プロジェクター
【課題】発光素子から出射される光を同一の方向に進行させる発光装置を備え、光軸合わせが容易なプロジェクターを提供する。
【解決手段】本発明に係るプロジェクター１０００では、発光素子１００は、第１端面１７０と第２端面１７２の２箇所から光が出射される構成をなし、発光素子１００の第１端面１７０から出射される第１出射光Ｌ１の方向と、発光素子１００の第２端面１７２から出射される第２出射光Ｌ２の方向とは、互いに逆方向をなし、第１反射面１６２は、第１出射光Ｌ１を反射させ、第２反射面１６４は、第２出射光Ｌ２を反射させ、第１反射面１６２によって反射される第１反射光Ｌ３の方向と、第２反射面１６４によって反射される第２反射光Ｌ４の方向とは、同じ方向である。
【解決手段】本発明に係るプロジェクター１０００では、発光素子１００は、第１端面１７０と第２端面１７２の２箇所から光が出射される構成をなし、発光素子１００の第１端面１７０から出射される第１出射光Ｌ１の方向と、発光素子１００の第２端面１７２から出射される第２出射光Ｌ２の方向とは、互いに逆方向をなし、第１反射面１６２は、第１出射光Ｌ１を反射させ、第２反射面１６４は、第２出射光Ｌ２を反射させ、第１反射面１６２によって反射される第１反射光Ｌ３の方向と、第２反射面１６４によって反射される第２反射光Ｌ４の方向とは、同じ方向である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プロジェクターに関する。
【背景技術】
【０００２】
スーパールミネッセントダイオード（Super Luminescent Diode、以下「ＳＬＤ」ともいう）は、通常の発光ダイオード同様にインコヒーレント性を示し、かつ広帯域なスペクトル形状を示しながら、光出力特性では半導体レーザー同様に数十ｍＷ程度までの出力を得ることが可能な半導体素子である。ＳＬＤは、半導体レーザー同様に、注入キャリアの再結合により生じた自然放出光が、光出射端面方向に進む間に誘導放出による高い利得を受けて増幅され、光出射端面から放出される機構を用いている。ただし、ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑え、レーザー発振が生じないようにする必要がある。
【０００３】
レーザー発振を抑制するための方法として、例えば特許文献１に示すように、利得領域（光導波路）を出射端面から傾ける構成が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２７３６９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、出射端面から傾いた直線状の利得領域（光導波路）を備えた発光素子では、利得領域の２つの出射端面のうちの一方の出射端面から出射される光と、他方の出射端面から出射される光とが、互いに異なる方向に進む場合がある。しかしながら、プロジェクターの光源としてＳＬＤを用いた場合、ＳＬＤから出射される光は、同一の方向に進行することが望ましい。このようなＳＬＤによれば、プロジェクターにおける光軸合わせを容易化することができる。
【０００６】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、発光素子から出射される光を同一の方向に進行させる発光装置を備え、光軸合わせが容易なプロジェクターを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るプロジェクターは、
発光装置と、
前記発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含み、
前記発光装置は、
スーパールミネッセントダイオードであって、第１クラッド層と第２クラッド層とに挟まれる活性層に電流を通すことで発光する発光素子と、
前記発光素子を支持し、かつ前記発光素子から出射される光を反射させる第１反射面と第２反射面とが形成されたベースと、を有し、
前記発光素子は、第１端面と第２端面の２箇所から光が出射される構成をなし、
前記発光素子の前記第１端面から出射される第１出射光の方向と、前記発光素子の前記第２端面から出射される第２出射光の方向とは、互いに逆方向をなし、
前記第１反射面は、前記第１出射光を反射させ、
前記第２反射面は、前記第２出射光を反射させ、
前記第１反射面によって反射される前記第１反射光の方向と、前記第２反射面によって反射される前記第２反射光の方向とは、同じ方向である。
【０００８】
このようなプロジェクターによれば、前記発光素子から出射される光を同一の方向に進行させる前記発光装置を備え、光軸合わせを容易化することができる。
【０００９】
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記ベースは、板状の部材に凹部を設けた構造をしており、
前記凹部は、前記板状の部材の水平方向に対して４５度傾斜した２つの傾斜面を有し、
前記発光素子は、前記板状の部材の水平方向に対して平行に光が出射されるように配置され、
前記２つの傾斜面のうちの一方の傾斜面には、前記第１反射面が形成され、前記２つの傾斜面のうちの他方の傾斜面には、前記第２反射面が形成されていることができる。
【００１０】
このようなプロジェクターによれば、前記発光素子から出射される光を同一の方向に進行させる前記発光装置を備え、光軸合わせを容易化することができる。
【００１１】
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記ベースは、板状の部材に凹部を設けた構造をしており、
前記凹部は、凹面形状である第１凹面および第２凹面を有し、
前記第１凹面には、前記第１反射面が形成され、
前記第２凹面には、前記第２反射面が形成されていることができる。
【００１２】
このようなプロジェクターによれば、前記発光素子から出射される光を同一の方向に進行させる前記発光装置を備え、光軸合わせを容易化することができる。
【００１３】
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記第１凹面および前記第２凹面は、放物面であり、
前記第１端面は、前記第１凹面の焦点に位置し、
前記第２端面は、前記第２凹面の焦点に位置していることができる。
【００１４】
このようなプロジェクターによれば、前記発光素子から出射される光を同一の方向に進行させ、かつ平行光に変換することができる前記発光装置を備え、光の利用効率を向上させることができる。
【００１５】
本発明に係るプロジェクターにおいて、
さらに、前記第１反射光および前記第２反射光に対して透過性のある材質のリッドを含み、
前記発光素子は、前記リッドによって封止されていることができる。
【００１６】
このようなプロジェクターによれば、前記発光装置の信頼性の向上を図ることができ、かつ前記リッドにおける前記第１反射光および前記第２反射光の吸収損失を低減することができる。
【００１７】
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記ベースの熱伝導率は、前記発光素子の熱伝導率よりも高いことができる。
【００１８】
このようなプロジェクターによれば、前記ベースは、ヒートシンクとして機能することができるため、前記発光装置は、高い放熱性を有することができる。
【００１９】
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記活性層は、前記発光素子において前記ベース側に設けられていることができる。
【００２０】
このようなプロジェクターによれば、前記発光装置は、より高い放熱性を有することができる。
【００２１】
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記活性層は、前記発光素子において前記ベース側とは反対側に設けられ、
前記発光素子は、さらに、前記第１クラッド層と前記第２クラッド層とに挟まれる前記活性層が形成される基板を有し、
前記活性層と前記ベースとの間に、前記基板が設けられていることができる。
【００２２】
このようなプロジェクターによれば、前記活性層と前記ベースとの間に前記基板が設けられているため、少なくとも前記基板の厚み分だけ、前記活性層は前記ベースから離れた位置に設けられている。したがって、より良好な形状（断面形状）の出射光を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施形態のプロジェクターを模式的に示す図。
【図２】本実施形態のプロジェクターの発光装置を模式的に示す平面図。
【図３】本実施形態のプロジェクターの発光装置を模式的に示す断面図。
【図４】本実施形態のプロジェクターの発光装置を模式的に示す断面図。
【図５】本実施形態のプロジェクターの発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図６】本実施形態のプロジェクターの発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】本実施形態のプロジェクターの発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】本実施形態のプロジェクターの発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】第１変形例の発光装置を模式的に示す平面図。
【図１０】第２変形例の発光装置を模式的に示す平面図。
【図１１】第２変形例の発光装置を模式的に示す平面図。
【図１２】第２変形例の発光装置を模式的に示す断面図。
【図１３】第３変形例の発光装置を模式的に示す断面図。
【図１４】第４変形例の発光装置を模式的に示す断面図。
【図１５】第４変形例の発光装置を模式的に示す断面図。
【図１６】第５変形例の発光装置を模式的に示す断面図。
【図１７】第６変形例の発光装置を模式的に示す断面図。
【図１８】第７変形例の発光装置を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２５】
１． プロジェクター
まず、本実施形態に係るプロジェクター１００００について、図面を参照しながら説明する。図１は、プロジェクター１００００を模式的に示す図である。なお、図１では、便宜上、プロジェクター１００００を構成する筐体は省略している。プロジェクター１００００は、本発明に係る発光装置を含む。以下では、本発明に係る発光装置として、発光装置１０００を用いた例について説明する。
【００２６】
プロジェクター１００００において、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源（発光装置）１０００Ｒ，緑色光源（発光装置）１０００Ｇ、青色光源（発光装置）１０００Ｂは、上述した発光装置１０００である。
【００２７】
プロジェクター１００００は、光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂから出射された光をそれぞれ画像情報に応じて変調する透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂと、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン（表示面）１０１０に投射する投射レンズ（投射装置）１００８と、を備えている。また、プロジェクター１００００は、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂから出射された光を合成して投写レンズ１００８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）１００６を備えていることができる。
【００２８】
さらに、プロジェクター１００００は、光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂから出射された光の照度分布を均一化させるため、各光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂよりも光路下流側に、均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ，１００２Ｂを設けており、これらによって照度分布が均一化された光によって、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂを照明している。均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ、１００２Ｂは、例えば、ホログラム１００２ａおよびフィールドレンズ１００２ｂによって構成される。
【００２９】
各液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム１００６に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投写光学系である投射レンズ１００６によりスクリーン１０１０上に投写され、拡大された画像が表示される。
【００３０】
なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Digital Micromirror Device）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
【００３１】
また、発光装置１０００を、発光装置１０００からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の発光装置（光源装置）にも適用することが可能である。
【００３２】
プロジェクター１００００によれば、光源として、本発明に係る発光装置を用いることができるため、光軸合わせが容易となる。プロジェクター１００００に用いる発光装置の構成等については、以下に説明する。
【００３３】
２． 発光素子
次に、本実施形態に係るプロジェクター１００００に用いる発光装置１０００について、図面を参照しながら説明する。図２は、発光装置１０００を模式的に示す平面図であり、図３は、図２のIII−III線断面図であり、図４は、図２のIV−IV線断面図である。なお、図２及び図４では、リッド１４８については、便宜上、その図示を省略している。また、図３では、便宜上、発光素子１００を簡略化して示してある。
【００３４】
発光装置１０００は、図２〜図４に示すように、パッケージ１６０と、発光素子１００と、サブマウント１４１と、絶縁部材１４６と、端子１４４と、第１接続部材１４２と、第２接続部材１４３と、を含むことができる。なお、ここでは、発光素子１００がＩｎＧａＡｌＰ系（赤色）のＳＬＤである場合について説明する。ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑えることにより、レーザー発振を防止することができる。そのため、スペックルノイズを低減することができる。
【００３５】
発光素子１００は、ベース１４０上に実装されている。図示の例では、発光素子１００は、サブマウント１４１を介して、ベース１４０上に実装されている。発光素子１００は、パッケージ１６０に実装されているともいえる。発光素子１００は、図２〜図４に示すように、クラッド層（以下「第１クラッド層」という）１１０と、その上に形成された活性層１０８と、その上に形成されたクラッド層（以下「第２クラッド層」という）１０６と、を有する。発光素子１００は、さらに、例えば、基板１０２と、バッファー層１０４と、コンタクト層１１２と、電極（以下「第１電極」という）１２２と、電極（以下「第２電極」という）１２０と、を有することができる。
【００３６】
基板１０２としては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板などを用いることができる。
【００３７】
バッファー層１０４は、例えば図４に示すように、基板１０２下に形成されていることができる。バッファー層１０４は、例えば、後述するエピタキシャル成長工程において（図５参照）、バッファー層１０４の上方に形成される層の結晶性を向上させることができる。バッファー層１０４としては、例えば、基板１０２よりも結晶性の良好な（例えば欠陥密度の低い）第１導電型（ｎ型）のＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などを用いることができる。
【００３８】
第２クラッド層１０６は、バッファー層１０４下に形成されている。第２クラッド層１０６は、例えば、第１導電型の半導体からなる。第２クラッド層１０６としては、例えばｎ型ＡｌＧａＰ層などを用いることができる。
【００３９】
活性層１０８は、第２クラッド層１０６下に形成されている。活性層１０８は、例えば、発光素子１００においてベース１４０側に設けられている。即ち、活性層１０８は、例えば、発光素子１００のうち、厚さ方向の中間よりも下側（基板１０２側とは反対側）に設けられている。活性層１０８は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。
【００４０】
活性層１０８の一部は、活性層１０８の電流経路となる利得領域１８０を構成している。利得領域１８０には、光を生じさせることができ、この光は、利得領域１８０内で利得を受けることができる。活性層１０８の形状は、例えば直方体（立方体である場合を含む）などである。活性層１０８は、図２に示すように、第１側面１０７及び第２側面１０９を有する。第１側面１０７と第２側面１０９とは、互いに対向しており、例えば平行である。第１クラッド層１１０と第２クラッド層１０６とで挟まれた活性層１０８は、例えば、積層構造体を構成している。第１側面１０７および第２側面１０９は、活性層１０８の面のうち第１クラッド層１１０または第２クラッド層１０６に接していない面であり、積層構造体において、露出している面ともいえる。積層構造体は、さらに、基板１０２と、バッファー層１０４と、コンタクト層１１２と、を有していてもよい。
【００４１】
利得領域１８０は、活性層１０８を平面的に見て（図２参照）、第１側面１０７から第２側面１０９まで、第１側面１０７の垂線Ｐに対して傾いた方向に向かって設けられている。これにより、利得領域１８０に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。なお、利得領域１８０が、ある方向に向かって設けられている場合とは、当該方向が、平面的に見て、利得領域１８０の第１側面１０７側の第１端面１７０の中心と、第２側面１０９側の第２端面１７２の中心とを結ぶ方向に一致する場合をいう。
【００４２】
また、図示の例では、図２に示すように、利得領域１８０の第１端面１７０の幅ａは、第２端面１７２の幅ｂと同じであるが、異なっていても良い。利得領域１８０の平面形状は、例えば図２に示すような平行四辺形などである。図示しないが、例えば、利得領域１８０の平面形状は、曲線状や、直線状と曲線状の組み合わせなどであってもよい。
【００４３】
第１クラッド層１１０は、活性層１０８下に形成されている。第１クラッド層１１０は、例えば第２導電型（例えばｐ型）の半導体からなる。第１クラッド層１１０としては、例えばｐ型ＡｌＧａＰ層などを用いることができる。
【００４４】
例えば、ｐ型の第１クラッド層１１０、不純物がドーピングされていない活性層１０８、及びｎ型の第２クラッド層１０６により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラッド層１１０及び第２クラッド層１０６の各々は、活性層１０８よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１０８は、光を増幅する機能を有する。第１クラッド層１１０及び第２クラッド層１０６は、活性層１０８を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能を有する。
【００４５】
コンタクト層１１２は、例えば図４に示すように、第１クラッド層１１０下に形成されていることができる。コンタクト層１１２としては、第１電極１２２とオーミックコンタクトする層を用いることができる。コンタクト層１１２は、例えば第２導電型の半導体からなる。コンタクト層１１２としては、例えばｐ型ＧａＡｓ層などを用いることができる。
【００４６】
第１電極１２２は、コンタクト層１１２下に形成されている。第１電極１２２は、コンタクト層１１２を介して、第１クラッド層１１０と電気的に接続されている。第１電極１２２は、発光素子１００を駆動するための一方の電極である。第１電極１２２としては、例えば、コンタクト層１１２側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。第１電極１２２の上面は、利得領域１８０と同様の平面形状を有している。図示の例では、第１電極１２２とコンタクト層１１２との接触面の平面形状によって、電極１２２，１２０間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１８０の平面形状が決定されることができる。なお、図示しないが、例えば、第２電極１２０と基板１０２との接触面が、利得領域１８０と同じ平面形状を有していても良い。
【００４７】
第２電極１２０は、基板１０２の上の全面に形成されている。第２電極１２０は、該第２電極１２０とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）と接していることができる。第２電極１２０は、基板１０２及びバッファー層１０４を介して、第２クラッド層１０６と電気的に接続されている。第２電極１２０は、発光素子１００を駆動するための他方の電極である。第２電極１２０としては、例えば、基板１０２側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。なお、第２クラッド層１０６とバッファー層１０４との間に、第２コンタクト層（図示せず）を設け、ドライエッチングなどにより該第２コンタクト層の第２クラッド層１０６側を露出させ、第２電極１２０を第２コンタクト層下に設けることもできる。これにより、片面電極構造を得ることができる。第２コンタクト層としては、例えばｎ型ＧａＡｓ層などを用いることができる。また、図示しないが、例えば、エピタキシャルリフトオフ（ＥＬＯ）法、レーザリフトオフ法などを用いて、基板１０２とその下に設けられた部材とを切り離すことができる。即ち、発光素子１００は、基板１０２を有しないこともできる。この場合には、例えばバッファー層１０４の直接上に第２電極１２０を形成することができる。
【００４８】
発光素子１００では、第１電極１２２と第２電極１２０との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層１０８の利得領域１８０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域１８０内を光が進行し、その間に光強度が増幅され、第１端面１７０から第１出射光Ｌ１として出射され、第２端面１７２から第２出射光Ｌ２として出射されることができる。第１出射光Ｌ１及び第２出射光Ｌ２は、例えば、光の屈折により、第１側面１０７の垂線Ｐに対する利得領域１８０の傾きよりも、さらに傾いた方向に出射されることができる。第１出射光Ｌ１の進む向きと第２出射光Ｌ２の進む向きとは、例えば、互いに逆方向である。
【００４９】
パッケージ１６０は、図２及び図３に示すように、第１反射面１６２と、第２反射面１６４と、反射部１６３と、ベース１４０と、リッド１４８と、を有することができる。
【００５０】
第１反射面１６２は、図３に示すように、第１出射光Ｌ１を、発光素子１００の上側に向けて反射させることができる。同様に、第２反射面１６４は、第２出射光Ｌ２を、発光素子１００の上側に向けて反射させることができる。第１出射光Ｌ１は、第１反射面１６２により反射され、第１反射光Ｌ３として、例えば、活性層１０８の上面に対して垂直上向き（図２のＺ方向）に進むことができる。第１出射光Ｌ１の進む向きと、第１反射光Ｌ３の進む向きとは、例えば直角を成している。同様に、第２出射光Ｌ２は、第２反射面１６４により反射され、第２反射光Ｌ４として、例えば、活性層１０８の上面に対して垂直上向きに進むことができる。第２出射光Ｌ２の進む向きと、第２反射光Ｌ４の進む向きとは、例えば直角を成している。また、例えば図示の例では、第１反射面１６２による第１反射光Ｌ３の進む向きと、第２反射面１６４による第２反射光Ｌ４の進む向きとは、同じである。第１反射面１６２の第１出射光Ｌ１に対する反射率は、５０％より高く、１００％以下であることが好ましい。同様に、第２反射面１６４の第２出射光Ｌ２に対する反射率は、５０％より高く、１００％以下であることが好ましい。
【００５１】
第１出射光Ｌ１の進む向きは、例えば、図２に示すように、活性層１０８の上面に平行な面（Ｘ−Ｙ平面）と第１反射面１６２との交線Ｖに対して直角を成している。同様に、第２出射光Ｌ２の進む向きは、例えば、活性層１０８の上面に平行な面と第２反射面１６４との交線Ｗに対して直角を成している。
【００５２】
ベース１４０は、例えば、サブマウント１４１を介して、間接的に発光素子１００を支持することができる。ベース１４０としては、例えば、板状（直方体形状）の部材に凹部１４５を設けたものを用いることができる。凹部１４５の側面は、水平方向（図２のＸ−Ｙ方向）に対して、例えば４５度傾いていることができる。言い換えると、凹部１４５は、例えば、ベース（板状の部材）１４０の水平方向に対して、４５度傾いている傾斜面（側面）を有することができる。凹部１４５の側面の数は、例えば４つである。例えば凹部１４５の４つの側面により、発光素子１００は囲まれている。発光素子１００は、例えば、ベース（板状の部材）１４０の水平方向に対して平行に光が出射されるように、配置されることができる。
【００５３】
サブマウント１４１は、例えば、直接的に発光素子１００を支持することができる。サブマウント１４１は、図２〜図４に示すように、ベース１４０の凹部１４５の底面の上に形成されている。サブマウント１４１上には、発光素子１００が形成されている。サブマウント１４１としては、例えば、板状の部材を用いることができる。なお、例えば、サブマウント１４１を設けずに、ベース１４０が直接的に発光素子１００を支持することもできる。
【００５４】
ベース１４０の熱伝導率は、例えば、サブマウント１４１の熱伝導率よりも高く、サブマウント１４１の熱伝導率は、例えば、発光素子１００の熱伝導率よりも高い。ベース１４０およびサブマウント１４１の各々の熱伝導率は、例えば１４０Ｗ／ｍＫ以上である。ベース１４０およびサブマウント１４１の各々は、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂｅ、Ａｕや、これらの化合物（例えば、ＡｌＮ、ＢｅＯなど）や合金（例えばＣｕＭｏなど）などからなることができる。また、これらの例示を組み合わせたもの、例えば銅（Ｃｕ）層とモリブデン（Ｍｏ）層の多層構造などから、ベース１４０およびサブマウント１４１の各々を構成することもできる。
【００５５】
反射部１６３は、ベース１４０の凹部１４５の側面上に形成されることができる。反射部１６３は、凹部１４５の傾斜している側面に沿って形成されているため、反射部１６３も傾斜している。反射部１６３の表面のうち、第１出射光Ｌ１が入射する面が第１反射面１６２であり、第２出射光Ｌ２が入射する面が第２反射面１６４である。出射光Ｌ１，Ｌ２が入射する２つの傾斜面のうちの一方の傾斜面には、第１反射面１６２が形成され、該２つの傾斜面のうちの他方の傾斜面には、第２反射面１６４が形成されていることができる。反射部１６３は、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなどからなることができる。反射部１６３を設けることにより、反射面１６２，１６４の反射率を高くすることができる。なお、例えば、反射部１６３を設けずに、ベース１４０の凹部１４５の傾斜している側面を、第１反射面１６２及び第２反射面１６４とすることもできる。
【００５６】
ベース１４０には、図２及び図４に示すように、例えば円柱状の貫通孔１４７が形成されている。この貫通孔１４７内には、例えば、絶縁部材１４６に側面を覆われた円柱状の端子１４４が設けられている。絶縁部材１４６は、例えば、樹脂、セラミックス（例えばＡｌＮ等）などからなる。端子１４４は、例えば銅（Ｃｕ）などからなる。
【００５７】
端子１４４は、例えば、ボンディングワイヤ等の第１接続部材１４２により、発光素子１００の第２電極１２０と接続されている。第１接続部材１４２は、出射光Ｌ１，Ｌ２の光路を遮らないように設けられている。また、発光素子１００の第１電極１２２は、例えば、めっきバンプ等の第２接続部材１４３により、サブマウント１４１と接続されている。サブマウント１４１は、ベース１４０と接続されている。従って、端子１４４とベース１４０とに異なる電位を与えることにより、第１電極１２２と第２電極１２０との間に電圧を印加することができる。
【００５８】
リッド１４８は、例えば、図３に示すように、ベース１４０上に設けられている。リッド１４８は、例えば、ベース１４０の凹部１４５を密閉して、該凹部１４５内に設けられた発光素子１００を封止することができる。リッド１４８は、反射光Ｌ３，Ｌ４の波長に対して透過性のある材質である。これにより、第１反射光Ｌ３のうちの少なくとも一部は、リッド１４８を透過することができ、第２反射光Ｌ４のうちの少なくとも一部は、リッド１４８を透過することができる。リッド１４８は、例えば、石英、ガラス、水晶、プラスチックなどからなることができる。これらは、反射光Ｌ３，Ｌ４の波長に応じて適宜選択されることができる。これにより、光の吸収損失を低減することができる。
【００５９】
発光装置１０００の一例として、発光素子１００がＩｎＧａＡｌＰ系の場合について説明したが、発光素子１００は、発光利得領域が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＧａＩｎＮＡｓ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。
【００６０】
発光装置１０００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００６１】
発光装置１０００では、発光素子１００から水平方向に出射された２つの出射光Ｌ１，Ｌ２を共に発光素子１００の上側に向けて反射させることができる。これにより、プロジェクター１００００の光学系（例えば、均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ、１００２Ｂ（図１参照））の構成を簡素化することができ、プロジェクター１００００において光軸合わせを容易化することができる。
【００６２】
発光装置１０００では、２つの出射光Ｌ１，Ｌ２を共に同じ向きに向けて反射させることができる。即ち、第１反射面１６２による第１反射光Ｌ３の進む向きと、第２反射面１６４による第２反射光Ｌ４の進む向きとを同じにすることができる。これにより、プロジェクター１００００の光学系の構成をさらに簡素化することができ、プロジェクター１００００において光軸合わせを容易化することができる。
【００６３】
発光装置１０００では、反射面１６２，１６４は、ベース１４０と一体的に設けられている。これにより、発光装置１０００を小型化することができる。
【００６４】
発光装置１０００では、２つの反射面１６２，１６４の反射率を５０％より高くすることができる。これにより、発光素子１００の両端から出射される出射光Ｌ１，Ｌ２を効率良く利用することができる。
【００６５】
発光装置１０００では、ベース１４０やサブマウント１４１の熱伝導率を、発光素子１００の熱伝導率よりも高くすることができる。これにより、ベース１４０やサブマウント１４１は、ヒートシンクとして機能することができる。したがって、放熱性に優れた発光装置１０００を提供することができる。さらに、発光装置１０００では、活性層１０８は、発光素子１００においてベース１４０側に設けられている。これにより、より一層放熱性に優れた発光装置１０００を提供することができる。
【００６６】
発光装置１０００では、リッド１４８を用いて発光素子１００を封止することができる。これにより、発光装置１０００の信頼性の向上を図ることができる。
【００６７】
発光装置１０００によれば、上述したように、利得領域１８０に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。したがって、スペックルノイズを低減させることができる。
【００６８】
３． 発光装置の製造方法
次に、本実施形態に係るプロジェクター１００００に用いる発光装置１０００の製造方法の例について、図面を参照しながら説明するが、以下の例に限定されるわけではない。
【００６９】
図５〜図８は、発光装置１０００の製造工程を模式的に示す断面図であり、図５〜図７は、図４に示す断面図に対応しており、図８は、図３に示す断面図に対応している。
【００７０】
まず、図５に示すように、基板１０２上に、バッファー層１０４、第２クラッド層１０６、活性層１０８、第１クラッド層１１０、及びコンタクト層１１２を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などを用いることができる。
【００７１】
次に、図６に示すように、コンタクト層１１２上に第１電極１２２を形成する。第１電極１２２は、例えば、真空蒸着法により全面に導電層を形成した後、該導電層をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより形成される。また、第１電極１２２は、例えば、真空蒸着法およびリフトオフ法の組み合わせ等により、所望の形状に形成されることもできる。
【００７２】
次に、図６に示すように、基板１０２の下面全面の下に第２電極１２０を形成する。第２電極１２０の製法は、例えば、上述した第１電極１２２の製法の例示と同じである。なお、第１電極１２２及び第２電極１２０の形成順序は、特に限定されない。
【００７３】
以上の工程により、図６に示すように、発光素子１００が得られる。次に、発光素子１００の第１電極１２２の上に、例えばめっき法などにより、第２接続部材１４３を形成することができる。
【００７４】
次に、例えば金型成型などにより、所望の形状のベース１４０を作製することができる。次に、図７に示すように、公知の方法によりベース１４０に貫通孔１４７を設ける。次に、貫通孔１４７の内側の側面を覆うように絶縁部材１４６を形成する。絶縁部材１４６は、貫通孔１４７を塞がないように形成される。絶縁部材１４６は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などにより成膜される。次に、絶縁部材１４６の内側に棒状の端子１４４を挿入する。なお、棒状の端子１４４の周囲に絶縁部材１４６を形成したものを、貫通孔１４７に挿入する方法を用いることもできる。
【００７５】
次に、図８に示すように、ベース１４０の所望の領域に反射部１６３を形成することができる。反射部１６３は、例えば、所望の領域以外をフォトレジスト等のマスクで覆い、蒸着法などを用いて形成されることができる。なお、反射部１６３の形成は、例えば、上記貫通孔１４７の形成前に行われることもできる。
【００７６】
次に、サブマウント１４１をベース１４０に実装することができる。次に、図４に示すように、発光素子１００を裏返して、即ち、発光素子１００のうちの活性層１０８側をベース１４０側に向けて（ジャンクションダウン）、サブマウント１４１に発光素子１００をフリップチップ実装することができる。なお、発光素子１００をサブマウント１４１に実装した後に、サブマウント１４１をベース１４０に実装しても良い。
【００７７】
次に、図４に示すように、端子１４４と、発光素子１００の第２電極１２０とを、第１接続部材１４２により接続する。本工程は、例えばワイヤーボンディングなどにより行われる。
【００７８】
次に、図３に示すように、リッド１４８を、例えば窒素雰囲気中でベース１４０に接着または溶接する。これにより、発光素子１００を封止することができる。
【００７９】
以上の工程により、発光装置１０００が得られる。
【００８０】
４． 発光装置の変形例
次に、本実施形態に係るプロジェクターに用いる発光装置の変形例について説明する。以下、変形例に係る発光装置において、発光装置１０００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００８１】
（１）第１変形例に係る発光装置
まず、第１変形例に係る発光装置１１００について、図面を参照しながら説明する。図９は、発光装置１１００を模式的に示す平面図である。
【００８２】
発光装置１０００の例では、図２に示すように、発光素子１００の外縁の４つの側面の各々に対して、ベース１４０の外縁の４つの側面の各々が平行ではない場合について説明した。これに対し、本変形例では、図９に示すように、発光素子１００の外縁の４つの側面の各々に対して、ベース１４０の外縁の４つの側面の各々を平行にして揃えることができる。図示の例では、ベース１４０の凹部の傾斜している側面の数は６つであり、そのうちの２つの上に形成された反射部１６３の表面が第１反射面１６２及び第２反射面１６４である。本変形例においても、例えば、第１出射光Ｌ１の進む向きは、水平面（Ｘ−Ｙ平面）と第１反射面１６２との交線Ｖに対して直角を成し、第２出射光Ｌ２の進む向きは、水平面と第２反射面１６４との交線Ｗに対して直角を成していることができる。
【００８３】
（２）第２変形例に係る発光装置
次に、第２変形例に係る発光装置１２００，１３００について、図面を参照しながら説明する。図１０は、発光装置１２００を模式的に示す平面図である。図１１は、本変形例に係る別の発光装置１３００を模式的に示す平面図であり、図１２は、図１１のXII−XII線断面図である。
【００８４】
発光装置１０００の例では、図２に示すように、利得領域１８０が１つ設けられている場合について説明した。これに対し、本変形例では、利得領域１８０は、複数（例えば図示の例では３つ）設けられていることができる。本変形例では、例えば、図１０に示すように、３つの利得領域１８０の第１端面１７０に対する第１反射面（第１出射光Ｌ１を反射させる面）の各々が、全体として１つの平面１６６を構成していることができる。同様に、本変形例では、例えば、３つの利得領域１８０の第２端面１７２に対する第２反射面（第２出射光Ｌ２を反射させる面）の各々が、全体として１つの平面１６８を構成していることができる。図１０に示す例では、３つの第１出射光Ｌ１の第１端面１７０から第１反射面（即ち平面１６６）までの光路長の各々は、異なる値である。例えば、３つの第１端面１７０のうち、平面１６６に近いものほど、そこから出射される第１出射光Ｌ１の第１端面１７０から平面１６６までの光路長は短くなっている。また、図示の例では、３つの第２出射光Ｌ２の第２端面１７２から第２反射面（即ち平面１６８）までの光路長の各々についても同様である。
【００８５】
また、本変形例では、例えば、図１１及び図１２に示すように、３つの利得領域１８０の第１端面１７０に対する第１反射面１６２の各々は、第１出射光Ｌ１の第１端面１７０から第１反射面１６２までの光路長が同じになる位置に設けられていることができる。同様に、本変形例では、例えば、３つの利得領域１８０の第２端面１７２に対する第２反射面１６４の各々は、第２出射光Ｌ２の第２端面１７２から第２反射面１６４までの光路長が同じになる位置に設けられていることができる。図１１及び図１２に示す例では、図１０に示す例とは異なり、３つの第１反射面１６２の各々は、１つの平面を構成せずに、別個の平面である。また、図示の例では、３つの第２反射面１６４の各々についても同様である。
【００８６】
（３）第３変形例に係る発光装置
次に、第３変形例に係る発光装置１４００について、図面を参照しながら説明する。図１３は、本変形例に係る発光装置１４００を模式的に示す断面図である。なお、図１３に示す断面図は、発光装置１０００の例における図３に示す断面図に対応している。
【００８７】
発光装置１０００の例では、第１電極１２２の上から下まで、利得領域１８０と同じ平面形状を有する場合について説明した。これに対し、例えば、図１３に示す例では、第１電極１２２の下部は、利得領域１８０と異なる平面形状を有することができる。本変形例では、コンタクト層１１２下に、開口部を有する絶縁層２０２を形成し、該開口部を埋め込む第１電極１２２を形成することができる。第１電極１２２は、開口部内および絶縁層（開口部含む）２０２下に形成されている。本変形例では、第１電極１２２の上部は、利得領域１８０と同じ平面形状を有し、第１電極１２２の下部は、絶縁層２０２と同じ平面形状を有している。絶縁層２０２としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ポリイミド層などを用いることができる。絶縁層２０２は、例えば、ＣＶＤ法、塗布法などにより成膜される。第１電極１２２は、例えば、直接、サブマウント１４１に接合される。この接合は、例えば、合金接合や、半田ペーストを用いた接合などにより行われる。
【００８８】
本変形例によれば、発光装置１０００の例に比べ、第１電極１２２の下部の体積を増やすことができるため、放熱性に優れた発光装置１４００を提供することができる。
【００８９】
（４）第４変形例に係る発光装置
次に、第４変形例に係る発光装置１５００，１６００について、図面を参照しながら説明する。図１４は、発光装置１５００を模式的に示す断面図である。図１５は、本変形例に係る別の発光装置１６００を模式的に示す断面図である。なお、図１４及び図１５に示す断面図の各々は、発光装置１０００の例における図３に示す断面図に対応している。
【００９０】
発光装置１０００の例では、図３に示すように、第１反射光Ｌ３及び第２反射光Ｌ４が、活性層１０８の上面に対して垂直上向き（図２のＺ方向）に進む場合について説明した。これに対し、本変形例では、第１反射光Ｌ３及び第２反射光Ｌ４のうちの少なくとも一方は、活性層１０８の上面に対して垂直上向きに進まないことができる。例えば、図１４に示すように、第１反射光Ｌ３及び第２反射光Ｌ４は、鉛直方向（図２のＺ方向）から同じ側に傾いた方向に進むことができる。図１４に示す例では、第１反射光Ｌ３の進む向きと、第２反射光Ｌ４の進む向きとは、同じである。また、例えば、図１５に示すように、第１反射光Ｌ３は、鉛直方向から一方の側に傾いた方向に進むことができ、第２反射光Ｌ４は、鉛直方向から他方の側に傾いた方向に進むことができる。図１５に示す例では、第１反射光Ｌ３の進む向きと、第２反射光Ｌ４の進む向きとは、広がる方向であるが、図示しないが、狭まる方向であっても良い。なお、本変形例においても、第１反射光Ｌ３及び第２反射光Ｌ４は、発光素子１００の上側に向けて進むことができる。本変形例では、第１反射面１６２及び第２反射面１６４の傾斜する角度は、適宜調整されている。
【００９１】
（５）第５変形例に係る発光装置
次に、第５変形例に係る発光装置１７００について、図面を参照しながら説明する。図１６は、発光装置１７００を模式的に示す断面図である。なお、図１６は、発光装置１０００の例における図３に示す断面図に対応している。
【００９２】
発光装置１０００の例では、図３に示すように、凹部１４５の側面が水平方向に対して、４５度傾いている場合について説明した。これに対し、発光装置１７００では、凹部１４５の側面が凹面形状であることができる。例えば、反射面１６２，１６４が形成される２つの凹部１４５の側面（第１凹面１４５ａ，第２凹面１４５ｂ）が、凹面形状であることができる。凹部１４５は、第１凹面１４５ａおよび第２凹面１４５ｂを有しているともいえる。第１凹面１４５ａに形成された反射部１６３の表面が第１反射面１６２であり、第２凹面１４５ｂに形成された反射部１６３の表面が第２反射面１６４である。すなわち、第１反射面１６２および第２反射面１６４は、凹面ミラーであることができる。発光装置１７００においても、発光素子１００から水平方向に出射された２つの出射光Ｌ１，Ｌ２を共に発光素子１００の上側に向けて反射させることができる。また、２つの出射光Ｌ１，Ｌ２を共に同じ向きに向けて反射させることができる。
【００９３】
第１凹面１４５ａおよび第２凹面１４５ｂは、例えば、放物面であることができる。すなわち、第１反射面１６２および第２反射面１６４は、放物面ミラーであることができる。また、発光素子１００の第１端面１７０が、例えば、第１凹面１４５ａの焦点に位置するように配置され、発光素子１００の第２端面１７２が、例えば、第２凹面１４５ｂの焦点に位置するように配置されている。これにより、発光素子１００から水平方向に出射された２つの出射光Ｌ１，Ｌ２を共に同じ向きに向けて反射させることができ、かつ平行光に変換することができる。発光装置１７００によれば、放射角が大きい出射光Ｌ１，Ｌ２を、平行光に変換することができるため、光の利用効率を向上させることができる。
（６）第６変形例に係る発光装置
次に、第６変形例に係る発光装置１８００について、図面を参照しながら説明する。図１７は、発光装置１８００を模式的に示す断面図である。なお、図１７に示す断面図は、発光装置１０００の例における図４に示す断面図に対応している。
【００９４】
発光装置１０００の例では、図４に示すように、活性層１０８は、発光素子１００においてベース１４０側に設けられていた。これに対し、発光装置１８００では、図１７に示すように、活性層１０８は、発光素子においてベース１４０とは反対側に設けられている。すなわち、活性層１０８は、発光素子１００のうち、厚さ方向の中間よりも上側に設けられている。発光装置１８００では、活性層１０８とベース１４０との間に基板１０２が設けられている。第２電極１２０は、例えば、第２接続部材１４３により、サブマウント１４１と接続されている。また、第１電極１２２は、例えば、第１接続部材１４２により、端子１４４と接続されている。
【００９５】
発光装置１８００によれば、活性層１０８とベース１４０との間に基板１０２が設けられているため、発光装置１０００の例に比べて、少なくとも基板１０２の厚み分、活性層１０８はベース１４０から離れた位置に設けられている。そのため、より良好な形状（断面形状）の出射光を得ることができる。例えば、利得領域１８０からの出射光の放射角が大きいと、出射光がベース１４０によって遮られ、出射光の形状が歪んでしまう場合がある。発光装置１８００では、このような問題を回避することができる。
【００９６】
（７）第７変形例に係る発光装置
次に、第７変形例に係る発光装置１９００について、図面を参照しながら説明する。図１８は、発光装置１９００を模式的に示す断面図である。なお、図１８に示す断面図は、発光装置１０００の例における図４に示す断面図に対応している。
【００９７】
発光装置１０００の例では、いわゆる利得導波型について説明した。これに対し、発光装置１９００では、いわゆる屈折率導波型であることができる。
【００９８】
すなわち、発光装置１９００では、図１８に示すように、コンタクト層１１２と、第１クラッド層１１０の一部とは、柱状部６１０を構成することができる。柱状部６１０の平面形状は、利得領域１８０と同じである。例えば、柱状部６１０の平面形状によって、電極１２０，１２２間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１８０の平面形状が決定される。なお、図示はしないが、柱状部６１０は、例えば、コンタクト層１１２、第１クラッド層１１０、および活性層１０８から構成されていてもよいし、さらに、第２クラッド層１０６をも含んで構成されていてもよい。また、柱状部６１０の側面を傾斜させることもできる。
【００９９】
柱状部６１０の側方には、絶縁部６０２が設けられている。絶縁部６０２は、柱状部６１０の側面に接していることができる。絶縁部６０２としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ポリイミド層などを用いることができる。絶縁部６０２は、例えば、ＣＶＤ法、塗布法などにより形成される。電極１２０，１２２間の電流は、絶縁部６０２を避けて、該絶縁部６０２に挟まれた柱状部６１０を流れることができる。絶縁部６０２は、活性層１０８の屈折率よりも小さい屈折率を有することができる。これにより、平面方向（活性層１０８の厚み方向と直交する方向）において、利得領域１８０内に効率良く光を閉じ込めることができる。
【０１００】
なお、上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【０１０１】
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【０１０２】
１００ 発光素子、１０２ 基板、１０４ バッファー層、１０６ 第２クラッド層、
１０７ 第１側面、１０８ 活性層、１０９ 第２側面、１１０ 第１クラッド層、
１１２ コンタクト層、１２０ 第２電極、１２２ 第１電極、１４０ ベース、
１４１ サブマウント、１４２ 第１接続部材、１４３ 第２接続部材、１４４ 端子、
１４５ 凹部、１４５ａ 第１凹面、１４５ｂ 第２凹面、１４６ 絶縁部材、
１４７ 貫通孔、１４８ 封止部材、１６０ パッケージ、１６２ 第１反射面、
１６３ 反射部、１６４ 第２反射面、１６６，１６８ 平面、１７０ 第１端面、
１７２ 第２端面、１８０ 利得領域、２０２ 絶縁層、６００ 発光素子、
６０２ 絶縁部、６１０ 柱状部、
１０００，１１００，１２００，１３００，１４００，１５００，１６００，１７００，１８００，１９００ 発光装置、１００２ 均一化光学系、１００２ａ ホログラム、
１００２ｂ フィールドレンズ、１００４ 液晶ライトバルブ、
１００６ クロスダイクロイックプリズム、１００８ 投写レンズ、
１０１０ スクリーン、１００００ プロジェクター
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プロジェクターに関する。
【背景技術】
【０００２】
スーパールミネッセントダイオード（Super Luminescent Diode、以下「ＳＬＤ」ともいう）は、通常の発光ダイオード同様にインコヒーレント性を示し、かつ広帯域なスペクトル形状を示しながら、光出力特性では半導体レーザー同様に数十ｍＷ程度までの出力を得ることが可能な半導体素子である。ＳＬＤは、半導体レーザー同様に、注入キャリアの再結合により生じた自然放出光が、光出射端面方向に進む間に誘導放出による高い利得を受けて増幅され、光出射端面から放出される機構を用いている。ただし、ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑え、レーザー発振が生じないようにする必要がある。
【０００３】
レーザー発振を抑制するための方法として、例えば特許文献１に示すように、利得領域（光導波路）を出射端面から傾ける構成が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２７３６９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、出射端面から傾いた直線状の利得領域（光導波路）を備えた発光素子では、利得領域の２つの出射端面のうちの一方の出射端面から出射される光と、他方の出射端面から出射される光とが、互いに異なる方向に進む場合がある。しかしながら、プロジェクターの光源としてＳＬＤを用いた場合、ＳＬＤから出射される光は、同一の方向に進行することが望ましい。このようなＳＬＤによれば、プロジェクターにおける光軸合わせを容易化することができる。
【０００６】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、発光素子から出射される光を同一の方向に進行させる発光装置を備え、光軸合わせが容易なプロジェクターを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るプロジェクターは、
発光装置と、
前記発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含み、
前記発光装置は、
スーパールミネッセントダイオードであって、第１クラッド層と第２クラッド層とに挟まれる活性層に電流を通すことで発光する発光素子と、
前記発光素子を支持し、かつ前記発光素子から出射される光を反射させる第１反射面と第２反射面とが形成されたベースと、を有し、
前記発光素子は、第１端面と第２端面の２箇所から光が出射される構成をなし、
前記発光素子の前記第１端面から出射される第１出射光の方向と、前記発光素子の前記第２端面から出射される第２出射光の方向とは、互いに逆方向をなし、
前記第１反射面は、前記第１出射光を反射させ、
前記第２反射面は、前記第２出射光を反射させ、
前記第１反射面によって反射される前記第１反射光の方向と、前記第２反射面によって反射される前記第２反射光の方向とは、同じ方向である。
【０００８】
このようなプロジェクターによれば、前記発光素子から出射される光を同一の方向に進行させる前記発光装置を備え、光軸合わせを容易化することができる。
【０００９】
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記ベースは、板状の部材に凹部を設けた構造をしており、
前記凹部は、前記板状の部材の水平方向に対して４５度傾斜した２つの傾斜面を有し、
前記発光素子は、前記板状の部材の水平方向に対して平行に光が出射されるように配置され、
前記２つの傾斜面のうちの一方の傾斜面には、前記第１反射面が形成され、前記２つの傾斜面のうちの他方の傾斜面には、前記第２反射面が形成されていることができる。
【００１０】
このようなプロジェクターによれば、前記発光素子から出射される光を同一の方向に進行させる前記発光装置を備え、光軸合わせを容易化することができる。
【００１１】
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記ベースは、板状の部材に凹部を設けた構造をしており、
前記凹部は、凹面形状である第１凹面および第２凹面を有し、
前記第１凹面には、前記第１反射面が形成され、
前記第２凹面には、前記第２反射面が形成されていることができる。
【００１２】
このようなプロジェクターによれば、前記発光素子から出射される光を同一の方向に進行させる前記発光装置を備え、光軸合わせを容易化することができる。
【００１３】
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記第１凹面および前記第２凹面は、放物面であり、
前記第１端面は、前記第１凹面の焦点に位置し、
前記第２端面は、前記第２凹面の焦点に位置していることができる。
【００１４】
このようなプロジェクターによれば、前記発光素子から出射される光を同一の方向に進行させ、かつ平行光に変換することができる前記発光装置を備え、光の利用効率を向上させることができる。
【００１５】
本発明に係るプロジェクターにおいて、
さらに、前記第１反射光および前記第２反射光に対して透過性のある材質のリッドを含み、
前記発光素子は、前記リッドによって封止されていることができる。
【００１６】
このようなプロジェクターによれば、前記発光装置の信頼性の向上を図ることができ、かつ前記リッドにおける前記第１反射光および前記第２反射光の吸収損失を低減することができる。
【００１７】
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記ベースの熱伝導率は、前記発光素子の熱伝導率よりも高いことができる。
【００１８】
このようなプロジェクターによれば、前記ベースは、ヒートシンクとして機能することができるため、前記発光装置は、高い放熱性を有することができる。
【００１９】
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記活性層は、前記発光素子において前記ベース側に設けられていることができる。
【００２０】
このようなプロジェクターによれば、前記発光装置は、より高い放熱性を有することができる。
【００２１】
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記活性層は、前記発光素子において前記ベース側とは反対側に設けられ、
前記発光素子は、さらに、前記第１クラッド層と前記第２クラッド層とに挟まれる前記活性層が形成される基板を有し、
前記活性層と前記ベースとの間に、前記基板が設けられていることができる。
【００２２】
このようなプロジェクターによれば、前記活性層と前記ベースとの間に前記基板が設けられているため、少なくとも前記基板の厚み分だけ、前記活性層は前記ベースから離れた位置に設けられている。したがって、より良好な形状（断面形状）の出射光を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施形態のプロジェクターを模式的に示す図。
【図２】本実施形態のプロジェクターの発光装置を模式的に示す平面図。
【図３】本実施形態のプロジェクターの発光装置を模式的に示す断面図。
【図４】本実施形態のプロジェクターの発光装置を模式的に示す断面図。
【図５】本実施形態のプロジェクターの発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図６】本実施形態のプロジェクターの発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】本実施形態のプロジェクターの発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】本実施形態のプロジェクターの発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】第１変形例の発光装置を模式的に示す平面図。
【図１０】第２変形例の発光装置を模式的に示す平面図。
【図１１】第２変形例の発光装置を模式的に示す平面図。
【図１２】第２変形例の発光装置を模式的に示す断面図。
【図１３】第３変形例の発光装置を模式的に示す断面図。
【図１４】第４変形例の発光装置を模式的に示す断面図。
【図１５】第４変形例の発光装置を模式的に示す断面図。
【図１６】第５変形例の発光装置を模式的に示す断面図。
【図１７】第６変形例の発光装置を模式的に示す断面図。
【図１８】第７変形例の発光装置を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２５】
１． プロジェクター
まず、本実施形態に係るプロジェクター１００００について、図面を参照しながら説明する。図１は、プロジェクター１００００を模式的に示す図である。なお、図１では、便宜上、プロジェクター１００００を構成する筐体は省略している。プロジェクター１００００は、本発明に係る発光装置を含む。以下では、本発明に係る発光装置として、発光装置１０００を用いた例について説明する。
【００２６】
プロジェクター１００００において、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源（発光装置）１０００Ｒ，緑色光源（発光装置）１０００Ｇ、青色光源（発光装置）１０００Ｂは、上述した発光装置１０００である。
【００２７】
プロジェクター１００００は、光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂから出射された光をそれぞれ画像情報に応じて変調する透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂと、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン（表示面）１０１０に投射する投射レンズ（投射装置）１００８と、を備えている。また、プロジェクター１００００は、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂから出射された光を合成して投写レンズ１００８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）１００６を備えていることができる。
【００２８】
さらに、プロジェクター１００００は、光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂから出射された光の照度分布を均一化させるため、各光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂよりも光路下流側に、均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ，１００２Ｂを設けており、これらによって照度分布が均一化された光によって、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂを照明している。均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ、１００２Ｂは、例えば、ホログラム１００２ａおよびフィールドレンズ１００２ｂによって構成される。
【００２９】
各液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム１００６に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投写光学系である投射レンズ１００６によりスクリーン１０１０上に投写され、拡大された画像が表示される。
【００３０】
なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Digital Micromirror Device）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
【００３１】
また、発光装置１０００を、発光装置１０００からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の発光装置（光源装置）にも適用することが可能である。
【００３２】
プロジェクター１００００によれば、光源として、本発明に係る発光装置を用いることができるため、光軸合わせが容易となる。プロジェクター１００００に用いる発光装置の構成等については、以下に説明する。
【００３３】
２． 発光素子
次に、本実施形態に係るプロジェクター１００００に用いる発光装置１０００について、図面を参照しながら説明する。図２は、発光装置１０００を模式的に示す平面図であり、図３は、図２のIII−III線断面図であり、図４は、図２のIV−IV線断面図である。なお、図２及び図４では、リッド１４８については、便宜上、その図示を省略している。また、図３では、便宜上、発光素子１００を簡略化して示してある。
【００３４】
発光装置１０００は、図２〜図４に示すように、パッケージ１６０と、発光素子１００と、サブマウント１４１と、絶縁部材１４６と、端子１４４と、第１接続部材１４２と、第２接続部材１４３と、を含むことができる。なお、ここでは、発光素子１００がＩｎＧａＡｌＰ系（赤色）のＳＬＤである場合について説明する。ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑えることにより、レーザー発振を防止することができる。そのため、スペックルノイズを低減することができる。
【００３５】
発光素子１００は、ベース１４０上に実装されている。図示の例では、発光素子１００は、サブマウント１４１を介して、ベース１４０上に実装されている。発光素子１００は、パッケージ１６０に実装されているともいえる。発光素子１００は、図２〜図４に示すように、クラッド層（以下「第１クラッド層」という）１１０と、その上に形成された活性層１０８と、その上に形成されたクラッド層（以下「第２クラッド層」という）１０６と、を有する。発光素子１００は、さらに、例えば、基板１０２と、バッファー層１０４と、コンタクト層１１２と、電極（以下「第１電極」という）１２２と、電極（以下「第２電極」という）１２０と、を有することができる。
【００３６】
基板１０２としては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板などを用いることができる。
【００３７】
バッファー層１０４は、例えば図４に示すように、基板１０２下に形成されていることができる。バッファー層１０４は、例えば、後述するエピタキシャル成長工程において（図５参照）、バッファー層１０４の上方に形成される層の結晶性を向上させることができる。バッファー層１０４としては、例えば、基板１０２よりも結晶性の良好な（例えば欠陥密度の低い）第１導電型（ｎ型）のＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などを用いることができる。
【００３８】
第２クラッド層１０６は、バッファー層１０４下に形成されている。第２クラッド層１０６は、例えば、第１導電型の半導体からなる。第２クラッド層１０６としては、例えばｎ型ＡｌＧａＰ層などを用いることができる。
【００３９】
活性層１０８は、第２クラッド層１０６下に形成されている。活性層１０８は、例えば、発光素子１００においてベース１４０側に設けられている。即ち、活性層１０８は、例えば、発光素子１００のうち、厚さ方向の中間よりも下側（基板１０２側とは反対側）に設けられている。活性層１０８は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。
【００４０】
活性層１０８の一部は、活性層１０８の電流経路となる利得領域１８０を構成している。利得領域１８０には、光を生じさせることができ、この光は、利得領域１８０内で利得を受けることができる。活性層１０８の形状は、例えば直方体（立方体である場合を含む）などである。活性層１０８は、図２に示すように、第１側面１０７及び第２側面１０９を有する。第１側面１０７と第２側面１０９とは、互いに対向しており、例えば平行である。第１クラッド層１１０と第２クラッド層１０６とで挟まれた活性層１０８は、例えば、積層構造体を構成している。第１側面１０７および第２側面１０９は、活性層１０８の面のうち第１クラッド層１１０または第２クラッド層１０６に接していない面であり、積層構造体において、露出している面ともいえる。積層構造体は、さらに、基板１０２と、バッファー層１０４と、コンタクト層１１２と、を有していてもよい。
【００４１】
利得領域１８０は、活性層１０８を平面的に見て（図２参照）、第１側面１０７から第２側面１０９まで、第１側面１０７の垂線Ｐに対して傾いた方向に向かって設けられている。これにより、利得領域１８０に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。なお、利得領域１８０が、ある方向に向かって設けられている場合とは、当該方向が、平面的に見て、利得領域１８０の第１側面１０７側の第１端面１７０の中心と、第２側面１０９側の第２端面１７２の中心とを結ぶ方向に一致する場合をいう。
【００４２】
また、図示の例では、図２に示すように、利得領域１８０の第１端面１７０の幅ａは、第２端面１７２の幅ｂと同じであるが、異なっていても良い。利得領域１８０の平面形状は、例えば図２に示すような平行四辺形などである。図示しないが、例えば、利得領域１８０の平面形状は、曲線状や、直線状と曲線状の組み合わせなどであってもよい。
【００４３】
第１クラッド層１１０は、活性層１０８下に形成されている。第１クラッド層１１０は、例えば第２導電型（例えばｐ型）の半導体からなる。第１クラッド層１１０としては、例えばｐ型ＡｌＧａＰ層などを用いることができる。
【００４４】
例えば、ｐ型の第１クラッド層１１０、不純物がドーピングされていない活性層１０８、及びｎ型の第２クラッド層１０６により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラッド層１１０及び第２クラッド層１０６の各々は、活性層１０８よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１０８は、光を増幅する機能を有する。第１クラッド層１１０及び第２クラッド層１０６は、活性層１０８を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能を有する。
【００４５】
コンタクト層１１２は、例えば図４に示すように、第１クラッド層１１０下に形成されていることができる。コンタクト層１１２としては、第１電極１２２とオーミックコンタクトする層を用いることができる。コンタクト層１１２は、例えば第２導電型の半導体からなる。コンタクト層１１２としては、例えばｐ型ＧａＡｓ層などを用いることができる。
【００４６】
第１電極１２２は、コンタクト層１１２下に形成されている。第１電極１２２は、コンタクト層１１２を介して、第１クラッド層１１０と電気的に接続されている。第１電極１２２は、発光素子１００を駆動するための一方の電極である。第１電極１２２としては、例えば、コンタクト層１１２側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。第１電極１２２の上面は、利得領域１８０と同様の平面形状を有している。図示の例では、第１電極１２２とコンタクト層１１２との接触面の平面形状によって、電極１２２，１２０間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１８０の平面形状が決定されることができる。なお、図示しないが、例えば、第２電極１２０と基板１０２との接触面が、利得領域１８０と同じ平面形状を有していても良い。
【００４７】
第２電極１２０は、基板１０２の上の全面に形成されている。第２電極１２０は、該第２電極１２０とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）と接していることができる。第２電極１２０は、基板１０２及びバッファー層１０４を介して、第２クラッド層１０６と電気的に接続されている。第２電極１２０は、発光素子１００を駆動するための他方の電極である。第２電極１２０としては、例えば、基板１０２側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。なお、第２クラッド層１０６とバッファー層１０４との間に、第２コンタクト層（図示せず）を設け、ドライエッチングなどにより該第２コンタクト層の第２クラッド層１０６側を露出させ、第２電極１２０を第２コンタクト層下に設けることもできる。これにより、片面電極構造を得ることができる。第２コンタクト層としては、例えばｎ型ＧａＡｓ層などを用いることができる。また、図示しないが、例えば、エピタキシャルリフトオフ（ＥＬＯ）法、レーザリフトオフ法などを用いて、基板１０２とその下に設けられた部材とを切り離すことができる。即ち、発光素子１００は、基板１０２を有しないこともできる。この場合には、例えばバッファー層１０４の直接上に第２電極１２０を形成することができる。
【００４８】
発光素子１００では、第１電極１２２と第２電極１２０との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層１０８の利得領域１８０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域１８０内を光が進行し、その間に光強度が増幅され、第１端面１７０から第１出射光Ｌ１として出射され、第２端面１７２から第２出射光Ｌ２として出射されることができる。第１出射光Ｌ１及び第２出射光Ｌ２は、例えば、光の屈折により、第１側面１０７の垂線Ｐに対する利得領域１８０の傾きよりも、さらに傾いた方向に出射されることができる。第１出射光Ｌ１の進む向きと第２出射光Ｌ２の進む向きとは、例えば、互いに逆方向である。
【００４９】
パッケージ１６０は、図２及び図３に示すように、第１反射面１６２と、第２反射面１６４と、反射部１６３と、ベース１４０と、リッド１４８と、を有することができる。
【００５０】
第１反射面１６２は、図３に示すように、第１出射光Ｌ１を、発光素子１００の上側に向けて反射させることができる。同様に、第２反射面１６４は、第２出射光Ｌ２を、発光素子１００の上側に向けて反射させることができる。第１出射光Ｌ１は、第１反射面１６２により反射され、第１反射光Ｌ３として、例えば、活性層１０８の上面に対して垂直上向き（図２のＺ方向）に進むことができる。第１出射光Ｌ１の進む向きと、第１反射光Ｌ３の進む向きとは、例えば直角を成している。同様に、第２出射光Ｌ２は、第２反射面１６４により反射され、第２反射光Ｌ４として、例えば、活性層１０８の上面に対して垂直上向きに進むことができる。第２出射光Ｌ２の進む向きと、第２反射光Ｌ４の進む向きとは、例えば直角を成している。また、例えば図示の例では、第１反射面１６２による第１反射光Ｌ３の進む向きと、第２反射面１６４による第２反射光Ｌ４の進む向きとは、同じである。第１反射面１６２の第１出射光Ｌ１に対する反射率は、５０％より高く、１００％以下であることが好ましい。同様に、第２反射面１６４の第２出射光Ｌ２に対する反射率は、５０％より高く、１００％以下であることが好ましい。
【００５１】
第１出射光Ｌ１の進む向きは、例えば、図２に示すように、活性層１０８の上面に平行な面（Ｘ−Ｙ平面）と第１反射面１６２との交線Ｖに対して直角を成している。同様に、第２出射光Ｌ２の進む向きは、例えば、活性層１０８の上面に平行な面と第２反射面１６４との交線Ｗに対して直角を成している。
【００５２】
ベース１４０は、例えば、サブマウント１４１を介して、間接的に発光素子１００を支持することができる。ベース１４０としては、例えば、板状（直方体形状）の部材に凹部１４５を設けたものを用いることができる。凹部１４５の側面は、水平方向（図２のＸ−Ｙ方向）に対して、例えば４５度傾いていることができる。言い換えると、凹部１４５は、例えば、ベース（板状の部材）１４０の水平方向に対して、４５度傾いている傾斜面（側面）を有することができる。凹部１４５の側面の数は、例えば４つである。例えば凹部１４５の４つの側面により、発光素子１００は囲まれている。発光素子１００は、例えば、ベース（板状の部材）１４０の水平方向に対して平行に光が出射されるように、配置されることができる。
【００５３】
サブマウント１４１は、例えば、直接的に発光素子１００を支持することができる。サブマウント１４１は、図２〜図４に示すように、ベース１４０の凹部１４５の底面の上に形成されている。サブマウント１４１上には、発光素子１００が形成されている。サブマウント１４１としては、例えば、板状の部材を用いることができる。なお、例えば、サブマウント１４１を設けずに、ベース１４０が直接的に発光素子１００を支持することもできる。
【００５４】
ベース１４０の熱伝導率は、例えば、サブマウント１４１の熱伝導率よりも高く、サブマウント１４１の熱伝導率は、例えば、発光素子１００の熱伝導率よりも高い。ベース１４０およびサブマウント１４１の各々の熱伝導率は、例えば１４０Ｗ／ｍＫ以上である。ベース１４０およびサブマウント１４１の各々は、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂｅ、Ａｕや、これらの化合物（例えば、ＡｌＮ、ＢｅＯなど）や合金（例えばＣｕＭｏなど）などからなることができる。また、これらの例示を組み合わせたもの、例えば銅（Ｃｕ）層とモリブデン（Ｍｏ）層の多層構造などから、ベース１４０およびサブマウント１４１の各々を構成することもできる。
【００５５】
反射部１６３は、ベース１４０の凹部１４５の側面上に形成されることができる。反射部１６３は、凹部１４５の傾斜している側面に沿って形成されているため、反射部１６３も傾斜している。反射部１６３の表面のうち、第１出射光Ｌ１が入射する面が第１反射面１６２であり、第２出射光Ｌ２が入射する面が第２反射面１６４である。出射光Ｌ１，Ｌ２が入射する２つの傾斜面のうちの一方の傾斜面には、第１反射面１６２が形成され、該２つの傾斜面のうちの他方の傾斜面には、第２反射面１６４が形成されていることができる。反射部１６３は、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなどからなることができる。反射部１６３を設けることにより、反射面１６２，１６４の反射率を高くすることができる。なお、例えば、反射部１６３を設けずに、ベース１４０の凹部１４５の傾斜している側面を、第１反射面１６２及び第２反射面１６４とすることもできる。
【００５６】
ベース１４０には、図２及び図４に示すように、例えば円柱状の貫通孔１４７が形成されている。この貫通孔１４７内には、例えば、絶縁部材１４６に側面を覆われた円柱状の端子１４４が設けられている。絶縁部材１４６は、例えば、樹脂、セラミックス（例えばＡｌＮ等）などからなる。端子１４４は、例えば銅（Ｃｕ）などからなる。
【００５７】
端子１４４は、例えば、ボンディングワイヤ等の第１接続部材１４２により、発光素子１００の第２電極１２０と接続されている。第１接続部材１４２は、出射光Ｌ１，Ｌ２の光路を遮らないように設けられている。また、発光素子１００の第１電極１２２は、例えば、めっきバンプ等の第２接続部材１４３により、サブマウント１４１と接続されている。サブマウント１４１は、ベース１４０と接続されている。従って、端子１４４とベース１４０とに異なる電位を与えることにより、第１電極１２２と第２電極１２０との間に電圧を印加することができる。
【００５８】
リッド１４８は、例えば、図３に示すように、ベース１４０上に設けられている。リッド１４８は、例えば、ベース１４０の凹部１４５を密閉して、該凹部１４５内に設けられた発光素子１００を封止することができる。リッド１４８は、反射光Ｌ３，Ｌ４の波長に対して透過性のある材質である。これにより、第１反射光Ｌ３のうちの少なくとも一部は、リッド１４８を透過することができ、第２反射光Ｌ４のうちの少なくとも一部は、リッド１４８を透過することができる。リッド１４８は、例えば、石英、ガラス、水晶、プラスチックなどからなることができる。これらは、反射光Ｌ３，Ｌ４の波長に応じて適宜選択されることができる。これにより、光の吸収損失を低減することができる。
【００５９】
発光装置１０００の一例として、発光素子１００がＩｎＧａＡｌＰ系の場合について説明したが、発光素子１００は、発光利得領域が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＧａＩｎＮＡｓ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。
【００６０】
発光装置１０００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００６１】
発光装置１０００では、発光素子１００から水平方向に出射された２つの出射光Ｌ１，Ｌ２を共に発光素子１００の上側に向けて反射させることができる。これにより、プロジェクター１００００の光学系（例えば、均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ、１００２Ｂ（図１参照））の構成を簡素化することができ、プロジェクター１００００において光軸合わせを容易化することができる。
【００６２】
発光装置１０００では、２つの出射光Ｌ１，Ｌ２を共に同じ向きに向けて反射させることができる。即ち、第１反射面１６２による第１反射光Ｌ３の進む向きと、第２反射面１６４による第２反射光Ｌ４の進む向きとを同じにすることができる。これにより、プロジェクター１００００の光学系の構成をさらに簡素化することができ、プロジェクター１００００において光軸合わせを容易化することができる。
【００６３】
発光装置１０００では、反射面１６２，１６４は、ベース１４０と一体的に設けられている。これにより、発光装置１０００を小型化することができる。
【００６４】
発光装置１０００では、２つの反射面１６２，１６４の反射率を５０％より高くすることができる。これにより、発光素子１００の両端から出射される出射光Ｌ１，Ｌ２を効率良く利用することができる。
【００６５】
発光装置１０００では、ベース１４０やサブマウント１４１の熱伝導率を、発光素子１００の熱伝導率よりも高くすることができる。これにより、ベース１４０やサブマウント１４１は、ヒートシンクとして機能することができる。したがって、放熱性に優れた発光装置１０００を提供することができる。さらに、発光装置１０００では、活性層１０８は、発光素子１００においてベース１４０側に設けられている。これにより、より一層放熱性に優れた発光装置１０００を提供することができる。
【００６６】
発光装置１０００では、リッド１４８を用いて発光素子１００を封止することができる。これにより、発光装置１０００の信頼性の向上を図ることができる。
【００６７】
発光装置１０００によれば、上述したように、利得領域１８０に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。したがって、スペックルノイズを低減させることができる。
【００６８】
３． 発光装置の製造方法
次に、本実施形態に係るプロジェクター１００００に用いる発光装置１０００の製造方法の例について、図面を参照しながら説明するが、以下の例に限定されるわけではない。
【００６９】
図５〜図８は、発光装置１０００の製造工程を模式的に示す断面図であり、図５〜図７は、図４に示す断面図に対応しており、図８は、図３に示す断面図に対応している。
【００７０】
まず、図５に示すように、基板１０２上に、バッファー層１０４、第２クラッド層１０６、活性層１０８、第１クラッド層１１０、及びコンタクト層１１２を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などを用いることができる。
【００７１】
次に、図６に示すように、コンタクト層１１２上に第１電極１２２を形成する。第１電極１２２は、例えば、真空蒸着法により全面に導電層を形成した後、該導電層をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより形成される。また、第１電極１２２は、例えば、真空蒸着法およびリフトオフ法の組み合わせ等により、所望の形状に形成されることもできる。
【００７２】
次に、図６に示すように、基板１０２の下面全面の下に第２電極１２０を形成する。第２電極１２０の製法は、例えば、上述した第１電極１２２の製法の例示と同じである。なお、第１電極１２２及び第２電極１２０の形成順序は、特に限定されない。
【００７３】
以上の工程により、図６に示すように、発光素子１００が得られる。次に、発光素子１００の第１電極１２２の上に、例えばめっき法などにより、第２接続部材１４３を形成することができる。
【００７４】
次に、例えば金型成型などにより、所望の形状のベース１４０を作製することができる。次に、図７に示すように、公知の方法によりベース１４０に貫通孔１４７を設ける。次に、貫通孔１４７の内側の側面を覆うように絶縁部材１４６を形成する。絶縁部材１４６は、貫通孔１４７を塞がないように形成される。絶縁部材１４６は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などにより成膜される。次に、絶縁部材１４６の内側に棒状の端子１４４を挿入する。なお、棒状の端子１４４の周囲に絶縁部材１４６を形成したものを、貫通孔１４７に挿入する方法を用いることもできる。
【００７５】
次に、図８に示すように、ベース１４０の所望の領域に反射部１６３を形成することができる。反射部１６３は、例えば、所望の領域以外をフォトレジスト等のマスクで覆い、蒸着法などを用いて形成されることができる。なお、反射部１６３の形成は、例えば、上記貫通孔１４７の形成前に行われることもできる。
【００７６】
次に、サブマウント１４１をベース１４０に実装することができる。次に、図４に示すように、発光素子１００を裏返して、即ち、発光素子１００のうちの活性層１０８側をベース１４０側に向けて（ジャンクションダウン）、サブマウント１４１に発光素子１００をフリップチップ実装することができる。なお、発光素子１００をサブマウント１４１に実装した後に、サブマウント１４１をベース１４０に実装しても良い。
【００７７】
次に、図４に示すように、端子１４４と、発光素子１００の第２電極１２０とを、第１接続部材１４２により接続する。本工程は、例えばワイヤーボンディングなどにより行われる。
【００７８】
次に、図３に示すように、リッド１４８を、例えば窒素雰囲気中でベース１４０に接着または溶接する。これにより、発光素子１００を封止することができる。
【００７９】
以上の工程により、発光装置１０００が得られる。
【００８０】
４． 発光装置の変形例
次に、本実施形態に係るプロジェクターに用いる発光装置の変形例について説明する。以下、変形例に係る発光装置において、発光装置１０００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００８１】
（１）第１変形例に係る発光装置
まず、第１変形例に係る発光装置１１００について、図面を参照しながら説明する。図９は、発光装置１１００を模式的に示す平面図である。
【００８２】
発光装置１０００の例では、図２に示すように、発光素子１００の外縁の４つの側面の各々に対して、ベース１４０の外縁の４つの側面の各々が平行ではない場合について説明した。これに対し、本変形例では、図９に示すように、発光素子１００の外縁の４つの側面の各々に対して、ベース１４０の外縁の４つの側面の各々を平行にして揃えることができる。図示の例では、ベース１４０の凹部の傾斜している側面の数は６つであり、そのうちの２つの上に形成された反射部１６３の表面が第１反射面１６２及び第２反射面１６４である。本変形例においても、例えば、第１出射光Ｌ１の進む向きは、水平面（Ｘ−Ｙ平面）と第１反射面１６２との交線Ｖに対して直角を成し、第２出射光Ｌ２の進む向きは、水平面と第２反射面１６４との交線Ｗに対して直角を成していることができる。
【００８３】
（２）第２変形例に係る発光装置
次に、第２変形例に係る発光装置１２００，１３００について、図面を参照しながら説明する。図１０は、発光装置１２００を模式的に示す平面図である。図１１は、本変形例に係る別の発光装置１３００を模式的に示す平面図であり、図１２は、図１１のXII−XII線断面図である。
【００８４】
発光装置１０００の例では、図２に示すように、利得領域１８０が１つ設けられている場合について説明した。これに対し、本変形例では、利得領域１８０は、複数（例えば図示の例では３つ）設けられていることができる。本変形例では、例えば、図１０に示すように、３つの利得領域１８０の第１端面１７０に対する第１反射面（第１出射光Ｌ１を反射させる面）の各々が、全体として１つの平面１６６を構成していることができる。同様に、本変形例では、例えば、３つの利得領域１８０の第２端面１７２に対する第２反射面（第２出射光Ｌ２を反射させる面）の各々が、全体として１つの平面１６８を構成していることができる。図１０に示す例では、３つの第１出射光Ｌ１の第１端面１７０から第１反射面（即ち平面１６６）までの光路長の各々は、異なる値である。例えば、３つの第１端面１７０のうち、平面１６６に近いものほど、そこから出射される第１出射光Ｌ１の第１端面１７０から平面１６６までの光路長は短くなっている。また、図示の例では、３つの第２出射光Ｌ２の第２端面１７２から第２反射面（即ち平面１６８）までの光路長の各々についても同様である。
【００８５】
また、本変形例では、例えば、図１１及び図１２に示すように、３つの利得領域１８０の第１端面１７０に対する第１反射面１６２の各々は、第１出射光Ｌ１の第１端面１７０から第１反射面１６２までの光路長が同じになる位置に設けられていることができる。同様に、本変形例では、例えば、３つの利得領域１８０の第２端面１７２に対する第２反射面１６４の各々は、第２出射光Ｌ２の第２端面１７２から第２反射面１６４までの光路長が同じになる位置に設けられていることができる。図１１及び図１２に示す例では、図１０に示す例とは異なり、３つの第１反射面１６２の各々は、１つの平面を構成せずに、別個の平面である。また、図示の例では、３つの第２反射面１６４の各々についても同様である。
【００８６】
（３）第３変形例に係る発光装置
次に、第３変形例に係る発光装置１４００について、図面を参照しながら説明する。図１３は、本変形例に係る発光装置１４００を模式的に示す断面図である。なお、図１３に示す断面図は、発光装置１０００の例における図３に示す断面図に対応している。
【００８７】
発光装置１０００の例では、第１電極１２２の上から下まで、利得領域１８０と同じ平面形状を有する場合について説明した。これに対し、例えば、図１３に示す例では、第１電極１２２の下部は、利得領域１８０と異なる平面形状を有することができる。本変形例では、コンタクト層１１２下に、開口部を有する絶縁層２０２を形成し、該開口部を埋め込む第１電極１２２を形成することができる。第１電極１２２は、開口部内および絶縁層（開口部含む）２０２下に形成されている。本変形例では、第１電極１２２の上部は、利得領域１８０と同じ平面形状を有し、第１電極１２２の下部は、絶縁層２０２と同じ平面形状を有している。絶縁層２０２としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ポリイミド層などを用いることができる。絶縁層２０２は、例えば、ＣＶＤ法、塗布法などにより成膜される。第１電極１２２は、例えば、直接、サブマウント１４１に接合される。この接合は、例えば、合金接合や、半田ペーストを用いた接合などにより行われる。
【００８８】
本変形例によれば、発光装置１０００の例に比べ、第１電極１２２の下部の体積を増やすことができるため、放熱性に優れた発光装置１４００を提供することができる。
【００８９】
（４）第４変形例に係る発光装置
次に、第４変形例に係る発光装置１５００，１６００について、図面を参照しながら説明する。図１４は、発光装置１５００を模式的に示す断面図である。図１５は、本変形例に係る別の発光装置１６００を模式的に示す断面図である。なお、図１４及び図１５に示す断面図の各々は、発光装置１０００の例における図３に示す断面図に対応している。
【００９０】
発光装置１０００の例では、図３に示すように、第１反射光Ｌ３及び第２反射光Ｌ４が、活性層１０８の上面に対して垂直上向き（図２のＺ方向）に進む場合について説明した。これに対し、本変形例では、第１反射光Ｌ３及び第２反射光Ｌ４のうちの少なくとも一方は、活性層１０８の上面に対して垂直上向きに進まないことができる。例えば、図１４に示すように、第１反射光Ｌ３及び第２反射光Ｌ４は、鉛直方向（図２のＺ方向）から同じ側に傾いた方向に進むことができる。図１４に示す例では、第１反射光Ｌ３の進む向きと、第２反射光Ｌ４の進む向きとは、同じである。また、例えば、図１５に示すように、第１反射光Ｌ３は、鉛直方向から一方の側に傾いた方向に進むことができ、第２反射光Ｌ４は、鉛直方向から他方の側に傾いた方向に進むことができる。図１５に示す例では、第１反射光Ｌ３の進む向きと、第２反射光Ｌ４の進む向きとは、広がる方向であるが、図示しないが、狭まる方向であっても良い。なお、本変形例においても、第１反射光Ｌ３及び第２反射光Ｌ４は、発光素子１００の上側に向けて進むことができる。本変形例では、第１反射面１６２及び第２反射面１６４の傾斜する角度は、適宜調整されている。
【００９１】
（５）第５変形例に係る発光装置
次に、第５変形例に係る発光装置１７００について、図面を参照しながら説明する。図１６は、発光装置１７００を模式的に示す断面図である。なお、図１６は、発光装置１０００の例における図３に示す断面図に対応している。
【００９２】
発光装置１０００の例では、図３に示すように、凹部１４５の側面が水平方向に対して、４５度傾いている場合について説明した。これに対し、発光装置１７００では、凹部１４５の側面が凹面形状であることができる。例えば、反射面１６２，１６４が形成される２つの凹部１４５の側面（第１凹面１４５ａ，第２凹面１４５ｂ）が、凹面形状であることができる。凹部１４５は、第１凹面１４５ａおよび第２凹面１４５ｂを有しているともいえる。第１凹面１４５ａに形成された反射部１６３の表面が第１反射面１６２であり、第２凹面１４５ｂに形成された反射部１６３の表面が第２反射面１６４である。すなわち、第１反射面１６２および第２反射面１６４は、凹面ミラーであることができる。発光装置１７００においても、発光素子１００から水平方向に出射された２つの出射光Ｌ１，Ｌ２を共に発光素子１００の上側に向けて反射させることができる。また、２つの出射光Ｌ１，Ｌ２を共に同じ向きに向けて反射させることができる。
【００９３】
第１凹面１４５ａおよび第２凹面１４５ｂは、例えば、放物面であることができる。すなわち、第１反射面１６２および第２反射面１６４は、放物面ミラーであることができる。また、発光素子１００の第１端面１７０が、例えば、第１凹面１４５ａの焦点に位置するように配置され、発光素子１００の第２端面１７２が、例えば、第２凹面１４５ｂの焦点に位置するように配置されている。これにより、発光素子１００から水平方向に出射された２つの出射光Ｌ１，Ｌ２を共に同じ向きに向けて反射させることができ、かつ平行光に変換することができる。発光装置１７００によれば、放射角が大きい出射光Ｌ１，Ｌ２を、平行光に変換することができるため、光の利用効率を向上させることができる。
（６）第６変形例に係る発光装置
次に、第６変形例に係る発光装置１８００について、図面を参照しながら説明する。図１７は、発光装置１８００を模式的に示す断面図である。なお、図１７に示す断面図は、発光装置１０００の例における図４に示す断面図に対応している。
【００９４】
発光装置１０００の例では、図４に示すように、活性層１０８は、発光素子１００においてベース１４０側に設けられていた。これに対し、発光装置１８００では、図１７に示すように、活性層１０８は、発光素子においてベース１４０とは反対側に設けられている。すなわち、活性層１０８は、発光素子１００のうち、厚さ方向の中間よりも上側に設けられている。発光装置１８００では、活性層１０８とベース１４０との間に基板１０２が設けられている。第２電極１２０は、例えば、第２接続部材１４３により、サブマウント１４１と接続されている。また、第１電極１２２は、例えば、第１接続部材１４２により、端子１４４と接続されている。
【００９５】
発光装置１８００によれば、活性層１０８とベース１４０との間に基板１０２が設けられているため、発光装置１０００の例に比べて、少なくとも基板１０２の厚み分、活性層１０８はベース１４０から離れた位置に設けられている。そのため、より良好な形状（断面形状）の出射光を得ることができる。例えば、利得領域１８０からの出射光の放射角が大きいと、出射光がベース１４０によって遮られ、出射光の形状が歪んでしまう場合がある。発光装置１８００では、このような問題を回避することができる。
【００９６】
（７）第７変形例に係る発光装置
次に、第７変形例に係る発光装置１９００について、図面を参照しながら説明する。図１８は、発光装置１９００を模式的に示す断面図である。なお、図１８に示す断面図は、発光装置１０００の例における図４に示す断面図に対応している。
【００９７】
発光装置１０００の例では、いわゆる利得導波型について説明した。これに対し、発光装置１９００では、いわゆる屈折率導波型であることができる。
【００９８】
すなわち、発光装置１９００では、図１８に示すように、コンタクト層１１２と、第１クラッド層１１０の一部とは、柱状部６１０を構成することができる。柱状部６１０の平面形状は、利得領域１８０と同じである。例えば、柱状部６１０の平面形状によって、電極１２０，１２２間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１８０の平面形状が決定される。なお、図示はしないが、柱状部６１０は、例えば、コンタクト層１１２、第１クラッド層１１０、および活性層１０８から構成されていてもよいし、さらに、第２クラッド層１０６をも含んで構成されていてもよい。また、柱状部６１０の側面を傾斜させることもできる。
【００９９】
柱状部６１０の側方には、絶縁部６０２が設けられている。絶縁部６０２は、柱状部６１０の側面に接していることができる。絶縁部６０２としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ポリイミド層などを用いることができる。絶縁部６０２は、例えば、ＣＶＤ法、塗布法などにより形成される。電極１２０，１２２間の電流は、絶縁部６０２を避けて、該絶縁部６０２に挟まれた柱状部６１０を流れることができる。絶縁部６０２は、活性層１０８の屈折率よりも小さい屈折率を有することができる。これにより、平面方向（活性層１０８の厚み方向と直交する方向）において、利得領域１８０内に効率良く光を閉じ込めることができる。
【０１００】
なお、上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【０１０１】
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【０１０２】
１００ 発光素子、１０２ 基板、１０４ バッファー層、１０６ 第２クラッド層、
１０７ 第１側面、１０８ 活性層、１０９ 第２側面、１１０ 第１クラッド層、
１１２ コンタクト層、１２０ 第２電極、１２２ 第１電極、１４０ ベース、
１４１ サブマウント、１４２ 第１接続部材、１４３ 第２接続部材、１４４ 端子、
１４５ 凹部、１４５ａ 第１凹面、１４５ｂ 第２凹面、１４６ 絶縁部材、
１４７ 貫通孔、１４８ 封止部材、１６０ パッケージ、１６２ 第１反射面、
１６３ 反射部、１６４ 第２反射面、１６６，１６８ 平面、１７０ 第１端面、
１７２ 第２端面、１８０ 利得領域、２０２ 絶縁層、６００ 発光素子、
６０２ 絶縁部、６１０ 柱状部、
１０００，１１００，１２００，１３００，１４００，１５００，１６００，１７００，１８００，１９００ 発光装置、１００２ 均一化光学系、１００２ａ ホログラム、
１００２ｂ フィールドレンズ、１００４ 液晶ライトバルブ、
１００６ クロスダイクロイックプリズム、１００８ 投写レンズ、
１０１０ スクリーン、１００００ プロジェクター
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置と、
前記発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含み、
前記発光装置は、
スーパールミネッセントダイオードであって、第１クラッド層と第２クラッド層とに挟まれる活性層に電流を通すことで発光する発光素子と、
前記発光素子を支持し、かつ前記発光素子から出射される光を反射させる第１反射面と第２反射面とが形成されたベースと、を有し、
前記発光素子は、第１端面と第２端面の２箇所から光が出射される構成をなし、
前記発光素子の前記第１端面から出射される第１出射光の方向と、前記発光素子の前記第２端面から出射される第２出射光の方向とは、互いに逆方向をなし、
前記第１反射面は、前記第１出射光を反射させ、
前記第２反射面は、前記第２出射光を反射させ、
前記第１反射面によって反射される前記第１反射光の方向と、前記第２反射面によって反射される前記第２反射光の方向とは、同じ方向である、プロジェクター。
【請求項２】
請求項１において、
前記ベースは、板状の部材に凹部を設けた構造をしており、
前記凹部は、前記板状の部材の水平方向に対して４５度傾斜した２つの傾斜面を有し、
前記発光素子は、前記板状の部材の水平方向に対して平行に光が出射されるように配置され、
前記２つの傾斜面のうちの一方の傾斜面には、前記第１反射面が形成され、前記２つの傾斜面のうちの他方の傾斜面には、前記第２反射面が形成されている、プロジェクター。
【請求項３】
請求項１において、
前記ベースは、板状の部材に凹部を設けた構造をしており、
前記凹部は、凹面形状である第１凹面および第２凹面を有し、
前記第１凹面には、前記第１反射面が形成され、
前記第２凹面には、前記第２反射面が形成されている、プロジェクター。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１凹面および前記第２凹面は、放物面であり、
前記第１端面は、前記第１凹面の焦点に位置し、
前記第２端面は、前記第２凹面の焦点に位置している、プロジェクター。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、
さらに、前記第１反射光および前記第２反射光に対して透過性のある材質のリッドを含み、
前記発光素子は、前記リッドによって封止されている、プロジェクター。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記ベースの熱伝導率は、前記発光素子の熱伝導率よりも高い、プロジェクター。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項において、
前記活性層は、前記発光素子において前記ベース側に設けられている、プロジェクター。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか１項において、
前記活性層は、前記発光素子において前記ベース側とは反対側に設けられ、
前記発光素子は、さらに、前記第１クラッド層と前記第２クラッド層とに挟まれる前記活性層が形成される基板を有し、
前記活性層と前記ベースとの間に、前記基板が設けられている、プロジェクター。
【請求項１】
発光装置と、
前記発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含み、
前記発光装置は、
スーパールミネッセントダイオードであって、第１クラッド層と第２クラッド層とに挟まれる活性層に電流を通すことで発光する発光素子と、
前記発光素子を支持し、かつ前記発光素子から出射される光を反射させる第１反射面と第２反射面とが形成されたベースと、を有し、
前記発光素子は、第１端面と第２端面の２箇所から光が出射される構成をなし、
前記発光素子の前記第１端面から出射される第１出射光の方向と、前記発光素子の前記第２端面から出射される第２出射光の方向とは、互いに逆方向をなし、
前記第１反射面は、前記第１出射光を反射させ、
前記第２反射面は、前記第２出射光を反射させ、
前記第１反射面によって反射される前記第１反射光の方向と、前記第２反射面によって反射される前記第２反射光の方向とは、同じ方向である、プロジェクター。
【請求項２】
請求項１において、
前記ベースは、板状の部材に凹部を設けた構造をしており、
前記凹部は、前記板状の部材の水平方向に対して４５度傾斜した２つの傾斜面を有し、
前記発光素子は、前記板状の部材の水平方向に対して平行に光が出射されるように配置され、
前記２つの傾斜面のうちの一方の傾斜面には、前記第１反射面が形成され、前記２つの傾斜面のうちの他方の傾斜面には、前記第２反射面が形成されている、プロジェクター。
【請求項３】
請求項１において、
前記ベースは、板状の部材に凹部を設けた構造をしており、
前記凹部は、凹面形状である第１凹面および第２凹面を有し、
前記第１凹面には、前記第１反射面が形成され、
前記第２凹面には、前記第２反射面が形成されている、プロジェクター。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１凹面および前記第２凹面は、放物面であり、
前記第１端面は、前記第１凹面の焦点に位置し、
前記第２端面は、前記第２凹面の焦点に位置している、プロジェクター。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、
さらに、前記第１反射光および前記第２反射光に対して透過性のある材質のリッドを含み、
前記発光素子は、前記リッドによって封止されている、プロジェクター。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記ベースの熱伝導率は、前記発光素子の熱伝導率よりも高い、プロジェクター。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項において、
前記活性層は、前記発光素子において前記ベース側に設けられている、プロジェクター。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか１項において、
前記活性層は、前記発光素子において前記ベース側とは反対側に設けられ、
前記発光素子は、さらに、前記第１クラッド層と前記第２クラッド層とに挟まれる前記活性層が形成される基板を有し、
前記活性層と前記ベースとの間に、前記基板が設けられている、プロジェクター。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１１−６１０７５（Ｐ２０１１−６１０７５Ａ）
【公開日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２１０５７９（Ｐ２００９−２１０５７９）
【出願日】平成２１年９月１１日（２００９．９．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年９月１１日（２００９．９．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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