平面表示装置およびその製造方法
【課題】発光層の発光効率を低下させることなく外光の反射を抑制する。
【解決手段】基板２００の一方の面に形成される画素電極２１０と，画素電極２１０の上に形成されて少なくとも発光層を含む有機膜２２０と，有機膜２２０の上に形成される対向電極２３０と，対向電極２３０の上に形成される透明膜２４０と，透明膜２４０の上に形成される半透過金属層２４２とを含んで構成されるようにした。そして，透明膜２４０は，有機膜，無機膜，またはその積層構造からなるようにし，その厚さが４００〜１３００Å，より好ましくは５００〜８００Åに形成されるようにした。また，半透過金属層２４２は，透過率が４０〜６０％の材質からなるようにし，その厚さが８０〜１２０Åに形成されるようにした。
【解決手段】基板２００の一方の面に形成される画素電極２１０と，画素電極２１０の上に形成されて少なくとも発光層を含む有機膜２２０と，有機膜２２０の上に形成される対向電極２３０と，対向電極２３０の上に形成される透明膜２４０と，透明膜２４０の上に形成される半透過金属層２４２とを含んで構成されるようにした。そして，透明膜２４０は，有機膜，無機膜，またはその積層構造からなるようにし，その厚さが４００〜１３００Å，より好ましくは５００〜８００Åに形成されるようにした。また，半透過金属層２４２は，透過率が４０〜６０％の材質からなるようにし，その厚さが８０〜１２０Åに形成されるようにした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，平面表示装置およびその製造方法にかかり，さらに詳しくは外光の反射を防止する部分に特徴のある平面表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の平面表示装置（平板表示装置）のうち，例えば有機電界発光（有機ＥＬ）表示装置は，外光の強度によって画像のコントラストが低下するといった問題があった。例えば，外光の強度が発光層の発光強度よりも大きい場合などには，コントラストが著しく低下するといった問題があった。また，特に黒色を表示する場合，周囲光が電極に反射することにより黒色の表示が良好に行われないといった問題があった。このような問題を解決するために，例えばブラックマトリックス（ＢＭ）膜などを発光領域に設けて外光を遮光する方法があるが，発光領域で外光を遮断して良好な黒色表示を行うことは，実際には大変難しい。従って，いかにして外光を遮光して，高コントラストでかつ黒表示が良好な画質を得るかが課題となっていた。
【０００３】
上記のような問題を解決するために，例えば図１に示すような，円偏光板１４０（ｃｉｒｃｕｌａｒ ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）で外光を遮断する方法が知られている。円偏光板１４０は，線形偏光板１４５（ｌｉｎｅｒ ｐｏｌａｒｉｚｅｒ；または直線偏光板）と１／４補償板１４１（１／４λ；または１／４波長板）からなる。このような円偏光板１４０においては，１／４補償板１４１の２軸（高速軸及び低速軸）がそれぞれ線形偏光板１４５の軸（直線偏光光の偏光方向）に対して４５°の角度をなすように配設することにより円偏光を得ることができる。したがって，外光は，先ず上記のように配設された線形偏光板１４５を通過することにより，１／４補償板１４１の軸側に４５°の角度に偏光される。そして，この偏光された光が１／４補償板１４１を通過するとき，光は螺旋運動をして円偏光となる。次に，上記円偏光された光がディスプレイの反射板で反射されると，螺旋運動の回転方向が逆転される。この回転方向が逆転された反射光が再び１／４補償板１４１を通過すると，光の回転は停止し，光は下の線形偏光板１４５の偏光面に対して９０°をなす線形偏光に変換される。そして，この線形偏光が線形偏光板１４５で吸収されることにより外光を遮断することができる。
【０００４】
そして，上記のような円偏光板１４０を適用した有機電界発光表示装置が開示されている（例えば，特許文献１参照）。かかる有機電界発光表示装置は，図１に示すように，円偏光板１４０，下部絶縁基板１００，透過型第１電極１１０，有機発光層１２０，反射型第２電極１３０などが積層された構造を有する。
【０００５】
そして，上記のような構造を有する有機電界表示装置の光透過率を実験により測定してみると，有機発光層１２０で発光された光のうち円偏光板１４０を透過する光はおよそ４４％であった。
【０００６】
このような実験による測定結果から，有機発光層１２０で発光された光の相当量が円偏光板１４０により吸収されてしまっていることがわかる。したがって，有機発光層１２０の実際の発光効率及びコントラストに対して，表示される画像の発光効率及びコントラストはかなり低下するといった問題がある。また，偏光板を使用することにより光の輝度が減少するため，所望の輝度を具現するためには相対的に高い電圧を印加しなければならず，その結果，消費電力が増加し，また，各素子の寿命が短縮するといった問題も生じる。更に，偏光板の値段が高価であるため，製造費用が増加し，製造工程も複雑になるといった問題もある。
【０００７】
一方，上記のような問題点を克服するため，カナダのルクセル社（Ｌｕｘｅｌｌ）では，偏光板を用いる代わりに，無機発光層と電極との間に吸収層および誘電体層を設けた無機ＥＬ素子が開発されている（例えば，非特許文献１参照）。上記技術では，例えば，発光層から発光された光と反射型の電極で反射された周囲光との間で光学干渉を発生させることにより，周囲光によって画像表示が損なわれるのを防止しており，その結果，黒画像の表示も良好に行われるようになる。
【０００８】
【特許文献１】米国特許第５，５９６，２４６号明細書
【非特許文献１】Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｉｌｉｔａｒｙ ａｎｄ Ａｅｒｏｓｐａｃｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ， Ｖｏｌｕｍｅ９，Ｎｏ．６，Ｊｕｎｅ，１９９８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし，非特許文献１に記載の技術では，良好な黒表示を行うためには，発光層からの光と電極で反射された周囲光とが効果的に干渉されるように薄膜の屈折率及び吸収率を考慮して各薄膜の厚さを精密に調節しなければならず，製造が困難であるという問題があった。
【００１０】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，発光層の発光効率を低下させることなく外光の反射を抑制することのできる平面表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板の一方の面（上部）に形成される画素電極と；上記画素電極の上に形成されて，少なくとも発光層を含む有機膜と；上記有機膜の上に（上記画素電極と対向して）形成される対向電極と；上記対向電極の上に形成される透明膜と；上記透明膜の上に形成される半透過金属層とを含んで構成されることを特徴とする平面表示装置（平板表示装置）が提供される。
【００１２】
このような本発明にかかる平面表示装置によれば，透明膜で位相反転された外光と半透過金属層で反射された外光が干渉して相殺されることにより，外光の反射が低減されて良好な黒表示を実現することができる。また，上記半透過金属層は，発光層で発光された光に対する吸収率が低いので，平面表示装置の発光効率及びコントラストを低下させることなく外光の反射を抑制することができる。
【００１３】
このとき，上記基板と上記画素電極との間に，複数の薄膜トランジスタをさらに含んでもよい。また，上記画素電極は反射電極であることができる。そして，上記有機膜は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔阻止層，電子輸送層，または電子注入層からなる群より選択される少なくとも一つの薄膜をさらに含んでもよい。
【００１４】
そして，上記対向電極は，透過率が１０〜４０％の材質からなるのがよい。また，上記対向電極は，Ｍｇ，ＭｇＡｇ，Ｃａ，ＣａＡｇ，Ａｇ，ＡｌＣａ，ＡｌＡｇ，ＬｉＭｇまたはＬｉからなる群より選択される１種により形成されることができる。また，上記対向電極の厚さは１５０〜２５０Åであるのがよく，より好ましくは，１８０Åであるのがよい。
【００１５】
そして，上記透明膜は有機膜または無機膜であることができる。また，上記透明膜の厚さは４００〜１３００Åであるのがよく，より好ましくは，５００〜８００Åであるのがよい。更に，上記透明膜は，有機膜と無機膜の積層構造であることができる。このとき，上記無機膜は，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮまたは透過性導電酸化膜（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ）からなる群より選択される少なくとも１種の薄膜からなることができる。
【００１６】
そして，上記半透過金属層は，透過率が４０〜６０％の材質からなるのがよい。また，上記半透過金属層は，Ｍｇ，Ａｇ，ＭｇＡｇ，Ｃｒ，ＰｔまたはＡｕからなる群より選択される１種からなることができる。そして，上記半透過金属層の厚さは８０〜１２０Åであるのがよい。
【００１７】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板の一方の面（上部）に形成される画素電極と；上記画素電極の上に形成されて，少なくとも発光層を含む有機膜と；上記有機膜の上に（上記画素電極と対向して）形成される対向電極と；上記対向電極の上に形成される位相反転層と；上記透明膜の上に形成される反射膜とを含んで構成されること，を特徴とする平面表示装置（平板表示装置）が提供される。
【００１８】
このような本発明にかかる平面表示装置によれば，位相反転層で位相反転された外光と反射膜で反射された外光が干渉して相殺されることにより，外光の反射が低減されて良好な黒表示を実現することができる。また，上記反射膜は，発光層で発光された光に対する吸収率が低いので，平面表示装置の発光効率及びコントラストを低下させることなく外光の反射を抑制することができる。
【００１９】
このとき，上記基板と上記画素電極との間に，複数の薄膜トランジスタをさらに含んでもよい。また，上記画素電極は反射電極であることができる。そして，上記有機膜は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔阻止層，電子輸送層，または電子注入層からなる群より選択される少なくとも一つの薄膜をさらに含んでもよい。
【００２０】
そして，上記対向電極は，透過率が１０〜４０％の材質からなるのがよい。また，上記対向電極は，Ｍｇ，ＭｇＡｇ，Ｃａ，ＣａＡｇ，Ａｇ，ＡｌＣａ，ＡｌＡｇ，ＬｉＭｇまたはＬｉからなる群より選択される１種により形成されることができる。また，上記対向電極の厚さは１５０〜２５０Åであるのがよく，より好ましくは，１８０Åであるのがよい。
【００２１】
そして，上記位相反転層は有機膜または無機膜であることができる。また，上記位相反転層の厚さは４００〜１３００Åであるのがよく，より好ましくは，５００〜８００Åであるのがよい。更に，上記位相反転層は，有機膜と無機膜の積層構造であることができる。このとき，上記無機膜は，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮまたは透過性導電酸化膜（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ）からなる群より選択される少なくとも１種の薄膜からなることができる。
【００２２】
そして，上記反射膜は，透過率が４０〜６０％の材質からなるのがよい。また，上記反射膜は，Ｍｇ，Ａｇ，ＭｇＡｇ，Ｃｒ，ＰｔまたはＡｕからなる群より選択される１種からなることができる。そして，上記反射膜の厚さは８０〜１２０Åであるのがよい。
【００２３】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板の一方の面（上部）に画素電極を形成する工程と；上記画素電極の上部に少なくとも発光層を含む有機膜を形成する工程と；上記有機膜の上部に（上記画素電極と対向して）対向電極を形成する工程と；上記対向電極の上部に透明膜を形成する工程と；上記透明膜の上部に半透過金属層を形成する工程とを含むこと，を特徴とする平面表示装置（平板表示装置）の製造方法が提供される。
【００２４】
このような本発明にかかる平面表示装置の製造方法によれば，透明膜で位相反転された外光と半透過金属層で反射された外光が干渉して相殺されることにより，外光の反射が低減されて良好な黒表示を実現することができる。また，上記半透過金属層は，発光層で発光された光に対する吸収率が低いので，平面表示装置の発光効率及びコントラストを低下させることなく外光の反射を抑制することができる。
【００２５】
このとき，上記基板と上記画素電極との間に，一つ以上の薄膜トランジスタをさらに形成する工程を含んでもよい。また，上記画素電極は反射電極であることができる。そして，上記有機膜は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔阻止層，電子輸送層，または電子注入層からなる群より選択される少なくとも一つの薄膜をさらに含んでもよい。
【００２６】
そして，上記対向電極は，透過率が１０〜４０％の材質からなるのがよい。また，上記対向電極は，Ｍｇ，ＭｇＡｇ，Ｃａ，ＣａＡｇ，Ａｇ，ＡｌＣａ，ＡｌＡｇ，ＬｉＭｇまたはＬｉからなる群より選択される１種により形成されることができる。また，上記対向電極の厚さは１５０〜２５０Åであるのがよい。
【００２７】
そして，上記透明膜は有機膜または無機膜であることができる。また，上記透明膜の厚さは４００〜１３００Åであるのがよく，より好ましくは，５００〜８００Åであるのがよい。更に，上記透明膜は，有機膜と無機膜の積層構造であることができる。このとき，上記無機膜は，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮまたは透過性導電酸化膜（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ）からなる群より選択される少なくとも１種の薄膜からなることができる。
【００２８】
そして，上記半透過金属層は，透過率が４０〜６０％の材質からなるのがよい。また，上記半透過金属層は，Ｍｇ，Ａｇ，ＭｇＡｇ，Ｃｒ，ＰｔまたはＡｕからなる群より選択される１種からなることができる。そして，上記半透過金属層の厚さは８０〜１２０Åであるのがよい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば，対向電極の表示面側に，透明膜と半透過金属層，または位相反転層と反射膜からなる積層構造を設けることにより，発光層の発光効率を低下させることなく外光の反射を防止することのできる平面表示装置及びその製造方法を提供できるものである。このように発光効率を低下させることなく外光の反射を防止できるようにしたことにより，発光効率及びコントラストに優れ，黒色表示が良好な画像を表示することがでる。また，発光層の発光効率が低下されないので，駆動電圧を低くして発光層の輝度を抑制しても，表示画像として要求される輝度を満たすことができるので，低電圧駆動が可能となり，平面表示装置の消費電力の節減及び寿命特性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３１】
先ず，本発明の実施の形態にかかる平面表示装置について説明する。図２は，本実施形態にかかる平面表示装置を示す断面図である。図２に基づいて，平面表示装置が有機電界発光表示装置である場合を例にとって説明する。
【００３２】
有機電界発光表示装置は，透明基板２００の上部に画素電極２１０が形成され，画素電極２１０の上部に少なくとも発光層を含む有機膜２２０が形成され，有機膜２２０の上部に対向電極２３０，透明膜２４０および半透過金属層２４２が順次形成される。すなわち，有機電界発光表示装置は，透明基板２００の一方の面に，画素電極２１０とこれに対向して設けられる対向電極２３０を有し，これら電極間に少なくとも発光層を含む有機膜２２０が形成される。
【００３３】
そして，本実施形態においては，対向電極２３０の表示面側に透明膜２４０及び半透過金属層２４２が更に積層形成される。透明膜２４０は，対向電極２３０から反射される光の位相を反転させることができる。半透過金属層２４２は，外部から入射する外光を反射させることができる。本実施形態においては，半透過金属層２４２で反射された外光と透明膜２４０で位相反転された外光が干渉して相殺されることにより，外光の反射を低減させて，良好な黒表示を実現している。また，透明膜２４０及び半透過金属層２４２は発光層で発光された光に対する吸収率が低いので，有機電界発光表示装置の発光効率及びコントラストを低下させることなく周囲光の反射を抑制することができる。ここで，本実施形態においては，対向電極２３０の上に透明膜２４０と半透過金属層２４２が順に積層形成されるが，対向電極２３０の上に位相反転層と反射膜が順に積層形成される構造とすることもできる。
【００３４】
ここで，透明基板２００と画素電極２１０間には，複数の薄膜トランジスタをさらに形成することができる。
【００３５】
画素電極２１０は，反射電極であって，Ａｌ，Ａｇまたはこれらの合金からなる反射膜の一方の面に，透過性導電酸化膜（ＴＣＯ：ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｏｘｉｄｅ）を積層して形成される。アルミニウム合金の例としては，Ａｌ−Ｎｄ（アルミネオジウム）などがある。また，透過性導電酸化膜の例としては，ＩＴＯ（酸化インジウムスズ），またはＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）などがある。
【００３６】
対向電極２３０は，半透過金属電極層であって，Ｍｇ，ＭｇＡｇ，Ｃａ，ＣａＡｇ，Ａｇ，ＡｌＣａ，ＡｌＡｇ，ＬｉＭｇまたはＬｉからなる群より選択される１種からなる。対向電極２３０は，１５０〜２５０Åの厚さに形成され，より好ましくは１８０Åの厚さに形成されるのがよい。
【００３７】
透明膜２４０は，対向電極１３０から反射される光の位相を反転させる位相反転層としての役割りを果たすことができる。透明膜２４０は，有機膜，無機膜，またはその積層構造であることができる。透明膜２４０が有機膜である場合，有機膜の材質は特に限定されず，透明膜２４０が無機膜である場合は，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮ，または透過性導電酸化膜などが使用可能である。かかる透明膜２４０は，４００〜１３００Åの厚さに形成されるのがよく，より好ましくは５００〜８００Åの厚さに形成されるのがよい。透明膜２４０の厚さの範囲が上記の範囲を外れると，半透過金属層２４２で反射された光との位相差によって外光を消滅させるのが困難になる。
【００３８】
半透過金属層２４２は，外部から入射する外光を反射させる反射膜としての役割りを果たすことができる。すなわち，半透過金属層２４２は，外光の一部を反射させることができる。半透過金属層２４２は，Ｍｇ，Ａｇ，ＭｇＡｇ，Ｃｒ，Ｐｔ，またはＡｕからなる群より選択される１種からなることができる。半透過金属層２４２は，６０〜１３０Åの厚さに形成されるのがよく，より好ましくは８０〜１２０Åの厚さに形成されるのがよい。また，半透過金属層２４２には，対向電極２３０よりも透過率が高い材質を使用するのがよい。例えば，対向電極２３０には透過率が１０〜４０％の材質を使用するのがよいが，このとき，半透過金属層２４２には透過率が４０〜６０％の材質を使用するのがよい。
【００３９】
次に，本発明の実施の形態にかかる平面表示装置の製造方法について説明する。以下に，平面表示装置が有機電界発光表示装置である場合を例にとって，製造方法について説明する。
【００４０】
先ず，透明基板２００の一方の面（表示面側）に画素電極２１０を形成する。画素電極２１０は透明電極であって，ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透過性導電酸化膜（ＴＣＯ）からなる。画素電極２１０は，その下部（透明基板２００側の面）に反射膜（図示せず）をさらに含む。この際，透明基板２００と画素電極２１０との間に，一つ以上の薄膜トランジスタをさらに形成することもできる。
【００４１】
次に，画素電極２１０の上部（表示面側）に，少なくとも発光層を含む有機膜２２０を形成する。ここで，有機膜２２０は，正孔注入層（ＨＩＬ），正孔伝達層（ＨＴＬ），正孔阻止層（ＨＢＬ），電子輸送層（ＥＴＬ），または電子注入層（ＥＩＬ）からなる群より選択される少なくとも一層をさらに含むことができる。
【００４２】
その後，有機膜２２０の上部（表示面側）に，対向電極２３０を形成する。対向電極２３０は半透過金属電極層であって，Ｍｇ，ＭｇＡｇ，Ｃａ，ＣａＡｇ，Ａｇ，ＡｌＣａ，ＡｌＡｇ，ＬｉＭｇまたはＬｉからなる群より選択される１種からなる。対向電極２３０は，１５０〜２５０Åの厚さに形成され，より好ましくは１８０Åの厚さに形成されるのがよい。
【００４３】
次に，対向電極２３０の上部（表示面側）に透明膜２４０を形成する。透明膜２４０は，有機膜，無機膜またはその積層構造であることができる。透明膜２４０の厚さは，４００〜１３００Åに形成されるのがよく，より好ましくは５００〜８００Åに形成されるのがよい。透明膜２４０の厚さの範囲が上記の範囲を外れると，半透過金属層２４２で反射された光との位相差によって外光を消滅させることができなくなるため，良好な黒表示を行うのが難しくなる。透明膜２４０が有機膜である場合，有機膜の種類としてはどのような種類の有機膜でも使用可能である。また，透明膜２４０が無機膜である場合，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮまたは透過性導電酸化膜（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｃｅ）などが使用可能である。かかる透明膜２４０は，対向電極１３０から反射される光の位相を反転させる位相反転層としての役割りを果たすことができる。
【００４４】
その後，透明膜２４０の上部（表示面側）に半透過金属層２４２を形成する。半透過金属層２４２は，Ｍｇ，Ａｇ，ＭｇＡｇ，Ｃｒ，ＰｔまたはＡｕからなる群より選択される１種から形成することができる。半透過金属層２４２は，８０〜１２０Åの厚さに形成されるのがよい。上記半透過金属層２４２の厚さの範囲は，透明膜２４０の厚さと調和して外光を干渉及び相殺させ得る最適の厚さ範囲である。半透過金属層２４２は反射膜であって，外部から入射する外光を反射させる。かか半透過金属層２４２で反射された外光と，透明膜２４０で位相反転された光とが干渉及び相殺されることによって，良好な黒表示を実現することができる。
【００４５】
このとき，透明膜２４０と半透過金属層２４２は，有機電界発光表示素子の発光領域においてパタニングされることもできる。
【００４６】
図３は，本実施形態による有機電界発光表示装置の輝度と，従来の技術による有機電界発光表示装置の輝度とを比較したグラフである。本実施形態においては，有機電界発光表示素子の対向電極の上部（表示面側）に，有機絶縁膜または無機絶縁膜で位相反転層（透明膜２４０）を形成し，位相反転層の上部（表示面側）に，ＭｇＡｇ膜で反射膜（半透過金属層２４２）を形成した。また，従来の技術においては，有機電界発光表示素子の対向電極の表示面側に，偏光板を配設した。
【００４７】
図３に示すように，対向電極の上部に偏光板を設けた従来の技術と比較すると，対向電極の上部に位相反転層及び反射膜を形成した本実施形態の場合の方が，輝度が著しく向上されていることがわかる。ここで，反射膜としてのＭｇＡｇ膜の厚さを，５０Åの厚さに形成した場合と１００Åの厚さに形成した場合とを比較すると，輝度はほぼ同一であった。
【００４８】
図４は，本実施形態による有機電界発光表示装置の発光効率と，従来の技術による有機電界発光表示装置の発光効率とを比較したグラフである。図３の場合と同様に，本実施形態としては，有機電界発光表示素子の対向電極の上部に位相反転層及び反射膜を形成し，従来の技術としては，有機電界発光表示素子の対向電極の上部に偏光板を形成した。図４を参照すると，本実施形態においては，従来の技術よりも発光効率が著しく向上することが分かる。
【００４９】
以下に，本実施形態にかかる平面表示装置によって，発光効率が向上されること，及び黒表示が改善されることを，実施例と比較例とを対照させながら説明する。下記に挙げる実施例は，本発明の理解を助けるためのものであり，本発明が下記の実施例に限定されるものではない。
【００５０】
＜実施例１＞
先ず，基板の上部（表示装置の画像表示側となる面の上）に，画素電極と，少なくとも発光層を含む有機膜と，対向電極とを順に積層形成した。ここで，上記有機膜の厚さは，色相によって異なるように形成し，赤色発光層及び緑色発光層はそれぞれ４００Åの厚さに，青色発光層は１５０Åの厚さに形成した。また，電子輸送層は２５０〜３００Åの厚さに形成した。そして，対向電極は１８０Åの厚さに形成した。
【００５１】
次に，上記対向電極の上部に透明膜及び半透過金属層を順に形成した。上記透明膜は５００〜８００Åの厚さに形成し，上記半透過金属層は８０〜１２０Åの厚さに形成した。そして，実施例１の有機電界発光表示装置の発光効率を測定したところ，赤色が８ｃｄ／Ａ，緑色が２８ｃｄ／Ａ，青色が１．４ｃｄ／Ａとなった。
【００５２】
＜比較例１＞
実施例１と同様に基板の上部に，画素電極，有機膜及び対向電極を順に積層形成した。対向電極の上部には，実施例１と同様の透明膜のみを形成した。比較例１の有機電界発光表示装置の発光効率は，赤色が１１ｃｄ／Ａ，緑色が５６ｃｄ／Ａ，青色が１．８ｃｄ／Ａであった。
【００５３】
＜比較例２＞
実施例１と同様に基板の上部に，画素電極，有機膜及び対向電極を順に積層形成した。
対向電極の上部には，偏光板を形成した。比較例２の有機電界発光表示装置の発光効率は，赤色が４．８ｃｄ／Ａ，緑色が２４ｃｄ／Ａ，青色が０．８ｃｄ／Ａであった。
【００５４】
下記表１に，実施例１，比較例１及び比較例２の有機電界発光表示装置の発光効率を比較できるように表示した。
【００５５】
【表１】
【００５６】
表１を参照すると，本発明の実施の形態である実施例１では，偏光板を使用した比較例２と比較すると，緑色の発光効率が１７０％，赤色の発光効率が１１６％，青色の発光効率が１７５％向上したことが分かる。
【００５７】
次に，本実施形態による平面表示装置によって，黒表示が改善されることを説明する。図５ａ〜図５ｃは，黒表示された画面を示す写真である。図５ａは，対向電極の上部に透明膜が積層形成された有機電界発光表示装置による黒表示画像である。図５ｂ及び図５ｃは，対向電極の上部に透明膜及び半透過金属層が積層形成された有機電界発光表示装置による黒表示画像である。そして，図５ｂの半透過金属層の厚さは５０Åであり，図５ｃの半透過金属層の厚さは１００Åである。図５ａ〜図５ｃを参照すると，半透過金属層が１００Åの厚さに積層された図５ｃの黒表示（写真の中心部）が最も優れていることが分かる。
【００５８】
次に，本実施形態にかかる有機電界発光表示装置の有機電界発光表示素子の反射率を測定した結果を示す。図６は，本実施形態による有機電界発光表示素子の反射率を示すグラフである。グラフのＡ線は，画素電極の反射率を示す。グラフのＣ線は，対向電極の上部に透明膜及び半透過金属層が積層されたときの反射率を示す。比較の参考として，反射率の高いアルミニウム（Ａｌ）の反射率を，Ｂ線として示した。
【００５９】
図６のグラフのＣ線を参照すると，本実施形態の，対向電極の上部に透明膜及び半透過金属層が積層された有機電界発光表示素子により，外光による反射率が著しく減少することが分かる。
【００６０】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６１】
例えば，本発明の実施の形態においては，有機電界発光表示装置を例にとって説明したが，本願発明は液晶表示装置に適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は，平面表示装置及びその製造方法に適用可能であり，特に有機電界発光表示装置及びその製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】従来の円偏光板を備えた有機電界発光表示装置を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態による有機電界発光表示装置を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態による有機電界発光表示装置と従来の技術による有機電界発光表示装置の輝度を示すグラフである。
【図４】本発明の実施の形態による有機電界発光表示装置と従来の技術による有機電界発光表示装置の発光効率を示すグラフである。
【図５ａ】対向電極の上部に透明膜が積層された構造を有する有機電界発光表示装置の黒表示画面である。
【図５ｂ】対向電極の上部に透明膜と厚さ５０Åの半透過金属層が積層された構造を有する有機電界発光表示装置の黒表示画面である。
【図５ｃ】対向電極の上部に透明膜と厚さ１００Åの半透過金属層が積層された構造を有する有機電界発光表示装置の黒表示画面である。
【図６】本発明の実施の形態による有機電界発光表示素子の反射率を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６４】
１００ 下部絶縁基板
１１０ 透過型第１電極
１２０ 有機発光層
１３０ 反射型第２電極
１４０ 円偏光板
１４１ １／４補償板（１／４波長板）
１４５ 線形偏光板（直線偏光板）
２００ 透明基板
２１０ 画素電極
２２０ 有機膜
２３０ 対向電極
２４０ 透明膜
２４２ 半透過金属層
【技術分野】
【０００１】
本発明は，平面表示装置およびその製造方法にかかり，さらに詳しくは外光の反射を防止する部分に特徴のある平面表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の平面表示装置（平板表示装置）のうち，例えば有機電界発光（有機ＥＬ）表示装置は，外光の強度によって画像のコントラストが低下するといった問題があった。例えば，外光の強度が発光層の発光強度よりも大きい場合などには，コントラストが著しく低下するといった問題があった。また，特に黒色を表示する場合，周囲光が電極に反射することにより黒色の表示が良好に行われないといった問題があった。このような問題を解決するために，例えばブラックマトリックス（ＢＭ）膜などを発光領域に設けて外光を遮光する方法があるが，発光領域で外光を遮断して良好な黒色表示を行うことは，実際には大変難しい。従って，いかにして外光を遮光して，高コントラストでかつ黒表示が良好な画質を得るかが課題となっていた。
【０００３】
上記のような問題を解決するために，例えば図１に示すような，円偏光板１４０（ｃｉｒｃｕｌａｒ ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）で外光を遮断する方法が知られている。円偏光板１４０は，線形偏光板１４５（ｌｉｎｅｒ ｐｏｌａｒｉｚｅｒ；または直線偏光板）と１／４補償板１４１（１／４λ；または１／４波長板）からなる。このような円偏光板１４０においては，１／４補償板１４１の２軸（高速軸及び低速軸）がそれぞれ線形偏光板１４５の軸（直線偏光光の偏光方向）に対して４５°の角度をなすように配設することにより円偏光を得ることができる。したがって，外光は，先ず上記のように配設された線形偏光板１４５を通過することにより，１／４補償板１４１の軸側に４５°の角度に偏光される。そして，この偏光された光が１／４補償板１４１を通過するとき，光は螺旋運動をして円偏光となる。次に，上記円偏光された光がディスプレイの反射板で反射されると，螺旋運動の回転方向が逆転される。この回転方向が逆転された反射光が再び１／４補償板１４１を通過すると，光の回転は停止し，光は下の線形偏光板１４５の偏光面に対して９０°をなす線形偏光に変換される。そして，この線形偏光が線形偏光板１４５で吸収されることにより外光を遮断することができる。
【０００４】
そして，上記のような円偏光板１４０を適用した有機電界発光表示装置が開示されている（例えば，特許文献１参照）。かかる有機電界発光表示装置は，図１に示すように，円偏光板１４０，下部絶縁基板１００，透過型第１電極１１０，有機発光層１２０，反射型第２電極１３０などが積層された構造を有する。
【０００５】
そして，上記のような構造を有する有機電界表示装置の光透過率を実験により測定してみると，有機発光層１２０で発光された光のうち円偏光板１４０を透過する光はおよそ４４％であった。
【０００６】
このような実験による測定結果から，有機発光層１２０で発光された光の相当量が円偏光板１４０により吸収されてしまっていることがわかる。したがって，有機発光層１２０の実際の発光効率及びコントラストに対して，表示される画像の発光効率及びコントラストはかなり低下するといった問題がある。また，偏光板を使用することにより光の輝度が減少するため，所望の輝度を具現するためには相対的に高い電圧を印加しなければならず，その結果，消費電力が増加し，また，各素子の寿命が短縮するといった問題も生じる。更に，偏光板の値段が高価であるため，製造費用が増加し，製造工程も複雑になるといった問題もある。
【０００７】
一方，上記のような問題点を克服するため，カナダのルクセル社（Ｌｕｘｅｌｌ）では，偏光板を用いる代わりに，無機発光層と電極との間に吸収層および誘電体層を設けた無機ＥＬ素子が開発されている（例えば，非特許文献１参照）。上記技術では，例えば，発光層から発光された光と反射型の電極で反射された周囲光との間で光学干渉を発生させることにより，周囲光によって画像表示が損なわれるのを防止しており，その結果，黒画像の表示も良好に行われるようになる。
【０００８】
【特許文献１】米国特許第５，５９６，２４６号明細書
【非特許文献１】Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｉｌｉｔａｒｙ ａｎｄ Ａｅｒｏｓｐａｃｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ， Ｖｏｌｕｍｅ９，Ｎｏ．６，Ｊｕｎｅ，１９９８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし，非特許文献１に記載の技術では，良好な黒表示を行うためには，発光層からの光と電極で反射された周囲光とが効果的に干渉されるように薄膜の屈折率及び吸収率を考慮して各薄膜の厚さを精密に調節しなければならず，製造が困難であるという問題があった。
【００１０】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，発光層の発光効率を低下させることなく外光の反射を抑制することのできる平面表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板の一方の面（上部）に形成される画素電極と；上記画素電極の上に形成されて，少なくとも発光層を含む有機膜と；上記有機膜の上に（上記画素電極と対向して）形成される対向電極と；上記対向電極の上に形成される透明膜と；上記透明膜の上に形成される半透過金属層とを含んで構成されることを特徴とする平面表示装置（平板表示装置）が提供される。
【００１２】
このような本発明にかかる平面表示装置によれば，透明膜で位相反転された外光と半透過金属層で反射された外光が干渉して相殺されることにより，外光の反射が低減されて良好な黒表示を実現することができる。また，上記半透過金属層は，発光層で発光された光に対する吸収率が低いので，平面表示装置の発光効率及びコントラストを低下させることなく外光の反射を抑制することができる。
【００１３】
このとき，上記基板と上記画素電極との間に，複数の薄膜トランジスタをさらに含んでもよい。また，上記画素電極は反射電極であることができる。そして，上記有機膜は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔阻止層，電子輸送層，または電子注入層からなる群より選択される少なくとも一つの薄膜をさらに含んでもよい。
【００１４】
そして，上記対向電極は，透過率が１０〜４０％の材質からなるのがよい。また，上記対向電極は，Ｍｇ，ＭｇＡｇ，Ｃａ，ＣａＡｇ，Ａｇ，ＡｌＣａ，ＡｌＡｇ，ＬｉＭｇまたはＬｉからなる群より選択される１種により形成されることができる。また，上記対向電極の厚さは１５０〜２５０Åであるのがよく，より好ましくは，１８０Åであるのがよい。
【００１５】
そして，上記透明膜は有機膜または無機膜であることができる。また，上記透明膜の厚さは４００〜１３００Åであるのがよく，より好ましくは，５００〜８００Åであるのがよい。更に，上記透明膜は，有機膜と無機膜の積層構造であることができる。このとき，上記無機膜は，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮまたは透過性導電酸化膜（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ）からなる群より選択される少なくとも１種の薄膜からなることができる。
【００１６】
そして，上記半透過金属層は，透過率が４０〜６０％の材質からなるのがよい。また，上記半透過金属層は，Ｍｇ，Ａｇ，ＭｇＡｇ，Ｃｒ，ＰｔまたはＡｕからなる群より選択される１種からなることができる。そして，上記半透過金属層の厚さは８０〜１２０Åであるのがよい。
【００１７】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板の一方の面（上部）に形成される画素電極と；上記画素電極の上に形成されて，少なくとも発光層を含む有機膜と；上記有機膜の上に（上記画素電極と対向して）形成される対向電極と；上記対向電極の上に形成される位相反転層と；上記透明膜の上に形成される反射膜とを含んで構成されること，を特徴とする平面表示装置（平板表示装置）が提供される。
【００１８】
このような本発明にかかる平面表示装置によれば，位相反転層で位相反転された外光と反射膜で反射された外光が干渉して相殺されることにより，外光の反射が低減されて良好な黒表示を実現することができる。また，上記反射膜は，発光層で発光された光に対する吸収率が低いので，平面表示装置の発光効率及びコントラストを低下させることなく外光の反射を抑制することができる。
【００１９】
このとき，上記基板と上記画素電極との間に，複数の薄膜トランジスタをさらに含んでもよい。また，上記画素電極は反射電極であることができる。そして，上記有機膜は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔阻止層，電子輸送層，または電子注入層からなる群より選択される少なくとも一つの薄膜をさらに含んでもよい。
【００２０】
そして，上記対向電極は，透過率が１０〜４０％の材質からなるのがよい。また，上記対向電極は，Ｍｇ，ＭｇＡｇ，Ｃａ，ＣａＡｇ，Ａｇ，ＡｌＣａ，ＡｌＡｇ，ＬｉＭｇまたはＬｉからなる群より選択される１種により形成されることができる。また，上記対向電極の厚さは１５０〜２５０Åであるのがよく，より好ましくは，１８０Åであるのがよい。
【００２１】
そして，上記位相反転層は有機膜または無機膜であることができる。また，上記位相反転層の厚さは４００〜１３００Åであるのがよく，より好ましくは，５００〜８００Åであるのがよい。更に，上記位相反転層は，有機膜と無機膜の積層構造であることができる。このとき，上記無機膜は，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮまたは透過性導電酸化膜（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ）からなる群より選択される少なくとも１種の薄膜からなることができる。
【００２２】
そして，上記反射膜は，透過率が４０〜６０％の材質からなるのがよい。また，上記反射膜は，Ｍｇ，Ａｇ，ＭｇＡｇ，Ｃｒ，ＰｔまたはＡｕからなる群より選択される１種からなることができる。そして，上記反射膜の厚さは８０〜１２０Åであるのがよい。
【００２３】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板の一方の面（上部）に画素電極を形成する工程と；上記画素電極の上部に少なくとも発光層を含む有機膜を形成する工程と；上記有機膜の上部に（上記画素電極と対向して）対向電極を形成する工程と；上記対向電極の上部に透明膜を形成する工程と；上記透明膜の上部に半透過金属層を形成する工程とを含むこと，を特徴とする平面表示装置（平板表示装置）の製造方法が提供される。
【００２４】
このような本発明にかかる平面表示装置の製造方法によれば，透明膜で位相反転された外光と半透過金属層で反射された外光が干渉して相殺されることにより，外光の反射が低減されて良好な黒表示を実現することができる。また，上記半透過金属層は，発光層で発光された光に対する吸収率が低いので，平面表示装置の発光効率及びコントラストを低下させることなく外光の反射を抑制することができる。
【００２５】
このとき，上記基板と上記画素電極との間に，一つ以上の薄膜トランジスタをさらに形成する工程を含んでもよい。また，上記画素電極は反射電極であることができる。そして，上記有機膜は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔阻止層，電子輸送層，または電子注入層からなる群より選択される少なくとも一つの薄膜をさらに含んでもよい。
【００２６】
そして，上記対向電極は，透過率が１０〜４０％の材質からなるのがよい。また，上記対向電極は，Ｍｇ，ＭｇＡｇ，Ｃａ，ＣａＡｇ，Ａｇ，ＡｌＣａ，ＡｌＡｇ，ＬｉＭｇまたはＬｉからなる群より選択される１種により形成されることができる。また，上記対向電極の厚さは１５０〜２５０Åであるのがよい。
【００２７】
そして，上記透明膜は有機膜または無機膜であることができる。また，上記透明膜の厚さは４００〜１３００Åであるのがよく，より好ましくは，５００〜８００Åであるのがよい。更に，上記透明膜は，有機膜と無機膜の積層構造であることができる。このとき，上記無機膜は，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮまたは透過性導電酸化膜（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ）からなる群より選択される少なくとも１種の薄膜からなることができる。
【００２８】
そして，上記半透過金属層は，透過率が４０〜６０％の材質からなるのがよい。また，上記半透過金属層は，Ｍｇ，Ａｇ，ＭｇＡｇ，Ｃｒ，ＰｔまたはＡｕからなる群より選択される１種からなることができる。そして，上記半透過金属層の厚さは８０〜１２０Åであるのがよい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば，対向電極の表示面側に，透明膜と半透過金属層，または位相反転層と反射膜からなる積層構造を設けることにより，発光層の発光効率を低下させることなく外光の反射を防止することのできる平面表示装置及びその製造方法を提供できるものである。このように発光効率を低下させることなく外光の反射を防止できるようにしたことにより，発光効率及びコントラストに優れ，黒色表示が良好な画像を表示することがでる。また，発光層の発光効率が低下されないので，駆動電圧を低くして発光層の輝度を抑制しても，表示画像として要求される輝度を満たすことができるので，低電圧駆動が可能となり，平面表示装置の消費電力の節減及び寿命特性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３１】
先ず，本発明の実施の形態にかかる平面表示装置について説明する。図２は，本実施形態にかかる平面表示装置を示す断面図である。図２に基づいて，平面表示装置が有機電界発光表示装置である場合を例にとって説明する。
【００３２】
有機電界発光表示装置は，透明基板２００の上部に画素電極２１０が形成され，画素電極２１０の上部に少なくとも発光層を含む有機膜２２０が形成され，有機膜２２０の上部に対向電極２３０，透明膜２４０および半透過金属層２４２が順次形成される。すなわち，有機電界発光表示装置は，透明基板２００の一方の面に，画素電極２１０とこれに対向して設けられる対向電極２３０を有し，これら電極間に少なくとも発光層を含む有機膜２２０が形成される。
【００３３】
そして，本実施形態においては，対向電極２３０の表示面側に透明膜２４０及び半透過金属層２４２が更に積層形成される。透明膜２４０は，対向電極２３０から反射される光の位相を反転させることができる。半透過金属層２４２は，外部から入射する外光を反射させることができる。本実施形態においては，半透過金属層２４２で反射された外光と透明膜２４０で位相反転された外光が干渉して相殺されることにより，外光の反射を低減させて，良好な黒表示を実現している。また，透明膜２４０及び半透過金属層２４２は発光層で発光された光に対する吸収率が低いので，有機電界発光表示装置の発光効率及びコントラストを低下させることなく周囲光の反射を抑制することができる。ここで，本実施形態においては，対向電極２３０の上に透明膜２４０と半透過金属層２４２が順に積層形成されるが，対向電極２３０の上に位相反転層と反射膜が順に積層形成される構造とすることもできる。
【００３４】
ここで，透明基板２００と画素電極２１０間には，複数の薄膜トランジスタをさらに形成することができる。
【００３５】
画素電極２１０は，反射電極であって，Ａｌ，Ａｇまたはこれらの合金からなる反射膜の一方の面に，透過性導電酸化膜（ＴＣＯ：ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｏｘｉｄｅ）を積層して形成される。アルミニウム合金の例としては，Ａｌ−Ｎｄ（アルミネオジウム）などがある。また，透過性導電酸化膜の例としては，ＩＴＯ（酸化インジウムスズ），またはＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）などがある。
【００３６】
対向電極２３０は，半透過金属電極層であって，Ｍｇ，ＭｇＡｇ，Ｃａ，ＣａＡｇ，Ａｇ，ＡｌＣａ，ＡｌＡｇ，ＬｉＭｇまたはＬｉからなる群より選択される１種からなる。対向電極２３０は，１５０〜２５０Åの厚さに形成され，より好ましくは１８０Åの厚さに形成されるのがよい。
【００３７】
透明膜２４０は，対向電極１３０から反射される光の位相を反転させる位相反転層としての役割りを果たすことができる。透明膜２４０は，有機膜，無機膜，またはその積層構造であることができる。透明膜２４０が有機膜である場合，有機膜の材質は特に限定されず，透明膜２４０が無機膜である場合は，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮ，または透過性導電酸化膜などが使用可能である。かかる透明膜２４０は，４００〜１３００Åの厚さに形成されるのがよく，より好ましくは５００〜８００Åの厚さに形成されるのがよい。透明膜２４０の厚さの範囲が上記の範囲を外れると，半透過金属層２４２で反射された光との位相差によって外光を消滅させるのが困難になる。
【００３８】
半透過金属層２４２は，外部から入射する外光を反射させる反射膜としての役割りを果たすことができる。すなわち，半透過金属層２４２は，外光の一部を反射させることができる。半透過金属層２４２は，Ｍｇ，Ａｇ，ＭｇＡｇ，Ｃｒ，Ｐｔ，またはＡｕからなる群より選択される１種からなることができる。半透過金属層２４２は，６０〜１３０Åの厚さに形成されるのがよく，より好ましくは８０〜１２０Åの厚さに形成されるのがよい。また，半透過金属層２４２には，対向電極２３０よりも透過率が高い材質を使用するのがよい。例えば，対向電極２３０には透過率が１０〜４０％の材質を使用するのがよいが，このとき，半透過金属層２４２には透過率が４０〜６０％の材質を使用するのがよい。
【００３９】
次に，本発明の実施の形態にかかる平面表示装置の製造方法について説明する。以下に，平面表示装置が有機電界発光表示装置である場合を例にとって，製造方法について説明する。
【００４０】
先ず，透明基板２００の一方の面（表示面側）に画素電極２１０を形成する。画素電極２１０は透明電極であって，ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透過性導電酸化膜（ＴＣＯ）からなる。画素電極２１０は，その下部（透明基板２００側の面）に反射膜（図示せず）をさらに含む。この際，透明基板２００と画素電極２１０との間に，一つ以上の薄膜トランジスタをさらに形成することもできる。
【００４１】
次に，画素電極２１０の上部（表示面側）に，少なくとも発光層を含む有機膜２２０を形成する。ここで，有機膜２２０は，正孔注入層（ＨＩＬ），正孔伝達層（ＨＴＬ），正孔阻止層（ＨＢＬ），電子輸送層（ＥＴＬ），または電子注入層（ＥＩＬ）からなる群より選択される少なくとも一層をさらに含むことができる。
【００４２】
その後，有機膜２２０の上部（表示面側）に，対向電極２３０を形成する。対向電極２３０は半透過金属電極層であって，Ｍｇ，ＭｇＡｇ，Ｃａ，ＣａＡｇ，Ａｇ，ＡｌＣａ，ＡｌＡｇ，ＬｉＭｇまたはＬｉからなる群より選択される１種からなる。対向電極２３０は，１５０〜２５０Åの厚さに形成され，より好ましくは１８０Åの厚さに形成されるのがよい。
【００４３】
次に，対向電極２３０の上部（表示面側）に透明膜２４０を形成する。透明膜２４０は，有機膜，無機膜またはその積層構造であることができる。透明膜２４０の厚さは，４００〜１３００Åに形成されるのがよく，より好ましくは５００〜８００Åに形成されるのがよい。透明膜２４０の厚さの範囲が上記の範囲を外れると，半透過金属層２４２で反射された光との位相差によって外光を消滅させることができなくなるため，良好な黒表示を行うのが難しくなる。透明膜２４０が有機膜である場合，有機膜の種類としてはどのような種類の有機膜でも使用可能である。また，透明膜２４０が無機膜である場合，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮまたは透過性導電酸化膜（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｃｅ）などが使用可能である。かかる透明膜２４０は，対向電極１３０から反射される光の位相を反転させる位相反転層としての役割りを果たすことができる。
【００４４】
その後，透明膜２４０の上部（表示面側）に半透過金属層２４２を形成する。半透過金属層２４２は，Ｍｇ，Ａｇ，ＭｇＡｇ，Ｃｒ，ＰｔまたはＡｕからなる群より選択される１種から形成することができる。半透過金属層２４２は，８０〜１２０Åの厚さに形成されるのがよい。上記半透過金属層２４２の厚さの範囲は，透明膜２４０の厚さと調和して外光を干渉及び相殺させ得る最適の厚さ範囲である。半透過金属層２４２は反射膜であって，外部から入射する外光を反射させる。かか半透過金属層２４２で反射された外光と，透明膜２４０で位相反転された光とが干渉及び相殺されることによって，良好な黒表示を実現することができる。
【００４５】
このとき，透明膜２４０と半透過金属層２４２は，有機電界発光表示素子の発光領域においてパタニングされることもできる。
【００４６】
図３は，本実施形態による有機電界発光表示装置の輝度と，従来の技術による有機電界発光表示装置の輝度とを比較したグラフである。本実施形態においては，有機電界発光表示素子の対向電極の上部（表示面側）に，有機絶縁膜または無機絶縁膜で位相反転層（透明膜２４０）を形成し，位相反転層の上部（表示面側）に，ＭｇＡｇ膜で反射膜（半透過金属層２４２）を形成した。また，従来の技術においては，有機電界発光表示素子の対向電極の表示面側に，偏光板を配設した。
【００４７】
図３に示すように，対向電極の上部に偏光板を設けた従来の技術と比較すると，対向電極の上部に位相反転層及び反射膜を形成した本実施形態の場合の方が，輝度が著しく向上されていることがわかる。ここで，反射膜としてのＭｇＡｇ膜の厚さを，５０Åの厚さに形成した場合と１００Åの厚さに形成した場合とを比較すると，輝度はほぼ同一であった。
【００４８】
図４は，本実施形態による有機電界発光表示装置の発光効率と，従来の技術による有機電界発光表示装置の発光効率とを比較したグラフである。図３の場合と同様に，本実施形態としては，有機電界発光表示素子の対向電極の上部に位相反転層及び反射膜を形成し，従来の技術としては，有機電界発光表示素子の対向電極の上部に偏光板を形成した。図４を参照すると，本実施形態においては，従来の技術よりも発光効率が著しく向上することが分かる。
【００４９】
以下に，本実施形態にかかる平面表示装置によって，発光効率が向上されること，及び黒表示が改善されることを，実施例と比較例とを対照させながら説明する。下記に挙げる実施例は，本発明の理解を助けるためのものであり，本発明が下記の実施例に限定されるものではない。
【００５０】
＜実施例１＞
先ず，基板の上部（表示装置の画像表示側となる面の上）に，画素電極と，少なくとも発光層を含む有機膜と，対向電極とを順に積層形成した。ここで，上記有機膜の厚さは，色相によって異なるように形成し，赤色発光層及び緑色発光層はそれぞれ４００Åの厚さに，青色発光層は１５０Åの厚さに形成した。また，電子輸送層は２５０〜３００Åの厚さに形成した。そして，対向電極は１８０Åの厚さに形成した。
【００５１】
次に，上記対向電極の上部に透明膜及び半透過金属層を順に形成した。上記透明膜は５００〜８００Åの厚さに形成し，上記半透過金属層は８０〜１２０Åの厚さに形成した。そして，実施例１の有機電界発光表示装置の発光効率を測定したところ，赤色が８ｃｄ／Ａ，緑色が２８ｃｄ／Ａ，青色が１．４ｃｄ／Ａとなった。
【００５２】
＜比較例１＞
実施例１と同様に基板の上部に，画素電極，有機膜及び対向電極を順に積層形成した。対向電極の上部には，実施例１と同様の透明膜のみを形成した。比較例１の有機電界発光表示装置の発光効率は，赤色が１１ｃｄ／Ａ，緑色が５６ｃｄ／Ａ，青色が１．８ｃｄ／Ａであった。
【００５３】
＜比較例２＞
実施例１と同様に基板の上部に，画素電極，有機膜及び対向電極を順に積層形成した。
対向電極の上部には，偏光板を形成した。比較例２の有機電界発光表示装置の発光効率は，赤色が４．８ｃｄ／Ａ，緑色が２４ｃｄ／Ａ，青色が０．８ｃｄ／Ａであった。
【００５４】
下記表１に，実施例１，比較例１及び比較例２の有機電界発光表示装置の発光効率を比較できるように表示した。
【００５５】
【表１】
【００５６】
表１を参照すると，本発明の実施の形態である実施例１では，偏光板を使用した比較例２と比較すると，緑色の発光効率が１７０％，赤色の発光効率が１１６％，青色の発光効率が１７５％向上したことが分かる。
【００５７】
次に，本実施形態による平面表示装置によって，黒表示が改善されることを説明する。図５ａ〜図５ｃは，黒表示された画面を示す写真である。図５ａは，対向電極の上部に透明膜が積層形成された有機電界発光表示装置による黒表示画像である。図５ｂ及び図５ｃは，対向電極の上部に透明膜及び半透過金属層が積層形成された有機電界発光表示装置による黒表示画像である。そして，図５ｂの半透過金属層の厚さは５０Åであり，図５ｃの半透過金属層の厚さは１００Åである。図５ａ〜図５ｃを参照すると，半透過金属層が１００Åの厚さに積層された図５ｃの黒表示（写真の中心部）が最も優れていることが分かる。
【００５８】
次に，本実施形態にかかる有機電界発光表示装置の有機電界発光表示素子の反射率を測定した結果を示す。図６は，本実施形態による有機電界発光表示素子の反射率を示すグラフである。グラフのＡ線は，画素電極の反射率を示す。グラフのＣ線は，対向電極の上部に透明膜及び半透過金属層が積層されたときの反射率を示す。比較の参考として，反射率の高いアルミニウム（Ａｌ）の反射率を，Ｂ線として示した。
【００５９】
図６のグラフのＣ線を参照すると，本実施形態の，対向電極の上部に透明膜及び半透過金属層が積層された有機電界発光表示素子により，外光による反射率が著しく減少することが分かる。
【００６０】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６１】
例えば，本発明の実施の形態においては，有機電界発光表示装置を例にとって説明したが，本願発明は液晶表示装置に適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は，平面表示装置及びその製造方法に適用可能であり，特に有機電界発光表示装置及びその製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】従来の円偏光板を備えた有機電界発光表示装置を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態による有機電界発光表示装置を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態による有機電界発光表示装置と従来の技術による有機電界発光表示装置の輝度を示すグラフである。
【図４】本発明の実施の形態による有機電界発光表示装置と従来の技術による有機電界発光表示装置の発光効率を示すグラフである。
【図５ａ】対向電極の上部に透明膜が積層された構造を有する有機電界発光表示装置の黒表示画面である。
【図５ｂ】対向電極の上部に透明膜と厚さ５０Åの半透過金属層が積層された構造を有する有機電界発光表示装置の黒表示画面である。
【図５ｃ】対向電極の上部に透明膜と厚さ１００Åの半透過金属層が積層された構造を有する有機電界発光表示装置の黒表示画面である。
【図６】本発明の実施の形態による有機電界発光表示素子の反射率を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６４】
１００ 下部絶縁基板
１１０ 透過型第１電極
１２０ 有機発光層
１３０ 反射型第２電極
１４０ 円偏光板
１４１ １／４補償板（１／４波長板）
１４５ 線形偏光板（直線偏光板）
２００ 透明基板
２１０ 画素電極
２２０ 有機膜
２３０ 対向電極
２４０ 透明膜
２４２ 半透過金属層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面に形成される画素電極と，
前記画素電極の上に形成されて，少なくとも発光層を含む有機膜と，
前記有機膜の上に形成される対向電極と，
前記対向電極の上に形成される透明膜と，
前記透明膜の上に形成される半透過金属層とを含んで構成されること，
を特徴とする平面表示装置。
【請求項２】
前記基板と前記画素電極との間に，複数の薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項３】
前記画素電極は反射電極であることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項４】
前記有機膜は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔阻止層，電子輸送層，または電子注入層からなる群より選択される少なくとも一つの薄膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項５】
前記対向電極は，透過率が１０〜４０％の材質からなることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項６】
前記対向電極は，Ｍｇ，ＭｇＡｇ，Ｃａ，ＣａＡｇ，Ａｇ，ＡｌＣａ，ＡｌＡｇ，ＬｉＭｇまたはＬｉからなる群より選択される１種により形成されることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項７】
前記対向電極の厚さは１５０〜２５０Åであることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項８】
前記対向電極の厚さは１８０Åであることを特徴とする請求項７に記載の平面表示装置。
【請求項９】
前記透明膜は有機膜または無機膜であることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項１０】
前記透明膜の厚さは４００〜１３００Åであることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項１１】
前記透明膜の厚さは５００〜８００Åであることを特徴とする請求項１０に記載の平面表示装置。
【請求項１２】
前記透明膜は，有機膜と無機膜の積層構造であることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項１３】
前記無機膜は，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮまたは透過性導電酸化膜からなる群より選択される少なくとも１種の薄膜からなることを特徴とする請求項９又は１２のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項１４】
前記半透過金属層は，透過率が４０〜６０％の材質からなることを特徴とする請求項１又は請求項５のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項１５】
前記半透過金属層は，Ｍｇ，Ａｇ，ＭｇＡｇ，Ｃｒ，ＰｔまたはＡｕからなる群より選択される１種からなることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項１６】
前記半透過金属層の厚さは８０〜１２０Åであることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項１７】
基板の一方の面に形成される画素電極と，
前記画素電極の上に形成されて，少なくとも発光層を含む有機膜と，
前記有機膜の上に形成される対向電極と，
前記対向電極の上に形成される位相反転層と，
前記透明膜の上に形成される反射膜とを含んで構成されること，
を特徴とする平面表示装置。
【請求項１８】
前記基板と前記画素電極との間に，複数の薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項１９】
前記画素電極は反射電極であることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項２０】
前記有機膜は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔阻止層，電子輸送層，または電子注入層からなる群より選択される少なくとも一つの薄膜をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項２１】
前記対向電極は，透過率１０〜４０％の材質からなることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項２２】
前記対向電極は，Ｍｇ，ＭｇＡｇ，Ｃａ，ＣａＡｇ，Ａｇ，ＡｌＣａ，ＡｌＡｇ，ＬｉＭｇまたはＬｉからなる群より選択される１種により形成されることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項２３】
前記対向電極の厚さは１５０〜２５０Åであることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項２４】
前記対向電極の厚さは１８０Åであることを特徴とする請求項２３に記載の平面表示装置。
【請求項２５】
前記位相反転層は有機膜または無機膜であることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項２６】
前記位相反転層の厚さは４００〜１３００Åであることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項２７】
前記位相反転層の厚さは５００〜８００Åであることを特徴とする請求項２６に記載の平面表示装置。
【請求項２８】
前記位相反転層は，有機膜と無機膜の積層構造であることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項２９】
前記無機膜は，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮまたは透過性導電酸化膜からなる群より選択される少なくとも１種の薄膜からなることを特徴とする請求項２５又は２８のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項３０】
前記反射膜は，透過率が４０〜６０％の材質からなることを特徴とする請求項１７又は２１のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項３１】
前記反射膜は，Ｍｇ，Ａｇ，ＭｇＡｇ，Ｃｒ，ＰｔまたはＡｕからなる群より選択される１種からなることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項３２】
前記反射膜は，厚さが８０〜１２０Åであることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項３３】
基板の一方の面に画素電極を形成する工程と，
前記画素電極の上部に少なくとも発光層を含む有機膜を形成する工程と，
前記有機膜の上部に対向電極を形成する工程と，
前記対向電極の上部に透明膜を形成する工程と，
前記透明膜の上部に半透過金属層を形成する工程とを含むこと，
を特徴とする平面表示装置の製造方法。
【請求項３４】
前記基板と前記画素電極との間に，一つ以上の薄膜トランジスタをさらに形成する工程を含むことを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項３５】
前記画素電極は反射電極であることを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項３６】
前記有機膜は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔阻止層，電子輸送層，または電子注入層からなる群より選択される少なくとも一つの薄膜をさらに含むことを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項３７】
前記対向電極は，Ｍｇ，ＭｇＡｇ，Ｃａ，ＣａＡｇ，Ａｇ，ＡｌＣａ，ＡｌＡｇ，ＬｉＭｇまたはＬｉからなる群より選択される１種により形成されることを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項３８】
前記対向電極の厚さは１５０〜２５０Åであることを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項３９】
前記透明膜は有機膜または無機膜であることを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項４０】
前記透明膜の厚さは４００〜１３００Åであることを特徴とする請求項３９に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項４１】
前記透明膜の厚さは５００〜８００Åであることを特徴とする請求項４１に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項４２】
前記透明膜は，有機膜と無機膜の積層構造であることを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項４３】
前記無機膜は，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮまたは透過性導電酸化膜からなる群より選択される少なくとも１種の薄膜からなることを特徴とする請求項３９又は４２のいずれか１項に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項４４】
前記半透過金属層は，透過率４０〜６０％の材質からなることを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項４５】
前記半透過金属層は，Ｍｇ，Ａｇ，ＭｇＡｇ，Ｃｒ，ＰｔおよびＡｕからなる群から選択される１種からなることを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項４６】
前記半透過金属層は，厚さが８０〜１２０Åであることを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項１】
基板の一方の面に形成される画素電極と，
前記画素電極の上に形成されて，少なくとも発光層を含む有機膜と，
前記有機膜の上に形成される対向電極と，
前記対向電極の上に形成される透明膜と，
前記透明膜の上に形成される半透過金属層とを含んで構成されること，
を特徴とする平面表示装置。
【請求項２】
前記基板と前記画素電極との間に，複数の薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項３】
前記画素電極は反射電極であることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項４】
前記有機膜は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔阻止層，電子輸送層，または電子注入層からなる群より選択される少なくとも一つの薄膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項５】
前記対向電極は，透過率が１０〜４０％の材質からなることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項６】
前記対向電極は，Ｍｇ，ＭｇＡｇ，Ｃａ，ＣａＡｇ，Ａｇ，ＡｌＣａ，ＡｌＡｇ，ＬｉＭｇまたはＬｉからなる群より選択される１種により形成されることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項７】
前記対向電極の厚さは１５０〜２５０Åであることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項８】
前記対向電極の厚さは１８０Åであることを特徴とする請求項７に記載の平面表示装置。
【請求項９】
前記透明膜は有機膜または無機膜であることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項１０】
前記透明膜の厚さは４００〜１３００Åであることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項１１】
前記透明膜の厚さは５００〜８００Åであることを特徴とする請求項１０に記載の平面表示装置。
【請求項１２】
前記透明膜は，有機膜と無機膜の積層構造であることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項１３】
前記無機膜は，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮまたは透過性導電酸化膜からなる群より選択される少なくとも１種の薄膜からなることを特徴とする請求項９又は１２のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項１４】
前記半透過金属層は，透過率が４０〜６０％の材質からなることを特徴とする請求項１又は請求項５のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項１５】
前記半透過金属層は，Ｍｇ，Ａｇ，ＭｇＡｇ，Ｃｒ，ＰｔまたはＡｕからなる群より選択される１種からなることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項１６】
前記半透過金属層の厚さは８０〜１２０Åであることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項１７】
基板の一方の面に形成される画素電極と，
前記画素電極の上に形成されて，少なくとも発光層を含む有機膜と，
前記有機膜の上に形成される対向電極と，
前記対向電極の上に形成される位相反転層と，
前記透明膜の上に形成される反射膜とを含んで構成されること，
を特徴とする平面表示装置。
【請求項１８】
前記基板と前記画素電極との間に，複数の薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項１９】
前記画素電極は反射電極であることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項２０】
前記有機膜は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔阻止層，電子輸送層，または電子注入層からなる群より選択される少なくとも一つの薄膜をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項２１】
前記対向電極は，透過率１０〜４０％の材質からなることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項２２】
前記対向電極は，Ｍｇ，ＭｇＡｇ，Ｃａ，ＣａＡｇ，Ａｇ，ＡｌＣａ，ＡｌＡｇ，ＬｉＭｇまたはＬｉからなる群より選択される１種により形成されることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項２３】
前記対向電極の厚さは１５０〜２５０Åであることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項２４】
前記対向電極の厚さは１８０Åであることを特徴とする請求項２３に記載の平面表示装置。
【請求項２５】
前記位相反転層は有機膜または無機膜であることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項２６】
前記位相反転層の厚さは４００〜１３００Åであることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項２７】
前記位相反転層の厚さは５００〜８００Åであることを特徴とする請求項２６に記載の平面表示装置。
【請求項２８】
前記位相反転層は，有機膜と無機膜の積層構造であることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項２９】
前記無機膜は，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮまたは透過性導電酸化膜からなる群より選択される少なくとも１種の薄膜からなることを特徴とする請求項２５又は２８のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項３０】
前記反射膜は，透過率が４０〜６０％の材質からなることを特徴とする請求項１７又は２１のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項３１】
前記反射膜は，Ｍｇ，Ａｇ，ＭｇＡｇ，Ｃｒ，ＰｔまたはＡｕからなる群より選択される１種からなることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項３２】
前記反射膜は，厚さが８０〜１２０Åであることを特徴とする請求項１７に記載の平面表示装置。
【請求項３３】
基板の一方の面に画素電極を形成する工程と，
前記画素電極の上部に少なくとも発光層を含む有機膜を形成する工程と，
前記有機膜の上部に対向電極を形成する工程と，
前記対向電極の上部に透明膜を形成する工程と，
前記透明膜の上部に半透過金属層を形成する工程とを含むこと，
を特徴とする平面表示装置の製造方法。
【請求項３４】
前記基板と前記画素電極との間に，一つ以上の薄膜トランジスタをさらに形成する工程を含むことを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項３５】
前記画素電極は反射電極であることを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項３６】
前記有機膜は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔阻止層，電子輸送層，または電子注入層からなる群より選択される少なくとも一つの薄膜をさらに含むことを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項３７】
前記対向電極は，Ｍｇ，ＭｇＡｇ，Ｃａ，ＣａＡｇ，Ａｇ，ＡｌＣａ，ＡｌＡｇ，ＬｉＭｇまたはＬｉからなる群より選択される１種により形成されることを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項３８】
前記対向電極の厚さは１５０〜２５０Åであることを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項３９】
前記透明膜は有機膜または無機膜であることを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項４０】
前記透明膜の厚さは４００〜１３００Åであることを特徴とする請求項３９に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項４１】
前記透明膜の厚さは５００〜８００Åであることを特徴とする請求項４１に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項４２】
前記透明膜は，有機膜と無機膜の積層構造であることを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項４３】
前記無機膜は，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮまたは透過性導電酸化膜からなる群より選択される少なくとも１種の薄膜からなることを特徴とする請求項３９又は４２のいずれか１項に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項４４】
前記半透過金属層は，透過率４０〜６０％の材質からなることを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項４５】
前記半透過金属層は，Ｍｇ，Ａｇ，ＭｇＡｇ，Ｃｒ，ＰｔおよびＡｕからなる群から選択される１種からなることを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項４６】
前記半透過金属層は，厚さが８０〜１２０Åであることを特徴とする請求項３３に記載の平面表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５ａ】
【図５ｂ】
【図５ｃ】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５ａ】
【図５ｂ】
【図５ｃ】
【図６】
【公開番号】特開２００６−１５６３９６（Ｐ２００６−１５６３９６Ａ）
【公開日】平成１８年６月１５日（２００６．６．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３４３９３９（Ｐ２００５−３４３９３９）
【出願日】平成１７年１１月２９日（２００５．１１．２９）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月１５日（２００６．６．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月２９日（２００５．１１．２９）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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