半導体装置におけるリペア方法、半導体装置および半導体装置用基板
【課題】半導体装置用基板上の部品群の実装密度が限界に来ているので、これをより一層増大させ、さらなる高密度化を実現する。
【解決手段】リジット基板３１の表面にさらにフレキシブル基板３２を積層し、その基板３２の一部であってかつ大型ＢＧＡ１の周囲に、特定エリア３３を設ける。この特定エリア３３は、従来、間隙（Ｇ）とされていた区域であるが、このエリア３３にも複数の小型ＢＧＡ２を搭載する。大型ＢＧＡ１のリペア時には、その特定エリア３３をＢＧＡ２と共に、リジット基板３１から剥がしてかつ、ＢＧＡ１から遠ざけるように折り曲げ、リペア時の熱風からＢＧＡ２を逃がすようにする。
【解決手段】リジット基板３１の表面にさらにフレキシブル基板３２を積層し、その基板３２の一部であってかつ大型ＢＧＡ１の周囲に、特定エリア３３を設ける。この特定エリア３３は、従来、間隙（Ｇ）とされていた区域であるが、このエリア３３にも複数の小型ＢＧＡ２を搭載する。大型ＢＧＡ１のリペア時には、その特定エリア３３をＢＧＡ２と共に、リジット基板３１から剥がしてかつ、ＢＧＡ１から遠ざけるように折り曲げ、リペア時の熱風からＢＧＡ２を逃がすようにする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路および電子部品を、基板上に高密度で実装した半導体装置、特にその半導体装置から高集積度の集積回路を取り外すためのリペア方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、例えば、通信機器関連分野での基幹系機器に組み込まれる半導体装置においては、ＣＰＵを含む制御系大型集積回路（ＬＳＩ）の周囲を、多数の小型集積回路（ＩＣ）や多数の電子部品（チップ部品等）が取り囲む構造となっている。これは、等長配線といった制約や、高速特性（例えば数１０Ｇｂｐｓ）といった要求を満たすためである。
【０００３】
かくして、かかる基幹系通信機器等の半導体装置においては、所要の回路を形成するためのＬＳＩやＩＣやチップ部品が、きわめて高密度で基板（マザーボード等）上に実装されることになる。したがって、かかる半導体装置用の回路実装基板はかなり高価になる上に、歩留まりも悪くなる。
【０００４】
そこで、上記回路実装基板上に搭載された種々の回路構成部品群の一部に、不良品が現れたときには、この不良品を含む高価な回路実装基板全体を廃棄とするのではなく、当該不良品のみを、当該基板から取り外し、当該不良基板を再生するようにしている。これが「リペア」である。
【０００５】
なお本発明に関連する公知技術としては、下記の〔特許文献１〕〜〔特許文献３〕がある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２５８０２６号公報
【特許文献２】特開２００２−３５３６１２号公報
【特許文献３】特開平１１−１８６４５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述したような不良品が出やすいのは、上記の大型集積回路に集中している。例えば、ＢＧＡ（Ball Grid Array）部品やＣＳＰ（Chip Size Package）部品等が、その大型集積回路に当たる。これは内部回路が高集積になっており、かつ多ピンになっているからである。このため、上記回路実装基板そのものの不良率に対して、該大型集積回路（ＢＧＡ）の不良率は１００倍近くに達する場合がある。
【０００８】
このような状況のため、電気性能試験によって上記大型集積回路（ＢＧＡ）に不良が発見された場合は、そのＢＧＡのみをリペアにより基板から取り外し、新たなＢＧＡとの取り替えにより、高価な基板全体を救済することとしている。
【０００９】
このリペアに際しては、従来、当該不良ＢＧＡ上から直接熱風を吹きつけ、またその裏側からも熱風を吹きつけて、はんだボールを加熱し溶融する。このとき、その不良の大型ＢＧＡ部品の周辺に配置されている多数の小型ＢＧＡ部品（メモリ）にも熱風が当たるため、その熱風をしゃ断する防熱部材が、その大型ＢＧＡ部品と小型ＢＧＡ部品との間に挿入される。このため、これらのＢＧＡ部品間には所定の間隙を予め設けなければならない。
【００１０】
しかしその間隙を、上記大型ＢＧＡ部品の周囲に、後日のリペアの有無の可能性に拘らず、常に設ける設計としておかなければならないことから、上記回路実装基板上の部品群のさらなる高密度実装化を実現する上で支障となっている。
【００１１】
したがって本発明は、上記の間隙を根本的に不要とした半導体装置およびその半導体装置用の基板を提供し、かかる半導体装置に適用可能なリペア方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本明細書で開示する半導体装置は、リジット基板と、このリジット基板の表面上に設けられるフレキシブル基板と、このフレキシブル基板上に搭載される少なくとも１つの第１の集積回路（大型ＢＧＡ等）と、この第１の集積回路の近傍のフレキシブル基板においてリジット基板の表面から剥離可能な特定エリアと、この特定エリア上に搭載される少なくとも１つの第２の集積回路（小型ＢＧＡ等）と、を有して構成される。
【００１３】
また本明細書で開示するリペア方法は、
・上記第２の集積回路の周囲を取り囲む上記フレキシブル基板の一部を、カット（切断）し、
・カットされたフレキシブル基板を、上記リジット基板の表面から剥がし、その第２の集積回路を上記第１の集積回路から遠ざけるように、折り曲げ、
・第２の集積回路を第１の集積回路から遠ざけた状態で、熱風を第１の集積回路に与えて、リジット基板およびフレキシブル基板から取り外すようにする。
【００１４】
さらにまた本明細書で開示する半導体装置用基板は、多層プリント基板よりなるリジット基板と、このリジット基板の表面上に積層される表面側フレキシブル基板と、そのリジット基板の裏面上に積層される裏面側フレキシブル基板と、その表面側フレキシブル基板の一部であって、該リジット基板の表面から剥離可能な表面側特定エリアと、を有して構成される。
【発明の効果】
【００１５】
本明細書において開示するリペア方法によれば、リペア時に、大型ＢＧＡ部品からその周辺の小型ＢＧＡ部品を、一時的に遠ざけることができ、その大型ＢＧＡ部品に吹きつける熱風から逃がすことができる。したがってその小型ＢＧＡ部品の信頼性が低下することはない。
【００１６】
そしてそのリペア後に小型ＢＧＡ部品を元の位置に戻したとき、従来必要とされた、大型ＢＧＡ部品との間の既述の間隙は、全く存在しない。上記従来の防熱部材を、それらＢＧＡ部品間に挿入する必要がないからである。
【００１７】
かくして、上記の間隙を基板設計上考慮する必要がなくなり、従来のその間隙に相当する区域を、部品実装面積として追加することができ、前述した実装密度のさらなる増大を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
ここに開示するリペア技術による効果をより明確にするために、まず、従来のリペア装置について説明しておく。
【００１９】
図９は従来の半導体装置の一例を示す図であり、特に前述した基幹系通信機器用の高密度実装形半導体装置を例にとって示す。
【００２０】
本図において、参照番号１は、前述した第１の集積回路（例えば、制御系部品となる大型ＢＧＡ部品）である（以下、単に大型ＢＧＡ又はＢＧＡとも称す）。参照番号２は、前述した第２の集積回路（例えば、メモリ系部品）である（以下、単に小型ＢＧＡ又はＢＧＡとも称す）。その他の電子部品として、チップ部品（例えば、抵抗やセラミックコンデンサ等）５がある。
【００２１】
これらのＢＧＡ１やＢＧＡ２や部品５は、基板４の表面ならびに裏面の上に実装される。この実装においては、後にリペアが必要となる可能性があることを想定して、図示する大きい間隙Ｇと小さい間隙ｇの形成を考慮した設計が行われる。これらの間隙Ｇおよびｇの存在が、既述したように、さらなる高密度実装を実現する上での障害となっている。これらＧおよびｇが必要となる理由は、図１０および図１１から明らかである。
【００２２】
図１０は小型ＢＧＡ２をリペアする様子を示す図であり、
図１１は大型ＢＧＡ１をリペアする様子を示す図である。
【００２３】
図１０を参照すると、大型ＢＧＡ１の右側にある小型ＢＧＡ２をリペアする様子が示されている。このリペアはリペアマシン（１１，１２，１３，１４）により行われる。当該ＢＧＡ２にカバー１１を被せる。またその裏面側にカバー１２を被せる。その後、加熱プレート１３および１４によって、基板４の裏側から予備加熱をしながら、上記カバー１１および１２内にそれぞれ上部熱風ｗｔとおよび下部熱風ｗｂを吹き込む。
【００２４】
ここにＢＧＡ２のはんだボールは加熱溶融し、基板４からＢＧＡ２本体を取り外すことができる。
【００２５】
次に大型ＢＧＡ１のリペアが必要になった場合を説明する。図１１を参照すると、このリペアには大型のリペアマシン（２１，２２，２３，２４，２５，２６）が用いられる。前述と同様に当該ＢＧＡ１に大型カバー２１を被せる。またその裏面側に大型カバー２２を被せる。その後、大型加熱プレート２３および２４によって、基板４の裏側から予備加熱をしながら、上記カバー２１および２２内にそれぞれ大量の上部熱風Ｗｔとおよび大量の下部熱風Ｗｂを吹き込む。
【００２６】
ここにＢＧＡ１のはんだボールは加熱溶融し、基板４からＢＧＡ２本体を取り外すことができる。しかしこの場合、大量の上部熱風Ｗｔがカバー２１の下端より漏れて吹き出し、隣接する小型ＢＧＡ２を加熱してしまう。
【００２７】
そこで、その漏れ出た熱風Ｗｔがその小型ＢＧＡ２に当たるのを防ぐため、防熱部材２５および２６が導入される。上記の図９において、大型ＢＧＡ１の近傍に間隙Ｇおよびｇを必要とするのは、そのような防熱部材２５および２６の側壁を挿入するためである。かかる間隙Ｇおよびｇ、特にそのＧの存在が、基板４上における部品群（１，２，５等）の高密度実装を阻んでいる。したがって、本明細書で開示するリペア方法は、基板４上でのそのような間隙Ｇおよびｇの必要性を排除可能とするものである。以下、このリペア方法等について詳述する。
【００２８】
図１は本明細書で開示する半導体装置およびリペアマシンを示す図である。なお全図を通じて、同様の構成要素には同一の参照番号または記号を付して示す。
【００２９】
図１に示す半導体装置は、
リジット基板３１と、リジット基板３１の表面上に設けられるフレキシブル基板３２と、フレキシブル基板３２上に搭載される少なくとも１つの第１の集積回路（大型ＢＧＡ）１と、第１の集積回路１の近傍のフレキシブル基板３２においてリジット基板３１の表面から剥離可能な特定エリア３３と、特定エリア３３上に搭載される少なくとも１つの第２の集積回路（小型ＢＧＡ）２と、を有してなる。
【００３０】
さらに好ましくは、上記半導体装置は、
リジット基板３１の裏面上に設けられる裏面側フレキシブル基板４２と、第１の集積回路１の対向位置における裏面側フレキシブル基板４２においてリジット基板３１の裏面から剥離可能な裏面側特定エリア４３と、裏面側特定エリア４３上に搭載される少なくとも１つの第３の集積回路（小型ＢＧＡ）３と、を有してなる。
【００３１】
なお、第１の集積回路１の集積度は、第２の集積回路２の集積度よりも大であり、
また、第１の集積回路１の集積度は、第３の集積回路３の集積度よりも大である。
【００３２】
上記図１に示す半導体装置におけるリペア方法は次のとおりである。図２は、本明細書で開示するリペア方法を表すフローチャートである。
【００３３】
本図に示すリペア方法は、リジット基板３１と、このリジット基板３１の表面上に設けられるフレキシブル基板３２と、このフレキシブル基板３２上に搭載される第１の集積回路１およびその近傍に搭載される少なくとも１つの第２の集積回路２とを有する半導体装置において、その第１の集積回路１に熱風を与えて加熱しこれをリジット基板３１およびフレキシブル基板３２から取り外すためのリペア方法であって、以下のステップを有する。
【００３４】
ステップＳ１１：第２の集積回路２の周囲を取り囲むフレキシブル基板３２の一部を、カットする（図３参照）。
ステップＳ１２：カット（切断）されたフレキシブル基板３２を、リジット基板３１の表面から剥がし、第２の集積回路２を第１の集積回路１から遠ざけるように、折り曲げる（図３参照）。
ステップＳ１３：第２の集積回路２を第１の集積回路１から遠ざけた状態で、熱風Ｗｔ（図１）を第１の集積回路１に与える。該集積回路１のはんだボールは加熱溶融される。
【００３５】
この場合、上記のカット（切断）すべきフレキシブル基板３２の領域の周縁に、予めミシン目を加工するステップＳ２１をさらに含むか（図４参照）、
または、ステップＳ１１において、カットすべきフレキシブル基板３２の領域の周縁に、カット手段（カッター等）により切込みを入れる。
【００３６】
さらにまた、リジット基板３１の裏面上に設けられる裏面側フレキシブル基板４２と、第１の集積回路１の対向位置における裏面側フレキシブル基板４２上に搭載される少なくとも１つの第３の集積回路３とをさらに有する場合、
ステップＳ３１：第３の集積回路３の周囲を取り囲む裏面側フレキシブル基板４２の一部を、カット（切断）する。
ステップＳ３２：カットされた裏面側フレキシブル基板４２を、リジット基板３１の裏面から剥がし、第３の集積回路３を第１の集積回路１の対向位置（熱風Ｗｂが当たる位置）から遠ざけるように、折り曲げる。
ステップＳ３３：第３の集積回路３を第１の集積回路１の上記対向位置から遠ざけた状態で、裏面側熱風Ｗｂをその対向位置に与える。
【００３７】
この場合、上記ステップＳ２１またはＳ２２と同様に、上記のカットすべき裏面側フレキシブル基板４２の領域の周縁に、予めミシン目を加工するステップＳ４１をさらに含むか、
または、ステップＳ３１において、カットすべき裏面側フレキシブル基板４２の領域の周縁に、上記カット手段により切込みを入れる。
【００３８】
上記フローチャートのステップＳ１１，Ｓ１２およびステップＳ２１（ミシン目加工）に関し、さらに詳しく説明する。まず図３はリペアすべき集積回路１および基板３１，３２，４２（Ａ）、一部の基板３２，４２を折り曲げた様子（Ｂ）、その様子（Ｂ）を上側から見た様子（Ｃ）を示す図である。なお、本図では、基板上の搭載部品としてリペア対象の集積回路（大型ＢＧＡ）１のみを示し、他の部品は図示省略する。
【００３９】
ＢＧＡ１の図中左右にある特定エリア３３と、該ＢＧＡ１との間には切込みＳ１が入れられる。このＳ１は、基板３２の厚みより大きい幅を有するのが望ましい。
【００４０】
また、特定エリア３３の折曲げ部分においては、フレキシブル基板３２を構成するカバーレイの除去部分Ｓ２が形成される。この除去部分Ｓ２により、該基板３２を構成するベースフィルム（例えばポリイミドフィルム）が折り曲げやすくなる。かかる処理（Ｓ１，Ｓ２）は、基板３１の裏面側でも同様に行われる。
【００４１】
かくして特定エリア３３および４３の剥離と折曲げが行われた後の状態を、図３の（Ｂ）に示す。その上面図は同図（Ｃ）に示す。本図（Ｃ）では、特定エリア３３が、大型ＢＧＡ１の一方の２辺側（同図（Ａ），（Ｂ）のように）のみならず、他の２辺側にも存在する例を示している。なお、本図（Ｃ）中、その４辺にそれぞれ平行して描いた点線は、上記折曲げ部分の境界を表す。
【００４２】
続いて図４を参照して、上記フローチャート（図２）のステップＳ２１について詳しく説明する。図４は、図２のステップＳ２１（およびＳ４１）におけるミシン目加工を示す図である。
【００４３】
本図において、参照番号３４がミシン目加工の全体（ミシン目加工部）を表し、露出したリジット基板３１上に飛び石状に残るフレキシブル基板３２の小片部分３２′がミシン目を形成する。このミシン目により、容易に特定エリア３３を剥がすことができる。なお、ＢＧＡ１の４辺にそれぞれ平行して描いた点線は、図３（Ｂ）に示す、基板３２の折曲げ部分（Ｓ２）に相当する。
【００４４】
上記図２に示すフローチャートの補足として、本発明に特有のリペア方法を説明する。図５は、小型ＢＧＡ２のリペア方法を表す図である。すなわち、カットされたフレキシブル基板３２を剥がして折り曲げた状態下（図１）で、第２の集積回路（小型ＢＧＡ）２をフレキシブル基板３２側から加熱して取り外すことも容易である。この加熱は、例えばはんだゴテ５１により行われる。この加熱により小型ＢＧＡ２のはんだボールが加熱溶融され、リペアが行われる。
【００４５】
かくして、本明細書により開示するリペア方法を採用することによって、既述したように一層高密度化した、例えば基幹系通信機器用の回路実装基板を実現することができる。図６は本発明により一層の高密度化を図ることができる一例を示す図である。
【００４６】
従来であれば、大型ＢＧＡ１の近辺およびその対向位置近傍には、リペアを考慮して一切部品を配置できなかったところ（図９参照）、本発明によれば図６に表すとおり、特定エリア３３，４３にさらに部品２，３および５を詰め込むことが可能となり、一層の高密度化が図れる。
【００４７】
さらに本発明を発展させれば、必要に応じてさらに高密度化を図ることもできる。図７は、図６の構成よりもさらに高密度化が図れる実装例を示す図である。本図において、チップ部品５５および６５をさらに詰め込むようにしている。なおこれらのチップ部品５５，６５は、部品１のリペア時における熱風に十分耐えることができる。
【００４８】
すなわち、特定エリア３３をリジット基板３１の表面から剥がし、第２の集積回路（小型ＢＧＡ）２を第１の集積回路（大型ＢＧＡ）２から遠ざけるように、折り曲げた後のリジット基板３１の表面上に搭載される少なくとも１つの電子部品（チップ部品）５５を追加することができる。
【００４９】
また、裏面側特定エリア４３をリジット基板３１の裏面から剥がし、第３の集積回路（小型ＢＧＡ）３を第１の集積回路１の対向位置から遠ざけるように、折り曲げた後のリジット基板３１の裏面上に搭載される少なくとも１つの電子部品（チップ部品）６５を追加することができる。
【００５０】
最後に本明細書で開示する半導体装置用基板について説明する。図８は本発明による該基板の製造開始時（Ａ）、基板相互の合体時（Ｂ）、スルーホール形成時（Ｃ）を示す図である。
【００５１】
まず図８（Ａ）においては、フレキシブル基板３２と裏面側フレキシブル基板４２とにより、多層プリント基板よりなるリジット基板３１を上下から挟む。このとき各基板間に接着材７１および７２を充填する。
【００５２】
これら基板を合体させ、あるいは熱圧着して、貼り合わせ基板（３２−３１−４２）を形成する。これが図８（Ｂ）である。
【００５３】
さらにスルーホール７３を形成して基板の完成である。これが図８（Ｃ）である。この図８（Ｃ）を参照すると、各スルーホール７３の開口端には導電パッド７４が形成されている。また、各ビア７５の開口端にも導電パッド７６が形成されている。７７はランドである。
【００５４】
ここに、参照番号１は、大型ＢＧＡ１が搭載されるべき位置を表しており、その周囲にはミシン目加工部３４（図４）が形成される。３４′は裏面側の加工部である。
【００５５】
このミシン目加工部３４（３４′）に隣接する領域が、特定エリア３３（４３）であり、これらの部分が、部品１のリペア時に折り曲げられる。これらエリアの上には小型ＢＧＡ２（３）が搭載される。かくして例えば５cm×５cmといったような大サイズの半導体装置用基板が完成する。ちなみに、リジット基板３１の厚みは、数mm程度である。
【００５６】
以上のことを要約すると、
本発明に係る半導体装置用基板は、
多層プリント基板よりなるリジット基板３１と、このリジット基板３１の表面上に積層される表面側フレキシブル基板３２と、そのリジット基板３１の裏面上に積層される裏面側フレキシブル基板４２と、その表面側フレキシブル基板３２の一部であって、リジット基板３１の表面から剥離可能な表面側特定エリア３３と、を有してなる。
【００５７】
また、裏面側フレキシブル基板４２の一部であって、リジット基板３１の裏面から剥離可能な裏面側特定エリア４３を、さらに有してなる。
【００５８】
ここに上記の表面側フレキシブル基板３２は、上記の剥離後、折り曲げ可能な材質、例えばポリイミドあるいはポリエステルである。
【００５９】
同様に裏面側フレキシブル基板４２も、上記の剥離後、折り曲げ可能な材質である。
【００６０】
そして、表面側特定エリア３３および裏面側特定エリア４３以外のエリアにおいて、表面側フレキシブル基板３２と、リジット基板３１と、裏面側フレキシブル基板４２とを貫通する少なくとも１つのスルーホール７３を形成して半導体装置用基板が完成する。
【００６１】
以上の各実施形態に関し、以下の付記を開示する。
【００６２】
（付記１）
リジット基板と、該リジット基板の表面上に設けられるフレキシブル基板と、該フレキシブル基板上に搭載される第１の集積回路およびその近傍に搭載される少なくとも１つの第２の集積回路とを有する半導体装置のリペア方法であって、
前記第２の集積回路の周囲を取り囲む前記フレキシブル基板の一部を、切断するステップと、
切断された前記フレキシブル基板を、前記リジット基板の表面から剥がし、前記第２の集積回路を前記第１の集積回路から遠ざけるように、折り曲げるステップと、
前記第２の集積回路を前記第１の集積回路から遠ざけた状態で、該第１の集積回路を加熱するステップと、
を有するリペア方法。
【００６３】
（付記２）
前記の切断すべき前記フレキシブル基板の領域の周縁に、予めミシン目を加工するステップをさらに含む付記１に記載のリペア方法。
【００６４】
（付記３）
前記の切断するステップにおいて、切断すべき前記フレキシブル基板の領域の周縁に、カット手段により切込みを入れる付記１に記載のリペア方法。
【００６５】
（付記４）
前記リジット基板の裏面上に設けられる裏面側フレキシブル基板と、前記第１の集積回路の対向位置における該裏面側フレキシブル基板上に搭載される少なくとも１つの第３の集積回路とを前記半導体装置はさらに有し、
前記第３の集積回路の周囲を取り囲む前記裏面側フレキシブル基板の一部を、切断するステップと、
切断された前記裏面側フレキシブル基板を、前記リジット基板の裏面から剥がし、前記第３の集積回路を前記第１の集積回路の対向位置から遠ざけるように、折り曲げるステップと、
前記第３の集積回路を前記第１の集積回路の対向位置から遠ざけた状態で、該対向位置を加熱するステップと、
を有する付記１に記載のリペア方法。
【００６６】
（付記５）
前記の切断すべき裏面側フレキシブル基板の領域の周縁に、予めミシン目を加工するステップをさらに含む付記４に記載のリペア方法。
【００６７】
（付記６）
前記の切断するステップにおいて、前記の切断すべき裏面側フレキシブル基板の領域の周縁に、カット手段により切込みを入れる付記４に記載のリペア方法。
【００６８】
（付記７）
切断された前記フレキシブル基板を剥がして折り曲げた状態下で、当該第２の集積回路を該フレキシブル基板側から加熱するステップをさらに含む付記１に記載のリペア方法。
【００６９】
（付記８）
リジット基板と、
前記リジット基板の表面上に設けられるフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に搭載される少なくとも１つの第１の集積回路と、
前記第１の集積回路の近傍の前記フレキシブル基板において前記リジット基板の表面から剥離可能な特定エリアと、
前記特定エリア上に搭載される少なくとも１つの第２の集積回路と、
を有する半導体装置。
【００７０】
（付記９）
前記リジット基板の裏面上に設けられる裏面側フレキシブル基板と、
前記第１の集積回路の対向位置における前記裏面側フレキシブル基板において前記リジット基板の裏面から剥離可能な裏面側特定エリアと、
前記裏面側特定エリア上に搭載される少なくとも１つの第３の集積回路と、
を有する付記８に記載の半導体装置。
【００７１】
（付記１０）
前記特定エリアを前記リジット基板の表面から剥がし、前記第２の集積回路を前記第１の集積回路から遠ざけるように、折り曲げた後の前記リジット基板表面上に搭載される少なくとも１つの電子部品を有する付記８に記載の半導体装置。
【００７２】
（付記１１）
前記裏面側特定エリアを前記リジット基板の裏面から剥がし、前記第３の集積回路を前記第１の集積回路の対向位置から遠ざけるように、折り曲げた後の前記リジット基板裏面上に搭載される少なくとも１つの電子部品を有する付記９に記載の半導体装置。
【００７３】
（付記１２）
前記第１の集積回路の集積度は、前記第２の集積回路の集積度よりも大である付記８に記載の半導体装置。
【００７４】
（付記１３）
前記第１の集積回路の集積度は、前記第３の集積回路の集積度よりも大である付記９に記載の半導体装置。
【００７５】
（付記１４）
多層プリント基板よりなるリジット基板と、
前記リジット基板の表面上に積層される表面側フレキシブル基板と、
前記リジット基板の裏面上に積層される裏面側フレキシブル基板と、
前記表面側フレキシブル基板の一部であって、前記リジット基板の表面から剥離可能な表面側特定エリアと、
を有する半導体装置用基板。
【００７６】
（付記１５）
前記裏面側フレキシブル基板の一部であって、前記リジット基板の裏面から剥離可能な裏面側特定エリアを、さらに有する付記１４に記載の半導体装置用基板。
【００７７】
（付記１６）
前記表面側フレキシブル基板は、前記の剥離後、折り曲げ可能な材質である付記１４に記載の半導体装置用基板。
【００７８】
（付記１７）
前記裏面側フレキシブル基板は、前記の剥離後、折り曲げ可能な材質である付記１５に記載の半導体装置用基板。
【００７９】
（付記１８）
前記表面側特定エリアおよび前記裏面側特定エリア以外のエリアにおいて、前記表面側フレキシブル基板と、前記リジット基板と、前記裏面側フレキシブル基板とを貫通する少なくとも１つのスルーホールを形成してなる付記１５に記載の半導体装置用基板。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本明細書で開示する半導体装置およびリペアマシンを示す図である。
【図２】本明細書で開示するリペア方法を表すフローチャートである。
【図３】リペアすべき集積回路１および基板３１，３２，４２（Ａ）、一部の基板３２，４２を折り曲げた様子（Ｂ）、その様子（Ｂ）を上側から見た様子（Ｃ）を示す図である。
【図４】図３の（Ｃ）に至る前に施されるミシン目加工（ステップＳ２１，Ｓ４１）を表す図である。
【図５】本明細書で開示する別のリペア方法を表す図である。
【図６】本発明により一層の高密度化を図ることができる一例を示す図である。
【図７】図６の構成よりもさらに高密度化が図れる実装例を示す図である。
【図８】本発明による基板の製造開始時（Ａ）、基板相互の合体時（Ｂ）、スルーホール形成時（Ｃ）を示す図である。
【図９】従来の半導体装置の一例を示す図である。
【図１０】小型ＢＧＡ２をリペアする様子を示す図である。
【図１１】大型ＢＧＡ１をリペアする様子を示す図である。
【符号の説明】
【００８１】
１ 第１の集積回路
２ 第２の集積回路
３ 第３の集積回路
４ 基板
５ チップ部品
３１ リジット基板
３２ フレキシブル基板
３３ 特定エリア
３４ ミシン目加工部
４２ 裏面側フレキシブル基板
４３ 裏面側特定エリア
７３ スルーホール
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路および電子部品を、基板上に高密度で実装した半導体装置、特にその半導体装置から高集積度の集積回路を取り外すためのリペア方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、例えば、通信機器関連分野での基幹系機器に組み込まれる半導体装置においては、ＣＰＵを含む制御系大型集積回路（ＬＳＩ）の周囲を、多数の小型集積回路（ＩＣ）や多数の電子部品（チップ部品等）が取り囲む構造となっている。これは、等長配線といった制約や、高速特性（例えば数１０Ｇｂｐｓ）といった要求を満たすためである。
【０００３】
かくして、かかる基幹系通信機器等の半導体装置においては、所要の回路を形成するためのＬＳＩやＩＣやチップ部品が、きわめて高密度で基板（マザーボード等）上に実装されることになる。したがって、かかる半導体装置用の回路実装基板はかなり高価になる上に、歩留まりも悪くなる。
【０００４】
そこで、上記回路実装基板上に搭載された種々の回路構成部品群の一部に、不良品が現れたときには、この不良品を含む高価な回路実装基板全体を廃棄とするのではなく、当該不良品のみを、当該基板から取り外し、当該不良基板を再生するようにしている。これが「リペア」である。
【０００５】
なお本発明に関連する公知技術としては、下記の〔特許文献１〕〜〔特許文献３〕がある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２５８０２６号公報
【特許文献２】特開２００２−３５３６１２号公報
【特許文献３】特開平１１−１８６４５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述したような不良品が出やすいのは、上記の大型集積回路に集中している。例えば、ＢＧＡ（Ball Grid Array）部品やＣＳＰ（Chip Size Package）部品等が、その大型集積回路に当たる。これは内部回路が高集積になっており、かつ多ピンになっているからである。このため、上記回路実装基板そのものの不良率に対して、該大型集積回路（ＢＧＡ）の不良率は１００倍近くに達する場合がある。
【０００８】
このような状況のため、電気性能試験によって上記大型集積回路（ＢＧＡ）に不良が発見された場合は、そのＢＧＡのみをリペアにより基板から取り外し、新たなＢＧＡとの取り替えにより、高価な基板全体を救済することとしている。
【０００９】
このリペアに際しては、従来、当該不良ＢＧＡ上から直接熱風を吹きつけ、またその裏側からも熱風を吹きつけて、はんだボールを加熱し溶融する。このとき、その不良の大型ＢＧＡ部品の周辺に配置されている多数の小型ＢＧＡ部品（メモリ）にも熱風が当たるため、その熱風をしゃ断する防熱部材が、その大型ＢＧＡ部品と小型ＢＧＡ部品との間に挿入される。このため、これらのＢＧＡ部品間には所定の間隙を予め設けなければならない。
【００１０】
しかしその間隙を、上記大型ＢＧＡ部品の周囲に、後日のリペアの有無の可能性に拘らず、常に設ける設計としておかなければならないことから、上記回路実装基板上の部品群のさらなる高密度実装化を実現する上で支障となっている。
【００１１】
したがって本発明は、上記の間隙を根本的に不要とした半導体装置およびその半導体装置用の基板を提供し、かかる半導体装置に適用可能なリペア方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本明細書で開示する半導体装置は、リジット基板と、このリジット基板の表面上に設けられるフレキシブル基板と、このフレキシブル基板上に搭載される少なくとも１つの第１の集積回路（大型ＢＧＡ等）と、この第１の集積回路の近傍のフレキシブル基板においてリジット基板の表面から剥離可能な特定エリアと、この特定エリア上に搭載される少なくとも１つの第２の集積回路（小型ＢＧＡ等）と、を有して構成される。
【００１３】
また本明細書で開示するリペア方法は、
・上記第２の集積回路の周囲を取り囲む上記フレキシブル基板の一部を、カット（切断）し、
・カットされたフレキシブル基板を、上記リジット基板の表面から剥がし、その第２の集積回路を上記第１の集積回路から遠ざけるように、折り曲げ、
・第２の集積回路を第１の集積回路から遠ざけた状態で、熱風を第１の集積回路に与えて、リジット基板およびフレキシブル基板から取り外すようにする。
【００１４】
さらにまた本明細書で開示する半導体装置用基板は、多層プリント基板よりなるリジット基板と、このリジット基板の表面上に積層される表面側フレキシブル基板と、そのリジット基板の裏面上に積層される裏面側フレキシブル基板と、その表面側フレキシブル基板の一部であって、該リジット基板の表面から剥離可能な表面側特定エリアと、を有して構成される。
【発明の効果】
【００１５】
本明細書において開示するリペア方法によれば、リペア時に、大型ＢＧＡ部品からその周辺の小型ＢＧＡ部品を、一時的に遠ざけることができ、その大型ＢＧＡ部品に吹きつける熱風から逃がすことができる。したがってその小型ＢＧＡ部品の信頼性が低下することはない。
【００１６】
そしてそのリペア後に小型ＢＧＡ部品を元の位置に戻したとき、従来必要とされた、大型ＢＧＡ部品との間の既述の間隙は、全く存在しない。上記従来の防熱部材を、それらＢＧＡ部品間に挿入する必要がないからである。
【００１７】
かくして、上記の間隙を基板設計上考慮する必要がなくなり、従来のその間隙に相当する区域を、部品実装面積として追加することができ、前述した実装密度のさらなる増大を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
ここに開示するリペア技術による効果をより明確にするために、まず、従来のリペア装置について説明しておく。
【００１９】
図９は従来の半導体装置の一例を示す図であり、特に前述した基幹系通信機器用の高密度実装形半導体装置を例にとって示す。
【００２０】
本図において、参照番号１は、前述した第１の集積回路（例えば、制御系部品となる大型ＢＧＡ部品）である（以下、単に大型ＢＧＡ又はＢＧＡとも称す）。参照番号２は、前述した第２の集積回路（例えば、メモリ系部品）である（以下、単に小型ＢＧＡ又はＢＧＡとも称す）。その他の電子部品として、チップ部品（例えば、抵抗やセラミックコンデンサ等）５がある。
【００２１】
これらのＢＧＡ１やＢＧＡ２や部品５は、基板４の表面ならびに裏面の上に実装される。この実装においては、後にリペアが必要となる可能性があることを想定して、図示する大きい間隙Ｇと小さい間隙ｇの形成を考慮した設計が行われる。これらの間隙Ｇおよびｇの存在が、既述したように、さらなる高密度実装を実現する上での障害となっている。これらＧおよびｇが必要となる理由は、図１０および図１１から明らかである。
【００２２】
図１０は小型ＢＧＡ２をリペアする様子を示す図であり、
図１１は大型ＢＧＡ１をリペアする様子を示す図である。
【００２３】
図１０を参照すると、大型ＢＧＡ１の右側にある小型ＢＧＡ２をリペアする様子が示されている。このリペアはリペアマシン（１１，１２，１３，１４）により行われる。当該ＢＧＡ２にカバー１１を被せる。またその裏面側にカバー１２を被せる。その後、加熱プレート１３および１４によって、基板４の裏側から予備加熱をしながら、上記カバー１１および１２内にそれぞれ上部熱風ｗｔとおよび下部熱風ｗｂを吹き込む。
【００２４】
ここにＢＧＡ２のはんだボールは加熱溶融し、基板４からＢＧＡ２本体を取り外すことができる。
【００２５】
次に大型ＢＧＡ１のリペアが必要になった場合を説明する。図１１を参照すると、このリペアには大型のリペアマシン（２１，２２，２３，２４，２５，２６）が用いられる。前述と同様に当該ＢＧＡ１に大型カバー２１を被せる。またその裏面側に大型カバー２２を被せる。その後、大型加熱プレート２３および２４によって、基板４の裏側から予備加熱をしながら、上記カバー２１および２２内にそれぞれ大量の上部熱風Ｗｔとおよび大量の下部熱風Ｗｂを吹き込む。
【００２６】
ここにＢＧＡ１のはんだボールは加熱溶融し、基板４からＢＧＡ２本体を取り外すことができる。しかしこの場合、大量の上部熱風Ｗｔがカバー２１の下端より漏れて吹き出し、隣接する小型ＢＧＡ２を加熱してしまう。
【００２７】
そこで、その漏れ出た熱風Ｗｔがその小型ＢＧＡ２に当たるのを防ぐため、防熱部材２５および２６が導入される。上記の図９において、大型ＢＧＡ１の近傍に間隙Ｇおよびｇを必要とするのは、そのような防熱部材２５および２６の側壁を挿入するためである。かかる間隙Ｇおよびｇ、特にそのＧの存在が、基板４上における部品群（１，２，５等）の高密度実装を阻んでいる。したがって、本明細書で開示するリペア方法は、基板４上でのそのような間隙Ｇおよびｇの必要性を排除可能とするものである。以下、このリペア方法等について詳述する。
【００２８】
図１は本明細書で開示する半導体装置およびリペアマシンを示す図である。なお全図を通じて、同様の構成要素には同一の参照番号または記号を付して示す。
【００２９】
図１に示す半導体装置は、
リジット基板３１と、リジット基板３１の表面上に設けられるフレキシブル基板３２と、フレキシブル基板３２上に搭載される少なくとも１つの第１の集積回路（大型ＢＧＡ）１と、第１の集積回路１の近傍のフレキシブル基板３２においてリジット基板３１の表面から剥離可能な特定エリア３３と、特定エリア３３上に搭載される少なくとも１つの第２の集積回路（小型ＢＧＡ）２と、を有してなる。
【００３０】
さらに好ましくは、上記半導体装置は、
リジット基板３１の裏面上に設けられる裏面側フレキシブル基板４２と、第１の集積回路１の対向位置における裏面側フレキシブル基板４２においてリジット基板３１の裏面から剥離可能な裏面側特定エリア４３と、裏面側特定エリア４３上に搭載される少なくとも１つの第３の集積回路（小型ＢＧＡ）３と、を有してなる。
【００３１】
なお、第１の集積回路１の集積度は、第２の集積回路２の集積度よりも大であり、
また、第１の集積回路１の集積度は、第３の集積回路３の集積度よりも大である。
【００３２】
上記図１に示す半導体装置におけるリペア方法は次のとおりである。図２は、本明細書で開示するリペア方法を表すフローチャートである。
【００３３】
本図に示すリペア方法は、リジット基板３１と、このリジット基板３１の表面上に設けられるフレキシブル基板３２と、このフレキシブル基板３２上に搭載される第１の集積回路１およびその近傍に搭載される少なくとも１つの第２の集積回路２とを有する半導体装置において、その第１の集積回路１に熱風を与えて加熱しこれをリジット基板３１およびフレキシブル基板３２から取り外すためのリペア方法であって、以下のステップを有する。
【００３４】
ステップＳ１１：第２の集積回路２の周囲を取り囲むフレキシブル基板３２の一部を、カットする（図３参照）。
ステップＳ１２：カット（切断）されたフレキシブル基板３２を、リジット基板３１の表面から剥がし、第２の集積回路２を第１の集積回路１から遠ざけるように、折り曲げる（図３参照）。
ステップＳ１３：第２の集積回路２を第１の集積回路１から遠ざけた状態で、熱風Ｗｔ（図１）を第１の集積回路１に与える。該集積回路１のはんだボールは加熱溶融される。
【００３５】
この場合、上記のカット（切断）すべきフレキシブル基板３２の領域の周縁に、予めミシン目を加工するステップＳ２１をさらに含むか（図４参照）、
または、ステップＳ１１において、カットすべきフレキシブル基板３２の領域の周縁に、カット手段（カッター等）により切込みを入れる。
【００３６】
さらにまた、リジット基板３１の裏面上に設けられる裏面側フレキシブル基板４２と、第１の集積回路１の対向位置における裏面側フレキシブル基板４２上に搭載される少なくとも１つの第３の集積回路３とをさらに有する場合、
ステップＳ３１：第３の集積回路３の周囲を取り囲む裏面側フレキシブル基板４２の一部を、カット（切断）する。
ステップＳ３２：カットされた裏面側フレキシブル基板４２を、リジット基板３１の裏面から剥がし、第３の集積回路３を第１の集積回路１の対向位置（熱風Ｗｂが当たる位置）から遠ざけるように、折り曲げる。
ステップＳ３３：第３の集積回路３を第１の集積回路１の上記対向位置から遠ざけた状態で、裏面側熱風Ｗｂをその対向位置に与える。
【００３７】
この場合、上記ステップＳ２１またはＳ２２と同様に、上記のカットすべき裏面側フレキシブル基板４２の領域の周縁に、予めミシン目を加工するステップＳ４１をさらに含むか、
または、ステップＳ３１において、カットすべき裏面側フレキシブル基板４２の領域の周縁に、上記カット手段により切込みを入れる。
【００３８】
上記フローチャートのステップＳ１１，Ｓ１２およびステップＳ２１（ミシン目加工）に関し、さらに詳しく説明する。まず図３はリペアすべき集積回路１および基板３１，３２，４２（Ａ）、一部の基板３２，４２を折り曲げた様子（Ｂ）、その様子（Ｂ）を上側から見た様子（Ｃ）を示す図である。なお、本図では、基板上の搭載部品としてリペア対象の集積回路（大型ＢＧＡ）１のみを示し、他の部品は図示省略する。
【００３９】
ＢＧＡ１の図中左右にある特定エリア３３と、該ＢＧＡ１との間には切込みＳ１が入れられる。このＳ１は、基板３２の厚みより大きい幅を有するのが望ましい。
【００４０】
また、特定エリア３３の折曲げ部分においては、フレキシブル基板３２を構成するカバーレイの除去部分Ｓ２が形成される。この除去部分Ｓ２により、該基板３２を構成するベースフィルム（例えばポリイミドフィルム）が折り曲げやすくなる。かかる処理（Ｓ１，Ｓ２）は、基板３１の裏面側でも同様に行われる。
【００４１】
かくして特定エリア３３および４３の剥離と折曲げが行われた後の状態を、図３の（Ｂ）に示す。その上面図は同図（Ｃ）に示す。本図（Ｃ）では、特定エリア３３が、大型ＢＧＡ１の一方の２辺側（同図（Ａ），（Ｂ）のように）のみならず、他の２辺側にも存在する例を示している。なお、本図（Ｃ）中、その４辺にそれぞれ平行して描いた点線は、上記折曲げ部分の境界を表す。
【００４２】
続いて図４を参照して、上記フローチャート（図２）のステップＳ２１について詳しく説明する。図４は、図２のステップＳ２１（およびＳ４１）におけるミシン目加工を示す図である。
【００４３】
本図において、参照番号３４がミシン目加工の全体（ミシン目加工部）を表し、露出したリジット基板３１上に飛び石状に残るフレキシブル基板３２の小片部分３２′がミシン目を形成する。このミシン目により、容易に特定エリア３３を剥がすことができる。なお、ＢＧＡ１の４辺にそれぞれ平行して描いた点線は、図３（Ｂ）に示す、基板３２の折曲げ部分（Ｓ２）に相当する。
【００４４】
上記図２に示すフローチャートの補足として、本発明に特有のリペア方法を説明する。図５は、小型ＢＧＡ２のリペア方法を表す図である。すなわち、カットされたフレキシブル基板３２を剥がして折り曲げた状態下（図１）で、第２の集積回路（小型ＢＧＡ）２をフレキシブル基板３２側から加熱して取り外すことも容易である。この加熱は、例えばはんだゴテ５１により行われる。この加熱により小型ＢＧＡ２のはんだボールが加熱溶融され、リペアが行われる。
【００４５】
かくして、本明細書により開示するリペア方法を採用することによって、既述したように一層高密度化した、例えば基幹系通信機器用の回路実装基板を実現することができる。図６は本発明により一層の高密度化を図ることができる一例を示す図である。
【００４６】
従来であれば、大型ＢＧＡ１の近辺およびその対向位置近傍には、リペアを考慮して一切部品を配置できなかったところ（図９参照）、本発明によれば図６に表すとおり、特定エリア３３，４３にさらに部品２，３および５を詰め込むことが可能となり、一層の高密度化が図れる。
【００４７】
さらに本発明を発展させれば、必要に応じてさらに高密度化を図ることもできる。図７は、図６の構成よりもさらに高密度化が図れる実装例を示す図である。本図において、チップ部品５５および６５をさらに詰め込むようにしている。なおこれらのチップ部品５５，６５は、部品１のリペア時における熱風に十分耐えることができる。
【００４８】
すなわち、特定エリア３３をリジット基板３１の表面から剥がし、第２の集積回路（小型ＢＧＡ）２を第１の集積回路（大型ＢＧＡ）２から遠ざけるように、折り曲げた後のリジット基板３１の表面上に搭載される少なくとも１つの電子部品（チップ部品）５５を追加することができる。
【００４９】
また、裏面側特定エリア４３をリジット基板３１の裏面から剥がし、第３の集積回路（小型ＢＧＡ）３を第１の集積回路１の対向位置から遠ざけるように、折り曲げた後のリジット基板３１の裏面上に搭載される少なくとも１つの電子部品（チップ部品）６５を追加することができる。
【００５０】
最後に本明細書で開示する半導体装置用基板について説明する。図８は本発明による該基板の製造開始時（Ａ）、基板相互の合体時（Ｂ）、スルーホール形成時（Ｃ）を示す図である。
【００５１】
まず図８（Ａ）においては、フレキシブル基板３２と裏面側フレキシブル基板４２とにより、多層プリント基板よりなるリジット基板３１を上下から挟む。このとき各基板間に接着材７１および７２を充填する。
【００５２】
これら基板を合体させ、あるいは熱圧着して、貼り合わせ基板（３２−３１−４２）を形成する。これが図８（Ｂ）である。
【００５３】
さらにスルーホール７３を形成して基板の完成である。これが図８（Ｃ）である。この図８（Ｃ）を参照すると、各スルーホール７３の開口端には導電パッド７４が形成されている。また、各ビア７５の開口端にも導電パッド７６が形成されている。７７はランドである。
【００５４】
ここに、参照番号１は、大型ＢＧＡ１が搭載されるべき位置を表しており、その周囲にはミシン目加工部３４（図４）が形成される。３４′は裏面側の加工部である。
【００５５】
このミシン目加工部３４（３４′）に隣接する領域が、特定エリア３３（４３）であり、これらの部分が、部品１のリペア時に折り曲げられる。これらエリアの上には小型ＢＧＡ２（３）が搭載される。かくして例えば５cm×５cmといったような大サイズの半導体装置用基板が完成する。ちなみに、リジット基板３１の厚みは、数mm程度である。
【００５６】
以上のことを要約すると、
本発明に係る半導体装置用基板は、
多層プリント基板よりなるリジット基板３１と、このリジット基板３１の表面上に積層される表面側フレキシブル基板３２と、そのリジット基板３１の裏面上に積層される裏面側フレキシブル基板４２と、その表面側フレキシブル基板３２の一部であって、リジット基板３１の表面から剥離可能な表面側特定エリア３３と、を有してなる。
【００５７】
また、裏面側フレキシブル基板４２の一部であって、リジット基板３１の裏面から剥離可能な裏面側特定エリア４３を、さらに有してなる。
【００５８】
ここに上記の表面側フレキシブル基板３２は、上記の剥離後、折り曲げ可能な材質、例えばポリイミドあるいはポリエステルである。
【００５９】
同様に裏面側フレキシブル基板４２も、上記の剥離後、折り曲げ可能な材質である。
【００６０】
そして、表面側特定エリア３３および裏面側特定エリア４３以外のエリアにおいて、表面側フレキシブル基板３２と、リジット基板３１と、裏面側フレキシブル基板４２とを貫通する少なくとも１つのスルーホール７３を形成して半導体装置用基板が完成する。
【００６１】
以上の各実施形態に関し、以下の付記を開示する。
【００６２】
（付記１）
リジット基板と、該リジット基板の表面上に設けられるフレキシブル基板と、該フレキシブル基板上に搭載される第１の集積回路およびその近傍に搭載される少なくとも１つの第２の集積回路とを有する半導体装置のリペア方法であって、
前記第２の集積回路の周囲を取り囲む前記フレキシブル基板の一部を、切断するステップと、
切断された前記フレキシブル基板を、前記リジット基板の表面から剥がし、前記第２の集積回路を前記第１の集積回路から遠ざけるように、折り曲げるステップと、
前記第２の集積回路を前記第１の集積回路から遠ざけた状態で、該第１の集積回路を加熱するステップと、
を有するリペア方法。
【００６３】
（付記２）
前記の切断すべき前記フレキシブル基板の領域の周縁に、予めミシン目を加工するステップをさらに含む付記１に記載のリペア方法。
【００６４】
（付記３）
前記の切断するステップにおいて、切断すべき前記フレキシブル基板の領域の周縁に、カット手段により切込みを入れる付記１に記載のリペア方法。
【００６５】
（付記４）
前記リジット基板の裏面上に設けられる裏面側フレキシブル基板と、前記第１の集積回路の対向位置における該裏面側フレキシブル基板上に搭載される少なくとも１つの第３の集積回路とを前記半導体装置はさらに有し、
前記第３の集積回路の周囲を取り囲む前記裏面側フレキシブル基板の一部を、切断するステップと、
切断された前記裏面側フレキシブル基板を、前記リジット基板の裏面から剥がし、前記第３の集積回路を前記第１の集積回路の対向位置から遠ざけるように、折り曲げるステップと、
前記第３の集積回路を前記第１の集積回路の対向位置から遠ざけた状態で、該対向位置を加熱するステップと、
を有する付記１に記載のリペア方法。
【００６６】
（付記５）
前記の切断すべき裏面側フレキシブル基板の領域の周縁に、予めミシン目を加工するステップをさらに含む付記４に記載のリペア方法。
【００６７】
（付記６）
前記の切断するステップにおいて、前記の切断すべき裏面側フレキシブル基板の領域の周縁に、カット手段により切込みを入れる付記４に記載のリペア方法。
【００６８】
（付記７）
切断された前記フレキシブル基板を剥がして折り曲げた状態下で、当該第２の集積回路を該フレキシブル基板側から加熱するステップをさらに含む付記１に記載のリペア方法。
【００６９】
（付記８）
リジット基板と、
前記リジット基板の表面上に設けられるフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に搭載される少なくとも１つの第１の集積回路と、
前記第１の集積回路の近傍の前記フレキシブル基板において前記リジット基板の表面から剥離可能な特定エリアと、
前記特定エリア上に搭載される少なくとも１つの第２の集積回路と、
を有する半導体装置。
【００７０】
（付記９）
前記リジット基板の裏面上に設けられる裏面側フレキシブル基板と、
前記第１の集積回路の対向位置における前記裏面側フレキシブル基板において前記リジット基板の裏面から剥離可能な裏面側特定エリアと、
前記裏面側特定エリア上に搭載される少なくとも１つの第３の集積回路と、
を有する付記８に記載の半導体装置。
【００７１】
（付記１０）
前記特定エリアを前記リジット基板の表面から剥がし、前記第２の集積回路を前記第１の集積回路から遠ざけるように、折り曲げた後の前記リジット基板表面上に搭載される少なくとも１つの電子部品を有する付記８に記載の半導体装置。
【００７２】
（付記１１）
前記裏面側特定エリアを前記リジット基板の裏面から剥がし、前記第３の集積回路を前記第１の集積回路の対向位置から遠ざけるように、折り曲げた後の前記リジット基板裏面上に搭載される少なくとも１つの電子部品を有する付記９に記載の半導体装置。
【００７３】
（付記１２）
前記第１の集積回路の集積度は、前記第２の集積回路の集積度よりも大である付記８に記載の半導体装置。
【００７４】
（付記１３）
前記第１の集積回路の集積度は、前記第３の集積回路の集積度よりも大である付記９に記載の半導体装置。
【００７５】
（付記１４）
多層プリント基板よりなるリジット基板と、
前記リジット基板の表面上に積層される表面側フレキシブル基板と、
前記リジット基板の裏面上に積層される裏面側フレキシブル基板と、
前記表面側フレキシブル基板の一部であって、前記リジット基板の表面から剥離可能な表面側特定エリアと、
を有する半導体装置用基板。
【００７６】
（付記１５）
前記裏面側フレキシブル基板の一部であって、前記リジット基板の裏面から剥離可能な裏面側特定エリアを、さらに有する付記１４に記載の半導体装置用基板。
【００７７】
（付記１６）
前記表面側フレキシブル基板は、前記の剥離後、折り曲げ可能な材質である付記１４に記載の半導体装置用基板。
【００７８】
（付記１７）
前記裏面側フレキシブル基板は、前記の剥離後、折り曲げ可能な材質である付記１５に記載の半導体装置用基板。
【００７９】
（付記１８）
前記表面側特定エリアおよび前記裏面側特定エリア以外のエリアにおいて、前記表面側フレキシブル基板と、前記リジット基板と、前記裏面側フレキシブル基板とを貫通する少なくとも１つのスルーホールを形成してなる付記１５に記載の半導体装置用基板。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本明細書で開示する半導体装置およびリペアマシンを示す図である。
【図２】本明細書で開示するリペア方法を表すフローチャートである。
【図３】リペアすべき集積回路１および基板３１，３２，４２（Ａ）、一部の基板３２，４２を折り曲げた様子（Ｂ）、その様子（Ｂ）を上側から見た様子（Ｃ）を示す図である。
【図４】図３の（Ｃ）に至る前に施されるミシン目加工（ステップＳ２１，Ｓ４１）を表す図である。
【図５】本明細書で開示する別のリペア方法を表す図である。
【図６】本発明により一層の高密度化を図ることができる一例を示す図である。
【図７】図６の構成よりもさらに高密度化が図れる実装例を示す図である。
【図８】本発明による基板の製造開始時（Ａ）、基板相互の合体時（Ｂ）、スルーホール形成時（Ｃ）を示す図である。
【図９】従来の半導体装置の一例を示す図である。
【図１０】小型ＢＧＡ２をリペアする様子を示す図である。
【図１１】大型ＢＧＡ１をリペアする様子を示す図である。
【符号の説明】
【００８１】
１ 第１の集積回路
２ 第２の集積回路
３ 第３の集積回路
４ 基板
５ チップ部品
３１ リジット基板
３２ フレキシブル基板
３３ 特定エリア
３４ ミシン目加工部
４２ 裏面側フレキシブル基板
４３ 裏面側特定エリア
７３ スルーホール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リジット基板と、該リジット基板の表面上に設けられるフレキシブル基板と、該フレキシブル基板上に搭載される第１の集積回路およびその近傍に搭載される少なくとも１つの第２の集積回路とを有する半導体装置のリペア方法であって、
前記第２の集積回路の周囲を取り囲む前記フレキシブル基板の一部を、切断するステップと、
切断された前記フレキシブル基板を、前記リジット基板の表面から剥がし、前記第２の集積回路を前記第１の集積回路から遠ざけるように、折り曲げるステップと、
前記第２の集積回路を前記第１の集積回路から遠ざけた状態で、該第１の集積回路を加熱するステップと、
を有するリペア方法。
【請求項２】
前記の切断すべき前記フレキシブル基板の領域の周縁に、予めミシン目を加工するステップをさらに含む請求項１に記載のリペア方法。
【請求項３】
前記リジット基板の裏面上に設けられる裏面側フレキシブル基板と、前記第１の集積回路の対向位置における該裏面側フレキシブル基板上に搭載される少なくとも１つの第３の集積回路とを前記半導体装置はさらに有し、
前記第３の集積回路の周囲を取り囲む前記裏面側フレキシブル基板の一部を、切断するステップと、
切断された前記裏面側フレキシブル基板を、前記リジット基板の裏面から剥がし、前記第３の集積回路を前記第１の集積回路の対向位置から遠ざけるように、折り曲げるステップと、
前記第３の集積回路を前記第１の集積回路の対向位置から遠ざけた状態で、該対向位置を加熱するステップと、
を有する請求項１に記載のリペア方法。
【請求項４】
リジット基板と、
前記リジット基板の表面上に設けられるフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に搭載される少なくとも１つの第１の集積回路と、
前記第１の集積回路の近傍の前記フレキシブル基板において前記リジット基板の表面から剥離可能な特定エリアと、
前記特定エリア上に搭載される少なくとも１つの第２の集積回路と、
を有する半導体装置。
【請求項５】
前記リジット基板の裏面上に設けられる裏面側フレキシブル基板と、
前記第１の集積回路の対向位置における前記裏面側フレキシブル基板において前記リジット基板の裏面から剥離可能な裏面側特定エリアと、
前記裏面側特定エリア上に搭載される少なくとも１つの第３の集積回路と、
を有する請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記特定エリアを前記リジット基板の表面から剥がし、前記第２の集積回路を前記第１の集積回路から遠ざけるように、折り曲げた後の前記リジット基板表面上に搭載される少なくとも１つの電子部品を有する請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
多層プリント基板よりなるリジット基板と、
前記リジット基板の表面上に積層される表面側フレキシブル基板と、
前記リジット基板の裏面上に積層される裏面側フレキシブル基板と、
前記表面側フレキシブル基板の一部であって、前記リジット基板の表面から剥離可能な表面側特定エリアと、
を有する半導体装置用基板。
【請求項１】
リジット基板と、該リジット基板の表面上に設けられるフレキシブル基板と、該フレキシブル基板上に搭載される第１の集積回路およびその近傍に搭載される少なくとも１つの第２の集積回路とを有する半導体装置のリペア方法であって、
前記第２の集積回路の周囲を取り囲む前記フレキシブル基板の一部を、切断するステップと、
切断された前記フレキシブル基板を、前記リジット基板の表面から剥がし、前記第２の集積回路を前記第１の集積回路から遠ざけるように、折り曲げるステップと、
前記第２の集積回路を前記第１の集積回路から遠ざけた状態で、該第１の集積回路を加熱するステップと、
を有するリペア方法。
【請求項２】
前記の切断すべき前記フレキシブル基板の領域の周縁に、予めミシン目を加工するステップをさらに含む請求項１に記載のリペア方法。
【請求項３】
前記リジット基板の裏面上に設けられる裏面側フレキシブル基板と、前記第１の集積回路の対向位置における該裏面側フレキシブル基板上に搭載される少なくとも１つの第３の集積回路とを前記半導体装置はさらに有し、
前記第３の集積回路の周囲を取り囲む前記裏面側フレキシブル基板の一部を、切断するステップと、
切断された前記裏面側フレキシブル基板を、前記リジット基板の裏面から剥がし、前記第３の集積回路を前記第１の集積回路の対向位置から遠ざけるように、折り曲げるステップと、
前記第３の集積回路を前記第１の集積回路の対向位置から遠ざけた状態で、該対向位置を加熱するステップと、
を有する請求項１に記載のリペア方法。
【請求項４】
リジット基板と、
前記リジット基板の表面上に設けられるフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に搭載される少なくとも１つの第１の集積回路と、
前記第１の集積回路の近傍の前記フレキシブル基板において前記リジット基板の表面から剥離可能な特定エリアと、
前記特定エリア上に搭載される少なくとも１つの第２の集積回路と、
を有する半導体装置。
【請求項５】
前記リジット基板の裏面上に設けられる裏面側フレキシブル基板と、
前記第１の集積回路の対向位置における前記裏面側フレキシブル基板において前記リジット基板の裏面から剥離可能な裏面側特定エリアと、
前記裏面側特定エリア上に搭載される少なくとも１つの第３の集積回路と、
を有する請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記特定エリアを前記リジット基板の表面から剥がし、前記第２の集積回路を前記第１の集積回路から遠ざけるように、折り曲げた後の前記リジット基板表面上に搭載される少なくとも１つの電子部品を有する請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
多層プリント基板よりなるリジット基板と、
前記リジット基板の表面上に積層される表面側フレキシブル基板と、
前記リジット基板の裏面上に積層される裏面側フレキシブル基板と、
前記表面側フレキシブル基板の一部であって、前記リジット基板の表面から剥離可能な表面側特定エリアと、
を有する半導体装置用基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００９−２３８９０８（Ｐ２００９−２３８９０８Ａ）
【公開日】平成２１年１０月１５日（２００９．１０．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−８１０８６（Ｐ２００８−８１０８６）
【出願日】平成２０年３月２６日（２００８．３．２６）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月１５日（２００９．１０．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月２６日（２００８．３．２６）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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