易動性水素原子を有する、水やその供給源以外の、共反応剤の存在下で一酸化炭素を用いるエチレン性不飽和化合物のモノカルボニル化のための触媒系のＴＯＮを増大させる方法が記載されている。触媒系は、（ａ）第（８、９）族もしくは第（１０）族の金属またはその好適な化合物と、（ｂ）化学式（Ｉ）


〔式中、基Ｘ^３およびＸ^４は、独立して、３０個までの原子の一価基を表すかＸ^３およびＸ^４は、一緒になって、４０個までの原子の二価基を形成し、かつＸ^５は、４００個までの原子を有し、Ｑ^１は、リン、ヒ素、またはアンチモンを表す〕で示される配位子と、ｃ）場合によりアニオン源と、を組み合わせることにより取得可能である。本方法は、水またはその供給源を触媒系に添加する工程を含む。本方法は、好ましくは、電気陽性金属の存在下で行われる。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
易動性水素原子を有する、水やその供給源を除く、共反応剤の存在下で一酸化炭素を用いるエチレン性不飽和化合物のモノカルボニル化のための触媒系のＴＯＮを増大させる方法であって、
前記触媒が、
（ａ）第８族、第９族、もしくは第１０族の金属またはその好適な化合物と、
（ｂ）一般式（Ｉ）
【化１】

〔式中、
基Ｘ^３およびＸ^４は、独立して、３０個までの原子の一価基を表し、またはＸ^３およびＸ^４は、一緒になって、４０個までの原子の二価基を形成し、かつＸ^５は、４００個までの原子を有し、
Ｑ^１は、リン、ヒ素、またはアンチモンを表す〕
で示される配位子と、
ｃ）場合によりアニオン源と、
を組み合わせることにより取得可能であり、
水またはその供給源を前記触媒系に添加する工程を含み、かつ電気陽性金属の存在下で行われることを特徴とする、方法
【請求項２】
前記触媒系が液相中に存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記液相中で前記触媒系に接触する反応槽および／または反応槽の給排用導管の１つ以上が、前記電気陽性金属で形成される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記触媒系に添加される水の量が０．００１〜１０％ｗ／ｗ液相である、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記モノカルボニル化が連続プロセスである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記エチレン性不飽和化合物が、アセチレン、メチルアセチレン、プロピルアセチレン、１，３−ブタジエン、エチレン、プロピレン、ブチレン、イソブチレン、ペンテン、ペンテンニトリル、メチル３−ペンテノエートなどのアルキルペンテノエート、ペンテン酸（たとえば２−および３−ペンテン酸）、ヘプテン、ビニルアセテートなどのビニルエステル、オクテン、ドデセンから選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記配位子が式ＩＩＩ
【化２】

〔式中、
Ｈは、架橋中に１〜６個の原子を有する二価有機架橋基であり、
基Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、およびＸ^４は、独立して、３０個までの原子の一価基を表し、場合により、前記基をＱ^１原子もしくはＱ^２原子に結合させる少なくとも１個の第三級炭素原子を有していてもよく、またはＸ^１およびＸ^２および／またはＸ^３およびＸ^４は、一緒になって、４０個までの原子の二価基を形成し、場合により、前記基をＱ^１原子および／またはＱ^２原子に結合させる少なくとも２個の第三級炭素原子を有していてもよく、かつ
Ｑ^１およびＱ^２は、それぞれ独立して、リン、ヒ素、またはアンチモンを表す〕
を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
以上に記載したようにかつ実施例に準拠して触媒系のＴＯＮを増大させる方法。

【図１】

【図２】

【図３】

【公表番号】特表２０１３−５１３６５３（Ｐ２０１３−５１３６５３Ａ）
【公表日】平成２５年４月２２日（２０１３．４．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５４３９０６（Ｐ２０１２−５４３９０６）
【出願日】平成２２年１２月１５日（２０１０．１２．１５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＧＢ２０１０／０５２０９３
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０７３６５３
【国際公開日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【出願人】（５００４６０２０９）ルーサイト　インターナショナル　ユーケー　リミテッド (30)
【Ｆターム（参考）】