弾性波フィルタ
【課題】通過帯域近傍の低周波側の減衰量をより大きくすることが可能な弾性波フィルタを提供する。
【解決手段】圧電基板２２と、前記圧電基板２２上に設けられたＩＤＴ２、ＩＤＴ４及びＩＤＴ６と、前記ＩＤＴ２、ＩＤＴ４及びＩＤＴ６の両側に設けられた反射器８及び反射器１０と、を具備し、前記反射器８の複数の電極指８ａが各々一つのギャップ９を有し、前記反射器１０の複数の電極指１０ａが各々一つのギャップ１１を有し、ギャップ９及びギャップ１１は弾性波の伝搬路（ＩＤＴの電極指が重なる領域）内に位置するように構成する。
【解決手段】圧電基板２２と、前記圧電基板２２上に設けられたＩＤＴ２、ＩＤＴ４及びＩＤＴ６と、前記ＩＤＴ２、ＩＤＴ４及びＩＤＴ６の両側に設けられた反射器８及び反射器１０と、を具備し、前記反射器８の複数の電極指８ａが各々一つのギャップ９を有し、前記反射器１０の複数の電極指１０ａが各々一つのギャップ１１を有し、ギャップ９及びギャップ１１は弾性波の伝搬路（ＩＤＴの電極指が重なる領域）内に位置するように構成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波フィルタに関し、特に圧電基板上にＩＤＴと反射器とを有する弾性波フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報化社会の進展とともに、移動体通信機器の小型化、軽量化、高周波化が要求されている。それに伴い、小型で軽量な弾性波フィルタが利用されている。特に携帯電話システムでは、送信周波数と受信周波数とが近接しているシステムが増えているため、通過帯域近傍で減衰量をより大きくする要求が強くなっている。
【０００３】
弾性波フィルタの一つとして、圧電基板上に櫛型電極からなるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）と、反射器とを設けた弾性表面波フィルタがある。この弾性表面波素子に電力を印加することで、弾性波を励振する。弾性表面波フィルタは、例えば４５ＭＨｚ〜２．０ＧＨｚの周波数帯域における無線信号を処理する、例えば送信用バンドパスフィルタ、受信用バンドパスフィルタ等に用いられている。
【０００４】
図１（ａ）は従来の二重モード弾性表面波フィルタ（以下、二重モードＳＡＷフィルタ）を示す上面図であり、図１（ｂ）は特許文献１に開示された二重モードＳＡＷフィルタを示す上面図である。図１（ａ）に示すように、例えばＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３等の圧電体からなる圧電基板２２上に三つのＩＤＴ２、４及び６が設けられており、その両側には反射器８及び１０が設けられている。各ＩＤＴ、及び各反射器は例えばＡｌ等の金属からなる。なお図面においては、簡略化のため電極指の数は省略している。
【０００５】
上記の二重モードＳＡＷフィルタに電気信号が入力されると、ＩＤＴにおいて弾性波が励振され、ＩＤＴ及び反射器の電極指に対して垂直な方向に弾性波が伝搬する。弾性波は通過帯域の周波数を有した電気信号に変換され出力される。このとき、反射器８及び１０は、ＩＤＴ２、４及び６から伝搬してきた弾性波を反射し閉じ込めることにより、出力される電気信号の減衰を抑制する役割を担う。しかし、反射器８及び１０により通過帯域外の弾性波（スプリアス）も反射されるため、スプリアス同士が重なり、結果的に二重モードＳＡＷフィルタの通過帯域外の減衰量が悪化するという問題があった。
【０００６】
図１（ｂ）に示すように、特許文献１では、反射器８及び１０の電極指が、ＩＤＴから離れるにつれて短くなっている反射減衰域Ｂを形成した二重モードＳＡＷフィルタが開示されている。これによれば、電極指の長さが等しい通常の反射域Ａと反射減衰域Ｂとでは反射係数が異なるため、反射がランダムとなる。結果的に、スプリアス同士が互いに相殺し、通過帯域近傍の低周波側の減衰量を大きくすることができる。
【特許文献１】特開２０００−１９６３９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の発明では、減衰量を改善できるものの、その効果は十分とは言えなかった。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑み、通過帯域近傍の低周波側の減衰量をより大きくすることが可能な弾性波フィルタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられたＩＤＴと、前記ＩＤＴの両側に設けられ、複数の電極指を有した反射器とを具備し、前記複数の電極指のうち少なくとも一つが、弾性波の伝搬路内に、少なくとも一つのギャップを有することを特徴とする弾性波フィルタである。本発明によれば、反射器からの反射がランダムとなり、スプリアスが相殺されるため、通過帯域近傍の低周波側の減衰量を大きくすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記複数の電極指のうち少なくとも一つは、複数の前記ギャップを有する構成とすることができる。この構成によれば、電極指にオープンとなる領域を設けることができるため、反射がよりランダムとなり、減衰量をさらに大きくすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記複数の電極指は、前記反射器のうち少なくとも一つに、弾性波の伝搬方向に対して斜めの、少なくとも一つのスリットが形成されるように、前記ギャップを有する構成とすることができる。この構成によれば、反射器からの反射がランダムとなるため、減衰量を大きくすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記反射器のうち少なくとも一つに、複数の前記スリットが形成されている構成とすることができる。この構成によれば、電極指にオープンとなる領域を設けることができるため、減衰量をさらに大きくすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記複数のスリットは、前記弾性波の伝搬方向と、各々異なった角度で交差している構成とすることができる。この構成によれば、反射がランダムとなるため、減衰量を大きくすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記反射器の各々に、少なくとも一つの前記スリットが形成されている構成とすることができる。この構成によれば、各反射器からの反射がランダムとなるため、減衰量を大きくすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記反射器の各々に形成された前記スリットは、前記弾性波の伝搬路に垂直な方向に対して鏡面対称になっていない構成とすることができる。この構成によれば、反射がランダムとなるため、減衰量を大きくすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記反射器の各々に形成された前記スリットは、前記弾性波の伝搬方向と、各々異なった角度で交差している構成とすることができる。この構成によれば、反射がランダムとなるため、減衰量を大きくすることができる。
【００１７】
上記構成において、前記複数の電極指は、前記ＩＤＴから距離が離れるにつれて短くなっている構成とすることができる。この構成によれば、反射がランダムとなるため、減衰量を大きくすることができる。
【００１８】
上記構成において、前記弾性波フィルタは、二重モード弾性表面波フィルタである構成とすることができる。
【００１９】
上記構成において、前記弾性波フィルタは、複数の二重モード弾性表面波フィルタをカスケード接続した弾性波フィルタである構成とすることができる。
【００２０】
上記構成において、前記弾性波フィルタは、複数の二重モード弾性表面波フィルタを並列接続した弾性波フィルタである構成とすることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、通過帯域近傍の低周波側の減衰量をより大きくすることが可能な弾性波フィルタを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図面を用いて、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２３】
図２から図３（ｃ）は、実施例１に係る二重モードＳＡＷフィルタ１００を示す模式図である。
【００２４】
図２に示すように、反射器８の複数の電極指８ａが各々一つのギャップ９を有し、反射器１０の複数の電極指１０ａが各々一つのギャップ１１を有している。ギャップ９及び１１は弾性波の伝搬路（ＩＤＴの電極指が重なる領域）内に位置している。実施例１によれば、ギャップ９及び１１においては弾性波が反射されないため、反射器８及び１０の反射係数が変化する。このため、反射がランダムとなり、反射器８からのスプリアスと反射器１０からのスプリアスとが相殺されることとなり、通過帯域近傍の低周波側の減衰量を大きくすることができる。
【００２５】
図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１の変形例を示す模式図である。
【００２６】
図３（ａ）は、反射器８の複数の電極指８ａのうち一つが、一つのギャップ９を、また反射器１０の複数の電極指１０ａのうち一つが、一つのギャップ１１を、各々有している例である。
【００２７】
図３（ｂ）は、ギャップが各々直線状に配置され、スリットを形成している例である。すなわち、複数の電極指８ａの各々が反射器８にスリット５０が形成されるようにギャップ９を、また複数の電極指１０ａの各々が反射器１０にスリット６０が形成されるようにギャップ１１を、各々有している。このとき、スリット５０及び６０が弾性表面波の伝搬方向（電極指に対して垂直な方向）と平行ならば、各電極指で反射される波が同一となり、結果的にスプリアスが大きくなってしまう。従って、反射をランダムにし、減衰量を大きくするためには、スリット５０及び６０を、弾性表面波の伝搬方向に対して斜めに形成することが好ましい。また、スリット５０とスリット６０とが、弾性表面波の伝搬方向に垂直な方向に対して鏡面対称である場合、反射器８からの反射と反射器１０からの反射とが同一となり、上記の場合と同様に、スプリアスが大きくなってしまう。従って反射をランダムにするために、スリット５０とスリット６０とは、弾性波の伝搬方向に垂直な方向に対して鏡面対称になっていないことが好ましい。但し、鏡面対称であっても、それぞれの反射器の電極指のピッチが異なっていればスプリアスは抑制される。さらに、反射をよりランダムにするために、スリット５０とスリット６０とは平行でないこと、すなわちスリット５０とスリット６０とが、弾性波の伝搬方向と、各々異なった角度で交差していることが好ましい。
【００２８】
図３（ｃ）は、反射器８及び１０に、ＩＤＴから離れるにつれて電極指８ａ及び１０ａが短くなる反射減衰域Ｂを設けた例である。この例によれば、電極指の長さが同一である反射域Ａからの反射と、反射減衰域Ｂからの反射とが異なる。このため、反射がさらにランダムとなり、図２の例よりも、スプリアスの相殺の効果が増大し、減衰量をより大きくすることができる。
【００２９】
図３（ａ）では、反射器８の複数の電極指８ａのうち一つ、及び反射器１０の複数の電極指１０ａのうち一つが、各々一つのギャップ９及び１１を有している例を示した。しかし、電極指８ａ及び１０ａのうち少なくとも一つが、弾性波の伝搬路内に、一つのギャップを有していればよい。また、図３（ｂ）では、反射器８及び１０の各々に、一つのスリット５０及び６０が形成されている例を示したが、反射器８及び１０のうち少なくとも一つに、一つのスリットが形成されていてもよい。
【実施例２】
【００３０】
実施例２は、電極指が複数のギャップを有している例である。図４は、実施例２に係る二重モードＳＡＷフィルタ１００を示す模式図である。
【００３１】
図４に示すように、反射器８の複数の電極指８ａが、各々二つのギャップ９を有し、反射器１０の複数の電極指１０ａが、各々二つのギャップ１１を有している。これにより、電極指８ａの中にオープンとなる領域８ｂ、同様に電極指１０ａの中にオープンとなる領域１０ｂを設けることができる。反射器８及び１０は接地されているので、領域８ｂ及び１０ｂは、反射器の他の部分とは異なる電位を有することとなる。このため、反射器８及び１０の反射係数が変化し、実施例１のようにギャップが１つの場合よりも、反射がさらにランダムとなる。結果的に、通過帯域近傍の低周波側の減衰量を、さらに大きくすることができる。
【００３２】
図５（ａ）から図５（ｂ）は、実施例２の変形例を示す模式図である。
【００３３】
図５（ａ）は、反射器８に２つのスリット５０及び５２が、反射器１０に２つのスリット６０及び６２が、各々形成されている例である。この例においても、電極指８及び１０にオープンとなる領域８ｂ及び１０ｂを設けることができる。このとき、反射器８からの反射をよりランダムにするために、スリット５０とスリット５２とは平行でないこと、すなわちスリット５０とスリット５２とが、弾性波の伝搬方向と、各々異なった角度で交差していることが好ましい。スリット６０及び６２についても同様である。
【００３４】
図５（ｂ）は、反射器８及び１０に、ＩＤＴから離れるにつれて電極指８ａ及び１０ａが短くなる反射減衰域Ｂを設けた例である。この例によれば、反射域Ａからの反射と、反射減衰域Ｂからの反射とが異なる。このため、図４の例よりも、スプリアスの相殺の効果が増大し、減衰量をより大きくすることができる。
【００３５】
図４から図５（ｂ）では、電極指８ａ及び１０ａが二つのギャップを有している場合を示したが、二つ以上のギャップを有していてもよい。同様に、反射器８及び１０にスリットが二つ以上形成されていてもよい。また、図４では、電極指８ａ及び１０ａの各々が二つのギャップを有している例を示したが、電極指８ａ及び１０ａのうち少なくとも一つが、複数のギャップを有していればよい。同様に、反射器８及び１０のうち少なくとも一つに、複数のスリットが形成されていてもよい。
【実施例３】
【００３６】
実施例３は、二重モードＳＡＷフィルタ１００、及び同様の構成を有した二重モードＳＡＷフィルタ１１０の接続例である。
【００３７】
図６は、二重モードＳＡＷフィルタ１００と二重モードＳＡＷフィルタ１１０とがカスケード接続されている弾性表面波フィルタを示す模式図である。二重モードＳＡＷフィルタ１１０は、ＩＤＴ１２、１４及び１６、反射器１８及び２０から構成される。二重モードＳＡＷフィルタ１００の中央に位置するＩＤＴ４に端子２４が、二重モードＳＡＷフィルタ１１０の中央に位置するＩＤＴ１４に端子２６が、各々接続されている。端子２４及び２６は、何れが入力端子又は出力端子であってもよい。ＩＤＴ２とＩＤＴ１２、ＩＤＴ４とＩＤＴ１４、ＩＤＴ６とＩＤＴ１６とは各々接続されている。
【００３８】
図７は、実施例３の変形例であり、二重モードＳＡＷフィルタ１００と二重モードＳＡＷフィルタ１１０とが並列接続されている弾性表面波フィルタを示す模式図である。ＩＤＴ４及び１４は端子２４に接続されている。ＩＤＴ２、６、１２及び１６は、端子２６に接続されている。
【００３９】
図６及び図７のどちらの例においても、反射器８にスリット５０、反射器１０にスリット６０、反射器１８にスリット７０、反射器２０にスリット８０が各々形成されている。このため、励振された弾性波が反射器８及び１０でランダムに反射され、二重モードＳＡＷフィルタ１００から通過帯域近傍の低周波側の減衰量が大きい電気信号が出力されることとなる。同様に、二重モードＳＡＷフィルタ１１０からも減衰量の大きな電気信号が出力される。
【００４０】
実施例３においては、各反射器に一つのスリットが形成された例を示したが、各反射器が実施例１及び２において説明した構成を有していてもよい。
【実施例４】
【００４１】
実施例４は、一つの二重モードＳＡＷフィルタにおいて、ギャップの数を変化させ、減衰量を計算した実験である。
【００４２】
図８は、実施例４のベースとなる弾性表面波フィルタを示す模式図であり、これをサンプル１とする。図８に示すように、圧電基板２２上に二重モードＳＡＷフィルタ１２０及び共振器１３０が設けられている。二重モードＳＡＷフィルタ１２０はＩＤＴ３１、３２、３３及び３４、反射器３８及び４０からなる。また、共振器１３０はＩＤＴ３０、及びその両側に設けられた反射器２８からなる。電気信号は入力端子２４からＩＤＴ３０に入力され、ＩＤＴ３１及び３４へと出力される。ＩＤＴ３１及び３４において弾性波が励振され、ＩＤＴ３２及び３３により弾性波が電気信号へと変換される。最終的に、ＩＤＴ３２に接続された出力端子２５、及びＩＤＴ３３に接続された出力端子２６から電気信号が出力される。出力端子２５と出力端子２６とは、各々から出力される電気信号の位相が１８０°異なる平衡出力端子である。
【００４３】
反射器３８及び４０には各々反射減衰域Ｂが設けられており、どちらの反射器においても、通常の反射域Ａの電極指数は２０本、反射減衰域Ｂの電極指数は１８本である。また、ＩＤＴ３１、３２、３３及び３４の電極指の交差幅Ｗ１、すなわち弾性表面波の伝搬路の幅は１５８μｍである。
【００４４】
図９（ａ）は、反射器３８の電極指３８ａの各々が一つのギャップ３９を有し、反射器４０の電極指４０ａの各々が一つのギャップ４１を有している二重モードＳＡＷフィルタ１２０を示す模式図である。図８の二重モードＳＡＷフィルタ１２０を、図９（ａ）の二重モードＳＡＷフィルタ１２０に置き換えたものを実施例４のサンプル２とする。ギャップ３９及び４１の幅は２μｍである。
【００４５】
図９（ｂ）は、サンプル１及びサンプル２の計算結果を示す図であり、図９（ｃ）は通過帯域近傍の低周波側の拡大図である。図９（ｃ）に示すように、サンプル２によればサンプル１と比較して、８４０ＭＨｚ付近のスパイクが約２．０ｄＢ減衰している。なお、計算結果を表す図では、横軸は周波数、縦軸は減衰量を表している。
【００４６】
図１０（ａ）は、反射器３８の電極指３８ａの各々が二つのギャップ３９を有し、反射器４０の電極指４０ａの各々が二つのギャップ４１を有している二重モードＳＡＷフィルタ１２０を示した模式図である。図８の二重モードＳＡＷフィルタ１２０を図１０（ａ）の二重モードＳＡＷフィルタ１２０に置き換えたものを実施例４のサンプル３とする。ギャップ３９及び４１の幅は２μｍである。
【００４７】
図１０（ｂ）はサンプル１とサンプル３との計算結果を示す図であり、図１０（ｃ）は通過帯域近傍の低周波側の拡大図である。図１０（ｃ）に示すように、サンプル３によればサンプル１と比較して、８４０ＭＨｚ付近のスパイクが約３．０ｄＢ減衰している。また８３３ＭＨｚ付近及び８３０ＭＨｚ付近においても、約４．０ｄＢ減衰量が大きくなっている。
【００４８】
以上のように、反射器の電極指の各々が一つのギャップを有することで、ギャップを有さない場合よりも減衰量を大きくすることができた。また二つのギャップを有することで、より減衰量を大きくすることができた。
【実施例５】
【００４９】
実施例５は、並列に接続した二重モードＳＡＷフィルタにおいて、反射器の電極指がギャップを有する場合と、有していない場合とで、減衰量の計算をした実験である。
【００５０】
図１１は、実施例５のベースとなる弾性表面波フィルタを示す模式図であり、これをサンプル４とする。図１１に示すように、圧電基板２２上に、二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０、共振器１３０、１４０及び１５０が設けられている。二重モードＳＡＷフィルタ１００と二重モードＳＡＷフィルタ１１０とは、共振器１３０に並列接続されている。二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０、共振器１３０の構成は既述したので、説明を省略する。共振器１４０はＩＤＴ３７と、その両側に設けられた反射器３５とからなる。同様に、共振器１５０はＩＤＴ４３と、その両側に設けられた反射器３６とからなる。入力端子２４からＩＤＴ３０に入力された電気信号は、ＩＤＴ４及び１４へと出力される。電気信号がＩＤＴ４に入力されると、弾性波が励振される。励振された弾性波はＩＤＴ２及び６により電気信号へ変換され、ＩＤＴ３７へと出力される。最終的に、出力端子２５から電気信号が出力される。同様にＩＤＴ１４に入力された電気信号は、ＩＤＴ１２及び１６からＩＤＴ４３へと出力され、最終的に出力端子２６から出力される。
【００５１】
反射器８、１０、１８及び２０には各々反射減衰域Ｂが設けられており、どちらの反射器においても、通常の反射域Ａの電極指数は３０本、反射減衰域Ｂの電極指数は４２本である。また、弾性表面波の伝搬路の幅Ｗ２は８３μｍである。
【００５２】
図１２（ａ）は、各反射器の各電極指が一つのギャップを有している二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０を示した模式図である。図１１の二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０を、図１２（ａ）の二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０に置き換えたものを実施例５のサンプル５とする。各ギャップの幅は２μｍである。
【００５３】
図１２（ｂ）はサンプル４及びサンプル５の計算結果を示した図であり、図１２（ｃ）は通過帯域近傍の低周波側の拡大図である。図１２（ｃ）に示すように、サンプル５によればサンプル４と比較して、１７８０ＭＨｚ付近のスパイクが約２．０ｄＢ減衰している。
【００５４】
以上のように、反射器の電極指がギャップを有することにより、並列接続した二重モードＳＡＷフィルタにおいても、減衰量を大きくすることができた。
【実施例６】
【００５５】
実施例６は、スリットの本数を変化させ、減衰量を計算した実験である。
【００５６】
図１３は、実施例６のベースとなる弾性表面波フィルタを示す模式図であり、これをサンプル６とする。図１３に示すように、圧電基板２２上に二重モードＳＡＷフィルタ１００、１１０及び１２０、並びに共振器１３０が設けられている。各二重モードＳＡＷフィルタ及び共振器１３０の構成は既述したので説明を省略する。図１１と同様に、二重モードＳＡＷフィルタ１００と二重モードＳＡＷフィルタ１１０とは、共振器１３０に並列接続されている。また、二重モードＳＡＷフィルタ１００のＩＤＴ２及び６は二重モードＳＡＷフィルタ１２０のＩＤＴ３１に、二重モードＳＡＷフィルタ１１０のＩＤＴ１２及び１６は二重モードＳＡＷフィルタ１２０のＩＤＴ３４に、各々接続されている。
【００５７】
反射器８及び１０には各々反射減衰域Ｂが設けられており、通常の反射域Ａの電極指数は３０本、反射減衰域Ｂの電極指数は２７本である。また、反射器１８及び２０には各々反射減衰域Ｄが設けられており、通常の反射域Ｃの電極指数は３０本、反射減衰域Ｄの電極指数は２４本である。二重モードＳＡＷフィルタ１００における弾性表面波の伝搬路の幅Ｗ３は５６μｍであり、二重モードＳＡＷフィルタ１１０における弾性表面波の伝搬路の幅Ｗ４は１８μｍである。
【００５８】
図１４（ａ）は、各電極指が、各反射器に一本のスリットが形成されるように一つのギャップを有している場合の、二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０を示した模式図である。図１３の二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０を図１４（ａ）の二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０に置き換えたものを実施例６のサンプル７とする。各ギャップの幅は４μｍである。
【００５９】
図１４（ｂ）はサンプル６及びサンプル７の計算結果を示した図であり、図１４（ｃ）は通過帯域近傍の低周波側の拡大図である。図１４（ｃ）に示すように、サンプル７によればサンプル６と比較して、１８８０ＭＨｚ付近のスパイクが約７．０ｄＢ減衰している。また１９００ＭＨｚ付近のスパイクが約４．０ｄＢ減衰している。
【００６０】
図１５（ａ）は、各電極指が、各反射器に二本のスリットが形成されるように二つのギャップを有している場合の、二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０を示した模式図である。図１３の二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０を図１５（ａ）の二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０に置き換えたものを実施例６のサンプル８とする。
【００６１】
図１５（ｂ）はサンプル６及びサンプル８の計算結果を示した図であり、図１５（ｃ）は通過帯域近傍の低周波側の拡大図である。図１５（ｃ）に示すように、サンプル８によればサンプル６と比較して、１８８０ＭＨｚ付近のスパイクは約１４．０ｄＢ減衰しており、また１８８５ＭＨｚ付近では約２５．０ｄＢ減衰している。１９００ＭＨｚ付近のスパイクは、約１８．０ｄＢ減衰している。
【００６２】
以上のように、反射器に一本のスリットが形成されることで減衰量を大きくすることができた。また反射器に二本のスリットが形成されることで、より大幅に減衰量を大きくすることができた。
【００６３】
実施例１から実施例６においては、二重モードＳＡＷフィルタについて説明したが、本発明はそれに限られるものではなく、二重モードＳＡＷフィルタ以外の表面弾性波フィルタや、弾性境界波フィルタにも適用可能である。
【００６４】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】図１は従来技術に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図である。
【図２】図２は実施例１に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図である。
【図３】図３は実施例１の変形例に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図である。
【図４】図４は実施例２に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図である。
【図５】図５は実施例２の変形例に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図である。
【図６】図６は実施例３に係る二重モードＳＡＷフィルタの接続例を示した模式図である。
【図７】図７は実施例３の変形例に係る二重モードＳＡＷフィルタの接続例を示した模式図である。
【図８】図８は実施例４のベースとなる弾性表面波フィルタの模式図である。
【図９】図９（ａ）は実施例４のサンプル２に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図であり、図９（ｂ）及び図９（ｃ）は計算結果を示す図である。
【図１０】図１０（ａ）は実施例４のサンプル３に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図であり、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）は計算結果を示す図である。
【図１１】図１１は実施例５のベースとなる弾性表面波フィルタの模式図である。
【図１２】図１２（ａ）は実施例５のサンプル５に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図であり、図１２（ｂ）及び図１２（ｃ）は計算結果を示す図である。
【図１３】図１３は実施例６のベースとなる弾性表面波フィルタの模式図である。
【図１４】図１４（ａ）は実施例６のサンプル７に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図であり、図１４（ｂ）及び図１４（ｃ）は計算結果を示す図である。
【図１５】図１５（ａ）は実施例６のサンプル８に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図であり、図１５（ｂ）及び図１５（ｃ）は計算結果を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
ＩＤＴ ２、４、６、１２、１４、１６、３０、３１、３２、３３、３４、３７、４３
反射器 ８、１０、１８、２０、２８、３５、３６、３８、４０
ギャップ ９、１１、１９、２１、３９、４１
圧電基板 ２２
スリット ５０、５２、６０、６２、７０、７２、８０、８２
二重モードＳＡＷフィルタ １００、１１０、１２０
共振器 １３０、１４０、１５０
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波フィルタに関し、特に圧電基板上にＩＤＴと反射器とを有する弾性波フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報化社会の進展とともに、移動体通信機器の小型化、軽量化、高周波化が要求されている。それに伴い、小型で軽量な弾性波フィルタが利用されている。特に携帯電話システムでは、送信周波数と受信周波数とが近接しているシステムが増えているため、通過帯域近傍で減衰量をより大きくする要求が強くなっている。
【０００３】
弾性波フィルタの一つとして、圧電基板上に櫛型電極からなるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）と、反射器とを設けた弾性表面波フィルタがある。この弾性表面波素子に電力を印加することで、弾性波を励振する。弾性表面波フィルタは、例えば４５ＭＨｚ〜２．０ＧＨｚの周波数帯域における無線信号を処理する、例えば送信用バンドパスフィルタ、受信用バンドパスフィルタ等に用いられている。
【０００４】
図１（ａ）は従来の二重モード弾性表面波フィルタ（以下、二重モードＳＡＷフィルタ）を示す上面図であり、図１（ｂ）は特許文献１に開示された二重モードＳＡＷフィルタを示す上面図である。図１（ａ）に示すように、例えばＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３等の圧電体からなる圧電基板２２上に三つのＩＤＴ２、４及び６が設けられており、その両側には反射器８及び１０が設けられている。各ＩＤＴ、及び各反射器は例えばＡｌ等の金属からなる。なお図面においては、簡略化のため電極指の数は省略している。
【０００５】
上記の二重モードＳＡＷフィルタに電気信号が入力されると、ＩＤＴにおいて弾性波が励振され、ＩＤＴ及び反射器の電極指に対して垂直な方向に弾性波が伝搬する。弾性波は通過帯域の周波数を有した電気信号に変換され出力される。このとき、反射器８及び１０は、ＩＤＴ２、４及び６から伝搬してきた弾性波を反射し閉じ込めることにより、出力される電気信号の減衰を抑制する役割を担う。しかし、反射器８及び１０により通過帯域外の弾性波（スプリアス）も反射されるため、スプリアス同士が重なり、結果的に二重モードＳＡＷフィルタの通過帯域外の減衰量が悪化するという問題があった。
【０００６】
図１（ｂ）に示すように、特許文献１では、反射器８及び１０の電極指が、ＩＤＴから離れるにつれて短くなっている反射減衰域Ｂを形成した二重モードＳＡＷフィルタが開示されている。これによれば、電極指の長さが等しい通常の反射域Ａと反射減衰域Ｂとでは反射係数が異なるため、反射がランダムとなる。結果的に、スプリアス同士が互いに相殺し、通過帯域近傍の低周波側の減衰量を大きくすることができる。
【特許文献１】特開２０００−１９６３９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の発明では、減衰量を改善できるものの、その効果は十分とは言えなかった。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑み、通過帯域近傍の低周波側の減衰量をより大きくすることが可能な弾性波フィルタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられたＩＤＴと、前記ＩＤＴの両側に設けられ、複数の電極指を有した反射器とを具備し、前記複数の電極指のうち少なくとも一つが、弾性波の伝搬路内に、少なくとも一つのギャップを有することを特徴とする弾性波フィルタである。本発明によれば、反射器からの反射がランダムとなり、スプリアスが相殺されるため、通過帯域近傍の低周波側の減衰量を大きくすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記複数の電極指のうち少なくとも一つは、複数の前記ギャップを有する構成とすることができる。この構成によれば、電極指にオープンとなる領域を設けることができるため、反射がよりランダムとなり、減衰量をさらに大きくすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記複数の電極指は、前記反射器のうち少なくとも一つに、弾性波の伝搬方向に対して斜めの、少なくとも一つのスリットが形成されるように、前記ギャップを有する構成とすることができる。この構成によれば、反射器からの反射がランダムとなるため、減衰量を大きくすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記反射器のうち少なくとも一つに、複数の前記スリットが形成されている構成とすることができる。この構成によれば、電極指にオープンとなる領域を設けることができるため、減衰量をさらに大きくすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記複数のスリットは、前記弾性波の伝搬方向と、各々異なった角度で交差している構成とすることができる。この構成によれば、反射がランダムとなるため、減衰量を大きくすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記反射器の各々に、少なくとも一つの前記スリットが形成されている構成とすることができる。この構成によれば、各反射器からの反射がランダムとなるため、減衰量を大きくすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記反射器の各々に形成された前記スリットは、前記弾性波の伝搬路に垂直な方向に対して鏡面対称になっていない構成とすることができる。この構成によれば、反射がランダムとなるため、減衰量を大きくすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記反射器の各々に形成された前記スリットは、前記弾性波の伝搬方向と、各々異なった角度で交差している構成とすることができる。この構成によれば、反射がランダムとなるため、減衰量を大きくすることができる。
【００１７】
上記構成において、前記複数の電極指は、前記ＩＤＴから距離が離れるにつれて短くなっている構成とすることができる。この構成によれば、反射がランダムとなるため、減衰量を大きくすることができる。
【００１８】
上記構成において、前記弾性波フィルタは、二重モード弾性表面波フィルタである構成とすることができる。
【００１９】
上記構成において、前記弾性波フィルタは、複数の二重モード弾性表面波フィルタをカスケード接続した弾性波フィルタである構成とすることができる。
【００２０】
上記構成において、前記弾性波フィルタは、複数の二重モード弾性表面波フィルタを並列接続した弾性波フィルタである構成とすることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、通過帯域近傍の低周波側の減衰量をより大きくすることが可能な弾性波フィルタを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図面を用いて、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２３】
図２から図３（ｃ）は、実施例１に係る二重モードＳＡＷフィルタ１００を示す模式図である。
【００２４】
図２に示すように、反射器８の複数の電極指８ａが各々一つのギャップ９を有し、反射器１０の複数の電極指１０ａが各々一つのギャップ１１を有している。ギャップ９及び１１は弾性波の伝搬路（ＩＤＴの電極指が重なる領域）内に位置している。実施例１によれば、ギャップ９及び１１においては弾性波が反射されないため、反射器８及び１０の反射係数が変化する。このため、反射がランダムとなり、反射器８からのスプリアスと反射器１０からのスプリアスとが相殺されることとなり、通過帯域近傍の低周波側の減衰量を大きくすることができる。
【００２５】
図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１の変形例を示す模式図である。
【００２６】
図３（ａ）は、反射器８の複数の電極指８ａのうち一つが、一つのギャップ９を、また反射器１０の複数の電極指１０ａのうち一つが、一つのギャップ１１を、各々有している例である。
【００２７】
図３（ｂ）は、ギャップが各々直線状に配置され、スリットを形成している例である。すなわち、複数の電極指８ａの各々が反射器８にスリット５０が形成されるようにギャップ９を、また複数の電極指１０ａの各々が反射器１０にスリット６０が形成されるようにギャップ１１を、各々有している。このとき、スリット５０及び６０が弾性表面波の伝搬方向（電極指に対して垂直な方向）と平行ならば、各電極指で反射される波が同一となり、結果的にスプリアスが大きくなってしまう。従って、反射をランダムにし、減衰量を大きくするためには、スリット５０及び６０を、弾性表面波の伝搬方向に対して斜めに形成することが好ましい。また、スリット５０とスリット６０とが、弾性表面波の伝搬方向に垂直な方向に対して鏡面対称である場合、反射器８からの反射と反射器１０からの反射とが同一となり、上記の場合と同様に、スプリアスが大きくなってしまう。従って反射をランダムにするために、スリット５０とスリット６０とは、弾性波の伝搬方向に垂直な方向に対して鏡面対称になっていないことが好ましい。但し、鏡面対称であっても、それぞれの反射器の電極指のピッチが異なっていればスプリアスは抑制される。さらに、反射をよりランダムにするために、スリット５０とスリット６０とは平行でないこと、すなわちスリット５０とスリット６０とが、弾性波の伝搬方向と、各々異なった角度で交差していることが好ましい。
【００２８】
図３（ｃ）は、反射器８及び１０に、ＩＤＴから離れるにつれて電極指８ａ及び１０ａが短くなる反射減衰域Ｂを設けた例である。この例によれば、電極指の長さが同一である反射域Ａからの反射と、反射減衰域Ｂからの反射とが異なる。このため、反射がさらにランダムとなり、図２の例よりも、スプリアスの相殺の効果が増大し、減衰量をより大きくすることができる。
【００２９】
図３（ａ）では、反射器８の複数の電極指８ａのうち一つ、及び反射器１０の複数の電極指１０ａのうち一つが、各々一つのギャップ９及び１１を有している例を示した。しかし、電極指８ａ及び１０ａのうち少なくとも一つが、弾性波の伝搬路内に、一つのギャップを有していればよい。また、図３（ｂ）では、反射器８及び１０の各々に、一つのスリット５０及び６０が形成されている例を示したが、反射器８及び１０のうち少なくとも一つに、一つのスリットが形成されていてもよい。
【実施例２】
【００３０】
実施例２は、電極指が複数のギャップを有している例である。図４は、実施例２に係る二重モードＳＡＷフィルタ１００を示す模式図である。
【００３１】
図４に示すように、反射器８の複数の電極指８ａが、各々二つのギャップ９を有し、反射器１０の複数の電極指１０ａが、各々二つのギャップ１１を有している。これにより、電極指８ａの中にオープンとなる領域８ｂ、同様に電極指１０ａの中にオープンとなる領域１０ｂを設けることができる。反射器８及び１０は接地されているので、領域８ｂ及び１０ｂは、反射器の他の部分とは異なる電位を有することとなる。このため、反射器８及び１０の反射係数が変化し、実施例１のようにギャップが１つの場合よりも、反射がさらにランダムとなる。結果的に、通過帯域近傍の低周波側の減衰量を、さらに大きくすることができる。
【００３２】
図５（ａ）から図５（ｂ）は、実施例２の変形例を示す模式図である。
【００３３】
図５（ａ）は、反射器８に２つのスリット５０及び５２が、反射器１０に２つのスリット６０及び６２が、各々形成されている例である。この例においても、電極指８及び１０にオープンとなる領域８ｂ及び１０ｂを設けることができる。このとき、反射器８からの反射をよりランダムにするために、スリット５０とスリット５２とは平行でないこと、すなわちスリット５０とスリット５２とが、弾性波の伝搬方向と、各々異なった角度で交差していることが好ましい。スリット６０及び６２についても同様である。
【００３４】
図５（ｂ）は、反射器８及び１０に、ＩＤＴから離れるにつれて電極指８ａ及び１０ａが短くなる反射減衰域Ｂを設けた例である。この例によれば、反射域Ａからの反射と、反射減衰域Ｂからの反射とが異なる。このため、図４の例よりも、スプリアスの相殺の効果が増大し、減衰量をより大きくすることができる。
【００３５】
図４から図５（ｂ）では、電極指８ａ及び１０ａが二つのギャップを有している場合を示したが、二つ以上のギャップを有していてもよい。同様に、反射器８及び１０にスリットが二つ以上形成されていてもよい。また、図４では、電極指８ａ及び１０ａの各々が二つのギャップを有している例を示したが、電極指８ａ及び１０ａのうち少なくとも一つが、複数のギャップを有していればよい。同様に、反射器８及び１０のうち少なくとも一つに、複数のスリットが形成されていてもよい。
【実施例３】
【００３６】
実施例３は、二重モードＳＡＷフィルタ１００、及び同様の構成を有した二重モードＳＡＷフィルタ１１０の接続例である。
【００３７】
図６は、二重モードＳＡＷフィルタ１００と二重モードＳＡＷフィルタ１１０とがカスケード接続されている弾性表面波フィルタを示す模式図である。二重モードＳＡＷフィルタ１１０は、ＩＤＴ１２、１４及び１６、反射器１８及び２０から構成される。二重モードＳＡＷフィルタ１００の中央に位置するＩＤＴ４に端子２４が、二重モードＳＡＷフィルタ１１０の中央に位置するＩＤＴ１４に端子２６が、各々接続されている。端子２４及び２６は、何れが入力端子又は出力端子であってもよい。ＩＤＴ２とＩＤＴ１２、ＩＤＴ４とＩＤＴ１４、ＩＤＴ６とＩＤＴ１６とは各々接続されている。
【００３８】
図７は、実施例３の変形例であり、二重モードＳＡＷフィルタ１００と二重モードＳＡＷフィルタ１１０とが並列接続されている弾性表面波フィルタを示す模式図である。ＩＤＴ４及び１４は端子２４に接続されている。ＩＤＴ２、６、１２及び１６は、端子２６に接続されている。
【００３９】
図６及び図７のどちらの例においても、反射器８にスリット５０、反射器１０にスリット６０、反射器１８にスリット７０、反射器２０にスリット８０が各々形成されている。このため、励振された弾性波が反射器８及び１０でランダムに反射され、二重モードＳＡＷフィルタ１００から通過帯域近傍の低周波側の減衰量が大きい電気信号が出力されることとなる。同様に、二重モードＳＡＷフィルタ１１０からも減衰量の大きな電気信号が出力される。
【００４０】
実施例３においては、各反射器に一つのスリットが形成された例を示したが、各反射器が実施例１及び２において説明した構成を有していてもよい。
【実施例４】
【００４１】
実施例４は、一つの二重モードＳＡＷフィルタにおいて、ギャップの数を変化させ、減衰量を計算した実験である。
【００４２】
図８は、実施例４のベースとなる弾性表面波フィルタを示す模式図であり、これをサンプル１とする。図８に示すように、圧電基板２２上に二重モードＳＡＷフィルタ１２０及び共振器１３０が設けられている。二重モードＳＡＷフィルタ１２０はＩＤＴ３１、３２、３３及び３４、反射器３８及び４０からなる。また、共振器１３０はＩＤＴ３０、及びその両側に設けられた反射器２８からなる。電気信号は入力端子２４からＩＤＴ３０に入力され、ＩＤＴ３１及び３４へと出力される。ＩＤＴ３１及び３４において弾性波が励振され、ＩＤＴ３２及び３３により弾性波が電気信号へと変換される。最終的に、ＩＤＴ３２に接続された出力端子２５、及びＩＤＴ３３に接続された出力端子２６から電気信号が出力される。出力端子２５と出力端子２６とは、各々から出力される電気信号の位相が１８０°異なる平衡出力端子である。
【００４３】
反射器３８及び４０には各々反射減衰域Ｂが設けられており、どちらの反射器においても、通常の反射域Ａの電極指数は２０本、反射減衰域Ｂの電極指数は１８本である。また、ＩＤＴ３１、３２、３３及び３４の電極指の交差幅Ｗ１、すなわち弾性表面波の伝搬路の幅は１５８μｍである。
【００４４】
図９（ａ）は、反射器３８の電極指３８ａの各々が一つのギャップ３９を有し、反射器４０の電極指４０ａの各々が一つのギャップ４１を有している二重モードＳＡＷフィルタ１２０を示す模式図である。図８の二重モードＳＡＷフィルタ１２０を、図９（ａ）の二重モードＳＡＷフィルタ１２０に置き換えたものを実施例４のサンプル２とする。ギャップ３９及び４１の幅は２μｍである。
【００４５】
図９（ｂ）は、サンプル１及びサンプル２の計算結果を示す図であり、図９（ｃ）は通過帯域近傍の低周波側の拡大図である。図９（ｃ）に示すように、サンプル２によればサンプル１と比較して、８４０ＭＨｚ付近のスパイクが約２．０ｄＢ減衰している。なお、計算結果を表す図では、横軸は周波数、縦軸は減衰量を表している。
【００４６】
図１０（ａ）は、反射器３８の電極指３８ａの各々が二つのギャップ３９を有し、反射器４０の電極指４０ａの各々が二つのギャップ４１を有している二重モードＳＡＷフィルタ１２０を示した模式図である。図８の二重モードＳＡＷフィルタ１２０を図１０（ａ）の二重モードＳＡＷフィルタ１２０に置き換えたものを実施例４のサンプル３とする。ギャップ３９及び４１の幅は２μｍである。
【００４７】
図１０（ｂ）はサンプル１とサンプル３との計算結果を示す図であり、図１０（ｃ）は通過帯域近傍の低周波側の拡大図である。図１０（ｃ）に示すように、サンプル３によればサンプル１と比較して、８４０ＭＨｚ付近のスパイクが約３．０ｄＢ減衰している。また８３３ＭＨｚ付近及び８３０ＭＨｚ付近においても、約４．０ｄＢ減衰量が大きくなっている。
【００４８】
以上のように、反射器の電極指の各々が一つのギャップを有することで、ギャップを有さない場合よりも減衰量を大きくすることができた。また二つのギャップを有することで、より減衰量を大きくすることができた。
【実施例５】
【００４９】
実施例５は、並列に接続した二重モードＳＡＷフィルタにおいて、反射器の電極指がギャップを有する場合と、有していない場合とで、減衰量の計算をした実験である。
【００５０】
図１１は、実施例５のベースとなる弾性表面波フィルタを示す模式図であり、これをサンプル４とする。図１１に示すように、圧電基板２２上に、二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０、共振器１３０、１４０及び１５０が設けられている。二重モードＳＡＷフィルタ１００と二重モードＳＡＷフィルタ１１０とは、共振器１３０に並列接続されている。二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０、共振器１３０の構成は既述したので、説明を省略する。共振器１４０はＩＤＴ３７と、その両側に設けられた反射器３５とからなる。同様に、共振器１５０はＩＤＴ４３と、その両側に設けられた反射器３６とからなる。入力端子２４からＩＤＴ３０に入力された電気信号は、ＩＤＴ４及び１４へと出力される。電気信号がＩＤＴ４に入力されると、弾性波が励振される。励振された弾性波はＩＤＴ２及び６により電気信号へ変換され、ＩＤＴ３７へと出力される。最終的に、出力端子２５から電気信号が出力される。同様にＩＤＴ１４に入力された電気信号は、ＩＤＴ１２及び１６からＩＤＴ４３へと出力され、最終的に出力端子２６から出力される。
【００５１】
反射器８、１０、１８及び２０には各々反射減衰域Ｂが設けられており、どちらの反射器においても、通常の反射域Ａの電極指数は３０本、反射減衰域Ｂの電極指数は４２本である。また、弾性表面波の伝搬路の幅Ｗ２は８３μｍである。
【００５２】
図１２（ａ）は、各反射器の各電極指が一つのギャップを有している二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０を示した模式図である。図１１の二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０を、図１２（ａ）の二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０に置き換えたものを実施例５のサンプル５とする。各ギャップの幅は２μｍである。
【００５３】
図１２（ｂ）はサンプル４及びサンプル５の計算結果を示した図であり、図１２（ｃ）は通過帯域近傍の低周波側の拡大図である。図１２（ｃ）に示すように、サンプル５によればサンプル４と比較して、１７８０ＭＨｚ付近のスパイクが約２．０ｄＢ減衰している。
【００５４】
以上のように、反射器の電極指がギャップを有することにより、並列接続した二重モードＳＡＷフィルタにおいても、減衰量を大きくすることができた。
【実施例６】
【００５５】
実施例６は、スリットの本数を変化させ、減衰量を計算した実験である。
【００５６】
図１３は、実施例６のベースとなる弾性表面波フィルタを示す模式図であり、これをサンプル６とする。図１３に示すように、圧電基板２２上に二重モードＳＡＷフィルタ１００、１１０及び１２０、並びに共振器１３０が設けられている。各二重モードＳＡＷフィルタ及び共振器１３０の構成は既述したので説明を省略する。図１１と同様に、二重モードＳＡＷフィルタ１００と二重モードＳＡＷフィルタ１１０とは、共振器１３０に並列接続されている。また、二重モードＳＡＷフィルタ１００のＩＤＴ２及び６は二重モードＳＡＷフィルタ１２０のＩＤＴ３１に、二重モードＳＡＷフィルタ１１０のＩＤＴ１２及び１６は二重モードＳＡＷフィルタ１２０のＩＤＴ３４に、各々接続されている。
【００５７】
反射器８及び１０には各々反射減衰域Ｂが設けられており、通常の反射域Ａの電極指数は３０本、反射減衰域Ｂの電極指数は２７本である。また、反射器１８及び２０には各々反射減衰域Ｄが設けられており、通常の反射域Ｃの電極指数は３０本、反射減衰域Ｄの電極指数は２４本である。二重モードＳＡＷフィルタ１００における弾性表面波の伝搬路の幅Ｗ３は５６μｍであり、二重モードＳＡＷフィルタ１１０における弾性表面波の伝搬路の幅Ｗ４は１８μｍである。
【００５８】
図１４（ａ）は、各電極指が、各反射器に一本のスリットが形成されるように一つのギャップを有している場合の、二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０を示した模式図である。図１３の二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０を図１４（ａ）の二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０に置き換えたものを実施例６のサンプル７とする。各ギャップの幅は４μｍである。
【００５９】
図１４（ｂ）はサンプル６及びサンプル７の計算結果を示した図であり、図１４（ｃ）は通過帯域近傍の低周波側の拡大図である。図１４（ｃ）に示すように、サンプル７によればサンプル６と比較して、１８８０ＭＨｚ付近のスパイクが約７．０ｄＢ減衰している。また１９００ＭＨｚ付近のスパイクが約４．０ｄＢ減衰している。
【００６０】
図１５（ａ）は、各電極指が、各反射器に二本のスリットが形成されるように二つのギャップを有している場合の、二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０を示した模式図である。図１３の二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０を図１５（ａ）の二重モードＳＡＷフィルタ１００及び１１０に置き換えたものを実施例６のサンプル８とする。
【００６１】
図１５（ｂ）はサンプル６及びサンプル８の計算結果を示した図であり、図１５（ｃ）は通過帯域近傍の低周波側の拡大図である。図１５（ｃ）に示すように、サンプル８によればサンプル６と比較して、１８８０ＭＨｚ付近のスパイクは約１４．０ｄＢ減衰しており、また１８８５ＭＨｚ付近では約２５．０ｄＢ減衰している。１９００ＭＨｚ付近のスパイクは、約１８．０ｄＢ減衰している。
【００６２】
以上のように、反射器に一本のスリットが形成されることで減衰量を大きくすることができた。また反射器に二本のスリットが形成されることで、より大幅に減衰量を大きくすることができた。
【００６３】
実施例１から実施例６においては、二重モードＳＡＷフィルタについて説明したが、本発明はそれに限られるものではなく、二重モードＳＡＷフィルタ以外の表面弾性波フィルタや、弾性境界波フィルタにも適用可能である。
【００６４】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】図１は従来技術に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図である。
【図２】図２は実施例１に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図である。
【図３】図３は実施例１の変形例に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図である。
【図４】図４は実施例２に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図である。
【図５】図５は実施例２の変形例に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図である。
【図６】図６は実施例３に係る二重モードＳＡＷフィルタの接続例を示した模式図である。
【図７】図７は実施例３の変形例に係る二重モードＳＡＷフィルタの接続例を示した模式図である。
【図８】図８は実施例４のベースとなる弾性表面波フィルタの模式図である。
【図９】図９（ａ）は実施例４のサンプル２に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図であり、図９（ｂ）及び図９（ｃ）は計算結果を示す図である。
【図１０】図１０（ａ）は実施例４のサンプル３に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図であり、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）は計算結果を示す図である。
【図１１】図１１は実施例５のベースとなる弾性表面波フィルタの模式図である。
【図１２】図１２（ａ）は実施例５のサンプル５に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図であり、図１２（ｂ）及び図１２（ｃ）は計算結果を示す図である。
【図１３】図１３は実施例６のベースとなる弾性表面波フィルタの模式図である。
【図１４】図１４（ａ）は実施例６のサンプル７に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図であり、図１４（ｂ）及び図１４（ｃ）は計算結果を示す図である。
【図１５】図１５（ａ）は実施例６のサンプル８に係る二重モードＳＡＷフィルタの模式図であり、図１５（ｂ）及び図１５（ｃ）は計算結果を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
ＩＤＴ ２、４、６、１２、１４、１６、３０、３１、３２、３３、３４、３７、４３
反射器 ８、１０、１８、２０、２８、３５、３６、３８、４０
ギャップ ９、１１、１９、２１、３９、４１
圧電基板 ２２
スリット ５０、５２、６０、６２、７０、７２、８０、８２
二重モードＳＡＷフィルタ １００、１１０、１２０
共振器 １３０、１４０、１５０
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられたＩＤＴと、
前記ＩＤＴの両側に設けられ、複数の電極指を有した反射器と、を具備し、
前記複数の電極指のうち少なくとも一つが、弾性波の伝搬路内に、少なくとも一つのギャップを有することを特徴とする弾性波フィルタ。
【請求項２】
前記複数の電極指のうち少なくとも一つは、複数の前記ギャップを有することを特徴とする請求項１記載の弾性波フィルタ。
【請求項３】
前記複数の電極指は、前記反射器のうち少なくとも一つに、弾性波の伝搬方向に対して斜めの、少なくとも一つのスリットが形成されるように、前記ギャップを有することを特徴とする請求項１または２記載の弾性波フィルタ。
【請求項４】
前記反射器のうち少なくとも一つに、複数の前記スリットが形成されていることを特徴とする請求項３記載の弾性波フィルタ。
【請求項５】
前記複数のスリットは、前記弾性波の伝搬方向と、各々異なった角度で交差していることを特徴とする請求項４記載の弾性波フィルタ。
【請求項６】
前記反射器の各々に、少なくとも一つの前記スリットが形成されていることを特徴とする請求項３から５いずれか一項記載の弾性波フィルタ。
【請求項７】
前記反射器の各々に形成された前記スリットは、前記弾性波の伝搬方向に垂直な方向に対して鏡面対称になっていないことを特徴とする請求項６記載の弾性波フィルタ。
【請求項８】
前記反射器の各々に形成された前記スリットは、前記弾性波の伝搬方向と、各々異なった角度で交差していることを特徴とする請求項６または７記載の弾性波フィルタ。
【請求項９】
前記複数の電極指は、前記ＩＤＴから距離が離れるにつれて短くなっていることを特徴とする請求項１から８いずれか一項記載の弾性波フィルタ。
【請求項１０】
前記弾性波フィルタは、二重モード弾性表面波フィルタであることを特徴とする請求項１から９いずれか一項記載の弾性波フィルタ。
【請求項１１】
前記弾性波フィルタは、複数の二重モード弾性表面波フィルタをカスケード接続した弾性波フィルタであることを特徴とする請求項１から１０いずれか一項記載の弾性波フィルタ。
【請求項１２】
前記弾性波フィルタは、複数の二重モード弾性表面波フィルタを並列接続した弾性波フィルタであることを特徴とする請求項１から１０いずれか一項記載の弾性波フィルタ。
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられたＩＤＴと、
前記ＩＤＴの両側に設けられ、複数の電極指を有した反射器と、を具備し、
前記複数の電極指のうち少なくとも一つが、弾性波の伝搬路内に、少なくとも一つのギャップを有することを特徴とする弾性波フィルタ。
【請求項２】
前記複数の電極指のうち少なくとも一つは、複数の前記ギャップを有することを特徴とする請求項１記載の弾性波フィルタ。
【請求項３】
前記複数の電極指は、前記反射器のうち少なくとも一つに、弾性波の伝搬方向に対して斜めの、少なくとも一つのスリットが形成されるように、前記ギャップを有することを特徴とする請求項１または２記載の弾性波フィルタ。
【請求項４】
前記反射器のうち少なくとも一つに、複数の前記スリットが形成されていることを特徴とする請求項３記載の弾性波フィルタ。
【請求項５】
前記複数のスリットは、前記弾性波の伝搬方向と、各々異なった角度で交差していることを特徴とする請求項４記載の弾性波フィルタ。
【請求項６】
前記反射器の各々に、少なくとも一つの前記スリットが形成されていることを特徴とする請求項３から５いずれか一項記載の弾性波フィルタ。
【請求項７】
前記反射器の各々に形成された前記スリットは、前記弾性波の伝搬方向に垂直な方向に対して鏡面対称になっていないことを特徴とする請求項６記載の弾性波フィルタ。
【請求項８】
前記反射器の各々に形成された前記スリットは、前記弾性波の伝搬方向と、各々異なった角度で交差していることを特徴とする請求項６または７記載の弾性波フィルタ。
【請求項９】
前記複数の電極指は、前記ＩＤＴから距離が離れるにつれて短くなっていることを特徴とする請求項１から８いずれか一項記載の弾性波フィルタ。
【請求項１０】
前記弾性波フィルタは、二重モード弾性表面波フィルタであることを特徴とする請求項１から９いずれか一項記載の弾性波フィルタ。
【請求項１１】
前記弾性波フィルタは、複数の二重モード弾性表面波フィルタをカスケード接続した弾性波フィルタであることを特徴とする請求項１から１０いずれか一項記載の弾性波フィルタ。
【請求項１２】
前記弾性波フィルタは、複数の二重モード弾性表面波フィルタを並列接続した弾性波フィルタであることを特徴とする請求項１から１０いずれか一項記載の弾性波フィルタ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００９−２１８８１２（Ｐ２００９−２１８８１２Ａ）
【公開日】平成２１年９月２４日（２００９．９．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−５９８１３（Ｐ２００８−５９８１３）
【出願日】平成２０年３月１０日（２００８．３．１０）
【出願人】（３９８０６７２７０）富士通メディアデバイス株式会社 (198)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月２４日（２００９．９．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月１０日（２００８．３．１０）
【出願人】（３９８０６７２７０）富士通メディアデバイス株式会社 (198)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]