポジ型レジスト組成物として有用である。本発明のレジスト組成物は、液浸露光の用途に好適であるが、ドライ露光に用いてもよい。さらに本発明のレジスト組成物は、ダブルイメージングに用いることもできる。以下、本発明のレジスト組成物からレジストパターンを製造する方法を説明する。
【0296】
〈レジストパターンの製造方法〉
レジストパターンの製造方法は、
(1)本発明のレジスト組成物を基体上に塗布してレジスト膜を得る工程(以下「塗布工程1」と略称する)と、
(2)レジスト膜をプリベークする工程(以下「プリベーク工程2」と略称する)と、
(3)プリベークしたレジスト膜を露光する工程(以下「露光工程3」と略称する)と、
(4)露光したレジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程(以下「ポストエクスポージャーベーク工程4」と略称する)と、
(5)ポストエクスポージャーベークしたレジスト膜をアルカリ現像液で現像してレジストパターンを得る工程(以下「現像工程5」と略称する)と
を含む。以下、各工程を順に説明する。
【0297】
〈塗布工程1〉
レジスト組成物を塗布するにあたっては、予め、レジスト組成物の各成分を溶剤中で混合した後、ポアサイズが0.2μm以下程度のフィルタでろ過しておくことが望ましい。ろ過することで、レジスト組成物を塗布する際の均一性が向上する。
【0298】
レジスト組成物が塗布される基体としては、用途に応じて適宜設定でき、例えばセンサ、回路、トランジスタなどが形成されたシリコンウエハ、石英ウエハなどが挙げられる。
【0299】
基体上にレジスト組成物の塗膜を形成する方法は特に限定されず、スピンコート法などの通常の塗布方法を適宜採用できる。
【0300】
〈プリベーク工程2〉
プリベークによって、レジスト膜の機械的強度を高め、露光後のレジスト膜中の活性種(H+)の拡散度合いを調整することができる。プリベーク温度TPBは、例えば50〜200℃程度である。
【0301】
〈露光工程3〉
プリベーク後のレジスト膜に、目的のパターン(例えばコンタクトホール)に対応するマスクを介して露光が行われる。露光機としては、例えば縮小投影型露光装置が用いられる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2レーザ(波長157nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源(YAG又は半導体レーザ等)からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを使用できる。露光量は、各成分の種類及び含有量に応じて適宜選択すればよい。
【0302】
〈ポストエクスポージャーベーク工程4〉
露光後のレジスト膜で活性種(H+)の拡散及び活性種による反応を促進するために、ポストエクスポージャーベークが行われる。ポストエクスポージャーベーク温度TPEBは、通常50〜200℃程度、好ましくは70〜150℃程度である。
【0303】
〈現像工程5〉
現像は、現像装置を用いて、レジスト膜が設けられた基体を通常の現像液に接触することで行えばよい。現像液としては、例えばアルカリ水溶液(詳しくは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等)が用いられる。現像液には、必要に応じて界面活性剤を添加してもよい。現像液を振り切り、水洗し、次いで水を除去することによってレジストパターンを形成することが好ましい。
【実施例】
【0304】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって制限を受けるものではなく、上記・下記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
尚、含有量ないし使用量を表す%及び部は、特記がないかぎり質量基準である。
【0305】
樹脂の重量平均分子量(以下「Mw」と略称する)は、ゲル浸透クロマトグラフィーにより求めた値である。
【0306】
装置;HLC−8120GPC(東ソー(株)製)
カラム:「TSKgel Multipore HXL−M」3本+「guard column」(東ソー(株)製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μL
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー(株)製)
【0307】
化合物の構造は、NMR(GX−270型又はEX−270型;日本電子(株)製)、質量分析(LC:Agilent製1100型、MASS:Agilent製LC/MSD型又はLC/MSD TOF型)を用いて確認した。
【0308】
1.連鎖移動剤の合成
(1)化合物(I−1−1)の合成
チオグリコール酸0.50部、化合物(I−1−1a)2.53部、p−トルエンスルホン酸0.31部、及びトルエン7.50部を仕込み、110℃で3時間攪拌した。23℃に冷却した後、イオン交換水60.00部及び酢酸エチル120.00部を添加し、攪拌した後、分液を行った。有機層にイオン交換水10部を添加し、分液水洗を行った。この操作を3回行った。有機層を濃縮した後、カラム分取(メルク シリカゲル60−200メッシュ、展開溶媒:n−ヘプタン/酢酸エチル=7/1)することによって、化合物(I−1−1)1.68部(純度100%、収率61.5%)を得た。
【0309】
【化117】

【0310】
化合物(I−1−1)の物性データ
MASS:540.0
1H−NMR(CDCl3、内部標準物質:テトラメチルシラン):δ(ppm)2.00(t,1H)、3.30(d,2H)、4.42(m,4H)
【0311】
(2)化合物(I−1−2)の合成
チオグリコール酸1.90部、化合物(I−1−2a)4.85部、p−トルエンスルホン酸0.20部及びトルエン19.00部を仕込み、110℃で5時間攪拌した。23℃に冷却した後、イオン交換水12.70部及びトルエン19.00部を添加し、攪拌した後、分液を行った。有機層にイオン交換水20部を添加し、分液水洗を行った。この操作を3回行った。有機層を濃縮した後、カラム分取(メルク シリカゲル60−200メッシュ、展開溶媒:n−ヘプタン/酢酸エチル=12/1)することによって、化合物(I−1−2)2.43部(純度100%、収率32.0%)を得た。
【0312】
【化118】

【0313】
化合物(I−1−2)の物性データ
MASS:386.0
1H−NMR(CDCl3、内部標準物質:テトラメチルシラン):δ(ppm)2.05(t,1H)、3.36(d,2H)、4.86(s,1H)、4.92(s,1H)
【0314】
(3)化合物(I−1−4)の合成
化合物(a4−1−1)15.00部及びジオキサン45.00部を仕込み、23℃で攪拌しながら、水酸化ナトリウム1.82部をイオン交換水30.00部に溶解させた水溶液を30分かけて滴下し、100℃で5時間攪拌した。反応混合物を濃縮し、濃縮混合物に1N塩酸50.00部及び酢酸エチル200.0部を添加し、攪拌した後、分液を行った。有機層を濃縮した後、カラム分取(メルク シリカゲル60−200メッシュ、展開溶媒:n−ヘプタン/酢酸エチル=3/1)することによって、化合物(I−1−4a)9.70部(純度100%、収率79.6%)を得た。
【0315】
【化119】

【0316】
チオグリコール酸1.04部、化合物(I−1−4a)3.42部、p−トルエンスルホン酸0.21部、及びトルエン10.40部を仕込み、110℃で4時間攪拌した。23℃に冷却した後、イオン交換水6.90部及びトルエン10.40部を添加し、攪拌した後、分液を行った。有機層にイオン交換水10部を添加し、分液水洗を行った。この操作を3回行った。有機層を濃縮した後、カラム分取(メルク シリカゲル60−200メッシュ、展開溶媒:n−ヘプタン/酢酸エチル=4/1)することによって、化合物(I−1−4)2.88部(純度100%、収率70.0%)を得た。
【0317】
【化120】

【0318】
化合物(I−1−4)の物性データ
MASS:368.1
1H−NMR(CDCl3、内部標準物質:テトラメチルシラン):δ(ppm)0.93−1.43(m,5H)、1.56−1.88(m,6H)、2.00−2.18(m,3H)、3.29(m,2H)、4.98(m,1H)、5.15(brs,1H)
【0319】
(4)化合物(X)の合成
チオグリコール酸2.00部、化合物(Xa)7.90部、p−トルエンスルホン酸1.24部、及びトルエン4.00部を仕込み、110℃で3時間攪拌した。23℃に冷却した後、イオン交換水90.00部及び酢酸エチル120.00部を添加し、攪拌した後、分液を行った。有機層にイオン交換水10部を添加し、分液水洗を行った。この操作を3回行った。有機層を濃縮した後、カラム分取(メルク シリカゲル60−200メッシュ、展開溶媒:n−ヘプタン/酢酸エチル=5/1)することによって、化合物(X)2.50部(純度100%、収率26.3%)を得た。
【0320】
【化121】

【0321】
化合物(X)の物性データ
MASS:438.0
1H−NMR(CDCl3、内部標準物質:テトラメチルシラン):δ(ppm)2.01(t,1H)、2.50(m,2H)、3.30(d,2H)、4.45(t,2H)
【0322】
2.樹脂(A)の合成
下記モノマーを用いて樹脂(A1)〜樹脂(A8)を合成した。樹脂(A1)〜樹脂(A8)のモノマーのモル比及びMw、並びに使用した連鎖移動剤を表1に示す。
【0323】
【化122】

【0324】
【表1】

【0325】
(1)樹脂(A1)の合成
モノマー(a1−1−1)、モノマー(a1−2−1)、モノマー(a2−1−1)、モノマー(a3−1−1)及びモノマー(a3−2−1)を、モル比30:14:6:20:30の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、重合開始剤として2,2’−アゾビスイソブチロニトリル及び2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)並びに連鎖移動剤として化合物(I−1−4)を、モノマーの合計モル数に対して、それぞれ0.06モル%、0.18モル%及び4.00モル%の割合で添加し、これを73℃で約5時間加熱した。その後、反応液を大量のメタノール及び水の混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことによって精製し、Mwが約8100である共重合体を収率45%で得た。この共重合体は、各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂(A1)とした。
【0326】
(2)樹脂(A2)の合成
化合物(I−1−4)を化合物(I−1−1)に置き換えたこと以外は樹脂(A1)の合成と同様にして、Mwが約8100である共重合体を収率36%で得た。この共重合体は、各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂(A2)とした。
【0327】
(3)樹脂(A3)の合成
化合物(I−1−4)を化合物(I−1−2)に置き換えたこと以外は樹脂(A1)の合成と同様にして、Mwが約8000である共重合体を収率46%で得た。この共重合体は、各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂(A3)とした。
【0328】
(4)樹脂(A4)の合成
化合物(I−1−4)を化合物(X)に置き換えたこと以外は樹脂(A1)の合成と同様にして、Mwが約8100である共重合体を収率23%で得た。この共重合体は、各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂(A4)とした。
【0329】
(5)樹脂(A5)の合成
化合物(I−1−4)を使用せず、且つ2,2’−アゾビスイソブチロニトリル及び2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)をモノマーの合計モル数に対して、それぞれ1.00モル%及び3.00モル%で使用したこと以外は樹脂(A1)の合成と同様にして、Mwが約8100である共重合体を収率65%で得た。この共重合体は、各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂(A5)とした。
【0330】
(6)樹脂(A6)の合成
モノマー(a1−1−1)、モノマー(a1−2−1)、モノマー(a2−1−1)、モノマー(a3−1−1)、モノマー(a3−2−1)及びモノマー(a4−1−1)を、モル比30:10:6:20:30:4の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、重合開始剤として2,2’−アゾビスイソブチロニトリル及び2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)並びに連鎖移動剤として化合物(I−1−4)をモノマーの合計モル数に対して、それぞれ0.06モル%、0.18モル%及び4.00モル%の割合で添加し、これを73℃で約5時間加熱した。その後、反応液を大量のメタノール及び水の混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことによって精製し、Mwが約7900である共重合体を収率48%で得た。この共重合体は、各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂(A6)とした。
【0331】
(7)樹脂(A7)の合成
化合物(I−1−4)を化合物(I−1−1)に置き換えたこと以外は樹脂(A6)の合成と同様にして、Mwが約7800である共重合体を収率61%で得た。この共重合体は、各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂(A7)とした。
【0332】
(8)樹脂(A8)の合成
モノマー(a1−1−2)、モノマー(a2−1−1)及びモノマー(a3−1−1)を、モル比50:25:25の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、重合開始剤として2,2’−アゾビスイソブチロニトリル及び2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)をモノマーの合計モル数に対して、それぞれ1モル%及び3モル%の割合で添加し、これを77℃で約5時間加熱した。その後、反応液を大量のメタノール及び水の混合溶媒(3:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことによって精製し、Mwが約8000である共重合体を収率60%で得た。この共重合体は、各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂(A8)とした。
【0333】
3.酸発生剤(B)の合成
(1)酸発生剤(B1−2)の合成
ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル100部及びイオン交換水150部に、氷浴下、30%水酸化ナトリウム水溶液230部を滴下した。得られた混合物を100℃で3時間還流し、冷却後、これを濃塩酸88部で中和した。得られた溶液を濃縮することによってジフルオロスルホ酢酸ナトリウム塩164.4部(無機塩含有、純度62.7%)を得た。得られたジフルオロスルホ酢酸ナトリウム塩1.9部(純度62.7%)及びN,N−ジメチルホルムアミド9.5部に、1,1’−カルボニルジイミダゾール1.0部を添加し、2時間撹拌して混合物を調製した。
【0334】
一方、3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメタノール1.1部及びN,N−ジメチルホルムアミド5.5部に、水素化ナトリウム0.2部を添加し、2時間撹拌した。この溶液に、前記の混合物を添加した。得られた混合物を15時間撹拌した後、生成したジフルオロスルホ酢酸−3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメチルエステルナトリウム塩を含む溶液をそのまま次の反応に用いた。得られたジフルオロスルホ酢酸−3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメチルエステルナトリウム塩を含む溶液に、クロロホルム17.2部及び14.8%トリフェニルスルホニウムクロライド水溶液2.9部を添加した。15時間撹拌した後、分液して有機層を回収した。次いで、残った水層をクロロホルム6.5部で抽出することによって有機層を回収した。さらに残った水層に、前記の抽出操作を繰り返して行い、さらに有機層を回収した。前記の各有機層を合せた後、イオン交換水で洗浄し、その後、得られた有機層を濃縮した。濃縮物にtert−ブチルメチルエーテル5.0部を添加し、撹拌後、濾過することによって白色固体としてトリフェニルスルホニウム1−((3−ヒドロキシ−1−アダマンチル)メトキシカルボニル)ジフルオロメタンスルホナート(B1−2)0.2部を得た。
【0335】
【化123】

【0336】
(2)酸発生剤(B1−6)の合成
ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル100部及びイオン交換水250部に、氷浴下、30%水酸化ナトリウム水溶液230部を滴下した。得られた混合物を100℃で3時間還流し、冷却した後、これを濃塩酸88部で中和した。得られた溶液を濃縮することによってジフルオロスルホ酢酸ナトリウム塩164.8部(無機塩含有、純度62.6%)を得た。得られたジフルオロスルホ酢酸ナトリウム塩5.0部(純度62.6%)、4−オキソ−1−アダマンタノール2.6部及びエチルベンゼン100部の混合物に、濃硫酸0.8部を加え、30時間加熱還流した。得られた混合物を冷却した後、濾過し、濾過残渣をtert−ブチルメチルエーテルで洗浄することによって、ジフルオロスルホ酢酸−4−オキソ−1−アダマンチルエステルナトリウム塩5.5部を得た。1H−NMRによる純度分析の結果、その純度は35.6%であった。得られたジフルオロスルホ酢酸−4−オキソ−1−アダマンチルエステルナトリウム塩5.4部(純度35.6%)に、アセトニトリル16部及びイオン交換水16部を加えた。得られた混合物に、トリフェニルスルホニウムクロライド1.7部、アセトニトリル5部及びイオン交換水5部を添加した。得られた混合物を15時間撹拌した後、濃縮し、得られた混合物をクロロホルム142部で抽出することによって有機層を回収した。回収された有機層をイオン交換水で洗浄した後、得られた有機層を濃縮した。濃縮物をtert−ブチルメチルエーテル24部でリパルプすることによって、白色固体としてトリフェニルスルホニウム−4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(B1−6)1.7部を得た。
【0337】
【化124】

【0338】
4.特性評価
表2に記載の各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過して、液状のレジスト組成物を調製し、以下の条件で欠陥、ラインエッジラフネス及びトップ形状を評価した。これらの結果を表3に示す。
【0339】
【表2】

【0340】
(1)欠陥評価
液浸露光の際の欠陥発生を、以下のような模擬試験で評価した。12インチのシリコンウェハーに、前記レジスト組成物をプリベーク後の膜厚が0.15μmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物を塗布した後、ダイレクトホットプレート上で表2に記載の温度(TPB)で60秒間プリベークした。現像機(ACT−12;東京エレクトロン(株)製)を用いて、プリベークしたレジスト膜を形成したウェハーを、60秒間水リンスした。その後、欠陥検査装置(KLA−2360;KLAテンコール製)を用いて、リンス後乾燥したレジスト膜の欠陥数を測定した。12インチのシリコンウェハーに作製したレジスト膜の全面において、欠陥数が1,000超10,000未満であるものを実用上問題が無い基準(△)と評価し、欠陥数が1,000以下であるものを○(良好)と、欠陥数が10,000以上であるものを×(不良)と評価した。
【0341】
(2)ラインエッジラフネス(LER)評価
シリコンウェハーに、有機反射防止膜用組成物(ARC−29;日産化学(株)製)を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ780Åの有機反射防止膜を形成した。次いでこの有機反射防止膜の上に、前記レジスト組成物を乾燥後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。組成物を塗布した後、得られたシリコンウェハーをダイレクトホットプレート上で表2に記載の温度(TPB)で60秒間プリベークした。プリベークしたレジスト膜が形成されたシリコンウェハーに、液浸ArFエキシマステッパー(XT:1900Gi;ASML製、NA=1.35)を使用し、線幅70nmである1:1のラインアンドスペースパターンを有するマスクを介して、露光量を段階的に変化させて露光した。
【0342】
露光後に、ホットプレート上で表2に記載の温度(TPEB)で60秒間ポストエキスポジャーベークを行った後、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。
【0343】
リソグラフィプロセス後のレジストパターンの線幅を走査型電子顕微鏡(S−4100;(株)日立製作所製)で測定し、線幅70nmのマスクで形成されたパターンのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量を実効感度とした。
【0344】
実効感度で露光したレジストパターンの側面を走査型電子顕微鏡で観察した。試験No.9を基準とし、側面が試験No.9よりも滑らかになっているものを○(良好)と、試験No.9と同等であるものを△と、試験No.9よりも滑らかでなくなっているものを×(不良)と評価した。
【0345】
(3)トップ形状評価
ラインエッジラフネス評価と同様にして、実効感度で露光したレジストパターンのトップ形状を走査型電子顕微鏡で観察した。試験No.9を基準とし、トップ形状が試験No.9よりも矩形に近づいているものを○(良好)と、試験No.9と同等の形状であるものを△と、試験No.9よりもトップ形状が悪化し、T字型に近いもの、丸いもの又はパターン倒れが多く観察されたものを×(不良)と評価した。
【0346】
【表3】

【0347】
上記結果から分かるように、連鎖移動剤として化合物(I−1−1)、化合物(I−1−2)又は化合物(I−1−4)を使用して合成した樹脂を用いれば(試験No.1〜6)、連鎖移動剤として化合物(X)を使用したものや、連鎖移動剤を使用していないものと比べて、欠陥、ラインエッジラフネス(LER)及びトップ形状が向上する。
【産業上の利用可能性】
【0348】
本発明の化合物(I)は、レジスト組成物の樹脂を合成する際の連鎖移動剤として有用である。また化合物(I)が末端に組み込まれた本発明の樹脂は、化学増幅型ポジ型レジスト組成物のために有用である。本発明の樹脂を含むレジスト組成物は、液浸露光の際にレジスト膜の欠陥発生を抑制でき、さらにラインエッジラフネス及びトップ形状に優れたレジストパターンを形成できる。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
式(I)で表される化合物。
HS−L1−R1−R2 (I)
〔式(I)中、L1は、直鎖状又は分枝鎖状の2価のC1-10アルカンジイル基を表し;前記アルカンジイル基に含まれるメチレン基は、酸素原子(−O−)又はカルボニル基(−CO−)で置換されていてもよい。R1は、単結合、直鎖状又は分枝鎖状の2価のC1-12脂肪族炭化水素基、2価のC3-12脂環式炭化水素基、又はこれらの組合せを表し;前記脂肪族炭化水素基又は前記脂環式炭化水素基のメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又は−N(R3)−で置換されていてもよく;前記脂肪族炭化水素基の水素原子は、置換基を有してもよいC3-36脂環式炭化水素基、C6-20芳香族炭化水素基、グリシドキシ基又はC2-4アシル基で置換されていてもよく;前記脂環式炭化水素基の水素原子は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-10脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよいC3-36脂環式炭化水素基、C6-20芳香族炭化水素基、C7-21アラルキル基、グリシドキシ基又はC2-4アシル基で置換されていてもよく;R3は、水素原子、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基を表す。R2は、全水素原子がフッ素原子で置換されているC3-36飽和脂環式炭化水素基、或いは全水素原子がフッ素原子又はフッ素原子及びヒドロキシ基で置換されている直鎖状又は分枝鎖状のC1-16アルキル基を表し;前記飽和脂環式炭化水素基又は前記アルキル基のメチレン基は酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。但しR1及びR2の少なくとも1つは、環状有機基を含む。〕
【請求項2】
式(I−1)で表される請求項1に記載の化合物。
HS−(CH2m−CO−O−R1−R2 (I−1)
〔式(I−1)中、mは1〜4の整数を表す。R1及びR2は前記と同じである。〕
【請求項3】
1及びR2の少なくとも1つが、シクロヘキサン骨格又はアダマンタン骨格を含む請求項1又は2に記載の化合物。
【請求項4】
2が、ペルフルオロシクロへキシル基又はペルフルオロアダマンチル基である請求項3に記載の化合物。
【請求項5】
式(I−1−1)、式(I−1−2)又は式(I−1−3)で表される請求項4に記載の化合物。
【化1】

【請求項6】
1がシクロヘキサン骨格又はアダマンタン骨格を含み、R2が分子式(II)で表される請求項3に記載の化合物
−Cn2n1 (II)
〔式(II)中、nは1〜12の整数を表す。X1はフッ素原子又はヒドロキシ基を表す。〕
【請求項7】
式(I−1−4)で表される請求項6に記載の化合物。
【化2】

【請求項8】
連鎖移動剤としての請求項1〜7のいずれかに記載の化合物の使用。
【請求項9】
請求項1〜7のいずれかに記載の化合物の存在下でモノマーをラジカル重合して得られる樹脂。
【請求項10】
酸の作用によりアルカリ可溶となる請求項9に記載の樹脂。
【請求項11】
請求項10に記載の樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
【請求項12】
さらに塩基性化合物を含有する請求項11に記載のレジスト組成物。

【公開番号】特開2011−26271(P2011−26271A)
【公開日】平成23年2月10日(2011.2.10)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−175634(P2009−175634)
【出願日】平成21年7月28日(2009.7.28)
【出願人】(000002093)住友化学株式会社 (8,981)
【Fターム(参考)】