半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
【課題】ピックアップ性の向上を図り、半導体素子に対する不具合の発生を防止しつつ、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルム、およびかかる半導体用フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体用フィルム１０は、接着層３と、第１粘着層１と、第２粘着層２と、支持フィルム４とがこの順で積層されてなり、接着層３の第１粘着層１と反対側の面に半導体ウエハー７を積層させ、この状態で該半導体ウエハー７および接着層３を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を支持フィルム４からピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、第１粘着層１は、ベース樹脂とエネルギー線硬化性樹脂とエネルギー線硬化開始剤とを含む樹脂組成物で構成された層をエネルギー線照射により硬化させることにより形成された層であることを特徴とするものである。
【解決手段】半導体用フィルム１０は、接着層３と、第１粘着層１と、第２粘着層２と、支持フィルム４とがこの順で積層されてなり、接着層３の第１粘着層１と反対側の面に半導体ウエハー７を積層させ、この状態で該半導体ウエハー７および接着層３を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を支持フィルム４からピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、第１粘着層１は、ベース樹脂とエネルギー線硬化性樹脂とエネルギー線硬化開始剤とを含む樹脂組成物で構成された層をエネルギー線照射により硬化させることにより形成された層であることを特徴とするものである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。
【０００３】
これらの半導体装置の製造方法においては、まず、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに接着シートを貼付し、半導体ウエハーの周囲をウエハーリングで固定しながらダイシング工程で前記半導体ウエハーを個々の半導体素子に切断分離（個片化）する。次いで、個片化した個々の半導体素子同士を引き離すエキスパンディング工程と、個片化した半導体素子をピックアップするピックアップ工程とを行う。その後、ピックアップした半導体素子を金属リードフレームまたは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するためのダイボンディング工程へ移送する。これにより、半導体装置が得られる。
【０００４】
また、ダイボンディング工程では、ピックアップした半導体素子を、他の半導体素子上に積層することにより、１つのパッケージ内に複数の半導体素子を搭載したチップスタック型の半導体装置を得ることもできる。
【０００５】
このような半導体装置の製造方法において用いられる接着シートとしては、基材フィルム上に粘着層と接着層とをこの順で積層してなるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
この接着シートは、半導体ウエハーに貼り付けられた状態で前述したダイシング工程に供される。ダイシング工程では、ダイシングブレードの先端が基材フィルムに到達するように切り込みを設けることで、半導体ウエハーと粘着層と接着層とが複数の部分に個片化される。そして、ピックアップ工程では、粘着層と接着層との界面で剥離が生じ、個片化された半導体素子が、個片化された接着層とともにピックアップされる。ピックアップされた接着層は、ダイボンディング工程において、個片化された半導体素子と金属リードフレーム（または基板）との間の接着を担うこととなる。
【０００７】
ところで、ピックアップ工程では、一般に、半導体素子のピックアップ性を向上させる目的で、ダイシングした半導体ウエハーと接着シートとの積層体を放射状に引き伸ばす（エキスパンドする）ことが行われる。
【０００８】
しかしながら、従来の接着シートでは、このようにエキスパンドした際および／またはピックアップする際に、接着層と接触する粘着層に割れや欠け等が生じてしまい、粘着層の一部が接着層とともにピックアップされてしまうといった問題があった。その結果、半導体装置の信頼性を低下させてしまうといった問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８−２１１２２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、ピックアップ性の向上を図り、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルム、およびかかる半導体用フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような目的は、下記（１）〜（９）の本発明により達成される。
（１） 接着層と少なくとも１層の粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層させ、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片をピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、
前記接着層と接する粘着層の、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度が３％以上であることを特徴とする半導体用フィルム。
【００１２】
（２） 前記接着層と接する粘着層の、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度をＸ［％］、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される２３℃における破断点伸度をＹ［％］としたとき、１≦Ｘ−Ｙ≦２０の関係を満足する上記（１）に記載の半導体用フィルム。
【００１３】
（３） 前記接着層と接する粘着層は、ベース樹脂とエネルギー線硬化性樹脂とエネルギー線硬化開始剤とを含む樹脂組成物で構成された層をエネルギー線照射により硬化させることにより形成された層である上記（１）または（２）に記載の半導体用フィルム。
【００１４】
（４） 前記樹脂組成物は、ベース樹脂１００質量部に対して、エネルギー線硬化性樹脂４０〜１５０質量部、エネルギー線硬化開始剤１〜１０質量部、および架橋剤０．１〜５質量部を配合してなる上記（３）に記載の半導体用フィルム。
【００１５】
（５） 前記接着層と接する粘着層の２３℃における弾性率が０．１〜４．０ＧＰａである上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【００１６】
（６） 前記接着層と接する粘着層から前記個片の縁部を剥離させる際に測定される密着力は、０．５Ｎ／１０ｍｍ以下である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【００１７】
（７） 上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層と半導体ウエハーとが接するように、前記半導体用フィルムと半導体ウエハーとを積層してなる積層体を用意する第１の工程と、
前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを設けることにより、前記半導体ウエハーを個片化し、複数の半導体素子を得る第２の工程と、
前記半導体素子をピックアップする第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００１８】
（８） 前記切り込みは、その最深部が、前記粘着層内に位置するように設けられる上記（７）に記載の半導体装置の製造方法。
【００１９】
（９） １本の前記切り込みにおいて、前記接着層と前記粘着層との界面より先端側の部分の横断面積は、５×１０−５〜３００×１０−５ｍｍ２である上記（７）または（８）に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、粘着層からの半導体素子をピックアップする際のエキスパンドにより、粘着層に割れ等が発生するのを防止し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図２】本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図３】本発明の半導体用フィルムを製造する方法を説明するための図である。
【図４】第１粘着層と接着層との密着力を測定する方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法の他の実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２３】
図１および図２は、本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態を説明するための図（縦断面図）、図３は、本発明の半導体用フィルムを製造する方法を説明するための図である。なお、以下の説明では、図１ないし図３中の上側を「上」、下側を「下」という。
【００２４】
［半導体用フィルム］
図１に示す半導体用フィルム１０は、支持フィルム４と、第１粘着層１と、第２粘着層２と、接着層３とを有している。より詳しくは、半導体用フィルム１０は、支持フィルム４上に、第２粘着層２と、第１粘着層１と、接着層３とをこの順で積層してなるものである。
【００２５】
このような半導体用フィルム１０は、図１（ａ）に示すように、接着層３の上面に半導体ウエハー７を積層させ、半導体ウエハー７をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー７を支持するとともに、個片化された半導体ウエハー７（半導体素子７１）をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が選択的に剥離することにより、ピックアップした半導体素子７１を絶縁基板５上に接着するための接着層３１を提供する機能を有するものである。
【００２６】
また、支持フィルム４の外周部４１および第２粘着層２の外周部２１は、それぞれ第１粘着層１の外周縁１１を越えて外側に存在している。
【００２７】
このうち、外周部２１には、ウエハーリング９が貼り付けられる。これにより、半導体ウエハー７が確実に支持されることとなる。
【００２８】
ところで、半導体素子７１をピックアップする際に、一般に、半導体素子のピックアップ性を向上させる目的で、ダイシングした半導体ウエハー７と半導体用フィルム１０との積層体を放射状に引き伸ばす（エキスパンドする）ことが行われる。
【００２９】
しかしながら、従来の半導体用フィルムでは、このようにエキスパンドした際に、接着層と接触する粘着層に割れや欠け等が生じてしまい、粘着層の一部が接着層とともにピックアップされてしまうといった問題があった。その結果、半導体装置の信頼性を低下させてしまうといった問題があった。
【００３０】
また、従来の半導体用フィルムでは、ピックアップの際にも、上記エキスパンドに加えて、支持フィルムの下側から、直径０．２ｍｍ程度の針状体（ニードル）や板状体（スライダー）等で突き上げることにより、半導体用フィルムがさらに引き伸ばされて、粘着層に割れや欠け等が生じてしまい、粘着層の一部が接着層とともにピックアップされてしまうといった問題があった。その結果、半導体装置の信頼性を低下させてしまうといった問題があった。
【００３１】
これに対して、本発明に係る半導体用フィルムの接着層と接する粘着層（第１粘着層）の、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度が３％以上である。これにより、エキスパンドした際および／またはピックアップする際に、粘着層（第１粘着層）に割れや欠け等が生じるのを防止することができる。これは、以下の理由によるものと考えられる。
【００３２】
連続して半導体素子をピックアップして、絶縁基板等の被着体に熱圧着すると、ボンディングヘッドに熱が蓄積され、通常、８０℃程度まで当該ボンディングヘッドの温度が上昇する。このボンディングヘッドを使用して半導体素子を連続してピックアップするため、半導体ウエハーと半導体用フィルムとの積層体の温度も６０℃程度まで上昇することとなる。したがって、６０℃における上記破断点伸度を上記のような範囲のものとすることにより、エキスパンドした際および／またはピックアップする際に、粘着層（第１粘着層）に割れや欠け等が生じるのを確実に防止することができ、その結果、製造される半導体装置の信頼性を特に高いものとすることができる。
【００３３】
以下、まず、半導体用フィルム１０の各部の構成について順次詳述する。
（第１粘着層）
第１粘着層１は、上述したように、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度が３％以上の層であるが、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度が３〜８０％の層であるのがより好ましく、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度が３〜６０％の層であるのがさらに好ましい。これにより、本発明の効果をより顕著なものとすることができる。
【００３４】
また、第１粘着層１のＪＩＳ Ｋ ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度をＸ［％］、ＪＩＳ Ｋ ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される２３℃における破断点伸度をＹ［％］としたとき、１≦Ｘ−Ｙ≦２０の関係を満足するのが好ましく、１≦Ｘ−Ｙ≦１０の関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、エキスパンドした際および／または連続してピックアップする際に第１粘着層１に割れや欠け等が生じるのを確実に防止することができるとともに、第１粘着層１の温度が上がっていない初期状態においても、第１粘着層１に割れや欠け等が生じるのをより効果的に防止することができる。
【００３５】
第１粘着層１の、ＪＩＳ Ｋ ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される２３℃における破断点伸度は、３〜７５％であるのが好ましく、３〜５５％であるのがより好ましい。これにより、第１粘着層１の温度が上がっていない初期状態においても、第１粘着層１に割れや欠け等が生じるのをより効果的に防止することができる。
【００３６】
このような第１粘着層１は、上記のような破断点伸度を付与するものであれば、一般的な粘着剤（ベース樹脂）で構成することが可能であるが、特に、第１粘着層１は、ベース樹脂（粘着剤）とエネルギー線硬化性樹脂とエネルギー線硬化開始剤とを含む第１樹脂組成物で構成された層をエネルギー線照射により硬化させることにより形成された層であるのが好ましい。これにより、エキスパンドした際および／または連続してピックアップする際に、第１粘着層１に割れや欠け等が生じるのをより確実に防止することができるとともに、ピックアップ時の第１粘着層１と接着層３との剥離性をより高いものとすることができる。
【００３７】
ベース樹脂（粘着剤）としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を挙げることができる。
【００３８】
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合してもよい。
【００３９】
また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、エキスパンドした際および／または連続してピックアップする際に、第１粘着層１に割れや欠け等が生じるのをより効果的に防止することができる。また、第１粘着層１が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００４０】
また、第１樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにアクリレートモノマー、官能基含有のモノマー等を添加してもよい。前記アクリル系モノマーとしては、例えばアクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、エチルアクリレート、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、メチルアクリレート、ブチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート等が挙げられる。これらの中でもエチルアクリレート、ブチルアクリレートおよび２−エチルヘキシルアクリレートの中から選ばれた１種以上が好ましい。これにより、エキスパンドした際および／または連続してピックアップする際に、第１粘着層１に割れや欠け等が生じるのをより効果的に防止することができる。また、良好な粘着性に加えて、凝集力の制御が可能となる。さらに、他成分との相溶性を調整することが可能となる。
【００４１】
また、上記官能基含有モノマーとしては、例えば、メタクリル酸、アクリル酸、イタコン酸、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート、アクリルアミド、メチロールアクリルアミド、グリシジルメタクリレート、無水マレイン酸等が挙げられる。
【００４２】
また、上述したように、第１樹脂組成物は、エネルギー線硬化性樹脂を含んでいる。これにより、エネルギー線照射後の第１粘着層１の粘着力を低下させることができる。
【００４３】
第１粘着層１は、接着層３と被着させる前にエネルギー線硬化される。
第１粘着層１がエネルギー線硬化されることにより、エキスパンドした際および／または連続してピックアップする際に、第１粘着層１に割れや欠け等が生じるのをより効果的に防止しつつ、接着層３と被着後、該接着層３とエネルギー線硬化樹脂との反応を防ぐことができ、安定してピックアップすることができる第１粘着層１を得ることができる。
【００４４】
さらに、第１粘着層１がエネルギー線硬化されることで、半導体ウエハー７への被着後の経時変化は見られず、長期間放置した後であっても安定して半導体素子７１のピックアップ性を行うことができる。
【００４５】
エネルギー線硬化型樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって、三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が広く用いられる。
【００４６】
エネルギー線硬化型樹脂として、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート等、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート（オリゴマー）等を挙げることができる。これらの中でもウレタンアクリレートが好ましい。これによりピックアップ性を向上することができる。
【００４７】
第１樹脂組成物に含まれるエネルギー線硬化型樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、４００以上３０，０００以下が好ましく、さらに好ましくは５００以上、１２，０００以下である。重量平均分子量が４００以上、３００００以下の範囲内であると、放射線硬化後の架橋状態が最適化され、放射線硬化後の塗膜の伸びを与えることができ、ピックアップ性を向上することができる。なお重量平均分子量が４００未満では放射線硬化後の塗膜の伸びがなく、ピックアップ時に糊が割れて、糊残りの原因になる。また重量平均分子量が３００００を越える場合では、取扱いの作業性が悪くなるという不具合が生じる。
【００４８】
第１樹脂組成物中におけるエネルギー線硬化型樹脂の含有量は、特に限定されないが、ベース樹脂１００質量部に対して４０〜１５０質量部であるのが好ましく、６０〜１４０質量部であるのがより好ましい。これにより、エキスパンドした際および／または連続してピックアップする際に、第１粘着層１に割れや欠け等が生じるのをより効果的に防止することができる。また、第１粘着層１と接着層３との密着力をより好適なものとすることができ、長期にわたってピックアップ性を優れたものとすることができる。
【００４９】
また、上述したように、第１樹脂組成物は、エネルギー線硬化開始剤を含んでいる。
エネルギー線硬化開始剤としては、例えば、２−２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン等が挙げられる。
【００５０】
第１樹脂組成物に含まれるエネルギー線硬化開始剤の含有量は、特に限定されないが、第１樹脂組成物のベース樹脂１００質量部に対して１〜１０質量部であるのが好ましく、３〜７質量部であるのがより好ましい。これにより、第１粘着層１と接着層３との密着力をより好適なものとすることができ、長期にわたってピックアップ性を優れたものとすることができる。
【００５１】
第１粘着層１のエネルギー線硬化に用いられるエネルギー線としては、例えば、紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）等が挙げられる。反応に用いられるエネルギー量はエネルギー線硬化樹脂が硬化する量であれば、特に限定はないが、紫外線の場合、積算光量であらわすと５０〜８００ｍＪ／ｃｍ２が好ましい。
【００５２】
また、第１樹脂組成物には架橋剤が含まれていてもよい。
架橋剤としては、例えば、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。これにより、ベース樹脂に含まれる官能基と反応し、高分子量体を得ることができる。
【００５３】
イソシアネート系架橋剤としては、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、前記ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類などで封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。
【００５４】
第１樹脂組成物に含まれる架橋剤の含有量は、特に限定されないが、ベース樹脂１００質量部に対して１〜１０質量部であるのが好ましく、３〜７質量部であるのがより好ましい。これにより、架橋剤がベース樹脂とのみ反応することができる。
【００５５】
多価イソシアネートの具体例としては、例えば２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２−４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ジシキウロヘキシルメタン−２−４’−ジイソシアネート等が挙げられる。これらの中でも２，４−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートの中から選ばれる１種以上が好ましい。これにより、特にイソシアネート自体の凝集と架橋のバランスを向上することができる。
【００５６】
また、第１樹脂組成物には、上記成分の他、帯電防止剤、粘着付与剤等を含んでいてもよい。
【００５７】
帯電防止剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等の界面活性剤、温度依存しないようなものとしてはカーボンブラック、銀、ニッケル、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物等の粉体が挙げられる。
【００５８】
また、帯電防止剤の含有量は、特に限定されないが、ベース樹脂１００質量部に対して１０〜５０質量部であるが好ましく、２０〜３０質量部であるがより好ましい。これにより、特に粘着特性と帯電防止性能とのバランスに優れる。これにより、エキスパンド時あるいはピックアップ時に発生する静電気を抑制できるため、半導体素子７１の信頼性を向上することができる。
【００５９】
また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。
【００６０】
このような第１粘着層１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記下限値未満であると十分な粘着力を確保するのが難しくなる場合があり、前記上限値を超えてもあまり特性に影響が無く、利点も得られない。厚さが前記範囲内であると、特に、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能になることから、ダイシング性、ピックアップ性に優れた第１粘着層１が得られる。
【００６１】
（第２粘着層）
第２粘着層２は、前述した第１粘着層１よりも粘着性が高いものである。これにより、第１粘着層１と接着層３との間よりも、第２粘着層２とウエハーリング９との間が強固に粘着することとなり、第２の工程においては、半導体ウエハー７をダイシングして個片化する際に、第２粘着層２とウエハーリング９との間が確実に固定されることとなる。その結果、半導体ウエハー７の位置ずれが確実に防止され、半導体素子７１の寸法精度の低下を防止することができる。
【００６２】
第２粘着層２には、前述した第１粘着層１と同様のものを用いることができる。具体的には、第２粘着層２は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第２樹脂組成物で構成されている。
【００６３】
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を２種類以上混合してもよい。
【００６４】
また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、第２粘着層２が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００６５】
また、第２樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
【００６６】
さらに、第２樹脂組成物には、第１樹脂組成物と同様の光重合開始剤を添加してもよい。
【００６７】
また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等を添加してもよい。
【００６８】
このような第２粘着層２の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記下限値未満であると十分な粘着力を確保するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えても特に優れた効果が得られない。また、第２粘着層２は、第１粘着層１によりも柔軟性が高いため、第２粘着層２の平均厚さが前記範囲内であれば、第２粘着層２の形状追従性が確保され、半導体用フィルム１０の半導体ウエハー７に対する密着性をより高めることができる。
【００６９】
（接着層）
接着層３は、例えば熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む第３樹脂組成物で構成されている。このような第３樹脂組成物は、フィルム形成能、接着性および硬化後の耐熱性に優れる。
【００７０】
このうち、熱可塑性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもアクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、ガラス転移温度が低いため接着層３の初期密着性をより向上することができる。
【００７１】
なお、アクリル系樹脂とは、アクリル酸およびその誘導体を意味し、具体的にはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の重合体および他の単量体との共重合体等が挙げられる。
【００７２】
また、アクリル系樹脂の中でもエポキシ基、水酸基、カルボキシル基、ニトリル基等の官能基を持つ化合物（共重合モノマー成分）を有するアクリル系樹脂（特に、アクリル酸エステル共重合体）が好ましい。これにより、半導体素子７１等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物としては、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、ニトリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。
【００７３】
また、前記官能基を持つ化合物の含有量は、特に限定されないが、アクリル系樹脂全体の０．５〜４０質量％程度であるのが好ましく、特に５〜３０質量％程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。
【００７４】
また、熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、特に限定されないが、−２５〜１２０℃であることが好ましく、特に−２０〜６０℃であることがより好ましく、−１０〜５０℃であることがさらに好ましい。ガラス転移温度が前記下限値未満であると接着層３の粘着力が強くなり作業性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低温接着性を向上する効果が低下する場合がある。
【００７５】
また、熱可塑性樹脂（特にアクリル系樹脂）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１０万以上が好ましく、特に１５万〜１００万が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に接着層３の成膜性を向上することができる。
【００７６】
また、熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂を含んでいるのが好ましい。これにより、ピックアップ性をより高いものとすることができる。また、フェノキシ樹脂は硬化性も示すことで、耐熱性を向上させることができる。
【００７７】
一方、熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いるようにしてもよい。また、これらの中でもエポキシ樹脂またはフェノール樹脂が好ましい。これらの樹脂によれば、接着層３の耐熱性および密着性をより向上することができる。
【００７８】
また、熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０５〜４００質量部程度であるのが好ましく、特に０．１〜１００質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記上限値を上回ると、チッピングやクラックが起こる場合や、密着性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記下限値を下回ると、粘着力が強すぎ、ピックアップ不良が起こる場合や、作業性を向上する効果が低下する場合がある。
【００７９】
また、第３樹脂組成物は、さらに硬化剤（熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、特に、フェノール系硬化剤）を含有することが好ましい。
【００８０】
硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）等の芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタン、およびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
【００８１】
また、硬化剤（特にフェノール系硬化剤）の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して１〜４００質量部であるのが好ましく、特に３〜１００質量部であるのがより好ましい。含有量が前記下限値を下回ると、接着層３の耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記上限値を上回ると、接着層３の保存性が低下する場合がある。
【００８２】
また、前述した熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合は、エポキシ当量と硬化剤の当量比を計算して決めることができ、エポキシ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の官能基の当量（例えばフェノール樹脂であれば水酸基当量）の比が０．５〜１．５であることが好ましく、特に０．７〜１．３であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると保存性が低下する場合があり、前記上限値を超えると耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。
【００８３】
また、これらの熱硬化性樹脂に加えて、またはこれらの熱硬化性樹脂として、フェノキシ樹脂を含ませることもできる。これにより、優れたピックアップ性と耐熱性を両立させることができる。
【００８４】
また、第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらに硬化触媒を含むことが好ましい。これにより、接着層３の硬化性を向上することができる。
【００８５】
硬化触媒としては、例えばイミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホスフィン等リン系触媒等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール類が好ましい。これにより、特に速硬化性と保存性を両立することができる。
【００８６】
イミダゾール類としては、例えば１−ベンジル−２メチルイミダゾール、１−ベンジル−２フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。これらの中でも２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールまたは２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これにより、保存性を特に向上することができる。
【００８７】
また、硬化触媒の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１〜３０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化性が不十分である場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。
【００８８】
また、硬化触媒の平均粒子径は、特に限定されないが、１０μｍ以下であることが好ましく、特に１〜５μｍであることがより好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、特に硬化触媒の反応性に優れる。
【００８９】
また、第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより、樹脂と被着体および樹脂界面の密着性をより向上させることができる。
【００９０】
前記カップリング剤としてはシラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらの中でもシラン系カップリング剤が好ましい。これにより、耐熱性をより向上することができる。
【００９１】
このうち、シラン系カップリング剤としては、例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファンなどが挙げられる。
【００９２】
カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１〜１０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性の効果が不十分である場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。
【００９３】
接着層３を成膜するにあたっては、このような第３樹脂組成物を、例えばメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥することで接着層３を得ることができる。
【００９４】
接着層３の平均厚さは、特に限定されないが、３〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に５〜７０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。
【００９５】
また、第３樹脂組成物は、必要に応じてフィラーを含有していてもよい。フィラーを含むことにより、接着層３の機械的特性および接着力の向上を図ることができる。
【００９６】
このフィラーとしては、例えば銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等の粒子が挙げられる。
【００９７】
また、フィラーの平均粒径は、０．０１〜２５μｍ程度であることが好ましい。平均粒径が前記下限値未満であるとフィラー添加の効果が少なくなり、前記上限値を超えるとフィルムとしての接着力の低下をもたらす可能性がある。
【００９８】
フィラーの含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．１〜２００質量部程度であるのが好ましく、特に５〜１５０質量部程度であるのがより好ましい。これにより、接着層３の機械的特性を高めつつ、接着力をより高めることができる。
【００９９】
（支持フィルム）
支持フィルム４は、以上のような第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３を支持する支持体である。
【０１００】
このような支持フィルム４の構成材料としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物が挙げられる。
【０１０１】
支持フィルム４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜１５０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、支持フィルム４は、適度な剛性を有するものとなるため、第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３を確実に支持して、半導体用フィルム１０の取扱いを容易にするとともに、半導体用フィルム１０が適度に湾曲することで、半導体ウエハー７との密着性を高めることができる。
【０１０２】
（半導体用フィルムの特性）
第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３は、それぞれ異なる密着力を有しているが、それらは以下のような特性を有していることが好ましい。
【０１０３】
まず、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、第２粘着層２の支持フィルム４に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、後述する第３の工程において、個片８３をピックアップした際に、第２粘着層２との支持フィルム４との間は剥離することなく、接着層３と第１粘着層１との間が選択的に剥離する。そして、ダイシングの際には、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持し続けることができる。
【０１０４】
すなわち、本実施形態では、第１粘着層１および第２粘着層２の２層の粘着層を用いているため、それぞれの密着力を異ならせることで、上記のように、積層体８の確実な固定と個片８３の容易なピックアップとを両立させることが可能になる。換言すれば、ダイシング性とピックアップ性の両立を図ることができる。
【０１０５】
なお、第１粘着層１の接着層３に対する密着力や第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、それぞれ、前述したアクリル系樹脂等の種類（組成）、モノマー等の種類、含有量、硬度等を変化させることで調整することができる。
【０１０６】
また、ダイシング前における第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、特に限定されないが、密着界面の平均で１０〜８０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に３０〜６０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、後述するように積層体８を引き伸ばしたり（エキスパンド）、積層体８をダイシングした際に、半導体素子７１が第１粘着層１から脱落する等の不具合が防止されるとともに、優れたピックアップ性が確保される。
【０１０７】
なお、上記密着力の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、第１粘着層１の表面に接着層３を貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）において、この積層フィルムにおいて接着層部分を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。
【０１０８】
上記のような特性を有する第１粘着層１の組成としては、例えば、アクリル系樹脂１００質量部に対して、ウレタンアクリレート４０〜１５０質量部と、イソシアネート化合物０．１〜１０質量部とを配合したものが挙げられる。
【０１０９】
一方、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、特に限定されないが、密着界面の平均で１００〜２，０００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に４００〜１，２００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、後述するように積層体８を引き伸ばしたり（エキスパンド）、積層体８をダイシングした際に、第１粘着層１と第２粘着層２との界面の剥離が防止され、結果として半導体素子７１の脱落等が確実に防止される。また、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持することができる。
【０１１０】
なお、上記密着力の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、ウエハーリング９の上面に第２粘着層が接するように２５ｍｍ幅の短冊状の第２粘着層２と支持フィルム４とを２３℃（室温）で貼り付け、その後、２３℃（室温）において、この第２粘着層２と支持フィルム４を、剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎでウエハーリング９から引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。
【０１１１】
上記のような特性を有する第２粘着層２の組成としては、例えば、アクリル系樹脂１００質量部に対して、ウレタンアクリレート１〜５０質量部と、イソシアネート化合物０．５〜１０質量部とを配合したものが挙げられる。
【０１１２】
なお、第１粘着層１の接着層３に対する密着力をＡ１とし、第２粘着層２の第１粘着層１に対する密着力をＡ２としたとき、Ａ２／Ａ１は、特に限定されないが、５〜２００程度であるのが好ましく、１０〜５０程度であるのがより好ましい。これにより、第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３は、ダイシング性およびピックアップ性において特に優れたものとなる。
【０１１３】
また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、個片８３をピックアップした際に、半導体ウエハー７と接着層３との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第１粘着層１と接着層３との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。
【０１１４】
なお、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力は、特に限定されないが、５０〜５００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に８０〜２５０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、特にダイシング時に振動や衝撃で半導体素子７１が飛んで脱落する、いわゆる「チップ飛び」の発生を十分に防止することができる。
【０１１５】
また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、第１粘着層１の第２粘着層２に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、個片８３をピックアップした際に、第１粘着層１と第２粘着層２との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第１粘着層１と接着層３との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。
【０１１６】
なお、第１粘着層１の第２粘着層２に対する密着力は、特に限定されないが、１００〜１，０００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に３００〜６００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、特にダイシング性やピックアップ性に優れる。
【０１１７】
（半導体用フィルムの製造方法）
以上説明したような半導体用フィルム１０は、例えば以下のような方法で製造される。
【０１１８】
まず、図３（ａ）に示す基材４ａを用意し、この基材４ａの一方の面上に第１粘着層１を成膜する。これにより、基材４ａと第１粘着層１との積層体６１を得る。第１粘着層１の成膜は、前述した第１樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、第１樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。
【０１１９】
上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
【０１２０】
また、積層体６１と同様にして、図３（ａ）に示すように、用意した基材４ｂの一方の面上に接着層３を成膜し、これにより、基材４ｂと接着層３との積層体６２を得る。
【０１２１】
さらに、各積層体６１、６２と同様にして、図３（ａ）に示すように、用意した支持フィルム４の一方の面上に第２粘着層２を成膜し、これにより、支持フィルム４と第２粘着層２との積層体６３を得る。
【０１２２】
次いで、図３（ｂ）に示すように、第１粘着層１と接着層３とが接するように積層体６１と積層体６２とを積層し、積層体６４を得る。この積層は、例えばロールラミネート法等により行うことができる。
【０１２３】
次いで、図３（ｃ）に示すように、積層体６４から基材４ａを剥離する。そして、図３（ｄ）に示すように、前記基材４ａを剥離した積層体６４に対して、基材４ｂを残して、前記接着層３および前記第１粘着層１の有効領域の外側部分をリング状に除去する。ここで、有効領域とは、その外周が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい領域を指す。
【０１２４】
次いで、図３（ｅ）に示すように、第１粘着層１の露出面に第２粘着層２が接するように、基材４ａを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体６４と積層体６３を積層する。その後、基材４ｂを剥離することにより、図３（ｆ）に示す半導体用フィルム１０が得られる。
【０１２５】
［半導体装置の製造方法］
次に、上述したような半導体用フィルム１０を用いて半導体装置１００を製造する方法（本発明の半導体装置の製造方法の第１実施形態）について説明する。
【０１２６】
図１および図２に示す半導体装置の製造方法は、半導体ウエハー７と半導体用フィルム１０とを積層し、積層体８を得る第１の工程と、半導体用フィルム１０の外周部２１をウエハーリング９に貼り付けた状態で、半導体ウエハー７側から積層体８に切り込み８１を設ける（ダイシングする）ことにより、半導体ウエハー７および接着層３を個片化し、半導体素子７１および接着層３１からなる複数の個片８３を得る第２の工程と、個片８３の少なくとも１つをピックアップする第３の工程と、ピックアップされた個片８３を絶縁基板５上に載置し、半導体装置１００を得る第４の工程とを有する。以下、各工程について順次詳述する。
【０１２７】
［１］
［１−１］まず、半導体ウエハー７および半導体用フィルム１０を用意する。
半導体ウエハー７は、あらかじめ、その表面に複数個分の回路が形成されたものである。かかる半導体ウエハー７としては、シリコンウエハーの他、ガリウムヒ素、窒化ガリウムのような化合物半導体ウエハー等が挙げられる。
【０１２８】
このような半導体ウエハー７の平均厚さは、特に限定されず、好ましくは０．０１〜１ｍｍ程度、より好ましくは０．０３〜０．５ｍｍ程度とされる。本発明の半導体装置の製造方法によれば、このような厚さの半導体ウエハー７に対して欠けや割れ等の不具合を生じさせることなく、簡単かつ確実に切断して個片化することができる。
【０１２９】
［１−２］次に、図１（ａ）に示すように、上述したような半導体用フィルム１０の接着層３と、半導体ウエハー７とを密着させつつ、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とを積層する（第１の工程）。なお、図１に示す半導体用フィルム１０では、接着層３の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい形状に、あらかじめ設定されている。このため、半導体ウエハー７の下面全体が接着層３の上面全体と密着し、これにより半導体ウエハー７が半導体用フィルム１０で支持されることとなる。
【０１３０】
上記積層の結果、図１（ｂ）に示すように、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とが積層されてなる積層体８が得られる。
【０１３１】
［２］
［２−１］次に、ウエハーリング９を用意する。続いて、第２粘着層２の外周部２１の上面とウエハーリング９の下面とが密着するように、積層体８とウエハーリング９とを積層する。これにより、積層体８の外周部がウエハーリング９により支持される。
【０１３２】
ウエハーリング９は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、積層体８の変形を確実に防止することができる。
【０１３３】
半導体用フィルム１０が上述したように粘着性の異なる２層の粘着層（第１粘着層１および第２粘着層２）を有していることにより、これらの粘着性の違いを利用して、ダイシング性とピックアップ性の両立を図ることができる。
【０１３４】
［２−２］次に、図示しないダイサーテーブルを用意し、ダイサーテーブルと支持フィルム４とが接触するように、ダイサーテーブル上に積層体８を載置する。
【０１３５】
続いて、図１（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて積層体８に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。ダイシングブレード８２は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ積層体８の半導体ウエハー７側の面に押し当てることで切り込み８１が形成される。そして、半導体ウエハー７に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード８２を相対的に移動させることにより、半導体ウエハー７が複数の半導体素子７１に個片化される（第２の工程）。また、接着層３も同様に、複数の接着層３１に個片化される。このようなダイシングの際には、半導体ウエハー７に振動や衝撃が加わるが、半導体ウエハー７の下面が半導体用フィルム１０で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、半導体ウエハー７における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。
【０１３６】
切り込み８１の深さは、半導体ウエハー７と接着層３とを貫通し得る深さであれば特に限定されない。すなわち、切り込み８１の先端は、第１粘着層１、第２粘着層２および支持フィルム４のいずれかに達していればよい。これにより、半導体ウエハー７と接着層３とが確実に個片化され、それぞれ半導体素子７１と接着層３１とが形成されることとなる。
【０１３７】
なお、本実施形態では、図１（ｃ）に示すように、切り込み８１の先端が支持フィルム４にまで達している場合を例に説明する。このように先端が支持フィルム４に達するように切り込み８１を設けるようにした場合、支持フィルム４の厚さは第１粘着層１や第２粘着層２の厚さに比べて十分に厚いため、ダイシングブレード８２の上下方向の位置精度と、切り込み８１の深さのバラつきとを考慮した場合、製造容易性を高めることができる。換言すれば、先端を第１粘着層１内または第２粘着層２内に留めるように切り込み８１を形成するには、ダイシングブレード８２の上下方向の位置を厳密に制御する必要があり、製造効率が低下するおそれがある。
【０１３８】
［３］
［３−１］次に、複数の切り込み８１が形成された積層体８を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き伸ばす（エキスパンド）。これにより、図１（ｄ）に示すように、積層体８に形成された切り込み８１の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体素子７１同士の間隔も拡大する。その結果、半導体素子７１同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の半導体素子７１をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。
【０１３９】
なお、従来の半導体用フィルムを用いた場合、エキスパンドする際に、粘着層に割れ等が発生して、粘着層の一部がピックアップの際に接着層にくっついて行き、半導体素子（半導体装置）の不具合の原因となっていた。
【０１４０】
これに対して、本発明の半導体用フィルムでは、上述したような粘着層（第１粘着層）を備えていることから、このような不具合を解消することができる。
【０１４１】
［３−２］次に、図示しないダイボンダにより、個片化された半導体素子７１のうちの１つを、ダイボンダのコレット（チップ吸着部）で吸着するとともに上方に引き上げる。その結果、図２（ｅ）に示すように、接着層３１と第１粘着層１との界面が選択的に剥離し、半導体素子７１と接着層３１とが積層されてなる個片８３がピックアップされる（第３の工程）。
【０１４２】
なお、接着層３１と第１粘着層１との界面が選択的に剥離する理由は、前述したように、第２粘着層２の粘着性が第１粘着層１の粘着性より高いため、支持フィルム４と第２粘着層２との界面の密着力、および、第２粘着層２の第１粘着層１との界面の密着力は、第１粘着層１と接着層３との密着力より大きいからである。すなわち、半導体素子７１を上方にピックアップした場合、これらの３箇所のうち、最も密着力の小さい第１粘着層１と接着層３との界面が選択的に剥離することとなる。
【０１４３】
また、個片８３をピックアップする際には、半導体用フィルム１０の下方から、ピックアップすべき個片８３を選択的に突き上げるようにしてもよい。これにより、積層体８から個片８３が突き上げられるため、前述した個片８３のピックアップをより容易に行うことができるようになる。なお、個片８３の突き上げには、半導体用フィルム１０を下方から突き上げる直径０．２ｍｍ程度の針状体（ニードル）や板状体（スライダー）等が用いられる。
【０１４４】
なお、従来の半導体用フィルムを用いた場合、ピックアップの際の下方からの突き上げにより半導体用フィルムがさらに引き伸ばされ、粘着層に割れや欠け等が発生して、粘着層の一部がピックアップの際に接着層にくっついて行き、半導体素子（半導体装置）の不具合の原因となっていた。これに対して、本発明の半導体用フィルムでは、上述したような粘着層（第１粘着層）を備えていることから、このような不具合を解消することができる。
【０１４５】
［４］
［４−１］次に、半導体素子７１（チップ）を搭載（マウント）するための絶縁基板５を用意する。
【０１４６】
この絶縁基板５としては、半導体素子７１を搭載し、半導体素子７１と外部とを電気的に接続するための配線や端子等を備えた絶縁性を有する基板が挙げられる。
【０１４７】
具体的には、ポリエステル銅張フィルム基板、ポリイミド銅張フィルム基板、アラミド銅張フィルム基板等の可撓性基板や、ガラス布・エポキシ銅張積層板等のガラス基材銅張積層板、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板等のコンポジット銅張積層板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板等の耐熱・熱可塑性基板といった硬質性基板の他、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板等のセラミックス基板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）基板などが挙げられる。
なお、絶縁基板５に代えて、リードフレーム等を用いるようにしてもよい。
【０１４８】
次いで、図２（ｆ）に示すように、ピックアップされた個片８３を、絶縁基板５上に載置する。
【０１４９】
［４−２］次に、図２（ｇ）に示すように、絶縁基板５上に載置された個片８３を加熱・圧着する。これにより、接着層３１を介して半導体素子７１と絶縁基板５とが接着（ダイボンディング）される（第４の工程）。
【０１５０】
加熱・圧着の条件としては、例えば加熱温度は１００〜３００℃程度であるのが好ましく、１００〜２００℃程度であるのがより好ましい。また、圧着時間は１〜１０秒程度であるのが好ましく、１〜５秒程度であるのがより好ましい。
【０１５１】
また、その後に加熱処理を施してもよい。この場合の加熱条件は、加熱温度が好ましくは１００〜３００℃程度、より好ましくは１５０〜２５０℃程度とされ、加熱時間が好ましくは１〜２４０分程度、より好ましくは１０〜６０分程度とされる。
【０１５２】
その後、半導体素子７１の端子（図示せず）と絶縁基板５上の端子（図示せず）とをワイヤ８４により電気的に接続する。なお、この接続には、ワイヤ８４に代えて、導電性ペースト、導電性フィルム等を用いるようにしてもよい。
【０１５３】
そして、絶縁基板５上に載置された個片８３およびワイヤ８４を樹脂材料で被覆し、モールド層８５を形成する。このモールド層８５を構成する樹脂材料としては、エポキシ系樹脂等の各種モールド樹脂が挙げられる。
【０１５４】
さらに、絶縁基板５の下面に設けられた端子（図示せず）にボール状電極８６を接合することにより、半導体素子７１をパッケージ内に収納してなる図２（ｈ）に示すような半導体装置１００が得られる。
【０１５５】
以上のような方法によれば、第３の工程において、半導体素子７１に接着層３１が付着した状態、すなわち個片８３の状態でピックアップされることから、第４の工程において、この接着層３１をそのまま絶縁基板５との接着に利用することができる。このため、別途接着剤等を用意する必要がなく、半導体装置１００の製造効率をより高めることができる。
【０１５６】
なお、半導体用フィルム１０は、前述したように、半導体ウエハー７と積層され、その後、半導体ウエハー７および接着層３を個片化した後の状態において、得られた半導体素子７１および接着層３１を積層してなる個片８３の密着力を測定し、個片８３の縁部の密着力をａ（Ｎ／１０ｍｍ）とし、個片８３の中央部（縁部以外の部分）の密着力をｂ（Ｎ／１０ｍｍ）としたとき、ａ／ｂが１〜４となるように構成されているのが好ましく、１〜３程度となるよう構成されているのがより好ましく、１〜２程度となるよう構成されているのがさらに好ましい。これにより、ピックアップの際に半導体素子７１に割れや欠け等の不具合が発生するのを確実に抑制することができ、個片８３のピックアップ性のさらなる向上を図ることができる。
【０１５７】
なお、密着力ａおよび密着力ｂは、それぞれ詳しくは次のようにして測定される。図４は、第１粘着層１と接着層３との密着力を測定する方法を説明するための図（縦断面図）である。
【０１５８】
まず、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とを積層して積層体８を得た後、半導体ウエハー７を１０ｍｍ×１０ｍｍ角に個片化した後の状態で、第３の工程を行う前の積層体８の上面に、１ｃｍ幅の短冊状の粘着フィルム８７を２３℃（室温）で貼り付ける（図４（ａ）参照）。
【０１５９】
次いで、２３℃（室温）において、図４（ｂ）に示すように、積層体８から第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４を剥離角９０°でかつ引っ張り速度５０ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がす。この際、第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４を引き剥がしつつ、第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４にかかる引っ張り荷重（単位Ｎ）の大きさを測定する。そして、個片８３の縁部Ｅが第１粘着層１から離れる際に第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４にかかる引っ張り荷重の平均値が「密着力ａ」に相当し、図４（ｃ）に示すように、個片８３の中央部（縁部以外の部分）Ｃが第１粘着層１から離れる際に第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４にかかる引っ張り荷重の平均値が「密着力ｂ」に相当する。
【０１６０】
すなわち、半導体用フィルム１０によれば、図４（ｂ）の状態（個片８３の縁部Ｅが第１粘着層１から離れようとする状態）であっても、図４（ｃ）の状態（個片８３の中央部Ｃが第１粘着層１から離れようとする状態）であっても、第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４にかかる引っ張り荷重の大きさの差が比較的小さく抑えられるため、仮に図４（ｃ）に示すように半導体素子７１に反りが生じた場合でも、その反りの程度が最小限に抑えられることとなる。その結果、半導体素子７１の割れや欠け等の不具合が最小限に抑えられることとなる。
【０１６１】
ここで、一般的には、上記の個片８３のような平板状の個片を引き剥がす場合、中央部（縁部以外の部分）の密着力に比べて縁部の密着力の方が大きい傾向にある。これは次のような理由によるところが大きいと考えられる。
【０１６２】
１つは、個片８３の縁部Ｅでは、個片８３の端面に第１粘着層１中の成分や第２粘着層２中の成分が這い上がる等して、個片８３の端面までが第１粘着層１との密着に寄与することになる。このため、中央部Ｃに比べて密着力が大きくなり易いことが挙げられる。
【０１６３】
また、１つは、切り込み８１が支持フィルム４まで達した場合に、支持フィルム４が削られ、これにより発生した削り屑が原因になっていることが挙げられる。これらの削り屑は、個片８３を引き剥がす際に、個片８３の端面に引っ掛かる等して、縁部Ｅの密着力の局所的な上昇を招くと考えられる。
【０１６４】
これに対し、上述したような半導体用フィルム１０を用いることにより、半導体素子７１の割れや欠け等の不具合を最小限に抑えることができる。
【０１６５】
なお、個片８３の縁部Ｅとは、半導体素子７１の外縁から、半導体素子７１の幅の１０％以下の領域（図４参照）を指すものとする。一方、個片８３の中央部Ｃとは、前記縁部Ｅ以外の領域（図４参照）を指すものとする。すなわち、半導体素子７１の形状が、例えば平面視において１０ｍｍ角の正方形である場合、外縁から１ｍｍ幅の領域が縁部Ｅであり、残りの領域が中央部Ｃとなる。
【０１６６】
また、個片８３の中央部Ｃ（縁部Ｅ以外の部分）の密着力ｂは、前述した第１粘着層１と接着層３との密着力の範囲にあることが好ましいが、その上で、０．０５〜０．３Ｎ／１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１０〜０．２５Ｎ／１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力ｂが前記範囲内にあることにより、個片８３のピックアップ性が特に向上し、ピックアップの際に半導体素子７１に割れや欠け、バリ等の不具合が発生するのを防止することができる。その結果、最終的に、信頼性の高い半導体装置１００を高い歩留まりで製造することができる。
【０１６７】
特に、半導体ウエハー７の厚さが薄い（例えば２００μｍ以下）場合には、密着力ｂを前記範囲内とすることで、半導体素子７１に生じる上記のような不具合の防止効果が顕著になる。
【０１６８】
また、第１粘着層１の２３℃における弾性率は０．１〜４．０ＧＰａ程度であるのが好ましく、０．５〜２．０ＧＰａ程度であるのがより好ましい。このような弾性率の第１粘着層１は、粘着性が適度に抑えられる一方、成分の流動性や流出性を比較的抑えられることから、この第１粘着層１に切り込み８１が形成されたとしても、ピックアップ性の向上と、第１粘着層１からの物質の染み出しによる不具合の防止とを両立させることができる。なお、弾性率は一般的な引っ張り試験等で測定することができる。
【０１６９】
また、第２粘着層２の６０℃での溶融粘度は、１０００〜１００００Ｐａ程度であるのが好ましく、３０００〜１００００Ｐａ程度であるのがより好ましい。このような粘度の第２粘着層２は、十分な粘着性を有する一方、成分の流動性や流出性を比較的抑えられることから、ダイシング性（ダイシングにおける積層体８とウエハーリング９との固定性）の向上と、物質の染み出しによる不具合の防止とを両立させることができる。なお、溶融粘度は一般的なずり粘弾性試験等で測定することができる。
【０１７０】
また、半導体用フィルム１０が上記のような特性を示すためには、１本の切り込み８１のうち、接着層３と第１粘着層１との界面より先端側の部分の横断面積は、ダイシングブレード８２の厚さや各粘着層１、２の厚さに応じて異なるものの、５〜３００（×１０−５ｍｍ２）程度であるのが好ましく、１０〜２００（×１０−５ｍｍ２）程度であるのがより好ましい。切り込み８１の前記部分の横断面積を前記範囲内に設定することにより、第１粘着層１中の成分や第２粘着層２中の成分の染み出し、および支持フィルム４からの削り屑の発生を抑制することができる。その結果、半導体素子７１の縁部と中央部との間で密着力の差が最適化され、半導体素子７１の割れや欠け等の不具合がより小さく抑えられる。
【０１７１】
なお、図１では、先端が支持フィルム４に達するように切り込み８１を形成する場合について説明したが、図５では、先端が第１粘着層１内に留まるように切り込み８１を形成する場合について説明する。
【０１７２】
図５は、本発明の半導体装置の製造方法の他の実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」という。
【０１７３】
以下、図５について説明するが、図１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図５において、図１と同様の構成部分については、先に説明した図１と同様の符号を付している。
【０１７４】
図５では、先端が第１粘着層１内に留まるように切り込み８１が形成されている。このように切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めた場合、第２粘着層２の成分が切り込み８１を介して、接着層３の周辺や半導体ウエハー７の周辺に染み出すことが防止される。その結果、染み出した物質が不本意にも接着層３と第１粘着層１との間の密着力（特に縁部Ｅの密着力）を高めてしまい、個片８３のピックアップを阻害する不具合を防止することができる。さらには、染み出した物質が半導体素子７１の変質・劣化を引き起こすのを防止することができる。
【０１７５】
このような成分の染み出しは、第２粘着層２の粘着性が第１粘着層１の粘着性よりも強いことから、必然的に、第２粘着層２は第１粘着層１よりも柔軟性が高いと考えられ、したがって第２粘着層２に含まれる物質は流動性や流出性が第１粘着層１よりも高いということに起因する現象であると考えられる。すなわち、本実施形態のように、粘着層が複数層で構成されており、接着層３側の粘着層（図５では第１粘着層１）よりも支持フィルム４側の粘着層（図５では第２粘着層２）の粘着性が強い場合には、図５に示すように切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めることが、上記不具合を防止するにあたって特に有効である。
【０１７６】
また、本実施形態では、切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めることにより、半導体ウエハー７および接着層３は確実に個片化される一方、第１粘着層１および第２粘着層２は個片化されない。したがって、第３の工程において、個片８３をピックアップする際に、第１粘着層１や第２粘着層２が支持フィルム４側に残すべきところ、不本意にも個片８３側に貼り付いた状態でピックアップされてしまうのを防止することができる。これは、第１粘着層１および第２粘着層２を個片化しなかったことで、これらの面方向の繋がりが維持されるため、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力、および、第２粘着層２と支持フィルム４との密着力の低下が防止されるためである。すなわち、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力、および、第２粘着層２と支持フィルム４との密着力が、ピックアップにおける上方への引っ張り力に対して十分な抗力を有するためである。
【０１７７】
また、上述したように、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力、および、第２粘着層２と支持フィルム４との密着力の低下が防止されることから、第１粘着層１と接着層３との密着力をより大きくしたとしても、ピックアップ性の低下が抑制される。すなわち、第１粘着層１と接着層３との密着力において、良好なピックアップを可能にする許容範囲をより拡大することができるため、半導体用フィルム１０の製造容易性およびマウント後の半導体素子７１と絶縁基板５との接着性が向上するという利点もある。
なお、図５に示す方法においても、図１に示す方法と同様の作用・効果が得られる。
【０１７８】
以上、本発明の半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１７９】
例えば、パッケージの形態は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）等のＣＳＰ（Chip Size Package）、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）のような表面実装型のパッケージ、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＰＧＡ（Pin Grid Array）のような挿入型のパッケージ等であってもよく、特に限定されない。
【０１８０】
また、前記各実施形態では、絶縁基板５上に個片８３をマウントする場合について説明したが、この個片８３は、別の半導体素子上にマウントするようにしてもよい。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を積層してなるチップスタック型の半導体装置を製造する場合にも適用することができる。これにより、半導体素子間に削り屑等が侵入するおそれがなくなり、信頼性の高いチップスタック型の半導体装置を高い製造歩留まりで製造することができる。
【０１８１】
なお、本発明の半導体用フィルムをダイシングに供するにあたっては、半導体ウエハー７および接着層３を個片化し得る切り込み８１が形成されていれば、切り込み８１の深さは特に限定されない。
【０１８２】
また、上述した実施形態では、粘着層が第１粘着層および第２粘着層の２層で構成されたものとして説明したが、これに限定されず、例えば、粘着層は第２粘着層のみで構成されていてもよいし、少なくとも第１粘着層を備えた３層以上で構成されたものであってもよい。なお、粘着層は第２粘着層のみで構成されている場合には、接着層３と接する領域（半導体ウエハー７を積層する領域）にあらかじめ紫外線を照射しておくことが好ましい。これにより、この領域の粘着性が失活し、結果として第２粘着層２と接着層３との密着力が低下する。その結果、第３の工程において個片８３をピックアップする際に、大きな荷重をかけなくても個片８３をピックアップすることが可能になり、ピックアップ性の向上を図ることができる。
【０１８３】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、必要に応じて、任意の工程を追加することもできる。
【実施例】
【０１８４】
以下、本発明の具体的実施例について説明する。
１．半導体用フィルムの製造
（実施例１）
＜１＞第１粘着層の形成
ベース樹脂としての、アクリル酸−２−エチルヘキシル３０質量％と酢酸ビニル７０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体１００質量部と、エネルギー線硬化性樹脂としての、分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレート６０質量部と、エネルギー線硬化開始剤としての、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５質量部と、架橋剤としての、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３質量部と、を離型処理した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに対して、乾燥後の厚さが３０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線５００ｍＪ／ｃｍ２を照射し、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第１粘着層を成膜した。
なお、得られた第１粘着層の２３℃における弾性率は１．０ＧＰａであった。
【０１８５】
＜２＞第２粘着層の形成
アクリル酸ブチル７０質量％とアクリル酸２−エチルヘキシル３０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体１００質量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３質量部と、を離型処理した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第２粘着層を成膜した。その後、支持フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンシートをラミネートした。
なお、得られた第２粘着層の６０℃での溶融粘度は、３５００Ｐａであった。
【０１８６】
＜３＞接着層の形成
アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）溶解品、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）の固形成分で１００質量部と、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、重量平均分子量：５０，０００、ジャパンエポキシレジン（株）製）９．８質量部と、フィラーとして添加される球状シリカ（ＳＣ１０５０、平均粒径：０．３μｍ、（株）アドマテックス製）９０．８質量部と、カップリング剤として添加されるγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業（株）製）１．１質量部と、フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）０．１質量部とを、メチルエチルケトンに溶解して、樹脂固形分２０質量％の樹脂ワニスを得た。
【０１８７】
次に、得られた樹脂ワニスを、コンマコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製、品番ピューレックスＡ４３、厚さ３８μｍ）に塗布した後、温度１５０℃で３分間乾燥して、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ１０μｍの接着層を成膜した。
【０１８８】
＜４＞半導体用フィルムの製造
第１粘着層を成膜したフィルムと、接着層を成膜したフィルムとを、第１粘着層と接着層とが接するようにラミネート（積層）し、第１粘着層側のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離して、積層体を得た。
【０１８９】
次にロール状の金型を用いて、第１粘着層と接着層を半導体ウエハーの外径よりも大きく、かつウエハーリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後不要部分を除去して、第２積層体を得た。
【０１９０】
さらに第２粘着層の一方の面側にあるポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離する。そして前記第２積層体の第１粘着層と第２粘着層とが接するように、これらを積層した。これにより、ポリエチレンシート（支持フィルム）、第２粘着層、第１粘着層、接着層およびポリエチレンテレフタレートフィルムの５層がこの順で積層してなる半導体用フィルムを得た。
【０１９１】
（実施例２〜３）
第１粘着層を構成する第１樹脂組成物として表１に示す構成のものを用いた以外は、前記実施例１と同様にして半導体用フィルムを作製した。
【０１９２】
（比較例１〜２）
第１粘着層を構成する第１樹脂組成物として表１に示す構成のものを用いた以外は、前記実施例１と同様にして半導体用フィルムを作製した。
【０１９３】
以上の各実施例および各比較例における、第１粘着層を構成する第１樹脂組成物の組成および第１粘着層の６０℃および２３℃における破断点伸度を表１に示した。
【０１９４】
なお、各温度における破断点伸度は、以下のようにして測定した。
得られた第一粘着層を短冊状に打ち抜き、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離して短冊状の第一粘着層単体を得て、ＪＩＳ K ７１２７に準拠した引っ張り試験によって行った。
【０１９５】
【表１】
【０１９６】
２．エキスパンドピックアップ性
各実施例および各比較例の半導体用フィルムから、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、接着層が接するように半導体用フィルムを８インチ、１００μｍ厚および８インチ、５０μｍ厚のウエハーの裏面に６０℃で貼り付けし、半導体用フィルムが付いた半導体用ウエハーを得た。
【０１９７】
その後、この半導体用ウエハーを、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０）を用いて、スピンドル回転数４０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで半導体ウエハーの表面から第２粘着層の中心部まで切込むようにダイシングし、１０ｍｍ×１０ｍｍ角の半導体素子に切り分けた。これをダイボンダ（ＢＥＳＴＥＭ−Ｄ０２）により、４ｍｍエキスパンドして、ピックアップを行い、ピックアップ後の第１粘着層および半導体素子を観察して第１粘着層および半導体素子の割れ、欠けの有無を観察した。
【０１９８】
その結果、実施例では、ピックアップ後の第１粘着層に割れ、欠けは観察されなかったが、比較例では割れ、欠けが確認され、満足行く結果が得られなかった。また、実施例では、ウエハー厚が１００μｍの場合には、ピックアップ後の半導体素子の割れ、欠けも観察されなかった。さらに、実施例２では、ウエハー厚が５０μｍの場合においても、ピックアップ後の半導体素子の割れ、欠けは観察されなかった。
【符号の説明】
【０１９９】
１ 第１粘着層
１１ 外周縁
２ 第２粘着層
２１ 外周部
３、３１ 接着層
４ 支持フィルム
４１ 外周部
４ａ、４ｂ 基材
５ 絶縁基板
６１〜６４ 積層体
７ 半導体ウエハー
７１ 半導体素子
８ 積層体
８１ 切り込み
８２ ダイシングブレード
８３ 個片
８４ ワイヤ
８５ モールド層
８６ ボール状電極
８７ 粘着フィルム
９ ウエハーリング
１０ 半導体用フィルム
１００ 半導体装置
Ｃ 中央部
Ｅ 縁部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。
【０００３】
これらの半導体装置の製造方法においては、まず、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに接着シートを貼付し、半導体ウエハーの周囲をウエハーリングで固定しながらダイシング工程で前記半導体ウエハーを個々の半導体素子に切断分離（個片化）する。次いで、個片化した個々の半導体素子同士を引き離すエキスパンディング工程と、個片化した半導体素子をピックアップするピックアップ工程とを行う。その後、ピックアップした半導体素子を金属リードフレームまたは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するためのダイボンディング工程へ移送する。これにより、半導体装置が得られる。
【０００４】
また、ダイボンディング工程では、ピックアップした半導体素子を、他の半導体素子上に積層することにより、１つのパッケージ内に複数の半導体素子を搭載したチップスタック型の半導体装置を得ることもできる。
【０００５】
このような半導体装置の製造方法において用いられる接着シートとしては、基材フィルム上に粘着層と接着層とをこの順で積層してなるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
この接着シートは、半導体ウエハーに貼り付けられた状態で前述したダイシング工程に供される。ダイシング工程では、ダイシングブレードの先端が基材フィルムに到達するように切り込みを設けることで、半導体ウエハーと粘着層と接着層とが複数の部分に個片化される。そして、ピックアップ工程では、粘着層と接着層との界面で剥離が生じ、個片化された半導体素子が、個片化された接着層とともにピックアップされる。ピックアップされた接着層は、ダイボンディング工程において、個片化された半導体素子と金属リードフレーム（または基板）との間の接着を担うこととなる。
【０００７】
ところで、ピックアップ工程では、一般に、半導体素子のピックアップ性を向上させる目的で、ダイシングした半導体ウエハーと接着シートとの積層体を放射状に引き伸ばす（エキスパンドする）ことが行われる。
【０００８】
しかしながら、従来の接着シートでは、このようにエキスパンドした際および／またはピックアップする際に、接着層と接触する粘着層に割れや欠け等が生じてしまい、粘着層の一部が接着層とともにピックアップされてしまうといった問題があった。その結果、半導体装置の信頼性を低下させてしまうといった問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８−２１１２２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、ピックアップ性の向上を図り、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルム、およびかかる半導体用フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような目的は、下記（１）〜（９）の本発明により達成される。
（１） 接着層と少なくとも１層の粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層させ、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片をピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、
前記接着層と接する粘着層の、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度が３％以上であることを特徴とする半導体用フィルム。
【００１２】
（２） 前記接着層と接する粘着層の、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度をＸ［％］、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される２３℃における破断点伸度をＹ［％］としたとき、１≦Ｘ−Ｙ≦２０の関係を満足する上記（１）に記載の半導体用フィルム。
【００１３】
（３） 前記接着層と接する粘着層は、ベース樹脂とエネルギー線硬化性樹脂とエネルギー線硬化開始剤とを含む樹脂組成物で構成された層をエネルギー線照射により硬化させることにより形成された層である上記（１）または（２）に記載の半導体用フィルム。
【００１４】
（４） 前記樹脂組成物は、ベース樹脂１００質量部に対して、エネルギー線硬化性樹脂４０〜１５０質量部、エネルギー線硬化開始剤１〜１０質量部、および架橋剤０．１〜５質量部を配合してなる上記（３）に記載の半導体用フィルム。
【００１５】
（５） 前記接着層と接する粘着層の２３℃における弾性率が０．１〜４．０ＧＰａである上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【００１６】
（６） 前記接着層と接する粘着層から前記個片の縁部を剥離させる際に測定される密着力は、０．５Ｎ／１０ｍｍ以下である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【００１７】
（７） 上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層と半導体ウエハーとが接するように、前記半導体用フィルムと半導体ウエハーとを積層してなる積層体を用意する第１の工程と、
前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを設けることにより、前記半導体ウエハーを個片化し、複数の半導体素子を得る第２の工程と、
前記半導体素子をピックアップする第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００１８】
（８） 前記切り込みは、その最深部が、前記粘着層内に位置するように設けられる上記（７）に記載の半導体装置の製造方法。
【００１９】
（９） １本の前記切り込みにおいて、前記接着層と前記粘着層との界面より先端側の部分の横断面積は、５×１０−５〜３００×１０−５ｍｍ２である上記（７）または（８）に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、粘着層からの半導体素子をピックアップする際のエキスパンドにより、粘着層に割れ等が発生するのを防止し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図２】本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図３】本発明の半導体用フィルムを製造する方法を説明するための図である。
【図４】第１粘着層と接着層との密着力を測定する方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法の他の実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２３】
図１および図２は、本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態を説明するための図（縦断面図）、図３は、本発明の半導体用フィルムを製造する方法を説明するための図である。なお、以下の説明では、図１ないし図３中の上側を「上」、下側を「下」という。
【００２４】
［半導体用フィルム］
図１に示す半導体用フィルム１０は、支持フィルム４と、第１粘着層１と、第２粘着層２と、接着層３とを有している。より詳しくは、半導体用フィルム１０は、支持フィルム４上に、第２粘着層２と、第１粘着層１と、接着層３とをこの順で積層してなるものである。
【００２５】
このような半導体用フィルム１０は、図１（ａ）に示すように、接着層３の上面に半導体ウエハー７を積層させ、半導体ウエハー７をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー７を支持するとともに、個片化された半導体ウエハー７（半導体素子７１）をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が選択的に剥離することにより、ピックアップした半導体素子７１を絶縁基板５上に接着するための接着層３１を提供する機能を有するものである。
【００２６】
また、支持フィルム４の外周部４１および第２粘着層２の外周部２１は、それぞれ第１粘着層１の外周縁１１を越えて外側に存在している。
【００２７】
このうち、外周部２１には、ウエハーリング９が貼り付けられる。これにより、半導体ウエハー７が確実に支持されることとなる。
【００２８】
ところで、半導体素子７１をピックアップする際に、一般に、半導体素子のピックアップ性を向上させる目的で、ダイシングした半導体ウエハー７と半導体用フィルム１０との積層体を放射状に引き伸ばす（エキスパンドする）ことが行われる。
【００２９】
しかしながら、従来の半導体用フィルムでは、このようにエキスパンドした際に、接着層と接触する粘着層に割れや欠け等が生じてしまい、粘着層の一部が接着層とともにピックアップされてしまうといった問題があった。その結果、半導体装置の信頼性を低下させてしまうといった問題があった。
【００３０】
また、従来の半導体用フィルムでは、ピックアップの際にも、上記エキスパンドに加えて、支持フィルムの下側から、直径０．２ｍｍ程度の針状体（ニードル）や板状体（スライダー）等で突き上げることにより、半導体用フィルムがさらに引き伸ばされて、粘着層に割れや欠け等が生じてしまい、粘着層の一部が接着層とともにピックアップされてしまうといった問題があった。その結果、半導体装置の信頼性を低下させてしまうといった問題があった。
【００３１】
これに対して、本発明に係る半導体用フィルムの接着層と接する粘着層（第１粘着層）の、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度が３％以上である。これにより、エキスパンドした際および／またはピックアップする際に、粘着層（第１粘着層）に割れや欠け等が生じるのを防止することができる。これは、以下の理由によるものと考えられる。
【００３２】
連続して半導体素子をピックアップして、絶縁基板等の被着体に熱圧着すると、ボンディングヘッドに熱が蓄積され、通常、８０℃程度まで当該ボンディングヘッドの温度が上昇する。このボンディングヘッドを使用して半導体素子を連続してピックアップするため、半導体ウエハーと半導体用フィルムとの積層体の温度も６０℃程度まで上昇することとなる。したがって、６０℃における上記破断点伸度を上記のような範囲のものとすることにより、エキスパンドした際および／またはピックアップする際に、粘着層（第１粘着層）に割れや欠け等が生じるのを確実に防止することができ、その結果、製造される半導体装置の信頼性を特に高いものとすることができる。
【００３３】
以下、まず、半導体用フィルム１０の各部の構成について順次詳述する。
（第１粘着層）
第１粘着層１は、上述したように、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度が３％以上の層であるが、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度が３〜８０％の層であるのがより好ましく、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度が３〜６０％の層であるのがさらに好ましい。これにより、本発明の効果をより顕著なものとすることができる。
【００３４】
また、第１粘着層１のＪＩＳ Ｋ ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度をＸ［％］、ＪＩＳ Ｋ ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される２３℃における破断点伸度をＹ［％］としたとき、１≦Ｘ−Ｙ≦２０の関係を満足するのが好ましく、１≦Ｘ−Ｙ≦１０の関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、エキスパンドした際および／または連続してピックアップする際に第１粘着層１に割れや欠け等が生じるのを確実に防止することができるとともに、第１粘着層１の温度が上がっていない初期状態においても、第１粘着層１に割れや欠け等が生じるのをより効果的に防止することができる。
【００３５】
第１粘着層１の、ＪＩＳ Ｋ ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される２３℃における破断点伸度は、３〜７５％であるのが好ましく、３〜５５％であるのがより好ましい。これにより、第１粘着層１の温度が上がっていない初期状態においても、第１粘着層１に割れや欠け等が生じるのをより効果的に防止することができる。
【００３６】
このような第１粘着層１は、上記のような破断点伸度を付与するものであれば、一般的な粘着剤（ベース樹脂）で構成することが可能であるが、特に、第１粘着層１は、ベース樹脂（粘着剤）とエネルギー線硬化性樹脂とエネルギー線硬化開始剤とを含む第１樹脂組成物で構成された層をエネルギー線照射により硬化させることにより形成された層であるのが好ましい。これにより、エキスパンドした際および／または連続してピックアップする際に、第１粘着層１に割れや欠け等が生じるのをより確実に防止することができるとともに、ピックアップ時の第１粘着層１と接着層３との剥離性をより高いものとすることができる。
【００３７】
ベース樹脂（粘着剤）としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を挙げることができる。
【００３８】
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合してもよい。
【００３９】
また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、エキスパンドした際および／または連続してピックアップする際に、第１粘着層１に割れや欠け等が生じるのをより効果的に防止することができる。また、第１粘着層１が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００４０】
また、第１樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにアクリレートモノマー、官能基含有のモノマー等を添加してもよい。前記アクリル系モノマーとしては、例えばアクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、エチルアクリレート、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、メチルアクリレート、ブチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート等が挙げられる。これらの中でもエチルアクリレート、ブチルアクリレートおよび２−エチルヘキシルアクリレートの中から選ばれた１種以上が好ましい。これにより、エキスパンドした際および／または連続してピックアップする際に、第１粘着層１に割れや欠け等が生じるのをより効果的に防止することができる。また、良好な粘着性に加えて、凝集力の制御が可能となる。さらに、他成分との相溶性を調整することが可能となる。
【００４１】
また、上記官能基含有モノマーとしては、例えば、メタクリル酸、アクリル酸、イタコン酸、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート、アクリルアミド、メチロールアクリルアミド、グリシジルメタクリレート、無水マレイン酸等が挙げられる。
【００４２】
また、上述したように、第１樹脂組成物は、エネルギー線硬化性樹脂を含んでいる。これにより、エネルギー線照射後の第１粘着層１の粘着力を低下させることができる。
【００４３】
第１粘着層１は、接着層３と被着させる前にエネルギー線硬化される。
第１粘着層１がエネルギー線硬化されることにより、エキスパンドした際および／または連続してピックアップする際に、第１粘着層１に割れや欠け等が生じるのをより効果的に防止しつつ、接着層３と被着後、該接着層３とエネルギー線硬化樹脂との反応を防ぐことができ、安定してピックアップすることができる第１粘着層１を得ることができる。
【００４４】
さらに、第１粘着層１がエネルギー線硬化されることで、半導体ウエハー７への被着後の経時変化は見られず、長期間放置した後であっても安定して半導体素子７１のピックアップ性を行うことができる。
【００４５】
エネルギー線硬化型樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって、三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が広く用いられる。
【００４６】
エネルギー線硬化型樹脂として、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート等、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート（オリゴマー）等を挙げることができる。これらの中でもウレタンアクリレートが好ましい。これによりピックアップ性を向上することができる。
【００４７】
第１樹脂組成物に含まれるエネルギー線硬化型樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、４００以上３０，０００以下が好ましく、さらに好ましくは５００以上、１２，０００以下である。重量平均分子量が４００以上、３００００以下の範囲内であると、放射線硬化後の架橋状態が最適化され、放射線硬化後の塗膜の伸びを与えることができ、ピックアップ性を向上することができる。なお重量平均分子量が４００未満では放射線硬化後の塗膜の伸びがなく、ピックアップ時に糊が割れて、糊残りの原因になる。また重量平均分子量が３００００を越える場合では、取扱いの作業性が悪くなるという不具合が生じる。
【００４８】
第１樹脂組成物中におけるエネルギー線硬化型樹脂の含有量は、特に限定されないが、ベース樹脂１００質量部に対して４０〜１５０質量部であるのが好ましく、６０〜１４０質量部であるのがより好ましい。これにより、エキスパンドした際および／または連続してピックアップする際に、第１粘着層１に割れや欠け等が生じるのをより効果的に防止することができる。また、第１粘着層１と接着層３との密着力をより好適なものとすることができ、長期にわたってピックアップ性を優れたものとすることができる。
【００４９】
また、上述したように、第１樹脂組成物は、エネルギー線硬化開始剤を含んでいる。
エネルギー線硬化開始剤としては、例えば、２−２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン等が挙げられる。
【００５０】
第１樹脂組成物に含まれるエネルギー線硬化開始剤の含有量は、特に限定されないが、第１樹脂組成物のベース樹脂１００質量部に対して１〜１０質量部であるのが好ましく、３〜７質量部であるのがより好ましい。これにより、第１粘着層１と接着層３との密着力をより好適なものとすることができ、長期にわたってピックアップ性を優れたものとすることができる。
【００５１】
第１粘着層１のエネルギー線硬化に用いられるエネルギー線としては、例えば、紫外線（ＵＶ）や電子線（ＥＢ）等が挙げられる。反応に用いられるエネルギー量はエネルギー線硬化樹脂が硬化する量であれば、特に限定はないが、紫外線の場合、積算光量であらわすと５０〜８００ｍＪ／ｃｍ２が好ましい。
【００５２】
また、第１樹脂組成物には架橋剤が含まれていてもよい。
架橋剤としては、例えば、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。これにより、ベース樹脂に含まれる官能基と反応し、高分子量体を得ることができる。
【００５３】
イソシアネート系架橋剤としては、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、前記ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類などで封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。
【００５４】
第１樹脂組成物に含まれる架橋剤の含有量は、特に限定されないが、ベース樹脂１００質量部に対して１〜１０質量部であるのが好ましく、３〜７質量部であるのがより好ましい。これにより、架橋剤がベース樹脂とのみ反応することができる。
【００５５】
多価イソシアネートの具体例としては、例えば２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２−４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ジシキウロヘキシルメタン−２−４’−ジイソシアネート等が挙げられる。これらの中でも２，４−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４−４’−ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートの中から選ばれる１種以上が好ましい。これにより、特にイソシアネート自体の凝集と架橋のバランスを向上することができる。
【００５６】
また、第１樹脂組成物には、上記成分の他、帯電防止剤、粘着付与剤等を含んでいてもよい。
【００５７】
帯電防止剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等の界面活性剤、温度依存しないようなものとしてはカーボンブラック、銀、ニッケル、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物等の粉体が挙げられる。
【００５８】
また、帯電防止剤の含有量は、特に限定されないが、ベース樹脂１００質量部に対して１０〜５０質量部であるが好ましく、２０〜３０質量部であるがより好ましい。これにより、特に粘着特性と帯電防止性能とのバランスに優れる。これにより、エキスパンド時あるいはピックアップ時に発生する静電気を抑制できるため、半導体素子７１の信頼性を向上することができる。
【００５９】
また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。
【００６０】
このような第１粘着層１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記下限値未満であると十分な粘着力を確保するのが難しくなる場合があり、前記上限値を超えてもあまり特性に影響が無く、利点も得られない。厚さが前記範囲内であると、特に、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能になることから、ダイシング性、ピックアップ性に優れた第１粘着層１が得られる。
【００６１】
（第２粘着層）
第２粘着層２は、前述した第１粘着層１よりも粘着性が高いものである。これにより、第１粘着層１と接着層３との間よりも、第２粘着層２とウエハーリング９との間が強固に粘着することとなり、第２の工程においては、半導体ウエハー７をダイシングして個片化する際に、第２粘着層２とウエハーリング９との間が確実に固定されることとなる。その結果、半導体ウエハー７の位置ずれが確実に防止され、半導体素子７１の寸法精度の低下を防止することができる。
【００６２】
第２粘着層２には、前述した第１粘着層１と同様のものを用いることができる。具体的には、第２粘着層２は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第２樹脂組成物で構成されている。
【００６３】
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を２種類以上混合してもよい。
【００６４】
また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、第２粘着層２が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００６５】
また、第２樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
【００６６】
さらに、第２樹脂組成物には、第１樹脂組成物と同様の光重合開始剤を添加してもよい。
【００６７】
また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等を添加してもよい。
【００６８】
このような第２粘着層２の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記下限値未満であると十分な粘着力を確保するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えても特に優れた効果が得られない。また、第２粘着層２は、第１粘着層１によりも柔軟性が高いため、第２粘着層２の平均厚さが前記範囲内であれば、第２粘着層２の形状追従性が確保され、半導体用フィルム１０の半導体ウエハー７に対する密着性をより高めることができる。
【００６９】
（接着層）
接着層３は、例えば熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む第３樹脂組成物で構成されている。このような第３樹脂組成物は、フィルム形成能、接着性および硬化後の耐熱性に優れる。
【００７０】
このうち、熱可塑性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもアクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、ガラス転移温度が低いため接着層３の初期密着性をより向上することができる。
【００７１】
なお、アクリル系樹脂とは、アクリル酸およびその誘導体を意味し、具体的にはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の重合体および他の単量体との共重合体等が挙げられる。
【００７２】
また、アクリル系樹脂の中でもエポキシ基、水酸基、カルボキシル基、ニトリル基等の官能基を持つ化合物（共重合モノマー成分）を有するアクリル系樹脂（特に、アクリル酸エステル共重合体）が好ましい。これにより、半導体素子７１等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物としては、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、ニトリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。
【００７３】
また、前記官能基を持つ化合物の含有量は、特に限定されないが、アクリル系樹脂全体の０．５〜４０質量％程度であるのが好ましく、特に５〜３０質量％程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。
【００７４】
また、熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、特に限定されないが、−２５〜１２０℃であることが好ましく、特に−２０〜６０℃であることがより好ましく、−１０〜５０℃であることがさらに好ましい。ガラス転移温度が前記下限値未満であると接着層３の粘着力が強くなり作業性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低温接着性を向上する効果が低下する場合がある。
【００７５】
また、熱可塑性樹脂（特にアクリル系樹脂）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１０万以上が好ましく、特に１５万〜１００万が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に接着層３の成膜性を向上することができる。
【００７６】
また、熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂を含んでいるのが好ましい。これにより、ピックアップ性をより高いものとすることができる。また、フェノキシ樹脂は硬化性も示すことで、耐熱性を向上させることができる。
【００７７】
一方、熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いるようにしてもよい。また、これらの中でもエポキシ樹脂またはフェノール樹脂が好ましい。これらの樹脂によれば、接着層３の耐熱性および密着性をより向上することができる。
【００７８】
また、熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０５〜４００質量部程度であるのが好ましく、特に０．１〜１００質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記上限値を上回ると、チッピングやクラックが起こる場合や、密着性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記下限値を下回ると、粘着力が強すぎ、ピックアップ不良が起こる場合や、作業性を向上する効果が低下する場合がある。
【００７９】
また、第３樹脂組成物は、さらに硬化剤（熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、特に、フェノール系硬化剤）を含有することが好ましい。
【００８０】
硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）等の芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタン、およびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
【００８１】
また、硬化剤（特にフェノール系硬化剤）の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して１〜４００質量部であるのが好ましく、特に３〜１００質量部であるのがより好ましい。含有量が前記下限値を下回ると、接着層３の耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記上限値を上回ると、接着層３の保存性が低下する場合がある。
【００８２】
また、前述した熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合は、エポキシ当量と硬化剤の当量比を計算して決めることができ、エポキシ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の官能基の当量（例えばフェノール樹脂であれば水酸基当量）の比が０．５〜１．５であることが好ましく、特に０．７〜１．３であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると保存性が低下する場合があり、前記上限値を超えると耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。
【００８３】
また、これらの熱硬化性樹脂に加えて、またはこれらの熱硬化性樹脂として、フェノキシ樹脂を含ませることもできる。これにより、優れたピックアップ性と耐熱性を両立させることができる。
【００８４】
また、第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらに硬化触媒を含むことが好ましい。これにより、接着層３の硬化性を向上することができる。
【００８５】
硬化触媒としては、例えばイミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホスフィン等リン系触媒等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール類が好ましい。これにより、特に速硬化性と保存性を両立することができる。
【００８６】
イミダゾール類としては、例えば１−ベンジル−２メチルイミダゾール、１−ベンジル−２フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。これらの中でも２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールまたは２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これにより、保存性を特に向上することができる。
【００８７】
また、硬化触媒の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１〜３０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化性が不十分である場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。
【００８８】
また、硬化触媒の平均粒子径は、特に限定されないが、１０μｍ以下であることが好ましく、特に１〜５μｍであることがより好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、特に硬化触媒の反応性に優れる。
【００８９】
また、第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより、樹脂と被着体および樹脂界面の密着性をより向上させることができる。
【００９０】
前記カップリング剤としてはシラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらの中でもシラン系カップリング剤が好ましい。これにより、耐熱性をより向上することができる。
【００９１】
このうち、シラン系カップリング剤としては、例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファンなどが挙げられる。
【００９２】
カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１〜１０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性の効果が不十分である場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。
【００９３】
接着層３を成膜するにあたっては、このような第３樹脂組成物を、例えばメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥することで接着層３を得ることができる。
【００９４】
接着層３の平均厚さは、特に限定されないが、３〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に５〜７０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。
【００９５】
また、第３樹脂組成物は、必要に応じてフィラーを含有していてもよい。フィラーを含むことにより、接着層３の機械的特性および接着力の向上を図ることができる。
【００９６】
このフィラーとしては、例えば銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等の粒子が挙げられる。
【００９７】
また、フィラーの平均粒径は、０．０１〜２５μｍ程度であることが好ましい。平均粒径が前記下限値未満であるとフィラー添加の効果が少なくなり、前記上限値を超えるとフィルムとしての接着力の低下をもたらす可能性がある。
【００９８】
フィラーの含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．１〜２００質量部程度であるのが好ましく、特に５〜１５０質量部程度であるのがより好ましい。これにより、接着層３の機械的特性を高めつつ、接着力をより高めることができる。
【００９９】
（支持フィルム）
支持フィルム４は、以上のような第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３を支持する支持体である。
【０１００】
このような支持フィルム４の構成材料としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物が挙げられる。
【０１０１】
支持フィルム４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜１５０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、支持フィルム４は、適度な剛性を有するものとなるため、第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３を確実に支持して、半導体用フィルム１０の取扱いを容易にするとともに、半導体用フィルム１０が適度に湾曲することで、半導体ウエハー７との密着性を高めることができる。
【０１０２】
（半導体用フィルムの特性）
第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３は、それぞれ異なる密着力を有しているが、それらは以下のような特性を有していることが好ましい。
【０１０３】
まず、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、第２粘着層２の支持フィルム４に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、後述する第３の工程において、個片８３をピックアップした際に、第２粘着層２との支持フィルム４との間は剥離することなく、接着層３と第１粘着層１との間が選択的に剥離する。そして、ダイシングの際には、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持し続けることができる。
【０１０４】
すなわち、本実施形態では、第１粘着層１および第２粘着層２の２層の粘着層を用いているため、それぞれの密着力を異ならせることで、上記のように、積層体８の確実な固定と個片８３の容易なピックアップとを両立させることが可能になる。換言すれば、ダイシング性とピックアップ性の両立を図ることができる。
【０１０５】
なお、第１粘着層１の接着層３に対する密着力や第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、それぞれ、前述したアクリル系樹脂等の種類（組成）、モノマー等の種類、含有量、硬度等を変化させることで調整することができる。
【０１０６】
また、ダイシング前における第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、特に限定されないが、密着界面の平均で１０〜８０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に３０〜６０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、後述するように積層体８を引き伸ばしたり（エキスパンド）、積層体８をダイシングした際に、半導体素子７１が第１粘着層１から脱落する等の不具合が防止されるとともに、優れたピックアップ性が確保される。
【０１０７】
なお、上記密着力の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、第１粘着層１の表面に接着層３を貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）において、この積層フィルムにおいて接着層部分を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。
【０１０８】
上記のような特性を有する第１粘着層１の組成としては、例えば、アクリル系樹脂１００質量部に対して、ウレタンアクリレート４０〜１５０質量部と、イソシアネート化合物０．１〜１０質量部とを配合したものが挙げられる。
【０１０９】
一方、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、特に限定されないが、密着界面の平均で１００〜２，０００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に４００〜１，２００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、後述するように積層体８を引き伸ばしたり（エキスパンド）、積層体８をダイシングした際に、第１粘着層１と第２粘着層２との界面の剥離が防止され、結果として半導体素子７１の脱落等が確実に防止される。また、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持することができる。
【０１１０】
なお、上記密着力の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、ウエハーリング９の上面に第２粘着層が接するように２５ｍｍ幅の短冊状の第２粘着層２と支持フィルム４とを２３℃（室温）で貼り付け、その後、２３℃（室温）において、この第２粘着層２と支持フィルム４を、剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎでウエハーリング９から引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。
【０１１１】
上記のような特性を有する第２粘着層２の組成としては、例えば、アクリル系樹脂１００質量部に対して、ウレタンアクリレート１〜５０質量部と、イソシアネート化合物０．５〜１０質量部とを配合したものが挙げられる。
【０１１２】
なお、第１粘着層１の接着層３に対する密着力をＡ１とし、第２粘着層２の第１粘着層１に対する密着力をＡ２としたとき、Ａ２／Ａ１は、特に限定されないが、５〜２００程度であるのが好ましく、１０〜５０程度であるのがより好ましい。これにより、第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３は、ダイシング性およびピックアップ性において特に優れたものとなる。
【０１１３】
また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、個片８３をピックアップした際に、半導体ウエハー７と接着層３との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第１粘着層１と接着層３との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。
【０１１４】
なお、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力は、特に限定されないが、５０〜５００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に８０〜２５０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、特にダイシング時に振動や衝撃で半導体素子７１が飛んで脱落する、いわゆる「チップ飛び」の発生を十分に防止することができる。
【０１１５】
また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、第１粘着層１の第２粘着層２に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、個片８３をピックアップした際に、第１粘着層１と第２粘着層２との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第１粘着層１と接着層３との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。
【０１１６】
なお、第１粘着層１の第２粘着層２に対する密着力は、特に限定されないが、１００〜１，０００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に３００〜６００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、特にダイシング性やピックアップ性に優れる。
【０１１７】
（半導体用フィルムの製造方法）
以上説明したような半導体用フィルム１０は、例えば以下のような方法で製造される。
【０１１８】
まず、図３（ａ）に示す基材４ａを用意し、この基材４ａの一方の面上に第１粘着層１を成膜する。これにより、基材４ａと第１粘着層１との積層体６１を得る。第１粘着層１の成膜は、前述した第１樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、第１樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。
【０１１９】
上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
【０１２０】
また、積層体６１と同様にして、図３（ａ）に示すように、用意した基材４ｂの一方の面上に接着層３を成膜し、これにより、基材４ｂと接着層３との積層体６２を得る。
【０１２１】
さらに、各積層体６１、６２と同様にして、図３（ａ）に示すように、用意した支持フィルム４の一方の面上に第２粘着層２を成膜し、これにより、支持フィルム４と第２粘着層２との積層体６３を得る。
【０１２２】
次いで、図３（ｂ）に示すように、第１粘着層１と接着層３とが接するように積層体６１と積層体６２とを積層し、積層体６４を得る。この積層は、例えばロールラミネート法等により行うことができる。
【０１２３】
次いで、図３（ｃ）に示すように、積層体６４から基材４ａを剥離する。そして、図３（ｄ）に示すように、前記基材４ａを剥離した積層体６４に対して、基材４ｂを残して、前記接着層３および前記第１粘着層１の有効領域の外側部分をリング状に除去する。ここで、有効領域とは、その外周が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい領域を指す。
【０１２４】
次いで、図３（ｅ）に示すように、第１粘着層１の露出面に第２粘着層２が接するように、基材４ａを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体６４と積層体６３を積層する。その後、基材４ｂを剥離することにより、図３（ｆ）に示す半導体用フィルム１０が得られる。
【０１２５】
［半導体装置の製造方法］
次に、上述したような半導体用フィルム１０を用いて半導体装置１００を製造する方法（本発明の半導体装置の製造方法の第１実施形態）について説明する。
【０１２６】
図１および図２に示す半導体装置の製造方法は、半導体ウエハー７と半導体用フィルム１０とを積層し、積層体８を得る第１の工程と、半導体用フィルム１０の外周部２１をウエハーリング９に貼り付けた状態で、半導体ウエハー７側から積層体８に切り込み８１を設ける（ダイシングする）ことにより、半導体ウエハー７および接着層３を個片化し、半導体素子７１および接着層３１からなる複数の個片８３を得る第２の工程と、個片８３の少なくとも１つをピックアップする第３の工程と、ピックアップされた個片８３を絶縁基板５上に載置し、半導体装置１００を得る第４の工程とを有する。以下、各工程について順次詳述する。
【０１２７】
［１］
［１−１］まず、半導体ウエハー７および半導体用フィルム１０を用意する。
半導体ウエハー７は、あらかじめ、その表面に複数個分の回路が形成されたものである。かかる半導体ウエハー７としては、シリコンウエハーの他、ガリウムヒ素、窒化ガリウムのような化合物半導体ウエハー等が挙げられる。
【０１２８】
このような半導体ウエハー７の平均厚さは、特に限定されず、好ましくは０．０１〜１ｍｍ程度、より好ましくは０．０３〜０．５ｍｍ程度とされる。本発明の半導体装置の製造方法によれば、このような厚さの半導体ウエハー７に対して欠けや割れ等の不具合を生じさせることなく、簡単かつ確実に切断して個片化することができる。
【０１２９】
［１−２］次に、図１（ａ）に示すように、上述したような半導体用フィルム１０の接着層３と、半導体ウエハー７とを密着させつつ、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とを積層する（第１の工程）。なお、図１に示す半導体用フィルム１０では、接着層３の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい形状に、あらかじめ設定されている。このため、半導体ウエハー７の下面全体が接着層３の上面全体と密着し、これにより半導体ウエハー７が半導体用フィルム１０で支持されることとなる。
【０１３０】
上記積層の結果、図１（ｂ）に示すように、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とが積層されてなる積層体８が得られる。
【０１３１】
［２］
［２−１］次に、ウエハーリング９を用意する。続いて、第２粘着層２の外周部２１の上面とウエハーリング９の下面とが密着するように、積層体８とウエハーリング９とを積層する。これにより、積層体８の外周部がウエハーリング９により支持される。
【０１３２】
ウエハーリング９は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、積層体８の変形を確実に防止することができる。
【０１３３】
半導体用フィルム１０が上述したように粘着性の異なる２層の粘着層（第１粘着層１および第２粘着層２）を有していることにより、これらの粘着性の違いを利用して、ダイシング性とピックアップ性の両立を図ることができる。
【０１３４】
［２−２］次に、図示しないダイサーテーブルを用意し、ダイサーテーブルと支持フィルム４とが接触するように、ダイサーテーブル上に積層体８を載置する。
【０１３５】
続いて、図１（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて積層体８に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。ダイシングブレード８２は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ積層体８の半導体ウエハー７側の面に押し当てることで切り込み８１が形成される。そして、半導体ウエハー７に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード８２を相対的に移動させることにより、半導体ウエハー７が複数の半導体素子７１に個片化される（第２の工程）。また、接着層３も同様に、複数の接着層３１に個片化される。このようなダイシングの際には、半導体ウエハー７に振動や衝撃が加わるが、半導体ウエハー７の下面が半導体用フィルム１０で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、半導体ウエハー７における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。
【０１３６】
切り込み８１の深さは、半導体ウエハー７と接着層３とを貫通し得る深さであれば特に限定されない。すなわち、切り込み８１の先端は、第１粘着層１、第２粘着層２および支持フィルム４のいずれかに達していればよい。これにより、半導体ウエハー７と接着層３とが確実に個片化され、それぞれ半導体素子７１と接着層３１とが形成されることとなる。
【０１３７】
なお、本実施形態では、図１（ｃ）に示すように、切り込み８１の先端が支持フィルム４にまで達している場合を例に説明する。このように先端が支持フィルム４に達するように切り込み８１を設けるようにした場合、支持フィルム４の厚さは第１粘着層１や第２粘着層２の厚さに比べて十分に厚いため、ダイシングブレード８２の上下方向の位置精度と、切り込み８１の深さのバラつきとを考慮した場合、製造容易性を高めることができる。換言すれば、先端を第１粘着層１内または第２粘着層２内に留めるように切り込み８１を形成するには、ダイシングブレード８２の上下方向の位置を厳密に制御する必要があり、製造効率が低下するおそれがある。
【０１３８】
［３］
［３−１］次に、複数の切り込み８１が形成された積層体８を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き伸ばす（エキスパンド）。これにより、図１（ｄ）に示すように、積層体８に形成された切り込み８１の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体素子７１同士の間隔も拡大する。その結果、半導体素子７１同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の半導体素子７１をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。
【０１３９】
なお、従来の半導体用フィルムを用いた場合、エキスパンドする際に、粘着層に割れ等が発生して、粘着層の一部がピックアップの際に接着層にくっついて行き、半導体素子（半導体装置）の不具合の原因となっていた。
【０１４０】
これに対して、本発明の半導体用フィルムでは、上述したような粘着層（第１粘着層）を備えていることから、このような不具合を解消することができる。
【０１４１】
［３−２］次に、図示しないダイボンダにより、個片化された半導体素子７１のうちの１つを、ダイボンダのコレット（チップ吸着部）で吸着するとともに上方に引き上げる。その結果、図２（ｅ）に示すように、接着層３１と第１粘着層１との界面が選択的に剥離し、半導体素子７１と接着層３１とが積層されてなる個片８３がピックアップされる（第３の工程）。
【０１４２】
なお、接着層３１と第１粘着層１との界面が選択的に剥離する理由は、前述したように、第２粘着層２の粘着性が第１粘着層１の粘着性より高いため、支持フィルム４と第２粘着層２との界面の密着力、および、第２粘着層２の第１粘着層１との界面の密着力は、第１粘着層１と接着層３との密着力より大きいからである。すなわち、半導体素子７１を上方にピックアップした場合、これらの３箇所のうち、最も密着力の小さい第１粘着層１と接着層３との界面が選択的に剥離することとなる。
【０１４３】
また、個片８３をピックアップする際には、半導体用フィルム１０の下方から、ピックアップすべき個片８３を選択的に突き上げるようにしてもよい。これにより、積層体８から個片８３が突き上げられるため、前述した個片８３のピックアップをより容易に行うことができるようになる。なお、個片８３の突き上げには、半導体用フィルム１０を下方から突き上げる直径０．２ｍｍ程度の針状体（ニードル）や板状体（スライダー）等が用いられる。
【０１４４】
なお、従来の半導体用フィルムを用いた場合、ピックアップの際の下方からの突き上げにより半導体用フィルムがさらに引き伸ばされ、粘着層に割れや欠け等が発生して、粘着層の一部がピックアップの際に接着層にくっついて行き、半導体素子（半導体装置）の不具合の原因となっていた。これに対して、本発明の半導体用フィルムでは、上述したような粘着層（第１粘着層）を備えていることから、このような不具合を解消することができる。
【０１４５】
［４］
［４−１］次に、半導体素子７１（チップ）を搭載（マウント）するための絶縁基板５を用意する。
【０１４６】
この絶縁基板５としては、半導体素子７１を搭載し、半導体素子７１と外部とを電気的に接続するための配線や端子等を備えた絶縁性を有する基板が挙げられる。
【０１４７】
具体的には、ポリエステル銅張フィルム基板、ポリイミド銅張フィルム基板、アラミド銅張フィルム基板等の可撓性基板や、ガラス布・エポキシ銅張積層板等のガラス基材銅張積層板、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板等のコンポジット銅張積層板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板等の耐熱・熱可塑性基板といった硬質性基板の他、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板等のセラミックス基板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）基板などが挙げられる。
なお、絶縁基板５に代えて、リードフレーム等を用いるようにしてもよい。
【０１４８】
次いで、図２（ｆ）に示すように、ピックアップされた個片８３を、絶縁基板５上に載置する。
【０１４９】
［４−２］次に、図２（ｇ）に示すように、絶縁基板５上に載置された個片８３を加熱・圧着する。これにより、接着層３１を介して半導体素子７１と絶縁基板５とが接着（ダイボンディング）される（第４の工程）。
【０１５０】
加熱・圧着の条件としては、例えば加熱温度は１００〜３００℃程度であるのが好ましく、１００〜２００℃程度であるのがより好ましい。また、圧着時間は１〜１０秒程度であるのが好ましく、１〜５秒程度であるのがより好ましい。
【０１５１】
また、その後に加熱処理を施してもよい。この場合の加熱条件は、加熱温度が好ましくは１００〜３００℃程度、より好ましくは１５０〜２５０℃程度とされ、加熱時間が好ましくは１〜２４０分程度、より好ましくは１０〜６０分程度とされる。
【０１５２】
その後、半導体素子７１の端子（図示せず）と絶縁基板５上の端子（図示せず）とをワイヤ８４により電気的に接続する。なお、この接続には、ワイヤ８４に代えて、導電性ペースト、導電性フィルム等を用いるようにしてもよい。
【０１５３】
そして、絶縁基板５上に載置された個片８３およびワイヤ８４を樹脂材料で被覆し、モールド層８５を形成する。このモールド層８５を構成する樹脂材料としては、エポキシ系樹脂等の各種モールド樹脂が挙げられる。
【０１５４】
さらに、絶縁基板５の下面に設けられた端子（図示せず）にボール状電極８６を接合することにより、半導体素子７１をパッケージ内に収納してなる図２（ｈ）に示すような半導体装置１００が得られる。
【０１５５】
以上のような方法によれば、第３の工程において、半導体素子７１に接着層３１が付着した状態、すなわち個片８３の状態でピックアップされることから、第４の工程において、この接着層３１をそのまま絶縁基板５との接着に利用することができる。このため、別途接着剤等を用意する必要がなく、半導体装置１００の製造効率をより高めることができる。
【０１５６】
なお、半導体用フィルム１０は、前述したように、半導体ウエハー７と積層され、その後、半導体ウエハー７および接着層３を個片化した後の状態において、得られた半導体素子７１および接着層３１を積層してなる個片８３の密着力を測定し、個片８３の縁部の密着力をａ（Ｎ／１０ｍｍ）とし、個片８３の中央部（縁部以外の部分）の密着力をｂ（Ｎ／１０ｍｍ）としたとき、ａ／ｂが１〜４となるように構成されているのが好ましく、１〜３程度となるよう構成されているのがより好ましく、１〜２程度となるよう構成されているのがさらに好ましい。これにより、ピックアップの際に半導体素子７１に割れや欠け等の不具合が発生するのを確実に抑制することができ、個片８３のピックアップ性のさらなる向上を図ることができる。
【０１５７】
なお、密着力ａおよび密着力ｂは、それぞれ詳しくは次のようにして測定される。図４は、第１粘着層１と接着層３との密着力を測定する方法を説明するための図（縦断面図）である。
【０１５８】
まず、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とを積層して積層体８を得た後、半導体ウエハー７を１０ｍｍ×１０ｍｍ角に個片化した後の状態で、第３の工程を行う前の積層体８の上面に、１ｃｍ幅の短冊状の粘着フィルム８７を２３℃（室温）で貼り付ける（図４（ａ）参照）。
【０１５９】
次いで、２３℃（室温）において、図４（ｂ）に示すように、積層体８から第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４を剥離角９０°でかつ引っ張り速度５０ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がす。この際、第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４を引き剥がしつつ、第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４にかかる引っ張り荷重（単位Ｎ）の大きさを測定する。そして、個片８３の縁部Ｅが第１粘着層１から離れる際に第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４にかかる引っ張り荷重の平均値が「密着力ａ」に相当し、図４（ｃ）に示すように、個片８３の中央部（縁部以外の部分）Ｃが第１粘着層１から離れる際に第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４にかかる引っ張り荷重の平均値が「密着力ｂ」に相当する。
【０１６０】
すなわち、半導体用フィルム１０によれば、図４（ｂ）の状態（個片８３の縁部Ｅが第１粘着層１から離れようとする状態）であっても、図４（ｃ）の状態（個片８３の中央部Ｃが第１粘着層１から離れようとする状態）であっても、第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４にかかる引っ張り荷重の大きさの差が比較的小さく抑えられるため、仮に図４（ｃ）に示すように半導体素子７１に反りが生じた場合でも、その反りの程度が最小限に抑えられることとなる。その結果、半導体素子７１の割れや欠け等の不具合が最小限に抑えられることとなる。
【０１６１】
ここで、一般的には、上記の個片８３のような平板状の個片を引き剥がす場合、中央部（縁部以外の部分）の密着力に比べて縁部の密着力の方が大きい傾向にある。これは次のような理由によるところが大きいと考えられる。
【０１６２】
１つは、個片８３の縁部Ｅでは、個片８３の端面に第１粘着層１中の成分や第２粘着層２中の成分が這い上がる等して、個片８３の端面までが第１粘着層１との密着に寄与することになる。このため、中央部Ｃに比べて密着力が大きくなり易いことが挙げられる。
【０１６３】
また、１つは、切り込み８１が支持フィルム４まで達した場合に、支持フィルム４が削られ、これにより発生した削り屑が原因になっていることが挙げられる。これらの削り屑は、個片８３を引き剥がす際に、個片８３の端面に引っ掛かる等して、縁部Ｅの密着力の局所的な上昇を招くと考えられる。
【０１６４】
これに対し、上述したような半導体用フィルム１０を用いることにより、半導体素子７１の割れや欠け等の不具合を最小限に抑えることができる。
【０１６５】
なお、個片８３の縁部Ｅとは、半導体素子７１の外縁から、半導体素子７１の幅の１０％以下の領域（図４参照）を指すものとする。一方、個片８３の中央部Ｃとは、前記縁部Ｅ以外の領域（図４参照）を指すものとする。すなわち、半導体素子７１の形状が、例えば平面視において１０ｍｍ角の正方形である場合、外縁から１ｍｍ幅の領域が縁部Ｅであり、残りの領域が中央部Ｃとなる。
【０１６６】
また、個片８３の中央部Ｃ（縁部Ｅ以外の部分）の密着力ｂは、前述した第１粘着層１と接着層３との密着力の範囲にあることが好ましいが、その上で、０．０５〜０．３Ｎ／１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１０〜０．２５Ｎ／１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力ｂが前記範囲内にあることにより、個片８３のピックアップ性が特に向上し、ピックアップの際に半導体素子７１に割れや欠け、バリ等の不具合が発生するのを防止することができる。その結果、最終的に、信頼性の高い半導体装置１００を高い歩留まりで製造することができる。
【０１６７】
特に、半導体ウエハー７の厚さが薄い（例えば２００μｍ以下）場合には、密着力ｂを前記範囲内とすることで、半導体素子７１に生じる上記のような不具合の防止効果が顕著になる。
【０１６８】
また、第１粘着層１の２３℃における弾性率は０．１〜４．０ＧＰａ程度であるのが好ましく、０．５〜２．０ＧＰａ程度であるのがより好ましい。このような弾性率の第１粘着層１は、粘着性が適度に抑えられる一方、成分の流動性や流出性を比較的抑えられることから、この第１粘着層１に切り込み８１が形成されたとしても、ピックアップ性の向上と、第１粘着層１からの物質の染み出しによる不具合の防止とを両立させることができる。なお、弾性率は一般的な引っ張り試験等で測定することができる。
【０１６９】
また、第２粘着層２の６０℃での溶融粘度は、１０００〜１００００Ｐａ程度であるのが好ましく、３０００〜１００００Ｐａ程度であるのがより好ましい。このような粘度の第２粘着層２は、十分な粘着性を有する一方、成分の流動性や流出性を比較的抑えられることから、ダイシング性（ダイシングにおける積層体８とウエハーリング９との固定性）の向上と、物質の染み出しによる不具合の防止とを両立させることができる。なお、溶融粘度は一般的なずり粘弾性試験等で測定することができる。
【０１７０】
また、半導体用フィルム１０が上記のような特性を示すためには、１本の切り込み８１のうち、接着層３と第１粘着層１との界面より先端側の部分の横断面積は、ダイシングブレード８２の厚さや各粘着層１、２の厚さに応じて異なるものの、５〜３００（×１０−５ｍｍ２）程度であるのが好ましく、１０〜２００（×１０−５ｍｍ２）程度であるのがより好ましい。切り込み８１の前記部分の横断面積を前記範囲内に設定することにより、第１粘着層１中の成分や第２粘着層２中の成分の染み出し、および支持フィルム４からの削り屑の発生を抑制することができる。その結果、半導体素子７１の縁部と中央部との間で密着力の差が最適化され、半導体素子７１の割れや欠け等の不具合がより小さく抑えられる。
【０１７１】
なお、図１では、先端が支持フィルム４に達するように切り込み８１を形成する場合について説明したが、図５では、先端が第１粘着層１内に留まるように切り込み８１を形成する場合について説明する。
【０１７２】
図５は、本発明の半導体装置の製造方法の他の実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」という。
【０１７３】
以下、図５について説明するが、図１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図５において、図１と同様の構成部分については、先に説明した図１と同様の符号を付している。
【０１７４】
図５では、先端が第１粘着層１内に留まるように切り込み８１が形成されている。このように切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めた場合、第２粘着層２の成分が切り込み８１を介して、接着層３の周辺や半導体ウエハー７の周辺に染み出すことが防止される。その結果、染み出した物質が不本意にも接着層３と第１粘着層１との間の密着力（特に縁部Ｅの密着力）を高めてしまい、個片８３のピックアップを阻害する不具合を防止することができる。さらには、染み出した物質が半導体素子７１の変質・劣化を引き起こすのを防止することができる。
【０１７５】
このような成分の染み出しは、第２粘着層２の粘着性が第１粘着層１の粘着性よりも強いことから、必然的に、第２粘着層２は第１粘着層１よりも柔軟性が高いと考えられ、したがって第２粘着層２に含まれる物質は流動性や流出性が第１粘着層１よりも高いということに起因する現象であると考えられる。すなわち、本実施形態のように、粘着層が複数層で構成されており、接着層３側の粘着層（図５では第１粘着層１）よりも支持フィルム４側の粘着層（図５では第２粘着層２）の粘着性が強い場合には、図５に示すように切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めることが、上記不具合を防止するにあたって特に有効である。
【０１７６】
また、本実施形態では、切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めることにより、半導体ウエハー７および接着層３は確実に個片化される一方、第１粘着層１および第２粘着層２は個片化されない。したがって、第３の工程において、個片８３をピックアップする際に、第１粘着層１や第２粘着層２が支持フィルム４側に残すべきところ、不本意にも個片８３側に貼り付いた状態でピックアップされてしまうのを防止することができる。これは、第１粘着層１および第２粘着層２を個片化しなかったことで、これらの面方向の繋がりが維持されるため、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力、および、第２粘着層２と支持フィルム４との密着力の低下が防止されるためである。すなわち、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力、および、第２粘着層２と支持フィルム４との密着力が、ピックアップにおける上方への引っ張り力に対して十分な抗力を有するためである。
【０１７７】
また、上述したように、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力、および、第２粘着層２と支持フィルム４との密着力の低下が防止されることから、第１粘着層１と接着層３との密着力をより大きくしたとしても、ピックアップ性の低下が抑制される。すなわち、第１粘着層１と接着層３との密着力において、良好なピックアップを可能にする許容範囲をより拡大することができるため、半導体用フィルム１０の製造容易性およびマウント後の半導体素子７１と絶縁基板５との接着性が向上するという利点もある。
なお、図５に示す方法においても、図１に示す方法と同様の作用・効果が得られる。
【０１７８】
以上、本発明の半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１７９】
例えば、パッケージの形態は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）等のＣＳＰ（Chip Size Package）、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）のような表面実装型のパッケージ、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＰＧＡ（Pin Grid Array）のような挿入型のパッケージ等であってもよく、特に限定されない。
【０１８０】
また、前記各実施形態では、絶縁基板５上に個片８３をマウントする場合について説明したが、この個片８３は、別の半導体素子上にマウントするようにしてもよい。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を積層してなるチップスタック型の半導体装置を製造する場合にも適用することができる。これにより、半導体素子間に削り屑等が侵入するおそれがなくなり、信頼性の高いチップスタック型の半導体装置を高い製造歩留まりで製造することができる。
【０１８１】
なお、本発明の半導体用フィルムをダイシングに供するにあたっては、半導体ウエハー７および接着層３を個片化し得る切り込み８１が形成されていれば、切り込み８１の深さは特に限定されない。
【０１８２】
また、上述した実施形態では、粘着層が第１粘着層および第２粘着層の２層で構成されたものとして説明したが、これに限定されず、例えば、粘着層は第２粘着層のみで構成されていてもよいし、少なくとも第１粘着層を備えた３層以上で構成されたものであってもよい。なお、粘着層は第２粘着層のみで構成されている場合には、接着層３と接する領域（半導体ウエハー７を積層する領域）にあらかじめ紫外線を照射しておくことが好ましい。これにより、この領域の粘着性が失活し、結果として第２粘着層２と接着層３との密着力が低下する。その結果、第３の工程において個片８３をピックアップする際に、大きな荷重をかけなくても個片８３をピックアップすることが可能になり、ピックアップ性の向上を図ることができる。
【０１８３】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、必要に応じて、任意の工程を追加することもできる。
【実施例】
【０１８４】
以下、本発明の具体的実施例について説明する。
１．半導体用フィルムの製造
（実施例１）
＜１＞第１粘着層の形成
ベース樹脂としての、アクリル酸−２−エチルヘキシル３０質量％と酢酸ビニル７０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体１００質量部と、エネルギー線硬化性樹脂としての、分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレート６０質量部と、エネルギー線硬化開始剤としての、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５質量部と、架橋剤としての、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３質量部と、を離型処理した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに対して、乾燥後の厚さが３０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線５００ｍＪ／ｃｍ２を照射し、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第１粘着層を成膜した。
なお、得られた第１粘着層の２３℃における弾性率は１．０ＧＰａであった。
【０１８５】
＜２＞第２粘着層の形成
アクリル酸ブチル７０質量％とアクリル酸２−エチルヘキシル３０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体１００質量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３質量部と、を離型処理した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第２粘着層を成膜した。その後、支持フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンシートをラミネートした。
なお、得られた第２粘着層の６０℃での溶融粘度は、３５００Ｐａであった。
【０１８６】
＜３＞接着層の形成
アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）溶解品、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）の固形成分で１００質量部と、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、重量平均分子量：５０，０００、ジャパンエポキシレジン（株）製）９．８質量部と、フィラーとして添加される球状シリカ（ＳＣ１０５０、平均粒径：０．３μｍ、（株）アドマテックス製）９０．８質量部と、カップリング剤として添加されるγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業（株）製）１．１質量部と、フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）０．１質量部とを、メチルエチルケトンに溶解して、樹脂固形分２０質量％の樹脂ワニスを得た。
【０１８７】
次に、得られた樹脂ワニスを、コンマコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製、品番ピューレックスＡ４３、厚さ３８μｍ）に塗布した後、温度１５０℃で３分間乾燥して、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ１０μｍの接着層を成膜した。
【０１８８】
＜４＞半導体用フィルムの製造
第１粘着層を成膜したフィルムと、接着層を成膜したフィルムとを、第１粘着層と接着層とが接するようにラミネート（積層）し、第１粘着層側のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離して、積層体を得た。
【０１８９】
次にロール状の金型を用いて、第１粘着層と接着層を半導体ウエハーの外径よりも大きく、かつウエハーリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後不要部分を除去して、第２積層体を得た。
【０１９０】
さらに第２粘着層の一方の面側にあるポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離する。そして前記第２積層体の第１粘着層と第２粘着層とが接するように、これらを積層した。これにより、ポリエチレンシート（支持フィルム）、第２粘着層、第１粘着層、接着層およびポリエチレンテレフタレートフィルムの５層がこの順で積層してなる半導体用フィルムを得た。
【０１９１】
（実施例２〜３）
第１粘着層を構成する第１樹脂組成物として表１に示す構成のものを用いた以外は、前記実施例１と同様にして半導体用フィルムを作製した。
【０１９２】
（比較例１〜２）
第１粘着層を構成する第１樹脂組成物として表１に示す構成のものを用いた以外は、前記実施例１と同様にして半導体用フィルムを作製した。
【０１９３】
以上の各実施例および各比較例における、第１粘着層を構成する第１樹脂組成物の組成および第１粘着層の６０℃および２３℃における破断点伸度を表１に示した。
【０１９４】
なお、各温度における破断点伸度は、以下のようにして測定した。
得られた第一粘着層を短冊状に打ち抜き、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離して短冊状の第一粘着層単体を得て、ＪＩＳ K ７１２７に準拠した引っ張り試験によって行った。
【０１９５】
【表１】
【０１９６】
２．エキスパンドピックアップ性
各実施例および各比較例の半導体用フィルムから、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、接着層が接するように半導体用フィルムを８インチ、１００μｍ厚および８インチ、５０μｍ厚のウエハーの裏面に６０℃で貼り付けし、半導体用フィルムが付いた半導体用ウエハーを得た。
【０１９７】
その後、この半導体用ウエハーを、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０）を用いて、スピンドル回転数４０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで半導体ウエハーの表面から第２粘着層の中心部まで切込むようにダイシングし、１０ｍｍ×１０ｍｍ角の半導体素子に切り分けた。これをダイボンダ（ＢＥＳＴＥＭ−Ｄ０２）により、４ｍｍエキスパンドして、ピックアップを行い、ピックアップ後の第１粘着層および半導体素子を観察して第１粘着層および半導体素子の割れ、欠けの有無を観察した。
【０１９８】
その結果、実施例では、ピックアップ後の第１粘着層に割れ、欠けは観察されなかったが、比較例では割れ、欠けが確認され、満足行く結果が得られなかった。また、実施例では、ウエハー厚が１００μｍの場合には、ピックアップ後の半導体素子の割れ、欠けも観察されなかった。さらに、実施例２では、ウエハー厚が５０μｍの場合においても、ピックアップ後の半導体素子の割れ、欠けは観察されなかった。
【符号の説明】
【０１９９】
１ 第１粘着層
１１ 外周縁
２ 第２粘着層
２１ 外周部
３、３１ 接着層
４ 支持フィルム
４１ 外周部
４ａ、４ｂ 基材
５ 絶縁基板
６１〜６４ 積層体
７ 半導体ウエハー
７１ 半導体素子
８ 積層体
８１ 切り込み
８２ ダイシングブレード
８３ 個片
８４ ワイヤ
８５ モールド層
８６ ボール状電極
８７ 粘着フィルム
９ ウエハーリング
１０ 半導体用フィルム
１００ 半導体装置
Ｃ 中央部
Ｅ 縁部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着層と少なくとも１層の粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層させ、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片をピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、
前記接着層と接する粘着層の、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度が３％以上であることを特徴とする半導体用フィルム。
【請求項２】
前記接着層と接する粘着層の、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度をＸ［％］、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される２３℃における破断点伸度をＹ［％］としたとき、１≦Ｘ−Ｙ≦２０の関係を満足する請求項１に記載の半導体用フィルム。
【請求項３】
前記接着層と接する粘着層は、ベース樹脂とエネルギー線硬化性樹脂とエネルギー線硬化開始剤とを含む樹脂組成物で構成された層をエネルギー線照射により硬化させることにより形成された層である請求項１または２に記載の半導体用フィルム。
【請求項４】
前記樹脂組成物は、ベース樹脂１００質量部に対して、エネルギー線硬化性樹脂４０〜１５０質量部、エネルギー線硬化開始剤１〜１０質量部、および架橋剤０．１〜５質量部を配合してなる請求項３に記載の半導体用フィルム。
【請求項５】
前記接着層と接する粘着層の２３℃における弾性率が０．１〜４．０ＧＰａである請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【請求項６】
前記接着層と接する粘着層から前記個片の縁部を剥離させる際に測定される密着力は、０．５Ｎ／１０ｍｍ以下である請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層と半導体ウエハーとが接するように、前記半導体用フィルムと半導体ウエハーとを積層してなる積層体を用意する第１の工程と、
前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを設けることにより、前記半導体ウエハーを個片化し、複数の半導体素子を得る第２の工程と、
前記半導体素子をピックアップする第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記切り込みは、その最深部が、前記粘着層内に位置するように設けられる請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
１本の前記切り込みにおいて、前記接着層と前記粘着層との界面より先端側の部分の横断面積は、５×１０−５〜３００×１０−５ｍｍ２である請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
接着層と少なくとも１層の粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層させ、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片をピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、
前記接着層と接する粘着層の、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度が３％以上であることを特徴とする半導体用フィルム。
【請求項２】
前記接着層と接する粘着層の、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される６０℃における破断点伸度をＸ［％］、ＪＩＳ K ７１２７に規定される引っ張り試験に準拠して測定される２３℃における破断点伸度をＹ［％］としたとき、１≦Ｘ−Ｙ≦２０の関係を満足する請求項１に記載の半導体用フィルム。
【請求項３】
前記接着層と接する粘着層は、ベース樹脂とエネルギー線硬化性樹脂とエネルギー線硬化開始剤とを含む樹脂組成物で構成された層をエネルギー線照射により硬化させることにより形成された層である請求項１または２に記載の半導体用フィルム。
【請求項４】
前記樹脂組成物は、ベース樹脂１００質量部に対して、エネルギー線硬化性樹脂４０〜１５０質量部、エネルギー線硬化開始剤１〜１０質量部、および架橋剤０．１〜５質量部を配合してなる請求項３に記載の半導体用フィルム。
【請求項５】
前記接着層と接する粘着層の２３℃における弾性率が０．１〜４．０ＧＰａである請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【請求項６】
前記接着層と接する粘着層から前記個片の縁部を剥離させる際に測定される密着力は、０．５Ｎ／１０ｍｍ以下である請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層と半導体ウエハーとが接するように、前記半導体用フィルムと半導体ウエハーとを積層してなる積層体を用意する第１の工程と、
前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを設けることにより、前記半導体ウエハーを個片化し、複数の半導体素子を得る第２の工程と、
前記半導体素子をピックアップする第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記切り込みは、その最深部が、前記粘着層内に位置するように設けられる請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
１本の前記切り込みにおいて、前記接着層と前記粘着層との界面より先端側の部分の横断面積は、５×１０−５〜３００×１０−５ｍｍ２である請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１２−９６８３（Ｐ２０１２−９６８３Ａ）
【公開日】平成２４年１月１２日（２０１２．１．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１４５２０３（Ｐ２０１０−１４５２０３）
【出願日】平成２２年６月２５日（２０１０．６．２５）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月１２日（２０１２．１．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月２５日（２０１０．６．２５）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
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