【課題】 上方への光の漏れを防いで側方への発光を増すと共に、色度のバラツキを減少させる側面発光型発光装置を提供することにある。
【解決手段】 この側面発光型発光装置では、発光素子４を封止する封止樹脂７の上面全体に反射樹脂８を設けている。この反射樹脂８は、発光素子４に向かって頂点８ａが突出する錐体をなす。これにより、発光素子４の真上には錐体の頂点からその底部までの反射樹脂８における最も厚い部分が、位置することになる。その結果、発光素子４の真上に向かう光は遮光に十分な厚みがある反射樹脂８で遮光することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子と光学素子との高い位置合わせ精度を有し、かつ、半導体発光素子の出射部へのダメージを抑制できる光源モジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る光源モジュール１００は、出射部１１を有する半導体発光素子１０と、出射部１１から出射される光Ｌ１が入射する光学素子２０と、を含み、光学素子２０は、出射部１１を避けて、半導体発光素子１０に接合されている。 （もっと読む）

【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、電極により得られる光の導波路は、帯状かつ直線状の第１利得領域１６０および第２利得領域１７０と、第１利得領域１６０および第２利得領域１７０を接続し、かつ帯状の円弧形状を含む第３利得領域１９０と、を含み、第１利得領域１６０と第２利得領域１７０とは、第３利得領域１９０に接続される端部と反対の端部が第１層の側面に接続され、第１層の側面において第１利得領域１６０から出射される光２０と、第１層の側面において第２利得領域１７０から出射される光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置、例えば高出力の端面出射型スーパールミネッセントダイオードを効率良く得られるようにする。
【解決手段】半導体発光装置は、基板１０１と、基板１０１の上に形成され、光ガイド層１２０を含む複数の半導体層からなる積層構造体とを備えている。積層構造体は、上部に選択的に形成されたストライプ状の光導波路１１３と、積層構造体の端面からなる光出射端面１１５とを有している。光ガイド層１２０における積層面と光出射端面１１５とがなす角度θは、θ≠９０°である。 （もっと読む）

【課題】ＡＭ−ＯＬＥＤ等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにＬＣＤやＰＤＰよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板２の上にＴＦＴ配線部３、パッシベーション膜４、第一蛍光体層６ａ、第一平坦化層７ａを積層し、その上に透明アノード電極１００、発光層１０１、透明カソード電極１０２を順次積層した発光体１０を配設する。発光層１０１はＺｎＯ系またはＧａＮ系等材料で構成し、発光面（上面）の面積に対する側面の総面積の割合を１／１０以上に設定する。これにより表示装置１を得る。 （もっと読む）

【課題】ＡＭ−ＯＬＥＤ等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにＬＣＤやＰＤＰよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板２の上にＴＦＴ配線部３、パッシベーション膜４、第一蛍光体層６ａ、第一平坦化層７ａを積層し、その上に透明アノード電極１００、発光層１０１、透明カソード電極１０２を順次積層した発光体１０を配設する。発光層１０１はＺｎＯ系またはＧａＮ系等材料で構成し、発光面（上面）の面積に対する側面の総面積の割合を１／１０以上に設定する。これにより表示装置１を得る。 （もっと読む）

【課題】基板の側面からの光取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１および第２の面１１ａ、１１ｂに略直交する側面１１ｃを有している。基板１１の側面１１ｃには、第１の面１１ａから第１の距離Ｌ１だけ離間した位置から第２の面１１ｂ側に向かって、第１の粗さＲ１と第１の幅ａを有する第１の領域１２と、第１の粗さＲ１より小さい第２の粗Ｒ２さと第１の幅ａより小さい第２の幅ｂを有する第２の領域１３が交互に形成されている。第１の領域１２の面積の和と側面１１ｃの面積の比が０．５以上である。基板１１の第１の面１１ａ上に、第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子から生じた光を１つの発光素子から取り出すことができる発光装置を提供する。
【解決手段】基体と、前記基体上に設けられた端面発光型素子と、前記端面発光型素子の光出射端面内を起点とし該光出射端面に略垂直な軸と交わるように、前記基体上に設けられた発光ダイオード素子と、を備え、前記端面発光型素子は、前記発光ダイオード素子の上面よりも上に発光領域を有する発光装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体層を積層して形成された同一層構成の積層面に、発光素子と受光素子とが配設された半導体光集積素子を構成するに当たり、発光素子の動作時には動作電流の増大による発熱や余計な発光を抑えることができ、受光素子の動作時には光の吸収効率を高くする半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】基板上に第１の導電型の第１のクラッド層、活性層、及び、第２の導電型の第２のクラッド層を少なくとも含んで積層されてなる発光素子、及び、受光素子が、同一基板上の面内に配置されて成る半導体光集積素子において、
活性層は、導電型の第２の活性領域と、アンドープの第１の活性領域とが積層された構造を備え、
第２の活性領域が、第２の活性領域に対し最も近い位置に積層されている第１もしくは第２のクラッド層と同じ導電型とされている。 （もっと読む）

【課題】光出力が高く且つ干渉ノイズが低い光を、効率よく照射することができる光照射装置を実現できるようにする。
【解決手段】光照射装置は、光軸の方向が互いに略同一な複数の光線束を出射する発光装置１０１と、複数の光線束をそれぞれ平行光線束に変換するコリメート部１０２と、平行光線束を集光する集光部１０３とを備えている。発光装置１０１は、基板の上に複数の導波路が形成された、スーパールミネッセントダイオードアレイ１１１を含む。複数の導波路のそれぞれは、光線束を出射する光出射位置を含む出射端面を有し、光出射位置は一の平面１７６内に位置し、一の平面１７６はコリメート部１０２の光軸の方向と直交する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスが破損されることなくエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）を観察できるエレクトロルミネッセンスの観察方法を提供する。
【解決手段】半導体発光デバイス１の第２の電極３２の一部及び基板１０の一部を研磨して、半導体発光デバイス１に研磨面１１を形成する。研磨面１１を形成した後に、第１の電極３１が接触面４０ａに接するように、半導体発光デバイス１ａを支持体４０の上に載置する。プローブ４３を第２の電極３２ａに押し付け、プローブ４３と変形した支持体４０とにより半導体発光デバイス１ａを挟んで、半導体発光デバイス１ａを保持する。第１の電極３１と第２の電極３２との間の印加電流に応答するエレクトロルミネッセンスを半導体発光デバイス１ａに発生させる。研磨面１１を介して該エレクトロルミネッセンスを観察する。 （もっと読む）

【課題】効率良く射出し、複数の射出面の間隔が大きい発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００の第１利得領域１６０は第１面１３０の垂線Ｐに対して一方側に傾いて第１面１３０と接続し、第２利得領域１７０は垂線Ｐに対して他方側に傾いて第１面１３０と接続し、第１利得領域１６０の第１面１３０側の第１端面１８０と、第２利得領域１７０の第１面１３０側の第３端面１８４とは、第１面１３０において重なり、第１利得領域１６０及び第２利得領域１７０は、同じ傾きで第２面１３２と接続する。曲線形状の第１利得部分１６２及び第２利得部分１７２と、直線形状の第３利得部分１６４及び第４利得部分１７４とは、第５利得部分１６６及び第６利得部分１７６を介して接続され、第５利得部分１６６及び第６利得部分１７６と接する場所の絶縁層１１６の屈折率がスロープ形状もしくは階段形状である第１接続部分１４０及び第２接続部分１５０を有する。 （もっと読む）

【課題】射出光量の分布にばらつきが少なく、偏光がそろった発光装置を提供する。
【解決手段】対向する２方向から光を射出する導波路３０と光３４の進行方向を変える光路変更部２０とを発光半導体基板１０に備える。光射出部３１の第１場所及び第２場所には光３４を偏光させる偏光部４０を有し、第１場所と第２場所から射出する光３４はそれぞれ直交した偏光にする。第１場所と第２場所との距離を第１距離とし、隣り合う発光素子の第１場所と第２場所との距離のうち短い方の距離を第２距離とする。第２距離が第１距離より短い距離となるように配置する。また、第１場所及び第２場所の片方に１／２波長板５０を設置する。 （もっと読む）

【課題】放射パターンが良好で、高出力かつ小型化を図りつつ、出射面の間隔を大きく形成することができる発光装置を提供する。
【解決手段】第１利得領域１６０は垂線Ｐに対して一方側に傾いて第１面１３０と接続され、第２利得領域１７０は垂線Ｐに対して他方側に傾いて第１面１３０と接続され、第３利得領域１８０は第１利得領域１６０または第２利得領域１７０に沿って形成されている。第１利得領域１６０および第２利得領域１７０は、同じ傾きで第２面１３２と接続され、第１利得領域１６０の端面１９０と第２利得領域１７０の端面１９２とは、第１面１３０において重なり、第１利得領域１６０は第１の曲率を備えた第１利得部分１６２を有し、第２利得領域１７０は第２の曲率を備えた第２利得部分１７２を有し、第３利得領域１８０において共振する光は、第１利得領域１６０または第２利得領域１７０を導波する光に結合し第２面１３２から出射される。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であり容易に作製できる多波長の光半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、主面１０ａが第１の面方位を有するＧａＮ基板１０と、主面１０ａの第１の領域上に成長しており、活性層２４を含むレーザ構造部２０と、主面１０ａの第１の領域とは異なる第２の領域に対し接合層４１を介して接合されており、表面４０ａが第１の面方位とは異なる第２の面方位を有するＧａＮ薄膜４０と、ＧａＮ薄膜４０の表面４０ａ上に成長しており、活性層３４を含むレーザ構造部３０とを備える。活性層２４，３４は、Ｉｎを含む井戸層をそれぞれ有し、これらの井戸層の発光波長は互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、電極により得られる光の導波路は、帯状の第１領域１６０および帯状の第２領域１６２を有し、第１領域１６０は曲率を備える第１部分１６２を有し、第２領域１７０は曲率を備える第２部分１７２を有し、第１領域１６０と第２領域１７０とは、第１層の側面１３０に設けられる反射部１８０，１８４にて接続され、反射部１８０，１８４が設けられる側面１３０に対向し、出射面となる第１層の側面１３２において第１領域１６０から出射される第１の光２０と、出射面１３０において第２領域１７０から出射される第２の光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第１領域１５０と第２領域１６０とは、第１層の側面１３２に設けられる第１反射部１８１，１８３にて接続され、第１領域１５０と第３領域１７０とは、第１層の側面１３３に設けられる第２反射部１８２，１８５にて接続され、第２領域１６０と第３領域１７０とは、出射面となる第１層の側面１３１に接続され、第１領域１５０は、第１領域１５０の長手方向が出射面１３１に対して平行になるように設けられ、出射面１３１において第２領域１６０から出射される第１の光２０と、出射面１３１において第３領域１７０から出射される第２の光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】接合時の加熱プロセスに起因して電極層が有するオーミック性が劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体発光素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の下面上に形成され、非晶質ＳｉからなるＳｉ層３１とＡｌ層３３とを有するオーミック電極層３０と、オーミック電極層３０のｎ型ＧａＮ基板１とは反対側に形成されたＡｕ層４１を有するパッド電極層４０と、オーミック電極層３０とパッド電極層４０との間に形成されたＰｄからなるバリア層３５とを含むｎ側電極２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】窒化物膜の酸化の進行を抑制し信頼性が高く、優れた光学特性を有する誘電体多層膜を備える半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子(100)は、発光又は受光素子構造を含む半導体の積層体(20)と、該積層体(20)の外面を被覆する誘電体多層膜(40)と、を備え、前記誘電体多層膜(40)は、窒化物の第１膜(41)と、該第１膜(41)に接して設けられた酸化ホウ素の第２膜(42)と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）