有機エレクトロルミネッセンス装置
【課題】表示性能を良好に維持できる有機エレクトロルミネッセンス装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ装置は、複数の発光素子が設けられた第１基板と、第１基板と対向するように配置され、発光素子の光が入射するとともに、その入射した光を外部に射出する射出面を有する第２基板と、第２基板に設けられ、発光素子の光が入射するとともに、その入射した光を透過可能な複数の着色部と、第２基板に設けられ、着色部を透過した発光素子の光を検出する光センサとを備えている。
【解決手段】有機ＥＬ装置は、複数の発光素子が設けられた第１基板と、第１基板と対向するように配置され、発光素子の光が入射するとともに、その入射した光を外部に射出する射出面を有する第２基板と、第２基板に設けられ、発光素子の光が入射するとともに、その入射した光を透過可能な複数の着色部と、第２基板に設けられ、着色部を透過した発光素子の光を検出する光センサとを備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：electroluminescence）装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置は、発光層とその発光層を挟む陽極及び陰極とを含む発光素子を有しており、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とを発光層内で再結合し、励起状態から失括する際に発光する現象を利用して、所望の光を射出する。発光素子は、例えば経時的に劣化する。発光素子が劣化すると、有機ＥＬ装置の表示性能も劣化する。そのため、有機ＥＬ装置の表示性能を良好に維持するために、発光素子の発光状態を光センサを用いて検出し、その検出結果に基づいて、発光素子の発光状態を制御する技術が案出されている。
【特許文献１】特開２００２−２７８５０４号公報
【特許文献２】特開２００６−０９８６３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
有機ＥＬ装置において、発光素子の光をカラーフィルタを介して装置の外部に射出する技術が知られている。このような構成の装置の場合、光センサを配置する位置によっては、その光センサの検出結果に基づいて、有機ＥＬ装置の表示性能を維持するための制御を良好に行うことができなくなる可能性がある。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、表示性能を良好に維持できる有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用する。
本発明の第１の態様によると、複数の発光素子が設けられた第１基板と、前記第１基板と対向するように配置され、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を外部に射出する射出面を有する第２基板と、前記第２基板に設けられ、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を透過可能な複数の着色部と、前記第２基板に設けられ、前記着色部を透過した前記発光素子の光を検出する光センサと、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置が提供される。
【０００６】
本発明の第１の態様によれば、カラーフィルタの着色部を透過した発光素子の光を光センサで検出するようにしたので、光センサは、有機ＥＬ装置の外部に実際に射出される光、すなわち、実際に観察者の目に入射する光と等価な光を検出できる。したがって、その検出結果に基づいて、表示性能を良好に維持するための適切な処置を講ずることができる。
【０００７】
上記態様の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記複数の発光素子に対応する画素を複数有し、前記着色部及び前記光センサは、前記画素毎に設けられている構成を採用できる。
【０００８】
これによれば、画素毎の光を光センサで検出でき、その検出結果に基づいて、表示性能を良好に維持するための適切な処置を講ずることができる。
【０００９】
上記態様の有機エレクトロルミネッセンス装置において、複数の着色部の境界に配置された遮光部を有し、前記光センサは、前記遮光部によって前記外部からの光の照射が抑制された位置に配置されている構成を採用できる。
【００１０】
これによれば、光センサは、外部からの光の影響をほぼ受けることなく、カラーフィルタの着色部を透過した光を良好に検出できる。
【００１１】
上記態様の有機エレクトロルミネッセンス装置において、複数の着色部の境界に配置された遮光部を有し、前記光センサは、前記遮光部によって前記外部からの光の照射が抑制された位置に配置され、前記遮光部は、該光センサに接続される配線の少なくとも一部を含む構成を採用できる。
【００１２】
これによれば、光センサは、外部からの光の影響をほぼ受けることなく、カラーフィルタの着色部を透過した光を良好に検出できる。
【００１３】
上記態様の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記光センサの検出結果に基づいて、前記発光素子に与える電力を調整する制御装置を備えた構成を採用できる。
【００１４】
これによれば、光センサの検出結果に基づいて、有機ＥＬ装置の表示性能を良好に維持することができる。
【００１５】
本発明の第２の態様によると、第１基板と、前記第１基板上に設けられ、前記第１基板と対向する第１電極及び該第１電極と反対側の第２電極を含む発光素子と、前記発光素子の光射出側で前記第２電極と接続するように配置され、前記発光素子の光の一部を透過するとともに別の一部を反射し、前記第１電極と前記第２電極との間で光共振器を形成する半透明反射膜と、前記第１基板上の発光素子と対向するように配置され、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を外部に射出する射出面を有する第２基板と、前記第２基板に設けられ、前記光共振器を含む前記発光素子の光を検出する光センサと、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置が提供される。
【００１６】
本発明の第２の態様によれば、微小な光共振器構造、所謂マイクロキャビティ構造を含む発光素子の光を光センサで検出するようにしたので、光センサは、有機ＥＬ装置の外部に実際に射出される光、すなわち、実際に観察者の目に入射する光と等価な光を検出できる。したがって、その検出結果に基づいて、表示性能を良好に維持するための適切な処置を講ずることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１８】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置Ｓの一例を模式的に示す側断面図である。
【００１９】
図１において、有機ＥＬ装置Ｓは、複数の発光素子１が設けられたＴＦＴアレイ基板２と、ＴＦＴアレイ基板２と対向するように配置され、発光素子１の光が入射するとともに、その入射した光を外部に射出する射出面３を有するカラーフィルタ４を備えたカラーフィルタ基板（封止基板）５とを備えている。ＴＦＴアレイ基板２は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等の回路素子を含む。カラーフィルタ４は、ＴＦＴアレイ基板２に設けられた発光素子１の光が入射するとともに、その入射した光を透過可能な複数の着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂと、複数の着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの境界に配置された遮光部ＢＭとを有する。
【００２０】
着色部は、赤色着色部（Ｒ着色部）４Ｒ、緑色着色部（Ｇ着色部）４Ｇ、及び青色着色部（Ｂ着色部）４Ｂを含む。遮光部ＢＭは、Ｒ着色部４Ｒ、Ｇ着色部４Ｇ、及びＢ着色部４Ｂの境界に配置されており、画素間の光の漏れを抑制する機能、コントラストを向上する機能等を有する、所謂ブラックマトリクスである。
【００２１】
本実施形態においては、発光素子１は、白色光を発光する。発光素子１の白色光がカラーフィルタ４を透過することによって、射出面３からは、赤色、緑色、及び青色に着色された光が射出される。これにより、有機ＥＬ装置Ｓは、フルカラー表示できる。
【００２２】
そして、本実施形態の有機ＥＬ装置Ｓは、カラーフィルタ基板５に設けられ、カラーフィルタ４の着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した発光素子１の光を検出する光センサ６を備えている。
【００２３】
有機ＥＬ装置Ｓは、複数の発光素子１に対応する画素（サブ画素を含む）を複数有し、着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ及び光センサ６は、画素毎に設けられている。また、光センサ６は、遮光部ＢＭによって外部からの光の照射が抑制された位置に配置されている。本実施形態においては、光センサ６は、遮光部ＢＭと着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂとの間に配置されている。
【００２４】
また、有機ＥＬ装置Ｓは、各光センサ６の検出結果に基づいて、各発光素子１に与える電力を調整する制御装置７を備えている。
【００２５】
本実施形態の有機ＥＬ装置Ｓは、発光素子１の光を、カラーフィルタ基板５側から取り出す方式、所謂トップエミッション型である。
【００２６】
図２は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置Ｓの配線構造を示す模式図である。本実施形態の有機ＥＬ装置Ｓは、アクティブマトリクス方式の駆動方式を採用し、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を有する。
【００２７】
図２において、有機ＥＬ装置Ｓは、Ｘ軸方向に延び、Ｙ軸方向に並ぶようにＴＦＴアレイ基板２に形成された複数の走査線（ゲート線）１０１と、Ｙ軸方向に延び、Ｘ軸方向に並ぶようにＴＦＴアレイ基板２に形成された複数の信号線（ソース線、データ線）１０２と、各信号線１０２と並列となるようにＴＦＴアレイ基板２に形成された複数の電源線１０３とを有する。画素が形成される画素領域ＧＡは、複数の走査線１０１と複数の信号線１０２との各交点付近に設けられる。
【００２８】
走査線１０１のそれぞれは、走査線駆動回路８０と接続されている。走査線駆動回路８０は、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を含む。信号線１０２のそれぞれは、信号線駆動回路８１と接続されている。信号線駆動回路８１は、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチ等を含む。
【００２９】
有機ＥＬ装置Ｓは、画素領域ＧＡのそれぞれに配置され、走査線１０１より印加される走査信号（電圧）に基づいてＯＮ状態（導通状態）又はＯＦＦ状態（非導通状態）に切り替わるスイッチング用ＴＦＴ３１と、スイッチング用ＴＦＴ３１がＯＮ状態のときに、そのスイッチング用ＴＦＴ３１を介して信号線１０２より画像信号（電圧）が印加され、その画像信号（電圧）を保持可能な保持容量３２と、保持容量３２より印加される画像信号（電圧）に基づいてＯＮ状態（導通状態）又はＯＦＦ状態（非導通状態）に切り替わる駆動用ＴＦＴ３３と、駆動用ＴＦＴ３３がＯＮ状態のときに、その駆動用ＴＦＴ３３を介して電源線１０３より駆動電流が供給され、その駆動電流に基づいて発光する発光素子１とを備えている。発光素子１は、画素電極２３と、共通電極２５と、画素電極２３と共通電極２５とに挟まれた発光層２４とを備えている。
【００３０】
スイッチング用ＴＦＴ３１のゲート電極は、走査線１０１に接続されている。走査線１０１よりスイッチング用ＴＦＴ３１のゲート電極に走査信号が供給されると、その走査信号に基づいて、スイッチング用ＴＦＴ３１は、ＯＮ状態となる。走査線駆動回路８０は、複数の走査線１０１のそれぞれに、パルス状の走査信号を順次印加する。これにより、複数のスイッチング用ＴＦＴ３１のゲート電極のそれぞれに走査信号が順次印加され、複数のスイッチング用ＴＦＴ３１は、順次ＯＮ状態となる。
【００３１】
スイッチング用ＴＦＴ３１のソース電極は、信号線１０２に接続されており、スイッチング用ＴＦＴ３１のドレイン電極は、保持容量３２に接続されている。スイッチング用ＴＦＴ３１がＯＮ状態のときに、信号線１０２よりスイッチング用ＴＦＴ３１のソース電極に画像信号（電圧）が印加されると、スイッチング用ＴＦＴ３１（スイッチング用ＴＦＴ３１のドレイン電極）を介して、保持容量３２が充電される。保持容量３２には、そのときの信号線１０２の画像信号（電位）が保持され、保持容量３２は、印加された画像信号（電圧）を保持する。
【００３２】
駆動用ＴＦＴ３３のゲート電極は、保持容量３２に接続されている。駆動用ＴＦＴ３３の状態（ＯＮ状態、ＯＦＦ状態のいずれか）は、保持容量３２の状態に応じて決定される。保持容量３２より、駆動用ＴＦＴ３３のゲート電極に、その保持容量３２に保持されていた画像信号（電圧）が印加されると、その画像信号に基づいて、駆動用ＴＦＴ３３は、ＯＮ状態となる。
【００３３】
駆動用ＴＦＴ３３のソース電極は、電源線１０３に接続されており、駆動用ＴＦＴ３３のドレイン電極は、発光素子１の画素電極２３に接続されている。駆動用ＴＦＴ３３がＯＮ状態のときに、電源線１０３より駆動用ＴＦＴ３３のソース電極に駆動電流が供給されると、その駆動電流が、駆動用ＴＦＴ３３（駆動用ＴＦＴ３３のドレイン電極）を介して、発光素子１の画素電極２３に供給される。発光素子１の画素電極２３に供給された電流は、発光層２４を介して、共通電極２５に流れる。発光層２４は、流れる電流量に応じて発光する。このように、発光素子１は、供給される電流に応じて発光し、発光素子１から射出される光の光量（輝度）は、供給される電流値に応じて変化する。制御装置７は、発光素子１に供給する電流値を調整することによって、発光素子１から射出される光の光量（輝度）を調整可能である。
【００３４】
発光素子１に供給する電流値（発光素子１から射出される光の光量）は、保持容量３２から駆動用ＴＦＴ３３（駆動用ＴＦＴ３３のゲート電極）に印加される電圧値によって制御可能である。また、保持容量３２は、画像信号（電圧）を保持可能（維持可能）なので、走査線１０１からのスイッチング用ＴＦＴ３１（スイッチング用ＴＦＴ３１のゲート電極）に対する走査信号（電圧）の印加が停止し、スイッチング用ＴＦＴ３１がＯＦＦ状態になっても、駆動用ＴＦＴ３３（駆動用ＴＦＴ３３のゲート電極）の電圧（電位）は、保持容量３２によって維持され、発光素子１は、発光し続けることができる。
【００３５】
図３は、有機ＥＬ装置Ｓを模式的に示す平面図である。図３に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置Ｓは、各種配線、ＴＦＴ等を含む回路素子が設けられたＴＦＴアレイ基板２と、カラーフィルタ４を含むカラーフィルタ基板５とを備えている。本実施形態においては、有機ＥＬ装置Ｓは、カラーフィルタ基板５の射出面３側に配置された表示領域５０を有する。本実施形態においては、表示領域５０は、実表示領域５１と、実表示領域５１の周囲に配置されたダミー領域５２とを含む。
【００３６】
実表示領域５１には、画素電極２３、及び各画素領域ＧＡの発光素子１の光が透過する着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂがマトリクス状に配置されている。発光素子１の白色の光は、各着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過して、射出面３より、赤色、緑色、及び青色の光として射出される。また、ダミー領域５２には、走査線駆動回路８０、８０と、検査回路８２とが配置されている。検査回路８２は、有機ＥＬ装置Ｓの動作状況を検査するための回路であり、例えば、検査結果を外部に出力する検査情報出力装置（図示せず）を備え、製造途中、出荷時における有機ＥＬ装置Ｓの品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００３７】
図４は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置Ｓの断面図である。図４において、有機ＥＬ装置Ｓは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えたＴＦＴアレイ基板２と、ＴＦＴアレイ基板２上に設けられた発光素子１とを備えている。
【００３８】
ＴＦＴアレイ基板２は、基板２０と、その基板２０上に設けられた走査線１０１、信号線１０２、電源線１０３、スイッチング用ＴＦＴ３１、及び駆動用ＴＦＴ３３等を含む回路素子と、層間絶縁膜２１とを有する。基板２０は、ガラス、透明な樹脂等で形成されており、透明な基板である。
【００３９】
なお、上述のように、本実施形態の有機ＥＬ装置Ｓは、トップエミッション型であるため、基板２０は、金属、不透明な樹脂等で形成された不透明な基板でもよい。
【００４０】
層間絶縁膜２１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）で形成されており、基板２０上に設けられた走査線１０１、信号線１０２、電源線１０３、スイッチング用ＴＦＴ３１、及び駆動用ＴＦＴ３３等の回路素子を覆っている。なお、層間絶縁膜２１は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）等で形成されてもよい。
【００４１】
発光素子１は、層間絶縁膜２１上に形成された画素電極２３と、画素電極２３上に配置された発光層２４と、発光層２４上に配置された共通電極２５とを有する。
【００４２】
画素電極２３は、駆動用ＴＦＴ３３のそれぞれに対応するように形成されている。本実施形態においては、画素電極２３は、アルミニウムの膜等、光を反射する機能を有する反射膜２３Ａと、反射膜２３Ａ上に形成され、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の膜等、光を透過する機能を有する透明膜２３Ｂとを含む。なお、画素電極２３は、反射膜２３Ａ及び透明膜２３Ｂのいずれか一方のみで形成されていてもよい。画素電極２３は、層間絶縁膜２１に形成されたコンタクトホール内のプラグ（図示せず）を介して、駆動用ＴＦＴ３３と電気的に接続されている。
【００４３】
層間絶縁膜２１上には、画素領域ＧＡを区画する隔壁２２が形成されている。隔壁２２は、互いに隣り合う画素電極２３、２３の間の層間絶縁膜２１の上面を覆うとともに、各画素電極２３の上面の周縁領域を覆うように形成されている。画素電極２３の上面の中央領域は、隔壁２２の開口２２Ａより露出する。隔壁２２は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁性を有する有機材料で形成されている。
【００４４】
発光層２４は、開口２２Ａより露出した画素電極２３の上面の中央領域、及び隔壁２２の上面を覆うように形成されている。発光層２４は、画素電極２３の上面に接続するように形成された正孔輸送層と、正孔輸送層上に形成された正孔注入層と、正孔注入層上に形成された有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に形成された電子注入層と、電子注入層上に形成された電子輸送層とを含む。これら各層は、例えば蒸着法等の気相成膜法によって形成可能である。なお、この発光層２４の層構成は、必要に応じて適宜に変更可能である。例えば、有機ＥＬ層が複数の層で形成されていてもよい。
【００４５】
なお、正孔輸送層、正孔注入層は、例えば、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、及び特開平３−１５２１８４号公報等に記載されているような、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、４，４’−ビス（Ｎ（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル等で形成可能である。
【００４６】
有機ＥＬ層は、低分子の有機発光色素、高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質、燐光物質などの発光物質、Ａｌｑ３（アルミキレート錯体）等の有機エレクトロルミネッセンス材料で形成可能である。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン又はポリフルオレン構造を含むものなどが特に好ましい。低分子発光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭５７−５１７８１号公報、特開昭５９−１９４３９３号公報等に開示されている材料が挙げられる。
【００４７】
上述のように、本実施形態においては、有機ＥＬ層を含む発光層２４は白色光を発光する。したがって、有機ＥＬ層を形成する材料としては、有機ＥＬ層から発光される光が白色となるように適宜選択される。白色光は、互いに異なるピーク波長を有する複数の光を合成した光であるため、例えば、赤色の光を発光できる材料、緑色の光を発光できる材料、及び青色の光を発光できる材料を合成することによって、白色の光を発光できる有機ＥＬ層を形成する材料を形成できる。
【００４８】
電子注入層、電子輸送層は、例えば、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、及び特開平３−１５２１８４号公報等に開示されているような、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム等で形成可能である。
【００４９】
共通電極２５は、発光層２４を覆うように形成されている。共通電極２５は、例えばＭｇＡｇ、ＩＴＯの膜等、光を透過する機能を有する透明膜で形成されている。共通電極２５は、例えば蒸着法等によって形成可能である。上述のように、本実施形態の有機ＥＬ装置Ｓは、トップエミッション型であるため、共通電極２５は、十分な透明性を有する膜で形成される。
【００５０】
共通陰極２５上には、ＳｉＯＮ等の膜等、光を透過する機能を有するパッシベーション膜２６が形成されている。パッシベーション膜２６は、共通電極２５を覆うように形成されている。パッシベーション膜２６は、水分、酸素等が外部から発光層２４に浸入することを抑制する機能を有する。
【００５１】
カラーフィルタ基板５は、基板３０と、その基板３０に設けられたカラーフィルタ４とを有する。基板３０は、ガラス、透明な樹脂等で形成されており、透明な基板である。カラーフィルタ基板５は、透明な接着層２７を介して、パッシベーション膜２６上に接続されている。接着層２７は、熱硬化型樹脂、または紫外線照射硬化型樹脂で形成されており、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等で形成可能である。
【００５２】
カラーフィルタ４は、接着層２７と対向するように配置された着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂと、各着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの境界に配置された遮光部（ブラックマトリクス）ＢＭとを有する。
【００５３】
遮光部ＢＭは、基板３０の表面（射出面３を含む）と平行な平面内（ＸＹ平面内）において、画素領域ＧＡの間に配置されている。図４においては、遮光部ＢＭは、隔壁２２の直上に配置されている。遮光部ＢＭは、クロム（Ｃｒ）の膜等、光を遮る機能を有する膜で形成されている。遮光部ＢＭは、格子状に形成されている。遮光部ＢＭに囲まれた領域は、画素領域ＧＡのそれぞれと対応する。
【００５４】
カラーフィルタ４は、画素領域ＧＡのそれぞれと対応する位置、すなわち、図４において、画素領域ＧＡ（画素電極２３）のほぼ直上に配置されている。発光層２４から発光された白色の光はカラーフィルタ４の各着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過することによって着色され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの波長域にピークを有する光として射出面３より射出する。
【００５５】
着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂは、発光素子１と対向するように配置されている。すなわち、発光素子１と対向するカラーフィルタ４の面（下面）は、着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの下面で形成されている。一方、遮光部ＢＭは、発光素子１とは反対側の基板３０と対向するように配置されている。すなわち、基板３０と対向するカラーフィルタ４の面（上面）の一部は、遮光部ＢＭの上面で形成されている。
【００５６】
そして、光センサ６は、遮光部ＢＭによって、装置の外部からの光（射出面３からの光）の照射が抑制された位置に配置されている。具体的には、光センサ６は、カラーフィルタ４の上面側に配置されている遮光部ＢＭと下面側に配置されている着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂとの間に配置されている。これにより、光センサ６は、遮光部ＢＭによって外部からの光の照射を抑制されつつ、着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した発光素子１の光のみを検出可能である。光センサ６は、各画素領域ＧＡ毎に設けられている。
【００５７】
図５は、光センサ６の一例を示す模式図である。光センサ６は、カラーフィルタ基板５に設けられており、着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した発光素子１の光を検出する。光センサ６は、フォトダイオード、フォトトランジスタ等、光を受光することによって、電気信号（電流）を出力可能な受光素子を含む。
【００５８】
本実施形態においては、光センサ６は、ＴＦＴと同等の構成を有する。図５において、光センサ６は、遮光部ＢＭの一部に形成された絶縁性の基材６１と、絶縁性の基材６１上（図５においては、基材６１の下面）に形成されたゲート電極６２と、ゲート電極６２を覆うゲート絶縁膜６３と、ゲート絶縁膜６３を介してゲート電極６２と対向するように配置されたアモルファスシリコン膜６４と、アモルファスシリコン膜６４上に形成されたｎ型アモルファスシリコン膜６５と、ソース電極６６と、ドレイン電極６７と、アモルファスシリコン膜６４、６５、ソース電極６６、及びドレイン電極６７を覆う絶縁膜６８とを備えている。
【００５９】
本実施形態においては、ゲート電極６２は、モリブデン（Ｍｏ）等、光を遮る機能を有する材料で形成されている。ゲート絶縁膜６３は、例えばＳｉＯ２で形成されている。ソース電極６６及びドレイン電極６７は、例えばアルミニウム（Ａｌ）で形成されている。絶縁膜６８は、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）で形成されている。
【００６０】
上述のように、本実施形態においては、光センサ６には、発光素子１から射出され、カラーフィルタ４の着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した光が入射する。光センサ６は、受光した光の光量（受光量）に応じた電気信号（電流）を出力する。
【００６１】
本実施形態においては、アモルファスシリコン膜６４、６５と対向する位置に、光を遮る機能を有するゲート電極６２が配置されている。したがって、遮光部ＢＭ及びゲート電極６２によって、外部からの光が光センサ６（アモルファスシリコン膜）に照射されることが抑制されている。特に、基板３０の表面（射出面３）と平行なＸＹ平面内におけるゲート電極６２の大きさを、アモルファスシリコン膜６４、６５より大きくすることによって、外部からの光がアモルファスシリコン膜に照射されることを抑制できる。
【００６２】
このように、光センサ６に接続される配線の一部を形成するゲート電極６２によって、光センサ６に外部からの光が照射されることを抑制することができる。あるいは、バイアス線７３の一部、走査線７１の一部等を用いて、光センサ６に外部からの光が照射されることを抑制することもできる。
【００６３】
図６は、複数の光センサ６の出力を読み出すための配線構造の一例を示す模式図である。図６においては、一例として、各着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した発光素子１の光のそれぞれを検出する複数（３つ）の光センサ６が示されている。
【００６４】
本実施形態において、有機ＥＬ装置Ｓは、各光センサ６に接続されるスイッチング用ＴＦＴ７０を備えている。光センサ６は、スイッチング用ＴＦＴ７０のソース電極と接続されている。スイッチング用ＴＦＴ７０のゲート電極は、カラーフィルタ基板２上に形成された走査線７１に接続されており、スイッチング用ＴＦＴ７０のドレイン電極は、カラーフィルタ基板２上に形成された読み出し線７２に接続されている。
【００６５】
光センサ６に光が照射されている状態で、走査線７１によりスイッチング用ＴＦＴ７０のゲート電極に走査信号（電圧）が印加され、そのスイッチング用ＴＦＴ７０がＯＮ状態となると、光センサ６は、スイッチング用ＴＦＴ７０を介して、電気信号を読み出し線７２に出力する。読み出し線７２は、制御装置７に接続されており、光センサ６の電気信号は、制御装置７に出力される。光センサ６は、受光量に応じた電気信号を出力するので、制御装置７は、光センサ６から出力された電気信号に基づいて、光センサ６で受光した受光量を求めることができる。また、発光素子１より射出され、着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した光の光量と、光センサ６の受光量とは対応関係にあるため、制御装置７は、光瀬名６から出力された電気信号に基づいて、着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した発光素子１の光の光量を求めることができる。また、光センサ６は、画素毎に設けられており、制御装置７は、画素毎の光センサ６の電気信号（画素毎の着色部を透過した光の光量）を検出できる。
【００６６】
図７は、本実施形態に係る光センサ６に接続された配線構造を示す模式図、図８は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置Ｓの電気的構成を示すブロック図である。
【００６７】
図７及び図８において、有機ＥＬ装置Ｓは、Ｘ軸方向に延び、Ｙ軸方向に並ぶようにカラーフィルタ基板５に形成された複数の走査線（ゲート線）７１と、各走査線７１と並列となるようにカラーフィルタ基板５に形成された複数のバイアス線７３と、Ｙ軸方向に延び、Ｘ軸方向に並ぶようにカラーフィルタ基板５に形成された複数の読み出し線７２とを備えている。カラーフィルタ基板５の走査線７１は、ＴＦＴアレイ基板２の走査線１０１と対応するように形成されている。同様に、カラーフィルタ基板５の読み出し線７２は、ＴＦＴアレイ基板２の信号線１０２と対応するように形成されている。
【００６８】
図８に示すように、走査線７１のそれぞれは、走査線駆動回路８３と接続されている。読み出し線７２のそれぞれは、読み出し線駆動回路８４と接続されている。ＴＦＴを含む光センサ６は、複数の走査線７１と複数の読み出し線７２との各交点付近に設けられる。なお、図８においては、バイアス線７３の図示を省略してある。
【００６９】
図７に示すように、有機ＥＬ装置Ｓは、ＴＦＴからなる光センサ６と、走査線７１より印加される走査信号（電圧）に基づいてＯＮ状態（導通状態）又はＯＦＦ状態（非導通状態）に切り替わるスイッチング用ＴＦＴ７０とを備えている。
【００７０】
光センサ６のゲート電極は、そのゲート電極に負バイアスを印加可能なバイアス線７３と接続されている。光センサ６のドレイン電極は、スイッチング用ＴＦＴ７０のソース電極と接続されている。光センサ６のソース電極は、バイアス線７３に隣接する走査線７１と接続されている。
【００７１】
ＴＦＴからなる光センサ６は、バイアス線７３の状態に基づいて、具体的にはバイアス線７３より印加される負バイアス（負の電圧）に基づいて、ＯＮ状態又はＯＦＦ状態に切り替わる。バイアス線７３より光センサ６のゲート電極に負バイアス（負の電圧）が印加されると、その負バイアスに基づいて、光センサ６は、ＯＮ状態となる。
【００７２】
光センサ６に光が照射されている状態で、バイアス線７３の状態に基づいて、光センサ６（ＴＦＴ）がＯＮ状態となると、光センサ６は、電気信号をスイッチング用ＴＦＴ７０に出力する。走査線７１の状態に基づいて、走査線７１よりスイッチング用ＴＦＴ７０のゲート電極に走査信号（電圧）が印加され、そのスイッチング用ＴＦＴ７０がＯＮ状態となると、光センサ６からスイッチング用ＴＦＴ７０のソース電極に供給された電気信号は、スイッチング用ＴＦＴ７０のドレイン電極に供給される。スイッチング用ＴＦＴ７０のドレイン電極は、読み出し線７２に接続されており、光センサ６の電気信号は、読み出し線７２に出力される。すなわち、光センサ６からスイッチング用ＴＦＴ７０に供給された電気信号は、ＯＮ状態のスイッチング用ＴＦＴ７０を介して、読み出し線７２に出力される。読み出し線７２に出力された光センサ６の電気信号は、読み出し線駆動回路８４を介して、制御装置７に出力される。
【００７３】
光センサ６は、受光量に応じた電気信号を出力する。制御装置７は、光センサ６から出力された電気信号に基づいて、光センサ６の受光量、すなわち、発光素子１より射出され、着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した光の光量を求めることができる。また、光センサ６は、画素毎に設けられており、制御装置７は、画素毎の光センサ６の電気信号（画素毎の着色部を透過した光の光量）を検出できる。
【００７４】
本実施形態においては、ＴＦＴアレイ基板２の走査線１０１の走査と、カラーフィルタ基板５の走査線７１の走査とが同期して実行される。換言すれば、ＴＦＴアレイ基板２の複数の走査線１０１のそれぞれにパルス状の走査信号が印加されるタイミングと同期して、その走査線１０１に対応するカラーフィルタ基板５の複数の走査線７１のそれぞれにパルス状の走査信号が印加される。これにより、ＴＦＴアレイ基板２の発光素子１の発光動作に同期して、その発光素子１に対応するように配置されている光センサ６の受光動作が実行される。
【００７５】
図８に示すように、本実施形態の制御装置７は、ＴＦＴアレイ基板２の駆動回路８０、８１を制御するとともに、カラーフィルタ基板５の駆動回路８３、８４を制御する制御部９１と、有機ＥＬ装置Ｓで画像を表示するための画像信号をＴＦＴアレイ基板２の駆動回路８１に出力する画像処理部９２と、画像表示に関する各種情報を記憶した記憶部９３と、カラーフィルタ基板５の光センサ６からの電気信号が読み出し線駆動回路８４を介して出力される信号処理部９４とを含む。
【００７６】
制御部９１は、ＴＦＴアレイ基板２の各駆動回路８０、８１を制御するための制御信号を、各駆動回路８０、８１に出力する。制御部９１は、タイミング信号生成装置として機能し、外部装置から供給される垂直走査信号、水平走査信号、ドットクロック信号、及びクロック信号等の制御信号に従って、各種タイミング信号、クロック信号等を生成し、ＴＦＴアレイ基板２の駆動回路８０、８１に出力する。
【００７７】
また、制御部９１は、カラーフィルタアレイ基板２の各駆動回路８３、８４を制御するための制御信号を、各駆動回路８３、８４に出力する。本実施形態においては、制御部９１は、ＴＦＴアレイ基板２の走査線１０１の走査と、カラーフィルタ基板５の走査線７１の走査とが同期して実行されるように、各駆動回路８０、８３を制御する。
【００７８】
画像処理部９２は、有機ＥＬ装置Ｓが所望の画像を表示できるように、外部装置から入力される画像信号を補正して、その補正後の画像信号をＴＦＴアレイ基板２の駆動回路８１に出力する。本実施形態においては、記憶部９３には、光センサ６に入射する光の波長と、その光の波長に対応する光センサ６の感度との関係が記憶されている。画像処理部９２は、記憶部９３の記憶情報を参照して、外部装置から入力される画像信号を、所望の画像が得られる画像信号に補正する。
【００７９】
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置Ｓの動作の一例について説明する。制御装置７は、ＴＦＴアレイ基板２の駆動回路８０、８１のそれぞれに、制御部９１より、制御信号を出力させるとともに、ＴＦＴアレイ基板２の駆動回路８１に、画像処理部９２より、画像信号を出力させる。駆動回路８０、８１は、制御部９１及び画像処理部９２のそれぞれから供給された制御信号及び画像信号に基づいて、各走査線１０１、信号線１０２等を介して、ＴＦＴ３１、３３に、走査信号、画像信号を供給する。各画素の発光素子１には、供給された画像信号に基づく電流が流れ、各画素の発光素子１は、その電流値に応じた光量（輝度）の光を射出する。
【００８０】
本実施形態においては、制御装置７は、ＴＦＴアレイ基板２の複数の走査線１０１のそれぞれにパルス状の走査信号を印加するタイミングと同期して、カラーフィルタ基板５の複数の走査線７１のそれぞれにパルス状の走査信号を印加する。これにより、各画素の発光素子１に対応するようにカラーフィルタ基板５に配置されている複数の光センサ６は、ＴＦＴアレイ基板２の発光素子１の発光動作に同期して、その発光素子１からの光を受光する。各光センサ６は、受光量に応じた電気信号を、スイッチング用ＴＦＴ７０を介して、読み出し線７２に出力する。読み出し線７２に出力された光センサ６の電気信号は、駆動回路８４を介して、信号処理部９４に出力される。
【００８１】
本実施形態においては、信号処理部９４は、１フレーム毎、すなわち、複数の走査線７１の１回の走査毎の光センサ６の電気信号を保持する。信号処理部９４は、光センサ６の電気信号を処理した後、画像処理部９２に出力する。
【００８２】
画像処理部９２は、信号処理部９４から供給される各光センサ６の検出結果に基づいて、各画素の着色部４Ｒ、４Ｂ、４Ｇを透過した発光素子１の光が、所望の光量（輝度）を有しているかどうかを判断する。そして、画像処理部９２は、各光センサ６の検出結果に基づいて、各画素の着色部４Ｒ、４Ｂ、４Ｇを透過した発光素子１の光が、所望の光量（輝度）を有するように、外部装置から入力される画像信号を必要に応じて補正して、その補正後の画像信号を出力する。例えば、ある画素の着色部４Ｒを透過した発光素子１の光が、所望の光量（輝度）を有していない場合、所望の光量（輝度）を有するように、その画素の発光素子１に流れる電流値が最適値となるように、画像信号に補正する。例えば、ある画素の着色部４Ｒを透過した発光素子１の光が、目標光量よりも低い光量である場合、所望の光量となるように、その画素の発光素子１に流れる電流値が高くなるように、画像信号を補正する。
【００８３】
記憶部９３には、発光素子１に流す電流値（ひいてはその電流値を得るための画像信号の補正量）と、着色部を介して得られる発光素子１から射出された光の光量との関係が予め記憶されている。また、記憶部９３には、光センサ６に入射する光の波長と、その光の波長に対応する光センサ６の感度との関係が記憶されている。制御装置７の画像処理部９２は、光センサ６の検出結果と、記憶部９３の記憶情報とに基づいて、所望の光量を得るための発光素子１に流す電流値（画像信号）を決定する。
【００８４】
そして、制御装置７の画像処理部９２は、その決定した補正後の画像信号を、ＴＦＴアレイ基板２の駆動回路８０、８１に出力する。
【００８５】
以上説明したように、本実施形態によれば、カラーフィルタ４の複数の着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した発光素子１の光を光センサ６で検出するようにしたので、光センサ６は、有機ＥＬ装置Ｓの外部に実際に射出される光、すなわち、実際に観察者の目に入射する光と等価な光を検出できる。したがって、その検出結果に基づいて、有機ＥＬ装置Ｓの表示性能を良好に維持するための適切な処置を講ずることができる。
【００８６】
そして、制御装置７は、光センサ６の検出結果に基づいて、発光素子１に与える電力（発光素子１に流す電流）を調整できるので、有機ＥＬ装置Ｓの表示性能を良好に維持することができる。発光素子１が経時的に劣化し、例えば光量が低下する場合であっても、光センサ６の検出結果に基づいて、発光素子１に流す電流を調整することによって、発光素子１を所望の発光状態にすることができ、有機ＥＬ装置Ｓは、その発光素子１を用いて所望の光量で画像を表示できる。また、有機ＥＬ装置Ｓは、発光素子１から発光される光量の経時的な変化を補正できるので、入力画像を忠実に再現でき、その再現性を長期間に亘って維持できる。
【００８７】
また、光センサ６は、画素毎に設けられているので、制御装置７は、画素毎の光量を調整でき、例えば光量むら、色むらなどを補正することもできる。
【００８８】
そして、光センサ６（アモルファスシリコン膜６４、６５）は、遮光部ＢＭ、ゲート電極６２等によって、外部からの光の照射が抑制された位置に配置されているので、外部からの光の影響をほぼ受けることなく、発光素子１より射出され、カラーフィルタ４の着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した光を良好に検出できる。したがって、制御装置７は、その光センサ６の検出結果に基づいて、発光素子１に流す電流を制御して、ほぼ目標値どおりの光量を有する着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを介した発光素子１の光を得ることができる。
【００８９】
また、本実施形態においては、ＴＦＴアレイ基板２の各ＴＦＴ３１、３３と、カラーフィルタ基板５の各ＴＦＴ６、７０とを別々に形成することができる。したがって、カラーフィルタ基板５の各ＴＦＴ６、７０を、アモルファスシリコンを含むものとし、ＴＦＴアレイ基板２の各ＴＦＴ３１、３３を、ポリシリコンを含むものとすることができるなど、各ＴＦＴを所望の形態に製造できる。
【００９０】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００９１】
図９は、第２実施形態に係る有機ＥＬ装置Ｓの一例を模式的に示す側断面図である。本実施形態においては、有機ＥＬ装置Ｓは、互いに異なる色の光を射出する発光素子１を複数備える。本実施形態においては、有機ＥＬ装置Ｓは、赤色の光を射出する発光素子１Ｒ、緑色の光を射出する発光素子１Ｇ、及び青色の光を射出する発光素子１Ｂを有する。また、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂのそれぞれに対応するように、各着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂが配置されている。すなわち、発光素子１Ｒから射出された赤色の光は、Ｒ着色部４Ｒを透過した後、射出面３より射出され、発光素子１Ｇから射出された赤色の光は、Ｇ着色部４Ｇを透過した後、射出面３より射出され、発光素子１Ｂから射出された赤色の光は、Ｂ着色部４Ｂを透過した後、射出面３より射出される。こうすることにより、射出面３から射出される色純度を向上することができ、有機ＥＬ装置Ｓは、高いコントラストを有する画像を表示できる。
【００９２】
本実施形態においても、各画素毎に、光センサ６が設けられており、制御装置７は、光センサ６の検出結果に基づいて、所望の光量を有する光を射出面３より射出できる。
【００９３】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００９４】
図１０は、第３実施形態に係る有機ＥＬ装置Ｓの一例を模式的に示す側断面図である。第３実施形態の有機ＥＬ装置Ｓは、ＴＦＴアレイ基板２と、ＴＦＴアレイ基板２上に設けられ、ＴＦＴアレイ基板２と対向する画素電極２３及びその画素電極２３と反対側の共通電極２５を含む発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの光射出側で共通電極２５と接続するように配置され、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの光の一部を透過するとともに別の一部を反射し、画素電極２３と共通電極２５との間で光共振器を形成する半透明反射膜２９と、ＴＦＴアレイ基板２上の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと対向するように配置され、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの光が入射するとともに、その入射した光を外部に射出する射出面３を有する第２基板５と、第２基板５に設けられ、光共振器を含む発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの光を検出する光センサ６とを備えている。
【００９５】
すなわち、本実施形態の有機ＥＬ装置Ｓは、例えば特開平７−２８２９８１号公報に開示されているような、微小な光共振器構造、いわゆるマイクロキャビティ構造を含む発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを有する。本実施形態においては、半透明反射膜２９は、例えば、ＴｉＯ２の膜とＳｉＯ２の膜とを積層したものである。また、画素電極２３は、例えばアルミニウム等、光を反射可能な材料で形成された膜を含む。共通電極２５は、ＭｇＡｇ、ＩＴＯ等、透明な材料で形成されている。
【００９６】
本実施形態においては、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの発光スペクトルのピーク波長と、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの画素電極２３と共通電極２５との間の発光層（有機層）２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂにおける光路長とが合致するように、各発光層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂの膜厚が設定されている。したがって、図１０に示すように、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの発光層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂの膜厚が互いに異なる。マイクロキャビティ構造を有する発光素子１Ｒ、１Ｂ、１Ｇのそれぞれは、所望の発光スペクトルを有する光を射出できる。
【００９７】
そして、第３実施形態においては、上述の第２実施形態と同様、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂのそれぞれに対応するように、各着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂが配置されている。これにより、射出面３からは、高い色純度の光が射出される。
【００９８】
本実施形態においても、各画素毎に、光センサ６が設けられており、制御装置７は、光センサ６の検出結果に基づいて、所望の光量を有する光を射出面３より射出できる。
【００９９】
なお、第３実施形態において、カラーフィルタ４（着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）を省略してもよい。マイクロキャビティ構造を有する発光素子１Ｒ、１Ｂ、１Ｇのそれぞれは、所望の発光スペクトルを有する光を射出できるので、カラーフィルタ４（着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）を省略しても、射出面３から、高い色純度の光を射出できる。
【０１００】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。図１１（Ａ）〜（Ｃ）は、上述の第１〜第３実施形態で説明した有機ＥＬ装置Ｓを搭載した電子機器の一例を示す図である。
【０１０１】
図１１（Ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１（Ａ）において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
【０１０２】
図１１（Ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１１（Ｂ）において、符号６００は情報処理装置、符号６０１はキーボードなどの入力部、符号６０３は情報処理本体、符号６０２は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
【０１０３】
図１１（Ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１（Ｃ）において、符号７００は時計本体を示し、符号７０１は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
【０１０４】
図１１（Ａ）〜（Ａ）に示す電子機器は、上述の実施形態に示したように、所望の光を射出できる有機ＥＬ装置Ｓを有するので、高い表示特性を有する。
【０１０５】
なお、電子機器としては、図１１に示したような電子機器に限られず、種々の電子機器に本発明を適用できる。例えば、ディスクトップ型コンピュータ、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の一例を模式的に示す側断面図である。
【図２】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。
【図３】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置を模式的に示す平面図である。
【図４】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図である。
【図５】第１実施形態に係る光センサの一例を示す模式図である。
【図６】第１実施形態に係る光センサの出力を読み出すための配線構造の一例を示す模式図である。
【図７】第１実施形態に係る光センサに接続された配線構造を示す模式図である。
【図８】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図９】第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の一例を模式的に示す側断面図である。
【図１０】第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の一例を模式的に示す側断面図である。
【図１１】本実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１（１Ｒ、１Ｇ、１Ｇ）…発光素子、２…ＴＦＴアレイ基板、３…射出面、４…カラーフィルタ、４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ…着色部、５…カラーフィルタ基板、６…光センサ、７…制御装置、ＢＭ…遮光部、Ｓ…有機ＥＬ装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：electroluminescence）装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置は、発光層とその発光層を挟む陽極及び陰極とを含む発光素子を有しており、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とを発光層内で再結合し、励起状態から失括する際に発光する現象を利用して、所望の光を射出する。発光素子は、例えば経時的に劣化する。発光素子が劣化すると、有機ＥＬ装置の表示性能も劣化する。そのため、有機ＥＬ装置の表示性能を良好に維持するために、発光素子の発光状態を光センサを用いて検出し、その検出結果に基づいて、発光素子の発光状態を制御する技術が案出されている。
【特許文献１】特開２００２−２７８５０４号公報
【特許文献２】特開２００６−０９８６３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
有機ＥＬ装置において、発光素子の光をカラーフィルタを介して装置の外部に射出する技術が知られている。このような構成の装置の場合、光センサを配置する位置によっては、その光センサの検出結果に基づいて、有機ＥＬ装置の表示性能を維持するための制御を良好に行うことができなくなる可能性がある。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、表示性能を良好に維持できる有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用する。
本発明の第１の態様によると、複数の発光素子が設けられた第１基板と、前記第１基板と対向するように配置され、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を外部に射出する射出面を有する第２基板と、前記第２基板に設けられ、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を透過可能な複数の着色部と、前記第２基板に設けられ、前記着色部を透過した前記発光素子の光を検出する光センサと、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置が提供される。
【０００６】
本発明の第１の態様によれば、カラーフィルタの着色部を透過した発光素子の光を光センサで検出するようにしたので、光センサは、有機ＥＬ装置の外部に実際に射出される光、すなわち、実際に観察者の目に入射する光と等価な光を検出できる。したがって、その検出結果に基づいて、表示性能を良好に維持するための適切な処置を講ずることができる。
【０００７】
上記態様の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記複数の発光素子に対応する画素を複数有し、前記着色部及び前記光センサは、前記画素毎に設けられている構成を採用できる。
【０００８】
これによれば、画素毎の光を光センサで検出でき、その検出結果に基づいて、表示性能を良好に維持するための適切な処置を講ずることができる。
【０００９】
上記態様の有機エレクトロルミネッセンス装置において、複数の着色部の境界に配置された遮光部を有し、前記光センサは、前記遮光部によって前記外部からの光の照射が抑制された位置に配置されている構成を採用できる。
【００１０】
これによれば、光センサは、外部からの光の影響をほぼ受けることなく、カラーフィルタの着色部を透過した光を良好に検出できる。
【００１１】
上記態様の有機エレクトロルミネッセンス装置において、複数の着色部の境界に配置された遮光部を有し、前記光センサは、前記遮光部によって前記外部からの光の照射が抑制された位置に配置され、前記遮光部は、該光センサに接続される配線の少なくとも一部を含む構成を採用できる。
【００１２】
これによれば、光センサは、外部からの光の影響をほぼ受けることなく、カラーフィルタの着色部を透過した光を良好に検出できる。
【００１３】
上記態様の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記光センサの検出結果に基づいて、前記発光素子に与える電力を調整する制御装置を備えた構成を採用できる。
【００１４】
これによれば、光センサの検出結果に基づいて、有機ＥＬ装置の表示性能を良好に維持することができる。
【００１５】
本発明の第２の態様によると、第１基板と、前記第１基板上に設けられ、前記第１基板と対向する第１電極及び該第１電極と反対側の第２電極を含む発光素子と、前記発光素子の光射出側で前記第２電極と接続するように配置され、前記発光素子の光の一部を透過するとともに別の一部を反射し、前記第１電極と前記第２電極との間で光共振器を形成する半透明反射膜と、前記第１基板上の発光素子と対向するように配置され、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を外部に射出する射出面を有する第２基板と、前記第２基板に設けられ、前記光共振器を含む前記発光素子の光を検出する光センサと、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置が提供される。
【００１６】
本発明の第２の態様によれば、微小な光共振器構造、所謂マイクロキャビティ構造を含む発光素子の光を光センサで検出するようにしたので、光センサは、有機ＥＬ装置の外部に実際に射出される光、すなわち、実際に観察者の目に入射する光と等価な光を検出できる。したがって、その検出結果に基づいて、表示性能を良好に維持するための適切な処置を講ずることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１８】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置Ｓの一例を模式的に示す側断面図である。
【００１９】
図１において、有機ＥＬ装置Ｓは、複数の発光素子１が設けられたＴＦＴアレイ基板２と、ＴＦＴアレイ基板２と対向するように配置され、発光素子１の光が入射するとともに、その入射した光を外部に射出する射出面３を有するカラーフィルタ４を備えたカラーフィルタ基板（封止基板）５とを備えている。ＴＦＴアレイ基板２は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等の回路素子を含む。カラーフィルタ４は、ＴＦＴアレイ基板２に設けられた発光素子１の光が入射するとともに、その入射した光を透過可能な複数の着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂと、複数の着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの境界に配置された遮光部ＢＭとを有する。
【００２０】
着色部は、赤色着色部（Ｒ着色部）４Ｒ、緑色着色部（Ｇ着色部）４Ｇ、及び青色着色部（Ｂ着色部）４Ｂを含む。遮光部ＢＭは、Ｒ着色部４Ｒ、Ｇ着色部４Ｇ、及びＢ着色部４Ｂの境界に配置されており、画素間の光の漏れを抑制する機能、コントラストを向上する機能等を有する、所謂ブラックマトリクスである。
【００２１】
本実施形態においては、発光素子１は、白色光を発光する。発光素子１の白色光がカラーフィルタ４を透過することによって、射出面３からは、赤色、緑色、及び青色に着色された光が射出される。これにより、有機ＥＬ装置Ｓは、フルカラー表示できる。
【００２２】
そして、本実施形態の有機ＥＬ装置Ｓは、カラーフィルタ基板５に設けられ、カラーフィルタ４の着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した発光素子１の光を検出する光センサ６を備えている。
【００２３】
有機ＥＬ装置Ｓは、複数の発光素子１に対応する画素（サブ画素を含む）を複数有し、着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ及び光センサ６は、画素毎に設けられている。また、光センサ６は、遮光部ＢＭによって外部からの光の照射が抑制された位置に配置されている。本実施形態においては、光センサ６は、遮光部ＢＭと着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂとの間に配置されている。
【００２４】
また、有機ＥＬ装置Ｓは、各光センサ６の検出結果に基づいて、各発光素子１に与える電力を調整する制御装置７を備えている。
【００２５】
本実施形態の有機ＥＬ装置Ｓは、発光素子１の光を、カラーフィルタ基板５側から取り出す方式、所謂トップエミッション型である。
【００２６】
図２は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置Ｓの配線構造を示す模式図である。本実施形態の有機ＥＬ装置Ｓは、アクティブマトリクス方式の駆動方式を採用し、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を有する。
【００２７】
図２において、有機ＥＬ装置Ｓは、Ｘ軸方向に延び、Ｙ軸方向に並ぶようにＴＦＴアレイ基板２に形成された複数の走査線（ゲート線）１０１と、Ｙ軸方向に延び、Ｘ軸方向に並ぶようにＴＦＴアレイ基板２に形成された複数の信号線（ソース線、データ線）１０２と、各信号線１０２と並列となるようにＴＦＴアレイ基板２に形成された複数の電源線１０３とを有する。画素が形成される画素領域ＧＡは、複数の走査線１０１と複数の信号線１０２との各交点付近に設けられる。
【００２８】
走査線１０１のそれぞれは、走査線駆動回路８０と接続されている。走査線駆動回路８０は、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を含む。信号線１０２のそれぞれは、信号線駆動回路８１と接続されている。信号線駆動回路８１は、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチ等を含む。
【００２９】
有機ＥＬ装置Ｓは、画素領域ＧＡのそれぞれに配置され、走査線１０１より印加される走査信号（電圧）に基づいてＯＮ状態（導通状態）又はＯＦＦ状態（非導通状態）に切り替わるスイッチング用ＴＦＴ３１と、スイッチング用ＴＦＴ３１がＯＮ状態のときに、そのスイッチング用ＴＦＴ３１を介して信号線１０２より画像信号（電圧）が印加され、その画像信号（電圧）を保持可能な保持容量３２と、保持容量３２より印加される画像信号（電圧）に基づいてＯＮ状態（導通状態）又はＯＦＦ状態（非導通状態）に切り替わる駆動用ＴＦＴ３３と、駆動用ＴＦＴ３３がＯＮ状態のときに、その駆動用ＴＦＴ３３を介して電源線１０３より駆動電流が供給され、その駆動電流に基づいて発光する発光素子１とを備えている。発光素子１は、画素電極２３と、共通電極２５と、画素電極２３と共通電極２５とに挟まれた発光層２４とを備えている。
【００３０】
スイッチング用ＴＦＴ３１のゲート電極は、走査線１０１に接続されている。走査線１０１よりスイッチング用ＴＦＴ３１のゲート電極に走査信号が供給されると、その走査信号に基づいて、スイッチング用ＴＦＴ３１は、ＯＮ状態となる。走査線駆動回路８０は、複数の走査線１０１のそれぞれに、パルス状の走査信号を順次印加する。これにより、複数のスイッチング用ＴＦＴ３１のゲート電極のそれぞれに走査信号が順次印加され、複数のスイッチング用ＴＦＴ３１は、順次ＯＮ状態となる。
【００３１】
スイッチング用ＴＦＴ３１のソース電極は、信号線１０２に接続されており、スイッチング用ＴＦＴ３１のドレイン電極は、保持容量３２に接続されている。スイッチング用ＴＦＴ３１がＯＮ状態のときに、信号線１０２よりスイッチング用ＴＦＴ３１のソース電極に画像信号（電圧）が印加されると、スイッチング用ＴＦＴ３１（スイッチング用ＴＦＴ３１のドレイン電極）を介して、保持容量３２が充電される。保持容量３２には、そのときの信号線１０２の画像信号（電位）が保持され、保持容量３２は、印加された画像信号（電圧）を保持する。
【００３２】
駆動用ＴＦＴ３３のゲート電極は、保持容量３２に接続されている。駆動用ＴＦＴ３３の状態（ＯＮ状態、ＯＦＦ状態のいずれか）は、保持容量３２の状態に応じて決定される。保持容量３２より、駆動用ＴＦＴ３３のゲート電極に、その保持容量３２に保持されていた画像信号（電圧）が印加されると、その画像信号に基づいて、駆動用ＴＦＴ３３は、ＯＮ状態となる。
【００３３】
駆動用ＴＦＴ３３のソース電極は、電源線１０３に接続されており、駆動用ＴＦＴ３３のドレイン電極は、発光素子１の画素電極２３に接続されている。駆動用ＴＦＴ３３がＯＮ状態のときに、電源線１０３より駆動用ＴＦＴ３３のソース電極に駆動電流が供給されると、その駆動電流が、駆動用ＴＦＴ３３（駆動用ＴＦＴ３３のドレイン電極）を介して、発光素子１の画素電極２３に供給される。発光素子１の画素電極２３に供給された電流は、発光層２４を介して、共通電極２５に流れる。発光層２４は、流れる電流量に応じて発光する。このように、発光素子１は、供給される電流に応じて発光し、発光素子１から射出される光の光量（輝度）は、供給される電流値に応じて変化する。制御装置７は、発光素子１に供給する電流値を調整することによって、発光素子１から射出される光の光量（輝度）を調整可能である。
【００３４】
発光素子１に供給する電流値（発光素子１から射出される光の光量）は、保持容量３２から駆動用ＴＦＴ３３（駆動用ＴＦＴ３３のゲート電極）に印加される電圧値によって制御可能である。また、保持容量３２は、画像信号（電圧）を保持可能（維持可能）なので、走査線１０１からのスイッチング用ＴＦＴ３１（スイッチング用ＴＦＴ３１のゲート電極）に対する走査信号（電圧）の印加が停止し、スイッチング用ＴＦＴ３１がＯＦＦ状態になっても、駆動用ＴＦＴ３３（駆動用ＴＦＴ３３のゲート電極）の電圧（電位）は、保持容量３２によって維持され、発光素子１は、発光し続けることができる。
【００３５】
図３は、有機ＥＬ装置Ｓを模式的に示す平面図である。図３に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置Ｓは、各種配線、ＴＦＴ等を含む回路素子が設けられたＴＦＴアレイ基板２と、カラーフィルタ４を含むカラーフィルタ基板５とを備えている。本実施形態においては、有機ＥＬ装置Ｓは、カラーフィルタ基板５の射出面３側に配置された表示領域５０を有する。本実施形態においては、表示領域５０は、実表示領域５１と、実表示領域５１の周囲に配置されたダミー領域５２とを含む。
【００３６】
実表示領域５１には、画素電極２３、及び各画素領域ＧＡの発光素子１の光が透過する着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂがマトリクス状に配置されている。発光素子１の白色の光は、各着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過して、射出面３より、赤色、緑色、及び青色の光として射出される。また、ダミー領域５２には、走査線駆動回路８０、８０と、検査回路８２とが配置されている。検査回路８２は、有機ＥＬ装置Ｓの動作状況を検査するための回路であり、例えば、検査結果を外部に出力する検査情報出力装置（図示せず）を備え、製造途中、出荷時における有機ＥＬ装置Ｓの品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００３７】
図４は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置Ｓの断面図である。図４において、有機ＥＬ装置Ｓは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えたＴＦＴアレイ基板２と、ＴＦＴアレイ基板２上に設けられた発光素子１とを備えている。
【００３８】
ＴＦＴアレイ基板２は、基板２０と、その基板２０上に設けられた走査線１０１、信号線１０２、電源線１０３、スイッチング用ＴＦＴ３１、及び駆動用ＴＦＴ３３等を含む回路素子と、層間絶縁膜２１とを有する。基板２０は、ガラス、透明な樹脂等で形成されており、透明な基板である。
【００３９】
なお、上述のように、本実施形態の有機ＥＬ装置Ｓは、トップエミッション型であるため、基板２０は、金属、不透明な樹脂等で形成された不透明な基板でもよい。
【００４０】
層間絶縁膜２１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）で形成されており、基板２０上に設けられた走査線１０１、信号線１０２、電源線１０３、スイッチング用ＴＦＴ３１、及び駆動用ＴＦＴ３３等の回路素子を覆っている。なお、層間絶縁膜２１は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）等で形成されてもよい。
【００４１】
発光素子１は、層間絶縁膜２１上に形成された画素電極２３と、画素電極２３上に配置された発光層２４と、発光層２４上に配置された共通電極２５とを有する。
【００４２】
画素電極２３は、駆動用ＴＦＴ３３のそれぞれに対応するように形成されている。本実施形態においては、画素電極２３は、アルミニウムの膜等、光を反射する機能を有する反射膜２３Ａと、反射膜２３Ａ上に形成され、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の膜等、光を透過する機能を有する透明膜２３Ｂとを含む。なお、画素電極２３は、反射膜２３Ａ及び透明膜２３Ｂのいずれか一方のみで形成されていてもよい。画素電極２３は、層間絶縁膜２１に形成されたコンタクトホール内のプラグ（図示せず）を介して、駆動用ＴＦＴ３３と電気的に接続されている。
【００４３】
層間絶縁膜２１上には、画素領域ＧＡを区画する隔壁２２が形成されている。隔壁２２は、互いに隣り合う画素電極２３、２３の間の層間絶縁膜２１の上面を覆うとともに、各画素電極２３の上面の周縁領域を覆うように形成されている。画素電極２３の上面の中央領域は、隔壁２２の開口２２Ａより露出する。隔壁２２は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁性を有する有機材料で形成されている。
【００４４】
発光層２４は、開口２２Ａより露出した画素電極２３の上面の中央領域、及び隔壁２２の上面を覆うように形成されている。発光層２４は、画素電極２３の上面に接続するように形成された正孔輸送層と、正孔輸送層上に形成された正孔注入層と、正孔注入層上に形成された有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に形成された電子注入層と、電子注入層上に形成された電子輸送層とを含む。これら各層は、例えば蒸着法等の気相成膜法によって形成可能である。なお、この発光層２４の層構成は、必要に応じて適宜に変更可能である。例えば、有機ＥＬ層が複数の層で形成されていてもよい。
【００４５】
なお、正孔輸送層、正孔注入層は、例えば、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、及び特開平３−１５２１８４号公報等に記載されているような、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、４，４’−ビス（Ｎ（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル等で形成可能である。
【００４６】
有機ＥＬ層は、低分子の有機発光色素、高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質、燐光物質などの発光物質、Ａｌｑ３（アルミキレート錯体）等の有機エレクトロルミネッセンス材料で形成可能である。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン又はポリフルオレン構造を含むものなどが特に好ましい。低分子発光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭５７−５１７８１号公報、特開昭５９−１９４３９３号公報等に開示されている材料が挙げられる。
【００４７】
上述のように、本実施形態においては、有機ＥＬ層を含む発光層２４は白色光を発光する。したがって、有機ＥＬ層を形成する材料としては、有機ＥＬ層から発光される光が白色となるように適宜選択される。白色光は、互いに異なるピーク波長を有する複数の光を合成した光であるため、例えば、赤色の光を発光できる材料、緑色の光を発光できる材料、及び青色の光を発光できる材料を合成することによって、白色の光を発光できる有機ＥＬ層を形成する材料を形成できる。
【００４８】
電子注入層、電子輸送層は、例えば、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、及び特開平３−１５２１８４号公報等に開示されているような、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム等で形成可能である。
【００４９】
共通電極２５は、発光層２４を覆うように形成されている。共通電極２５は、例えばＭｇＡｇ、ＩＴＯの膜等、光を透過する機能を有する透明膜で形成されている。共通電極２５は、例えば蒸着法等によって形成可能である。上述のように、本実施形態の有機ＥＬ装置Ｓは、トップエミッション型であるため、共通電極２５は、十分な透明性を有する膜で形成される。
【００５０】
共通陰極２５上には、ＳｉＯＮ等の膜等、光を透過する機能を有するパッシベーション膜２６が形成されている。パッシベーション膜２６は、共通電極２５を覆うように形成されている。パッシベーション膜２６は、水分、酸素等が外部から発光層２４に浸入することを抑制する機能を有する。
【００５１】
カラーフィルタ基板５は、基板３０と、その基板３０に設けられたカラーフィルタ４とを有する。基板３０は、ガラス、透明な樹脂等で形成されており、透明な基板である。カラーフィルタ基板５は、透明な接着層２７を介して、パッシベーション膜２６上に接続されている。接着層２７は、熱硬化型樹脂、または紫外線照射硬化型樹脂で形成されており、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等で形成可能である。
【００５２】
カラーフィルタ４は、接着層２７と対向するように配置された着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂと、各着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの境界に配置された遮光部（ブラックマトリクス）ＢＭとを有する。
【００５３】
遮光部ＢＭは、基板３０の表面（射出面３を含む）と平行な平面内（ＸＹ平面内）において、画素領域ＧＡの間に配置されている。図４においては、遮光部ＢＭは、隔壁２２の直上に配置されている。遮光部ＢＭは、クロム（Ｃｒ）の膜等、光を遮る機能を有する膜で形成されている。遮光部ＢＭは、格子状に形成されている。遮光部ＢＭに囲まれた領域は、画素領域ＧＡのそれぞれと対応する。
【００５４】
カラーフィルタ４は、画素領域ＧＡのそれぞれと対応する位置、すなわち、図４において、画素領域ＧＡ（画素電極２３）のほぼ直上に配置されている。発光層２４から発光された白色の光はカラーフィルタ４の各着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過することによって着色され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの波長域にピークを有する光として射出面３より射出する。
【００５５】
着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂは、発光素子１と対向するように配置されている。すなわち、発光素子１と対向するカラーフィルタ４の面（下面）は、着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの下面で形成されている。一方、遮光部ＢＭは、発光素子１とは反対側の基板３０と対向するように配置されている。すなわち、基板３０と対向するカラーフィルタ４の面（上面）の一部は、遮光部ＢＭの上面で形成されている。
【００５６】
そして、光センサ６は、遮光部ＢＭによって、装置の外部からの光（射出面３からの光）の照射が抑制された位置に配置されている。具体的には、光センサ６は、カラーフィルタ４の上面側に配置されている遮光部ＢＭと下面側に配置されている着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂとの間に配置されている。これにより、光センサ６は、遮光部ＢＭによって外部からの光の照射を抑制されつつ、着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した発光素子１の光のみを検出可能である。光センサ６は、各画素領域ＧＡ毎に設けられている。
【００５７】
図５は、光センサ６の一例を示す模式図である。光センサ６は、カラーフィルタ基板５に設けられており、着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した発光素子１の光を検出する。光センサ６は、フォトダイオード、フォトトランジスタ等、光を受光することによって、電気信号（電流）を出力可能な受光素子を含む。
【００５８】
本実施形態においては、光センサ６は、ＴＦＴと同等の構成を有する。図５において、光センサ６は、遮光部ＢＭの一部に形成された絶縁性の基材６１と、絶縁性の基材６１上（図５においては、基材６１の下面）に形成されたゲート電極６２と、ゲート電極６２を覆うゲート絶縁膜６３と、ゲート絶縁膜６３を介してゲート電極６２と対向するように配置されたアモルファスシリコン膜６４と、アモルファスシリコン膜６４上に形成されたｎ型アモルファスシリコン膜６５と、ソース電極６６と、ドレイン電極６７と、アモルファスシリコン膜６４、６５、ソース電極６６、及びドレイン電極６７を覆う絶縁膜６８とを備えている。
【００５９】
本実施形態においては、ゲート電極６２は、モリブデン（Ｍｏ）等、光を遮る機能を有する材料で形成されている。ゲート絶縁膜６３は、例えばＳｉＯ２で形成されている。ソース電極６６及びドレイン電極６７は、例えばアルミニウム（Ａｌ）で形成されている。絶縁膜６８は、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）で形成されている。
【００６０】
上述のように、本実施形態においては、光センサ６には、発光素子１から射出され、カラーフィルタ４の着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した光が入射する。光センサ６は、受光した光の光量（受光量）に応じた電気信号（電流）を出力する。
【００６１】
本実施形態においては、アモルファスシリコン膜６４、６５と対向する位置に、光を遮る機能を有するゲート電極６２が配置されている。したがって、遮光部ＢＭ及びゲート電極６２によって、外部からの光が光センサ６（アモルファスシリコン膜）に照射されることが抑制されている。特に、基板３０の表面（射出面３）と平行なＸＹ平面内におけるゲート電極６２の大きさを、アモルファスシリコン膜６４、６５より大きくすることによって、外部からの光がアモルファスシリコン膜に照射されることを抑制できる。
【００６２】
このように、光センサ６に接続される配線の一部を形成するゲート電極６２によって、光センサ６に外部からの光が照射されることを抑制することができる。あるいは、バイアス線７３の一部、走査線７１の一部等を用いて、光センサ６に外部からの光が照射されることを抑制することもできる。
【００６３】
図６は、複数の光センサ６の出力を読み出すための配線構造の一例を示す模式図である。図６においては、一例として、各着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した発光素子１の光のそれぞれを検出する複数（３つ）の光センサ６が示されている。
【００６４】
本実施形態において、有機ＥＬ装置Ｓは、各光センサ６に接続されるスイッチング用ＴＦＴ７０を備えている。光センサ６は、スイッチング用ＴＦＴ７０のソース電極と接続されている。スイッチング用ＴＦＴ７０のゲート電極は、カラーフィルタ基板２上に形成された走査線７１に接続されており、スイッチング用ＴＦＴ７０のドレイン電極は、カラーフィルタ基板２上に形成された読み出し線７２に接続されている。
【００６５】
光センサ６に光が照射されている状態で、走査線７１によりスイッチング用ＴＦＴ７０のゲート電極に走査信号（電圧）が印加され、そのスイッチング用ＴＦＴ７０がＯＮ状態となると、光センサ６は、スイッチング用ＴＦＴ７０を介して、電気信号を読み出し線７２に出力する。読み出し線７２は、制御装置７に接続されており、光センサ６の電気信号は、制御装置７に出力される。光センサ６は、受光量に応じた電気信号を出力するので、制御装置７は、光センサ６から出力された電気信号に基づいて、光センサ６で受光した受光量を求めることができる。また、発光素子１より射出され、着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した光の光量と、光センサ６の受光量とは対応関係にあるため、制御装置７は、光瀬名６から出力された電気信号に基づいて、着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した発光素子１の光の光量を求めることができる。また、光センサ６は、画素毎に設けられており、制御装置７は、画素毎の光センサ６の電気信号（画素毎の着色部を透過した光の光量）を検出できる。
【００６６】
図７は、本実施形態に係る光センサ６に接続された配線構造を示す模式図、図８は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置Ｓの電気的構成を示すブロック図である。
【００６７】
図７及び図８において、有機ＥＬ装置Ｓは、Ｘ軸方向に延び、Ｙ軸方向に並ぶようにカラーフィルタ基板５に形成された複数の走査線（ゲート線）７１と、各走査線７１と並列となるようにカラーフィルタ基板５に形成された複数のバイアス線７３と、Ｙ軸方向に延び、Ｘ軸方向に並ぶようにカラーフィルタ基板５に形成された複数の読み出し線７２とを備えている。カラーフィルタ基板５の走査線７１は、ＴＦＴアレイ基板２の走査線１０１と対応するように形成されている。同様に、カラーフィルタ基板５の読み出し線７２は、ＴＦＴアレイ基板２の信号線１０２と対応するように形成されている。
【００６８】
図８に示すように、走査線７１のそれぞれは、走査線駆動回路８３と接続されている。読み出し線７２のそれぞれは、読み出し線駆動回路８４と接続されている。ＴＦＴを含む光センサ６は、複数の走査線７１と複数の読み出し線７２との各交点付近に設けられる。なお、図８においては、バイアス線７３の図示を省略してある。
【００６９】
図７に示すように、有機ＥＬ装置Ｓは、ＴＦＴからなる光センサ６と、走査線７１より印加される走査信号（電圧）に基づいてＯＮ状態（導通状態）又はＯＦＦ状態（非導通状態）に切り替わるスイッチング用ＴＦＴ７０とを備えている。
【００７０】
光センサ６のゲート電極は、そのゲート電極に負バイアスを印加可能なバイアス線７３と接続されている。光センサ６のドレイン電極は、スイッチング用ＴＦＴ７０のソース電極と接続されている。光センサ６のソース電極は、バイアス線７３に隣接する走査線７１と接続されている。
【００７１】
ＴＦＴからなる光センサ６は、バイアス線７３の状態に基づいて、具体的にはバイアス線７３より印加される負バイアス（負の電圧）に基づいて、ＯＮ状態又はＯＦＦ状態に切り替わる。バイアス線７３より光センサ６のゲート電極に負バイアス（負の電圧）が印加されると、その負バイアスに基づいて、光センサ６は、ＯＮ状態となる。
【００７２】
光センサ６に光が照射されている状態で、バイアス線７３の状態に基づいて、光センサ６（ＴＦＴ）がＯＮ状態となると、光センサ６は、電気信号をスイッチング用ＴＦＴ７０に出力する。走査線７１の状態に基づいて、走査線７１よりスイッチング用ＴＦＴ７０のゲート電極に走査信号（電圧）が印加され、そのスイッチング用ＴＦＴ７０がＯＮ状態となると、光センサ６からスイッチング用ＴＦＴ７０のソース電極に供給された電気信号は、スイッチング用ＴＦＴ７０のドレイン電極に供給される。スイッチング用ＴＦＴ７０のドレイン電極は、読み出し線７２に接続されており、光センサ６の電気信号は、読み出し線７２に出力される。すなわち、光センサ６からスイッチング用ＴＦＴ７０に供給された電気信号は、ＯＮ状態のスイッチング用ＴＦＴ７０を介して、読み出し線７２に出力される。読み出し線７２に出力された光センサ６の電気信号は、読み出し線駆動回路８４を介して、制御装置７に出力される。
【００７３】
光センサ６は、受光量に応じた電気信号を出力する。制御装置７は、光センサ６から出力された電気信号に基づいて、光センサ６の受光量、すなわち、発光素子１より射出され、着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した光の光量を求めることができる。また、光センサ６は、画素毎に設けられており、制御装置７は、画素毎の光センサ６の電気信号（画素毎の着色部を透過した光の光量）を検出できる。
【００７４】
本実施形態においては、ＴＦＴアレイ基板２の走査線１０１の走査と、カラーフィルタ基板５の走査線７１の走査とが同期して実行される。換言すれば、ＴＦＴアレイ基板２の複数の走査線１０１のそれぞれにパルス状の走査信号が印加されるタイミングと同期して、その走査線１０１に対応するカラーフィルタ基板５の複数の走査線７１のそれぞれにパルス状の走査信号が印加される。これにより、ＴＦＴアレイ基板２の発光素子１の発光動作に同期して、その発光素子１に対応するように配置されている光センサ６の受光動作が実行される。
【００７５】
図８に示すように、本実施形態の制御装置７は、ＴＦＴアレイ基板２の駆動回路８０、８１を制御するとともに、カラーフィルタ基板５の駆動回路８３、８４を制御する制御部９１と、有機ＥＬ装置Ｓで画像を表示するための画像信号をＴＦＴアレイ基板２の駆動回路８１に出力する画像処理部９２と、画像表示に関する各種情報を記憶した記憶部９３と、カラーフィルタ基板５の光センサ６からの電気信号が読み出し線駆動回路８４を介して出力される信号処理部９４とを含む。
【００７６】
制御部９１は、ＴＦＴアレイ基板２の各駆動回路８０、８１を制御するための制御信号を、各駆動回路８０、８１に出力する。制御部９１は、タイミング信号生成装置として機能し、外部装置から供給される垂直走査信号、水平走査信号、ドットクロック信号、及びクロック信号等の制御信号に従って、各種タイミング信号、クロック信号等を生成し、ＴＦＴアレイ基板２の駆動回路８０、８１に出力する。
【００７７】
また、制御部９１は、カラーフィルタアレイ基板２の各駆動回路８３、８４を制御するための制御信号を、各駆動回路８３、８４に出力する。本実施形態においては、制御部９１は、ＴＦＴアレイ基板２の走査線１０１の走査と、カラーフィルタ基板５の走査線７１の走査とが同期して実行されるように、各駆動回路８０、８３を制御する。
【００７８】
画像処理部９２は、有機ＥＬ装置Ｓが所望の画像を表示できるように、外部装置から入力される画像信号を補正して、その補正後の画像信号をＴＦＴアレイ基板２の駆動回路８１に出力する。本実施形態においては、記憶部９３には、光センサ６に入射する光の波長と、その光の波長に対応する光センサ６の感度との関係が記憶されている。画像処理部９２は、記憶部９３の記憶情報を参照して、外部装置から入力される画像信号を、所望の画像が得られる画像信号に補正する。
【００７９】
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置Ｓの動作の一例について説明する。制御装置７は、ＴＦＴアレイ基板２の駆動回路８０、８１のそれぞれに、制御部９１より、制御信号を出力させるとともに、ＴＦＴアレイ基板２の駆動回路８１に、画像処理部９２より、画像信号を出力させる。駆動回路８０、８１は、制御部９１及び画像処理部９２のそれぞれから供給された制御信号及び画像信号に基づいて、各走査線１０１、信号線１０２等を介して、ＴＦＴ３１、３３に、走査信号、画像信号を供給する。各画素の発光素子１には、供給された画像信号に基づく電流が流れ、各画素の発光素子１は、その電流値に応じた光量（輝度）の光を射出する。
【００８０】
本実施形態においては、制御装置７は、ＴＦＴアレイ基板２の複数の走査線１０１のそれぞれにパルス状の走査信号を印加するタイミングと同期して、カラーフィルタ基板５の複数の走査線７１のそれぞれにパルス状の走査信号を印加する。これにより、各画素の発光素子１に対応するようにカラーフィルタ基板５に配置されている複数の光センサ６は、ＴＦＴアレイ基板２の発光素子１の発光動作に同期して、その発光素子１からの光を受光する。各光センサ６は、受光量に応じた電気信号を、スイッチング用ＴＦＴ７０を介して、読み出し線７２に出力する。読み出し線７２に出力された光センサ６の電気信号は、駆動回路８４を介して、信号処理部９４に出力される。
【００８１】
本実施形態においては、信号処理部９４は、１フレーム毎、すなわち、複数の走査線７１の１回の走査毎の光センサ６の電気信号を保持する。信号処理部９４は、光センサ６の電気信号を処理した後、画像処理部９２に出力する。
【００８２】
画像処理部９２は、信号処理部９４から供給される各光センサ６の検出結果に基づいて、各画素の着色部４Ｒ、４Ｂ、４Ｇを透過した発光素子１の光が、所望の光量（輝度）を有しているかどうかを判断する。そして、画像処理部９２は、各光センサ６の検出結果に基づいて、各画素の着色部４Ｒ、４Ｂ、４Ｇを透過した発光素子１の光が、所望の光量（輝度）を有するように、外部装置から入力される画像信号を必要に応じて補正して、その補正後の画像信号を出力する。例えば、ある画素の着色部４Ｒを透過した発光素子１の光が、所望の光量（輝度）を有していない場合、所望の光量（輝度）を有するように、その画素の発光素子１に流れる電流値が最適値となるように、画像信号に補正する。例えば、ある画素の着色部４Ｒを透過した発光素子１の光が、目標光量よりも低い光量である場合、所望の光量となるように、その画素の発光素子１に流れる電流値が高くなるように、画像信号を補正する。
【００８３】
記憶部９３には、発光素子１に流す電流値（ひいてはその電流値を得るための画像信号の補正量）と、着色部を介して得られる発光素子１から射出された光の光量との関係が予め記憶されている。また、記憶部９３には、光センサ６に入射する光の波長と、その光の波長に対応する光センサ６の感度との関係が記憶されている。制御装置７の画像処理部９２は、光センサ６の検出結果と、記憶部９３の記憶情報とに基づいて、所望の光量を得るための発光素子１に流す電流値（画像信号）を決定する。
【００８４】
そして、制御装置７の画像処理部９２は、その決定した補正後の画像信号を、ＴＦＴアレイ基板２の駆動回路８０、８１に出力する。
【００８５】
以上説明したように、本実施形態によれば、カラーフィルタ４の複数の着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した発光素子１の光を光センサ６で検出するようにしたので、光センサ６は、有機ＥＬ装置Ｓの外部に実際に射出される光、すなわち、実際に観察者の目に入射する光と等価な光を検出できる。したがって、その検出結果に基づいて、有機ＥＬ装置Ｓの表示性能を良好に維持するための適切な処置を講ずることができる。
【００８６】
そして、制御装置７は、光センサ６の検出結果に基づいて、発光素子１に与える電力（発光素子１に流す電流）を調整できるので、有機ＥＬ装置Ｓの表示性能を良好に維持することができる。発光素子１が経時的に劣化し、例えば光量が低下する場合であっても、光センサ６の検出結果に基づいて、発光素子１に流す電流を調整することによって、発光素子１を所望の発光状態にすることができ、有機ＥＬ装置Ｓは、その発光素子１を用いて所望の光量で画像を表示できる。また、有機ＥＬ装置Ｓは、発光素子１から発光される光量の経時的な変化を補正できるので、入力画像を忠実に再現でき、その再現性を長期間に亘って維持できる。
【００８７】
また、光センサ６は、画素毎に設けられているので、制御装置７は、画素毎の光量を調整でき、例えば光量むら、色むらなどを補正することもできる。
【００８８】
そして、光センサ６（アモルファスシリコン膜６４、６５）は、遮光部ＢＭ、ゲート電極６２等によって、外部からの光の照射が抑制された位置に配置されているので、外部からの光の影響をほぼ受けることなく、発光素子１より射出され、カラーフィルタ４の着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを透過した光を良好に検出できる。したがって、制御装置７は、その光センサ６の検出結果に基づいて、発光素子１に流す電流を制御して、ほぼ目標値どおりの光量を有する着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを介した発光素子１の光を得ることができる。
【００８９】
また、本実施形態においては、ＴＦＴアレイ基板２の各ＴＦＴ３１、３３と、カラーフィルタ基板５の各ＴＦＴ６、７０とを別々に形成することができる。したがって、カラーフィルタ基板５の各ＴＦＴ６、７０を、アモルファスシリコンを含むものとし、ＴＦＴアレイ基板２の各ＴＦＴ３１、３３を、ポリシリコンを含むものとすることができるなど、各ＴＦＴを所望の形態に製造できる。
【００９０】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００９１】
図９は、第２実施形態に係る有機ＥＬ装置Ｓの一例を模式的に示す側断面図である。本実施形態においては、有機ＥＬ装置Ｓは、互いに異なる色の光を射出する発光素子１を複数備える。本実施形態においては、有機ＥＬ装置Ｓは、赤色の光を射出する発光素子１Ｒ、緑色の光を射出する発光素子１Ｇ、及び青色の光を射出する発光素子１Ｂを有する。また、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂのそれぞれに対応するように、各着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂが配置されている。すなわち、発光素子１Ｒから射出された赤色の光は、Ｒ着色部４Ｒを透過した後、射出面３より射出され、発光素子１Ｇから射出された赤色の光は、Ｇ着色部４Ｇを透過した後、射出面３より射出され、発光素子１Ｂから射出された赤色の光は、Ｂ着色部４Ｂを透過した後、射出面３より射出される。こうすることにより、射出面３から射出される色純度を向上することができ、有機ＥＬ装置Ｓは、高いコントラストを有する画像を表示できる。
【００９２】
本実施形態においても、各画素毎に、光センサ６が設けられており、制御装置７は、光センサ６の検出結果に基づいて、所望の光量を有する光を射出面３より射出できる。
【００９３】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００９４】
図１０は、第３実施形態に係る有機ＥＬ装置Ｓの一例を模式的に示す側断面図である。第３実施形態の有機ＥＬ装置Ｓは、ＴＦＴアレイ基板２と、ＴＦＴアレイ基板２上に設けられ、ＴＦＴアレイ基板２と対向する画素電極２３及びその画素電極２３と反対側の共通電極２５を含む発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの光射出側で共通電極２５と接続するように配置され、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの光の一部を透過するとともに別の一部を反射し、画素電極２３と共通電極２５との間で光共振器を形成する半透明反射膜２９と、ＴＦＴアレイ基板２上の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと対向するように配置され、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの光が入射するとともに、その入射した光を外部に射出する射出面３を有する第２基板５と、第２基板５に設けられ、光共振器を含む発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの光を検出する光センサ６とを備えている。
【００９５】
すなわち、本実施形態の有機ＥＬ装置Ｓは、例えば特開平７−２８２９８１号公報に開示されているような、微小な光共振器構造、いわゆるマイクロキャビティ構造を含む発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを有する。本実施形態においては、半透明反射膜２９は、例えば、ＴｉＯ２の膜とＳｉＯ２の膜とを積層したものである。また、画素電極２３は、例えばアルミニウム等、光を反射可能な材料で形成された膜を含む。共通電極２５は、ＭｇＡｇ、ＩＴＯ等、透明な材料で形成されている。
【００９６】
本実施形態においては、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの発光スペクトルのピーク波長と、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの画素電極２３と共通電極２５との間の発光層（有機層）２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂにおける光路長とが合致するように、各発光層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂの膜厚が設定されている。したがって、図１０に示すように、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの発光層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂの膜厚が互いに異なる。マイクロキャビティ構造を有する発光素子１Ｒ、１Ｂ、１Ｇのそれぞれは、所望の発光スペクトルを有する光を射出できる。
【００９７】
そして、第３実施形態においては、上述の第２実施形態と同様、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂのそれぞれに対応するように、各着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂが配置されている。これにより、射出面３からは、高い色純度の光が射出される。
【００９８】
本実施形態においても、各画素毎に、光センサ６が設けられており、制御装置７は、光センサ６の検出結果に基づいて、所望の光量を有する光を射出面３より射出できる。
【００９９】
なお、第３実施形態において、カラーフィルタ４（着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）を省略してもよい。マイクロキャビティ構造を有する発光素子１Ｒ、１Ｂ、１Ｇのそれぞれは、所望の発光スペクトルを有する光を射出できるので、カラーフィルタ４（着色部４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）を省略しても、射出面３から、高い色純度の光を射出できる。
【０１００】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。図１１（Ａ）〜（Ｃ）は、上述の第１〜第３実施形態で説明した有機ＥＬ装置Ｓを搭載した電子機器の一例を示す図である。
【０１０１】
図１１（Ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１（Ａ）において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
【０１０２】
図１１（Ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１１（Ｂ）において、符号６００は情報処理装置、符号６０１はキーボードなどの入力部、符号６０３は情報処理本体、符号６０２は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
【０１０３】
図１１（Ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１（Ｃ）において、符号７００は時計本体を示し、符号７０１は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
【０１０４】
図１１（Ａ）〜（Ａ）に示す電子機器は、上述の実施形態に示したように、所望の光を射出できる有機ＥＬ装置Ｓを有するので、高い表示特性を有する。
【０１０５】
なお、電子機器としては、図１１に示したような電子機器に限られず、種々の電子機器に本発明を適用できる。例えば、ディスクトップ型コンピュータ、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の一例を模式的に示す側断面図である。
【図２】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。
【図３】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置を模式的に示す平面図である。
【図４】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図である。
【図５】第１実施形態に係る光センサの一例を示す模式図である。
【図６】第１実施形態に係る光センサの出力を読み出すための配線構造の一例を示す模式図である。
【図７】第１実施形態に係る光センサに接続された配線構造を示す模式図である。
【図８】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図９】第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の一例を模式的に示す側断面図である。
【図１０】第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の一例を模式的に示す側断面図である。
【図１１】本実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１（１Ｒ、１Ｇ、１Ｇ）…発光素子、２…ＴＦＴアレイ基板、３…射出面、４…カラーフィルタ、４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ…着色部、５…カラーフィルタ基板、６…光センサ、７…制御装置、ＢＭ…遮光部、Ｓ…有機ＥＬ装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光素子が設けられた第１基板と、
前記第１基板と対向するように配置され、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を外部に射出する射出面を有する第２基板と、
前記第２基板に設けられ、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を透過可能な複数の着色部と、
前記第２基板に設けられ、前記着色部を透過した前記発光素子の光を検出する光センサと、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記複数の発光素子に対応する画素を複数有し、
前記着色部及び前記光センサは、前記画素毎に設けられている請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
複数の着色部の境界に配置された遮光部を有し、
前記光センサは、前記遮光部によって前記外部からの光の照射が抑制された位置に配置されている請求項１又は２記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
複数の着色部の境界に配置された遮光部を有し、
前記光センサは、前記遮光部によって前記外部からの光の照射が抑制された位置に配置され、
前記遮光部は、該光センサに接続される配線の少なくとも一部を含む請求項１又は２記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記光センサの検出結果に基づいて、前記発光素子に与える電力を調整する制御装置を備えた請求項１〜４のいずれか一項記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
第１基板と、
前記第１基板上に設けられ、前記第１基板と対向する第１電極及び該第１電極と反対側の第２電極を含む発光素子と、
前記発光素子の光射出側で前記第２電極と接続するように配置され、前記発光素子の光の一部を透過するとともに別の一部を反射し、前記第１電極と前記第２電極との間で光共振器を形成する半透明反射膜と、
前記第１基板上の発光素子と対向するように配置され、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を外部に射出する射出面を有する第２基板と、
前記第２基板に設けられ、前記光共振器を含む前記発光素子の光を検出する光センサと、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１】
複数の発光素子が設けられた第１基板と、
前記第１基板と対向するように配置され、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を外部に射出する射出面を有する第２基板と、
前記第２基板に設けられ、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を透過可能な複数の着色部と、
前記第２基板に設けられ、前記着色部を透過した前記発光素子の光を検出する光センサと、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記複数の発光素子に対応する画素を複数有し、
前記着色部及び前記光センサは、前記画素毎に設けられている請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
複数の着色部の境界に配置された遮光部を有し、
前記光センサは、前記遮光部によって前記外部からの光の照射が抑制された位置に配置されている請求項１又は２記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
複数の着色部の境界に配置された遮光部を有し、
前記光センサは、前記遮光部によって前記外部からの光の照射が抑制された位置に配置され、
前記遮光部は、該光センサに接続される配線の少なくとも一部を含む請求項１又は２記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記光センサの検出結果に基づいて、前記発光素子に与える電力を調整する制御装置を備えた請求項１〜４のいずれか一項記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
第１基板と、
前記第１基板上に設けられ、前記第１基板と対向する第１電極及び該第１電極と反対側の第２電極を含む発光素子と、
前記発光素子の光射出側で前記第２電極と接続するように配置され、前記発光素子の光の一部を透過するとともに別の一部を反射し、前記第１電極と前記第２電極との間で光共振器を形成する半透明反射膜と、
前記第１基板上の発光素子と対向するように配置され、前記発光素子の光が入射するとともに、該入射した光を外部に射出する射出面を有する第２基板と、
前記第２基板に設けられ、前記光共振器を含む前記発光素子の光を検出する光センサと、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００８−９１０３７（Ｐ２００８−９１０３７Ａ）
【公開日】平成２０年４月１７日（２００８．４．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２６６９９４（Ｐ２００６−２６６９９４）
【出願日】平成１８年９月２９日（２００６．９．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年４月１７日（２００８．４．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年９月２９日（２００６．９．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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