プリスパッタリング処理用のダミー基板
【課題】プリスパッタリング処理に適したダミー基板の提供
【解決手段】このプリスパッタリング処理用のダミー基板１０は、金属製の基板で形成されている。そして、基板１０の表面に凹部１４又は凸部１２が形成されている。かかるダミー基板１０によれば、金属製の基板で形成されているので、プリスパッタリング処理で形成される薄膜８０の膜応力が作用した場合でも、ガラス製の基板に比べて割れにくい。また、基板１０の表面に凹部１４又は凸部１２が形成されているので、表面に堆積した薄膜８０が剥がれにくい。
【解決手段】このプリスパッタリング処理用のダミー基板１０は、金属製の基板で形成されている。そして、基板１０の表面に凹部１４又は凸部１２が形成されている。かかるダミー基板１０によれば、金属製の基板で形成されているので、プリスパッタリング処理で形成される薄膜８０の膜応力が作用した場合でも、ガラス製の基板に比べて割れにくい。また、基板１０の表面に凹部１４又は凸部１２が形成されているので、表面に堆積した薄膜８０が剥がれにくい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング装置のスパッタ室内に配置され、プリスパッタリング処理によって表面に薄膜を堆積させるプリスパッタリング処理用のダミー基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に金属等の薄膜を形成する方法として、良質の薄膜を効率よく製造することができるスパッタリングによる方法が広く用いられている。スパッタリング装置では、スパッタ室中に、薄膜が堆積される基板が配置される。また、かかる基板に対向して薄膜材料のソースとなるターゲット板が配置される。ターゲット板の背面側には、上方からマグネットが近接して配置される。スパッタ室は、減圧されて、アルゴンガス等のスパッタリングガスが導入される。ターゲット板と基板との間に数百ボルトの負の電圧が印加されると、マグネトロン放電によるプラズマが発生してスパッタリングガスが正イオン化される。イオン化されたスパッタリングガスは加速されてターゲット板に衝突する。これにより、ターゲット板から原子がはじき出され、はじき出された原子を基板上に堆積させる。
【０００３】
このようなスパッタリングは、例えば、平面表示装置のアレイ基板における金属薄膜の成膜に用いられている。特に、表示画素毎にスイッチ素子が配置されたアクティブマトリクス型の液晶表示装置のアレイ基板の製造に用いられている。
【０００４】
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、アレイ基板と対向基板との間に配向膜を介して液晶層が保持されて成っている。アレイ基板は、ガラスや石英等の透明絶縁基板上に複数本の信号線と走査線とが格子状に配置され、各交点部分には活性層にアモルファスシリコンやポリシリコン等の半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：thin film transistor）が接続されている。そしてＴＦＴのゲート電極は走査線に、ドレイン電極は信号線にそれぞれ電気的に接続され、さらにソース電極は画素電極を構成する透明導電材料、例えば、ＩＴＯ(Indium-Tin-Oxide)の層に電気的に接続される。アクティブマトリクス型液晶表示装置のアレイ基板の製造においては、例えば、走査線及びＴＦＴのゲート電極を含む第１導電層パターンと、信号線及びＴＦＴのソース・ドレイン電極を含む第２導電層パターンとが、スパッタリングによる成膜とこれに続くパターニングにより形成される。
【０００５】
かかるスパッタリング装置に関し、例えば、特開平１１−２０００３６号公報（特許文献１）には、スプラッシュの発生を抑えるためには、ターゲット板の表面に付着した汚染物質やゴミの粒子を除去するためのプリスパッタリング処理を充分に行うことなどが開示されている。プリスパッタリング処理では、例えば、ダミー基板をターゲット板に対向させて配置し、スパッタリングによってダミー基板の表面に薄膜を堆積させるとよい。かかるダミー基板としては、例えば、特許文献１では、ガラス基板が採用されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２０００３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、液晶表示装置のアレイ基板の製造工程では、生産性を上げるべく大面積のマザーガラス基板に複数のアレイ基板を形成し、その後、マザーガラス基板から複数のアレイ基板を切り出す。液晶表示装置の大画面化に伴い、マザーガラス基板の面積は大型化しつつある。例えば１９９０年代に用いられていた、いわゆる第３世代のマザーガラス基板は、５５０ｍｍ×６５０ｍｍの矩形のガラス基板であった。これが、２００８年では、いわゆる第８世代のマザーガラス基板が用いられている。かかる第８世代のマザーガラス基板は、２１６０ｍｍ×２４００ｍｍ〜２３００ｍｍ×２６００ｍｍの矩形のガラス基板であり、第３世代のマザーガラス基板に比べてかなり大型化している。また、将来、マザーガラス基板は、さらに大型化することが予想されている。
【０００８】
また、上述したスパッタリング装置は、マザーガラス基板の大型化に伴って大型化している。このため、本発明者は、スパッタリング装置のスパッタ室内についても、ターゲット板とマザーガラス基板とをそれぞれ立てた状態で配置する装置の採用を検討している。このようにスパッタリング装置を構成することにより、マザーガラス基板の取り回しを容易にし、また装置の省スペース化を図ることができると考えられる。
【０００９】
しかしながら、実際のスパッタリング処理には、例えば、ターゲット板の交換や、定期的なメンテナンス後に、ターゲット板の表面の酸化膜や吸着水などの影響を取り除くため、予備的にプリスパッタリング処理を行うことが必要である。プリスパッタリング処理では、例えば、マザーガラス基板と同じサイズのガラス基板からなるダミー基板を、ターゲット板に対向させて配置し、スパッタリングによってダミー基板の表面に薄膜を堆積させるとよい。また、実際のスパッタリング処理で不具合が生じるのを防止するため、プリスパッタリング処理を十分に行うことが望ましい。このため、プリスパッタリング処理では薄膜が厚く堆積する。
【００１０】
プリスパッタリング処理では、薄膜が厚く堆積するので膜応力によって、ダミー基板に大きな力が作用していた。上述した第８世代のマザーガラス基板と同じサイズのガラス基板からなるダミー基板では、堆積する薄膜の量も大きくなる。また、上述したように、ダミー基板を立てて配置する場合、堆積した薄膜から、ダミー基板に作用する力も局所的に大きなものになることが懸念される。このため、ガラス基板で作成されたダミー基板では、割れが生じるなどの問題が生じうる。また、プリスパッタリング処理で形成される薄膜は、状態が不安定であり、部分的には剥がれ易い箇所が生じうる。
【００１１】
そのようなプリスパッタリング処理において、ダミー基板を立てて配置する場合には、ダミー基板に堆積した薄膜が剥がれることも懸念される。ダミー基板に堆積した薄膜が剥がれると、スパッタ室内に塵などが発生し、プリスパッタリング処理が意味をなさない。ガラス基板からなるダミー基板では、ダミー基板に堆積させることができる薄膜の厚さに限界がある。すなわち、プリスパッタリング処理中でも、ガラス基板からなるダミー基板が割れたり、薄膜が剥がれたりすることがない程度に、薄膜が堆積したところでダミー基板を取り替える必要があった。このため１回のプリスパッタリング処理に、多くのダミー基板を取り替える必要が生じる場合もあった。このような場合、プリスパッタリング処理に必要なダミー基板の枚数も多く必要であるし、ダミー基板を取り替える回数が多くなると、プリスパッタリング処理にも所要の時間を要していた。
【００１２】
そこで、上記のような事情を鑑みて、プリスパッタリング処理に適したダミー基板を提案する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板は、金属製の基板で形成され、基板の表面に凹部又は凸部が形成されている。かかるダミー基板によれば、金属製の基板で形成されているので、プリスパッタリング処理で形成される薄膜の膜応力が作用した場合でも、ガラス製の基板に比べて割れにくい。また、基板の表面に凹部又は凸部が形成されているので、表面に堆積した薄膜が剥がれにくい。
【００１４】
かかる金属製の基板では、表面に形成された凹部又は凸部は、例えば、プレス加工によって形成することができる。また、金属製の基板の表面に形成された凹部又は凸部は、全ての表面が基板の基準面の法線方向から見えるように形成されていてもよい。また、金属製の基板の表面に形成された凹部又は凸部は曲面で形成されていてもよい。また、凹部又は凸部は、前記金属製の基板の表面全体にわたって分布していてもよい。また、ダミー基板は、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成されていてもよい。アルミニウムは、軽く、また比較的入手が容易な材料であるから、ダミー基板を軽くでき、取り回しを良くできる。また、ダミー基板はチタン、鉄、銅、又はこれらの合金で形成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】スパッタリング装置の概要を示す概略図。
【図２】本発明の一実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板の部分拡大平面図。
【図３】本発明の一実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板の部分拡大断面図。
【図４】本発明の一実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板の凸部の拡大断面図。
【図５】本発明の他の実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板の凹部の拡大断面図。
【図６】本発明の他の実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板の凹部の拡大断面図。
【図７】本発明の他の実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板の凸部の拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板を図面に基づいて説明する。なお、同じ作用を奏する部材又は部位には、適宜に同じ符号を付している。
【００１７】
図１は、スパッタリング装置の概略図である。図２はプリスパッタリング処理用のダミー基板を部分的に拡大した平面図であり、図３は、その断面図である。
【００１８】
このプリスパッタリング処理用のダミー基板１０は、図１に示すように、金属製の基板で形成され、基板１０の表面には凹部又は凸部（図２参照、図２に示す実施形態では、凸部１２）が形成されている。このダミー基板１０は、図１に示すように、スパッタリング装置４０のスパッタ室４２内に配置され、プリスパッタリング処理によって表面に薄膜を堆積させる基板である。
【００１９】
この実施形態では、スパッタリング装置４０は、マグネトロン・スパッタ法を具現化する装置である。このスパッタリング装置４０は、図１に示すように、スパッタリングが行われるスパッタ室４２と、プラズマ発生用電源４４と、スパッタリングガス供給部４６と、スパッタリングガス排気部４８とを備えている。スパッタ室４２には、ターゲット板６２を配置するターゲット板配置部６４と、基板を配置する基板配置部６６と、マグネット６８が配置されている。なお、図１は、図示の便宜上、スパッタ室４２の各部材を支持する支持部材などを省略している。
【００２０】
この実施形態では、スパッタ室４２は、スパッタリング処理工程において減圧されるため、所要の耐圧性能を有する容器で構成されている。また、この実施形態では、上述した大型のマザーガラス基板のスパッタリング処理に対応するように、所要の大きさを備えている。ターゲット板６２を配置するターゲット板配置部６４は、スパッタ室４２内で立てた状態で配設されている。基板配置部６６は、ターゲット板配置部６４に対向するように配置されている。マグネット６８は、ターゲット板配置部６４の裏側（基板配置部６６とは反対側）に配置される。
【００２１】
この実施形態では、ターゲット板６２は、ターゲット板配置部６４の、基板配置部６６に対向する側面に取り付けられる。基板配置部６６には、ターゲット板６２に対向するように、スパッタリング処理が行われる基板が取り付けられる。また、プリスパッタリング処理では、ダミー基板１０がかかる基板配置部６６に取り付けられる。また、この実施形態では、ターゲット板配置部６４はプラズマ発生装置の陰極として機能する。また、基板配置部６６はプラズマ発生装置の陽極として機能する。
【００２２】
プラズマ発生用電源４４は、プラズマ発生装置の陰極として機能するターゲット板配置部６４に電気的に接続されている。また、プラズマ発生装置の陽極をなす極部として機能する基板配置部６６は、アース（接地）されている。スパッタリングガス供給部４６は、スパッタ室４２内、特に、プラズマが発生する部位に、スパッタリングガス（この実施形態では、アルゴンガス：Ａｒ）を供給する。また、スパッタリングガス排気部４８は、真空ポンプ等によってスパッタ室４２から排気する装置である。
【００２３】
このスパッタリング装置４０は、スパッタリングガス排気部４８によって、スパッタ室４２内を減圧し、実質的に真空の状態にする。次に、スパッタ室４２が真空状態になった後で、スパッタリングガス供給部４６からスパッタリングガス７２を供給し、スパッタ室４２内の圧力を調整する。その後、プラズマ発生用電源４４によって、プラズマ発生装置の陰極として機能するターゲット板配置部６４と、プラズマ発生装置の陽極として機能する基板配置部６６との間に所要の電圧（スパッタ用ターゲット電圧）を印加する。かかる電圧の印加により、スパッタ室４２内に放電が起こる。かかるマグネトロン放電によりプラズマ８２が発生してスパッタリングガス７２が正イオン化される。イオン化されたスパッタリングガス７２は加速されてターゲット板に衝突する。これにより、ターゲット板６２から原子６２ａがはじき出され、はじき出された原子６２ａが基板上に堆積し、基板上に薄膜８０（図３参照）を形成する。
【００２４】
かかるスパッタリング装置４０は、実際のスパッタリング処理では、例えば、ターゲット板の交換や、定期的なメンテナンス後に、ターゲット板の表面の酸化膜や吸着水などの影響を取り除くため、予備的にプリスパッタリング処理を行う。プリスパッタリング処理では、図１に示すように、例えば、マザーガラス基板と同じサイズのダミー基板１０を、ターゲット板６２に対向させて配置し、スパッタリングによってダミー基板１０の表面に薄膜を堆積させる。
【００２５】
この実施形態では、プリスパッタリング処理用のダミー基板１０は金属製の基板である。詳しくは、この実施形態では、ダミー基板１０は、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成されている。アルミニウム又はアルミニウム合金は軽量であり、取り回しが容易である。また、比較的軟らかい金属であるから、加工も容易である。このダミー基板１０の表面には、図２及び図３に示すように、凹部又は凸部（この実施形態では、凸部１２）が形成されている。なお、この実施形態では、凸部１２の大きさは、２ｍｍ〜３ｍｍ程度の四方の矩形で、高さが１ｍｍ〜１．５ｍｍ程度である。また、この実施形態では、凸部１２は、プレス加工によって形成されている。例えば、ローラプレス機などで、金属製の基板に凸部１２を形成するとよい。このダミー基板１０は、金属製の基板であり、このようなプレス加工により、凸部１２を比較的簡単に形成することができる。
【００２６】
また、この実施形態では、凸部１２は、凸部１２を形成する全ての表面（この実施形態では、凸部１２の上面１２ａ、凸部１２の側面１２ｂ）が、ダミー基板１０の基準面１０ａの法線方向Ｎから見える。すなわち、この実施形態では、凸部１２は矩形の突起であり、上面１２ａ及び側面１２ｂが表面に露出している。これら凸部１２の上面１２ａ及び側面１２ｂがダミー基板１０の基準面１０ａの法線方向Ｎから見える。ここで、ダミー基板１０の基準面１０ａの法線方向Ｎは、ダミー基板１０の凸部１２の基準となる面１０ａ（ダミー基板１０の基準面１０ａ）に直交する方向で規定される。また、この実施形態では、ダミー基板１０は、基板配置部６６に接地されて、ターゲット板６２に対向する。凸部１２を形成する全ての表面１２ａ、１２ｂは、スパッタリング装置４０の基板配置部６６に配置されたときに、ターゲット板６２が配置された方向から見える。
【００２７】
また、図４は、このダミー基板１０の凸部１２を拡大した図である。この実施形態では、より詳しくは、凸部１２は、平面を組み合わせて形成しており、ダミー基板１０の基準面１０ａと凸部１２の側面１２ｂとのなす角ａ、上面１２ａと側面１２ｂとのなす角ｂは、それぞれ鈍角で形成されている。ここでは、角ａ、角ｂは、それぞれ１１０度以上１６０度以下の角度で形成するとよい。
【００２８】
また、この実施形態では、凸部１２は、ダミー基板１０の表面全体にわたって概ね均一に分布している。
【００２９】
このダミー基板１０は、図２及び図３に示すように、金属製の基板で形成され、基板の表面に凸部１２が形成されている。かかるダミー基板１０によれば、金属製の基板で形成されているので、プリスパッタリング処理で形成される薄膜８０の膜応力が作用した場合でも、ガラス製の基板に比べて割れにくい。また、基板１０の表面に凸部１２が形成されているので、表面に堆積した薄膜８０が剥がれにくい。すなわち、このダミー基板１０は、図１に示すように、スパッタ室４２内で立てて配置された場合でも、表面に凸部１２が形成されている。このため、表面に堆積した薄膜８０が密着する面積が大きく、また、薄膜８０の一部が凸部１２に引っかかるので、薄膜８０が剥がれにくい。この場合、１回のプリスパッタリング処理に、必要なダミー基板の数を少なくすることができる。また、プリスパッタリング処理でダミー基板を取り替える回数も少なくてすみ、プリスパッタリング処理に要していた時間を低減できる。これにより、スパッタリング装置４０の稼働率を上げることができ、生産性を向上させることができる。
【００３０】
また、この実施形態では、ダミー基板１０の表面に形成された凸部１２は、全ての表面１２ａ、１２ｂがダミー基板１０の基準面１０ａの法線方向Ｎから見えるように形成されている。すなわち、ダミー基板１０の表面に形成された凸部１２は、全ての表面１２ａ、１２ｂが、スパッタリング処理において、ターゲット板６２が配置された方向から見える。このため、凸部１２の全ての表面１２ａ、１２ｂに薄膜８０が連続して形成される。このように、凸部１２は、薄膜８０がダミー基板１０の表面に連続して形成されるのを阻害しない。このため、このダミー基板１０は、かかる凸部１２があっても表面に連続した薄膜８０が形成される。このように、ダミー基板１０の表面に剥がれ難い薄膜８０を形成することができる。
【００３１】
また、この実施形態では、凸部１２は、ダミー基板１０の表面全体にわたって分布している。このため、ダミー基板１０の表面全体にわたって、剥がれ難い薄膜８０を形成することができる。また、凸部１２は、ダミー基板１０の表面全体にわたって概ね均一に分布している。このため、ダミー基板１０の表面全体にわたって、概ね均一に剥がれ難い薄膜８０を形成することができる。
【００３２】
上述した実施形態では、図４に示すように、ダミー基板１０の表面に凸部１２が形成されている。ダミー基板１０の表面に凸部１２に代えて凹部を形成してもよい。図５は、表面に凹部１４が形成されたダミー基板１０の断面図である。
【００３３】
すなわち、図５に示すように、ダミー基板１０の表面に凹部１４が形成されている場合でも、ダミー基板１０の表面に堆積した薄膜８０が密着する面積が大きくなる。また、薄膜８０の一部が凹部１４に引っかかるので、薄膜８０が剥がれにくい。この場合、凹部１４の全て面１４ａ（底面）、１４ｂ（側面）が、全てダミー基板１０の基準面１０ａの法線方向Ｎから見えるように形成されているとよい。これによって、スパッタリング処理において薄膜８０の形成が阻害されず、凹部１４の全ての表面１４ａ、１４ｂに薄膜８０が連続して形成される。このように、ダミー基板１０の表面に剥がれ難い薄膜８０が形成される。
【００３４】
なお、このように、ダミー基板１０は、凸部１２に代えて凹部１４が表面に形成されていてもよい。また、図示は省略するが、ダミー基板１０は、凸部１２と凹部１４の両方が表面に形成されていてもよい。
【００３５】
また、図６は、表面に曲面からなる凹部１４１が形成されたダミー基板１０の断面図である。また、図７は、表面に曲面からなる凸部１２１が形成されたダミー基板１０の断面図である。図６又は図７に示すように、ダミー基板１０の表面に形成された凹部１４１又は凸部１２１は曲面で形成されていてもよい。この場合も、凹部１４１の曲面１４１ａ、凸部１２１の曲面１２１ａは、それぞれ全てダミー基板１０の基準面１０ａの法線方向Ｎから見えるように形成されているとよい。これによって、スパッタリング処理において薄膜８０の形成が阻害されず、凹部１４１又は凸部１２１の表面１４１ａ、１２１ａに薄膜８０が連続して形成される。このように、ダミー基板１０の表面に剥がれ難い薄膜８０が形成される。
【００３６】
また、この実施形態では、ダミー基板１０は、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成されている。アルミニウムは、軽く、また比較的入手が容易な材料であり、また、加工も容易であるから、上記のダミー基板１０の材料として、好適な材料の１つである。
また、ダミー基板１０の材料としては、アルミニウムの他、チタン、鉄、銅、又はこれらの合金で形成されていてもよい。チタン、鉄、銅、又はこれらの合金なども、比較的入手が容易な材料であり、また、加工も容易であるから、上記のダミー基板１０の材料として、好適である。
【００３７】
なお、図１に示す例では、ターゲット板６２がアルミニウムで構成されており、スパッタリングにおいて、アルミニウム薄膜を形成する。この場合、ダミー基板１０をアルミニウム又はアルミニウム合金で形成することにより、薄膜の密着性がよい。このように、プリスパッタリング処理用のダミー基板の材料は、ターゲット板６２と同じ金属材料又はその合金としてもよい。
【００３８】
以上、本発明の一実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板を説明したが、本発明の一実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板は、上述した実施形態に限定されない。
【００３９】
例えば、上記において、凹部又は凸部の形状、具体的な大きさは一例を示すのみであり、凹部又は凸部はかかる形態に限定されない。また、上述した実施形態では、凹部又は凸部の表面が、それぞれダミー基板の基準面の法線方向Ｎから見えるように形成されている。かかる形態は、好適な形態を例示したものである。したがって、凹部又は凸部の表面の一部が、それぞれダミー基板の基準面の法線方向Ｎから見えるように形成されていなくてもよい。また、一部の凹部又は凸部において、表面の一部が、それぞれダミー基板の基準面の法線方向Ｎから見えるように形成されていない凹部又は凸部を含んでいてもよい。また、金属製の基板の表面に形成された凹部又は凸部は、プレス加工によって形成されている形態を例示したが、凹部又は凸部の形成方法は、プレス加工に限定されない。例えば、金属製の基板の表面に形成された凹部を打刻して形成してもよい。
【００４０】
また、プリスパッタリング処理用のダミー基板は、所要の剛性を持たせるべく、裏面（ターゲット板に対向しない側の面）にリブを形成してもよい。これにより、比較的薄いダミー基板でも所要の剛性を持たせることができ、また、全体として軽量化を図ることができる。また、ダミー基板を立てて配置する場合で、かつ、マザーガラス基板のように大型のダミー基板を用いる場合がある。かかるダミー基板は、立てて配置するのに適するように、上部を薄くし、下部を厚く形成してもよい。これにより、立てて配置させた場合でもダミー基板の下部が自重を受けることができる。
【００４１】
また、本発明は、プリスパッタリング処理用のダミー基板に関するものである。スパッタリング装置の具体的構成については、上記に例示する構造に限定されない。また、スパッタリング装置が用いられる用途として、平面表示装置のアレイ基板における金属薄膜の成膜を例示した。スパッタリング装置の用途は、かかる用途に限定されない。かかるプリスパッタリング処理用のダミー基板が適用されるスパッタリング装置は、種々の薄膜の成膜工程に適用できる。
【符号の説明】
【００４２】
１０ ダミー基板
１０ａ ダミー基板の基準面
１２ 凸部
１２ａ 凸部の上面
１２ｂ 凸部の側面
１４ 凹部
１４ａ 凹部の底面
１４ｂ 凹部の側面
４０ スパッタリング装置
４２ スパッタ室
４４ プラズマ発生用電源
４６ スパッタリングガス供給部
４８ スパッタリングガス排気部
６２ ターゲット板
６２ａ 原子
６４ ターゲット板配置部
６６ 基板配置部
６８ マグネット
７２ スパッタリングガス
８０ 薄膜
８２ プラズマ
１２１ 凸部
１２１ａ 凸部の曲面
１４１ 凹部
１４１ａ 凹部の曲面
Ｎ 法線方向
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング装置のスパッタ室内に配置され、プリスパッタリング処理によって表面に薄膜を堆積させるプリスパッタリング処理用のダミー基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に金属等の薄膜を形成する方法として、良質の薄膜を効率よく製造することができるスパッタリングによる方法が広く用いられている。スパッタリング装置では、スパッタ室中に、薄膜が堆積される基板が配置される。また、かかる基板に対向して薄膜材料のソースとなるターゲット板が配置される。ターゲット板の背面側には、上方からマグネットが近接して配置される。スパッタ室は、減圧されて、アルゴンガス等のスパッタリングガスが導入される。ターゲット板と基板との間に数百ボルトの負の電圧が印加されると、マグネトロン放電によるプラズマが発生してスパッタリングガスが正イオン化される。イオン化されたスパッタリングガスは加速されてターゲット板に衝突する。これにより、ターゲット板から原子がはじき出され、はじき出された原子を基板上に堆積させる。
【０００３】
このようなスパッタリングは、例えば、平面表示装置のアレイ基板における金属薄膜の成膜に用いられている。特に、表示画素毎にスイッチ素子が配置されたアクティブマトリクス型の液晶表示装置のアレイ基板の製造に用いられている。
【０００４】
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、アレイ基板と対向基板との間に配向膜を介して液晶層が保持されて成っている。アレイ基板は、ガラスや石英等の透明絶縁基板上に複数本の信号線と走査線とが格子状に配置され、各交点部分には活性層にアモルファスシリコンやポリシリコン等の半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：thin film transistor）が接続されている。そしてＴＦＴのゲート電極は走査線に、ドレイン電極は信号線にそれぞれ電気的に接続され、さらにソース電極は画素電極を構成する透明導電材料、例えば、ＩＴＯ(Indium-Tin-Oxide)の層に電気的に接続される。アクティブマトリクス型液晶表示装置のアレイ基板の製造においては、例えば、走査線及びＴＦＴのゲート電極を含む第１導電層パターンと、信号線及びＴＦＴのソース・ドレイン電極を含む第２導電層パターンとが、スパッタリングによる成膜とこれに続くパターニングにより形成される。
【０００５】
かかるスパッタリング装置に関し、例えば、特開平１１−２０００３６号公報（特許文献１）には、スプラッシュの発生を抑えるためには、ターゲット板の表面に付着した汚染物質やゴミの粒子を除去するためのプリスパッタリング処理を充分に行うことなどが開示されている。プリスパッタリング処理では、例えば、ダミー基板をターゲット板に対向させて配置し、スパッタリングによってダミー基板の表面に薄膜を堆積させるとよい。かかるダミー基板としては、例えば、特許文献１では、ガラス基板が採用されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２０００３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、液晶表示装置のアレイ基板の製造工程では、生産性を上げるべく大面積のマザーガラス基板に複数のアレイ基板を形成し、その後、マザーガラス基板から複数のアレイ基板を切り出す。液晶表示装置の大画面化に伴い、マザーガラス基板の面積は大型化しつつある。例えば１９９０年代に用いられていた、いわゆる第３世代のマザーガラス基板は、５５０ｍｍ×６５０ｍｍの矩形のガラス基板であった。これが、２００８年では、いわゆる第８世代のマザーガラス基板が用いられている。かかる第８世代のマザーガラス基板は、２１６０ｍｍ×２４００ｍｍ〜２３００ｍｍ×２６００ｍｍの矩形のガラス基板であり、第３世代のマザーガラス基板に比べてかなり大型化している。また、将来、マザーガラス基板は、さらに大型化することが予想されている。
【０００８】
また、上述したスパッタリング装置は、マザーガラス基板の大型化に伴って大型化している。このため、本発明者は、スパッタリング装置のスパッタ室内についても、ターゲット板とマザーガラス基板とをそれぞれ立てた状態で配置する装置の採用を検討している。このようにスパッタリング装置を構成することにより、マザーガラス基板の取り回しを容易にし、また装置の省スペース化を図ることができると考えられる。
【０００９】
しかしながら、実際のスパッタリング処理には、例えば、ターゲット板の交換や、定期的なメンテナンス後に、ターゲット板の表面の酸化膜や吸着水などの影響を取り除くため、予備的にプリスパッタリング処理を行うことが必要である。プリスパッタリング処理では、例えば、マザーガラス基板と同じサイズのガラス基板からなるダミー基板を、ターゲット板に対向させて配置し、スパッタリングによってダミー基板の表面に薄膜を堆積させるとよい。また、実際のスパッタリング処理で不具合が生じるのを防止するため、プリスパッタリング処理を十分に行うことが望ましい。このため、プリスパッタリング処理では薄膜が厚く堆積する。
【００１０】
プリスパッタリング処理では、薄膜が厚く堆積するので膜応力によって、ダミー基板に大きな力が作用していた。上述した第８世代のマザーガラス基板と同じサイズのガラス基板からなるダミー基板では、堆積する薄膜の量も大きくなる。また、上述したように、ダミー基板を立てて配置する場合、堆積した薄膜から、ダミー基板に作用する力も局所的に大きなものになることが懸念される。このため、ガラス基板で作成されたダミー基板では、割れが生じるなどの問題が生じうる。また、プリスパッタリング処理で形成される薄膜は、状態が不安定であり、部分的には剥がれ易い箇所が生じうる。
【００１１】
そのようなプリスパッタリング処理において、ダミー基板を立てて配置する場合には、ダミー基板に堆積した薄膜が剥がれることも懸念される。ダミー基板に堆積した薄膜が剥がれると、スパッタ室内に塵などが発生し、プリスパッタリング処理が意味をなさない。ガラス基板からなるダミー基板では、ダミー基板に堆積させることができる薄膜の厚さに限界がある。すなわち、プリスパッタリング処理中でも、ガラス基板からなるダミー基板が割れたり、薄膜が剥がれたりすることがない程度に、薄膜が堆積したところでダミー基板を取り替える必要があった。このため１回のプリスパッタリング処理に、多くのダミー基板を取り替える必要が生じる場合もあった。このような場合、プリスパッタリング処理に必要なダミー基板の枚数も多く必要であるし、ダミー基板を取り替える回数が多くなると、プリスパッタリング処理にも所要の時間を要していた。
【００１２】
そこで、上記のような事情を鑑みて、プリスパッタリング処理に適したダミー基板を提案する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板は、金属製の基板で形成され、基板の表面に凹部又は凸部が形成されている。かかるダミー基板によれば、金属製の基板で形成されているので、プリスパッタリング処理で形成される薄膜の膜応力が作用した場合でも、ガラス製の基板に比べて割れにくい。また、基板の表面に凹部又は凸部が形成されているので、表面に堆積した薄膜が剥がれにくい。
【００１４】
かかる金属製の基板では、表面に形成された凹部又は凸部は、例えば、プレス加工によって形成することができる。また、金属製の基板の表面に形成された凹部又は凸部は、全ての表面が基板の基準面の法線方向から見えるように形成されていてもよい。また、金属製の基板の表面に形成された凹部又は凸部は曲面で形成されていてもよい。また、凹部又は凸部は、前記金属製の基板の表面全体にわたって分布していてもよい。また、ダミー基板は、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成されていてもよい。アルミニウムは、軽く、また比較的入手が容易な材料であるから、ダミー基板を軽くでき、取り回しを良くできる。また、ダミー基板はチタン、鉄、銅、又はこれらの合金で形成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】スパッタリング装置の概要を示す概略図。
【図２】本発明の一実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板の部分拡大平面図。
【図３】本発明の一実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板の部分拡大断面図。
【図４】本発明の一実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板の凸部の拡大断面図。
【図５】本発明の他の実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板の凹部の拡大断面図。
【図６】本発明の他の実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板の凹部の拡大断面図。
【図７】本発明の他の実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板の凸部の拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板を図面に基づいて説明する。なお、同じ作用を奏する部材又は部位には、適宜に同じ符号を付している。
【００１７】
図１は、スパッタリング装置の概略図である。図２はプリスパッタリング処理用のダミー基板を部分的に拡大した平面図であり、図３は、その断面図である。
【００１８】
このプリスパッタリング処理用のダミー基板１０は、図１に示すように、金属製の基板で形成され、基板１０の表面には凹部又は凸部（図２参照、図２に示す実施形態では、凸部１２）が形成されている。このダミー基板１０は、図１に示すように、スパッタリング装置４０のスパッタ室４２内に配置され、プリスパッタリング処理によって表面に薄膜を堆積させる基板である。
【００１９】
この実施形態では、スパッタリング装置４０は、マグネトロン・スパッタ法を具現化する装置である。このスパッタリング装置４０は、図１に示すように、スパッタリングが行われるスパッタ室４２と、プラズマ発生用電源４４と、スパッタリングガス供給部４６と、スパッタリングガス排気部４８とを備えている。スパッタ室４２には、ターゲット板６２を配置するターゲット板配置部６４と、基板を配置する基板配置部６６と、マグネット６８が配置されている。なお、図１は、図示の便宜上、スパッタ室４２の各部材を支持する支持部材などを省略している。
【００２０】
この実施形態では、スパッタ室４２は、スパッタリング処理工程において減圧されるため、所要の耐圧性能を有する容器で構成されている。また、この実施形態では、上述した大型のマザーガラス基板のスパッタリング処理に対応するように、所要の大きさを備えている。ターゲット板６２を配置するターゲット板配置部６４は、スパッタ室４２内で立てた状態で配設されている。基板配置部６６は、ターゲット板配置部６４に対向するように配置されている。マグネット６８は、ターゲット板配置部６４の裏側（基板配置部６６とは反対側）に配置される。
【００２１】
この実施形態では、ターゲット板６２は、ターゲット板配置部６４の、基板配置部６６に対向する側面に取り付けられる。基板配置部６６には、ターゲット板６２に対向するように、スパッタリング処理が行われる基板が取り付けられる。また、プリスパッタリング処理では、ダミー基板１０がかかる基板配置部６６に取り付けられる。また、この実施形態では、ターゲット板配置部６４はプラズマ発生装置の陰極として機能する。また、基板配置部６６はプラズマ発生装置の陽極として機能する。
【００２２】
プラズマ発生用電源４４は、プラズマ発生装置の陰極として機能するターゲット板配置部６４に電気的に接続されている。また、プラズマ発生装置の陽極をなす極部として機能する基板配置部６６は、アース（接地）されている。スパッタリングガス供給部４６は、スパッタ室４２内、特に、プラズマが発生する部位に、スパッタリングガス（この実施形態では、アルゴンガス：Ａｒ）を供給する。また、スパッタリングガス排気部４８は、真空ポンプ等によってスパッタ室４２から排気する装置である。
【００２３】
このスパッタリング装置４０は、スパッタリングガス排気部４８によって、スパッタ室４２内を減圧し、実質的に真空の状態にする。次に、スパッタ室４２が真空状態になった後で、スパッタリングガス供給部４６からスパッタリングガス７２を供給し、スパッタ室４２内の圧力を調整する。その後、プラズマ発生用電源４４によって、プラズマ発生装置の陰極として機能するターゲット板配置部６４と、プラズマ発生装置の陽極として機能する基板配置部６６との間に所要の電圧（スパッタ用ターゲット電圧）を印加する。かかる電圧の印加により、スパッタ室４２内に放電が起こる。かかるマグネトロン放電によりプラズマ８２が発生してスパッタリングガス７２が正イオン化される。イオン化されたスパッタリングガス７２は加速されてターゲット板に衝突する。これにより、ターゲット板６２から原子６２ａがはじき出され、はじき出された原子６２ａが基板上に堆積し、基板上に薄膜８０（図３参照）を形成する。
【００２４】
かかるスパッタリング装置４０は、実際のスパッタリング処理では、例えば、ターゲット板の交換や、定期的なメンテナンス後に、ターゲット板の表面の酸化膜や吸着水などの影響を取り除くため、予備的にプリスパッタリング処理を行う。プリスパッタリング処理では、図１に示すように、例えば、マザーガラス基板と同じサイズのダミー基板１０を、ターゲット板６２に対向させて配置し、スパッタリングによってダミー基板１０の表面に薄膜を堆積させる。
【００２５】
この実施形態では、プリスパッタリング処理用のダミー基板１０は金属製の基板である。詳しくは、この実施形態では、ダミー基板１０は、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成されている。アルミニウム又はアルミニウム合金は軽量であり、取り回しが容易である。また、比較的軟らかい金属であるから、加工も容易である。このダミー基板１０の表面には、図２及び図３に示すように、凹部又は凸部（この実施形態では、凸部１２）が形成されている。なお、この実施形態では、凸部１２の大きさは、２ｍｍ〜３ｍｍ程度の四方の矩形で、高さが１ｍｍ〜１．５ｍｍ程度である。また、この実施形態では、凸部１２は、プレス加工によって形成されている。例えば、ローラプレス機などで、金属製の基板に凸部１２を形成するとよい。このダミー基板１０は、金属製の基板であり、このようなプレス加工により、凸部１２を比較的簡単に形成することができる。
【００２６】
また、この実施形態では、凸部１２は、凸部１２を形成する全ての表面（この実施形態では、凸部１２の上面１２ａ、凸部１２の側面１２ｂ）が、ダミー基板１０の基準面１０ａの法線方向Ｎから見える。すなわち、この実施形態では、凸部１２は矩形の突起であり、上面１２ａ及び側面１２ｂが表面に露出している。これら凸部１２の上面１２ａ及び側面１２ｂがダミー基板１０の基準面１０ａの法線方向Ｎから見える。ここで、ダミー基板１０の基準面１０ａの法線方向Ｎは、ダミー基板１０の凸部１２の基準となる面１０ａ（ダミー基板１０の基準面１０ａ）に直交する方向で規定される。また、この実施形態では、ダミー基板１０は、基板配置部６６に接地されて、ターゲット板６２に対向する。凸部１２を形成する全ての表面１２ａ、１２ｂは、スパッタリング装置４０の基板配置部６６に配置されたときに、ターゲット板６２が配置された方向から見える。
【００２７】
また、図４は、このダミー基板１０の凸部１２を拡大した図である。この実施形態では、より詳しくは、凸部１２は、平面を組み合わせて形成しており、ダミー基板１０の基準面１０ａと凸部１２の側面１２ｂとのなす角ａ、上面１２ａと側面１２ｂとのなす角ｂは、それぞれ鈍角で形成されている。ここでは、角ａ、角ｂは、それぞれ１１０度以上１６０度以下の角度で形成するとよい。
【００２８】
また、この実施形態では、凸部１２は、ダミー基板１０の表面全体にわたって概ね均一に分布している。
【００２９】
このダミー基板１０は、図２及び図３に示すように、金属製の基板で形成され、基板の表面に凸部１２が形成されている。かかるダミー基板１０によれば、金属製の基板で形成されているので、プリスパッタリング処理で形成される薄膜８０の膜応力が作用した場合でも、ガラス製の基板に比べて割れにくい。また、基板１０の表面に凸部１２が形成されているので、表面に堆積した薄膜８０が剥がれにくい。すなわち、このダミー基板１０は、図１に示すように、スパッタ室４２内で立てて配置された場合でも、表面に凸部１２が形成されている。このため、表面に堆積した薄膜８０が密着する面積が大きく、また、薄膜８０の一部が凸部１２に引っかかるので、薄膜８０が剥がれにくい。この場合、１回のプリスパッタリング処理に、必要なダミー基板の数を少なくすることができる。また、プリスパッタリング処理でダミー基板を取り替える回数も少なくてすみ、プリスパッタリング処理に要していた時間を低減できる。これにより、スパッタリング装置４０の稼働率を上げることができ、生産性を向上させることができる。
【００３０】
また、この実施形態では、ダミー基板１０の表面に形成された凸部１２は、全ての表面１２ａ、１２ｂがダミー基板１０の基準面１０ａの法線方向Ｎから見えるように形成されている。すなわち、ダミー基板１０の表面に形成された凸部１２は、全ての表面１２ａ、１２ｂが、スパッタリング処理において、ターゲット板６２が配置された方向から見える。このため、凸部１２の全ての表面１２ａ、１２ｂに薄膜８０が連続して形成される。このように、凸部１２は、薄膜８０がダミー基板１０の表面に連続して形成されるのを阻害しない。このため、このダミー基板１０は、かかる凸部１２があっても表面に連続した薄膜８０が形成される。このように、ダミー基板１０の表面に剥がれ難い薄膜８０を形成することができる。
【００３１】
また、この実施形態では、凸部１２は、ダミー基板１０の表面全体にわたって分布している。このため、ダミー基板１０の表面全体にわたって、剥がれ難い薄膜８０を形成することができる。また、凸部１２は、ダミー基板１０の表面全体にわたって概ね均一に分布している。このため、ダミー基板１０の表面全体にわたって、概ね均一に剥がれ難い薄膜８０を形成することができる。
【００３２】
上述した実施形態では、図４に示すように、ダミー基板１０の表面に凸部１２が形成されている。ダミー基板１０の表面に凸部１２に代えて凹部を形成してもよい。図５は、表面に凹部１４が形成されたダミー基板１０の断面図である。
【００３３】
すなわち、図５に示すように、ダミー基板１０の表面に凹部１４が形成されている場合でも、ダミー基板１０の表面に堆積した薄膜８０が密着する面積が大きくなる。また、薄膜８０の一部が凹部１４に引っかかるので、薄膜８０が剥がれにくい。この場合、凹部１４の全て面１４ａ（底面）、１４ｂ（側面）が、全てダミー基板１０の基準面１０ａの法線方向Ｎから見えるように形成されているとよい。これによって、スパッタリング処理において薄膜８０の形成が阻害されず、凹部１４の全ての表面１４ａ、１４ｂに薄膜８０が連続して形成される。このように、ダミー基板１０の表面に剥がれ難い薄膜８０が形成される。
【００３４】
なお、このように、ダミー基板１０は、凸部１２に代えて凹部１４が表面に形成されていてもよい。また、図示は省略するが、ダミー基板１０は、凸部１２と凹部１４の両方が表面に形成されていてもよい。
【００３５】
また、図６は、表面に曲面からなる凹部１４１が形成されたダミー基板１０の断面図である。また、図７は、表面に曲面からなる凸部１２１が形成されたダミー基板１０の断面図である。図６又は図７に示すように、ダミー基板１０の表面に形成された凹部１４１又は凸部１２１は曲面で形成されていてもよい。この場合も、凹部１４１の曲面１４１ａ、凸部１２１の曲面１２１ａは、それぞれ全てダミー基板１０の基準面１０ａの法線方向Ｎから見えるように形成されているとよい。これによって、スパッタリング処理において薄膜８０の形成が阻害されず、凹部１４１又は凸部１２１の表面１４１ａ、１２１ａに薄膜８０が連続して形成される。このように、ダミー基板１０の表面に剥がれ難い薄膜８０が形成される。
【００３６】
また、この実施形態では、ダミー基板１０は、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成されている。アルミニウムは、軽く、また比較的入手が容易な材料であり、また、加工も容易であるから、上記のダミー基板１０の材料として、好適な材料の１つである。
また、ダミー基板１０の材料としては、アルミニウムの他、チタン、鉄、銅、又はこれらの合金で形成されていてもよい。チタン、鉄、銅、又はこれらの合金なども、比較的入手が容易な材料であり、また、加工も容易であるから、上記のダミー基板１０の材料として、好適である。
【００３７】
なお、図１に示す例では、ターゲット板６２がアルミニウムで構成されており、スパッタリングにおいて、アルミニウム薄膜を形成する。この場合、ダミー基板１０をアルミニウム又はアルミニウム合金で形成することにより、薄膜の密着性がよい。このように、プリスパッタリング処理用のダミー基板の材料は、ターゲット板６２と同じ金属材料又はその合金としてもよい。
【００３８】
以上、本発明の一実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板を説明したが、本発明の一実施形態に係るプリスパッタリング処理用のダミー基板は、上述した実施形態に限定されない。
【００３９】
例えば、上記において、凹部又は凸部の形状、具体的な大きさは一例を示すのみであり、凹部又は凸部はかかる形態に限定されない。また、上述した実施形態では、凹部又は凸部の表面が、それぞれダミー基板の基準面の法線方向Ｎから見えるように形成されている。かかる形態は、好適な形態を例示したものである。したがって、凹部又は凸部の表面の一部が、それぞれダミー基板の基準面の法線方向Ｎから見えるように形成されていなくてもよい。また、一部の凹部又は凸部において、表面の一部が、それぞれダミー基板の基準面の法線方向Ｎから見えるように形成されていない凹部又は凸部を含んでいてもよい。また、金属製の基板の表面に形成された凹部又は凸部は、プレス加工によって形成されている形態を例示したが、凹部又は凸部の形成方法は、プレス加工に限定されない。例えば、金属製の基板の表面に形成された凹部を打刻して形成してもよい。
【００４０】
また、プリスパッタリング処理用のダミー基板は、所要の剛性を持たせるべく、裏面（ターゲット板に対向しない側の面）にリブを形成してもよい。これにより、比較的薄いダミー基板でも所要の剛性を持たせることができ、また、全体として軽量化を図ることができる。また、ダミー基板を立てて配置する場合で、かつ、マザーガラス基板のように大型のダミー基板を用いる場合がある。かかるダミー基板は、立てて配置するのに適するように、上部を薄くし、下部を厚く形成してもよい。これにより、立てて配置させた場合でもダミー基板の下部が自重を受けることができる。
【００４１】
また、本発明は、プリスパッタリング処理用のダミー基板に関するものである。スパッタリング装置の具体的構成については、上記に例示する構造に限定されない。また、スパッタリング装置が用いられる用途として、平面表示装置のアレイ基板における金属薄膜の成膜を例示した。スパッタリング装置の用途は、かかる用途に限定されない。かかるプリスパッタリング処理用のダミー基板が適用されるスパッタリング装置は、種々の薄膜の成膜工程に適用できる。
【符号の説明】
【００４２】
１０ ダミー基板
１０ａ ダミー基板の基準面
１２ 凸部
１２ａ 凸部の上面
１２ｂ 凸部の側面
１４ 凹部
１４ａ 凹部の底面
１４ｂ 凹部の側面
４０ スパッタリング装置
４２ スパッタ室
４４ プラズマ発生用電源
４６ スパッタリングガス供給部
４８ スパッタリングガス排気部
６２ ターゲット板
６２ａ 原子
６４ ターゲット板配置部
６６ 基板配置部
６８ マグネット
７２ スパッタリングガス
８０ 薄膜
８２ プラズマ
１２１ 凸部
１２１ａ 凸部の曲面
１４１ 凹部
１４１ａ 凹部の曲面
Ｎ 法線方向
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング装置のスパッタ室内に配置され、プリスパッタリング処理によって表面に薄膜を堆積させるプリスパッタリング処理用のダミー基板であって、
金属製の基板で形成され、前記基板の表面に凹部又は凸部が複数形成されたプリスパッタリング処理用のダミー基板。
【請求項２】
前記金属製の基板の表面に形成された凹部又は凸部は、プレス加工によって形成されている、請求項１に記載のプリスパッタリング処理用のダミー基板。
【請求項３】
前記金属製の基板の表面に形成された凹部又は凸部を形成する全ての表面が、前記基板の基準面の法線方向から見える、請求項１又は２に記載のプリスパッタリング処理用のダミー基板。
【請求項４】
前記金属製の基板の表面に形成された凹部又は凸部は曲面で形成されている、請求項１から３までの何れか一項に記載されたプリスパッタリング処理用のダミー基板。
【請求項５】
前記凹部又は凸部は、前記金属製の基板の表面全体にわたって分布している、請求項１から４までの何れか一項に記載されたプリスパッタリング処理用のダミー基板。
【請求項６】
前記ダミー基板は、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成されている、請求項１から５までの何れか一項に記載されたプリスパッタリング処理用のダミー基板。
【請求項７】
前記ダミー基板は、チタン、鉄、銅、又はこれらの合金のうち何れかで形成されている、請求項１から５までの何れか一項に記載されたプリスパッタリング処理用のダミー基板。
【請求項１】
スパッタリング装置のスパッタ室内に配置され、プリスパッタリング処理によって表面に薄膜を堆積させるプリスパッタリング処理用のダミー基板であって、
金属製の基板で形成され、前記基板の表面に凹部又は凸部が複数形成されたプリスパッタリング処理用のダミー基板。
【請求項２】
前記金属製の基板の表面に形成された凹部又は凸部は、プレス加工によって形成されている、請求項１に記載のプリスパッタリング処理用のダミー基板。
【請求項３】
前記金属製の基板の表面に形成された凹部又は凸部を形成する全ての表面が、前記基板の基準面の法線方向から見える、請求項１又は２に記載のプリスパッタリング処理用のダミー基板。
【請求項４】
前記金属製の基板の表面に形成された凹部又は凸部は曲面で形成されている、請求項１から３までの何れか一項に記載されたプリスパッタリング処理用のダミー基板。
【請求項５】
前記凹部又は凸部は、前記金属製の基板の表面全体にわたって分布している、請求項１から４までの何れか一項に記載されたプリスパッタリング処理用のダミー基板。
【請求項６】
前記ダミー基板は、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成されている、請求項１から５までの何れか一項に記載されたプリスパッタリング処理用のダミー基板。
【請求項７】
前記ダミー基板は、チタン、鉄、銅、又はこれらの合金のうち何れかで形成されている、請求項１から５までの何れか一項に記載されたプリスパッタリング処理用のダミー基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１０−１８０４６３（Ｐ２０１０−１８０４６３Ａ）
【公開日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２６３４６（Ｐ２００９−２６３４６）
【出願日】平成２１年２月６日（２００９．２．６）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年２月６日（２００９．２．６）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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