プラズマディスプレイパネル，プラズマディスプレイパネルの製造方法，平板ランプ，平板ランプの製造方法
【課題】 酸化された多孔性シリコンを利用したプラズマディスプレイパネル及び平板ランプを提供する。
【解決手段】 互いに対向するように配置される下部パネル及び上部パネルと，下部パネルに形成される複数のアドレス電極と，上部パネルに形成される複数の保持電極と，上部パネルに保持電極に対応して形成される複数の酸化された多孔性シリコン層とを備えるプラズマディスプレイパネルである。
【解決手段】 互いに対向するように配置される下部パネル及び上部パネルと，下部パネルに形成される複数のアドレス電極と，上部パネルに形成される複数の保持電極と，上部パネルに保持電極に対応して形成される複数の酸化された多孔性シリコン層とを備えるプラズマディスプレイパネルである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）及び平板ランプに係り，詳細には酸化された多孔性シリコン（Ｏｘｉｄｉｚｅｄ ｐｏｒｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）を利用して電子放出特性を向上させることができるＰＤＰ及び平板ランプに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰは，電気的放電を利用して画像を形成する装置であり，輝度や視野角などの表示性能にすぐれ，その使用が日増しに増大している。かかるＰＤＰは，電極に印加される直流または交流電圧によって電極間でガス放電が起こり，この放電過程で発生する紫外線の放射によって蛍光体が励起され，可視光を発散する。
【０００３】
ＰＤＰは，その放電形式により，直流型（ＤＣ ｔｙｐｅ）と交流型（ＡＣ ｔｙｐｅ）とに分類される。直流型ＰＤＰは，あらゆる電極が放電空間に露出される構造であり，対応電極間に電荷の移動が直接的になされる。交流型ＰＤＰは，少なくとも１つの電極が誘電体層に巻かれ，対応する電極間に直接的な電荷の移動がなされない代わりに，壁電荷によって放電が行われる。
【０００４】
また，ＰＤＰは，電極の配置構造により，対向放電型と面放電型とに分類される。対向放電型ＰＤＰは，対をなす２つの維持電極が，それぞれ上部基板と下部基板とに配置されている構造であり，放電が基板に垂直の方向に起こる。面放電型ＰＤＰは，対をなす２つの維持電極が，同じ基板上に配置されている構造であり，放電が基板に平行方向に起こる。
【０００５】
対向放電型ＰＤＰは，発光効率は高い一方，プラズマにより蛍光体層が容易に劣化されるという短所があり，最近では，面放電型ＰＤＰが主流をなしている。
【０００６】
図１には，従来の一般的な面放電型ＰＤＰが図示されている。そして，図２Ａ及び図２Ｂには，図１に図示されたＰＤＰを横方向及び縦方向に切断した断面が図示されている。図１，図２Ａ及び図２Ｂを参照すれば，従来のＰＤＰは，一定間隔で相互対面する上部基板２０と下部基板１０とを備える。上部基板２０と下部基板１０との間の空間は，プラズマ放電が起きる放電空間になる。
【０００７】
下部基板１０の上面には，複数のアドレス電極１１がストライプ状に配列されており，このアドレス電極１１は，第１誘電体層１２により埋め込まれている。第１誘電体層１２の上面には，放電空間を区画して放電セル１４を形成し，この放電セル１４間の電気的，光学的干渉を防止する複数の隔壁１３が互いに所定間隔をおいて形成されている。そして，放電セル１４の内面には，それぞれ赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の蛍光体層１５が所定厚さで塗布されており，放電セル１４の内部には，放電ガスが充填されている。
【０００８】
上部基板２０は，可視光が透過できる透明基板であり，主にガラスからなり，隔壁１３の形成された下部基板１０に結合される。上部基板２０の下面には，アドレス電極１１と直交するストライプ状の維持電極２１ａ，２１ｂが対をなして形成されている。維持電極２１ａ，２１ｂは可視光が透過可能なように，主にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）のような透明な導電性材料からなる。そして，維持電極２１ａ，２１ｂのライン抵抗を減らすために，維持電極２１ａ，２１ｂそれぞれの下面には，金属材質からなるバス電極２２ａ，２２ｂが維持電極２１ａ，２１ｂより狭幅に形成されている。かかる維持電極２１ａ，２１ｂとバス電極２２ａ，２２ｂは，透明な第２誘電体層２３により埋め込まれている。第２誘電体層２３の下面には，酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護膜２４が形成されている。
【０００９】
上記のような構造のＰＤＰで，保護膜２４は，プラズマ粒子のスパッタリングによる第２誘電体層２３の損傷を防止し，二次電子を放出して放電電圧を下げる役割を果たす。しかし，ＭｇＯからなる保護膜は，二次電子放出係数が低いために，放電空間内で十分な電子放出効果を出すのには限界がある。
【００１０】
かかる問題点を解決するためのＰＤＰとして，図３には，特許文献１に開示されたＰＤＰの断面が図示されている。
【００１１】
図３を参照すれば，上部基板４０と下部基板３０とが互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する。上部基板４０と下部基板３０との間には，放電空間を区画して放電セル３４を形成する複数の隔壁３３が設けられる。下部基板３０の上面には，アドレス電極３１が形成され，アドレス電極３１は，下部基板３０の上面に形成される第１誘電体層３２によって埋め込まれている。そして，上部基板４０の下面には，維持電極４１が形成され，維持電極４１は，上部基板４０の下面に形成される第２誘電体層４３によって埋め込まれている。第２誘電体層４３の下面には，保護膜４４とカーボンナノチューブ（ＣＮＴ：Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏ Ｔｕｂｅ）４５とが順次に積層された二次電子増幅構造体が形成される。
【００１２】
【特許文献１】米国特許第６，３４６，７７５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
このようなＰＤＰでは，二次電子増幅構造体によって効率及び輝度が向上し，放電電圧が降下するという長所はあるが，放電中にＣＮＴ ４５が破壊されるという可能性がある。そして，ＰＤＰでは，放電空間の内部が低真空状態に保持されるが，かかる低真空状態では，ＣＮＴ ４５の電子放出特性が良好ではないという問題点がある。
【００１４】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，酸化された多孔性シリコンを利用して電子放出特性を向上させることができるＰＤＰ及び平板ランプを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，互いに対向するように配置される下部パネル及び上部パネルと，下部パネルに形成される複数のアドレス電極と，上部パネルに形成される複数の保持電極と，上部パネルに保持電極に対応して形成される複数の酸化された多孔性シリコン層とを備えるプラズマディスプレイプレイパネルが提供される。
【００１６】
酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層であってもよい。
【００１７】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と，下部基板の上面に形成される複数のアドレス電極と，アドレス電極を埋め込むように下部基板の上面に形成される第１誘電体層と，上部基板の下面にアドレス電極と交差する方向に形成される複数の保持電極と，保持電極を埋め込むように上部基板の下面に形成される第２誘電体層と，第２誘電体層の下部に形成される酸化された多孔性シリコン層と，下部基板と上部基板との間に設けられ，放電空間を区画して放電セルを形成する複数の隔壁と，放電セルの内壁に形成される蛍光体層とを備えるプラズマディスプレイパネルが提供される。
【００１８】
ここで，酸化された多孔性シリコン層は，第２誘電体層の下部全面に形成されるか，または保持電極に対応する位置に保持電極と同幅に形成可能である。酸化された多孔性シリコン層の上面には，ベース電極が形成可能である。保持電極の下面には，バス電極がさらに形成可能である。第２誘電体層及び酸化された多孔性シリコン層の下面には，保護膜が形成可能である。
【００１９】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と，下部基板の上面に形成される複数のアドレス電極と，アドレス電極を埋め込むように，下部基板の上面に形成される第１誘電体層と，上部基板の下面にアドレス電極と交差する方向に形成される複数の保持電極と，保持電極の下面に形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と，上部基板の下面に形成され，酸化された多孔性シリコン層の下面を露出させる第２誘電体層と，下部基板と上部基板との間に設けられ，放電空間を区画して放電セルを形成する複数の隔壁と，放電セルの内壁に形成される蛍光体層とを備えるプラズマディスプレイパネルが提供される。
【００２０】
保持電極と酸化された多孔性シリコン層との間には，バス電極がさらに形成されうる。このとき，バス電極は，保持電極の縁に沿って，保持電極より狭幅に形成されることが望ましく，酸化された多孔性シリコン層は，バス電極と同幅に形成可能である。
【００２１】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板の上面に複数の保持電極を形成し，保持電極を埋め込むように誘電体層を形成するステップと，誘電体層の上面に複数のベース電極を保持電極と平行方向に形成するステップと，誘電体層の上面にベース電極を埋め込むようにシリコン層を形成するステップと，ベース電極の上部に位置したシリコン層を多孔性シリコン層に変化させるステップと，多孔性シリコン層を酸化させるステップと，誘電体層上に残っているシリコン層を除去するステップとを含むプラズマディスプレイの製造方法が提供される。
【００２２】
ベース電極は，誘電体層の上面にベース電極物質を蒸着し，それをパターニングすることによりさらに形成可能である。誘電体層の上面及び酸化された多孔性シリコン層の上面に保護膜を形成するステップがさらに含まれうる。そして，保持電極の上面に，バス電極を形成するステップがさらに含まれうる。
【００２３】
シリコン層は，ポリシリコン層または非晶質シリコン層であり，プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成可能である。多孔性シリコン層は，ベース電極の上部に位置したシリコン層がフッ化水素（ＨＦ）とエタノールとが混合された溶液により，正極酸化処理されて形成可能である。酸化された多孔性シリコン層は，多孔性シリコン層が電気化学的酸化法により酸化されて形成可能である。
【００２４】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板の上面に複数の保持電極を形成し，保持電極の上面にバス電極を形成するステップと，保持電極及びバス電極を埋め込むように基板の上面に誘電体層を形成するステップと，誘電体層をエッチングし，バス電極の上面を露出させるトレンチを形成するステップと，バス電極の上面にシリコン層を形成するステップと，シリコン層を多孔性シリコン層に変化させるステップと，多孔性シリコン層を酸化させるステップとを含むプラズマディスプレイの製造方法が提供される。
【００２５】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，本発明のさらに他の具現例によるＰＤＰの製造方法は，基板の上面に複数の保持電極を形成し，保持電極を埋め込むように誘電体層を形成するステップと，誘電体層をエッチングし，保持電極の上面を露出させるトレンチを形成するステップと，保持電極の上面にシリコン層を形成するステップと，シリコン層を多孔性シリコン層に変化させるステップと，多孔性シリコン層を酸化させるステップとを含むプラズマディスプレイの製造方法が提供される。
【００２６】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と，下部基板の上面に形成される複数の第１電極と，第１電極を埋め込むように下部基板の上面に形成される第１誘電体層と，上部基板の下面に第１電極と交差する方向に形成される複数の第２電極と，第２電極を埋め込むように上部基板の下面に形成される第２誘電体層と，第１誘電体層の上部と第２誘電体層の下部のうち少なくとも１層に第１電極または第２電極に対応して形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と，下部基板と上部基板との間に設けられ，放電空間を区画して放電セルを形成する複数の隔壁と，放電セルの内壁に形成される蛍光体層とを備えるプラズマディスプレイが提供される。
【００２７】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と，下部基板の上面に形成される複数の第１電極と，上部基板の下面に第１電極と交差する方向に形成される複数の第２電極と，第１及び第２電極のうちいずれか一方の電極表面に形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と，下部基板と上部基板との間に設けられ，放電空間を区画して放電セルを形成する複数の隔壁と，放電セルの内壁に形成される蛍光体層とを備えるプラズマディスプレイパネルが提供される。
【００２８】
ここで，第１及び第２電極のうち酸化された多孔性シリコン層が形成される電極は，カソード電極であってもよい。
【００２９】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，互いに対向するように配置される下部パネル及び上部パネルと，下部パネルと上部パネルのうち少なくとも一方のパネルに形成される複数の放電電極と，放電電極が形成されたパネルに放電電極に対応して形成される複数の酸化された多孔性シリコン層とを備える平板パネルが提供される。
【００３０】
ここで，酸化された多孔性シリコン層の一面には，ベース電極が形成可能である。酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層になりうる。
【００３１】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と，下部基板と上部基板のうち少なくとも一方の基板外面に形成される複数の放電電極と，放電電極が形成された基板内面側に放電電極に対応して放電電極と平行方向に形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と，下部基板と上部基板との間に設けられる複数のスペーサと，放電空間の内壁に形成される蛍光体層とを備える平板ランプが提供される。
【００３２】
ここで，放電電極が形成された基板内面と酸化された多孔性シリコン層との間には，複数のベース電極が形成可能である。このとき，ベース電極は，酸化された多孔性シリコン層と同幅に形成される。
【００３３】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板の下面に複数の放電電極を形成し，基板の上面に複数のベース電極を形成するステップと，基板の上面にベース電極を埋め込むようにシリコン層を形成するステップと，ベース電極の上部に位置したシリコン層を多孔性シリコン層に変化させるステップと，多孔性シリコン層を酸化させるステップと，基板上に残っているシリコン層を除去するステップとを含む平板ランプの製造方法が提供される。
【００３４】
ベース電極は，基板の上面にベース電極物質を蒸着し，それをパターニングすることにより形成可能である。
【００３５】
シリコン層は，ポリシリコン層または非晶質シリコン層であり，ＰＥＣＶＤ法により形成可能である。多孔性シリコン層は，ベース電極の上部に位置したシリコン層がＨＦとエタノールとが混合された溶液により，正極酸化処理されて形成可能である。酸化された多孔性シリコン層は，多孔性シリコン層が電気化学的酸化法によって酸化されて形成可能である。
【発明の効果】
【００３６】
以上説明したように本発明によれば，第一に，パネルに低真空状態でも電子放出特性にすぐれる酸化された多孔性シリコン層を形成することにより，ＰＤＰ及び平板ランプの輝度と効率とを向上させることができる。第二に，ＰＤＰ及び平板ランプの放電電圧を下げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３８】
図４は，本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイの分離斜視図であり，図５は，図４に図示されたＰＤＰの一部断面図である。
【００３９】
図４及び図５を参照すれば，本発明の実施形態によるＰＤＰは，互いに対向するように配置される下部パネル及び上部パネルを備える。ここで，下部パネルと上部パネルとの間には，プラズマ放電が起きる放電空間が形成される。そして，下部パネルと上部パネルとの間には，放電空間を区画して放電セル１１４を形成し，放電セル１１４間の電気的，光学的干渉を防止する複数の隔壁１１３が設けられる。放電セル１１４の内部には，放電時に紫外線を発生させる放電ガスが充填されているが，かかる放電ガスとしては，一般的にネオン（Ｎｅ）ガスとキセノン（Ｘｅ）ガスとが混合されたガスが使われる。また，放電セル１１４の内壁には，それぞれＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体層１１５が所定厚さに塗布され，かかる蛍光体層１１５は，放電によって発生した紫外線によって励起され，所定色相の可視光を発生させる。
【００４０】
下部パネルは，下部基板１１０と，下部基板１１０の上面に形成される複数のアドレス電極１１１と，アドレス電極１１１を埋め込むように下部基板１１０の上面に形成される第１誘電体層１１２とを含む。
【００４１】
下部基板１１０としては，一般的にガラス基板が使われる。下部基板１１０の上面には，複数のアドレス電極１１１が互いに平行に形成される。そして，アドレス電極１１１は，第１誘電体層１１２によって埋め込まれている。
【００４２】
隔壁１１３は，第１誘電体層１１２の上面に，アドレス電極１１１と平行方向に互いに所定間隔をおいて形成される。一方，隔壁１１３は，アドレス電極１１１と直交する方向に形成され，またマトリックス状に形成されもする。蛍光体層１１５は，第１誘電体層１１２の上面及び隔壁１１３の側面に所定厚さに形成される。
【００４３】
上部パネルは，下部基板１１０と一定間隔離隔されて配置される上部基板１２０と，上部基板１２０の下面に形成される複数の第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂと，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂを埋め込むように上部基板１２０の下面に形成される第２誘電体層１２３と，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂの下部に形成される複数の第１及び第２酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂとを含む。
【００４４】
上部基板１２０としては，一般的に可視光が透過可能なガラス基板が使われる。上部基板１２０の下面には，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂが放電セル１１４ごとに対をなし，アドレス電極１１１と交差する方向に互いに平行に形成される。第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂは，主にＩＴＯのような透明な導電性材料からなる。そして，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂそれぞれの下面には，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂのライン抵抗を減らすために，第１及び第２バス電極１２２ａ，１２２ｂが形成される。第１及び第２バス電極１２２ａ，１２２ｂは，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂの縁に沿って第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂの幅より狭幅に形成される。ここで，第１及び第２バス電極１２２ａ，１２２ｂは，Ａｌ，Ａｇのような金属材質からなることが望ましい。第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂと第１及び第２バス電極１２２ａ，１２２ｂは，透明な材質の第２誘電体層１２３によって埋め込まれている。
【００４５】
第２誘電体層１２３の下面には，複数の第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂが第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂに対応して形成される。ここで，第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂは，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂと平行方向に形成される。第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂは，ＩＴＯ，ＡｌまたはＡｇからなりうる。かかる第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂは，その下面に第１及び第２酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂを形成するための電極である。
【００４６】
第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂの下面には，それぞれ第１及び第２酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂが形成される。ここで，酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂは，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層（Ｏｘｉｄｉｚｅｄ ｐｏｒｏｕｓ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）になりうる。第１及び第２酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂは，第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂと同幅に形成される。かかる第１及び第２酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂは，電子放出を増幅させる役割を果たす。
【００４７】
第２誘電体層１２３の下面には，保護膜１２４が形成可能である。保護膜１２４は，プラズマ粒子のスパッタリングによる第２誘電体層１２３の損傷を防止し，二次電子を放出して放電電圧を下げる役割を果たす。ここで，保護膜１２４は，ＭｇＯからなることが望ましい。一方，保護膜１２４は，第１及び第２酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂの下面にも形成可能である。
【００４８】
のような構造のＰＤＰで，放電のために第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂに，それぞれ，例えば１，０００Ｖ及び０Ｖの電圧が印加されれば，放電セル１１４の内部では，第１保持電極１２１ａから第２保持電極１２１ｂに向かう電界が形成される。かかる電界の形成により，第２ベース電極１２５ｂから第２酸化された多孔性シリコン層１２６ｂに電子が流入し，このように流入された電子は，第２酸化された多孔性シリコン層１２６ｂを通過しつつ加速され，放電セル１１４内部に放出される。一方，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂに，それぞれ，例えば０Ｖ及び１，０００Ｖの電圧が印加されば，第１酸化された多孔性シリコン層１２６ａから加速された電子が放出される。
このように，ＰＤＰの上部パネルに酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂを形成すれば，電子放出特性が向上されて輝度及び効率が向上する。
【００４９】
図６は，本発明の第２実施形態によるＰＤＰの一部断面図である。図６を参照すれば，下部パネルと上部パネルとが互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成し，かかる放電空間は，隔壁（図示せず）によって区画され，放電セル２１４を形成する。そして，放電セル２１４の内壁には，蛍光体層が形成される。
【００５０】
下部パネルは，下部基板２１０と，下部基板２１０の上面に縦に平行に形成される複数のアドレス電極２１１と，アドレス電極２１１を埋め込むように下部基板２１０の上面に形成される第１誘電体層２１２とを含む。
【００５１】
上部パネルは，上部基板２２０と，上部基板２２０の下面に形成される第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂと，第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂの下面に形成される第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂと，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂの下面に形成される第１及び第２酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂとを含む。
【００５２】
第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂは，アドレス電極２１１と交差する方向に互いに平行に形成される。かかる第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂは，ＩＴＯのような透明な導電性材料からなる。そして，第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂそれぞれの下面には，第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂのライン抵抗を減らすために，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂが形成される。また，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂは，その下面に第１及び第２酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂを形成するための電極の役割も果たす。第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂは，第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂの縁に沿って，第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂの幅より狭幅に形成される。ここで，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂは，Ａｌ，Ａｇのような金属材質からなることが望ましい。
【００５３】
第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂの下面には，第１及び第２酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂが形成される。ここで，酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂは，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層になりうる。第１及び第２酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂは，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂに沿って第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂと同幅に形成される。
【００５４】
上部基板２２０の下面には，透明な材質の第２誘電体層２２３が第１及び第２酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂの下面を露出させるように形成される。第２誘電体層２２３の下面には，保護膜２２４が形成可能である。ここで，保護膜２２４は，ＭｇＯからなることが望ましい。保護膜２２４は，第１及び第２酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂの下面にも形成可能である。
【００５５】
一方，本実施形態では，保持電極２２１ａ，２２１ｂと酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂとの間に，バス電極２２２ａ，２２２ｂが形成されずに，酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂが保持電極２２１ａ，２２１ｂの下面に直接形成されもする。この場合，酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂは，保持電極２２１ａ，２２１ｂと同幅に形成される。そして，第２誘電体層２２３は，酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂの下面を露出させるように，上部基板２２０の下面に形成される。
【００５６】
上記のような構造のＰＤＰで，酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂから加速された電子が放出される過程は，前述した実施形態と類似しているので，これについての詳細な説明は省略する。
【００５７】
以下では，本発明の実施形態によるＰＤＰの製造方法について説明する。図７Ａ〜図７Ｇは図４に図示されたＰＤＰの上部パネルを製造する方法を説明するための図面である。図７Ａ〜図７Ｇで，基板及び誘電体層は，それぞれ図４に図示された上部基板及び第２誘電体層を表す。
【００５８】
まず，図７Ａを参照すれば，基板１２０の上面に，ＩＴＯのような透明な導電性材料を蒸着した後，これをパターニングして複数の第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂを形成する。そして，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂの上面に，Ａｌ，Ａｇのような金属物質を蒸着した後，これをパターニングして複数の第１及び第２バス電極１２２ａ，１２２ｂを形成する。ここで，第１及び第２バス電極１２２ａ，１２２ｂは，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂの縁に沿って，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂより狭幅に形成される。次に，基板１２０の上面に，保持電極１２１ａ，１２１ｂ及びバス電極１２２ａ，１２２ｂを埋め込むように誘電体層１２３を形成する。
【００５９】
次に，図７Ｂを参照すれば，誘電体層１２３の上面に，ＩＴＯ，Ａｌ，Ａｇのようなベース電極物質１２５を所定厚さに蒸着する。そして，ベース電極物質１２５を所定形態にパターニングすれば，図７Ｃに図示されているように，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂの上部に，第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂが形成される。
次に，図７Ｄを参照すれば，誘電体層１２３の上面に第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂを埋め込むようにシリコン層１２７を形成する。ここで，シリコン層１２７は，ポリシリコン層または非晶質シリコン層になりうる。シリコン層１２７は，ほぼ４００℃以下の温度でＰＥＣＶＤ法により所定厚さに形成可能である。
【００６０】
次に，図７Ｅを参照すれば，第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂの上部に位置したシリコン層１２７を多孔性シリコン層に変化させる。具体的に，多孔性シリコン層は，第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂに所定の電流密度を印加した状態で，ＨＦとエタノールとを混合した溶液でシリコン層を正極酸化処理することにより形成可能である。次に，多孔性シリコン層を電気化学的酸化法により酸化させる。具体的には，多孔性シリコン層を硫酸水溶液に入れた状態で，多孔性シリコン層に所定の電流密度を印加すれば，多孔性シリコン層は，酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂに変わる。
【００６１】
次に，図７Ｆを参照すれば，誘電体層１２３上に残っているシリコン層１２７を除去する。最後に，図７Ｇを参照すれば，誘電体層１２３の上面及び酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂの上面に，ＭｇＯからなる保護膜１２４を形成する。一方，保護膜１２４は，誘電体層１２３の上面にだけ形成されもする。の工程を介して製造された上部パネルと，アドレス電極が形成された下部パネルとを結合することによりＰＤＰが完成される。
【００６２】
図８Ａ〜図８Ｅは，図６に図示されたＰＤＰの上部パネルを製造する方法を説明するための図面である。図８Ａ〜図８Ｅで，基板及び誘電体層は，それぞれ図６に図示された上部基板及び第２誘電体層を表す。
【００６３】
まず，図８Ａを参照すれば，基板２２０上に，第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂを形成し，第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂの上面に，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂを形成する。そして，基板２２０の上面に，保持電極２２１ａ，２２１ｂ及びバス電極２２２ａ，２２２ｂを埋め込むように誘電体層２２３を形成する。
【００６４】
次に，図８Ｂを参照すれば，誘電体層２２３をエッチングし，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂの上面を露出させるトレンチ２３０を形成する。次に，図８Ｃを参照すれば，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂの上面に，シリコン層２２７を形成する。ここで，シリコン層２２７は，ポリシリコン層または非晶質シリコン層になりうる。シリコン層２２７は，ほぼ４００℃以下の温度でＰＥＣＶＤ法により所定厚さに形成可能である。
【００６５】
次に，図８Ｄを参照すれば，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂの上面に形成されたシリコン層２２７を多孔性シリコン層に変化させる。具体的に，多孔性シリコン層は，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂに所定の電流密度を印加した状態で，ＨＦとエタノールとを混合した溶液でシリコン層２２７を正極酸化処理することにより形成可能である。次に，多孔性シリコン層を電気化学的酸化法によって酸化させる。具体的には，多孔性シリコン層を硫酸水溶液に入れた状態で，多孔性シリコン層に所定の電流密度を印加すれば，多孔性シリコン層は，酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂに変わる。
【００６６】
最後に，図８Ｅを参照すれば，誘電体層２２３の上面及び酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂの上面に，ＭｇＯからなる保護膜２２４を形成する。一方，保護膜２２４は，誘電体層２２３の上面にだけ形成されもする。
【００６７】
一方，酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂが保持電極２２１ａ，２２１ｂの下面に直接形成される上部パネルを製造する場合には，の工程で，バス電極２２２ａ，２２２ｂを形成するステップが省略される。その場合，誘電体層２２３が保持電極２２１ａ，２２１ｂの上面を露出させるようにエッチングされ，保持電極２２１ａ，２２１ｂの上面には，シリコン層２２７が形成される。そして，シリコン層２２７は，前述のように，酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂに変化する。
【００６８】
図９は，本発明の第３実施形態によるＰＤＰの一部断面図である。図９を参照すれば，下部基板４１０と上部基板４２０とが互いに一定の間隔をおいて対向するように設けられ，その間に放電空間を形成する。そして，下部基板４１０と上部基板４２０との間には，放電空間を区画して放電セル４１４を形成する複数の隔壁（図示せず）が設けられ，放電セル４１４の内壁には，蛍光体層４１５が形成される。
【００６９】
下部基板４１０の上面には，複数のアドレス電極４１１が形成され，かかるアドレス電極４１１は，第１誘電体層４１２によって埋め込まれている。上部基板４２０の下面には，複数の第１及び第２保持電極４２１ａ，４２１ｂが，アドレス電極４１１と交差する方向に形成され，第１及び第２保持電極４２１ａ，４２１ｂの下面には，それぞれ第１及び第２バス電極４２２ａ，４２２ｂが形成される。第１及び第２保持電極４２１ａ，４２１ｂと第１及び第２バス電極４２２ａ，４２２ｂは，第２誘電体層４２３によって埋め込まれている。
【００７０】
第２誘電体層４２３の下面全体には，ベース電極４２５が形成される。ここで，ベース電極４２５は，その下面に酸化された多孔性シリコン層４２６を形成するための電極である。ベース電極４２５は，ＩＴＯ，ＡｌまたはＡｇからなりうる。そして，ベース電極４２５の下面全体には，酸化された多孔性シリコン層４２６が形成される。ここで，酸化された多孔性シリコン層４２６は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層になりうる。ここで，酸化された多孔性シリコン層４２６は，電子放出を増幅させる役割だけでなく，保護膜の機能も果たす。
【００７１】
以上では，酸化された多孔性シリコンが交流型面放電構造のＰＤＰに適用されている場合が説明されたが，酸化された多孔性シリコンは，交流型対向放電構造のＰＤＰにも適用可能である。
【００７２】
図１０は，本発明の第４実施形態によるＰＤＰの一部断面図である。図１０を参照すれば，下部基板５１０と上部基板５２０とが互いに一定の間隔をおいて対向するように設けられ，その間に放電空間を形成する。そして，下部基板５１０と上部基板５２０との間には，放電空間を区画して放電セル５１４を形成する複数の隔壁（図示せず）が設けられ，放電セル５１４の内壁には，蛍光体層（図示せず）が形成される。
【００７３】
下部基板５１０の上面及び上部基板５２０の下面には，それぞれ放電セル５１４の内部に放電を起こすための複数の第１電極５２１ａ及び第２電極５２１ｂが対で形成される。ここで，第１電極５２１ａと第２電極５２１ｂは，互いに直交する方向に形成される。そして，下部基板５１０の上面には，第１電極５２１ａを覆うように第１誘電体層５１２が形成され，上部基板５２０の下面には，第２電極５２１ｂを覆うように第２誘電体層５２３が形成される。
【００７４】
第１誘電体層５１２の上面には，複数の第１ベース電極５２５ａが第１電極５２１ａに対応して形成される。ここで，第１ベース電極５２５ａは，第１電極５２１ａに平行方向に形成される。そして，第２誘電体層５２３の下面には，複数の第２ベース電極５２５ｂが第２電極５２１ｂに対応して形成される。ここで，第２ベース電極５２５ｂは，第２電極５２１ｂに平行方向に形成される。第１及び第２ベース電極５２５ａ，５２５ｂは，ＩＴＯ，ＡｌまたはＡｇからなりうる。
【００７５】
第１ベース電極５２５ａの上面及び第２ベース電極５２５ｂの下面には，それぞれ第１及び第２酸化された多孔性シリコン層５２６ａ，５２６ｂが形成される。ここで，酸化された多孔性シリコン層５２６ａ，５２６ｂは，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層になりうる。第１及び第２酸化された多孔性シリコン層５２６ａ，５２６ｂは，第１及び第２ベース電極５２５ａ，５２５ｂと同幅に形成される。一方，第１誘電体層５１２及び第２誘電体層５２３の表面には，ＭｇＯからなる保護膜（図示せず）がさらに形成可能である。
【００７６】
上記のような構造のＰＤＰで，第１電極５２１ａと第２電極５２１ｂとの間に，所定の交流電圧が印加されれば，加速された電子が第１及び第２酸化された多孔性シリコン層５２６ａ，５２６ｂから交互に放出され，パネルの輝度及び効率が向上されうる。
一方，酸化された多孔性シリコンは，直流型ＰＤＰにも適用可能である。
【００７７】
図１１は，本発明の第５実施形態によるＰＤＰの一部断面図である。図１１を参照すれば，下部基板６１０と上部基板６２０とが互いに一定の間隔をおいて対向するように設けられ，その間に放電空間を形成する。そして，下部基板６１０と上部基板６２０との間には，放電空間を区画して放電セル６１４を形成する複数の隔壁（図示せず）が設けられ，放電セル６１４の内壁には，蛍光体層（図示せず）が形成される。
【００７８】
下部基板６１０の上面には，複数の第１電極６２１ａが形成される。ここで，第１電極６２１ａは，カソード電極になる。そして，第１電極６２１ａの上面には，酸化された多孔性シリコン層６２６が形成される。ここで，酸化された多孔性シリコン層６２６は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層になりうる。そして，上部基板６２０の下面には，複数の第２電極６２１ｂが第１電極６２１ａに直交する方向に形成される。ここで，第２電極６２１ｂは，アノード電極になる。
【００７９】
のような構造のＰＤＰで，カソード電極の第１電極６２１ａとアノード電極の第２電極６２１ｂとの間に所定の電圧が印加されれば，第１電極６２１ａから酸化された多孔性シリコン層６２６に電子が流入し，このように流入された電子は，酸化された多孔性シリコン層６２６を通過しつつ加速され，放電セル６１４内部に放出される。
【００８０】
以上では，第１電極６２１ａがカソード電極になり，第２電極６２１ｂがアノード電極になる場合を説明したが，第１電極６２１ａがアノード電極になり，第２電極６２１ｂがカソード電極になる場合も適用可能である。その場合には，酸化された多孔性シリコン層６２６が第２電極６２１ｂの下面に形成される。
【００８１】
一方，上記の電子放出特性を向上させる酸化された多孔性シリコンは，ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）のバックライトとして主に利用される平板ランプにも適用可能である。図１２は，本発明の実施形態による平板ランプの断面を図示した図面である。
【００８２】
図１２を参照すれば，本発明の実施形態による平板ランプは，互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部パネル及び上部パネルを備える。下部パネル及び上部パネルの間には，複数のスペーサ３１３が設けられ，かかるスペーサ３１３により，放電空間は，複数の放電セル３１４に区画される。放電セル３１４の内部には，主にＮｅガスとＸｅガスとが混合された放電ガスが充填され，放電セル３１４の内壁には，蛍光体層３１５が形成される。
【００８３】
下部パネルは，下部基板３１０と，下部基板３１０の下面に形成される複数の第１及び第２放電電極３１１ａ，３１１ｂ，下部基板３１０の上面に形成される複数の第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂ，及び第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂの上面に形成される複数の第１及び第２酸化された多孔性シリコン層３３６ａ，３３６ｂを含む。
【００８４】
下部基板３１０としては，一般的にガラス基板が使われる。第１及び第２放電電極３１１ａ，３１１ｂは，下部基板３１０の下面に所定間隔をおいて互いに平行に形成される。かかる第１及び第２放電電極３１１ａ，３１１ｂは，ＩＴＯ，Ａｌ，Ａｇのような導電性材料からなりうる。第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂは，下部基板３１０の上面に，第１及び第２放電電極３１１ａ，３１１ｂに対応して形成される。そして，第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂは，第１及び第２放電電極３１１ａ，３１１ｂに平行方向に形成される。かかる第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂは，その上面に第１及び第２酸化された多孔性シリコン層３３６ａ，３３６ｂを形成するための電極である。第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂは，ＩＴＯ，Ａｌ，Ａｇのような導電性材料からなりうる。
【００８５】
第１及び第２酸化された多孔性シリコン層３３６ａ，３３６ｂは，第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂと同幅に形成される。ここで，酸化された多孔性シリコン層３３６ａ，３３６ｂは，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層になりうる。かかる第１及び第２酸化された多孔性シリコン層３３６ａ，３３６ｂは，電子放出を増幅させる役割を果たす。
【００８６】
上部パネルは，下部基板３１０と一定間隔離隔されて配置される上部基板３２０と，上部基板３２０の上面に形成される複数の第３及び第４放電電極３２１ａ，３２１ｂと，上部基板３２０の下面に形成される複数の第３及び第４ベース電極３２５ａ，３２５ｂと，第３及び第４ベース電極３２５ａ，３２５ｂの下面に形成される複数の第３及び第４酸化された多孔性シリコン層３２６ａ，３２６ｂとを含む。
【００８７】
上部基板３２０としては，一般的にガラス基板が使われる。第３及び第４放電電極３２１ａ，３２１ｂは，所定間隔をおいて第１及び第２放電電極３１１ａ，３１１ｂと平行方向に形成される。第３及び第４放電電極３２１ａ，３２１ｂは，ＩＴＯのような透明な導電性材料からなることが望ましい。一方，第３及び第４放電電極３２１ａ，３２１ｂは，Ａｌ，Ａｇのような導電性材料からなることも可能である。第３及び第４ベース電極３２５ａ，３２５ｂは，上部基板３２０の下面に，第３及び第４放電電極３２１ａ，３２１ｂに対応して第３及び第４放電電極３２１ａ，３２１ｂに平行方向に形成される。かかる第３及び第４ベース電極３２５ａ，３２５ｂは，その下面に，第３及び第４酸化された多孔性シリコン層３２６ａ，３２６ｂを形成するための電極である。第３及び第４ベース電極３２５ａ，３２５ｂは，ＩＴＯのような透明な導電性材料からなることが望ましい。一方，第３及び第４ベース電極３２５ａ，３２５ｂは，Ａｌ，Ａｇのような導電性材料からなることも可能である。
【００８８】
第３及び第４酸化された多孔性シリコン層３２６ａ，３２６ｂは，第３及び第４ベース電極３２５ａ，３２５ｂと同幅に形成される。ここで，酸化された多孔性シリコン層３２６ａ，３２６ｂは，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層になりうる。かかる第３及び第４酸化された多孔性シリコン層３２６ａ，３２６ｂは，電子放出を増幅させる役割を果たす。
【００８９】
上記のような構造の平板ランプで，第１及び第２放電電極３１１ａ，３１１ｂに所定の電圧が印加されれば，第１または第２酸化された多孔性シリコン層３３６ａ，３３６ｂから加速された電子が放電セル３１４の内部に放出され，第３及び第４放電電極３２１ａ，３２１ｂに所定の電圧が印加されれば，第３及び第４酸化された多孔性シリコン層３２６ａ，３２６ｂから加速された電子が放電セル３１４の内部に放出される。かかる電子放出の増幅効果により，ランプの輝度及び効率が向上する。
【００９０】
以上では，一対の放電電極が上部パネルと下部パネルいずれにも形成された面放電型構造の平板ランプが説明されたが，本実施形態はこれに限定されずに，一対の放電電極が上部パネルと下部パネルのうちいずれか一方のパネルにだけ形成された面放電型構造の平板ランプにも適用可能である。また，本実施形態は，一対の放電電極がそれぞれ上部パネルと下部パネルとに形成された対向放電型構造の平板ランプにも適用可能である。
【００９１】
以下では，本発明の実施形態による平板ランプの製造方法について説明する。図１３Ａ〜図１３Ｅは，図１２に図示された平板ランプの下部パネルを製造する方法を説明するための図面である。図１３Ａ〜図１３Ｅで，基板は，図１２に図示された下部基板を表す。
【００９２】
まず，図１３Ａを参照すれば，基板３１０の下面に，ＩＴＯ，Ａｌ，Ａｇのような導電性材料を蒸着した後，これをパターニングして第１及び第２放電電極３１１ａ，３１１ｂを形成する。そして，基板３１０の上面には，ＩＴＯ，Ａｌ，Ａｇのようなベース電極物質３３５を所定厚さに蒸着する。次に，ベース電極物質３３５を所定形態にパターニングすれば，図１３Ｂに図示されているように，第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂが形成される。
【００９３】
次に，図１３Ｃを参照すれば，基板３１０の上面に，第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂを埋め込むようにシリコン層３３７を形成する。ここで，シリコン層１２７は，ポリシリコン層または非晶質シリコン層になりうる。シリコン層３３７は，ほぼ４００℃以下の温度でＰＥＣＶＤ法により所定厚さに形成可能である。
次に，図１３Ｄを参照すれば，第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂの上部に位置したシリコン層３３７を多孔性シリコン層に変化させる。具体的に，多孔性シリコン層は，第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂに所定の電流密度を印加した状態で，ＨＦとエタノールとを混合した溶液でシリコン層３３７を正極酸化処理することにより形成可能である。次に，多孔性シリコン層を電気化学的酸化法により酸化させる。具体的には，多孔性シリコン層を硫酸水溶液に入れた状態で，多孔性シリコン層に所定の電流密度を印加すれば，多孔性シリコン層は，酸化された多孔性シリコン層３３６ａ，３３６ｂに変わる。
【００９４】
次に，図１３Ｅを参照すれば，基板３１０上に残っているシリコン層３３７を除去すれば，平板ランプの下部パネルが完成される。一方，平板ランプの上部パネルも前述した過程と同じ過程を経て完成される。
【００９５】
図１４Ａ及び図１４Ｂは，それぞれ放電ガスの圧力変化による電圧特性を測定するために，実験対象になった従来の平板ランプと本発明による平板ランプの断面を図示した図面である。本実験は，測定上の便宜のために，対向放電構造の平板ランプを対象に実施された。
【００９６】
図１４Ａを参照すれば，従来の平板ランプでは，下部基板７１０及び上部基板７２０の外面に，放電電極７１１，７２１が設けられており，下部基板７１０及び上部基板７２０の内面には，それぞれシリコンウェーハ７３１が設けられている。そして，図１４Ｂを参照すれば，本発明による平板ランプでは，下部基板８１０及び上部基板８２０の外面に，放電電極８１１，８２１が設けられており，下部基板８１０及び上部基板８２０の内面には，それぞれ酸化された多孔性シリコン層８３６が設けられている。図１４Ｂで，参照符号８３０，８３５及び８３７は，それぞれ基板，ベース電極及びシリコン層を表す。
【００９７】
図１５は，図１４Ａ及び図１４Ｂにそれぞれ図示された従来の平板ランプ及び本発明による平板ランプで，放電ガスの圧力変化による電圧特性の測定結果を比較して図示しグラフである。図１５を参照すれば，本発明による平板ランプの放電開始電圧Ｖｆ及び放電保持電圧Ｖｓは，それぞれ従来の平板ランプの放電開始電圧Ｖｆ及び放電保持電圧Ｖｓに比べて低くなっていることが分かる。
【００９８】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
本発明は，ＰＤＰ及び平板ランプ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】従来ＰＤＰの分離斜視図である。
【図２Ａ】図１に図示されたＰＤＰの断面図である。
【図２Ｂ】図１に図示されたＰＤＰの断面図である。
【図３】従来の他のＰＤＰの断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態によるＰＤＰの分離斜視図である。
【図５】図４に図示されたＰＤＰの一部断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態によるＰＤＰの一部断面図である。
【図７Ａ】図４に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図７Ｂ】図４に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図７Ｃ】図４に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図７Ｄ】図４に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図７Ｅ】図４に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図７Ｆ】図４に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図７Ｇ】図４に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図８Ａ】図６に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図８Ｂ】図６に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図８Ｃ】図６に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図８Ｄ】図６に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図８Ｅ】図６に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図９】本発明の第３実施形態によるＰＤＰの一部断面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態によるＰＤＰの一部断面図である。
【図１１】本発明の第５実施形態によるＰＤＰの一部断面図である。
【図１２】本発明の実施形態による平板ランプの一部断面図である。
【図１３Ａ】図１２に図示された平板ランプの製造方法を説明するための図面である。
【図１３Ｂ】図１２に図示された平板ランプの製造方法を説明するための図面である。
【図１３Ｃ】図１２に図示された平板ランプの製造方法を説明するための図面である。
【図１３Ｄ】図１２に図示された平板ランプの製造方法を説明するための図面である。
【図１３Ｅ】図１２に図示された平板ランプの製造方法を説明するための図面である。
【図１４Ａ】放電ガスの圧力変化による電圧特性を測定するために実験対象になった従来の平板ランプの断面を図示した図面である。
【図１４Ｂ】放電ガスの圧力変化による電圧特性を測定するために実験対象になった本発明による平板ランプの断面を図示した図面である。
【図１５】図１４Ａ及び図１４Ｂにそれぞれ図示された従来の平板ランプ及び本発明による平板ランプで，放電ガスの圧力変化による電圧特性の測定結果を比較して示したグラフである。
【符号の説明】
【０１０１】
１１０ 下部基板
１１１ アドレス電極
１１２ 第１誘電体層
１１３ 隔壁
１１４ 放電セル
１１５ 蛍光体層
１２０ 上部基板
１２１ａ，１２１ｂ 第１及び第２保持電極
１２２ａ，１２２ｂ 第１及び第２バス電極
１２３ 第２誘電体層
１２４ 保護膜
１２５ａ，１２５ｂ 第１及び第２ベース電極
１２６ａ，１２６ｂ 第１及び第２酸化された多孔性シリコン層
【技術分野】
【０００１】
本発明は，プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）及び平板ランプに係り，詳細には酸化された多孔性シリコン（Ｏｘｉｄｉｚｅｄ ｐｏｒｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）を利用して電子放出特性を向上させることができるＰＤＰ及び平板ランプに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰは，電気的放電を利用して画像を形成する装置であり，輝度や視野角などの表示性能にすぐれ，その使用が日増しに増大している。かかるＰＤＰは，電極に印加される直流または交流電圧によって電極間でガス放電が起こり，この放電過程で発生する紫外線の放射によって蛍光体が励起され，可視光を発散する。
【０００３】
ＰＤＰは，その放電形式により，直流型（ＤＣ ｔｙｐｅ）と交流型（ＡＣ ｔｙｐｅ）とに分類される。直流型ＰＤＰは，あらゆる電極が放電空間に露出される構造であり，対応電極間に電荷の移動が直接的になされる。交流型ＰＤＰは，少なくとも１つの電極が誘電体層に巻かれ，対応する電極間に直接的な電荷の移動がなされない代わりに，壁電荷によって放電が行われる。
【０００４】
また，ＰＤＰは，電極の配置構造により，対向放電型と面放電型とに分類される。対向放電型ＰＤＰは，対をなす２つの維持電極が，それぞれ上部基板と下部基板とに配置されている構造であり，放電が基板に垂直の方向に起こる。面放電型ＰＤＰは，対をなす２つの維持電極が，同じ基板上に配置されている構造であり，放電が基板に平行方向に起こる。
【０００５】
対向放電型ＰＤＰは，発光効率は高い一方，プラズマにより蛍光体層が容易に劣化されるという短所があり，最近では，面放電型ＰＤＰが主流をなしている。
【０００６】
図１には，従来の一般的な面放電型ＰＤＰが図示されている。そして，図２Ａ及び図２Ｂには，図１に図示されたＰＤＰを横方向及び縦方向に切断した断面が図示されている。図１，図２Ａ及び図２Ｂを参照すれば，従来のＰＤＰは，一定間隔で相互対面する上部基板２０と下部基板１０とを備える。上部基板２０と下部基板１０との間の空間は，プラズマ放電が起きる放電空間になる。
【０００７】
下部基板１０の上面には，複数のアドレス電極１１がストライプ状に配列されており，このアドレス電極１１は，第１誘電体層１２により埋め込まれている。第１誘電体層１２の上面には，放電空間を区画して放電セル１４を形成し，この放電セル１４間の電気的，光学的干渉を防止する複数の隔壁１３が互いに所定間隔をおいて形成されている。そして，放電セル１４の内面には，それぞれ赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の蛍光体層１５が所定厚さで塗布されており，放電セル１４の内部には，放電ガスが充填されている。
【０００８】
上部基板２０は，可視光が透過できる透明基板であり，主にガラスからなり，隔壁１３の形成された下部基板１０に結合される。上部基板２０の下面には，アドレス電極１１と直交するストライプ状の維持電極２１ａ，２１ｂが対をなして形成されている。維持電極２１ａ，２１ｂは可視光が透過可能なように，主にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）のような透明な導電性材料からなる。そして，維持電極２１ａ，２１ｂのライン抵抗を減らすために，維持電極２１ａ，２１ｂそれぞれの下面には，金属材質からなるバス電極２２ａ，２２ｂが維持電極２１ａ，２１ｂより狭幅に形成されている。かかる維持電極２１ａ，２１ｂとバス電極２２ａ，２２ｂは，透明な第２誘電体層２３により埋め込まれている。第２誘電体層２３の下面には，酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護膜２４が形成されている。
【０００９】
上記のような構造のＰＤＰで，保護膜２４は，プラズマ粒子のスパッタリングによる第２誘電体層２３の損傷を防止し，二次電子を放出して放電電圧を下げる役割を果たす。しかし，ＭｇＯからなる保護膜は，二次電子放出係数が低いために，放電空間内で十分な電子放出効果を出すのには限界がある。
【００１０】
かかる問題点を解決するためのＰＤＰとして，図３には，特許文献１に開示されたＰＤＰの断面が図示されている。
【００１１】
図３を参照すれば，上部基板４０と下部基板３０とが互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する。上部基板４０と下部基板３０との間には，放電空間を区画して放電セル３４を形成する複数の隔壁３３が設けられる。下部基板３０の上面には，アドレス電極３１が形成され，アドレス電極３１は，下部基板３０の上面に形成される第１誘電体層３２によって埋め込まれている。そして，上部基板４０の下面には，維持電極４１が形成され，維持電極４１は，上部基板４０の下面に形成される第２誘電体層４３によって埋め込まれている。第２誘電体層４３の下面には，保護膜４４とカーボンナノチューブ（ＣＮＴ：Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏ Ｔｕｂｅ）４５とが順次に積層された二次電子増幅構造体が形成される。
【００１２】
【特許文献１】米国特許第６，３４６，７７５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
このようなＰＤＰでは，二次電子増幅構造体によって効率及び輝度が向上し，放電電圧が降下するという長所はあるが，放電中にＣＮＴ ４５が破壊されるという可能性がある。そして，ＰＤＰでは，放電空間の内部が低真空状態に保持されるが，かかる低真空状態では，ＣＮＴ ４５の電子放出特性が良好ではないという問題点がある。
【００１４】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，酸化された多孔性シリコンを利用して電子放出特性を向上させることができるＰＤＰ及び平板ランプを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，互いに対向するように配置される下部パネル及び上部パネルと，下部パネルに形成される複数のアドレス電極と，上部パネルに形成される複数の保持電極と，上部パネルに保持電極に対応して形成される複数の酸化された多孔性シリコン層とを備えるプラズマディスプレイプレイパネルが提供される。
【００１６】
酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層であってもよい。
【００１７】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と，下部基板の上面に形成される複数のアドレス電極と，アドレス電極を埋め込むように下部基板の上面に形成される第１誘電体層と，上部基板の下面にアドレス電極と交差する方向に形成される複数の保持電極と，保持電極を埋め込むように上部基板の下面に形成される第２誘電体層と，第２誘電体層の下部に形成される酸化された多孔性シリコン層と，下部基板と上部基板との間に設けられ，放電空間を区画して放電セルを形成する複数の隔壁と，放電セルの内壁に形成される蛍光体層とを備えるプラズマディスプレイパネルが提供される。
【００１８】
ここで，酸化された多孔性シリコン層は，第２誘電体層の下部全面に形成されるか，または保持電極に対応する位置に保持電極と同幅に形成可能である。酸化された多孔性シリコン層の上面には，ベース電極が形成可能である。保持電極の下面には，バス電極がさらに形成可能である。第２誘電体層及び酸化された多孔性シリコン層の下面には，保護膜が形成可能である。
【００１９】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と，下部基板の上面に形成される複数のアドレス電極と，アドレス電極を埋め込むように，下部基板の上面に形成される第１誘電体層と，上部基板の下面にアドレス電極と交差する方向に形成される複数の保持電極と，保持電極の下面に形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と，上部基板の下面に形成され，酸化された多孔性シリコン層の下面を露出させる第２誘電体層と，下部基板と上部基板との間に設けられ，放電空間を区画して放電セルを形成する複数の隔壁と，放電セルの内壁に形成される蛍光体層とを備えるプラズマディスプレイパネルが提供される。
【００２０】
保持電極と酸化された多孔性シリコン層との間には，バス電極がさらに形成されうる。このとき，バス電極は，保持電極の縁に沿って，保持電極より狭幅に形成されることが望ましく，酸化された多孔性シリコン層は，バス電極と同幅に形成可能である。
【００２１】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板の上面に複数の保持電極を形成し，保持電極を埋め込むように誘電体層を形成するステップと，誘電体層の上面に複数のベース電極を保持電極と平行方向に形成するステップと，誘電体層の上面にベース電極を埋め込むようにシリコン層を形成するステップと，ベース電極の上部に位置したシリコン層を多孔性シリコン層に変化させるステップと，多孔性シリコン層を酸化させるステップと，誘電体層上に残っているシリコン層を除去するステップとを含むプラズマディスプレイの製造方法が提供される。
【００２２】
ベース電極は，誘電体層の上面にベース電極物質を蒸着し，それをパターニングすることによりさらに形成可能である。誘電体層の上面及び酸化された多孔性シリコン層の上面に保護膜を形成するステップがさらに含まれうる。そして，保持電極の上面に，バス電極を形成するステップがさらに含まれうる。
【００２３】
シリコン層は，ポリシリコン層または非晶質シリコン層であり，プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成可能である。多孔性シリコン層は，ベース電極の上部に位置したシリコン層がフッ化水素（ＨＦ）とエタノールとが混合された溶液により，正極酸化処理されて形成可能である。酸化された多孔性シリコン層は，多孔性シリコン層が電気化学的酸化法により酸化されて形成可能である。
【００２４】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板の上面に複数の保持電極を形成し，保持電極の上面にバス電極を形成するステップと，保持電極及びバス電極を埋め込むように基板の上面に誘電体層を形成するステップと，誘電体層をエッチングし，バス電極の上面を露出させるトレンチを形成するステップと，バス電極の上面にシリコン層を形成するステップと，シリコン層を多孔性シリコン層に変化させるステップと，多孔性シリコン層を酸化させるステップとを含むプラズマディスプレイの製造方法が提供される。
【００２５】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，本発明のさらに他の具現例によるＰＤＰの製造方法は，基板の上面に複数の保持電極を形成し，保持電極を埋め込むように誘電体層を形成するステップと，誘電体層をエッチングし，保持電極の上面を露出させるトレンチを形成するステップと，保持電極の上面にシリコン層を形成するステップと，シリコン層を多孔性シリコン層に変化させるステップと，多孔性シリコン層を酸化させるステップとを含むプラズマディスプレイの製造方法が提供される。
【００２６】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と，下部基板の上面に形成される複数の第１電極と，第１電極を埋め込むように下部基板の上面に形成される第１誘電体層と，上部基板の下面に第１電極と交差する方向に形成される複数の第２電極と，第２電極を埋め込むように上部基板の下面に形成される第２誘電体層と，第１誘電体層の上部と第２誘電体層の下部のうち少なくとも１層に第１電極または第２電極に対応して形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と，下部基板と上部基板との間に設けられ，放電空間を区画して放電セルを形成する複数の隔壁と，放電セルの内壁に形成される蛍光体層とを備えるプラズマディスプレイが提供される。
【００２７】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と，下部基板の上面に形成される複数の第１電極と，上部基板の下面に第１電極と交差する方向に形成される複数の第２電極と，第１及び第２電極のうちいずれか一方の電極表面に形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と，下部基板と上部基板との間に設けられ，放電空間を区画して放電セルを形成する複数の隔壁と，放電セルの内壁に形成される蛍光体層とを備えるプラズマディスプレイパネルが提供される。
【００２８】
ここで，第１及び第２電極のうち酸化された多孔性シリコン層が形成される電極は，カソード電極であってもよい。
【００２９】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，互いに対向するように配置される下部パネル及び上部パネルと，下部パネルと上部パネルのうち少なくとも一方のパネルに形成される複数の放電電極と，放電電極が形成されたパネルに放電電極に対応して形成される複数の酸化された多孔性シリコン層とを備える平板パネルが提供される。
【００３０】
ここで，酸化された多孔性シリコン層の一面には，ベース電極が形成可能である。酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層になりうる。
【００３１】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と，下部基板と上部基板のうち少なくとも一方の基板外面に形成される複数の放電電極と，放電電極が形成された基板内面側に放電電極に対応して放電電極と平行方向に形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と，下部基板と上部基板との間に設けられる複数のスペーサと，放電空間の内壁に形成される蛍光体層とを備える平板ランプが提供される。
【００３２】
ここで，放電電極が形成された基板内面と酸化された多孔性シリコン層との間には，複数のベース電極が形成可能である。このとき，ベース電極は，酸化された多孔性シリコン層と同幅に形成される。
【００３３】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板の下面に複数の放電電極を形成し，基板の上面に複数のベース電極を形成するステップと，基板の上面にベース電極を埋め込むようにシリコン層を形成するステップと，ベース電極の上部に位置したシリコン層を多孔性シリコン層に変化させるステップと，多孔性シリコン層を酸化させるステップと，基板上に残っているシリコン層を除去するステップとを含む平板ランプの製造方法が提供される。
【００３４】
ベース電極は，基板の上面にベース電極物質を蒸着し，それをパターニングすることにより形成可能である。
【００３５】
シリコン層は，ポリシリコン層または非晶質シリコン層であり，ＰＥＣＶＤ法により形成可能である。多孔性シリコン層は，ベース電極の上部に位置したシリコン層がＨＦとエタノールとが混合された溶液により，正極酸化処理されて形成可能である。酸化された多孔性シリコン層は，多孔性シリコン層が電気化学的酸化法によって酸化されて形成可能である。
【発明の効果】
【００３６】
以上説明したように本発明によれば，第一に，パネルに低真空状態でも電子放出特性にすぐれる酸化された多孔性シリコン層を形成することにより，ＰＤＰ及び平板ランプの輝度と効率とを向上させることができる。第二に，ＰＤＰ及び平板ランプの放電電圧を下げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３８】
図４は，本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイの分離斜視図であり，図５は，図４に図示されたＰＤＰの一部断面図である。
【００３９】
図４及び図５を参照すれば，本発明の実施形態によるＰＤＰは，互いに対向するように配置される下部パネル及び上部パネルを備える。ここで，下部パネルと上部パネルとの間には，プラズマ放電が起きる放電空間が形成される。そして，下部パネルと上部パネルとの間には，放電空間を区画して放電セル１１４を形成し，放電セル１１４間の電気的，光学的干渉を防止する複数の隔壁１１３が設けられる。放電セル１１４の内部には，放電時に紫外線を発生させる放電ガスが充填されているが，かかる放電ガスとしては，一般的にネオン（Ｎｅ）ガスとキセノン（Ｘｅ）ガスとが混合されたガスが使われる。また，放電セル１１４の内壁には，それぞれＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体層１１５が所定厚さに塗布され，かかる蛍光体層１１５は，放電によって発生した紫外線によって励起され，所定色相の可視光を発生させる。
【００４０】
下部パネルは，下部基板１１０と，下部基板１１０の上面に形成される複数のアドレス電極１１１と，アドレス電極１１１を埋め込むように下部基板１１０の上面に形成される第１誘電体層１１２とを含む。
【００４１】
下部基板１１０としては，一般的にガラス基板が使われる。下部基板１１０の上面には，複数のアドレス電極１１１が互いに平行に形成される。そして，アドレス電極１１１は，第１誘電体層１１２によって埋め込まれている。
【００４２】
隔壁１１３は，第１誘電体層１１２の上面に，アドレス電極１１１と平行方向に互いに所定間隔をおいて形成される。一方，隔壁１１３は，アドレス電極１１１と直交する方向に形成され，またマトリックス状に形成されもする。蛍光体層１１５は，第１誘電体層１１２の上面及び隔壁１１３の側面に所定厚さに形成される。
【００４３】
上部パネルは，下部基板１１０と一定間隔離隔されて配置される上部基板１２０と，上部基板１２０の下面に形成される複数の第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂと，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂを埋め込むように上部基板１２０の下面に形成される第２誘電体層１２３と，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂの下部に形成される複数の第１及び第２酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂとを含む。
【００４４】
上部基板１２０としては，一般的に可視光が透過可能なガラス基板が使われる。上部基板１２０の下面には，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂが放電セル１１４ごとに対をなし，アドレス電極１１１と交差する方向に互いに平行に形成される。第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂは，主にＩＴＯのような透明な導電性材料からなる。そして，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂそれぞれの下面には，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂのライン抵抗を減らすために，第１及び第２バス電極１２２ａ，１２２ｂが形成される。第１及び第２バス電極１２２ａ，１２２ｂは，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂの縁に沿って第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂの幅より狭幅に形成される。ここで，第１及び第２バス電極１２２ａ，１２２ｂは，Ａｌ，Ａｇのような金属材質からなることが望ましい。第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂと第１及び第２バス電極１２２ａ，１２２ｂは，透明な材質の第２誘電体層１２３によって埋め込まれている。
【００４５】
第２誘電体層１２３の下面には，複数の第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂが第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂに対応して形成される。ここで，第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂは，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂと平行方向に形成される。第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂは，ＩＴＯ，ＡｌまたはＡｇからなりうる。かかる第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂは，その下面に第１及び第２酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂを形成するための電極である。
【００４６】
第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂの下面には，それぞれ第１及び第２酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂが形成される。ここで，酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂは，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層（Ｏｘｉｄｉｚｅｄ ｐｏｒｏｕｓ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）になりうる。第１及び第２酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂは，第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂと同幅に形成される。かかる第１及び第２酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂは，電子放出を増幅させる役割を果たす。
【００４７】
第２誘電体層１２３の下面には，保護膜１２４が形成可能である。保護膜１２４は，プラズマ粒子のスパッタリングによる第２誘電体層１２３の損傷を防止し，二次電子を放出して放電電圧を下げる役割を果たす。ここで，保護膜１２４は，ＭｇＯからなることが望ましい。一方，保護膜１２４は，第１及び第２酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂの下面にも形成可能である。
【００４８】
のような構造のＰＤＰで，放電のために第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂに，それぞれ，例えば１，０００Ｖ及び０Ｖの電圧が印加されれば，放電セル１１４の内部では，第１保持電極１２１ａから第２保持電極１２１ｂに向かう電界が形成される。かかる電界の形成により，第２ベース電極１２５ｂから第２酸化された多孔性シリコン層１２６ｂに電子が流入し，このように流入された電子は，第２酸化された多孔性シリコン層１２６ｂを通過しつつ加速され，放電セル１１４内部に放出される。一方，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂに，それぞれ，例えば０Ｖ及び１，０００Ｖの電圧が印加されば，第１酸化された多孔性シリコン層１２６ａから加速された電子が放出される。
このように，ＰＤＰの上部パネルに酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂを形成すれば，電子放出特性が向上されて輝度及び効率が向上する。
【００４９】
図６は，本発明の第２実施形態によるＰＤＰの一部断面図である。図６を参照すれば，下部パネルと上部パネルとが互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成し，かかる放電空間は，隔壁（図示せず）によって区画され，放電セル２１４を形成する。そして，放電セル２１４の内壁には，蛍光体層が形成される。
【００５０】
下部パネルは，下部基板２１０と，下部基板２１０の上面に縦に平行に形成される複数のアドレス電極２１１と，アドレス電極２１１を埋め込むように下部基板２１０の上面に形成される第１誘電体層２１２とを含む。
【００５１】
上部パネルは，上部基板２２０と，上部基板２２０の下面に形成される第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂと，第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂの下面に形成される第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂと，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂの下面に形成される第１及び第２酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂとを含む。
【００５２】
第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂは，アドレス電極２１１と交差する方向に互いに平行に形成される。かかる第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂは，ＩＴＯのような透明な導電性材料からなる。そして，第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂそれぞれの下面には，第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂのライン抵抗を減らすために，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂが形成される。また，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂは，その下面に第１及び第２酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂを形成するための電極の役割も果たす。第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂは，第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂの縁に沿って，第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂの幅より狭幅に形成される。ここで，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂは，Ａｌ，Ａｇのような金属材質からなることが望ましい。
【００５３】
第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂの下面には，第１及び第２酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂが形成される。ここで，酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂは，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層になりうる。第１及び第２酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂは，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂに沿って第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂと同幅に形成される。
【００５４】
上部基板２２０の下面には，透明な材質の第２誘電体層２２３が第１及び第２酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂの下面を露出させるように形成される。第２誘電体層２２３の下面には，保護膜２２４が形成可能である。ここで，保護膜２２４は，ＭｇＯからなることが望ましい。保護膜２２４は，第１及び第２酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂの下面にも形成可能である。
【００５５】
一方，本実施形態では，保持電極２２１ａ，２２１ｂと酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂとの間に，バス電極２２２ａ，２２２ｂが形成されずに，酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂが保持電極２２１ａ，２２１ｂの下面に直接形成されもする。この場合，酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂは，保持電極２２１ａ，２２１ｂと同幅に形成される。そして，第２誘電体層２２３は，酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂの下面を露出させるように，上部基板２２０の下面に形成される。
【００５６】
上記のような構造のＰＤＰで，酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂから加速された電子が放出される過程は，前述した実施形態と類似しているので，これについての詳細な説明は省略する。
【００５７】
以下では，本発明の実施形態によるＰＤＰの製造方法について説明する。図７Ａ〜図７Ｇは図４に図示されたＰＤＰの上部パネルを製造する方法を説明するための図面である。図７Ａ〜図７Ｇで，基板及び誘電体層は，それぞれ図４に図示された上部基板及び第２誘電体層を表す。
【００５８】
まず，図７Ａを参照すれば，基板１２０の上面に，ＩＴＯのような透明な導電性材料を蒸着した後，これをパターニングして複数の第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂを形成する。そして，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂの上面に，Ａｌ，Ａｇのような金属物質を蒸着した後，これをパターニングして複数の第１及び第２バス電極１２２ａ，１２２ｂを形成する。ここで，第１及び第２バス電極１２２ａ，１２２ｂは，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂの縁に沿って，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂより狭幅に形成される。次に，基板１２０の上面に，保持電極１２１ａ，１２１ｂ及びバス電極１２２ａ，１２２ｂを埋め込むように誘電体層１２３を形成する。
【００５９】
次に，図７Ｂを参照すれば，誘電体層１２３の上面に，ＩＴＯ，Ａｌ，Ａｇのようなベース電極物質１２５を所定厚さに蒸着する。そして，ベース電極物質１２５を所定形態にパターニングすれば，図７Ｃに図示されているように，第１及び第２保持電極１２１ａ，１２１ｂの上部に，第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂが形成される。
次に，図７Ｄを参照すれば，誘電体層１２３の上面に第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂを埋め込むようにシリコン層１２７を形成する。ここで，シリコン層１２７は，ポリシリコン層または非晶質シリコン層になりうる。シリコン層１２７は，ほぼ４００℃以下の温度でＰＥＣＶＤ法により所定厚さに形成可能である。
【００６０】
次に，図７Ｅを参照すれば，第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂの上部に位置したシリコン層１２７を多孔性シリコン層に変化させる。具体的に，多孔性シリコン層は，第１及び第２ベース電極１２５ａ，１２５ｂに所定の電流密度を印加した状態で，ＨＦとエタノールとを混合した溶液でシリコン層を正極酸化処理することにより形成可能である。次に，多孔性シリコン層を電気化学的酸化法により酸化させる。具体的には，多孔性シリコン層を硫酸水溶液に入れた状態で，多孔性シリコン層に所定の電流密度を印加すれば，多孔性シリコン層は，酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂに変わる。
【００６１】
次に，図７Ｆを参照すれば，誘電体層１２３上に残っているシリコン層１２７を除去する。最後に，図７Ｇを参照すれば，誘電体層１２３の上面及び酸化された多孔性シリコン層１２６ａ，１２６ｂの上面に，ＭｇＯからなる保護膜１２４を形成する。一方，保護膜１２４は，誘電体層１２３の上面にだけ形成されもする。の工程を介して製造された上部パネルと，アドレス電極が形成された下部パネルとを結合することによりＰＤＰが完成される。
【００６２】
図８Ａ〜図８Ｅは，図６に図示されたＰＤＰの上部パネルを製造する方法を説明するための図面である。図８Ａ〜図８Ｅで，基板及び誘電体層は，それぞれ図６に図示された上部基板及び第２誘電体層を表す。
【００６３】
まず，図８Ａを参照すれば，基板２２０上に，第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂを形成し，第１及び第２保持電極２２１ａ，２２１ｂの上面に，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂを形成する。そして，基板２２０の上面に，保持電極２２１ａ，２２１ｂ及びバス電極２２２ａ，２２２ｂを埋め込むように誘電体層２２３を形成する。
【００６４】
次に，図８Ｂを参照すれば，誘電体層２２３をエッチングし，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂの上面を露出させるトレンチ２３０を形成する。次に，図８Ｃを参照すれば，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂの上面に，シリコン層２２７を形成する。ここで，シリコン層２２７は，ポリシリコン層または非晶質シリコン層になりうる。シリコン層２２７は，ほぼ４００℃以下の温度でＰＥＣＶＤ法により所定厚さに形成可能である。
【００６５】
次に，図８Ｄを参照すれば，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂの上面に形成されたシリコン層２２７を多孔性シリコン層に変化させる。具体的に，多孔性シリコン層は，第１及び第２バス電極２２２ａ，２２２ｂに所定の電流密度を印加した状態で，ＨＦとエタノールとを混合した溶液でシリコン層２２７を正極酸化処理することにより形成可能である。次に，多孔性シリコン層を電気化学的酸化法によって酸化させる。具体的には，多孔性シリコン層を硫酸水溶液に入れた状態で，多孔性シリコン層に所定の電流密度を印加すれば，多孔性シリコン層は，酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂに変わる。
【００６６】
最後に，図８Ｅを参照すれば，誘電体層２２３の上面及び酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂの上面に，ＭｇＯからなる保護膜２２４を形成する。一方，保護膜２２４は，誘電体層２２３の上面にだけ形成されもする。
【００６７】
一方，酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂが保持電極２２１ａ，２２１ｂの下面に直接形成される上部パネルを製造する場合には，の工程で，バス電極２２２ａ，２２２ｂを形成するステップが省略される。その場合，誘電体層２２３が保持電極２２１ａ，２２１ｂの上面を露出させるようにエッチングされ，保持電極２２１ａ，２２１ｂの上面には，シリコン層２２７が形成される。そして，シリコン層２２７は，前述のように，酸化された多孔性シリコン層２２６ａ，２２６ｂに変化する。
【００６８】
図９は，本発明の第３実施形態によるＰＤＰの一部断面図である。図９を参照すれば，下部基板４１０と上部基板４２０とが互いに一定の間隔をおいて対向するように設けられ，その間に放電空間を形成する。そして，下部基板４１０と上部基板４２０との間には，放電空間を区画して放電セル４１４を形成する複数の隔壁（図示せず）が設けられ，放電セル４１４の内壁には，蛍光体層４１５が形成される。
【００６９】
下部基板４１０の上面には，複数のアドレス電極４１１が形成され，かかるアドレス電極４１１は，第１誘電体層４１２によって埋め込まれている。上部基板４２０の下面には，複数の第１及び第２保持電極４２１ａ，４２１ｂが，アドレス電極４１１と交差する方向に形成され，第１及び第２保持電極４２１ａ，４２１ｂの下面には，それぞれ第１及び第２バス電極４２２ａ，４２２ｂが形成される。第１及び第２保持電極４２１ａ，４２１ｂと第１及び第２バス電極４２２ａ，４２２ｂは，第２誘電体層４２３によって埋め込まれている。
【００７０】
第２誘電体層４２３の下面全体には，ベース電極４２５が形成される。ここで，ベース電極４２５は，その下面に酸化された多孔性シリコン層４２６を形成するための電極である。ベース電極４２５は，ＩＴＯ，ＡｌまたはＡｇからなりうる。そして，ベース電極４２５の下面全体には，酸化された多孔性シリコン層４２６が形成される。ここで，酸化された多孔性シリコン層４２６は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層になりうる。ここで，酸化された多孔性シリコン層４２６は，電子放出を増幅させる役割だけでなく，保護膜の機能も果たす。
【００７１】
以上では，酸化された多孔性シリコンが交流型面放電構造のＰＤＰに適用されている場合が説明されたが，酸化された多孔性シリコンは，交流型対向放電構造のＰＤＰにも適用可能である。
【００７２】
図１０は，本発明の第４実施形態によるＰＤＰの一部断面図である。図１０を参照すれば，下部基板５１０と上部基板５２０とが互いに一定の間隔をおいて対向するように設けられ，その間に放電空間を形成する。そして，下部基板５１０と上部基板５２０との間には，放電空間を区画して放電セル５１４を形成する複数の隔壁（図示せず）が設けられ，放電セル５１４の内壁には，蛍光体層（図示せず）が形成される。
【００７３】
下部基板５１０の上面及び上部基板５２０の下面には，それぞれ放電セル５１４の内部に放電を起こすための複数の第１電極５２１ａ及び第２電極５２１ｂが対で形成される。ここで，第１電極５２１ａと第２電極５２１ｂは，互いに直交する方向に形成される。そして，下部基板５１０の上面には，第１電極５２１ａを覆うように第１誘電体層５１２が形成され，上部基板５２０の下面には，第２電極５２１ｂを覆うように第２誘電体層５２３が形成される。
【００７４】
第１誘電体層５１２の上面には，複数の第１ベース電極５２５ａが第１電極５２１ａに対応して形成される。ここで，第１ベース電極５２５ａは，第１電極５２１ａに平行方向に形成される。そして，第２誘電体層５２３の下面には，複数の第２ベース電極５２５ｂが第２電極５２１ｂに対応して形成される。ここで，第２ベース電極５２５ｂは，第２電極５２１ｂに平行方向に形成される。第１及び第２ベース電極５２５ａ，５２５ｂは，ＩＴＯ，ＡｌまたはＡｇからなりうる。
【００７５】
第１ベース電極５２５ａの上面及び第２ベース電極５２５ｂの下面には，それぞれ第１及び第２酸化された多孔性シリコン層５２６ａ，５２６ｂが形成される。ここで，酸化された多孔性シリコン層５２６ａ，５２６ｂは，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層になりうる。第１及び第２酸化された多孔性シリコン層５２６ａ，５２６ｂは，第１及び第２ベース電極５２５ａ，５２５ｂと同幅に形成される。一方，第１誘電体層５１２及び第２誘電体層５２３の表面には，ＭｇＯからなる保護膜（図示せず）がさらに形成可能である。
【００７６】
上記のような構造のＰＤＰで，第１電極５２１ａと第２電極５２１ｂとの間に，所定の交流電圧が印加されれば，加速された電子が第１及び第２酸化された多孔性シリコン層５２６ａ，５２６ｂから交互に放出され，パネルの輝度及び効率が向上されうる。
一方，酸化された多孔性シリコンは，直流型ＰＤＰにも適用可能である。
【００７７】
図１１は，本発明の第５実施形態によるＰＤＰの一部断面図である。図１１を参照すれば，下部基板６１０と上部基板６２０とが互いに一定の間隔をおいて対向するように設けられ，その間に放電空間を形成する。そして，下部基板６１０と上部基板６２０との間には，放電空間を区画して放電セル６１４を形成する複数の隔壁（図示せず）が設けられ，放電セル６１４の内壁には，蛍光体層（図示せず）が形成される。
【００７８】
下部基板６１０の上面には，複数の第１電極６２１ａが形成される。ここで，第１電極６２１ａは，カソード電極になる。そして，第１電極６２１ａの上面には，酸化された多孔性シリコン層６２６が形成される。ここで，酸化された多孔性シリコン層６２６は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層になりうる。そして，上部基板６２０の下面には，複数の第２電極６２１ｂが第１電極６２１ａに直交する方向に形成される。ここで，第２電極６２１ｂは，アノード電極になる。
【００７９】
のような構造のＰＤＰで，カソード電極の第１電極６２１ａとアノード電極の第２電極６２１ｂとの間に所定の電圧が印加されれば，第１電極６２１ａから酸化された多孔性シリコン層６２６に電子が流入し，このように流入された電子は，酸化された多孔性シリコン層６２６を通過しつつ加速され，放電セル６１４内部に放出される。
【００８０】
以上では，第１電極６２１ａがカソード電極になり，第２電極６２１ｂがアノード電極になる場合を説明したが，第１電極６２１ａがアノード電極になり，第２電極６２１ｂがカソード電極になる場合も適用可能である。その場合には，酸化された多孔性シリコン層６２６が第２電極６２１ｂの下面に形成される。
【００８１】
一方，上記の電子放出特性を向上させる酸化された多孔性シリコンは，ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）のバックライトとして主に利用される平板ランプにも適用可能である。図１２は，本発明の実施形態による平板ランプの断面を図示した図面である。
【００８２】
図１２を参照すれば，本発明の実施形態による平板ランプは，互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部パネル及び上部パネルを備える。下部パネル及び上部パネルの間には，複数のスペーサ３１３が設けられ，かかるスペーサ３１３により，放電空間は，複数の放電セル３１４に区画される。放電セル３１４の内部には，主にＮｅガスとＸｅガスとが混合された放電ガスが充填され，放電セル３１４の内壁には，蛍光体層３１５が形成される。
【００８３】
下部パネルは，下部基板３１０と，下部基板３１０の下面に形成される複数の第１及び第２放電電極３１１ａ，３１１ｂ，下部基板３１０の上面に形成される複数の第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂ，及び第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂの上面に形成される複数の第１及び第２酸化された多孔性シリコン層３３６ａ，３３６ｂを含む。
【００８４】
下部基板３１０としては，一般的にガラス基板が使われる。第１及び第２放電電極３１１ａ，３１１ｂは，下部基板３１０の下面に所定間隔をおいて互いに平行に形成される。かかる第１及び第２放電電極３１１ａ，３１１ｂは，ＩＴＯ，Ａｌ，Ａｇのような導電性材料からなりうる。第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂは，下部基板３１０の上面に，第１及び第２放電電極３１１ａ，３１１ｂに対応して形成される。そして，第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂは，第１及び第２放電電極３１１ａ，３１１ｂに平行方向に形成される。かかる第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂは，その上面に第１及び第２酸化された多孔性シリコン層３３６ａ，３３６ｂを形成するための電極である。第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂは，ＩＴＯ，Ａｌ，Ａｇのような導電性材料からなりうる。
【００８５】
第１及び第２酸化された多孔性シリコン層３３６ａ，３３６ｂは，第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂと同幅に形成される。ここで，酸化された多孔性シリコン層３３６ａ，３３６ｂは，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層になりうる。かかる第１及び第２酸化された多孔性シリコン層３３６ａ，３３６ｂは，電子放出を増幅させる役割を果たす。
【００８６】
上部パネルは，下部基板３１０と一定間隔離隔されて配置される上部基板３２０と，上部基板３２０の上面に形成される複数の第３及び第４放電電極３２１ａ，３２１ｂと，上部基板３２０の下面に形成される複数の第３及び第４ベース電極３２５ａ，３２５ｂと，第３及び第４ベース電極３２５ａ，３２５ｂの下面に形成される複数の第３及び第４酸化された多孔性シリコン層３２６ａ，３２６ｂとを含む。
【００８７】
上部基板３２０としては，一般的にガラス基板が使われる。第３及び第４放電電極３２１ａ，３２１ｂは，所定間隔をおいて第１及び第２放電電極３１１ａ，３１１ｂと平行方向に形成される。第３及び第４放電電極３２１ａ，３２１ｂは，ＩＴＯのような透明な導電性材料からなることが望ましい。一方，第３及び第４放電電極３２１ａ，３２１ｂは，Ａｌ，Ａｇのような導電性材料からなることも可能である。第３及び第４ベース電極３２５ａ，３２５ｂは，上部基板３２０の下面に，第３及び第４放電電極３２１ａ，３２１ｂに対応して第３及び第４放電電極３２１ａ，３２１ｂに平行方向に形成される。かかる第３及び第４ベース電極３２５ａ，３２５ｂは，その下面に，第３及び第４酸化された多孔性シリコン層３２６ａ，３２６ｂを形成するための電極である。第３及び第４ベース電極３２５ａ，３２５ｂは，ＩＴＯのような透明な導電性材料からなることが望ましい。一方，第３及び第４ベース電極３２５ａ，３２５ｂは，Ａｌ，Ａｇのような導電性材料からなることも可能である。
【００８８】
第３及び第４酸化された多孔性シリコン層３２６ａ，３２６ｂは，第３及び第４ベース電極３２５ａ，３２５ｂと同幅に形成される。ここで，酸化された多孔性シリコン層３２６ａ，３２６ｂは，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層になりうる。かかる第３及び第４酸化された多孔性シリコン層３２６ａ，３２６ｂは，電子放出を増幅させる役割を果たす。
【００８９】
上記のような構造の平板ランプで，第１及び第２放電電極３１１ａ，３１１ｂに所定の電圧が印加されれば，第１または第２酸化された多孔性シリコン層３３６ａ，３３６ｂから加速された電子が放電セル３１４の内部に放出され，第３及び第４放電電極３２１ａ，３２１ｂに所定の電圧が印加されれば，第３及び第４酸化された多孔性シリコン層３２６ａ，３２６ｂから加速された電子が放電セル３１４の内部に放出される。かかる電子放出の増幅効果により，ランプの輝度及び効率が向上する。
【００９０】
以上では，一対の放電電極が上部パネルと下部パネルいずれにも形成された面放電型構造の平板ランプが説明されたが，本実施形態はこれに限定されずに，一対の放電電極が上部パネルと下部パネルのうちいずれか一方のパネルにだけ形成された面放電型構造の平板ランプにも適用可能である。また，本実施形態は，一対の放電電極がそれぞれ上部パネルと下部パネルとに形成された対向放電型構造の平板ランプにも適用可能である。
【００９１】
以下では，本発明の実施形態による平板ランプの製造方法について説明する。図１３Ａ〜図１３Ｅは，図１２に図示された平板ランプの下部パネルを製造する方法を説明するための図面である。図１３Ａ〜図１３Ｅで，基板は，図１２に図示された下部基板を表す。
【００９２】
まず，図１３Ａを参照すれば，基板３１０の下面に，ＩＴＯ，Ａｌ，Ａｇのような導電性材料を蒸着した後，これをパターニングして第１及び第２放電電極３１１ａ，３１１ｂを形成する。そして，基板３１０の上面には，ＩＴＯ，Ａｌ，Ａｇのようなベース電極物質３３５を所定厚さに蒸着する。次に，ベース電極物質３３５を所定形態にパターニングすれば，図１３Ｂに図示されているように，第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂが形成される。
【００９３】
次に，図１３Ｃを参照すれば，基板３１０の上面に，第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂを埋め込むようにシリコン層３３７を形成する。ここで，シリコン層１２７は，ポリシリコン層または非晶質シリコン層になりうる。シリコン層３３７は，ほぼ４００℃以下の温度でＰＥＣＶＤ法により所定厚さに形成可能である。
次に，図１３Ｄを参照すれば，第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂの上部に位置したシリコン層３３７を多孔性シリコン層に変化させる。具体的に，多孔性シリコン層は，第１及び第２ベース電極３３５ａ，３３５ｂに所定の電流密度を印加した状態で，ＨＦとエタノールとを混合した溶液でシリコン層３３７を正極酸化処理することにより形成可能である。次に，多孔性シリコン層を電気化学的酸化法により酸化させる。具体的には，多孔性シリコン層を硫酸水溶液に入れた状態で，多孔性シリコン層に所定の電流密度を印加すれば，多孔性シリコン層は，酸化された多孔性シリコン層３３６ａ，３３６ｂに変わる。
【００９４】
次に，図１３Ｅを参照すれば，基板３１０上に残っているシリコン層３３７を除去すれば，平板ランプの下部パネルが完成される。一方，平板ランプの上部パネルも前述した過程と同じ過程を経て完成される。
【００９５】
図１４Ａ及び図１４Ｂは，それぞれ放電ガスの圧力変化による電圧特性を測定するために，実験対象になった従来の平板ランプと本発明による平板ランプの断面を図示した図面である。本実験は，測定上の便宜のために，対向放電構造の平板ランプを対象に実施された。
【００９６】
図１４Ａを参照すれば，従来の平板ランプでは，下部基板７１０及び上部基板７２０の外面に，放電電極７１１，７２１が設けられており，下部基板７１０及び上部基板７２０の内面には，それぞれシリコンウェーハ７３１が設けられている。そして，図１４Ｂを参照すれば，本発明による平板ランプでは，下部基板８１０及び上部基板８２０の外面に，放電電極８１１，８２１が設けられており，下部基板８１０及び上部基板８２０の内面には，それぞれ酸化された多孔性シリコン層８３６が設けられている。図１４Ｂで，参照符号８３０，８３５及び８３７は，それぞれ基板，ベース電極及びシリコン層を表す。
【００９７】
図１５は，図１４Ａ及び図１４Ｂにそれぞれ図示された従来の平板ランプ及び本発明による平板ランプで，放電ガスの圧力変化による電圧特性の測定結果を比較して図示しグラフである。図１５を参照すれば，本発明による平板ランプの放電開始電圧Ｖｆ及び放電保持電圧Ｖｓは，それぞれ従来の平板ランプの放電開始電圧Ｖｆ及び放電保持電圧Ｖｓに比べて低くなっていることが分かる。
【００９８】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
本発明は，ＰＤＰ及び平板ランプ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】従来ＰＤＰの分離斜視図である。
【図２Ａ】図１に図示されたＰＤＰの断面図である。
【図２Ｂ】図１に図示されたＰＤＰの断面図である。
【図３】従来の他のＰＤＰの断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態によるＰＤＰの分離斜視図である。
【図５】図４に図示されたＰＤＰの一部断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態によるＰＤＰの一部断面図である。
【図７Ａ】図４に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図７Ｂ】図４に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図７Ｃ】図４に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図７Ｄ】図４に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図７Ｅ】図４に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図７Ｆ】図４に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図７Ｇ】図４に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図８Ａ】図６に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図８Ｂ】図６に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図８Ｃ】図６に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図８Ｄ】図６に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図８Ｅ】図６に図示されたＰＤＰの製造方法を説明するための図面である。
【図９】本発明の第３実施形態によるＰＤＰの一部断面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態によるＰＤＰの一部断面図である。
【図１１】本発明の第５実施形態によるＰＤＰの一部断面図である。
【図１２】本発明の実施形態による平板ランプの一部断面図である。
【図１３Ａ】図１２に図示された平板ランプの製造方法を説明するための図面である。
【図１３Ｂ】図１２に図示された平板ランプの製造方法を説明するための図面である。
【図１３Ｃ】図１２に図示された平板ランプの製造方法を説明するための図面である。
【図１３Ｄ】図１２に図示された平板ランプの製造方法を説明するための図面である。
【図１３Ｅ】図１２に図示された平板ランプの製造方法を説明するための図面である。
【図１４Ａ】放電ガスの圧力変化による電圧特性を測定するために実験対象になった従来の平板ランプの断面を図示した図面である。
【図１４Ｂ】放電ガスの圧力変化による電圧特性を測定するために実験対象になった本発明による平板ランプの断面を図示した図面である。
【図１５】図１４Ａ及び図１４Ｂにそれぞれ図示された従来の平板ランプ及び本発明による平板ランプで，放電ガスの圧力変化による電圧特性の測定結果を比較して示したグラフである。
【符号の説明】
【０１０１】
１１０ 下部基板
１１１ アドレス電極
１１２ 第１誘電体層
１１３ 隔壁
１１４ 放電セル
１１５ 蛍光体層
１２０ 上部基板
１２１ａ，１２１ｂ 第１及び第２保持電極
１２２ａ，１２２ｂ 第１及び第２バス電極
１２３ 第２誘電体層
１２４ 保護膜
１２５ａ，１２５ｂ 第１及び第２ベース電極
１２６ａ，１２６ｂ 第１及び第２酸化された多孔性シリコン層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向するように配置される下部パネル及び上部パネルと；
前記下部パネルに形成される複数のアドレス電極と；
前記上部パネルに形成される複数の維持電極と；
前記上部パネルに前記維持電極に対応して形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と；
を備えることを特徴とする，プラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層であることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記維持電極の下部には，ベース電極が形成され，前記ベース電極の下面には，前記酸化された多孔性シリコン層が形成されることを特徴とする，請求項１または２のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記維持電極の下面には，バス電極がさらに形成されることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と；
前記下部基板の上面に形成される複数のアドレス電極と；
前記アドレス電極を埋め込むように前記下部基板の上面に形成される第１誘電体層と；
前記上部基板の下面に前記アドレス電極と交差する方向に形成される複数の維持電極と；
前記維持電極を埋め込むように前記上部基板の下面に形成される第２誘電体層と；
前記第２誘電体層の下部に形成される酸化された多孔性シリコン層と；
前記下部基板と上部基板との間に設けられ，前記放電空間を区画して放電セルを形成する複数の隔壁と；
前記放電セルの内壁に形成される蛍光体層と；
を備えることを特徴とする，プラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層であることを特徴とする，請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記酸化された多孔性シリコン層は，前記第２誘電体層の下部全面に形成されることを特徴とする，請求項５または６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記酸化された多孔性シリコン層は，前記維持電極に対応する位置に前記維持電極と同幅に形成されることを特徴とする，請求項５〜７のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記酸化された多孔性シリコン層の上面には，ベース電極が形成されることを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記維持電極の下面には，バス電極がさらに形成されることを特徴とする請求項５〜９のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記第２誘電体層及び酸化された多孔性シリコン層の下面には，保護膜が形成されることを特徴とする請求項５〜１０のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と；
前記下部基板の上面に形成される複数のアドレス電極と；
前記アドレス電極を埋め込むように前記下部基板の上面に形成される第１誘電体層と；
前記上部基板の下面に前記アドレス電極と交差する方向に形成される複数の維持電極と；
前記維持電極の下面に形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と；
前記上部基板の下面に形成され，前記酸化された多孔性シリコン層の下面を露出させる第２誘電体層と；
前記下部基板と前記上部基板との間に設けられ，前記放電空間を区画して放電セルを形成する複数の隔壁と；
前記放電セルの内壁に形成される蛍光体層と；
を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層であることを特徴とする，請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記維持電極と前記酸化された多孔性シリコン層との間には，バス電極がさらに形成されることを特徴とする，請求項１２または１３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記バス電極は，前記維持電極の縁に沿って前記維持電極より狭幅に形成されることを特徴とする，請求項１４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記酸化された多孔性シリコン層は，前記バス電極と同幅に形成されることを特徴とする，請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記第２誘電体層及び酸化された多孔性シリコン層の下面には，保護膜が形成されることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
基板の上面に複数の維持電極を形成し，前記維持電極を埋め込むように誘電体層を形成するステップと；
前記誘電体層の上面に複数のベース電極を前記維持電極と平行方向に形成するステップと；
前記誘電体層の上面に前記ベース電極を埋め込むようにシリコン層を形成するステップと；
前記ベース電極の上部に位置した前記シリコン層を多孔性シリコン層に変化させるステップと；
前記多孔性シリコン層を酸化させるステップと；
前記誘電体層上に残っている前記シリコン層を除去するステップと；
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１９】
前記ベース電極は，前記誘電体層の上面にベース電極物質を蒸着し，それをパターニングすることにより形成されることを特徴とする請求項１８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２０】
前記誘電体層の上面及び前記酸化された多孔性シリコン層の上面に，保護膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする，請求項１８または１９のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２１】
前記維持電極の上面に，バス電極を形成するステップをさらに含むことを特徴とする，請求項１８〜２０のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２２】
前記シリコン層は，ポリシリコン層または非晶質シリコン層であり，プラズマ化学気相蒸着法により形成されることを特徴とする，請求項１８〜２１のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２３】
前記多孔性シリコン層は，前記ベース電極の上部に位置した前記シリコン層がフッ化水素とエタノールとが混合された溶液により，正極酸化処理されて形成されることを特徴とする，請求項１８〜２２のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２４】
前記酸化された多孔性シリコン層は，前記多孔性シリコン層が電気化学的酸化法により酸化されて形成されることを特徴とする，請求項１８〜２４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２５】
基板の上面に複数の維持電極を形成し，前記維持電極の上面にバス電極を形成するステップと；
前記維持電極及びバス電極を埋め込むように前記基板の上面に誘電体層を形成するステップと；
前記誘電体層をエッチングし，前記バス電極の上面を露出させるトレンチを形成するステップと；
前記バス電極の上面にシリコン層を形成するステップと；
前記シリコン層を多孔性シリコン層に変化させるステップと；
前記多孔性シリコン層を酸化させるステップと；
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２６】
前記誘電体層の上面及び前記酸化されたシリコン層の上面に，保護膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする，請求項２５に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２７】
前記シリコン層は，ポリシリコン層または非晶質シリコン層であり，プラズマ化学気相蒸着法により形成されることを特徴とする，請求項２５または２６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２８】
前記多孔性シリコン層は，前記ベース電極の上部に位置した前記シリコン層がフッ化水素とエタノールとが混合された溶液により，正極酸化処理されて形成されることを特徴とする請求項２５〜２７のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２９】
前記酸化された多孔性シリコン層は，前記多孔性シリコン層が電気化学的酸化法によって酸化されて形成されることを特徴とする請求項２５〜２８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３０】
基板の上面に複数の維持電極を形成し，前記維持電極を埋め込むように誘電体層を形成するステップと；
前記誘電体層をエッチングし，前記維持電極の上面を露出させるトレンチを形成するステップと；
前記維持電極の上面にシリコン層を形成するステップと；
前記シリコン層を多孔性シリコン層に変化させるステップと；
前記多孔性シリコン層を酸化させるステップと；
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３１】
互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と，
前記下部基板の上面に形成される複数の第１電極と；
前記第１電極を埋め込むように前記下部基板の上面に形成される第１誘電体層と；
前記上部基板の下面に前記第１電極と交差する方向に形成される複数の第２電極と；
前記第２電極を埋め込むように前記上部基板の下面に形成される第２誘電体層と；
前記第１誘電体層の上部と前記第２誘電体層の下部のうち少なくとも１層に前記第１電極または第２電極に対応して形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と；
前記下部基板と上部基板との間に設けられ，前記放電空間を区画して放電セルを形成する複数の隔壁と；
前記放電セルの内壁に形成される蛍光体層と；
を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３２】
前記酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層であることを特徴とする，請求項３１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３３】
前記誘電体層と酸化された多孔性シリコン層との間には，ベース電極が形成されることを特徴とする，請求項３１または３２のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３４】
互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と；
前記下部基板の上面に形成される複数の第１電極と；
前記上部基板の下面に前記第１電極と交差する方向に形成される複数の第２電極と；
前記第１及び第２電極のうちいずれか一方の電極表面に形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と；
前記下部基板と上部基板との間に設けられ，前記放電空間を区画して放電セルを形成する複数の隔壁と；
前記放電セルの内壁に形成される蛍光体層とを備えることを特徴とする，プラズマディスプレイパネル。
【請求項３５】
前記第１及び第２電極のうち前記酸化された多孔性シリコン層が形成される電極は，カソード電極であることを特徴とする，請求項３４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３６】
前記酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層であることを特徴とする，請求項３４または３５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３７】
互いに対向するように配置される下部パネル及び上部パネルと；
前記下部パネルと上部パネルのうち少なくとも一方のパネルに形成される複数の放電電極と；
前記放電電極が形成されたパネルに前記放電電極に対応して形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と；
を備えることを特徴とする，平板ランプ。
【請求項３８】
前記酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層であることを特徴とする，請求項３７に記載の平板ランプ。
【請求項３９】
前記酸化された多孔性シリコン層の一面には，ベース電極が形成されることを特徴とする請求項３７または３８のいずれかに記載の平板ランプ。
【請求項４０】
互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と，
前記下部基板と上部基板のうち少なくとも一方の基板外面に形成される複数の放電電極と；
前記放電電極が形成された基板内面側に前記放電電極に対応して前記放電電極と平行方向に形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と；
前記下部基板と上部基板との間に設けられる複数のスペーサと；
前記放電空間の内壁に形成される蛍光体層と；
を備えることを特徴とする，平板ランプ。
【請求項４１】
前記酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層であることを特徴とする，請求項４０に記載の平板ランプ。
【請求項４２】
前記放電電極が形成された基板内面と前記酸化された多孔性シリコン層との間には，複数のベース電極が形成されることを特徴とする，請求項４０または４１のいずれかに記載の平板ランプ。
【請求項４３】
基板の下面に複数の放電電極を形成し，前記基板の上面に複数のベース電極を形成するステップと；
前記基板の上面に前記ベース電極を埋め込むようにシリコン層を形成するステップと；
前記ベース電極の上部に位置した前記シリコン層を多孔性シリコン層に変化させるステップと；
前記多孔性シリコン層を酸化させるステップと；
前記基板上に残っているシリコン層を除去するステップと；
を含むことを特徴とする，平板ランプの製造方法。
【請求項４４】
前記ベース電極は，前記基板の上面にベース電極物質を蒸着し，当該ベース電極物質をパターニングすることにより形成されることを特徴とする，請求項４３に記載の平板ランプの製造方法。
【請求項４５】
前記シリコン層は，ポリシリコン層または非晶質シリコン層であり，プラズマ化学気相蒸着法により形成されることを特徴とする，請求項４３または４４のいずれかに記載の平板ランプの製造方法。
【請求項４６】
前記多孔性シリコン層は，前記ベース電極の上部に位置した前記シリコン層がフッ化水素とエタノールとが混合された溶液により，正極酸化処理されて形成されることを特徴とする，請求項４３〜４５のいずれかに記載の平板ランプの製造方法。
【請求項４７】
前記酸化された多孔性シリコン層は，前記多孔性シリコン層が電気化学的酸化法によって酸化されて形成されることを特徴とする，請求項４３〜４６のいずれかに記載の平板ランプの製造方法。
【請求項１】
互いに対向するように配置される下部パネル及び上部パネルと；
前記下部パネルに形成される複数のアドレス電極と；
前記上部パネルに形成される複数の維持電極と；
前記上部パネルに前記維持電極に対応して形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と；
を備えることを特徴とする，プラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層であることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記維持電極の下部には，ベース電極が形成され，前記ベース電極の下面には，前記酸化された多孔性シリコン層が形成されることを特徴とする，請求項１または２のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記維持電極の下面には，バス電極がさらに形成されることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と；
前記下部基板の上面に形成される複数のアドレス電極と；
前記アドレス電極を埋め込むように前記下部基板の上面に形成される第１誘電体層と；
前記上部基板の下面に前記アドレス電極と交差する方向に形成される複数の維持電極と；
前記維持電極を埋め込むように前記上部基板の下面に形成される第２誘電体層と；
前記第２誘電体層の下部に形成される酸化された多孔性シリコン層と；
前記下部基板と上部基板との間に設けられ，前記放電空間を区画して放電セルを形成する複数の隔壁と；
前記放電セルの内壁に形成される蛍光体層と；
を備えることを特徴とする，プラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層であることを特徴とする，請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記酸化された多孔性シリコン層は，前記第２誘電体層の下部全面に形成されることを特徴とする，請求項５または６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記酸化された多孔性シリコン層は，前記維持電極に対応する位置に前記維持電極と同幅に形成されることを特徴とする，請求項５〜７のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記酸化された多孔性シリコン層の上面には，ベース電極が形成されることを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記維持電極の下面には，バス電極がさらに形成されることを特徴とする請求項５〜９のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記第２誘電体層及び酸化された多孔性シリコン層の下面には，保護膜が形成されることを特徴とする請求項５〜１０のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と；
前記下部基板の上面に形成される複数のアドレス電極と；
前記アドレス電極を埋め込むように前記下部基板の上面に形成される第１誘電体層と；
前記上部基板の下面に前記アドレス電極と交差する方向に形成される複数の維持電極と；
前記維持電極の下面に形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と；
前記上部基板の下面に形成され，前記酸化された多孔性シリコン層の下面を露出させる第２誘電体層と；
前記下部基板と前記上部基板との間に設けられ，前記放電空間を区画して放電セルを形成する複数の隔壁と；
前記放電セルの内壁に形成される蛍光体層と；
を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層であることを特徴とする，請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記維持電極と前記酸化された多孔性シリコン層との間には，バス電極がさらに形成されることを特徴とする，請求項１２または１３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記バス電極は，前記維持電極の縁に沿って前記維持電極より狭幅に形成されることを特徴とする，請求項１４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記酸化された多孔性シリコン層は，前記バス電極と同幅に形成されることを特徴とする，請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記第２誘電体層及び酸化された多孔性シリコン層の下面には，保護膜が形成されることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
基板の上面に複数の維持電極を形成し，前記維持電極を埋め込むように誘電体層を形成するステップと；
前記誘電体層の上面に複数のベース電極を前記維持電極と平行方向に形成するステップと；
前記誘電体層の上面に前記ベース電極を埋め込むようにシリコン層を形成するステップと；
前記ベース電極の上部に位置した前記シリコン層を多孔性シリコン層に変化させるステップと；
前記多孔性シリコン層を酸化させるステップと；
前記誘電体層上に残っている前記シリコン層を除去するステップと；
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１９】
前記ベース電極は，前記誘電体層の上面にベース電極物質を蒸着し，それをパターニングすることにより形成されることを特徴とする請求項１８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２０】
前記誘電体層の上面及び前記酸化された多孔性シリコン層の上面に，保護膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする，請求項１８または１９のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２１】
前記維持電極の上面に，バス電極を形成するステップをさらに含むことを特徴とする，請求項１８〜２０のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２２】
前記シリコン層は，ポリシリコン層または非晶質シリコン層であり，プラズマ化学気相蒸着法により形成されることを特徴とする，請求項１８〜２１のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２３】
前記多孔性シリコン層は，前記ベース電極の上部に位置した前記シリコン層がフッ化水素とエタノールとが混合された溶液により，正極酸化処理されて形成されることを特徴とする，請求項１８〜２２のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２４】
前記酸化された多孔性シリコン層は，前記多孔性シリコン層が電気化学的酸化法により酸化されて形成されることを特徴とする，請求項１８〜２４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２５】
基板の上面に複数の維持電極を形成し，前記維持電極の上面にバス電極を形成するステップと；
前記維持電極及びバス電極を埋め込むように前記基板の上面に誘電体層を形成するステップと；
前記誘電体層をエッチングし，前記バス電極の上面を露出させるトレンチを形成するステップと；
前記バス電極の上面にシリコン層を形成するステップと；
前記シリコン層を多孔性シリコン層に変化させるステップと；
前記多孔性シリコン層を酸化させるステップと；
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２６】
前記誘電体層の上面及び前記酸化されたシリコン層の上面に，保護膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする，請求項２５に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２７】
前記シリコン層は，ポリシリコン層または非晶質シリコン層であり，プラズマ化学気相蒸着法により形成されることを特徴とする，請求項２５または２６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２８】
前記多孔性シリコン層は，前記ベース電極の上部に位置した前記シリコン層がフッ化水素とエタノールとが混合された溶液により，正極酸化処理されて形成されることを特徴とする請求項２５〜２７のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２９】
前記酸化された多孔性シリコン層は，前記多孔性シリコン層が電気化学的酸化法によって酸化されて形成されることを特徴とする請求項２５〜２８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３０】
基板の上面に複数の維持電極を形成し，前記維持電極を埋め込むように誘電体層を形成するステップと；
前記誘電体層をエッチングし，前記維持電極の上面を露出させるトレンチを形成するステップと；
前記維持電極の上面にシリコン層を形成するステップと；
前記シリコン層を多孔性シリコン層に変化させるステップと；
前記多孔性シリコン層を酸化させるステップと；
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３１】
互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と，
前記下部基板の上面に形成される複数の第１電極と；
前記第１電極を埋め込むように前記下部基板の上面に形成される第１誘電体層と；
前記上部基板の下面に前記第１電極と交差する方向に形成される複数の第２電極と；
前記第２電極を埋め込むように前記上部基板の下面に形成される第２誘電体層と；
前記第１誘電体層の上部と前記第２誘電体層の下部のうち少なくとも１層に前記第１電極または第２電極に対応して形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と；
前記下部基板と上部基板との間に設けられ，前記放電空間を区画して放電セルを形成する複数の隔壁と；
前記放電セルの内壁に形成される蛍光体層と；
を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３２】
前記酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層であることを特徴とする，請求項３１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３３】
前記誘電体層と酸化された多孔性シリコン層との間には，ベース電極が形成されることを特徴とする，請求項３１または３２のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３４】
互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と；
前記下部基板の上面に形成される複数の第１電極と；
前記上部基板の下面に前記第１電極と交差する方向に形成される複数の第２電極と；
前記第１及び第２電極のうちいずれか一方の電極表面に形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と；
前記下部基板と上部基板との間に設けられ，前記放電空間を区画して放電セルを形成する複数の隔壁と；
前記放電セルの内壁に形成される蛍光体層とを備えることを特徴とする，プラズマディスプレイパネル。
【請求項３５】
前記第１及び第２電極のうち前記酸化された多孔性シリコン層が形成される電極は，カソード電極であることを特徴とする，請求項３４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３６】
前記酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層であることを特徴とする，請求項３４または３５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３７】
互いに対向するように配置される下部パネル及び上部パネルと；
前記下部パネルと上部パネルのうち少なくとも一方のパネルに形成される複数の放電電極と；
前記放電電極が形成されたパネルに前記放電電極に対応して形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と；
を備えることを特徴とする，平板ランプ。
【請求項３８】
前記酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層であることを特徴とする，請求項３７に記載の平板ランプ。
【請求項３９】
前記酸化された多孔性シリコン層の一面には，ベース電極が形成されることを特徴とする請求項３７または３８のいずれかに記載の平板ランプ。
【請求項４０】
互いに対向するように配置され，その間に放電空間を形成する下部基板及び上部基板と，
前記下部基板と上部基板のうち少なくとも一方の基板外面に形成される複数の放電電極と；
前記放電電極が形成された基板内面側に前記放電電極に対応して前記放電電極と平行方向に形成される複数の酸化された多孔性シリコン層と；
前記下部基板と上部基板との間に設けられる複数のスペーサと；
前記放電空間の内壁に形成される蛍光体層と；
を備えることを特徴とする，平板ランプ。
【請求項４１】
前記酸化された多孔性シリコン層は，酸化された多孔性ポリシリコン層または酸化された多孔性非晶質シリコン層であることを特徴とする，請求項４０に記載の平板ランプ。
【請求項４２】
前記放電電極が形成された基板内面と前記酸化された多孔性シリコン層との間には，複数のベース電極が形成されることを特徴とする，請求項４０または４１のいずれかに記載の平板ランプ。
【請求項４３】
基板の下面に複数の放電電極を形成し，前記基板の上面に複数のベース電極を形成するステップと；
前記基板の上面に前記ベース電極を埋め込むようにシリコン層を形成するステップと；
前記ベース電極の上部に位置した前記シリコン層を多孔性シリコン層に変化させるステップと；
前記多孔性シリコン層を酸化させるステップと；
前記基板上に残っているシリコン層を除去するステップと；
を含むことを特徴とする，平板ランプの製造方法。
【請求項４４】
前記ベース電極は，前記基板の上面にベース電極物質を蒸着し，当該ベース電極物質をパターニングすることにより形成されることを特徴とする，請求項４３に記載の平板ランプの製造方法。
【請求項４５】
前記シリコン層は，ポリシリコン層または非晶質シリコン層であり，プラズマ化学気相蒸着法により形成されることを特徴とする，請求項４３または４４のいずれかに記載の平板ランプの製造方法。
【請求項４６】
前記多孔性シリコン層は，前記ベース電極の上部に位置した前記シリコン層がフッ化水素とエタノールとが混合された溶液により，正極酸化処理されて形成されることを特徴とする，請求項４３〜４５のいずれかに記載の平板ランプの製造方法。
【請求項４７】
前記酸化された多孔性シリコン層は，前記多孔性シリコン層が電気化学的酸化法によって酸化されて形成されることを特徴とする，請求項４３〜４６のいずれかに記載の平板ランプの製造方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図７Ｆ】
【図７Ｇ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図８Ｄ】
【図８Ｅ】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１３Ｃ】
【図１３Ｄ】
【図１３Ｅ】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１５】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図７Ｆ】
【図７Ｇ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図８Ｄ】
【図８Ｅ】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１３Ｃ】
【図１３Ｄ】
【図１３Ｅ】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１５】
【公開番号】特開２００６−３２３４１（Ｐ２００６−３２３４１Ａ）
【公開日】平成１８年２月２日（２００６．２．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２０４２５６（Ｐ２００５−２０４２５６）
【出願日】平成１７年７月１３日（２００５．７．１３）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年２月２日（２００６．２．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年７月１３日（２００５．７．１３）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]