【課題】フリップチップ実装の半導体装置において、パッケージ外部の設計を変更せずに、特定の端子の電位を変更できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、外部端子にバンプを備えるＩＣチップと、前記ＩＣチップを搭載するパッケージとを備え、前記パッケージは、前記外部端子に第１の信号又は第２の信号を印加するインナーリード部を備える。前記インナーリード部は、前記ＩＣチップの搭載位置により、前記外部端子に印加する信号を、前記第１の信号又は前記第２の信号に変更可能なインナーリードのパターンを有する。 （もっと読む）

【課題】配線とはんだバンプとの接合強度の低下を抑制し、かつ配線と半導体チップとの接合強度の低下を抑制する。
【解決手段】開口部８０を有する配線基板１００上に設けられた配線１１０と、配線１１０の一部であり、配線基板１００上に位置するランド部１１２、及び配線基板１００上から開口部８０内に延伸するリード部１１４と、ランド部１１２に形成されるはんだバンプ５０と、平面視で開口部８０の内側に位置し、リード部１１４と接続する半導体チップ１０と、を備え、配線１１０は、Ｃｕを含む材料により構成され、ランド部１１２のうちはんだバンプ５０が形成される面上には、Ｎｉめっき層が形成され、リード部１１４のうち半導体チップ１０と接続する面上、及び側面上にはＮｉめっき層が形成されておらず、ランド部１１２のうちはんだバンプ５０が形成される面上、及びリード部１１４には、Ａｕめっき層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 高密度配線化に伴って配線パターンやボンディングリードの寸法が微細化しても、ＩＣチップの接続端子のような接続部位に対するボンディングリードの確実な接続を行うことを可能とした半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 開口２が設けられた絶縁性フィルム基材１と、前記絶縁性フィルム基材１の表面に形成された配線パターン４と、前記開口２を跨ぐように架橋して設けられたボンディングリード３とを有するテープキャリアと、接続端子６を有しており前記テープキャリア上に実装されて前記接続端子６が前記ボンディングリード３に接続されたＩＣチップ５とを備えた半導体装置であって、前記ボンディングリード３が、当該ボンディングリード３自体の金属導体箔を湾曲状に伸び加工することで前記接続端子６に到達させて当該接続端子６に接続してなるものであることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】加熱圧着により半導体チップの外部接続端子をフィルム基板の配線にボンディングする工程（Ａ）と、半導体チップ及びフィルム基板のボンディング部分の周りを樹脂封止する工程（Ｂ）とを含む半導体装置の製造方法であって、製造効率良く低コストに製造でき、かつ封止樹脂中のボイド発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム基板２０の半導体チップ１０と対向する部分を半導体チップ１０のボンディング側と反対側から吸着した状態で、ボンディング工程（Ａ）を実施し、半導体チップ１０及びフィルム基板２０の温度が降温し、フィルム基板２０の熱膨張がない状態で、樹脂封止工程（Ｂ）を実施する。 （もっと読む）

【課題】ＴＡＢの長手方向の両側に予めＡＣＦを貼り付けても、一側を本圧着しているときに他側のＡＣＦが硬化することを防ぐＦＰＤモジュールの組立装置および組立方法を提供する。
【解決手段】ＦＰＤモジュール組立ラインは、ＡＣＦ貼付け部と、圧着ヘッド３３０と、ＴＡＢ側遮熱機構３４０Ａとを備える。ＡＣＦ貼付け部は、ＴＡＢ２の長手方向の一側に第１のＡＣＦ層３ａ_１を貼り付けるとともに、ＴＡＢ２の長手方向の他側に第２のＡＣＦ層３ａ_２を貼り付ける。圧着ヘッド３３０は、第１のＡＣＦ層３ａ_１を介してＴＡＢ２を表示基板１に熱圧着する。ＴＡＢ側遮熱機構３４０Ａは、ＴＡＢ２を表示基板１に熱圧着するときに、ＴＡＢ２の第２のＡＣＦ層３ａ_２を熱影響から保護する。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置の稼動効率を向上させると共にボンディング品質を向上させる。
【解決手段】テープ４５の表面４５ａに沿ってボンディングツール１２を移動させるボンディングヘッド１１と、テープ４５の裏面４５ｂの側に配置され、テープ４５を透かしてリード４６とそのリード４６に接合された電極４２との画像を取得するカメラ３１と、ボンディングヘッド１１を動作させてボンディングツール１２の位置を制御する制御部６０と、を含み、制御部６０は、カメラ３１によって取得した画像を処理してリード４６のリードエッジとそのリード４６に接合された電極４２の電極エッジとを検出するエッジ検出手段と、各エッジの相対位置に応じてボンディング位置を補正する補正手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 電子部品と基板間の絶縁を確保し、且つ、電子部品と基板との確実な接合を成す電子部品実装体及びその製造方法を、安価に提供することにある。
【解決手段】 電子部品１のスタッドバンプ２ａ及びスタッドバンプ２ｂを設けた側の面を、基板３のボンディングパット４ａ及びボンディングパット４ｂを備える面の他面に対向させて圧着することにより、スタッドバンプ２ａ及びスタッドバンプ２ｂが基板３を貫通するとともに、スタッドバンプ２ａの先端がボンディングパット４ａに到達し、更に、スタッドバンプ２ｂの先端がボンディングパット４ｂに到達して、各々電気的に接合する。 （もっと読む）

【課題】この発明はテープ状の基材に対する半導体チップの実装を能率よく行える用意した実装装置を提供することにある。
【解決手段】テープ状の基材に電子部品を実装する実装装置であって、
基材を搬送可能に支持するガイドレール１と、ガイドレールに支持された基材を搬送するローラ搬送手段と、これら搬送手段によって搬送されて位置決めされた基材に半導体チップを実装する実装ツール３５を具備し、
搬送手段は、開閉駆動及び往復駆動される上下一対のクランパ２６，２７を有しこの一対のクランパによって基材を挟持して実装位置に搬送位置決めするチャック搬送機構４と、回転駆動される上下一対のローラ１１，１６を有しチャック搬送機構によって基材を位置決めするとき以外に一対のローラで基材を挟持して連続搬送するローラ搬送機構３とによって構成されている。 （もっと読む）

【課題】封止材にボイドを発生させずに半導体チップと配線基板とをフリップチップ接続するボンディング装置およびボンディング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体ウエハ４０を配置するステージ１８と、フレキシブル配線基板６７を吸着するボンディングツール２２と、押圧体６１、６２、６３と、押圧手段５１、５２、５３とが備えられ、半導体ウエハ４０に封止材を介してフレキシブル配線基板６７をボンディングする装置であって、押圧体が、半導体ウエハ４０のバンプ電極とフレキシブル配線基板６７の接続パッドとを接合する主押圧体６１と、主押圧体６１の押圧の後に半導体ウエハ４０のバンプ電極側の面のバンプ電極以外の部分とフレキシブル配線基板６７の接続パッド側の面の接続パッド以外の部分とを接合する補助押圧体６２、６３とからなるボンディング装置を用いることにより上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】インナーリードの幅に適した荷重をインナーリードに印加することが可能な半導体チップの実装方法等を提供する。
【解決手段】複数のインナーリードそれぞれとバンプ電極が重なる領域の単位面積当たりに印加する荷重を設定するステップと、複数のインナーリードそれぞれとバンプ電極が重なる領域の総面積を検出するステップと、設定された単位面積当たりに印加する荷重及び検出された総面積に基づいて、ツールが複数のインナーリードと半導体チップを押圧する際の荷重を算出するステップと、ツールが算出された荷重を複数のインナーリードと半導体チップに印加するようにツールを制御することにより、複数のインナーリードそれぞれとバンプ電極をボンディングするステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】表配線構造の採用によって弾性構造体を高精度に安定して配線基板に搭載し、半導体チップの接着工程を安定させて歩留まりの高い組み立てを行うことができる半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップの主面上に弾性構造体を介して配線基板を設け、配線基板の配線の一端部を半導体チップの主面上の外部端子と電気的に接続させ、また、配線基板の配線の他端部であるランド部をバンプ電極と電気的に接続してなる半導体集積回路装置の製造方法であって、配線基板の配線であるリード１１は、ノッチ２７を有し、ノッチ２７の終端側の配線には、有効面積を配線より大きく形成された拡大アンカー配線３２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＩＬＢ接続における線膨脹係数の差に起因する電気接続部の接続不良を抑制する。
【解決手段】 本発明の半導体素子基板１０１は、電極パッド１０６と半導体素子とが形成された半導体素子基板であって、電極パッドを加熱する専用の接続用ヒーター１１０を、電極パッドを電気接続可能な温度に加熱できる範囲内に配したものである。 （もっと読む）

【課題】確実にフレキシブル基板のチップ搭載領域における電極部と半導体チップの外部接続部とを接合させる信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】フレキシブル基板６を加熱ステージ２に固定させるクランプ３には、その内部に、フレキシブル基板６のチップ搭載領域に向けてエアを噴出するエア噴出機構が設けられている。 （もっと読む）

【課題】シート基材の表面に半導体素子を実装した電子部品を効率良く製造するための電子部品の製造方法、及びこの電子部品の製造方法に適した半導体素子を提供すること。
【解決手段】素子供給工程Ｓ１１０と、素子配置工程Ｓ１２０と、素子接合工程Ｓ１３０とを実施する電子部品の製造方法である。素子供給工程Ｓ１１０は、磁力により吸着可能な磁性素子面を設けたＩＣチップを、局所的な磁力を発生する磁力面を２箇所以上設けた素子配置テーブルに供給する工程である。素子配置工程Ｓ１２０は、素子配置テーブルの磁力面から磁力を発生させ、磁力面にＩＣチップを配置する工程である。素子接合工程Ｓ１３０は、ＩＣチップを配置した状態の素子配置テーブルに対して連続シート基材を対面させ、ＩＣチップを連続シート基材に接合する工程である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の歩留り及び品質を向上を図る。
【解決手段】ベースフィルム３１の上に複数の配線３２が形成され、半導体チップ２０の電極２２に対応して露出して配置された配線３２の接続部３６を有するテープ基板３０における接続部３６と、半導体チップ２０の複数の電極２２とを電気的に接続するインナリードボンディングを行う。この際に、テープ基板３０を、複数の配線３２それぞれにおける延在方向の接続部３６から外側箇所が、テープ基板３０の厚さ方向Ｈに対して、接続部３６よりベースフィルム３１側に曲げ加工された状態（曲げ加工部Ｍ）にしておく。これにより、インナリードボンディング後にテープ基板３０と半導体チップ２０が接触してしまう、所謂エリアショートを防止することができる。したがって、製品の歩留りを向上させることができると共に、製品の品質を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】電子部品のずれや剥離が抑制されると共に、可撓性基板における反り等の発生が抑制され、また高速実装が可能で生産性に優れた電子部品の実装方法を提供すること。
【解決手段】可撓性基板上に形成されたパッドに接着剤ペーストを塗布し、電子部品をマウントするマウント工程と、前記接着剤ペーストを仮硬化させる仮硬化工程と、前記接着剤ペーストを本硬化させる本硬化工程とを有する電子部品の実装方法において、前記仮硬化工程では、前記接着剤ペーストを紫外線または電子線硬化にて仮硬化させながら前記可撓性基板をリールに巻き取り、前記本硬化工程では、前記可撓性基板を前記リールに巻き取った形態のまま前記接着剤ペーストを常温硬化させる。 （もっと読む）

【課題】外部回路基板等の伸縮差等により基板が変形することで、配線パターンが断線されるという問題を回避し、微細化および信頼性の向上が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、導電性パターンが設けられた基板３と、前記基板３の上に設けられた半導体チップ２であって、前記導電性パターンと該半導体チップ２の突起電極とを接続することで実装される半導体チップ２と、前記基板３と前記半導体チップ２との間に設けられた第１樹脂と、前記半導体チップ２を平面視したとき、該半導体チップ２の側面に設けられた第２樹脂５と、を含み、第２樹脂５は、前記半導体チップ２の側面に設けられ、部分的に該半導体チップ２との距離が大きくなる方向に突出した平面形状の突出部分６を有し、突出部分６の突出の方向は、突出部分６が設けられている辺と交差する方向であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、素子の形成されている面における金属汚染量が少なく、信頼性の高い半導体装置を製造する半導体装置の製造方法、および当該方法により製造される半導体装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係わる半導体装置の製造方法は、特に（Ａ）半導体チップとパッケージとの接合部をベークする時に、パッケージ表面から半導体チップ裏面に向けて金属が飛来しないように半導体チップの裏面に向けて気体を送る送風ステップと、（Ｂ）半導体チップの裏面にリード圧着台を接続する際に、半導体チップの裏面に対向する接合面にコーティング膜を有するリード圧着台を接続する圧着台接続ステップと、の少なくとも１つを備える。 （もっと読む）

【課題】インナーリードの沈み量のばらつきに伴う接続不良を防止し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フィルムキャリアテープ３のインナーリード６ａにバンプ１を介して半導体チップ２を接続する。バンプ１に向けて先細りの断面凸形状に形成されているインナーリード６ａを用いる。インナーリード６ａをバンプ１に接続するときに、バンプ１がフィルムキャリアテープ３に接触するまでインナーリード６ａをバンプ１に埋没させる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を実装したＴＣＰを小型化できるとともに、製造原価を上昇させることなく高品質の接続構造を提供する。
【解決手段】主面に複数の電極１０６、１０７を備えた半導体素子１０１と、両面に配線を備え、かつ開口部１０８を有するフィルム基板１０２とからなる半導体装置において、半導体素子１０１の複数の電極の一部がフィルム基板１０２の一方の面に形成された第１の配線とフィルム基板１０２の開口部１０８を貫通するワイヤ１０５によりボンディング接続された第１の接続構造と、半導体素子１０１の複数の電極の他部がフィルム基板１０２の他方の面に形成された第２の配線であるインナーリード１０４とバンプ１０９を介したボンディングにより接続された第２の接続構造を備えた構成とする。 （もっと読む）