弾性表面波デバイス
同一の圧電体基板（１２）上に異なる中心周波数を有する２種類の弾性表面波フィルタ構成を設けた弾性表面波素子（１１）をパッケージ（１６）に配置した構成からなり、弾性表面波素子（１１）は第１の中心周波数を有する第１のフィルタ構成（１３）と、第２の中心周波数を有する第２のフィルタ構成（１４）と、第１のフィルタ構成（１３）と第２のフィルタ構成（１４）との間にシールド電極（１５）とを有し、シールド電極（１５）をパッケージ（１６）のアース端子（１８２）に接続して接地して、電磁的な干渉を防止してアイソレーション特性を改善することで、より小型の弾性表面波デバイスを実現できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
本発明は、携帯電話等に用いられる弾性表面波デバイスに関し、特に１つの圧電体基板面上に異なる中心周波数を有するフィルタを設けた弾性表面波フィルタあるいは弾性表面波共用器等の弾性表面波デバイスに関する。
【背景技術】
従来、１つの圧電体基板面上に異なる中心周波数を有するフィルタを設けた弾性表面波デバイス、特に弾性表面波共用器（以下、ＳＡＷ共用器とよぶ）は、図１４に示す構成を有するものが知られている。図１４は、従来のＳＡＷ共用器のパッケージ内部を示すための上面図である。図１４において、ＳＡＷ共用器３００は、弾性表面波素子（以下、ＳＡＷ素子とよぶ）３０４と、これを収納するパッケージ３０５と、これらを接続するワイヤリード３０７と、図示しない蓋体とにより構成されている。ＳＡＷ素子３０４は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶基板等からなる圧電体基板３０１の表面に送信フィルタ３０２と受信フィルタ３０３とが形成されている。このＳＡＷ素子３０４をパッケージ３０５に収納した後、送信フィルタ３０２と受信フィルタ３０３との接続端子パターン３０２１、３０３１とパッケージ３０５の端子部３０６との間をワイヤリード３０７により接続して電気的導通を得た後、図示しない蓋体をパッケージ３０５に封着して作製している。
このようなＳＡＷ共用器３００では、さらなる低コスト化と小型、薄型化の要求が強まっており、このためには送信フィルタ３０２と受信フィルタ３０３とを一体的に形成するＳＡＷ素子３０４をさらに縮小することが要求されている。しかしながら、ＳＡＷ素子３０４の形状を縮小化すると、送信フィルタ３０２と受信フィルタ３０３との間で電磁的な干渉が生じるため、アイソレーション特性が劣化するという課題があった。
これに対して、日本特開２００２−３３５１４３号公報には、小型化してもアイソレーション特性に優れたＳＡＷ共用器が開示されている。このＳＡＷ共用器は、送信端子、受信端子、アンテナ端子およびグランド端子を形成したパッケージと、パッケージの内部に形成するとともに一端をアンテナ端子に接続した位相線路と、パッケージの内部に実装するとともに入力側を送信端子に、出力側を位相線路の入力端子に接続した送信フィルタと、パッケージの内部に実装するとともに入力側を位相線路の出力端子に、出力側を受信端子に接続した受信フィルタを備え、位相線路の一方の端子をパッケージに形成したアンテナ端子と同じ端部に設け、位相線路の他方の端子を位相線路の一方の端子と相対向する端部に設けた構成からなる。これにより、位相線路の入力端子と出力端子間の距離が長くできるため、この間での送信信号と受信信号の電磁的な干渉を防止することができる。
この開示例では、ＳＡＷ素子は同一圧電体基板上に形成した送信フィルタと受信フィルタとの間をパッケージに設けた位相線路により接続して電磁的な干渉を防止している。しかし、ＳＡＷ素子自体あるいはＳＡＷ素子からパッケージに接続するためのワイヤリードの接続構成等により電磁的な干渉を防止することについては全く示されていない。
本発明は、２つの異なる中心周波数を有するフィルタ構成の間にシールド電極を配設することで、電磁的な干渉を防止してアイソレーション特性を改善し、小型でフィルタ特性が良好で、かつ低コストの弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。
【発明の開示】
上記目的を達成するために、本発明の弾性表面波デバイスは、同一の圧電体基板上に異なる中心周波数を有する２種類の弾性表面波フィルタ構成を設けた弾性表面波素子をパッケージに配置した構成からなり、弾性表面波素子は第１の中心周波数を有する第１のフィルタ構成と、第２の中心周波数を有する第２のフィルタ構成と、第１のフィルタ構成と第２のフィルタ構成との間にシールド電極とを有し、シールド電極をパッケージのアース端子に接続して接地した構成からなる。
この構成により、第１のフィルタ構成と第２のフィルタ構成との間の電磁的シールドを行うことができるため、これらの間のアイソレーション特性を向上させることができ、弾性表面波素子を小型化することが可能となる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、弾性表面波素子が第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成のいずれか一方のアース端子パターンとシールド電極との間を接続する接続パターンをさらに有する構成としてもよい。この構成により、シールド電極とパッケージのアース端子とを接続しなくてよいのでワイヤリード接続工程を簡略化できる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、弾性表面波素子のシールド電極が第１のシールド電極と第２のシールド電極とからなり、第１のフィルタ構成のアース端子パターンと第１のシールド電極との間を接続する第１の接続パターンと、第２のフィルタ構成のアース端子パターンと第２のシールド電極との間を接続する第２の接続パターンとをさらに有する構成としてもよい。この構成により、シールド電極の幅を広げ、かつそれぞれのアース端子パターンとパッケージのアース端子とを接続するので、アイソレーション特性をさらに改善できる。また、シールド電極とパッケージのアース端子とを接続しなくてよいのでワイヤリード接続工程も簡略化できる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、シールド電極が第１のフィルタ構成または第２のフィルタ構成のうちの少なくとも１つの信号ライン端子パターンとパッケージの信号端子とを接続する信号用ワイヤリードを横切るパターンをさらに有し、シールド電極とパッケージのアース端子との間を少なくとも２本のアース用ワイヤリードにより接続した構成としてもよい。この構成とすることにより、信号用ワイヤリードから放射される電磁な漏れを効率的に抑制できる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、シールド電極が第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成をほぼ分断するように第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成の長さ以上に形成した構成としてもよい。この構成により、電磁的な漏れをより効率的に抑制することができる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、シールド電極とパッケージのアース端子との間を接続する２本のアース用ワイヤリードが信号ライン端子パターンとパッケージの信号端子とを接続する信号用ワイヤリードの両側に配置されている構成としてもよい。この構成により、信号用ワイヤリードの両側にアース用ワイヤリードが配置されているので、信号用ワイヤリードからの電磁的な漏れをさらに抑制することが可能となる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、アース用ワイヤリードが弾性表面波素子の収納されたパッケージの端子部のうち、対向する位置に配設されたアース端子にそれぞれ接続された構成としてもよい。この構成とすることにより、シールド電極が第１のフィルタ構成と第２のフィルタ構成とを分断するように長く形成され、かつパッケージの両側でアース端子に接続することもできるので、低域の減衰量や低域のアイソレーション特性を改善することができる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、弾性表面波素子の第１のフィルタ構成、第２のフィルタ構成およびシールド電極が第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成の弾性表面波伝播方向に対して垂直方向に配置されている構成としてもよい。この構成とすることにより、アイソレーション特性を改善しながら弾性表面波素子の小型化を実現できる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成がそれぞれ一端子弾性表面波共振子を直列椀と並列椀に接続したラダー型回路で、かつ中心周波数が相対的に低い第１のフィルタ構成のうち、第２のフィルタ構成に最も近い弾性表面波共振子は並列椀であり、かつ第２のフィルタ構成のうち、第１のフィルタ構成に最も近い弾性表面波共振子は直列椀からなる構成としてもよい。この構成により、第１のフィルタ構成と第２のフィルタ構成のそれぞれ最も隣接して配置された共振子の共振周波数の差を最も大きくすることができる。この結果、さらにアイソレーション特性を向上させることができ、小型でアイソレーション特性に優れたＳＡＷ共用器を得ることができる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、シールド電極が第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成の櫛型電極に対して垂直方向に複数のスリットを有するグレーティング形状から構成としてもよい。この構成により、電磁的な漏れだけでなく、弾性表面波としての音響的な漏れも抑制できる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、弾性表面波素子の第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成が第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成の弾性表面波伝播方向と平行に配置され、シールド電極が上記弾性表面波伝播方向に対して垂直方向に配置されている構成としてもよい。この構成により、アイソレーション特性を改善しながら弾性表面波素子の小型化を実現できる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、シールド電極が第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成の櫛型電極に対して平行な方向に複数のスリットを有するグレーティング形状からなる構成としてもよい。この構成により、電磁的な漏れだけでなく、弾性表面波としての音響的な漏れも抑制できる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、シールド電極が第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成の弾性表面波伝播方向と斜交する方向に複数のスリットを有するグレーティング形状からなる構成としてもよい。この構成により、電磁的な漏れだけでなく、弾性表面波としての音響的な漏れも抑制できる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、シールド電極のスリットが第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成中の櫛型電極の最小ピッチと最大ピッチとの間のピッチで形成されている構成としてもよい。この構成とすることにより、アイソレーション特性を改善したい周波数に応じてスリットのピッチを設定することができる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、シールド電極のスリットが場所により異なるピッチで形成されている構成としてもよい。このような構成とすることにより、アイソレーション特性を改善したい複数の周波数に応じてスリットのピッチを設定することができる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成のうち、中心周波数が相対的に高い方のフィルタ構成のアース端子パターンとシールド電極とを接続パターンで接続し、シールド電極とアース端子パターンとに対して少なくとも２本のアース用ワイヤリードが接続され、アース用ワイヤリードはパッケージの中で弾性表面波素子を挟んで両側に配設されたアース端子にそれぞれ接続された構成としてもよい。一般に周波数の高いフィルタ構成はアースの接続方法によって低域減衰量や低域アイソレーション特性が大きく影響される。
この構成により、シールド電極が弾性表面波素子の第１のフィルタ構成と第２のフィルタ構成とをほぼ分断するように長く形成され、パッケージの対向する位置のアース端子とシールド電極とがアース用ワイヤリードにより接続されるので、周波数の高い方のフィルタ構成の低域減衰量や低域アイソレーション特性改善できる。さらに、アース用ワイヤリードの長さを短くできるので、バラツキを小さくできる。また、短いことからＳＡＷ素子上に、このアース用ワイヤリードが接触する現象が生じなくなる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成のうち、中心周波数が相対的に低い方のフィルタ構成のアース端子パターンとシールド電極とを接続パターンで接続し、シールド電極とアース端子パターンとに対して少なくとも２本のアース用ワイヤリードが接続され、アース用ワイヤリードはパッケージの中で弾性表面波素子を挟んで両側に配設されたアース端子にそれぞれ接続した構成としてもよい。一般に周波数の低いフィルタ構成は、アース端子への接続方法によって、高域減衰量や高域アイソレーション特性に影響されにくい。
この構成により、アース端子パターンとシールド電極とを接続パターンにより接続しても、高域減衰量や高域アイソレーション特性が変動しにくいので、設計が容易になる。これに加えて、電磁的な漏れを抑制してアイソレーション特性を向上させることもできる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成がそれぞれ送信フィルタと受信フィルタであり、送信フィルタと受信フィルタとによりＳＡＷ共用器を構成しているようにしてもよい。また、信号ライン端子パターンが送信フィルタおよび受信フィルタのいずれか一方の入出力端子パターンである構成としてもよい。この構成により、アイソレーション特性を向上できるので、より小型のＳＡＷ共用器を実現できる。
以上のように本発明の弾性表面波デバイスは、同一の圧電体基板上の第１のフィルタ構成と第２のフィルタ構成とを設け、それらの間にパッケージのアース端子に接続されたシールド電極を配設することにより、アイソレーション特性を向上させることができ、より小型の弾性表面波デバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器について、パッケージの蓋体を取り外して内部構造を示した上面図
図２は、同実施の形態のＳＡＷ共用器の周波数に対する送信端子と受信端子との間のアイソレーション特性を測定した結果を示す図
図３は、同実施の形態の変形例のＳＡＷ共用器の構成を示す上面図
図４は、同実施の形態のさらに別の変形例のＳＡＷ共用器の構成を示す上面図
図５は、本発明の第２の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器の構成を示す上面図
図６は、同実施の形態のＳＡＷ共用器について、第１の実施の形態と同様にシールド電極を設けない構成のＳＡＷ共用器を比較例としてアイソレーション特性を比較した結果を示す図
図７は、同実施の形態の変形例のＳＡＷ共用器の構成を示す上面図
図８は、本発明の第３の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器の構成を示す上面図
図９は、同実施の形態のＳＡＷ共用器について、第１の実施の形態と同様にシールド電極を設けない構成のＳＡＷ共用器を比較例としてアイソレーション特性を比較した結果を示す図
図１０は、本発明の第４の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器の構成を示す上面図
図１１は、本発明の第５の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器の構成を示す上面図
図１２は、本発明の第６の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器の構成を示す上面図
図１３は、同実施の形態のＳＡＷ共用器について、第１の実施の形態と同様にシールド電極を設けない構成のＳＡＷ共用器を比較例としてアイソレーション特性を比較した結果を示す図
図１４は、従来のＳＡＷ共用器のパッケージ内部を示すために上面からみた図
図面の参照符号の一覧表
１０，２５，３０，４５，５０，６０，６５，７０，７５，３００ 弾性表面波共用器（ＳＡＷ共用器）
１１，２２，４２，４６，５５，６４，８０，３０４ 弾性表面波素子（ＳＡＷ素子）
１２，５１，８１，３０１ 圧電体基板
１３，５２，８２，３０２ 送信フィルタ
１４，５３，８３，３０３ 受信フィルタ
１５，３２，４４，４７，５４，６２，６６，８４ シールド電極
１６，５６，８５，２０４，３０５ パッケージ
１７，５７，８６ 接合部
１８，５８，８７，３０６ 端子部
１９，５９，８８ 底面部
２０，３０７ ワイヤリード
２３ 第２の接続パターン
３３ 第１のシールド電極
３４ 第２のシールド電極
３５ 第１の接続パターン
３６ 第２の接続パターン
１３１ 送信側アース端子パターン
１３２ 送信側信号端子パターン
１４１ 受信側アース端子パターン
１５１、５４１，６２１，６６１、８４１ シールド端子パターン
１８１，１８２，１８３，１８４，５８１，８７１ アース端子
１８５ 信号端子
２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０７，２０８，２１０ アース用ワイヤリード
２０６ 信号用ワイヤリード
３０５ 接続端子
５２１，５３１ 櫛型電極
８２１，８３１ 共振子
３０２１，３０３１ 接続端子パターン
【発明を実施するための最良の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同じ構成要素については同じ符号を付しているので説明を省略する場合がある。また、以下の実施の形態においては、弾性表面波デバイスとしてＳＡＷ共用器を例として説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器について、パッケージの蓋体を取り外して内部構造を示した上面図である。
本実施の形態のＳＡＷ共用器１０は、ＳＡＷ素子１１と、このＳＡＷ素子１１が接着固定されたパッケージ１６と、ＳＡＷ素子１１の電極端子パターンとパッケージ１６の端子部１８とを接続するワイヤリード２０と、図示しない蓋体により構成されている。
ＳＡＷ素子１１は、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３）単結晶基板、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）単結晶基板、水晶基板等の圧電性を有する圧電体基板１２を用いる。この圧電体基板１２の表面上にアルミニウム（Ａｌ）を主体とする電極薄膜を形成し、フォトリソプロセスとエッチングプロセスを行って所定のパターン形状を形成している。図１に示すＳＡＷ素子１１においては、第１の弾性表面波フィルタ構成である送信フィルタ１３と、第２の弾性表面波フィルタ構成である受信フィルタ１４と、これら送信フィルタ１３と受信フィルタ１４との間に形成されたシールド電極１５とにより構成されている。
なお、送信フィルタ１３、受信フィルタ１４およびシールド電極１５とは、弾性表面波伝播方向に対して垂直方向に配置されている。
パッケージ１６は、例えばセラミック基材を使用し、蓋体を接合するための接合部１７と、この接合部１７より低い段差を有し、ワイヤリード２０がボンディングされる端子部１８と、最も低い段差を有し、ＳＡＷ素子１１が接着固定される底面部１９とにより構成されている。なお、端子部１８は多層構成からなるセラミック基材から裏面部まで導体パターンが引き回されて裏面部において半田付け端子部（図示せず）が設けられている。接合部１７と蓋体との接合は、例えば半田付け、熱溶着、超音波接合あるいは接着樹脂による接着等種々の方式で接続する。
また、ワイヤリード２０は、熱圧着方式あるいは超音波方式のワイヤボンディング等により接続される。
本実施の形態においては、送信フィルタ１３と受信フィルタ１４とは、それぞれ一端子弾性表面波共振子を直列椀と並列椀に接続したラダー型回路で構成している。この送信フィルタ１３と受信フィルタ１４との間にシールド電極１５を形成し、シールド電極１５のシールド端子パターン１５１とパッケージ１６の端子部１８のうちのアース端子１８２との間をアース用ワイヤリード２０２により接続している。これにより、電磁的なシールド効果を得ることができ、送信と受信との間のアイソレーション特性を向上させることができる。
なお、送信フィルタ１３の送信側アース端子パターン１３１とパッケージ１６の端子部１８のうちのアース端子１８３とはアース用ワイヤリード２０３により接続されている。さらに、受信フィルタ１４の受信側アース端子パターン１４１とパッケージ１６の端子部１８のうちのアース端子１８１とはアース用ワイヤリード２０１により接続されている。送信フィルタ１３と受信フィルタ１４のその他の接続端子パターンはパッケージ１６の端子部１８のそれぞれとワイヤリード２０により接続されている。
シールド電極１５の幅は大きいほど、アイソレーション特性も改善されるが、幅を大きくすればチップサイズも大きくなる。アイソレーション特性を良好にしながらチップサイズを小さくするためには、送信フィルタ１３と受信フィルタ１４とにおいて低い方のフィルタの中心周波数に相当する波長の１０〜５０倍程度の幅に設定することが好ましい範囲である。
以下、ＳＡＷ素子１１の構成の一例について説明する。送信フィルタ１３の中心周波数を８３６．５ＭＨｚ、受信フィルタ１４の中心周波数を８８１．５ＭＨｚに設定した。このために、圧電体基板１２として３６°ＹカットＸ伝播タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶基板を用いて、この圧電体基板１２の表面上に銅（Ｃｕ）添加アルミニウム（Ａｌ）合金とチタン（Ｔｉ）とを積層した構成の薄膜を電極膜とした。その膜厚は約４００ｎｍとした。
送信フィルタ１３の直列椀と並列椀の共振子は、それぞれ２．３２μｍと２．４３μｍのピッチであり、受信フィルタ１４は、それぞれ２．２０μｍと２．３１μｍのピッチである。この送信フィルタ１３と受信フィルタ１４との間に形成するシールド電極１５の幅は約１００μｍとした。
このようにして作製したＳＡＷ素子１１をパッケージ１６に接着固定し、ＳＡＷ素子１１の接続端子パターンとパッケージ１６の端子部１８とをワイヤリード２０により接続し、最後に蓋体により封止してＳＡＷ共用器１０を作製した。なお、シールド電極１５のシールド端子パターン１５１とパッケージ１６のアース端子１８２との間はアース用ワイヤリード２０２により接続した。さらに、送信フィルタ１３の送信側アース端子パターン１３１とパッケージ１６のアース端子１８３とはアース用ワイヤリード２０３、および受信フィルタ１４の受信側アース端子パターン１４１とパッケージ１６のアース端子１８１とはアース用ワイヤリード２０１により接続した。
図２は、このＳＡＷ共用器１０の周波数に対する送信端子と受信端子との間のアイソレーション特性を測定した結果を示す図である。横軸は周波数で、縦軸は送信端子と受信端子との間の減衰量から求めたアイソレーション特性である。シールド電極１５を設けない構成のＳＡＷ共用器を比較例とした。図２からわかるように、本実施の形態のＳＡＷ共用器１０の場合には、比較例のＳＡＷ共用器に比べて使用周波数帯域でのアイソレーション特性が良好となることが確認された。すなわち、シールド電極１５を設けることで、電磁的なシールド効果が良好となり、アイソレーション特性を改善することができた。
図３は、本実施の形態の変形例のＳＡＷ共用器２５の構成を示す上面図である。本変形例のＳＡＷ共用器２５は、第１の弾性表面波フィルタ構成である送信フィルタ１３の送信側アース端子パターン１３１とシールド電極１５とを接続パターン２３により接続している。一方、シールド電極１５とパッケージ１６のアース端子１８２との間は接続していない。これらの点が、ＳＡＷ共用器１０と異なる点である。これにより、アイソレーション特性を改善しながら、図１に示すＳＡＷ共用器１０に比べてワイヤリードを１本減らすことができる。このため、ワイヤボンディングのための工数や材料費を減らすことができる。
図４は、本実施の形態のさらに別の変形例のＳＡＷ共用器３０の構成を示す上面図である。図４に示すＳＡＷ共用器３０は、シールド電極３２が第１のシールド電極３３と第２のシールド電極３４とからなり、送信フィルタ１３の送信側アース端子パターン１３１と第１のシールド電極３３とを第１の接続パターン３５で接続し、受信フィルタ１４の受信側アース端子パターン１４１と第２のシールド電極３４とを第２の接続パターン３６で接続している。
送信フィルタ１３の送信側アース端子パターン１３１とパッケージ１６のアース端子１８３とはアース用ワイヤリード２０３、および受信フィルタ１４の受信側アース端子パターン１４１とパッケージ１６のアース端子１８１とはアース用ワイヤリード２０１により接続している。一方、第１のシールド電極３３および第２のシールド電極３４と、パッケージ１６の端子部１８のうちのアース端子との間は接続していない。
このようにシールド電極３２と第１の接続パターン３５および第２の接続パターン３６を形成することで、シールド電極３２からパッケージ１６のアース端子への接続を送信側アース端子パターン１３１と受信側アース端子パターン１４１とにより行えるので、ワイヤリード２０の接続本数を増加させることがない。さらに、シールド電極３２の幅を全体として広げ、かつ長く形成しているのでアイソレーション特性をより向上させることもできる。なお、本変形例では、シールド電極３２を構成する第１のシールド電極３３と第２のシールド電極３４とは分離して形成したが、これらを接続するようにしてもよい。
以上のように本実施の形態によれば、第１の弾性表面波フィルタ構成である送信フィルタと第２の弾性表面波フィルタ構成である受信フィルタとの間にシールド電極を形成し、このシールド電極をパッケージのアース端子に接続して接地することにより、電磁シールド効果により送信と受信との間のアイソレーション特性を向上させることができる。したがって、ＳＡＷ素子の形状を小さくできるので小型で、かつアイソレーション特性に優れたＳＡＷ共用器を得ることができる。
なお、本実施の形態では、シールド電極またはシールド電極と接続する送信側アース端子パターンあるいは受信側アース端子パターンからは１本のアース用ワイヤリードでパッケージのアース端子と接続したが、複数本のアース用ワイヤリードで接続してもよい。
（第２の実施の形態）
図５は、本発明の第２の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器４５の構成を示す上面図である。
本実施の形態のＳＡＷ共用器４５は、以下の構成が第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０と異なる。
第１は、シールド電極４４が、第１の弾性表面波フィルタ構成である送信フィルタ１３と第２の弾性表面波フィルタ構成である受信フィルタ１４とをほぼ分断するように長く形成されていることである。本実施の形態では、このシールド電極４４は送信フィルタ１３と受信フィルタ１４の長さよりも長く形成している。
第２は、送信フィルタ１３の送信側信号ライン端子パターン１３２とパッケージ１６の信号端子１８５とを接続する信号用ワイヤリード２０６が、シールド電極４４の上側を通るように配置されていることである。
第３は、シールド電極４４からパッケージ１６の２箇所のアース端子１８１、１８４にアース用ワイヤリード２０４、２０５で接続し、かつ、信号用ワイヤリード２０６をはさむように配置していることである。
このために、送信側信号ライン端子パターン１３２は、図１に示すＳＡＷ共用器１０に比べてシールド電極４４方向に延在されている。また、シールド電極４４には、送信側信号ライン端子パターン１３２の近傍で、この送信側信号ライン端子パターン１３２に平行で、信号用ワイヤリード２０６を横切るようなパターンを設けている。この平行なパターンの両端部からアース端子１８１、１８４にそれぞれアース用ワイヤリード２０４、２０５で接続している。したがって、シールド電極４４の中央部からパッケージ１６のアース端子に接続するワイヤリードは設けていない。以上のように、本実施の形態のＳＡＷ共用器４５は、シールド電極４４と送信フィルタ１３の送信側信号ライン端子パターン１３２のパターン形状を変更していることが特徴である。
なお、送信フィルタの送信側信号ライン端子パターン１３２は、図５に示すフィルタ構成においては送信フィルタ１３の共通端子パターン、すなわちアンテナ端子パターンである。
このような構成にすることにより、送信側信号ライン端子パターン１３２に接続する信号用ワイヤリード２０６から放射される電磁的な漏れを効率的に抑制することができる。この結果、アイソレーション特性を向上させることができる。
図６は、このＳＡＷ共用器４５について、第１の実施の形態と同様にシールド電極４４を設けない構成のＳＡＷ共用器を比較例として、アイソレーション特性を比較した結果を示す図である。本実施の形態のＳＡＷ共用器４５では、比較例に比べて受信端子と送信端子との間の減衰量が大きくなり、アイソレーション特性を改善できることが見出された。
なお、本実施の形態のＳＡＷ共用器４５では、アース用ワイヤリード２０４、２０５をシールド電極４４からパッケージ１６のアース端子１８１、１８４に接続し、かつ信号用ワイヤリード２０６をはさむように配置したが、本発明はこれに限定されない。図７は、本実施の形態の変形例のＳＡＷ共用器５０の構成を示す上面図である。このＳＡＷ共用器５０では、ＳＡＷ素子４６のシールド電極４７のパターン形状を変更し、アース用ワイヤリード２０４、２０７によりパッケージ１６のアース端子１８２、１８４にそれぞれ接続している。すなわち、シールド電極４７は、図７からわかるように送信側信号ライン端子パターン１３２方向に向いてカタカナのコ字状に形成されており、その端部からアース用ワイヤリード２０４、２０７によりパッケージ１６のアース端子１８２、１８４に接続している。この構成においては、信号用ワイヤリード２０６はシールド電極４７の上を通るように形成されているが、アース用ワイヤリード２０４、２０７は信号用ワイヤリード２０６をはさむようには配置されていない。しかし、このような構成においても電磁的な漏れを抑制することができ、アイソレーション特性を改善できる。
なお、ＳＡＷ共用器の場合には、送信フィルタ１３の方に大きな電力が加わるため、その信号が受信フィルタ１４の方に漏れることが大きな問題になる。このため、本実施の形態のＳＡＷ共用器４５、５０のように、送信フィルタ１３の送信用ワイヤリード２０６の下部にシールド電極４４、４７を配置すると、送信帯域でのアイソレーション特性を向上できるので望ましい。
このような構成とすれば、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０に比べて、さらにアイソレーション特性を改善できるので、より小型でフィルタ特性に優れたＳＡＷ共用器を実現できる。
なお、本実施の形態では、シールド電極から２本のアース用ワイヤリードでパッケージのアース端子と接続したが、３本以上のアース用ワイヤリードで接続してもよい。
（第３の実施の形態）
図８は、本発明の第３の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器６０の構成を示す上面図である。本実施の形態のＳＡＷ共用器６０は、ＳＡＷ素子５５と、このＳＡＷ素子５５が接着固定されたパッケージ５６と、ＳＡＷ素子５５の電極パターンとパッケージ５６の端子部５８とを接続するワイヤリード２０と、図示しない蓋体により構成されている。
ＳＡＷ素子５５は、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３）単結晶基板、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）単結晶基板、水晶基板等の圧電性を有する圧電体基板５１を用いる。この圧電体５１の表面上にアルミニウム（Ａｌ）を主体とする電極薄膜を形成し、フォトリソプロセスとエッチングプロセスを行って所定のパターン形状を形成している。このＳＡＷ素子５５は、第１の弾性表面波フィルタ構成である送信フィルタ５２と、第２の弾性表面波フィルタ構成である受信フィルタ５３と、これら送信フィルタ５２と受信フィルタ５３との間に形成されたグレーティング形状のシールド電極５４とにより構成されている。
パッケージ５６は第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０と同様に、例えばセラミック基材を使用し、蓋体を接合するための接合部５７と、この接合部５７より低い段差を有し、ワイヤリード２０がボンディングされる端子部５８と、最も低い段差を有し、ＳＡＷ素子５５が接着固定される底面部５９とにより構成されている。なお、端子部５８は多層構成からなるセラミック基材から導体パターンを裏面部まで引き回し、裏面部に半田付け端子部（図示せず）を有している。接合部５７と蓋体との接合は、例えば半田付け、熱溶着、超音波接合あるいは接着樹脂による接着等種々の方式で接続する。
また、ワイヤリード２０は、熱圧着方式あるいは超音波方式のワイヤボンディング等により接続される。
本実施の形態においては、送信フィルタ５２と受信フィルタ５３とは、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０と同じラダー型回路で構成している。しかし、図８からわかるように、送信フィルタ５２と受信フィルタ５３とを弾性表面波の伝播方向と平行の方向に配置している。これら送信フィルタ５２と受信フィルタ５３との間に、送信フィルタ５２と受信フィルタ５３を構成するインターディジタルトランスデューサ電極の櫛型電極５２１、５３１と平行な方向に複数のスリットを設けたグレーティング形状のシールド電極５４を配置している。なお、このシールド電極５４は弾性表面波伝播方向に対して垂直方向に配置されている。
さらに、シールド電極５４のシールド端子パターン５４１とパッケージ５６の端子部５８のうちのアース端子５８１との間をアース用ワイヤリード２０８により接続している。なお、ＳＡＷ素子５５の送信フィルタ５２および受信フィルタ５３の接続端子パターンとパッケージ５６の所定の端子部５８との間をワイヤリード２０によりそれぞれ接続している。これにより、本実施の形態のＳＡＷ共用器６０が得られる。
このような構成にすることにより、電磁的な漏れを抑制できるだけでなく、弾性表面波として伝播する音響的な漏れもグレーティング形状のシールド電極５４により吸収することができる。したがって、さらにアイソレーション特性を向上できる。
このグレーティングのピッチは、アイソレーション特性を向上させたい周波数に応じて選ぶことができる。その範囲は、ＳＡＷ素子５５の送信フィルタ５２と受信フィルタ５３とを構成する複数の共振子のうちの最小のピッチと最大のピッチとの間に設定すればよい。
以下、ＳＡＷ素子５５の構成の一例について説明する。送信フィルタ５２の中心周波数を８３６．５ＭＨｚ、受信フィルタ４３の中心周波数を８８１．５ＭＨｚに設定した。このために、圧電体基板５１として３６°ＹカットＸ伝播タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板を用いた。この圧電体基板５１の表面上に銅（Ｃｕ）添加アルミニウム（Ａｌ）合金とチタン（Ｔｉ）とを積層した構成の薄膜を形成して電極膜とした。その膜厚は約４００ｎｍとした。
なお、送信フィルタ５２の直列椀と並列椀の弾性表面波共振子（以下、共振子とよぶ）は、それぞれ２．３２μｍと２．４３μｍのピッチであり、受信フィルタ５３は、それぞれ２．２０μｍと２．３１μｍのピッチである。この送信フィルタ５２と受信フィルタ５３との間にピッチ２．３μｍのグレーティング形状のシールド電極５４を設けた。これは上記したように、ＳＡＷ素子５５の送信フィルタ５２と受信フィルタ５３とを構成する複数の共振子のうちの最小のピッチが２．２０μｍであり、最大のピッチが２．４３μｍであるので、２．２０μｍ〜２．４３μｍの範囲に含まれる２．３μｍに設定したものである。
図９は、このＳＡＷ共用器６０について、第１の実施の形態と同様にシールド電極５４を設けない構成のＳＡＷ共用器を比較例として、アイソレーション特性を比較した結果を示す図である。本実施の形態のＳＡＷ共用器６０では、比較例に比べて受信端子と送信端子との間の減衰量が大きくなり、アイソレーション特性を改善できることが見出された。
なお、図９に示すＳＡＷ共用機では、グレーティング形状のシールド電極５４のグレーティングピッチを２．３μｍとしたが、それぞれのグレーティグ部分のピッチを別々としてもよい。例えば、一方のグレーティングピッチを２．３２μｍとし、他方のグレーティングピッチを２．４３μｍとしてもよい。あるいは、それぞれのグレーティング部分で、グレーティングピッチが２．３２μｍと２．４３μｍであるスリット部分を複数本づつ設けてもよい。
これにより送信フィルタのそれぞれの共振子から漏れてくる音響的な信号を効果的に吸収してアイソレーション特性をさらに向上させることができる。したがって、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０と比較すると、電磁的な漏れだけでなく、音響的な漏れの影響も減らすことができる。この結果、より小型でアイソレーション特性に優れたＳＡＷ共用器を実現することができる。
なお、本実施の形態では、シールド電極から１本のアース用ワイヤリードでパッケージのアース端子と接続したが、２本以上のアース用ワイヤリードで接続してもよい。例えば、シールド電極５４の中央部のシールド端子パターン５４１だけでなく、両端部にもシールド端子パターンを設けて、これらからパッケージのアース端子に接続してもよい。
（第４の実施の形態）
図１０は、本発明の第４の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器６５の構成を示す上面図である。本実施の形態のＳＡＷ共用器６５は、図１に示す第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０の変形例であり、シールド電極６２の形状が異なる。すなわち、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０においては、シールド電極１５は中央部のシールド端子パターン１５１の部分を除き、単純なストライプパターン形状である。しかし、本実施の形態のＳＡＷ共用器６５においては、同様にシールド端子パターン６２１を除き、その他の部分にはスリット、すなわちグレーティングが形成されている。これ以外については、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０と同じ構成である。
図１０において、送信フィルタ１３と受信フィルタ１４とは、弾性表面波の伝播方向と垂直な方向に配置されている。これらの間にインターディジタルトランスデューサ電極を構成する櫛型電極と垂直な方向に複数のスリットを設けたグレーティング形状のシールド電極６２を設けている。このシールド電極６２も弾性表面波伝播方向に対して垂直な方向に配置されている。なお、本実施の形態のＳＡＷ素子６４は、第１の実施の形態のＳＡＷ素子１１に比べて、このシールド電極６２の形状が異なるのみである。本実施の形態のＳＡＷ共用器６５を第１の実施の形態の構成の一例と同じ送信フィルタ１３と受信フィルタ１４で構成する場合には、シールド電極６２のグレーティングのピッチは２．３μｍとすることが望ましい。
このような構成とすることにより、電磁的な信号の漏れだけでなく、弾性表面波として伝播する音響的な漏れもグレーティング形状のシールド電極６２により吸収することができる。この結果、さらにアイソレーション特性を向上できる。
このグレーティングピッチは、アイソレーション特性を改善させたい周波数に応じて選ぶことができ、そのピッチの範囲は送信フィルタ１３と受信フィルタ１４とを構成する共振子の中の最小のピッチと最大のピッチの間で選択することができる。
したがって、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０に比べて、電磁的な漏れだけでなく弾性表面波として伝播する音響的な漏れの影響も減らすことができるので小型でアイソレーション特性に優れたＳＡＷ共用器を得ることができる。
なお、本実施の形態では、シールド電極から１本のアース用ワイヤリードでパッケージのアース端子と接続したが、２本以上のアース用ワイヤリードで接続してもよい。例えば、シールド電極５４の中央部のシールド端子パターン５４１だけでなく、両端部にもシールド端子パターンを設けて、これらからパッケージのアース端子に接続してもよい。
（第５の実施の形態）
図１１は、本発明の第５の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器７０の構成を示す上面図である。本実施の形態のＳＡＷ共用器７０と第１の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器１０とで相違する点は、シールド電極の形状を変えた点にある。本実施の形態のＳＡＷ共用器７０は、図１に示す第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０の変形例であり、シールド電極の形状が異なる。すなわち、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０においては、シールド電極１５は中央部のシールド端子パターン１５１の部分を除き、単純なストライプパターン形状である。しかし、本実施の形態のＳＡＷ共用器７０においては、同様にシールド端子パターン６６１を除き、その他の部分にはグレーティングが形成されている。すなわち、本実施の形態においては、シールド電極６６のシールド端子パターン６６１を除き、弾性表面波伝播方向と斜交する方向にグレーティングを設けた構成としている。それ以外の構成については、第１の実施の形態と同様にして弾性表面波共用器を構成している。
図１１においては、送信フィルタ１３と受信フィルタ１４との間に、櫛型電極と斜交する方向に、例えば２．３μｍのピッチのグレーティングを有するシールド電極６６を設けている。
このような構成とすることにより、電磁的な信号の漏れだけでなく、音響的な漏れもグレーティング形状のシールド電極により吸収することができるため、さらにアイソレーション特性を向上させることができる。
したがって、第１の実施の形態と比較すると、電磁的な漏れだけでなく弾性表面波が伝播する音響的な漏れの影響も減らすことができ、小型でアイソレーション特性に優れた弾性表面波共用器を得ることができる。
なお、本実施の形態では、シールド電極から１本のアース用ワイヤリードでパッケージのアース端子と接続したが、２本以上のアース用ワイヤリードで接続してもよい。例えば、シールド電極６６の中央部のシールド端子パターン６６１だけでなく、両端部にもシールド端子パターンを設けて、これらからパッケージのアース端子に接続してもよい。
（第６の実施の形態）
図１２は、本発明の第６の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器７５の構成を示す上面図である。本実施の形態のＳＡＷ共用器７５は、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０とは、以下の点が異なる。すなわち、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０においては、周波数の低い送信フィルタ１３のうち、受信フィルタ１４に最も近い共振子が直列椀共振子で、受信フィルタ１４のうち、送信フィルタ１３に最も近い共振子が並列椀共振子である構成にしている。しかし、本実施の形態のＳＡＷ共用器７５においては、周波数の低い送信フィルタ８２のうち、受信フィルタ８３に最も近い共振子が並列椀共振子で、受信フィルタ８３のうち、送信フィルタ８２に最も近い共振子が直列椀共振子である構成としている。
具体的には、それぞれラダー型回路で構成した送信フィルタ８２と受信フィルタ８３とを弾性表面波の伝播方向と垂直な方向に配置し、その間にシールド電極８４を設ける。このとき、送信フィルタ８２を構成する共振器のうち、最も受信フィルタ８３に近い共振子８２１を並列椀共振子とする。さらに、受信フィルタ８３を構成する共振子のうち、最も送信フィルタ８２に近い共振子８３１を直列椀共振子とする。ラダー型回路を用いる場合には、直列椀共振子の共振周波数の方が並列椀共振子の共振周波数より高くなる。したがって、この構成とすることで、第１のフィルタ構成と第２のフィルタ構成のそれぞれ最も隣接して配置された共振子の共振周波数の差を最も大きくすることができる。この結果、さらにアイソレーション特性を向上させることができ、小型でアイソレーション特性に優れたＳＡＷ共用器を得ることができる。
以下、ＳＡＷ素子８０の構成の一例について説明する。送信フィルタ８２の中心周波数を８３６．５ＭＨｚ、受信フィルタ８３の中心周波数を８８１．５ＭＨｚに設定した。このために、圧電体基板８１として３６°ＹカットＸ伝播タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶基板を用いて、この圧電体基板８１の表面上に銅（Ｃｕ）添加アルミニウム（Ａｌ）合金とチタン（Ｔｉ）とを積層した構成の薄膜を電極膜とした。その膜厚は約４００ｎｍとした。
送信フィルタ８２の直列椀と並列椀の共振子は、それぞれ２．３２μｍと２．４３μｍのピッチであり、受信フィルタ８３は、それぞれ２．２０μｍと２．３１μｍのピッチである。この送信フィルタ８２と受信フィルタ８３との間に形成するシールド電極８４の幅は約１００μｍとした。
このようにして作製したＳＡＷ素子８０をパッケージ８５に接着固定し、ワイヤリード２０によりＳＡＷ素子８０のそれぞれの接続端子パターンとパッケージ８５の端子部８７とを接続し、最後に蓋体により封止してＳＡＷ共用器７５を作製した。シールド電極８４のシールド端子パターン８４１とパッケージ８５のアース端子８７１との間はアース用ワイヤリード２１０により接続した。なお、パッケージ８５は、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０と同様に、例えばセラミック基材を使用し、蓋体を接合するための接合部８６と、この接合部８６より低い段差を有し、ワイヤリード２０がボンディングされる端子部８７と、最も低い段差を有し、ＳＡＷ素子８０が接着固定される底面部８８とにより構成されている。
図１３は、このＳＡＷ共用器７５について、第１の実施の形態と同様にシールド電極８４を設けない構成のＳＡＷ共用器を比較例として、アイソレーション特性を比較した結果を示す図である。本実施の形態のＳＡＷ共用器７５では、比較例に比べて受信端子と送信端子との間の減衰量が大きくなり、アイソレーション特性を改善できることが見出された。
なお、本実施の形態では、シールド電極からは１本のアース用ワイヤリードでパッケージのアース端子と接続したが、複数本のアース用ワイヤリードで接続してもよい。
また、第１の実施の形態から第６の実施の形態では、ＳＡＷ共用器を例として本発明を説明したが、本発明はこれに限定されない。２種類の異なる周波数を有するフィルタを１つの圧電体基板上に形成する弾性表面波フィルタであれば同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
本発明の弾性表面波デバイスは、圧電体基板上に異なる中心周波数を有するフィルタを設けた場合に、フィルタ間での電磁的な干渉を防止してアイソレーション特性を改善することができるので小型化が可能となり、携帯電話等に有用である。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【技術分野】
本発明は、携帯電話等に用いられる弾性表面波デバイスに関し、特に１つの圧電体基板面上に異なる中心周波数を有するフィルタを設けた弾性表面波フィルタあるいは弾性表面波共用器等の弾性表面波デバイスに関する。
【背景技術】
従来、１つの圧電体基板面上に異なる中心周波数を有するフィルタを設けた弾性表面波デバイス、特に弾性表面波共用器（以下、ＳＡＷ共用器とよぶ）は、図１４に示す構成を有するものが知られている。図１４は、従来のＳＡＷ共用器のパッケージ内部を示すための上面図である。図１４において、ＳＡＷ共用器３００は、弾性表面波素子（以下、ＳＡＷ素子とよぶ）３０４と、これを収納するパッケージ３０５と、これらを接続するワイヤリード３０７と、図示しない蓋体とにより構成されている。ＳＡＷ素子３０４は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶基板等からなる圧電体基板３０１の表面に送信フィルタ３０２と受信フィルタ３０３とが形成されている。このＳＡＷ素子３０４をパッケージ３０５に収納した後、送信フィルタ３０２と受信フィルタ３０３との接続端子パターン３０２１、３０３１とパッケージ３０５の端子部３０６との間をワイヤリード３０７により接続して電気的導通を得た後、図示しない蓋体をパッケージ３０５に封着して作製している。
このようなＳＡＷ共用器３００では、さらなる低コスト化と小型、薄型化の要求が強まっており、このためには送信フィルタ３０２と受信フィルタ３０３とを一体的に形成するＳＡＷ素子３０４をさらに縮小することが要求されている。しかしながら、ＳＡＷ素子３０４の形状を縮小化すると、送信フィルタ３０２と受信フィルタ３０３との間で電磁的な干渉が生じるため、アイソレーション特性が劣化するという課題があった。
これに対して、日本特開２００２−３３５１４３号公報には、小型化してもアイソレーション特性に優れたＳＡＷ共用器が開示されている。このＳＡＷ共用器は、送信端子、受信端子、アンテナ端子およびグランド端子を形成したパッケージと、パッケージの内部に形成するとともに一端をアンテナ端子に接続した位相線路と、パッケージの内部に実装するとともに入力側を送信端子に、出力側を位相線路の入力端子に接続した送信フィルタと、パッケージの内部に実装するとともに入力側を位相線路の出力端子に、出力側を受信端子に接続した受信フィルタを備え、位相線路の一方の端子をパッケージに形成したアンテナ端子と同じ端部に設け、位相線路の他方の端子を位相線路の一方の端子と相対向する端部に設けた構成からなる。これにより、位相線路の入力端子と出力端子間の距離が長くできるため、この間での送信信号と受信信号の電磁的な干渉を防止することができる。
この開示例では、ＳＡＷ素子は同一圧電体基板上に形成した送信フィルタと受信フィルタとの間をパッケージに設けた位相線路により接続して電磁的な干渉を防止している。しかし、ＳＡＷ素子自体あるいはＳＡＷ素子からパッケージに接続するためのワイヤリードの接続構成等により電磁的な干渉を防止することについては全く示されていない。
本発明は、２つの異なる中心周波数を有するフィルタ構成の間にシールド電極を配設することで、電磁的な干渉を防止してアイソレーション特性を改善し、小型でフィルタ特性が良好で、かつ低コストの弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。
【発明の開示】
上記目的を達成するために、本発明の弾性表面波デバイスは、同一の圧電体基板上に異なる中心周波数を有する２種類の弾性表面波フィルタ構成を設けた弾性表面波素子をパッケージに配置した構成からなり、弾性表面波素子は第１の中心周波数を有する第１のフィルタ構成と、第２の中心周波数を有する第２のフィルタ構成と、第１のフィルタ構成と第２のフィルタ構成との間にシールド電極とを有し、シールド電極をパッケージのアース端子に接続して接地した構成からなる。
この構成により、第１のフィルタ構成と第２のフィルタ構成との間の電磁的シールドを行うことができるため、これらの間のアイソレーション特性を向上させることができ、弾性表面波素子を小型化することが可能となる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、弾性表面波素子が第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成のいずれか一方のアース端子パターンとシールド電極との間を接続する接続パターンをさらに有する構成としてもよい。この構成により、シールド電極とパッケージのアース端子とを接続しなくてよいのでワイヤリード接続工程を簡略化できる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、弾性表面波素子のシールド電極が第１のシールド電極と第２のシールド電極とからなり、第１のフィルタ構成のアース端子パターンと第１のシールド電極との間を接続する第１の接続パターンと、第２のフィルタ構成のアース端子パターンと第２のシールド電極との間を接続する第２の接続パターンとをさらに有する構成としてもよい。この構成により、シールド電極の幅を広げ、かつそれぞれのアース端子パターンとパッケージのアース端子とを接続するので、アイソレーション特性をさらに改善できる。また、シールド電極とパッケージのアース端子とを接続しなくてよいのでワイヤリード接続工程も簡略化できる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、シールド電極が第１のフィルタ構成または第２のフィルタ構成のうちの少なくとも１つの信号ライン端子パターンとパッケージの信号端子とを接続する信号用ワイヤリードを横切るパターンをさらに有し、シールド電極とパッケージのアース端子との間を少なくとも２本のアース用ワイヤリードにより接続した構成としてもよい。この構成とすることにより、信号用ワイヤリードから放射される電磁な漏れを効率的に抑制できる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、シールド電極が第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成をほぼ分断するように第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成の長さ以上に形成した構成としてもよい。この構成により、電磁的な漏れをより効率的に抑制することができる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、シールド電極とパッケージのアース端子との間を接続する２本のアース用ワイヤリードが信号ライン端子パターンとパッケージの信号端子とを接続する信号用ワイヤリードの両側に配置されている構成としてもよい。この構成により、信号用ワイヤリードの両側にアース用ワイヤリードが配置されているので、信号用ワイヤリードからの電磁的な漏れをさらに抑制することが可能となる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、アース用ワイヤリードが弾性表面波素子の収納されたパッケージの端子部のうち、対向する位置に配設されたアース端子にそれぞれ接続された構成としてもよい。この構成とすることにより、シールド電極が第１のフィルタ構成と第２のフィルタ構成とを分断するように長く形成され、かつパッケージの両側でアース端子に接続することもできるので、低域の減衰量や低域のアイソレーション特性を改善することができる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、弾性表面波素子の第１のフィルタ構成、第２のフィルタ構成およびシールド電極が第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成の弾性表面波伝播方向に対して垂直方向に配置されている構成としてもよい。この構成とすることにより、アイソレーション特性を改善しながら弾性表面波素子の小型化を実現できる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成がそれぞれ一端子弾性表面波共振子を直列椀と並列椀に接続したラダー型回路で、かつ中心周波数が相対的に低い第１のフィルタ構成のうち、第２のフィルタ構成に最も近い弾性表面波共振子は並列椀であり、かつ第２のフィルタ構成のうち、第１のフィルタ構成に最も近い弾性表面波共振子は直列椀からなる構成としてもよい。この構成により、第１のフィルタ構成と第２のフィルタ構成のそれぞれ最も隣接して配置された共振子の共振周波数の差を最も大きくすることができる。この結果、さらにアイソレーション特性を向上させることができ、小型でアイソレーション特性に優れたＳＡＷ共用器を得ることができる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、シールド電極が第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成の櫛型電極に対して垂直方向に複数のスリットを有するグレーティング形状から構成としてもよい。この構成により、電磁的な漏れだけでなく、弾性表面波としての音響的な漏れも抑制できる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、弾性表面波素子の第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成が第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成の弾性表面波伝播方向と平行に配置され、シールド電極が上記弾性表面波伝播方向に対して垂直方向に配置されている構成としてもよい。この構成により、アイソレーション特性を改善しながら弾性表面波素子の小型化を実現できる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、シールド電極が第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成の櫛型電極に対して平行な方向に複数のスリットを有するグレーティング形状からなる構成としてもよい。この構成により、電磁的な漏れだけでなく、弾性表面波としての音響的な漏れも抑制できる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、シールド電極が第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成の弾性表面波伝播方向と斜交する方向に複数のスリットを有するグレーティング形状からなる構成としてもよい。この構成により、電磁的な漏れだけでなく、弾性表面波としての音響的な漏れも抑制できる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、シールド電極のスリットが第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成中の櫛型電極の最小ピッチと最大ピッチとの間のピッチで形成されている構成としてもよい。この構成とすることにより、アイソレーション特性を改善したい周波数に応じてスリットのピッチを設定することができる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、シールド電極のスリットが場所により異なるピッチで形成されている構成としてもよい。このような構成とすることにより、アイソレーション特性を改善したい複数の周波数に応じてスリットのピッチを設定することができる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成のうち、中心周波数が相対的に高い方のフィルタ構成のアース端子パターンとシールド電極とを接続パターンで接続し、シールド電極とアース端子パターンとに対して少なくとも２本のアース用ワイヤリードが接続され、アース用ワイヤリードはパッケージの中で弾性表面波素子を挟んで両側に配設されたアース端子にそれぞれ接続された構成としてもよい。一般に周波数の高いフィルタ構成はアースの接続方法によって低域減衰量や低域アイソレーション特性が大きく影響される。
この構成により、シールド電極が弾性表面波素子の第１のフィルタ構成と第２のフィルタ構成とをほぼ分断するように長く形成され、パッケージの対向する位置のアース端子とシールド電極とがアース用ワイヤリードにより接続されるので、周波数の高い方のフィルタ構成の低域減衰量や低域アイソレーション特性改善できる。さらに、アース用ワイヤリードの長さを短くできるので、バラツキを小さくできる。また、短いことからＳＡＷ素子上に、このアース用ワイヤリードが接触する現象が生じなくなる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成のうち、中心周波数が相対的に低い方のフィルタ構成のアース端子パターンとシールド電極とを接続パターンで接続し、シールド電極とアース端子パターンとに対して少なくとも２本のアース用ワイヤリードが接続され、アース用ワイヤリードはパッケージの中で弾性表面波素子を挟んで両側に配設されたアース端子にそれぞれ接続した構成としてもよい。一般に周波数の低いフィルタ構成は、アース端子への接続方法によって、高域減衰量や高域アイソレーション特性に影響されにくい。
この構成により、アース端子パターンとシールド電極とを接続パターンにより接続しても、高域減衰量や高域アイソレーション特性が変動しにくいので、設計が容易になる。これに加えて、電磁的な漏れを抑制してアイソレーション特性を向上させることもできる。
また、本発明の弾性表面波デバイスは、第１のフィルタ構成および第２のフィルタ構成がそれぞれ送信フィルタと受信フィルタであり、送信フィルタと受信フィルタとによりＳＡＷ共用器を構成しているようにしてもよい。また、信号ライン端子パターンが送信フィルタおよび受信フィルタのいずれか一方の入出力端子パターンである構成としてもよい。この構成により、アイソレーション特性を向上できるので、より小型のＳＡＷ共用器を実現できる。
以上のように本発明の弾性表面波デバイスは、同一の圧電体基板上の第１のフィルタ構成と第２のフィルタ構成とを設け、それらの間にパッケージのアース端子に接続されたシールド電極を配設することにより、アイソレーション特性を向上させることができ、より小型の弾性表面波デバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器について、パッケージの蓋体を取り外して内部構造を示した上面図
図２は、同実施の形態のＳＡＷ共用器の周波数に対する送信端子と受信端子との間のアイソレーション特性を測定した結果を示す図
図３は、同実施の形態の変形例のＳＡＷ共用器の構成を示す上面図
図４は、同実施の形態のさらに別の変形例のＳＡＷ共用器の構成を示す上面図
図５は、本発明の第２の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器の構成を示す上面図
図６は、同実施の形態のＳＡＷ共用器について、第１の実施の形態と同様にシールド電極を設けない構成のＳＡＷ共用器を比較例としてアイソレーション特性を比較した結果を示す図
図７は、同実施の形態の変形例のＳＡＷ共用器の構成を示す上面図
図８は、本発明の第３の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器の構成を示す上面図
図９は、同実施の形態のＳＡＷ共用器について、第１の実施の形態と同様にシールド電極を設けない構成のＳＡＷ共用器を比較例としてアイソレーション特性を比較した結果を示す図
図１０は、本発明の第４の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器の構成を示す上面図
図１１は、本発明の第５の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器の構成を示す上面図
図１２は、本発明の第６の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器の構成を示す上面図
図１３は、同実施の形態のＳＡＷ共用器について、第１の実施の形態と同様にシールド電極を設けない構成のＳＡＷ共用器を比較例としてアイソレーション特性を比較した結果を示す図
図１４は、従来のＳＡＷ共用器のパッケージ内部を示すために上面からみた図
図面の参照符号の一覧表
１０，２５，３０，４５，５０，６０，６５，７０，７５，３００ 弾性表面波共用器（ＳＡＷ共用器）
１１，２２，４２，４６，５５，６４，８０，３０４ 弾性表面波素子（ＳＡＷ素子）
１２，５１，８１，３０１ 圧電体基板
１３，５２，８２，３０２ 送信フィルタ
１４，５３，８３，３０３ 受信フィルタ
１５，３２，４４，４７，５４，６２，６６，８４ シールド電極
１６，５６，８５，２０４，３０５ パッケージ
１７，５７，８６ 接合部
１８，５８，８７，３０６ 端子部
１９，５９，８８ 底面部
２０，３０７ ワイヤリード
２３ 第２の接続パターン
３３ 第１のシールド電極
３４ 第２のシールド電極
３５ 第１の接続パターン
３６ 第２の接続パターン
１３１ 送信側アース端子パターン
１３２ 送信側信号端子パターン
１４１ 受信側アース端子パターン
１５１、５４１，６２１，６６１、８４１ シールド端子パターン
１８１，１８２，１８３，１８４，５８１，８７１ アース端子
１８５ 信号端子
２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０７，２０８，２１０ アース用ワイヤリード
２０６ 信号用ワイヤリード
３０５ 接続端子
５２１，５３１ 櫛型電極
８２１，８３１ 共振子
３０２１，３０３１ 接続端子パターン
【発明を実施するための最良の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同じ構成要素については同じ符号を付しているので説明を省略する場合がある。また、以下の実施の形態においては、弾性表面波デバイスとしてＳＡＷ共用器を例として説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器について、パッケージの蓋体を取り外して内部構造を示した上面図である。
本実施の形態のＳＡＷ共用器１０は、ＳＡＷ素子１１と、このＳＡＷ素子１１が接着固定されたパッケージ１６と、ＳＡＷ素子１１の電極端子パターンとパッケージ１６の端子部１８とを接続するワイヤリード２０と、図示しない蓋体により構成されている。
ＳＡＷ素子１１は、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３）単結晶基板、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）単結晶基板、水晶基板等の圧電性を有する圧電体基板１２を用いる。この圧電体基板１２の表面上にアルミニウム（Ａｌ）を主体とする電極薄膜を形成し、フォトリソプロセスとエッチングプロセスを行って所定のパターン形状を形成している。図１に示すＳＡＷ素子１１においては、第１の弾性表面波フィルタ構成である送信フィルタ１３と、第２の弾性表面波フィルタ構成である受信フィルタ１４と、これら送信フィルタ１３と受信フィルタ１４との間に形成されたシールド電極１５とにより構成されている。
なお、送信フィルタ１３、受信フィルタ１４およびシールド電極１５とは、弾性表面波伝播方向に対して垂直方向に配置されている。
パッケージ１６は、例えばセラミック基材を使用し、蓋体を接合するための接合部１７と、この接合部１７より低い段差を有し、ワイヤリード２０がボンディングされる端子部１８と、最も低い段差を有し、ＳＡＷ素子１１が接着固定される底面部１９とにより構成されている。なお、端子部１８は多層構成からなるセラミック基材から裏面部まで導体パターンが引き回されて裏面部において半田付け端子部（図示せず）が設けられている。接合部１７と蓋体との接合は、例えば半田付け、熱溶着、超音波接合あるいは接着樹脂による接着等種々の方式で接続する。
また、ワイヤリード２０は、熱圧着方式あるいは超音波方式のワイヤボンディング等により接続される。
本実施の形態においては、送信フィルタ１３と受信フィルタ１４とは、それぞれ一端子弾性表面波共振子を直列椀と並列椀に接続したラダー型回路で構成している。この送信フィルタ１３と受信フィルタ１４との間にシールド電極１５を形成し、シールド電極１５のシールド端子パターン１５１とパッケージ１６の端子部１８のうちのアース端子１８２との間をアース用ワイヤリード２０２により接続している。これにより、電磁的なシールド効果を得ることができ、送信と受信との間のアイソレーション特性を向上させることができる。
なお、送信フィルタ１３の送信側アース端子パターン１３１とパッケージ１６の端子部１８のうちのアース端子１８３とはアース用ワイヤリード２０３により接続されている。さらに、受信フィルタ１４の受信側アース端子パターン１４１とパッケージ１６の端子部１８のうちのアース端子１８１とはアース用ワイヤリード２０１により接続されている。送信フィルタ１３と受信フィルタ１４のその他の接続端子パターンはパッケージ１６の端子部１８のそれぞれとワイヤリード２０により接続されている。
シールド電極１５の幅は大きいほど、アイソレーション特性も改善されるが、幅を大きくすればチップサイズも大きくなる。アイソレーション特性を良好にしながらチップサイズを小さくするためには、送信フィルタ１３と受信フィルタ１４とにおいて低い方のフィルタの中心周波数に相当する波長の１０〜５０倍程度の幅に設定することが好ましい範囲である。
以下、ＳＡＷ素子１１の構成の一例について説明する。送信フィルタ１３の中心周波数を８３６．５ＭＨｚ、受信フィルタ１４の中心周波数を８８１．５ＭＨｚに設定した。このために、圧電体基板１２として３６°ＹカットＸ伝播タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶基板を用いて、この圧電体基板１２の表面上に銅（Ｃｕ）添加アルミニウム（Ａｌ）合金とチタン（Ｔｉ）とを積層した構成の薄膜を電極膜とした。その膜厚は約４００ｎｍとした。
送信フィルタ１３の直列椀と並列椀の共振子は、それぞれ２．３２μｍと２．４３μｍのピッチであり、受信フィルタ１４は、それぞれ２．２０μｍと２．３１μｍのピッチである。この送信フィルタ１３と受信フィルタ１４との間に形成するシールド電極１５の幅は約１００μｍとした。
このようにして作製したＳＡＷ素子１１をパッケージ１６に接着固定し、ＳＡＷ素子１１の接続端子パターンとパッケージ１６の端子部１８とをワイヤリード２０により接続し、最後に蓋体により封止してＳＡＷ共用器１０を作製した。なお、シールド電極１５のシールド端子パターン１５１とパッケージ１６のアース端子１８２との間はアース用ワイヤリード２０２により接続した。さらに、送信フィルタ１３の送信側アース端子パターン１３１とパッケージ１６のアース端子１８３とはアース用ワイヤリード２０３、および受信フィルタ１４の受信側アース端子パターン１４１とパッケージ１６のアース端子１８１とはアース用ワイヤリード２０１により接続した。
図２は、このＳＡＷ共用器１０の周波数に対する送信端子と受信端子との間のアイソレーション特性を測定した結果を示す図である。横軸は周波数で、縦軸は送信端子と受信端子との間の減衰量から求めたアイソレーション特性である。シールド電極１５を設けない構成のＳＡＷ共用器を比較例とした。図２からわかるように、本実施の形態のＳＡＷ共用器１０の場合には、比較例のＳＡＷ共用器に比べて使用周波数帯域でのアイソレーション特性が良好となることが確認された。すなわち、シールド電極１５を設けることで、電磁的なシールド効果が良好となり、アイソレーション特性を改善することができた。
図３は、本実施の形態の変形例のＳＡＷ共用器２５の構成を示す上面図である。本変形例のＳＡＷ共用器２５は、第１の弾性表面波フィルタ構成である送信フィルタ１３の送信側アース端子パターン１３１とシールド電極１５とを接続パターン２３により接続している。一方、シールド電極１５とパッケージ１６のアース端子１８２との間は接続していない。これらの点が、ＳＡＷ共用器１０と異なる点である。これにより、アイソレーション特性を改善しながら、図１に示すＳＡＷ共用器１０に比べてワイヤリードを１本減らすことができる。このため、ワイヤボンディングのための工数や材料費を減らすことができる。
図４は、本実施の形態のさらに別の変形例のＳＡＷ共用器３０の構成を示す上面図である。図４に示すＳＡＷ共用器３０は、シールド電極３２が第１のシールド電極３３と第２のシールド電極３４とからなり、送信フィルタ１３の送信側アース端子パターン１３１と第１のシールド電極３３とを第１の接続パターン３５で接続し、受信フィルタ１４の受信側アース端子パターン１４１と第２のシールド電極３４とを第２の接続パターン３６で接続している。
送信フィルタ１３の送信側アース端子パターン１３１とパッケージ１６のアース端子１８３とはアース用ワイヤリード２０３、および受信フィルタ１４の受信側アース端子パターン１４１とパッケージ１６のアース端子１８１とはアース用ワイヤリード２０１により接続している。一方、第１のシールド電極３３および第２のシールド電極３４と、パッケージ１６の端子部１８のうちのアース端子との間は接続していない。
このようにシールド電極３２と第１の接続パターン３５および第２の接続パターン３６を形成することで、シールド電極３２からパッケージ１６のアース端子への接続を送信側アース端子パターン１３１と受信側アース端子パターン１４１とにより行えるので、ワイヤリード２０の接続本数を増加させることがない。さらに、シールド電極３２の幅を全体として広げ、かつ長く形成しているのでアイソレーション特性をより向上させることもできる。なお、本変形例では、シールド電極３２を構成する第１のシールド電極３３と第２のシールド電極３４とは分離して形成したが、これらを接続するようにしてもよい。
以上のように本実施の形態によれば、第１の弾性表面波フィルタ構成である送信フィルタと第２の弾性表面波フィルタ構成である受信フィルタとの間にシールド電極を形成し、このシールド電極をパッケージのアース端子に接続して接地することにより、電磁シールド効果により送信と受信との間のアイソレーション特性を向上させることができる。したがって、ＳＡＷ素子の形状を小さくできるので小型で、かつアイソレーション特性に優れたＳＡＷ共用器を得ることができる。
なお、本実施の形態では、シールド電極またはシールド電極と接続する送信側アース端子パターンあるいは受信側アース端子パターンからは１本のアース用ワイヤリードでパッケージのアース端子と接続したが、複数本のアース用ワイヤリードで接続してもよい。
（第２の実施の形態）
図５は、本発明の第２の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器４５の構成を示す上面図である。
本実施の形態のＳＡＷ共用器４５は、以下の構成が第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０と異なる。
第１は、シールド電極４４が、第１の弾性表面波フィルタ構成である送信フィルタ１３と第２の弾性表面波フィルタ構成である受信フィルタ１４とをほぼ分断するように長く形成されていることである。本実施の形態では、このシールド電極４４は送信フィルタ１３と受信フィルタ１４の長さよりも長く形成している。
第２は、送信フィルタ１３の送信側信号ライン端子パターン１３２とパッケージ１６の信号端子１８５とを接続する信号用ワイヤリード２０６が、シールド電極４４の上側を通るように配置されていることである。
第３は、シールド電極４４からパッケージ１６の２箇所のアース端子１８１、１８４にアース用ワイヤリード２０４、２０５で接続し、かつ、信号用ワイヤリード２０６をはさむように配置していることである。
このために、送信側信号ライン端子パターン１３２は、図１に示すＳＡＷ共用器１０に比べてシールド電極４４方向に延在されている。また、シールド電極４４には、送信側信号ライン端子パターン１３２の近傍で、この送信側信号ライン端子パターン１３２に平行で、信号用ワイヤリード２０６を横切るようなパターンを設けている。この平行なパターンの両端部からアース端子１８１、１８４にそれぞれアース用ワイヤリード２０４、２０５で接続している。したがって、シールド電極４４の中央部からパッケージ１６のアース端子に接続するワイヤリードは設けていない。以上のように、本実施の形態のＳＡＷ共用器４５は、シールド電極４４と送信フィルタ１３の送信側信号ライン端子パターン１３２のパターン形状を変更していることが特徴である。
なお、送信フィルタの送信側信号ライン端子パターン１３２は、図５に示すフィルタ構成においては送信フィルタ１３の共通端子パターン、すなわちアンテナ端子パターンである。
このような構成にすることにより、送信側信号ライン端子パターン１３２に接続する信号用ワイヤリード２０６から放射される電磁的な漏れを効率的に抑制することができる。この結果、アイソレーション特性を向上させることができる。
図６は、このＳＡＷ共用器４５について、第１の実施の形態と同様にシールド電極４４を設けない構成のＳＡＷ共用器を比較例として、アイソレーション特性を比較した結果を示す図である。本実施の形態のＳＡＷ共用器４５では、比較例に比べて受信端子と送信端子との間の減衰量が大きくなり、アイソレーション特性を改善できることが見出された。
なお、本実施の形態のＳＡＷ共用器４５では、アース用ワイヤリード２０４、２０５をシールド電極４４からパッケージ１６のアース端子１８１、１８４に接続し、かつ信号用ワイヤリード２０６をはさむように配置したが、本発明はこれに限定されない。図７は、本実施の形態の変形例のＳＡＷ共用器５０の構成を示す上面図である。このＳＡＷ共用器５０では、ＳＡＷ素子４６のシールド電極４７のパターン形状を変更し、アース用ワイヤリード２０４、２０７によりパッケージ１６のアース端子１８２、１８４にそれぞれ接続している。すなわち、シールド電極４７は、図７からわかるように送信側信号ライン端子パターン１３２方向に向いてカタカナのコ字状に形成されており、その端部からアース用ワイヤリード２０４、２０７によりパッケージ１６のアース端子１８２、１８４に接続している。この構成においては、信号用ワイヤリード２０６はシールド電極４７の上を通るように形成されているが、アース用ワイヤリード２０４、２０７は信号用ワイヤリード２０６をはさむようには配置されていない。しかし、このような構成においても電磁的な漏れを抑制することができ、アイソレーション特性を改善できる。
なお、ＳＡＷ共用器の場合には、送信フィルタ１３の方に大きな電力が加わるため、その信号が受信フィルタ１４の方に漏れることが大きな問題になる。このため、本実施の形態のＳＡＷ共用器４５、５０のように、送信フィルタ１３の送信用ワイヤリード２０６の下部にシールド電極４４、４７を配置すると、送信帯域でのアイソレーション特性を向上できるので望ましい。
このような構成とすれば、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０に比べて、さらにアイソレーション特性を改善できるので、より小型でフィルタ特性に優れたＳＡＷ共用器を実現できる。
なお、本実施の形態では、シールド電極から２本のアース用ワイヤリードでパッケージのアース端子と接続したが、３本以上のアース用ワイヤリードで接続してもよい。
（第３の実施の形態）
図８は、本発明の第３の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器６０の構成を示す上面図である。本実施の形態のＳＡＷ共用器６０は、ＳＡＷ素子５５と、このＳＡＷ素子５５が接着固定されたパッケージ５６と、ＳＡＷ素子５５の電極パターンとパッケージ５６の端子部５８とを接続するワイヤリード２０と、図示しない蓋体により構成されている。
ＳＡＷ素子５５は、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３）単結晶基板、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）単結晶基板、水晶基板等の圧電性を有する圧電体基板５１を用いる。この圧電体５１の表面上にアルミニウム（Ａｌ）を主体とする電極薄膜を形成し、フォトリソプロセスとエッチングプロセスを行って所定のパターン形状を形成している。このＳＡＷ素子５５は、第１の弾性表面波フィルタ構成である送信フィルタ５２と、第２の弾性表面波フィルタ構成である受信フィルタ５３と、これら送信フィルタ５２と受信フィルタ５３との間に形成されたグレーティング形状のシールド電極５４とにより構成されている。
パッケージ５６は第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０と同様に、例えばセラミック基材を使用し、蓋体を接合するための接合部５７と、この接合部５７より低い段差を有し、ワイヤリード２０がボンディングされる端子部５８と、最も低い段差を有し、ＳＡＷ素子５５が接着固定される底面部５９とにより構成されている。なお、端子部５８は多層構成からなるセラミック基材から導体パターンを裏面部まで引き回し、裏面部に半田付け端子部（図示せず）を有している。接合部５７と蓋体との接合は、例えば半田付け、熱溶着、超音波接合あるいは接着樹脂による接着等種々の方式で接続する。
また、ワイヤリード２０は、熱圧着方式あるいは超音波方式のワイヤボンディング等により接続される。
本実施の形態においては、送信フィルタ５２と受信フィルタ５３とは、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０と同じラダー型回路で構成している。しかし、図８からわかるように、送信フィルタ５２と受信フィルタ５３とを弾性表面波の伝播方向と平行の方向に配置している。これら送信フィルタ５２と受信フィルタ５３との間に、送信フィルタ５２と受信フィルタ５３を構成するインターディジタルトランスデューサ電極の櫛型電極５２１、５３１と平行な方向に複数のスリットを設けたグレーティング形状のシールド電極５４を配置している。なお、このシールド電極５４は弾性表面波伝播方向に対して垂直方向に配置されている。
さらに、シールド電極５４のシールド端子パターン５４１とパッケージ５６の端子部５８のうちのアース端子５８１との間をアース用ワイヤリード２０８により接続している。なお、ＳＡＷ素子５５の送信フィルタ５２および受信フィルタ５３の接続端子パターンとパッケージ５６の所定の端子部５８との間をワイヤリード２０によりそれぞれ接続している。これにより、本実施の形態のＳＡＷ共用器６０が得られる。
このような構成にすることにより、電磁的な漏れを抑制できるだけでなく、弾性表面波として伝播する音響的な漏れもグレーティング形状のシールド電極５４により吸収することができる。したがって、さらにアイソレーション特性を向上できる。
このグレーティングのピッチは、アイソレーション特性を向上させたい周波数に応じて選ぶことができる。その範囲は、ＳＡＷ素子５５の送信フィルタ５２と受信フィルタ５３とを構成する複数の共振子のうちの最小のピッチと最大のピッチとの間に設定すればよい。
以下、ＳＡＷ素子５５の構成の一例について説明する。送信フィルタ５２の中心周波数を８３６．５ＭＨｚ、受信フィルタ４３の中心周波数を８８１．５ＭＨｚに設定した。このために、圧電体基板５１として３６°ＹカットＸ伝播タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板を用いた。この圧電体基板５１の表面上に銅（Ｃｕ）添加アルミニウム（Ａｌ）合金とチタン（Ｔｉ）とを積層した構成の薄膜を形成して電極膜とした。その膜厚は約４００ｎｍとした。
なお、送信フィルタ５２の直列椀と並列椀の弾性表面波共振子（以下、共振子とよぶ）は、それぞれ２．３２μｍと２．４３μｍのピッチであり、受信フィルタ５３は、それぞれ２．２０μｍと２．３１μｍのピッチである。この送信フィルタ５２と受信フィルタ５３との間にピッチ２．３μｍのグレーティング形状のシールド電極５４を設けた。これは上記したように、ＳＡＷ素子５５の送信フィルタ５２と受信フィルタ５３とを構成する複数の共振子のうちの最小のピッチが２．２０μｍであり、最大のピッチが２．４３μｍであるので、２．２０μｍ〜２．４３μｍの範囲に含まれる２．３μｍに設定したものである。
図９は、このＳＡＷ共用器６０について、第１の実施の形態と同様にシールド電極５４を設けない構成のＳＡＷ共用器を比較例として、アイソレーション特性を比較した結果を示す図である。本実施の形態のＳＡＷ共用器６０では、比較例に比べて受信端子と送信端子との間の減衰量が大きくなり、アイソレーション特性を改善できることが見出された。
なお、図９に示すＳＡＷ共用機では、グレーティング形状のシールド電極５４のグレーティングピッチを２．３μｍとしたが、それぞれのグレーティグ部分のピッチを別々としてもよい。例えば、一方のグレーティングピッチを２．３２μｍとし、他方のグレーティングピッチを２．４３μｍとしてもよい。あるいは、それぞれのグレーティング部分で、グレーティングピッチが２．３２μｍと２．４３μｍであるスリット部分を複数本づつ設けてもよい。
これにより送信フィルタのそれぞれの共振子から漏れてくる音響的な信号を効果的に吸収してアイソレーション特性をさらに向上させることができる。したがって、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０と比較すると、電磁的な漏れだけでなく、音響的な漏れの影響も減らすことができる。この結果、より小型でアイソレーション特性に優れたＳＡＷ共用器を実現することができる。
なお、本実施の形態では、シールド電極から１本のアース用ワイヤリードでパッケージのアース端子と接続したが、２本以上のアース用ワイヤリードで接続してもよい。例えば、シールド電極５４の中央部のシールド端子パターン５４１だけでなく、両端部にもシールド端子パターンを設けて、これらからパッケージのアース端子に接続してもよい。
（第４の実施の形態）
図１０は、本発明の第４の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器６５の構成を示す上面図である。本実施の形態のＳＡＷ共用器６５は、図１に示す第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０の変形例であり、シールド電極６２の形状が異なる。すなわち、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０においては、シールド電極１５は中央部のシールド端子パターン１５１の部分を除き、単純なストライプパターン形状である。しかし、本実施の形態のＳＡＷ共用器６５においては、同様にシールド端子パターン６２１を除き、その他の部分にはスリット、すなわちグレーティングが形成されている。これ以外については、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０と同じ構成である。
図１０において、送信フィルタ１３と受信フィルタ１４とは、弾性表面波の伝播方向と垂直な方向に配置されている。これらの間にインターディジタルトランスデューサ電極を構成する櫛型電極と垂直な方向に複数のスリットを設けたグレーティング形状のシールド電極６２を設けている。このシールド電極６２も弾性表面波伝播方向に対して垂直な方向に配置されている。なお、本実施の形態のＳＡＷ素子６４は、第１の実施の形態のＳＡＷ素子１１に比べて、このシールド電極６２の形状が異なるのみである。本実施の形態のＳＡＷ共用器６５を第１の実施の形態の構成の一例と同じ送信フィルタ１３と受信フィルタ１４で構成する場合には、シールド電極６２のグレーティングのピッチは２．３μｍとすることが望ましい。
このような構成とすることにより、電磁的な信号の漏れだけでなく、弾性表面波として伝播する音響的な漏れもグレーティング形状のシールド電極６２により吸収することができる。この結果、さらにアイソレーション特性を向上できる。
このグレーティングピッチは、アイソレーション特性を改善させたい周波数に応じて選ぶことができ、そのピッチの範囲は送信フィルタ１３と受信フィルタ１４とを構成する共振子の中の最小のピッチと最大のピッチの間で選択することができる。
したがって、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０に比べて、電磁的な漏れだけでなく弾性表面波として伝播する音響的な漏れの影響も減らすことができるので小型でアイソレーション特性に優れたＳＡＷ共用器を得ることができる。
なお、本実施の形態では、シールド電極から１本のアース用ワイヤリードでパッケージのアース端子と接続したが、２本以上のアース用ワイヤリードで接続してもよい。例えば、シールド電極５４の中央部のシールド端子パターン５４１だけでなく、両端部にもシールド端子パターンを設けて、これらからパッケージのアース端子に接続してもよい。
（第５の実施の形態）
図１１は、本発明の第５の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器７０の構成を示す上面図である。本実施の形態のＳＡＷ共用器７０と第１の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器１０とで相違する点は、シールド電極の形状を変えた点にある。本実施の形態のＳＡＷ共用器７０は、図１に示す第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０の変形例であり、シールド電極の形状が異なる。すなわち、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０においては、シールド電極１５は中央部のシールド端子パターン１５１の部分を除き、単純なストライプパターン形状である。しかし、本実施の形態のＳＡＷ共用器７０においては、同様にシールド端子パターン６６１を除き、その他の部分にはグレーティングが形成されている。すなわち、本実施の形態においては、シールド電極６６のシールド端子パターン６６１を除き、弾性表面波伝播方向と斜交する方向にグレーティングを設けた構成としている。それ以外の構成については、第１の実施の形態と同様にして弾性表面波共用器を構成している。
図１１においては、送信フィルタ１３と受信フィルタ１４との間に、櫛型電極と斜交する方向に、例えば２．３μｍのピッチのグレーティングを有するシールド電極６６を設けている。
このような構成とすることにより、電磁的な信号の漏れだけでなく、音響的な漏れもグレーティング形状のシールド電極により吸収することができるため、さらにアイソレーション特性を向上させることができる。
したがって、第１の実施の形態と比較すると、電磁的な漏れだけでなく弾性表面波が伝播する音響的な漏れの影響も減らすことができ、小型でアイソレーション特性に優れた弾性表面波共用器を得ることができる。
なお、本実施の形態では、シールド電極から１本のアース用ワイヤリードでパッケージのアース端子と接続したが、２本以上のアース用ワイヤリードで接続してもよい。例えば、シールド電極６６の中央部のシールド端子パターン６６１だけでなく、両端部にもシールド端子パターンを設けて、これらからパッケージのアース端子に接続してもよい。
（第６の実施の形態）
図１２は、本発明の第６の実施の形態にかかるＳＡＷ共用器７５の構成を示す上面図である。本実施の形態のＳＡＷ共用器７５は、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０とは、以下の点が異なる。すなわち、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０においては、周波数の低い送信フィルタ１３のうち、受信フィルタ１４に最も近い共振子が直列椀共振子で、受信フィルタ１４のうち、送信フィルタ１３に最も近い共振子が並列椀共振子である構成にしている。しかし、本実施の形態のＳＡＷ共用器７５においては、周波数の低い送信フィルタ８２のうち、受信フィルタ８３に最も近い共振子が並列椀共振子で、受信フィルタ８３のうち、送信フィルタ８２に最も近い共振子が直列椀共振子である構成としている。
具体的には、それぞれラダー型回路で構成した送信フィルタ８２と受信フィルタ８３とを弾性表面波の伝播方向と垂直な方向に配置し、その間にシールド電極８４を設ける。このとき、送信フィルタ８２を構成する共振器のうち、最も受信フィルタ８３に近い共振子８２１を並列椀共振子とする。さらに、受信フィルタ８３を構成する共振子のうち、最も送信フィルタ８２に近い共振子８３１を直列椀共振子とする。ラダー型回路を用いる場合には、直列椀共振子の共振周波数の方が並列椀共振子の共振周波数より高くなる。したがって、この構成とすることで、第１のフィルタ構成と第２のフィルタ構成のそれぞれ最も隣接して配置された共振子の共振周波数の差を最も大きくすることができる。この結果、さらにアイソレーション特性を向上させることができ、小型でアイソレーション特性に優れたＳＡＷ共用器を得ることができる。
以下、ＳＡＷ素子８０の構成の一例について説明する。送信フィルタ８２の中心周波数を８３６．５ＭＨｚ、受信フィルタ８３の中心周波数を８８１．５ＭＨｚに設定した。このために、圧電体基板８１として３６°ＹカットＸ伝播タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶基板を用いて、この圧電体基板８１の表面上に銅（Ｃｕ）添加アルミニウム（Ａｌ）合金とチタン（Ｔｉ）とを積層した構成の薄膜を電極膜とした。その膜厚は約４００ｎｍとした。
送信フィルタ８２の直列椀と並列椀の共振子は、それぞれ２．３２μｍと２．４３μｍのピッチであり、受信フィルタ８３は、それぞれ２．２０μｍと２．３１μｍのピッチである。この送信フィルタ８２と受信フィルタ８３との間に形成するシールド電極８４の幅は約１００μｍとした。
このようにして作製したＳＡＷ素子８０をパッケージ８５に接着固定し、ワイヤリード２０によりＳＡＷ素子８０のそれぞれの接続端子パターンとパッケージ８５の端子部８７とを接続し、最後に蓋体により封止してＳＡＷ共用器７５を作製した。シールド電極８４のシールド端子パターン８４１とパッケージ８５のアース端子８７１との間はアース用ワイヤリード２１０により接続した。なお、パッケージ８５は、第１の実施の形態のＳＡＷ共用器１０と同様に、例えばセラミック基材を使用し、蓋体を接合するための接合部８６と、この接合部８６より低い段差を有し、ワイヤリード２０がボンディングされる端子部８７と、最も低い段差を有し、ＳＡＷ素子８０が接着固定される底面部８８とにより構成されている。
図１３は、このＳＡＷ共用器７５について、第１の実施の形態と同様にシールド電極８４を設けない構成のＳＡＷ共用器を比較例として、アイソレーション特性を比較した結果を示す図である。本実施の形態のＳＡＷ共用器７５では、比較例に比べて受信端子と送信端子との間の減衰量が大きくなり、アイソレーション特性を改善できることが見出された。
なお、本実施の形態では、シールド電極からは１本のアース用ワイヤリードでパッケージのアース端子と接続したが、複数本のアース用ワイヤリードで接続してもよい。
また、第１の実施の形態から第６の実施の形態では、ＳＡＷ共用器を例として本発明を説明したが、本発明はこれに限定されない。２種類の異なる周波数を有するフィルタを１つの圧電体基板上に形成する弾性表面波フィルタであれば同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
本発明の弾性表面波デバイスは、圧電体基板上に異なる中心周波数を有するフィルタを設けた場合に、フィルタ間での電磁的な干渉を防止してアイソレーション特性を改善することができるので小型化が可能となり、携帯電話等に有用である。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一の圧電体基板上に異なる中心周波数を有する２種類の弾性表面波フィルタ構成を設けた弾性表面波素子をパッケージに配置した構成からなり、前記弾性表面波素子は第１の中心周波数を有する第１のフィルタ構成と、第２の中心周波数を有する第２のフィルタ構成と、前記第１のフィルタ構成と前記第２のフィルタ構成との間にシールド電極とを有し、前記シールド電極を前記パッケージのアース端子に接続して接地したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記弾性表面波素子は、前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成のいずれか一方のアース端子パターンと前記シールド電極との間を接続する接続パターンをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記弾性表面波素子は、前記シールド電極が第１のシールド電極と第２のシールド電極とからなり、前記第１のフィルタ構成のアース端子パターンと前記第１のシールド電極との間を接続する第１の接続パターンと、前記第２のフィルタ構成のアース端子パターンと前記第２のシールド電極との間を接続する第２の接続パターンとをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記シールド電極は、前記第１のフィルタ構成または前記第２のフィルタ構成のうちの少なくとも１つの信号ライン端子パターンと前記パッケージの信号端子とを接続する信号用ワイヤリードを横切るパターンをさらに有し、前記シールド電極と前記パッケージの前記アース端子との間を少なくとも２本のアース用ワイヤリードにより接続したことを特徴とする請求項１から３までのいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記シールド電極は、前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成をほぼ分断するように、前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成の長さ以上に形成したことを特徴とする請求項１から４までのいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
前記シールド電極と前記パッケージの前記アース端子との間を接続する２本の前記アース用ワイヤリードが、前記信号ライン端子パターンと前記パッケージの前記信号端子とを接続する前記信号用ワイヤリードの両側に配置されていることを特徴とする請求項４または５に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項７】
前記アース用ワイヤリードは、前記弾性表面波素子が収納された前記パッケージの端子部のうち、対向する位置に配設された前記アース端子にそれぞれ接続されたことを特徴とする請求項５に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項８】
前記弾性表面波素子の前記第１のフィルタ構成、前記第２のフィルタ構成および前記シールド電極は、前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成の弾性表面波伝播方向に対して垂直方向に配置されていることを特徴とする請求項１から７までのいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項９】
前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成は、それぞれ一端子弾性表面波共振子を直列椀と並列椀に接続したラダー型回路で、かつ中心周波数が相対的に低い第１のフィルタ構成のうち、前記第２のフィルタ構成に最も近い弾性表面波共振子は並列椀であり、かつ前記第２のフィルタ構成のうち、前記第１のフィルタ構成に最も近い弾性表面波共振子は直列椀からなることを特徴とする請求項８に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１０】
前記シールド電極は、前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成の櫛型電極に対して垂直方向に複数のスリットを有するグレーティング形状からなることを特徴とする請求項８または９に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１１】
前記弾性表面波素子の前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成は前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成の弾性表面波伝播方向と平行に配置され、前記シールド電極は前記弾性表面波伝播方向に対して垂直方向に配置されていることを特徴とする請求項１から７までのいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１２】
前記シールド電極は、前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成の櫛型電極に対して平行な方向に複数のスリットを有するグレーティング形状からなることを特徴とする請求項１１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１３】
前記シールド電極は、前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成の弾性表面波伝播方向と斜交する方向に複数のスリットを有するグレーティング形状からなることを特徴とする請求項８、９または１１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１４】
前記シールド電極の前記スリットは、前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成中の櫛型電極の最小ピッチと最大ピッチとの間のピッチで形成されていることを特徴とする請求項１０、１２または１３に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１５】
前記シールド電極の前記スリットは、場所により異なるピッチで形成されていることを特徴とする請求項１０、１２または１３に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１６】
前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成のうち、中心周波数が相対的に高い方のフィルタ構成のアース端子パターンと前記シールド電極とを接続パターンで接続し、前記シールド電極と前記アース端子パターンとに対して少なくとも２本のアース用ワイヤリードが接続され、前記アース用ワイヤリードは前記パッケージの中で前記弾性表面波素子を挟んで両側に配設された前記アース端子にそれぞれ接続されたことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１７】
前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成のうち、中心周波数が相対的に低い方のフィルタ構成のアース端子パターンと前記シールド電極とを接続パターンで接続し、前記シールド電極と前記アース端子パターンとに対して少なくとも２本のアース用ワイヤリードが接続され、前記アース用ワイヤリードは前記パッケージの中で前記弾性表面波素子を挟んで両側に配設された前記アース端子にそれぞれ接続したことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１８】
前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成は、それぞれ送信フィルタと受信フィルタであり、前記送信フィルタと前記受信フィルタとにより弾性表面波共用器を構成していることを特徴とする請求項１から１７までのいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１９】
前記信号ライン端子パターンが、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタのいずれか一方の入出力端子パターンであることを特徴とする請求項１８に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１】
同一の圧電体基板上に異なる中心周波数を有する２種類の弾性表面波フィルタ構成を設けた弾性表面波素子をパッケージに配置した構成からなり、前記弾性表面波素子は第１の中心周波数を有する第１のフィルタ構成と、第２の中心周波数を有する第２のフィルタ構成と、前記第１のフィルタ構成と前記第２のフィルタ構成との間にシールド電極とを有し、前記シールド電極を前記パッケージのアース端子に接続して接地したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記弾性表面波素子は、前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成のいずれか一方のアース端子パターンと前記シールド電極との間を接続する接続パターンをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記弾性表面波素子は、前記シールド電極が第１のシールド電極と第２のシールド電極とからなり、前記第１のフィルタ構成のアース端子パターンと前記第１のシールド電極との間を接続する第１の接続パターンと、前記第２のフィルタ構成のアース端子パターンと前記第２のシールド電極との間を接続する第２の接続パターンとをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記シールド電極は、前記第１のフィルタ構成または前記第２のフィルタ構成のうちの少なくとも１つの信号ライン端子パターンと前記パッケージの信号端子とを接続する信号用ワイヤリードを横切るパターンをさらに有し、前記シールド電極と前記パッケージの前記アース端子との間を少なくとも２本のアース用ワイヤリードにより接続したことを特徴とする請求項１から３までのいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記シールド電極は、前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成をほぼ分断するように、前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成の長さ以上に形成したことを特徴とする請求項１から４までのいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
前記シールド電極と前記パッケージの前記アース端子との間を接続する２本の前記アース用ワイヤリードが、前記信号ライン端子パターンと前記パッケージの前記信号端子とを接続する前記信号用ワイヤリードの両側に配置されていることを特徴とする請求項４または５に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項７】
前記アース用ワイヤリードは、前記弾性表面波素子が収納された前記パッケージの端子部のうち、対向する位置に配設された前記アース端子にそれぞれ接続されたことを特徴とする請求項５に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項８】
前記弾性表面波素子の前記第１のフィルタ構成、前記第２のフィルタ構成および前記シールド電極は、前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成の弾性表面波伝播方向に対して垂直方向に配置されていることを特徴とする請求項１から７までのいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項９】
前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成は、それぞれ一端子弾性表面波共振子を直列椀と並列椀に接続したラダー型回路で、かつ中心周波数が相対的に低い第１のフィルタ構成のうち、前記第２のフィルタ構成に最も近い弾性表面波共振子は並列椀であり、かつ前記第２のフィルタ構成のうち、前記第１のフィルタ構成に最も近い弾性表面波共振子は直列椀からなることを特徴とする請求項８に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１０】
前記シールド電極は、前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成の櫛型電極に対して垂直方向に複数のスリットを有するグレーティング形状からなることを特徴とする請求項８または９に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１１】
前記弾性表面波素子の前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成は前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成の弾性表面波伝播方向と平行に配置され、前記シールド電極は前記弾性表面波伝播方向に対して垂直方向に配置されていることを特徴とする請求項１から７までのいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１２】
前記シールド電極は、前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成の櫛型電極に対して平行な方向に複数のスリットを有するグレーティング形状からなることを特徴とする請求項１１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１３】
前記シールド電極は、前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成の弾性表面波伝播方向と斜交する方向に複数のスリットを有するグレーティング形状からなることを特徴とする請求項８、９または１１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１４】
前記シールド電極の前記スリットは、前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成中の櫛型電極の最小ピッチと最大ピッチとの間のピッチで形成されていることを特徴とする請求項１０、１２または１３に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１５】
前記シールド電極の前記スリットは、場所により異なるピッチで形成されていることを特徴とする請求項１０、１２または１３に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１６】
前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成のうち、中心周波数が相対的に高い方のフィルタ構成のアース端子パターンと前記シールド電極とを接続パターンで接続し、前記シールド電極と前記アース端子パターンとに対して少なくとも２本のアース用ワイヤリードが接続され、前記アース用ワイヤリードは前記パッケージの中で前記弾性表面波素子を挟んで両側に配設された前記アース端子にそれぞれ接続されたことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１７】
前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成のうち、中心周波数が相対的に低い方のフィルタ構成のアース端子パターンと前記シールド電極とを接続パターンで接続し、前記シールド電極と前記アース端子パターンとに対して少なくとも２本のアース用ワイヤリードが接続され、前記アース用ワイヤリードは前記パッケージの中で前記弾性表面波素子を挟んで両側に配設された前記アース端子にそれぞれ接続したことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１８】
前記第１のフィルタ構成および前記第２のフィルタ構成は、それぞれ送信フィルタと受信フィルタであり、前記送信フィルタと前記受信フィルタとにより弾性表面波共用器を構成していることを特徴とする請求項１から１７までのいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１９】
前記信号ライン端子パターンが、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタのいずれか一方の入出力端子パターンであることを特徴とする請求項１８に記載の弾性表面波デバイス。
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０１１１１４
【国際公開日】平成１７年２月３日（２００５．２．３）
【発行日】平成１８年９月１４日（２００６．９．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−５１２１２１（Ｐ２００５−５１２１２１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００４／０１１１２２
【国際出願日】平成１６年７月２８日（２００４．７．２８）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【国際公開日】平成１７年２月３日（２００５．２．３）
【発行日】平成１８年９月１４日（２００６．９．１４）
【国際特許分類】
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００４／０１１１２２
【国際出願日】平成１６年７月２８日（２００４．７．２８）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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