原料供給装置および蒸着装置
【課題】 蒸着装置に用いる原料供給装置であって、蒸着装置の成膜速度の安定性が良好となる原料供給装置、および当該原料供給装置を有する蒸着装置を提供する。
【解決手段】 被処理基板を内部に保持する処理容器と、前記処理容器に原料を蒸発あるいは昇華して供給する原料供給装置とを有し、前記被処理基板に蒸発あるいは昇華された前記原料を蒸着させる蒸着装置であって、前記原料供給装置は、前記原料を第１の温度に加熱して当該原料を蒸発あるいは昇華させて気体原料とする気体発生室と、当該気体原料の温度を前記第１の温度より低い第２の温度に調整する温度調整室と、を有することを特徴とする蒸着装置。
【解決手段】 被処理基板を内部に保持する処理容器と、前記処理容器に原料を蒸発あるいは昇華して供給する原料供給装置とを有し、前記被処理基板に蒸発あるいは昇華された前記原料を蒸着させる蒸着装置であって、前記原料供給装置は、前記原料を第１の温度に加熱して当該原料を蒸発あるいは昇華させて気体原料とする気体発生室と、当該気体原料の温度を前記第１の温度より低い第２の温度に調整する温度調整室と、を有することを特徴とする蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着装置および当該蒸着装置に用いる原料供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば被処理基板の表面に薄膜などを形成する方法の一例としては、蒸着法がある。蒸着法とは、例えば蒸発あるいは昇華された蒸着原料を、被処理基板上に蒸着させることで薄膜を形成する方法である。
【０００３】
例えば、蒸着法によって形成される薄膜としては、有機エレクトロミネッサンス（以下ＥＬと表記する）素子に用いられる薄膜がある。有機ＥＬ素子を用いた表示装置は、小型化が容易であって、消費電力が小さく、面発光が可能であり、液晶ディスプレイと比較して印加電圧を大幅に低減できるため、フラットディスプレイ等の各種表示装置での利用が注目されている。
【０００４】
例えば、有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に発光層が形成された構造を有している。当該発光層は、電子と正孔との再結合により発光する層であり、発光層には、例えば、多環芳香族炭化水素、ヘテロ芳香族化合物、有機金属錯体化合物等の材料を用いることが可能であり、上記の材料は蒸着法により、形成することが可能である。また、必要に応じて陽極と発光層の間、または陰極と発光層の間に、例えば正孔輸送層、または電子輸送層など発光効率を良好とするための薄膜を形成することも可能であり、これらの層も蒸着法により、形成することが可能である。
【０００５】
この場合、上記の薄膜の形成に用いる蒸着装置は、例えば内部を減圧状態に保持可能な処理容器と、当該処理容器内に設置された、蒸着原料を蒸発あるいは昇華させる蒸着源とを備えた構造を有しており、蒸着源から蒸発あるいは昇華された蒸着原料が被処理基板に蒸着されるように構成されている。
【特許文献１】特表２００３−５０２４９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、蒸着装置により薄膜を形成する場合、蒸着源より蒸発あるいは昇華する蒸着原料の量を制御することが困難であるという問題が生じていた。
【０００７】
これは、蒸着源より蒸発あるいは昇華する、単位時間当たりの蒸着原料の量が、例えば、時間経過や、蒸着源に保持される蒸着原料の量、または蒸着源の温度の僅かな変化に応じて変化してしまうために生じると考えられる。このため、蒸着膜の成膜速度を安定させることが困難となり、成膜速度が変化して膜厚にばらつきが生じる場合があった。
【０００８】
また、上記の特許文献１（特表２００３−５０２４９４号公報）には、蒸着源の容器内にバッフル板（多孔板）を設置することで蒸着原料の蒸発あるいは昇華量を安定させる発明が記載されている。しかし、上記の構造では、蒸着源を蒸発あるいは昇華させるための温度が考慮されておらず、蒸着源の温度によっては蒸発あるいは昇華が不安定になることが考えられる。
【０００９】
そこで、本発明では上記の問題を解決した、新規で有用な蒸着装置を提供することを目的としている。
【００１０】
本発明の具体的な課題は、蒸着装置に用いる原料供給装置であって、蒸着装置の成膜速度の安定性が良好となる原料供給装置、および当該原料供給装置を有する蒸着装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記の課題を、請求項１に記載したように、
蒸着装置の処理容器に接続され、該処理容器に原料を蒸発あるいは昇華して供給する原料供給装置であって、
前記原料を第１の温度に加熱して当該原料を蒸発あるいは昇華させて気体原料とする気体発生室と、
当該気体原料の温度を前記第１の温度より低い第２の温度に調整する温度調整室と、を有することを特徴とする原料供給装置により、また、
請求項２に記載したように、
前記温度調整室には、前記気体原料の温度を、前記第２の温度とするための熱交換部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の原料供給装置により、また、
請求項３に記載したように、
前記熱交換部は、前記温度調整室内壁に設置された突起部を含むことを特徴とする請求項２記載の原料供給装置により、また、
請求項４に記載したように、
前記気体発生室と前記温度調整室を接続する配管部に、前記気体発生室と前記温度調整室を切り離す、切り離し手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載の原料供給装置により、また、
請求項５に記載したように、
前記切り離し手段は、前記配管部に設置された遮断バルブを含むことを特徴とする請求項４記載の原料供給装置により、また、
請求項６に記載したように、
前記切り離し手段は、前記配管部に設置された継手部を含むことを特徴とする請求項４または５記載の原料供給装置により、また、
請求項７に記載したように、
前記気体原料と混合されて、当該気体原料とともに前記処理容器に供給されるキャリアガスを導入する、キャリアガス導入ラインを有することを特徴とする請求項１乃至６のうち、いずれか１項記載の原料供給装置により、また、
請求項８に記載したように、
被処理基板を内部に保持する処理容器と、前記処理容器に原料を蒸発あるいは昇華して供給する原料供給装置とを有し、前記被処理基板に蒸発あるいは昇華された前記原料を蒸着させる蒸着装置であって、
前記原料供給装置は、
前記原料を第１の温度に加熱して当該原料を蒸発あるいは昇華させて気体原料とする気体発生室と、
当該気体原料の温度を前記第１の温度より低い第２の温度に調整する温度調整室と、を有することを特徴とする蒸着装置により、また、
請求項９に記載したように、
前記温度調整室には、前記気体原料の温度を、前記第２の温度とするための熱交換部が形成されていることを特徴とする請求項８記載の蒸着装置により、また、
請求項１０に記載したように、
前記熱交換部は、前記温度調整室内壁に設置された突起部を含むことを特徴とする請求項９記載の蒸着装置により、また、
請求項１１に記載したように、
前記気体発生室と前記温度調整室を接続する配管部に、前記気体発生室と前記温度調整室を切り離す、切り離し手段を設けたことを特徴とする請求項８乃至１０のうち、いずれか１項記載の蒸着装置により、また、
請求項１２に記載したように、
前記切り離し手段は、前記配管部に設置された遮断バルブを含むことを特徴とする請求項１１記載の蒸着装置により、また、
請求項１３に記載したように、
前記切り離し手段は、前記配管部に設置された継手部を含むことを特徴とする請求項１１または１２記載の蒸着装置により、また、
請求項１４に記載したように、
前記気体原料と混合されて、当該気体原料とともに前記処理容器に供給されるキャリアガスを導入する、キャリアガス導入ラインを有することを特徴とする請求項８乃至１３のうち、いずれか１項記載の蒸着装置により、また、
請求項１５に記載したように、
前記原料供給装置は前記処理容器の外側に設置されていることを特徴とする請求項８乃至１４のうち、いずれか１項記載の蒸着装置により、解決する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、蒸着装置に用いる原料供給装置であって、蒸着装置の成膜速度の安定性が良好となる原料供給装置、および当該原料供給装置を有する蒸着装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明による原料供給装置は、原料を第１の温度に加熱して当該原料を蒸発あるいは昇華させて気体原料とする気体発生室と、当該気体原料の温度を前記第１の温度より低い第２の温度に調整する温度調整室と、を有することを特徴としている。
【００１４】
上記の構造とすることで、蒸着に用いる原料の、温度に対する蒸発あるいは昇華量の特性に対応して蒸発あるいは昇華した原料を安定に供給することが可能になる。この理由について以下に説明する。
【００１５】
図１は、蒸着原料の加熱温度に対して、当該蒸着原料が蒸発あるいは昇華する量（気体原料の発生量）の関係を模式的に示した図である。図１を参照するに、蒸着原料の温度が上昇するに従い、蒸発あるいは昇華する量は増大し、原料の分解温度付近で最大となっていることがわかる。
【００１６】
例えば、蒸着原料の加熱温度を高くすると、蒸発あるいは昇華量が大きく、蒸着装置の成膜速度（蒸着速度）を大きくすることが可能となる。しかし、僅かな温度変動に対しても蒸発あるいは昇華量の変動幅が大きく、蒸発あるいは昇華量（成膜速度）が安定しづらい問題がある。
【００１７】
一方、加熱温度を低くすると、温度変動に対する蒸発あるいは昇華量の変動が少なく、温度変化に対して蒸発あるいは昇華量は比較的安定するが、蒸発あるいは昇華量が小さい問題があった。特に、蒸着原料を保持し、蒸着原料を加熱して蒸発あるいは昇華させる部分を、メンテナンスのために切り離すことを考慮する場合、バルブや継手などの切り離し手段を設ける必要があり、これらの構造により蒸発あるいは昇華した原料を輸送する経路のコンダクタンスを十分に大きくすることができない場合がある。このために原料を蒸発あるいは昇華させる場合はできるだけ高い温度で加熱して蒸発あるいは昇華量を増大させ、実効的な成膜速度を確保する十分な量の気体原料を生成することが好ましい。
【００１８】
そこで、本発明による原料供給装置では、たとえば、図１に示した、温度領域２の温度範囲に制御された気体発生室と、温度領域１の範囲に制御された温度調整室が接続された構造としている。当該気体発生室で蒸発あるいは昇華した原料は、当該温度調整室で温度が調整され、当該温度調整室では、原料の飽和蒸気圧の状態となり、蒸着装置の処理容器に供給される。このため、成膜速度を維持しながら、安定に成膜を行うことが可能となる。
【００１９】
また、上記の構造としたために、前記気体発生室と前記温度調整室の間に、前記気体発生室を前記温度調整室より切り離す、切り離し手段を設けることが可能となっている。このため、原料の補充などのメンテナンスが容易となっている。
【００２０】
次に、上記の原料供給装置を用いた蒸着装置の構成の一例について、図２に基づき、説明する。
【実施例１】
【００２１】
図２は、本発明の実施例１による蒸着装置を模式的に示した図である。図１を参照するに、本実施例による蒸着装置２００は、内部に内部空間２０１Ａが画成される、処理容器２０１を有している。前記内部空間２０１Ａには、被処理基板２０３を保持する保持台２０２が設置されている。前記保持台２０２は、ＥＳＣ（静電吸着チャック）を有し、前記被処理基板は、その表面が、原料が供給される方向に向くようにして保持される。また、前記保持台２０２は、移動レール２０４に対して移動可能に接続され、前記被処理基板２０３に対して平行な方向に移動することが可能に構成されている。
【００２２】
また、前記内部空間２０１Ａは、前記処理容器２０１に接続された、例えばターボ分子ポンプよりなる排気手段２０５により排気され、当該排気手段２０５は、例えばドライポンプなどの排気手段（図示を省略）に接続されている。
【００２３】
また、前記処理容器２０１の底面の開口部には、前記保持台２０３と対向するように、前記内部空間２０１Ａに気体原料を供給する、原料供給装置１００が設置されている。前記被処理基板２０３に成膜（蒸着）を行う場合には、前記原料供給装置１００から供給される気体原料が被処理基板に到達することにより、行われる。
【００２４】
前記原料供給装置１００の概略は、内部に、たとえば粉末状の原料１０１Ｂを保持し、当該原料１０１Ｂを加熱して第１の温度とすることで蒸発あるいは昇華させ、気体原料とする気体発生室１０１と、当該気体原料の温度を低下させて第２の温度とする温度調整室１０５が、配管部１０２により接続された構造を有している。
【００２５】
前記気体発生室１０１では、当該気体発生室１０１の外側に配置されたヒータ１０１Ａにより、内部の原料１０１Ｂが、例えば前記第１の温度に加熱され、蒸発あるいは昇華されて気体原料とされる。当該気体原料は、前記配管部１０２を介して前記温度調整室１０５に送られる。この場合、前記配管部１０２は、当該配管部１０２に設置されたヒータ１０２Ａにより、前記気体発生室１０１と同じ前記第１の温度で加熱されている。
【００２６】
前記温度調整室１０５は、当該温度調整室１０５に設置されたヒータ１０５Ａにより加熱されているが、加熱温度が、前記第１の温度より低い第２の温度に調整されている。前記温度調整室１０５には、前記気体原料の温度を、前記第２の温度とするための熱交換部１０６が形成されている。前記熱交換部１０６は、例えば、前記温度調整室１０５の内壁に設置された突起部を含む構造を有しており、効率よく熱交換を行って前記気体原料を前記第２の温度に調整することを可能としている。
【００２７】
前記第２の温度とされた前記気体原料は、前記温度調整室１０５の出口近傍に設置された、スリット部１０７を通過することで、前記内部空間２０１内の前記被処理基板２０３に均一性が良好に蒸着される。
【００２８】
本実施例による原料供給装置１００では、前記気体発生室１０１で、高い温度（第１の温度）を用いて、前記原料１０１Ｂを効率よく蒸発あるいは昇華している。一方、前記温度調整室１０５では、蒸発あるいは昇華した原料（気体原料）を、当該第１の温度より低い第２の温度とすることで、前記気体原料が飽和した状態（飽和蒸気圧）としている。そのため、温度の僅かな変動に対して原料が供給される量が大きく変動することが抑制され、前記内部空間２０１Ａに蒸着のための原料を安定に供給することが可能となっている。このため、蒸着装置の成膜速度を大きく維持しつつ、かつ蒸着速度を安定に保持することが可能となっている。
【００２９】
また、前記配管部１０２には、前記気体発生室１０１を、前記温度調整室１０５から切り離すための切り離し手段１０４が設けられている。前記切り離し手段は、例えば遮断バルブ１０３Ａと、配管継手部１０３Ｂとを有している。
【００３０】
例えば、前記気体発生室１０１に原料を補充するなどのメンテナンスを行う場合には、前記遮断バルブ１０３Ａを閉じて、前記配管継手部１０３Ｂを緩めることで、前記気体発生室１０１内の気密性を保持したまま、容易に当該気体発生室１０１を前記温度調整室１０５から切り離すことが可能である。
【００３１】
例えば、従来の原料供給装置では、蒸着源とよばれる上記の気体発生室に相当する部分は、処理容器内部に設置されることが大半であり、メンテナンスが困難である問題があった。一方、本実施例による蒸着装置では、前記原料供給装置１００（気体発生室１０１）を前記処理容器２０１の外側（前記内部空間２０１Ａの外側）に設置しているため、原料を保持する部分のメンテナンスが容易となっている。
【００３２】
また、上記のように前記気体発生室１０１を切り離し容易な構造にするためには、前記配管部１０２に、前記遮断バルブ１０３Ａや配管継手部１０３Ｂを設置することが好ましい。しかし、遮断バルブによって遮断可能な配管の径は限られるため、前記配管部１０２の大きさ（コンダクタンス）はある程度メンテナンス上の理由から制限されてしまう懸念がある。この場合、前記気体発生室１０１で蒸発あるいは昇華する原料の量が少ないと、蒸着装置で十分な成膜速度を維持できない可能性がある。
【００３３】
本実施例による原料供給装置では、気体発生室の下流側に原料の供給量の安定を図るための温度調整室が設けられているため、気体発生室で高い温度で原料を加熱して原料の蒸発あるいは昇華量を確保することが可能となっている。
【００３４】
すなわち、本実施例による原料供給装置は、原料が供給される量が維持されるとともに、供給される量の変動が抑制される特徴があり、またメンテナンス性が良好である構造を有している。
【００３５】
また、前記原料供給装置１００には、前記気体原料と混合されて、当該気体原料とともに前記処理容器２０１に供給されるキャリアガスを導入する、キャリアガス導入ライン１２０が接続されていると好適である。
【００３６】
前記キャリアガス導入ライン１２０は、例えば前記配管部１０２に接続されるが、前記気体発生室１０１か、または前記温度調整室１０５に接続されるようにしてもよい。前記キャリアガス導入ライン１２０には、バルブ１２１と質量流量コントローラ（ＭＦＣ）１２２が設置され、キャリアガス供給源１２３に接続されている。
【００３７】
前記キャリアガス導入ライン１２０からは、前記バルブ１２１を開放することで、前記ＭＦＣ１２２によって流量を制御された、例えばＡｒなどのキャリアガスが、前記配管部１０２に供給される。供給されたキャリアガスは、前記気体原料とともに前記内部空間２０１Ａに供給される。
【００３８】
また、前記温度調整室１０５には、例えば前記スリット部１０７近傍に、パージガスを導入するパージガス導入ライン１１０が接続されてパージガスが供給されるようにしてもよい。前記パージガス導入ライン１１０には、バルブ１１１とＭＦＣ１１２が設置され、パージガス供給源１１３に接続されている。
【００３９】
前記パージガスガス導入ライン１１０からは、前記バルブ１１１を開放することで、前記ＭＦＣ１１２によって流量を制御された、例えばＡｒなどのパージガスが供給される。
【００４０】
また、前記温度調整室１０５のうち、前記スリット部１０７より下流側（前記処理容器２０１に接続された側）は、前記温度調整室１０５の上流側（前記配管部１０２に接続された側）よりも高い温度になるようにしてもよい。この場合、当該下流側には、ヒータ１０５Ａと別個独立のヒータ１０５Ｂが設置され、前記第２の温度より高い第３の温度で加熱されるようにしてもよい。この場合、気体原料の処理容器近傍での凝固を抑制し、パーティクルの発生を抑制する効果を奏する。
【００４１】
例えば、前記処理容器１０１（図中領域Ａ１で示す）から前記配管部１０２（図中領域Ａ２で示す）は、前記第１の温度に、前記温度調整室１０５の上流側（図中領域Ａ３で示す）は、当該第１の温度より低い前記第２の温度に、前記温度調整室１０５の下流側（図中領域Ａ４で示す）は、当該第２の温度より高い前記第３の温度にされることが好ましい。
【００４２】
この場合、前記ヒータ１０１Ａは第１制御手段１０１ａにより、また前記ヒータ１０２Ａは第２制御手段１０２ａによりそれぞれ前記第１の温度に制御され、同様に、前記ヒータ１０５Ａは第３制御手段１０５ａにより前記第２の温度に、前記ヒータ１０５Ｂは、第４制御手段１０５ｂにより前記第３の温度にそれぞれ制御される。
【００４３】
例えば、上記の成膜装置２００を用いて、有機ＥＬ素子を形成する場合に、前記原料１０１Ｂとしてアルミノキノリノール錯体（Ａｌｑ３）、を用いることで、発光層のホスト材料を構成することができる。また、この場合ドーピング材にはルブレンを用いることができる。
【００４４】
また、上記のＡｌｑ３を用いる場合、例えば、前記第１の温度は、３５０℃乃至４００℃、前記第２の温度は３００℃乃至３５０℃とし、当該第１の温度と当該第２の温度の温度差は、３０℃乃至５０℃程度とすればよい。また、前記第３の温度は、３５０℃乃至４００℃とすればよいが、上記の領域Ａ４の温度は前記領域Ａ３の温度と同一であってもよい。
【実施例２】
【００４５】
また、上記の蒸着装置２００、および原料供給装置１００は、本発明の構成の一例であり、様々に変形・変更して用いることが可能であることは明らかである。
【００４６】
例えば、図３は、上記の温度調整室１０５の変形例を模式的に示した図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図３を参照するに、本実施例の場合、実施例１の場合の突起部状の熱交換部１０６は、複数の多孔板１０６Ａに相当する。当該多孔板１０６Ａには、気体原料やキャリアガスが通過する穴部１０６ａが複数形成されている。気体原料は、当該多孔板１０６Ａと接触することで熱交換が生じ、前記第２の温度に制御される構造になっている。
【実施例３】
【００４７】
また、図４は、上記の温度調整室１０５の別の変形例を模式的に示した図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図４を参照するに、本実施例の場合、実施例１の場合の突起部状の熱交換部１０６は、前記気体原料やキャリアガスの流れを迂回させるための、例えば円筒状のガス流制御板１０６Ｂに相当する。また、前記配管部１０２は、前記温度調整室１０５の内部まで挿入された構造となっており、さらに前記ガス流制御板１０６Ｂの円筒内部に挿入された構造になっている。本実施例の場合、気体原料は、当該ガス流制御板１０６Ｂと接触することで熱交換が生じ、前記第２の温度に制御される構造になっている。
【００４８】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明によれば、蒸着装置に用いる原料供給装置であって、蒸着装置の成膜速度の安定性が良好となる原料供給装置、および当該原料供給装置を有する蒸着装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】蒸着原料の蒸発あるいは昇華の特性を示す図である。
【図２】実施例１による原料供給装置と、該原料供給装置を用いた蒸着装置を示す図である。
【図３】図２の原料供給装置の変形例を示す図（その１）である。
【図４】図２の原料供給装置の変形例を示す図（その２）である。
【符号の説明】
【００５１】
１００ 原料供給装置
１０１ 気体発生室
１０１Ｂ 原料
１０１Ａ ヒータ
１０２ 配管部
１０２Ａ ヒータ
１０３Ａ 遮断バルブ
１０３Ｂ 配管継手部
１０４ 切り離し手段
１０５ 温度調整室
１０５Ａ，１０５Ｂ ヒータ
１０６ 熱交換部
１０７ スリット部
１０１ａ，１０２ａ，１０５ａ，１０５ｂ 制御手段
１１０ パージガス導入ライン
１２０ キャリアガス導入ライン
１１１，１２１ バルブ
１１２，１２２ ＭＦＣ
１１３，１２３ ガス供給源
２００ 蒸着装置
２０１ 処理容器
２０１Ａ 内部空間
２０２ 保持台
２０３ 被処理基板
２０４ 移動レール
２０５ 排気手段
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着装置および当該蒸着装置に用いる原料供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば被処理基板の表面に薄膜などを形成する方法の一例としては、蒸着法がある。蒸着法とは、例えば蒸発あるいは昇華された蒸着原料を、被処理基板上に蒸着させることで薄膜を形成する方法である。
【０００３】
例えば、蒸着法によって形成される薄膜としては、有機エレクトロミネッサンス（以下ＥＬと表記する）素子に用いられる薄膜がある。有機ＥＬ素子を用いた表示装置は、小型化が容易であって、消費電力が小さく、面発光が可能であり、液晶ディスプレイと比較して印加電圧を大幅に低減できるため、フラットディスプレイ等の各種表示装置での利用が注目されている。
【０００４】
例えば、有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に発光層が形成された構造を有している。当該発光層は、電子と正孔との再結合により発光する層であり、発光層には、例えば、多環芳香族炭化水素、ヘテロ芳香族化合物、有機金属錯体化合物等の材料を用いることが可能であり、上記の材料は蒸着法により、形成することが可能である。また、必要に応じて陽極と発光層の間、または陰極と発光層の間に、例えば正孔輸送層、または電子輸送層など発光効率を良好とするための薄膜を形成することも可能であり、これらの層も蒸着法により、形成することが可能である。
【０００５】
この場合、上記の薄膜の形成に用いる蒸着装置は、例えば内部を減圧状態に保持可能な処理容器と、当該処理容器内に設置された、蒸着原料を蒸発あるいは昇華させる蒸着源とを備えた構造を有しており、蒸着源から蒸発あるいは昇華された蒸着原料が被処理基板に蒸着されるように構成されている。
【特許文献１】特表２００３−５０２４９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、蒸着装置により薄膜を形成する場合、蒸着源より蒸発あるいは昇華する蒸着原料の量を制御することが困難であるという問題が生じていた。
【０００７】
これは、蒸着源より蒸発あるいは昇華する、単位時間当たりの蒸着原料の量が、例えば、時間経過や、蒸着源に保持される蒸着原料の量、または蒸着源の温度の僅かな変化に応じて変化してしまうために生じると考えられる。このため、蒸着膜の成膜速度を安定させることが困難となり、成膜速度が変化して膜厚にばらつきが生じる場合があった。
【０００８】
また、上記の特許文献１（特表２００３−５０２４９４号公報）には、蒸着源の容器内にバッフル板（多孔板）を設置することで蒸着原料の蒸発あるいは昇華量を安定させる発明が記載されている。しかし、上記の構造では、蒸着源を蒸発あるいは昇華させるための温度が考慮されておらず、蒸着源の温度によっては蒸発あるいは昇華が不安定になることが考えられる。
【０００９】
そこで、本発明では上記の問題を解決した、新規で有用な蒸着装置を提供することを目的としている。
【００１０】
本発明の具体的な課題は、蒸着装置に用いる原料供給装置であって、蒸着装置の成膜速度の安定性が良好となる原料供給装置、および当該原料供給装置を有する蒸着装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記の課題を、請求項１に記載したように、
蒸着装置の処理容器に接続され、該処理容器に原料を蒸発あるいは昇華して供給する原料供給装置であって、
前記原料を第１の温度に加熱して当該原料を蒸発あるいは昇華させて気体原料とする気体発生室と、
当該気体原料の温度を前記第１の温度より低い第２の温度に調整する温度調整室と、を有することを特徴とする原料供給装置により、また、
請求項２に記載したように、
前記温度調整室には、前記気体原料の温度を、前記第２の温度とするための熱交換部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の原料供給装置により、また、
請求項３に記載したように、
前記熱交換部は、前記温度調整室内壁に設置された突起部を含むことを特徴とする請求項２記載の原料供給装置により、また、
請求項４に記載したように、
前記気体発生室と前記温度調整室を接続する配管部に、前記気体発生室と前記温度調整室を切り離す、切り離し手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載の原料供給装置により、また、
請求項５に記載したように、
前記切り離し手段は、前記配管部に設置された遮断バルブを含むことを特徴とする請求項４記載の原料供給装置により、また、
請求項６に記載したように、
前記切り離し手段は、前記配管部に設置された継手部を含むことを特徴とする請求項４または５記載の原料供給装置により、また、
請求項７に記載したように、
前記気体原料と混合されて、当該気体原料とともに前記処理容器に供給されるキャリアガスを導入する、キャリアガス導入ラインを有することを特徴とする請求項１乃至６のうち、いずれか１項記載の原料供給装置により、また、
請求項８に記載したように、
被処理基板を内部に保持する処理容器と、前記処理容器に原料を蒸発あるいは昇華して供給する原料供給装置とを有し、前記被処理基板に蒸発あるいは昇華された前記原料を蒸着させる蒸着装置であって、
前記原料供給装置は、
前記原料を第１の温度に加熱して当該原料を蒸発あるいは昇華させて気体原料とする気体発生室と、
当該気体原料の温度を前記第１の温度より低い第２の温度に調整する温度調整室と、を有することを特徴とする蒸着装置により、また、
請求項９に記載したように、
前記温度調整室には、前記気体原料の温度を、前記第２の温度とするための熱交換部が形成されていることを特徴とする請求項８記載の蒸着装置により、また、
請求項１０に記載したように、
前記熱交換部は、前記温度調整室内壁に設置された突起部を含むことを特徴とする請求項９記載の蒸着装置により、また、
請求項１１に記載したように、
前記気体発生室と前記温度調整室を接続する配管部に、前記気体発生室と前記温度調整室を切り離す、切り離し手段を設けたことを特徴とする請求項８乃至１０のうち、いずれか１項記載の蒸着装置により、また、
請求項１２に記載したように、
前記切り離し手段は、前記配管部に設置された遮断バルブを含むことを特徴とする請求項１１記載の蒸着装置により、また、
請求項１３に記載したように、
前記切り離し手段は、前記配管部に設置された継手部を含むことを特徴とする請求項１１または１２記載の蒸着装置により、また、
請求項１４に記載したように、
前記気体原料と混合されて、当該気体原料とともに前記処理容器に供給されるキャリアガスを導入する、キャリアガス導入ラインを有することを特徴とする請求項８乃至１３のうち、いずれか１項記載の蒸着装置により、また、
請求項１５に記載したように、
前記原料供給装置は前記処理容器の外側に設置されていることを特徴とする請求項８乃至１４のうち、いずれか１項記載の蒸着装置により、解決する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、蒸着装置に用いる原料供給装置であって、蒸着装置の成膜速度の安定性が良好となる原料供給装置、および当該原料供給装置を有する蒸着装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明による原料供給装置は、原料を第１の温度に加熱して当該原料を蒸発あるいは昇華させて気体原料とする気体発生室と、当該気体原料の温度を前記第１の温度より低い第２の温度に調整する温度調整室と、を有することを特徴としている。
【００１４】
上記の構造とすることで、蒸着に用いる原料の、温度に対する蒸発あるいは昇華量の特性に対応して蒸発あるいは昇華した原料を安定に供給することが可能になる。この理由について以下に説明する。
【００１５】
図１は、蒸着原料の加熱温度に対して、当該蒸着原料が蒸発あるいは昇華する量（気体原料の発生量）の関係を模式的に示した図である。図１を参照するに、蒸着原料の温度が上昇するに従い、蒸発あるいは昇華する量は増大し、原料の分解温度付近で最大となっていることがわかる。
【００１６】
例えば、蒸着原料の加熱温度を高くすると、蒸発あるいは昇華量が大きく、蒸着装置の成膜速度（蒸着速度）を大きくすることが可能となる。しかし、僅かな温度変動に対しても蒸発あるいは昇華量の変動幅が大きく、蒸発あるいは昇華量（成膜速度）が安定しづらい問題がある。
【００１７】
一方、加熱温度を低くすると、温度変動に対する蒸発あるいは昇華量の変動が少なく、温度変化に対して蒸発あるいは昇華量は比較的安定するが、蒸発あるいは昇華量が小さい問題があった。特に、蒸着原料を保持し、蒸着原料を加熱して蒸発あるいは昇華させる部分を、メンテナンスのために切り離すことを考慮する場合、バルブや継手などの切り離し手段を設ける必要があり、これらの構造により蒸発あるいは昇華した原料を輸送する経路のコンダクタンスを十分に大きくすることができない場合がある。このために原料を蒸発あるいは昇華させる場合はできるだけ高い温度で加熱して蒸発あるいは昇華量を増大させ、実効的な成膜速度を確保する十分な量の気体原料を生成することが好ましい。
【００１８】
そこで、本発明による原料供給装置では、たとえば、図１に示した、温度領域２の温度範囲に制御された気体発生室と、温度領域１の範囲に制御された温度調整室が接続された構造としている。当該気体発生室で蒸発あるいは昇華した原料は、当該温度調整室で温度が調整され、当該温度調整室では、原料の飽和蒸気圧の状態となり、蒸着装置の処理容器に供給される。このため、成膜速度を維持しながら、安定に成膜を行うことが可能となる。
【００１９】
また、上記の構造としたために、前記気体発生室と前記温度調整室の間に、前記気体発生室を前記温度調整室より切り離す、切り離し手段を設けることが可能となっている。このため、原料の補充などのメンテナンスが容易となっている。
【００２０】
次に、上記の原料供給装置を用いた蒸着装置の構成の一例について、図２に基づき、説明する。
【実施例１】
【００２１】
図２は、本発明の実施例１による蒸着装置を模式的に示した図である。図１を参照するに、本実施例による蒸着装置２００は、内部に内部空間２０１Ａが画成される、処理容器２０１を有している。前記内部空間２０１Ａには、被処理基板２０３を保持する保持台２０２が設置されている。前記保持台２０２は、ＥＳＣ（静電吸着チャック）を有し、前記被処理基板は、その表面が、原料が供給される方向に向くようにして保持される。また、前記保持台２０２は、移動レール２０４に対して移動可能に接続され、前記被処理基板２０３に対して平行な方向に移動することが可能に構成されている。
【００２２】
また、前記内部空間２０１Ａは、前記処理容器２０１に接続された、例えばターボ分子ポンプよりなる排気手段２０５により排気され、当該排気手段２０５は、例えばドライポンプなどの排気手段（図示を省略）に接続されている。
【００２３】
また、前記処理容器２０１の底面の開口部には、前記保持台２０３と対向するように、前記内部空間２０１Ａに気体原料を供給する、原料供給装置１００が設置されている。前記被処理基板２０３に成膜（蒸着）を行う場合には、前記原料供給装置１００から供給される気体原料が被処理基板に到達することにより、行われる。
【００２４】
前記原料供給装置１００の概略は、内部に、たとえば粉末状の原料１０１Ｂを保持し、当該原料１０１Ｂを加熱して第１の温度とすることで蒸発あるいは昇華させ、気体原料とする気体発生室１０１と、当該気体原料の温度を低下させて第２の温度とする温度調整室１０５が、配管部１０２により接続された構造を有している。
【００２５】
前記気体発生室１０１では、当該気体発生室１０１の外側に配置されたヒータ１０１Ａにより、内部の原料１０１Ｂが、例えば前記第１の温度に加熱され、蒸発あるいは昇華されて気体原料とされる。当該気体原料は、前記配管部１０２を介して前記温度調整室１０５に送られる。この場合、前記配管部１０２は、当該配管部１０２に設置されたヒータ１０２Ａにより、前記気体発生室１０１と同じ前記第１の温度で加熱されている。
【００２６】
前記温度調整室１０５は、当該温度調整室１０５に設置されたヒータ１０５Ａにより加熱されているが、加熱温度が、前記第１の温度より低い第２の温度に調整されている。前記温度調整室１０５には、前記気体原料の温度を、前記第２の温度とするための熱交換部１０６が形成されている。前記熱交換部１０６は、例えば、前記温度調整室１０５の内壁に設置された突起部を含む構造を有しており、効率よく熱交換を行って前記気体原料を前記第２の温度に調整することを可能としている。
【００２７】
前記第２の温度とされた前記気体原料は、前記温度調整室１０５の出口近傍に設置された、スリット部１０７を通過することで、前記内部空間２０１内の前記被処理基板２０３に均一性が良好に蒸着される。
【００２８】
本実施例による原料供給装置１００では、前記気体発生室１０１で、高い温度（第１の温度）を用いて、前記原料１０１Ｂを効率よく蒸発あるいは昇華している。一方、前記温度調整室１０５では、蒸発あるいは昇華した原料（気体原料）を、当該第１の温度より低い第２の温度とすることで、前記気体原料が飽和した状態（飽和蒸気圧）としている。そのため、温度の僅かな変動に対して原料が供給される量が大きく変動することが抑制され、前記内部空間２０１Ａに蒸着のための原料を安定に供給することが可能となっている。このため、蒸着装置の成膜速度を大きく維持しつつ、かつ蒸着速度を安定に保持することが可能となっている。
【００２９】
また、前記配管部１０２には、前記気体発生室１０１を、前記温度調整室１０５から切り離すための切り離し手段１０４が設けられている。前記切り離し手段は、例えば遮断バルブ１０３Ａと、配管継手部１０３Ｂとを有している。
【００３０】
例えば、前記気体発生室１０１に原料を補充するなどのメンテナンスを行う場合には、前記遮断バルブ１０３Ａを閉じて、前記配管継手部１０３Ｂを緩めることで、前記気体発生室１０１内の気密性を保持したまま、容易に当該気体発生室１０１を前記温度調整室１０５から切り離すことが可能である。
【００３１】
例えば、従来の原料供給装置では、蒸着源とよばれる上記の気体発生室に相当する部分は、処理容器内部に設置されることが大半であり、メンテナンスが困難である問題があった。一方、本実施例による蒸着装置では、前記原料供給装置１００（気体発生室１０１）を前記処理容器２０１の外側（前記内部空間２０１Ａの外側）に設置しているため、原料を保持する部分のメンテナンスが容易となっている。
【００３２】
また、上記のように前記気体発生室１０１を切り離し容易な構造にするためには、前記配管部１０２に、前記遮断バルブ１０３Ａや配管継手部１０３Ｂを設置することが好ましい。しかし、遮断バルブによって遮断可能な配管の径は限られるため、前記配管部１０２の大きさ（コンダクタンス）はある程度メンテナンス上の理由から制限されてしまう懸念がある。この場合、前記気体発生室１０１で蒸発あるいは昇華する原料の量が少ないと、蒸着装置で十分な成膜速度を維持できない可能性がある。
【００３３】
本実施例による原料供給装置では、気体発生室の下流側に原料の供給量の安定を図るための温度調整室が設けられているため、気体発生室で高い温度で原料を加熱して原料の蒸発あるいは昇華量を確保することが可能となっている。
【００３４】
すなわち、本実施例による原料供給装置は、原料が供給される量が維持されるとともに、供給される量の変動が抑制される特徴があり、またメンテナンス性が良好である構造を有している。
【００３５】
また、前記原料供給装置１００には、前記気体原料と混合されて、当該気体原料とともに前記処理容器２０１に供給されるキャリアガスを導入する、キャリアガス導入ライン１２０が接続されていると好適である。
【００３６】
前記キャリアガス導入ライン１２０は、例えば前記配管部１０２に接続されるが、前記気体発生室１０１か、または前記温度調整室１０５に接続されるようにしてもよい。前記キャリアガス導入ライン１２０には、バルブ１２１と質量流量コントローラ（ＭＦＣ）１２２が設置され、キャリアガス供給源１２３に接続されている。
【００３７】
前記キャリアガス導入ライン１２０からは、前記バルブ１２１を開放することで、前記ＭＦＣ１２２によって流量を制御された、例えばＡｒなどのキャリアガスが、前記配管部１０２に供給される。供給されたキャリアガスは、前記気体原料とともに前記内部空間２０１Ａに供給される。
【００３８】
また、前記温度調整室１０５には、例えば前記スリット部１０７近傍に、パージガスを導入するパージガス導入ライン１１０が接続されてパージガスが供給されるようにしてもよい。前記パージガス導入ライン１１０には、バルブ１１１とＭＦＣ１１２が設置され、パージガス供給源１１３に接続されている。
【００３９】
前記パージガスガス導入ライン１１０からは、前記バルブ１１１を開放することで、前記ＭＦＣ１１２によって流量を制御された、例えばＡｒなどのパージガスが供給される。
【００４０】
また、前記温度調整室１０５のうち、前記スリット部１０７より下流側（前記処理容器２０１に接続された側）は、前記温度調整室１０５の上流側（前記配管部１０２に接続された側）よりも高い温度になるようにしてもよい。この場合、当該下流側には、ヒータ１０５Ａと別個独立のヒータ１０５Ｂが設置され、前記第２の温度より高い第３の温度で加熱されるようにしてもよい。この場合、気体原料の処理容器近傍での凝固を抑制し、パーティクルの発生を抑制する効果を奏する。
【００４１】
例えば、前記処理容器１０１（図中領域Ａ１で示す）から前記配管部１０２（図中領域Ａ２で示す）は、前記第１の温度に、前記温度調整室１０５の上流側（図中領域Ａ３で示す）は、当該第１の温度より低い前記第２の温度に、前記温度調整室１０５の下流側（図中領域Ａ４で示す）は、当該第２の温度より高い前記第３の温度にされることが好ましい。
【００４２】
この場合、前記ヒータ１０１Ａは第１制御手段１０１ａにより、また前記ヒータ１０２Ａは第２制御手段１０２ａによりそれぞれ前記第１の温度に制御され、同様に、前記ヒータ１０５Ａは第３制御手段１０５ａにより前記第２の温度に、前記ヒータ１０５Ｂは、第４制御手段１０５ｂにより前記第３の温度にそれぞれ制御される。
【００４３】
例えば、上記の成膜装置２００を用いて、有機ＥＬ素子を形成する場合に、前記原料１０１Ｂとしてアルミノキノリノール錯体（Ａｌｑ３）、を用いることで、発光層のホスト材料を構成することができる。また、この場合ドーピング材にはルブレンを用いることができる。
【００４４】
また、上記のＡｌｑ３を用いる場合、例えば、前記第１の温度は、３５０℃乃至４００℃、前記第２の温度は３００℃乃至３５０℃とし、当該第１の温度と当該第２の温度の温度差は、３０℃乃至５０℃程度とすればよい。また、前記第３の温度は、３５０℃乃至４００℃とすればよいが、上記の領域Ａ４の温度は前記領域Ａ３の温度と同一であってもよい。
【実施例２】
【００４５】
また、上記の蒸着装置２００、および原料供給装置１００は、本発明の構成の一例であり、様々に変形・変更して用いることが可能であることは明らかである。
【００４６】
例えば、図３は、上記の温度調整室１０５の変形例を模式的に示した図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図３を参照するに、本実施例の場合、実施例１の場合の突起部状の熱交換部１０６は、複数の多孔板１０６Ａに相当する。当該多孔板１０６Ａには、気体原料やキャリアガスが通過する穴部１０６ａが複数形成されている。気体原料は、当該多孔板１０６Ａと接触することで熱交換が生じ、前記第２の温度に制御される構造になっている。
【実施例３】
【００４７】
また、図４は、上記の温度調整室１０５の別の変形例を模式的に示した図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図４を参照するに、本実施例の場合、実施例１の場合の突起部状の熱交換部１０６は、前記気体原料やキャリアガスの流れを迂回させるための、例えば円筒状のガス流制御板１０６Ｂに相当する。また、前記配管部１０２は、前記温度調整室１０５の内部まで挿入された構造となっており、さらに前記ガス流制御板１０６Ｂの円筒内部に挿入された構造になっている。本実施例の場合、気体原料は、当該ガス流制御板１０６Ｂと接触することで熱交換が生じ、前記第２の温度に制御される構造になっている。
【００４８】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明によれば、蒸着装置に用いる原料供給装置であって、蒸着装置の成膜速度の安定性が良好となる原料供給装置、および当該原料供給装置を有する蒸着装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】蒸着原料の蒸発あるいは昇華の特性を示す図である。
【図２】実施例１による原料供給装置と、該原料供給装置を用いた蒸着装置を示す図である。
【図３】図２の原料供給装置の変形例を示す図（その１）である。
【図４】図２の原料供給装置の変形例を示す図（その２）である。
【符号の説明】
【００５１】
１００ 原料供給装置
１０１ 気体発生室
１０１Ｂ 原料
１０１Ａ ヒータ
１０２ 配管部
１０２Ａ ヒータ
１０３Ａ 遮断バルブ
１０３Ｂ 配管継手部
１０４ 切り離し手段
１０５ 温度調整室
１０５Ａ，１０５Ｂ ヒータ
１０６ 熱交換部
１０７ スリット部
１０１ａ，１０２ａ，１０５ａ，１０５ｂ 制御手段
１１０ パージガス導入ライン
１２０ キャリアガス導入ライン
１１１，１２１ バルブ
１１２，１２２ ＭＦＣ
１１３，１２３ ガス供給源
２００ 蒸着装置
２０１ 処理容器
２０１Ａ 内部空間
２０２ 保持台
２０３ 被処理基板
２０４ 移動レール
２０５ 排気手段
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着装置の処理容器に接続され、該処理容器に原料を蒸発あるいは昇華して供給する原料供給装置であって、
前記原料を第１の温度に加熱して当該原料を蒸発あるいは昇華させて気体原料とする気体発生室と、
当該気体原料の温度を前記第１の温度より低い第２の温度に調整する温度調整室と、を有することを特徴とする原料供給装置。
【請求項２】
前記温度調整室には、前記気体原料の温度を、前記第２の温度とするための熱交換部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の原料供給装置。
【請求項３】
前記熱交換部は、前記温度調整室内壁に設置された突起部を含むことを特徴とする請求項２記載の原料供給装置。
【請求項４】
前記気体発生室と前記温度調整室を接続する配管部に、前記気体発生室と前記温度調整室を切り離す、切り離し手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載の原料供給装置。
【請求項５】
前記切り離し手段は、前記配管部に設置された遮断バルブを含むことを特徴とする請求項４記載の原料供給装置。
【請求項６】
前記切り離し手段は、前記配管部に設置された継手部を含むことを特徴とする請求項４または５記載の原料供給装置。
【請求項７】
前記気体原料と混合されて、当該気体原料とともに前記処理容器に供給されるキャリアガスを導入する、キャリアガス導入ラインを有することを特徴とする請求項１乃至６のうち、いずれか１項記載の原料供給装置。
【請求項８】
被処理基板を内部に保持する処理容器と、前記処理容器に原料を蒸発あるいは昇華して供給する原料供給装置とを有し、前記被処理基板に蒸発あるいは昇華された前記原料を蒸着させる蒸着装置であって、
前記原料供給装置は、
前記原料を第１の温度に加熱して当該原料を蒸発あるいは昇華させて気体原料とする気体発生室と、
当該気体原料の温度を前記第１の温度より低い第２の温度に調整する温度調整室と、を有することを特徴とする蒸着装置。
【請求項９】
前記温度調整室には、前記気体原料の温度を、前記第２の温度とするための熱交換部が形成されていることを特徴とする請求項８記載の蒸着装置。
【請求項１０】
前記熱交換部は、前記温度調整室内壁に設置された突起部を含むことを特徴とする請求項９記載の蒸着装置。
【請求項１１】
前記気体発生室と前記温度調整室を接続する配管部に、前記気体発生室と前記温度調整室を切り離す、切り離し手段を設けたことを特徴とする請求項８乃至１０のうち、いずれか１項記載の蒸着装置。
【請求項１２】
前記切り離し手段は、前記配管部に設置された遮断バルブを含むことを特徴とする請求項１１記載の蒸着装置。
【請求項１３】
前記切り離し手段は、前記配管部に設置された継手部を含むことを特徴とする請求項１１または１２記載の蒸着装置。
【請求項１４】
前記気体原料と混合されて、当該気体原料とともに前記処理容器に供給されるキャリアガスを導入する、キャリアガス導入ラインを有することを特徴とする請求項８乃至１３のうち、いずれか１項記載の蒸着装置。
【請求項１５】
前記原料供給装置は前記処理容器の外側に設置されていることを特徴とする請求項８乃至１４のうち、いずれか１項記載の蒸着装置。
【請求項１】
蒸着装置の処理容器に接続され、該処理容器に原料を蒸発あるいは昇華して供給する原料供給装置であって、
前記原料を第１の温度に加熱して当該原料を蒸発あるいは昇華させて気体原料とする気体発生室と、
当該気体原料の温度を前記第１の温度より低い第２の温度に調整する温度調整室と、を有することを特徴とする原料供給装置。
【請求項２】
前記温度調整室には、前記気体原料の温度を、前記第２の温度とするための熱交換部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の原料供給装置。
【請求項３】
前記熱交換部は、前記温度調整室内壁に設置された突起部を含むことを特徴とする請求項２記載の原料供給装置。
【請求項４】
前記気体発生室と前記温度調整室を接続する配管部に、前記気体発生室と前記温度調整室を切り離す、切り離し手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載の原料供給装置。
【請求項５】
前記切り離し手段は、前記配管部に設置された遮断バルブを含むことを特徴とする請求項４記載の原料供給装置。
【請求項６】
前記切り離し手段は、前記配管部に設置された継手部を含むことを特徴とする請求項４または５記載の原料供給装置。
【請求項７】
前記気体原料と混合されて、当該気体原料とともに前記処理容器に供給されるキャリアガスを導入する、キャリアガス導入ラインを有することを特徴とする請求項１乃至６のうち、いずれか１項記載の原料供給装置。
【請求項８】
被処理基板を内部に保持する処理容器と、前記処理容器に原料を蒸発あるいは昇華して供給する原料供給装置とを有し、前記被処理基板に蒸発あるいは昇華された前記原料を蒸着させる蒸着装置であって、
前記原料供給装置は、
前記原料を第１の温度に加熱して当該原料を蒸発あるいは昇華させて気体原料とする気体発生室と、
当該気体原料の温度を前記第１の温度より低い第２の温度に調整する温度調整室と、を有することを特徴とする蒸着装置。
【請求項９】
前記温度調整室には、前記気体原料の温度を、前記第２の温度とするための熱交換部が形成されていることを特徴とする請求項８記載の蒸着装置。
【請求項１０】
前記熱交換部は、前記温度調整室内壁に設置された突起部を含むことを特徴とする請求項９記載の蒸着装置。
【請求項１１】
前記気体発生室と前記温度調整室を接続する配管部に、前記気体発生室と前記温度調整室を切り離す、切り離し手段を設けたことを特徴とする請求項８乃至１０のうち、いずれか１項記載の蒸着装置。
【請求項１２】
前記切り離し手段は、前記配管部に設置された遮断バルブを含むことを特徴とする請求項１１記載の蒸着装置。
【請求項１３】
前記切り離し手段は、前記配管部に設置された継手部を含むことを特徴とする請求項１１または１２記載の蒸着装置。
【請求項１４】
前記気体原料と混合されて、当該気体原料とともに前記処理容器に供給されるキャリアガスを導入する、キャリアガス導入ラインを有することを特徴とする請求項８乃至１３のうち、いずれか１項記載の蒸着装置。
【請求項１５】
前記原料供給装置は前記処理容器の外側に設置されていることを特徴とする請求項８乃至１４のうち、いずれか１項記載の蒸着装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００７−９２１４９（Ｐ２００７−９２１４９Ａ）
【公開日】平成１９年４月１２日（２００７．４．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２８５０３１（Ｐ２００５−２８５０３１）
【出願日】平成１７年９月２９日（２００５．９．２９）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年４月１２日（２００７．４．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月２９日（２００５．９．２９）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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