弾性表面波フィルタ
圧電基板（２０１）上に、第１のＩＤＴ（２０２）と第２のＩＤＴ（２０３）とを形成することにより構成され、第１のＩＤＴ（２０２）は入出力端子の一方
の端子（２０４）と入出力端子の他方の端子（２０５）との間、すなわち信号経路に直列に配置され、第２のＩＤＴ（２０３）は入出力端子の一方の端子（２０４）と第１のＩＤＴ（２０２）との間から信号経路に対して並列に配置される。さらに、第１のＩＤＴ（２０２）と第２のＩＤＴ（２０３）とはそれぞれの共振器により励起される弾性表面波の同一伝播路上で近接して配置される。
の端子（２０４）と入出力端子の他方の端子（２０５）との間、すなわち信号経路に直列に配置され、第２のＩＤＴ（２０３）は入出力端子の一方の端子（２０４）と第１のＩＤＴ（２０２）との間から信号経路に対して並列に配置される。さらに、第１のＩＤＴ（２０２）と第２のＩＤＴ（２０３）とはそれぞれの共振器により励起される弾性表面波の同一伝播路上で近接して配置される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
本発明は、携帯電話等の通信機器等に用いられる弾性表面波フィルタに関する。
【背景技術】
近年、移動体通信の発展に伴い、使用されるデバイスの高性能化、小型化が要望されている。それらのデバイスの中で移動体通信機器用のフィルタとしては、従来から弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタとよぶ）が広く用いられている。現在、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）段のＳＡＷフィルタとしては、主に縦モード型とラダー型とが用いられている。特に、ラダー型ＳＡＷフィルタは縦モード型ＳＡＷフィルタに比べて低ロス化が可能である。ラダー型のＳＡＷフィルタは、複数の弾性表面波共振器（以下、ＳＡＷ共振器とよぶ）を梯子型に接続した構成であり、直列腕として動作するＳＡＷ共振器と並列腕として動作するＳＡＷ共振器とにより構成される。
ラダー型のＳＡＷフィルタに関する従来例として、日本特開平９−２７０６６３号公報には、直列腕として動作するＳＡＷ共振器と並列腕として動作するＳＡＷ共振器とを、ある程度の距離を離して配置する方法が開示されている。図２０は、このように構成された上記第１の先行文献に開示されたＳＡＷフィルタの構成図である。このＳＡＷフィルタは、圧電基板９０１上に形成された直列腕のＳＡＷ共振器９０２、並列腕のＳＡＷ共振器９０３及びこれらのＳＡＷ共振器９０２、９０３に接続された信号線９０４により構成されている。なお、これらのＳＡＷ共振器９０２、９０３は、これらを構成する櫛形電極のそれぞれの交差幅が漏洩表面波の伝播方向で重なるように配置されている。この場合に、直列腕のＳＡＷ共振器９０２と並列腕のＳＡＷ共振器９０３との隙間の距離を漏洩表面波の波長の１０倍以上になるように設定すれば、これらのＳＡＷ共振器９０２、９０３の漏洩表面波の干渉を防ぐことができる。
また、ラダー型ＳＡＷフィルタに関する他の従来例として、日本特開平９−２３２９０８号公報には、直列腕として動作するＳＡＷ共振器と並列腕として動作するＳＡＷ共振器との間にスリット板を配置する方法が開示されている。図２１は、このように構成された上記第２の先行文献のＳＡＷフィルタの構成図である。このＳＡＷフィルタは、圧電基板１００１上に形成された直列腕のＳＡＷ共振器１００２、１００５、並列腕のＳＡＷ共振器１００３、１００６及びスリット板１００４、１００７により構成されている。スリット板１００４は、直列腕のＳＡＷ共振器１００２と並列腕のＳＡＷ共振器１００３との間に設けられ、それぞれのＳＡＷ共振器１００２、１００３から漏れてきた弾性表面波を遮断する。同様に、スリット板１００７は、直列腕のＳＡＷ共振器１００５と並列腕のＳＡＷ共振器１００６との間に設けられ、それぞれのＳＡＷ共振器１００５、１００６から漏れてきた弾性表面波を遮断する。
また、ラダー型ＳＡＷフィルタに関する他の従来例として、日本特開２０００−２０１０５２号公報には、直列腕として動作するＳＡＷ共振器と並列腕として動作するＳＡＷ共振器との弾性表面波の伝播路が重ならないように配置する方法が開示されている。図２２は、このように構成された上記第３の先行文献のＳＡＷフィルタの構成図である。このＳＡＷフィルタは、圧電基板１１０１上に形成された直列腕のＳＡＷ共振器１１０２、１１０３と並列腕のＳＡＷ共振器１１０４とにより構成されている。なお、この構成においては、２つの直列腕のＳＡＷ共振器１１０２、１１０３に挟まれた並列腕のＳＡＷ共振器１１０４の弾性波伝播路が、これらの直列腕のＳＡＷ共振器１１０２、１１０３の弾性波伝播路の間になるように形成されている。これにより、直列腕及び並列腕のそれぞれのＳＡＷ共振器の弾性波が互いに干渉することなく良好なフィルタ特性が得られるとしている。
しかしながら、上記の従来の開示例においては、直列腕のＳＡＷ共振器と並列腕のＳＡＷ共振器とをある程度の距離を離して配置している。このために、ＳＡＷフィルタとしての形状が大きくなるという課題があった。また、これらにおいては、直列腕のＳＡＷ共振器と並列腕のＳＡＷ共振器との弾性表面波の干渉をなくす技術は開示されているが、これを利用する考え方はまったく開示されていない。
本発明は、上記課題に対して、複数のＳＡＷ共振器を同一伝播路上に近接して配置した新たな構成のＳＡＷフィルタにより、小型で、かつ低ロスが可能なＳＡＷフィルタを提供することを目的とする。
【発明の開示】
上記目的を達成するために、本発明のＳＡＷフィルタは、圧電基板と、この圧電基板上の同一弾性表面波伝播路上に近接して設けられた少なくとも２つのインターディジタルトランスデューサ（以下、ＩＤＴとよぶ）とを含むＳＡＷフィルタであって、前記ＩＤＴのうち、少なくとも一つは信号経路に直列に接続されている第１のＩＤＴであり、少なくとも一つは信号経路とグランドとの間に接続されている第２のＩＤＴであり、上記第１のＩＤＴと第２のＩＤＴとは共振周波数が異なり、かつ第１のＩＤＴと第２のＩＤＴはＩＤＴを構成する櫛形電極の電極指をほぼ連続的に配置した構成からなる。
このような構成にすることで、従来用いられているラダー型弾性表面波フィルタのいわゆるＬ型構成と同等の減衰特性を有しながら、より小型で、かつ低ロスのＳＡＷフィルタを得ることができる。ここで電極指をほぼ連続的に配置したとは、隣り合う電極指と電極指とのギャップの差を約５％以内の誤差になるように配置したことをいう。このように配置することによりＩＤＴとＩＤＴとの間との境界でのバルク波変換によるロスの発生を防ぐことができる。あるいは、後述するようにＩＤＴ間にストリップライン電極を配置した場合には、ＩＤＴとストリップライン電極との間の境界でのバルク波変換による損失の発生を防ぐことが出来る。さらに、第１のＩＤＴからみて第２のＩＤＴを、また逆に第２のＩＤＴからみて第１のＩＤＴを、それぞれ反射器として利用することもできる。
また、上記構成において、第１のＩＤＴ及び第２のＩＤＴが、それぞれの弾性表面波が打ち消し合わないように配置されている構成としてもよい。さらに、この場合に、第１のＩＤＴ及び第２のＩＤＴが、お互いに逆相になるように構成してもよい。
このような構成とすることで、互いの弾性表面波が打ち消し合わないようにできるので共振周波数が異なる複数のＩＤＴを弾性表面波の伝播方向に並べて小型で、ロスの小さなＳＡＷフィルタを実現できる。
また、上記構成において、第１のＩＤＴ及び第２のＩＤＴの共振周波数を、予め設定したフィルタ特性を得るのに必要な周波数に設定した構成としてもよい。その場合に、第１のＩＤＴの共振周波数を、第２のＩＤＴの反共振周波数に略一致させてもよい。この構成により、目標とするフィルタ特性を容易に得ることができる。
また、上記構成において、第１のＩＤＴ及び第２のＩＤＴを含むＩＤＴの最外側に反射器電極を設けてもよい。このような構成とすることにより、表面弾性波を効率よく閉じ込めることができるのでロスをさらに低減したＳＡＷフィルタを実現できる。
また、上記構成において、第１のＩＤＴと第２のＩＤＴとの間にストリップライン電極を設け、第１のＩＤＴ及び第２のＩＤＴを構成する櫛形電極の電極指、及びこのストリップライン電極を構成する電極指がほぼ連続的な配置になるように構成してもよい。この場合に、このストリップライン電極の電極指のピッチを、第１のＩＤＴの電極指のピッチと第２のＩＤＴの電極指のピッチとの間に設定してもよい。この構成とすることにより、それぞれのＩＤＴから励振される弾性表面波を効率よく閉じ込めることができるのでロスを小さくすることができる。
また、上記構成において、第１のＩＤＴと第２のＩＤＴとの境界領域に配置されている複数の電極指のピッチを、それぞれの中央領域に配置されている電極指のピッチと異ならせた構成としてもよい。さらに、この場合に、ＳＡＷフィルタを構成するＩＤＴの少なくとも一つに重み付けをかけてもよい。また、この重み付けとしては、アポダイズ重み付け、あるいは間引き重み付けをかけてもよい。
このような構成とすることにより、必要とする周波数領域で減衰量やロスを設計に合せて調整して、減衰量が大きく、ロスの小さなＳＡＷフィルタを容易に実現できる。
また、上記構成において、ＩＤＴはダミー電極を含む構成としてもよい。ダミー電極をそれぞれ配置して最適化することにより、さらに低ロスのＳＡＷフィルタを実現できる。
また、上記構成において、第１のＩＤＴに対して第２のＩＤＴが近接配置された側とは反対側に信号経路とグランドとの間に接続されている第３のＩＤＴを近接配置した構成としてもよい。この場合に、第３のＩＤＴの共振周波数は第１のＩＤＴの共振周波数とは異なるようにしてもよい。
また、上記構成において、第２のＩＤＴに対して第１のＩＤＴが近接配置された側とは反対側に信号経路に直列に接続されている第４のＩＤＴを近接配置した構成としてもよい。この場合に、第４のＩＤＴの共振周波数は第２のＩＤＴの共振周波数とは異なるようにしてもよい。
また、本発明のＳＡＷフィルタは、上記構成のＳＡＷフィルタを一つのＳＡＷエレメントとして、このＳＡＷエレメントを多段に接続した構成からなる。この構成とすることにより、目標とする特性を有するＳＡＷフィルタを容易に得ることができ、設計の自由度も大きくできる。
以上のように本発明によれば、複数のＳＡＷ共振器を同一伝播路上に近接して配置することにより、高減衰特性が要求され、多くの共振子を必要とするＳＡＷフィルタの場合でも小型形状を実現できる。さらに、これらのＳＡＷフィルタを一つのエレメントとして多段に接続する場合には、配線パターンを単純化できるため、配線パターンの電気抵抗を小さくでき、ロスを小さくしたＳＡＷフィルタを実現することもできる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかるＳＡＷフィルタの構成を示す平面図
図２は、同実施の形態における逆相構成を説明するための模式図
図３は、同実施の形態における第１の変形例のＳＡＷフィルタを示す平面図
図４は、同実施の形態における第２の変形例のＳＡＷフィルタを示す平面図
図５は、同実施の形態にかかる１段のＬ型構成のＳＡＷフィルタを基本のＳＡＷエレメメントとして、これらを２段に縦続接続した構成からなるＳＡＷフィルタの平面図
図６は、図１に示すＳＡＷフィルタを基本として、グラデーション領域を設けた構成を説明する平面図
図７は、図６にしめすＳＡＷフィルタの境界領域の電極指の構成を拡大して示す図
図８は、実施例１のＳＡＷフィルタの特性を測定した結果を示す図
図９は、実施例２のＳＡＷフィルタの特性を測定した結果を示す図
図１０は、実施例３のＳＡＷフィルタの特性を測定した結果を示す図
図１１は、比較例１のＳＡＷフィルタの特性を測定した結果を示す図
図１２は、実施例４のＳＡＷフィルタの特性を測定した結果を示す図
図１３は、比較例２のＳＡＷフィルタの特性を測定した結果を示す図
図１４は、図３に示すＳＡＷフィルタを基本のＳＡＷエレメントとして、これらを４段に縦続接続して構成した実施例５のＳＡＷフィルタの平面図
図１５は、実施例５のＳＡＷフィルタについて特性を測定した結果を示す図
図１６は、比較のために作製したもので、従来のラダー構成からなるＳＡＷ共振器を多段に縦続接続した比較例３のＳＡＷフィルタの構成を示す平面図
図１７は、比較例３のＳＡＷフィルタについて特性を測定した結果を示す図
図１８は、本発明の第２の実施の形態にかかるＳＡＷフィルタの構成を示す平面図
図１９は、本発明の第３の実施の形態にかかるＳＡＷフィルタの構成を示す平面図
図２０は、第１の先行文献に開示された従来のＳＡＷフィルタの構成図
図２１は、第２の先行文献に開示された従来のＳＡＷフィルタの構成図
図２２は、第３の先行文献に開示された従来のＳＡＷフィルタの構成図
図面の参照符号の一覧表
２０１，６５０，７０１，８０１，９０１，１００１，１１０１ 圧電基板
２０２、４０４，５０２，５１２，５２２，５３２，７０２，８０２，２０２１，２０２２ 第１のＩＤＴ
２０３，４０５，５０３，５１３，５２３，７０３，８０３，２０３１，２０３２ 第２のＩＤＴ
２０４，６２０，７０５，８０５ 一方の端子
２０５，６３０，７０６，８０６ 他方の端子
２０６，５４０，５４１，５４２，７０７，７０８，８０７ 配線電極
２０７，３０１，５０４，５０５，５０６，５１４，５１５，５１６，５２４，５２５，５２６，５３４，５３５，７０９，８０８，２０７１，２０７２ 反射器電極
４０１，４０２ ダミー電極
５０１ 第１のＳＡＷエレメント
５０２ 第２のＳＡＷエレメント
６００，６１０，９０２，９０３，１００２，１００３，１００５，１００６，１１０２，１１０３，１１０４ ＳＡＷ共振器
６４０，９０４ 信号線
７０４ 第３のＩＤＴ
８０４ 第４のＩＤＴ
１００４，１００７ スリット板
２０２５、２０３５ 等ピッチ領域
２０２６，２０３６ グラデーション領域
【発明を実施するための最良の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、同じ要素については同じ符号を付しているので説明を省略する場合がある。また、以下に示す図面は模式的な図であり、電極指本数やピッチを正確に表現してはいない。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかるＳＡＷフィルタの構成を示す平面図である。なお、一般にＳＡＷフィルタはセラミックや樹脂等でパッケージ化されて使用されるが、図１では圧電基板２０１上の構成のみしか示していない。図１に示すように、本実施の形態のＳＡＷフィルタの場合には、３９゜ＹカットＸ伝播のタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）からなる圧電基板２０１の表面に第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３とを同一伝播路上になるように配置し、それぞれの端部に反射器電極２０７を設けた構成からなる。
第１のＩＤＴ２０２は、入出力端子の一方の端子２０４と他方の端子２０５との間、すなわち信号経路に対して直列に配置されており、直列腕のＳＡＷ共振器と等価な動作をすることができる。一方、第２のＩＤＴ２０３は、入出力端子の一方の端子２０４と第１のＩＤＴ２０２との間から信号経路に対して並列に配置されている。この第２のＩＤＴ２０３は、一方の端子２０４及び第１のＩＤＴとは配線電極２０６により接続されている。このような配置と接続構成から、第２のＩＤＴ２０３は並列腕のＳＡＷ共振器と等価な動作をすることができる。
さらに、第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３とは、それぞれのＳＡＷ共振器により励起される弾性表面波の同一伝播路上にそれぞれのＩＤＴを構成する櫛形電極の電極指をほぼ連続的に配置している。このとき、第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３とについては、それぞれのＳＡＷ共振器で励起される弾性表面波がお互いに打ち消し合わない構成とされている。また、第１のＩＤＴ２０２及び第２のＩＤＴ２０３の隣り合う側とは反対側に反射器電極２０７がそれぞれ配置されている。このような構成とすることにより、ＳＡＷフィルタを実現することができる。
なお、配線電極２０６と一方の端子２０４及び第１のＩＤＴ２０２を構成する櫛形電極の他方と他方の端子２０５とは、ワイヤリード等により接続されている。また、第２のＩＤＴ２０３を構成する櫛形電極の他方も同様にワイヤリード等によりアース端子に接続され、接地されている。
さらに、第１のＩＤＴ２０２を構成する櫛形電極の電極指ピッチは、第２のＩＤＴ２０３を構成する櫛形電極の電極指ピッチよりも小さく、また、設計値に基づくフィルタ特性を実現するようにそれぞれのピッチが設定されている。さらに、反射器電極２０７の電極指ピッチは、第１のＩＤＴ２０２の電極指ピッチと第２のＩＤＴ２０３の電極指ピッチとの中間の値となるように設定されている。
以上のように、第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３とを近接配置して一つの伝播路上に閉じ込めることにより、それぞれのＳＡＷ共振器については、実質上その共振器長を長くしたことと等価になり、ＳＡＷ共振器特性を高性能化することができる。この結果、ＳＡＷフィルタとしても、帯域通過型で、ロスの小さな特性を得ることができる。また、第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３とを近接配置すること及び配線電極を短くすることができること等によりＳＡＷフィルタの小型化も実現できる。また、以上の構成は、Ｌ型のＳＡＷフィルタの基本構成単位ともなる。
以上説明したように、本発明のＳＡＷフィルタは、複数のＳＡＷ共振器を同一伝播路上に近接して配置することにより、小型で、かつロスの小さなフィルタ特性を実現することができる。
なお、第１のＩＤＴ２０２及び第２のＩＤＴ２０３の共振周波数を変える方法としては、電極指の幅を変化させる方法や電極指のピッチを変化させる方法等がある。しかし、ＳＡＷフィルタの設計自由度を大きくすることができることやプロセスの容易性の観点から判断すると、電極指ピッチを変化させる方法が望ましい。
一般的に、ＳＡＷ共振器を構成する場合には、ＩＤＴ特性のピーク周波数と反射器電極の反射特性の中心周波数を合わせるように、それぞれのピッチを決めている。しかし、反射特性は比較的広い周波数領域でフラットな特性を有しているので、このフラットな領域であれば特性の大きな劣化を伴うことなく共振特性が得られる。したがって、全てのＩＤＴ特性のピーク周波数において反射特性がフラットな領域に入るようにすれば良く、反射器電極のピッチは最小のピッチを有するＩＤＴのピッチより大きく、最大のピッチを有するＩＤＴのピッチより小さくするのが望ましい。また、それぞれの弾性表面波が打ち消し合わないようにＩＤＴの配置をすることにより、お互いの干渉を避けることができる。
このように弾性表面波が打ち消しあわないように第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３とを配置する場合に、第１のＩＤＴ２０２及び第２のＩＤＴ２０３がお互いに逆相になるように構成することが望ましい。
なお、本発明でいう逆相とは、図２に示すような構成をいう。図２は、逆相を説明するための模式図であり、第１のＩＤＴ２２と第２のＩＤＴ２３との境界領域部を拡大して示している。また、この図においては、第１のＩＤＴ２２と第２のＩＤＴ２３との間にストリップライン電極３１を設けている。なお、第１のＩＤＴ２２と第２のＩＤＴ２３とから励振される弾性表面波２５も模式的に示している。このような構成の場合には図示するように、第１のＩＤＴ２２のうち第２のＩＤＴ２３に最も近い電極指２２１と、第２のＩＤＴ２３のうち第１のＩＤＴ２２に最も近い電極指２３１とが弾性表面波２５の山と谷とを構成しており、かつ第１のＩＤＴ２２と第２のＩＤＴ２３を構成する櫛形電極の一方が図示するように共通に接続されている。本発明でいう逆相とはこのような配置構成をいう。なお、このような逆相とするためには、図示するようなストリップライン電極３１は必須ではなく、ストリップライン電極３１を設けなくても逆相構成は可能である。
なお、本実施の形態のＳＡＷフィルタにおいては、反射器電極２０７を配置しているが、本発明はこれに限定されない。すなわち、表面弾性波の閉じ込めが他の方法により充分できる構成であれば、反射器電極２０７は特に設けなくてもよい。
図３は、本実施の形態における第１の変形例のＳＡＷフィルタを示す平面図である。本変形例のＳＡＷフィルタにおいても、図１と同様に圧電基板２０１上の構成のみしか示していない。この第１の変形例のＳＡＷフィルタは、第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３との間に数本程度のストリップライン電極３０１を配置したことが特徴である。その電極指ピッチは第１のＩＤＴ２０２の電極指ピッチと第２のＩＤＴ２０３の電極指ピッチとの中間の値となるように設定することが好ましい。なお、ストリップライン電極３０１の電極指のピッチは上記の中間の値となるように設定するが、すべての電極指のピッチを一定にする必要はなく、ステップ状に変化させてもよいし、連続的に変化させるグラデーションとしてもよい。また、このストリップライン電極３０１は反射器電極として作用する。
図４は、本実施の形態における第２の変形例のＳＡＷフィルタを示す平面図である。本変形例のＳＡＷフィルタにおいても、図１と同様に圧電基板２０１上の構成のみしか示していない。この第２の変形例のＳＡＷフィルタは、第１のＩＤＴ４０４と第２のＩＤＴ４０５とに、図示するようなダミー電極４０１、４０２をそれぞれ配置したことが特徴であり、その他については図１に示すＳＡＷフィルタ構成と同様である。このダミー電極４０１、４０２をそれぞれ配置して最適化することにより、さらに低ロスのＳＡＷフィルタを実現できる。
また、上記実施の形態においては、１段のＬ型構成のＳＡＷフィルタについて説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、図５に示すような多段構成のＳＡＷフィルタとしてもよい。
図５は、図１に示した１段のＬ型構成のＳＡＷフィルタを基本のＳＡＷエレメメントとしてこれらを２段に縦続接続した構成からなるＳＡＷフィルタの平面図である。すなわち、第１のＳＡＷエレメント５０１は、圧電基板２０１の表面に第１のＩＤＴ２０２１と第２のＩＤＴ２０３１とを同一伝播路上になるように配置し、それぞれの端部に反射器電極２０７１を設けた構成からなる。また、第２のＳＡＷエレメント５０２は、同様に圧電基板２０１の表面に第１のＩＤＴ２０２２と第２のＩＤＴ２０３２とを同一伝播路上になるように配置し、それぞれの端部に反射器電極２０７２を設けた構成からなる。
第１のＩＤＴ２０２１を構成する櫛形電極の一方は、入出力端子の一方の端子２０４に接続され、櫛形電極の他方は配線電極２０６と接続されている。また、第２のＩＤＴ２０３１を構成する櫛形電極の一方はアースに設置され、他方は配線電極２０６と接続されている。
同様に、第１のＩＤＴ２０２２を構成する櫛形電極の一方は、入出力端子の他方の端子２０５に接続され、櫛形電極の他方は配線電極２０６と接続されている。また、第２のＩＤＴ２０３２を構成する櫛形電極の一方はアースに設置され、他方は配線電極２０６と接続されている。
このような構成とすることにより、圧電基板２０１上に形成するＩＤＴや反射器電極を含むパターン形状は、全体としてほぼ矩形状になる。したがって、チップ上のパターンのスペースファクタが改善される。この結果、ＳＡＷフィルタとしてのチップの小型化が可能となる。また、第１のＳＡＷエレメント５０１及び第２のＳＡＷエレメント５０２の間の接続も配線電極２０６のみでよく、非常に単純な構成となるため低ロス化を実現できる。
以下、本実施の形態にかかるＳＡＷフィルタの具体的な構成とその特性をシミュレーションにより求めた結果について説明する。
図６は、図１に示すＳＡＷフィルタを基本として、グラデーション領域を設けた構成を説明する平面図である。このＳＡＷフィルタにおいては、第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３とは共振周波数が異なり、かつ第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３とはＩＤＴを構成する櫛形電極の電極指をほぼ連続的に配置して、それぞれの弾性表面波が打ち消し合わないようにした構成からなる。以下、このＳＡＷフィルタを実施例１のＳＡＷフィルタとよぶ。
具体的には、この実施例１のＳＡＷフィルタは、第１のＩＤＴ２０２及び第２のＩＤＴ２０３の境界領域であるグラデーション領域２０２６、２０３６の複数の電極指のピッチを、それぞれの中央領域の等ピッチ領域２０２５、２０３５の電極指のピッチと異ならせた、すなわちグラデーションを設けた構成が特徴である。図７は、この境界領域の電極指の構成を拡大して示す図である。なお、この図７は模式的な図であり、電極指の本数等については正確に表現していない。また、表１は、このＳＡＷフィルタの電極指本数とピッチを示す。
表１及び図７からわかるように、第１のＩＤＴ２０２の等ピッチ領域２０２５では、電極指は２１５本設けられ、この領域のピッチは２．３４１μｍである。一方、この等ピッチ領域２０２５の端部から第２のＩＤＴ２０３との境界部までにかけてグラデーション領域２０２６が設けられている。グラデーション領域２０２６の電極指本数は１０本で、そのピッチは等ピッチ領域の端部のピッチ２．３４１μｍから第２のＩＤＴ２０３の境界部のピッチ２．４１１μｍまで連続的にピッチを変化させている。
また、第２のＩＤＴ２０３のグラデーション領域２０３６は、第１のＩＤＴ２０２のグラデーション領域２０２６の端部のピッチ２．４１１μｍから等ピッチ領域２０３５のピッチである２．４２９μｍまで連続的にそのピッチを変化させている。なお、このグラデーション領域２０３６の電極指本数は１０本で、等ピッチ領域２０３５の電極指本数は１３５本である。
さらに、第１のＩＤＴ２０２に隣接する反射器電極２０７の電極指本数は３５本で、そのピッチは２．４０４μｍとした。一方、第２のＩＤＴ２０３に隣接する反射器電極２０７の電極指本数は３５本で、そのピッチは２．４１８μｍとしている。なお、圧電基板２０１は、３９°ＹカットＸ伝播のタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）を用い、電極膜厚を約０．４μｍとした。以上の構成からなる実施例１のＳＡＷフィルタの特性を求めた結果を図８に示す。図８からわかるように、実施例１のＳＡＷフィルタでは８２４ＭＨｚと８４９ＭＨｚでのロスが０．６５ｄＢ、０．２８ｄＢであった。
つぎに、実施例１のＳＡＷフィルタと同様にグラデーション領域を設けた構成に、さらに間引きを加えた場合のＳＡＷフィルタを作製した。これを実施例２のＳＡＷフィルタとよぶ。実施例２のＳＡＷフィルタは、その構成については実施例１のＳＡＷフィルタと同じであるが、電極指本数やピッチは異なる。
表２に、実施例２のＳＡＷフィルタの電極指本数とピッチを示す。表２に示す構成以外については、実施例１のＳＡＷフィルタと同様であるので説明は省略する。
以上の構成からなる実施例２のＳＡＷフィルタの特性を求めた結果を図９に示す。図９からわかるように、実施例２のＳＡＷフィルタでは８２４ＭＨｚと８４９ＭＨｚでのロスが０．５２ｄＢ、０．２９ｄＢであった。
さらに、実施例１のＳＡＷフィルタと同様にグラデーション領域を設けた構成に加えてアポダイズ重み付けを行った構成のＳＡＷフィルタを作製した。これを実施例３のＳＡＷフィルタとよぶ。アポダイズ重み付けはシミュレーションにより特性を評価しながら最適値を設定した。このようにして作製した実施例３のＳＡＷフィルタの特性を求めた結果を図１０に示す。図１０からわかるように、実施例３のＳＡＷフィルタでは８２４ＭＨｚと８４９ＭＨｚでのロスが０．５６ｄＢ、０．２８ｄＢであった。
一方、本発明のＳＡＷフィルタと比較するために従来のラダー構成からなるＳＡＷフィルタも作製した。これを比較例１のＳＡＷフィルタとよぶ。この比較例１のＳＡＷフィルタの特性を測定した結果を図１１に示す。図１１からわかるように、比較例１のＳＡＷフィルタでは８２４ＭＨｚと８４９ＭＨｚでのロスが０．６５ｄＢ、０．２８ｄＢであった。
これらの特性を表３にまとめて示す。表３からわかるように、実施例１のＳＡＷフィルタを除き、実施例２および実施例３のＳＡＷフィルタは比較例１のＳＡＷフィルタよりも良好な特性を得られることが確認できた。なお、実施例１のＳＡＷフィルタの場合には、比較例１のＳＡＷフィルタとその特性は同じであったが、比較例１のＳＡＷフィルタよりも小型化できる点で特徴を有する。
つぎに、第１のＩＤＴと第２のＩＤＴとの間にストリップライン電極を設け、第１のＩＤＴ及び第２のＩＤＴを構成する櫛形電極の電極指、及びストリップライン電極または反射器電極を構成する電極指がほぼ連続的な配置になるように構成したＳＡＷフィルタを作製した。これは、図３に示すＳＡＷフィルタを基本としており、作製したＳＡＷフィルタの電極指本数とピッチを表４に示す。これを実施例４のＳＡＷフィルタとよぶ。
表４に基づき作製した実施例４のＳＡＷフィルタの特性を求めた結果を図１２に示す。図１２からわかるように、実施例４のＳＡＷフィルタでは８２４ＭＨｚと８４９ＭＨｚでのロスが０．７０ｄＢ、０．２５ｄＢであった。
一方、実施例４のＳＡＷフィルタと比較するために従来のラダー構成のＳＡＷフィルタも作製した。これを比較例２のＳＡＷフィルタとよぶ。この比較例２のＳＡＷフィルタの特性を求めた結果を図１３に示す。図１３からわかるように、比較例２のＳＡＷフィルタでは８２４ＭＨｚと８４９ＭＨｚでのロスが０．７０ｄＢ、０．２５ｄＢであった。
すなわち、実施例４のＳＡＷフィルタの場合には、特性自体は従来のラダー構成と同じ結果であったが、小型化ができる点で特徴を有する。
つぎに、図３に示したＳＡＷフィルタを基本のＳＡＷエレメントとして、これらを多段に縦続接続したＳＡＷフィルタを作製して特性を求めた結果について述べる。
図１４は、図３に示すＳＡＷフィルタを基本のＳＡＷエレメントとして、これらを４段に縦続接続して構成したＳＡＷフィルタの平面図である。これを実施例５の
ＳＡＷフィルタとよぶ。圧電基板２０１は、３９°ＹカットＸ伝播のタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）を用い、電極膜厚を約０．４μｍとした。１段目から４段目までのそれぞれのＩＤＴ及び反射器電極の電極指本数とピッチとを表５に示す。
この実施例５のＳＡＷフィルタの１段目は、第１のＩＤＴ５０２、第２のＩＤＴ５０３、両側の反射器電極５０４、５０５及び中央部のストリップライン電極５０６から構成されている。同様に、２段目は、第１のＩＤＴ５１２、第２のＩＤＴ５１３、両側の反射器電極５１４、５１５及び中央部のストリップライン電極５１６から構成されている。また、３段目は、第１のＩＤＴ５２２、第２のＩＤＴ５２３、両側の反射器電極５２４、５２５及び中央部のストリップライン電極５２６から構成されている。最後の４段目は、第１のＩＤＴ５３２とその両側に配置された反射器電極５３４、５３５から構成されている。
そして、これらのＩＤＴ間は、配線電極５４０、５４１、５４２により接続されている。
なお、１段目の第１のＩＤＴ５０２を構成する櫛形電極の一方が入出力端子の一方の端子２０４に接続され、４段目の第１のＩＤＴ５３２を構成する櫛形電極の他方が入出力端子の他方の端子２０５に接続されている。また、上記ストリップライン電極５０６、５１６、５２６は、それぞれ反射器電極として作用する。
図１５は、このような構成の実施例５のＳＡＷフィルタについて特性を求めた結果を示す図である。図１５からわかるように、実施例５のＳＡＷフィルタでは８２４ＭＨｚと８４９ＭＨｚでのロスが０．９２ｄＢ、１．２９ｄＢであった。
このＳＡＷフィルタと比較するために従来のラダー構成からなるＳＡＷ共振器を多段に縦続接続した構成のＳＡＷフィルタも作製した。図１６は、このＳＡＷフィルタの構成を示す平面図である。このＳＡＷフィルタは、圧電基板６５０上に形成された直列腕のＳＡＷ共振器６００、並列腕のＳＡＷ共振器６１６及びこれらのＳＡＷ共振器６００、６１０に接続された信号線６４０により構成されている。なお、直列腕のＳＡＷ共振器６００からは入出力端子の一方の端子６２０と他方の端子６３０にそれぞれ接続されている。なお、電極指本数、ピッチ、交差幅等については、実施例５のＳＡＷフィルタの通過帯域と合わせるように設定している。
このような構成のＳＡＷフィルタを以下、比較例３のＳＡＷフィルタとよぶ。図１７は、この比較例３のＳＡＷフィルタについて特性を求めた結果を示す図である。図１７からわかるように、比較例３のＳＡＷフィルタでは８２４ＭＨｚと８４９ＭＨｚでのロスが０．９３ｄＢ、１．２９ｄＢであった。
これらの結果から、実施例５のＳＡＷフィルタは、比較例３のＳＡＷフィルタに比べて特性の改善度合は小さいが、全体として小型化できることに大きな特徴を有する。
なお、上記実施例で示したＳＡＷフィルタにおいては、グラデーションは連続的にピッチが変わるようにしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、ステップ状にピッチを変えてもよい。さらに、同様に上記実施例で示したＳＡＷフィルタにおいては、ＩＤＴにアポダイズ重み付けをかけた構成を示したが、このような構成のみでなく、間引き重み付けをかけてもよい。
さらに、第１のＩＤＴ及び第２のＩＤＴの共振周波数を、予め設定したフィルタ特性を得るのに必要な周波数に設定することは、第１の実施の形態及びそれに基づき作成した実施例のＳＡＷフィルタでは明示的には説明していないが、表１から表５及びそれらの説明から当然に推定できるものである。また、同様に、第１のＩＤＴの共振周波数を、第２のＩＤＴの反共振周波数に略一致させても同じように良好な特性を得ることができる。
さらに、本発明においては、第１のＩＤＴに対して第２のＩＤＴがその櫛形電極の電極指を連続的に配置するように設けられた側とは反対側に、信号経路とグランドとの間に接続されている第３のＩＤＴをその櫛形電極の電極指が第１のＩＤＴの櫛形電極の電極指に連続して配置した構成としてもよい。あるいは、第２のＩＤＴに対して、第１のＩＤＴの櫛形電極の電極指が連続的に配置された側とは反対側に、信号経路に直列に接続されている第４のＩＤＴをその櫛形電極の電極指が第２のＩＤＴの櫛形電極の電極指に連続して配置した構成としてもよい。これらの構成としても同様に小型で、ロスの小さなＳＡＷフィルタを実現できる。
（第２の実施の形態）
図１８は、本発明の第２の実施の形態にかかるＳＡＷフィルタの構成を示す平面図である。本実施の形態のＳＡＷフィルタが第１の実施の形態のＳＡＷフィルタと異なる点は、第１の実施の形態においてはＬ型構成を主体としたのに対して、本実施の形態においてはπ型構成を主体にしている点である。
本実施の形態のＳＡＷフィルタは、圧電基板７０１上に第１のＩＤＴ７０２、第２のＩＤＴ７０３、第３のＩＤＴ７０４および両端に配置された反射器電極７０９により構成されている。
第１のＩＤＴ７０２は、入出力端子の一方の端子７０５と入出力端子の他方の端子７０６との間、すなわち信号経路に直列に配置されている。この配置により、この第１のＩＤＴ７０２は直列腕のＳＡＷ共振器と等価な動作をすることができる。第２のＩＤＴ７０３は、入出力端子の一方の端子７０５と第１のＩＤＴ７０２との間から信号経路に対して並列に配置され、かつ配線電極７０７により第１のＩＤＴ７０２及び一方の端子７０５に接続されている。この配置により、第２のＩＤＴ７０３は並列腕のＳＡＷ共振器と等価な動作をすることができる。
第３のＩＤＴ７０４は、入出力端子の他方の端子７０６と第１のＩＤＴ７０２との間から信号経路に対して並列に配置され、かつ配線電極７０８により第１のＩＤＴ７０２及び他方の端子７０６に接続されている。この配置により、第３のＩＤＴ７０４は並列腕のＳＡＷ共振器と等価な動作をすることができる。
さらに、第１のＩＤＴ７０２、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４は、それぞれのＳＡＷ共振器により励起される弾性表面波の同一伝播路上において近接して配置されている。このとき、それぞれのＳＡＷ共振器で励起される弾性表面波はお互いに打ち消し合わない構成とされている。このためには、逆相とすることが望ましい。また、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４のそれぞれ一方の端部側には図示するように反射器電極７０９がそれぞれ配置されている。本実施例のＳＡＷフィルタは以上のような構成からなる。
さらに、第１のＩＤＴ７０２の電極指ピッチは、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４の電極指ピッチよりも小さく、また、設計値に基づくフィルタ特性が得られるように電極指ピッチを設定する。また、反射器電極７０９の電極指ピッチは、第１のＩＤＴ７０２の電極指ピッチと、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４の電極指ピッチとの中間の値となるように設定されている。
以上の構成とすることにより、本実施例のＳＡＷフィルタは、第１のＩＤＴ７０２、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４は、それぞれが近接して配置され、かつ弾性表面波が同じ伝播路上に閉じ込められる。したがって、それぞれのＳＡＷ共振器は実質上共振器長が長くなったことと等価となる。この結果、ＳＡＷ共振器の特性を向上できるので、ＳＡＷフィルタとしては、帯域通過型でロスの小さな特性を得ることができる。
また、第１のＩＤＴ７０２、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４を近接して配置していること及び引き回し線路を削減できること等により、ＳＡＷフィルタとして小型化を実現できる。なお、このようなＳＡＷフィルタについては、π型構成が基本構成単位である。
以上説明したように、本実施の形態のＳＡＷフィルタは、複数のＳＡＷ共振器を同一伝播路上に近接して配置することにより、小型で、かつロスの小さな特性を実現することができる。
なお、本実施の形態においては、反射器電極を配置したが、弾性表面波の閉じ込めが充分できる構成で反射器電極は設けなくてもよい。また、第１のＩＤＴ７０２、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４の間に、数本程度の反射器電極またはストリップライン電極を設ける構成でもよい。この反射器電極あるいはストリップライン電極の電極指ピッチは、第１のＩＤＴ７０２の電極指ピッチと、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４の電極指ピッチとの中間の値に設定することが好ましい。
また、第１のＩＤＴ７０２、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４に、ダミー電極をそれぞれ配置してもよい。このダミー電極の配置構成を最適化することにより、さらにロスを小さくすることができる。
なお、本実施の形態においても、第１の実施の形態で説明したようなグラデーション領域を設けることやアポダイズ重み付けあるいは間引き電極構成等を行うことでフィルタ特性を改善しながら、小型のＳＡＷフィルタを実現できる。
（第３の実施の形態）
図１９は、本発明の第３の実施の形態にかかるＳＡＷフィルタの構成を示す平面図である。本実施の形態のＳＡＷフィルタが、第１の実施の形態のＳＡＷフィルタと異なる点は、第１の実施の形態においてはＬ型構成であるのに対して、本実施の形態ではＴ型構成としていることである。図１９に示すように、本実施の形態のＳＡＷフィルタは、圧電基板８０１上に、第１のＩＤＴ８０２、第２のＩＤＴ８０３、第４のＩＤＴ８０４及び両端部に配置された反射器電極８０８により構成されている。
第１のＩＤＴ８０２と第４のＩＤＴ８０４とは、入出力端子の一方の端子８０５と入出力端子の他方の端子８０６との間、すなわち信号経路に対して直列に配置されている。この構成により、これらは直列腕のＳＡＷ共振器と等価な動作をすることができる。
一方、第２のＩＤＴ８０３は、第１のＩＤＴ８０２と第４のＩＤＴ８０４との間から信号経路に対して並列に配置されている。そして、この第２のＩＤＴ８０３は、配線電極８０７により第１のＩＤＴ８０２及び第４のＩＤＴ８０４をそれぞれ構成する櫛型電極の一方に接続されている。この構成により、第２のＩＤＴ８０３は並列腕のＳＡＷ共振器と等価な動作をすることができる。
さらに、第１のＩＤＴ８０２、第２のＩＤＴ８０３及び第４のＩＤＴ８０４は、それぞれの共振器により励起される弾性表面波の同一伝播路上に近接して配置されている。このとき、それぞれのＳＡＷ共振器で励起される弾性表面波はお互いに打ち消し合わない構成とされている。このためには、逆相とすることが望ましい。また、第１のＩＤＴ８０２、第２のＩＤＴ８０３及び第４のＩＤＴ８０４の隣り合う側とは反対側に、反射器電極８０８が配置されている。
さらに、第１のＩＤＴ８０２及び第４のＩＤＴ８０４の電極指ピッチは、第２のＩＤＴ８０３の電極指ピッチよりも小さく、また設計値に基づくフィルタ特性が得られるように電極指ピッチを設定している。また、反射器電極８０８の電極指ピッチは、第１のＩＤＴ８０２及び第４のＩＤＴ８０４の電極指ピッチと、第２のＩＤＴ８０３の電極指ピッチとの中間の値となるように設定されている。
以上の構成とすることにより、本実施例のＳＡＷフィルタは、第１のＩＤＴ８０２、第２のＩＤＴ８０３及び第４のＩＤＴ８０４が近接して配置されて、同一の弾性表面波の伝播路上に閉じ込められるので、それぞれの共振器は実質上共振器長が長くなったことと等価になる。この結果、共振器特性が改善され、帯域通過型でロスの小さな特性を有するＳＡＷフィルタを実現できる。また、第１のＩＤＴ８０２、第２のＩＤＴ８０３及び第４のＩＤＴ８０４を近接して配置していること及び引き回し線路の削減等により、ＳＡＷフィルタの小型化も実現できる。なお、この場合のＳＡＷフィルタについては、Ｔ型構成が基本構成単位である。
以上説明したように、本発明のＳＡＷフィルタは、複数のＳＡＷ共振器を同一伝播路上に近接して配置することにより、小型で、かつロスの小さな特性を有するＳＡＷフィルタを実現することができる。
なお、本実施の形態においても、第１の実施の形態で説明したようなグラデーション領域を設けることやアポダイズ重み付けあるいは間引き電極構成等を行うことでフィルタ特性を改善しながら、小型のＳＡＷフィルタを実現できる。さらに、本実施の形態においては、反射器電極を配置しているが、弾性表面波の閉じ込めが充分できる構成であれば反射器電極を特に設けなくてもよい。
また、第１のＩＤＴ８０２、第２のＩＤＴ８０３及び第４のＩＤＴ８０４の間に、数本程度のストリップライン電極を設けてもよい。このストリップライン電極の電極指ピッチは、第２のＩＤＴ８０３の電極指ピッチと、第１のＩＤＴ８０２及び第４のＩＤＴ８０４の電極指ピッチとの中間の値となるように設定することが好ましい。
また、第１のＩＤＴ８０２、第２のＩＤＴ８０３及び第４のＩＤＴ８０４にダミー電極をそれぞれ配置してもよい。ダミー電極を設計値に基づき最適配置することで、さらに、ロスを小さくすることができる。
また、本実施の形態においては、３つのＩＤＴを同一伝播路上に配置しているが、これは、４つ以上でもかまわない。さらに、接続や配置に関しても、複数のＩＤＴが近接して配置されていればよい。
また、本実施の形態においては、１段構成のＳＡＷフィルタについて説明したが、この１段構成のＳＡＷフィルタを基本のＳＡＷエレメントとして多段に縦続接続した多段構成のＳＡＷフィルタとしてもよい。また、Ｔ型構成に限らず、Ｌ型構成やπ型構成あるいは１端子対弾性表面波共振子等の他の構成と組み合わせてもかまわない。
【産業上の利用可能性】
本発明にかかるＳＡＷフィルタは、多くのＳＡＷ共振器を必要とする高減衰特性のフィルタであっても、チップサイズを小さくしながら挿入損失も小さくできるという効果を有し、携帯電話等の通信分野あるいはテレビ等の映像分野等のフィルタに有用である。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【技術分野】
本発明は、携帯電話等の通信機器等に用いられる弾性表面波フィルタに関する。
【背景技術】
近年、移動体通信の発展に伴い、使用されるデバイスの高性能化、小型化が要望されている。それらのデバイスの中で移動体通信機器用のフィルタとしては、従来から弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタとよぶ）が広く用いられている。現在、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）段のＳＡＷフィルタとしては、主に縦モード型とラダー型とが用いられている。特に、ラダー型ＳＡＷフィルタは縦モード型ＳＡＷフィルタに比べて低ロス化が可能である。ラダー型のＳＡＷフィルタは、複数の弾性表面波共振器（以下、ＳＡＷ共振器とよぶ）を梯子型に接続した構成であり、直列腕として動作するＳＡＷ共振器と並列腕として動作するＳＡＷ共振器とにより構成される。
ラダー型のＳＡＷフィルタに関する従来例として、日本特開平９−２７０６６３号公報には、直列腕として動作するＳＡＷ共振器と並列腕として動作するＳＡＷ共振器とを、ある程度の距離を離して配置する方法が開示されている。図２０は、このように構成された上記第１の先行文献に開示されたＳＡＷフィルタの構成図である。このＳＡＷフィルタは、圧電基板９０１上に形成された直列腕のＳＡＷ共振器９０２、並列腕のＳＡＷ共振器９０３及びこれらのＳＡＷ共振器９０２、９０３に接続された信号線９０４により構成されている。なお、これらのＳＡＷ共振器９０２、９０３は、これらを構成する櫛形電極のそれぞれの交差幅が漏洩表面波の伝播方向で重なるように配置されている。この場合に、直列腕のＳＡＷ共振器９０２と並列腕のＳＡＷ共振器９０３との隙間の距離を漏洩表面波の波長の１０倍以上になるように設定すれば、これらのＳＡＷ共振器９０２、９０３の漏洩表面波の干渉を防ぐことができる。
また、ラダー型ＳＡＷフィルタに関する他の従来例として、日本特開平９−２３２９０８号公報には、直列腕として動作するＳＡＷ共振器と並列腕として動作するＳＡＷ共振器との間にスリット板を配置する方法が開示されている。図２１は、このように構成された上記第２の先行文献のＳＡＷフィルタの構成図である。このＳＡＷフィルタは、圧電基板１００１上に形成された直列腕のＳＡＷ共振器１００２、１００５、並列腕のＳＡＷ共振器１００３、１００６及びスリット板１００４、１００７により構成されている。スリット板１００４は、直列腕のＳＡＷ共振器１００２と並列腕のＳＡＷ共振器１００３との間に設けられ、それぞれのＳＡＷ共振器１００２、１００３から漏れてきた弾性表面波を遮断する。同様に、スリット板１００７は、直列腕のＳＡＷ共振器１００５と並列腕のＳＡＷ共振器１００６との間に設けられ、それぞれのＳＡＷ共振器１００５、１００６から漏れてきた弾性表面波を遮断する。
また、ラダー型ＳＡＷフィルタに関する他の従来例として、日本特開２０００−２０１０５２号公報には、直列腕として動作するＳＡＷ共振器と並列腕として動作するＳＡＷ共振器との弾性表面波の伝播路が重ならないように配置する方法が開示されている。図２２は、このように構成された上記第３の先行文献のＳＡＷフィルタの構成図である。このＳＡＷフィルタは、圧電基板１１０１上に形成された直列腕のＳＡＷ共振器１１０２、１１０３と並列腕のＳＡＷ共振器１１０４とにより構成されている。なお、この構成においては、２つの直列腕のＳＡＷ共振器１１０２、１１０３に挟まれた並列腕のＳＡＷ共振器１１０４の弾性波伝播路が、これらの直列腕のＳＡＷ共振器１１０２、１１０３の弾性波伝播路の間になるように形成されている。これにより、直列腕及び並列腕のそれぞれのＳＡＷ共振器の弾性波が互いに干渉することなく良好なフィルタ特性が得られるとしている。
しかしながら、上記の従来の開示例においては、直列腕のＳＡＷ共振器と並列腕のＳＡＷ共振器とをある程度の距離を離して配置している。このために、ＳＡＷフィルタとしての形状が大きくなるという課題があった。また、これらにおいては、直列腕のＳＡＷ共振器と並列腕のＳＡＷ共振器との弾性表面波の干渉をなくす技術は開示されているが、これを利用する考え方はまったく開示されていない。
本発明は、上記課題に対して、複数のＳＡＷ共振器を同一伝播路上に近接して配置した新たな構成のＳＡＷフィルタにより、小型で、かつ低ロスが可能なＳＡＷフィルタを提供することを目的とする。
【発明の開示】
上記目的を達成するために、本発明のＳＡＷフィルタは、圧電基板と、この圧電基板上の同一弾性表面波伝播路上に近接して設けられた少なくとも２つのインターディジタルトランスデューサ（以下、ＩＤＴとよぶ）とを含むＳＡＷフィルタであって、前記ＩＤＴのうち、少なくとも一つは信号経路に直列に接続されている第１のＩＤＴであり、少なくとも一つは信号経路とグランドとの間に接続されている第２のＩＤＴであり、上記第１のＩＤＴと第２のＩＤＴとは共振周波数が異なり、かつ第１のＩＤＴと第２のＩＤＴはＩＤＴを構成する櫛形電極の電極指をほぼ連続的に配置した構成からなる。
このような構成にすることで、従来用いられているラダー型弾性表面波フィルタのいわゆるＬ型構成と同等の減衰特性を有しながら、より小型で、かつ低ロスのＳＡＷフィルタを得ることができる。ここで電極指をほぼ連続的に配置したとは、隣り合う電極指と電極指とのギャップの差を約５％以内の誤差になるように配置したことをいう。このように配置することによりＩＤＴとＩＤＴとの間との境界でのバルク波変換によるロスの発生を防ぐことができる。あるいは、後述するようにＩＤＴ間にストリップライン電極を配置した場合には、ＩＤＴとストリップライン電極との間の境界でのバルク波変換による損失の発生を防ぐことが出来る。さらに、第１のＩＤＴからみて第２のＩＤＴを、また逆に第２のＩＤＴからみて第１のＩＤＴを、それぞれ反射器として利用することもできる。
また、上記構成において、第１のＩＤＴ及び第２のＩＤＴが、それぞれの弾性表面波が打ち消し合わないように配置されている構成としてもよい。さらに、この場合に、第１のＩＤＴ及び第２のＩＤＴが、お互いに逆相になるように構成してもよい。
このような構成とすることで、互いの弾性表面波が打ち消し合わないようにできるので共振周波数が異なる複数のＩＤＴを弾性表面波の伝播方向に並べて小型で、ロスの小さなＳＡＷフィルタを実現できる。
また、上記構成において、第１のＩＤＴ及び第２のＩＤＴの共振周波数を、予め設定したフィルタ特性を得るのに必要な周波数に設定した構成としてもよい。その場合に、第１のＩＤＴの共振周波数を、第２のＩＤＴの反共振周波数に略一致させてもよい。この構成により、目標とするフィルタ特性を容易に得ることができる。
また、上記構成において、第１のＩＤＴ及び第２のＩＤＴを含むＩＤＴの最外側に反射器電極を設けてもよい。このような構成とすることにより、表面弾性波を効率よく閉じ込めることができるのでロスをさらに低減したＳＡＷフィルタを実現できる。
また、上記構成において、第１のＩＤＴと第２のＩＤＴとの間にストリップライン電極を設け、第１のＩＤＴ及び第２のＩＤＴを構成する櫛形電極の電極指、及びこのストリップライン電極を構成する電極指がほぼ連続的な配置になるように構成してもよい。この場合に、このストリップライン電極の電極指のピッチを、第１のＩＤＴの電極指のピッチと第２のＩＤＴの電極指のピッチとの間に設定してもよい。この構成とすることにより、それぞれのＩＤＴから励振される弾性表面波を効率よく閉じ込めることができるのでロスを小さくすることができる。
また、上記構成において、第１のＩＤＴと第２のＩＤＴとの境界領域に配置されている複数の電極指のピッチを、それぞれの中央領域に配置されている電極指のピッチと異ならせた構成としてもよい。さらに、この場合に、ＳＡＷフィルタを構成するＩＤＴの少なくとも一つに重み付けをかけてもよい。また、この重み付けとしては、アポダイズ重み付け、あるいは間引き重み付けをかけてもよい。
このような構成とすることにより、必要とする周波数領域で減衰量やロスを設計に合せて調整して、減衰量が大きく、ロスの小さなＳＡＷフィルタを容易に実現できる。
また、上記構成において、ＩＤＴはダミー電極を含む構成としてもよい。ダミー電極をそれぞれ配置して最適化することにより、さらに低ロスのＳＡＷフィルタを実現できる。
また、上記構成において、第１のＩＤＴに対して第２のＩＤＴが近接配置された側とは反対側に信号経路とグランドとの間に接続されている第３のＩＤＴを近接配置した構成としてもよい。この場合に、第３のＩＤＴの共振周波数は第１のＩＤＴの共振周波数とは異なるようにしてもよい。
また、上記構成において、第２のＩＤＴに対して第１のＩＤＴが近接配置された側とは反対側に信号経路に直列に接続されている第４のＩＤＴを近接配置した構成としてもよい。この場合に、第４のＩＤＴの共振周波数は第２のＩＤＴの共振周波数とは異なるようにしてもよい。
また、本発明のＳＡＷフィルタは、上記構成のＳＡＷフィルタを一つのＳＡＷエレメントとして、このＳＡＷエレメントを多段に接続した構成からなる。この構成とすることにより、目標とする特性を有するＳＡＷフィルタを容易に得ることができ、設計の自由度も大きくできる。
以上のように本発明によれば、複数のＳＡＷ共振器を同一伝播路上に近接して配置することにより、高減衰特性が要求され、多くの共振子を必要とするＳＡＷフィルタの場合でも小型形状を実現できる。さらに、これらのＳＡＷフィルタを一つのエレメントとして多段に接続する場合には、配線パターンを単純化できるため、配線パターンの電気抵抗を小さくでき、ロスを小さくしたＳＡＷフィルタを実現することもできる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかるＳＡＷフィルタの構成を示す平面図
図２は、同実施の形態における逆相構成を説明するための模式図
図３は、同実施の形態における第１の変形例のＳＡＷフィルタを示す平面図
図４は、同実施の形態における第２の変形例のＳＡＷフィルタを示す平面図
図５は、同実施の形態にかかる１段のＬ型構成のＳＡＷフィルタを基本のＳＡＷエレメメントとして、これらを２段に縦続接続した構成からなるＳＡＷフィルタの平面図
図６は、図１に示すＳＡＷフィルタを基本として、グラデーション領域を設けた構成を説明する平面図
図７は、図６にしめすＳＡＷフィルタの境界領域の電極指の構成を拡大して示す図
図８は、実施例１のＳＡＷフィルタの特性を測定した結果を示す図
図９は、実施例２のＳＡＷフィルタの特性を測定した結果を示す図
図１０は、実施例３のＳＡＷフィルタの特性を測定した結果を示す図
図１１は、比較例１のＳＡＷフィルタの特性を測定した結果を示す図
図１２は、実施例４のＳＡＷフィルタの特性を測定した結果を示す図
図１３は、比較例２のＳＡＷフィルタの特性を測定した結果を示す図
図１４は、図３に示すＳＡＷフィルタを基本のＳＡＷエレメントとして、これらを４段に縦続接続して構成した実施例５のＳＡＷフィルタの平面図
図１５は、実施例５のＳＡＷフィルタについて特性を測定した結果を示す図
図１６は、比較のために作製したもので、従来のラダー構成からなるＳＡＷ共振器を多段に縦続接続した比較例３のＳＡＷフィルタの構成を示す平面図
図１７は、比較例３のＳＡＷフィルタについて特性を測定した結果を示す図
図１８は、本発明の第２の実施の形態にかかるＳＡＷフィルタの構成を示す平面図
図１９は、本発明の第３の実施の形態にかかるＳＡＷフィルタの構成を示す平面図
図２０は、第１の先行文献に開示された従来のＳＡＷフィルタの構成図
図２１は、第２の先行文献に開示された従来のＳＡＷフィルタの構成図
図２２は、第３の先行文献に開示された従来のＳＡＷフィルタの構成図
図面の参照符号の一覧表
２０１，６５０，７０１，８０１，９０１，１００１，１１０１ 圧電基板
２０２、４０４，５０２，５１２，５２２，５３２，７０２，８０２，２０２１，２０２２ 第１のＩＤＴ
２０３，４０５，５０３，５１３，５２３，７０３，８０３，２０３１，２０３２ 第２のＩＤＴ
２０４，６２０，７０５，８０５ 一方の端子
２０５，６３０，７０６，８０６ 他方の端子
２０６，５４０，５４１，５４２，７０７，７０８，８０７ 配線電極
２０７，３０１，５０４，５０５，５０６，５１４，５１５，５１６，５２４，５２５，５２６，５３４，５３５，７０９，８０８，２０７１，２０７２ 反射器電極
４０１，４０２ ダミー電極
５０１ 第１のＳＡＷエレメント
５０２ 第２のＳＡＷエレメント
６００，６１０，９０２，９０３，１００２，１００３，１００５，１００６，１１０２，１１０３，１１０４ ＳＡＷ共振器
６４０，９０４ 信号線
７０４ 第３のＩＤＴ
８０４ 第４のＩＤＴ
１００４，１００７ スリット板
２０２５、２０３５ 等ピッチ領域
２０２６，２０３６ グラデーション領域
【発明を実施するための最良の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、同じ要素については同じ符号を付しているので説明を省略する場合がある。また、以下に示す図面は模式的な図であり、電極指本数やピッチを正確に表現してはいない。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかるＳＡＷフィルタの構成を示す平面図である。なお、一般にＳＡＷフィルタはセラミックや樹脂等でパッケージ化されて使用されるが、図１では圧電基板２０１上の構成のみしか示していない。図１に示すように、本実施の形態のＳＡＷフィルタの場合には、３９゜ＹカットＸ伝播のタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）からなる圧電基板２０１の表面に第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３とを同一伝播路上になるように配置し、それぞれの端部に反射器電極２０７を設けた構成からなる。
第１のＩＤＴ２０２は、入出力端子の一方の端子２０４と他方の端子２０５との間、すなわち信号経路に対して直列に配置されており、直列腕のＳＡＷ共振器と等価な動作をすることができる。一方、第２のＩＤＴ２０３は、入出力端子の一方の端子２０４と第１のＩＤＴ２０２との間から信号経路に対して並列に配置されている。この第２のＩＤＴ２０３は、一方の端子２０４及び第１のＩＤＴとは配線電極２０６により接続されている。このような配置と接続構成から、第２のＩＤＴ２０３は並列腕のＳＡＷ共振器と等価な動作をすることができる。
さらに、第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３とは、それぞれのＳＡＷ共振器により励起される弾性表面波の同一伝播路上にそれぞれのＩＤＴを構成する櫛形電極の電極指をほぼ連続的に配置している。このとき、第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３とについては、それぞれのＳＡＷ共振器で励起される弾性表面波がお互いに打ち消し合わない構成とされている。また、第１のＩＤＴ２０２及び第２のＩＤＴ２０３の隣り合う側とは反対側に反射器電極２０７がそれぞれ配置されている。このような構成とすることにより、ＳＡＷフィルタを実現することができる。
なお、配線電極２０６と一方の端子２０４及び第１のＩＤＴ２０２を構成する櫛形電極の他方と他方の端子２０５とは、ワイヤリード等により接続されている。また、第２のＩＤＴ２０３を構成する櫛形電極の他方も同様にワイヤリード等によりアース端子に接続され、接地されている。
さらに、第１のＩＤＴ２０２を構成する櫛形電極の電極指ピッチは、第２のＩＤＴ２０３を構成する櫛形電極の電極指ピッチよりも小さく、また、設計値に基づくフィルタ特性を実現するようにそれぞれのピッチが設定されている。さらに、反射器電極２０７の電極指ピッチは、第１のＩＤＴ２０２の電極指ピッチと第２のＩＤＴ２０３の電極指ピッチとの中間の値となるように設定されている。
以上のように、第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３とを近接配置して一つの伝播路上に閉じ込めることにより、それぞれのＳＡＷ共振器については、実質上その共振器長を長くしたことと等価になり、ＳＡＷ共振器特性を高性能化することができる。この結果、ＳＡＷフィルタとしても、帯域通過型で、ロスの小さな特性を得ることができる。また、第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３とを近接配置すること及び配線電極を短くすることができること等によりＳＡＷフィルタの小型化も実現できる。また、以上の構成は、Ｌ型のＳＡＷフィルタの基本構成単位ともなる。
以上説明したように、本発明のＳＡＷフィルタは、複数のＳＡＷ共振器を同一伝播路上に近接して配置することにより、小型で、かつロスの小さなフィルタ特性を実現することができる。
なお、第１のＩＤＴ２０２及び第２のＩＤＴ２０３の共振周波数を変える方法としては、電極指の幅を変化させる方法や電極指のピッチを変化させる方法等がある。しかし、ＳＡＷフィルタの設計自由度を大きくすることができることやプロセスの容易性の観点から判断すると、電極指ピッチを変化させる方法が望ましい。
一般的に、ＳＡＷ共振器を構成する場合には、ＩＤＴ特性のピーク周波数と反射器電極の反射特性の中心周波数を合わせるように、それぞれのピッチを決めている。しかし、反射特性は比較的広い周波数領域でフラットな特性を有しているので、このフラットな領域であれば特性の大きな劣化を伴うことなく共振特性が得られる。したがって、全てのＩＤＴ特性のピーク周波数において反射特性がフラットな領域に入るようにすれば良く、反射器電極のピッチは最小のピッチを有するＩＤＴのピッチより大きく、最大のピッチを有するＩＤＴのピッチより小さくするのが望ましい。また、それぞれの弾性表面波が打ち消し合わないようにＩＤＴの配置をすることにより、お互いの干渉を避けることができる。
このように弾性表面波が打ち消しあわないように第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３とを配置する場合に、第１のＩＤＴ２０２及び第２のＩＤＴ２０３がお互いに逆相になるように構成することが望ましい。
なお、本発明でいう逆相とは、図２に示すような構成をいう。図２は、逆相を説明するための模式図であり、第１のＩＤＴ２２と第２のＩＤＴ２３との境界領域部を拡大して示している。また、この図においては、第１のＩＤＴ２２と第２のＩＤＴ２３との間にストリップライン電極３１を設けている。なお、第１のＩＤＴ２２と第２のＩＤＴ２３とから励振される弾性表面波２５も模式的に示している。このような構成の場合には図示するように、第１のＩＤＴ２２のうち第２のＩＤＴ２３に最も近い電極指２２１と、第２のＩＤＴ２３のうち第１のＩＤＴ２２に最も近い電極指２３１とが弾性表面波２５の山と谷とを構成しており、かつ第１のＩＤＴ２２と第２のＩＤＴ２３を構成する櫛形電極の一方が図示するように共通に接続されている。本発明でいう逆相とはこのような配置構成をいう。なお、このような逆相とするためには、図示するようなストリップライン電極３１は必須ではなく、ストリップライン電極３１を設けなくても逆相構成は可能である。
なお、本実施の形態のＳＡＷフィルタにおいては、反射器電極２０７を配置しているが、本発明はこれに限定されない。すなわち、表面弾性波の閉じ込めが他の方法により充分できる構成であれば、反射器電極２０７は特に設けなくてもよい。
図３は、本実施の形態における第１の変形例のＳＡＷフィルタを示す平面図である。本変形例のＳＡＷフィルタにおいても、図１と同様に圧電基板２０１上の構成のみしか示していない。この第１の変形例のＳＡＷフィルタは、第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３との間に数本程度のストリップライン電極３０１を配置したことが特徴である。その電極指ピッチは第１のＩＤＴ２０２の電極指ピッチと第２のＩＤＴ２０３の電極指ピッチとの中間の値となるように設定することが好ましい。なお、ストリップライン電極３０１の電極指のピッチは上記の中間の値となるように設定するが、すべての電極指のピッチを一定にする必要はなく、ステップ状に変化させてもよいし、連続的に変化させるグラデーションとしてもよい。また、このストリップライン電極３０１は反射器電極として作用する。
図４は、本実施の形態における第２の変形例のＳＡＷフィルタを示す平面図である。本変形例のＳＡＷフィルタにおいても、図１と同様に圧電基板２０１上の構成のみしか示していない。この第２の変形例のＳＡＷフィルタは、第１のＩＤＴ４０４と第２のＩＤＴ４０５とに、図示するようなダミー電極４０１、４０２をそれぞれ配置したことが特徴であり、その他については図１に示すＳＡＷフィルタ構成と同様である。このダミー電極４０１、４０２をそれぞれ配置して最適化することにより、さらに低ロスのＳＡＷフィルタを実現できる。
また、上記実施の形態においては、１段のＬ型構成のＳＡＷフィルタについて説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、図５に示すような多段構成のＳＡＷフィルタとしてもよい。
図５は、図１に示した１段のＬ型構成のＳＡＷフィルタを基本のＳＡＷエレメメントとしてこれらを２段に縦続接続した構成からなるＳＡＷフィルタの平面図である。すなわち、第１のＳＡＷエレメント５０１は、圧電基板２０１の表面に第１のＩＤＴ２０２１と第２のＩＤＴ２０３１とを同一伝播路上になるように配置し、それぞれの端部に反射器電極２０７１を設けた構成からなる。また、第２のＳＡＷエレメント５０２は、同様に圧電基板２０１の表面に第１のＩＤＴ２０２２と第２のＩＤＴ２０３２とを同一伝播路上になるように配置し、それぞれの端部に反射器電極２０７２を設けた構成からなる。
第１のＩＤＴ２０２１を構成する櫛形電極の一方は、入出力端子の一方の端子２０４に接続され、櫛形電極の他方は配線電極２０６と接続されている。また、第２のＩＤＴ２０３１を構成する櫛形電極の一方はアースに設置され、他方は配線電極２０６と接続されている。
同様に、第１のＩＤＴ２０２２を構成する櫛形電極の一方は、入出力端子の他方の端子２０５に接続され、櫛形電極の他方は配線電極２０６と接続されている。また、第２のＩＤＴ２０３２を構成する櫛形電極の一方はアースに設置され、他方は配線電極２０６と接続されている。
このような構成とすることにより、圧電基板２０１上に形成するＩＤＴや反射器電極を含むパターン形状は、全体としてほぼ矩形状になる。したがって、チップ上のパターンのスペースファクタが改善される。この結果、ＳＡＷフィルタとしてのチップの小型化が可能となる。また、第１のＳＡＷエレメント５０１及び第２のＳＡＷエレメント５０２の間の接続も配線電極２０６のみでよく、非常に単純な構成となるため低ロス化を実現できる。
以下、本実施の形態にかかるＳＡＷフィルタの具体的な構成とその特性をシミュレーションにより求めた結果について説明する。
図６は、図１に示すＳＡＷフィルタを基本として、グラデーション領域を設けた構成を説明する平面図である。このＳＡＷフィルタにおいては、第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３とは共振周波数が異なり、かつ第１のＩＤＴ２０２と第２のＩＤＴ２０３とはＩＤＴを構成する櫛形電極の電極指をほぼ連続的に配置して、それぞれの弾性表面波が打ち消し合わないようにした構成からなる。以下、このＳＡＷフィルタを実施例１のＳＡＷフィルタとよぶ。
具体的には、この実施例１のＳＡＷフィルタは、第１のＩＤＴ２０２及び第２のＩＤＴ２０３の境界領域であるグラデーション領域２０２６、２０３６の複数の電極指のピッチを、それぞれの中央領域の等ピッチ領域２０２５、２０３５の電極指のピッチと異ならせた、すなわちグラデーションを設けた構成が特徴である。図７は、この境界領域の電極指の構成を拡大して示す図である。なお、この図７は模式的な図であり、電極指の本数等については正確に表現していない。また、表１は、このＳＡＷフィルタの電極指本数とピッチを示す。
表１及び図７からわかるように、第１のＩＤＴ２０２の等ピッチ領域２０２５では、電極指は２１５本設けられ、この領域のピッチは２．３４１μｍである。一方、この等ピッチ領域２０２５の端部から第２のＩＤＴ２０３との境界部までにかけてグラデーション領域２０２６が設けられている。グラデーション領域２０２６の電極指本数は１０本で、そのピッチは等ピッチ領域の端部のピッチ２．３４１μｍから第２のＩＤＴ２０３の境界部のピッチ２．４１１μｍまで連続的にピッチを変化させている。
また、第２のＩＤＴ２０３のグラデーション領域２０３６は、第１のＩＤＴ２０２のグラデーション領域２０２６の端部のピッチ２．４１１μｍから等ピッチ領域２０３５のピッチである２．４２９μｍまで連続的にそのピッチを変化させている。なお、このグラデーション領域２０３６の電極指本数は１０本で、等ピッチ領域２０３５の電極指本数は１３５本である。
さらに、第１のＩＤＴ２０２に隣接する反射器電極２０７の電極指本数は３５本で、そのピッチは２．４０４μｍとした。一方、第２のＩＤＴ２０３に隣接する反射器電極２０７の電極指本数は３５本で、そのピッチは２．４１８μｍとしている。なお、圧電基板２０１は、３９°ＹカットＸ伝播のタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）を用い、電極膜厚を約０．４μｍとした。以上の構成からなる実施例１のＳＡＷフィルタの特性を求めた結果を図８に示す。図８からわかるように、実施例１のＳＡＷフィルタでは８２４ＭＨｚと８４９ＭＨｚでのロスが０．６５ｄＢ、０．２８ｄＢであった。
つぎに、実施例１のＳＡＷフィルタと同様にグラデーション領域を設けた構成に、さらに間引きを加えた場合のＳＡＷフィルタを作製した。これを実施例２のＳＡＷフィルタとよぶ。実施例２のＳＡＷフィルタは、その構成については実施例１のＳＡＷフィルタと同じであるが、電極指本数やピッチは異なる。
表２に、実施例２のＳＡＷフィルタの電極指本数とピッチを示す。表２に示す構成以外については、実施例１のＳＡＷフィルタと同様であるので説明は省略する。
以上の構成からなる実施例２のＳＡＷフィルタの特性を求めた結果を図９に示す。図９からわかるように、実施例２のＳＡＷフィルタでは８２４ＭＨｚと８４９ＭＨｚでのロスが０．５２ｄＢ、０．２９ｄＢであった。
さらに、実施例１のＳＡＷフィルタと同様にグラデーション領域を設けた構成に加えてアポダイズ重み付けを行った構成のＳＡＷフィルタを作製した。これを実施例３のＳＡＷフィルタとよぶ。アポダイズ重み付けはシミュレーションにより特性を評価しながら最適値を設定した。このようにして作製した実施例３のＳＡＷフィルタの特性を求めた結果を図１０に示す。図１０からわかるように、実施例３のＳＡＷフィルタでは８２４ＭＨｚと８４９ＭＨｚでのロスが０．５６ｄＢ、０．２８ｄＢであった。
一方、本発明のＳＡＷフィルタと比較するために従来のラダー構成からなるＳＡＷフィルタも作製した。これを比較例１のＳＡＷフィルタとよぶ。この比較例１のＳＡＷフィルタの特性を測定した結果を図１１に示す。図１１からわかるように、比較例１のＳＡＷフィルタでは８２４ＭＨｚと８４９ＭＨｚでのロスが０．６５ｄＢ、０．２８ｄＢであった。
これらの特性を表３にまとめて示す。表３からわかるように、実施例１のＳＡＷフィルタを除き、実施例２および実施例３のＳＡＷフィルタは比較例１のＳＡＷフィルタよりも良好な特性を得られることが確認できた。なお、実施例１のＳＡＷフィルタの場合には、比較例１のＳＡＷフィルタとその特性は同じであったが、比較例１のＳＡＷフィルタよりも小型化できる点で特徴を有する。
つぎに、第１のＩＤＴと第２のＩＤＴとの間にストリップライン電極を設け、第１のＩＤＴ及び第２のＩＤＴを構成する櫛形電極の電極指、及びストリップライン電極または反射器電極を構成する電極指がほぼ連続的な配置になるように構成したＳＡＷフィルタを作製した。これは、図３に示すＳＡＷフィルタを基本としており、作製したＳＡＷフィルタの電極指本数とピッチを表４に示す。これを実施例４のＳＡＷフィルタとよぶ。
表４に基づき作製した実施例４のＳＡＷフィルタの特性を求めた結果を図１２に示す。図１２からわかるように、実施例４のＳＡＷフィルタでは８２４ＭＨｚと８４９ＭＨｚでのロスが０．７０ｄＢ、０．２５ｄＢであった。
一方、実施例４のＳＡＷフィルタと比較するために従来のラダー構成のＳＡＷフィルタも作製した。これを比較例２のＳＡＷフィルタとよぶ。この比較例２のＳＡＷフィルタの特性を求めた結果を図１３に示す。図１３からわかるように、比較例２のＳＡＷフィルタでは８２４ＭＨｚと８４９ＭＨｚでのロスが０．７０ｄＢ、０．２５ｄＢであった。
すなわち、実施例４のＳＡＷフィルタの場合には、特性自体は従来のラダー構成と同じ結果であったが、小型化ができる点で特徴を有する。
つぎに、図３に示したＳＡＷフィルタを基本のＳＡＷエレメントとして、これらを多段に縦続接続したＳＡＷフィルタを作製して特性を求めた結果について述べる。
図１４は、図３に示すＳＡＷフィルタを基本のＳＡＷエレメントとして、これらを４段に縦続接続して構成したＳＡＷフィルタの平面図である。これを実施例５の
ＳＡＷフィルタとよぶ。圧電基板２０１は、３９°ＹカットＸ伝播のタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）を用い、電極膜厚を約０．４μｍとした。１段目から４段目までのそれぞれのＩＤＴ及び反射器電極の電極指本数とピッチとを表５に示す。
この実施例５のＳＡＷフィルタの１段目は、第１のＩＤＴ５０２、第２のＩＤＴ５０３、両側の反射器電極５０４、５０５及び中央部のストリップライン電極５０６から構成されている。同様に、２段目は、第１のＩＤＴ５１２、第２のＩＤＴ５１３、両側の反射器電極５１４、５１５及び中央部のストリップライン電極５１６から構成されている。また、３段目は、第１のＩＤＴ５２２、第２のＩＤＴ５２３、両側の反射器電極５２４、５２５及び中央部のストリップライン電極５２６から構成されている。最後の４段目は、第１のＩＤＴ５３２とその両側に配置された反射器電極５３４、５３５から構成されている。
そして、これらのＩＤＴ間は、配線電極５４０、５４１、５４２により接続されている。
なお、１段目の第１のＩＤＴ５０２を構成する櫛形電極の一方が入出力端子の一方の端子２０４に接続され、４段目の第１のＩＤＴ５３２を構成する櫛形電極の他方が入出力端子の他方の端子２０５に接続されている。また、上記ストリップライン電極５０６、５１６、５２６は、それぞれ反射器電極として作用する。
図１５は、このような構成の実施例５のＳＡＷフィルタについて特性を求めた結果を示す図である。図１５からわかるように、実施例５のＳＡＷフィルタでは８２４ＭＨｚと８４９ＭＨｚでのロスが０．９２ｄＢ、１．２９ｄＢであった。
このＳＡＷフィルタと比較するために従来のラダー構成からなるＳＡＷ共振器を多段に縦続接続した構成のＳＡＷフィルタも作製した。図１６は、このＳＡＷフィルタの構成を示す平面図である。このＳＡＷフィルタは、圧電基板６５０上に形成された直列腕のＳＡＷ共振器６００、並列腕のＳＡＷ共振器６１６及びこれらのＳＡＷ共振器６００、６１０に接続された信号線６４０により構成されている。なお、直列腕のＳＡＷ共振器６００からは入出力端子の一方の端子６２０と他方の端子６３０にそれぞれ接続されている。なお、電極指本数、ピッチ、交差幅等については、実施例５のＳＡＷフィルタの通過帯域と合わせるように設定している。
このような構成のＳＡＷフィルタを以下、比較例３のＳＡＷフィルタとよぶ。図１７は、この比較例３のＳＡＷフィルタについて特性を求めた結果を示す図である。図１７からわかるように、比較例３のＳＡＷフィルタでは８２４ＭＨｚと８４９ＭＨｚでのロスが０．９３ｄＢ、１．２９ｄＢであった。
これらの結果から、実施例５のＳＡＷフィルタは、比較例３のＳＡＷフィルタに比べて特性の改善度合は小さいが、全体として小型化できることに大きな特徴を有する。
なお、上記実施例で示したＳＡＷフィルタにおいては、グラデーションは連続的にピッチが変わるようにしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、ステップ状にピッチを変えてもよい。さらに、同様に上記実施例で示したＳＡＷフィルタにおいては、ＩＤＴにアポダイズ重み付けをかけた構成を示したが、このような構成のみでなく、間引き重み付けをかけてもよい。
さらに、第１のＩＤＴ及び第２のＩＤＴの共振周波数を、予め設定したフィルタ特性を得るのに必要な周波数に設定することは、第１の実施の形態及びそれに基づき作成した実施例のＳＡＷフィルタでは明示的には説明していないが、表１から表５及びそれらの説明から当然に推定できるものである。また、同様に、第１のＩＤＴの共振周波数を、第２のＩＤＴの反共振周波数に略一致させても同じように良好な特性を得ることができる。
さらに、本発明においては、第１のＩＤＴに対して第２のＩＤＴがその櫛形電極の電極指を連続的に配置するように設けられた側とは反対側に、信号経路とグランドとの間に接続されている第３のＩＤＴをその櫛形電極の電極指が第１のＩＤＴの櫛形電極の電極指に連続して配置した構成としてもよい。あるいは、第２のＩＤＴに対して、第１のＩＤＴの櫛形電極の電極指が連続的に配置された側とは反対側に、信号経路に直列に接続されている第４のＩＤＴをその櫛形電極の電極指が第２のＩＤＴの櫛形電極の電極指に連続して配置した構成としてもよい。これらの構成としても同様に小型で、ロスの小さなＳＡＷフィルタを実現できる。
（第２の実施の形態）
図１８は、本発明の第２の実施の形態にかかるＳＡＷフィルタの構成を示す平面図である。本実施の形態のＳＡＷフィルタが第１の実施の形態のＳＡＷフィルタと異なる点は、第１の実施の形態においてはＬ型構成を主体としたのに対して、本実施の形態においてはπ型構成を主体にしている点である。
本実施の形態のＳＡＷフィルタは、圧電基板７０１上に第１のＩＤＴ７０２、第２のＩＤＴ７０３、第３のＩＤＴ７０４および両端に配置された反射器電極７０９により構成されている。
第１のＩＤＴ７０２は、入出力端子の一方の端子７０５と入出力端子の他方の端子７０６との間、すなわち信号経路に直列に配置されている。この配置により、この第１のＩＤＴ７０２は直列腕のＳＡＷ共振器と等価な動作をすることができる。第２のＩＤＴ７０３は、入出力端子の一方の端子７０５と第１のＩＤＴ７０２との間から信号経路に対して並列に配置され、かつ配線電極７０７により第１のＩＤＴ７０２及び一方の端子７０５に接続されている。この配置により、第２のＩＤＴ７０３は並列腕のＳＡＷ共振器と等価な動作をすることができる。
第３のＩＤＴ７０４は、入出力端子の他方の端子７０６と第１のＩＤＴ７０２との間から信号経路に対して並列に配置され、かつ配線電極７０８により第１のＩＤＴ７０２及び他方の端子７０６に接続されている。この配置により、第３のＩＤＴ７０４は並列腕のＳＡＷ共振器と等価な動作をすることができる。
さらに、第１のＩＤＴ７０２、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４は、それぞれのＳＡＷ共振器により励起される弾性表面波の同一伝播路上において近接して配置されている。このとき、それぞれのＳＡＷ共振器で励起される弾性表面波はお互いに打ち消し合わない構成とされている。このためには、逆相とすることが望ましい。また、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４のそれぞれ一方の端部側には図示するように反射器電極７０９がそれぞれ配置されている。本実施例のＳＡＷフィルタは以上のような構成からなる。
さらに、第１のＩＤＴ７０２の電極指ピッチは、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４の電極指ピッチよりも小さく、また、設計値に基づくフィルタ特性が得られるように電極指ピッチを設定する。また、反射器電極７０９の電極指ピッチは、第１のＩＤＴ７０２の電極指ピッチと、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４の電極指ピッチとの中間の値となるように設定されている。
以上の構成とすることにより、本実施例のＳＡＷフィルタは、第１のＩＤＴ７０２、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４は、それぞれが近接して配置され、かつ弾性表面波が同じ伝播路上に閉じ込められる。したがって、それぞれのＳＡＷ共振器は実質上共振器長が長くなったことと等価となる。この結果、ＳＡＷ共振器の特性を向上できるので、ＳＡＷフィルタとしては、帯域通過型でロスの小さな特性を得ることができる。
また、第１のＩＤＴ７０２、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４を近接して配置していること及び引き回し線路を削減できること等により、ＳＡＷフィルタとして小型化を実現できる。なお、このようなＳＡＷフィルタについては、π型構成が基本構成単位である。
以上説明したように、本実施の形態のＳＡＷフィルタは、複数のＳＡＷ共振器を同一伝播路上に近接して配置することにより、小型で、かつロスの小さな特性を実現することができる。
なお、本実施の形態においては、反射器電極を配置したが、弾性表面波の閉じ込めが充分できる構成で反射器電極は設けなくてもよい。また、第１のＩＤＴ７０２、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４の間に、数本程度の反射器電極またはストリップライン電極を設ける構成でもよい。この反射器電極あるいはストリップライン電極の電極指ピッチは、第１のＩＤＴ７０２の電極指ピッチと、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４の電極指ピッチとの中間の値に設定することが好ましい。
また、第１のＩＤＴ７０２、第２のＩＤＴ７０３及び第３のＩＤＴ７０４に、ダミー電極をそれぞれ配置してもよい。このダミー電極の配置構成を最適化することにより、さらにロスを小さくすることができる。
なお、本実施の形態においても、第１の実施の形態で説明したようなグラデーション領域を設けることやアポダイズ重み付けあるいは間引き電極構成等を行うことでフィルタ特性を改善しながら、小型のＳＡＷフィルタを実現できる。
（第３の実施の形態）
図１９は、本発明の第３の実施の形態にかかるＳＡＷフィルタの構成を示す平面図である。本実施の形態のＳＡＷフィルタが、第１の実施の形態のＳＡＷフィルタと異なる点は、第１の実施の形態においてはＬ型構成であるのに対して、本実施の形態ではＴ型構成としていることである。図１９に示すように、本実施の形態のＳＡＷフィルタは、圧電基板８０１上に、第１のＩＤＴ８０２、第２のＩＤＴ８０３、第４のＩＤＴ８０４及び両端部に配置された反射器電極８０８により構成されている。
第１のＩＤＴ８０２と第４のＩＤＴ８０４とは、入出力端子の一方の端子８０５と入出力端子の他方の端子８０６との間、すなわち信号経路に対して直列に配置されている。この構成により、これらは直列腕のＳＡＷ共振器と等価な動作をすることができる。
一方、第２のＩＤＴ８０３は、第１のＩＤＴ８０２と第４のＩＤＴ８０４との間から信号経路に対して並列に配置されている。そして、この第２のＩＤＴ８０３は、配線電極８０７により第１のＩＤＴ８０２及び第４のＩＤＴ８０４をそれぞれ構成する櫛型電極の一方に接続されている。この構成により、第２のＩＤＴ８０３は並列腕のＳＡＷ共振器と等価な動作をすることができる。
さらに、第１のＩＤＴ８０２、第２のＩＤＴ８０３及び第４のＩＤＴ８０４は、それぞれの共振器により励起される弾性表面波の同一伝播路上に近接して配置されている。このとき、それぞれのＳＡＷ共振器で励起される弾性表面波はお互いに打ち消し合わない構成とされている。このためには、逆相とすることが望ましい。また、第１のＩＤＴ８０２、第２のＩＤＴ８０３及び第４のＩＤＴ８０４の隣り合う側とは反対側に、反射器電極８０８が配置されている。
さらに、第１のＩＤＴ８０２及び第４のＩＤＴ８０４の電極指ピッチは、第２のＩＤＴ８０３の電極指ピッチよりも小さく、また設計値に基づくフィルタ特性が得られるように電極指ピッチを設定している。また、反射器電極８０８の電極指ピッチは、第１のＩＤＴ８０２及び第４のＩＤＴ８０４の電極指ピッチと、第２のＩＤＴ８０３の電極指ピッチとの中間の値となるように設定されている。
以上の構成とすることにより、本実施例のＳＡＷフィルタは、第１のＩＤＴ８０２、第２のＩＤＴ８０３及び第４のＩＤＴ８０４が近接して配置されて、同一の弾性表面波の伝播路上に閉じ込められるので、それぞれの共振器は実質上共振器長が長くなったことと等価になる。この結果、共振器特性が改善され、帯域通過型でロスの小さな特性を有するＳＡＷフィルタを実現できる。また、第１のＩＤＴ８０２、第２のＩＤＴ８０３及び第４のＩＤＴ８０４を近接して配置していること及び引き回し線路の削減等により、ＳＡＷフィルタの小型化も実現できる。なお、この場合のＳＡＷフィルタについては、Ｔ型構成が基本構成単位である。
以上説明したように、本発明のＳＡＷフィルタは、複数のＳＡＷ共振器を同一伝播路上に近接して配置することにより、小型で、かつロスの小さな特性を有するＳＡＷフィルタを実現することができる。
なお、本実施の形態においても、第１の実施の形態で説明したようなグラデーション領域を設けることやアポダイズ重み付けあるいは間引き電極構成等を行うことでフィルタ特性を改善しながら、小型のＳＡＷフィルタを実現できる。さらに、本実施の形態においては、反射器電極を配置しているが、弾性表面波の閉じ込めが充分できる構成であれば反射器電極を特に設けなくてもよい。
また、第１のＩＤＴ８０２、第２のＩＤＴ８０３及び第４のＩＤＴ８０４の間に、数本程度のストリップライン電極を設けてもよい。このストリップライン電極の電極指ピッチは、第２のＩＤＴ８０３の電極指ピッチと、第１のＩＤＴ８０２及び第４のＩＤＴ８０４の電極指ピッチとの中間の値となるように設定することが好ましい。
また、第１のＩＤＴ８０２、第２のＩＤＴ８０３及び第４のＩＤＴ８０４にダミー電極をそれぞれ配置してもよい。ダミー電極を設計値に基づき最適配置することで、さらに、ロスを小さくすることができる。
また、本実施の形態においては、３つのＩＤＴを同一伝播路上に配置しているが、これは、４つ以上でもかまわない。さらに、接続や配置に関しても、複数のＩＤＴが近接して配置されていればよい。
また、本実施の形態においては、１段構成のＳＡＷフィルタについて説明したが、この１段構成のＳＡＷフィルタを基本のＳＡＷエレメントとして多段に縦続接続した多段構成のＳＡＷフィルタとしてもよい。また、Ｔ型構成に限らず、Ｌ型構成やπ型構成あるいは１端子対弾性表面波共振子等の他の構成と組み合わせてもかまわない。
【産業上の利用可能性】
本発明にかかるＳＡＷフィルタは、多くのＳＡＷ共振器を必要とする高減衰特性のフィルタであっても、チップサイズを小さくしながら挿入損失も小さくできるという効果を有し、携帯電話等の通信分野あるいはテレビ等の映像分野等のフィルタに有用である。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、前記圧電基板上の同一弾性表面波伝播路上に近接して設けられた少なくとも２つのインターディジタルトランスデューサとを含むＳＡＷフィルタであって、前記インターディジタルトランスデューサのうち、少なくとも一つは信号経路に直列に接続されている第１のインターディジタルトランスデューサであり、少なくとも一つは信号経路とグランドとの間に接続されている第２のインターディジタルトランスデューサであり、前記第１のインターディジタルトランスデューサと前記第２のインターディジタルトランスデューサとは共振周波数が異なり、かつ前記第１のインターディジタルトランスデューサと前記第２のインターディジタルトランスデューサはインターディジタルトランスデューサを構成する櫛形電極の電極指をほぼ連続的に配置した構成からなることを特徴とするＳＡＷフィルタ。
【請求項２】
前記第１のインターディジタルトランスデューサ及び前記第２のインターディジタルトランスデューサは、それぞれの弾性表面波が打ち消し合わないように配置されていることを特徴とする請求項１記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項３】
前記第１のインターディジタルトランスデューサ及び前記第２のインターディジタルトランスデューサは、お互いに逆相になるように構成したことを特徴とする請求項２に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項４】
前記第１のインターディジタルトランスデューサ及び前記第２のインターディジタルトランスデューサの共振周波数を、予め設定したフィルタ特性を得るのに必要な周波数に設定したことを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項５】
前記第１のインターディジタルトランスデューサの共振周波数を、第２のインターディジタルトランスデューサの反共振周波数に略一致させたことを特徴とする請求項４に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項６】
前記第１のインターディジタルトランスデューサ及び前記第２のインターディジタルトランスデューサを含む前記インターディジタルトランスデューサの最外側に反射器電極を設けたことを特徴とする請求項１記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項７】
前記第１のインターディジタルトランスデューサと第２のインターディジタルトランスデューサとの間にストリップライン電極を設け、前記第１のインターディジタルトランスデューサ及び前記第２のインターディジタルトランスデューサを構成する櫛形電極の電極指及び前記ストリップライン電極または前記反射器電極を構成する電極指がほぼ連続的な配置になるように構成したことを特徴とする請求項１または６に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項８】
前記ストリップライン電極の前記電極指のピッチを、前記第１のインターディジタルトランスデューサの前記電極指のピッチと前記第２のインターディジタルトランスデューサの前記電極指のピッチとの間に設定したことを特徴とする請求項７に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項９】
前記第１のインターディジタルトランスデューサと前記第２のインターディジタルトランスデューサの境界領域に配置されている複数の電極指のピッチを、それぞれの中央領域に配置されている電極指のピッチと異ならせたことを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項１０】
前記ＳＡＷフィルタを構成する前記インターディジタルトランスデューサのうち、少なくとも一つに重み付けをかけたことを特徴とする請求項９に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項１１】
前記ＳＡＷフィルタを構成する前記インターディジタルトランスデューサのうち、少なくとも一つにアポダイズ重み付けをかけたことを特徴とする請求項１０に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項１２】
前記ＳＡＷフィルタを構成する前記インターディジタルトランスデューサのうち、少なくとも一つに間引き重み付けをかけたことを特徴とする請求項１０に記載のＳＡＷフィルタ，
【請求項１３】
前記ＳＡＷフィルタを構成する前記インターディジタルトランスデューサは、ダミー電極を含む構成であることを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項１４】
前記第１のインターディジタルトランスデューサに対して前記第２のインターディジタルトランスデューサが近接配置された側とは反対側に信号経路とグランドとの間に接続されている第３のインターディジタルトランスデューサを近接配置したことを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項１５】
前記第３のインターディジタルトランスデューサの共振周波数は、前記第１のインターディジタルトランスデューサの共振周波数とは異なることを特徴とする請求項１４に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項１６】
前記第２のインターディジタルトランスデューサに対して、前記第１のインターディジタルトランスデューサが近接配置された側とは反対側に信号経路に直列に接続されている第４のインターディジタルトランスデューサを近接配置したことを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項１７】
前記第４のインターディジタルトランスデューサの共振周波数は、前記第２のインターディジタルトランスデューサの共振周波数とは異なることを特徴とする請求項１６に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項１８】
請求項１から請求項１７までに記載のＳＡＷフィルタを一つのＳＡＷエレメントとして、前記エレメントを多段に接続して構成したことを特徴とするＳＡＷフィルタ。
【請求項１】
圧電基板と、前記圧電基板上の同一弾性表面波伝播路上に近接して設けられた少なくとも２つのインターディジタルトランスデューサとを含むＳＡＷフィルタであって、前記インターディジタルトランスデューサのうち、少なくとも一つは信号経路に直列に接続されている第１のインターディジタルトランスデューサであり、少なくとも一つは信号経路とグランドとの間に接続されている第２のインターディジタルトランスデューサであり、前記第１のインターディジタルトランスデューサと前記第２のインターディジタルトランスデューサとは共振周波数が異なり、かつ前記第１のインターディジタルトランスデューサと前記第２のインターディジタルトランスデューサはインターディジタルトランスデューサを構成する櫛形電極の電極指をほぼ連続的に配置した構成からなることを特徴とするＳＡＷフィルタ。
【請求項２】
前記第１のインターディジタルトランスデューサ及び前記第２のインターディジタルトランスデューサは、それぞれの弾性表面波が打ち消し合わないように配置されていることを特徴とする請求項１記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項３】
前記第１のインターディジタルトランスデューサ及び前記第２のインターディジタルトランスデューサは、お互いに逆相になるように構成したことを特徴とする請求項２に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項４】
前記第１のインターディジタルトランスデューサ及び前記第２のインターディジタルトランスデューサの共振周波数を、予め設定したフィルタ特性を得るのに必要な周波数に設定したことを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項５】
前記第１のインターディジタルトランスデューサの共振周波数を、第２のインターディジタルトランスデューサの反共振周波数に略一致させたことを特徴とする請求項４に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項６】
前記第１のインターディジタルトランスデューサ及び前記第２のインターディジタルトランスデューサを含む前記インターディジタルトランスデューサの最外側に反射器電極を設けたことを特徴とする請求項１記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項７】
前記第１のインターディジタルトランスデューサと第２のインターディジタルトランスデューサとの間にストリップライン電極を設け、前記第１のインターディジタルトランスデューサ及び前記第２のインターディジタルトランスデューサを構成する櫛形電極の電極指及び前記ストリップライン電極または前記反射器電極を構成する電極指がほぼ連続的な配置になるように構成したことを特徴とする請求項１または６に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項８】
前記ストリップライン電極の前記電極指のピッチを、前記第１のインターディジタルトランスデューサの前記電極指のピッチと前記第２のインターディジタルトランスデューサの前記電極指のピッチとの間に設定したことを特徴とする請求項７に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項９】
前記第１のインターディジタルトランスデューサと前記第２のインターディジタルトランスデューサの境界領域に配置されている複数の電極指のピッチを、それぞれの中央領域に配置されている電極指のピッチと異ならせたことを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項１０】
前記ＳＡＷフィルタを構成する前記インターディジタルトランスデューサのうち、少なくとも一つに重み付けをかけたことを特徴とする請求項９に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項１１】
前記ＳＡＷフィルタを構成する前記インターディジタルトランスデューサのうち、少なくとも一つにアポダイズ重み付けをかけたことを特徴とする請求項１０に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項１２】
前記ＳＡＷフィルタを構成する前記インターディジタルトランスデューサのうち、少なくとも一つに間引き重み付けをかけたことを特徴とする請求項１０に記載のＳＡＷフィルタ，
【請求項１３】
前記ＳＡＷフィルタを構成する前記インターディジタルトランスデューサは、ダミー電極を含む構成であることを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項１４】
前記第１のインターディジタルトランスデューサに対して前記第２のインターディジタルトランスデューサが近接配置された側とは反対側に信号経路とグランドとの間に接続されている第３のインターディジタルトランスデューサを近接配置したことを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項１５】
前記第３のインターディジタルトランスデューサの共振周波数は、前記第１のインターディジタルトランスデューサの共振周波数とは異なることを特徴とする請求項１４に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項１６】
前記第２のインターディジタルトランスデューサに対して、前記第１のインターディジタルトランスデューサが近接配置された側とは反対側に信号経路に直列に接続されている第４のインターディジタルトランスデューサを近接配置したことを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項１７】
前記第４のインターディジタルトランスデューサの共振周波数は、前記第２のインターディジタルトランスデューサの共振周波数とは異なることを特徴とする請求項１６に記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項１８】
請求項１から請求項１７までに記載のＳＡＷフィルタを一つのＳＡＷエレメントとして、前記エレメントを多段に接続して構成したことを特徴とするＳＡＷフィルタ。
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０５０８３７
【国際公開日】平成１７年６月２日（２００５．６．２）
【発行日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−５１５６９２（Ｐ２００５−５１５６９２）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００４／０１７５２７
【国際出願日】平成１６年１１月１８日（２００４．１１．１８）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【国際公開日】平成１７年６月２日（２００５．６．２）
【発行日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００４／０１７５２７
【国際出願日】平成１６年１１月１８日（２００４．１１．１８）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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