半導体装置用テープキャリア及びその製造方法
【課題】ボンディング時に配線リードをノッチ部で切断すること、及び配線リードの未切断の発生を抑制することを可能とした半導体装置用テープキャリアを提供する。
【解決手段】所定の位置に第１ボンディング用窓２Ａが形成された絶縁性テープ２と、絶縁性テープ２上に所定のパターンで形成された配線リード３とを備え、配線リード３は、第１ボンディング用窓２Ａ内に露出して所定の幅ＷＮを有する切断用のノッチ部３０Ｃ、及び第１ボンディング用窓２Ａ内に露出して所定の幅ＷＬを有する半導体チップ接続用の第１連結部３３Ｃを有し、配線リード３が３００ＭＰａから３５０ＭＰａの引張強度とボンディング加熱時に１０％から２０％の伸び率とを有するとき、配線リード３の所定の幅ＷＮ及びＷＬの比ＷＮ／ＷＬが０．７２５以下に設定される。
【解決手段】所定の位置に第１ボンディング用窓２Ａが形成された絶縁性テープ２と、絶縁性テープ２上に所定のパターンで形成された配線リード３とを備え、配線リード３は、第１ボンディング用窓２Ａ内に露出して所定の幅ＷＮを有する切断用のノッチ部３０Ｃ、及び第１ボンディング用窓２Ａ内に露出して所定の幅ＷＬを有する半導体チップ接続用の第１連結部３３Ｃを有し、配線リード３が３００ＭＰａから３５０ＭＰａの引張強度とボンディング加熱時に１０％から２０％の伸び率とを有するとき、配線リード３の所定の幅ＷＮ及びＷＬの比ＷＮ／ＷＬが０．７２５以下に設定される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用テープキャリア及びその製造方法に関し、特にテープ基材のボンディング用窓内に配線リードの一部が露出する半導体装置用テープキャリア及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半田ボールを使用して装置搭載用基板としてのプリント基板へ表面実装を行うＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージタイプの半導体装置は、パッケージの平面全体でプリント基板との電気的接続が可能となるため、アウターリードを用いたＱＦＰ（Quad Flat Package）等のようにパッケージの端縁で電気的接続するものと比べて端子（リード）間のピッチを狭めることなく、多ピン（多端子）化が図れるという特長がある。
【０００３】
このようなＢＧＡパッケージタイプの中には、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープをパッケージの構造材として使用したものが知られている。ＴＡＢテープを用いたＢＧＡパッケージは、薄型化及び小型化が図れ、例えばμＢＧＡ（米国テセラ社登録商標）等のＣＳＰ（Chip Size Package）を製造することが可能となる。
【０００４】
μＢＧＡパッケージは、テープＢＧＡタイプのＣＳＰであり、半導体チップとＴＡＢテープとの間にエラストマー（低弾性樹脂）を介在させ、Ｓ字又はＪ字形状のリードで半導体チップとＴＡＢテープとを接続した構造をもつものが知られている（例えば特許文献１，２）。このμＢＧＡパッケージの特長は、半導体チップとＴＡＢテープとの間にエラストマーを介在させたことにより、パッケージとプリント基板との間に生じる熱応力を緩和することができ、半田ボール接続部の寿命を向上させることができる点にある。
【０００５】
ＴＡＢテープと半導体チップとを接続するボンディング工程は、ＴＡＢテープに設けられた配線リードのリード接続部を半導体チップの電極パッドに対向する位置に位置決めした後、ボンディングツールを配線リードの上方から降下させて配線リードのリード接続部近傍の部位を切断してから、配線リードのリード接続部をボンディングツールでさらに押し下げて電極パッドに接続することにより行われる。
【０００６】
この場合、配線リードの切断部に切断部以外の部位のリード幅よりも小さいリード幅を有するノッチ部を設け、このノッチ部をボンディングツールで切断して電極パッドに配線リードのリード接続部を接続することを可能とする半導体装置用テープキャリアが用いられる(例えば特許文献３，４)。この半導体装置用テープキャリアの特長は、ＴＡＢテープと半導体チップとを接続するボンディング時に配線リードを切断する際のリード切断性を高めることができる点にある。
【特許文献１】特開２００５−１０１６３８号公報
【特許文献２】特表平１０−５０６２３５号公報
【特許文献３】特開平１０−４１３４４号公報
【特許文献４】特開平１０−４１３４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、配線リードにノッチ部を有する従来の半導体装置用テープキャリアによると、ボンディング時に配線リードがノッチ部以外の部位で切断されたり、あるいは配線リードそのものが切断されなかったりすることがある。このため、配線リードを半導体チップに接続するボンディング時に接続不良が発生し、実装工程における生産性が低下する結果となる。
【０００８】
従って、本発明の目的は、ボンディング時に配線リードをノッチ部で的確に切断することができるとともに、配線リードの未切断の発生を抑制することができる半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明は、上記目的を達成するために、所定の位置にボンディング用窓が形成された絶縁性のテープ基材と、前記テープ基材上に所定のパターンで形成された配線リードとを備え、前記配線リードは、前記ボンディング用窓内に露出して所定の幅ＷＮを有する切断用のノッチ部、及び前記ボンディング用窓内に露出して所定の幅ＷＬを有する半導体チップ接続用のリード接続部を少なくとも有し、前記配線リードが３００ＭＰａから３５０ＭＰａの引張強度とボンディング加熱時に１０％から２０％の伸び率とを有するとき、前記配線リードの前記所定の幅ＷＮ及びＷＬの比ＷＮ／ＷＬが０．７２５以下に設定されることを特徴とする半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００１０】
（２）本発明は、上記目的を達成するために、所定の位置にボンディング用窓が形成された絶縁性のテープ基材と、前記テープ基材上に所定のパターンで形成された配線リードとを備え、前記配線リードは、前記ボンディング用窓内に露出して所定の幅ＷＮを有する切断用のノッチ部、及び前記ボンディング用窓内に露出して所定の幅ＷＬを有する半導体チップ接続用のリード接続部を少なくとも有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記テープ基材の片面に金属箔を形成する第１ステップと、前記金属箔にエッチング処理を施すことにより前記配線リードを形成する第２ステップとを含み、前記配線リードを形成するにあたり、前記配線リードが３００ＭＰａから３５０ＭＰａの引張強度とボンディング加熱時に１０％から２０％の伸び率とを有するとき、前記配線リードの前記所定の幅ＷＮ及びＷＬの比ＷＮ／ＷＬが０．７２５以下に設定されることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、ボンディング時に配線リードをノッチ部で的確に切断することができるとともに、配線リードの未切断の発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
[実施の形態]
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの全体を説明するために示す平面図とそのＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）は平面図を、図１（ｂ）はＡ−Ａ断面図をそれぞれ示す。図２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの要部を説明するために示す平面図である。
【００１３】
（半導体装置用テープキャリアの全体構成）
図１（ａ）及び（ｂ）において、符号１で示す半導体装置用テープキャリアは、テープ基材としての絶縁性テープ２と、この絶縁性テープ２の半導体チップ側に位置する複数の配線リード３，３，…とから大略構成されている。
【００１４】
半導体装置用テープキャリア１の半導体チップ側には、エラストマー等の低弾性樹脂材料によって形成された熱応力緩和部材４（図３（ａ），（ｂ））が配線リード３，３，…の一部を覆うように配置されている。熱応力緩和部材４には、絶縁性テープ２の第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａ及び第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂ（後述）に対応する位置で開口するウインドウホール４Ａ，４Ａが設けられている。
【００１５】
（絶縁性テープ２の構成）
絶縁性テープ２は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、テープ長手方向に並列する第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａ、及びテープ幅方向に並列する第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂを所定の位置に有し、全体が接着剤付きのポリイミド樹脂フィルムによって形成されている。第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａはテープ幅方向寸法を、また第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂはテープ長手方向寸法をそれぞれ長手方向寸法とする平面矩形状の貫通孔によって形成されている。
【００１６】
絶縁性テープ２には、第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａの内側に位置し、かつ配線リード３にバンプ（図示せず）を接続するための第１バンプホール２Ｃ，２Ｃ，…が設けられている。また、絶縁性テープ２には、第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂの内側に位置し、かつ配線リード３，３，…にバンプ（図示せず）を接続するための第２バンプホール２Ｄ，２Ｄ，…が設けられている。
【００１７】
絶縁性テープ２の両側縁には、テープ長手方向に所定の間隔をもって並列する複数のスプロケットホール２Ｅ，２Ｅ，…がそれぞれ設けられている。
【００１８】
（配線リード３，３，…の構成）
配線リード３，３，…は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａ及び第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂの長手方向に所定の間隔をもって並列し、絶縁性テープ２に第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａ及び第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂを跨ぐようにして配置されている。
【００１９】
図２は、配線リード３，３，…を拡大して示す。但し、配線リード３，３，…の形状は、プリント基板のレイアウトに依存するので、図１（ａ）に示したものと一致していない。配線リード３，３，…は、それぞれがリード長手方向端部としての第１リード部３Ａ，第２リード部３Ｂ、及び第１リード部３Ａと第２リード部３Ｂとの間に介在する第３リード部３Ｃからなり、絶縁性テープ２の半導体チップ側面に設けられている。そして、配線リード３，３，…の全体が所定のパターンからなる銅箔によって形成されている。配線リード３のリード厚は均一な寸法として例えば１８μｍに設定されている。
【００２０】
配線リード３，３，…には、その表面にめっき処理を施すことによりＡｕ（金）膜（図示せず）が形成されている。
【００２１】
第１リード部３Ａは絶縁性テープ２における第１ボンディング用窓２Ａ又は第２ボンディング用窓２Ｂの内側又は外側に、また第２リード部３Ｂは絶縁性テープ２における第１ボンディング用窓２Ａ又は第２ボンディング用窓２Ｂの外側又は内側にそれぞれ配置されている。第１リード部３Ａ及び第２リード部３Ｂのリード幅は寸法ＷＬに設定されている。
【００２２】
第３リード部３Ｃは、リード両側縁にノッチ３００Ｃ，３００Ｃを形成することにより設けられた切断用のノッチ部３０Ｃ、ノッチ部３０Ｃの第１リード部３Ａ側に隣接するボンディング部３１Ｃ、ボンディング部３１Ｃに隣接する傾斜部３２Ｃ、傾斜部３２Ｃと第１リード部３Ａとを連結する第１連結部３３Ｃ、及びノッチ部３０Ｃと第２リード部３Ｂとを連結する第２連結部３４Ｃを含み、全体が第１ボンディング用窓２Ａ又は第２ボンディング用窓２Ｂ内に露出して配置されている。
【００２３】
ノッチ部３０Ｃは、ボンディング時にボンディングツール（図示せず）のボンディング部３１Ｃへの押圧によって切断される部位であり、その最小リード幅が所定の寸法ＷＮに設定されている。
【００２４】
ボンディング部３１Ｃは、ボンディング時にボンディングツールが接触する部位であり、そのリード幅が所定の寸法ＷＢ（ＷＮ＜ＷＢ）に設定されている。
【００２５】
傾斜部３２Ｃは、ボンディング部３１Ｃと第１連結部３３Ｃとの間に介在し、そのリード幅が第１連結部３３Ｃ側からボンディング部３１Ｃ側に向かって漸次大きくなる寸法に設定されている。
【００２６】
第１連結部３３Ｃは、第１ボンディング用窓２Ａ又は第２ボンディング用窓２Ｂの開口縁近傍に位置し、そのリード幅が所定の寸法ＷＬ（ＷＮ＜ＷＬ＜ＷＢ）に設定されている。そして、比ＷＮ／ＷＬは、３００ＭＰａから３５０ＭＰａの引張強度とボンディング加熱時に１０％から２０％の伸び率とを有し、かつ配線リード３のリード厚が例えば１８μｍのとき０．７２５以下に設定されている。これにより、ボンディング時に配線リード３がノッチ部３０Ｃで的確に切断されるとともに、配線リード３の未切断の発生が抑制される。
【００２７】
第２連結部３４Ｃは、第１ボンディング用窓２Ａ又は第２ボンディング用窓２Ｂの開口縁近傍に位置し、そのリード幅が第１連結部３３Ｃのリード幅と同一の寸法ＷＬに設定されている。
【００２８】
以上述べたボンディング部３１Ｃ，傾斜部３２Ｃ，第１連結部３３Ｃ及び第１リード部３Ａは、半導体チップをプリント基板に接続するリード接続部３０１Ｃ（図３（ｂ））を構成する。
【００２９】
ここで、本実施の形態に示す半導体装置用テープキャリア１の配線リード３を半導体チップの電極パッドに接続するボンディングを実施した場合の効果につき、図３（ａ），（ｂ）及び表１を用いて考察する。
【００３０】
図３（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの配線リードを半導体チップに接続するボンディング工程を説明するために示す断面図である。図３（ａ）はボンディング工程前の状態を、図３（ｂ）はボンディング工程後の状態をそれぞれ示す。
【００３１】
本考察は、下記の＜実施例１＞，＜実施例２＞，＜実施例３＞及び＜比較例＞に示す半導体装置用テープキャリア１を用い、これら各半導体装置用テープキャリア１の配線リード３を半導体チップに接続するボンディングを実施し、ボンディングの実施後における配線リード３のノッチ部３０Ｃでの切断有無を判定することにより試みた。配線リード３のリード厚を１８μmに、ボンディング時の加熱温度を１８０℃にそれぞれ設定した。
【００３２】
図３（ａ）及び（ｂ）は、熱応力緩和部材４を介して半導体チップ５を半導体装置用テープキャリア１に接続するボンディング工程を示し、このボンディング工程の終了後に所定の工程を施すことによりＢＧＡパッケージ６が製造される。先ず、図３（ａ）において、半導体チップ５の電極パッド５Ａに対向させてボンディングツール７を配置する。次に、図３（ｂ）において、ボンディングツール７を降下させて配線リード３のボンディング部３１Ｃに当接させた後、さらにボンディングツール７でボンディング部３１Ｃを降下させて第３リード部３Ｃをノッチ部３０Ｃで切断してから、配線リード３のボンディング部３１Ｃを電極パッド５Ａに接続した。
【実施例１】
【００３３】
３２０ＭＰａの引張強度と１８０℃で伸び率１５％とを有し、比ＷＮ／ＷＬが（１）ＷＮ／ＷＬ＝０．６，（２）ＷＮ／ＷＬ＝０．６８５，（３）ＷＮ／ＷＬ＝０．７２５，（４）ＷＮ／ＷＬ＝１に設定された配線リード３を備えた半導体装置用テープキャリア１
【実施例２】
【００３４】
３００ＭＰａの引張強度と１８０℃で伸び率２０％とを有し、比ＷＮ／ＷＬが（１）ＷＮ／ＷＬ＝０．６，（２）ＷＮ／ＷＬ＝０．６８５，（３）ＷＮ／ＷＬ＝０．７２５，（４）ＷＮ／ＷＬ＝１に設定された配線リード３を備えた半導体装置用テープキャリア１
【実施例３】
【００３５】
３５０ＭＰａの引張強度と１８０℃で伸び率１０％とを有し、比ＷＮ／ＷＬが（１）ＷＮ／ＷＬ＝０．６，（２）ＷＮ／ＷＬ＝０．６８５，（３）ＷＮ／ＷＬ＝０．７２５，（４）ＷＮ／ＷＬ＝１に設定された配線リード３を備えた半導体装置用テープキャリア１
【００３６】
＜比較例＞
３９０ＭＰａの引張強度と１８０℃で伸び率２５％とを有し、比ＷＮ／ＷＬが（１）ＷＮ／ＷＬ＝０．６，（２）ＷＮ／ＷＬ＝０．６８５，（３）ＷＮ／ＷＬ＝０．７２５，（４）ＷＮ／ＷＬ＝１に設定された配線リード３を備えた半導体装置用テープキャリア１
【００３７】
このようにして、実施例１〜３及び比較例に示す半導体装置用テープキャリア１を用いてそれぞれボンディングが実施された配線リード３の全サンプル数Ｎに対する未切断の配線リード３のサンプル数ｎの割合ｎ／Ｎを未切断発生率（％）として算出すると、表１に示すような結果が得られた。
【００３８】
【表１】
【００３９】
＜実施例１＞の半導体装置用テープキャリア１を用いたボンディングにおいては、配線リード３の未切断発生率が配線リード３の比率ＷＮ／ＷＬを（１）ＷＮ／ＷＬ＝０．６に設定した場合に０％であり、（２）ＷＮ／ＷＬ＝０．６８５に設定した場合に５％であり、（３）ＷＮ／ＷＬ＝０．７２５に設定した場合に１８％であり、（４）ＷＮ／ＷＬ＝１に設定した場合に１００％である。
【００４０】
＜実施例２＞の半導体装置用テープキャリア１を用いたボンディングにおいては、配線リード３の未切断発生率が配線リード３の比率ＷＮ／ＷＬを（１）ＷＮ／ＷＬ＝０．６に設定した場合に２％であり、（２）ＷＮ／ＷＬ＝０．６８５に設定した場合に８％であり、（３）ＷＮ／ＷＬ＝０．７２５に設定した場合に３５％であり、（４）ＷＮ／ＷＬ＝１に設定した場合に１００％である。
【００４１】
＜実施例３＞の半導体装置用テープキャリア１を用いたボンディングにおいては、配線リード３の未切断発生率が配線リード３の比率ＷＮ／ＷＬを（１）ＷＮ／ＷＬ＝０．６に設定した場合に０％であり、（２）ＷＮ／ＷＬ＝０．６８５に設定した場合に２％であり、（３）ＷＮ／ＷＬ＝０．７２５に設定した場合に０％であり、（４）ＷＮ／ＷＬ＝１に設定した場合に１００％である。
【００４２】
＜比較例＞の半導体装置用テープキャリア１を用いたボンディングにおいては、配線リード３の未切断発生率が配線リード３の比率ＷＮ／ＷＬを（１）ＷＮ／ＷＬ＝０．６に設定した場合に６％であり、（２）ＷＮ／ＷＬ＝０．６８５に設定した場合に１７％であり、（３）ＷＮ／ＷＬ＝０．７２５に設定した場合に９０％であり、（４）ＷＮ／ＷＬ＝１に設定した場合に１００％である。
【００４３】
これより、配線リード３が３００ＭＰａから３５０ＭＰａの引張強度と１８０℃で１０％から２０％の伸び率とを有し、比ＷＮ／ＷＬを０．７２５以下に設定した場合に配線リード３の未切断の発生が抑制されることが確認された。
【００４４】
各実施例１〜３に示す半導体装置用テープキャリア１を用いてボンディングを実施した場合、比較例に示す半導体装置用テープキャリア１を用いてボンディングを実施した場合と比べて、銅箔自体の引張強度が低下していること（３９０ＭＰａに対して３００ＭＰａ〜３５０ＭＰａ）、及びボンディング時の加熱温度（１８０℃）付近で銅箔の伸びが小さくなっていること（２５％に対して１０％〜２０％）により銅箔が切断し易くなるため、比ＷＮ／ＷＬの上限値を高い数値（０．６８５に対して０．７２５）に設定しても配線リード３の未切断の発生が抑制される。
【００４５】
以上より、比ＷＮ／ＷＬを０．７２５まで大にすることができるので、ノッチ部３０Ｃの幅が狭くなることによって生じる配線リード３の変形を抑えることができる。一方、配線リード３の未切断を確実に抑制することを考えると、比ＷＮ／ＷＬをできるだけ小さくすることが望ましいが、配線リード３の変形を抑制することを考えると、比ＷＮ／ＷＬはＷＮ／ＷＬ≧０．５が好ましい。
【００４６】
次に、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法につき、図４（ａ）〜（ｇ）を用いて説明する。
【００４７】
図４（ａ）〜（ｇ）は、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法を説明するために示す断面図である。図４（ａ）は帯状フィルムの形成工程を、図４（ｂ）は絶縁性テープの形成工程を、図４（ｃ）は金属箔の形成工程を、図４（ｄ）は感光性レジストの形成工程を、図４（ｅ）は露光・現像工程を、図４（ｆ）は配線リードの形成工程を、図４（ｇ）は配線リードのめっき工程をそれぞれ示す。
【００４８】
本実施の形態に示す半導体装置用テープキャリアの製造方法は、「帯状フィルムの形成」及び「絶縁性テープの形成」・「金属箔の形成」・「感光性レジストの形成」・「露光・現像」・「配線リードの形成」・「配線リードのめっき」の各工程が順次実施されるため、これら各工程を順次説明する。
【００４９】
「帯状フィルムの形成」
図４（ａ）に示すように、接着剤付きのポリイミド樹脂フィルムからなるフィルム素材（図示せず）を切断して帯状フィルム５１を形成する。
【００５０】
「絶縁性テープの形成」
図４（ｂ）に示すように、帯状フィルム５１にプレス機で打ち抜くことにより設けられた第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａ，…（図１）、第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂ，…、第１バンプホール２Ｃ，２Ｃ，…（図１）、第２バンプホール２Ｄ，２Ｄ，…及びスプロケットホール２Ｅ，２Ｅ，…（図１）を有する絶縁性テープ２を形成する。
【００５１】
「金属箔の形成」
図４（ｃ）に示すように、ラミネート加工技術を用い、絶縁性テープ２の一方側面に金属箔としての銅箔５５を貼付する。
【００５２】
「感光性レジストの形成」
図４（ｄ）に示すように、銅箔５５の表面に例えば液体状の感光性レジスト５６を塗布して乾燥させる。この場合、感光性レジスト５６に代えて固体状の感光性レジスト（図示せず）を用いてもよい。
【００５３】
「露光・現像」
図４（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用い、感光性レジスト５６に露光及び現像を順次実施して銅箔５５の一部を露出させる（銅箔５５のパターニングを行う）。そして、絶縁性テープ２の他方側面から第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａ，…、第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂ，…、第１バンプホール２Ｃ，２Ｃ，…、及び第２バンプホール２Ｄ，２Ｄ，…内を裏止め部材５７で裏止めする。
【００５４】
「配線リードの形成」
図４（ｆ）に示すように、絶縁性テープ２上の銅箔５５にエッチング処理を施した後、銅箔５５から感光性レジスト５６を剥離するとともに、第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａ，…、第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂ，…、第１バンプホール２Ｃ，２Ｃ，…、及び第２バンプホール２Ｄ，２Ｄ，…内から裏止め部材５７を除去して所定のパターンをもつ配線リード３，３，…を形成する。この場合、配線リード３，３，…が形成されると、第３リード部３Ｃ，３Ｃ，…がノッチ部３０Ｃ（図１）を有しながら、第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａ，…及び第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂ，…内に露出して絶縁性テープ２上に配置される。
【００５５】
「配線リードのめっき」
図４（ｇ）に示すように、配線リード３，３，…と半導体チップ５の電極パッド５Ａ（図３（ｂ））との良好な接続を実施するために、配線リード３，３，…の表面にめっき処理を施すことによりＡｕ（金）膜５９，５９，…を形成する。
【００５６】
[実施の形態の効果]
以上説明した実施の形態によれば、次に示す効果が得られる。
【００５７】
（１）ボンディング時に配線リード３をノッチ部３０Ｃで的確に切断することができるとともに、配線リード３の未切断の発生を抑制することができる。
【００５８】
（２）配線リード３のノッチ部３０Ｃを除く部位のリード幅ＷＬを従来の場合と比べて小さい寸法（約３０％小さい寸法）に設定することができる。これにより、配線リード３，３，…間の寸法を短縮することができ、配線リード３の絶縁性テープ２に対する実装密度を高めることができる。
【００５９】
以上、本発明の半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を上記の実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能であり、例えば次に示すような変形も可能である。
【００６０】
（１）本実施の形態では、配線リード３のリード厚を均一な寸法として比ＷＮ／ＷＬが０．７２５以下に設定される場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、配線リード３のリード厚が均一な寸法でない場合には比ＷＮ／ＷＬをボンディング時における配線リード３の未切断発生率が急激に増加する直前の比に設定する。
【００６１】
（２）本実施の形態では、ボンディング部３１Ｃのリード幅ＷＢが第１連結部３３Ｃのリード幅ＷＬよりも大きい（ＷＮ＜ＷＬ＜ＷＢ）配線リード３を備えた半導体装置用テープキャリア１に適用する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、ボンディング部３１Ｃのリード幅ＷＢが第１連結部３３Ｃのリード幅ＷＬと等しい（ＷＮ＜ＷＬ＝ＷＢ）配線リード３を備えた半導体装置用テープキャリア１にも本実施の形態と同様に適用可能である。また、本発明は、ボンディング部３１Ｃのリード幅ＷＢが第１連結部３３Ｃのリード幅ＷＬよりも小さい（ＷＮ＜ＷＢ＜ＷＬ）配線リード３を備えた半導体装置用テープキャリア１であってもよい。この場合、比ＷＮ／ＷＢは０．７２５以下に設定される。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの全体を説明するために示す平面図とＡ−Ａ断面図。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの要部を説明するために示す平面図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの配線リードを半導体チップに接続するボンディングを実施する場合について説明するために示す断面図。
【図４】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法を説明するために示す断面図。
【符号の説明】
【００６３】
１…半導体装置用テープキャリア
２…絶縁性テープ、２Ａ…第１ボンディング用窓、２Ｂ…第２ボンディング用窓、２Ｃ…第１バンプホール、２Ｄ…第２バンプホール、２Ｅ…スプロケットホール
３…配線リード、３Ａ…第１リード部、３Ｂ…第２リード部、３Ｃ…第３リード部、３０Ｃ…ノッチ部、３１Ｃ…ボンディング部、３２Ｃ…傾斜部、３３Ｃ…第１連結部、３４Ｃ…第２連結部、３００Ｃ…ノッチ、３０１Ｃ…リード接続部
４…応力緩和部材、４Ａ…ウインドウホール
５…半導体チップ、５Ａ…電極パッド
６…ＢＧＡパッケージ
７…ボンディングツール
５１…帯状フィルム
５５…銅箔
５６…感光性レジスト
５７…裏止め部材
５９…Ａｕ膜
ＷＮ，ＷＢ，ＷＬ…寸法
ＷＮ／ＷＬ，ＷＮ／ＷＢ…比
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用テープキャリア及びその製造方法に関し、特にテープ基材のボンディング用窓内に配線リードの一部が露出する半導体装置用テープキャリア及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半田ボールを使用して装置搭載用基板としてのプリント基板へ表面実装を行うＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージタイプの半導体装置は、パッケージの平面全体でプリント基板との電気的接続が可能となるため、アウターリードを用いたＱＦＰ（Quad Flat Package）等のようにパッケージの端縁で電気的接続するものと比べて端子（リード）間のピッチを狭めることなく、多ピン（多端子）化が図れるという特長がある。
【０００３】
このようなＢＧＡパッケージタイプの中には、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープをパッケージの構造材として使用したものが知られている。ＴＡＢテープを用いたＢＧＡパッケージは、薄型化及び小型化が図れ、例えばμＢＧＡ（米国テセラ社登録商標）等のＣＳＰ（Chip Size Package）を製造することが可能となる。
【０００４】
μＢＧＡパッケージは、テープＢＧＡタイプのＣＳＰであり、半導体チップとＴＡＢテープとの間にエラストマー（低弾性樹脂）を介在させ、Ｓ字又はＪ字形状のリードで半導体チップとＴＡＢテープとを接続した構造をもつものが知られている（例えば特許文献１，２）。このμＢＧＡパッケージの特長は、半導体チップとＴＡＢテープとの間にエラストマーを介在させたことにより、パッケージとプリント基板との間に生じる熱応力を緩和することができ、半田ボール接続部の寿命を向上させることができる点にある。
【０００５】
ＴＡＢテープと半導体チップとを接続するボンディング工程は、ＴＡＢテープに設けられた配線リードのリード接続部を半導体チップの電極パッドに対向する位置に位置決めした後、ボンディングツールを配線リードの上方から降下させて配線リードのリード接続部近傍の部位を切断してから、配線リードのリード接続部をボンディングツールでさらに押し下げて電極パッドに接続することにより行われる。
【０００６】
この場合、配線リードの切断部に切断部以外の部位のリード幅よりも小さいリード幅を有するノッチ部を設け、このノッチ部をボンディングツールで切断して電極パッドに配線リードのリード接続部を接続することを可能とする半導体装置用テープキャリアが用いられる(例えば特許文献３，４)。この半導体装置用テープキャリアの特長は、ＴＡＢテープと半導体チップとを接続するボンディング時に配線リードを切断する際のリード切断性を高めることができる点にある。
【特許文献１】特開２００５−１０１６３８号公報
【特許文献２】特表平１０−５０６２３５号公報
【特許文献３】特開平１０−４１３４４号公報
【特許文献４】特開平１０−４１３４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、配線リードにノッチ部を有する従来の半導体装置用テープキャリアによると、ボンディング時に配線リードがノッチ部以外の部位で切断されたり、あるいは配線リードそのものが切断されなかったりすることがある。このため、配線リードを半導体チップに接続するボンディング時に接続不良が発生し、実装工程における生産性が低下する結果となる。
【０００８】
従って、本発明の目的は、ボンディング時に配線リードをノッチ部で的確に切断することができるとともに、配線リードの未切断の発生を抑制することができる半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明は、上記目的を達成するために、所定の位置にボンディング用窓が形成された絶縁性のテープ基材と、前記テープ基材上に所定のパターンで形成された配線リードとを備え、前記配線リードは、前記ボンディング用窓内に露出して所定の幅ＷＮを有する切断用のノッチ部、及び前記ボンディング用窓内に露出して所定の幅ＷＬを有する半導体チップ接続用のリード接続部を少なくとも有し、前記配線リードが３００ＭＰａから３５０ＭＰａの引張強度とボンディング加熱時に１０％から２０％の伸び率とを有するとき、前記配線リードの前記所定の幅ＷＮ及びＷＬの比ＷＮ／ＷＬが０．７２５以下に設定されることを特徴とする半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００１０】
（２）本発明は、上記目的を達成するために、所定の位置にボンディング用窓が形成された絶縁性のテープ基材と、前記テープ基材上に所定のパターンで形成された配線リードとを備え、前記配線リードは、前記ボンディング用窓内に露出して所定の幅ＷＮを有する切断用のノッチ部、及び前記ボンディング用窓内に露出して所定の幅ＷＬを有する半導体チップ接続用のリード接続部を少なくとも有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記テープ基材の片面に金属箔を形成する第１ステップと、前記金属箔にエッチング処理を施すことにより前記配線リードを形成する第２ステップとを含み、前記配線リードを形成するにあたり、前記配線リードが３００ＭＰａから３５０ＭＰａの引張強度とボンディング加熱時に１０％から２０％の伸び率とを有するとき、前記配線リードの前記所定の幅ＷＮ及びＷＬの比ＷＮ／ＷＬが０．７２５以下に設定されることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、ボンディング時に配線リードをノッチ部で的確に切断することができるとともに、配線リードの未切断の発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
[実施の形態]
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの全体を説明するために示す平面図とそのＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）は平面図を、図１（ｂ）はＡ−Ａ断面図をそれぞれ示す。図２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの要部を説明するために示す平面図である。
【００１３】
（半導体装置用テープキャリアの全体構成）
図１（ａ）及び（ｂ）において、符号１で示す半導体装置用テープキャリアは、テープ基材としての絶縁性テープ２と、この絶縁性テープ２の半導体チップ側に位置する複数の配線リード３，３，…とから大略構成されている。
【００１４】
半導体装置用テープキャリア１の半導体チップ側には、エラストマー等の低弾性樹脂材料によって形成された熱応力緩和部材４（図３（ａ），（ｂ））が配線リード３，３，…の一部を覆うように配置されている。熱応力緩和部材４には、絶縁性テープ２の第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａ及び第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂ（後述）に対応する位置で開口するウインドウホール４Ａ，４Ａが設けられている。
【００１５】
（絶縁性テープ２の構成）
絶縁性テープ２は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、テープ長手方向に並列する第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａ、及びテープ幅方向に並列する第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂを所定の位置に有し、全体が接着剤付きのポリイミド樹脂フィルムによって形成されている。第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａはテープ幅方向寸法を、また第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂはテープ長手方向寸法をそれぞれ長手方向寸法とする平面矩形状の貫通孔によって形成されている。
【００１６】
絶縁性テープ２には、第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａの内側に位置し、かつ配線リード３にバンプ（図示せず）を接続するための第１バンプホール２Ｃ，２Ｃ，…が設けられている。また、絶縁性テープ２には、第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂの内側に位置し、かつ配線リード３，３，…にバンプ（図示せず）を接続するための第２バンプホール２Ｄ，２Ｄ，…が設けられている。
【００１７】
絶縁性テープ２の両側縁には、テープ長手方向に所定の間隔をもって並列する複数のスプロケットホール２Ｅ，２Ｅ，…がそれぞれ設けられている。
【００１８】
（配線リード３，３，…の構成）
配線リード３，３，…は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａ及び第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂの長手方向に所定の間隔をもって並列し、絶縁性テープ２に第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａ及び第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂを跨ぐようにして配置されている。
【００１９】
図２は、配線リード３，３，…を拡大して示す。但し、配線リード３，３，…の形状は、プリント基板のレイアウトに依存するので、図１（ａ）に示したものと一致していない。配線リード３，３，…は、それぞれがリード長手方向端部としての第１リード部３Ａ，第２リード部３Ｂ、及び第１リード部３Ａと第２リード部３Ｂとの間に介在する第３リード部３Ｃからなり、絶縁性テープ２の半導体チップ側面に設けられている。そして、配線リード３，３，…の全体が所定のパターンからなる銅箔によって形成されている。配線リード３のリード厚は均一な寸法として例えば１８μｍに設定されている。
【００２０】
配線リード３，３，…には、その表面にめっき処理を施すことによりＡｕ（金）膜（図示せず）が形成されている。
【００２１】
第１リード部３Ａは絶縁性テープ２における第１ボンディング用窓２Ａ又は第２ボンディング用窓２Ｂの内側又は外側に、また第２リード部３Ｂは絶縁性テープ２における第１ボンディング用窓２Ａ又は第２ボンディング用窓２Ｂの外側又は内側にそれぞれ配置されている。第１リード部３Ａ及び第２リード部３Ｂのリード幅は寸法ＷＬに設定されている。
【００２２】
第３リード部３Ｃは、リード両側縁にノッチ３００Ｃ，３００Ｃを形成することにより設けられた切断用のノッチ部３０Ｃ、ノッチ部３０Ｃの第１リード部３Ａ側に隣接するボンディング部３１Ｃ、ボンディング部３１Ｃに隣接する傾斜部３２Ｃ、傾斜部３２Ｃと第１リード部３Ａとを連結する第１連結部３３Ｃ、及びノッチ部３０Ｃと第２リード部３Ｂとを連結する第２連結部３４Ｃを含み、全体が第１ボンディング用窓２Ａ又は第２ボンディング用窓２Ｂ内に露出して配置されている。
【００２３】
ノッチ部３０Ｃは、ボンディング時にボンディングツール（図示せず）のボンディング部３１Ｃへの押圧によって切断される部位であり、その最小リード幅が所定の寸法ＷＮに設定されている。
【００２４】
ボンディング部３１Ｃは、ボンディング時にボンディングツールが接触する部位であり、そのリード幅が所定の寸法ＷＢ（ＷＮ＜ＷＢ）に設定されている。
【００２５】
傾斜部３２Ｃは、ボンディング部３１Ｃと第１連結部３３Ｃとの間に介在し、そのリード幅が第１連結部３３Ｃ側からボンディング部３１Ｃ側に向かって漸次大きくなる寸法に設定されている。
【００２６】
第１連結部３３Ｃは、第１ボンディング用窓２Ａ又は第２ボンディング用窓２Ｂの開口縁近傍に位置し、そのリード幅が所定の寸法ＷＬ（ＷＮ＜ＷＬ＜ＷＢ）に設定されている。そして、比ＷＮ／ＷＬは、３００ＭＰａから３５０ＭＰａの引張強度とボンディング加熱時に１０％から２０％の伸び率とを有し、かつ配線リード３のリード厚が例えば１８μｍのとき０．７２５以下に設定されている。これにより、ボンディング時に配線リード３がノッチ部３０Ｃで的確に切断されるとともに、配線リード３の未切断の発生が抑制される。
【００２７】
第２連結部３４Ｃは、第１ボンディング用窓２Ａ又は第２ボンディング用窓２Ｂの開口縁近傍に位置し、そのリード幅が第１連結部３３Ｃのリード幅と同一の寸法ＷＬに設定されている。
【００２８】
以上述べたボンディング部３１Ｃ，傾斜部３２Ｃ，第１連結部３３Ｃ及び第１リード部３Ａは、半導体チップをプリント基板に接続するリード接続部３０１Ｃ（図３（ｂ））を構成する。
【００２９】
ここで、本実施の形態に示す半導体装置用テープキャリア１の配線リード３を半導体チップの電極パッドに接続するボンディングを実施した場合の効果につき、図３（ａ），（ｂ）及び表１を用いて考察する。
【００３０】
図３（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの配線リードを半導体チップに接続するボンディング工程を説明するために示す断面図である。図３（ａ）はボンディング工程前の状態を、図３（ｂ）はボンディング工程後の状態をそれぞれ示す。
【００３１】
本考察は、下記の＜実施例１＞，＜実施例２＞，＜実施例３＞及び＜比較例＞に示す半導体装置用テープキャリア１を用い、これら各半導体装置用テープキャリア１の配線リード３を半導体チップに接続するボンディングを実施し、ボンディングの実施後における配線リード３のノッチ部３０Ｃでの切断有無を判定することにより試みた。配線リード３のリード厚を１８μmに、ボンディング時の加熱温度を１８０℃にそれぞれ設定した。
【００３２】
図３（ａ）及び（ｂ）は、熱応力緩和部材４を介して半導体チップ５を半導体装置用テープキャリア１に接続するボンディング工程を示し、このボンディング工程の終了後に所定の工程を施すことによりＢＧＡパッケージ６が製造される。先ず、図３（ａ）において、半導体チップ５の電極パッド５Ａに対向させてボンディングツール７を配置する。次に、図３（ｂ）において、ボンディングツール７を降下させて配線リード３のボンディング部３１Ｃに当接させた後、さらにボンディングツール７でボンディング部３１Ｃを降下させて第３リード部３Ｃをノッチ部３０Ｃで切断してから、配線リード３のボンディング部３１Ｃを電極パッド５Ａに接続した。
【実施例１】
【００３３】
３２０ＭＰａの引張強度と１８０℃で伸び率１５％とを有し、比ＷＮ／ＷＬが（１）ＷＮ／ＷＬ＝０．６，（２）ＷＮ／ＷＬ＝０．６８５，（３）ＷＮ／ＷＬ＝０．７２５，（４）ＷＮ／ＷＬ＝１に設定された配線リード３を備えた半導体装置用テープキャリア１
【実施例２】
【００３４】
３００ＭＰａの引張強度と１８０℃で伸び率２０％とを有し、比ＷＮ／ＷＬが（１）ＷＮ／ＷＬ＝０．６，（２）ＷＮ／ＷＬ＝０．６８５，（３）ＷＮ／ＷＬ＝０．７２５，（４）ＷＮ／ＷＬ＝１に設定された配線リード３を備えた半導体装置用テープキャリア１
【実施例３】
【００３５】
３５０ＭＰａの引張強度と１８０℃で伸び率１０％とを有し、比ＷＮ／ＷＬが（１）ＷＮ／ＷＬ＝０．６，（２）ＷＮ／ＷＬ＝０．６８５，（３）ＷＮ／ＷＬ＝０．７２５，（４）ＷＮ／ＷＬ＝１に設定された配線リード３を備えた半導体装置用テープキャリア１
【００３６】
＜比較例＞
３９０ＭＰａの引張強度と１８０℃で伸び率２５％とを有し、比ＷＮ／ＷＬが（１）ＷＮ／ＷＬ＝０．６，（２）ＷＮ／ＷＬ＝０．６８５，（３）ＷＮ／ＷＬ＝０．７２５，（４）ＷＮ／ＷＬ＝１に設定された配線リード３を備えた半導体装置用テープキャリア１
【００３７】
このようにして、実施例１〜３及び比較例に示す半導体装置用テープキャリア１を用いてそれぞれボンディングが実施された配線リード３の全サンプル数Ｎに対する未切断の配線リード３のサンプル数ｎの割合ｎ／Ｎを未切断発生率（％）として算出すると、表１に示すような結果が得られた。
【００３８】
【表１】
【００３９】
＜実施例１＞の半導体装置用テープキャリア１を用いたボンディングにおいては、配線リード３の未切断発生率が配線リード３の比率ＷＮ／ＷＬを（１）ＷＮ／ＷＬ＝０．６に設定した場合に０％であり、（２）ＷＮ／ＷＬ＝０．６８５に設定した場合に５％であり、（３）ＷＮ／ＷＬ＝０．７２５に設定した場合に１８％であり、（４）ＷＮ／ＷＬ＝１に設定した場合に１００％である。
【００４０】
＜実施例２＞の半導体装置用テープキャリア１を用いたボンディングにおいては、配線リード３の未切断発生率が配線リード３の比率ＷＮ／ＷＬを（１）ＷＮ／ＷＬ＝０．６に設定した場合に２％であり、（２）ＷＮ／ＷＬ＝０．６８５に設定した場合に８％であり、（３）ＷＮ／ＷＬ＝０．７２５に設定した場合に３５％であり、（４）ＷＮ／ＷＬ＝１に設定した場合に１００％である。
【００４１】
＜実施例３＞の半導体装置用テープキャリア１を用いたボンディングにおいては、配線リード３の未切断発生率が配線リード３の比率ＷＮ／ＷＬを（１）ＷＮ／ＷＬ＝０．６に設定した場合に０％であり、（２）ＷＮ／ＷＬ＝０．６８５に設定した場合に２％であり、（３）ＷＮ／ＷＬ＝０．７２５に設定した場合に０％であり、（４）ＷＮ／ＷＬ＝１に設定した場合に１００％である。
【００４２】
＜比較例＞の半導体装置用テープキャリア１を用いたボンディングにおいては、配線リード３の未切断発生率が配線リード３の比率ＷＮ／ＷＬを（１）ＷＮ／ＷＬ＝０．６に設定した場合に６％であり、（２）ＷＮ／ＷＬ＝０．６８５に設定した場合に１７％であり、（３）ＷＮ／ＷＬ＝０．７２５に設定した場合に９０％であり、（４）ＷＮ／ＷＬ＝１に設定した場合に１００％である。
【００４３】
これより、配線リード３が３００ＭＰａから３５０ＭＰａの引張強度と１８０℃で１０％から２０％の伸び率とを有し、比ＷＮ／ＷＬを０．７２５以下に設定した場合に配線リード３の未切断の発生が抑制されることが確認された。
【００４４】
各実施例１〜３に示す半導体装置用テープキャリア１を用いてボンディングを実施した場合、比較例に示す半導体装置用テープキャリア１を用いてボンディングを実施した場合と比べて、銅箔自体の引張強度が低下していること（３９０ＭＰａに対して３００ＭＰａ〜３５０ＭＰａ）、及びボンディング時の加熱温度（１８０℃）付近で銅箔の伸びが小さくなっていること（２５％に対して１０％〜２０％）により銅箔が切断し易くなるため、比ＷＮ／ＷＬの上限値を高い数値（０．６８５に対して０．７２５）に設定しても配線リード３の未切断の発生が抑制される。
【００４５】
以上より、比ＷＮ／ＷＬを０．７２５まで大にすることができるので、ノッチ部３０Ｃの幅が狭くなることによって生じる配線リード３の変形を抑えることができる。一方、配線リード３の未切断を確実に抑制することを考えると、比ＷＮ／ＷＬをできるだけ小さくすることが望ましいが、配線リード３の変形を抑制することを考えると、比ＷＮ／ＷＬはＷＮ／ＷＬ≧０．５が好ましい。
【００４６】
次に、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法につき、図４（ａ）〜（ｇ）を用いて説明する。
【００４７】
図４（ａ）〜（ｇ）は、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法を説明するために示す断面図である。図４（ａ）は帯状フィルムの形成工程を、図４（ｂ）は絶縁性テープの形成工程を、図４（ｃ）は金属箔の形成工程を、図４（ｄ）は感光性レジストの形成工程を、図４（ｅ）は露光・現像工程を、図４（ｆ）は配線リードの形成工程を、図４（ｇ）は配線リードのめっき工程をそれぞれ示す。
【００４８】
本実施の形態に示す半導体装置用テープキャリアの製造方法は、「帯状フィルムの形成」及び「絶縁性テープの形成」・「金属箔の形成」・「感光性レジストの形成」・「露光・現像」・「配線リードの形成」・「配線リードのめっき」の各工程が順次実施されるため、これら各工程を順次説明する。
【００４９】
「帯状フィルムの形成」
図４（ａ）に示すように、接着剤付きのポリイミド樹脂フィルムからなるフィルム素材（図示せず）を切断して帯状フィルム５１を形成する。
【００５０】
「絶縁性テープの形成」
図４（ｂ）に示すように、帯状フィルム５１にプレス機で打ち抜くことにより設けられた第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａ，…（図１）、第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂ，…、第１バンプホール２Ｃ，２Ｃ，…（図１）、第２バンプホール２Ｄ，２Ｄ，…及びスプロケットホール２Ｅ，２Ｅ，…（図１）を有する絶縁性テープ２を形成する。
【００５１】
「金属箔の形成」
図４（ｃ）に示すように、ラミネート加工技術を用い、絶縁性テープ２の一方側面に金属箔としての銅箔５５を貼付する。
【００５２】
「感光性レジストの形成」
図４（ｄ）に示すように、銅箔５５の表面に例えば液体状の感光性レジスト５６を塗布して乾燥させる。この場合、感光性レジスト５６に代えて固体状の感光性レジスト（図示せず）を用いてもよい。
【００５３】
「露光・現像」
図４（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用い、感光性レジスト５６に露光及び現像を順次実施して銅箔５５の一部を露出させる（銅箔５５のパターニングを行う）。そして、絶縁性テープ２の他方側面から第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａ，…、第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂ，…、第１バンプホール２Ｃ，２Ｃ，…、及び第２バンプホール２Ｄ，２Ｄ，…内を裏止め部材５７で裏止めする。
【００５４】
「配線リードの形成」
図４（ｆ）に示すように、絶縁性テープ２上の銅箔５５にエッチング処理を施した後、銅箔５５から感光性レジスト５６を剥離するとともに、第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａ，…、第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂ，…、第１バンプホール２Ｃ，２Ｃ，…、及び第２バンプホール２Ｄ，２Ｄ，…内から裏止め部材５７を除去して所定のパターンをもつ配線リード３，３，…を形成する。この場合、配線リード３，３，…が形成されると、第３リード部３Ｃ，３Ｃ，…がノッチ部３０Ｃ（図１）を有しながら、第１ボンディング用窓２Ａ，２Ａ，…及び第２ボンディング用窓２Ｂ，２Ｂ，…内に露出して絶縁性テープ２上に配置される。
【００５５】
「配線リードのめっき」
図４（ｇ）に示すように、配線リード３，３，…と半導体チップ５の電極パッド５Ａ（図３（ｂ））との良好な接続を実施するために、配線リード３，３，…の表面にめっき処理を施すことによりＡｕ（金）膜５９，５９，…を形成する。
【００５６】
[実施の形態の効果]
以上説明した実施の形態によれば、次に示す効果が得られる。
【００５７】
（１）ボンディング時に配線リード３をノッチ部３０Ｃで的確に切断することができるとともに、配線リード３の未切断の発生を抑制することができる。
【００５８】
（２）配線リード３のノッチ部３０Ｃを除く部位のリード幅ＷＬを従来の場合と比べて小さい寸法（約３０％小さい寸法）に設定することができる。これにより、配線リード３，３，…間の寸法を短縮することができ、配線リード３の絶縁性テープ２に対する実装密度を高めることができる。
【００５９】
以上、本発明の半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を上記の実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能であり、例えば次に示すような変形も可能である。
【００６０】
（１）本実施の形態では、配線リード３のリード厚を均一な寸法として比ＷＮ／ＷＬが０．７２５以下に設定される場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、配線リード３のリード厚が均一な寸法でない場合には比ＷＮ／ＷＬをボンディング時における配線リード３の未切断発生率が急激に増加する直前の比に設定する。
【００６１】
（２）本実施の形態では、ボンディング部３１Ｃのリード幅ＷＢが第１連結部３３Ｃのリード幅ＷＬよりも大きい（ＷＮ＜ＷＬ＜ＷＢ）配線リード３を備えた半導体装置用テープキャリア１に適用する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、ボンディング部３１Ｃのリード幅ＷＢが第１連結部３３Ｃのリード幅ＷＬと等しい（ＷＮ＜ＷＬ＝ＷＢ）配線リード３を備えた半導体装置用テープキャリア１にも本実施の形態と同様に適用可能である。また、本発明は、ボンディング部３１Ｃのリード幅ＷＢが第１連結部３３Ｃのリード幅ＷＬよりも小さい（ＷＮ＜ＷＢ＜ＷＬ）配線リード３を備えた半導体装置用テープキャリア１であってもよい。この場合、比ＷＮ／ＷＢは０．７２５以下に設定される。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの全体を説明するために示す平面図とＡ−Ａ断面図。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの要部を説明するために示す平面図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの配線リードを半導体チップに接続するボンディングを実施する場合について説明するために示す断面図。
【図４】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法を説明するために示す断面図。
【符号の説明】
【００６３】
１…半導体装置用テープキャリア
２…絶縁性テープ、２Ａ…第１ボンディング用窓、２Ｂ…第２ボンディング用窓、２Ｃ…第１バンプホール、２Ｄ…第２バンプホール、２Ｅ…スプロケットホール
３…配線リード、３Ａ…第１リード部、３Ｂ…第２リード部、３Ｃ…第３リード部、３０Ｃ…ノッチ部、３１Ｃ…ボンディング部、３２Ｃ…傾斜部、３３Ｃ…第１連結部、３４Ｃ…第２連結部、３００Ｃ…ノッチ、３０１Ｃ…リード接続部
４…応力緩和部材、４Ａ…ウインドウホール
５…半導体チップ、５Ａ…電極パッド
６…ＢＧＡパッケージ
７…ボンディングツール
５１…帯状フィルム
５５…銅箔
５６…感光性レジスト
５７…裏止め部材
５９…Ａｕ膜
ＷＮ，ＷＢ，ＷＬ…寸法
ＷＮ／ＷＬ，ＷＮ／ＷＢ…比
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の位置にボンディング用窓が形成された絶縁性のテープ基材と、
前記テープ基材上に所定のパターンで形成された配線リードとを備え、
前記配線リードは、前記ボンディング用窓内に露出して所定の幅ＷＮを有する切断用のノッチ部、及び前記ボンディング用窓内に露出して所定の幅ＷＬを有する半導体チップ接続用のリード接続部を少なくとも有し、
前記配線リードが３００ＭＰａから３５０ＭＰａの引張強度とボンディング加熱時に１０％から２０％の伸び率とを有するとき、前記配線リードの前記所定の幅ＷＮ及びＷＬの比ＷＮ／ＷＬが０．７２５以下に設定されることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
前記配線リードは、３２０ＭＰａの引張強度とボンディング加熱時に１５％の伸び率とを有する銅箔によって形成されている請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
前記配線リードの前記半導体チップ接続用のリード接続部は、前記切断用のノッチ部に隣接する位置に前記所定の幅ＷＬより大なる所定の幅ＷＢを有するボンディング部を有する請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】
前記配線リードの前記半導体チップ接続用のリード接続部は、前記切断用のノッチ部に隣接する位置に前記所定の幅ＷＬと等しい幅を有するボンディング部を有する請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項５】
前記配線リードは、リード厚が１８μｍの寸法に設定される請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項６】
所定の位置にボンディング用窓が形成された絶縁性のテープ基材と、
前記テープ基材上に所定のパターンで形成された配線リードとを備え、
前記配線リードは、前記ボンディング用窓内に露出して所定の幅ＷＮを有する切断用のノッチ部、及び前記ボンディング用窓内に露出して所定の幅ＷＬを有する半導体チップ接続用のリード接続部を少なくとも有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、
前記テープ基材の片面に金属箔を形成する第１ステップと、
前記金属箔にエッチング処理を施すことにより前記配線リードを形成する第２ステップとを含み、
前記配線リードを形成するにあたり、前記配線リードが３００ＭＰａから３５０ＭＰａの引張強度とボンディング加熱時に１０％から２０％の伸び率とを有するとき、前記配線リードの前記所定の幅ＷＮ及びＷＬの比ＷＮ／ＷＬが０．７２５以下に設定されることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項１】
所定の位置にボンディング用窓が形成された絶縁性のテープ基材と、
前記テープ基材上に所定のパターンで形成された配線リードとを備え、
前記配線リードは、前記ボンディング用窓内に露出して所定の幅ＷＮを有する切断用のノッチ部、及び前記ボンディング用窓内に露出して所定の幅ＷＬを有する半導体チップ接続用のリード接続部を少なくとも有し、
前記配線リードが３００ＭＰａから３５０ＭＰａの引張強度とボンディング加熱時に１０％から２０％の伸び率とを有するとき、前記配線リードの前記所定の幅ＷＮ及びＷＬの比ＷＮ／ＷＬが０．７２５以下に設定されることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
前記配線リードは、３２０ＭＰａの引張強度とボンディング加熱時に１５％の伸び率とを有する銅箔によって形成されている請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
前記配線リードの前記半導体チップ接続用のリード接続部は、前記切断用のノッチ部に隣接する位置に前記所定の幅ＷＬより大なる所定の幅ＷＢを有するボンディング部を有する請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】
前記配線リードの前記半導体チップ接続用のリード接続部は、前記切断用のノッチ部に隣接する位置に前記所定の幅ＷＬと等しい幅を有するボンディング部を有する請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項５】
前記配線リードは、リード厚が１８μｍの寸法に設定される請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項６】
所定の位置にボンディング用窓が形成された絶縁性のテープ基材と、
前記テープ基材上に所定のパターンで形成された配線リードとを備え、
前記配線リードは、前記ボンディング用窓内に露出して所定の幅ＷＮを有する切断用のノッチ部、及び前記ボンディング用窓内に露出して所定の幅ＷＬを有する半導体チップ接続用のリード接続部を少なくとも有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、
前記テープ基材の片面に金属箔を形成する第１ステップと、
前記金属箔にエッチング処理を施すことにより前記配線リードを形成する第２ステップとを含み、
前記配線リードを形成するにあたり、前記配線リードが３００ＭＰａから３５０ＭＰａの引張強度とボンディング加熱時に１０％から２０％の伸び率とを有するとき、前記配線リードの前記所定の幅ＷＮ及びＷＬの比ＷＮ／ＷＬが０．７２５以下に設定されることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００９−２００２４５（Ｐ２００９−２００２４５Ａ）
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−４０２４９（Ｐ２００８−４０２４９）
【出願日】平成２０年２月２１日（２００８．２．２１）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月２１日（２００８．２．２１）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
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