液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器
【課題】 良好な配向特性と高い信頼性とを兼ね備えた液晶装置を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶装置は、液晶を保持する一対の基板１０，２０と、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に設けられた斜方蒸着膜と、前記斜方蒸着膜の表面に有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜１９，２９とを有する液晶装置であって、前記液晶装置の動作時において、前記斜方蒸着膜の表面温度が領域により異なり、前記被膜１９，２９は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域（被膜１９ａ，２９ａが形成された領域）には、最も表面温度が高い領域（被膜１９ｂ，２９ｂが形成された領域）に使用される前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料が使用されていることを特徴とする。
【解決手段】 本発明の液晶装置は、液晶を保持する一対の基板１０，２０と、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に設けられた斜方蒸着膜と、前記斜方蒸着膜の表面に有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜１９，２９とを有する液晶装置であって、前記液晶装置の動作時において、前記斜方蒸着膜の表面温度が領域により異なり、前記被膜１９，２９は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域（被膜１９ａ，２９ａが形成された領域）には、最も表面温度が高い領域（被膜１９ｂ，２９ｂが形成された領域）に使用される前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料が使用されていることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶装置は一対の基板間に液晶を挟持した構成を備えており、前記液晶と当接する前記基板の内面には、液晶の初期配向状態を制御するための配向膜が形成されている。このような配向膜としては、ポリイミド等の有機配向膜が一般的であるが、耐熱性、耐光性の点で十分なものとはいえなかった。そこで、光や熱の影響を受けにくい配向膜として、酸化シリコン等の無機材料からなる無機配向膜を用いることが提案されている。
【０００３】
無機配向膜は、一般に斜方蒸着法により形成される。斜方蒸着膜は、複数の細孔を有し、その表面および細孔の内面には、分極した水酸基が多数存在している。この水酸基は、ブレンステッド酸点として活性があり、液晶分子や液晶装置に含まれる不純物、特に極性基を持つ化合物を吸着したり反応したりし易い。ここで、不純物には、シール剤中の不純物および未反応成分、液晶層中の不純物および水分、製造過程で付着した汚れ等が含まれる。斜方蒸着膜の表面に不純物が吸着したり、反応したりすると、表面の形状や極性が変化して垂直アンカリング力が低下し、液晶分子が配向異常を起こすことが知られている。また、直接液晶分子が水酸基と化学反応をすることも知られている。そこで、斜方蒸着膜の表面改質を行なう方法として、斜方蒸着膜の表面の水酸基を高級アルコールで処理する方法が提案されている（例えば、特許文献１〜３参照。）。
【特許文献１】特開平５−２０３９５８号公報
【特許文献２】特開平１１−１６０７１１号公報
【特許文献３】特開２０００−４７２１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１〜３には、酸化シリコンの斜方蒸着膜の表面を高級アルコールやシランカップリング剤等の有機表面処理材料で処理した配向膜が開示されている。これらの処理は、配向規制力の弱い斜方蒸着膜の配向を安定させることを目的としている。しかしながら、このような有機表面処理材量は、配向力に優れる反面、熱や光に弱く、長期間の使用によってその配向力が次第に低下してしまうという問題がある。すなわち、有機表面処理材料は分子量が大きくなるほど高い配向規制力を示すが、分子量が大きくなりすぎると、プロジェクタ等のように強い光が照射される環境下では信頼性の低下を招いてしまう。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、良好な配向特性と高い信頼性とを兼ね備えた液晶装置及びその製造方法を提供することを目的とする。また、このような液晶装置を備えることにより、良好な表示特性と高い信頼性とを兼ね備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置は、液晶を保持する一対の基板と、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に設けられた斜方蒸着膜と、前記斜方蒸着膜の表面に有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜とを有する液晶装置であって、前記液晶装置の動作時において、前記斜方蒸着膜の表面温度が領域により異なり、前記被膜は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域には、最も表面温度が高い領域に使用される前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料が使用されていることを特徴とする。ここで、前記有機表面処理材料としては、アルコールやシランカップリング材等の種々の材料が適用可能である。
一般に、アルキル基の長い材料は、液晶に対するアンカリング力が大きく、高い配向規制力が得られるが、強い光に対して分解され易くなるため、信頼性の面で劣る。一方、アルキル基の短い材料は、光に対する信頼性は高いが、アンカリング力が小さくなるため、配向規制力は弱い。本発明では、このような特性を利用して、それぞれの領域毎に適切な材料を選択している。このため、液晶装置全体として、十分な配向特性と信頼性を実現することができる。この場合、表面温度の高い領域では配向規制力は弱くなるが、周囲に配向規制力の強い領域（表面温度の低い領域）が存在するので、その影響によって、表面温度の高い領域においても良好な配向特性を実現することができる。一般に、配向特性と信頼性とはトレードオフの関係となるため、両方の特性を同時に実現することはできなかったが、本発明では、これらの特性を別々の領域で実現させることで、両方の特性を同時に満たすことが可能となっている。
【０００６】
本発明においては、複数の画素が配列されてなる画像表示領域を有し、前記画像表示領域は、前記液晶装置の動作時おいて、前記画像表示領域の周辺部が最も表面温度が低くなり、前記画像表示領域の中央部が最も表面温度が高くなり、前記被膜は、前記表面温度の最も低くなる領域には、前記表面温度が最も高くなる領域に使用される前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料が使用されされているものとすることができる。
この構成によれば、画像表示領域の中央部のみで極端に被膜の劣化が進むことにより、被膜全体が不良とされることがなくなり、結果として、液晶装置全体としての寿命を延ばすことができる。
また、液晶装置の周辺部では、水分の侵入やシール材からの溶出成分により、中央部よりも早く配向が乱れる傾向にあるが、本発明においては画像表示領域の周辺部が中央部に比べて配向特性の良好な状態に形成されるため、このような不具合は生じにくくなる。
【０００７】
本発明においては、複数の画素が配列されてなる画像表示領域を有し、前記画素間の領域には遮光膜が設けられ、前記画素間の領域又は画素内の領域の一方が最も表面温度が低くなり、他方が最も表面温度が高くなり、前記被膜は、前記表面温度の最も低くなる領域には、前記表面温度が最も高くなる領域に使用される前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料が使用されされているものとすることができる。
この構成によれば、画素間の領域と画素内の領域の被膜の寿命を同程度とすることができる。このため、画素内の領域のみ又は画素間の領域のみで極端に被膜の劣化が進むことにより、被膜全体が不良とされることがなくなり、結果として、液晶装置全体としての寿命を延ばすことができる。
【０００８】
本発明の液晶装置は、液晶を保持する一対の基板と、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に設けられた斜方蒸着膜と、前記斜方蒸着膜の表面に有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜とを有する液晶装置であって、前記液晶装置の動作時において、前記斜方蒸着膜の表面温度が領域により異なり、前記被膜は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域に設けられ、最も高い領域には設けられていないことを特徴とする。
この構成によれば、表面温度の低い領域にのみ表面処理を施す構成としているので、信頼性の面で従来よりも高い特性が得られるようになる。一方、表面温度の高い領域では配向規制力は弱くなるが、周囲に配向規制力の強い領域（表面温度の低い領域）が存在するので、その影響によって、表面温度の高い領域においても良好な配向特性を実現することができる。このため、本発明においても良好な配向特性と高い信頼性を兼ね備えた液晶装置を提供することができる。
【０００９】
本発明においては、複数の画素が配列されてなる画像表示領域を有し、前記画像表示領域は、前記液晶装置の動作時おいて、前記画像表示領域の周辺部が最も表面温度が低くなり、前記画像表示領域の中央部が最も表面温度が高くなり、前記被膜は、最も表面温度の低い前記画像表示領域の周辺部に設けられ、最も表面温度の高い前記画像表示領域の中央部には設けられていないものとすることができる。
この構成によれば、画像表示領域の中央部のみで極端に被膜の劣化が進むことにより、被膜全体が不良とされることがなくなり、結果として、液晶装置全体としての寿命を延ばすことができる。
また、液晶装置の周辺部では、水分の侵入やシール材からの溶出成分により、中央部よりも早く配向が乱れる傾向にあるが、本発明においては画像表示領域の周辺部が中央部に比べて配向特性の良好な状態に形成されるため、このような不具合は生じにくくなる。
【００１０】
本発明においては、複数の画素が配列されてなる画像表示領域を有し、前記画素間の領域には遮光膜が設けられ、前記液晶装置の動作時おいて、前記画素間の領域又は画素内の領域の一方が最も表面温度が低くなり、他方が最も表面温度が高くなり、前記被膜は、最も表面温度の低い前記一方の領域に設けられ、最も表面温度の高い前記他方の領域には設けられていないものとすることができる。
この構成によれば、画素内の領域のみ又は画素間の領域のみで極端に被膜の劣化が進むことにより、被膜全体が不良とされることがなくなり、結果として、液晶装置全体としての寿命を延ばすことができる。
【００１１】
本発明の液晶装置の製造方法は、基板の表面に斜方蒸着膜を形成する工程と、前記斜方蒸着膜の表面を有機表面処理材料を含有する処理液によって処理し、前記斜方蒸着膜の表面に前記有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜を形成する工程とを有する液晶装置の製造方法であって、前記処理液による処理は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域に、最も表面温度が高い領域に使用する前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料を使用することを特徴とする。
この方法によれば、表面温度の高い領域と表面温度の低い領域に対してそれぞれ適切な有機表面処理材料を選択することで、良好な配向特性と高い信頼性を兼ね備えた液晶装置を提供することができる。
【００１２】
本発明の液晶装置の製造方法は、基板の表面に斜方蒸着膜を形成する工程と、前記斜方蒸着膜の表面を有機表面処理材料を含有する処理液によって処理し、前記斜方蒸着膜の表面に前記有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜を形成する工程とを有する液晶装置の製造方法であって、前記処理液による処理は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域に対して行なわれ、最も高い領域に対しては行なわれないことを特徴とする。
この方法によれば、表面温度の低い領域にのみ表面処理を施す構成としているので、信頼性の面で従来よりも高い特性が得られるようになる。一方、表面温度の高い領域では配向規制力は弱くなるが、周囲に配向規制力の強い領域（表面温度の低い領域）が存在するので、その影響によって、表面温度の高い領域においても良好な配向特性を実現することができる。このため、本発明においても良好な配向特性と高い信頼性を兼ね備えた液晶装置を提供することができる。
【００１３】
本発明の電子機器は、前述した本発明の液晶装置又は前述した本発明の液晶装置の製造方法により製造されてなる液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、良好な表示特性と高い信頼性とを兼ね備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面に基づいて、本発明の実施の形態を説明する。
以下の実施の形態では、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素スイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えばプロジェクタのライトバルブ（光変調手段）として用いられるものである。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１５】
［第１の実施の形態］
［液晶装置の構成］
図１は、本実施形態の液晶装置１００を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
図１および図２に示すように、本実施の形態の液晶装置１００は、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備えている。また、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、互いに対向する面の周縁部に矩形枠状に設けられたシール材５２により貼り合わされており、前記両基板１０，２０とシール材５２とに囲まれる領域（セルギャップ内）に、電気光学物質である液晶５０が封入（保持）されている。
【００１６】
シール材５２の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）５３が形成されており、この遮光膜５３の内側の領域には、複数の画素が平面視マトリクス状に配列された平面視矩形状の画像表示領域１００Ａが形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１および外部回路実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１００Ａの両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０の角部においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００１７】
なお、データ線駆動回路２０１および走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。
また、液晶装置１００においては、使用する液晶モードの種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ(Vertical Alignment)モード、ＯＣＢ(Optically Compensated Bend)モード、ＩＰＳ(In Plain Switching)モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００１８】
図３は、液晶装置１００の画像表示領域１００Ａにおいてマトリクス状に形成された複数の画素１００ａにおける各種素子、配線等の等価回路を示す図である。
図３に示すように、画像表示領域１００Ａには、複数の画素１００ａがマトリクス状に形成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。また、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。符号３ｂは蓄積容量６０を構成する容量線である。
【００１９】
次に、図４および図５に基づいて、本実施形態の液晶装置のＴＦＴアレイ基板の画素部の構造について詳細に説明する。図４は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図５は図４のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
図４に示すように、液晶装置１００のＴＦＴアレイ基板１０上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９（点線部９ａにより輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが設けられている。データ線６ａは、コンタクトホール５を介してポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち後述のソース領域に電気的に接続されており、画素電極９は、コンタクトホール８を介して半導体層１ａのうち後述のドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極ピッチは、２０μｍ程度以下、好ましくは１５μｍ程度以下とされている。また、半導体層１ａのうち後述のチャネル領域（図中右上がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａ自体がゲート電極として機能する。
【００２０】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直線状に伸びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有している。そして、図４中右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。より具体的には、第１遮光膜１１ａは、画素部において半導体層１ａのチャネル領域を含むＴＦＴをＴＦＴアレイ基板の側から見て覆う位置に設けられており、さらに、容量線３ｂの本線部に対向して走査線３ａに沿って直線状に伸びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って隣接する後段側（図中下向き）に突出した突出部とを有している。第１遮光膜１１ａの各段（画素行）における下向きの突出部の先端は、データ線６ａ下において次段における容量線３ｂの上向きの突出部の先端と重なっている。この重なった箇所には、第１遮光膜１１ａと容量線３ｂとを相互に電気的に接続するコンタクトホール１３が設けられている。すなわち、本実施の形態では、第１遮光膜１１ａは、コンタクトホール１３により前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続されている。
【００２１】
次に断面構造を見ると、図５に示すように、本実施の形態の液晶装置は、一対の透明基板を有しており、その一方の基板をなすＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置された他方の基板をなす対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０には、例えばインジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電性膜からなる画素電極９が設けられ、ＴＦＴアレイ基板１０上の各画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御するＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁する絶縁薄膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００２２】
また、上記走査線３ａ上、絶縁薄膜２上を含むＴＦＴアレイ基板１０上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５および高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が各々形成された第２層間絶縁膜４が形成されている。つまり、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。さらに、データ線６ａ上および第２層間絶縁膜４上には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が形成された第３層間絶縁膜７が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４および第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８を介して画素電極９に電気的に接続されている。これら第３層間絶縁膜７や画素電極９は配向膜１６の下地層となっている。
【００２３】
また、ゲート絶縁膜となる絶縁薄膜２を走査線３ａの一部からなるゲート電極に対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体層１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、さらにこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量６０が構成されている。
【００２４】
また、ＴＦＴアレイ基板１０表面の各画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対応する位置には、第１遮光膜１１ａが設けられている。第１遮光膜１１ａとＴＦＴ３０との間には、例えば高絶縁性ガラス、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜（絶縁体層）１２が設けられている。さらに、第１層間絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されており、第１遮光膜１１１パターンの段差を解消するために表面を研磨し、平坦化処理を施してある。
【００２５】
他方、対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａ、走査線３ａ、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域に第２遮光膜２３が設けられている。さらに、第２遮光膜２３上を含む対向基板２０上には、その全面にわたって対向電極（共通電極）２１が設けられている。対向電極２１もＴＦＴアレイ基板１０の画素電極９と同様、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。第２遮光膜２３の存在により、対向基板２０の側からの入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することはない。
【００２６】
ＴＦＴアレイ基板１０の画素スイッチング用ＴＦＴ３０、データ線６ａ及び走査線３ａの形成領域にあたる第３層間絶縁膜７上及び画素電極９上には、配向膜１６が形成されている。この配向膜１６は、斜方蒸着法により形成された無機酸化物膜（斜方蒸着膜）を主体として構成されたものである。
【００２７】
図６は、配向膜１６が形成されている部分及びその近傍部分の斜方蒸着方向に沿った断面構造を模式的に示す図である。
図６に示すように、配向膜１６は、斜方蒸着法により形成された無機酸化物膜１６ａと、この無機酸化物膜１６ａの表面を有機表面処理材料によって処理することによって形成された被膜１９とを備えている。本実施形態では、有機表面処理材料として後述のようなアルコールを用いているが、この代わりにシランカップリング材等を用いても構わない。斜方蒸着法とは、対象となる基板をある角度で固定して一方向から酸化シリコン等の無機材料を蒸着させ、基板に対して所定の角度で配列された柱状構造物（以下、カラムともいう）を成長させるものである。無機酸化物膜１６ａには、このようにして形成された多数のカラムが疎に形成されており、隣接するカラムの間に細孔１６Ｈが空いた状態となっている。
【００２８】
各細孔１６Ｈの軸は、ＴＦＴアレイ基板１０に対して傾斜した状態で一軸配向している。ここで、各細孔１６Ｈの軸が一軸配向しているとは、大多数の細孔１６Ｈの軸がほぼ等しい方向を向いていること（細孔１６Ｈの軸の平均的な方向が制御されていること）をいい、複数の細孔１６Ｈの中には、軸の方向が大多数のものと異なる方向を向いた細孔１６Ｈが含まれていてもよい。このように、各細孔１６Ｈが規則的に配列していることにより、無機酸化物膜１６ａは、高い構造規則性を有している。
このような高い構造規則性を有する無機酸化膜は一般的には斜方蒸着法により得られるが、イオンビームスパッタ法を用いて基板の斜め方向から成膜させる方法や、平坦な無機酸化膜に斜め方向からイオンビームを照射させることによっても得られる。基板に対して傾斜した状態で一軸配向した細孔が存在し、高い構造規則性を有している無機酸化膜であれば良い。
【００２９】
図５に戻り、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１６と対向する位置にあたる対向基板２０の対向電極２１上にも、同様の材料からなる配向膜２２が設けられている。この配向膜２２も、配向膜１６と同様、第２遮光膜２３や対向電極２１等を形成した対向基板２０に、上記と同様に酸化シリコン等の斜方蒸着膜からなる無機酸化物膜２２ａを形成し、この無機酸化物膜２２ａの表面に被膜２９を形成することにより形成されたものである。
【００３０】
再び図６に戻る。このような構成により、液晶層５０が含有する液晶分子５０ａは、垂直配向（ホメオトロピック配向）し易くなる。したがって、このような構成の配向膜１６，２２は、ＶＡ（Vertical Alignment：垂直配向）型の液晶パネルの構築に有用である。また、配向膜１６，２２が高い構造規則性を有することから、液晶分子５０ａの配向方向もより正確に一定方向（垂直方向）に揃うようになり、その結果、液晶装置１００の性能の向上も図ることができる。
【００３１】
なお、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの細孔と基板１０，２０の上面とのなす角度θＣは、特に限定されないが、３０〜７０°程度であるのが好ましく、４０〜６０°程度であるのがより好ましい。これにより、液晶分子５０ａを所定のプレチルト角θＰでプレチルトさせた状態で確実に垂直配向させることができる。
【００３２】
無機酸化物膜１６ａ，２２ａは、無機酸化物を主材料として構成された膜である。一般に、無機材料は、有機材料に比べて、優れた化学的安定性（光安定性）を有している。このため、無機酸化物膜１６ａ，２２ａは、有機材料で構成された配向膜に比べて、特に優れた耐光性を有するものとなる。
【００３３】
また、無機酸化物膜１６ａ，２２ａを構成する無機酸化物は、その誘電率が比較的低いものが好ましい。これにより、液晶装置１００において焼き付き等をより効果的に防止することができる。
【００３４】
このような無機酸化物としては、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯのようなシリコン酸化物、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３，Ｓｂ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＷＯ３、ＣｒＯ３、ＧａＯ３、ＨｆＯ２、Ｔｉ３Ｏ５、ＮｉＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３を主成分とするものが好ましい。ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３は、誘電率が特に低く、かつ、高い光安定性を有する。
【００３５】
このような無機酸化物膜１６ａ，２２ａの少なくとも表面（本実施形態では、表面および細孔の内面）に沿って、被膜１９，２９が形成されている。この被膜１９，２９は、後述する処理液を用いて無機酸化物膜１６ａ，２２ａを処理することにより形成された膜、すなわち、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に存在する活性な水酸基と、アルコール（有機表面処理材料）が有する水酸基とが化学反応（脱水縮合反応）して形成された膜であり、アルコールの主骨格部分を主としてなる膜である。
【００３６】
被膜１９，２９を形成することにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに存在する活性な水酸基の数を減少させることができ、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに対して各種不純物が付着することや、無機酸化物膜１６ａ，２２ａが液晶分子と反応すること等を防止することができる。このため、例えば、配向膜１６，２２の液晶分子に対する垂直アンカリング力の低下等を防止することができ、結果として、液晶分子に配向異常が生じるのを防止する（すなわち配向を安定化させる）ことができる。特に、本実施形態では、細孔の内面に存在する水酸基にもアルコールが化学結合しているため、前記効果がより顕著となる。
【００３７】
図７は、液晶装置１００を構成する２枚の基板の平面図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）は、それぞれＴＦＴアレイ基板１０側の被膜１９の構成及び対向基板２０側の被膜２９の構成を示している。
【００３８】
図７に示すように、各基板１０，２０には、画像表示領域周辺部の矩形枠状の領域に被膜１９ａ，２９ａが形成され、その内側である画像表示領域中央部の矩形状の領域に被膜１９ｂ、２９ｂが形成されている。これらは、画像表示領域１００Ａの中央部と周辺部の無機酸化物膜に、それぞれ異なる表面処理を施すことによって形成されたものである。この表面処理の違いは、モジュール動作時（液晶装置１００を含むプロジェクタの表示動作中）における無機酸化物膜の表面温度の分布に基づいている。すなわち、プロジェクタ用の液晶装置では、画像表示領域１００Ａの周辺部に対して中央部の光の強度が５％〜１５％程度高くなっている。また、液晶装置の冷却は全面に風を送ると同時に液晶装置周辺部に取り付けられる枠からも行われるため、これに伴って、配向膜の表面温度も中央部が周辺部よりも高くなっている。液晶装置全体で見ると、画像表示領域１００Ａの中心部で最も表面温度が高く、外周部に向かうにつれて表面温度が低くなり、画像表示領域１００Ａの最外周部近傍又はその外側の領域で最も表面温度が低くなっている。一般に有機物の光劣化は温度が１０℃上昇すると１．５〜３倍程度速くなるため、表面温度の異なる領域に対して共通の表面処理を施すと、表面温度の高い領域で被膜の劣化が速く進み、他の部分では劣化していなくても、被膜全体として不良と判断されてしまう。そのため、本実施形態では、モジュール動作時における配向膜の表面温度の違いに応じて、使用する有機表面処理材料を異ならせ、それぞれの領域毎に温度条件に最も適した材料を選択するようにしている。
【００３９】
具体的には、無機酸化物膜に化学結合される被膜のアルキル基の長さを調節することによって、領域毎に適切な特性が得られるようにしている。一般に、アルキル基の長い材料は、液晶に対するアンカリング力が大きく、高い配向規制力が得られるが、強い光に対して分解され易くなるため、信頼性の面で劣る。一方、アルキル基の短い材料は、光に対する信頼性は高いが、アンカリング力が小さくなるため、配向規制力は弱い。このため、モジュール動作時の配向膜の表面温度が相対的に低くなる画像表示領域１００Ａの周辺部（表面温度が最も低くなる画像表示領域１００Ａの最外周部近傍又はその外側の領域を含む領域）では、配向規制力の強化を図る観点から、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコール（有機表面処理材料）の被膜１９ａ，２９ａとして、アルキル基の長いものが選択されている。一方、モジュール動作時の配向膜の表面温度が相対的に高くなる画像表示領域の中央部（表面温度が最も高くなる画像表示領域１００Ａの中心部を含む領域）では、配向の長期信頼性を向上させる観点から、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコール（有機表面処理材料）の被膜１９ｂ，２９ｂとして、アルキル基の短いものが選択されている。この場合、被膜１９ｂ，２９ｂが形成された画像表示領域１００Ａの中央部において配向規制力が弱くなるが、この部分の液晶分子は、配向規制力の強い画像表示領域１００Ａの周辺部からの配向の影響を受けるため、配向特性が極端に悪くなることはない。
【００４０】
なお、表面温度の高い領域と表面温度の低い領域の被膜のアルコールには、それらの平均的なアルキル基の長さに差が存在していれば良く、アルコールとしては、高分子量のアルコールと低分子量のアルコールとを適宜組み合わせるようにしてもよい。特に、高分子量のアルコールを用いるべき画像表示領域周辺部において低分子量のアルコールを組み合わせて用いると、高分子量のアルコール同士の間の水酸基や、細孔の奥に存在する水酸基にもアルコールを化学結合させることができ、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに残存する水酸基をより確実に減少させることができるという利点がある。
【００４１】
表面温度の低い領域に形成される被膜１９ａ，２９ａのアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が５以上のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、１００〜４００程度であるのが好ましく、１２０〜４００程度であるのがより好ましい。このような炭素数及び平均分子量のものを用いることにより、良好な配向安定性が得られるようになる。また、液晶分子に対する親和性がより高いため、液晶分子に対する垂直アンカリング力を確実に増大させることができる。
【００４２】
このようなアルコールとしては、脂肪族アルコール、芳香族アルコール、脂環アルコール、複素環アルコール、多価アルコールまたはこれらのハロゲン置換体（特に、フッ素置換体）が挙げられるが、これらの中でも、脂肪族アルコール、脂環アルコールまたはそのフッ素置換体（フルオロアルコール）が好ましい。脂肪族アルコール、脂環アルコールまたはそのフッ素置換体を用いることにより、液晶分子に対する垂直アンカリング力がさらに増大し、液晶分子をより確実に垂直配向させることができる。
【００４３】
また、脂環アルコールまたはそのフッ素置換体は、ステロイド骨格を有するものがより好ましい。ステロイド骨格を有する脂環アルコールまたはそのフッ素置換体は、平面性の高い構造を有するため、液晶分子を配向制御する機能に特に優れるものである。
【００４４】
これらのことから、画像表示領域の周辺部の処理に用いるアルコールとしては、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、ペンタデカノール、ヘキサデカノール、ヘプタデカノール、オクタデカノール、エイコサノール、ヘンエイコサノール、ドコサノール、トリコサノール、テトラコサノール等の脂肪族アルコール、コレステロール、エピコレステロール、コレスタノール、エピコレスタノール、エルゴスタノール、エピエルゴスタノール、コプレスタノール、エピコプレスタノール、α−エルゴステロール、β−シトステロール、スチグマステロール、カンペステロール等の脂環アルコールまたはこれらのフッ素置換体を主とするものが好適である。また、脂肪族アルコールまたはそのフッ素置換体は、その炭化水素部分またはフッ化炭素部分（主骨格部分）が、直鎖状をなすもの、分枝状をなすもののいずれであってもよい。
【００４５】
一方、表面温度の高い領域に形成される被膜１９ｂ，２９ｂのアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が１〜４のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、３２〜７０程度であるのが好ましく、３２〜６０程度であるのがより好ましい。このような炭素数及び平均分子量のものを用いることにより、長期信頼性に優れた配向膜が得られるようになる。また、このような炭素数のアルコールは、分子サイズが小さいため、細孔の奥深くにまで確実に浸透させることもできる。また、常温で液状であるため、後述する処理液により無機酸化物膜１６ａ，２２ａを処理する際の取り扱いが容易である。
【００４６】
このようなアルコールとしては、メタノール、エタノール、プロパノールまたはこれらのフッ素置換体を主とするものが好適である。液晶分子には、フッ素化されたものが多いことから、フッ素置換体を用いることにより、液晶分子との親和性が向上し、液晶分子を垂直配向させる効果がより高まる。
【００４７】
［液晶装置の製造方法］
次に、配向膜の形成方法に着目しながら、液晶装置１００の製造方法について説明する。図８は、配向膜の形成方法を示す工程フローである。
なお、配向膜１６と配向膜２２の形成方法は基本的に同じである。このため、ここでは主に配向膜１６を形成する方法について説明する。
【００４８】
まず、公知の方法により製造されたＴＦＴアレイ基板１０上に、斜方蒸着法により無機酸化物膜１６ａを形成する（工程Ｓ１）。斜方蒸着法を用いることにより、複数の細孔１６Ｈを有する無機酸化物膜１６ａが得られる。
ここで、蒸発源から気化した無機酸化物が、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に到達する角度を適宜設定することにより、細孔１６ＨのＴＦＴアレイ基板１０に対する角度θＣ（図６参照）を調整することができる。
【００４９】
次に、画像表示領域１００Ａの周辺部に、１−ヘキサノール等を含む第１の処理液を塗布する（工程Ｓ２）。
第１の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向規制力を強化するのに適した平均分子量の大きい又は炭素数の多いアルコールを含むものである。
【００５０】
第１の処理液としては、このようなアルコールそのもの（アルコールの含有量がほぼ１００％のもの）でもよく、適当な希釈溶媒で希釈したものでもよい。アルコールを溶媒に混合または溶解する場合には、溶媒として、当該アルコールを混合または溶解可能であり、かつ、当該アルコールよりも極性の低いものが選択される。これにより、溶媒が後工程Ｓ３における無機酸化物膜１６ａの水酸基とアルコールとの反応を妨げることを防止することができ、化学反応を確実に生じさせることができる。
【００５１】
第１の処理液は、無機酸化物膜１６ａの細孔１６Ｈの内部にまで十分浸透することが必要である。このため、第１の処理液を塗布したら、減圧雰囲気で細孔内の空気を脱気し、細孔１６Ｈ内に第１の処理液を十分浸透させることが望ましい。
【００５２】
第１の処理液の塗布方法としては、基板の所定領域にのみ選択的に塗布することのできるフレキソ印刷法やインクジェット印刷法等が好適である。
【００５３】
第１の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する（工程Ｓ３）。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に存在する水酸基と、アルコールが有する水酸基との間に脱水縮合反応が生じ、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールが化学結合する。その結果、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に沿って、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９ａが形成される。
【００５４】
基板１０の加熱温度は、特に限定されないが、８０〜２５０℃程度であるのが好ましく、１００〜２００℃程度であるのがより好ましい。加熱温度が低過ぎると、アルコールの種類や、無機酸化物の種類等によっては、無機酸化物膜１６ａにアルコールを十分に化学結合させることができないおそれがあり、一方、加熱温度を前記上限値を超えて高くしても、それ以上の効果の増大が見込めない。
【００５５】
また、基板１０の加熱時間も、特に限定されないが、２０〜１８０分程度であるのが好ましく、４０〜１００分程度であるのがより好ましい。加熱時間が短過ぎると、加熱温度等の他の条件によっては、無機酸化物膜１６ａにアルコールを十分に化学結合させることができないおそれがあり、一方、加熱温度を前記上限値を超えて高くしても、それ以上の効果の増大が見込めない。
【００５６】
本工程では、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に存在する水酸基とアルコールとを反応させる方法として加熱による方法を用いているが、前記反応は加熱による方法に限定されず、例えば紫外線の照射、赤外線の照射等により行なうこともできる。
【００５７】
なお、アルコールとして複数種のものを用いる場合には、前記処理液中に複数のアルコールを同時に混合するようにしてもよい。この場合、無機酸化物膜１６ａに化学結合する複数種のアルコールの比率は、例えば、処理液中における複数種のアルコールの配合比、種類や分子量、処理条件等を適宜設定することにより調整することができる。また、各アルコールをそれぞれ含有する複数の処理液を用意し、各処理液を順次用いて、前述したようにして基板１０を処理するようにしてもよい。この場合、最も分子量の小さいアルコールを含有する処理液から、より分子量の大きいアルコールを含有する処理液へと順に変更して、基板１０を処理するのが好ましい。これにより、低分子量のアルコールを細孔１６Ｈの奥にまでより確実に化学結合させることができる。
【００５８】
以上により画像表示領域１００Ａの周辺部の表面処理が終了したら、今度は画像表示領域１００Ａの中央部に、イソプロピルアルコール等を含む第２の処理液を塗布する（工程Ｓ４）。
第２の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向膜の信頼性向上に適した平均分子量の小さい又は炭素数の少ないアルコールを含むものである。
第２の処理液の調整方法、塗布方法、塗布後の脱気処理等の条件については第１の処理液の場合と同様である。
【００５９】
第２の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する（工程Ｓ５）。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に存在する水酸基と、アルコールが有する水酸基との間に脱水縮合反応が生じ、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールが化学結合する。その結果、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に沿って、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９ｂが形成される。
加熱温度や加熱時間等の条件は第１の処理液の場合と同様である。
【００６０】
以上により、画像表示領域１００Ａの中央部及び周辺部の双方について表面処理が終了し、これにより無機酸化膜１６が完成する。
なお、ここでは、最初に画像表示領域１００Ａの周辺部の処理を行ない、その後画像表示領域１００Ａの中央部の処理を行なっているが、この順番はどちらが先でも構わない。
【００６１】
次に、同様の方法を用いて、対向基板２０の表面に配向膜２２を形成する。
そして、これらの基板１０，２０を枠状に設けたシール材５２を介して貼り合わせ、そのシール材５２の枠内に液晶を充填する。その後、基板１０，２０の外面側に必要に応じて偏光板等を貼着する。
以上により、液晶装置１００が完成する。
【００６２】
以上説明したように、本実施形態では、モジュール動作時における配向膜１６，２２の表面温度の分布に応じて、表面温度の高い画像表示領域１００Ａの中央部と表面温度の低い画像表示領域１００Ａの周辺部に対してそれぞれ適切な有機表面処理材料を選択している。具体的には、表面温度の低い領域については、光に対する信頼性は低いが、配向規制力に優れた有機表面処理材料を用い、表面温度の高い領域については、配向規制力は若干劣るが、光に対する信頼性は高い有機表面処理材料を用いている。このため、画像表示領域１００Ａの中央部のみで極端に被膜の劣化が進むことにより、被膜全体が不良とされることがなくなり、結果として、液晶装置全体としての寿命を延ばすことができる。この場合、表面温度の高い領域では配向規制力は弱くなるが、周囲に配向規制力の強い領域（表面温度の低い領域）が存在するので、その影響によって、表面温度の高い領域においても良好な配向特性を実現することができる。一般に、配向特性と信頼性とはトレードオフの関係となるため、両方の特性を同時に実現することはできなかったが、本発明では、これらの特性を別々の領域で実現させることで、両方の特性を同時に満たすことが可能となっている。
【００６３】
また、液晶装置の周辺部では、水分の侵入やシール材からの溶出成分により、中央部よりも早く配向が乱れる傾向にあるが、本実施形態では画像表示領域の周辺部が中央部に比べて配向特性の良好な状態に形成されるため、このような不具合は生じにくくなる。
【００６４】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
図９は、本実施形態の液晶装置の製造方法を示す工程フローである。この工程の基本的な部分は第１実施形態のものと同じであり、異なるのは処理液を基板の所定位置に選択的に配置する手法のみである。このため、第１実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６５】
本実施形態では、まず、公知の方法により製造されたＴＦＴアレイ基板１０上に、斜方蒸着法により無機酸化物膜１６ａを形成する（工程Ｓ１１）。
【００６６】
次に、基板１０全体に、イソプロピルアルコール等を含む第２の処理液を塗布する（工程Ｓ１２）。
第２の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向膜の信頼性向上に適した平均分子量の小さい又は炭素数の少ないアルコールを含むものである。
第２の処理液の塗布方法としては、基板全体に均一に塗布することのできるスピンコート法やディップコート法等が好適である。
【００６７】
第２の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する（工程Ｓ１３）。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９ｂが形成される。
【００６８】
次に、マスクを用いて画像表示領域１００Ａの周辺部及びこれよりも外側の領域に紫外線を照射し、当該領域の被膜１９ｂを選択的に除去する（工程Ｓ１４）。
本工程では、被膜１９ｂを除去する方法として紫外線を照射する方法を用いているが、被膜を選択的に除去できる方法であれば、これ以外の方法であっても構わない。
【００６９】
以上により画像表示領域１００Ａの中央部の表面処理が終了したら、今度は画像表示領域１００Ａの周辺部に、１−ヘキサノール等を含む第１の処理液を塗布する（工程Ｓ１５）。
第１の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向規制力を強化するのに適した平均分子量の大きい又は炭素数の多いアルコールを含むものである。
【００７０】
第１の処理液の塗布方法としては、フレキソ印刷法やインクジェット印刷法等のように基板１０の周辺部のみに選択的に塗布できるようなものだけでなく、スピンコート法やディップコート法等のように基板全体に塗膜が形成されるようなものも用いることができる。画像表示領域１００Ａの中央部には既に第２の処理液によって表面処理が施されており、その無機酸化物膜１６ａの表面及び細孔１６Ｈの内面には第２の処理液に含まれるアルコールが強固に結合されているため、第１の処理液によって改めて表面処理を施しても、その部分にはアルコールが付着しないからである。
【００７１】
第１の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する（工程Ｓ１６）。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９ａが形成される。
【００７２】
以上により、画像表示領域１００Ａの中央部及び周辺部の双方について表面処理が終了し、これにより無機酸化膜１６が完成する。
なお、ここでは、最初に画像表示領域１００Ａの中央部の処理を行ない、その後画像表示領域１００Ａの周辺部の処理を行なっているが、この順番はどちらが先でも構わない。
【００７３】
次に、同様の方法を用いて、対向基板２０の表面に配向膜２２を形成する。
そして、これらの基板１０，２０を枠状に設けたシール材５２を介して貼り合わせ、そのシール材５２の枠内に液晶を充填する。その後、基板１０，２０の外面側に必要に応じて偏光板等を貼着する。
以上により、液晶装置が完成する。
【００７４】
本実施形態では、全体に表面処理を施した後、その表面処理を部分的に除去することにより、領域毎に異なる表面処理を実現している。このため、処理液の塗布の段階ではパターニングが不要になり、その分、工程が容易になる。
【００７５】
［第３の実施の形態］
［液晶装置の構成］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。
図１０は、本実施形態の液晶装置を構成する２枚の基板の平面図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、それぞれＴＦＴアレイ基板１０側の被膜１９１の構成及び対向基板２０側の被膜２９１の構成を示している。図１０中、一点鎖線で示した枠内には、マトリクス状に配置された画素１００ａの一部を拡大して示している。
この液晶装置の基本構造は第１実施形態のものと同じであり、異なるのは表面処理によって形成される被膜の位置とその構成のみである。このため、第１実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００７６】
図１０に示すように、各基板１０，２０には、画素電極９が配置される矩形状の領域（画素内の領域）に被膜１９１ｂ，２９１ｂが形成され、画素間を構成する格子状の領域（画素間の領域）に被膜１９１ａ，２９１ａが形成されている。これらは、画素内の領域と画素間の領域に、それぞれ異なる表面処理を施すことによって形成されたものである。この表面処理の違いは、モジュール動作時における無機酸化物膜の表面温度の分布に基づいている。すなわち、対向基板２０には、図１０（ｂ）に示すように、画素間の領域に対応して平面視格子状の遮光膜２３が形成されており、１画素について見ると、この遮光膜２３によって入射光が遮られる領域（遮光領域）と遮られない領域（非遮光領域）とで温度条件が異なったものとなっている。より具体的には、非遮光領域である画素内領域の中心部で最も表面温度が高く、画素内領域の最外周部近傍又は遮光領域である画素間領域で最も表面温度が低くなっている。そのため、本実施形態では、このようなモジュール動作時における配向膜の表面温度の違いに応じて、使用する有機表面処理材料を異ならせ、それぞれの領域毎に温度条件に最も適した材料を選択するようにしている。
【００７７】
具体的には、無機酸化物膜に化学結合される被膜のアルキル基の長さを調節することによって、領域毎に適切な特性が得られるようにしている。すなわち、光が遮られることによって表面温度が相対的に低くなる遮光領域では、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコールの被膜１９１ａ，２９１ａとして、アルキル基の長い材料が選択されており、光が透過されることによって表面温度が相対的に高くなる非遮光領域では、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコールの被膜１９１ｂ，２９１ｂとして、アルキル基の短い材料が選択されている。この場合、被膜１９１ｂ，２９１ｂが形成された画素内の領域では配向規制力は弱くなるが、この部分の液晶分子は配向規制力の強い画素周辺部からの配向の影響を受けるため、配向特性が極端に悪くなることはない。特にプロジェクタの光変調手段として用いるような小型の液晶装置であれば、１画素の大きさが非常に小さいので、画素中心部の配向特性が劣ったものであっても、画素間領域の配向特性が良好なものであれば、その配向の影響によって、画素中心部においても良好な配向特性が実現できる。
【００７８】
なお、遮光領域と非遮光領域の表面温度の分布は、入射される光の強度や遮光膜の材料等によっては上記のものとは逆になる場合がある。すなわち、遮光膜が光を吸収しやすい材料で構成されている場合には、かえって光を吸収することで遮光領域が加熱され、表面温度が高くなる場合もある。この場合には、画素内領域の最外周部又は画素間領域の表面温度が最も高くなり、画素内領域の中央部で表面温度が最も低くなるため、上記の構成とは逆に、表面温度が相対的に低くなる非遮光領域には、アルキル基の長い材料を選択し、表面温度が相対的に高くなる遮光領域には、アルキル基の短い材料を選択することが望ましい。
【００７９】
表面温度の低い領域に形成される被膜１９１ａ，２９１ａのアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が５以上のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、１００〜４００程度であるのが好ましく、１２０〜４００程度であるのがより好ましい。一方、表面温度の高い領域に形成される被膜１９１ｂ，２９１ｂのアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が１〜４のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、３２〜７０程度であるのが好ましく、３２〜６０程度であるのがより好ましい。これらのアルコールとしては、前述のものを用いることができる。
【００８０】
［液晶装置の製造方法］
次に、配向膜の形成方法に着目しながら、液晶装置の製造方法について説明する。図１１は、配向膜の形成方法を示す工程フローである。
なお、配向膜１６と配向膜２２の形成方法は基本的に同じである。このため、ここでは主に配向膜１６を形成する方法について説明する。
【００８１】
まず、公知の方法により製造されたＴＦＴアレイ基板１０上に、斜方蒸着法により無機酸化物膜１６ａを形成する（工程Ｓ２１）。
【００８２】
次に、画像表示領域１００Ａにおける画素間の領域に、１−ヘキサノール等を含む第１の処理液を塗布する（工程Ｓ２２）。
第１の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向規制力を強化するのに適した平均分子量の大きい又は炭素数の多いアルコールを含むものである。
第１の処理液の塗布方法としては、画素間の領域のみに選択的に塗布できるよインクジェット印刷法等が好適である。
【００８３】
第１の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する（工程Ｓ２３）。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９１ａが形成される。
【００８４】
以上により画素内の領域の表面処理が終了したら、今度は画像表示領域１００Ａにおける画素内の領域に、イソプロピルアルコール等を含む第２の処理液を塗布する（工程Ｓ２４）。
第２の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向膜の信頼性向上に適した平均分子量の小さい又は炭素数の少ないアルコールを含むものである。
第２の処理液の塗布方法としては、画素内の領域のみに選択的に塗布できるインクジェット印刷法等が好適である。
【００８５】
第２の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する（工程Ｓ２５）。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９１ｂが形成される。
【００８６】
以上により、画素内の領域及び画素間の領域の双方について表面処理が終了し、これにより無機酸化膜１６が完成する。
なお、ここでは、最初に画素間の領域の処理を行ない、その後画素内の領域の処理を行なっているが、この順番はどちらが先でも構わない。
【００８７】
次に、同様の方法を用いて、対向基板２０の表面に配向膜２２を形成する。
そして、これらの基板１０，２０を枠状に設けたシール材５２を介して貼り合わせ、そのシール材５２の枠内に液晶を充填する。その後、基板１０，２０の外面側に必要に応じて偏光板等を貼着する。
以上により、液晶装置が完成する。
【００８８】
本実施形態では、画素間の領域と画素内の領域の表面温度の違いに応じて、それぞれ適切な表面処理材料を用いているので、より配向安定性及び信頼性に優れた液晶装置を提供することができる。この場合、画素内の領域の配向規制力は弱くなるが、プロジェクタ用の液晶装置では１画素の大きさが１０μｍ程度と非常に小さいので、周囲の配向特性の高い領域（画素間領域）の影響によって画素内領域の配向特性の低さを十分に補うことができる。
【００８９】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。
図１２は、本実施形態の液晶装置の製造方法を示す工程フローである。この工程の基本的な部分は第３実施形態のものと同じであり、異なるのは処理液を基板の所定位置に選択的に配置する手法のみである。このため、第３実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００９０】
本実施形態では、まず、公知の方法により製造されたＴＦＴアレイ基板１０上に、斜方蒸着法により無機酸化物膜１６ａを形成する（工程Ｓ３１）。
【００９１】
次に、基板１０全体に、イソプロピルアルコール等を含む第２の処理液を塗布する（工程Ｓ３２）。
第２の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向膜の信頼性向上に適した平均分子量の小さい又は炭素数の少ないアルコールを含むものである。
第２の処理液の塗布方法としては、基板全体に均一に塗布することのできるスピンコート法やディップコート法等が好適である。
【００９２】
第２の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する（工程Ｓ３３）。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９１ｂが形成される。
【００９３】
次に、マスクを用いて画像表示領域１００Ａの画素間の領域に紫外線を照射し、当該領域の被膜１９１ｂを選択的に除去する（工程Ｓ３４）。
本工程では、被膜１９１ｂを除去する方法として紫外線を照射する方法を用いているが、被膜を選択的に除去できる方法であれば、これ以外の方法であっても構わない。
【００９４】
以上により画素内の領域の表面処理が終了したら、今度は画像表示領域１００Ａの画素間の領域に、１−ヘキサノール等を含む第１の処理液を塗布する（工程Ｓ３５）。
第１の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向規制力を強化するのに適した平均分子量の大きい又は炭素数の多いアルコールを含むものである。
【００９５】
第１の処理液の塗布方法としては、インクジェット印刷法等のように画素間の領域のみに選択的に塗布できるようなものだけでなく、スピンコート法やディップコート法等のように基板全体に塗膜が形成されるようなものも用いることができる。画素内の領域には既に第２の処理液によって表面処理が施されており、その無機酸化物膜１６ａの表面及び細孔１６Ｈの内面には第２の処理液に含まれるアルコールが強固に結合されているため、第１の処理液によって改めて表面処理を施しても、その部分にはアルコールが付着しないからである。
【００９６】
第１の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する（工程Ｓ３６）。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９１ａが形成される。
【００９７】
以上により、画素内の領域及び画素間の領域の双方について表面処理が終了し、これにより無機酸化膜１６が完成する。
なお、ここでは、最初に画素内の領域の処理を行ない、その後画素間の領域の処理を行なっているが、この順番はどちらが先でも構わない。
【００９８】
次に、同様の方法を用いて、対向基板２０の表面に配向膜２２を形成する。
そして、これらの基板１０，２０を枠状に設けたシール材５２を介して貼り合わせ、そのシール材５２の枠内に液晶を充填する。その後、基板１０，２０の外面側に必要に応じて偏光板等を貼着する。
以上により、液晶装置が完成する。
【００９９】
本実施形態では、全体に表面処理を施した後、その表面処理を部分的に除去することにより、領域毎に異なる表面処理を実現している。このため、処理液の塗布の段階ではパターニングが不要になり、その分、工程が容易になる。
【０１００】
［第５の実施の形態］
［液晶装置の構成］
次に、本発明の第５の実施の形態について説明する。
図１３は、本実施形態の液晶装置を構成する２枚の基板の平面図である。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、それぞれＴＦＴアレイ基板１０側の被膜１９２の構成及び対向基板２０側の被膜２９２の構成を示している。
この液晶装置の基本構造は第１実施形態のものと同じであり、異なるのは無機酸化物膜の表面処理を画像表示領域１００Ａの周辺部にのみ行なっている点のみである。このため、第１実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【０１０１】
この液晶装置においては、各基板１０，２０の画像表示領域１００Ａの周辺部、すなわちモジュール動作時の配向膜の表面温度が相対的に低くなる領域にのみ表面処理が施されており、表面温度が相対的に高くなる画像表示領域１００Ａの中央部には表面処理は施されていない。このため、表面処理によって形成される被膜１９２，２９２は、画像表示領域１００Ａの周辺部にのみ矩形枠状に配置されることになり、第１実施形態のものに比べて光に対する信頼性の高い構造となっている。この構成においては、表面処理が行なわれない画像表示領域１００Ａの中央部において配向規制力が弱くなるが、この部分の液晶分子は、配向規制力の強い画像表示領域１００Ａの周辺部からの配向の影響を受けるため、配向特性が極端に悪くなることはない。ただし、表面処理の行なわれない領域が広くなりすぎると、周辺部の配向の影響を中心部まで十分に及ぼすことができなくなるため、この領域の面積はモジュール動作時に生じる温度分布等の状況に応じて、できる限り小さくすることが望ましい。
【０１０２】
被膜１９２，２９２のアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が５以上のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、１００〜４００程度であるのが好ましく、１２０〜４００程度であるのがより好ましい。このようなアルコールとしては、前述のものを用いることができる。
【０１０３】
表面処理の方法としては、次の方法を用いることができる。
まず、フレキソ印刷法やインクジェット印刷法等を用いて、画像表示領域１００Ａの周辺部に１−ヘキサノール等を含む処理液を選択的に塗布する。この処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向規制力を強化するのに適した平均分子量の大きい又は炭素数の多いアルコールを含むものである。
【０１０４】
処理液を塗布したら、基板を加熱する。
これにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９２，２９２が形成される。この被膜１９２，２９２は、処理液を画像表示領域１００Ａの周辺部に選択的に塗布したことから、画像表示領域１００Ａの周辺部にのみ選択的に形成される。
【０１０５】
表面処理の方法としては、次の方法を用いることもできる。
まず、基板全体に１−ヘキサノール等を含む処理液を塗布する。この処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向規制力を強化するのに適した平均分子量の大きい又は炭素数の多いアルコールを含むものである。
【０１０６】
処理液を塗布したら、基板を加熱する。
これにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９２，２９２が形成される。
【０１０７】
次に、マスクを用いて画像表示領域１００Ａの中央部に紫外線を照射し、当該領域の被膜１９１，２９２を選択的に除去する。これにより、画像表示領域１００Ａの周辺部にのみ被膜１９２，２９２が選択的に形成される。
【０１０８】
本実施形態では、配向膜の表面処理を画像表示領域１００Ａの周辺部にのみ行ない、表面処理の行なわれない画像表示領域１００Ａの中央部の配向特性を、画像表示領域周縁部の安定した配向の影響によって補うものとしている。このため、液晶の配向特性を比較的良好に維持しながら、光に対する信頼性も向上させることができる。
【０１０９】
［第６の実施の形態］
［液晶装置の構成］
次に、本発明の第６の実施の形態について説明する。
図１４は、本実施形態の液晶装置を構成する２枚の基板の平面図である。図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、それぞれＴＦＴアレイ基板１０側の被膜１９３の構成及び対向基板２０側の被膜２９３の構成を示している。図１４中、一点鎖線で示した枠内には、マトリクス状に配置された画素１００ａの一部を拡大して示している。
この液晶装置の基本構造は第３実施形態のものと同じであり、異なるのは表面処理によって形成される被膜の位置とその構成のみである。このため、第３実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【０１１０】
図１４に示すように、各基板１０，２０には、画像表示領域１００Ａの周辺部に被膜１９３Ａ，２９３Ａが形成され、画像表示領域１００Ａの中央部に被膜１９３Ｂ，２９３Ｂが形成されている。また、被膜１９３Ｂ，２９３Ｂには、画素電極９が配置される矩形状の領域（画素内の領域）に形成された被膜１９３ｂ，２９３ｂと、画素間を構成する格子状の領域（画素間の領域）に形成された被膜１９３ａ，２９３ａとが含まれている。これらの被膜は、画像表示領域の中央部と周辺部に、又は画像表示領域内における画素内の領域と画素間の領域に、それぞれ異なる表面処理を施すことによって形成されたものである。この表面処理の違いは、モジュール動作時における無機酸化物膜の表面温度の分布に基づいており、具体的には、無機酸化物膜に化学結合される被膜のアルキル基の長さを調節することによって、領域毎に適切な特性が得られるようにしている。
【０１１１】
すなわち、モジュール動作時の配向膜の表面温度が相対的に低くなる画像表示領域１００Ａの周辺部では、配向規制力の強化を図る観点から、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコールの被膜１９３Ａ，２９３Ａとして、アルキル基の長いものが選択されている。一方、画像表示領域１００Ａの中央部では、遮光膜２３によって光が遮られる遮光領域（画素間の領域）と光が遮られない非遮光領域（画素内の領域）とで表面温度が異なることから、その表面温度の違いに応じて、それぞれの領域毎に最も適した材料が選択されている。すなわち、光が遮られることによって表面温度が相対的に低くなる遮光領域では、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコールの被膜１９３ａ，２９３ａとして、アルキル基の長い材料が選択され、光が透過されることによって表面温度が相対的に高くなる非遮光領域では、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコールの被膜１９３ｂ，２９３ｂとして、アルキル基の短い材料が選択されている。この場合、画像表示領域１００Ａの周辺部の被膜１９３Ａ，２９３Ａと画素間の領域の被膜１９３ａ，２９３ａは、共に配向規制力の強化を目的として、アルキル基の長い材料が使用されることから、両者は共通の処理によって形成することが可能である。本実施形態でもそのように形成している。しかし、それぞれの領域毎に条件を最適化する場合等には、両者を異なる処理によって形成することも勿論可能である。
【０１１２】
表面温度の低い領域に形成される被膜１９３Ａ，２９３Ａ，１９３ａ，２９３ａのアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が５以上のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、１００〜４００程度であるのが好ましく、１２０〜４００程度であるのがより好ましい。一方、表面温度の高い領域に形成される被膜１９３Ｂ，２９３Ｂ，１９３ｂ，２９３ｂのアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が１〜４のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、３２〜７０程度であるのが好ましく、３２〜６０程度であるのがより好ましい。これらのアルコールとしては、前述のものを用いることができる。また、この領域に表面処理を行なわないことも可能である。
【０１１３】
なお、遮光領域と非遮光領域の表面温度の分布は、入射される光の強度や遮光膜の材料等によっては上記のものとは逆になる場合がある。この場合には、上記の構成とは逆に、表面温度が相対的に低くなる非遮光領域には、アルキル基の長い材料を選択し、表面温度が相対的に高くなる遮光領域には、アルキル基の短い材料を選択することが望ましい。
【０１１４】
表面処理の方法としては、次の方法を用いることができる。
まず、インクジェット印刷法等を用いて、画像表示領域周辺部、及び画像表示領域中央部の画素間の領域に第１の処理液を選択的に塗布する。
第１の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向規制力を強化するのに適した平均分子量の大きい又は炭素数の多いアルコールを含むものである。
【０１１５】
第１の処理液を塗布したら、基板を加熱する。
これにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９３Ａ，２９３Ａ，１９３ａ，２９３ａが形成される。
【０１１６】
以上により画像表示領域周辺部、及び画像表示領域中央部の画素間の領域の表面処理が終了したら、インクジェット印刷法等を用いて、今度は画像表示領域中央部の画素内の領域に第２の処理液を選択的に塗布する。
第２の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向膜の信頼性向上に適した平均分子量の小さい又は炭素数の少ないアルコールを含むものである。
【０１１７】
第２の処理液を塗布したら、基板を加熱する。
これにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９３ｂ，２９３ｂが形成される。
【０１１８】
以上により、画像表示領域１００Ａの中央部及び周辺部の双方について表面処理が終了する。
なお、ここでは、最初に画像表示領域周辺部と画素間領域の処理を行ない、その後画素内領域の処理を行なっているが、この順番はどちらが先でも構わない。
【０１１９】
表面処理の方法としては、次の方法を用いることもできる。
まず、基板全体に第１の処理液を塗布する。
第１の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向規制力を強化するのに適した平均分子量の大きい又は炭素数の多いアルコールを含むものである。
【０１２０】
第１の処理液を塗布したら、基板を加熱する。
これにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜が形成される。
【０１２１】
次に、マスクを用いて画像表示領域中央部の画素内の領域に紫外線を照射し、当該領域の被膜を選択的に除去する。
【０１２２】
以上により画像表示領域周辺部、及び画像表示領域中央部の画素間の領域の表面処理が終了したら、今度は画像表示領域中央部の画素内の領域に第２の処理液を選択的に塗布する。
第２の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向膜の信頼性向上に適した平均分子量の小さい又は炭素数の少ないアルコールを含むものである。
【０１２３】
第２の処理液の塗布方法としては、インクジェット印刷法等のように画素内の領域のみに選択的に塗布できるようなものだけでなく、スピンコート法やディップコート法等のように基板全体に塗膜が形成されるようなものも用いることができる。画像表示領域周辺部及び画素間の領域には既に第１の処理液によって表面処理が施されており、その無機酸化物膜１６ａの表面及び細孔１６Ｈの内面には第１の処理液に含まれるアルコールが強固に結合されているため、第２の処理液によって改めて表面処理を施しても、その部分にはアルコールが付着しないからである。
【０１２４】
第２の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９３ｂ，２９３ｂが形成される。
【０１２５】
以上により、画像表示領域１００Ａの中央部及び周辺部の双方について表面処理が終了する。
なお、ここでは、最初に画像表示領域周辺部と画素間領域の処理を行ない、その後画素内領域の処理を行なっているが、この順番はどちらが先でも構わない。
【０１２６】
本実施形態では、画素間領域と画素内領域の表面温度の違いに応じて、それぞれ適切な有機表面処理材料を使用しているので、より配向安定性及び信頼性に優れた液晶装置を提供することができる。この場合、画素内領域の配向規制力は弱くなるが、プロジェクタ用の液晶装置では１画素の大きさが１０μｍ程度と非常に小さいので、周囲の配向特性の高い領域（画素間領域）の影響によって画素内領域の配向特性の低さを十分に補うことができる。また、画像表示領域１００Ａの周辺部に配向特性の良好な領域を形成しているので、この領域からの配向の影響が加わることで、更に良好な配向特性が得られる。また、画像表示領域１００Ａの周辺部の配向規制力を高めることで、液晶装置周辺部からの水分の侵入やシール材からの溶出成分によって配向が乱れるといった不具合も生じにくくなる。
【０１２７】
［第７の実施の形態］
［液晶装置の構成］
次に、本発明の第７の実施の形態について説明する。
図１５及び図１６は、本実施形態の液晶装置を構成する２枚の基板の平面図である。図１５（ａ）はＴＦＴアレイ基板１０側の被膜１９４の全体構成を示しており、図１５（ｂ）及び図１５（ｃ）は、その画像表示領域の周辺部及び中央部の１画素の構成をそれぞれ示している。また、図１６（ａ）は対向基板２０側の被膜２９４の全体構成を示しており、図１６（ｂ）及び図１６（ｃ）は、その画像表示領域の周辺部及び中央部の１画素の構成をそれぞれ示している。
この液晶装置の基本構造は第３実施形態のものと同じであり、異なるのは表面処理によって形成される被膜の位置とその構成のみである。このため、第３実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【０１２８】
図１５及び図１６に示すように、各基板１０，２０には、画像表示領域１００Ａの周辺部に被膜１９４Ａ，２９４Ａが形成され、画像表示領域１００Ａの中央部に被膜１９４Ｂ，２９４Ｂが形成されている。また、被膜１９４Ａ，２９４Ａには、画素電極９が配置される矩形状の領域（画素内の領域）に形成された被膜１９４ｂ，２９４ｂと、画素間を構成する格子状の領域（画素間の領域）に形成された被膜１９４ａ，２９４ａとが含まれており、被膜１９４Ｂ，２９４Ｂには、画素内の領域に形成された被膜１９４ｄ，２９４ｄと、画素間の領域に形成された被膜１９４ｃ，２９４ｃとが含まれている。これらの被膜は、画素内の領域と画素間の領域にそれぞれ異なる表面処理を施すことによって形成されたものである。この表面処理の違いは、モジュール動作時における無機酸化物膜の表面温度の分布に基づいており、具体的には、無機酸化物膜に化学結合される被膜のアルキル基の長さを調節することによって、領域毎に適切な特性が得られるようにしている。
【０１２９】
すなわち、画素間領域に対応して形成された遮光膜２３によって、１画素について見ると、非遮光領域である画素内領域の中心部で最も表面温度が高く、画素内領域の最外周部近傍又は遮光領域である画素間領域で最も表面温度が低くなっている。このため、光が遮られることによって表面温度が相対的に低くなる遮光領域では、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコールの被膜１９４ａ，１９４ｃ，２９４ａ，２９４ｃとして、アルキル基の長い材料が選択され、光が透過されることによって表面温度が相対的に高くなる非遮光領域では、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコールの被膜１９４ｂ，１９４ｄ，２９４ｂ，２９４ｄとして、アルキル基の短い材料が選択されている。一方、画像表示領域全体として見ると、画像表示領域１００Ａの周辺部では中央部に比べて配向膜の表面温度が低くなることから、画像表示領域周辺部の画素間領域の被膜１９４ａには、画像表示領域中央部の画素間領域の被膜１９４ｃよりもアルキル基の長い材料が選択され、画像表示領域周辺部の画素内領域の被膜１９４ｂには、画像表示領域中央部の画素内領域１９４ｄよりもアルキル基の長い材料が選択されている。同様に、画像表示領域周辺部の画素間領域の被膜２９４ａには、画像表示領域中央部の画素間領域の被膜２９４ｃよりもアルキル基の長い材料が選択され、画像表示領域周辺部の画素内領域の被膜２９４ｂには、画像表示領域中央部の画素内領域２９４ｄよりもアルキル基の長い材料が選択されている。
【０１３０】
表面温度の低い領域に形成される被膜１９４ａ，１９４ｃ，２９４ａ，２９４ｃのアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が５以上のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、１００〜４００程度であるのが好ましく、１２０〜４００程度であるのがより好ましい。一方、表面温度の高い領域に形成される被膜１９４ｂ，１９４ｄ，２９４ｂ，２９４ｄのアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が１〜４のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、３２〜７０程度であるのが好ましく、３２〜６０程度であるのがより好ましい。これらのアルコールとしては、前述のものを用いることができる。また、この領域に表面処理を行なわないことも可能である。
【０１３１】
なお、遮光領域と非遮光領域の表面温度の分布は、入射される光の強度や遮光膜の材料等によっては上記のものとは逆になる場合がある。この場合には、上記の構成とは逆に、表面温度が相対的に低くなる非遮光領域には、アルキル基の長い材料を選択し、表面温度が相対的に高くなる遮光領域には、アルキル基の短い材料を選択することが望ましい。
【０１３２】
表面処理の方法としては、次の方法を用いることができる。
まず、インクジェット印刷法等を用いて、画像表示領域周辺部の画素間領域に第１の処理液を選択的に塗布する。そして、基板を加熱することにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に沿って、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９４ａ，２９４ａを形成する。
【０１３３】
次に、インクジェット印刷法等を用いて、画像表示領域中央部の画素間の領域に第２の処理液を選択的に塗布する。そして、基板を加熱することにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に沿って、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９４ｃ，２９４ｃを形成する。
【０１３４】
次に、インクジェット印刷法等を用いて、画像表示領域周辺部の画素内の領域に第３の処理液を選択的に塗布する。そして、基板を加熱することにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に沿って、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９４ｂ，２９４ｂを形成する。
【０１３５】
次に、インクジェット印刷法等を用いて、画像表示領域中央部の画素内の領域に第４の処理液を選択的に塗布する。そして、基板を加熱することにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に沿って、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９４ｄ，２９４ｄを形成する。
【０１３６】
なお、第１の処理液〜第４の処理液は、有機表面処理材料として、前述の条件を満たすアルコールを含むものである。
【０１３７】
以上により、画像表示領域１００Ａの中央部及び周辺部の双方について表面処理が終了する。
なお、ここでは、最初に画素間の領域の処理を行ない、その後画素内の領域の処理を行なっているが、この順番はどちらが先でも構わない。同様に、画像表示領域の周辺部と中央部はどちらを先に処理しても構わない。また、インクジェット印刷法等により個々の領域に表面処理を行なったが、この代わりに、スピンコート法等により基板全体に表面処理を行ない、紫外線照射等により不要な部分の被膜を除去する方法を用いてもよい。
【０１３８】
本実施形態では、画素間の領域と画素内の領域の表面温度の違い及び画像表示領域の周辺部と中央部の表面温度の違いに応じて、それぞれ適切な表面処理材料を用いているので、より配向安定性及び信頼性に優れた液晶装置を提供することができる。
【０１３９】
［投射型表示装置］
次に、本発明の電子機器の具体例である投射型表示装置（プロジェクタ）につき、図１７を用いて説明する。図１７は、投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。この投射型表示装置は、上述した各実施形態に係る液晶装置を、光変調手段として備えたものである。
【０１４０】
図１７において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は本発明の液晶装置からなる光変調手段、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズである。光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。
【０１４１】
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用光変調手段８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用光変調手段８２３に入射される。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用光変調手段８２４に入射される。なお、上記各光変調手段８２２，８２３，８２４には、上記各実施形態の液晶装置が採用されている。
【０１４２】
各光変調手段により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、画像が拡大されて表示される。
【０１４３】
係る投射型表示装置には、上記各実施形態の液晶装置が採用されているので、高強度の光照射を行なっても配向膜の光劣化は従来ほど大きくは進行しない。したがって、長期間にわたって安定した表示を行なうことができる。
【０１４４】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
また、本発明の液晶装置は、投射型表示装置の光変調手段に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれにおいても信頼性が高く表示品質に優れた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４５】
【図１】第１実施形態の液晶装置を示す平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図。
【図３】同、液晶装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図４】同、液晶装置のＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群を示す平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ’線に沿う断面図。
【図６】同、液晶装置の配向膜が形成された部分の断面構造を模式的に示す図。
【図７】無機酸化物膜の表面に形成された被膜の構成を示す平面図。
【図８】同、液晶装置の製造方法を示す工程フロー。
【図９】第２実施形態の液晶装置の製造方法を示す工程フロー。
【図１０】第３実施形態の液晶装置における被膜の構成を示す平面図。
【図１１】同、液晶装置の製造方法を示す工程フロー。
【図１２】第４実施形態の液晶装置の製造方法を示す工程フロー。
【図１３】第５実施形態の液晶装置における被膜の構成を示す平面図。
【図１４】第６実施形態の液晶装置における被膜の構成を示す平面図。
【図１５】第７実施形態の液晶装置のＴＦＴアレイ基板側の被膜の構成を示す平面図。
【図１６】同、液晶装置の対向基板側の被膜の構成を示す平面図。
【図１７】電子機器の一例である投射型表示装置を示す図。
【符号の説明】
【０１４６】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１６…配向膜、１６ａ…無機酸化物膜（斜方蒸着膜）、１９，１９ａ，１９ｂ，１９１，１９１ａ，１９１ｂ，１９２，１９３，１９３Ａ，１９３Ｂ，１９３ａ，１９３ｂ，１９４，１９４Ａ，１９４Ｂ，１９４ａ，１９４ｂ，１９４ｃ，１９４ｄ…被膜、２０…対向基板、２２…配向膜、２２ａ…無機酸化物膜（斜方蒸着膜）、２３…遮光膜、２９，２９ａ，２９ｂ，２９１，２９１ａ，２９１ｂ，２９２，２９３，２９３Ａ，２９３Ｂ，２９３ａ，２９３ｂ，２９４，２９４Ａ，２９４Ｂ，２９４ａ，２９４ｂ，２９４ｃ，２９４ｄ…被膜、５０…液晶、１００…液晶装置、１００ａ…画素、１００Ａ…画像表示領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶装置は一対の基板間に液晶を挟持した構成を備えており、前記液晶と当接する前記基板の内面には、液晶の初期配向状態を制御するための配向膜が形成されている。このような配向膜としては、ポリイミド等の有機配向膜が一般的であるが、耐熱性、耐光性の点で十分なものとはいえなかった。そこで、光や熱の影響を受けにくい配向膜として、酸化シリコン等の無機材料からなる無機配向膜を用いることが提案されている。
【０００３】
無機配向膜は、一般に斜方蒸着法により形成される。斜方蒸着膜は、複数の細孔を有し、その表面および細孔の内面には、分極した水酸基が多数存在している。この水酸基は、ブレンステッド酸点として活性があり、液晶分子や液晶装置に含まれる不純物、特に極性基を持つ化合物を吸着したり反応したりし易い。ここで、不純物には、シール剤中の不純物および未反応成分、液晶層中の不純物および水分、製造過程で付着した汚れ等が含まれる。斜方蒸着膜の表面に不純物が吸着したり、反応したりすると、表面の形状や極性が変化して垂直アンカリング力が低下し、液晶分子が配向異常を起こすことが知られている。また、直接液晶分子が水酸基と化学反応をすることも知られている。そこで、斜方蒸着膜の表面改質を行なう方法として、斜方蒸着膜の表面の水酸基を高級アルコールで処理する方法が提案されている（例えば、特許文献１〜３参照。）。
【特許文献１】特開平５−２０３９５８号公報
【特許文献２】特開平１１−１６０７１１号公報
【特許文献３】特開２０００−４７２１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１〜３には、酸化シリコンの斜方蒸着膜の表面を高級アルコールやシランカップリング剤等の有機表面処理材料で処理した配向膜が開示されている。これらの処理は、配向規制力の弱い斜方蒸着膜の配向を安定させることを目的としている。しかしながら、このような有機表面処理材量は、配向力に優れる反面、熱や光に弱く、長期間の使用によってその配向力が次第に低下してしまうという問題がある。すなわち、有機表面処理材料は分子量が大きくなるほど高い配向規制力を示すが、分子量が大きくなりすぎると、プロジェクタ等のように強い光が照射される環境下では信頼性の低下を招いてしまう。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、良好な配向特性と高い信頼性とを兼ね備えた液晶装置及びその製造方法を提供することを目的とする。また、このような液晶装置を備えることにより、良好な表示特性と高い信頼性とを兼ね備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置は、液晶を保持する一対の基板と、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に設けられた斜方蒸着膜と、前記斜方蒸着膜の表面に有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜とを有する液晶装置であって、前記液晶装置の動作時において、前記斜方蒸着膜の表面温度が領域により異なり、前記被膜は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域には、最も表面温度が高い領域に使用される前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料が使用されていることを特徴とする。ここで、前記有機表面処理材料としては、アルコールやシランカップリング材等の種々の材料が適用可能である。
一般に、アルキル基の長い材料は、液晶に対するアンカリング力が大きく、高い配向規制力が得られるが、強い光に対して分解され易くなるため、信頼性の面で劣る。一方、アルキル基の短い材料は、光に対する信頼性は高いが、アンカリング力が小さくなるため、配向規制力は弱い。本発明では、このような特性を利用して、それぞれの領域毎に適切な材料を選択している。このため、液晶装置全体として、十分な配向特性と信頼性を実現することができる。この場合、表面温度の高い領域では配向規制力は弱くなるが、周囲に配向規制力の強い領域（表面温度の低い領域）が存在するので、その影響によって、表面温度の高い領域においても良好な配向特性を実現することができる。一般に、配向特性と信頼性とはトレードオフの関係となるため、両方の特性を同時に実現することはできなかったが、本発明では、これらの特性を別々の領域で実現させることで、両方の特性を同時に満たすことが可能となっている。
【０００６】
本発明においては、複数の画素が配列されてなる画像表示領域を有し、前記画像表示領域は、前記液晶装置の動作時おいて、前記画像表示領域の周辺部が最も表面温度が低くなり、前記画像表示領域の中央部が最も表面温度が高くなり、前記被膜は、前記表面温度の最も低くなる領域には、前記表面温度が最も高くなる領域に使用される前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料が使用されされているものとすることができる。
この構成によれば、画像表示領域の中央部のみで極端に被膜の劣化が進むことにより、被膜全体が不良とされることがなくなり、結果として、液晶装置全体としての寿命を延ばすことができる。
また、液晶装置の周辺部では、水分の侵入やシール材からの溶出成分により、中央部よりも早く配向が乱れる傾向にあるが、本発明においては画像表示領域の周辺部が中央部に比べて配向特性の良好な状態に形成されるため、このような不具合は生じにくくなる。
【０００７】
本発明においては、複数の画素が配列されてなる画像表示領域を有し、前記画素間の領域には遮光膜が設けられ、前記画素間の領域又は画素内の領域の一方が最も表面温度が低くなり、他方が最も表面温度が高くなり、前記被膜は、前記表面温度の最も低くなる領域には、前記表面温度が最も高くなる領域に使用される前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料が使用されされているものとすることができる。
この構成によれば、画素間の領域と画素内の領域の被膜の寿命を同程度とすることができる。このため、画素内の領域のみ又は画素間の領域のみで極端に被膜の劣化が進むことにより、被膜全体が不良とされることがなくなり、結果として、液晶装置全体としての寿命を延ばすことができる。
【０００８】
本発明の液晶装置は、液晶を保持する一対の基板と、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に設けられた斜方蒸着膜と、前記斜方蒸着膜の表面に有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜とを有する液晶装置であって、前記液晶装置の動作時において、前記斜方蒸着膜の表面温度が領域により異なり、前記被膜は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域に設けられ、最も高い領域には設けられていないことを特徴とする。
この構成によれば、表面温度の低い領域にのみ表面処理を施す構成としているので、信頼性の面で従来よりも高い特性が得られるようになる。一方、表面温度の高い領域では配向規制力は弱くなるが、周囲に配向規制力の強い領域（表面温度の低い領域）が存在するので、その影響によって、表面温度の高い領域においても良好な配向特性を実現することができる。このため、本発明においても良好な配向特性と高い信頼性を兼ね備えた液晶装置を提供することができる。
【０００９】
本発明においては、複数の画素が配列されてなる画像表示領域を有し、前記画像表示領域は、前記液晶装置の動作時おいて、前記画像表示領域の周辺部が最も表面温度が低くなり、前記画像表示領域の中央部が最も表面温度が高くなり、前記被膜は、最も表面温度の低い前記画像表示領域の周辺部に設けられ、最も表面温度の高い前記画像表示領域の中央部には設けられていないものとすることができる。
この構成によれば、画像表示領域の中央部のみで極端に被膜の劣化が進むことにより、被膜全体が不良とされることがなくなり、結果として、液晶装置全体としての寿命を延ばすことができる。
また、液晶装置の周辺部では、水分の侵入やシール材からの溶出成分により、中央部よりも早く配向が乱れる傾向にあるが、本発明においては画像表示領域の周辺部が中央部に比べて配向特性の良好な状態に形成されるため、このような不具合は生じにくくなる。
【００１０】
本発明においては、複数の画素が配列されてなる画像表示領域を有し、前記画素間の領域には遮光膜が設けられ、前記液晶装置の動作時おいて、前記画素間の領域又は画素内の領域の一方が最も表面温度が低くなり、他方が最も表面温度が高くなり、前記被膜は、最も表面温度の低い前記一方の領域に設けられ、最も表面温度の高い前記他方の領域には設けられていないものとすることができる。
この構成によれば、画素内の領域のみ又は画素間の領域のみで極端に被膜の劣化が進むことにより、被膜全体が不良とされることがなくなり、結果として、液晶装置全体としての寿命を延ばすことができる。
【００１１】
本発明の液晶装置の製造方法は、基板の表面に斜方蒸着膜を形成する工程と、前記斜方蒸着膜の表面を有機表面処理材料を含有する処理液によって処理し、前記斜方蒸着膜の表面に前記有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜を形成する工程とを有する液晶装置の製造方法であって、前記処理液による処理は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域に、最も表面温度が高い領域に使用する前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料を使用することを特徴とする。
この方法によれば、表面温度の高い領域と表面温度の低い領域に対してそれぞれ適切な有機表面処理材料を選択することで、良好な配向特性と高い信頼性を兼ね備えた液晶装置を提供することができる。
【００１２】
本発明の液晶装置の製造方法は、基板の表面に斜方蒸着膜を形成する工程と、前記斜方蒸着膜の表面を有機表面処理材料を含有する処理液によって処理し、前記斜方蒸着膜の表面に前記有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜を形成する工程とを有する液晶装置の製造方法であって、前記処理液による処理は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域に対して行なわれ、最も高い領域に対しては行なわれないことを特徴とする。
この方法によれば、表面温度の低い領域にのみ表面処理を施す構成としているので、信頼性の面で従来よりも高い特性が得られるようになる。一方、表面温度の高い領域では配向規制力は弱くなるが、周囲に配向規制力の強い領域（表面温度の低い領域）が存在するので、その影響によって、表面温度の高い領域においても良好な配向特性を実現することができる。このため、本発明においても良好な配向特性と高い信頼性を兼ね備えた液晶装置を提供することができる。
【００１３】
本発明の電子機器は、前述した本発明の液晶装置又は前述した本発明の液晶装置の製造方法により製造されてなる液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、良好な表示特性と高い信頼性とを兼ね備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面に基づいて、本発明の実施の形態を説明する。
以下の実施の形態では、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素スイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えばプロジェクタのライトバルブ（光変調手段）として用いられるものである。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１５】
［第１の実施の形態］
［液晶装置の構成］
図１は、本実施形態の液晶装置１００を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
図１および図２に示すように、本実施の形態の液晶装置１００は、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備えている。また、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、互いに対向する面の周縁部に矩形枠状に設けられたシール材５２により貼り合わされており、前記両基板１０，２０とシール材５２とに囲まれる領域（セルギャップ内）に、電気光学物質である液晶５０が封入（保持）されている。
【００１６】
シール材５２の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）５３が形成されており、この遮光膜５３の内側の領域には、複数の画素が平面視マトリクス状に配列された平面視矩形状の画像表示領域１００Ａが形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１および外部回路実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１００Ａの両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０の角部においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００１７】
なお、データ線駆動回路２０１および走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。
また、液晶装置１００においては、使用する液晶モードの種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ(Vertical Alignment)モード、ＯＣＢ(Optically Compensated Bend)モード、ＩＰＳ(In Plain Switching)モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００１８】
図３は、液晶装置１００の画像表示領域１００Ａにおいてマトリクス状に形成された複数の画素１００ａにおける各種素子、配線等の等価回路を示す図である。
図３に示すように、画像表示領域１００Ａには、複数の画素１００ａがマトリクス状に形成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。また、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。符号３ｂは蓄積容量６０を構成する容量線である。
【００１９】
次に、図４および図５に基づいて、本実施形態の液晶装置のＴＦＴアレイ基板の画素部の構造について詳細に説明する。図４は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図５は図４のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
図４に示すように、液晶装置１００のＴＦＴアレイ基板１０上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９（点線部９ａにより輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが設けられている。データ線６ａは、コンタクトホール５を介してポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち後述のソース領域に電気的に接続されており、画素電極９は、コンタクトホール８を介して半導体層１ａのうち後述のドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極ピッチは、２０μｍ程度以下、好ましくは１５μｍ程度以下とされている。また、半導体層１ａのうち後述のチャネル領域（図中右上がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａ自体がゲート電極として機能する。
【００２０】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直線状に伸びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有している。そして、図４中右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。より具体的には、第１遮光膜１１ａは、画素部において半導体層１ａのチャネル領域を含むＴＦＴをＴＦＴアレイ基板の側から見て覆う位置に設けられており、さらに、容量線３ｂの本線部に対向して走査線３ａに沿って直線状に伸びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って隣接する後段側（図中下向き）に突出した突出部とを有している。第１遮光膜１１ａの各段（画素行）における下向きの突出部の先端は、データ線６ａ下において次段における容量線３ｂの上向きの突出部の先端と重なっている。この重なった箇所には、第１遮光膜１１ａと容量線３ｂとを相互に電気的に接続するコンタクトホール１３が設けられている。すなわち、本実施の形態では、第１遮光膜１１ａは、コンタクトホール１３により前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続されている。
【００２１】
次に断面構造を見ると、図５に示すように、本実施の形態の液晶装置は、一対の透明基板を有しており、その一方の基板をなすＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置された他方の基板をなす対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０には、例えばインジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電性膜からなる画素電極９が設けられ、ＴＦＴアレイ基板１０上の各画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御するＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁する絶縁薄膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００２２】
また、上記走査線３ａ上、絶縁薄膜２上を含むＴＦＴアレイ基板１０上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５および高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が各々形成された第２層間絶縁膜４が形成されている。つまり、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。さらに、データ線６ａ上および第２層間絶縁膜４上には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が形成された第３層間絶縁膜７が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４および第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８を介して画素電極９に電気的に接続されている。これら第３層間絶縁膜７や画素電極９は配向膜１６の下地層となっている。
【００２３】
また、ゲート絶縁膜となる絶縁薄膜２を走査線３ａの一部からなるゲート電極に対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体層１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、さらにこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量６０が構成されている。
【００２４】
また、ＴＦＴアレイ基板１０表面の各画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対応する位置には、第１遮光膜１１ａが設けられている。第１遮光膜１１ａとＴＦＴ３０との間には、例えば高絶縁性ガラス、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜（絶縁体層）１２が設けられている。さらに、第１層間絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されており、第１遮光膜１１１パターンの段差を解消するために表面を研磨し、平坦化処理を施してある。
【００２５】
他方、対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａ、走査線３ａ、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域に第２遮光膜２３が設けられている。さらに、第２遮光膜２３上を含む対向基板２０上には、その全面にわたって対向電極（共通電極）２１が設けられている。対向電極２１もＴＦＴアレイ基板１０の画素電極９と同様、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。第２遮光膜２３の存在により、対向基板２０の側からの入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することはない。
【００２６】
ＴＦＴアレイ基板１０の画素スイッチング用ＴＦＴ３０、データ線６ａ及び走査線３ａの形成領域にあたる第３層間絶縁膜７上及び画素電極９上には、配向膜１６が形成されている。この配向膜１６は、斜方蒸着法により形成された無機酸化物膜（斜方蒸着膜）を主体として構成されたものである。
【００２７】
図６は、配向膜１６が形成されている部分及びその近傍部分の斜方蒸着方向に沿った断面構造を模式的に示す図である。
図６に示すように、配向膜１６は、斜方蒸着法により形成された無機酸化物膜１６ａと、この無機酸化物膜１６ａの表面を有機表面処理材料によって処理することによって形成された被膜１９とを備えている。本実施形態では、有機表面処理材料として後述のようなアルコールを用いているが、この代わりにシランカップリング材等を用いても構わない。斜方蒸着法とは、対象となる基板をある角度で固定して一方向から酸化シリコン等の無機材料を蒸着させ、基板に対して所定の角度で配列された柱状構造物（以下、カラムともいう）を成長させるものである。無機酸化物膜１６ａには、このようにして形成された多数のカラムが疎に形成されており、隣接するカラムの間に細孔１６Ｈが空いた状態となっている。
【００２８】
各細孔１６Ｈの軸は、ＴＦＴアレイ基板１０に対して傾斜した状態で一軸配向している。ここで、各細孔１６Ｈの軸が一軸配向しているとは、大多数の細孔１６Ｈの軸がほぼ等しい方向を向いていること（細孔１６Ｈの軸の平均的な方向が制御されていること）をいい、複数の細孔１６Ｈの中には、軸の方向が大多数のものと異なる方向を向いた細孔１６Ｈが含まれていてもよい。このように、各細孔１６Ｈが規則的に配列していることにより、無機酸化物膜１６ａは、高い構造規則性を有している。
このような高い構造規則性を有する無機酸化膜は一般的には斜方蒸着法により得られるが、イオンビームスパッタ法を用いて基板の斜め方向から成膜させる方法や、平坦な無機酸化膜に斜め方向からイオンビームを照射させることによっても得られる。基板に対して傾斜した状態で一軸配向した細孔が存在し、高い構造規則性を有している無機酸化膜であれば良い。
【００２９】
図５に戻り、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１６と対向する位置にあたる対向基板２０の対向電極２１上にも、同様の材料からなる配向膜２２が設けられている。この配向膜２２も、配向膜１６と同様、第２遮光膜２３や対向電極２１等を形成した対向基板２０に、上記と同様に酸化シリコン等の斜方蒸着膜からなる無機酸化物膜２２ａを形成し、この無機酸化物膜２２ａの表面に被膜２９を形成することにより形成されたものである。
【００３０】
再び図６に戻る。このような構成により、液晶層５０が含有する液晶分子５０ａは、垂直配向（ホメオトロピック配向）し易くなる。したがって、このような構成の配向膜１６，２２は、ＶＡ（Vertical Alignment：垂直配向）型の液晶パネルの構築に有用である。また、配向膜１６，２２が高い構造規則性を有することから、液晶分子５０ａの配向方向もより正確に一定方向（垂直方向）に揃うようになり、その結果、液晶装置１００の性能の向上も図ることができる。
【００３１】
なお、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの細孔と基板１０，２０の上面とのなす角度θＣは、特に限定されないが、３０〜７０°程度であるのが好ましく、４０〜６０°程度であるのがより好ましい。これにより、液晶分子５０ａを所定のプレチルト角θＰでプレチルトさせた状態で確実に垂直配向させることができる。
【００３２】
無機酸化物膜１６ａ，２２ａは、無機酸化物を主材料として構成された膜である。一般に、無機材料は、有機材料に比べて、優れた化学的安定性（光安定性）を有している。このため、無機酸化物膜１６ａ，２２ａは、有機材料で構成された配向膜に比べて、特に優れた耐光性を有するものとなる。
【００３３】
また、無機酸化物膜１６ａ，２２ａを構成する無機酸化物は、その誘電率が比較的低いものが好ましい。これにより、液晶装置１００において焼き付き等をより効果的に防止することができる。
【００３４】
このような無機酸化物としては、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯのようなシリコン酸化物、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３，Ｓｂ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＷＯ３、ＣｒＯ３、ＧａＯ３、ＨｆＯ２、Ｔｉ３Ｏ５、ＮｉＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３を主成分とするものが好ましい。ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３は、誘電率が特に低く、かつ、高い光安定性を有する。
【００３５】
このような無機酸化物膜１６ａ，２２ａの少なくとも表面（本実施形態では、表面および細孔の内面）に沿って、被膜１９，２９が形成されている。この被膜１９，２９は、後述する処理液を用いて無機酸化物膜１６ａ，２２ａを処理することにより形成された膜、すなわち、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に存在する活性な水酸基と、アルコール（有機表面処理材料）が有する水酸基とが化学反応（脱水縮合反応）して形成された膜であり、アルコールの主骨格部分を主としてなる膜である。
【００３６】
被膜１９，２９を形成することにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに存在する活性な水酸基の数を減少させることができ、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに対して各種不純物が付着することや、無機酸化物膜１６ａ，２２ａが液晶分子と反応すること等を防止することができる。このため、例えば、配向膜１６，２２の液晶分子に対する垂直アンカリング力の低下等を防止することができ、結果として、液晶分子に配向異常が生じるのを防止する（すなわち配向を安定化させる）ことができる。特に、本実施形態では、細孔の内面に存在する水酸基にもアルコールが化学結合しているため、前記効果がより顕著となる。
【００３７】
図７は、液晶装置１００を構成する２枚の基板の平面図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）は、それぞれＴＦＴアレイ基板１０側の被膜１９の構成及び対向基板２０側の被膜２９の構成を示している。
【００３８】
図７に示すように、各基板１０，２０には、画像表示領域周辺部の矩形枠状の領域に被膜１９ａ，２９ａが形成され、その内側である画像表示領域中央部の矩形状の領域に被膜１９ｂ、２９ｂが形成されている。これらは、画像表示領域１００Ａの中央部と周辺部の無機酸化物膜に、それぞれ異なる表面処理を施すことによって形成されたものである。この表面処理の違いは、モジュール動作時（液晶装置１００を含むプロジェクタの表示動作中）における無機酸化物膜の表面温度の分布に基づいている。すなわち、プロジェクタ用の液晶装置では、画像表示領域１００Ａの周辺部に対して中央部の光の強度が５％〜１５％程度高くなっている。また、液晶装置の冷却は全面に風を送ると同時に液晶装置周辺部に取り付けられる枠からも行われるため、これに伴って、配向膜の表面温度も中央部が周辺部よりも高くなっている。液晶装置全体で見ると、画像表示領域１００Ａの中心部で最も表面温度が高く、外周部に向かうにつれて表面温度が低くなり、画像表示領域１００Ａの最外周部近傍又はその外側の領域で最も表面温度が低くなっている。一般に有機物の光劣化は温度が１０℃上昇すると１．５〜３倍程度速くなるため、表面温度の異なる領域に対して共通の表面処理を施すと、表面温度の高い領域で被膜の劣化が速く進み、他の部分では劣化していなくても、被膜全体として不良と判断されてしまう。そのため、本実施形態では、モジュール動作時における配向膜の表面温度の違いに応じて、使用する有機表面処理材料を異ならせ、それぞれの領域毎に温度条件に最も適した材料を選択するようにしている。
【００３９】
具体的には、無機酸化物膜に化学結合される被膜のアルキル基の長さを調節することによって、領域毎に適切な特性が得られるようにしている。一般に、アルキル基の長い材料は、液晶に対するアンカリング力が大きく、高い配向規制力が得られるが、強い光に対して分解され易くなるため、信頼性の面で劣る。一方、アルキル基の短い材料は、光に対する信頼性は高いが、アンカリング力が小さくなるため、配向規制力は弱い。このため、モジュール動作時の配向膜の表面温度が相対的に低くなる画像表示領域１００Ａの周辺部（表面温度が最も低くなる画像表示領域１００Ａの最外周部近傍又はその外側の領域を含む領域）では、配向規制力の強化を図る観点から、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコール（有機表面処理材料）の被膜１９ａ，２９ａとして、アルキル基の長いものが選択されている。一方、モジュール動作時の配向膜の表面温度が相対的に高くなる画像表示領域の中央部（表面温度が最も高くなる画像表示領域１００Ａの中心部を含む領域）では、配向の長期信頼性を向上させる観点から、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコール（有機表面処理材料）の被膜１９ｂ，２９ｂとして、アルキル基の短いものが選択されている。この場合、被膜１９ｂ，２９ｂが形成された画像表示領域１００Ａの中央部において配向規制力が弱くなるが、この部分の液晶分子は、配向規制力の強い画像表示領域１００Ａの周辺部からの配向の影響を受けるため、配向特性が極端に悪くなることはない。
【００４０】
なお、表面温度の高い領域と表面温度の低い領域の被膜のアルコールには、それらの平均的なアルキル基の長さに差が存在していれば良く、アルコールとしては、高分子量のアルコールと低分子量のアルコールとを適宜組み合わせるようにしてもよい。特に、高分子量のアルコールを用いるべき画像表示領域周辺部において低分子量のアルコールを組み合わせて用いると、高分子量のアルコール同士の間の水酸基や、細孔の奥に存在する水酸基にもアルコールを化学結合させることができ、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに残存する水酸基をより確実に減少させることができるという利点がある。
【００４１】
表面温度の低い領域に形成される被膜１９ａ，２９ａのアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が５以上のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、１００〜４００程度であるのが好ましく、１２０〜４００程度であるのがより好ましい。このような炭素数及び平均分子量のものを用いることにより、良好な配向安定性が得られるようになる。また、液晶分子に対する親和性がより高いため、液晶分子に対する垂直アンカリング力を確実に増大させることができる。
【００４２】
このようなアルコールとしては、脂肪族アルコール、芳香族アルコール、脂環アルコール、複素環アルコール、多価アルコールまたはこれらのハロゲン置換体（特に、フッ素置換体）が挙げられるが、これらの中でも、脂肪族アルコール、脂環アルコールまたはそのフッ素置換体（フルオロアルコール）が好ましい。脂肪族アルコール、脂環アルコールまたはそのフッ素置換体を用いることにより、液晶分子に対する垂直アンカリング力がさらに増大し、液晶分子をより確実に垂直配向させることができる。
【００４３】
また、脂環アルコールまたはそのフッ素置換体は、ステロイド骨格を有するものがより好ましい。ステロイド骨格を有する脂環アルコールまたはそのフッ素置換体は、平面性の高い構造を有するため、液晶分子を配向制御する機能に特に優れるものである。
【００４４】
これらのことから、画像表示領域の周辺部の処理に用いるアルコールとしては、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、ペンタデカノール、ヘキサデカノール、ヘプタデカノール、オクタデカノール、エイコサノール、ヘンエイコサノール、ドコサノール、トリコサノール、テトラコサノール等の脂肪族アルコール、コレステロール、エピコレステロール、コレスタノール、エピコレスタノール、エルゴスタノール、エピエルゴスタノール、コプレスタノール、エピコプレスタノール、α−エルゴステロール、β−シトステロール、スチグマステロール、カンペステロール等の脂環アルコールまたはこれらのフッ素置換体を主とするものが好適である。また、脂肪族アルコールまたはそのフッ素置換体は、その炭化水素部分またはフッ化炭素部分（主骨格部分）が、直鎖状をなすもの、分枝状をなすもののいずれであってもよい。
【００４５】
一方、表面温度の高い領域に形成される被膜１９ｂ，２９ｂのアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が１〜４のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、３２〜７０程度であるのが好ましく、３２〜６０程度であるのがより好ましい。このような炭素数及び平均分子量のものを用いることにより、長期信頼性に優れた配向膜が得られるようになる。また、このような炭素数のアルコールは、分子サイズが小さいため、細孔の奥深くにまで確実に浸透させることもできる。また、常温で液状であるため、後述する処理液により無機酸化物膜１６ａ，２２ａを処理する際の取り扱いが容易である。
【００４６】
このようなアルコールとしては、メタノール、エタノール、プロパノールまたはこれらのフッ素置換体を主とするものが好適である。液晶分子には、フッ素化されたものが多いことから、フッ素置換体を用いることにより、液晶分子との親和性が向上し、液晶分子を垂直配向させる効果がより高まる。
【００４７】
［液晶装置の製造方法］
次に、配向膜の形成方法に着目しながら、液晶装置１００の製造方法について説明する。図８は、配向膜の形成方法を示す工程フローである。
なお、配向膜１６と配向膜２２の形成方法は基本的に同じである。このため、ここでは主に配向膜１６を形成する方法について説明する。
【００４８】
まず、公知の方法により製造されたＴＦＴアレイ基板１０上に、斜方蒸着法により無機酸化物膜１６ａを形成する（工程Ｓ１）。斜方蒸着法を用いることにより、複数の細孔１６Ｈを有する無機酸化物膜１６ａが得られる。
ここで、蒸発源から気化した無機酸化物が、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に到達する角度を適宜設定することにより、細孔１６ＨのＴＦＴアレイ基板１０に対する角度θＣ（図６参照）を調整することができる。
【００４９】
次に、画像表示領域１００Ａの周辺部に、１−ヘキサノール等を含む第１の処理液を塗布する（工程Ｓ２）。
第１の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向規制力を強化するのに適した平均分子量の大きい又は炭素数の多いアルコールを含むものである。
【００５０】
第１の処理液としては、このようなアルコールそのもの（アルコールの含有量がほぼ１００％のもの）でもよく、適当な希釈溶媒で希釈したものでもよい。アルコールを溶媒に混合または溶解する場合には、溶媒として、当該アルコールを混合または溶解可能であり、かつ、当該アルコールよりも極性の低いものが選択される。これにより、溶媒が後工程Ｓ３における無機酸化物膜１６ａの水酸基とアルコールとの反応を妨げることを防止することができ、化学反応を確実に生じさせることができる。
【００５１】
第１の処理液は、無機酸化物膜１６ａの細孔１６Ｈの内部にまで十分浸透することが必要である。このため、第１の処理液を塗布したら、減圧雰囲気で細孔内の空気を脱気し、細孔１６Ｈ内に第１の処理液を十分浸透させることが望ましい。
【００５２】
第１の処理液の塗布方法としては、基板の所定領域にのみ選択的に塗布することのできるフレキソ印刷法やインクジェット印刷法等が好適である。
【００５３】
第１の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する（工程Ｓ３）。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に存在する水酸基と、アルコールが有する水酸基との間に脱水縮合反応が生じ、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールが化学結合する。その結果、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に沿って、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９ａが形成される。
【００５４】
基板１０の加熱温度は、特に限定されないが、８０〜２５０℃程度であるのが好ましく、１００〜２００℃程度であるのがより好ましい。加熱温度が低過ぎると、アルコールの種類や、無機酸化物の種類等によっては、無機酸化物膜１６ａにアルコールを十分に化学結合させることができないおそれがあり、一方、加熱温度を前記上限値を超えて高くしても、それ以上の効果の増大が見込めない。
【００５５】
また、基板１０の加熱時間も、特に限定されないが、２０〜１８０分程度であるのが好ましく、４０〜１００分程度であるのがより好ましい。加熱時間が短過ぎると、加熱温度等の他の条件によっては、無機酸化物膜１６ａにアルコールを十分に化学結合させることができないおそれがあり、一方、加熱温度を前記上限値を超えて高くしても、それ以上の効果の増大が見込めない。
【００５６】
本工程では、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に存在する水酸基とアルコールとを反応させる方法として加熱による方法を用いているが、前記反応は加熱による方法に限定されず、例えば紫外線の照射、赤外線の照射等により行なうこともできる。
【００５７】
なお、アルコールとして複数種のものを用いる場合には、前記処理液中に複数のアルコールを同時に混合するようにしてもよい。この場合、無機酸化物膜１６ａに化学結合する複数種のアルコールの比率は、例えば、処理液中における複数種のアルコールの配合比、種類や分子量、処理条件等を適宜設定することにより調整することができる。また、各アルコールをそれぞれ含有する複数の処理液を用意し、各処理液を順次用いて、前述したようにして基板１０を処理するようにしてもよい。この場合、最も分子量の小さいアルコールを含有する処理液から、より分子量の大きいアルコールを含有する処理液へと順に変更して、基板１０を処理するのが好ましい。これにより、低分子量のアルコールを細孔１６Ｈの奥にまでより確実に化学結合させることができる。
【００５８】
以上により画像表示領域１００Ａの周辺部の表面処理が終了したら、今度は画像表示領域１００Ａの中央部に、イソプロピルアルコール等を含む第２の処理液を塗布する（工程Ｓ４）。
第２の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向膜の信頼性向上に適した平均分子量の小さい又は炭素数の少ないアルコールを含むものである。
第２の処理液の調整方法、塗布方法、塗布後の脱気処理等の条件については第１の処理液の場合と同様である。
【００５９】
第２の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する（工程Ｓ５）。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に存在する水酸基と、アルコールが有する水酸基との間に脱水縮合反応が生じ、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールが化学結合する。その結果、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に沿って、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９ｂが形成される。
加熱温度や加熱時間等の条件は第１の処理液の場合と同様である。
【００６０】
以上により、画像表示領域１００Ａの中央部及び周辺部の双方について表面処理が終了し、これにより無機酸化膜１６が完成する。
なお、ここでは、最初に画像表示領域１００Ａの周辺部の処理を行ない、その後画像表示領域１００Ａの中央部の処理を行なっているが、この順番はどちらが先でも構わない。
【００６１】
次に、同様の方法を用いて、対向基板２０の表面に配向膜２２を形成する。
そして、これらの基板１０，２０を枠状に設けたシール材５２を介して貼り合わせ、そのシール材５２の枠内に液晶を充填する。その後、基板１０，２０の外面側に必要に応じて偏光板等を貼着する。
以上により、液晶装置１００が完成する。
【００６２】
以上説明したように、本実施形態では、モジュール動作時における配向膜１６，２２の表面温度の分布に応じて、表面温度の高い画像表示領域１００Ａの中央部と表面温度の低い画像表示領域１００Ａの周辺部に対してそれぞれ適切な有機表面処理材料を選択している。具体的には、表面温度の低い領域については、光に対する信頼性は低いが、配向規制力に優れた有機表面処理材料を用い、表面温度の高い領域については、配向規制力は若干劣るが、光に対する信頼性は高い有機表面処理材料を用いている。このため、画像表示領域１００Ａの中央部のみで極端に被膜の劣化が進むことにより、被膜全体が不良とされることがなくなり、結果として、液晶装置全体としての寿命を延ばすことができる。この場合、表面温度の高い領域では配向規制力は弱くなるが、周囲に配向規制力の強い領域（表面温度の低い領域）が存在するので、その影響によって、表面温度の高い領域においても良好な配向特性を実現することができる。一般に、配向特性と信頼性とはトレードオフの関係となるため、両方の特性を同時に実現することはできなかったが、本発明では、これらの特性を別々の領域で実現させることで、両方の特性を同時に満たすことが可能となっている。
【００６３】
また、液晶装置の周辺部では、水分の侵入やシール材からの溶出成分により、中央部よりも早く配向が乱れる傾向にあるが、本実施形態では画像表示領域の周辺部が中央部に比べて配向特性の良好な状態に形成されるため、このような不具合は生じにくくなる。
【００６４】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
図９は、本実施形態の液晶装置の製造方法を示す工程フローである。この工程の基本的な部分は第１実施形態のものと同じであり、異なるのは処理液を基板の所定位置に選択的に配置する手法のみである。このため、第１実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６５】
本実施形態では、まず、公知の方法により製造されたＴＦＴアレイ基板１０上に、斜方蒸着法により無機酸化物膜１６ａを形成する（工程Ｓ１１）。
【００６６】
次に、基板１０全体に、イソプロピルアルコール等を含む第２の処理液を塗布する（工程Ｓ１２）。
第２の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向膜の信頼性向上に適した平均分子量の小さい又は炭素数の少ないアルコールを含むものである。
第２の処理液の塗布方法としては、基板全体に均一に塗布することのできるスピンコート法やディップコート法等が好適である。
【００６７】
第２の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する（工程Ｓ１３）。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９ｂが形成される。
【００６８】
次に、マスクを用いて画像表示領域１００Ａの周辺部及びこれよりも外側の領域に紫外線を照射し、当該領域の被膜１９ｂを選択的に除去する（工程Ｓ１４）。
本工程では、被膜１９ｂを除去する方法として紫外線を照射する方法を用いているが、被膜を選択的に除去できる方法であれば、これ以外の方法であっても構わない。
【００６９】
以上により画像表示領域１００Ａの中央部の表面処理が終了したら、今度は画像表示領域１００Ａの周辺部に、１−ヘキサノール等を含む第１の処理液を塗布する（工程Ｓ１５）。
第１の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向規制力を強化するのに適した平均分子量の大きい又は炭素数の多いアルコールを含むものである。
【００７０】
第１の処理液の塗布方法としては、フレキソ印刷法やインクジェット印刷法等のように基板１０の周辺部のみに選択的に塗布できるようなものだけでなく、スピンコート法やディップコート法等のように基板全体に塗膜が形成されるようなものも用いることができる。画像表示領域１００Ａの中央部には既に第２の処理液によって表面処理が施されており、その無機酸化物膜１６ａの表面及び細孔１６Ｈの内面には第２の処理液に含まれるアルコールが強固に結合されているため、第１の処理液によって改めて表面処理を施しても、その部分にはアルコールが付着しないからである。
【００７１】
第１の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する（工程Ｓ１６）。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９ａが形成される。
【００７２】
以上により、画像表示領域１００Ａの中央部及び周辺部の双方について表面処理が終了し、これにより無機酸化膜１６が完成する。
なお、ここでは、最初に画像表示領域１００Ａの中央部の処理を行ない、その後画像表示領域１００Ａの周辺部の処理を行なっているが、この順番はどちらが先でも構わない。
【００７３】
次に、同様の方法を用いて、対向基板２０の表面に配向膜２２を形成する。
そして、これらの基板１０，２０を枠状に設けたシール材５２を介して貼り合わせ、そのシール材５２の枠内に液晶を充填する。その後、基板１０，２０の外面側に必要に応じて偏光板等を貼着する。
以上により、液晶装置が完成する。
【００７４】
本実施形態では、全体に表面処理を施した後、その表面処理を部分的に除去することにより、領域毎に異なる表面処理を実現している。このため、処理液の塗布の段階ではパターニングが不要になり、その分、工程が容易になる。
【００７５】
［第３の実施の形態］
［液晶装置の構成］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。
図１０は、本実施形態の液晶装置を構成する２枚の基板の平面図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、それぞれＴＦＴアレイ基板１０側の被膜１９１の構成及び対向基板２０側の被膜２９１の構成を示している。図１０中、一点鎖線で示した枠内には、マトリクス状に配置された画素１００ａの一部を拡大して示している。
この液晶装置の基本構造は第１実施形態のものと同じであり、異なるのは表面処理によって形成される被膜の位置とその構成のみである。このため、第１実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００７６】
図１０に示すように、各基板１０，２０には、画素電極９が配置される矩形状の領域（画素内の領域）に被膜１９１ｂ，２９１ｂが形成され、画素間を構成する格子状の領域（画素間の領域）に被膜１９１ａ，２９１ａが形成されている。これらは、画素内の領域と画素間の領域に、それぞれ異なる表面処理を施すことによって形成されたものである。この表面処理の違いは、モジュール動作時における無機酸化物膜の表面温度の分布に基づいている。すなわち、対向基板２０には、図１０（ｂ）に示すように、画素間の領域に対応して平面視格子状の遮光膜２３が形成されており、１画素について見ると、この遮光膜２３によって入射光が遮られる領域（遮光領域）と遮られない領域（非遮光領域）とで温度条件が異なったものとなっている。より具体的には、非遮光領域である画素内領域の中心部で最も表面温度が高く、画素内領域の最外周部近傍又は遮光領域である画素間領域で最も表面温度が低くなっている。そのため、本実施形態では、このようなモジュール動作時における配向膜の表面温度の違いに応じて、使用する有機表面処理材料を異ならせ、それぞれの領域毎に温度条件に最も適した材料を選択するようにしている。
【００７７】
具体的には、無機酸化物膜に化学結合される被膜のアルキル基の長さを調節することによって、領域毎に適切な特性が得られるようにしている。すなわち、光が遮られることによって表面温度が相対的に低くなる遮光領域では、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコールの被膜１９１ａ，２９１ａとして、アルキル基の長い材料が選択されており、光が透過されることによって表面温度が相対的に高くなる非遮光領域では、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコールの被膜１９１ｂ，２９１ｂとして、アルキル基の短い材料が選択されている。この場合、被膜１９１ｂ，２９１ｂが形成された画素内の領域では配向規制力は弱くなるが、この部分の液晶分子は配向規制力の強い画素周辺部からの配向の影響を受けるため、配向特性が極端に悪くなることはない。特にプロジェクタの光変調手段として用いるような小型の液晶装置であれば、１画素の大きさが非常に小さいので、画素中心部の配向特性が劣ったものであっても、画素間領域の配向特性が良好なものであれば、その配向の影響によって、画素中心部においても良好な配向特性が実現できる。
【００７８】
なお、遮光領域と非遮光領域の表面温度の分布は、入射される光の強度や遮光膜の材料等によっては上記のものとは逆になる場合がある。すなわち、遮光膜が光を吸収しやすい材料で構成されている場合には、かえって光を吸収することで遮光領域が加熱され、表面温度が高くなる場合もある。この場合には、画素内領域の最外周部又は画素間領域の表面温度が最も高くなり、画素内領域の中央部で表面温度が最も低くなるため、上記の構成とは逆に、表面温度が相対的に低くなる非遮光領域には、アルキル基の長い材料を選択し、表面温度が相対的に高くなる遮光領域には、アルキル基の短い材料を選択することが望ましい。
【００７９】
表面温度の低い領域に形成される被膜１９１ａ，２９１ａのアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が５以上のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、１００〜４００程度であるのが好ましく、１２０〜４００程度であるのがより好ましい。一方、表面温度の高い領域に形成される被膜１９１ｂ，２９１ｂのアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が１〜４のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、３２〜７０程度であるのが好ましく、３２〜６０程度であるのがより好ましい。これらのアルコールとしては、前述のものを用いることができる。
【００８０】
［液晶装置の製造方法］
次に、配向膜の形成方法に着目しながら、液晶装置の製造方法について説明する。図１１は、配向膜の形成方法を示す工程フローである。
なお、配向膜１６と配向膜２２の形成方法は基本的に同じである。このため、ここでは主に配向膜１６を形成する方法について説明する。
【００８１】
まず、公知の方法により製造されたＴＦＴアレイ基板１０上に、斜方蒸着法により無機酸化物膜１６ａを形成する（工程Ｓ２１）。
【００８２】
次に、画像表示領域１００Ａにおける画素間の領域に、１−ヘキサノール等を含む第１の処理液を塗布する（工程Ｓ２２）。
第１の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向規制力を強化するのに適した平均分子量の大きい又は炭素数の多いアルコールを含むものである。
第１の処理液の塗布方法としては、画素間の領域のみに選択的に塗布できるよインクジェット印刷法等が好適である。
【００８３】
第１の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する（工程Ｓ２３）。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９１ａが形成される。
【００８４】
以上により画素内の領域の表面処理が終了したら、今度は画像表示領域１００Ａにおける画素内の領域に、イソプロピルアルコール等を含む第２の処理液を塗布する（工程Ｓ２４）。
第２の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向膜の信頼性向上に適した平均分子量の小さい又は炭素数の少ないアルコールを含むものである。
第２の処理液の塗布方法としては、画素内の領域のみに選択的に塗布できるインクジェット印刷法等が好適である。
【００８５】
第２の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する（工程Ｓ２５）。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９１ｂが形成される。
【００８６】
以上により、画素内の領域及び画素間の領域の双方について表面処理が終了し、これにより無機酸化膜１６が完成する。
なお、ここでは、最初に画素間の領域の処理を行ない、その後画素内の領域の処理を行なっているが、この順番はどちらが先でも構わない。
【００８７】
次に、同様の方法を用いて、対向基板２０の表面に配向膜２２を形成する。
そして、これらの基板１０，２０を枠状に設けたシール材５２を介して貼り合わせ、そのシール材５２の枠内に液晶を充填する。その後、基板１０，２０の外面側に必要に応じて偏光板等を貼着する。
以上により、液晶装置が完成する。
【００８８】
本実施形態では、画素間の領域と画素内の領域の表面温度の違いに応じて、それぞれ適切な表面処理材料を用いているので、より配向安定性及び信頼性に優れた液晶装置を提供することができる。この場合、画素内の領域の配向規制力は弱くなるが、プロジェクタ用の液晶装置では１画素の大きさが１０μｍ程度と非常に小さいので、周囲の配向特性の高い領域（画素間領域）の影響によって画素内領域の配向特性の低さを十分に補うことができる。
【００８９】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。
図１２は、本実施形態の液晶装置の製造方法を示す工程フローである。この工程の基本的な部分は第３実施形態のものと同じであり、異なるのは処理液を基板の所定位置に選択的に配置する手法のみである。このため、第３実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００９０】
本実施形態では、まず、公知の方法により製造されたＴＦＴアレイ基板１０上に、斜方蒸着法により無機酸化物膜１６ａを形成する（工程Ｓ３１）。
【００９１】
次に、基板１０全体に、イソプロピルアルコール等を含む第２の処理液を塗布する（工程Ｓ３２）。
第２の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向膜の信頼性向上に適した平均分子量の小さい又は炭素数の少ないアルコールを含むものである。
第２の処理液の塗布方法としては、基板全体に均一に塗布することのできるスピンコート法やディップコート法等が好適である。
【００９２】
第２の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する（工程Ｓ３３）。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９１ｂが形成される。
【００９３】
次に、マスクを用いて画像表示領域１００Ａの画素間の領域に紫外線を照射し、当該領域の被膜１９１ｂを選択的に除去する（工程Ｓ３４）。
本工程では、被膜１９１ｂを除去する方法として紫外線を照射する方法を用いているが、被膜を選択的に除去できる方法であれば、これ以外の方法であっても構わない。
【００９４】
以上により画素内の領域の表面処理が終了したら、今度は画像表示領域１００Ａの画素間の領域に、１−ヘキサノール等を含む第１の処理液を塗布する（工程Ｓ３５）。
第１の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向規制力を強化するのに適した平均分子量の大きい又は炭素数の多いアルコールを含むものである。
【００９５】
第１の処理液の塗布方法としては、インクジェット印刷法等のように画素間の領域のみに選択的に塗布できるようなものだけでなく、スピンコート法やディップコート法等のように基板全体に塗膜が形成されるようなものも用いることができる。画素内の領域には既に第２の処理液によって表面処理が施されており、その無機酸化物膜１６ａの表面及び細孔１６Ｈの内面には第２の処理液に含まれるアルコールが強固に結合されているため、第１の処理液によって改めて表面処理を施しても、その部分にはアルコールが付着しないからである。
【００９６】
第１の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する（工程Ｓ３６）。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９１ａが形成される。
【００９７】
以上により、画素内の領域及び画素間の領域の双方について表面処理が終了し、これにより無機酸化膜１６が完成する。
なお、ここでは、最初に画素内の領域の処理を行ない、その後画素間の領域の処理を行なっているが、この順番はどちらが先でも構わない。
【００９８】
次に、同様の方法を用いて、対向基板２０の表面に配向膜２２を形成する。
そして、これらの基板１０，２０を枠状に設けたシール材５２を介して貼り合わせ、そのシール材５２の枠内に液晶を充填する。その後、基板１０，２０の外面側に必要に応じて偏光板等を貼着する。
以上により、液晶装置が完成する。
【００９９】
本実施形態では、全体に表面処理を施した後、その表面処理を部分的に除去することにより、領域毎に異なる表面処理を実現している。このため、処理液の塗布の段階ではパターニングが不要になり、その分、工程が容易になる。
【０１００】
［第５の実施の形態］
［液晶装置の構成］
次に、本発明の第５の実施の形態について説明する。
図１３は、本実施形態の液晶装置を構成する２枚の基板の平面図である。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、それぞれＴＦＴアレイ基板１０側の被膜１９２の構成及び対向基板２０側の被膜２９２の構成を示している。
この液晶装置の基本構造は第１実施形態のものと同じであり、異なるのは無機酸化物膜の表面処理を画像表示領域１００Ａの周辺部にのみ行なっている点のみである。このため、第１実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【０１０１】
この液晶装置においては、各基板１０，２０の画像表示領域１００Ａの周辺部、すなわちモジュール動作時の配向膜の表面温度が相対的に低くなる領域にのみ表面処理が施されており、表面温度が相対的に高くなる画像表示領域１００Ａの中央部には表面処理は施されていない。このため、表面処理によって形成される被膜１９２，２９２は、画像表示領域１００Ａの周辺部にのみ矩形枠状に配置されることになり、第１実施形態のものに比べて光に対する信頼性の高い構造となっている。この構成においては、表面処理が行なわれない画像表示領域１００Ａの中央部において配向規制力が弱くなるが、この部分の液晶分子は、配向規制力の強い画像表示領域１００Ａの周辺部からの配向の影響を受けるため、配向特性が極端に悪くなることはない。ただし、表面処理の行なわれない領域が広くなりすぎると、周辺部の配向の影響を中心部まで十分に及ぼすことができなくなるため、この領域の面積はモジュール動作時に生じる温度分布等の状況に応じて、できる限り小さくすることが望ましい。
【０１０２】
被膜１９２，２９２のアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が５以上のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、１００〜４００程度であるのが好ましく、１２０〜４００程度であるのがより好ましい。このようなアルコールとしては、前述のものを用いることができる。
【０１０３】
表面処理の方法としては、次の方法を用いることができる。
まず、フレキソ印刷法やインクジェット印刷法等を用いて、画像表示領域１００Ａの周辺部に１−ヘキサノール等を含む処理液を選択的に塗布する。この処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向規制力を強化するのに適した平均分子量の大きい又は炭素数の多いアルコールを含むものである。
【０１０４】
処理液を塗布したら、基板を加熱する。
これにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９２，２９２が形成される。この被膜１９２，２９２は、処理液を画像表示領域１００Ａの周辺部に選択的に塗布したことから、画像表示領域１００Ａの周辺部にのみ選択的に形成される。
【０１０５】
表面処理の方法としては、次の方法を用いることもできる。
まず、基板全体に１−ヘキサノール等を含む処理液を塗布する。この処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向規制力を強化するのに適した平均分子量の大きい又は炭素数の多いアルコールを含むものである。
【０１０６】
処理液を塗布したら、基板を加熱する。
これにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９２，２９２が形成される。
【０１０７】
次に、マスクを用いて画像表示領域１００Ａの中央部に紫外線を照射し、当該領域の被膜１９１，２９２を選択的に除去する。これにより、画像表示領域１００Ａの周辺部にのみ被膜１９２，２９２が選択的に形成される。
【０１０８】
本実施形態では、配向膜の表面処理を画像表示領域１００Ａの周辺部にのみ行ない、表面処理の行なわれない画像表示領域１００Ａの中央部の配向特性を、画像表示領域周縁部の安定した配向の影響によって補うものとしている。このため、液晶の配向特性を比較的良好に維持しながら、光に対する信頼性も向上させることができる。
【０１０９】
［第６の実施の形態］
［液晶装置の構成］
次に、本発明の第６の実施の形態について説明する。
図１４は、本実施形態の液晶装置を構成する２枚の基板の平面図である。図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、それぞれＴＦＴアレイ基板１０側の被膜１９３の構成及び対向基板２０側の被膜２９３の構成を示している。図１４中、一点鎖線で示した枠内には、マトリクス状に配置された画素１００ａの一部を拡大して示している。
この液晶装置の基本構造は第３実施形態のものと同じであり、異なるのは表面処理によって形成される被膜の位置とその構成のみである。このため、第３実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【０１１０】
図１４に示すように、各基板１０，２０には、画像表示領域１００Ａの周辺部に被膜１９３Ａ，２９３Ａが形成され、画像表示領域１００Ａの中央部に被膜１９３Ｂ，２９３Ｂが形成されている。また、被膜１９３Ｂ，２９３Ｂには、画素電極９が配置される矩形状の領域（画素内の領域）に形成された被膜１９３ｂ，２９３ｂと、画素間を構成する格子状の領域（画素間の領域）に形成された被膜１９３ａ，２９３ａとが含まれている。これらの被膜は、画像表示領域の中央部と周辺部に、又は画像表示領域内における画素内の領域と画素間の領域に、それぞれ異なる表面処理を施すことによって形成されたものである。この表面処理の違いは、モジュール動作時における無機酸化物膜の表面温度の分布に基づいており、具体的には、無機酸化物膜に化学結合される被膜のアルキル基の長さを調節することによって、領域毎に適切な特性が得られるようにしている。
【０１１１】
すなわち、モジュール動作時の配向膜の表面温度が相対的に低くなる画像表示領域１００Ａの周辺部では、配向規制力の強化を図る観点から、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコールの被膜１９３Ａ，２９３Ａとして、アルキル基の長いものが選択されている。一方、画像表示領域１００Ａの中央部では、遮光膜２３によって光が遮られる遮光領域（画素間の領域）と光が遮られない非遮光領域（画素内の領域）とで表面温度が異なることから、その表面温度の違いに応じて、それぞれの領域毎に最も適した材料が選択されている。すなわち、光が遮られることによって表面温度が相対的に低くなる遮光領域では、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコールの被膜１９３ａ，２９３ａとして、アルキル基の長い材料が選択され、光が透過されることによって表面温度が相対的に高くなる非遮光領域では、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコールの被膜１９３ｂ，２９３ｂとして、アルキル基の短い材料が選択されている。この場合、画像表示領域１００Ａの周辺部の被膜１９３Ａ，２９３Ａと画素間の領域の被膜１９３ａ，２９３ａは、共に配向規制力の強化を目的として、アルキル基の長い材料が使用されることから、両者は共通の処理によって形成することが可能である。本実施形態でもそのように形成している。しかし、それぞれの領域毎に条件を最適化する場合等には、両者を異なる処理によって形成することも勿論可能である。
【０１１２】
表面温度の低い領域に形成される被膜１９３Ａ，２９３Ａ，１９３ａ，２９３ａのアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が５以上のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、１００〜４００程度であるのが好ましく、１２０〜４００程度であるのがより好ましい。一方、表面温度の高い領域に形成される被膜１９３Ｂ，２９３Ｂ，１９３ｂ，２９３ｂのアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が１〜４のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、３２〜７０程度であるのが好ましく、３２〜６０程度であるのがより好ましい。これらのアルコールとしては、前述のものを用いることができる。また、この領域に表面処理を行なわないことも可能である。
【０１１３】
なお、遮光領域と非遮光領域の表面温度の分布は、入射される光の強度や遮光膜の材料等によっては上記のものとは逆になる場合がある。この場合には、上記の構成とは逆に、表面温度が相対的に低くなる非遮光領域には、アルキル基の長い材料を選択し、表面温度が相対的に高くなる遮光領域には、アルキル基の短い材料を選択することが望ましい。
【０１１４】
表面処理の方法としては、次の方法を用いることができる。
まず、インクジェット印刷法等を用いて、画像表示領域周辺部、及び画像表示領域中央部の画素間の領域に第１の処理液を選択的に塗布する。
第１の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向規制力を強化するのに適した平均分子量の大きい又は炭素数の多いアルコールを含むものである。
【０１１５】
第１の処理液を塗布したら、基板を加熱する。
これにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９３Ａ，２９３Ａ，１９３ａ，２９３ａが形成される。
【０１１６】
以上により画像表示領域周辺部、及び画像表示領域中央部の画素間の領域の表面処理が終了したら、インクジェット印刷法等を用いて、今度は画像表示領域中央部の画素内の領域に第２の処理液を選択的に塗布する。
第２の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向膜の信頼性向上に適した平均分子量の小さい又は炭素数の少ないアルコールを含むものである。
【０１１７】
第２の処理液を塗布したら、基板を加熱する。
これにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９３ｂ，２９３ｂが形成される。
【０１１８】
以上により、画像表示領域１００Ａの中央部及び周辺部の双方について表面処理が終了する。
なお、ここでは、最初に画像表示領域周辺部と画素間領域の処理を行ない、その後画素内領域の処理を行なっているが、この順番はどちらが先でも構わない。
【０１１９】
表面処理の方法としては、次の方法を用いることもできる。
まず、基板全体に第１の処理液を塗布する。
第１の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向規制力を強化するのに適した平均分子量の大きい又は炭素数の多いアルコールを含むものである。
【０１２０】
第１の処理液を塗布したら、基板を加熱する。
これにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜が形成される。
【０１２１】
次に、マスクを用いて画像表示領域中央部の画素内の領域に紫外線を照射し、当該領域の被膜を選択的に除去する。
【０１２２】
以上により画像表示領域周辺部、及び画像表示領域中央部の画素間の領域の表面処理が終了したら、今度は画像表示領域中央部の画素内の領域に第２の処理液を選択的に塗布する。
第２の処理液は、有機表面処理材料として、前述のように配向膜の信頼性向上に適した平均分子量の小さい又は炭素数の少ないアルコールを含むものである。
【０１２３】
第２の処理液の塗布方法としては、インクジェット印刷法等のように画素内の領域のみに選択的に塗布できるようなものだけでなく、スピンコート法やディップコート法等のように基板全体に塗膜が形成されるようなものも用いることができる。画像表示領域周辺部及び画素間の領域には既に第１の処理液によって表面処理が施されており、その無機酸化物膜１６ａの表面及び細孔１６Ｈの内面には第１の処理液に含まれるアルコールが強固に結合されているため、第２の処理液によって改めて表面処理を施しても、その部分にはアルコールが付着しないからである。
【０１２４】
第２の処理液を塗布したら、基板１０を加熱する。
これにより、無機酸化物膜１６ａの表面および細孔１６Ｈの内面に、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９３ｂ，２９３ｂが形成される。
【０１２５】
以上により、画像表示領域１００Ａの中央部及び周辺部の双方について表面処理が終了する。
なお、ここでは、最初に画像表示領域周辺部と画素間領域の処理を行ない、その後画素内領域の処理を行なっているが、この順番はどちらが先でも構わない。
【０１２６】
本実施形態では、画素間領域と画素内領域の表面温度の違いに応じて、それぞれ適切な有機表面処理材料を使用しているので、より配向安定性及び信頼性に優れた液晶装置を提供することができる。この場合、画素内領域の配向規制力は弱くなるが、プロジェクタ用の液晶装置では１画素の大きさが１０μｍ程度と非常に小さいので、周囲の配向特性の高い領域（画素間領域）の影響によって画素内領域の配向特性の低さを十分に補うことができる。また、画像表示領域１００Ａの周辺部に配向特性の良好な領域を形成しているので、この領域からの配向の影響が加わることで、更に良好な配向特性が得られる。また、画像表示領域１００Ａの周辺部の配向規制力を高めることで、液晶装置周辺部からの水分の侵入やシール材からの溶出成分によって配向が乱れるといった不具合も生じにくくなる。
【０１２７】
［第７の実施の形態］
［液晶装置の構成］
次に、本発明の第７の実施の形態について説明する。
図１５及び図１６は、本実施形態の液晶装置を構成する２枚の基板の平面図である。図１５（ａ）はＴＦＴアレイ基板１０側の被膜１９４の全体構成を示しており、図１５（ｂ）及び図１５（ｃ）は、その画像表示領域の周辺部及び中央部の１画素の構成をそれぞれ示している。また、図１６（ａ）は対向基板２０側の被膜２９４の全体構成を示しており、図１６（ｂ）及び図１６（ｃ）は、その画像表示領域の周辺部及び中央部の１画素の構成をそれぞれ示している。
この液晶装置の基本構造は第３実施形態のものと同じであり、異なるのは表面処理によって形成される被膜の位置とその構成のみである。このため、第３実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【０１２８】
図１５及び図１６に示すように、各基板１０，２０には、画像表示領域１００Ａの周辺部に被膜１９４Ａ，２９４Ａが形成され、画像表示領域１００Ａの中央部に被膜１９４Ｂ，２９４Ｂが形成されている。また、被膜１９４Ａ，２９４Ａには、画素電極９が配置される矩形状の領域（画素内の領域）に形成された被膜１９４ｂ，２９４ｂと、画素間を構成する格子状の領域（画素間の領域）に形成された被膜１９４ａ，２９４ａとが含まれており、被膜１９４Ｂ，２９４Ｂには、画素内の領域に形成された被膜１９４ｄ，２９４ｄと、画素間の領域に形成された被膜１９４ｃ，２９４ｃとが含まれている。これらの被膜は、画素内の領域と画素間の領域にそれぞれ異なる表面処理を施すことによって形成されたものである。この表面処理の違いは、モジュール動作時における無機酸化物膜の表面温度の分布に基づいており、具体的には、無機酸化物膜に化学結合される被膜のアルキル基の長さを調節することによって、領域毎に適切な特性が得られるようにしている。
【０１２９】
すなわち、画素間領域に対応して形成された遮光膜２３によって、１画素について見ると、非遮光領域である画素内領域の中心部で最も表面温度が高く、画素内領域の最外周部近傍又は遮光領域である画素間領域で最も表面温度が低くなっている。このため、光が遮られることによって表面温度が相対的に低くなる遮光領域では、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコールの被膜１９４ａ，１９４ｃ，２９４ａ，２９４ｃとして、アルキル基の長い材料が選択され、光が透過されることによって表面温度が相対的に高くなる非遮光領域では、無機酸化物膜１６ａ，２２ａに化学結合させるアルコールの被膜１９４ｂ，１９４ｄ，２９４ｂ，２９４ｄとして、アルキル基の短い材料が選択されている。一方、画像表示領域全体として見ると、画像表示領域１００Ａの周辺部では中央部に比べて配向膜の表面温度が低くなることから、画像表示領域周辺部の画素間領域の被膜１９４ａには、画像表示領域中央部の画素間領域の被膜１９４ｃよりもアルキル基の長い材料が選択され、画像表示領域周辺部の画素内領域の被膜１９４ｂには、画像表示領域中央部の画素内領域１９４ｄよりもアルキル基の長い材料が選択されている。同様に、画像表示領域周辺部の画素間領域の被膜２９４ａには、画像表示領域中央部の画素間領域の被膜２９４ｃよりもアルキル基の長い材料が選択され、画像表示領域周辺部の画素内領域の被膜２９４ｂには、画像表示領域中央部の画素内領域２９４ｄよりもアルキル基の長い材料が選択されている。
【０１３０】
表面温度の低い領域に形成される被膜１９４ａ，１９４ｃ，２９４ａ，２９４ｃのアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が５以上のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、１００〜４００程度であるのが好ましく、１２０〜４００程度であるのがより好ましい。一方、表面温度の高い領域に形成される被膜１９４ｂ，１９４ｄ，２９４ｂ，２９４ｄのアルコールは、炭素数（アルキル基の長さ）が１〜４のものを主成分とするものが好ましい。また、アルコールの平均分子量は、３２〜７０程度であるのが好ましく、３２〜６０程度であるのがより好ましい。これらのアルコールとしては、前述のものを用いることができる。また、この領域に表面処理を行なわないことも可能である。
【０１３１】
なお、遮光領域と非遮光領域の表面温度の分布は、入射される光の強度や遮光膜の材料等によっては上記のものとは逆になる場合がある。この場合には、上記の構成とは逆に、表面温度が相対的に低くなる非遮光領域には、アルキル基の長い材料を選択し、表面温度が相対的に高くなる遮光領域には、アルキル基の短い材料を選択することが望ましい。
【０１３２】
表面処理の方法としては、次の方法を用いることができる。
まず、インクジェット印刷法等を用いて、画像表示領域周辺部の画素間領域に第１の処理液を選択的に塗布する。そして、基板を加熱することにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に沿って、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９４ａ，２９４ａを形成する。
【０１３３】
次に、インクジェット印刷法等を用いて、画像表示領域中央部の画素間の領域に第２の処理液を選択的に塗布する。そして、基板を加熱することにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に沿って、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９４ｃ，２９４ｃを形成する。
【０１３４】
次に、インクジェット印刷法等を用いて、画像表示領域周辺部の画素内の領域に第３の処理液を選択的に塗布する。そして、基板を加熱することにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に沿って、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９４ｂ，２９４ｂを形成する。
【０１３５】
次に、インクジェット印刷法等を用いて、画像表示領域中央部の画素内の領域に第４の処理液を選択的に塗布する。そして、基板を加熱することにより、無機酸化物膜１６ａ，２２ａの表面および細孔の内面に沿って、アルコールの主骨格部分を主としてなる被膜１９４ｄ，２９４ｄを形成する。
【０１３６】
なお、第１の処理液〜第４の処理液は、有機表面処理材料として、前述の条件を満たすアルコールを含むものである。
【０１３７】
以上により、画像表示領域１００Ａの中央部及び周辺部の双方について表面処理が終了する。
なお、ここでは、最初に画素間の領域の処理を行ない、その後画素内の領域の処理を行なっているが、この順番はどちらが先でも構わない。同様に、画像表示領域の周辺部と中央部はどちらを先に処理しても構わない。また、インクジェット印刷法等により個々の領域に表面処理を行なったが、この代わりに、スピンコート法等により基板全体に表面処理を行ない、紫外線照射等により不要な部分の被膜を除去する方法を用いてもよい。
【０１３８】
本実施形態では、画素間の領域と画素内の領域の表面温度の違い及び画像表示領域の周辺部と中央部の表面温度の違いに応じて、それぞれ適切な表面処理材料を用いているので、より配向安定性及び信頼性に優れた液晶装置を提供することができる。
【０１３９】
［投射型表示装置］
次に、本発明の電子機器の具体例である投射型表示装置（プロジェクタ）につき、図１７を用いて説明する。図１７は、投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。この投射型表示装置は、上述した各実施形態に係る液晶装置を、光変調手段として備えたものである。
【０１４０】
図１７において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は本発明の液晶装置からなる光変調手段、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズである。光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。
【０１４１】
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用光変調手段８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用光変調手段８２３に入射される。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用光変調手段８２４に入射される。なお、上記各光変調手段８２２，８２３，８２４には、上記各実施形態の液晶装置が採用されている。
【０１４２】
各光変調手段により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、画像が拡大されて表示される。
【０１４３】
係る投射型表示装置には、上記各実施形態の液晶装置が採用されているので、高強度の光照射を行なっても配向膜の光劣化は従来ほど大きくは進行しない。したがって、長期間にわたって安定した表示を行なうことができる。
【０１４４】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
また、本発明の液晶装置は、投射型表示装置の光変調手段に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれにおいても信頼性が高く表示品質に優れた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４５】
【図１】第１実施形態の液晶装置を示す平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図。
【図３】同、液晶装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図４】同、液晶装置のＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群を示す平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ’線に沿う断面図。
【図６】同、液晶装置の配向膜が形成された部分の断面構造を模式的に示す図。
【図７】無機酸化物膜の表面に形成された被膜の構成を示す平面図。
【図８】同、液晶装置の製造方法を示す工程フロー。
【図９】第２実施形態の液晶装置の製造方法を示す工程フロー。
【図１０】第３実施形態の液晶装置における被膜の構成を示す平面図。
【図１１】同、液晶装置の製造方法を示す工程フロー。
【図１２】第４実施形態の液晶装置の製造方法を示す工程フロー。
【図１３】第５実施形態の液晶装置における被膜の構成を示す平面図。
【図１４】第６実施形態の液晶装置における被膜の構成を示す平面図。
【図１５】第７実施形態の液晶装置のＴＦＴアレイ基板側の被膜の構成を示す平面図。
【図１６】同、液晶装置の対向基板側の被膜の構成を示す平面図。
【図１７】電子機器の一例である投射型表示装置を示す図。
【符号の説明】
【０１４６】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１６…配向膜、１６ａ…無機酸化物膜（斜方蒸着膜）、１９，１９ａ，１９ｂ，１９１，１９１ａ，１９１ｂ，１９２，１９３，１９３Ａ，１９３Ｂ，１９３ａ，１９３ｂ，１９４，１９４Ａ，１９４Ｂ，１９４ａ，１９４ｂ，１９４ｃ，１９４ｄ…被膜、２０…対向基板、２２…配向膜、２２ａ…無機酸化物膜（斜方蒸着膜）、２３…遮光膜、２９，２９ａ，２９ｂ，２９１，２９１ａ，２９１ｂ，２９２，２９３，２９３Ａ，２９３Ｂ，２９３ａ，２９３ｂ，２９４，２９４Ａ，２９４Ｂ，２９４ａ，２９４ｂ，２９４ｃ，２９４ｄ…被膜、５０…液晶、１００…液晶装置、１００ａ…画素、１００Ａ…画像表示領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を保持する一対の基板と、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に設けられた斜方蒸着膜と、前記斜方蒸着膜の表面に有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜とを有する液晶装置であって、
前記液晶装置の動作時において、前記斜方蒸着膜の表面温度が領域により異なり、
前記被膜は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域には、最も表面温度が高い領域に使用される前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料が使用されていることを特徴とする、液晶装置。
【請求項２】
複数の画素が配列されてなる画像表示領域を有し、
前記画像表示領域は、前記液晶装置の動作時おいて、前記画像表示領域の周辺部が最も表面温度が低くなり、前記画像表示領域の中央部が最も表面温度が高くなり、
前記被膜は、前記表面温度の最も低くなる領域には、前記表面温度が最も高くなる領域に使用される前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料が使用されされていることを特徴とする、請求項１記載の液晶装置。
【請求項３】
複数の画素が配列されてなる画像表示領域を有し、
前記画素間の領域には遮光膜が設けられ、
前記画素間の領域又は画素内の領域の一方が最も表面温度が低くなり、他方が最も表面温度が高くなり、
前記被膜は、前記表面温度の最も低くなる領域には、前記表面温度が最も高くなる領域に使用される前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料が使用されていることを特徴とする、請求項１又は２記載の液晶装置。
【請求項４】
液晶を保持する一対の基板と、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に設けられた斜方蒸着膜と、前記斜方蒸着膜の表面に有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜とを有する液晶装置であって、
前記液晶装置の動作時において、前記斜方蒸着膜の表面温度が領域により異なり、
前記被膜は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域に設けられ、最も高い領域には設けられていないことを特徴とする、液晶装置。
【請求項５】
複数の画素が配列されてなる画像表示領域を有し、
前記画像表示領域は、前記液晶装置の動作時おいて、前記画像表示領域の周辺部が最も表面温度が低くなり、前記画像表示領域の中央部が最も表面温度が高くなり、
前記被膜は、最も表面温度の低い前記画像表示領域の周辺部に設けられ、最も表面温度の高い前記画像表示領域の中央部には設けられていないことを特徴とする、請求項４記載の液晶装置。
【請求項６】
複数の画素が配列されてなる画像表示領域を有し、
前記画素間の領域には遮光膜が設けられ、
前記液晶装置の動作時おいて、前記画素間の領域又は画素内の領域の一方が最も表面温度が低くなり、他方が最も表面温度が高くなり、
前記被膜は、最も表面温度の低い前記一方の領域に設けられ、最も表面温度の高い前記他方の領域には設けられていないことを特徴とする、請求項４又は５記載の液晶装置。
【請求項７】
基板の表面に斜方蒸着膜を形成する工程と、前記斜方蒸着膜の表面を有機表面処理材料を含有する処理液によって処理し、前記斜方蒸着膜の表面に前記有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜を形成する工程とを有する液晶装置の製造方法であって、
前記処理液による処理は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域に、最も表面温度が高い領域に使用する前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料を使用することを特徴とする、液晶装置の製造方法。
【請求項８】
基板の表面に斜方蒸着膜を形成する工程と、前記斜方蒸着膜の表面を有機表面処理材料を含有する処理液によって処理し、前記斜方蒸着膜の表面に前記有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜を形成する工程とを有する液晶装置の製造方法であって、
前記処理液による処理は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域に対して行なわれ、最も高い領域に対しては行なわれないことを特徴とする、液晶装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれかの項に記載の液晶装置又は請求項７若しくは８記載の液晶装置の製造方法により製造されてなる液晶装置を備えたことを特徴とする、電子機器。
【請求項１】
液晶を保持する一対の基板と、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に設けられた斜方蒸着膜と、前記斜方蒸着膜の表面に有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜とを有する液晶装置であって、
前記液晶装置の動作時において、前記斜方蒸着膜の表面温度が領域により異なり、
前記被膜は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域には、最も表面温度が高い領域に使用される前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料が使用されていることを特徴とする、液晶装置。
【請求項２】
複数の画素が配列されてなる画像表示領域を有し、
前記画像表示領域は、前記液晶装置の動作時おいて、前記画像表示領域の周辺部が最も表面温度が低くなり、前記画像表示領域の中央部が最も表面温度が高くなり、
前記被膜は、前記表面温度の最も低くなる領域には、前記表面温度が最も高くなる領域に使用される前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料が使用されされていることを特徴とする、請求項１記載の液晶装置。
【請求項３】
複数の画素が配列されてなる画像表示領域を有し、
前記画素間の領域には遮光膜が設けられ、
前記画素間の領域又は画素内の領域の一方が最も表面温度が低くなり、他方が最も表面温度が高くなり、
前記被膜は、前記表面温度の最も低くなる領域には、前記表面温度が最も高くなる領域に使用される前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料が使用されていることを特徴とする、請求項１又は２記載の液晶装置。
【請求項４】
液晶を保持する一対の基板と、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に設けられた斜方蒸着膜と、前記斜方蒸着膜の表面に有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜とを有する液晶装置であって、
前記液晶装置の動作時において、前記斜方蒸着膜の表面温度が領域により異なり、
前記被膜は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域に設けられ、最も高い領域には設けられていないことを特徴とする、液晶装置。
【請求項５】
複数の画素が配列されてなる画像表示領域を有し、
前記画像表示領域は、前記液晶装置の動作時おいて、前記画像表示領域の周辺部が最も表面温度が低くなり、前記画像表示領域の中央部が最も表面温度が高くなり、
前記被膜は、最も表面温度の低い前記画像表示領域の周辺部に設けられ、最も表面温度の高い前記画像表示領域の中央部には設けられていないことを特徴とする、請求項４記載の液晶装置。
【請求項６】
複数の画素が配列されてなる画像表示領域を有し、
前記画素間の領域には遮光膜が設けられ、
前記液晶装置の動作時おいて、前記画素間の領域又は画素内の領域の一方が最も表面温度が低くなり、他方が最も表面温度が高くなり、
前記被膜は、最も表面温度の低い前記一方の領域に設けられ、最も表面温度の高い前記他方の領域には設けられていないことを特徴とする、請求項４又は５記載の液晶装置。
【請求項７】
基板の表面に斜方蒸着膜を形成する工程と、前記斜方蒸着膜の表面を有機表面処理材料を含有する処理液によって処理し、前記斜方蒸着膜の表面に前記有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜を形成する工程とを有する液晶装置の製造方法であって、
前記処理液による処理は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域に、最も表面温度が高い領域に使用する前記有機表面処理材料に対し相対的にアルキル基の長い前記有機表面処理材料を使用することを特徴とする、液晶装置の製造方法。
【請求項８】
基板の表面に斜方蒸着膜を形成する工程と、前記斜方蒸着膜の表面を有機表面処理材料を含有する処理液によって処理し、前記斜方蒸着膜の表面に前記有機表面処理材料を化学結合させてなる被膜を形成する工程とを有する液晶装置の製造方法であって、
前記処理液による処理は、前記液晶装置の動作時における前記斜方蒸着膜の表面温度の最も低い領域に対して行なわれ、最も高い領域に対しては行なわれないことを特徴とする、液晶装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれかの項に記載の液晶装置又は請求項７若しくは８記載の液晶装置の製造方法により製造されてなる液晶装置を備えたことを特徴とする、電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２００７−３３９６６（Ｐ２００７−３３９６６Ａ）
【公開日】平成１９年２月８日（２００７．２．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２１８３８３（Ｐ２００５−２１８３８３）
【出願日】平成１７年７月２８日（２００５．７．２８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年２月８日（２００７．２．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年７月２８日（２００５．７．２８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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