導電膜を用いた電極及びその製造方法
【課題】 偏向電極の厚さを薄くすることを可能にし、アレイの高密度化を容易にし、荷電粒子線の照射によるチャージアップの可能性を低くする。
【解決手段】 基板601に第1の開孔602を形成し、前記開孔の表面に絶縁膜605を形成した後、この絶縁膜上に導電薄膜604を形成する。その後、前記開孔表面の導電薄膜604を、それぞれの開孔について分離する。前記開孔表面の導電薄膜の分離では、第1の開孔602内に樹脂を充填した後、第1の開孔602の外側の隣接した位置に、第2の開孔603を形成し、第2の開孔603内に表出する、第1の開孔602の側面の絶縁層を除去し、かつ第2の開孔603内に表出する、第1の開孔602の側面導電薄膜を除去する。
【解決手段】 基板601に第1の開孔602を形成し、前記開孔の表面に絶縁膜605を形成した後、この絶縁膜上に導電薄膜604を形成する。その後、前記開孔表面の導電薄膜604を、それぞれの開孔について分離する。前記開孔表面の導電薄膜の分離では、第1の開孔602内に樹脂を充填した後、第1の開孔602の外側の隣接した位置に、第2の開孔603を形成し、第2の開孔603内に表出する、第1の開孔602の側面の絶縁層を除去し、かつ第2の開孔603内に表出する、第1の開孔602の側面導電薄膜を除去する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、複数の荷電粒子線を偏向させるための、導電膜を用いた電極、及びその電極の製造方法に係わり、特に、半導体集積回路などの露光に用いられる電子ビーム露光装置、イオンビーム露光装置などの荷電粒子線露光装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
複数の電子ビームを用いてパターン描画を行うマルチ電子ビーム露光装置の例として、”安田 洋:応用物理 69、1135(1994)”を示す。図11は、マルチ電子ビーム露光装置に用いられるブランキングアパ−チャアレイの断面図である。ブランキングアパ−チャアレイは開孔及び偏向器をアレイ状に配列したものであり、複数の電子ビームの照射を個別に制御することができる。
【0003】
ここで、図中、51が開孔を示し、52,53が第1及び第2のブランキング電極をそれぞれ示している。開孔を通過した荷電粒子ビームを試料上に照射する時には、第1及び第2のブランキング電極52,53に接地電位の信号を同時に印加し、遮断する時には、第1及び第2のブランキング電極52,53に正負の電位を同時に印加する。
【0004】
また、ブランキングアパ−チャアレイの作製方法として、シリコンなどの半導体結晶の基板に複数の開孔を所定間隔で2次元的に形成し、各開孔周囲に偏向電極対を形成する方法が紹介されている。
【0005】
具体的には、シリコン基板の表面に、ブランキングアパ−チャアレイに対応した凹部を形成し、各々の凹部に隣接して偏向電極をメッキにより形成した後、前記基板表面から、メッキ下地として使われた導体層を除去し、その後で前記シリコン基板を、その裏面の一部を除き保護した状態で実行する。
【特許文献1】特開平09−245708号公報
【非特許文献1】安田 洋:応用物理 69、1135(1994)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、従来の偏向電極は、以下の課題を有している。
偏向電極が金メッキの埋め戻しで作製されている。この電極寸法は、高さ40μm、幅約18μmであり、このときの開孔寸法は25μmである。更なるアレイの高密度化のために、メッキ幅を小さくすると、メッキパターンのアスペクト比の増加により、金メッキの埋め戻しが困難になる可能性がある。
また、従来のブランキングアパ−チャアレイは、以下の課題を有している。
【0007】
偏向電極の付近に例えばシリコン酸化膜などの絶縁体が広範囲に露出している。そのため、荷電粒子線が照射された場合に、チャージアップを引き起こし、開孔を通過する荷電粒子線に影響を与える恐れがある。このため、荷電粒子線の適切な偏向及び位置制御が行われず、精度良くウエハを露光することが困難になる可能性がある。
【0008】
本発明は、偏向電極の厚さを薄くすることができ、アレイの高密度化が容易になり、偏向器における絶縁体の露出部分を低減して、荷電粒子線の照射によるチャージアップの可能性を低くすることができ、安定した動作を得ることができる導電膜を用いた電極及びその形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記目的を達成するために、本発明は、基板に第1の複数の開孔を形成する開孔形成工程と、前記複数の開孔の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記複数の開孔表面の導電膜を、それぞれの開孔について少なくとも2つ以上に分離する導電膜分離工程と、を含むことを特徴とする電極の製造方法を提供するものである。
【0010】
前記導電膜分離工程では、前記複数の開孔内に樹脂を充填する樹脂充填工程と、前記第1の複数の開孔外側の隣接した位置に、第2の複数の開孔を形成する開孔形成工程と、前記第2の複数の開孔内に表出する、前記第1の複数の開孔側面の絶縁層を除去する側面絶縁層除去工程と、前記第2の複数の開孔内に表出する、前記第1の複数の開孔の側面導電膜を除去する側面導電膜除去工程と、を含むことを特徴とすることができる。
【0011】
また、前記開孔内に樹脂を充填する工程では、スキージ法により、前記樹脂を充填することを特徴としてもよく、前記導電膜形成工程では、無電解メッキ法を含むことを特徴としてもよい。
【0012】
また、本発明は、荷電粒子線用の偏向器アレイ構造体の製造方法であって、上記いずれかの電極の製造方法を利用するものであることを特徴とすることができる。
【0013】
また、本発明は、基板に第1の複数の開孔を形成する開孔形成工程と、前記複数の開孔の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記複数の開孔表面の導電膜を、それぞれの開孔について少なくとも2つ以上に分離する導電膜分離工程と、によって製造される電極であってもよい。前記導電膜は、電極部と、前記電極部に接続された配線部とを備えてなることが好ましく、前記分離された導電膜の一部が、電気的に接地されてシールド電極を形成することを特徴としてもよい。
【0014】
また、本発明は、複数の荷電粒子線を偏向する偏向器アレイ構造体であって、上述の電極で構成することを特徴とする、偏向器アレイ構造体であってもよい。
【0015】
本発明に係る露光装置は、複数の荷電粒子線により露光対象にパターンを露光する露光装置であって、前記複数の荷電粒子線の軌道を制御することにより、前記複数の荷電粒子線の前記露光対象への照射を個別に制御するための偏向器アレイ構造体を備え、前記偏向器アレイ構造体は前記偏向器アレイ構造体であることを特徴とする。
【0016】
本発明は、上記露光装置を用いて、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法にも適用できる。
【発明の効果】
【0017】
以上、説明したように本発明によれば、偏向電極の厚さを薄くすることが可能となり、アレイの高密度化が容易になる。また、偏向器は、絶縁体の露出部分を低減しているので、荷電粒子線の照射によるチャージアップの可能性を低くすることができ、安定した動作を期待できる。また、偏向器アレイ構造体を荷電粒子線の露光装置に用いることで、信頼性の高い露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0018】
本発明の実施の形態について、実施例を挙げて図面を参照しながら詳細に説明する。
【実施例1】
【0019】
(薄膜電極の形成方法)
薄膜電極の形成方法について、図1-1(A)〜(F)、図1-2(G)〜(J)及び図1-3(K)〜(O)を用いて説明する。例えば、以下の(1)〜(15)に示す工程により、薄膜電極を形成する。
【0020】
(1)薄膜電極の基板201として、例えばシリコン基板を用意する。厚さは、例えば200μmのものを用いる。基板201厚さは、偏向感度を決定する重要な要素である。次に、熱酸化法を用いて、基板201の表裏面に、例えば、膜厚1.5μmの二酸化シリコンの絶縁膜202を形成する(図1-1(A))。
【0021】
(2)フォトリソグラフィを行い、基板201の表面にエッチングのマスクのレジストパターンを形成する(不図示)。次に、CF4やCHF3等のガスを用いた反応性イオンエッチングを行い、二酸化シリコンの絶縁膜202をエッチングする。その後、シリコン基板に、誘導結合型プラズマ及び、BOSCHプロセスを用いた反応性イオンエッチングを行い、シリコン基板201の裏面の二酸化シリコンを露出させ、第1の開孔203を形成する(図1-1(B))。
【0022】
(3)バッファードフッ酸水溶液を用いて、基板201の表裏面の二酸化シリコンを除去する(不図示)。その後、基板201の表裏面及び開孔203の側壁に絶縁膜204として、例えば熱酸化法を用いて、膜厚1.5μmの二酸化シリコンを形成する(図1-1(C))。
【0023】
(4)基板201の表裏面及び開孔203の側壁に、スパッタ法を用いて、密着層205として、例えば、クロムを膜厚0.05μmに成膜し、続いて、導電薄膜206として例えば膜厚0.3μmの金薄膜を連続成膜する。その後、前記金薄膜上に、例えば、無電解メッキ法を用いて、膜厚2μmの金薄膜を成膜し、導電薄膜206を形成する(図1-1(D))。
【0024】
(5)第1の開孔203内に埋めこみレジストパターン207を、例えば、ネガレジストをスキージ法で充填し、露光後、ベークして、基板201の表裏面に残ったレジストは、エッチバック法で除去することにより形成する(図1-1(E))。このレジストパターン207は、後述のポジレジストと、除去選択性を有する。
【0025】
(6)基板201の表面に、ポジレジストを用いてフォトリソグラフィを行い、エッチングマスクのレジストパターン208を形成する。次に、ドライエッチングにより、導電薄膜206の金薄膜及び、密着膜205のクロム薄膜をエッチングし、基板表面の導電薄膜206及び、密着膜205をパターニングする。これにより、基板表面の導電薄膜206及び、密着膜205で形成されるパターンが分離される(図1-1(F))。
【0026】
(7)基板201の表面のレジストパターンを例えばアセトン及びイソプロピルアルコールを用いて除去する(不図示)。その後、基板201の裏面に、ポジレジストを用いてフォトリソグラフィを行い、エッチングマスクのレジストパターン209を形成する。次に、ドライエッチングにより、導電薄膜206の金薄膜及び、密着膜205のクロム膜をエッチングし、基板201の裏面の導電薄膜206及び、密着膜205をパターニングする。これにより、基板201の表面の導電薄膜206及び、密着膜205で形成されるパターンが分離される(図1-2(G))。
【0027】
(8)基板201の裏面のレジストパターンを例えばアセトン及びイソプロピルアルコールを用いて除去する(不図示)。その後、基板201の裏面に、ポジレジストを用いてフォトリソグラフィを行い、エッチングマスクとしてレジストパターン210を形成する
。次に、CF4やCHF3等のガスを用いた反応性イオンエッチングを行い、基板201の裏面の絶縁膜204の二酸化シリコンをエッチングし、シリコンを露出させる(図1-2(H))。
【0028】
(9)基板201の裏面のレジストパターンを例えばアセトン及びイソプロピルアルコールを用いて除去する(不図示)。その後、基板201の裏面に、ポジレジストを用いてフォトリソグラフィを行い、レジストパターン211を形成する。その後、基板201の表面に、ポジレジストを用いてフォトリソグラフィを行い、レジストパターン212を形成する。次に、CF4やCHF3等のガスを用いた反応性イオンエッチングを行い、基板201の表面の絶縁膜204の二酸化シリコンをエッチングし、シリコンを露出させる(図1-2(I))。
【0029】
(10)シリコン基板を誘導結合型プラズマ及び、BOSCHプロセスを用いた反応性イオンエッチングを行い、シリコン基板に第2の開孔213を形成する(図1-2(J))。
【0030】
(11)第2の開孔213の側面のシリコンを、例えばXeF2ガスを用いた等方性エッチングを用いてエッチングし、第1の開口203の側面の絶縁膜215の二酸化シリコンを露出させる(図1-3(K))。
【0031】
(12)第2の開孔213の側面に露出した、第1の開孔203の側面の絶縁膜215の二酸化シリコンを、例えば、バッファードフッ酸水溶液を用いてエッチングし、第2の開孔213の側面の密着膜216のクロム膜を露出させる(図1-3(L))。
【0032】
(13)第2の開孔213の側面に露出した、第1の開孔203の側面の密着膜216のクロム膜を硝酸第2アンモニウムセリウムと過塩素酸の混合水溶液でウェットエッチングし、導電薄膜217の金薄膜を露出させる(図1-3(M))。
【0033】
(14)第1の開孔203の側面の導電薄膜217の金薄膜をウェットエッチングし、埋めこみレジスト部207を露出させる。これにより、薄膜電極が分離される(図1-3(N))。
【0034】
(15)基板201の裏面のレジストパターン211及び基板表面のレジストパターン212を例えば、アセトンとイソプロピルアルコールを用いて除去する。次に、第1の開孔204内に充填したネガレジスト207を例えばレジスト剥離液により除去する(図1-3(O))。
【0035】
図2に、実施例1の形成方法で形成した導電薄膜電極の平断面を示す。これは、図1-3(O)のA-A’断面図である。基板221に形成された第1の開孔222の側壁に、第2の開孔223により2つに分離された導電薄膜電極224A,224Bが形成されている。また導電薄膜電極224A,224Bは、絶縁膜225により、基板221と電気的に分離されている。
【0036】
図3は、実施例1の形成方法で形成した、図2の導電薄膜電極で構成される偏向器301を示す上面図である。図3の薄膜電極は配線302A,302Bと接続している。これらの配線に外部から所望の電圧を印加することにより、開孔304を通過する荷電粒子線は偏向可能である。
【0037】
図3に示す偏向器301は、グランドに設置された導電薄膜からなるシールド電極303A,303Bを有している。これにより、二酸化シリコン305の露出が低減されているため、荷電粒子線が照射された場合に、開孔304を通過する荷電粒子線への影響を低
減することが可能になる。
【0038】
また、本実施例の偏向器301は、これを同一の基板上に、アレイ状に配置する構成として、偏向器アレイとしても良い。
【0039】
図4は、図3のAA’断面図である。この偏向器401は、基板402に形成された開孔403の側壁と基板402の上面および下面に導電薄膜電極404A,404Bを有している。導電薄膜電極404A,404Bは、絶縁膜405により、基板402と電気的に絶縁されている。
【0040】
図5は、図3のBB’断面図である。偏向器501において、基板502に形成された開孔503により、図4の導電薄膜電極404A,404Bは、分離される。また、基板表裏面の導電薄膜からなるシールド電極504は、グランドに接続されており、絶縁膜505により基板502と電気的に絶縁されている。
【0041】
図6は、実施例1の形成方法で形成した導電薄膜電極の断面を示す。これは、図1-3(O)のA-A’断面図である。基板601に形成された第1の開孔602の側壁に、第2の開孔603により4つに分離された導電薄膜電極604が形成されている。また導電薄膜電極604は、絶縁膜605により、基板601と電気的に絶縁されている。
【実施例2】
【0042】
(電子ビーム露光装置の構成要素の説明)
本発明に係わる実施例2では、実施例1において説明した荷電粒子線の偏向器アレイ構造体をブランカーアレイとして用いた電子線露光装置の例を示す。なお、電子線に限らずイオンビームを用いた露光装置にも同様に適用できる。
【0043】
図7は、本発明の実施例2に係わる電子線露光装置の要部概略図であって、(a)が立面図であり、(b)が平面図である。図8は図7の露光装置のカラム毎の電子光学系を説明するための図である。
【0044】
図8において、1は、複数の電子像を形成し、その電子源像から電子ビームを放射するマルチソースモジュールである。このマルチソースモジュール1は、3×3に配列されていて、その詳細については後述する。
【0045】
21,22,23,24は、磁界レンズアレイであって、3×3に配列された同一形状の開孔を有する磁性体円板MDが、間隔を置いて上下に配置され、共通のコイルCCによって励磁されるものである。その結果、各開孔部分が各磁界レンズML1〜4の磁極となり、設計上レンズ磁界を発生させる。
【0046】
各マルチソースモジュール1の複数の電子源像は、磁界レンズアレイ21,22,23,24の対応する4つの磁界レンズ(ML1,ML2,ML3,ML4)によってウエハ4上に投影される。そして、ひとつのマルチソースモジュールからの電子ビームがウエハを照射するまでに、その電子ビームに作用する光学系をカラムと定義する。すなわち、本実施例は、9カラム(col.1〜col.9)の構成である。
【0047】
この時、複数の電子源の像は、磁界レンズアレイ21と磁界レンズアレイ22の対応する2つの磁界レンズで、一度、像を形成し、次にその像を磁界レンズアレイ23と磁界レンズアレイ24の対応する2つの磁界レンズでウエハ4上に投影している。そして、磁界レンズアレイ21,22,23,24のそれぞれの励起条件を共通コイルCCで個別に制御することにより、各カラムの光学特性(焦点位置、像の回転、倍率)のそれぞれを略一
様に、言い換えれば、同じ量だけ調整することができる。
【0048】
3は、マルチソースモジュール1からの複数の電子ビームを偏向させて、複数の電子源像をウエハ4上でX,Y方向に変位させる主偏向器である。
【0049】
5は、ウエハ4を載置し、光軸AX(Z軸)と直交するXY軸方向とZ軸回りの回転方向に移動可能なステージであって、ステージ基準板6が固定されている。
【0050】
7は、電子ビームによってステージ基準板6上のマークが照射された際に生じる反射電子を検出する反射電子検出器である。
【0051】
次に、図8は、ひとつのカラムの詳細図であり、同図を用いてマルチソースモジュール1からウエハ4に照射される電子ビームの光学特性の調整機能について説明する。
【0052】
101は、電子銃が形成する電子源(クロスオーバ像)である。この電子源101から放射される電子ビームは、コンデンサーレンズ102によって略平行な電子ビームとなる。本実施例のコンデンサーレンズ102は、3枚の開孔電極からなる静電レンズである。
【0053】
103は、開孔が2次元配列して形成されたアパ−チャアレイである。104は、同一の光学パワーを有する静電レンズが2次元配列して形成された偏向器アレイである。107は、個別に駆動可能な静電の8極偏向器が2次元配列して形成されたブランカーアレイである。実施例2において、説明した偏光器は、ブランカーとして用いられ、本実施例においてはブランカーアレイを形成する。
【0054】
図9を用いて各機能を説明する。コンデンサーレンズ102からの略平行な電子ビームは、アパ−チャアレイ103によって複数の電子ビームに分割される。分割された電子ビームは、対応するレンズアレイ104の静電レンズを介して、ブランカーアレイ107の対応するブランカー上に、電子源の中間像を形成する。
【0055】
この時、偏向器アレイ105,106は、ブランカーアレイ107上に、電子源の中間像の位置(光軸と直交する面内の位置)を個別に調整する。また、ブランカーアレイ107で偏向された電子ビームは、図8のブランキングアパ−チャAPによって遮断されるため、ウエハ4には照射されない。一方ブランカーアレイ107で偏向された電子ビームは、図8のブランキングアパ−チャAPによって遮断されないために、ウエハ4には照射される。
【0056】
図8に戻り、マルチソースモジュール1で形成された電子源の複数の中間像は、磁界レンズアレイ21と磁界レンズアレイ22の対応する2つの磁界レンズを介して、ウエハ4上に投影される。
【0057】
この時、複数の中間像がウエハ4に投影される際の光学特性のうち、像の回転、倍率は、ブランカーアレイ上の各中間像の位置を調整できる偏向器アレイ104,105で調整でき、焦点位置は、カラム毎に設けられたダイナミックフォーカスレンズ(静電もしくは磁界レンズ)108,109で調整できる。
【0058】
次に本実施例のシステム構成図を図10に示す。
ブランカーアレイ制御回路41は、ブランカーアレイ107を構成する複数のブランカーを個別に制御する回路であり、偏向器アレイ制御回路42は偏向器アレイ104,105を構成する偏向器を個別に制御する回路である。D_FOCUS制御回路43は、ダイナミックフォーカスレンズ108,109を個別に制御する回路であり、主偏向器制御回路44
は、主偏向器3を制御する回路であり、反射電子検出回路45は、反射電子検出器7からの信号を処理する回路である。これらのブランカーアレイ制御回路41、偏向器アレイ制御回路42、D_FOCUS制御回路43、主偏向器制御回路44、および反射電子検出回路45は、カラムの数(col.1〜col.9)と同じだけ装備されている。
【0059】
磁界レンズアレイ制御回路46は、磁界レンズアレイ21,22,23,24のそれぞれの共通コイルを制御する回路であり、ステージ駆動制御回路47は、ステージの位置を検出する不図示のレーザ干渉計と共同してステージ5を駆動制御する制御回路である。主制御系48は、上記複数の制御回路を制御し、電子ビーム露光装置全体を管理する。
【実施例3】
【0060】
次に、本発明の実施例3として、上記実施例に係る露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図12は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(EBデータ変換)では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。
【0061】
一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記露光制御データが入力された露光装置とウエハを用い、リソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ7でこれを出荷する。
【0062】
上記ステップ4のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するCVDステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに焼付け露光する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【0063】
【図1−1】本発明の実施例1に係る薄膜電極の形成方法を説明するための断面図である。
【図1−2】本発明の実施例1に係る薄膜電極の形成方法を説明するための断面図である。
【図1−3】本発明の実施例1に係る薄膜電極の形成方法を説明するための断面図である。
【図2】図1-3(O)のAA’断面図である。
【図3】図1-3(O)の上面図である。
【図4】図3のAA’断面図である。
【図5】図3のBB’断面図である。
【図6】本発明の実施例1に係る薄膜電極の平面図である。
【図7】本発明の実施例2に係る電子ビーム露光装置の要部概略を示す図である。
【図8】本発明の実施例2に係るカラム毎の電子光学系を説明するための図である。
【図9】本発明の実施例2に係るマルチソースモジュールの機能を説明するための図である。
【図10】本発明の実施例に係るシステム構成を説明するための図である。
【図11】背景技術を説明するための図である。
【図12】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【符号の説明】
【0064】
1:マルチソースモジュール、3:主偏向器、4:ウエハ、5:ステージ、6:ステージ基準板、7:反射電子検出器、ML1,ML2,ML3,ML4:磁界レンズ、CC:共通コイル、MD:磁性体円板、ES:電子源、MLA:磁界レンズアレイ、21,22,23,24:磁界レンズアレイ、41:ブランカーアレイ制御装置、42:偏向器アレイ制御装置、43:D_FOCUS制御回路、44:主偏向制御回路、45:反射電子検出回路、46:磁界レンズアレイ制御回路、47:ステージ駆動制御回路、48:主制御系、51:開口、52:第1ブランキング電極、53:第2ブランキング電極、101:電子源、102:コンデンサー、103:アパ−チャアレイ、104:レンズアレイ、105,106:偏向器アレイ、107 ブランカーアレイ、108,109:ダイナミックフォーカスレンズ、201:基板、202:絶縁膜、203:第1の開孔、204:絶縁膜、205:密着膜、206:導電薄膜、207:レジストパターン、208:レジストパターン、209:レジストパターン、210:レジストパターン、211:レジストパターン、212:レジストパターン、213:第2の開孔、214:基板、215:絶縁膜、216:密着膜、217:導電薄膜、218:開孔、221:基板、222:第1の開孔、223:第2の開孔、224A,224B:導電薄膜電極、225:絶縁膜、301:偏向器、302A、302B:配線、303A,303B:シールド電極、304:開孔、305:絶縁膜、401:偏向器、402:基板、403:開孔、404A,404B:配線及び導電薄膜電極、405:絶縁膜、501:偏向器、502:基板、503:開孔、504:シールド電極、505:絶縁膜、601:基板、602:第1の開孔、603:第2の開孔、604:導電薄膜電極、605:絶縁膜。
【技術分野】
【0001】
本発明は、複数の荷電粒子線を偏向させるための、導電膜を用いた電極、及びその電極の製造方法に係わり、特に、半導体集積回路などの露光に用いられる電子ビーム露光装置、イオンビーム露光装置などの荷電粒子線露光装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
複数の電子ビームを用いてパターン描画を行うマルチ電子ビーム露光装置の例として、”安田 洋:応用物理 69、1135(1994)”を示す。図11は、マルチ電子ビーム露光装置に用いられるブランキングアパ−チャアレイの断面図である。ブランキングアパ−チャアレイは開孔及び偏向器をアレイ状に配列したものであり、複数の電子ビームの照射を個別に制御することができる。
【0003】
ここで、図中、51が開孔を示し、52,53が第1及び第2のブランキング電極をそれぞれ示している。開孔を通過した荷電粒子ビームを試料上に照射する時には、第1及び第2のブランキング電極52,53に接地電位の信号を同時に印加し、遮断する時には、第1及び第2のブランキング電極52,53に正負の電位を同時に印加する。
【0004】
また、ブランキングアパ−チャアレイの作製方法として、シリコンなどの半導体結晶の基板に複数の開孔を所定間隔で2次元的に形成し、各開孔周囲に偏向電極対を形成する方法が紹介されている。
【0005】
具体的には、シリコン基板の表面に、ブランキングアパ−チャアレイに対応した凹部を形成し、各々の凹部に隣接して偏向電極をメッキにより形成した後、前記基板表面から、メッキ下地として使われた導体層を除去し、その後で前記シリコン基板を、その裏面の一部を除き保護した状態で実行する。
【特許文献1】特開平09−245708号公報
【非特許文献1】安田 洋:応用物理 69、1135(1994)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、従来の偏向電極は、以下の課題を有している。
偏向電極が金メッキの埋め戻しで作製されている。この電極寸法は、高さ40μm、幅約18μmであり、このときの開孔寸法は25μmである。更なるアレイの高密度化のために、メッキ幅を小さくすると、メッキパターンのアスペクト比の増加により、金メッキの埋め戻しが困難になる可能性がある。
また、従来のブランキングアパ−チャアレイは、以下の課題を有している。
【0007】
偏向電極の付近に例えばシリコン酸化膜などの絶縁体が広範囲に露出している。そのため、荷電粒子線が照射された場合に、チャージアップを引き起こし、開孔を通過する荷電粒子線に影響を与える恐れがある。このため、荷電粒子線の適切な偏向及び位置制御が行われず、精度良くウエハを露光することが困難になる可能性がある。
【0008】
本発明は、偏向電極の厚さを薄くすることができ、アレイの高密度化が容易になり、偏向器における絶縁体の露出部分を低減して、荷電粒子線の照射によるチャージアップの可能性を低くすることができ、安定した動作を得ることができる導電膜を用いた電極及びその形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記目的を達成するために、本発明は、基板に第1の複数の開孔を形成する開孔形成工程と、前記複数の開孔の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記複数の開孔表面の導電膜を、それぞれの開孔について少なくとも2つ以上に分離する導電膜分離工程と、を含むことを特徴とする電極の製造方法を提供するものである。
【0010】
前記導電膜分離工程では、前記複数の開孔内に樹脂を充填する樹脂充填工程と、前記第1の複数の開孔外側の隣接した位置に、第2の複数の開孔を形成する開孔形成工程と、前記第2の複数の開孔内に表出する、前記第1の複数の開孔側面の絶縁層を除去する側面絶縁層除去工程と、前記第2の複数の開孔内に表出する、前記第1の複数の開孔の側面導電膜を除去する側面導電膜除去工程と、を含むことを特徴とすることができる。
【0011】
また、前記開孔内に樹脂を充填する工程では、スキージ法により、前記樹脂を充填することを特徴としてもよく、前記導電膜形成工程では、無電解メッキ法を含むことを特徴としてもよい。
【0012】
また、本発明は、荷電粒子線用の偏向器アレイ構造体の製造方法であって、上記いずれかの電極の製造方法を利用するものであることを特徴とすることができる。
【0013】
また、本発明は、基板に第1の複数の開孔を形成する開孔形成工程と、前記複数の開孔の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記複数の開孔表面の導電膜を、それぞれの開孔について少なくとも2つ以上に分離する導電膜分離工程と、によって製造される電極であってもよい。前記導電膜は、電極部と、前記電極部に接続された配線部とを備えてなることが好ましく、前記分離された導電膜の一部が、電気的に接地されてシールド電極を形成することを特徴としてもよい。
【0014】
また、本発明は、複数の荷電粒子線を偏向する偏向器アレイ構造体であって、上述の電極で構成することを特徴とする、偏向器アレイ構造体であってもよい。
【0015】
本発明に係る露光装置は、複数の荷電粒子線により露光対象にパターンを露光する露光装置であって、前記複数の荷電粒子線の軌道を制御することにより、前記複数の荷電粒子線の前記露光対象への照射を個別に制御するための偏向器アレイ構造体を備え、前記偏向器アレイ構造体は前記偏向器アレイ構造体であることを特徴とする。
【0016】
本発明は、上記露光装置を用いて、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法にも適用できる。
【発明の効果】
【0017】
以上、説明したように本発明によれば、偏向電極の厚さを薄くすることが可能となり、アレイの高密度化が容易になる。また、偏向器は、絶縁体の露出部分を低減しているので、荷電粒子線の照射によるチャージアップの可能性を低くすることができ、安定した動作を期待できる。また、偏向器アレイ構造体を荷電粒子線の露光装置に用いることで、信頼性の高い露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0018】
本発明の実施の形態について、実施例を挙げて図面を参照しながら詳細に説明する。
【実施例1】
【0019】
(薄膜電極の形成方法)
薄膜電極の形成方法について、図1-1(A)〜(F)、図1-2(G)〜(J)及び図1-3(K)〜(O)を用いて説明する。例えば、以下の(1)〜(15)に示す工程により、薄膜電極を形成する。
【0020】
(1)薄膜電極の基板201として、例えばシリコン基板を用意する。厚さは、例えば200μmのものを用いる。基板201厚さは、偏向感度を決定する重要な要素である。次に、熱酸化法を用いて、基板201の表裏面に、例えば、膜厚1.5μmの二酸化シリコンの絶縁膜202を形成する(図1-1(A))。
【0021】
(2)フォトリソグラフィを行い、基板201の表面にエッチングのマスクのレジストパターンを形成する(不図示)。次に、CF4やCHF3等のガスを用いた反応性イオンエッチングを行い、二酸化シリコンの絶縁膜202をエッチングする。その後、シリコン基板に、誘導結合型プラズマ及び、BOSCHプロセスを用いた反応性イオンエッチングを行い、シリコン基板201の裏面の二酸化シリコンを露出させ、第1の開孔203を形成する(図1-1(B))。
【0022】
(3)バッファードフッ酸水溶液を用いて、基板201の表裏面の二酸化シリコンを除去する(不図示)。その後、基板201の表裏面及び開孔203の側壁に絶縁膜204として、例えば熱酸化法を用いて、膜厚1.5μmの二酸化シリコンを形成する(図1-1(C))。
【0023】
(4)基板201の表裏面及び開孔203の側壁に、スパッタ法を用いて、密着層205として、例えば、クロムを膜厚0.05μmに成膜し、続いて、導電薄膜206として例えば膜厚0.3μmの金薄膜を連続成膜する。その後、前記金薄膜上に、例えば、無電解メッキ法を用いて、膜厚2μmの金薄膜を成膜し、導電薄膜206を形成する(図1-1(D))。
【0024】
(5)第1の開孔203内に埋めこみレジストパターン207を、例えば、ネガレジストをスキージ法で充填し、露光後、ベークして、基板201の表裏面に残ったレジストは、エッチバック法で除去することにより形成する(図1-1(E))。このレジストパターン207は、後述のポジレジストと、除去選択性を有する。
【0025】
(6)基板201の表面に、ポジレジストを用いてフォトリソグラフィを行い、エッチングマスクのレジストパターン208を形成する。次に、ドライエッチングにより、導電薄膜206の金薄膜及び、密着膜205のクロム薄膜をエッチングし、基板表面の導電薄膜206及び、密着膜205をパターニングする。これにより、基板表面の導電薄膜206及び、密着膜205で形成されるパターンが分離される(図1-1(F))。
【0026】
(7)基板201の表面のレジストパターンを例えばアセトン及びイソプロピルアルコールを用いて除去する(不図示)。その後、基板201の裏面に、ポジレジストを用いてフォトリソグラフィを行い、エッチングマスクのレジストパターン209を形成する。次に、ドライエッチングにより、導電薄膜206の金薄膜及び、密着膜205のクロム膜をエッチングし、基板201の裏面の導電薄膜206及び、密着膜205をパターニングする。これにより、基板201の表面の導電薄膜206及び、密着膜205で形成されるパターンが分離される(図1-2(G))。
【0027】
(8)基板201の裏面のレジストパターンを例えばアセトン及びイソプロピルアルコールを用いて除去する(不図示)。その後、基板201の裏面に、ポジレジストを用いてフォトリソグラフィを行い、エッチングマスクとしてレジストパターン210を形成する
。次に、CF4やCHF3等のガスを用いた反応性イオンエッチングを行い、基板201の裏面の絶縁膜204の二酸化シリコンをエッチングし、シリコンを露出させる(図1-2(H))。
【0028】
(9)基板201の裏面のレジストパターンを例えばアセトン及びイソプロピルアルコールを用いて除去する(不図示)。その後、基板201の裏面に、ポジレジストを用いてフォトリソグラフィを行い、レジストパターン211を形成する。その後、基板201の表面に、ポジレジストを用いてフォトリソグラフィを行い、レジストパターン212を形成する。次に、CF4やCHF3等のガスを用いた反応性イオンエッチングを行い、基板201の表面の絶縁膜204の二酸化シリコンをエッチングし、シリコンを露出させる(図1-2(I))。
【0029】
(10)シリコン基板を誘導結合型プラズマ及び、BOSCHプロセスを用いた反応性イオンエッチングを行い、シリコン基板に第2の開孔213を形成する(図1-2(J))。
【0030】
(11)第2の開孔213の側面のシリコンを、例えばXeF2ガスを用いた等方性エッチングを用いてエッチングし、第1の開口203の側面の絶縁膜215の二酸化シリコンを露出させる(図1-3(K))。
【0031】
(12)第2の開孔213の側面に露出した、第1の開孔203の側面の絶縁膜215の二酸化シリコンを、例えば、バッファードフッ酸水溶液を用いてエッチングし、第2の開孔213の側面の密着膜216のクロム膜を露出させる(図1-3(L))。
【0032】
(13)第2の開孔213の側面に露出した、第1の開孔203の側面の密着膜216のクロム膜を硝酸第2アンモニウムセリウムと過塩素酸の混合水溶液でウェットエッチングし、導電薄膜217の金薄膜を露出させる(図1-3(M))。
【0033】
(14)第1の開孔203の側面の導電薄膜217の金薄膜をウェットエッチングし、埋めこみレジスト部207を露出させる。これにより、薄膜電極が分離される(図1-3(N))。
【0034】
(15)基板201の裏面のレジストパターン211及び基板表面のレジストパターン212を例えば、アセトンとイソプロピルアルコールを用いて除去する。次に、第1の開孔204内に充填したネガレジスト207を例えばレジスト剥離液により除去する(図1-3(O))。
【0035】
図2に、実施例1の形成方法で形成した導電薄膜電極の平断面を示す。これは、図1-3(O)のA-A’断面図である。基板221に形成された第1の開孔222の側壁に、第2の開孔223により2つに分離された導電薄膜電極224A,224Bが形成されている。また導電薄膜電極224A,224Bは、絶縁膜225により、基板221と電気的に分離されている。
【0036】
図3は、実施例1の形成方法で形成した、図2の導電薄膜電極で構成される偏向器301を示す上面図である。図3の薄膜電極は配線302A,302Bと接続している。これらの配線に外部から所望の電圧を印加することにより、開孔304を通過する荷電粒子線は偏向可能である。
【0037】
図3に示す偏向器301は、グランドに設置された導電薄膜からなるシールド電極303A,303Bを有している。これにより、二酸化シリコン305の露出が低減されているため、荷電粒子線が照射された場合に、開孔304を通過する荷電粒子線への影響を低
減することが可能になる。
【0038】
また、本実施例の偏向器301は、これを同一の基板上に、アレイ状に配置する構成として、偏向器アレイとしても良い。
【0039】
図4は、図3のAA’断面図である。この偏向器401は、基板402に形成された開孔403の側壁と基板402の上面および下面に導電薄膜電極404A,404Bを有している。導電薄膜電極404A,404Bは、絶縁膜405により、基板402と電気的に絶縁されている。
【0040】
図5は、図3のBB’断面図である。偏向器501において、基板502に形成された開孔503により、図4の導電薄膜電極404A,404Bは、分離される。また、基板表裏面の導電薄膜からなるシールド電極504は、グランドに接続されており、絶縁膜505により基板502と電気的に絶縁されている。
【0041】
図6は、実施例1の形成方法で形成した導電薄膜電極の断面を示す。これは、図1-3(O)のA-A’断面図である。基板601に形成された第1の開孔602の側壁に、第2の開孔603により4つに分離された導電薄膜電極604が形成されている。また導電薄膜電極604は、絶縁膜605により、基板601と電気的に絶縁されている。
【実施例2】
【0042】
(電子ビーム露光装置の構成要素の説明)
本発明に係わる実施例2では、実施例1において説明した荷電粒子線の偏向器アレイ構造体をブランカーアレイとして用いた電子線露光装置の例を示す。なお、電子線に限らずイオンビームを用いた露光装置にも同様に適用できる。
【0043】
図7は、本発明の実施例2に係わる電子線露光装置の要部概略図であって、(a)が立面図であり、(b)が平面図である。図8は図7の露光装置のカラム毎の電子光学系を説明するための図である。
【0044】
図8において、1は、複数の電子像を形成し、その電子源像から電子ビームを放射するマルチソースモジュールである。このマルチソースモジュール1は、3×3に配列されていて、その詳細については後述する。
【0045】
21,22,23,24は、磁界レンズアレイであって、3×3に配列された同一形状の開孔を有する磁性体円板MDが、間隔を置いて上下に配置され、共通のコイルCCによって励磁されるものである。その結果、各開孔部分が各磁界レンズML1〜4の磁極となり、設計上レンズ磁界を発生させる。
【0046】
各マルチソースモジュール1の複数の電子源像は、磁界レンズアレイ21,22,23,24の対応する4つの磁界レンズ(ML1,ML2,ML3,ML4)によってウエハ4上に投影される。そして、ひとつのマルチソースモジュールからの電子ビームがウエハを照射するまでに、その電子ビームに作用する光学系をカラムと定義する。すなわち、本実施例は、9カラム(col.1〜col.9)の構成である。
【0047】
この時、複数の電子源の像は、磁界レンズアレイ21と磁界レンズアレイ22の対応する2つの磁界レンズで、一度、像を形成し、次にその像を磁界レンズアレイ23と磁界レンズアレイ24の対応する2つの磁界レンズでウエハ4上に投影している。そして、磁界レンズアレイ21,22,23,24のそれぞれの励起条件を共通コイルCCで個別に制御することにより、各カラムの光学特性(焦点位置、像の回転、倍率)のそれぞれを略一
様に、言い換えれば、同じ量だけ調整することができる。
【0048】
3は、マルチソースモジュール1からの複数の電子ビームを偏向させて、複数の電子源像をウエハ4上でX,Y方向に変位させる主偏向器である。
【0049】
5は、ウエハ4を載置し、光軸AX(Z軸)と直交するXY軸方向とZ軸回りの回転方向に移動可能なステージであって、ステージ基準板6が固定されている。
【0050】
7は、電子ビームによってステージ基準板6上のマークが照射された際に生じる反射電子を検出する反射電子検出器である。
【0051】
次に、図8は、ひとつのカラムの詳細図であり、同図を用いてマルチソースモジュール1からウエハ4に照射される電子ビームの光学特性の調整機能について説明する。
【0052】
101は、電子銃が形成する電子源(クロスオーバ像)である。この電子源101から放射される電子ビームは、コンデンサーレンズ102によって略平行な電子ビームとなる。本実施例のコンデンサーレンズ102は、3枚の開孔電極からなる静電レンズである。
【0053】
103は、開孔が2次元配列して形成されたアパ−チャアレイである。104は、同一の光学パワーを有する静電レンズが2次元配列して形成された偏向器アレイである。107は、個別に駆動可能な静電の8極偏向器が2次元配列して形成されたブランカーアレイである。実施例2において、説明した偏光器は、ブランカーとして用いられ、本実施例においてはブランカーアレイを形成する。
【0054】
図9を用いて各機能を説明する。コンデンサーレンズ102からの略平行な電子ビームは、アパ−チャアレイ103によって複数の電子ビームに分割される。分割された電子ビームは、対応するレンズアレイ104の静電レンズを介して、ブランカーアレイ107の対応するブランカー上に、電子源の中間像を形成する。
【0055】
この時、偏向器アレイ105,106は、ブランカーアレイ107上に、電子源の中間像の位置(光軸と直交する面内の位置)を個別に調整する。また、ブランカーアレイ107で偏向された電子ビームは、図8のブランキングアパ−チャAPによって遮断されるため、ウエハ4には照射されない。一方ブランカーアレイ107で偏向された電子ビームは、図8のブランキングアパ−チャAPによって遮断されないために、ウエハ4には照射される。
【0056】
図8に戻り、マルチソースモジュール1で形成された電子源の複数の中間像は、磁界レンズアレイ21と磁界レンズアレイ22の対応する2つの磁界レンズを介して、ウエハ4上に投影される。
【0057】
この時、複数の中間像がウエハ4に投影される際の光学特性のうち、像の回転、倍率は、ブランカーアレイ上の各中間像の位置を調整できる偏向器アレイ104,105で調整でき、焦点位置は、カラム毎に設けられたダイナミックフォーカスレンズ(静電もしくは磁界レンズ)108,109で調整できる。
【0058】
次に本実施例のシステム構成図を図10に示す。
ブランカーアレイ制御回路41は、ブランカーアレイ107を構成する複数のブランカーを個別に制御する回路であり、偏向器アレイ制御回路42は偏向器アレイ104,105を構成する偏向器を個別に制御する回路である。D_FOCUS制御回路43は、ダイナミックフォーカスレンズ108,109を個別に制御する回路であり、主偏向器制御回路44
は、主偏向器3を制御する回路であり、反射電子検出回路45は、反射電子検出器7からの信号を処理する回路である。これらのブランカーアレイ制御回路41、偏向器アレイ制御回路42、D_FOCUS制御回路43、主偏向器制御回路44、および反射電子検出回路45は、カラムの数(col.1〜col.9)と同じだけ装備されている。
【0059】
磁界レンズアレイ制御回路46は、磁界レンズアレイ21,22,23,24のそれぞれの共通コイルを制御する回路であり、ステージ駆動制御回路47は、ステージの位置を検出する不図示のレーザ干渉計と共同してステージ5を駆動制御する制御回路である。主制御系48は、上記複数の制御回路を制御し、電子ビーム露光装置全体を管理する。
【実施例3】
【0060】
次に、本発明の実施例3として、上記実施例に係る露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図12は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(EBデータ変換)では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。
【0061】
一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記露光制御データが入力された露光装置とウエハを用い、リソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ7でこれを出荷する。
【0062】
上記ステップ4のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するCVDステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに焼付け露光する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【0063】
【図1−1】本発明の実施例1に係る薄膜電極の形成方法を説明するための断面図である。
【図1−2】本発明の実施例1に係る薄膜電極の形成方法を説明するための断面図である。
【図1−3】本発明の実施例1に係る薄膜電極の形成方法を説明するための断面図である。
【図2】図1-3(O)のAA’断面図である。
【図3】図1-3(O)の上面図である。
【図4】図3のAA’断面図である。
【図5】図3のBB’断面図である。
【図6】本発明の実施例1に係る薄膜電極の平面図である。
【図7】本発明の実施例2に係る電子ビーム露光装置の要部概略を示す図である。
【図8】本発明の実施例2に係るカラム毎の電子光学系を説明するための図である。
【図9】本発明の実施例2に係るマルチソースモジュールの機能を説明するための図である。
【図10】本発明の実施例に係るシステム構成を説明するための図である。
【図11】背景技術を説明するための図である。
【図12】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【符号の説明】
【0064】
1:マルチソースモジュール、3:主偏向器、4:ウエハ、5:ステージ、6:ステージ基準板、7:反射電子検出器、ML1,ML2,ML3,ML4:磁界レンズ、CC:共通コイル、MD:磁性体円板、ES:電子源、MLA:磁界レンズアレイ、21,22,23,24:磁界レンズアレイ、41:ブランカーアレイ制御装置、42:偏向器アレイ制御装置、43:D_FOCUS制御回路、44:主偏向制御回路、45:反射電子検出回路、46:磁界レンズアレイ制御回路、47:ステージ駆動制御回路、48:主制御系、51:開口、52:第1ブランキング電極、53:第2ブランキング電極、101:電子源、102:コンデンサー、103:アパ−チャアレイ、104:レンズアレイ、105,106:偏向器アレイ、107 ブランカーアレイ、108,109:ダイナミックフォーカスレンズ、201:基板、202:絶縁膜、203:第1の開孔、204:絶縁膜、205:密着膜、206:導電薄膜、207:レジストパターン、208:レジストパターン、209:レジストパターン、210:レジストパターン、211:レジストパターン、212:レジストパターン、213:第2の開孔、214:基板、215:絶縁膜、216:密着膜、217:導電薄膜、218:開孔、221:基板、222:第1の開孔、223:第2の開孔、224A,224B:導電薄膜電極、225:絶縁膜、301:偏向器、302A、302B:配線、303A,303B:シールド電極、304:開孔、305:絶縁膜、401:偏向器、402:基板、403:開孔、404A,404B:配線及び導電薄膜電極、405:絶縁膜、501:偏向器、502:基板、503:開孔、504:シールド電極、505:絶縁膜、601:基板、602:第1の開孔、603:第2の開孔、604:導電薄膜電極、605:絶縁膜。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板に第1の複数の開孔を形成する開孔形成工程と、
前記複数の開孔の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜上に導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記複数の開孔表面の導電膜を、それぞれの開孔について少なくとも2つ以上に分離する導電膜分離工程と、
を含むことを特徴とする電極の製造方法。
【請求項2】
前記導電膜分離工程では、
前記複数の開孔内に樹脂を充填する樹脂充填工程と、
前記第1の複数の開孔外側の隣接した位置に、第2の複数の開孔を形成する開孔形成工程と、
前記第2の複数の開孔内に表出する、前記第1の複数の開孔側面の絶縁層を除去する側面絶縁層除去工程と、
前記第2の複数の開孔内に表出する、前記第1の複数の開孔の側面導電膜を除去する側面導電膜除去工程と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の電極の製造方法。
【請求項3】
前記開孔内に樹脂を充填する工程では、スキージ法により、前記樹脂を充填することを特徴とする請求項2に記載の電極の製造方法。
【請求項4】
前記導電膜形成工程では、無電解メッキ法を含むことを特徴とする請求項1に記載の電極の製造方法。
【請求項5】
荷電粒子線用の偏向器アレイ構造体の製造方法であって、請求項1〜4のいずれかに記載の電極の製造方法を利用するものであることを特徴とする、偏向器アレイ構造体の製造方法。
【請求項6】
基板に第1の複数の開孔を形成する開孔形成工程と、
前記複数の開孔の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜上に導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記複数の開孔表面の導電膜を、それぞれの開孔について少なくとも2つ以上に分離する導電膜分離工程と、
によって製造される電極。
【請求項7】
前記導電膜が、電極部と、前記電極部に接続された配線部とを備えてなることを特徴とする請求項6に記載の電極。
【請求項8】
前記分離された導電膜の一部が、電気的に接地されてシールド電極を形成することを特徴とする請求項6または7に記載の電極。
【請求項9】
複数の荷電粒子線を偏向する偏向器アレイ構造体であって、請求項6〜8のいずれか1つに記載の電極を構成することを特徴とする、偏向器アレイ構造体。
【請求項10】
複数の荷電粒子線により露光対象にパターンを露光する露光装置であって、前記複数の荷電粒子線の軌道を制御することにより、前記複数の荷電粒子線の前記露光対象への照射を個別に制御するための偏向器アレイ構造体を備え、前記偏向器アレイ構造体は請求項9に記載の偏向器アレイ構造体であることを特徴とする露光装置。
【請求項11】
請求項10に記載の露光装置を用いて、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項1】
基板に第1の複数の開孔を形成する開孔形成工程と、
前記複数の開孔の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜上に導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記複数の開孔表面の導電膜を、それぞれの開孔について少なくとも2つ以上に分離する導電膜分離工程と、
を含むことを特徴とする電極の製造方法。
【請求項2】
前記導電膜分離工程では、
前記複数の開孔内に樹脂を充填する樹脂充填工程と、
前記第1の複数の開孔外側の隣接した位置に、第2の複数の開孔を形成する開孔形成工程と、
前記第2の複数の開孔内に表出する、前記第1の複数の開孔側面の絶縁層を除去する側面絶縁層除去工程と、
前記第2の複数の開孔内に表出する、前記第1の複数の開孔の側面導電膜を除去する側面導電膜除去工程と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の電極の製造方法。
【請求項3】
前記開孔内に樹脂を充填する工程では、スキージ法により、前記樹脂を充填することを特徴とする請求項2に記載の電極の製造方法。
【請求項4】
前記導電膜形成工程では、無電解メッキ法を含むことを特徴とする請求項1に記載の電極の製造方法。
【請求項5】
荷電粒子線用の偏向器アレイ構造体の製造方法であって、請求項1〜4のいずれかに記載の電極の製造方法を利用するものであることを特徴とする、偏向器アレイ構造体の製造方法。
【請求項6】
基板に第1の複数の開孔を形成する開孔形成工程と、
前記複数の開孔の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜上に導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記複数の開孔表面の導電膜を、それぞれの開孔について少なくとも2つ以上に分離する導電膜分離工程と、
によって製造される電極。
【請求項7】
前記導電膜が、電極部と、前記電極部に接続された配線部とを備えてなることを特徴とする請求項6に記載の電極。
【請求項8】
前記分離された導電膜の一部が、電気的に接地されてシールド電極を形成することを特徴とする請求項6または7に記載の電極。
【請求項9】
複数の荷電粒子線を偏向する偏向器アレイ構造体であって、請求項6〜8のいずれか1つに記載の電極を構成することを特徴とする、偏向器アレイ構造体。
【請求項10】
複数の荷電粒子線により露光対象にパターンを露光する露光装置であって、前記複数の荷電粒子線の軌道を制御することにより、前記複数の荷電粒子線の前記露光対象への照射を個別に制御するための偏向器アレイ構造体を備え、前記偏向器アレイ構造体は請求項9に記載の偏向器アレイ構造体であることを特徴とする露光装置。
【請求項11】
請求項10に記載の露光装置を用いて、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【図1−1】
【図1−2】
【図1−3】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図1−2】
【図1−3】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【公開番号】特開2006−13389(P2006−13389A)
【公開日】平成18年1月12日(2006.1.12)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2004−192093(P2004−192093)
【出願日】平成16年6月29日(2004.6.29)
【出願人】(000001007)キヤノン株式会社 (59,756)
【出願人】(501387839)株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成18年1月12日(2006.1.12)
【国際特許分類】
【出願日】平成16年6月29日(2004.6.29)
【出願人】(000001007)キヤノン株式会社 (59,756)
【出願人】(501387839)株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Fターム(参考)】
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