有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法および電子機器
【課題】有機ＥＬ素子の形成領域を狭めることなく、封止層による封止性能の向上を図ることができる有機ＥＬ装置、その製造方法、およびそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置１００の素子基板１０において、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2は、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1よりも小さい。従って、封止層６０は、基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1が小さな隔壁層外壁５１２上に積層されるので、封止層６０にはクラックが発生しにくい。また、隔壁層内壁５１１は、基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1が大きいため、有機ＥＬ素子８０の形成領域に大きく張り出すことがない。
【解決手段】有機ＥＬ装置１００の素子基板１０において、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2は、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1よりも小さい。従って、封止層６０は、基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1が小さな隔壁層外壁５１２上に積層されるので、封止層６０にはクラックが発生しにくい。また、隔壁層内壁５１１は、基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1が大きいため、有機ＥＬ素子８０の形成領域に大きく張り出すことがない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）装置、その製造方法、および当該有機ＥＬ装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置は、図１２に示すように、概ね、素子基板１０上で画素領域１０ａを複数の領域に区画する隔壁層５１と、隔壁層５１により囲まれた領域に設けられた有機ＥＬ素子８０とを有している。有機ＥＬ素子８０は、第１電極層８１（陽極／画素電極）、有機機能層８２および第２電極層８３（陰極）が積層された構造を備えており、有機機能層８２と第２電極層８３との層間に、アルカリ金属やアルカリ土類金属を主成分とする電子注入層が配置される場合もある。このような有機ＥＬ素子８０に用いられる有機機能層８２や第２電極層８３は、非常に活性であるため、大気中に存在する水分や酸素と接触すると簡単に反応して変質する。かかる変質が起こると、電子注入効果が損なわれ、ダークスポットと呼ばれる非発光部分が発生してしまう。
【０００３】
そこで、隔壁層５１および有機ＥＬ素子８０を覆うように封止層６０を形成した構成が提案されており、かかる封止層６０としては、無機膜からなる第１封止層６１（電極保護層）、樹脂層からなる第２封止層６２（有機緩衝層）、および無機膜からなる第３封止層６３（ガスバリア層）の積層構造が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０５９８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の封止構造では、封止層６０において画素領域１０ａを外側で囲む部分にクラックが発生していないことが重要である。しかしながら、封止層６０において画素領域１０ａを外側で囲む部分は、素子基板１０に対して大きな角度をなす隔壁層外壁５１２上に積層されるため、封止層６０にクラックが発生しやすい。特に、第１封止層６１や第３封止層６３は薄くて硬質の無機膜であり、物理気相堆積法により成膜されるため、素子基板１０に対して大きな角度をなす隔壁層外壁５１２上ではクラックが発生しやすい。それ故、特許文献１に記載の封止構造では、有機機能層８２や第２電極層８３を確実に保護することができないという問題点がある。かといって、隔壁層５１の壁面を素子基板１０に対して小さな角度をなすようなテーパー面にすると、隔壁層５１において画素領域１０ａの内側に位置する隔壁層内壁５１１が有機ＥＬ素子８０の形成領域に大きく張り出すことになるため、有機ＥＬ素子８０の面積が狭くなって発光強度が低下する。それ故、従来は、封止性能の安定性と、発光強度の向上とは二律背反する課題であり、一方を実現しようとすると、他方が犠牲になってしまう。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、有機ＥＬ素子の形成領域を狭めることなく、封止層による封止性能の向上を図ることができる有機ＥＬ装置、その製造方法、および当該有機ＥＬ装置を用いた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る有機ＥＬ装置は、基板上で画素領域を複数の領域に区画する隔壁層と、該隔壁層により囲まれた領域に設けられた有機ＥＬ素子と、前記隔壁層および前記有機ＥＬ素子を覆う封止層と、を有し、前記隔壁層において前記画素領域の外側に位置する隔壁層外壁は、当該隔壁層において前記画素領域の内側に位置する隔壁層内壁に比較して前記基板に対してなす角度が小さいテーパー面になっていることを特徴とする。
【０００８】
本発明においては、例えば、前記隔壁層内壁が前記基板に対してなす角度は６０〜７０°であり、前記隔壁層外壁が前記基板に対してなす角度は４５°以下である。
【０００９】
本発明では、隔壁層および有機ＥＬ素子を覆う封止層によって、有機ＥＬ素子を水分や酸素などから保護する。ここで、封止層において画素領域を外側で囲む部分は、隔壁層外壁に積層されるが、かかる隔壁層外壁は、隔壁層内壁に比較して前記基板に対してなす角度が小さいテーパー面になっている。すなわち、本発明では、隔壁層内壁については基板に対してなす角度を大きな構造とし、隔壁層外壁については基板に対してなす角度を小さくしてある。このため、封止層は、基板に対してなす角度が小さい隔壁層外壁上に積層されるので、封止層にクラックが発生しにくい。それ故、有機ＥＬ素子を水分や酸素から確実に保護することができる。また、隔壁層内壁は、基板に対してなす角度が大きいため、有機ＥＬ素子の形成領域に大きく張り出すことがない。従って、有機ＥＬ素子の面積が広い。それ故、本発明によれば、有機ＥＬ素子の面積を狭めることなく、封止層による封止性能の向上を図ることができるので、輝度が大きく、かつ、信頼性の高い有機ＥＬ装置を実現することができる。
【００１０】
また、本発明では、基板上で画素領域を複数の領域に区画する隔壁層と、該隔壁層により囲まれた領域に設けられた有機ＥＬ素子と、前記隔壁層および前記有機ＥＬ素子を覆う封止層と、を有する有機ＥＬ装置の製造方法において、前記隔壁層を形成するにあたっては、前記基板上に感光性樹脂を塗布する感光性樹脂塗布工程と、当該感光性樹脂のうち、前記隔壁層において前記画素領域の外側に位置する隔壁層外壁を形成する樹脂部分については、前記画素領域に近い領域と前記画素領域から遠い領域との間で異なる光量で露光する露光工程と、を行ない、当該隔壁層外壁を前記隔壁層において前記画素領域の内側に位置する隔壁層内壁に比較して前記基板に対してなす角度が小さいテーパー面とすることを特徴とする。
【００１１】
本発明では、感光性樹脂によって隔壁層を形成する際、露光工程において、感光性樹脂のうち、隔壁層外壁を形成する樹脂部分については、画素領域に近い領域と画素領域から遠い領域との間で異なる光量で露光する。このため、隔壁層外壁を隔壁層内壁に比較して前記基板に対してなす角度が小さいテーパー面とすることができる。
【００１２】
本発明において、前記封止層は、無機膜からなる第１封止層と、該第１封止層の上層に積層された樹脂層からなる第２封止層と、該第２封止層の上層に積層された無機膜からなる第３封止層と、を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、第１封止層を電極保護層とし、第２封止層については有機緩衝層とし、第３封止層についてはガスバリア層とすることができる。また、第１封止層や第３封止層は薄くて硬質の無機膜であり、物理気相堆積法により成膜されるため、基板に対して大きな角度をなす隔壁層外壁上ではクラックが発生しやすいが、本発明によれば、かかるクラックの発生を確実に防止することができる。
【００１３】
本発明において、前記基板上において前記有機ＥＬ素子の下層側には、少なくとも、前記有機ＥＬ素子と平面的に重なる領域、および前記隔壁層外壁と平面的に重なる領域に反射層を備え、当該反射層において前記隔壁層外壁と平面的に重なる領域には、前記画素領域に近い領域と前記画素領域から遠い領域との間で開口密度が相違する開口部が形成されている構成を採用することができる。
【００１４】
かかる構成の有機ＥＬ装置では、以下の製造方法を採用することができる。すなわち、本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法では、前記基板上に前記隔壁層および前記有機ＥＬ素子を形成する前に、前記有機ＥＬ素子と平面的に重なる領域、および前記隔壁層外壁と平面的に重なる領域に反射層を形成する反射層形成工程を有し、当該反射層形成工程では、前記反射層において前記隔壁層外壁と平面的に重なる領域に、前記画素領域に近い領域と前記画素領域から遠い領域との間で開口密度が相違する開口部を形成し、前記露光工程では、前記反射層において前記感光性樹脂が位置する側とは反対側から前記開口部を介して前記感光性樹脂において前記隔壁層外壁を形成する樹脂部分を露光する。
【００１５】
かかる構成によれば、反射層によって、感光性樹脂において隔壁層外壁を構成する部分に対してハーフ露光（諧調露光）を行なうことができる。それ故、感光性樹脂に対する露光工程では、高価なハーフ露光用マスクを用いる必要がないという利点がある。
【００１６】
本発明を適用した有機ＥＬ装置は、携帯電話機あるいはモバイルコンピューターなどの電子機器において直視型の表示部などとして用いられる。また、本発明を適用した有機ＥＬ装置は、プリンターやコピー機などの電子機器で用いられる露光ヘッドや、各種電子機器の照明装置などとして用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に封止基板の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である
【図３】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図、およびその一部を拡大して示す説明図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の相隣接する画素２つ分の平面図、およびそのＢ−Ｂ′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置における反射層と隔壁層との関係を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造工程のうち、反射層および第１電極層を形成する工程の工程断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造工程のうち、隔壁層を形成する工程の工程断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造工程のうち、素子基板１０上に隔壁層を形成する別の方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ装置の一部を拡大して示す説明図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ装置１００の製造工程のうち、素子基板上に隔壁層を形成する工程の工程断面図、および別の方法を示す工程断面図である。
【図１１】本発明に係る有機ＥＬ装置を用いた電子機器の説明図である。
【図１２】従来の有機ＥＬ装置の問題点を示す説明Ｚ図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明では、図１２を参照して説明した構成との対応が分りやすいように、可能な限り、対応する部分には同一の符号を付して説明する。なお、薄膜トランジスターでは、印加する電圧によってソースとドレインが入れ替わるが、以下の説明では、説明の便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとして説明する。
【００１９】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に封止基板の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【００２０】
図１に示す有機ＥＬ装置１００において、素子基板１０上には、複数の走査線３ａと、走査線３ａに対して交差する方向に延びる複数のデータ線６ａと、走査線３ａとデータ線６ａとの交差に対応する位置に形成された画素１０ｂとを有しており、複数の画素１０ｂがマトリクス状に配列されている領域によって画素領域１０ａが構成されている。また、素子基板１０上では、データ線６ａに並列して複数の電源線６ｇが延在し、走査線３ａに並列して複数の容量線３ｅが延在している。データ線６ａにはデータ線駆動回路１０１が接続され、走査線３ａには走査線駆動回路１０４が接続されている。複数の画素１０ｂの各々には、走査線３ａを介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスター３０ｂと、このスイッチング用の薄膜トランジスター３０ｂを介してデータ線６ａから供給される画素信号を保持する保持容量７０と、保持容量７０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスター３０ｃとが形成されている。また、複数の画素１０ｂの各々には、薄膜トランジスター３０ｃを介して電源線６ｇに電気的に接続したときに電源線６ｇから駆動電流が流れ込む第１電極層８１（陽極層／画素電極）が形成されており、かかる第１電極層８１上に、後述する有機機能層および第２電極層（陰極層）が積層されることにより有機ＥＬ素子８０が構成されている。
【００２１】
かかる有機ＥＬ装置１００では、走査線３ａが駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスター３０ｂがオンになると、そのときのデータ線６ａの電位が保持容量７０に保持され、保持容量７０が保持する電荷に応じて、駆動用の薄膜トランジスター３０ｃのオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスター３０ｃのチャネルを介して、電源線６ｇから第１電極層８１に電流が流れ、さらに有機機能層８２を介して第２電極層８３に電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子８０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２２】
このような有機ＥＬ装置１００は、携帯電話機やモバイルコンピューターなどの電子機器において表示部として用いることができ、カラー表示を行なう場合、図１に（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を付したように、各画素１０ｂは各々、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のサブピクセルを構成する。本形態では、同一の色に対応する画素１０ｂがデータ線６ａの延在方向に直線的に並ぶストライプ配列が採用されている。
【００２３】
本形態において、有機ＥＬ素子８０は、白色光、または赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の混合色光が出射され、画素１０ｂが赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれに対応するかは、後述するカラーフィルター層によって規定されている。
【００２４】
なお、図１に示す構成では、電源線６ｇおよび容量線３ｅが各々、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４から延在しているが、電源線６ｇおよび容量線３ｅが直接、端子１０２から延在している構成などを採用してもよい。また、図１に示す構成では、走査線３ａと並列に容量線３ｅを形成したが、容量線３ｅを形成せずに、電源線６ｇと薄膜トランジスター３０ｂのドレインとの間に保持容量７０を形成することもできる。
【００２５】
（有機ＥＬ装置の具体的構成）
図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の平面的な構成を各構成要素と共に第２基板側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。なお、図２（ｂ）にはカラーフィルター層などの図示を省略してある。図２（ａ）、（ｂ）において、本形態の有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、封止部材およびカラーフィルター基板としての機能を担う封止基板２０とを備えており、素子基板１０において、複数の有機ＥＬ素子８０が形成されている面側に封止基板２０が重ねて配置されている。
【００２６】
素子基板１０と封止基板２０とは、第１シール材層９１および第２シール材層９２によって貼り合わされている。かかる第１シール材層９１および第２シール材層９２の詳細な構成は後述するが、第１シール材層９１は、図２（ａ）にドットを密に付した領域で示してあるように、画素領域１０ａの周りを囲む周辺領域１０ｃに沿って枠状に形成されている。これに対して、第２シール材層９２は、図２（ａ）にドットを疎に付した領域で示してあるように、第１シール材層９１で囲まれた領域の全体にわたって形成されている。
【００２７】
素子基板１０において、封止基板２０からの張り出し領域には端子１０２が形成されている。また、素子基板１０において、周辺領域１０ｃや、画素領域１０ａと周辺領域１０ｃとに挟まれた領域を利用して、図１を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４（図示せず）が形成されている。
【００２８】
（素子基板１０の回路部等の構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図、およびその一部を拡大して示す説明図である。なお、図３には、有機ＥＬ素子として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応する３つの有機ＥＬ素子のみを示してあり、回路部を構成する配線などの図示は省略してある。図４（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置１００の相隣接する画素２つ分の平面図、およびそのＢ−Ｂ′線に相当する位置で素子基板１０を切断したときの断面図である。なお、図４（ａ）では、第１電極層８１は長い点線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａおよびそれと同時形成された薄膜は実線で示し、半導体層は短い点線で示してある。また、図４（ａ）において隔壁層は右上がりの点線を付した領域として示してある。
【００２９】
図３（ａ）、（ｂ）および図４（ａ）、（ｂ）において、素子基板１０では、ガラスなどの透光性の基板本体１０ｄの表面上に下地絶縁層１０ｅ、および絶縁膜１１、１２、１３、１４、１５が形成されており、絶縁膜１１、１２、１３、１４、１５の層間を利用して、以下に説明する回路部が構成されている。
【００３０】
まず、素子基板１０上には、複数の透明な第１電極層８１（長い点線で囲まれた領域）がマトリクス状に形成され、第１電極層８１の縦横の境界領域に沿ってデータ線６ａ（一点鎖線で示す領域）、電源線６ｇ（一点鎖線で示す領域）、走査線３ａ（実線で示す領域）および容量線３ｅ（実線で示す領域）が形成されている。
【００３１】
素子基板１０では、基板本体１０ｄの表面にシリコン酸化膜などからなる下地絶縁層１０ｅが形成されているとともに、その上層側に薄膜トランジスター３０ｃが形成されている。薄膜トランジスター３０ｃは、ポリシリコン膜などからなる島状の半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、ソース領域１ｈ、およびドレイン領域１ｉが形成されている。半導体層１ａの表面側にはゲート絶縁層１１が形成されており、ゲート絶縁層１１の表面にゲート電極３ｆが形成されている。ゲート電極３ｆは、薄膜トランジスター３０ｂのドレインに対して、中継電極６ｓを介して電気的に接続し、かかる中継電極６ｓは容量線３ｅと平面的に重なって保持容量７０を構成している。ゲート電極３ｆ、走査線３ａおよび容量線３ｅが同一の導電膜によって形成されている。なお、薄膜トランジスター３０ｂの基本的な構成は、薄膜トランジスター３０ｃと同様であるため、説明を省略する。
【００３２】
薄膜トランジスター３０ｃの上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる絶縁膜１２と、シリコン窒化膜からなる絶縁膜１３と、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる絶縁膜１４（平坦化膜）と、シリコン窒化膜などからなる透光性の絶縁膜１５とが形成されている。絶縁膜１２の表面（絶縁膜１２、１３の層間）には、データ線６ａ、電源線６ｇ、ドレイン電極６ｈ、および中継電極６ｓが同一の導電膜によって形成され、電源線６ｇは、絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｇを介してソース領域１ｈに電気的に接続している。ドレイン電極６ｈは、絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｈを介してドレイン領域１ｉに電気的に接続している。
【００３３】
このようにして素子基板１０上には、異なる絶縁膜上に形成された複数種類の導電膜によって、薄膜トランジスター３０ｂ、３０ｃ、保持容量７０、および各種配線が形成されている。絶縁膜１５の表面にはＩＴＯ膜からなる第１電極層８１が形成されており、第１電極層８１は、絶縁膜１３、１４、１５に形成されたコンタクトホール１４ｇ、１５ｇを介してドレイン電極６ｈに電気的に接続している。
【００３４】
（隔壁層５１の基本構成）
第１電極層８１の上層側には、発光領域を規定するための開口部を備えた厚い隔壁層５１が形成されている。隔壁層５１は感光性樹脂からなり、本形態では、かかる感光性樹脂として感光性アクリル樹脂が用いられている。
【００３５】
隔壁層５１は、画素領域１０ａを複数の領域に区画しており、かかる隔壁層５１で囲まれた領域内に有機ＥＬ素子８０が設けられている。隔壁層５１は、高さ寸法が２μｍ程度、幅寸法が１０μｍ程度であり、画素１０ｂを一つずつ囲むように格子状に形成されている。画素領域１０ａは、例えば、最外周に位置する隔壁層５１の上面の幅方向の中間位置を結んだ線によって定義される。
【００３６】
本形態においては、同一の色に対応する画素１０ｂがデータ線６ａの延在方向に直線的に並ぶストライプ配列（図１参照）が採用されている。かかる構成の場合、異なる色に対応する画素１０ｂの境界領域に沿って、隔壁層５１をストライプ状に形成することもある。
【００３７】
（有機ＥＬ素子の構成）
第１電極層８１の上層には、有機機能層８２および第２電極層８３が積層されており、第１電極層８１、有機機能層８２および第２電極層８３によって、有機ＥＬ素子８０が形成されている。本形態において、有機機能層８２および第２電極層８３は、隔壁層５１が形成されている領域も含めて、画素領域１０ａの全面にわたって形成されている。隔壁層５１の上面部において、有機機能層８２と第２電極層８３との間には補助陰極線８４が形成されている。かかる補助陰極線８４は、第２電極層８３の上層に形成されることもある。
【００３８】
有機機能層８２は、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体からなる正孔注入層、ＴＰＤ（トリフェニルジアミン）系正孔輸送層、アントラセン系ドーパントやルブレン系ドーパントを含むスチリルアミン系材料（ホスト）からなる発光層、アルミニウムキノリノール（Ａｌｑ3）からなる電子注入層をこの順に積層した構造を有しており、その上層にＭｇＡｇなどの薄膜金属からなる第２電極層８３が形成されている。有機機能層８２と第２電極層８３との間には、ＬｉＦからなる電子注入バッファ層が形成されることもある。これらの材料のうち、有機機能層８２を構成する各層、および電子注入バッファ層は、加熱ボート（るつぼ）を用いた真空蒸着法で順次形成することができる。また、第２電極層８３などを構成する金属系材料については真空蒸着法により形成でき、第１電極層８１を構成するＩＴＯなどの酸化物材料についてはＥＣＲプラズマスパッタ法やプラズマガン方式イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタ法などの高密度プラズマ成膜法により形成することができる。
【００３９】
本形態の有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション型であり、矢印Ｌ１で示すように、基板本体１０ｄからみて有機ＥＬ素子８０が形成されている側から光を取り出すので、基板本体１０ｄとしては、アルミナなどのセラミックス、ステンレススチールなどといった不透明な基板を用いることも可能である。また、絶縁膜１４、１５の層間には、アルミニウム、銀、それらの合金からなる反射層４１が形成されており、有機ＥＬ素子８０から基板本体１０ｄに向けて出射された光を反射層４１で反射することにより、光を出射可能である。なお、有機ＥＬ装置１００をボトムエミッション型で構成した場合、基板本体１０ｄの側から光を取り出すので、基板本体１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板が用いられる。
【００４０】
本形態において、有機ＥＬ素子８０は、白色光、または赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の混合色光を出射する。このため、有機ＥＬ装置１００では、封止基板２０において、有機ＥＬ素子８０と対向する位置に形成した赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルター層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）によって色変換を行なうことにより、フルカラー表示を行なう。すなわち、封止基板２０には、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリオレフィンなどプラスチック基板や、ガラス基板などからなる透光性の基板本体２０ｄに、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルター層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の間で光の漏洩を防止するための遮光層２３（ブラックマトリックス層）、透光性の平坦化膜２４、酸窒化シリコン層などからなる透光性のガスバリア層２５がこの順に形成されている。本形態において、カラーフィルター層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、遮光層２３、平坦化膜２４、およびガスバリア層２５は、封止基板２０の画素領域１０ａのみに形成され、周辺領域１０ｃには形成されていない。このため、封止基板２０の周辺領域１０ｃでは、基板本体２０ｄが露出している。
【００４１】
カラーフィルター層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）は、透明樹脂バインダーに顔料または染料が混合されている層であり、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）を用いるのが基本であるが、目的に応じてライトブルーやライトシアン、白などを加えてもよい。カラーフィルター層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の厚みは、光線透過率を考慮して極力薄い方がよく、０．１〜１.５μｍの範囲で形成され、その厚さは、対応する色によって相違させることもある。遮光層２３は、黒色顔料を含んだ樹脂からなり、その厚さは、カラーフィルター層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）よりも厚く、１〜２μｍ前後の膜厚が好ましいが、これ以上の膜厚であってもよい。なお、封止基板２０には、紫外線の入射を防止する紫外線遮断・吸収層や、光反射防止層、放熱層などの機能層が形成されることもある。
【００４２】
（封止層６０の構成）
このように構成した有機ＥＬ装置１００において、有機機能層８２、陰極として用いた第２電極層８３、電子注入層などは、水分により劣化しやすく、かかる劣化は、電子注入効果の劣化を惹き起こし、ダークスポットと呼ばれる非発光部分を発生させてしまう。そこで、本形態では、素子基板１０に対して以下に説明する封止層６０を形成した構成と、封止基板２０と素子基板１０とを貼り合せた構成とを併用する。
【００４３】
まず、素子基板１０には、第２電極層８３の上層に画素領域１０ａよりも広い領域にわたって封止層６０が形成されており、封止層６０は、有機ＥＬ素子８０および隔壁層５１を覆っている。かかる封止層６０として、本形態では、第２電極層８３上に積層されたシリコン化合物層からなる第１封止層６１、この第１封止層６１上に積層された樹脂層からなる第２封止層６２、およびこの第２封止層６２上に積層されたシリコン化合物からなる第３封止層６３を備えた積層膜が用いられている。
【００４４】
第１封止層６１および第３封止層６３は、高密度プラズマ源を用いた高密度プラズマ気相成長法、例えば、ブラズマガン方式イオンプレーティング、ＥＣＲプラズマスパッタ、ＥＣＲプラズマＣＶＤ、表面波プラズマＣＶＤ、ＩＣＰ−ＣＶＤなどを用いて成膜された窒化シリコン（ＳｉＮx）や酸窒化シリコン（ＳｉＯxＮy）などから構成されている。かかる薄膜は、低温で成膜しても水分を確実に遮断する高密度ガスバリア層として機能する。第１封止層６１の膜厚は、例えば１００〜２００ｎｍであり、第３封止層６３の膜厚は、例えば２００〜６００ｎｍである。
【００４５】
第２封止層６２は、膜厚が３〜１０μｍの樹脂層から構成されており、素子基板１０の反りや体積膨張により発生する応力を緩和することにより、第２電極層８３からの第１封止層６１の剥離や、第１封止層６１でのクラックの発生を防止する機緩衝層として機能する。また、第２封止層６２は、隔壁層５１や配線などに起因する表面凹凸を平坦化して第３封止層６３を平坦化する。従って、第２封止層６２は、第３封止層６３での応力集中を防止し、第３封止層６３でのクラックの発生を防止する。かかる第３封止層６３は、例えば、エポキシ基を有する分子量３０００以下のエポキシモノマー／オリゴマーが用いられる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシオリゴマーやビスフェノールＦ型エポキシオリゴマー、フェノールノボラック型エポキシオリゴマー、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、アルキルグリシジルエーテル、３，４-エポキシシクロヘキセニルメチル-３'，４'-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ε-カプロラクトン変性３，４-エポキシシクロヘキシルメチル３'，４'-エポキシシクロヘキサンカルボキレートなどを単独、若しくは複数組み合わされて用いられる。また、エポキシモノマー／オリゴマーと反応する硬化剤としては、電気絶縁性や接着性に優れ、かつ、硬度が高く強靭で耐熱性に優れる硬化被膜を形成するものが良く、透明性に優れ、かつ硬化のばらつきの少ない付加重合型がよい。例えば、３−メチル−１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸、メチル−３，６−エンドメチレン−１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物などの酸無水物系硬化剤が好ましい。さらに、酸無水物の反応（開環）を促進する反応促進剤として１，６−ヘキサンジオールなど分子量が大きく揮発しにくいアルコール類やアミノフェノールなどのアミン化合物を微量添加することで低温硬化しやすくなる。これらの硬化は６０〜１００℃の範囲の加熱で行われ、その硬化被膜はエステル結合を持つ高分子となる。
【００４６】
第２封止層６２を形成するにあたっては、硬化時間を短縮するためよく用いられるカチオン放出タイプの光重合開始剤を用いてもよいが、硬化収縮が急激に進まないよう反応の遅いものが良く、また、塗布後の加熱による粘度低下で平坦化を進めるように最終的には熱硬化を用いて硬化物を形成するものが好ましい。さらに、第１封止層６１および第３封止層６３との密着性を向上させることを目的にシランカップリング剤や、イソシアネート化合物などの捕水剤、硬化時の収縮を防ぐ微粒子などの添加物を混入してもよい。なお、第２封止層６２は、膜厚が厚い方が好ましい。但し、第２封止層６２の膜厚が１０μｍを超えると、光を取り出す効率が低下してしまう。
【００４７】
本形態では、封止層６０を構成する第１封止層６１および第３封止層６３（高密度ガスバリア層）は、画素領域１０ａから周辺領域１０ｃ付近までの広い領域にわたって形成されている。これに対して、第２封止層６２は、画素領域１０ａおよび画素領域１０ａの近傍領域のみに分厚く形成され、周辺領域１０ｃ付近には形成されていない。このため、第１封止層６１と第３封止層６３とは、第２封止層６２を外周側で積層された状態にある。なお、絶縁膜１４、１５は概ね、画素領域１０ａおよび画素領域１０ａの近傍領域のみに形成され、絶縁膜１４、１５の形成領域は第２封止層６２の形成領域よりも狭い。
【００４８】
（隔壁層５１の詳細構成およびその効果）
図５は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置１００における反射層４１と隔壁層５１との関係を示す説明図である。
【００４９】
図３（ａ）、（ｂ）において、隔壁層５１は、画素領域１０ａの内側に位置する隔壁層内壁５１１、および画素領域１０ａの外側に位置する隔壁層外壁５１２のいずれもがテーパー面になっている。隔壁層内壁５１１は、素子基板１０に用いた基板本体１０ｄに対して角度Θ1をなしており、隔壁層外壁５１２は、素子基板１０に用いた基板本体１０ｄに対して角度Θ2をなしている。ここで、角度Θ1および角度Θ2はいずれも９０°以下である。
【００５０】
また、封止層６０は、隔壁層５１および有機ＥＬ素子８０を覆うように形成されている。このため、封止層６０は、画素領域１０ａの外側では、隔壁層外壁５１２の上に積層されている。かかる封止層６０では、封止層６０において画素領域１０ａを外側で囲む部分にクラックが発生していないことが重要であり、それには、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2が小さいことが好ましい。
【００５１】
一方、画素１０ｂから出射される光の輝度を高めるには、有機ＥＬ素子８０の形成面積が広い方が好ましく、それには、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1が大きいことが好ましい。
【００５２】
そこで、本形態では、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1と、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2とを比較すると、以下の関係
Θ1 ＞ Θ2
になるように設定してある。すなわち、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2は、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1よりも小さい。例えば、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1は６０〜７０°であり、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2は４５°以下である。
【００５３】
従って、封止層６０は、基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1が小さな隔壁層外壁５１２上に積層されるので、封止層６０にはクラックが発生しない。特に、第１封止層６１や第３封止層６３は薄くて硬質の無機膜であり、物理気相堆積法により成膜されるため、素子基板１０に対して大きな角度をなす隔壁層外壁５１２上ではクラックが発生しやすいが、本形態によれば、かかるクラックの発生を確実に防止することができる。それ故、本形態によれば、有機ＥＬ素子８０を水分や酸素から保護することができる。
【００５４】
また、隔壁層内壁５１１は、基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1が大きいため、有機ＥＬ素子８０の形成領域に大きく張り出すことがない。従って、有機ＥＬ素子８０の面積が広い。それ故、本形態によれば、有機ＥＬ素子８０の面積を狭めることなく、封止層６０による封止性能の向上を図ることができるので、輝度が大きく、かつ、信頼性の高い有機ＥＬ装置１００を実現することができる。
【００５５】
また、本形態では、第１電極層８１の下層側では、反射層４１が各画素１０ｂ毎に形成されており、互いに隣り合う反射層４１の間には、隔壁層５１と重なる領域で途切れている。但し、本形態では、画素領域１０ａの最外周に位置する反射層４１は、画素領域１０ａの外側まで延在しており、かかる反射層４１において、隔壁層外壁５１２と平面的に重なる部分４１ｂにはスリット状の開口部４１ｃが形成されている。
【００５６】
ここで、スリット状の開口部４１ｃは、後述する露光工程で、隔壁層外壁５１２を形成する際にハーフ露光（諧調露光）を行なうためのマスクとして利用される。このため、図５に示すように、反射層４１において隔壁層外壁５１２と平面的に重なる部分４１ｂは、画素領域１０ａに近い領域と画素領域１０ａから遠い領域との間で開口密度が相違している。本形態では、隔壁層５１をポジタイプの感光性樹脂（ポジタイプの感光性アクリル樹脂）により形成する。このため、反射層４１において隔壁層外壁５１２と平面的に重なる部分４１ｂは、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって開口密度が高くなっている。
【００５７】
（封止基板２０による封止）
本形態では、図２（ａ）、（ｂ）、および図３（ａ）に示すように、素子基板１０と封止基板２０との間では、周辺領域１０ｃに沿って第１シール材層９１が矩形枠状に形成され、周辺領域１０ｃで囲まれた領域の全体にわたって透光性の第２シール材層９２が形成されており、素子基板１０と封止基板２０とは、第１シール材層９１および第２シール材層９２によって貼り合わされている。
【００５８】
本形態において、第２シール材層９２（第２シール材９２ａ）には、熱によって硬化するエポキシ系接着剤が用いられている。第１シール材層９１（第１シール材９１ａ）は、素子基板１０と封止基板２０との間に介在して素子基板１０と封止基板２０との基板間隔を制御するビーズ状あるいはファイバー状のギャップ材９１ｅ（図２参照）が樹脂９１ｒ中に分散された構造になっており、素子基板１０と封止基板２０との間隙はギャップ材９１ｅによって制御されている。第１シール材層９１において、樹脂９１ｒには、紫外線によって硬化するエポキシ系接着剤が用いられている。
【００５９】
かかる第１シール材層９１および第２シール材層９２によって封止を行なうには、第１シール材塗布工程において、ディスペンサー描画、スクリーン印刷法、マイクロピエゾヘッドを用いたインクジェット法などにより、素子基板１０の周辺領域１０ｃに対して、前記した光硬化性のエポキシ樹脂材料からなる樹脂９１ｒ中にギャップ材９１ｅが分散された第１シール材９１ａを１ｍｍ以下の狭い幅寸法に塗布する。
【００６０】
次に、第２シール材塗布工程において、ディスペンサー描画、スクリーン印刷法、マイクロピエゾヘッドを用いたインクジェット法などにより、素子基板１０において、第１シール材９１ａ囲まれた領域内に、前記した熱硬化性のエポキシ樹脂材料からなる第２シール材９２ａを塗布する。
【００６１】
次に、重ね合わせ工程では、真空度１Ｐａ程度の減圧雰囲気中で、第１シール材９１ａおよび第２シール材９２ａを間に挟むように素子基板１０と封止基板２０とをアライメントしながら重ね合わせる。その際、約６００Ｎ程度の力で封止基板２０を素子基板１０に向けて加圧し、この状態を約２００秒保持する。かかる重ね合わせ工程では、まず、第１シール材９１ａが封止基板２０に接触して内側が密閉され、その後、素子基板１０と封止基板２０との間で第２シール材９２ａが展開する。
【００６２】
次に、常圧に戻すと、大気圧によって加圧されたのと同様な状態になるので、素子基板１０と封止基板２０との間で第２シール材９２ａが隅々まで展開し、第２シール材９２ａの充填性が向上する。その際、第１シール材９１ａは、第２シール材９２ａに対するバンクとして機能する。このため、減圧状態から常圧に戻した際に大気圧によって加圧されたのと同様な状態になっても、第２シール材９２ａは、第１シール材９１ａによって堰き止められ、外側に流出しない。なお、素子基板１０と封止基板２０との間には、第１シール材９１ａが含有するギャップ材９１ｅによって所定の隙間が確保される。
【００６３】
次に、シール材固化工程では、第１シール材９１ａを固化させて第１シール材層９１を形成するとともに、第２シール材９２ａを固化させて第２シール材層９２を形成する。本形態において、第１シール材９１ａは光硬化性であり、第２シール材９２ａは熱硬化性である。そこで、素子基板１０または／および封止基板２０の側から第１シール材９１ａに対して紫外線を照射して第１シール材９１ａのみを選択的に硬化させて、第１シール材層９１を形成する。次に、第１シール材層９１によって貼り合わされた素子基板１０と封止基板２０とをホットプレート上に配置した状態で、有機ＥＬ素子８０が劣化しない温度条件、例えば１００℃以下の温度条件、より具体的には６０〜１００℃の温度条件で加熱を行い、素子基板１０と封止基板２０との間で第２シール材９２ａを隅々まで行き渡らせながら第２シール材９２ａを硬化させ、第２シール材層９２を形成する。このようにして、素子基板１０と封止基板２０とを第１シール材層９１および第２シール材層９２によって貼り合わせた構造とする。
【００６４】
（本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造方法の第１例）
図６および図７を参照して、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造方法の第１例を説明する。図６は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造工程のうち、反射層および第１電極層を形成する工程の工程断面図であり、図７は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造工程のうち、隔壁層を形成する工程の工程断面図である。なお、図７では、感光性樹脂において露光されていない部分には右上がりの破線のみを付し、露光された部分には右上がりの破線および右下がりの破線を付してある。また、図６および図７では、下地絶縁層１０ｅの図示を省略してある。
【００６５】
本形態の有機ＥＬ装置１００を製造するには、図６（ａ）に示すように、基板本体１０ｄ上に絶縁膜１４までを形成した後、図６（ｂ）に示すように、アルミニウムなどの反射性金属４１ｘを形成する。次に、反射性金属４１ｘの表面に、図３、図４および図５を参照して説明した反射層４１の形成パターンと同一のマスクパターンを有するエッチングマスク９９を形成する。
【００６６】
次に、エッチングマスク９９の開孔部を介して反射性金属４１ｘをエッチングした後、エッチングマスク９９を除去すれば、図６（ｃ）に示すように反射層４１が形成される。かかる反射層４１において、図３（ａ）、（ｂ）を参照して説明した隔壁層外壁５１２と平面的に重なる部分４１ｂに、図５に示す開口部４１ｃが形成されている。
【００６７】
次に、図６（ｄ）に示すように、反射層４１の上層側に絶縁膜１５を形成する。次に、絶縁膜１５に、図４（ｂ）を参照して説明したコンタクトホール１５ｇを形成する。次に、絶縁膜１５の表面にＩＴＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてＩＴＯ膜をパターニングし、第１電極層８１を形成する。
【００６８】
次に、図７（ａ）に示すように、第１電極層８１の上層側にポジタイプの感光性樹脂５１ｘを塗布した後、図７（ｂ）および図７（ｃ）に示す露光工程を行なう。
【００６９】
かかる露光工程では、まず、図７（ｂ）に示すように、図３および図４に示す隔壁層５１で囲まれた領域が透光部９３ａになっている露光マスク９３を介して感光性樹脂５１ｘを露光する。その結果、感光性樹脂５１ｘにおいて透光部９３ａと重なる部分５１ｗが完全露光される。
【００７０】
次に、図７（ｃ）に示すように、反射層４１に対して感光性樹脂５１ｘが位置する側とは反対側から露光する。その結果、感光性樹脂５１ｘにおいて、反射層４１のスリット状の開口部４１ｃが形成されている部分と平面的に重なる部分５１ｚは、反射層４１のスリット状の開口部４１ｃを介してハーフ露光される。ここで、開口部４１ｃは、図５に示すように、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって幅寸法が拡大しており、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって開口密度が高くなっている。このため、感光性樹脂５１ｘにおいて、反射層４１のスリット状の開口部４１ｃが形成されている部分と平面的に重なる部分５１ｚでは、図７（ｃ）に模式的に示すように、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって露光量が増大していく。また、感光性樹脂５１ｘにおいて、周辺領域１０ｃや周辺領域１０ｃ付近に位置する部分５１ｙは完全露光される。その際、画素領域１０ａでは、隔壁層５１を形成する必要がある部分には、反射層４１や配線などの遮光膜が存在するので、露光されることがない。但し、反射層４１などの遮光層が形成されていない領域が存在し、かかる部分にも隔壁層５１を形成する必要がある場合、かかる領域については、露光マスク９４の遮光部９４ｂで覆っておけばよい。
【００７１】
次に、露光済みの感光性樹脂５１ｘを現像すると、完全露光された部分５１ｗ、５１ｙは完全に除去される。これに対して、隔壁層外壁５１２と平面的に重なる部分５１ｚでは、露光量が多い箇所では感光性樹脂５１ｘが多く除去され、露光量が少ない箇所では感光性樹脂５１ｘが少なく除去される。従って、現像後に残った感光性樹脂５１ｘを焼成すると、図７（ｄ）に示す隔壁層５１が形成される。かかる隔壁層５１では、画素領域１０ａの内側に位置する隔壁層内壁５１１、および画素領域１０ａの外側に位置する隔壁層外壁５１２のいずれもがテーパー面になっている。但し、ハーフ露光によって形成された隔壁層外壁５１２では、完全露光によって形成された隔壁層内壁５１１に比して、基板本体１０ｄに対してなす角度が小さい。このため、隔壁層５１において、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1と、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2とを比較すると、以下の関係
Θ1 ＞ Θ2
になっている。例えば、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1は６０〜７０°であり、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2は４５°以下である。
【００７２】
しかる後には、有機機能層８２、補助陰極線８４、第２電極層８３、封止層６０（第１封止層６１、第２封止層６２、第３封止層６３）を順次形成していく。そして、封止層６０を形成する際には、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2が小さいため、封止層６０において隔壁層外壁５１２を覆う部分にクラックが発生することがない。
【００７３】
このように本形態では、隔壁層５１を形成する際、ハーフ露光を行なって、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2を小さくする。このため、ハーフ露光の際の光量分布を変えるだけで、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2を最適な角度に設定することができる。また、ハーフ露光を行なう際、反射層４１に形成したスリット状の開口部４１ｃを介して背面露光を行なう。このため、ハーフ露光用の高価な露光マスクを必要としない。また、反射層４１に対する遮光層外壁５１２の位置に高い精度で得ることができる。
【００７４】
（本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造方法の第２例）
図８を参照して、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造方法の第２例を説明する。図８は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造工程のうち、素子基板１０上に隔壁層を形成する別の方法を示す工程断面図である。図８では、感光性樹脂において露光されていない部分には右上がりの破線のみを付し、露光された部分には右上がりの破線および右下がりの破線を付してある。なお、本形態の方法で製造した有機ＥＬ装置１００の構造は、図１〜図５を参照して説明した構成と同一であるため、構造についての詳細な説明を省略する。
【００７５】
図５〜図７を参照して説明した例では、反射層４１のスリット状の開口部４１ｃを介してポジタイプの感光性樹脂をハーフ露光するため、図５に示すように、スリット状の開口部４１ｃは、反射層４１において隔壁層外壁５１２と平面的に重なる部分４１１は、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって開口密度が高くなっていた。これに対して、本形態では、ポジタイプの感光性樹脂に代えて、ネガタイプの感光性樹脂を用いる。また、本形態でも、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、反射層４１において、隔壁層外壁５１２と平面的に重なる部分４１１にはスリット状の開口部４１ｃを形成するが、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって開口密度が低くなっている。
【００７６】
かかる構成の場合、例えば、図８（ａ）に示すように、ネガタイプの感光性樹脂５１ｅを塗布した後、画素領域１０ａ内において隔壁層５１を形成したい部分と重なる部分が透光部９５ａになっている露光マスク９５を用いて感光性樹脂５１ｅを露光する。その結果、感光性樹脂５１ｅにおいて、透光部９５ａと重なる部分５１ｆが完全露光される。
【００７７】
次に、図８（ｂ）に示すように、反射層４１に対して感光性５１ｅが位置する側とは反対側から露光する。その際、周辺領域１０ｃや周辺領域近傍など、隔壁層５１を一切、形成しない部分については、露光マスク９６の遮光部９６ｂで覆っておく。その結果、感光性樹脂５１ｅにおいて、スリット状の開口部４１ｃが形成されている部分と平面的に重なる部分５１ｇは、反射層４１のスリット状の開口部４１ｃを介してハーフ露光される。ここで、開口部４１ｃは、図５に示す構成とは反対に、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって幅寸法が狭くなっており、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって開口密度が低くなっている。このため、感光性樹脂５１ｅにおいて、ハーフ露光された部分５１ｇでは、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって露光量が減少していく。
【００７８】
従って、露光済みの感光性樹脂５１ｅを現像すると、一切露光されなかった部分は完全に除去され、完全露光された部分５１ｆが残る。また、ハーフ露光された部分５１ｇでは、露光量が少ない箇所では感光性樹脂５１ｅが多く除去され、露光量が多い箇所では感光性樹脂５１ｅが少なく除去される。従って、現像後に残った感光性樹脂５１ｅを焼成すると、図３に示す隔壁層５１が形成される。かかる隔壁層５１では、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1と、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2とを比較すると、以下の関係
Θ1 ＞ Θ2
になっている。例えば、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1は６０〜７０°であり、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2は４５°以下である。このため、封止層６０を形成した際、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2が小さいため、封止層６０において隔壁層外壁５１２を覆う部分にクラックが発生することがない。また、本形態では、ハーフ露光を行なう際、反射層４１に形成したスリット状の開口部４１ｃを介して背面露光を行なう。このため、ハーフ露光用の高価な露光マスクを必要としない。また、反射層４１に対する遮光層外壁５１２の位置に高い精度で得ることができる。
【００７９】
［実施の形態２］
図９は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ装置の一部を拡大して示す説明図であり、図３（ｂ）に対応する。図１０（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ装置１００の製造工程のうち、素子基板１０上に隔壁層を形成する工程の工程断面図、および別の方法を示す工程断面図である。図１０では、感光性樹脂において露光されていない部分には右上がりの破線のみを付し、露光された部分には右上がりの破線および右下がりの破線を付してある。なお。本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同一であるため、共通する部分の説明を省略する。
【００８０】
図９に示すように、本形態の有機ＥＬ装置１００でも、実施の形態１と同様、隔壁層５１は、画素領域１０ａの内側に位置する隔壁層内壁５１１、および画素領域１０ａの外側に位置する隔壁層外壁５１２のいずれもがテーパー面になっている。また、本形態でも、実施の形態１と同様、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1と、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2とを比較すると、以下の関係
Θ1 ＞ Θ2
になるように設定してある。すなわち、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2は、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1よりも小さい。例えば、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1は６０〜７０°であり、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2は４５°以下である。
【００８１】
従って、封止層６０は、基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1が小さな隔壁層外壁５１２上に積層されるので、封止層６０にはクラックが発生しにくい。それ故、有機ＥＬ素子８０を水分や酸素から保護することができる。また、隔壁層内壁５１１は、基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1が大きいため、有機ＥＬ素子８０の形成領域に大きく張り出すことがない。従って、有機ＥＬ素子８０の面積が広い。それ故、本形態によれば、有機ＥＬ素子８０の面積を狭めることなく、封止層６０による封止性能の向上を図ることができるので、輝度が大きく、かつ、信頼性の高い有機ＥＬ装置１００を実現することができる。
【００８２】
かかる有機ＥＬ装置１００において、本形態では、反射層４１は、隔壁層外壁５１２と平面的に重なる部分には形成されていない。その他の構成は実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００８３】
かかる構成の有機ＥＬ装置１００を製造するにあたって、本形態では、図１０（ａ）に示すように、第１電極層８１の上層側にポジタイプの感光性樹脂５１ｘを塗布した後、露光マスク９６による１回の露光を行なう。かかる露光マスク９６では、隔壁層５１で囲まれた領域と重なる部分など、感光性樹脂５１ｘを完全に除去する部分は透光部９６ａになっており、隔壁層５１を形成すべき部分は遮光部９６ｂになっている。また、露光マスク９６では、感光性樹脂５１ｘにおいて隔壁層外壁５１２を形成すべき部分と重なる部分には、スリット状の開口部９６ｃが形成されている。かかる開口部９６ｃは、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって幅寸法が拡張しており、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって開口密度が高くなっている。
【００８４】
従って、露光済みの感光性樹脂５１ｘを現像すると、完全露光された部分は完全に除去される。これに対して、感光性樹脂５１ｘにおいて、露光マスク９６の開口部９６ｃによってハーフ露光された部分のうち、露光量が多い箇所では感光性樹脂５１ｘが多く除去され、露光量が少ない箇所では感光性樹脂５１ｘが少なく除去される。従って、現像後に残った感光性樹脂５１ｘを焼成すると、図９に示す隔壁層５１が形成される。
【００８５】
また、図９に示す有機ＥＬ装置１００を製造するにあたって、ネガタイプの感光性樹脂５１ｅを用いた場合、図１０（ｂ）に示す露光マスク９７による１回の露光を行なう。かかる露光マスク９７では、隔壁層５１で囲まれた領域と重なる部分など、感光性樹脂５１ｅを完全に除去する部分は遮光部９７ｂになっており、隔壁層５１を形成すべき部分は透光部９７ａになっている。また、露光マスク９７では、感光性樹脂５１ｅにおいて隔壁層外壁５１２を形成すべき部分と重なる部分には、スリット状の開口部９７ｃが形成されている。かかる開口部９７ｃは、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって幅寸法が狭まっており、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって開口密度が低くなっている。
【００８６】
従って、露光済みの感光性樹脂５１ｅを現像すると、一切露光されなかった部分は完全に除去され、完全露光された部分が残る。また、ハーフ露光された部分では、露光量が少ない箇所では感光性樹脂５１ｅが多く除去され、露光量が多い箇所では感光性樹脂５１ｅが少なく除去される。従って、現像後に残った感光性樹脂５１ｅを焼成すると、図９に示す隔壁層５１が形成される。
【００８７】
［他の実施の形態］
上記実施の形態１、２では、封止基板２０にカラーフィルター層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を設けた場合を例に説明したが、有機ＥＬ素子自身が各色の光を出射する有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよく、この場合、封止基板２０は封止基板のみとして機能する。また、上記実施の形態では、カラー表示用の有機ＥＬ装置１００を例に説明したが、複写機の光学ヘッドなどとして利用する場合には、モノクロ仕様でよく、このようなモノクロ仕様の有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよい。この場合も、封止基板２０は封止部材のみとして機能する。
【００８８】
上記実施の形態１、２では、トップエミッション型の有機ＥＬ装置１００に本発明を適用したが、実施の形態２に係る構成は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に適用することができる。
【００８９】
上記実施の形態１、２では、有機機能層８２を画素領域１０ａの全面に形成した例を説明したが、隔壁層５１で囲まれた領域内にインクジェット法などで有機機能層を選択的に塗布した後、定着させて、第１電極層８１の上層には、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などからなる正孔注入層、および発光層からなる有機機能層が形成された有機ＥＬ装置に発明を適用してもよい。この場合、発光層は、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープした材料から構成される。また、発光層としては、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化しているπ共役系高分子材料が、導電性高分子でもあることから発光性能に優れるため、好適に用いられる。特に、その分子内にフルオレン骨格を有する化合物、すなわちポリフルオレン系化合物がより好適に用いられる。また、このような材料以外にも、共役系高分子有機化合物の前駆体と、発光特性を変化させるための少なくとも１種の蛍光色素とを含んでなる組成物も使用可能である。
【００９０】
［電子機器への搭載例］
図１１を参照して、上述した実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を搭載した電子機器について説明する。図１１は、本発明に係る有機ＥＬ装置を用いた電子機器の説明図である。
【００９１】
図１１（ａ）に、有機ＥＬ装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す。パーソナルコンピューター２０００は、表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図１１（ｂ）に、有機ＥＬ装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１１（ｃ）に、有機ＥＬ装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置１００に表示される。なお、有機ＥＬ装置１００が適用される電子機器としては、図１１（ａ）〜（ｃ）に示すものの他、デジタルスチールカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した有機ＥＬ装置１００が適用可能である。
【符号の説明】
【００９２】
１０・・素子基板、１０ａ・・画素領域、１０ｂ・・画素、１０ｃ・・周辺領域、２０・・封止基板、４１・・反射層、４１ｃ・・反射層の開口部、５１・・隔壁層、６０・・封止層、６１・・第１封止層、６２・・第２封止層、６３・・第３封止層、８０・・有機ＥＬ素子、８１・・第１電極層、８２・・有機機能層、８３・・第２電極層、１００・・有機ＥＬ装置、５１１・・隔壁層内壁、５１２・・隔壁層外壁
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）装置、その製造方法、および当該有機ＥＬ装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置は、図１２に示すように、概ね、素子基板１０上で画素領域１０ａを複数の領域に区画する隔壁層５１と、隔壁層５１により囲まれた領域に設けられた有機ＥＬ素子８０とを有している。有機ＥＬ素子８０は、第１電極層８１（陽極／画素電極）、有機機能層８２および第２電極層８３（陰極）が積層された構造を備えており、有機機能層８２と第２電極層８３との層間に、アルカリ金属やアルカリ土類金属を主成分とする電子注入層が配置される場合もある。このような有機ＥＬ素子８０に用いられる有機機能層８２や第２電極層８３は、非常に活性であるため、大気中に存在する水分や酸素と接触すると簡単に反応して変質する。かかる変質が起こると、電子注入効果が損なわれ、ダークスポットと呼ばれる非発光部分が発生してしまう。
【０００３】
そこで、隔壁層５１および有機ＥＬ素子８０を覆うように封止層６０を形成した構成が提案されており、かかる封止層６０としては、無機膜からなる第１封止層６１（電極保護層）、樹脂層からなる第２封止層６２（有機緩衝層）、および無機膜からなる第３封止層６３（ガスバリア層）の積層構造が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０５９８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の封止構造では、封止層６０において画素領域１０ａを外側で囲む部分にクラックが発生していないことが重要である。しかしながら、封止層６０において画素領域１０ａを外側で囲む部分は、素子基板１０に対して大きな角度をなす隔壁層外壁５１２上に積層されるため、封止層６０にクラックが発生しやすい。特に、第１封止層６１や第３封止層６３は薄くて硬質の無機膜であり、物理気相堆積法により成膜されるため、素子基板１０に対して大きな角度をなす隔壁層外壁５１２上ではクラックが発生しやすい。それ故、特許文献１に記載の封止構造では、有機機能層８２や第２電極層８３を確実に保護することができないという問題点がある。かといって、隔壁層５１の壁面を素子基板１０に対して小さな角度をなすようなテーパー面にすると、隔壁層５１において画素領域１０ａの内側に位置する隔壁層内壁５１１が有機ＥＬ素子８０の形成領域に大きく張り出すことになるため、有機ＥＬ素子８０の面積が狭くなって発光強度が低下する。それ故、従来は、封止性能の安定性と、発光強度の向上とは二律背反する課題であり、一方を実現しようとすると、他方が犠牲になってしまう。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、有機ＥＬ素子の形成領域を狭めることなく、封止層による封止性能の向上を図ることができる有機ＥＬ装置、その製造方法、および当該有機ＥＬ装置を用いた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る有機ＥＬ装置は、基板上で画素領域を複数の領域に区画する隔壁層と、該隔壁層により囲まれた領域に設けられた有機ＥＬ素子と、前記隔壁層および前記有機ＥＬ素子を覆う封止層と、を有し、前記隔壁層において前記画素領域の外側に位置する隔壁層外壁は、当該隔壁層において前記画素領域の内側に位置する隔壁層内壁に比較して前記基板に対してなす角度が小さいテーパー面になっていることを特徴とする。
【０００８】
本発明においては、例えば、前記隔壁層内壁が前記基板に対してなす角度は６０〜７０°であり、前記隔壁層外壁が前記基板に対してなす角度は４５°以下である。
【０００９】
本発明では、隔壁層および有機ＥＬ素子を覆う封止層によって、有機ＥＬ素子を水分や酸素などから保護する。ここで、封止層において画素領域を外側で囲む部分は、隔壁層外壁に積層されるが、かかる隔壁層外壁は、隔壁層内壁に比較して前記基板に対してなす角度が小さいテーパー面になっている。すなわち、本発明では、隔壁層内壁については基板に対してなす角度を大きな構造とし、隔壁層外壁については基板に対してなす角度を小さくしてある。このため、封止層は、基板に対してなす角度が小さい隔壁層外壁上に積層されるので、封止層にクラックが発生しにくい。それ故、有機ＥＬ素子を水分や酸素から確実に保護することができる。また、隔壁層内壁は、基板に対してなす角度が大きいため、有機ＥＬ素子の形成領域に大きく張り出すことがない。従って、有機ＥＬ素子の面積が広い。それ故、本発明によれば、有機ＥＬ素子の面積を狭めることなく、封止層による封止性能の向上を図ることができるので、輝度が大きく、かつ、信頼性の高い有機ＥＬ装置を実現することができる。
【００１０】
また、本発明では、基板上で画素領域を複数の領域に区画する隔壁層と、該隔壁層により囲まれた領域に設けられた有機ＥＬ素子と、前記隔壁層および前記有機ＥＬ素子を覆う封止層と、を有する有機ＥＬ装置の製造方法において、前記隔壁層を形成するにあたっては、前記基板上に感光性樹脂を塗布する感光性樹脂塗布工程と、当該感光性樹脂のうち、前記隔壁層において前記画素領域の外側に位置する隔壁層外壁を形成する樹脂部分については、前記画素領域に近い領域と前記画素領域から遠い領域との間で異なる光量で露光する露光工程と、を行ない、当該隔壁層外壁を前記隔壁層において前記画素領域の内側に位置する隔壁層内壁に比較して前記基板に対してなす角度が小さいテーパー面とすることを特徴とする。
【００１１】
本発明では、感光性樹脂によって隔壁層を形成する際、露光工程において、感光性樹脂のうち、隔壁層外壁を形成する樹脂部分については、画素領域に近い領域と画素領域から遠い領域との間で異なる光量で露光する。このため、隔壁層外壁を隔壁層内壁に比較して前記基板に対してなす角度が小さいテーパー面とすることができる。
【００１２】
本発明において、前記封止層は、無機膜からなる第１封止層と、該第１封止層の上層に積層された樹脂層からなる第２封止層と、該第２封止層の上層に積層された無機膜からなる第３封止層と、を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、第１封止層を電極保護層とし、第２封止層については有機緩衝層とし、第３封止層についてはガスバリア層とすることができる。また、第１封止層や第３封止層は薄くて硬質の無機膜であり、物理気相堆積法により成膜されるため、基板に対して大きな角度をなす隔壁層外壁上ではクラックが発生しやすいが、本発明によれば、かかるクラックの発生を確実に防止することができる。
【００１３】
本発明において、前記基板上において前記有機ＥＬ素子の下層側には、少なくとも、前記有機ＥＬ素子と平面的に重なる領域、および前記隔壁層外壁と平面的に重なる領域に反射層を備え、当該反射層において前記隔壁層外壁と平面的に重なる領域には、前記画素領域に近い領域と前記画素領域から遠い領域との間で開口密度が相違する開口部が形成されている構成を採用することができる。
【００１４】
かかる構成の有機ＥＬ装置では、以下の製造方法を採用することができる。すなわち、本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法では、前記基板上に前記隔壁層および前記有機ＥＬ素子を形成する前に、前記有機ＥＬ素子と平面的に重なる領域、および前記隔壁層外壁と平面的に重なる領域に反射層を形成する反射層形成工程を有し、当該反射層形成工程では、前記反射層において前記隔壁層外壁と平面的に重なる領域に、前記画素領域に近い領域と前記画素領域から遠い領域との間で開口密度が相違する開口部を形成し、前記露光工程では、前記反射層において前記感光性樹脂が位置する側とは反対側から前記開口部を介して前記感光性樹脂において前記隔壁層外壁を形成する樹脂部分を露光する。
【００１５】
かかる構成によれば、反射層によって、感光性樹脂において隔壁層外壁を構成する部分に対してハーフ露光（諧調露光）を行なうことができる。それ故、感光性樹脂に対する露光工程では、高価なハーフ露光用マスクを用いる必要がないという利点がある。
【００１６】
本発明を適用した有機ＥＬ装置は、携帯電話機あるいはモバイルコンピューターなどの電子機器において直視型の表示部などとして用いられる。また、本発明を適用した有機ＥＬ装置は、プリンターやコピー機などの電子機器で用いられる露光ヘッドや、各種電子機器の照明装置などとして用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に封止基板の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である
【図３】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図、およびその一部を拡大して示す説明図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の相隣接する画素２つ分の平面図、およびそのＢ−Ｂ′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置における反射層と隔壁層との関係を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造工程のうち、反射層および第１電極層を形成する工程の工程断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造工程のうち、隔壁層を形成する工程の工程断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造工程のうち、素子基板１０上に隔壁層を形成する別の方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ装置の一部を拡大して示す説明図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ装置１００の製造工程のうち、素子基板上に隔壁層を形成する工程の工程断面図、および別の方法を示す工程断面図である。
【図１１】本発明に係る有機ＥＬ装置を用いた電子機器の説明図である。
【図１２】従来の有機ＥＬ装置の問題点を示す説明Ｚ図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明では、図１２を参照して説明した構成との対応が分りやすいように、可能な限り、対応する部分には同一の符号を付して説明する。なお、薄膜トランジスターでは、印加する電圧によってソースとドレインが入れ替わるが、以下の説明では、説明の便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとして説明する。
【００１９】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に封止基板の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【００２０】
図１に示す有機ＥＬ装置１００において、素子基板１０上には、複数の走査線３ａと、走査線３ａに対して交差する方向に延びる複数のデータ線６ａと、走査線３ａとデータ線６ａとの交差に対応する位置に形成された画素１０ｂとを有しており、複数の画素１０ｂがマトリクス状に配列されている領域によって画素領域１０ａが構成されている。また、素子基板１０上では、データ線６ａに並列して複数の電源線６ｇが延在し、走査線３ａに並列して複数の容量線３ｅが延在している。データ線６ａにはデータ線駆動回路１０１が接続され、走査線３ａには走査線駆動回路１０４が接続されている。複数の画素１０ｂの各々には、走査線３ａを介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスター３０ｂと、このスイッチング用の薄膜トランジスター３０ｂを介してデータ線６ａから供給される画素信号を保持する保持容量７０と、保持容量７０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスター３０ｃとが形成されている。また、複数の画素１０ｂの各々には、薄膜トランジスター３０ｃを介して電源線６ｇに電気的に接続したときに電源線６ｇから駆動電流が流れ込む第１電極層８１（陽極層／画素電極）が形成されており、かかる第１電極層８１上に、後述する有機機能層および第２電極層（陰極層）が積層されることにより有機ＥＬ素子８０が構成されている。
【００２１】
かかる有機ＥＬ装置１００では、走査線３ａが駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスター３０ｂがオンになると、そのときのデータ線６ａの電位が保持容量７０に保持され、保持容量７０が保持する電荷に応じて、駆動用の薄膜トランジスター３０ｃのオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスター３０ｃのチャネルを介して、電源線６ｇから第１電極層８１に電流が流れ、さらに有機機能層８２を介して第２電極層８３に電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子８０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２２】
このような有機ＥＬ装置１００は、携帯電話機やモバイルコンピューターなどの電子機器において表示部として用いることができ、カラー表示を行なう場合、図１に（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を付したように、各画素１０ｂは各々、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のサブピクセルを構成する。本形態では、同一の色に対応する画素１０ｂがデータ線６ａの延在方向に直線的に並ぶストライプ配列が採用されている。
【００２３】
本形態において、有機ＥＬ素子８０は、白色光、または赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の混合色光が出射され、画素１０ｂが赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれに対応するかは、後述するカラーフィルター層によって規定されている。
【００２４】
なお、図１に示す構成では、電源線６ｇおよび容量線３ｅが各々、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４から延在しているが、電源線６ｇおよび容量線３ｅが直接、端子１０２から延在している構成などを採用してもよい。また、図１に示す構成では、走査線３ａと並列に容量線３ｅを形成したが、容量線３ｅを形成せずに、電源線６ｇと薄膜トランジスター３０ｂのドレインとの間に保持容量７０を形成することもできる。
【００２５】
（有機ＥＬ装置の具体的構成）
図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の平面的な構成を各構成要素と共に第２基板側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。なお、図２（ｂ）にはカラーフィルター層などの図示を省略してある。図２（ａ）、（ｂ）において、本形態の有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、封止部材およびカラーフィルター基板としての機能を担う封止基板２０とを備えており、素子基板１０において、複数の有機ＥＬ素子８０が形成されている面側に封止基板２０が重ねて配置されている。
【００２６】
素子基板１０と封止基板２０とは、第１シール材層９１および第２シール材層９２によって貼り合わされている。かかる第１シール材層９１および第２シール材層９２の詳細な構成は後述するが、第１シール材層９１は、図２（ａ）にドットを密に付した領域で示してあるように、画素領域１０ａの周りを囲む周辺領域１０ｃに沿って枠状に形成されている。これに対して、第２シール材層９２は、図２（ａ）にドットを疎に付した領域で示してあるように、第１シール材層９１で囲まれた領域の全体にわたって形成されている。
【００２７】
素子基板１０において、封止基板２０からの張り出し領域には端子１０２が形成されている。また、素子基板１０において、周辺領域１０ｃや、画素領域１０ａと周辺領域１０ｃとに挟まれた領域を利用して、図１を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４（図示せず）が形成されている。
【００２８】
（素子基板１０の回路部等の構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図、およびその一部を拡大して示す説明図である。なお、図３には、有機ＥＬ素子として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応する３つの有機ＥＬ素子のみを示してあり、回路部を構成する配線などの図示は省略してある。図４（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置１００の相隣接する画素２つ分の平面図、およびそのＢ−Ｂ′線に相当する位置で素子基板１０を切断したときの断面図である。なお、図４（ａ）では、第１電極層８１は長い点線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａおよびそれと同時形成された薄膜は実線で示し、半導体層は短い点線で示してある。また、図４（ａ）において隔壁層は右上がりの点線を付した領域として示してある。
【００２９】
図３（ａ）、（ｂ）および図４（ａ）、（ｂ）において、素子基板１０では、ガラスなどの透光性の基板本体１０ｄの表面上に下地絶縁層１０ｅ、および絶縁膜１１、１２、１３、１４、１５が形成されており、絶縁膜１１、１２、１３、１４、１５の層間を利用して、以下に説明する回路部が構成されている。
【００３０】
まず、素子基板１０上には、複数の透明な第１電極層８１（長い点線で囲まれた領域）がマトリクス状に形成され、第１電極層８１の縦横の境界領域に沿ってデータ線６ａ（一点鎖線で示す領域）、電源線６ｇ（一点鎖線で示す領域）、走査線３ａ（実線で示す領域）および容量線３ｅ（実線で示す領域）が形成されている。
【００３１】
素子基板１０では、基板本体１０ｄの表面にシリコン酸化膜などからなる下地絶縁層１０ｅが形成されているとともに、その上層側に薄膜トランジスター３０ｃが形成されている。薄膜トランジスター３０ｃは、ポリシリコン膜などからなる島状の半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、ソース領域１ｈ、およびドレイン領域１ｉが形成されている。半導体層１ａの表面側にはゲート絶縁層１１が形成されており、ゲート絶縁層１１の表面にゲート電極３ｆが形成されている。ゲート電極３ｆは、薄膜トランジスター３０ｂのドレインに対して、中継電極６ｓを介して電気的に接続し、かかる中継電極６ｓは容量線３ｅと平面的に重なって保持容量７０を構成している。ゲート電極３ｆ、走査線３ａおよび容量線３ｅが同一の導電膜によって形成されている。なお、薄膜トランジスター３０ｂの基本的な構成は、薄膜トランジスター３０ｃと同様であるため、説明を省略する。
【００３２】
薄膜トランジスター３０ｃの上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる絶縁膜１２と、シリコン窒化膜からなる絶縁膜１３と、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる絶縁膜１４（平坦化膜）と、シリコン窒化膜などからなる透光性の絶縁膜１５とが形成されている。絶縁膜１２の表面（絶縁膜１２、１３の層間）には、データ線６ａ、電源線６ｇ、ドレイン電極６ｈ、および中継電極６ｓが同一の導電膜によって形成され、電源線６ｇは、絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｇを介してソース領域１ｈに電気的に接続している。ドレイン電極６ｈは、絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｈを介してドレイン領域１ｉに電気的に接続している。
【００３３】
このようにして素子基板１０上には、異なる絶縁膜上に形成された複数種類の導電膜によって、薄膜トランジスター３０ｂ、３０ｃ、保持容量７０、および各種配線が形成されている。絶縁膜１５の表面にはＩＴＯ膜からなる第１電極層８１が形成されており、第１電極層８１は、絶縁膜１３、１４、１５に形成されたコンタクトホール１４ｇ、１５ｇを介してドレイン電極６ｈに電気的に接続している。
【００３４】
（隔壁層５１の基本構成）
第１電極層８１の上層側には、発光領域を規定するための開口部を備えた厚い隔壁層５１が形成されている。隔壁層５１は感光性樹脂からなり、本形態では、かかる感光性樹脂として感光性アクリル樹脂が用いられている。
【００３５】
隔壁層５１は、画素領域１０ａを複数の領域に区画しており、かかる隔壁層５１で囲まれた領域内に有機ＥＬ素子８０が設けられている。隔壁層５１は、高さ寸法が２μｍ程度、幅寸法が１０μｍ程度であり、画素１０ｂを一つずつ囲むように格子状に形成されている。画素領域１０ａは、例えば、最外周に位置する隔壁層５１の上面の幅方向の中間位置を結んだ線によって定義される。
【００３６】
本形態においては、同一の色に対応する画素１０ｂがデータ線６ａの延在方向に直線的に並ぶストライプ配列（図１参照）が採用されている。かかる構成の場合、異なる色に対応する画素１０ｂの境界領域に沿って、隔壁層５１をストライプ状に形成することもある。
【００３７】
（有機ＥＬ素子の構成）
第１電極層８１の上層には、有機機能層８２および第２電極層８３が積層されており、第１電極層８１、有機機能層８２および第２電極層８３によって、有機ＥＬ素子８０が形成されている。本形態において、有機機能層８２および第２電極層８３は、隔壁層５１が形成されている領域も含めて、画素領域１０ａの全面にわたって形成されている。隔壁層５１の上面部において、有機機能層８２と第２電極層８３との間には補助陰極線８４が形成されている。かかる補助陰極線８４は、第２電極層８３の上層に形成されることもある。
【００３８】
有機機能層８２は、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体からなる正孔注入層、ＴＰＤ（トリフェニルジアミン）系正孔輸送層、アントラセン系ドーパントやルブレン系ドーパントを含むスチリルアミン系材料（ホスト）からなる発光層、アルミニウムキノリノール（Ａｌｑ3）からなる電子注入層をこの順に積層した構造を有しており、その上層にＭｇＡｇなどの薄膜金属からなる第２電極層８３が形成されている。有機機能層８２と第２電極層８３との間には、ＬｉＦからなる電子注入バッファ層が形成されることもある。これらの材料のうち、有機機能層８２を構成する各層、および電子注入バッファ層は、加熱ボート（るつぼ）を用いた真空蒸着法で順次形成することができる。また、第２電極層８３などを構成する金属系材料については真空蒸着法により形成でき、第１電極層８１を構成するＩＴＯなどの酸化物材料についてはＥＣＲプラズマスパッタ法やプラズマガン方式イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタ法などの高密度プラズマ成膜法により形成することができる。
【００３９】
本形態の有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション型であり、矢印Ｌ１で示すように、基板本体１０ｄからみて有機ＥＬ素子８０が形成されている側から光を取り出すので、基板本体１０ｄとしては、アルミナなどのセラミックス、ステンレススチールなどといった不透明な基板を用いることも可能である。また、絶縁膜１４、１５の層間には、アルミニウム、銀、それらの合金からなる反射層４１が形成されており、有機ＥＬ素子８０から基板本体１０ｄに向けて出射された光を反射層４１で反射することにより、光を出射可能である。なお、有機ＥＬ装置１００をボトムエミッション型で構成した場合、基板本体１０ｄの側から光を取り出すので、基板本体１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板が用いられる。
【００４０】
本形態において、有機ＥＬ素子８０は、白色光、または赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の混合色光を出射する。このため、有機ＥＬ装置１００では、封止基板２０において、有機ＥＬ素子８０と対向する位置に形成した赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルター層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）によって色変換を行なうことにより、フルカラー表示を行なう。すなわち、封止基板２０には、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリオレフィンなどプラスチック基板や、ガラス基板などからなる透光性の基板本体２０ｄに、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルター層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の間で光の漏洩を防止するための遮光層２３（ブラックマトリックス層）、透光性の平坦化膜２４、酸窒化シリコン層などからなる透光性のガスバリア層２５がこの順に形成されている。本形態において、カラーフィルター層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、遮光層２３、平坦化膜２４、およびガスバリア層２５は、封止基板２０の画素領域１０ａのみに形成され、周辺領域１０ｃには形成されていない。このため、封止基板２０の周辺領域１０ｃでは、基板本体２０ｄが露出している。
【００４１】
カラーフィルター層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）は、透明樹脂バインダーに顔料または染料が混合されている層であり、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）を用いるのが基本であるが、目的に応じてライトブルーやライトシアン、白などを加えてもよい。カラーフィルター層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の厚みは、光線透過率を考慮して極力薄い方がよく、０．１〜１.５μｍの範囲で形成され、その厚さは、対応する色によって相違させることもある。遮光層２３は、黒色顔料を含んだ樹脂からなり、その厚さは、カラーフィルター層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）よりも厚く、１〜２μｍ前後の膜厚が好ましいが、これ以上の膜厚であってもよい。なお、封止基板２０には、紫外線の入射を防止する紫外線遮断・吸収層や、光反射防止層、放熱層などの機能層が形成されることもある。
【００４２】
（封止層６０の構成）
このように構成した有機ＥＬ装置１００において、有機機能層８２、陰極として用いた第２電極層８３、電子注入層などは、水分により劣化しやすく、かかる劣化は、電子注入効果の劣化を惹き起こし、ダークスポットと呼ばれる非発光部分を発生させてしまう。そこで、本形態では、素子基板１０に対して以下に説明する封止層６０を形成した構成と、封止基板２０と素子基板１０とを貼り合せた構成とを併用する。
【００４３】
まず、素子基板１０には、第２電極層８３の上層に画素領域１０ａよりも広い領域にわたって封止層６０が形成されており、封止層６０は、有機ＥＬ素子８０および隔壁層５１を覆っている。かかる封止層６０として、本形態では、第２電極層８３上に積層されたシリコン化合物層からなる第１封止層６１、この第１封止層６１上に積層された樹脂層からなる第２封止層６２、およびこの第２封止層６２上に積層されたシリコン化合物からなる第３封止層６３を備えた積層膜が用いられている。
【００４４】
第１封止層６１および第３封止層６３は、高密度プラズマ源を用いた高密度プラズマ気相成長法、例えば、ブラズマガン方式イオンプレーティング、ＥＣＲプラズマスパッタ、ＥＣＲプラズマＣＶＤ、表面波プラズマＣＶＤ、ＩＣＰ−ＣＶＤなどを用いて成膜された窒化シリコン（ＳｉＮx）や酸窒化シリコン（ＳｉＯxＮy）などから構成されている。かかる薄膜は、低温で成膜しても水分を確実に遮断する高密度ガスバリア層として機能する。第１封止層６１の膜厚は、例えば１００〜２００ｎｍであり、第３封止層６３の膜厚は、例えば２００〜６００ｎｍである。
【００４５】
第２封止層６２は、膜厚が３〜１０μｍの樹脂層から構成されており、素子基板１０の反りや体積膨張により発生する応力を緩和することにより、第２電極層８３からの第１封止層６１の剥離や、第１封止層６１でのクラックの発生を防止する機緩衝層として機能する。また、第２封止層６２は、隔壁層５１や配線などに起因する表面凹凸を平坦化して第３封止層６３を平坦化する。従って、第２封止層６２は、第３封止層６３での応力集中を防止し、第３封止層６３でのクラックの発生を防止する。かかる第３封止層６３は、例えば、エポキシ基を有する分子量３０００以下のエポキシモノマー／オリゴマーが用いられる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシオリゴマーやビスフェノールＦ型エポキシオリゴマー、フェノールノボラック型エポキシオリゴマー、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、アルキルグリシジルエーテル、３，４-エポキシシクロヘキセニルメチル-３'，４'-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ε-カプロラクトン変性３，４-エポキシシクロヘキシルメチル３'，４'-エポキシシクロヘキサンカルボキレートなどを単独、若しくは複数組み合わされて用いられる。また、エポキシモノマー／オリゴマーと反応する硬化剤としては、電気絶縁性や接着性に優れ、かつ、硬度が高く強靭で耐熱性に優れる硬化被膜を形成するものが良く、透明性に優れ、かつ硬化のばらつきの少ない付加重合型がよい。例えば、３−メチル−１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸、メチル−３，６−エンドメチレン−１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物などの酸無水物系硬化剤が好ましい。さらに、酸無水物の反応（開環）を促進する反応促進剤として１，６−ヘキサンジオールなど分子量が大きく揮発しにくいアルコール類やアミノフェノールなどのアミン化合物を微量添加することで低温硬化しやすくなる。これらの硬化は６０〜１００℃の範囲の加熱で行われ、その硬化被膜はエステル結合を持つ高分子となる。
【００４６】
第２封止層６２を形成するにあたっては、硬化時間を短縮するためよく用いられるカチオン放出タイプの光重合開始剤を用いてもよいが、硬化収縮が急激に進まないよう反応の遅いものが良く、また、塗布後の加熱による粘度低下で平坦化を進めるように最終的には熱硬化を用いて硬化物を形成するものが好ましい。さらに、第１封止層６１および第３封止層６３との密着性を向上させることを目的にシランカップリング剤や、イソシアネート化合物などの捕水剤、硬化時の収縮を防ぐ微粒子などの添加物を混入してもよい。なお、第２封止層６２は、膜厚が厚い方が好ましい。但し、第２封止層６２の膜厚が１０μｍを超えると、光を取り出す効率が低下してしまう。
【００４７】
本形態では、封止層６０を構成する第１封止層６１および第３封止層６３（高密度ガスバリア層）は、画素領域１０ａから周辺領域１０ｃ付近までの広い領域にわたって形成されている。これに対して、第２封止層６２は、画素領域１０ａおよび画素領域１０ａの近傍領域のみに分厚く形成され、周辺領域１０ｃ付近には形成されていない。このため、第１封止層６１と第３封止層６３とは、第２封止層６２を外周側で積層された状態にある。なお、絶縁膜１４、１５は概ね、画素領域１０ａおよび画素領域１０ａの近傍領域のみに形成され、絶縁膜１４、１５の形成領域は第２封止層６２の形成領域よりも狭い。
【００４８】
（隔壁層５１の詳細構成およびその効果）
図５は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置１００における反射層４１と隔壁層５１との関係を示す説明図である。
【００４９】
図３（ａ）、（ｂ）において、隔壁層５１は、画素領域１０ａの内側に位置する隔壁層内壁５１１、および画素領域１０ａの外側に位置する隔壁層外壁５１２のいずれもがテーパー面になっている。隔壁層内壁５１１は、素子基板１０に用いた基板本体１０ｄに対して角度Θ1をなしており、隔壁層外壁５１２は、素子基板１０に用いた基板本体１０ｄに対して角度Θ2をなしている。ここで、角度Θ1および角度Θ2はいずれも９０°以下である。
【００５０】
また、封止層６０は、隔壁層５１および有機ＥＬ素子８０を覆うように形成されている。このため、封止層６０は、画素領域１０ａの外側では、隔壁層外壁５１２の上に積層されている。かかる封止層６０では、封止層６０において画素領域１０ａを外側で囲む部分にクラックが発生していないことが重要であり、それには、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2が小さいことが好ましい。
【００５１】
一方、画素１０ｂから出射される光の輝度を高めるには、有機ＥＬ素子８０の形成面積が広い方が好ましく、それには、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1が大きいことが好ましい。
【００５２】
そこで、本形態では、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1と、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2とを比較すると、以下の関係
Θ1 ＞ Θ2
になるように設定してある。すなわち、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2は、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1よりも小さい。例えば、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1は６０〜７０°であり、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2は４５°以下である。
【００５３】
従って、封止層６０は、基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1が小さな隔壁層外壁５１２上に積層されるので、封止層６０にはクラックが発生しない。特に、第１封止層６１や第３封止層６３は薄くて硬質の無機膜であり、物理気相堆積法により成膜されるため、素子基板１０に対して大きな角度をなす隔壁層外壁５１２上ではクラックが発生しやすいが、本形態によれば、かかるクラックの発生を確実に防止することができる。それ故、本形態によれば、有機ＥＬ素子８０を水分や酸素から保護することができる。
【００５４】
また、隔壁層内壁５１１は、基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1が大きいため、有機ＥＬ素子８０の形成領域に大きく張り出すことがない。従って、有機ＥＬ素子８０の面積が広い。それ故、本形態によれば、有機ＥＬ素子８０の面積を狭めることなく、封止層６０による封止性能の向上を図ることができるので、輝度が大きく、かつ、信頼性の高い有機ＥＬ装置１００を実現することができる。
【００５５】
また、本形態では、第１電極層８１の下層側では、反射層４１が各画素１０ｂ毎に形成されており、互いに隣り合う反射層４１の間には、隔壁層５１と重なる領域で途切れている。但し、本形態では、画素領域１０ａの最外周に位置する反射層４１は、画素領域１０ａの外側まで延在しており、かかる反射層４１において、隔壁層外壁５１２と平面的に重なる部分４１ｂにはスリット状の開口部４１ｃが形成されている。
【００５６】
ここで、スリット状の開口部４１ｃは、後述する露光工程で、隔壁層外壁５１２を形成する際にハーフ露光（諧調露光）を行なうためのマスクとして利用される。このため、図５に示すように、反射層４１において隔壁層外壁５１２と平面的に重なる部分４１ｂは、画素領域１０ａに近い領域と画素領域１０ａから遠い領域との間で開口密度が相違している。本形態では、隔壁層５１をポジタイプの感光性樹脂（ポジタイプの感光性アクリル樹脂）により形成する。このため、反射層４１において隔壁層外壁５１２と平面的に重なる部分４１ｂは、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって開口密度が高くなっている。
【００５７】
（封止基板２０による封止）
本形態では、図２（ａ）、（ｂ）、および図３（ａ）に示すように、素子基板１０と封止基板２０との間では、周辺領域１０ｃに沿って第１シール材層９１が矩形枠状に形成され、周辺領域１０ｃで囲まれた領域の全体にわたって透光性の第２シール材層９２が形成されており、素子基板１０と封止基板２０とは、第１シール材層９１および第２シール材層９２によって貼り合わされている。
【００５８】
本形態において、第２シール材層９２（第２シール材９２ａ）には、熱によって硬化するエポキシ系接着剤が用いられている。第１シール材層９１（第１シール材９１ａ）は、素子基板１０と封止基板２０との間に介在して素子基板１０と封止基板２０との基板間隔を制御するビーズ状あるいはファイバー状のギャップ材９１ｅ（図２参照）が樹脂９１ｒ中に分散された構造になっており、素子基板１０と封止基板２０との間隙はギャップ材９１ｅによって制御されている。第１シール材層９１において、樹脂９１ｒには、紫外線によって硬化するエポキシ系接着剤が用いられている。
【００５９】
かかる第１シール材層９１および第２シール材層９２によって封止を行なうには、第１シール材塗布工程において、ディスペンサー描画、スクリーン印刷法、マイクロピエゾヘッドを用いたインクジェット法などにより、素子基板１０の周辺領域１０ｃに対して、前記した光硬化性のエポキシ樹脂材料からなる樹脂９１ｒ中にギャップ材９１ｅが分散された第１シール材９１ａを１ｍｍ以下の狭い幅寸法に塗布する。
【００６０】
次に、第２シール材塗布工程において、ディスペンサー描画、スクリーン印刷法、マイクロピエゾヘッドを用いたインクジェット法などにより、素子基板１０において、第１シール材９１ａ囲まれた領域内に、前記した熱硬化性のエポキシ樹脂材料からなる第２シール材９２ａを塗布する。
【００６１】
次に、重ね合わせ工程では、真空度１Ｐａ程度の減圧雰囲気中で、第１シール材９１ａおよび第２シール材９２ａを間に挟むように素子基板１０と封止基板２０とをアライメントしながら重ね合わせる。その際、約６００Ｎ程度の力で封止基板２０を素子基板１０に向けて加圧し、この状態を約２００秒保持する。かかる重ね合わせ工程では、まず、第１シール材９１ａが封止基板２０に接触して内側が密閉され、その後、素子基板１０と封止基板２０との間で第２シール材９２ａが展開する。
【００６２】
次に、常圧に戻すと、大気圧によって加圧されたのと同様な状態になるので、素子基板１０と封止基板２０との間で第２シール材９２ａが隅々まで展開し、第２シール材９２ａの充填性が向上する。その際、第１シール材９１ａは、第２シール材９２ａに対するバンクとして機能する。このため、減圧状態から常圧に戻した際に大気圧によって加圧されたのと同様な状態になっても、第２シール材９２ａは、第１シール材９１ａによって堰き止められ、外側に流出しない。なお、素子基板１０と封止基板２０との間には、第１シール材９１ａが含有するギャップ材９１ｅによって所定の隙間が確保される。
【００６３】
次に、シール材固化工程では、第１シール材９１ａを固化させて第１シール材層９１を形成するとともに、第２シール材９２ａを固化させて第２シール材層９２を形成する。本形態において、第１シール材９１ａは光硬化性であり、第２シール材９２ａは熱硬化性である。そこで、素子基板１０または／および封止基板２０の側から第１シール材９１ａに対して紫外線を照射して第１シール材９１ａのみを選択的に硬化させて、第１シール材層９１を形成する。次に、第１シール材層９１によって貼り合わされた素子基板１０と封止基板２０とをホットプレート上に配置した状態で、有機ＥＬ素子８０が劣化しない温度条件、例えば１００℃以下の温度条件、より具体的には６０〜１００℃の温度条件で加熱を行い、素子基板１０と封止基板２０との間で第２シール材９２ａを隅々まで行き渡らせながら第２シール材９２ａを硬化させ、第２シール材層９２を形成する。このようにして、素子基板１０と封止基板２０とを第１シール材層９１および第２シール材層９２によって貼り合わせた構造とする。
【００６４】
（本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造方法の第１例）
図６および図７を参照して、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造方法の第１例を説明する。図６は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造工程のうち、反射層および第１電極層を形成する工程の工程断面図であり、図７は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造工程のうち、隔壁層を形成する工程の工程断面図である。なお、図７では、感光性樹脂において露光されていない部分には右上がりの破線のみを付し、露光された部分には右上がりの破線および右下がりの破線を付してある。また、図６および図７では、下地絶縁層１０ｅの図示を省略してある。
【００６５】
本形態の有機ＥＬ装置１００を製造するには、図６（ａ）に示すように、基板本体１０ｄ上に絶縁膜１４までを形成した後、図６（ｂ）に示すように、アルミニウムなどの反射性金属４１ｘを形成する。次に、反射性金属４１ｘの表面に、図３、図４および図５を参照して説明した反射層４１の形成パターンと同一のマスクパターンを有するエッチングマスク９９を形成する。
【００６６】
次に、エッチングマスク９９の開孔部を介して反射性金属４１ｘをエッチングした後、エッチングマスク９９を除去すれば、図６（ｃ）に示すように反射層４１が形成される。かかる反射層４１において、図３（ａ）、（ｂ）を参照して説明した隔壁層外壁５１２と平面的に重なる部分４１ｂに、図５に示す開口部４１ｃが形成されている。
【００６７】
次に、図６（ｄ）に示すように、反射層４１の上層側に絶縁膜１５を形成する。次に、絶縁膜１５に、図４（ｂ）を参照して説明したコンタクトホール１５ｇを形成する。次に、絶縁膜１５の表面にＩＴＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてＩＴＯ膜をパターニングし、第１電極層８１を形成する。
【００６８】
次に、図７（ａ）に示すように、第１電極層８１の上層側にポジタイプの感光性樹脂５１ｘを塗布した後、図７（ｂ）および図７（ｃ）に示す露光工程を行なう。
【００６９】
かかる露光工程では、まず、図７（ｂ）に示すように、図３および図４に示す隔壁層５１で囲まれた領域が透光部９３ａになっている露光マスク９３を介して感光性樹脂５１ｘを露光する。その結果、感光性樹脂５１ｘにおいて透光部９３ａと重なる部分５１ｗが完全露光される。
【００７０】
次に、図７（ｃ）に示すように、反射層４１に対して感光性樹脂５１ｘが位置する側とは反対側から露光する。その結果、感光性樹脂５１ｘにおいて、反射層４１のスリット状の開口部４１ｃが形成されている部分と平面的に重なる部分５１ｚは、反射層４１のスリット状の開口部４１ｃを介してハーフ露光される。ここで、開口部４１ｃは、図５に示すように、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって幅寸法が拡大しており、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって開口密度が高くなっている。このため、感光性樹脂５１ｘにおいて、反射層４１のスリット状の開口部４１ｃが形成されている部分と平面的に重なる部分５１ｚでは、図７（ｃ）に模式的に示すように、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって露光量が増大していく。また、感光性樹脂５１ｘにおいて、周辺領域１０ｃや周辺領域１０ｃ付近に位置する部分５１ｙは完全露光される。その際、画素領域１０ａでは、隔壁層５１を形成する必要がある部分には、反射層４１や配線などの遮光膜が存在するので、露光されることがない。但し、反射層４１などの遮光層が形成されていない領域が存在し、かかる部分にも隔壁層５１を形成する必要がある場合、かかる領域については、露光マスク９４の遮光部９４ｂで覆っておけばよい。
【００７１】
次に、露光済みの感光性樹脂５１ｘを現像すると、完全露光された部分５１ｗ、５１ｙは完全に除去される。これに対して、隔壁層外壁５１２と平面的に重なる部分５１ｚでは、露光量が多い箇所では感光性樹脂５１ｘが多く除去され、露光量が少ない箇所では感光性樹脂５１ｘが少なく除去される。従って、現像後に残った感光性樹脂５１ｘを焼成すると、図７（ｄ）に示す隔壁層５１が形成される。かかる隔壁層５１では、画素領域１０ａの内側に位置する隔壁層内壁５１１、および画素領域１０ａの外側に位置する隔壁層外壁５１２のいずれもがテーパー面になっている。但し、ハーフ露光によって形成された隔壁層外壁５１２では、完全露光によって形成された隔壁層内壁５１１に比して、基板本体１０ｄに対してなす角度が小さい。このため、隔壁層５１において、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1と、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2とを比較すると、以下の関係
Θ1 ＞ Θ2
になっている。例えば、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1は６０〜７０°であり、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2は４５°以下である。
【００７２】
しかる後には、有機機能層８２、補助陰極線８４、第２電極層８３、封止層６０（第１封止層６１、第２封止層６２、第３封止層６３）を順次形成していく。そして、封止層６０を形成する際には、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2が小さいため、封止層６０において隔壁層外壁５１２を覆う部分にクラックが発生することがない。
【００７３】
このように本形態では、隔壁層５１を形成する際、ハーフ露光を行なって、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2を小さくする。このため、ハーフ露光の際の光量分布を変えるだけで、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2を最適な角度に設定することができる。また、ハーフ露光を行なう際、反射層４１に形成したスリット状の開口部４１ｃを介して背面露光を行なう。このため、ハーフ露光用の高価な露光マスクを必要としない。また、反射層４１に対する遮光層外壁５１２の位置に高い精度で得ることができる。
【００７４】
（本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造方法の第２例）
図８を参照して、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造方法の第２例を説明する。図８は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の製造工程のうち、素子基板１０上に隔壁層を形成する別の方法を示す工程断面図である。図８では、感光性樹脂において露光されていない部分には右上がりの破線のみを付し、露光された部分には右上がりの破線および右下がりの破線を付してある。なお、本形態の方法で製造した有機ＥＬ装置１００の構造は、図１〜図５を参照して説明した構成と同一であるため、構造についての詳細な説明を省略する。
【００７５】
図５〜図７を参照して説明した例では、反射層４１のスリット状の開口部４１ｃを介してポジタイプの感光性樹脂をハーフ露光するため、図５に示すように、スリット状の開口部４１ｃは、反射層４１において隔壁層外壁５１２と平面的に重なる部分４１１は、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって開口密度が高くなっていた。これに対して、本形態では、ポジタイプの感光性樹脂に代えて、ネガタイプの感光性樹脂を用いる。また、本形態でも、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、反射層４１において、隔壁層外壁５１２と平面的に重なる部分４１１にはスリット状の開口部４１ｃを形成するが、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって開口密度が低くなっている。
【００７６】
かかる構成の場合、例えば、図８（ａ）に示すように、ネガタイプの感光性樹脂５１ｅを塗布した後、画素領域１０ａ内において隔壁層５１を形成したい部分と重なる部分が透光部９５ａになっている露光マスク９５を用いて感光性樹脂５１ｅを露光する。その結果、感光性樹脂５１ｅにおいて、透光部９５ａと重なる部分５１ｆが完全露光される。
【００７７】
次に、図８（ｂ）に示すように、反射層４１に対して感光性５１ｅが位置する側とは反対側から露光する。その際、周辺領域１０ｃや周辺領域近傍など、隔壁層５１を一切、形成しない部分については、露光マスク９６の遮光部９６ｂで覆っておく。その結果、感光性樹脂５１ｅにおいて、スリット状の開口部４１ｃが形成されている部分と平面的に重なる部分５１ｇは、反射層４１のスリット状の開口部４１ｃを介してハーフ露光される。ここで、開口部４１ｃは、図５に示す構成とは反対に、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって幅寸法が狭くなっており、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって開口密度が低くなっている。このため、感光性樹脂５１ｅにおいて、ハーフ露光された部分５１ｇでは、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって露光量が減少していく。
【００７８】
従って、露光済みの感光性樹脂５１ｅを現像すると、一切露光されなかった部分は完全に除去され、完全露光された部分５１ｆが残る。また、ハーフ露光された部分５１ｇでは、露光量が少ない箇所では感光性樹脂５１ｅが多く除去され、露光量が多い箇所では感光性樹脂５１ｅが少なく除去される。従って、現像後に残った感光性樹脂５１ｅを焼成すると、図３に示す隔壁層５１が形成される。かかる隔壁層５１では、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1と、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2とを比較すると、以下の関係
Θ1 ＞ Θ2
になっている。例えば、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1は６０〜７０°であり、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2は４５°以下である。このため、封止層６０を形成した際、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2が小さいため、封止層６０において隔壁層外壁５１２を覆う部分にクラックが発生することがない。また、本形態では、ハーフ露光を行なう際、反射層４１に形成したスリット状の開口部４１ｃを介して背面露光を行なう。このため、ハーフ露光用の高価な露光マスクを必要としない。また、反射層４１に対する遮光層外壁５１２の位置に高い精度で得ることができる。
【００７９】
［実施の形態２］
図９は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ装置の一部を拡大して示す説明図であり、図３（ｂ）に対応する。図１０（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ装置１００の製造工程のうち、素子基板１０上に隔壁層を形成する工程の工程断面図、および別の方法を示す工程断面図である。図１０では、感光性樹脂において露光されていない部分には右上がりの破線のみを付し、露光された部分には右上がりの破線および右下がりの破線を付してある。なお。本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同一であるため、共通する部分の説明を省略する。
【００８０】
図９に示すように、本形態の有機ＥＬ装置１００でも、実施の形態１と同様、隔壁層５１は、画素領域１０ａの内側に位置する隔壁層内壁５１１、および画素領域１０ａの外側に位置する隔壁層外壁５１２のいずれもがテーパー面になっている。また、本形態でも、実施の形態１と同様、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1と、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2とを比較すると、以下の関係
Θ1 ＞ Θ2
になるように設定してある。すなわち、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2は、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1よりも小さい。例えば、隔壁層内壁５１１が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1は６０〜７０°であり、隔壁層外壁５１２が基板本体１０ｄに対してなす角度Θ2は４５°以下である。
【００８１】
従って、封止層６０は、基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1が小さな隔壁層外壁５１２上に積層されるので、封止層６０にはクラックが発生しにくい。それ故、有機ＥＬ素子８０を水分や酸素から保護することができる。また、隔壁層内壁５１１は、基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1が大きいため、有機ＥＬ素子８０の形成領域に大きく張り出すことがない。従って、有機ＥＬ素子８０の面積が広い。それ故、本形態によれば、有機ＥＬ素子８０の面積を狭めることなく、封止層６０による封止性能の向上を図ることができるので、輝度が大きく、かつ、信頼性の高い有機ＥＬ装置１００を実現することができる。
【００８２】
かかる有機ＥＬ装置１００において、本形態では、反射層４１は、隔壁層外壁５１２と平面的に重なる部分には形成されていない。その他の構成は実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００８３】
かかる構成の有機ＥＬ装置１００を製造するにあたって、本形態では、図１０（ａ）に示すように、第１電極層８１の上層側にポジタイプの感光性樹脂５１ｘを塗布した後、露光マスク９６による１回の露光を行なう。かかる露光マスク９６では、隔壁層５１で囲まれた領域と重なる部分など、感光性樹脂５１ｘを完全に除去する部分は透光部９６ａになっており、隔壁層５１を形成すべき部分は遮光部９６ｂになっている。また、露光マスク９６では、感光性樹脂５１ｘにおいて隔壁層外壁５１２を形成すべき部分と重なる部分には、スリット状の開口部９６ｃが形成されている。かかる開口部９６ｃは、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって幅寸法が拡張しており、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって開口密度が高くなっている。
【００８４】
従って、露光済みの感光性樹脂５１ｘを現像すると、完全露光された部分は完全に除去される。これに対して、感光性樹脂５１ｘにおいて、露光マスク９６の開口部９６ｃによってハーフ露光された部分のうち、露光量が多い箇所では感光性樹脂５１ｘが多く除去され、露光量が少ない箇所では感光性樹脂５１ｘが少なく除去される。従って、現像後に残った感光性樹脂５１ｘを焼成すると、図９に示す隔壁層５１が形成される。
【００８５】
また、図９に示す有機ＥＬ装置１００を製造するにあたって、ネガタイプの感光性樹脂５１ｅを用いた場合、図１０（ｂ）に示す露光マスク９７による１回の露光を行なう。かかる露光マスク９７では、隔壁層５１で囲まれた領域と重なる部分など、感光性樹脂５１ｅを完全に除去する部分は遮光部９７ｂになっており、隔壁層５１を形成すべき部分は透光部９７ａになっている。また、露光マスク９７では、感光性樹脂５１ｅにおいて隔壁層外壁５１２を形成すべき部分と重なる部分には、スリット状の開口部９７ｃが形成されている。かかる開口部９７ｃは、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって幅寸法が狭まっており、画素領域１０ａに近い領域から遠い領域に向かって開口密度が低くなっている。
【００８６】
従って、露光済みの感光性樹脂５１ｅを現像すると、一切露光されなかった部分は完全に除去され、完全露光された部分が残る。また、ハーフ露光された部分では、露光量が少ない箇所では感光性樹脂５１ｅが多く除去され、露光量が多い箇所では感光性樹脂５１ｅが少なく除去される。従って、現像後に残った感光性樹脂５１ｅを焼成すると、図９に示す隔壁層５１が形成される。
【００８７】
［他の実施の形態］
上記実施の形態１、２では、封止基板２０にカラーフィルター層２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を設けた場合を例に説明したが、有機ＥＬ素子自身が各色の光を出射する有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよく、この場合、封止基板２０は封止基板のみとして機能する。また、上記実施の形態では、カラー表示用の有機ＥＬ装置１００を例に説明したが、複写機の光学ヘッドなどとして利用する場合には、モノクロ仕様でよく、このようなモノクロ仕様の有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよい。この場合も、封止基板２０は封止部材のみとして機能する。
【００８８】
上記実施の形態１、２では、トップエミッション型の有機ＥＬ装置１００に本発明を適用したが、実施の形態２に係る構成は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に適用することができる。
【００８９】
上記実施の形態１、２では、有機機能層８２を画素領域１０ａの全面に形成した例を説明したが、隔壁層５１で囲まれた領域内にインクジェット法などで有機機能層を選択的に塗布した後、定着させて、第１電極層８１の上層には、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などからなる正孔注入層、および発光層からなる有機機能層が形成された有機ＥＬ装置に発明を適用してもよい。この場合、発光層は、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープした材料から構成される。また、発光層としては、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化しているπ共役系高分子材料が、導電性高分子でもあることから発光性能に優れるため、好適に用いられる。特に、その分子内にフルオレン骨格を有する化合物、すなわちポリフルオレン系化合物がより好適に用いられる。また、このような材料以外にも、共役系高分子有機化合物の前駆体と、発光特性を変化させるための少なくとも１種の蛍光色素とを含んでなる組成物も使用可能である。
【００９０】
［電子機器への搭載例］
図１１を参照して、上述した実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を搭載した電子機器について説明する。図１１は、本発明に係る有機ＥＬ装置を用いた電子機器の説明図である。
【００９１】
図１１（ａ）に、有機ＥＬ装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す。パーソナルコンピューター２０００は、表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図１１（ｂ）に、有機ＥＬ装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１１（ｃ）に、有機ＥＬ装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置１００に表示される。なお、有機ＥＬ装置１００が適用される電子機器としては、図１１（ａ）〜（ｃ）に示すものの他、デジタルスチールカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した有機ＥＬ装置１００が適用可能である。
【符号の説明】
【００９２】
１０・・素子基板、１０ａ・・画素領域、１０ｂ・・画素、１０ｃ・・周辺領域、２０・・封止基板、４１・・反射層、４１ｃ・・反射層の開口部、５１・・隔壁層、６０・・封止層、６１・・第１封止層、６２・・第２封止層、６３・・第３封止層、８０・・有機ＥＬ素子、８１・・第１電極層、８２・・有機機能層、８３・・第２電極層、１００・・有機ＥＬ装置、５１１・・隔壁層内壁、５１２・・隔壁層外壁
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上で画素領域を複数の領域に区画する隔壁層と、
該隔壁層により囲まれた領域に設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記隔壁層および前記有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う封止層と、
を有し、
前記隔壁層において前記画素領域の外側に位置する隔壁層外壁は、当該隔壁層において前記画素領域の内側に位置する隔壁層内壁に比較して前記基板に対してなす角度が小さいテーパー面になっていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記隔壁層内壁が前記基板に対してなす角度は６０〜７０°であり、
前記隔壁層外壁が前記基板に対してなす角度は４５°以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記封止層は、無機膜からなる第１封止層と、該第１封止層の上層に積層された樹脂層からなる第２封止層と、該第２封止層の上層に積層された無機膜からなる第３封止層と、を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記基板上において前記有機エレクトロルミネッセンス素子の下層側には、少なくとも、前記有機エレクトロルミネッセンス素子と平面的に重なる領域、および前記隔壁層外壁と平面的に重なる領域に反射層を備え、
当該反射層において前記隔壁層外壁と平面的に重なる領域には、前記画素領域に近い領域と前記画素領域から遠い領域との間で開口密度が相違する開口部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
基板上で画素領域を複数の領域に区画する隔壁層と、
該隔壁層により囲まれた領域に設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記隔壁層および前記有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う封止層と、
を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
前記隔壁層を形成するにあたっては、前記基板上に感光性樹脂を塗布する感光性樹脂塗布工程と、当該感光性樹脂のうち、前記隔壁層において前記画素領域の外側に位置する隔壁層外壁を形成する樹脂部分については、前記画素領域に近い領域と前記画素領域から遠い領域との間で異なる光量で露光する露光工程と、を行ない、
当該隔壁層外壁を前記隔壁層において前記画素領域の内側に位置する隔壁層内壁に比較して前記基板に対してなす角度が小さいテーパー面とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項６】
前記基板上に前記隔壁層および前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する前に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子と平面的に重なる領域、および前記隔壁層外壁と平面的に重なる領域に反射層を形成する反射層形成工程を有し、
当該反射層形成工程では、前記反射層において前記隔壁層外壁と平面的に重なる領域に、前記画素領域に近い領域と前記画素領域から遠い領域との間で開口密度が相違する開口部を形成し、
前記露光工程では、前記反射層において前記感光性樹脂が位置する側とは反対側から前記開口部を介して前記感光性樹脂において前記隔壁層外壁を形成する樹脂部分を露光することを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板上で画素領域を複数の領域に区画する隔壁層と、
該隔壁層により囲まれた領域に設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記隔壁層および前記有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う封止層と、
を有し、
前記隔壁層において前記画素領域の外側に位置する隔壁層外壁は、当該隔壁層において前記画素領域の内側に位置する隔壁層内壁に比較して前記基板に対してなす角度が小さいテーパー面になっていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記隔壁層内壁が前記基板に対してなす角度は６０〜７０°であり、
前記隔壁層外壁が前記基板に対してなす角度は４５°以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記封止層は、無機膜からなる第１封止層と、該第１封止層の上層に積層された樹脂層からなる第２封止層と、該第２封止層の上層に積層された無機膜からなる第３封止層と、を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記基板上において前記有機エレクトロルミネッセンス素子の下層側には、少なくとも、前記有機エレクトロルミネッセンス素子と平面的に重なる領域、および前記隔壁層外壁と平面的に重なる領域に反射層を備え、
当該反射層において前記隔壁層外壁と平面的に重なる領域には、前記画素領域に近い領域と前記画素領域から遠い領域との間で開口密度が相違する開口部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
基板上で画素領域を複数の領域に区画する隔壁層と、
該隔壁層により囲まれた領域に設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記隔壁層および前記有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う封止層と、
を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
前記隔壁層を形成するにあたっては、前記基板上に感光性樹脂を塗布する感光性樹脂塗布工程と、当該感光性樹脂のうち、前記隔壁層において前記画素領域の外側に位置する隔壁層外壁を形成する樹脂部分については、前記画素領域に近い領域と前記画素領域から遠い領域との間で異なる光量で露光する露光工程と、を行ない、
当該隔壁層外壁を前記隔壁層において前記画素領域の内側に位置する隔壁層内壁に比較して前記基板に対してなす角度が小さいテーパー面とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項６】
前記基板上に前記隔壁層および前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する前に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子と平面的に重なる領域、および前記隔壁層外壁と平面的に重なる領域に反射層を形成する反射層形成工程を有し、
当該反射層形成工程では、前記反射層において前記隔壁層外壁と平面的に重なる領域に、前記画素領域に近い領域と前記画素領域から遠い領域との間で開口密度が相違する開口部を形成し、
前記露光工程では、前記反射層において前記感光性樹脂が位置する側とは反対側から前記開口部を介して前記感光性樹脂において前記隔壁層外壁を形成する樹脂部分を露光することを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１０−２１１９８３（Ｐ２０１０−２１１９８３Ａ）
【公開日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５４５８４（Ｐ２００９−５４５８４）
【出願日】平成２１年３月９日（２００９．３．９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月９日（２００９．３．９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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