基板及び照明装置
【課題】 より光を取り出すことが可能な基板及び照明装置を提供する。
【解決手段】 絶縁層６と、前記絶縁層６上の一部に形成されている第１の配線層７と、前記第１の配線層７上に形成されている第２の配線層８と、前記第２の配線層８の一部を囲んで露出するように形成されている開口部Ｋを有し、前記絶縁層６と前記第２の配線層８を覆うように設けられ、光を反射する樹脂から形成されているレジスト層９とを有することを特徴としている。
【解決手段】 絶縁層６と、前記絶縁層６上の一部に形成されている第１の配線層７と、前記第１の配線層７上に形成されている第２の配線層８と、前記第２の配線層８の一部を囲んで露出するように形成されている開口部Ｋを有し、前記絶縁層６と前記第２の配線層８を覆うように設けられ、光を反射する樹脂から形成されているレジスト層９とを有することを特徴としている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、ＬＥＤを用いた基板及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤを用いた照明装置は、基板上に形成され、例えばＣｕから形成されている配線層と、配線層の一部に形成されたレジスト層とを含んで形成している基板を使用し、露出した配線層上にＬＥＤチップが設けられている構造であった。
【０００３】
また、基板のレジスト層は、ＬＥＤチップからの光を出来るだけ取り出すために、高反射可能なレジスト層を用いてきた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２９８１１７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の照明装置では、配線層が透けて見えるような厚みのレジスト層であった場合、ＬＥＤチップからの光の一部がレジスト層を透過してしまい、Ｃｕ等の反射率が低い配線層に光が吸収されてしまい、光の取り出し効率が悪かった。
【０００６】
そこで本発明では、より光を取り出すことが可能な基板及び照明装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、実施形態の基板は、絶縁層と、絶縁層上の一部に形成されている第１の配線層と、第１の配線層上に形成されている第２の配線層と、第２の配線層の一部を囲んで露出するように形成されている開口部を有し、絶縁層と第２の配線層を覆うように設けられ、光を反射する樹脂から形成されているレジスト層とを有することを特徴としている。
【０００８】
また、実施形態の照明装置は、請求項１に記載の基板と、基板の開口部に設けられている接続材と、電極が形成されており、接続材上に位置合わせして設けられているＬＥＤパッケージとを有することを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る照明装置を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図。
【図２】本発明の実施形態に係る光の波長に対する反射率の関係を示す図。
【図３】本発明の応用例に係るＬＥＤパッケージを示す上面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態に係るより光を取り出すことが可能な基板及び照明装置を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】
まず、本発明の実施形態に係る照明装置について、図１，図２を参照して説明する。図１（ａ），（ｂ）に示すように、照明装置１は、基板２と接合材３、ＬＥＤパッケージ４とから構成されている。
【００１２】
基板２は、基材５、絶縁層６、第１の配線層７、第２の配線層８、レジスト層９とから構成されている。基材５は、Ａｌから形成されているものを用いており、ＬＥＤチップに電流を流した際に発生する熱を効率よく放熱するために設けている。なお、本実施形態では基材５がＡｌから形成されているが、これに限られることはなく、放熱性の高い金属から形成されていればよい。また、本実施形態の基板２は基材５を有する構造となっているが、これに限られることはなく、絶縁層６の一部を第１の配線層７ではさみこむような構造であってもよく、例えばガラスエポキシ基板やコンポジット基板を用いてもよい。
【００１３】
絶縁層６は、基材５上に設けられており、基材５と第１の配線層７との導通を防ぐために設けられている。また、絶縁層６は絶縁性の樹脂から形成されている。
【００１４】
第１の配線層７は、絶縁層６上の一部に形成されており、Ｃｕから形成されている。また、第２の配線層８は、第１の配線層７上に設けられており、Ａｇのめっき層により形成されている。実際に、図２に示すようにＡｇとＣｕの可視光領域の波長である３５０ｎｍ〜７００ｎｍの波長の光反射率を比較すると、全波長に対してＡｇの光反射率が高いことが分かる。
【００１５】
なお、本実施形態では、第２の配線層８はＡｇのめっき層から形成されているがこれに限られることはなく、例えばＡｌやＳｎ、Ａｕ等の第１の配線層７よりも反射率の高い導電性金属から形成されていればよい。また、本実施形態では第１の配線層７上に直接第２の配線層８を設けているが、これに限られることはなく、第１の配線層７と第２の配線層８との間に複数の配線層を設けてもよい。その場合、複数の配線層は例えばＮｉやＰｄ等の導電性金属を用いて形成するとよい。
【００１６】
また、第２の配線層８は２μｍ以上の厚みに形成されている。これは、２μｍ未満の厚みに形成した場合、第１の配線層７へと光が透過してしまい、十分に光を反射させることができないため、２μｍ以上の厚みに形成している。
【００１７】
この様に、第１の配線層７よりも光反射率の高い第２の配線層８を形成することにより、光がレジスト層９を透過した際に、光をより反射することが可能となるので、より光を取り出すことができる。
【００１８】
レジスト層９は、第２の配線層８の一部を囲んで露出するように複数の開口部Ｋが形成されており、後述するＬＥＤパッケージ４の第１，第２の電極１０，１１と接続させるために位置合わせして形成されている。そして、絶縁層６と第２の配線層８を覆うように形成されている。また、レジスト層９はＬＥＤからの光が直接絶縁層６に入射するのを防ぐため、光を反射しやすい、白色の樹脂を用いて形成している。
【００１９】
このように、開口部Ｋを除いて連続的にレジスト層９を形成することにより、ＬＥＤパッケージ４から出射される光がどのような所から入射しても反射することが可能となり、光をより取り出すことが可能となる。その結果、光の配光角を広くすることができる。また、ＬＥＤパッケージ４の第１，第２の電極１０，１１と接続するための複数の開口部Ｋの間にレジスト層９が設けられていることにより、対象となる電極とは異なる電極へと通電してショートを引き起こす等の不具合を抑制することが可能となる。
【００２０】
接合材３は、レジスト層９に形成されている開口部Ｋ内に充填されている。そして、接合材３はレジスト層９の表面Ｈより高くなるように形成されている。これにより、ＬＥＤパッケージ４の第１，第２の電極１０，１１と第２の配線層８とを確実に接続させることが可能となる。接合材３の材質としては、例えば半田やＡｇペースト等の導電性のものを用いている。
【００２１】
ＬＥＤパッケージ４は、基板２上に複数設けられており、第１，第２の電極１０，１１と、ＬＥＤチップ１２と、第１，第２のワイヤ１３，１４と、封止樹脂１５とから構成されている。なお、本実施形態では、ＬＥＤパッケージ４が基板２上に複数設けられているが、これに限られることはなく、１つでも良い。
【００２２】
第１の電極１０は、導電性の金属から形成されており、ＬＥＤチップ１２を設けるための第１のフレームとしての役割を果たしている。また、第２の電極１１も導電性金属から形成されており、第２のフレームとしての役割を果たしている。
【００２３】
ＬＥＤチップ１２は、第１の電極１０上に設けられており、本実施形態では１つ設けられている。
【００２４】
第１のワイヤ１３は、ＬＥＤチップ１２と第１の電極１０とを接続しており、第２のワイヤ１４は、ＬＥＤチップ１２と第２の電極１１とを接続している。第１，第２のワイヤ１３，１４の材質としては、例えばＡｕ等の導電性の金属から形成されている。
【００２５】
封止樹脂１５は、第１，第２の電極１０，１１と、ＬＥＤチップ１２と、第１，第２のワイヤ１３，１４とを覆うように設けられている。また、封止樹脂１５は蛍光体を含む樹脂により形成されている。
【００２６】
なお、本実施形態のＬＥＤパッケージ４ではＬＥＤチップ１２が１つ設けられているが、これに限られることはなく、例えば図３に示すように複数のＬＥＤチップ１２を設けてもよい。
【００２７】
この場合、第１，第２の電極１０，１１をそれぞれ１つ用意し、複数のＬＥＤチップ１２を第１の電極１０上に一定間隔を空けて設けている。そして、それぞれのＬＥＤチップ１２と第１の電極１０とを接続するために、複数の第１のワイヤ１３が形成されている。また、ぞれぞれのＬＥＤチップ１２と第２の電極１１とを接続するために、複数の第２のワイヤ１４が形成されている。そして、封止樹脂１５は、第１，第２の電極１０，１１と、複数のＬＥＤチップ１２と、複数の第１，第２のワイヤ１３，１４を覆うように設けられている。
【００２８】
以上、本実施形態によれば、照明装置１は、絶縁層６上に第１の配線層７と、第１の配線層７上に形成されている第２の配線層８と、第２の配線層８の一部を囲んで露出するように複数の開口部Ｋが形成され、絶縁層６と第２の配線層８を覆うように形成されているレジスト層９を有する基板２を用いている。また、第２の配線層８は、第１の配線層７よりも光の反射率が高い材質のものを用いている。
【００２９】
これにより、光がレジスト層９を透過して入射しても、第１の配線層７よりも光の反射率の高い第２の配線層８により反射することが可能となるので、より光を取り出すことができる。
【００３０】
また、開口部Ｋを除いて連続的にレジスト層９を形成していることから、ＬＥＤパッケージ４から出射される光がどのような所から入射しても反射することが可能となるため、光をより取り出すことができ、その結果、光の配光角を広くすることができる。
【００３１】
更に、ＬＥＤパッケージ４の第１，第２の電極１０，１１と接続するための複数の開口部Ｋの間にレジスト層９が設けられていることにより、対象となる電極とは異なる電極へと通電することで発生するショートを抑制することが可能となる。
【００３２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他のさまざまな形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３３】
１…照明装置
２…基板
３…接合材
４…ＬＥＤパッケージ
５…基材
６…絶縁層
７…第１の配線層
８…第２の配線層
９…レジスト層
１０…第１の電極
１１…第２の電極
１２…ＬＥＤチップ
１３…第１のワイヤ
１４…第２のワイヤ
１５…封止樹脂
Ｋ…開口部
Ｈ…表面
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、ＬＥＤを用いた基板及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤを用いた照明装置は、基板上に形成され、例えばＣｕから形成されている配線層と、配線層の一部に形成されたレジスト層とを含んで形成している基板を使用し、露出した配線層上にＬＥＤチップが設けられている構造であった。
【０００３】
また、基板のレジスト層は、ＬＥＤチップからの光を出来るだけ取り出すために、高反射可能なレジスト層を用いてきた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２９８１１７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の照明装置では、配線層が透けて見えるような厚みのレジスト層であった場合、ＬＥＤチップからの光の一部がレジスト層を透過してしまい、Ｃｕ等の反射率が低い配線層に光が吸収されてしまい、光の取り出し効率が悪かった。
【０００６】
そこで本発明では、より光を取り出すことが可能な基板及び照明装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、実施形態の基板は、絶縁層と、絶縁層上の一部に形成されている第１の配線層と、第１の配線層上に形成されている第２の配線層と、第２の配線層の一部を囲んで露出するように形成されている開口部を有し、絶縁層と第２の配線層を覆うように設けられ、光を反射する樹脂から形成されているレジスト層とを有することを特徴としている。
【０００８】
また、実施形態の照明装置は、請求項１に記載の基板と、基板の開口部に設けられている接続材と、電極が形成されており、接続材上に位置合わせして設けられているＬＥＤパッケージとを有することを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る照明装置を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図。
【図２】本発明の実施形態に係る光の波長に対する反射率の関係を示す図。
【図３】本発明の応用例に係るＬＥＤパッケージを示す上面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態に係るより光を取り出すことが可能な基板及び照明装置を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】
まず、本発明の実施形態に係る照明装置について、図１，図２を参照して説明する。図１（ａ），（ｂ）に示すように、照明装置１は、基板２と接合材３、ＬＥＤパッケージ４とから構成されている。
【００１２】
基板２は、基材５、絶縁層６、第１の配線層７、第２の配線層８、レジスト層９とから構成されている。基材５は、Ａｌから形成されているものを用いており、ＬＥＤチップに電流を流した際に発生する熱を効率よく放熱するために設けている。なお、本実施形態では基材５がＡｌから形成されているが、これに限られることはなく、放熱性の高い金属から形成されていればよい。また、本実施形態の基板２は基材５を有する構造となっているが、これに限られることはなく、絶縁層６の一部を第１の配線層７ではさみこむような構造であってもよく、例えばガラスエポキシ基板やコンポジット基板を用いてもよい。
【００１３】
絶縁層６は、基材５上に設けられており、基材５と第１の配線層７との導通を防ぐために設けられている。また、絶縁層６は絶縁性の樹脂から形成されている。
【００１４】
第１の配線層７は、絶縁層６上の一部に形成されており、Ｃｕから形成されている。また、第２の配線層８は、第１の配線層７上に設けられており、Ａｇのめっき層により形成されている。実際に、図２に示すようにＡｇとＣｕの可視光領域の波長である３５０ｎｍ〜７００ｎｍの波長の光反射率を比較すると、全波長に対してＡｇの光反射率が高いことが分かる。
【００１５】
なお、本実施形態では、第２の配線層８はＡｇのめっき層から形成されているがこれに限られることはなく、例えばＡｌやＳｎ、Ａｕ等の第１の配線層７よりも反射率の高い導電性金属から形成されていればよい。また、本実施形態では第１の配線層７上に直接第２の配線層８を設けているが、これに限られることはなく、第１の配線層７と第２の配線層８との間に複数の配線層を設けてもよい。その場合、複数の配線層は例えばＮｉやＰｄ等の導電性金属を用いて形成するとよい。
【００１６】
また、第２の配線層８は２μｍ以上の厚みに形成されている。これは、２μｍ未満の厚みに形成した場合、第１の配線層７へと光が透過してしまい、十分に光を反射させることができないため、２μｍ以上の厚みに形成している。
【００１７】
この様に、第１の配線層７よりも光反射率の高い第２の配線層８を形成することにより、光がレジスト層９を透過した際に、光をより反射することが可能となるので、より光を取り出すことができる。
【００１８】
レジスト層９は、第２の配線層８の一部を囲んで露出するように複数の開口部Ｋが形成されており、後述するＬＥＤパッケージ４の第１，第２の電極１０，１１と接続させるために位置合わせして形成されている。そして、絶縁層６と第２の配線層８を覆うように形成されている。また、レジスト層９はＬＥＤからの光が直接絶縁層６に入射するのを防ぐため、光を反射しやすい、白色の樹脂を用いて形成している。
【００１９】
このように、開口部Ｋを除いて連続的にレジスト層９を形成することにより、ＬＥＤパッケージ４から出射される光がどのような所から入射しても反射することが可能となり、光をより取り出すことが可能となる。その結果、光の配光角を広くすることができる。また、ＬＥＤパッケージ４の第１，第２の電極１０，１１と接続するための複数の開口部Ｋの間にレジスト層９が設けられていることにより、対象となる電極とは異なる電極へと通電してショートを引き起こす等の不具合を抑制することが可能となる。
【００２０】
接合材３は、レジスト層９に形成されている開口部Ｋ内に充填されている。そして、接合材３はレジスト層９の表面Ｈより高くなるように形成されている。これにより、ＬＥＤパッケージ４の第１，第２の電極１０，１１と第２の配線層８とを確実に接続させることが可能となる。接合材３の材質としては、例えば半田やＡｇペースト等の導電性のものを用いている。
【００２１】
ＬＥＤパッケージ４は、基板２上に複数設けられており、第１，第２の電極１０，１１と、ＬＥＤチップ１２と、第１，第２のワイヤ１３，１４と、封止樹脂１５とから構成されている。なお、本実施形態では、ＬＥＤパッケージ４が基板２上に複数設けられているが、これに限られることはなく、１つでも良い。
【００２２】
第１の電極１０は、導電性の金属から形成されており、ＬＥＤチップ１２を設けるための第１のフレームとしての役割を果たしている。また、第２の電極１１も導電性金属から形成されており、第２のフレームとしての役割を果たしている。
【００２３】
ＬＥＤチップ１２は、第１の電極１０上に設けられており、本実施形態では１つ設けられている。
【００２４】
第１のワイヤ１３は、ＬＥＤチップ１２と第１の電極１０とを接続しており、第２のワイヤ１４は、ＬＥＤチップ１２と第２の電極１１とを接続している。第１，第２のワイヤ１３，１４の材質としては、例えばＡｕ等の導電性の金属から形成されている。
【００２５】
封止樹脂１５は、第１，第２の電極１０，１１と、ＬＥＤチップ１２と、第１，第２のワイヤ１３，１４とを覆うように設けられている。また、封止樹脂１５は蛍光体を含む樹脂により形成されている。
【００２６】
なお、本実施形態のＬＥＤパッケージ４ではＬＥＤチップ１２が１つ設けられているが、これに限られることはなく、例えば図３に示すように複数のＬＥＤチップ１２を設けてもよい。
【００２７】
この場合、第１，第２の電極１０，１１をそれぞれ１つ用意し、複数のＬＥＤチップ１２を第１の電極１０上に一定間隔を空けて設けている。そして、それぞれのＬＥＤチップ１２と第１の電極１０とを接続するために、複数の第１のワイヤ１３が形成されている。また、ぞれぞれのＬＥＤチップ１２と第２の電極１１とを接続するために、複数の第２のワイヤ１４が形成されている。そして、封止樹脂１５は、第１，第２の電極１０，１１と、複数のＬＥＤチップ１２と、複数の第１，第２のワイヤ１３，１４を覆うように設けられている。
【００２８】
以上、本実施形態によれば、照明装置１は、絶縁層６上に第１の配線層７と、第１の配線層７上に形成されている第２の配線層８と、第２の配線層８の一部を囲んで露出するように複数の開口部Ｋが形成され、絶縁層６と第２の配線層８を覆うように形成されているレジスト層９を有する基板２を用いている。また、第２の配線層８は、第１の配線層７よりも光の反射率が高い材質のものを用いている。
【００２９】
これにより、光がレジスト層９を透過して入射しても、第１の配線層７よりも光の反射率の高い第２の配線層８により反射することが可能となるので、より光を取り出すことができる。
【００３０】
また、開口部Ｋを除いて連続的にレジスト層９を形成していることから、ＬＥＤパッケージ４から出射される光がどのような所から入射しても反射することが可能となるため、光をより取り出すことができ、その結果、光の配光角を広くすることができる。
【００３１】
更に、ＬＥＤパッケージ４の第１，第２の電極１０，１１と接続するための複数の開口部Ｋの間にレジスト層９が設けられていることにより、対象となる電極とは異なる電極へと通電することで発生するショートを抑制することが可能となる。
【００３２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他のさまざまな形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３３】
１…照明装置
２…基板
３…接合材
４…ＬＥＤパッケージ
５…基材
６…絶縁層
７…第１の配線層
８…第２の配線層
９…レジスト層
１０…第１の電極
１１…第２の電極
１２…ＬＥＤチップ
１３…第１のワイヤ
１４…第２のワイヤ
１５…封止樹脂
Ｋ…開口部
Ｈ…表面
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上の一部に形成されている第１の配線層と、
前記第１の配線層上に形成されている第２の配線層と、
前記第２の配線層の一部を囲んで露出するように形成されている開口部を有し、前記絶縁層と前記第２の配線層を覆うように設けられ、光を反射する樹脂から形成されているレジスト層と、
を有することを特徴とする基板。
【請求項２】
前記第２の配線層は前記第１の配線層よりも反射率が高いことを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記第２の配線層は、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｎ、Ａｕのうち、いずれか１つから形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板。
【請求項４】
前記レジスト層の前記樹脂は、白色樹脂であることを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の基板。
【請求項５】
請求項１に記載の基板と、
前記基板の前記開口部に設けられている接続材と、
電極が形成されており、前記接続材上に位置合わせして設けられているＬＥＤパッケージと、
を有することを特徴とする照明装置。
【請求項６】
前記ＬＥＤパッケージは、前記レジスト層と一定の間隔を設けて配置されていることを特徴とする請求項５記載の照明装置。
【請求項７】
前記第２の配線層は前記第１の配線層よりも反射率が高いことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の照明装置。
【請求項８】
前記第２の配線層は、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｎ、Ａｕのうち、いずれか１つから形成されていることを特徴とする請求項５乃至請求項７に記載の照明装置。
【請求項９】
前記レジスト層の前記樹脂は、白色樹脂であることを特徴とする請求項５乃至請求項８に記載の照明装置。
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上の一部に形成されている第１の配線層と、
前記第１の配線層上に形成されている第２の配線層と、
前記第２の配線層の一部を囲んで露出するように形成されている開口部を有し、前記絶縁層と前記第２の配線層を覆うように設けられ、光を反射する樹脂から形成されているレジスト層と、
を有することを特徴とする基板。
【請求項２】
前記第２の配線層は前記第１の配線層よりも反射率が高いことを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記第２の配線層は、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｎ、Ａｕのうち、いずれか１つから形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板。
【請求項４】
前記レジスト層の前記樹脂は、白色樹脂であることを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の基板。
【請求項５】
請求項１に記載の基板と、
前記基板の前記開口部に設けられている接続材と、
電極が形成されており、前記接続材上に位置合わせして設けられているＬＥＤパッケージと、
を有することを特徴とする照明装置。
【請求項６】
前記ＬＥＤパッケージは、前記レジスト層と一定の間隔を設けて配置されていることを特徴とする請求項５記載の照明装置。
【請求項７】
前記第２の配線層は前記第１の配線層よりも反射率が高いことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の照明装置。
【請求項８】
前記第２の配線層は、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｎ、Ａｕのうち、いずれか１つから形成されていることを特徴とする請求項５乃至請求項７に記載の照明装置。
【請求項９】
前記レジスト層の前記樹脂は、白色樹脂であることを特徴とする請求項５乃至請求項８に記載の照明装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１２−２１２７１１（Ｐ２０１２−２１２７１１Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−７６４０９（Ｐ２０１１−７６４０９）
【出願日】平成２３年３月３０日（２０１１．３．３０）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月３０日（２０１１．３．３０）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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