光電変換素子の実装位置情報取得方法及び光電変換モジュールの製造方法
【課題】光電変換素子をフェルールに対して高い位置決め精度で搭載することのできる光電変換モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換素子２０とフェルール１０とを備えた光電変換モジュールの製造方法であって、フェルール１０を用意するフェルール用意工程と、中心から中心に最も近い外縁までの距離が開口１２ａの半径より小さい素子マーク５２が設けられ検査光を透過する透明チップ５０を、素子搭載面１１に載置する透明チップ載置工程と、検査光を素子搭載面１１の反対側からファイバ挿通孔１２に入射して透明チップ５０を透過させ、素子搭載面１１側から観察される素子マーク５２の影の中心Ｂと、開口１２ａの中心Ａとのずれ量を位置合わせ情報として取得する位置合わせ情報取得工程と、位置合わせ情報を用いて、フェルール１０と光電変換素子２０とを位置合わせし、光電変換素子２０を素子搭載面１１に搭載する素子搭載工程と、を有する光電変換モジュールの製造方法により上記目的が達成される。
【解決手段】光電変換素子２０とフェルール１０とを備えた光電変換モジュールの製造方法であって、フェルール１０を用意するフェルール用意工程と、中心から中心に最も近い外縁までの距離が開口１２ａの半径より小さい素子マーク５２が設けられ検査光を透過する透明チップ５０を、素子搭載面１１に載置する透明チップ載置工程と、検査光を素子搭載面１１の反対側からファイバ挿通孔１２に入射して透明チップ５０を透過させ、素子搭載面１１側から観察される素子マーク５２の影の中心Ｂと、開口１２ａの中心Ａとのずれ量を位置合わせ情報として取得する位置合わせ情報取得工程と、位置合わせ情報を用いて、フェルール１０と光電変換素子２０とを位置合わせし、光電変換素子２０を素子搭載面１１に搭載する素子搭載工程と、を有する光電変換モジュールの製造方法により上記目的が達成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号及び電気信号を相互に変換する光電変換素子のフェルールへの実装位置情報取得方法、及びこれを用いた光電変換モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等の電子部品の設計や製造上に生じる様々な問題を事前に見つけ出すために、シリコン等の半導体材料上にアルミニウム等で電極を形成したＴＥＧ（Test Element Group）チップを基板へ搭載し、実装状態を評価することが知られている（特許文献１）。
【０００３】
一方、近年、電気配線間の一部を光配線に置き換えて電子機器間の信号の伝送効率を向上させることが試みられている。このように電気配線間の一部を光配線に置き換えるために、電気信号を光信号に変換する、あるいは、光信号を電気信号に変換するために、特許文献２に記載のような光電変換モジュールが用いられている。光電変換モジュールは、素子搭載面に開口し光ファイバが固定されるファイバ挿通孔が形成されたフェルールと、開口と対向するようにフェルールの素子搭載面に取り付けられた光電変換素子とを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２５２７２号公報
【特許文献２】特許第４３５１９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２に記載のような光電変換モジュールにおいて、光電変換素子は、その活性層がファイバ挿通孔の開口に対向するように、素子搭載面に搭載する必要がある。活性層が開口中心からずれて搭載されてしまうと、光電変換効率が著しく低下するからである。しかしながら、これまでのところ、ＴＥＧチップ等を用いて、光電変換素子とフェルールの位置を精密に調整できる光電変換モジュールの製造方法は確立されていなかった。
【０００６】
そこで本発明は、光電変換素子をフェルールに対して高い位置決め精度で搭載することのできる光電変換素子の実装位置情報取得方法、及びこれを用いた光電変換モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明によれば、光電変換素子が搭載される素子搭載面と、前記素子搭載面に開口が設けられたファイバ挿通孔が貫通形成されたフェルールを用意するフェルール用意工程と、
中心から最も近い外縁と前記中心との距離が前記開口の半径より小さい素子マークが設けられ検査光を透過する透明チップを、前記素子搭載面に載置する透明チップ載置工程と、
検査光を前記素子搭載面の反対側から前記ファイバ挿通孔に入射して前記透明チップを透過させ、前記素子搭載面側から観察される前記素子マークの影の中心と、前記ファイバ挿通孔の前記開口の中心とのずれ量を位置合わせ情報として取得する位置合わせ情報取得工程と、
を有する光電変換素子の実装位置情報取得方法が提供される。
【０００８】
上記実装位置情報取得方法において、前記素子マークは前記開口と相似形状としてもよい。
また、上記実装位置情報取得方法において、前記素子マークの面積は、前記開口の面積の半分以下としてもよい。
また、上記実装位置情報取得方法において、前記素子マークは前記透明チップに形成された金属層としてもよい。
また、上記実装位置情報取得方法において、前記透明チップは、可視光を透過するガラスから形成してもよい。
また、上記実装位置情報取得方法において、前記素子搭載面は、前記ファイバ挿通孔の軸方向と直交する面に対して傾いていてもよい。
また、上記実装位置情報取得方法において、前記位置合わせ情報取得工程において、観察方向を前記素子搭載面と直交させた状態で、前記位置合わせ情報を取得してもよい。
【０００９】
上記課題を解決するために本発明によれば、
光電変換素子と、
前記光電変換素子が搭載される素子搭載面を備え、前記素子搭載面に開口が設けられたファイバ挿通孔が貫通形成されたフェルールと、を備えた光電変換モジュールの製造方法であって、
上記の光電変換素子の実装位置情報取得方法に基づいて前記位置合わせ情報を取得する位置合わせ情報取得工程と、
光電変換素子および前記フェルールを用意する工程と、
前記位置合わせ情報を用いて、前記フェルールと前記光電変換素子とを位置合わせし、前記光電変換素子を前記素子搭載面に搭載する素子搭載工程と、を有する光電変換モジュールの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る光電変換素子の実装位置情報取得方法によれば、素子マークを有する透明チップにより、光電変換モジュールのフェルールに対する正確な位置合わせ情報を取得することができる。
【００１１】
更に、この位置合わせ情報を取得する際に、挿通孔と透明チップを透過した検査光により開口のなかに浮かび上がるように見える素子マークの影を観察するので、両者の輪郭を明確に認識し正確な位置合わせ情報を取得することができる。また、素子マークは開口よりも小さいので、素子マークの影と開口とを比較することが容易であり、容易に正確な位置合わせ情報を取得することができる。
【００１２】
よって、上記本発明の光電変換素子の実装位置情報取得方法を用いた光電変換モジュールの製造方法によれば、事前に取得した光電変換素子の正確な位置合わせ情報をもとに光電変換素子をフェルールに対して高い位置決め精度で搭載することができるので、高い変換効率を備えた光電変換モジュールを安定して提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る光電変換モジュールを示す模式図である。
【図２】（ａ）はフェルールの素子搭載面の上面図であり、（ｂ）は透明チップの上面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る光電変換素子の実装位置情報取得工程を示す模式図である。
【図４】図３において撮像される開口周辺を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係る光電変換素子の実装位置情報取得工程を示す模式図である。
【図６】比較例に係る光電変換素子の実装位置情報取得工程において撮像される開口周辺を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る光電変換モジュールの製造工程を示す模式図である。
【図８】本発明の変形例に係る光電変換素子の実装位置情報取得工程を示す模式図である。
【図９】図８において撮像される開口周辺を示す図である。
【図１０】参考例に係る光電変換素子の実装位置情報取得工程を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る光電変換素子の実装位置情報取得方法および光電変換モジュールの製造方法の実施形態を、図面を参照して説明する。
【００１５】
＜全体構造＞
図１は本発明の光電変換モジュールの製造方法により製造され得る光電変換モジュールの断面図である。図１に示したように、光電変換モジュールは、樹脂製のフェルール１０と、フェルール１０に搭載された光電変換素子２０とを備えている。
【００１６】
フェルール１０は略直方体状の部材であり、一側面には光電変換素子２０が搭載される素子搭載面１１が形成されている。この素子搭載面１１には、長手方向に貫通し光ファイバ３０が挿通される挿通孔１２の開口１２ａが形成されている。また、素子搭載面１１には導通部材であるリードフレーム４０が設けられている。
【００１７】
素子搭載面１１に搭載されたリードフレーム４０は素子搭載面１１と隣接する面まで延出し、光電変換素子２０を駆動するＩＣまたはＴＩＡ（Transimpedance Amplifier）といった図示せぬ制御回路と接続される接続端子が形成されている。
【００１８】
光電変換素子２０は、フォトダイオード等の受光素子や、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）等の発光素子である。光電変換素子２０は受発光面である活性層２１が素子搭載面１１と対向するようにフェルール１０に搭載されており、バンプ２２を介して素子搭載面１１上のリードフレーム４０に固定され、また、電気的に接続されている。
【００１９】
以上の如く構成された光電変換モジュールにおいて、光電変換素子２０が発光素子の場合、制御回路からリードフレーム４０を介して電気信号が光電変換素子２０に入力されると、その電気信号に応じて光電変換素子２０が光信号を発生させ、光信号は光ファイバ３０を通じて外部機器に伝達される。また、光電変換素子２０が受光素子の場合は、光ファイバ３０を通じて光信号が光電変換素子２０に入力されると、その光信号に応じて光電変換素子２０が電気信号を発生させ、電気信号がリードフレーム４０を介して制御回路に伝達される。
【００２０】
上述のように構成される光電変換モジュールの製造方法、およびその工程において適用され得る光電変換素子の実装位置情報取得を図２から図８を参照して説明する。
【００２１】
（フェルール用意工程）
まず、図２（ａ）に示すように、素子搭載面１１にリードフレーム４０を備えたフェルール１０を用意する。フェルール１０は、図２（ａ）に示すような配線パターンが素子搭載面１１に形成されるように、リードフレーム４０とともに一体的にインサート成型することが好ましい。
【００２２】
本実施形態においては、図２（ａ）に示すように、素子搭載面１１における配線パターンとして、素子搭載面１１に隣接し互いに対向する面の両側に延在する第１電極４１、該両側の面から開口１２ａに向かって延びる第２電極４２、第３電極４３が形成されている。もっとも、素子搭載面１１に形成する電極パターンは図示した例に限られない。
【００２３】
また、素子搭載面１１にフェルール側基準マーク１３を形成する。このフェルール側基準マーク１３はリードフレーム４０とともにインサート成型により形成したり、リードフレーム４０とは別にスパッタリング、めっき、蒸着等の手段により金属層として形成したり、あるいは単に塗料などにより描いてもよい。
【００２４】
（透明チップ用意工程）
次に、図２（ｂ）に示す透明チップ５０を用意する。この透明チップ５０は擬似的に光電変換素子２０を模したものであり、予め光電変換素子２０の代わりに透明チップ５０を素子搭載面１１に搭載し、光電変換素子２０のための位置合わせ情報を予め取得することにより、光電変換素子２０の位置決め精度を向上させようとするものである。
【００２５】
透明チップ５０は透明基板５１から形成されている。透明基板５１は、可視光やＸ線等の検査光に対して透明な材料から形成すればよく、透明材料としてアクリル樹脂等の透明樹脂を用いることもできるが、後工程でバンプの取付など加熱処理が施されるので、耐熱性や低線膨張係数に優れたホウケイ酸ガラスや石英ガラス等のガラスを用いることが好ましい。また、この透明チップ５０の外形は光電変換素子２０の外形と一致させることが好ましい。
【００２６】
透明基板５１の上には、いずれも遮光性の素子マーク５２、チップ側基準マーク５３、バンプ５４が形成されている。バンプ５４は、透明基板５１のうち、実際の光電変換素子２０に形成するバンプ２２と一致する箇所に設けられている。本例では、バンプ５４は、それぞれ第１電極４１に接する２箇所、第２電極に接する１箇所に形成されている。
【００２７】
素子マーク５２は透明基板５１上のうち、光電変換素子２０がフェルール１０に取り付けられたときに活性層２１が占める位置に形成される。この素子マーク５２は光電変換素子２０の活性層２１を模したものである。素子マーク５２は後述するように検査光により影を観察するものなので、検査光に対し透明基板５１より透過率が低くなるよう構成されており、遮光性を備えたものであることが好ましい。
【００２８】
チップ側基準マーク５３は、透明チップ５０を素子搭載面１１の基準位置に搭載する際に、目安となるマークである。具体的には、後述するように透明チップ５０を素子搭載面１１に搭載する際に、チップ側基準マーク５３をフェルール側基準マーク１３に一致させるように配置することにより、透明チップ５０をフェルール１０の基準位置に搭載する。
【００２９】
これら素子マーク５２及びチップ側基準マーク５３は、スパッタリング、めっき、蒸着等の手段により金属層として形成したり、あるいは単に塗料などにより描いてもよい。金属の場合には、例えば金を用いることができる。
【００３０】
（透明チップ載置工程）
次に、図３の如く透明チップ５０をフェルール１０の素子搭載面１１に搭載する。まず、チップ側基準マーク５３をフェルール側基準マーク１３と一致させて、透明チップ５０を素子搭載面１１の基準位置に配置する。
【００３１】
なお、本実施形態ではチップ側基準マーク５３をフェルール側基準マーク１３に一致させて透明チップ５０を基準位置に配置したが、例えば、透明チップ５０をフェルール１０に搭載するチップマウンタに任意の初期搭載位置を設定しておき、これを基準位置としてもよい。
【００３２】
このように、単に透明チップ５０を基準位置に配置しただけでは、図４（ａ）に示すように、透明チップ５０の素子マーク５２の中心Ｂが、フェルール１０の開口１２ａの中心Ａからずれていることがある。そこで、図４（ｂ）に示すように素子マーク５２の中心Ｂと開口１２ａの中心Ａとが一致するように微調整する必要がある。
【００３３】
（位置合わせ情報取得工程）
図５は透明チップ５０の位置をフェルール１０に対して微調整し、位置合わせ情報を取得する工程を示す模式図である。図５に示すように、検査光として可視光を発する光源６０をフェルール１０の素子搭載面１１とは反対側に配置し、開口１２ａに向けてカメラ７０を素子搭載面１１側に配置する。また、カメラ７０により挿通孔１２及び透明チップ５０を通過してきた光を撮像する。このとき、カメラ７０が素子搭載面１１を正面から撮像できるように、カメラ７０の光軸Ａｘを素子搭載面１１に対して直交するようにカメラ７０を設置することが好ましい。
【００３４】
光源６０から発せられフェルール１０を通過する光のうち、挿通孔１２を通過した光はそれほど減衰しないが、フェルール１０の挿通孔１２以外の領域を通過した光は大きく減衰するか遮蔽される。なお、フェルール１０を通過し透明チップ５０に入射した光は、素子マーク５２によって遮られるが、素子マーク５２以外の領域を透過する。したがって、カメラ７０により開口１２ａ近傍を撮像すると開口１２ａが明るく見え、また、素子マーク５２により光が遮られて、カメラ７０には図４（ａ），４（ｂ）に示すように素子マーク５２の影が映し出される。
【００３５】
そこで、このように明瞭に映し出された素子マーク５２の影と、開口１２ａの輪郭とを比較し、素子搭載面１１側から観察される素子マーク５２の影の中心Ｂと開口１２ａの中心Ａとのずれ量を位置合わせ情報として取得し、記録しておく。すなわち、位置合わせ情報とは、互いの中心Ａ，Ｂが一致した目標位置と基準位置とのずれ量である。例えばＸ−Ｙテーブルを用いたチップマウンタにより透明チップ５０をフェルール１０に搭載する場合には、基準位置からのＸ座標のずれ量及びＹ座標のずれ量をチップマウンタの記憶装置に記憶させておく。
【００３６】
このように素子マーク５２と開口１２ａの輪郭とを比較しながら位置合わせ情報を取得するために、素子マーク５２は開口１２ａよりも小さく形成する。素子マーク５２が開口１２ａよりも大きな場合は、開口１２ａ全体が素子マーク５２により遮光されてしまい、互いの中心Ａ，Ｂのずれ量を観察できなくなるからである。
【００３７】
なお、素子マーク５２を図示したような円形ではなく、矩形等の様々な形状に形成してもよい。その場合でも、素子マーク５２の中心Ｂに最も近い素子マーク５２の外縁と中心Ｂとの距離を開口１２ａの半径よりも小さく設定する。このために、素子マーク５２の面積を開口１２ａの面積のおよそ半分以下とすることが好ましい。このようにすれば、素子搭載面１１側から観察される素子マーク５２の影の中心Ｂと開口１２ａの中心Ａとのずれ量を容易に取得できる。
【００３８】
また、素子マーク５２と開口１２ａの開口との比較を容易とするために、素子マーク５２は開口１２ａの外形と相似形状とすることが好ましい。両者が相似形状であれば、例えば素子マーク５２の影の周りに形成される開口１２ａの輪郭との隙間を素子マーク５２の影の全周にわたって一様にするように両者を相対移動することにより、容易に両者の中心Ａ，Ｂを一致させることができるからである。
【００３９】
なお、上述したようにフェルール１０の透過光により素子搭載面１１を観察する方法の他に、図６に示したように、素子搭載面１１側に光源６０を配置し、素子搭載面１１からの反射光をカメラ７０で撮像することも考えられる。しかし、図６に示した構成では、光源６０から開口１２ａの縁部に当たった光が乱反射してしまいカメラ７０で撮像した開口１２ａの輪郭がぼやけてしまう。従って、透過光により素子搭載面１１を観察する方法が好ましい。
【００４０】
（光電変換モジュールの製造方法）
次に、上記の光電変換素子の実装位置情報取得方法に基づいて取得した位置合わせ情報を用いて、図７に示すように、光電変換素子２０を素子搭載面１１に搭載する。本実施形態においては、まず、透明チップ５０が搭載されていない新たなフェルール１０を用意する。次に、素子搭載面１１の基準位置と、透明チップ５０を用いて取得した位置合わせ情報を元に、光電変換素子２０を目標位置に配置する。
【００４１】
その結果、透明チップ５０の素子マーク５２は光電変換素子２０の活性層２１と一致する位置に形成されているので、素子マーク５２の影の中心Ｂが開口１２ａの中心Ａと一致された目標位置においては、光電変換素子２０の活性層２１の中心が開口１２ａの中心Ａに一致することになる。
【００４２】
光電変換素子２０を目標位置に配置したら、光電変換素子２０をバンプ２２によりリードフレーム４０に固定し、更に挿通孔１２に光ファイバ３０を挿入し固定して、図１に示す光電変換モジュールを作成する。
【００４３】
光電変換素子２０をフェルール１０に搭載する際は、活性層２１を素子搭載面１１に向けて搭載するので、外側からでは活性層２１が光ファイバ３０の光軸上に位置されていることを視認できない。しかし、本実施形態のように、透明チップ５０を用いて活性層２１が光ファイバ３０の光軸上に位置するように正確な搭載位置を取得することにより、信頼性の高く変換効率の高い光電変換モジュールを安定して提供することができる。
【００４４】
また、本実施形態に係る光電変換モジュールの製造方法によれば、位置合わせ情報を取得する際に、透過光により開口１２ａの中に浮かび上がる素子マーク５２の影を観察するので、両者の輪郭を明確に認識して正確な位置合わせ情報を取得できる。また、素子マーク５２は開口１２ａよりも小さいので、素子マーク５２の影と開口１２ａとを比較することが容易であり、正確な位置合わせ情報を取得することができる。よって、正確な位置合わせ情報をもとに光電変換素子２０をフェルール１０に対して高い位置決め精度で搭載することができるので、高い変換効率を備えた光電変換モジュールを安定して提供することができる。
【００４５】
以上、本発明をその実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に多様な変更または改良を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
【００４６】
上述の実施形態では、可視光を照射する光源と可視光を透過する透明基板とを用いて位置合わせ情報を取得したが、Ｘ線光源等と、これら光源からの光を透過する透明基板とを用いて位置合わせ情報を取得するように構成してもよい。
【００４７】
上述の実施形態では、透明チップ５０をフェルール１０に取り付けて位置あわせ情報を取得した後、この位置合わせ情報を用いて別のフェルール１０に光電変換素子２０を搭載する例を挙げて説明したが、本発明はこの例に限られない。例えば、特定のフェルール１０に対して透明チップ５０を用いて位置合わせ情報を取得した後、透明チップ５０を取り外して、同一のフェルール１０に取得した位置合わせ情報を用いて光電変換素子２０を取り付けるようにしてもよい。
【００４８】
＜変形例＞
また、上述の実施形態では、素子搭載面１１が挿通孔１２の長手方向に対して直交して形成された例を挙げて説明したが、図８に示す素子搭載面１４が挿通孔１２の長手方向に対して直交する面から傾いて形成された光電変換モジュールにおいても、本発明を好適に適用できる。
【００４９】
図８に示すように、本変形例に係る光電変換モジュールの素子搭載面１４は挿通孔１２の長手方向と直交する面に対して傾いて形成されている。一方、カメラ７０は素子搭載面１１を正面から撮像できるように、カメラ７０の光軸Ａｘを素子搭載面１１に対して直交するようにカメラ７０を設置する。そのため、光源６０からの光の一部は挿通孔１２の内壁により遮蔽され、カメラ７０により撮像できない。したがって、カメラ７０で開口１２ａを撮像すると、図９（ａ），９（ｂ）に示すように円形の一部が欠けた形状の開口１２ａが撮像される。素子搭載面１４の傾斜角度が大きくなるほど、撮像される開口１２ａは大きく欠けることになる。
【００５０】
このように一部が欠けた像がカメラ７０により観察されることになるが、素子マーク５２の影の中心Ｂと開口１２ａの中心Ａとを認識することができれば、図９（ｂ）に示すように両者を一致させるように位置合わせ情報を取得することができる。
【００５１】
なお、開口１２ａが欠けないように撮像するため、図１０に示すように、カメラ７０の光軸Ａｘを挿通孔１２と一致させてカメラ７０を配置することが考えられる。しかしこの場合は、カメラ７０が傾いて素子搭載面１４を観察することになり、正面から素子搭載面１４を観察できないので、素子搭載面１４に対する素子マーク５２の正確な位置を把握できない。したがって、観察方向であるカメラ７０の光軸方向を素子搭載面１４と直交させた状態で、位置合わせ情報を取得することが好ましい。
【００５２】
なお、上述の説明では、透明チップ５０を光電変換素子２０のフェルール１０に対する位置合わせ情報を取得するものとして説明したが、透明チップ５０は他の用途にも用いることができる。
【００５３】
例えば、リードフレーム４０の配線パターンと光電変換素子２０に形成するバンプ２２の位置とが整合しているかを、透明チップ５０をフェルール１０に搭載した後、バンプ５４とリードフレーム４０との導通試験により、確認することができる。もっとも、透明チップ５０を単に光電変換素子２０の位置合わせ情報を取得するためだけに用いるのであれば、バンプ５４を備えない透明チップ５０を用いてもよい。
【００５４】
また、光ファイバ３０をフェルール１０に固定するアンダーフィルと呼ばれる接着剤の接着状況を確認するために用いることもできる。例えば、接着剤をファイバ挿通孔１２に導入し光ファイバ３０をファイバ挿通孔１２に挿入すると、接着剤は開口１２ａから溢れ出し透明チップ５０と素子搭載面１１，１４との間に流れ出し、透明チップ５０と光ファイバ３０の先端との間の隙間を埋めて光電変換素子２０と光ファイバ３０との間に異物が侵入することを防止する。この接着剤が良好に該隙間を埋めるように流れるか否かを、透明チップ５０を用いて確認することができる。
【００５５】
この場合、透明チップ５０は透明なので、接着剤が隙間を確実に埋めているか、あるいは、隙間に気泡が生じることなく導入されているか否かを外部から視認することにより、容易に確認することができる。これにより、フェルール１０、光電変換素子２０あるいはリードフレーム４０が適切な形状であるか否かを検討することができる。
【符号の説明】
【００５６】
１０：フェルール、１１，１４：素子搭載面、１２：挿通孔（ファイバ挿通孔）、１２ａ：開口、Ａ：開口中心、１３：フェルール側基準マーク、２０：光電変換素子、２１：活性層、２２：バンプ、３０：光ファイバ、４０：リードフレーム、４１：第１電極、４２：第２電極、４３：第３電極、５０：透明チップ、５１：チップ基板、５２：素子マーク、Ｂ：素子マーク中心、５３：チップ側基準マーク、５４：バンプ、６０：光源、７０：カメラ、Ａｘ：カメラ光軸
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号及び電気信号を相互に変換する光電変換素子のフェルールへの実装位置情報取得方法、及びこれを用いた光電変換モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等の電子部品の設計や製造上に生じる様々な問題を事前に見つけ出すために、シリコン等の半導体材料上にアルミニウム等で電極を形成したＴＥＧ（Test Element Group）チップを基板へ搭載し、実装状態を評価することが知られている（特許文献１）。
【０００３】
一方、近年、電気配線間の一部を光配線に置き換えて電子機器間の信号の伝送効率を向上させることが試みられている。このように電気配線間の一部を光配線に置き換えるために、電気信号を光信号に変換する、あるいは、光信号を電気信号に変換するために、特許文献２に記載のような光電変換モジュールが用いられている。光電変換モジュールは、素子搭載面に開口し光ファイバが固定されるファイバ挿通孔が形成されたフェルールと、開口と対向するようにフェルールの素子搭載面に取り付けられた光電変換素子とを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２５２７２号公報
【特許文献２】特許第４３５１９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２に記載のような光電変換モジュールにおいて、光電変換素子は、その活性層がファイバ挿通孔の開口に対向するように、素子搭載面に搭載する必要がある。活性層が開口中心からずれて搭載されてしまうと、光電変換効率が著しく低下するからである。しかしながら、これまでのところ、ＴＥＧチップ等を用いて、光電変換素子とフェルールの位置を精密に調整できる光電変換モジュールの製造方法は確立されていなかった。
【０００６】
そこで本発明は、光電変換素子をフェルールに対して高い位置決め精度で搭載することのできる光電変換素子の実装位置情報取得方法、及びこれを用いた光電変換モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明によれば、光電変換素子が搭載される素子搭載面と、前記素子搭載面に開口が設けられたファイバ挿通孔が貫通形成されたフェルールを用意するフェルール用意工程と、
中心から最も近い外縁と前記中心との距離が前記開口の半径より小さい素子マークが設けられ検査光を透過する透明チップを、前記素子搭載面に載置する透明チップ載置工程と、
検査光を前記素子搭載面の反対側から前記ファイバ挿通孔に入射して前記透明チップを透過させ、前記素子搭載面側から観察される前記素子マークの影の中心と、前記ファイバ挿通孔の前記開口の中心とのずれ量を位置合わせ情報として取得する位置合わせ情報取得工程と、
を有する光電変換素子の実装位置情報取得方法が提供される。
【０００８】
上記実装位置情報取得方法において、前記素子マークは前記開口と相似形状としてもよい。
また、上記実装位置情報取得方法において、前記素子マークの面積は、前記開口の面積の半分以下としてもよい。
また、上記実装位置情報取得方法において、前記素子マークは前記透明チップに形成された金属層としてもよい。
また、上記実装位置情報取得方法において、前記透明チップは、可視光を透過するガラスから形成してもよい。
また、上記実装位置情報取得方法において、前記素子搭載面は、前記ファイバ挿通孔の軸方向と直交する面に対して傾いていてもよい。
また、上記実装位置情報取得方法において、前記位置合わせ情報取得工程において、観察方向を前記素子搭載面と直交させた状態で、前記位置合わせ情報を取得してもよい。
【０００９】
上記課題を解決するために本発明によれば、
光電変換素子と、
前記光電変換素子が搭載される素子搭載面を備え、前記素子搭載面に開口が設けられたファイバ挿通孔が貫通形成されたフェルールと、を備えた光電変換モジュールの製造方法であって、
上記の光電変換素子の実装位置情報取得方法に基づいて前記位置合わせ情報を取得する位置合わせ情報取得工程と、
光電変換素子および前記フェルールを用意する工程と、
前記位置合わせ情報を用いて、前記フェルールと前記光電変換素子とを位置合わせし、前記光電変換素子を前記素子搭載面に搭載する素子搭載工程と、を有する光電変換モジュールの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る光電変換素子の実装位置情報取得方法によれば、素子マークを有する透明チップにより、光電変換モジュールのフェルールに対する正確な位置合わせ情報を取得することができる。
【００１１】
更に、この位置合わせ情報を取得する際に、挿通孔と透明チップを透過した検査光により開口のなかに浮かび上がるように見える素子マークの影を観察するので、両者の輪郭を明確に認識し正確な位置合わせ情報を取得することができる。また、素子マークは開口よりも小さいので、素子マークの影と開口とを比較することが容易であり、容易に正確な位置合わせ情報を取得することができる。
【００１２】
よって、上記本発明の光電変換素子の実装位置情報取得方法を用いた光電変換モジュールの製造方法によれば、事前に取得した光電変換素子の正確な位置合わせ情報をもとに光電変換素子をフェルールに対して高い位置決め精度で搭載することができるので、高い変換効率を備えた光電変換モジュールを安定して提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る光電変換モジュールを示す模式図である。
【図２】（ａ）はフェルールの素子搭載面の上面図であり、（ｂ）は透明チップの上面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る光電変換素子の実装位置情報取得工程を示す模式図である。
【図４】図３において撮像される開口周辺を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係る光電変換素子の実装位置情報取得工程を示す模式図である。
【図６】比較例に係る光電変換素子の実装位置情報取得工程において撮像される開口周辺を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る光電変換モジュールの製造工程を示す模式図である。
【図８】本発明の変形例に係る光電変換素子の実装位置情報取得工程を示す模式図である。
【図９】図８において撮像される開口周辺を示す図である。
【図１０】参考例に係る光電変換素子の実装位置情報取得工程を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る光電変換素子の実装位置情報取得方法および光電変換モジュールの製造方法の実施形態を、図面を参照して説明する。
【００１５】
＜全体構造＞
図１は本発明の光電変換モジュールの製造方法により製造され得る光電変換モジュールの断面図である。図１に示したように、光電変換モジュールは、樹脂製のフェルール１０と、フェルール１０に搭載された光電変換素子２０とを備えている。
【００１６】
フェルール１０は略直方体状の部材であり、一側面には光電変換素子２０が搭載される素子搭載面１１が形成されている。この素子搭載面１１には、長手方向に貫通し光ファイバ３０が挿通される挿通孔１２の開口１２ａが形成されている。また、素子搭載面１１には導通部材であるリードフレーム４０が設けられている。
【００１７】
素子搭載面１１に搭載されたリードフレーム４０は素子搭載面１１と隣接する面まで延出し、光電変換素子２０を駆動するＩＣまたはＴＩＡ（Transimpedance Amplifier）といった図示せぬ制御回路と接続される接続端子が形成されている。
【００１８】
光電変換素子２０は、フォトダイオード等の受光素子や、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）等の発光素子である。光電変換素子２０は受発光面である活性層２１が素子搭載面１１と対向するようにフェルール１０に搭載されており、バンプ２２を介して素子搭載面１１上のリードフレーム４０に固定され、また、電気的に接続されている。
【００１９】
以上の如く構成された光電変換モジュールにおいて、光電変換素子２０が発光素子の場合、制御回路からリードフレーム４０を介して電気信号が光電変換素子２０に入力されると、その電気信号に応じて光電変換素子２０が光信号を発生させ、光信号は光ファイバ３０を通じて外部機器に伝達される。また、光電変換素子２０が受光素子の場合は、光ファイバ３０を通じて光信号が光電変換素子２０に入力されると、その光信号に応じて光電変換素子２０が電気信号を発生させ、電気信号がリードフレーム４０を介して制御回路に伝達される。
【００２０】
上述のように構成される光電変換モジュールの製造方法、およびその工程において適用され得る光電変換素子の実装位置情報取得を図２から図８を参照して説明する。
【００２１】
（フェルール用意工程）
まず、図２（ａ）に示すように、素子搭載面１１にリードフレーム４０を備えたフェルール１０を用意する。フェルール１０は、図２（ａ）に示すような配線パターンが素子搭載面１１に形成されるように、リードフレーム４０とともに一体的にインサート成型することが好ましい。
【００２２】
本実施形態においては、図２（ａ）に示すように、素子搭載面１１における配線パターンとして、素子搭載面１１に隣接し互いに対向する面の両側に延在する第１電極４１、該両側の面から開口１２ａに向かって延びる第２電極４２、第３電極４３が形成されている。もっとも、素子搭載面１１に形成する電極パターンは図示した例に限られない。
【００２３】
また、素子搭載面１１にフェルール側基準マーク１３を形成する。このフェルール側基準マーク１３はリードフレーム４０とともにインサート成型により形成したり、リードフレーム４０とは別にスパッタリング、めっき、蒸着等の手段により金属層として形成したり、あるいは単に塗料などにより描いてもよい。
【００２４】
（透明チップ用意工程）
次に、図２（ｂ）に示す透明チップ５０を用意する。この透明チップ５０は擬似的に光電変換素子２０を模したものであり、予め光電変換素子２０の代わりに透明チップ５０を素子搭載面１１に搭載し、光電変換素子２０のための位置合わせ情報を予め取得することにより、光電変換素子２０の位置決め精度を向上させようとするものである。
【００２５】
透明チップ５０は透明基板５１から形成されている。透明基板５１は、可視光やＸ線等の検査光に対して透明な材料から形成すればよく、透明材料としてアクリル樹脂等の透明樹脂を用いることもできるが、後工程でバンプの取付など加熱処理が施されるので、耐熱性や低線膨張係数に優れたホウケイ酸ガラスや石英ガラス等のガラスを用いることが好ましい。また、この透明チップ５０の外形は光電変換素子２０の外形と一致させることが好ましい。
【００２６】
透明基板５１の上には、いずれも遮光性の素子マーク５２、チップ側基準マーク５３、バンプ５４が形成されている。バンプ５４は、透明基板５１のうち、実際の光電変換素子２０に形成するバンプ２２と一致する箇所に設けられている。本例では、バンプ５４は、それぞれ第１電極４１に接する２箇所、第２電極に接する１箇所に形成されている。
【００２７】
素子マーク５２は透明基板５１上のうち、光電変換素子２０がフェルール１０に取り付けられたときに活性層２１が占める位置に形成される。この素子マーク５２は光電変換素子２０の活性層２１を模したものである。素子マーク５２は後述するように検査光により影を観察するものなので、検査光に対し透明基板５１より透過率が低くなるよう構成されており、遮光性を備えたものであることが好ましい。
【００２８】
チップ側基準マーク５３は、透明チップ５０を素子搭載面１１の基準位置に搭載する際に、目安となるマークである。具体的には、後述するように透明チップ５０を素子搭載面１１に搭載する際に、チップ側基準マーク５３をフェルール側基準マーク１３に一致させるように配置することにより、透明チップ５０をフェルール１０の基準位置に搭載する。
【００２９】
これら素子マーク５２及びチップ側基準マーク５３は、スパッタリング、めっき、蒸着等の手段により金属層として形成したり、あるいは単に塗料などにより描いてもよい。金属の場合には、例えば金を用いることができる。
【００３０】
（透明チップ載置工程）
次に、図３の如く透明チップ５０をフェルール１０の素子搭載面１１に搭載する。まず、チップ側基準マーク５３をフェルール側基準マーク１３と一致させて、透明チップ５０を素子搭載面１１の基準位置に配置する。
【００３１】
なお、本実施形態ではチップ側基準マーク５３をフェルール側基準マーク１３に一致させて透明チップ５０を基準位置に配置したが、例えば、透明チップ５０をフェルール１０に搭載するチップマウンタに任意の初期搭載位置を設定しておき、これを基準位置としてもよい。
【００３２】
このように、単に透明チップ５０を基準位置に配置しただけでは、図４（ａ）に示すように、透明チップ５０の素子マーク５２の中心Ｂが、フェルール１０の開口１２ａの中心Ａからずれていることがある。そこで、図４（ｂ）に示すように素子マーク５２の中心Ｂと開口１２ａの中心Ａとが一致するように微調整する必要がある。
【００３３】
（位置合わせ情報取得工程）
図５は透明チップ５０の位置をフェルール１０に対して微調整し、位置合わせ情報を取得する工程を示す模式図である。図５に示すように、検査光として可視光を発する光源６０をフェルール１０の素子搭載面１１とは反対側に配置し、開口１２ａに向けてカメラ７０を素子搭載面１１側に配置する。また、カメラ７０により挿通孔１２及び透明チップ５０を通過してきた光を撮像する。このとき、カメラ７０が素子搭載面１１を正面から撮像できるように、カメラ７０の光軸Ａｘを素子搭載面１１に対して直交するようにカメラ７０を設置することが好ましい。
【００３４】
光源６０から発せられフェルール１０を通過する光のうち、挿通孔１２を通過した光はそれほど減衰しないが、フェルール１０の挿通孔１２以外の領域を通過した光は大きく減衰するか遮蔽される。なお、フェルール１０を通過し透明チップ５０に入射した光は、素子マーク５２によって遮られるが、素子マーク５２以外の領域を透過する。したがって、カメラ７０により開口１２ａ近傍を撮像すると開口１２ａが明るく見え、また、素子マーク５２により光が遮られて、カメラ７０には図４（ａ），４（ｂ）に示すように素子マーク５２の影が映し出される。
【００３５】
そこで、このように明瞭に映し出された素子マーク５２の影と、開口１２ａの輪郭とを比較し、素子搭載面１１側から観察される素子マーク５２の影の中心Ｂと開口１２ａの中心Ａとのずれ量を位置合わせ情報として取得し、記録しておく。すなわち、位置合わせ情報とは、互いの中心Ａ，Ｂが一致した目標位置と基準位置とのずれ量である。例えばＸ−Ｙテーブルを用いたチップマウンタにより透明チップ５０をフェルール１０に搭載する場合には、基準位置からのＸ座標のずれ量及びＹ座標のずれ量をチップマウンタの記憶装置に記憶させておく。
【００３６】
このように素子マーク５２と開口１２ａの輪郭とを比較しながら位置合わせ情報を取得するために、素子マーク５２は開口１２ａよりも小さく形成する。素子マーク５２が開口１２ａよりも大きな場合は、開口１２ａ全体が素子マーク５２により遮光されてしまい、互いの中心Ａ，Ｂのずれ量を観察できなくなるからである。
【００３７】
なお、素子マーク５２を図示したような円形ではなく、矩形等の様々な形状に形成してもよい。その場合でも、素子マーク５２の中心Ｂに最も近い素子マーク５２の外縁と中心Ｂとの距離を開口１２ａの半径よりも小さく設定する。このために、素子マーク５２の面積を開口１２ａの面積のおよそ半分以下とすることが好ましい。このようにすれば、素子搭載面１１側から観察される素子マーク５２の影の中心Ｂと開口１２ａの中心Ａとのずれ量を容易に取得できる。
【００３８】
また、素子マーク５２と開口１２ａの開口との比較を容易とするために、素子マーク５２は開口１２ａの外形と相似形状とすることが好ましい。両者が相似形状であれば、例えば素子マーク５２の影の周りに形成される開口１２ａの輪郭との隙間を素子マーク５２の影の全周にわたって一様にするように両者を相対移動することにより、容易に両者の中心Ａ，Ｂを一致させることができるからである。
【００３９】
なお、上述したようにフェルール１０の透過光により素子搭載面１１を観察する方法の他に、図６に示したように、素子搭載面１１側に光源６０を配置し、素子搭載面１１からの反射光をカメラ７０で撮像することも考えられる。しかし、図６に示した構成では、光源６０から開口１２ａの縁部に当たった光が乱反射してしまいカメラ７０で撮像した開口１２ａの輪郭がぼやけてしまう。従って、透過光により素子搭載面１１を観察する方法が好ましい。
【００４０】
（光電変換モジュールの製造方法）
次に、上記の光電変換素子の実装位置情報取得方法に基づいて取得した位置合わせ情報を用いて、図７に示すように、光電変換素子２０を素子搭載面１１に搭載する。本実施形態においては、まず、透明チップ５０が搭載されていない新たなフェルール１０を用意する。次に、素子搭載面１１の基準位置と、透明チップ５０を用いて取得した位置合わせ情報を元に、光電変換素子２０を目標位置に配置する。
【００４１】
その結果、透明チップ５０の素子マーク５２は光電変換素子２０の活性層２１と一致する位置に形成されているので、素子マーク５２の影の中心Ｂが開口１２ａの中心Ａと一致された目標位置においては、光電変換素子２０の活性層２１の中心が開口１２ａの中心Ａに一致することになる。
【００４２】
光電変換素子２０を目標位置に配置したら、光電変換素子２０をバンプ２２によりリードフレーム４０に固定し、更に挿通孔１２に光ファイバ３０を挿入し固定して、図１に示す光電変換モジュールを作成する。
【００４３】
光電変換素子２０をフェルール１０に搭載する際は、活性層２１を素子搭載面１１に向けて搭載するので、外側からでは活性層２１が光ファイバ３０の光軸上に位置されていることを視認できない。しかし、本実施形態のように、透明チップ５０を用いて活性層２１が光ファイバ３０の光軸上に位置するように正確な搭載位置を取得することにより、信頼性の高く変換効率の高い光電変換モジュールを安定して提供することができる。
【００４４】
また、本実施形態に係る光電変換モジュールの製造方法によれば、位置合わせ情報を取得する際に、透過光により開口１２ａの中に浮かび上がる素子マーク５２の影を観察するので、両者の輪郭を明確に認識して正確な位置合わせ情報を取得できる。また、素子マーク５２は開口１２ａよりも小さいので、素子マーク５２の影と開口１２ａとを比較することが容易であり、正確な位置合わせ情報を取得することができる。よって、正確な位置合わせ情報をもとに光電変換素子２０をフェルール１０に対して高い位置決め精度で搭載することができるので、高い変換効率を備えた光電変換モジュールを安定して提供することができる。
【００４５】
以上、本発明をその実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に多様な変更または改良を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
【００４６】
上述の実施形態では、可視光を照射する光源と可視光を透過する透明基板とを用いて位置合わせ情報を取得したが、Ｘ線光源等と、これら光源からの光を透過する透明基板とを用いて位置合わせ情報を取得するように構成してもよい。
【００４７】
上述の実施形態では、透明チップ５０をフェルール１０に取り付けて位置あわせ情報を取得した後、この位置合わせ情報を用いて別のフェルール１０に光電変換素子２０を搭載する例を挙げて説明したが、本発明はこの例に限られない。例えば、特定のフェルール１０に対して透明チップ５０を用いて位置合わせ情報を取得した後、透明チップ５０を取り外して、同一のフェルール１０に取得した位置合わせ情報を用いて光電変換素子２０を取り付けるようにしてもよい。
【００４８】
＜変形例＞
また、上述の実施形態では、素子搭載面１１が挿通孔１２の長手方向に対して直交して形成された例を挙げて説明したが、図８に示す素子搭載面１４が挿通孔１２の長手方向に対して直交する面から傾いて形成された光電変換モジュールにおいても、本発明を好適に適用できる。
【００４９】
図８に示すように、本変形例に係る光電変換モジュールの素子搭載面１４は挿通孔１２の長手方向と直交する面に対して傾いて形成されている。一方、カメラ７０は素子搭載面１１を正面から撮像できるように、カメラ７０の光軸Ａｘを素子搭載面１１に対して直交するようにカメラ７０を設置する。そのため、光源６０からの光の一部は挿通孔１２の内壁により遮蔽され、カメラ７０により撮像できない。したがって、カメラ７０で開口１２ａを撮像すると、図９（ａ），９（ｂ）に示すように円形の一部が欠けた形状の開口１２ａが撮像される。素子搭載面１４の傾斜角度が大きくなるほど、撮像される開口１２ａは大きく欠けることになる。
【００５０】
このように一部が欠けた像がカメラ７０により観察されることになるが、素子マーク５２の影の中心Ｂと開口１２ａの中心Ａとを認識することができれば、図９（ｂ）に示すように両者を一致させるように位置合わせ情報を取得することができる。
【００５１】
なお、開口１２ａが欠けないように撮像するため、図１０に示すように、カメラ７０の光軸Ａｘを挿通孔１２と一致させてカメラ７０を配置することが考えられる。しかしこの場合は、カメラ７０が傾いて素子搭載面１４を観察することになり、正面から素子搭載面１４を観察できないので、素子搭載面１４に対する素子マーク５２の正確な位置を把握できない。したがって、観察方向であるカメラ７０の光軸方向を素子搭載面１４と直交させた状態で、位置合わせ情報を取得することが好ましい。
【００５２】
なお、上述の説明では、透明チップ５０を光電変換素子２０のフェルール１０に対する位置合わせ情報を取得するものとして説明したが、透明チップ５０は他の用途にも用いることができる。
【００５３】
例えば、リードフレーム４０の配線パターンと光電変換素子２０に形成するバンプ２２の位置とが整合しているかを、透明チップ５０をフェルール１０に搭載した後、バンプ５４とリードフレーム４０との導通試験により、確認することができる。もっとも、透明チップ５０を単に光電変換素子２０の位置合わせ情報を取得するためだけに用いるのであれば、バンプ５４を備えない透明チップ５０を用いてもよい。
【００５４】
また、光ファイバ３０をフェルール１０に固定するアンダーフィルと呼ばれる接着剤の接着状況を確認するために用いることもできる。例えば、接着剤をファイバ挿通孔１２に導入し光ファイバ３０をファイバ挿通孔１２に挿入すると、接着剤は開口１２ａから溢れ出し透明チップ５０と素子搭載面１１，１４との間に流れ出し、透明チップ５０と光ファイバ３０の先端との間の隙間を埋めて光電変換素子２０と光ファイバ３０との間に異物が侵入することを防止する。この接着剤が良好に該隙間を埋めるように流れるか否かを、透明チップ５０を用いて確認することができる。
【００５５】
この場合、透明チップ５０は透明なので、接着剤が隙間を確実に埋めているか、あるいは、隙間に気泡が生じることなく導入されているか否かを外部から視認することにより、容易に確認することができる。これにより、フェルール１０、光電変換素子２０あるいはリードフレーム４０が適切な形状であるか否かを検討することができる。
【符号の説明】
【００５６】
１０：フェルール、１１，１４：素子搭載面、１２：挿通孔（ファイバ挿通孔）、１２ａ：開口、Ａ：開口中心、１３：フェルール側基準マーク、２０：光電変換素子、２１：活性層、２２：バンプ、３０：光ファイバ、４０：リードフレーム、４１：第１電極、４２：第２電極、４３：第３電極、５０：透明チップ、５１：チップ基板、５２：素子マーク、Ｂ：素子マーク中心、５３：チップ側基準マーク、５４：バンプ、６０：光源、７０：カメラ、Ａｘ：カメラ光軸
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子が搭載される素子搭載面と、前記素子搭載面に開口が設けられたファイバ挿通孔が貫通形成されたフェルールを用意するフェルール用意工程と、
中心から最も近い外縁と前記中心との距離が前記開口の半径より小さい素子マークが設けられ検査光を透過する透明チップを、前記素子搭載面に載置する透明チップ載置工程と、
検査光を前記素子搭載面の反対側から前記ファイバ挿通孔に入射して前記透明チップを透過させ、前記素子搭載面側から観察される前記素子マークの影の中心と、前記ファイバ挿通孔の前記開口の中心とのずれ量を位置合わせ情報として取得する位置合わせ情報取得工程と、
を有する光電変換素子の実装位置情報取得方法。
【請求項２】
前記素子マークは前記開口と相似形状であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換素子の実装位置情報取得方法。
【請求項３】
前記素子マークの面積は、前記開口の面積の半分以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換素子の実装位置情報取得方法。
【請求項４】
前記素子マークは前記透明チップに形成された金属層であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の光電変換素子の実装位置情報取得方法。
【請求項５】
前記透明チップは、可視光を透過するガラスから形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の光電変換素子の実装位置情報取得方法。
【請求項６】
前記素子搭載面は、前記ファイバ挿通孔の軸方向と直交する面に対して傾いていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の光電変換素子の実装位置情報取得方法。
【請求項７】
前記位置合わせ情報取得工程において、観察方向を前記素子搭載面と直交させた状態で、前記位置合わせ情報を取得することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の光電変換素子の実装位置情報取得方法。
【請求項８】
光電変換素子と、
前記光電変換素子が搭載される素子搭載面を備え、前記素子搭載面に開口が設けられたファイバ挿通孔が貫通形成されたフェルールと、を備えた光電変換モジュールの製造方法であって、
請求項１から７のいずれか一項に記載の光電変換素子の実装位置情報取得方法に基づいて前記位置合わせ情報を取得する位置合わせ情報取得工程と、
光電変換素子および前記フェルールを用意する工程と、
前記位置合わせ情報を用いて、前記フェルールと前記光電変換素子とを位置合わせし、前記光電変換素子を前記素子搭載面に搭載する素子搭載工程と、を有する光電変換モジュールの製造方法。
【請求項１】
光電変換素子が搭載される素子搭載面と、前記素子搭載面に開口が設けられたファイバ挿通孔が貫通形成されたフェルールを用意するフェルール用意工程と、
中心から最も近い外縁と前記中心との距離が前記開口の半径より小さい素子マークが設けられ検査光を透過する透明チップを、前記素子搭載面に載置する透明チップ載置工程と、
検査光を前記素子搭載面の反対側から前記ファイバ挿通孔に入射して前記透明チップを透過させ、前記素子搭載面側から観察される前記素子マークの影の中心と、前記ファイバ挿通孔の前記開口の中心とのずれ量を位置合わせ情報として取得する位置合わせ情報取得工程と、
を有する光電変換素子の実装位置情報取得方法。
【請求項２】
前記素子マークは前記開口と相似形状であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換素子の実装位置情報取得方法。
【請求項３】
前記素子マークの面積は、前記開口の面積の半分以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換素子の実装位置情報取得方法。
【請求項４】
前記素子マークは前記透明チップに形成された金属層であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の光電変換素子の実装位置情報取得方法。
【請求項５】
前記透明チップは、可視光を透過するガラスから形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の光電変換素子の実装位置情報取得方法。
【請求項６】
前記素子搭載面は、前記ファイバ挿通孔の軸方向と直交する面に対して傾いていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の光電変換素子の実装位置情報取得方法。
【請求項７】
前記位置合わせ情報取得工程において、観察方向を前記素子搭載面と直交させた状態で、前記位置合わせ情報を取得することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の光電変換素子の実装位置情報取得方法。
【請求項８】
光電変換素子と、
前記光電変換素子が搭載される素子搭載面を備え、前記素子搭載面に開口が設けられたファイバ挿通孔が貫通形成されたフェルールと、を備えた光電変換モジュールの製造方法であって、
請求項１から７のいずれか一項に記載の光電変換素子の実装位置情報取得方法に基づいて前記位置合わせ情報を取得する位置合わせ情報取得工程と、
光電変換素子および前記フェルールを用意する工程と、
前記位置合わせ情報を用いて、前記フェルールと前記光電変換素子とを位置合わせし、前記光電変換素子を前記素子搭載面に搭載する素子搭載工程と、を有する光電変換モジュールの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１３−１６７１６（Ｐ２０１３−１６７１６Ａ）
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１４９６５７（Ｐ２０１１−１４９６５７）
【出願日】平成２３年７月６日（２０１１．７．６）
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月６日（２０１１．７．６）
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【Ｆターム（参考）】
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