化合物及び該化合物を含む膜
【課題】膜化されるだけで、特別な処理を必要とせず、強い円偏光発光性を示す化合物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物から水素原子２〜６個が除かれている２〜６価の基を繰り返し単位として含有する化合物。
【化１】
（式中、Ａｒ1は、環状構造中に７〜５０個のｓｐ2炭素原子を有しているｎ1＋ｎ2価の環状炭化水素基である。Ｒ1は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有している有機基であり、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。Ｒ2は、ハロゲン原子又は有機基である。ｎ1は１以上の整数である。ｎ2は０以上の整数である。ｎ1個のＲ1とｎ2個のＲ2はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。ｎ2が２以上のとき、ｎ2個のＲ2のうち任意の２個以上が結合して環を形成していてもよい。）
【解決手段】下記式（１）で表される化合物から水素原子２〜６個が除かれている２〜６価の基を繰り返し単位として含有する化合物。
【化１】
（式中、Ａｒ1は、環状構造中に７〜５０個のｓｐ2炭素原子を有しているｎ1＋ｎ2価の環状炭化水素基である。Ｒ1は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有している有機基であり、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。Ｒ2は、ハロゲン原子又は有機基である。ｎ1は１以上の整数である。ｎ2は０以上の整数である。ｎ1個のＲ1とｎ2個のＲ2はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。ｎ2が２以上のとき、ｎ2個のＲ2のうち任意の２個以上が結合して環を形成していてもよい。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、円偏光発光性を示す化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
円偏光発光材料は、近年普及し始めた３Ｄテレビをはじめとする様々な表示デバイスに応用が期待される材料である。この材料としては、例えば、単独で円偏光発光性を示す発光材料となり得る化合物が、種々検討されている（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ３５，６７９２−６７９８ （２００２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、公知の化合物は、強い円偏光発光性を実現するためには、化合物を膜化した後、分子配列を制御するための特別な処理が必要である。
【０００５】
そこで、本発明は、膜化するだけで、特別な処理を必要とせず、強い円偏光発光性を示す化合物を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明者らは鋭意検討した結果、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
本発明は、下記〔１〕〜〔１０〕を提供する。
〔１〕下記式（１）で表される化合物から水素原子２〜６個が除かれている２〜６価の基を繰り返し単位として含有する化合物。
【化１】
（式中、Ａｒ1は、環状構造中に７〜５０個のｓｐ2炭素原子を有しているｎ1＋ｎ2価の環状炭化水素基である。Ｒ1は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有している有機基であり、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。Ｒ2は、ハロゲン原子又は有機基である。ｎ1は１以上の整数である。ｎ2は０以上の整数である。ｎ1個のＲ1とｎ2個のＲ2はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。ｎ2が２以上のとき、ｎ2個のＲ2のうち任意の２個以上が結合して環を形成してもよい。）
〔２〕下記式（２）で表される化合物から水素原子２〜６個が除かれている２〜６価の基を繰り返し単位として含有する化合物。
【化２】
（式中、Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立に有機基である。Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも一方は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有しており、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビル一置換アミノ基、ヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよいヒドロカルビルメルカプト基である。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10のうち任意の２個以上は、結合して環を形成していてもよい。）
〔３〕前記繰り返し単位が、前記式（２）で表される化合物におけるＲ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10に含まれる水素原子から選ばれる２〜６個が除かれている、２〜６価の基である、上記〔２〕に記載の化合物。
〔４〕前記Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10に含まれる水素原子から選ばれる２〜６個が、前記Ｒ4に含まれる水素原子１個以上及び前記Ｒ9に含まれる水素原子１個以上を含む、上記〔３〕に記載の化合物。
〔５〕前記不斉炭素原子を有している環状炭化水素基が、下記式ａ１〜ａ１７で表される環状炭化水素基から選ばれる基である、上記〔２〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の化合物。
【化３】
（式中、＊は水素原子が１個除かれて置換されている部位を示す。式中の＊以外の水素原子は、置換されていてもよい。）
〔６〕前記Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも一方が、前記式ａ１〜ａ１７で表される環状炭化水素基から選ばれる基であるか、或いは、前記式ａ１〜ａ１７で表される環状炭化水素基から選ばれる基をその一部に含むヒドロカルビル基である、上記〔５〕に記載の化合物。
〔７〕前記Ｒ12がヒドロカルビル基であり、且つ、前記Ｒ3及び前記Ｒ10が水素原子である、上記〔２〕〜〔６〕のいずれか一項に記載の化合物。
〔８〕下記式（３）で表される繰り返し単位及び／又は下記式（４）で表される繰り返し単位を更に含有する、上記〔１〕〜〔７〕のいずれか一項に記載の化合物。
【化４】
（式中、Ａｒ2は、置換基を有していてもよい２価の芳香族基又は置換基を有していてもよい２価のアミン残基である。Ｘは、置換基を有してもいてよいシリレン基、置換基を有していてもよいエチレン基、置換基を有していてもよいエテニレン基、又はエチニレン基である。ｍ1及びｍ2は、それぞれ独立に０以上の整数である。ｍ1及びｍ2の少なくとも１個は１以上の整数である。ｍ1及び／又はｍ2が２以上であるとき、ｍ1個存在するＡｒ2及び／又はｍ2個存在するＸは、同じでも異なっていてもよい。）
【化５】
（式中、Ａｒ2の定義は式（３）中のＡｒ2と同じである。ｍ5は１以上の整数である。）
〔９〕前記〔１〕〜〔８〕のいずれか一項に記載の化合物を含む膜。
〔１０〕前記〔９〕に記載の膜を含む発光素子。
〔１１〕前記〔１０〕に記載の発光素子を含むディスプレイ装置。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の化合物は、膜化するだけで、熱処理などの特別な工程を経なくとも、強い円偏光発光性を示す化合物である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を説明する。
【００１０】
本明細書において、「置換されていてもよい」及び「置換基を有していてもよい」とは、その直後に記載された基を構成する水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよいことを意味する。前記置換基は、特に説明されていない場合は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルオキシ基及び炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルメルカプト基が例示され、これらの中でも、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルオキシ基又は炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルメルカプト基が好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基又は炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基がより好ましく、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基が特に好ましい。置換基の数は１個又は複数個であり、複数個の場合には各置換基は同一でも異なっていてもよい。
【００１１】
本明細書において「有機基」とは、特に説明されていない場合には、炭素原子及び水素原子から主に構成される基を示す。
【００１２】
本明細書において、「水素原子ｎx個が除かれているｎx価の基」（ｎxは整数を表す）の意味について、以下説明する。例えば、−ＣＨ3部位を有する化合物（Ｒ−ＣＨ3、Ｒは「−ＣＨ3部位を有する化合物」における−ＣＨ3以外の構造である。）において−ＣＨ3部位中の水素原子が１〜３個除かれている１〜３価の基を示すと、「水素原子が１個除かれている１価の基はＲ−ＣＨ2−であり、水素原子が２個除かれている場合はＲ−ＣＨ＝であり、水素原子が３個除かれている場合はＲ−Ｃ≡である。同様に、例えば、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3部位を有する化合物（Ｒ’−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、Ｒ’は「−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3部位を有する化合物」における−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3以外の構造である。）において、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3部位中の水素原子が１〜３個除かれている１〜３価の基を示すと、１位の水素原子が１個除かれている１価の基はＲ’−ＣＨ（ＣＨ2ＣＨ3）−であり、１位の水素原子が２個除かれている２価の基はＲ’−Ｃ（ＣＨ2ＣＨ3）＝であり、１位の水素原子２個と３位の水素原子１個とが除かれている３価の基はＲ’−Ｃ（ＣＨ2ＣＨ2−）＝である。
【００１３】
本発明で言う繰り返し単位とは、化合物中に２個以上含有される構成単位を意味するが、好ましくは５個以上含有される構成単位であり、より好ましくは１０個以上含有される構成単位であり、更に好ましくは２０個以上含有される構成単位であり、特に好ましくは５０個以上含有される構成単位であり、とりわけ好ましくは１００個以上含有される構成単位である。
【００１４】
本発明の化合物は、下記式（１）で表される化合物から水素原子が２〜６個除かれている２〜６価の基を繰り返し単位として含有する。
【化６】
式（１）中、Ａｒ1は、環状構造中に７〜５０個のｓｐ2炭素原子を有しているｎ1＋ｎ2価の環状炭化水素基である。Ｒ1は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有している有機基であり、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。Ｒ2は、ハロゲン原子又は有機基である。ｎ1は１以上の整数である。ｎ2は０以上の整数である。ｎ1個のＲ1とｎ2個のＲ2はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。ｎ2が２以上のとき、ｎ2個のＲ2のうち任意の２個以上が結合して環を形成していてもよい。
【００１５】
前記式（１）において、Ａｒ1は、環状構造中に７〜５０個のｓｐ2炭素原子を有している環状炭化水素（基本骨格）から、ｎ1＋ｎ2個の水素原子が除かれているｎ1＋ｎ2価の基である。Ａｒ1の基本骨格である環状炭化水素は、環状構造を有し、かつ該環状構造中に７〜５０個の、好ましくは９〜３０個の、より好ましくは１２〜２０個のｓｐ2炭素原子を有している。Ａｒ1の環状炭化水素は、ｓｐ2炭素原子以外の原子（例えば、ｓｐ2炭素原子以外の炭素原子、及び、炭素原子以外の原子）を含んでいてもよい。
【００１６】
Ａｒ1の基本骨格である環状炭化水素としては、例えば、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、テルフェニル環、フェナントレン環、ピレン環、ベンゾピレン環、ペンタレン環、クリセン環、トリフェニレン環、コロネン環、ペリレン環、ピセン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、ジベンゾフルオレン環、フルオランテン環、ベンゾフルオランテン環、アセナフテン環、アセナフチレン環及びアズレン環が挙げられ、好ましくはナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、テルフェニル環、フェナントレン環、ピレン環、ベンゾピレン環、トリフェニレン環、コロネン環、ペリレン環、フルオレン環、ジベンゾフルオレン環、フルオランテン環又はベンゾフルオランテン環であり、より好ましくはナフタレン環、アントラセン環、ペンタセン環、テルフェニル環、ピレン環、トリフェニレン環、ペリレン環、フルオレン環、ジベンゾフルオレン環又はベンゾフルオランテン環であり、更に好ましくはナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、ジベンゾフルオレン環又はベンゾフルオランテン環であり、特に好ましくはナフタレン環、フルオレン環又はジベンゾフルオレン環であり、とりわけ好ましくはフルオレン環である。
【００１７】
前記式（１）において、Ｒ1及びＲ2は、共に、Ａｒ1が有し得る置換基である。
【００１８】
Ｒ1は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有している有機基であり、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。Ｒ1に含有されている環状炭化水素基は、不斉炭素原子を１個以上有し、好ましくは１〜１５個有し、より好ましくは１〜３個有している。Ｒ1に含有されている、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基の例及び好ましい例は、後述の式（２）中のＲ11及びＲ12における説明中の、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基の例及び好ましい例と同様である。Ｒ1は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を、その一部に含有している有機基であればよく、Ｒ1の全部が上述の環状炭化水素基（Ｒ1自体が上述の環状炭化水素基）であってもよい。Ｒ1としての有機基は、炭素原子、水素原子、ハロゲン原子、酸素原子及び窒素原子以外の原子を含まないものである。
【００１９】
Ｒ2は、ハロゲン原子又は有機基であり、好ましくは、ハロゲン原子、置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビル一置換アミノ基、ヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよいヒドロカルビルメルカプト基である。Ｒ2は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有していないことが好ましい。即ち、Ｒ2とＲ1とは別個の構造であることが好ましい。
【００２０】
前記式（１）において、ｎ1及びｎ2は、それぞれ、Ａｒ1が有しているＲ1及びＲ2の数を意味する。
【００２１】
ｎ1は１以上の整数であり、好ましくは１〜１０、より好ましくは１又は２である。よって、式（１）で表される化合物には、Ｒ1が１個以上含まれる。
【００２２】
ｎ2は０以上の整数であり、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜１０である。よって、式（１）で表される化合物には、Ｒ2は含まれていなくてもよく、また、１個以上含まれていてもよい。
【００２３】
ｎ1個のＲ1とｎ2個のＲ2はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。即ち、Ｒ1とＲ2とはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。またｎ1が２以上のとき、ｎ1個のＲ1はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。更にｎ2が２以上のとき、ｎ2個のＲ2はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
【００２４】
ｎ2が２以上のとき、ｎ2個のＲ2のうち任意の２個以上が結合して環を形成していてもよい。
【００２５】
本発明の化合物は、式（１）で表される化合物から水素原子が２〜６個除かれている２〜６個の基を繰り返し単位として含有する。式（１）で表される化合物における水素原子が除かれる部位は、式（１）中のＡｒ1、Ｒ1及びＲ2から選ばれるいずれかの部位であればよいが、Ａｒ1及びＲ2から選ばれる部位であることが好ましい。
【００２６】
式（１）で表される化合物は、下記式（２）で表される化合物であることが好ましい。即ち、本発明の化合物は、下記式（２）で表される化合物から水素原子２〜６個が除かれている２〜６価の基を繰り返し単位として含有することが好ましい。
【化７】
式（２）中、Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立に有機基である。Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも一方は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有しており、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビル一置換アミノ基、ヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよいヒドロカルビルメルカプト基である。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10のうち任意の２個以上は、結合して環を形成していてもよい。
【００２７】
式（１）で表される化合物が上記式（２）で表される化合物で表される化合物の場合には、本発明の化合物に含有される繰り返し単位は、式（２）で表される化合物から水素原子２〜６個が除かれている２〜６価の基である。式（２）で表される化合物において、除かれる水素原子は、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10に含まれる水素原子から選ばれるいずれかであればよいが、好ましくは、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10に含まれる水素原子から選ばれるいずれかである。
【００２８】
より好ましくは、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10に含まれる水素原子から選ばれるいずれかであり、且つ、Ｒ4に含まれる水素原子のうちの１個以上及びＲ9に含まれる水素原子のうちの１個以上を含む部位である。
【００２９】
式（２）で表される化合物において水素原子が除かれている部位は、更に好ましくは、Ｒ4に含まれる水素原子１個とＲ9に含まれる水素原子１個との組み合わせ、Ｒ4に含まれる水素原子２個とＲ9に含まれる水素原子２個との組み合わせ、又は、Ｒ4に含まれる水素原子２個とＲ7に含まれる水素原子２個とＲ9に含まれる水素原子２個との組み合わせである。
【００３０】
式（２）で表される化合物において水素原子が除かれている部位は、特に好ましくは、Ｒ4に含まれる水素原子１個とＲ9に含まれる水素原子１個との組み合わせ、及び、Ｒ4に含まれる水素原子２個とＲ7に含まれる水素原子２個とＲ9に含まれる水素原子２個との組み合わせのいずれかである。
【００３１】
式（２）で表される化合物において水素原子が除かれている部位は、とりわけ好ましくは、Ｒ4に含まれる水素原子のうちの２個とＲ7に含まれる水素原子のうちの２個とＲ9に含まれる水素原子のうちの２個の組み合わせである。
【００３２】
上記式（２）で表される化合物の、Ｒ4に含まれる水素原子１個とＲ9に含まれる水素原子のうちの１個とが除かれている２価の基の繰り返し単位をｂ１に、Ｒ4に含まれる水素原子２個とＲ9に含まれる水素原子２個とが除かれている４価の基の繰り返し単位をｂ２に、Ｒ4に含まれる水素原子２個とＲ7に含まれる水素原子２個とＲ9に含まれる水素原子２個とが除かれている６価の基の繰り返し単位をｂ３に、それぞれ示す。
【化８】
式ｂ１、ｂ２及びｂ３中、Ｒ3、Ｒ5〜Ｒ8及びＲ10〜Ｒ12の定義は、前記式（２）におけるそれぞれの定義と同じである。Ｒ4-2、Ｒ7-2及びＲ9-2はそれぞれ独立に、前記式（２）におけるＲ4、Ｒ7及びＲ9であって水素原子を２個以上有する基から、水素原子２個が除かれている３価の基である。Ｒ4-1及びＲ9-1はそれぞれ独立に、前記式（２）におけるＲ4及びＲ9であって水素原子を１個以上有する基から、水素原子１個が除かれている２価の基であるか、或いは、直接結合である。
【００３３】
上記式ｂ１において好ましくは、Ｒ4-1及びＲ9-1は直接結合である。上記式ｂ２において好ましくは、Ｒ4-2及びＲ9-2はＣＨである。上記式ｂ３において好ましくは、Ｒ4-2、Ｒ7-2及びＲ9-2はＣＨである。
【００３４】
Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立に有機基である。Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも１個は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有しており、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。即ち、Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも１個は、式（１）におけるＲ1に相当する。Ｒ11及びＲ12のうち一方（例えば、Ｒ11のみ）が、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有していることが好ましい。Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも１個は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を、その一部に含有している有機基であればよく、Ｒ11の全部が、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基であってもよい。
【００３５】
Ｒ11及びＲ12の有機基のうち少なくとも１個が含有し得る、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基は、下記ａ１〜ａ３１で表される環状炭化水素基のいずれかであることが好ましい。即ち、Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも１個は、下記式ａ１〜ａ３１で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基をその一部に含む有機基、又は、下記式ａ１〜ａ３１で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基であることが好ましい。
【化９】
【化１０】
（式中、＊は水素原子が１個除かれて置換されている部位を示す。式中の＊以外の水素原子は、置換されていてもよい。）
【００３６】
式ａ１〜ａ３１で表される環状炭化水素基のうち、好ましくは式ａ１〜ａ２０で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基であり、より好ましくは式ａ１〜ａ１７で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基であり、更に好ましくは式ａ１〜ａ１１で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基であり、特に好ましくは式ａ４〜ａ１１で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基であり、とりわけ好ましくは式ａ４、ａ６、ａ８及びａ１０で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基である。
【００３７】
式ａ１〜ａ３１には立体配座を記載していないが、式ａ１〜ａ３１で表される環状炭化水素基は任意の立体配座をとっていてもよい。式ａ１〜ａ３１で表される環状炭化水素基の光学純度は、１％以上であることが好ましく、１０％以上であることがより好ましく、５０％以上であることが更に好ましく、９０％以上であることが特に好ましく、９９％以上であることがとりわけ好ましい。
【００３８】
不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有している有機基は、炭素原子及び水素原子の他に、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などの原子を含んでいてもよい。好ましくは、炭素原子、水素原子、酸素原子、窒素原子及びフッ素原子からなる群から選ばれる原子で構成され、より好ましくは炭素原子、水素原子、酸素原子及びフッ素原子からなる群から選ばれる原子で構成され、更に好ましくはＲ11は炭素原子、水素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる原子で構成され、特に好ましくは、Ｒ11は炭素原子と水素原子とから選ばれる原子で構成される、即ちヒドロカルビル基である。まとめると、Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも一方（例えば、Ｒ11のみ）は、式ａ１〜ａ３１で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基であるか、或いは式ａ１〜ａ３１で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基をその一部に含有しているヒドロカルビル基であることが好ましい。
【００３９】
Ｒ11として好ましくは、Ｒ11の全部が置換されていてもよく不斉炭素原子を有している上記式ａ１〜ａ３１で表される構造から水素原子１個が除かれている１価の環状炭化水素基である。より好ましくは、上記式ａ１〜ａ３１で表される構造中の＊部位が上記（２）におけるフルオレン環の９位の炭素原子に結合する。
【００４０】
Ｒ11及びＲ12はいずれも有機基であるが、少なくとも一方は、上述したような、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有しない有機基であることが好ましい。該有機基としては、例えば、置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビル一置換アミノ基、ヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよいヒドロカルビルメルカプト基が挙げられる。
【００４１】
該有機基は、好ましくは置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよいヒドロカルビルメルカプト基であり、より好ましくは置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビル二置換アミノ基であり、更に好ましくは置換されていてもよいヒドロカルビル基又は置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基であり、特に好ましくは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。
【００４２】
前記ヒドロカルビル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の、炭素原子数１〜５０の直鎖状アルキル基；、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、２，２−ジメチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−エチルプロピル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、２，３，３−トリメチルプロピル基、２，２，３−トリメチルプロピル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、１，２−ジメチルペンチル基、１，３−ジメチルペンチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，４−ジメチルペンチル基、１−エチルペンチル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、１−プロピルブチル基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−プロピル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、６−メチルヘプチル基、１，２−ジメチルヘキシル基、１，３−ジメチルヘキシル基、１，４−ジメチルヘキシル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２，３−ジメチルヘキシル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、３，４−ジメチルヘキシル基、３，５−ジメチルヘキシル基、４，５−ジメチルヘキシル基、１−エチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、１−イソプロピルペンチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基、２，５−ジメチルヘプチル基、１−エチルヘプチル基、１−イソプロピル−２−メチルブチル基、１−イソプロピル−３−メチルブチル基、１−メチルオクチル基、１−プロピルヘキシル基、１−イソブチル−３−メチルブチル基、３，７−ジメチルオクチル基等の、炭素原子数３〜５０の分岐状アルキル基；、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基等の、炭素原子数２〜５０のアルケニル基；、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基等の、炭素原子数６〜５０のアリール基；フェニルメチル基、１−フェニレンエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニル−１−プロピル基、１−フェニル−２−プロピル基、２−フェニル−２−プロピル基、３−フェニル−１−プロピル基、４−フェニル−１−ブチル基、５−フェニル−１−ペンチル基、６−フェニル−１−ヘキシル基等の、炭素原子数７〜５０のアラルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基であり、より好ましくは炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基であり、更に好ましくは炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基であり、特に好ましくは炭素原子数１〜８のヒドロカルビル基であり、とりわけ好ましくは炭素原子数５〜８のヒドロカルビル基である。
【００４３】
前記ヒドロカルビルオキシ基は、ヒドロキシ基における水素原子が前記ヒドロカルビル基で置換されてなる基である。
【００４４】
前記ヒドロカルビル一置換アミノ基は、アミノ基中の水素原子１個が前記ヒドロカルビル基１個で置換されている基である。
【００４５】
前記ヒドロカルビル二置換アミノ基は、アミノ基中の水素原子２個が前記ヒドロカルビル基２個で置換されている基である。該ヒドロカルビル基２個は同一であっても異なっていてもよい。
【００４６】
前記ヒドロカルビルメルカプト基は、メルカプト基中の水素原子が前記ヒドロカルビル基で置換されている基である。
【００４７】
式（２）中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビル一置換アミノ基、ヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよいヒドロカルビルメルカプト基である。
【００４８】
Ｒ3及びＲ10は少なくともいずれか一方が、好ましくは水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基、置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル一置換アミノ基、炭素原子数２〜５０のヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビルメルカプト基であり、より好ましくは水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基、置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルオキシ基又は炭素原子数２〜３０のヒドロカルビル二置換アミノ基であり、更に好ましくは水素原子、フッ素原子、置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基又は置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基であり、特に好ましくは水素原子、フッ素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜８のヒドロカルビル基であり、とりわけ好ましくは水素原子である。
【００４９】
Ｒ12は、好ましくはヒドロカルビル基である。Ｒ12がヒドロカルビル基であり、かつ、Ｒ3及びＲ10が水素原子である組み合わせがより好ましい。
【００５０】
Ｒ4〜Ｒ9はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビル一置換アミノ基、ヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよいヒドロカルビルメルカプト基である。好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基、置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル一置換アミノ基、炭素原子数２〜５０のヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビルメルカプト基であり、より好ましくは水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基、置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルオキシ基又は炭素原子数２〜３０のヒドロカルビル二置換アミノ基であり、更に好ましくは水素原子、フッ素原子、置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基又は置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基であり、特に好ましくは水素原子、フッ素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜８のヒドロカルビル基であり、とりわけ好ましくはメチル基又は水素原子である。
【００５１】
Ｒ3〜Ｒ10のうち任意の２個以上は、結合して環を形成してもよい。例えば、Ｒ5とＲ6が共にエチレン基でありかつＲ5とＲ6が結合してベンゼン環を形成してもよく、同様に、例えば、Ｒ7とＲ8が結合して芳香環を形成してもよい。
【００５２】
本発明の化合物が含有する繰り返し単位の好ましい構造例としては、下記ｃ１〜ｃ２９が挙げられる。
【化１１】
【化１２】
【００５３】
式ｃ１〜ｃ２９で表される繰り返し単位のうち、好ましくは式ｃ１〜ｃ２４で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位であり、より好ましくは式ｃ１〜ｃ８及び式ｃ１７〜ｃ２４で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位であり、更に好ましくは式ｃ１、式ｃ３、式ｃ５、式ｃ７、式ｃ１７、式ｃ１９、式ｃ２１及び式ｃ２３で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位であり、特に好ましくは式ｃ１、式ｃ３、式ｃ１７及びｃ１９で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位であり、とりわけ好ましくは式ｃ１、式ｃ１７及びｃ１９から選ばれる繰り返し単位である。
【００５４】
本発明の化合物は、上記式（１）で表される繰り返し単位及び上記式（２）で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる１又は２以上の繰り返し単位を含有し、好ましくは１０重量％以上含有し、より好ましくは３０重量％以上含有し、更に好ましくは４０重量％以上含有し、特に好ましくは９０重量％以上含有する。
【００５５】
本発明の化合物は、ホモポリマーでもコポリマーでもよい。ここで本発明の化合物がホモポリマーであるとは、上記式（１）で表される繰り返し単位及び上記式（２）で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる特定の化学構造の繰り返し単位のみを含有することを意味する。本発明の化合物がコポリマーであるとは、上記式（１）で表される繰り返し単位及び上記式（２）で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる２以上の化学構造の繰り返し単位を含有する化合物、並びに、上記式（１）で表される繰り返し単位及び上記式（２）で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる１又は２以上の化学構造の繰り返し単位と、上記式（１）で表される繰り返し単位及び上記式（２）で表される繰り返し単位以外の、１又は２以上の繰り返し単位を含有する化合物を意味する。本発明の化合物がコポリマーである場合は、ランダムコポリマー、交互コポリマー、ブロックコポリマー、グラフトコポリマーのいずれであってもよく、ランダムコポリマー及び交互コポリマーが好ましい。ランダムコポリマーとは、上記式（１）で表される繰り返し単位及び上記式（２）で表される繰り返し単位と、その他の繰り返し単位とが、ランダムに並んでいるコポリマーを意味する。交互ポリマーとは、上記式（１）で表される繰り返し単位及び上記式（２）で表される繰り返し単位と、その他の繰り返し単位とが、交互に並んでいるコポリマーを意味する。
本発明の化合物がコポリマーである場合は、例えば、下記式（３）で表される繰り返し単位及び／又は下記式（４）で表される繰り返し単位を更に含有していてもよい。
【００５６】
【化１３】
式（３）中、Ａｒ2は、置換基を有していてもよい２価の芳香族基又は置換基を有していてもよい２価のアミン残基である。Ｘは、置換基を有してもいてよいシリレン基、置換基を有していてもよいエチレン基、置換基を有していてもよいエテニレン基、又はエチニレン基である。ｍ1及びｍ2は、それぞれ独立に０以上の整数である。ｍ1及びｍ2の少なくとも１個は１以上の整数である。ｍ1及び／又はｍ2が２以上であるとき、ｍ1個存在するＡｒ2及び／又はｍ2個存在するＸは、同じでも異なっていてもよい。
【００５７】
【化１４】
式（４）中、Ａｒ2の定義は式（３）中のＡｒ2と同じである。ｍ5は１以上の整数である。
【００５８】
前記式（３）及び（４）中のＡｒ2で表される２価の芳香族基としては、例えば、２価の芳香族炭化水素基及び２価の芳香族複素環基が挙げられる。２価の芳香族基の例としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、１，３，５−トリアジン環、１，２，４−トリアジン環、１，２，４，５−テトラジン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、１，２，５−オキサジアゾール環、１，３，４−オキサジアゾール環、２，３−ジアザフラン環、チアゾール環、イソチアゾール環、２，４−ジアザフラン環、１，３，４−チアジアゾール環、１，２，３−チアジアゾール環、１，２，４−チアジアゾール環、２Ｈ−１，２，３−トリアゾール環等の単環式芳香環から、水素原子が２個除かれている２価の基；該単環式芳香環が２個以上縮合している縮合多環式芳香環から、水素原子が２個除かれている２価の基；該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群から選ばれる２個以上の芳香環が、単結合している、或いは、エテニレン基又はエチニレン基で連結している、芳香環集合から、水素原子が２個除かれている２価の基；該縮合多環式芳香環又は該芳香環集合の、隣り合う２個の芳香環の間に、メチレン基、エチレン基、カルボニル基、イミノ基等の２価の基による架橋を有する、有橋多環式芳香環から、水素原子を２個除いた２価の基が挙げられる。
【００５９】
前記縮合多環式芳香環において、縮合する単環式芳香環の数は通常２〜６個であり、２〜５個が好ましく、２〜４個がより好ましく、２〜３個が更に好ましく、２個が特に好ましい。前記芳香環集合において、連結される芳香環の数は、通常２〜６個であり、２〜５個が好ましく、２〜４個がより好ましく、２〜３個が更に好ましく、２個が特に好ましい。前記有橋多環式芳香環において、橋かけされる芳香環の数は、通常２〜６個であり、２〜５個が好ましく、２〜４個がより好ましく、２〜３個が更に好ましく、２個が特に好ましい。
【００６０】
前記単環式芳香環としては、例えば、以下の環（式５００〜５２６）が挙げられる。
【化１５】
【００６１】
前記縮合多環式芳香環としては、例えば、以下の環（式５２７〜５７５）が挙げられる。
【化１６】
【００６２】
前記芳香環集合としては、例えば、以下の環（式５７６〜６０２）が挙げられる。
【化１７】
【００６３】
前記有橋多環式芳香環としては、例えば、以下の環（式６０３〜６１４）が挙げられる。
【化１８】
【００６４】
前記Ａｒ2で表される２価の芳香族基は、式５００〜５０５、５０８〜５１４、５２７〜５３４、５４３、５６１、５６２、５６５、５６７〜５７４、５７６〜５８４、５８７〜６０３、６０９及び６１０のうちのいずれかで表される環から水素原子が２個除かれている２価の基であることが好ましく、式５００〜５０５、５１１、５２７、５４３、５６５、５６９、５７６、５８２、６０３及び６１０のうちのいずれかで表される環から水素原子が２個除かれている２価の基であることがより好ましく、式５００、５７６及び６０３のうちのいずれかで表される環から水素原子が２個除かれている２価の基であることが更に好ましい。
【００６５】
前記Ａｒ2で表される２価の芳香族基は、有し得る置換基の数の範囲内で置換基を有していてもよい。置換基の数は０〜３個が好ましく、０〜２個がより好ましく、１個又は２個が更に好ましく、２個が特に好ましい。
【００６６】
前記Ａｒ2で表される２価の芳香族基における、水素原子を２個除いた２価の基の、水素原子が除かれる２箇所の位置は、除かれる水素原子と結合する原子２つを最短で結ぶ原子の数（即ち、構造式において、当該原子２つの間に存在する最少の原子の数）が、多い箇所同士であることが好ましい。例えば、前記式５００で示されるベンゼン環の場合は、パラ位で水素原子が除かれる場合、除かれる水素原子と結合する炭素原子同士の原子数は最短で４原子であり、メタ位では３原子、オルト位では２原子となる。このため、前記５００で示されるベンゼン環の場合は、パラ位で水素原子が除かれることが好ましい。同様に、例えば前記式６０３で示されるフルオレン環の場合は、２，７−位で水素原子が除かれた場合が、最短で結ぶ原子の数が８個で最も多くなるため、２，７−位で水素原子が除かれることが好ましい。
【００６７】
式（３）中のＡｒ2で表される２価のアミン残基としては、例えば、式（５）で表される基が挙げられる。
【化１９】
式（５）中、Ａｒ3、Ａｒ4、Ａｒ5及びＡｒ6は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい２価の芳香族基である。Ａｒ7、Ａｒ8及びＡｒ9は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい１価の芳香族基である。ｍ3及びｍ4は、それぞれ独立に、０又は１である。
【００６８】
上記のＡｒ3、Ａｒ4、Ａｒ5及びＡｒ6における置換基を有していてもよい２価の芳香族基の例及び好ましい例は前記Ａｒ2における置換基を有していてもよい２価の芳香族基の例及び好ましい例と同じである。Ａｒ7、Ａｒ8及びＡｒ9における置換基を有していてもよい１価の芳香族基の例及び好ましい例は、前記置換基を有していてもよい２価の芳香族基の例及び好ましい例の構造に、水素原子１個が結合している１価の基である。
【００６９】
ｍ3が０の場合、Ａｒ3中の炭素原子とＡｒ5中の炭素原子とが、直接結合してもよく、−Ｏ−、−Ｓ−等の２価の基を介して結合していてもよい。ｍ4が０の場合、Ａｒ3中の炭素原子とＡｒ9中の炭素原子とが、直接結合してもよく、−Ｏ−、−Ｓ−等の２価の基を介して結合していてもよい。ｍ3とｍ4が共に０の場合、Ａｒ5中の炭素原子とＡｒ9中の炭素原子とが、直接結合してもよく、−Ｏ−、−Ｓ−等の２価の基を介して結合していてもよい。
【００７０】
式（４）中のＡｒ2で表される２価のアミン残基としては、下記式６１５〜６２７で表される芳香族アミンから水素原子を２個除いた基が例示される。
【化２０】
【００７１】
式（４）中のＡｒ2で表される２価のアミン残基は、式６１５〜６２７で表されるアミンのうち、好ましくは式６１５〜６２１及び６２７のいずれかで表される芳香族アミンから水素原子を２個除いた基であり、より好ましくは式６１５、６１７、６１８、６２０及び６２７のいずれかで表される芳香族アミンから水素原子を２個除いた基である。
【００７２】
式（３）中、Ｘは、置換基を有してもいてよいシリレン基、置換基を有していてもよいエチレン基、置換基を有していてもよいエテニレン基、又はエチニレン基である。該シリレン基、エチレン基及びエテニレン基が有していてもよい置換基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基等の炭素原子数１〜２０のアルキル基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基が挙げられる。シリレン基、エチレン基及びエテニレン基が置換基を複数個有している場合には、それらの置換基は同一でも異なっていてもよい。
【００７３】
式（３）中、ｍ1及びｍ2は、それぞれ独立に０以上の整数である。ｍ1は１以上の整数であることが好ましく、１であることがより好ましい。ｍ2は０であることが好ましい。
【００７４】
式（４）中、ｍ5は１以上の整数である。ｍ5は、好ましくは１又は２であり、より好ましくは１である。
【００７５】
式（３）及び／又は式（４）で表される繰り返し単位としては、例えば、下記式１０１〜１１５が挙げられる。以下の式中、ｎ−Ｏｃｔはｎ−オクチル基を、ｎ−Ｈｅｘはｎ−ヘキシル基を、それぞれ示す。
【化２１】
【００７６】
式１０１〜１１５で表される繰り返し単位のうち、好ましくは式１０１、式１０２、式１０３、式１０６、式１０７、式１０８、式１１０及び式１１１で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位であり、より好ましくは式１０１、式１０８及び式１１１で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位である。
【００７７】
本発明の化合物がコポリマーである場合、本発明の化合物は上記式（３）及び／又は上記式（４）で表される繰り返し単位を１０重量％〜９０重量％含有していることが好ましく、３０重量％〜７０重量％含有していることがより好ましく、４０重量％〜６０重量％含有していることが更に好ましい。
【００７８】
本発明の化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と言う）によるポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は、通常、５×１０2〜１×１０8であり、好ましくは１×１０3〜１×１０7であり、より好ましくは２×１０3〜１×１０6であり、更に好ましくは３×１０3〜５×１０5であり、特に好ましくは５×１０3〜１×１０5である。本発明の化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常、１×１０3〜１×１０9であり、好ましくは３×１０3〜１×１０8であり、より好ましくは５×１０3〜１×１０7であり、更に好ましくは７×１０3〜１×１０6であり、特に好ましくは１×１０4〜５×１０5である。ＧＰＣの分析条件としては、後述の実施例にて示す分析条件が例示される。
【００７９】
本発明の化合物は、強い円偏光発光性を示すが、円二色性スペクトルにおける左右の吸光度に偏りを有するか、旋光性を有するか、或いはその両方を有することが好ましい。円二色性スペクトルにおける左右の吸光度に偏りがあるか否かの確認は、検体を成膜し、得られる膜の円二色性比を測定し、絶対値が大きいこと（通常は１×１０−6以上、好ましくは１×１０−5以上）を確認することにより行い得る。円二色性比の測定条件としては、実施例の測定条件が例示される。
【００８０】
本発明の化合物の円偏光発光性が強いことは、検体を成膜し、得られる膜の円偏光発光を測定し、後述するｇ値から確認することができる。また、本発明の化合物の円偏光発光性が強いことは、前述した膜の円二色性スペクトルにおける円二色性比の絶対値が大きく、且つ、発光強度が強いことからも、確認し得る。
【００８１】
旋光度は［α］Dの絶対値が５°以上であることが好ましく、１０°以上であることがより好ましい。旋光度の測定条件としては、実施例の測定条件が例示される。
【００８２】
膜の吸光度は、０．０５×１０-3ｍｏｌ／Ｌの濃度における光路長１ｍｍのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液の吸光度以上であることが好ましく、０．２０×１０-3ｍｏｌ／Ｌの濃度における光路長１ｍｍの溶液の吸光度以上であることがより好ましい。吸光度の測定条件としては、実施例の測定条件が例示される。
【００８３】
本発明の化合物は、重合反応によって合成され得る。例えば、前記式（１）で表される化合物から水素原子２〜６個が除かれている２〜６価の基に、公知の重合反応部位（例えば、臭素原子及びブロモメチル基）を含有する化合物を用い、一般的な重合反応を行う定法に従って製造され得る。
【００８４】
本発明の化合物は、実施例の方法により製造され得る。また、実施例とは別に、例えば、１ｍｍｏｌの２，７−ビス（ブロモメチル）−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレンを溶媒（例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル）に溶かし、３ｍｍｏｌ程度のカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（ｔｅｒｔ−ＢｕＯＫ）を加え、加熱撹拌（例えば、４０℃程度）し、反応液をメタノールに加え沈殿させることにより製造され得る。
【００８５】
本発明の化合物は、例えば、粉体、膜、成型体、溶液、分散液等の状態で使用され得るが、膜又は溶液の状態で使用されることが好ましく、膜の状態で使用されることがより好ましい。
【００８６】
本発明は、これまでに記述した本発明の化合物を含有する膜を提供する。
【００８７】
本発明が提供する膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜５０μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜１０μｍであり、より好ましくは３ｎｍ〜５μｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、特に好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍである。薄膜はピンホールや凹凸の形状を含んでいてもよいが、ピンホールや凹凸の形状を含まないことが好ましい。
【００８８】
本発明の膜の製造方法としては、例えば、本発明の化合物と他の成分とを任意の割合で基板上に蒸着する工程を含む方法、及び、本発明の化合物と他の成分とを任意の割合で溶媒中に懸濁又は溶解させて得られる懸濁液又は溶液を塗布する工程を含む方法が挙げられる。好ましくは後者の方法である。
【００８９】
前記塗布する工程に使用する溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン、メチルエチルケトン、アセトニトリル、酢酸エチル、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ヘキサン、シクロヘキサン及びこれらの混合物が挙げられる。
【００９０】
前記塗布する工程においては通常、懸濁液又は溶液を塗布した後に、該懸濁液又は溶液に含まれる溶媒を乾燥させる。溶媒を乾燥させる方法としては、例えば、風乾、加熱乾燥、減圧乾燥、加熱減圧乾燥、及び、窒素ガスを吹き付けて行う乾燥が挙げられ、風乾又は加熱乾燥が好ましく、加熱乾燥がより好ましい。
【００９１】
前記塗布する工程において、塗布方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、ディップコート法、グラビア印刷法、バーコート法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット法及びオフセット印刷法が挙げられ、スピンコート法、キャスティング法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット法又はオフセット印刷法が好ましい。
【００９２】
本発明の膜は、更に膜を形成するための成分を含んでいてもよい。該成分としては、低分子有機材料、高分子有機材料、有機無機複合材料、無機材料及びそれらの混合物が例示され、用途に応じて任意に選択され得る。該成分としては、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリジン誘導体、ポルフィリン誘導体、導電性高分子オリゴマー（例えば、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン）、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、芳香環（例えば、ナフタレン、ペリレン）のテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニンを配位子とする金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、有機シラン誘導体、フルオレン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物及びアリールシラン骨格を有する化合物、支持塩（例えば、トリフルオロメタンスルホン酸リチウム、過塩素酸リチウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸カリウム、テトラフルオロホウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム）を含有していてもよい溶媒（溶媒としては、例えば、プロピレンカーボネート、アセトニトリル、２−メチルテトラヒドロフラン、１，３−ジオキソフラン、ニトロベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、グリセリン、プロピルアルコール、水）、及びこれらの混合物が挙げられ、
好ましくは、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、ポルフィリン誘導体、チオフェンオリゴマー、ジフェニルキノン誘導体、芳香環（例えば、ナフタレン、ペリレン）のテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニンを配位子とする金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）、有機シラン誘導体、フルオレン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物又はアリールシラン骨格を有する化合物であり、
より好ましくは、カルバゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、有機シラン誘導体、フルオレン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物又はアリールシラン骨格を有する化合物であり、
更に好ましくは、カルバゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、アリールアミン誘導体有機シラン誘導体、フルオレン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物又はアリールシラン骨格を有する化合物である。
【００９３】
本発明の膜は、更に発光性材料を含んでいてもよい。発光性材料としては、例えば、白金族元素を用いた金属錯体（例えば、フェニルピリジン誘導体が配位したイリジウム錯体）、希土類元素を用いた金属錯体（例えば、フェナントロリン誘導体が配位したユーロピウム錯体）、８−キノリノール誘導体が配位したアルミニウム錯体、ナフタセン誘導体、ジシアノエチレン誘導体、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、フェニレンビニレン誘導体、フルオレン誘導体、ナフタレン誘導体が挙げられ、好ましくは、イリジウム錯体及びフルオレン誘導体であり、より好ましくはイリジウム錯体である。
【００９４】
本発明の膜は、本発明の化合物のみからなる単独膜であっても、本発明の化合物と他の成分との複合膜であってもよく、単独膜であることが好ましい。本発明の膜が複合膜である場合、膜中における本発明の化合物の含量は、膜全体の重量に対して、好ましくは０．１重量％〜９９重量％であり、より好ましくは１重量％〜９０重量％であり、更に好ましくは５重量％〜８０重量％であり、特に好ましくは１０重量％〜５０重量％である。
【００９５】
本発明はまた、本発明の膜を含む発光素子を提供する。発光素子は、通常、陽極と陰極からなる一対の電極と、該電極間に設けられており、発光層を有する一層又は複数層からなる薄膜層と、を含む。本発明の発光素子は、該薄膜層の少なくとも１層として、本発明の膜を含む。
【００９６】
本発明の発光素子としては、例えば、単層型の発光素子（陽極／発光層／陰極）が挙げられ、この発光層が本発明の薄膜を含有する。また、多層型の発光素子の層構成としては、以下の構成が例示される。
（ａ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／陰極
（ｂ）陽極／発光層／電子注入層／（電子輸送層）／陰極
（ｃ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／電子注入層／（電子輸送層）／陰極
（ｄ）陽極／発光層／（電子輸送層）／電子注入層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／（電子輸送層）／電子注入層／陰極
【００９７】
本発明の発光素子においては、該素子を構成するいずれかの層が本発明の化合物若しくは膜を含んでいればよい。本発明の化合物を含む層又は本発明の膜を含む層がどの層であってもよいが、発光層であることが好ましい。本発明の化合物を発光層に含む場合、本発明の化合物が発光しても、本発明の化合物と他の発光材料（例えば、イリジウム錯体）との混合物であって、他の発光材料が発光してもよいが、本発明の化合物が発光することが好ましい。
【００９８】
本発明の発光素子は、本発明の化合物を含む膜を有するため、円偏光発光性を示す発光素子となる。
【００９９】
前記（ａ）〜（ｅ）において、（正孔輸送層）、（電子輸送層）は、その位置にこれらの層がそれぞれ存在していてもしなくてもよい任意の層であることを表す。
【０１００】
陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等の層に正孔を供給するものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが好ましい。陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物及びこれらの組み合わせを用いることができるが、例えば、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル等の金属；前記導電性金属酸化物と前記金属との混合物及び積層物；ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質；ポリアニリン類、ポリチオフェン類〔ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン等〕、ポリピロール等の有機導電性材料；前記金属、前記混合物及び積層物、前記無機導電性物質、並びに前記有機導電性材料からなる群から選ばれる材料とＩＴＯとの組み合わせ、を用い得る。
【０１０１】
陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層等の層に電子を供給するものである。陰極の材料としては、例えば、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物及びこれらの組み合わせを用い得るが、例えば、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物並びに酸化物；アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｓ等）及びそのフッ化物並びに酸化物；金、銀、鉛、アルミニウム、合金及び混合金属類〔ナトリウム−カリウム合金、ナトリウム−カリウム混合金属、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−アルミニウム混合金属、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−銀混合金属等〕、希土類金属〔インジウム、イッテルビウム等〕を用い得る。
【０１０２】
正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、又は陰極から注入された電子を障壁する機能を有する。これらの層に用いられる材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリジン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、及びこれらの残基を含む重合体；アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマーが挙げられる。前記正孔注入層及び前記正孔輸送層は、これらの１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１０３】
電子注入層及び電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、又は陽極から注入された正孔を障壁する機能を有する。これらの層に用いられる材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、フルオレン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、アンモニウム塩誘導体、カルボン酸塩誘導体、ナフタレンやペリレン等の芳香環のテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニンを配位子とする金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）及び有機シラン誘導体が挙げられる。電子注入層及び前記電子輸送層は、これらの１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、電子注入層及び前記電子輸送層は、フラーレン誘導体及び／又はカーボンナノチューブ誘導体を含有していてもよい。
【０１０４】
電子注入層及び電子輸送層の材料として、絶縁体又は半導体の無機化合物を使用してもよい。電子注入層及び電子輸送層が絶縁体又は半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させ得る。前記絶縁体としては、例えば、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選ばれる少なくとも一種の金属化合物が挙げられ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ及びＣａＳｅからなる群から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。また、電子注入層及び電子輸送層を構成する半導体としては、例えば、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素の、酸化物、窒化物及び酸化窒化物が挙げられる。
【０１０５】
また、本発明の発光素子において、陰極と陰極に接する薄膜との界面領域に還元性ドーパントが添加されていてもよい。前記還元性ドーパントとしては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体及び希土類金属錯体が挙げられる。
【０１０６】
発光層は、電界印加時に陽極、正孔注入層又は正孔輸送層より正孔を注入させ、陰極、電子注入層又は電子輸送層より電子を注入させる機能、注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能のいずれかを有する。発光層に含有される本発明の化合物をゲスト材料とするホスト材料を、発光層に含有させてもよい。ホスト材料としては、例えば、フルオレン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物、ジアリールアミン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、ピラジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物及びアリールシラン骨格を有する化合物が挙げられる。ホスト材料のＴ１は、ゲスト材料のそれより大きいことが好ましく、ホスト材料のＴ１とゲスト材料のＴ１の差が０．２ｅＶよりも大きいことがより好ましい。ホスト材料は低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。ホスト材料は更に電解質を含有していてもよい。該電解質としては、例えば、支持塩（トリフルオロメタンスルホン酸リチウム、過塩素酸リチウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸カリウム、テトラフルオロホウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム等）を含有していてもよい溶媒（プロピレンカーボネート、アセトニトリル、２−メチルテトラヒドロフラン、１，３−ジオキソフラン、ニトロベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、グリセリン、プロピルアルコール、水等）、及び該溶媒で膨潤したゲル状の高分子（ポリエチレンオキシド、ポリアクリルニトリル、フッ化ビニリデンと六フッ化プロピレンの共重合体等）が挙げられる。ホスト材料と本発明の化合物とを混合して塗布する、又は共蒸着することにより、発光材料が前記ホスト材料にドープされた発光層を形成してもよい。
【０１０７】
本発明の発光素子において、各層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法〔抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法等〕、スパッタリング法、ＬＢ法、分子積層法及び塗布法〔キャスティング法、スピンコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法等〕が挙げられるが、製造プロセスを簡略化できる点で、塗布法が好ましい。前記塗布法により、本発明の化合物を含む層を形成する場合の例としては、本発明の化合物を溶媒と混合して塗布液を調製し、該塗布液を所望の層（又は電極）上に、塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。該塗布液中にはホスト材料及び／又はバインダーとして樹脂を含有させてもよい。該樹脂は溶媒に溶解状態としてもよいし、分散状態としてもよい。
【０１０８】
前記樹脂としては、例えば、ポリビニルカルバゾール等の非共役系高分子、及び、ポリオレフィン系高分子等の共役系高分子が使用され得る。例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂及びシリコン樹脂が挙げられる。樹脂の溶液は、更に、酸化防止剤、粘度調整剤等を含有していてもよい。前記溶液に用いられる溶媒としては、薄膜の成分を均一に溶解する溶媒又は安定な分散液を与える溶媒が好ましく、例えば、アルコール類〔メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等〕、ケトン類〔アセトン、メチルエチルケトン等〕、塩素化炭化水素類〔クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等〕、芳香族炭化水素類〔ベンゼン、トルエン、キシレン等〕、脂肪族炭化水素類〔ノルマルヘキサン、シクロヘキサン等〕、アミド類〔ジメチルホルムアミド等〕、スルホキシド類〔ジメチルスルホキシド等〕、及びそれらの混合物が挙げられる。
【０１０９】
インクジェット法においては、例えば、ノズルからの蒸発を押さえるために高沸点の溶媒〔アニソール、ビシクロヘキシルベンゼン等〕を用い得る。また、溶液の粘度は、２５℃において、１〜１００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。
【０１１０】
本発明の発光素子の各層の厚さは、０．５ｎｍ〜１００μｍであることが好ましく、１ｎｍ〜１μｍであることがより好ましい。
【０１１１】
本発明の発光素子は、例えば、３Ｄテレビ用光源、照明用光源、サイン用光源、バックライト用光源、ディスプレイ装置又はプリンターヘッドに用いることができる。本発明の発光素子がディスプレイ装置に用いられる場合には、例えば、公知の駆動技術、駆動回路等が利用できる。本発明の発光素子は、セグメント型及びドットマトリクス型のいずれのディスプレイ装置にも用いることができる。
【実施例】
【０１１２】
次に、実施例を示して本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１１３】
以下の実施例において、ＮＭＲの測定条件は以下の通りとした。測定試料５〜２０ｍｇを約０．６ｍＬの重クロロホルムに溶解させて、ＮＭＲ（日本電子社製、商品名：ＪＮＭ−ＥＣＰ６００Ｎ）を用いて行った。
【０１１４】
以下の実施例において、旋光度の測定は、日本分光社製、ＪＡＳＣＯ Ｐ−１０３０を用いて行った。
【０１１５】
＜実施例１＞（前記ｃ１７を繰り返し単位として含有するホモポリマー）
（−）−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレンの合成
【化２２】
【０１１６】
（＋）−９−ネオメンチルフルオレンを、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ２３，１００２−１００９（２００４）に記載の方法で合成した。
【０１１７】
（＋）−９−ネオメンチルフルオレン（４．０ｇ、０．０１３ｍｏｌ）のＴＨＦ（７０ｍＬ）溶液に、ｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ、１０ｍＬ、ｎ−ブチルリチウムとして０．０１６ｍｏｌ）を０℃で滴下し、４０分撹拌した。反応液に１−ヨードペンタンのＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液を数回に分けて加え、室温に上げて２４時間撹拌した。反応液を水に加え、クロロホルムで抽出し、得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／ヘキサン＝１／５、ｖ／ｖ）による精製を行い、無色液状の（−）−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレンを得た（４．６ｇ、収率９４％）。
【０１１８】
得られた化合物のＮＭＲデータ及び旋光度測定結果を下記に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ７．７１−７．１９ｐｐｍ（ｍ、８Ｈ、ＡｒＨ）、２．６１−２．５５ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ、−ＣＨ−）、２．１９−０．０７ｐｐｍ（ｍ、２９Ｈ）．
［α］D＝−５１°（クロロホルム、１ｇ／ｄＬ、１ｄｍ ｃｅｌｌ）
【０１１９】
２，４，７−トリス（ブロモメチル）−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレンの合成
【化２３】
【０１２０】
（−）−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレン（３．８ｇ、０．０１０ｍｏｌ）とパラホルムアルデヒド（２０ｇ、０．２５ｍｏｌ）の混合物に、３３重量％臭化水素水（２０ｇ、臭化水素として０．２５ｍｏｌ）の酢酸（４３ｍＬ）溶液を０℃で滴下し、７０℃で３６時間撹拌した。反応液を水に加え、クロロホルムでの抽出し、得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／ヘキサン＝１／５、ｖ／ｖ）による精製を行い、クロロホルム−メタノール溶媒で再結晶を行い、無色結晶の２，４，７−トリス（ブロモメチル）−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレンを得た（２．２ｇ、収率３３％）。
【０１２１】
得られた化合物のＮＭＲデータ及び旋光度測定結果を下記に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ７．９０−７．２７ｐｐｍ（ｍ、５Ｈ、ＡｒＨ）、４．９１−４．７６ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ、フルオレン４−位のＣＨ2Ｂｒ）、４．６２−４．５５ｐｐｍ（ｍ、４Ｈ、フルオレン２，７−位のＣＨ2Ｂｒ）、２．５７−２．５３ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ、−ＣＨ−）、２．２０−０．９４ｐｐｍ（ｍ、２９Ｈ）．
［α］D＝−５８°（クロロホルム、１ｇ／ｄＬ、１ｄｍ ｃｅｌｌ）
【０１２２】
ポリマー１の合成
【化２４】
【０１２３】
２，４，７−トリス（ブロモメチル）−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレン（０．４０ｇ、０．６０ｍｍｏｌ）とベンジルブロマイド（０．０９２ｇ、０．５４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（３０ｍＬ）溶液に、ｔｅｒｔ−ＢｕＯＫ（０．２０ｇ、１．８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液を加え、室温で１２時間撹拌後、反応液にｔｅｒｔ−ＢｕＯＫ（０．２０ｇ、１．８ｍｍｏｌ）とベンジルブロマイド（１５．３ｇ、９０ｍｍｏｌ）を順に加え、５０℃で２４時間撹拌した。反応液に水を加えた後、それをメタノールに加え、生じた沈殿物を遠心分離により回収した。これをＴＨＦに溶かし、アセトンに滴下して生じた沈殿物より、目的とする化合物（以下、「ポリマー１」と言う。）を得た（０．１５ｇ、収率３５％）。
【０１２４】
ポリマー１のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）を、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）により測定した。ＳＥＣのうち移動相が有機溶媒である場合をＧＰＣと言う。
【０１２５】
測定試料（ポリマー１）を約０．１重量％の濃度でＴＨＦに溶解させ、ＧＰＣ（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｌ７１００）に１０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はＴＨＦを用い、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、ＴＯＳＯＨ ＴＳＫ ｇｅｌ Ｇ３０００ＨＨＲ及びＴＯＳＯＨ ＴＳＫ ｇｅｌ Ｇ６０００ＨＨＲを用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｌ−７４２０ ＵＶ）及びＲＩ検出器（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｌ−７４９０ ＲＩ）を用いた。
【０１２６】
その結果、ポリマー１のＭｎ及びＭｗはそれぞれ、Ｍｎ＝７４３００、Ｍｗ＝３５２０００であった。
【０１２７】
ポリマー１の旋光度は、［α］D＝−６４°（クロロホルム、１ｇ／ｄＬ、０．１ｄｍ ｃｅｌｌ）であった。
【０１２８】
＜実施例２＞（式ｃ１で表される繰り返し単位を含有するホモポリマー）
２，７−ジブロモ−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレンの合成
【化２５】
【０１２９】
前記合成した（−）−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレン（７．９０ｇ、２１．１ｍｍｏｌ）とヨウ素（６４ｍｇ、０．２５ｍｏｌ）の混合物をジクロロメタン（４０ｍＬ）に溶かし、室温で臭素（２．２０ｍＬ、４２．９ｍｍｏｌ）を滴下し、１．５時間撹拌した。反応液に硫酸水素ナトリウム水溶液とジクロロメタンを加え、抽出して、有機層を水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過、濃縮し、ヘキサンで再結晶を行い、白色結晶の２，７−ジブロモ−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレンを得た（８．４０ｇ、収率７４．８％）。
【０１３０】
得られた化合物のＮＭＲデータを下記に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ７．６０−７．４２ｐｐｍ（ｍ、６Ｈ、ＡｒＨ）、２．５０ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ、−ＣＨ−）、２．１９−０．１４ｐｐｍ（ｍ、２９Ｈ）．
【０１３１】
ポリマー２の合成
【化２６】
【０１３２】
窒素雰囲気下、マグネシウム（７０．０ｍｇ、２．８８ｍｍｏｌ）とＴＨＦ（１ｍＬ）と１，２−ジブロモエタン（６７．０ｍｇ、０．３５７ｍｍｏｌ）との混合液へ、２，７−ジブロモ−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレン（１．００ｇ、１．８８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（３ｍＬ）溶液を加え、６０℃で１時間撹拌した。反応液に［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ジクロロニッケル（ＩＩ）（２０．４ｍｇ、０．０３７６ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で更に２４時間撹拌した。反応液に希塩酸とクロロホルムを加え、抽出して、有機層を水で洗浄した。有機層を乾燥させ、ＴＨＦで懸濁ろ過し、ろ液を濃縮し、ヘキサンで懸濁ろ過し、ろ液を濃縮し、メタノールで懸濁ろ過し、ろ過物として目的とする化合物（以下、「ポリマー２」と言う。）を収率４１％で得た。
【０１３３】
ポリマー２のＭｎ及びＭｗはそれぞれ、Ｍｎ＝７６００、Ｍｗ＝１２８００であった。
【０１３４】
＜実施例３＞（式ｃ１で表される繰り返し単位と式１１１で表される繰り返し単位とを含有するランダムコポリマー）
ポリマー３の合成
【化２７】
上記式中、ｎ−Ｏｃｔはｎ−オクチル基を示す。
【０１３５】
窒素雰囲気下、マグネシウム（７２．９ｍｇ、３．００ｍｏｌ）とＴＨＦ（１ｍＬ）と１，２−ジクロロエタン（１８８ｍｇ、１．００ｍｍｏｌ）の混合液へ、２，７−ジブロモ−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレン（９５８ｍｇ、１．８０ｍｍｏｌ）と２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（６４．４ｍｇ、０．２００ｍｍｏｌ）とのＴＨＦ（３．５ｍＬ）溶液を加え、６０℃で１時間撹拌した。反応液に［１，３−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン］ジクロロニッケル（ＩＩ）（２１．７ｍｇ、０．０４０ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で更に２４時間撹拌した。反応液に希塩酸とクロロホルムを加え、抽出して、有機層を水で洗浄した。有機層を乾燥させ、ＴＨＦで懸濁ろ過し、ろ液を濃縮し、クロロホルムに溶解させ、メタノールに加えて再沈殿を行い、目的とする化合物（以下、「ポリマー３」と言う。）を収率５１％で得た。
【０１３６】
ポリマー３のＭｎ及びＭｗはそれぞれ、Ｍｎ＝８４００、Ｍｗ＝１９４００であった。ポリマー３における、式ｃ１で表される繰り返し単位と式１１１で表される繰り返し単位との含有割合は、それぞれ、９０重量％、１０重量％であった。
【０１３７】
＜実施例４＞（前記式ｃ１で表される繰り返し単位と式１１１で表される繰り返し単位とを含有する交互コポリマー）
ポリマー４の合成
【化２８】
上記式中、ｎ−Ｏｃｔはｎ−オクチル基を示す。
【０１３８】
窒素雰囲気下、２，７−ジブロモ−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレン（２４０ｍｇ、０．４５１ｍｍｏｌ）、９，９−ジオクチル−２，７−ジボロン酸ビス（１，３−プロパンジオール）エステル（１５０ｍｇ、０．４５１ｍｍｏｌ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（５２．０ｍｇ、０．０４５０ｍｍｏｌ）の混合物に、１，４−ジオキサン（４ｍＬ）、及び、炭酸カリウム（４２５ｍｇ、３．０８ｍｍｏｌ）の水溶液（１．５ｍＬ）を加え、２．５時間還流した。反応液に希塩酸とクロロホルムを加え、抽出して、有機層を水と飽和食塩水で順番に洗浄した。有機層を乾燥させ、メタノールで懸濁ろ過し、ろ過物として目的とする化合物（以下、「ポリマー４」と言う。）を収率７２％で得た。
【０１３９】
ポリマー４のＭｎ及びＭｗはそれぞれ、Ｍｎ＝２５３００、Ｍｗ＝１２８０００であった。ポリマー４における、式ｃ１で表される繰り返し単位と式１１１で表される繰り返し単位との含有割合は、それぞれ、４９重量％、５１重量％であった。
【０１４０】
−吸光度の測定−
吸光度の測定は、日本分光社製、Ｖ−５７０を用いて行った。
ポリマー１をＴＨＦに溶かし、石英基板上にスピンコート法で塗布し、成膜した。得られた膜の３００ｎｍにおける吸光度は、０．２１×１０−3ｍｏｌ／Ｌの濃度における光路長１ｍｍのＴＨＦ溶液と同程度であった。
【０１４１】
−円二色性比の測定−
円二色性比の測定は、日本分光社製、ＪＡＳＣＯ Ｊ−８２０を用いて行った。
【０１４２】
前記吸光度の測定においてポリマー１から得られた膜の円二色性スペクトルを測定したところ、３００ｎｍにおける左右の円偏光に対する分子吸光係数の比（Δε／ε）（円二色性比）は、１．４×１０-5であった。
【０１４３】
ポリマー２をＴＨＦに溶かし、石英基板上にキャスティング法により成膜した。この膜の円二色性スペクトルを測定したところ、３７５ｎｍにおける円二色性比は、８．９×１０-5であった。
【０１４４】
ポリマー３をＴＨＦに溶かし、石英基板上にキャスティング法により成膜した。この膜の円二色性スペクトルを測定したところ、３７５ｎｍにおける円二色性比は、７．６×１０-5であった。
【０１４５】
ポリマー４をＴＨＦに溶かし、石英基板上にキャスティング法により成膜した。この膜の円二色性スペクトルを測定したところ、３８０ｎｍにおける円二色性比は、２．２×１０-5であった。
【０１４６】
−円偏光発光性の測定−
円偏光発光性の測定は、以下の方法で行った。
励起光源として、３７５ｎｍのパルスレーザー（ＰｉｃｏＱｕａｎｔ社製、ＬＤＨ−Ｐ−Ｃ−３７５及びＰＤＬ８００−Ｂ）を用い、励起光を測定試料に照射した。発光は一対のアクロマートダブレットレンズにより集積し、回転偏光は無彩色の１／４λ板と直線偏光子で分離した。検出器はＣＣＤ分光計（Ａｎｄｏｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製、ＳＲ−３０３ｉ及びｉＤｕｓ ４２０Ａ）を用いた。
【０１４７】
前記吸光度の測定においてポリマー１から得られた膜に３７５ｎｍの励起光を照射し、４９０ｎｍにおける円偏光発光性を測定したところ、ｇ値は−０．１６であった。
【０１４８】
上記ｇ値は、検体から放射された発光の右円偏光成分の強度をＩR、左円偏光成分の強度をＩLとし、次式から求めた。
（式） ｇ＝２（ＩL−ＩR）／（ＩL＋ＩR）
【０１４９】
−蛍光発光性の測定−
蛍光発光の測定には、ＪＡＳＣＯ社製のＦＰ−７７７Ｗを用いた。
【０１５０】
上記ポリマー２から得られた膜に３６２ｎｍの励起光を照射したところ、４４０ｎｍにピークを示す強い青色発光が観測された。
【０１５１】
上記ポリマー３から得られた膜に３６２ｎｍの励起光を照射したところ、４４０ｎｍにピークを示す強い青色発光が観測された。
【０１５２】
上記ポリマー４から得られた膜に３６２ｎｍの励起光を照射したところ、４２０ｎｍ及び４４５ｎｍにピークを示す強い青色発光が観測された。
【０１５３】
上記ポリマー２〜４から得られた膜は、円二色性比の絶対値が大きいと共に、蛍光発光性にも優れていることから、強い円偏光発光性を示すことが期待される。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、円偏光発光性を示す化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
円偏光発光材料は、近年普及し始めた３Ｄテレビをはじめとする様々な表示デバイスに応用が期待される材料である。この材料としては、例えば、単独で円偏光発光性を示す発光材料となり得る化合物が、種々検討されている（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ３５，６７９２−６７９８ （２００２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、公知の化合物は、強い円偏光発光性を実現するためには、化合物を膜化した後、分子配列を制御するための特別な処理が必要である。
【０００５】
そこで、本発明は、膜化するだけで、特別な処理を必要とせず、強い円偏光発光性を示す化合物を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明者らは鋭意検討した結果、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
本発明は、下記〔１〕〜〔１０〕を提供する。
〔１〕下記式（１）で表される化合物から水素原子２〜６個が除かれている２〜６価の基を繰り返し単位として含有する化合物。
【化１】
（式中、Ａｒ1は、環状構造中に７〜５０個のｓｐ2炭素原子を有しているｎ1＋ｎ2価の環状炭化水素基である。Ｒ1は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有している有機基であり、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。Ｒ2は、ハロゲン原子又は有機基である。ｎ1は１以上の整数である。ｎ2は０以上の整数である。ｎ1個のＲ1とｎ2個のＲ2はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。ｎ2が２以上のとき、ｎ2個のＲ2のうち任意の２個以上が結合して環を形成してもよい。）
〔２〕下記式（２）で表される化合物から水素原子２〜６個が除かれている２〜６価の基を繰り返し単位として含有する化合物。
【化２】
（式中、Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立に有機基である。Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも一方は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有しており、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビル一置換アミノ基、ヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよいヒドロカルビルメルカプト基である。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10のうち任意の２個以上は、結合して環を形成していてもよい。）
〔３〕前記繰り返し単位が、前記式（２）で表される化合物におけるＲ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10に含まれる水素原子から選ばれる２〜６個が除かれている、２〜６価の基である、上記〔２〕に記載の化合物。
〔４〕前記Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10に含まれる水素原子から選ばれる２〜６個が、前記Ｒ4に含まれる水素原子１個以上及び前記Ｒ9に含まれる水素原子１個以上を含む、上記〔３〕に記載の化合物。
〔５〕前記不斉炭素原子を有している環状炭化水素基が、下記式ａ１〜ａ１７で表される環状炭化水素基から選ばれる基である、上記〔２〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の化合物。
【化３】
（式中、＊は水素原子が１個除かれて置換されている部位を示す。式中の＊以外の水素原子は、置換されていてもよい。）
〔６〕前記Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも一方が、前記式ａ１〜ａ１７で表される環状炭化水素基から選ばれる基であるか、或いは、前記式ａ１〜ａ１７で表される環状炭化水素基から選ばれる基をその一部に含むヒドロカルビル基である、上記〔５〕に記載の化合物。
〔７〕前記Ｒ12がヒドロカルビル基であり、且つ、前記Ｒ3及び前記Ｒ10が水素原子である、上記〔２〕〜〔６〕のいずれか一項に記載の化合物。
〔８〕下記式（３）で表される繰り返し単位及び／又は下記式（４）で表される繰り返し単位を更に含有する、上記〔１〕〜〔７〕のいずれか一項に記載の化合物。
【化４】
（式中、Ａｒ2は、置換基を有していてもよい２価の芳香族基又は置換基を有していてもよい２価のアミン残基である。Ｘは、置換基を有してもいてよいシリレン基、置換基を有していてもよいエチレン基、置換基を有していてもよいエテニレン基、又はエチニレン基である。ｍ1及びｍ2は、それぞれ独立に０以上の整数である。ｍ1及びｍ2の少なくとも１個は１以上の整数である。ｍ1及び／又はｍ2が２以上であるとき、ｍ1個存在するＡｒ2及び／又はｍ2個存在するＸは、同じでも異なっていてもよい。）
【化５】
（式中、Ａｒ2の定義は式（３）中のＡｒ2と同じである。ｍ5は１以上の整数である。）
〔９〕前記〔１〕〜〔８〕のいずれか一項に記載の化合物を含む膜。
〔１０〕前記〔９〕に記載の膜を含む発光素子。
〔１１〕前記〔１０〕に記載の発光素子を含むディスプレイ装置。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の化合物は、膜化するだけで、熱処理などの特別な工程を経なくとも、強い円偏光発光性を示す化合物である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を説明する。
【００１０】
本明細書において、「置換されていてもよい」及び「置換基を有していてもよい」とは、その直後に記載された基を構成する水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよいことを意味する。前記置換基は、特に説明されていない場合は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルオキシ基及び炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルメルカプト基が例示され、これらの中でも、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルオキシ基又は炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルメルカプト基が好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基又は炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基がより好ましく、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基が特に好ましい。置換基の数は１個又は複数個であり、複数個の場合には各置換基は同一でも異なっていてもよい。
【００１１】
本明細書において「有機基」とは、特に説明されていない場合には、炭素原子及び水素原子から主に構成される基を示す。
【００１２】
本明細書において、「水素原子ｎx個が除かれているｎx価の基」（ｎxは整数を表す）の意味について、以下説明する。例えば、−ＣＨ3部位を有する化合物（Ｒ−ＣＨ3、Ｒは「−ＣＨ3部位を有する化合物」における−ＣＨ3以外の構造である。）において−ＣＨ3部位中の水素原子が１〜３個除かれている１〜３価の基を示すと、「水素原子が１個除かれている１価の基はＲ−ＣＨ2−であり、水素原子が２個除かれている場合はＲ−ＣＨ＝であり、水素原子が３個除かれている場合はＲ−Ｃ≡である。同様に、例えば、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3部位を有する化合物（Ｒ’−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、Ｒ’は「−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3部位を有する化合物」における−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3以外の構造である。）において、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3部位中の水素原子が１〜３個除かれている１〜３価の基を示すと、１位の水素原子が１個除かれている１価の基はＲ’−ＣＨ（ＣＨ2ＣＨ3）−であり、１位の水素原子が２個除かれている２価の基はＲ’−Ｃ（ＣＨ2ＣＨ3）＝であり、１位の水素原子２個と３位の水素原子１個とが除かれている３価の基はＲ’−Ｃ（ＣＨ2ＣＨ2−）＝である。
【００１３】
本発明で言う繰り返し単位とは、化合物中に２個以上含有される構成単位を意味するが、好ましくは５個以上含有される構成単位であり、より好ましくは１０個以上含有される構成単位であり、更に好ましくは２０個以上含有される構成単位であり、特に好ましくは５０個以上含有される構成単位であり、とりわけ好ましくは１００個以上含有される構成単位である。
【００１４】
本発明の化合物は、下記式（１）で表される化合物から水素原子が２〜６個除かれている２〜６価の基を繰り返し単位として含有する。
【化６】
式（１）中、Ａｒ1は、環状構造中に７〜５０個のｓｐ2炭素原子を有しているｎ1＋ｎ2価の環状炭化水素基である。Ｒ1は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有している有機基であり、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。Ｒ2は、ハロゲン原子又は有機基である。ｎ1は１以上の整数である。ｎ2は０以上の整数である。ｎ1個のＲ1とｎ2個のＲ2はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。ｎ2が２以上のとき、ｎ2個のＲ2のうち任意の２個以上が結合して環を形成していてもよい。
【００１５】
前記式（１）において、Ａｒ1は、環状構造中に７〜５０個のｓｐ2炭素原子を有している環状炭化水素（基本骨格）から、ｎ1＋ｎ2個の水素原子が除かれているｎ1＋ｎ2価の基である。Ａｒ1の基本骨格である環状炭化水素は、環状構造を有し、かつ該環状構造中に７〜５０個の、好ましくは９〜３０個の、より好ましくは１２〜２０個のｓｐ2炭素原子を有している。Ａｒ1の環状炭化水素は、ｓｐ2炭素原子以外の原子（例えば、ｓｐ2炭素原子以外の炭素原子、及び、炭素原子以外の原子）を含んでいてもよい。
【００１６】
Ａｒ1の基本骨格である環状炭化水素としては、例えば、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、テルフェニル環、フェナントレン環、ピレン環、ベンゾピレン環、ペンタレン環、クリセン環、トリフェニレン環、コロネン環、ペリレン環、ピセン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、ジベンゾフルオレン環、フルオランテン環、ベンゾフルオランテン環、アセナフテン環、アセナフチレン環及びアズレン環が挙げられ、好ましくはナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、テルフェニル環、フェナントレン環、ピレン環、ベンゾピレン環、トリフェニレン環、コロネン環、ペリレン環、フルオレン環、ジベンゾフルオレン環、フルオランテン環又はベンゾフルオランテン環であり、より好ましくはナフタレン環、アントラセン環、ペンタセン環、テルフェニル環、ピレン環、トリフェニレン環、ペリレン環、フルオレン環、ジベンゾフルオレン環又はベンゾフルオランテン環であり、更に好ましくはナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、ジベンゾフルオレン環又はベンゾフルオランテン環であり、特に好ましくはナフタレン環、フルオレン環又はジベンゾフルオレン環であり、とりわけ好ましくはフルオレン環である。
【００１７】
前記式（１）において、Ｒ1及びＲ2は、共に、Ａｒ1が有し得る置換基である。
【００１８】
Ｒ1は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有している有機基であり、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。Ｒ1に含有されている環状炭化水素基は、不斉炭素原子を１個以上有し、好ましくは１〜１５個有し、より好ましくは１〜３個有している。Ｒ1に含有されている、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基の例及び好ましい例は、後述の式（２）中のＲ11及びＲ12における説明中の、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基の例及び好ましい例と同様である。Ｒ1は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を、その一部に含有している有機基であればよく、Ｒ1の全部が上述の環状炭化水素基（Ｒ1自体が上述の環状炭化水素基）であってもよい。Ｒ1としての有機基は、炭素原子、水素原子、ハロゲン原子、酸素原子及び窒素原子以外の原子を含まないものである。
【００１９】
Ｒ2は、ハロゲン原子又は有機基であり、好ましくは、ハロゲン原子、置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビル一置換アミノ基、ヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよいヒドロカルビルメルカプト基である。Ｒ2は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有していないことが好ましい。即ち、Ｒ2とＲ1とは別個の構造であることが好ましい。
【００２０】
前記式（１）において、ｎ1及びｎ2は、それぞれ、Ａｒ1が有しているＲ1及びＲ2の数を意味する。
【００２１】
ｎ1は１以上の整数であり、好ましくは１〜１０、より好ましくは１又は２である。よって、式（１）で表される化合物には、Ｒ1が１個以上含まれる。
【００２２】
ｎ2は０以上の整数であり、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜１０である。よって、式（１）で表される化合物には、Ｒ2は含まれていなくてもよく、また、１個以上含まれていてもよい。
【００２３】
ｎ1個のＲ1とｎ2個のＲ2はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。即ち、Ｒ1とＲ2とはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。またｎ1が２以上のとき、ｎ1個のＲ1はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。更にｎ2が２以上のとき、ｎ2個のＲ2はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
【００２４】
ｎ2が２以上のとき、ｎ2個のＲ2のうち任意の２個以上が結合して環を形成していてもよい。
【００２５】
本発明の化合物は、式（１）で表される化合物から水素原子が２〜６個除かれている２〜６個の基を繰り返し単位として含有する。式（１）で表される化合物における水素原子が除かれる部位は、式（１）中のＡｒ1、Ｒ1及びＲ2から選ばれるいずれかの部位であればよいが、Ａｒ1及びＲ2から選ばれる部位であることが好ましい。
【００２６】
式（１）で表される化合物は、下記式（２）で表される化合物であることが好ましい。即ち、本発明の化合物は、下記式（２）で表される化合物から水素原子２〜６個が除かれている２〜６価の基を繰り返し単位として含有することが好ましい。
【化７】
式（２）中、Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立に有機基である。Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも一方は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有しており、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビル一置換アミノ基、ヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよいヒドロカルビルメルカプト基である。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10のうち任意の２個以上は、結合して環を形成していてもよい。
【００２７】
式（１）で表される化合物が上記式（２）で表される化合物で表される化合物の場合には、本発明の化合物に含有される繰り返し単位は、式（２）で表される化合物から水素原子２〜６個が除かれている２〜６価の基である。式（２）で表される化合物において、除かれる水素原子は、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10に含まれる水素原子から選ばれるいずれかであればよいが、好ましくは、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10に含まれる水素原子から選ばれるいずれかである。
【００２８】
より好ましくは、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10に含まれる水素原子から選ばれるいずれかであり、且つ、Ｒ4に含まれる水素原子のうちの１個以上及びＲ9に含まれる水素原子のうちの１個以上を含む部位である。
【００２９】
式（２）で表される化合物において水素原子が除かれている部位は、更に好ましくは、Ｒ4に含まれる水素原子１個とＲ9に含まれる水素原子１個との組み合わせ、Ｒ4に含まれる水素原子２個とＲ9に含まれる水素原子２個との組み合わせ、又は、Ｒ4に含まれる水素原子２個とＲ7に含まれる水素原子２個とＲ9に含まれる水素原子２個との組み合わせである。
【００３０】
式（２）で表される化合物において水素原子が除かれている部位は、特に好ましくは、Ｒ4に含まれる水素原子１個とＲ9に含まれる水素原子１個との組み合わせ、及び、Ｒ4に含まれる水素原子２個とＲ7に含まれる水素原子２個とＲ9に含まれる水素原子２個との組み合わせのいずれかである。
【００３１】
式（２）で表される化合物において水素原子が除かれている部位は、とりわけ好ましくは、Ｒ4に含まれる水素原子のうちの２個とＲ7に含まれる水素原子のうちの２個とＲ9に含まれる水素原子のうちの２個の組み合わせである。
【００３２】
上記式（２）で表される化合物の、Ｒ4に含まれる水素原子１個とＲ9に含まれる水素原子のうちの１個とが除かれている２価の基の繰り返し単位をｂ１に、Ｒ4に含まれる水素原子２個とＲ9に含まれる水素原子２個とが除かれている４価の基の繰り返し単位をｂ２に、Ｒ4に含まれる水素原子２個とＲ7に含まれる水素原子２個とＲ9に含まれる水素原子２個とが除かれている６価の基の繰り返し単位をｂ３に、それぞれ示す。
【化８】
式ｂ１、ｂ２及びｂ３中、Ｒ3、Ｒ5〜Ｒ8及びＲ10〜Ｒ12の定義は、前記式（２）におけるそれぞれの定義と同じである。Ｒ4-2、Ｒ7-2及びＲ9-2はそれぞれ独立に、前記式（２）におけるＲ4、Ｒ7及びＲ9であって水素原子を２個以上有する基から、水素原子２個が除かれている３価の基である。Ｒ4-1及びＲ9-1はそれぞれ独立に、前記式（２）におけるＲ4及びＲ9であって水素原子を１個以上有する基から、水素原子１個が除かれている２価の基であるか、或いは、直接結合である。
【００３３】
上記式ｂ１において好ましくは、Ｒ4-1及びＲ9-1は直接結合である。上記式ｂ２において好ましくは、Ｒ4-2及びＲ9-2はＣＨである。上記式ｂ３において好ましくは、Ｒ4-2、Ｒ7-2及びＲ9-2はＣＨである。
【００３４】
Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立に有機基である。Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも１個は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有しており、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。即ち、Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも１個は、式（１）におけるＲ1に相当する。Ｒ11及びＲ12のうち一方（例えば、Ｒ11のみ）が、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有していることが好ましい。Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも１個は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を、その一部に含有している有機基であればよく、Ｒ11の全部が、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基であってもよい。
【００３５】
Ｒ11及びＲ12の有機基のうち少なくとも１個が含有し得る、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基は、下記ａ１〜ａ３１で表される環状炭化水素基のいずれかであることが好ましい。即ち、Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも１個は、下記式ａ１〜ａ３１で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基をその一部に含む有機基、又は、下記式ａ１〜ａ３１で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基であることが好ましい。
【化９】
【化１０】
（式中、＊は水素原子が１個除かれて置換されている部位を示す。式中の＊以外の水素原子は、置換されていてもよい。）
【００３６】
式ａ１〜ａ３１で表される環状炭化水素基のうち、好ましくは式ａ１〜ａ２０で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基であり、より好ましくは式ａ１〜ａ１７で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基であり、更に好ましくは式ａ１〜ａ１１で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基であり、特に好ましくは式ａ４〜ａ１１で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基であり、とりわけ好ましくは式ａ４、ａ６、ａ８及びａ１０で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基である。
【００３７】
式ａ１〜ａ３１には立体配座を記載していないが、式ａ１〜ａ３１で表される環状炭化水素基は任意の立体配座をとっていてもよい。式ａ１〜ａ３１で表される環状炭化水素基の光学純度は、１％以上であることが好ましく、１０％以上であることがより好ましく、５０％以上であることが更に好ましく、９０％以上であることが特に好ましく、９９％以上であることがとりわけ好ましい。
【００３８】
不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有している有機基は、炭素原子及び水素原子の他に、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などの原子を含んでいてもよい。好ましくは、炭素原子、水素原子、酸素原子、窒素原子及びフッ素原子からなる群から選ばれる原子で構成され、より好ましくは炭素原子、水素原子、酸素原子及びフッ素原子からなる群から選ばれる原子で構成され、更に好ましくはＲ11は炭素原子、水素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる原子で構成され、特に好ましくは、Ｒ11は炭素原子と水素原子とから選ばれる原子で構成される、即ちヒドロカルビル基である。まとめると、Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも一方（例えば、Ｒ11のみ）は、式ａ１〜ａ３１で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基であるか、或いは式ａ１〜ａ３１で表される環状炭化水素基から選ばれる環状炭化水素基をその一部に含有しているヒドロカルビル基であることが好ましい。
【００３９】
Ｒ11として好ましくは、Ｒ11の全部が置換されていてもよく不斉炭素原子を有している上記式ａ１〜ａ３１で表される構造から水素原子１個が除かれている１価の環状炭化水素基である。より好ましくは、上記式ａ１〜ａ３１で表される構造中の＊部位が上記（２）におけるフルオレン環の９位の炭素原子に結合する。
【００４０】
Ｒ11及びＲ12はいずれも有機基であるが、少なくとも一方は、上述したような、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有しない有機基であることが好ましい。該有機基としては、例えば、置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビル一置換アミノ基、ヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよいヒドロカルビルメルカプト基が挙げられる。
【００４１】
該有機基は、好ましくは置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよいヒドロカルビルメルカプト基であり、より好ましくは置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビル二置換アミノ基であり、更に好ましくは置換されていてもよいヒドロカルビル基又は置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基であり、特に好ましくは置換されていてもよいヒドロカルビル基である。
【００４２】
前記ヒドロカルビル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の、炭素原子数１〜５０の直鎖状アルキル基；、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、２，２−ジメチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−エチルプロピル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、２，３，３−トリメチルプロピル基、２，２，３−トリメチルプロピル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、１，２−ジメチルペンチル基、１，３−ジメチルペンチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，４−ジメチルペンチル基、１−エチルペンチル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、１−プロピルブチル基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−プロピル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、６−メチルヘプチル基、１，２−ジメチルヘキシル基、１，３−ジメチルヘキシル基、１，４−ジメチルヘキシル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２，３−ジメチルヘキシル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、３，４−ジメチルヘキシル基、３，５−ジメチルヘキシル基、４，５−ジメチルヘキシル基、１−エチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、１−イソプロピルペンチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基、２，５−ジメチルヘプチル基、１−エチルヘプチル基、１−イソプロピル−２−メチルブチル基、１−イソプロピル−３−メチルブチル基、１−メチルオクチル基、１−プロピルヘキシル基、１−イソブチル−３−メチルブチル基、３，７−ジメチルオクチル基等の、炭素原子数３〜５０の分岐状アルキル基；、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基等の、炭素原子数２〜５０のアルケニル基；、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基等の、炭素原子数６〜５０のアリール基；フェニルメチル基、１−フェニレンエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニル−１−プロピル基、１−フェニル−２−プロピル基、２−フェニル−２−プロピル基、３−フェニル−１−プロピル基、４−フェニル−１−ブチル基、５−フェニル−１−ペンチル基、６−フェニル−１−ヘキシル基等の、炭素原子数７〜５０のアラルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基であり、より好ましくは炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基であり、更に好ましくは炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基であり、特に好ましくは炭素原子数１〜８のヒドロカルビル基であり、とりわけ好ましくは炭素原子数５〜８のヒドロカルビル基である。
【００４３】
前記ヒドロカルビルオキシ基は、ヒドロキシ基における水素原子が前記ヒドロカルビル基で置換されてなる基である。
【００４４】
前記ヒドロカルビル一置換アミノ基は、アミノ基中の水素原子１個が前記ヒドロカルビル基１個で置換されている基である。
【００４５】
前記ヒドロカルビル二置換アミノ基は、アミノ基中の水素原子２個が前記ヒドロカルビル基２個で置換されている基である。該ヒドロカルビル基２個は同一であっても異なっていてもよい。
【００４６】
前記ヒドロカルビルメルカプト基は、メルカプト基中の水素原子が前記ヒドロカルビル基で置換されている基である。
【００４７】
式（２）中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビル一置換アミノ基、ヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよいヒドロカルビルメルカプト基である。
【００４８】
Ｒ3及びＲ10は少なくともいずれか一方が、好ましくは水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基、置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル一置換アミノ基、炭素原子数２〜５０のヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビルメルカプト基であり、より好ましくは水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基、置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルオキシ基又は炭素原子数２〜３０のヒドロカルビル二置換アミノ基であり、更に好ましくは水素原子、フッ素原子、置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基又は置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基であり、特に好ましくは水素原子、フッ素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜８のヒドロカルビル基であり、とりわけ好ましくは水素原子である。
【００４９】
Ｒ12は、好ましくはヒドロカルビル基である。Ｒ12がヒドロカルビル基であり、かつ、Ｒ3及びＲ10が水素原子である組み合わせがより好ましい。
【００５０】
Ｒ4〜Ｒ9はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビル一置換アミノ基、ヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよいヒドロカルビルメルカプト基である。好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基、置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル一置換アミノ基、炭素原子数２〜５０のヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビルメルカプト基であり、より好ましくは水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基、置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルオキシ基又は炭素原子数２〜３０のヒドロカルビル二置換アミノ基であり、更に好ましくは水素原子、フッ素原子、置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基又は置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基であり、特に好ましくは水素原子、フッ素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜８のヒドロカルビル基であり、とりわけ好ましくはメチル基又は水素原子である。
【００５１】
Ｒ3〜Ｒ10のうち任意の２個以上は、結合して環を形成してもよい。例えば、Ｒ5とＲ6が共にエチレン基でありかつＲ5とＲ6が結合してベンゼン環を形成してもよく、同様に、例えば、Ｒ7とＲ8が結合して芳香環を形成してもよい。
【００５２】
本発明の化合物が含有する繰り返し単位の好ましい構造例としては、下記ｃ１〜ｃ２９が挙げられる。
【化１１】
【化１２】
【００５３】
式ｃ１〜ｃ２９で表される繰り返し単位のうち、好ましくは式ｃ１〜ｃ２４で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位であり、より好ましくは式ｃ１〜ｃ８及び式ｃ１７〜ｃ２４で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位であり、更に好ましくは式ｃ１、式ｃ３、式ｃ５、式ｃ７、式ｃ１７、式ｃ１９、式ｃ２１及び式ｃ２３で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位であり、特に好ましくは式ｃ１、式ｃ３、式ｃ１７及びｃ１９で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位であり、とりわけ好ましくは式ｃ１、式ｃ１７及びｃ１９から選ばれる繰り返し単位である。
【００５４】
本発明の化合物は、上記式（１）で表される繰り返し単位及び上記式（２）で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる１又は２以上の繰り返し単位を含有し、好ましくは１０重量％以上含有し、より好ましくは３０重量％以上含有し、更に好ましくは４０重量％以上含有し、特に好ましくは９０重量％以上含有する。
【００５５】
本発明の化合物は、ホモポリマーでもコポリマーでもよい。ここで本発明の化合物がホモポリマーであるとは、上記式（１）で表される繰り返し単位及び上記式（２）で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる特定の化学構造の繰り返し単位のみを含有することを意味する。本発明の化合物がコポリマーであるとは、上記式（１）で表される繰り返し単位及び上記式（２）で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる２以上の化学構造の繰り返し単位を含有する化合物、並びに、上記式（１）で表される繰り返し単位及び上記式（２）で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる１又は２以上の化学構造の繰り返し単位と、上記式（１）で表される繰り返し単位及び上記式（２）で表される繰り返し単位以外の、１又は２以上の繰り返し単位を含有する化合物を意味する。本発明の化合物がコポリマーである場合は、ランダムコポリマー、交互コポリマー、ブロックコポリマー、グラフトコポリマーのいずれであってもよく、ランダムコポリマー及び交互コポリマーが好ましい。ランダムコポリマーとは、上記式（１）で表される繰り返し単位及び上記式（２）で表される繰り返し単位と、その他の繰り返し単位とが、ランダムに並んでいるコポリマーを意味する。交互ポリマーとは、上記式（１）で表される繰り返し単位及び上記式（２）で表される繰り返し単位と、その他の繰り返し単位とが、交互に並んでいるコポリマーを意味する。
本発明の化合物がコポリマーである場合は、例えば、下記式（３）で表される繰り返し単位及び／又は下記式（４）で表される繰り返し単位を更に含有していてもよい。
【００５６】
【化１３】
式（３）中、Ａｒ2は、置換基を有していてもよい２価の芳香族基又は置換基を有していてもよい２価のアミン残基である。Ｘは、置換基を有してもいてよいシリレン基、置換基を有していてもよいエチレン基、置換基を有していてもよいエテニレン基、又はエチニレン基である。ｍ1及びｍ2は、それぞれ独立に０以上の整数である。ｍ1及びｍ2の少なくとも１個は１以上の整数である。ｍ1及び／又はｍ2が２以上であるとき、ｍ1個存在するＡｒ2及び／又はｍ2個存在するＸは、同じでも異なっていてもよい。
【００５７】
【化１４】
式（４）中、Ａｒ2の定義は式（３）中のＡｒ2と同じである。ｍ5は１以上の整数である。
【００５８】
前記式（３）及び（４）中のＡｒ2で表される２価の芳香族基としては、例えば、２価の芳香族炭化水素基及び２価の芳香族複素環基が挙げられる。２価の芳香族基の例としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、１，３，５−トリアジン環、１，２，４−トリアジン環、１，２，４，５−テトラジン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、１，２，５−オキサジアゾール環、１，３，４−オキサジアゾール環、２，３−ジアザフラン環、チアゾール環、イソチアゾール環、２，４−ジアザフラン環、１，３，４−チアジアゾール環、１，２，３−チアジアゾール環、１，２，４−チアジアゾール環、２Ｈ−１，２，３−トリアゾール環等の単環式芳香環から、水素原子が２個除かれている２価の基；該単環式芳香環が２個以上縮合している縮合多環式芳香環から、水素原子が２個除かれている２価の基；該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群から選ばれる２個以上の芳香環が、単結合している、或いは、エテニレン基又はエチニレン基で連結している、芳香環集合から、水素原子が２個除かれている２価の基；該縮合多環式芳香環又は該芳香環集合の、隣り合う２個の芳香環の間に、メチレン基、エチレン基、カルボニル基、イミノ基等の２価の基による架橋を有する、有橋多環式芳香環から、水素原子を２個除いた２価の基が挙げられる。
【００５９】
前記縮合多環式芳香環において、縮合する単環式芳香環の数は通常２〜６個であり、２〜５個が好ましく、２〜４個がより好ましく、２〜３個が更に好ましく、２個が特に好ましい。前記芳香環集合において、連結される芳香環の数は、通常２〜６個であり、２〜５個が好ましく、２〜４個がより好ましく、２〜３個が更に好ましく、２個が特に好ましい。前記有橋多環式芳香環において、橋かけされる芳香環の数は、通常２〜６個であり、２〜５個が好ましく、２〜４個がより好ましく、２〜３個が更に好ましく、２個が特に好ましい。
【００６０】
前記単環式芳香環としては、例えば、以下の環（式５００〜５２６）が挙げられる。
【化１５】
【００６１】
前記縮合多環式芳香環としては、例えば、以下の環（式５２７〜５７５）が挙げられる。
【化１６】
【００６２】
前記芳香環集合としては、例えば、以下の環（式５７６〜６０２）が挙げられる。
【化１７】
【００６３】
前記有橋多環式芳香環としては、例えば、以下の環（式６０３〜６１４）が挙げられる。
【化１８】
【００６４】
前記Ａｒ2で表される２価の芳香族基は、式５００〜５０５、５０８〜５１４、５２７〜５３４、５４３、５６１、５６２、５６５、５６７〜５７４、５７６〜５８４、５８７〜６０３、６０９及び６１０のうちのいずれかで表される環から水素原子が２個除かれている２価の基であることが好ましく、式５００〜５０５、５１１、５２７、５４３、５６５、５６９、５７６、５８２、６０３及び６１０のうちのいずれかで表される環から水素原子が２個除かれている２価の基であることがより好ましく、式５００、５７６及び６０３のうちのいずれかで表される環から水素原子が２個除かれている２価の基であることが更に好ましい。
【００６５】
前記Ａｒ2で表される２価の芳香族基は、有し得る置換基の数の範囲内で置換基を有していてもよい。置換基の数は０〜３個が好ましく、０〜２個がより好ましく、１個又は２個が更に好ましく、２個が特に好ましい。
【００６６】
前記Ａｒ2で表される２価の芳香族基における、水素原子を２個除いた２価の基の、水素原子が除かれる２箇所の位置は、除かれる水素原子と結合する原子２つを最短で結ぶ原子の数（即ち、構造式において、当該原子２つの間に存在する最少の原子の数）が、多い箇所同士であることが好ましい。例えば、前記式５００で示されるベンゼン環の場合は、パラ位で水素原子が除かれる場合、除かれる水素原子と結合する炭素原子同士の原子数は最短で４原子であり、メタ位では３原子、オルト位では２原子となる。このため、前記５００で示されるベンゼン環の場合は、パラ位で水素原子が除かれることが好ましい。同様に、例えば前記式６０３で示されるフルオレン環の場合は、２，７−位で水素原子が除かれた場合が、最短で結ぶ原子の数が８個で最も多くなるため、２，７−位で水素原子が除かれることが好ましい。
【００６７】
式（３）中のＡｒ2で表される２価のアミン残基としては、例えば、式（５）で表される基が挙げられる。
【化１９】
式（５）中、Ａｒ3、Ａｒ4、Ａｒ5及びＡｒ6は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい２価の芳香族基である。Ａｒ7、Ａｒ8及びＡｒ9は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい１価の芳香族基である。ｍ3及びｍ4は、それぞれ独立に、０又は１である。
【００６８】
上記のＡｒ3、Ａｒ4、Ａｒ5及びＡｒ6における置換基を有していてもよい２価の芳香族基の例及び好ましい例は前記Ａｒ2における置換基を有していてもよい２価の芳香族基の例及び好ましい例と同じである。Ａｒ7、Ａｒ8及びＡｒ9における置換基を有していてもよい１価の芳香族基の例及び好ましい例は、前記置換基を有していてもよい２価の芳香族基の例及び好ましい例の構造に、水素原子１個が結合している１価の基である。
【００６９】
ｍ3が０の場合、Ａｒ3中の炭素原子とＡｒ5中の炭素原子とが、直接結合してもよく、−Ｏ−、−Ｓ−等の２価の基を介して結合していてもよい。ｍ4が０の場合、Ａｒ3中の炭素原子とＡｒ9中の炭素原子とが、直接結合してもよく、−Ｏ−、−Ｓ−等の２価の基を介して結合していてもよい。ｍ3とｍ4が共に０の場合、Ａｒ5中の炭素原子とＡｒ9中の炭素原子とが、直接結合してもよく、−Ｏ−、−Ｓ−等の２価の基を介して結合していてもよい。
【００７０】
式（４）中のＡｒ2で表される２価のアミン残基としては、下記式６１５〜６２７で表される芳香族アミンから水素原子を２個除いた基が例示される。
【化２０】
【００７１】
式（４）中のＡｒ2で表される２価のアミン残基は、式６１５〜６２７で表されるアミンのうち、好ましくは式６１５〜６２１及び６２７のいずれかで表される芳香族アミンから水素原子を２個除いた基であり、より好ましくは式６１５、６１７、６１８、６２０及び６２７のいずれかで表される芳香族アミンから水素原子を２個除いた基である。
【００７２】
式（３）中、Ｘは、置換基を有してもいてよいシリレン基、置換基を有していてもよいエチレン基、置換基を有していてもよいエテニレン基、又はエチニレン基である。該シリレン基、エチレン基及びエテニレン基が有していてもよい置換基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基等の炭素原子数１〜２０のアルキル基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基が挙げられる。シリレン基、エチレン基及びエテニレン基が置換基を複数個有している場合には、それらの置換基は同一でも異なっていてもよい。
【００７３】
式（３）中、ｍ1及びｍ2は、それぞれ独立に０以上の整数である。ｍ1は１以上の整数であることが好ましく、１であることがより好ましい。ｍ2は０であることが好ましい。
【００７４】
式（４）中、ｍ5は１以上の整数である。ｍ5は、好ましくは１又は２であり、より好ましくは１である。
【００７５】
式（３）及び／又は式（４）で表される繰り返し単位としては、例えば、下記式１０１〜１１５が挙げられる。以下の式中、ｎ−Ｏｃｔはｎ−オクチル基を、ｎ−Ｈｅｘはｎ−ヘキシル基を、それぞれ示す。
【化２１】
【００７６】
式１０１〜１１５で表される繰り返し単位のうち、好ましくは式１０１、式１０２、式１０３、式１０６、式１０７、式１０８、式１１０及び式１１１で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位であり、より好ましくは式１０１、式１０８及び式１１１で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる繰り返し単位である。
【００７７】
本発明の化合物がコポリマーである場合、本発明の化合物は上記式（３）及び／又は上記式（４）で表される繰り返し単位を１０重量％〜９０重量％含有していることが好ましく、３０重量％〜７０重量％含有していることがより好ましく、４０重量％〜６０重量％含有していることが更に好ましい。
【００７８】
本発明の化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と言う）によるポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は、通常、５×１０2〜１×１０8であり、好ましくは１×１０3〜１×１０7であり、より好ましくは２×１０3〜１×１０6であり、更に好ましくは３×１０3〜５×１０5であり、特に好ましくは５×１０3〜１×１０5である。本発明の化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常、１×１０3〜１×１０9であり、好ましくは３×１０3〜１×１０8であり、より好ましくは５×１０3〜１×１０7であり、更に好ましくは７×１０3〜１×１０6であり、特に好ましくは１×１０4〜５×１０5である。ＧＰＣの分析条件としては、後述の実施例にて示す分析条件が例示される。
【００７９】
本発明の化合物は、強い円偏光発光性を示すが、円二色性スペクトルにおける左右の吸光度に偏りを有するか、旋光性を有するか、或いはその両方を有することが好ましい。円二色性スペクトルにおける左右の吸光度に偏りがあるか否かの確認は、検体を成膜し、得られる膜の円二色性比を測定し、絶対値が大きいこと（通常は１×１０−6以上、好ましくは１×１０−5以上）を確認することにより行い得る。円二色性比の測定条件としては、実施例の測定条件が例示される。
【００８０】
本発明の化合物の円偏光発光性が強いことは、検体を成膜し、得られる膜の円偏光発光を測定し、後述するｇ値から確認することができる。また、本発明の化合物の円偏光発光性が強いことは、前述した膜の円二色性スペクトルにおける円二色性比の絶対値が大きく、且つ、発光強度が強いことからも、確認し得る。
【００８１】
旋光度は［α］Dの絶対値が５°以上であることが好ましく、１０°以上であることがより好ましい。旋光度の測定条件としては、実施例の測定条件が例示される。
【００８２】
膜の吸光度は、０．０５×１０-3ｍｏｌ／Ｌの濃度における光路長１ｍｍのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液の吸光度以上であることが好ましく、０．２０×１０-3ｍｏｌ／Ｌの濃度における光路長１ｍｍの溶液の吸光度以上であることがより好ましい。吸光度の測定条件としては、実施例の測定条件が例示される。
【００８３】
本発明の化合物は、重合反応によって合成され得る。例えば、前記式（１）で表される化合物から水素原子２〜６個が除かれている２〜６価の基に、公知の重合反応部位（例えば、臭素原子及びブロモメチル基）を含有する化合物を用い、一般的な重合反応を行う定法に従って製造され得る。
【００８４】
本発明の化合物は、実施例の方法により製造され得る。また、実施例とは別に、例えば、１ｍｍｏｌの２，７−ビス（ブロモメチル）−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレンを溶媒（例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル）に溶かし、３ｍｍｏｌ程度のカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（ｔｅｒｔ−ＢｕＯＫ）を加え、加熱撹拌（例えば、４０℃程度）し、反応液をメタノールに加え沈殿させることにより製造され得る。
【００８５】
本発明の化合物は、例えば、粉体、膜、成型体、溶液、分散液等の状態で使用され得るが、膜又は溶液の状態で使用されることが好ましく、膜の状態で使用されることがより好ましい。
【００８６】
本発明は、これまでに記述した本発明の化合物を含有する膜を提供する。
【００８７】
本発明が提供する膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜５０μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜１０μｍであり、より好ましくは３ｎｍ〜５μｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、特に好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍである。薄膜はピンホールや凹凸の形状を含んでいてもよいが、ピンホールや凹凸の形状を含まないことが好ましい。
【００８８】
本発明の膜の製造方法としては、例えば、本発明の化合物と他の成分とを任意の割合で基板上に蒸着する工程を含む方法、及び、本発明の化合物と他の成分とを任意の割合で溶媒中に懸濁又は溶解させて得られる懸濁液又は溶液を塗布する工程を含む方法が挙げられる。好ましくは後者の方法である。
【００８９】
前記塗布する工程に使用する溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン、メチルエチルケトン、アセトニトリル、酢酸エチル、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ヘキサン、シクロヘキサン及びこれらの混合物が挙げられる。
【００９０】
前記塗布する工程においては通常、懸濁液又は溶液を塗布した後に、該懸濁液又は溶液に含まれる溶媒を乾燥させる。溶媒を乾燥させる方法としては、例えば、風乾、加熱乾燥、減圧乾燥、加熱減圧乾燥、及び、窒素ガスを吹き付けて行う乾燥が挙げられ、風乾又は加熱乾燥が好ましく、加熱乾燥がより好ましい。
【００９１】
前記塗布する工程において、塗布方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、ディップコート法、グラビア印刷法、バーコート法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット法及びオフセット印刷法が挙げられ、スピンコート法、キャスティング法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット法又はオフセット印刷法が好ましい。
【００９２】
本発明の膜は、更に膜を形成するための成分を含んでいてもよい。該成分としては、低分子有機材料、高分子有機材料、有機無機複合材料、無機材料及びそれらの混合物が例示され、用途に応じて任意に選択され得る。該成分としては、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリジン誘導体、ポルフィリン誘導体、導電性高分子オリゴマー（例えば、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン）、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、芳香環（例えば、ナフタレン、ペリレン）のテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニンを配位子とする金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、有機シラン誘導体、フルオレン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物及びアリールシラン骨格を有する化合物、支持塩（例えば、トリフルオロメタンスルホン酸リチウム、過塩素酸リチウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸カリウム、テトラフルオロホウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム）を含有していてもよい溶媒（溶媒としては、例えば、プロピレンカーボネート、アセトニトリル、２−メチルテトラヒドロフラン、１，３−ジオキソフラン、ニトロベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、グリセリン、プロピルアルコール、水）、及びこれらの混合物が挙げられ、
好ましくは、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、ポルフィリン誘導体、チオフェンオリゴマー、ジフェニルキノン誘導体、芳香環（例えば、ナフタレン、ペリレン）のテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニンを配位子とする金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）、有機シラン誘導体、フルオレン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物又はアリールシラン骨格を有する化合物であり、
より好ましくは、カルバゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、有機シラン誘導体、フルオレン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物又はアリールシラン骨格を有する化合物であり、
更に好ましくは、カルバゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、アリールアミン誘導体有機シラン誘導体、フルオレン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物又はアリールシラン骨格を有する化合物である。
【００９３】
本発明の膜は、更に発光性材料を含んでいてもよい。発光性材料としては、例えば、白金族元素を用いた金属錯体（例えば、フェニルピリジン誘導体が配位したイリジウム錯体）、希土類元素を用いた金属錯体（例えば、フェナントロリン誘導体が配位したユーロピウム錯体）、８−キノリノール誘導体が配位したアルミニウム錯体、ナフタセン誘導体、ジシアノエチレン誘導体、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、フェニレンビニレン誘導体、フルオレン誘導体、ナフタレン誘導体が挙げられ、好ましくは、イリジウム錯体及びフルオレン誘導体であり、より好ましくはイリジウム錯体である。
【００９４】
本発明の膜は、本発明の化合物のみからなる単独膜であっても、本発明の化合物と他の成分との複合膜であってもよく、単独膜であることが好ましい。本発明の膜が複合膜である場合、膜中における本発明の化合物の含量は、膜全体の重量に対して、好ましくは０．１重量％〜９９重量％であり、より好ましくは１重量％〜９０重量％であり、更に好ましくは５重量％〜８０重量％であり、特に好ましくは１０重量％〜５０重量％である。
【００９５】
本発明はまた、本発明の膜を含む発光素子を提供する。発光素子は、通常、陽極と陰極からなる一対の電極と、該電極間に設けられており、発光層を有する一層又は複数層からなる薄膜層と、を含む。本発明の発光素子は、該薄膜層の少なくとも１層として、本発明の膜を含む。
【００９６】
本発明の発光素子としては、例えば、単層型の発光素子（陽極／発光層／陰極）が挙げられ、この発光層が本発明の薄膜を含有する。また、多層型の発光素子の層構成としては、以下の構成が例示される。
（ａ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／陰極
（ｂ）陽極／発光層／電子注入層／（電子輸送層）／陰極
（ｃ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／電子注入層／（電子輸送層）／陰極
（ｄ）陽極／発光層／（電子輸送層）／電子注入層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／（電子輸送層）／電子注入層／陰極
【００９７】
本発明の発光素子においては、該素子を構成するいずれかの層が本発明の化合物若しくは膜を含んでいればよい。本発明の化合物を含む層又は本発明の膜を含む層がどの層であってもよいが、発光層であることが好ましい。本発明の化合物を発光層に含む場合、本発明の化合物が発光しても、本発明の化合物と他の発光材料（例えば、イリジウム錯体）との混合物であって、他の発光材料が発光してもよいが、本発明の化合物が発光することが好ましい。
【００９８】
本発明の発光素子は、本発明の化合物を含む膜を有するため、円偏光発光性を示す発光素子となる。
【００９９】
前記（ａ）〜（ｅ）において、（正孔輸送層）、（電子輸送層）は、その位置にこれらの層がそれぞれ存在していてもしなくてもよい任意の層であることを表す。
【０１００】
陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等の層に正孔を供給するものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが好ましい。陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物及びこれらの組み合わせを用いることができるが、例えば、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル等の金属；前記導電性金属酸化物と前記金属との混合物及び積層物；ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質；ポリアニリン類、ポリチオフェン類〔ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン等〕、ポリピロール等の有機導電性材料；前記金属、前記混合物及び積層物、前記無機導電性物質、並びに前記有機導電性材料からなる群から選ばれる材料とＩＴＯとの組み合わせ、を用い得る。
【０１０１】
陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層等の層に電子を供給するものである。陰極の材料としては、例えば、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物及びこれらの組み合わせを用い得るが、例えば、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物並びに酸化物；アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｓ等）及びそのフッ化物並びに酸化物；金、銀、鉛、アルミニウム、合金及び混合金属類〔ナトリウム−カリウム合金、ナトリウム−カリウム混合金属、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−アルミニウム混合金属、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−銀混合金属等〕、希土類金属〔インジウム、イッテルビウム等〕を用い得る。
【０１０２】
正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、又は陰極から注入された電子を障壁する機能を有する。これらの層に用いられる材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリジン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、及びこれらの残基を含む重合体；アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマーが挙げられる。前記正孔注入層及び前記正孔輸送層は、これらの１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１０３】
電子注入層及び電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、又は陽極から注入された正孔を障壁する機能を有する。これらの層に用いられる材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、フルオレン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、アンモニウム塩誘導体、カルボン酸塩誘導体、ナフタレンやペリレン等の芳香環のテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニンを配位子とする金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）及び有機シラン誘導体が挙げられる。電子注入層及び前記電子輸送層は、これらの１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、電子注入層及び前記電子輸送層は、フラーレン誘導体及び／又はカーボンナノチューブ誘導体を含有していてもよい。
【０１０４】
電子注入層及び電子輸送層の材料として、絶縁体又は半導体の無機化合物を使用してもよい。電子注入層及び電子輸送層が絶縁体又は半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させ得る。前記絶縁体としては、例えば、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選ばれる少なくとも一種の金属化合物が挙げられ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ及びＣａＳｅからなる群から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。また、電子注入層及び電子輸送層を構成する半導体としては、例えば、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素の、酸化物、窒化物及び酸化窒化物が挙げられる。
【０１０５】
また、本発明の発光素子において、陰極と陰極に接する薄膜との界面領域に還元性ドーパントが添加されていてもよい。前記還元性ドーパントとしては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体及び希土類金属錯体が挙げられる。
【０１０６】
発光層は、電界印加時に陽極、正孔注入層又は正孔輸送層より正孔を注入させ、陰極、電子注入層又は電子輸送層より電子を注入させる機能、注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能のいずれかを有する。発光層に含有される本発明の化合物をゲスト材料とするホスト材料を、発光層に含有させてもよい。ホスト材料としては、例えば、フルオレン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物、ジアリールアミン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、ピラジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物及びアリールシラン骨格を有する化合物が挙げられる。ホスト材料のＴ１は、ゲスト材料のそれより大きいことが好ましく、ホスト材料のＴ１とゲスト材料のＴ１の差が０．２ｅＶよりも大きいことがより好ましい。ホスト材料は低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。ホスト材料は更に電解質を含有していてもよい。該電解質としては、例えば、支持塩（トリフルオロメタンスルホン酸リチウム、過塩素酸リチウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸カリウム、テトラフルオロホウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム等）を含有していてもよい溶媒（プロピレンカーボネート、アセトニトリル、２−メチルテトラヒドロフラン、１，３−ジオキソフラン、ニトロベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、グリセリン、プロピルアルコール、水等）、及び該溶媒で膨潤したゲル状の高分子（ポリエチレンオキシド、ポリアクリルニトリル、フッ化ビニリデンと六フッ化プロピレンの共重合体等）が挙げられる。ホスト材料と本発明の化合物とを混合して塗布する、又は共蒸着することにより、発光材料が前記ホスト材料にドープされた発光層を形成してもよい。
【０１０７】
本発明の発光素子において、各層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法〔抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法等〕、スパッタリング法、ＬＢ法、分子積層法及び塗布法〔キャスティング法、スピンコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法等〕が挙げられるが、製造プロセスを簡略化できる点で、塗布法が好ましい。前記塗布法により、本発明の化合物を含む層を形成する場合の例としては、本発明の化合物を溶媒と混合して塗布液を調製し、該塗布液を所望の層（又は電極）上に、塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。該塗布液中にはホスト材料及び／又はバインダーとして樹脂を含有させてもよい。該樹脂は溶媒に溶解状態としてもよいし、分散状態としてもよい。
【０１０８】
前記樹脂としては、例えば、ポリビニルカルバゾール等の非共役系高分子、及び、ポリオレフィン系高分子等の共役系高分子が使用され得る。例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂及びシリコン樹脂が挙げられる。樹脂の溶液は、更に、酸化防止剤、粘度調整剤等を含有していてもよい。前記溶液に用いられる溶媒としては、薄膜の成分を均一に溶解する溶媒又は安定な分散液を与える溶媒が好ましく、例えば、アルコール類〔メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等〕、ケトン類〔アセトン、メチルエチルケトン等〕、塩素化炭化水素類〔クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等〕、芳香族炭化水素類〔ベンゼン、トルエン、キシレン等〕、脂肪族炭化水素類〔ノルマルヘキサン、シクロヘキサン等〕、アミド類〔ジメチルホルムアミド等〕、スルホキシド類〔ジメチルスルホキシド等〕、及びそれらの混合物が挙げられる。
【０１０９】
インクジェット法においては、例えば、ノズルからの蒸発を押さえるために高沸点の溶媒〔アニソール、ビシクロヘキシルベンゼン等〕を用い得る。また、溶液の粘度は、２５℃において、１〜１００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。
【０１１０】
本発明の発光素子の各層の厚さは、０．５ｎｍ〜１００μｍであることが好ましく、１ｎｍ〜１μｍであることがより好ましい。
【０１１１】
本発明の発光素子は、例えば、３Ｄテレビ用光源、照明用光源、サイン用光源、バックライト用光源、ディスプレイ装置又はプリンターヘッドに用いることができる。本発明の発光素子がディスプレイ装置に用いられる場合には、例えば、公知の駆動技術、駆動回路等が利用できる。本発明の発光素子は、セグメント型及びドットマトリクス型のいずれのディスプレイ装置にも用いることができる。
【実施例】
【０１１２】
次に、実施例を示して本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１１３】
以下の実施例において、ＮＭＲの測定条件は以下の通りとした。測定試料５〜２０ｍｇを約０．６ｍＬの重クロロホルムに溶解させて、ＮＭＲ（日本電子社製、商品名：ＪＮＭ−ＥＣＰ６００Ｎ）を用いて行った。
【０１１４】
以下の実施例において、旋光度の測定は、日本分光社製、ＪＡＳＣＯ Ｐ−１０３０を用いて行った。
【０１１５】
＜実施例１＞（前記ｃ１７を繰り返し単位として含有するホモポリマー）
（−）−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレンの合成
【化２２】
【０１１６】
（＋）−９−ネオメンチルフルオレンを、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ２３，１００２−１００９（２００４）に記載の方法で合成した。
【０１１７】
（＋）−９−ネオメンチルフルオレン（４．０ｇ、０．０１３ｍｏｌ）のＴＨＦ（７０ｍＬ）溶液に、ｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ、１０ｍＬ、ｎ−ブチルリチウムとして０．０１６ｍｏｌ）を０℃で滴下し、４０分撹拌した。反応液に１−ヨードペンタンのＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液を数回に分けて加え、室温に上げて２４時間撹拌した。反応液を水に加え、クロロホルムで抽出し、得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／ヘキサン＝１／５、ｖ／ｖ）による精製を行い、無色液状の（−）−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレンを得た（４．６ｇ、収率９４％）。
【０１１８】
得られた化合物のＮＭＲデータ及び旋光度測定結果を下記に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ７．７１−７．１９ｐｐｍ（ｍ、８Ｈ、ＡｒＨ）、２．６１−２．５５ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ、−ＣＨ−）、２．１９−０．０７ｐｐｍ（ｍ、２９Ｈ）．
［α］D＝−５１°（クロロホルム、１ｇ／ｄＬ、１ｄｍ ｃｅｌｌ）
【０１１９】
２，４，７−トリス（ブロモメチル）−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレンの合成
【化２３】
【０１２０】
（−）−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレン（３．８ｇ、０．０１０ｍｏｌ）とパラホルムアルデヒド（２０ｇ、０．２５ｍｏｌ）の混合物に、３３重量％臭化水素水（２０ｇ、臭化水素として０．２５ｍｏｌ）の酢酸（４３ｍＬ）溶液を０℃で滴下し、７０℃で３６時間撹拌した。反応液を水に加え、クロロホルムでの抽出し、得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／ヘキサン＝１／５、ｖ／ｖ）による精製を行い、クロロホルム−メタノール溶媒で再結晶を行い、無色結晶の２，４，７−トリス（ブロモメチル）−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレンを得た（２．２ｇ、収率３３％）。
【０１２１】
得られた化合物のＮＭＲデータ及び旋光度測定結果を下記に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ７．９０−７．２７ｐｐｍ（ｍ、５Ｈ、ＡｒＨ）、４．９１−４．７６ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ、フルオレン４−位のＣＨ2Ｂｒ）、４．６２−４．５５ｐｐｍ（ｍ、４Ｈ、フルオレン２，７−位のＣＨ2Ｂｒ）、２．５７−２．５３ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ、−ＣＨ−）、２．２０−０．９４ｐｐｍ（ｍ、２９Ｈ）．
［α］D＝−５８°（クロロホルム、１ｇ／ｄＬ、１ｄｍ ｃｅｌｌ）
【０１２２】
ポリマー１の合成
【化２４】
【０１２３】
２，４，７−トリス（ブロモメチル）−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレン（０．４０ｇ、０．６０ｍｍｏｌ）とベンジルブロマイド（０．０９２ｇ、０．５４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（３０ｍＬ）溶液に、ｔｅｒｔ−ＢｕＯＫ（０．２０ｇ、１．８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液を加え、室温で１２時間撹拌後、反応液にｔｅｒｔ−ＢｕＯＫ（０．２０ｇ、１．８ｍｍｏｌ）とベンジルブロマイド（１５．３ｇ、９０ｍｍｏｌ）を順に加え、５０℃で２４時間撹拌した。反応液に水を加えた後、それをメタノールに加え、生じた沈殿物を遠心分離により回収した。これをＴＨＦに溶かし、アセトンに滴下して生じた沈殿物より、目的とする化合物（以下、「ポリマー１」と言う。）を得た（０．１５ｇ、収率３５％）。
【０１２４】
ポリマー１のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）を、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）により測定した。ＳＥＣのうち移動相が有機溶媒である場合をＧＰＣと言う。
【０１２５】
測定試料（ポリマー１）を約０．１重量％の濃度でＴＨＦに溶解させ、ＧＰＣ（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｌ７１００）に１０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はＴＨＦを用い、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、ＴＯＳＯＨ ＴＳＫ ｇｅｌ Ｇ３０００ＨＨＲ及びＴＯＳＯＨ ＴＳＫ ｇｅｌ Ｇ６０００ＨＨＲを用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｌ−７４２０ ＵＶ）及びＲＩ検出器（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｌ−７４９０ ＲＩ）を用いた。
【０１２６】
その結果、ポリマー１のＭｎ及びＭｗはそれぞれ、Ｍｎ＝７４３００、Ｍｗ＝３５２０００であった。
【０１２７】
ポリマー１の旋光度は、［α］D＝−６４°（クロロホルム、１ｇ／ｄＬ、０．１ｄｍ ｃｅｌｌ）であった。
【０１２８】
＜実施例２＞（式ｃ１で表される繰り返し単位を含有するホモポリマー）
２，７−ジブロモ−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレンの合成
【化２５】
【０１２９】
前記合成した（−）−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレン（７．９０ｇ、２１．１ｍｍｏｌ）とヨウ素（６４ｍｇ、０．２５ｍｏｌ）の混合物をジクロロメタン（４０ｍＬ）に溶かし、室温で臭素（２．２０ｍＬ、４２．９ｍｍｏｌ）を滴下し、１．５時間撹拌した。反応液に硫酸水素ナトリウム水溶液とジクロロメタンを加え、抽出して、有機層を水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過、濃縮し、ヘキサンで再結晶を行い、白色結晶の２，７−ジブロモ−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレンを得た（８．４０ｇ、収率７４．８％）。
【０１３０】
得られた化合物のＮＭＲデータを下記に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ７．６０−７．４２ｐｐｍ（ｍ、６Ｈ、ＡｒＨ）、２．５０ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ、−ＣＨ−）、２．１９−０．１４ｐｐｍ（ｍ、２９Ｈ）．
【０１３１】
ポリマー２の合成
【化２６】
【０１３２】
窒素雰囲気下、マグネシウム（７０．０ｍｇ、２．８８ｍｍｏｌ）とＴＨＦ（１ｍＬ）と１，２−ジブロモエタン（６７．０ｍｇ、０．３５７ｍｍｏｌ）との混合液へ、２，７−ジブロモ−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレン（１．００ｇ、１．８８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（３ｍＬ）溶液を加え、６０℃で１時間撹拌した。反応液に［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ジクロロニッケル（ＩＩ）（２０．４ｍｇ、０．０３７６ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で更に２４時間撹拌した。反応液に希塩酸とクロロホルムを加え、抽出して、有機層を水で洗浄した。有機層を乾燥させ、ＴＨＦで懸濁ろ過し、ろ液を濃縮し、ヘキサンで懸濁ろ過し、ろ液を濃縮し、メタノールで懸濁ろ過し、ろ過物として目的とする化合物（以下、「ポリマー２」と言う。）を収率４１％で得た。
【０１３３】
ポリマー２のＭｎ及びＭｗはそれぞれ、Ｍｎ＝７６００、Ｍｗ＝１２８００であった。
【０１３４】
＜実施例３＞（式ｃ１で表される繰り返し単位と式１１１で表される繰り返し単位とを含有するランダムコポリマー）
ポリマー３の合成
【化２７】
上記式中、ｎ−Ｏｃｔはｎ−オクチル基を示す。
【０１３５】
窒素雰囲気下、マグネシウム（７２．９ｍｇ、３．００ｍｏｌ）とＴＨＦ（１ｍＬ）と１，２−ジクロロエタン（１８８ｍｇ、１．００ｍｍｏｌ）の混合液へ、２，７−ジブロモ−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレン（９５８ｍｇ、１．８０ｍｍｏｌ）と２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（６４．４ｍｇ、０．２００ｍｍｏｌ）とのＴＨＦ（３．５ｍＬ）溶液を加え、６０℃で１時間撹拌した。反応液に［１，３−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン］ジクロロニッケル（ＩＩ）（２１．７ｍｇ、０．０４０ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で更に２４時間撹拌した。反応液に希塩酸とクロロホルムを加え、抽出して、有機層を水で洗浄した。有機層を乾燥させ、ＴＨＦで懸濁ろ過し、ろ液を濃縮し、クロロホルムに溶解させ、メタノールに加えて再沈殿を行い、目的とする化合物（以下、「ポリマー３」と言う。）を収率５１％で得た。
【０１３６】
ポリマー３のＭｎ及びＭｗはそれぞれ、Ｍｎ＝８４００、Ｍｗ＝１９４００であった。ポリマー３における、式ｃ１で表される繰り返し単位と式１１１で表される繰り返し単位との含有割合は、それぞれ、９０重量％、１０重量％であった。
【０１３７】
＜実施例４＞（前記式ｃ１で表される繰り返し単位と式１１１で表される繰り返し単位とを含有する交互コポリマー）
ポリマー４の合成
【化２８】
上記式中、ｎ−Ｏｃｔはｎ−オクチル基を示す。
【０１３８】
窒素雰囲気下、２，７−ジブロモ−９−ネオメンチル−９−ペンチルフルオレン（２４０ｍｇ、０．４５１ｍｍｏｌ）、９，９−ジオクチル−２，７−ジボロン酸ビス（１，３−プロパンジオール）エステル（１５０ｍｇ、０．４５１ｍｍｏｌ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（５２．０ｍｇ、０．０４５０ｍｍｏｌ）の混合物に、１，４−ジオキサン（４ｍＬ）、及び、炭酸カリウム（４２５ｍｇ、３．０８ｍｍｏｌ）の水溶液（１．５ｍＬ）を加え、２．５時間還流した。反応液に希塩酸とクロロホルムを加え、抽出して、有機層を水と飽和食塩水で順番に洗浄した。有機層を乾燥させ、メタノールで懸濁ろ過し、ろ過物として目的とする化合物（以下、「ポリマー４」と言う。）を収率７２％で得た。
【０１３９】
ポリマー４のＭｎ及びＭｗはそれぞれ、Ｍｎ＝２５３００、Ｍｗ＝１２８０００であった。ポリマー４における、式ｃ１で表される繰り返し単位と式１１１で表される繰り返し単位との含有割合は、それぞれ、４９重量％、５１重量％であった。
【０１４０】
−吸光度の測定−
吸光度の測定は、日本分光社製、Ｖ−５７０を用いて行った。
ポリマー１をＴＨＦに溶かし、石英基板上にスピンコート法で塗布し、成膜した。得られた膜の３００ｎｍにおける吸光度は、０．２１×１０−3ｍｏｌ／Ｌの濃度における光路長１ｍｍのＴＨＦ溶液と同程度であった。
【０１４１】
−円二色性比の測定−
円二色性比の測定は、日本分光社製、ＪＡＳＣＯ Ｊ−８２０を用いて行った。
【０１４２】
前記吸光度の測定においてポリマー１から得られた膜の円二色性スペクトルを測定したところ、３００ｎｍにおける左右の円偏光に対する分子吸光係数の比（Δε／ε）（円二色性比）は、１．４×１０-5であった。
【０１４３】
ポリマー２をＴＨＦに溶かし、石英基板上にキャスティング法により成膜した。この膜の円二色性スペクトルを測定したところ、３７５ｎｍにおける円二色性比は、８．９×１０-5であった。
【０１４４】
ポリマー３をＴＨＦに溶かし、石英基板上にキャスティング法により成膜した。この膜の円二色性スペクトルを測定したところ、３７５ｎｍにおける円二色性比は、７．６×１０-5であった。
【０１４５】
ポリマー４をＴＨＦに溶かし、石英基板上にキャスティング法により成膜した。この膜の円二色性スペクトルを測定したところ、３８０ｎｍにおける円二色性比は、２．２×１０-5であった。
【０１４６】
−円偏光発光性の測定−
円偏光発光性の測定は、以下の方法で行った。
励起光源として、３７５ｎｍのパルスレーザー（ＰｉｃｏＱｕａｎｔ社製、ＬＤＨ−Ｐ−Ｃ−３７５及びＰＤＬ８００−Ｂ）を用い、励起光を測定試料に照射した。発光は一対のアクロマートダブレットレンズにより集積し、回転偏光は無彩色の１／４λ板と直線偏光子で分離した。検出器はＣＣＤ分光計（Ａｎｄｏｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製、ＳＲ−３０３ｉ及びｉＤｕｓ ４２０Ａ）を用いた。
【０１４７】
前記吸光度の測定においてポリマー１から得られた膜に３７５ｎｍの励起光を照射し、４９０ｎｍにおける円偏光発光性を測定したところ、ｇ値は−０．１６であった。
【０１４８】
上記ｇ値は、検体から放射された発光の右円偏光成分の強度をＩR、左円偏光成分の強度をＩLとし、次式から求めた。
（式） ｇ＝２（ＩL−ＩR）／（ＩL＋ＩR）
【０１４９】
−蛍光発光性の測定−
蛍光発光の測定には、ＪＡＳＣＯ社製のＦＰ−７７７Ｗを用いた。
【０１５０】
上記ポリマー２から得られた膜に３６２ｎｍの励起光を照射したところ、４４０ｎｍにピークを示す強い青色発光が観測された。
【０１５１】
上記ポリマー３から得られた膜に３６２ｎｍの励起光を照射したところ、４４０ｎｍにピークを示す強い青色発光が観測された。
【０１５２】
上記ポリマー４から得られた膜に３６２ｎｍの励起光を照射したところ、４２０ｎｍ及び４４５ｎｍにピークを示す強い青色発光が観測された。
【０１５３】
上記ポリマー２〜４から得られた膜は、円二色性比の絶対値が大きいと共に、蛍光発光性にも優れていることから、強い円偏光発光性を示すことが期待される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される化合物から水素原子２〜６個が除かれている２〜６価の基を繰り返し単位として含有する化合物。
【化１】
（式中、
Ａｒ1は、環状構造中に７〜５０個のｓｐ2炭素原子を有しているｎ1＋ｎ2価の環状炭化水素基である。
Ｒ1は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有している有機基であり、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。
Ｒ2は、ハロゲン原子又は有機基である。
ｎ1は１以上の整数である。
ｎ2は０以上の整数である。
ｎ1個のＲ1とｎ2個のＲ2はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
ｎ2が２以上のとき、ｎ2個のＲ2のうち任意の２個以上が結合して環を形成していてもよい。）
【請求項２】
下記式（２）で表される化合物から水素原子２〜６個が除かれている２〜６価の基を繰り返し単位として含有する化合物。
【化２】
（式中、
Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立に有機基である。Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも一方は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有しており、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビル一置換アミノ基、ヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよいヒドロカルビルメルカプト基である。
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10のうち任意の２個以上は、結合して環を形成していてもよい。）
【請求項３】
前記繰り返し単位が、前記式（２）で表される化合物におけるＲ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10に含まれる水素原子から選ばれる２〜６個が除かれている、２〜６価の基である、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
前記Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10に含まれる水素原子から選ばれる２〜６個が、前記Ｒ4に含まれる水素原子１個以上及び前記Ｒ9に含まれる水素原子１個以上を含む、請求項３に記載の化合物。
【請求項５】
前記不斉炭素原子を有している環状炭化水素基が、下記式ａ１〜ａ１７で表される環状炭化水素基から選ばれる基である、請求項２〜４のいずれか一項に記載の化合物。
【化３】
（式中、＊は水素原子が１個除かれて置換されている部位を示す。式中の＊以外の水素原子は、置換されていてもよい。）
【請求項６】
前記Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも一方が、前記式ａ１〜ａ１７で表される環状炭化水素基から選ばれる基であるか、或いは前記式ａ１〜ａ１７で表される環状炭化水素基から選ばれる基をその一部に含むヒドロカルビル基である、請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
前記Ｒ12がヒドロカルビル基であり、且つ、前記Ｒ3及び前記Ｒ10が水素原子である、請求項２〜６のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項８】
下記式（３）で表される繰り返し単位及び／又は下記式（４）で表される繰り返し単位を更に含有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の化合物。
【化４】
（式中、
Ａｒ2は、置換基を有していてもよい２価の芳香族基又は置換基を有していてもよい２価のアミン残基である。
Ｘは、置換基を有してもいてよいシリレン基、置換基を有していてもよいエチレン基、置換基を有していてもよいエテニレン基、又はエチニレン基である。
ｍ1及びｍ2は、それぞれ独立に０以上の整数である。ｍ1及びｍ2の少なくとも１個は１以上の整数である。ｍ1及び／又はｍ2が２以上であるとき、ｍ1個存在するＡｒ2及び／又はｍ2個存在するＸは、同じでも異なっていてもよい。）
【化５】
（式中、Ａｒ2の定義は式（３）中のＡｒ2と同じである。ｍ5は１以上の整数である。）
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物を含む膜。
【請求項１０】
請求項９に記載の膜を含む発光素子。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光素子を含むディスプレイ装置。
【請求項１】
下記式（１）で表される化合物から水素原子２〜６個が除かれている２〜６価の基を繰り返し単位として含有する化合物。
【化１】
（式中、
Ａｒ1は、環状構造中に７〜５０個のｓｐ2炭素原子を有しているｎ1＋ｎ2価の環状炭化水素基である。
Ｒ1は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有している有機基であり、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。
Ｒ2は、ハロゲン原子又は有機基である。
ｎ1は１以上の整数である。
ｎ2は０以上の整数である。
ｎ1個のＲ1とｎ2個のＲ2はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
ｎ2が２以上のとき、ｎ2個のＲ2のうち任意の２個以上が結合して環を形成していてもよい。）
【請求項２】
下記式（２）で表される化合物から水素原子２〜６個が除かれている２〜６価の基を繰り返し単位として含有する化合物。
【化２】
（式中、
Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立に有機基である。Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも一方は、不斉炭素原子を有している環状炭化水素基を含有しており、該環状炭化水素基における水素原子は置換されていてもよい。
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいヒドロカルビル基、置換されていてもよいヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビル一置換アミノ基、ヒドロカルビル二置換アミノ基又は置換されていてもよいヒドロカルビルメルカプト基である。
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10のうち任意の２個以上は、結合して環を形成していてもよい。）
【請求項３】
前記繰り返し単位が、前記式（２）で表される化合物におけるＲ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10に含まれる水素原子から選ばれる２〜６個が除かれている、２〜６価の基である、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
前記Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10に含まれる水素原子から選ばれる２〜６個が、前記Ｒ4に含まれる水素原子１個以上及び前記Ｒ9に含まれる水素原子１個以上を含む、請求項３に記載の化合物。
【請求項５】
前記不斉炭素原子を有している環状炭化水素基が、下記式ａ１〜ａ１７で表される環状炭化水素基から選ばれる基である、請求項２〜４のいずれか一項に記載の化合物。
【化３】
（式中、＊は水素原子が１個除かれて置換されている部位を示す。式中の＊以外の水素原子は、置換されていてもよい。）
【請求項６】
前記Ｒ11及びＲ12のうち少なくとも一方が、前記式ａ１〜ａ１７で表される環状炭化水素基から選ばれる基であるか、或いは前記式ａ１〜ａ１７で表される環状炭化水素基から選ばれる基をその一部に含むヒドロカルビル基である、請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
前記Ｒ12がヒドロカルビル基であり、且つ、前記Ｒ3及び前記Ｒ10が水素原子である、請求項２〜６のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項８】
下記式（３）で表される繰り返し単位及び／又は下記式（４）で表される繰り返し単位を更に含有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の化合物。
【化４】
（式中、
Ａｒ2は、置換基を有していてもよい２価の芳香族基又は置換基を有していてもよい２価のアミン残基である。
Ｘは、置換基を有してもいてよいシリレン基、置換基を有していてもよいエチレン基、置換基を有していてもよいエテニレン基、又はエチニレン基である。
ｍ1及びｍ2は、それぞれ独立に０以上の整数である。ｍ1及びｍ2の少なくとも１個は１以上の整数である。ｍ1及び／又はｍ2が２以上であるとき、ｍ1個存在するＡｒ2及び／又はｍ2個存在するＸは、同じでも異なっていてもよい。）
【化５】
（式中、Ａｒ2の定義は式（３）中のＡｒ2と同じである。ｍ5は１以上の整数である。）
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物を含む膜。
【請求項１０】
請求項９に記載の膜を含む発光素子。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光素子を含むディスプレイ装置。
【公開番号】特開２０１２−７２３５２（Ｐ２０１２−７２３５２Ａ）
【公開日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９８３４５（Ｐ２０１１−９８３４５）
【出願日】平成２３年４月２６日（２０１１．４．２６）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【出願人】（５０４１７３４７１）国立大学法人北海道大学 (971)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月２６日（２０１１．４．２６）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【出願人】（５０４１７３４７１）国立大学法人北海道大学 (971)
【Ｆターム（参考）】
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