渦電流探傷方法
【課題】フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できる渦電流探傷方法を提供することにある。
【解決手段】励磁コイル１Ａと検出コイル１Ｂの並び方向が検査面の曲面方向と同じ渦電流探傷プローブを用いる。ステップＳ６０において、検査面に渦電流プローブを設置する前から、設置するまで信号において、Ｘ又はＹ成分のいずれかの最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１の大小関係を比較する。そして、ステップＳ７０，Ｓ８０にて、渦電流プローブを検査面に密着させる際に発生する検出のＸ成分又はＹ成分の信号値とリフトオフの特性と最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１のいずれかを用いて、リフトオフ特性からリフトオフ値を求める。
【解決手段】励磁コイル１Ａと検出コイル１Ｂの並び方向が検査面の曲面方向と同じ渦電流探傷プローブを用いる。ステップＳ６０において、検査面に渦電流プローブを設置する前から、設置するまで信号において、Ｘ又はＹ成分のいずれかの最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１の大小関係を比較する。そして、ステップＳ７０，Ｓ８０にて、渦電流プローブを検査面に密着させる際に発生する検出のＸ成分又はＹ成分の信号値とリフトオフの特性と最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１のいずれかを用いて、リフトオフ特性からリフトオフ値を求める。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、渦電流探傷方法に係り、特に、被検査体に対するプローブの密着性を確認するに好適な渦電流探傷方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
渦電流探傷法は、導電性の被検査体を対象としてコイルにより発生する交流磁場により、被試験体に渦電流を誘起させ、欠陥による渦電流の乱れに起因するコイルのインピーダンス変化から欠陥の有無を評価する手法である。ここで、渦電流探傷はプローブと被検査体の距離であるリフトオフの変化によっても、信号が発生する。この特性を利用することでリフトオフを測定することが可能である。
【０００３】
一方、プローブとして、広範囲の測定や曲面の検査が可能である複数のコイルを規則的に配列したフレキシブルに曲がるマルチコイルプローブが開発されている（例えば、引用文献１参照）。フレキシブルなプローブを用いることで、曲面の検査が可能となった。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】第８回表面探傷シンポジウム講演論文集ｐ．１３９−１４２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、引用文献１記載のプローブで曲面の検査をする場合、検査面に密着しているかを評価することが必要となる。特に遠隔操作による狭隘部の検査では、検査面に対して適切に設置できたかの確認が重要となる。
【０００６】
上述したリフトオフ変化による信号を利用して検査面への設置を評価する方法があるが、特許文献１記載のフレキシブルなプローブを用いた場合、リフトオフ信号にプローブの曲がりによる信号が重畳するため、リフトオフ量を精度良く評価できないという問題があった。
【０００７】
本発明の目的は、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できる渦電流探傷方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）上記目的を達成するために、本発明は、励磁コイルと検出コイルの並び方向が検査面の曲面方向と同じ渦電流探傷プローブを用いて、前記検査面に前記渦電流プローブを設置する前から、設置するまで信号において、Ｘ又はＹ成分のいずれかの最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１の大小関係を比較する工程と、前記渦電流プローブを前記検査面に密着させる際に発生する検出のＸ成分又はＹ成分の信号値とリフトオフの特性と前記最大値信号値Ｖ０と前記設置時点の信号値Ｖ１のいずれかを用いて、前記リフトオフ特性からリフトオフ値を求める工程を備えるようにしたものである。
かかる方法により、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できるものとなる。
【０００９】
（２）また、上記目的を達成するために、本発明は、励磁コイルと検出コイルの並び方向が検査面の曲面方向と同じ渦電流探傷プローブを用いて、前記検査面に前記渦電流プローブを設置する前から、設置するまで信号において、Ｘ成分信号又はＹ成分信号から、最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１の大小関係を比較する工程と、前記渦電流プローブを前記検査面に密着させる際に発生する上に凸となる電圧特性を有するＸ成分又はＹ成分の最大値からの差電圧値とリフトオフの特性と、前記最大値信号値Ｖ０と前記設置時点の信号値Ｖ１との差電圧値を用いて、前記リフトオフ特性からリフトオフ値を求める工程を備えるようにしたものである。
かかる方法により、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できるものとなる。
【００１０】
（３）また、上記目的を達成するために、本発明は、励磁コイルと検出コイルの並び方向が検査面の曲面方向と同じ渦電流探傷プローブを用いて、前記検査面に前記渦電流プローブを設置する前から、設置するまで信号において、Ｘ成分信号又はＹ成分信号から、最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１の大小関係を比較する工程と、前記渦電流プローブを試験体に密着させる際に発生する下に凸となる電圧特性有するＸ成分又はＹ成分の最大値からの差電圧値とリフトオフの特性と、前記最大値信号値Ｖ０と前記設置時点の信号値Ｖ１との差電圧値を用いて、前記リフトオフ特性からリフトオフ値を求める工程を備えるようにしたものである。
かかる方法により、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できるものとなる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法にて用いるフレキシブルなマルチコイルプローブの構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法にて用いるマルチコイルプローブの曲がりの影響の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法にて用いるマルチコイルプローブの曲がりの影響の説明図である。
【図４】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法にて用いるマルチコイルプローブの曲がりの影響の説明図である。
【図５】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法における、リフトオフ信号と検査面の曲率の影響の説明図である。
【図６】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法における、リフトオフ信号と検査面の曲率の影響の説明図である。
【図７】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法における、リフトオフ信号と検査面の曲率の影響の説明図である。
【図８】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法における、リフトオフ信号とリフトオフ量の関係を示す検量線の説明図である。
【図９】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法の説明図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法の説明図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法で用いる検量線の説明図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法を示すフローチャートである。
【図１４】本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法の説明図である。
【図１５】本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法の説明図である。
【図１６】本発明の各実施形態による渦電流探傷方法におけるリフトオフ特性の評価法の他の例の説明図である。
【図１７】本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法で対象とするリサージュ図形の説明図である。
【図１８】本発明の第３の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法を示すフローチャートである。
【図１９】本発明の第４の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法を示すフローチャートである。
【図２０】本発明の各実施形態による渦電流探傷方法に用いるプローブの他の構成の説明図である。
【図２１】本発明の各実施形態による渦電流探傷方法に用いるプローブの他の構成の説明図である。
【図２２】本発明の各実施形態による渦電流探傷方法に用いるプローブの他の構成の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図１〜図１１を用いて、本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法について説明する。
最初に、図１を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法にて用いるフレキシブルなマルチコイルプローブの構成について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法にて用いるフレキシブルなマルチコイルプローブの構成の説明図である。図１（Ａ）は平面図であり、図１（Ｂ）は正面図である。
【００１４】
マルチコイルプローブＰは、可撓性基板１に、複数のコイル１Ａ，２Ａ，…，（ｎ＋１）Ａ，１Ｂ，２Ｂ，…，（ｎ＋１）Ｂを、規則的に取り付けたものとして構成される。図示の例では、コイル１Ａ，２Ａ，…，（ｎ＋１）Ａは、可撓性基板１の長手方向に等間隔で配置される。また、コイル１Ｂ，２Ｂ，…，（ｎ＋１）Ｂも、可撓性基板１の長手方向に等間隔で配置される。コイル１Ａ，２Ａ，…，（ｎ＋１）Ａと、コイル１Ｂ，２Ｂ，…，（ｎ＋１）Ｂとは、可撓性基板１の短手方向において、互い違いに、すなわち、千鳥配置で配置される。
【００１５】
ここで、可撓性基板１の性質により、プローブ自体が曲がることで、被検査面の曲率に密着させることができる。
【００１６】
複数のコイル１Ａ，２Ａ，…，（ｎ＋１）Ａ，１Ｂ，２Ｂ，…，（ｎ＋１）Ｂの内、例えば、コイル１Ａを励磁コイルとして用いて、検査部に渦電流を発生させ、励磁コイル以外の、例えば、コイル２Ａを検出コイルとして用いることで、検出信号を得ることができる。
【００１７】
本実施形態のマルチコイルプローブは、励磁コイルと検出コイルを有する相互誘導形標準比較型の渦電流探傷プローブであり、プローブと被検査面との距離（リフトオフ）に対応して信号が発生する。
【００１８】
次に、図２〜図４を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法にて用いるマルチコイルプローブの曲がりの影響について説明する。
図２〜図４は、本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法にて用いるマルチコイルプローブの曲がりの影響の説明図である。
【００１９】
ここでは、励磁及び検出コイルの例として、図１に示したコイルｎＡを励磁コイルとしてこの励磁コイルにより励磁して、コイル（ｎ＋１）Ａ，ｎＢを検出コイルとして利用する場合の、プローブの曲がりによる影響について説明する。
【００２０】
図２において、図２（Ａ）は、プローブＰを平坦に伸ばした状態である。それに対して、図２（Ｂ）はプローブＰを曲げた状態である。
【００２１】
図３は、図２（Ａ）から図２（Ｂ）の状態にプローブの平坦度を変えた場合の、検出コイル（ｎ＋１）Ａからの検出信号のリサージュ図形を示している。なお、検出コイルｎＢからは信号は発生しないものである。
【００２２】
図３において、図２（Ａ）のようにプローブを平坦に伸ばした状態におけるＸ成分及びＹ成分の出力を原点Ａとする。この状態から、図２（Ｂ）に示すようにプローブを曲げると、それに応じて、リサージュ図形は、点Ａから点Ｂに変化する。
【００２３】
これは、プローブが曲がることにより、図２に示した励磁コイルｎＡと検出コイル（ｎ＋１）Ａの間隔が変化することに起因する現象である。例えば、図４に示すように、励磁コイル１Ａと検出コイル２Ａは、曲げによりコイル間隔の変化することから、検出コイル２Ａと鎖交する磁束５が変化し信号が発生する。
【００２４】
これに対して、検出コイル１Ｂは、検出コイル２Ａとほぼ９０度異なる位置に配置している，すなわち、可撓性基板１の短手方向に配列されているため、図２（Ｂ）に示すように、プローブの可撓性基板１が長手方向に曲げられたとしても、短手方向には曲げられないため、検出コイルｎＢからは信号は発生しないものである。つまり、図４の紙面に垂直な方向（以下、「曲面方向」と称する）に励磁コイルと検出コイルが配置される位置関係では、プローブが曲がることによるコイル間隔変化がないため、信号は発生しないものである。
【００２５】
次に、図５〜図７を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法における、リフトオフ信号と検査面の曲率の影響について説明する。
図５〜図７は、本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法における、リフトオフ信号と検査面の曲率の影響の説明図である。
【００２６】
ここでは、プローブ曲がりによる信号が発生しない、励磁コイルと検出コイルの位置関係が曲面方向である場合に関して説明する。すなわち、例えば、図１に示したコイルｎＡを励磁コイルとして用い、コイルｎＢを検出コイルとして用いる。
【００２７】
特性評価として、図５に示すように、プローブＰを平面状の試験体１０に配置した「状態３」から、プローブＰを離した「状態１」とし、この間の、リフトオフ量を増大させていく場合の信号を検出して、特性を評価する。
【００２８】
また、図６に示すように、プローブＰを曲面を有する試験体１０’の表面に配置した「状態４」から、プローブＰを曲げたままの状態で、試験体１０’の表面から離していく信号、つまり、リフトオフ量を増大させていく特性を測定する。
【００２９】
図７は、励磁コイルと検出コイルの間隔５ｍｍ、試験周波数１００ｋＨｚでの実測結果を示している。試験体としては、曲率半径３０ｍｍ，６５ｍｍ，１００ｍｍの曲面を有する試験体と、平面を有する試験体の４種類を用いている。
【００３０】
そして、プローブＰが試験体の表面に接触している状態における検出信号のＸ方向成分及びＹ方向成分がそれぞれ０となるように、０点調整し、その後、図５若しくは図６にて説明したように、プローブを試験体の表面から徐々に離し、そのときのプローブの検出コイルからの信号によりリサージュ図形を描いたものが、図７である。
【００３１】
図７において、実線は、試験体が平板の場合のリフトオフ信号のリサージュ図形を示し、破線は、試験体が曲率半径１００ｍｍの曲面を有する試験体の場合のリフトオフ信号のリサージュ図形を示している。一点鎖線は試験体が曲率半径６５ｍｍの曲面を有する試験体の場合のリフトオフ信号のリサージュ図形を示し、２点鎖線は試験体が曲率半径３０ｍｍの曲面を有する試験体の場合のリフトオフ信号のリサージュ図形を示している。
【００３２】
図７より、励磁コイルと検出コイルの位置関係が曲面方向である条件では、リフトオフによる信号はほぼ同じように発生することが分かる。図７において、符号ＬＦ１で示すＸ成分電圧及びＹ成分電圧が０であり、プローブＰが試験体に接触している場合の信号である。それに対して、プローブＰが試験体から離れると、図７の例では、Ｙ成分電圧が増加し、Ｘ成分電圧が減少する。符号ＬＦ２の付近においてＹ成分電圧が最大となる。この状態からさらにプローブＰを試験体から離すと、Ｙ成分電圧が減少し、Ｘ成分電圧は減少する。
【００３３】
このように、励磁コイルと検出コイルの位置関係が曲面方向である場合、リフトオフ信号は曲率の影響を殆ど受けないといえる。そこで、本実施形態では、この特性を利用することで、検査面の曲率に関係なくリフトオフを評価するようにしている。
【００３４】
次に、図８を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法における、リフトオフ信号とリフトオフ量の関係を示す検量線について説明する。
図８は、本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法における、リフトオフ信号とリフトオフ量の関係を示す検量線の説明図である。
【００３５】
図８は、平板の試験体による試験結果を基に作成した検量線を示している。図８において、縦軸の信号電圧は、図７におけるＹ成分電圧を示し、横軸はリフトオフ量（プローブと試験体の距離）を示している。
【００３６】
検量線は、図７のプローブの密着状態を示す点ＬＦ１から、リフトオフの増加による通過点を示す点ＬＦ２を示す特性と、点ＬＦ２から点ＬＦ３までの変化を示す特性Ｂから構成される。
【００３７】
この特性を利用して、図８にて後述する手順により、曲面にプローブを設置した際のリフトオフ量を評価できる。
【００３８】
次に、図９〜図１１を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法について説明する。
図９は、本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法を示すフローチャートである。図１０及び図１１は、本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法の説明図である。図１０（Ａ）はリサージュ図形を示し、図１０（Ｂ）はＹ信号成分の時間変化を示している。図１１（Ａ）はリサージュ図形を示し、図１１（Ｂ）はＹ信号成分の時間変化を示している。
【００３９】
ステップＳ１０において、検査面に設置する前の状態で出力信号の０Ｖ設定を実施する。例えば、図１０（Ａ）に示すように、プローブＰを検査面に設置する前の状態で、出力信号のＹ成分及びＸ成分が点ＬＦ３’のようにそれぞれ０Ｖとなるように、設定する。
【００４０】
次に、ステップＳ２０において、測定を開始し、ステップＳ３０において、その後プローブＰを検査面に接近させて、最終的に検査面にプローブＰを押し付けて設置する。この間の信号を検出することで、ステップＳ４０において、信号測定終了となる。
【００４１】
次に、ステップＳ５０において、励磁コイルと検出コイルが曲面方向と同じ方向に配置されている検出コイル信号に関して、最大値Ｖ０及び設置後の信号値Ｖ１を抽出する。例えば、図１０（Ａ）に示す例では、点ＬＦ２’の時のＹ成分が最大電圧Ｖ０となり、プローブＰが検査面に押し付けられた時の点ＬＦ１’のＹ成分が設置後の電圧Ｖ１となる。
【００４２】
そして、ステップＳ６０において、電圧Ｖ０と電圧Ｖ１の大小比較を実施する。Ｖ０＞Ｖ１の場合、リサージュ波形では図１０に示すような場合である。最大値Ｖ０は点ＬＦ２’であり、設置後の信号値Ｖ１は点ＬＦ１’である。この値は、図１０（Ｂ）に示すＹ成分信号は、それぞれＬＦ２’、ＬＦ１’に対応する。
【００４３】
この場合、ステップＳ７０において、リフトオフ量の評価は、図８に示した検量線の特性Ａを利用してリフトオフ量を算出する。
【００４４】
一方、これ以外の場合（Ｖ０＝Ｖ１）、リサージュ波形では図１１に示すような場合で、大きなリフトオフ量の状態で設置した場合である。最大値Ｖ０と設置後の信号値Ｖ１は点ＬＦ１’で、同一点となる。
【００４５】
この場合、ステップＳ８０において、リフトオフ量の評価は、図８に示した検量線の特性Ｂを利用してリフトオフ量を算出する。
【００４６】
このようにして算出されたリフトオフ量から、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できるので、適切な探傷が実施可能となる。
【００４７】
以上説明したように、本実施形態によれば、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できるものとなる。
【００４８】
次に、図１２〜図１５を用いて、本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法について説明する。なお、本実施形態による渦電流探傷方法にて用いるフレキシブルなマルチコイルプローブの構成は、図１に示したものと同様である。
【００４９】
最初に、図１２を用いて、本実施形態で用いる検量線について説明する。
図１２は、本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法で用いる検量線の説明図である。
【００５０】
本実施形態は、プローブを検査面に設置する過程において、検査面以外の近傍構造物と接近又は接触するような場合に適用される。この状態では、測定開始時点で構造物の信号が含まれている可能性があるため、上述した第１の実施形態で示した測定開始時点を基準点とすると、誤差を生じるために正確に評価できなくなる。そこで、基準点を図８の最大点ＬＦ２とする。
【００５１】
図１２は、基準点を図８の最大点ＬＦ２とした場合の検量線を示している。検量線は、横軸にリフトオフ量、縦軸にＹ成分信号における図８の最大点ＬＦ２からの差電圧として整理したものを利用する。
【００５２】
図８のプローブの密着状態を示す点ＬＦ１からリフトオフの増加による通過点を示す点ＬＦ２’（リフトオフ量Ｘ）の特性Ａ’を示す。
【００５３】
図８の最大点ＬＦ２に対する差電圧を利用するため、リフトオフ量Ｘを越える領域に関しては、正確なリフトオフ量を求められないため、リフトオフ量は一律Ｘとの判定となる。ここで、リフトオフ量Ｘは、例えば、１ｍｍ程度である。一般に適切な探傷を行うためには、リフトオフ量は１ｍｍ以下にする必要がある。従って、本実施形態のように、リフトオフ量Ｘ（例えば、１ｍｍ）以上の領域のリフトオフ量が求められないとしても、格別問題になるものではない。
【００５４】
次に、図１３〜図１５を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法について説明する。
図１３は、本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法を示すフローチャートである。図１４及び図１５は、本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法の説明図である。図１４（Ａ）はリサージュ図形を示し、図１４（Ｂ）はＹ信号成分の時間変化を示している。図１５（Ａ）はリサージュ図形を示し、図１５（Ｂ）はＹ信号成分の時間変化を示している。
【００５５】
ステップＳ１０において、検査面に設置する前の状態で出力信号の０Ｖ設定を実施する。例えば、図１４（Ａ）に示すように、プローブＰを検査面に設置する前の状態で、出力信号のＹ成分及びＸ成分が点ＬＦ３’のようにそれぞれ０Ｖとなるように、設定する。
【００５６】
次に、ステップＳ２０において、測定を開始し、ステップＳ３０において、その後プローブＰを検査面に接近させて、最終的に検査面にプローブＰを押し付けて設置する。この間の信号を検出することで、ステップＳ４０において、信号測定終了となる。
【００５７】
次に、ステップＳ５０Ａにおいて、励磁コイルと検出コイルが曲面方向と同じ方向に配置されている検出コイル信号に対して、Ｘ又はＹ成分のうち、リフトオフ特性で上に凸となる傾向を示す成分に関して、最大値Ｖ０及び設置後の信号値Ｖ１を抽出する。例えば、図１４（Ａ）に示す例では、点ＬＦ２’の時のＹ成分が最大電圧Ｖ０となり、プローブＰが検査面に押し付けられた時の点ＬＦ１’のＹ成分が設置後の電圧Ｖ１となる。
【００５８】
そして、ステップＳ６０において、電圧Ｖ０と電圧Ｖ１の大小比較を実施する。Ｖ０＞Ｖ１の場合、リサージュ波形では図１０に示すような場合である。最大値Ｖ０は点ＬＦ２’であり、設置後の信号値Ｖ１は点ＬＦ１’である。この値は、図１３（Ｂ）に示すＹ成分信号は、それぞれＬＦ２’、ＬＦ１’に対応する。
【００５９】
この場合、ステップＳ７０において、リフトオフ量の評価は、図１２に示した検量線の特性Ａ’を利用してリフトオフ量を算出する。
【００６０】
一方、これ以外の場合（Ｖ０＝Ｖ１）、リサージュ波形では図１５に示すような場合で、大きなリフトオフ量の状態で設置した場合である。最大値Ｖ０と設置後の信号値Ｖ１は点ＬＦ１’で、同一点となる。
【００６１】
この場合、ステップＳ８０Ａにおいて、リフトオフ量の評価は、このリフトオフ量の評価は、全てリフトオフＸ以上として評価する。例えば、Ｘ以上と評価された場合、再度プローブの設置作業を実施して設置状態が良好となるように調整する。
【００６２】
このようにして算出されたリフトオフ量から、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できるので、適切な探傷が実施可能となる。
【００６３】
以上説明したように、本実施形態によれば、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できるものとなる。
【００６４】
次に、図１６を用いて、本発明の各実施形態による渦電流探傷方法におけるリフトオフ特性の評価法の他の例について説明する。
図１６は、本発明の各実施形態による渦電流探傷方法におけるリフトオフ特性の評価法の他の例の説明図である。
【００６５】
図９のステップＳ５０若しくは図１３のステップＳ５０Ａに関し、図１０若しくは図１４の説明では、リフトオフ特性信号のＹ成分で評価している。それに対して、探傷器の位相設定により、図１６（Ａ）に示すようにＸ成分で上に凸となる特性を示す場合がある。リサージュ波形で図１６（Ａ）に示すようなリフトオフ特性の場合は、図１６（Ｂ）に示すように、Ｘ成分波形に最大値Ｖ０が発生する。この状態での評価手順は、Ｘ成分で上述したＹ成分と同様に検量線を求め、Ｘ成分で最大値Ｖ０及び設置後の信号値Ｖ１を求めるようにすることで、同様の評価が可能となる。なお、図１６（Ｃ）はＹ成分波形を示している。
【００６６】
次に、図１７及び図１８を用いて、本発明の第３の実施形態による渦電流探傷方法について説明する。なお、本実施形態による渦電流探傷方法にて用いるフレキシブルなマルチコイルプローブの構成は、図１に示したものと同様である。
【００６７】
最初に、図１７を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法で対象とするリサージュ図形について説明する。
図１７は、本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法で対象とするリサージュ図形の説明図である。
【００６８】
ここで、探傷器の内部処理等の違いにより、リフトオフによるリサージュ波形が反転や転地されて出力される場合がある。本実施形態は、このような場合に適応できるものである。
【００６９】
ここで、図１７（Ａ）に示すように、リサージュ波形のリフトオフ特性となり、対応するＸ成分波形は図１７（Ｂ）に示すようになり、Ｙ成分波形は図１７（Ｃ）に示すようになる。ここで、図１７（Ｃ）に示すように、Ｙ成分波形は下に凸となる。評価手順は、図１８を用いて説明するが、最大値Ｖ０及び設置後の信号値Ｖ１の大小比較が逆となる。
【００７０】
次に、図１８を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法について説明する。
図１８は、本発明の第３の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法を示すフローチャートである。
【００７１】
ステップＳ１０において、検査面に設置する前の状態で出力信号の０Ｖ設定を実施する。例えば、図１４（Ａ）に示すように、プローブＰを検査面に設置する前の状態で、出力信号のＹ成分及びＸ成分が点ＬＦ３’のようにそれぞれ０Ｖとなるように、設定する。
【００７２】
次に、ステップＳ２０において、測定を開始し、ステップＳ３０において、その後プローブＰを検査面に接近させて、最終的に検査面にプローブＰを押し付けて設置する。この間の信号を検出することで、ステップＳ４０において、信号測定終了となる。
【００７３】
次に、ステップＳ５０Ａにおいて、励磁コイルと検出コイルが曲面方向と同じ方向に配置されている検出コイル信号に対して、Ｘ又はＹ成分のうち、リフトオフ特性で上に凸となる傾向を示す成分に関して、最大値Ｖ０及び設置後の信号値Ｖ１を抽出する。例えば、図１４（Ａ）に示す例では、点ＬＦ２’の時のＹ成分が最大電圧Ｖ０となり、プローブＰが検査面に押し付けられた時の点ＬＦ１’のＹ成分が設置後の電圧Ｖ１となる。
【００７４】
そして、ステップＳ６０Ｂにおいて、電圧Ｖ０と電圧Ｖ１の大小比較を実施する。Ｖ０＜Ｖ１の場合、ステップＳ７０において、リサージュ波形の最小点に対応するリフトオフ量より小さい領域の検量線を利用してリフトオフ量を算出する。検量線は、Ｙ成分が下に凸となる状態で予め作成しておく
一方、これ以外の場合（Ｖ０＝Ｖ１）、 リサージュ波形の最小点に対応するリフトオフ量より大きな領域の検量線を利用するリフトオフ量を算出する。
【００７５】
このようにして算出されたリフトオフ量から、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できるので、適切な探傷が実施可能となる。
【００７６】
以上説明したように、本実施形態によれば、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できるものとなる。
【００７７】
次に、図１９を用いて、本発明の第４の実施形態による渦電流探傷方法について説明する。なお、本実施形態による渦電流探傷方法にて用いるフレキシブルなマルチコイルプローブの構成は、図１に示したものと同様である。
図１９は、本発明の第４の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法を示すフローチャートである。
【００７８】
本実施形態は、図１３に示した第２の実施形態において、図１８に示した第３の実施形態のように、 リフトオフによるリサージュ波形が反転や転地されて出力される場合の例である。
【００７９】
ステップＳ１０において、検査面に設置する前の状態で出力信号の０Ｖ設定を実施する。例えば、図１４（Ａ）に示すように、プローブＰを検査面に設置する前の状態で、出力信号のＹ成分及びＸ成分が点ＬＦ３’のようにそれぞれ０Ｖとなるように、設定する。
【００８０】
次に、ステップＳ２０において、測定を開始し、ステップＳ３０において、その後プローブＰを検査面に接近させて、最終的に検査面にプローブＰを押し付けて設置する。この間の信号を検出することで、ステップＳ４０において、信号測定終了となる。
【００８１】
次に、ステップＳ５０Ａにおいて、励磁コイルと検出コイルが曲面方向と同じ方向に配置されている検出コイル信号に対して、Ｘ又はＹ成分のうち、リフトオフ特性で上に凸となる傾向を示す成分に関して、最大値Ｖ０及び設置後の信号値Ｖ１を抽出する。例えば、図１４（Ａ）に示す例では、点ＬＦ２’の時のＹ成分が最大電圧Ｖ０となり、プローブＰが検査面に押し付けられた時の点ＬＦ１’のＹ成分が設置後の電圧Ｖ１となる。
【００８２】
そして、ステップＳ６０Ｂにおいて、電圧Ｖ０と電圧Ｖ１の大小比較を実施する。Ｖ０＜Ｖ１の場合、ステップＳ７０において、リサージュ波形の最小点に対応するリフトオフ量より小さい領域の検量線を利用してリフトオフ量を算出する。検量線は、Ｙ成分が下に凸となる状態で予め作成しておく。
【００８３】
一方、これ以外の場合（Ｖ０＝Ｖ１）、ステップＳ８０Ａにおいて、このリフトオフ量の評価は、全てＸとして評価する。例えば、Ｘと評価された場合、再度プローブの設置作業を実施して設置状態が良好となるように調整する。
【００８４】
このようにして算出されたリフトオフ量から、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できるので、適切な探傷が実施可能となる。
【００８５】
以上説明したように、本実施形態によれば、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できるものとなる。
【００８６】
なお、第３と４の実施形態は、リフトオフ特性信号のＹ成分で評価した例であったが、探傷器の位相設定により、Ｘ成分で下に凸となる特性を示す場合がある。この状態での評価手順は、Ｘ成分で検量線を求め、Ｘ成分で最大値Ｖ０及び設置後の信号値Ｖ１を求めるようにすることで同様の評価が可能となる。
【００８７】
以上説明したように、本発明の各実施形態によれば、プローブの曲がりの影響を受けないコイル配置による信号を測定して、リサージュ波形のＸ成分又はＹ成分の何れかに着目し、ピーク値からの信号変化分を利用して、プローブの密着性を確認することができる。したがって、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できるので、適切な探傷が実施可能となる。
【００８８】
次に、図２０〜図２２を用いて、本発明の各実施形態による渦電流探傷方法に用いるプローブの他の構成について説明する。
図２０及び図２１は、本発明の各実施形態による渦電流探傷方法に用いるプローブの他の構成の説明図である。
【００８９】
図２０は、マルチプローブＰ１の他の構成を示している。
【００９０】
マルチコイルプローブＰ１は、可撓性基板１に、複数のコイル１Ａ，２Ａ，…，（ｎ＋１）Ａ，１Ｃ，２Ｃ，…，（ｎ＋１）Ｃを、規則的に取り付けたものとして構成される。図示の例では、コイル１Ａ，２Ａ，…，（ｎ＋１）Ａは、可撓性基板１の長手方向に等間隔で配置される。また、コイル１Ｃ，２Ｃ，…，（ｎ＋１）Ｃも、可撓性基板１の長手方向に等間隔で配置される。コイル１Ａ，２Ａ，…，（ｎ＋１）Ａと、コイル１Ｃ，２Ｃ，…，（ｎ＋１）Ｃとは、可撓性基板１の短手方向において、同じ位置に配置される。
【００９１】
ここで、可撓性基板１の性質により、プローブ自体が曲がることで、被検査面の曲率に密着させることができる。
【００９２】
複数のコイル１Ａ，２Ａ，…，（ｎ＋１）Ａ，１Ｃ，２Ｃ，…，（ｎ＋１）Ｃの内、例えば、コイル１Ａを励磁コイルとして用いて、検査部に渦電流を発生させ、励磁コイル以外の、例えば、コイル２Ａを検出コイルとして用いることで、検出信号を得ることができる。
【００９３】
本実施形態のマルチコイルプローブは、励磁コイルと検出コイルを有する相互誘導形標準比較型の渦電流探傷プローブであり、プローブと被検査面との距離（リフトオフ）に対応して信号が発生する。
【００９４】
図２１は、シングルプローブＰ２の一例の構成を示している。
【００９５】
シングルプローブＰ２は、可撓性基板１に、複数のコイル１Ｄ，１Ｅを取り付けたものとして構成される。
【００９６】
ここで、可撓性基板１の性質により、プローブ自体が曲がることで、被検査面の曲率に密着させることができる。
【００９７】
複数のコイル１Ｄ，１Ｅの内、例えば、コイル１Ｄを励磁コイルとして用いて、検査部に渦電流を発生させ、励磁コイル以外の、例えば、コイル１Ｅを検出コイルとして用いることで、検出信号を得ることができる。
【００９８】
本実施形態のシングルプローブは、励磁コイルと検出コイルを有する相互誘導形標準比較型の渦電流探傷プローブであり、プローブと被検査面との距離（リフトオフ）に対応して信号が発生する。
【００９９】
図２２は、シングルプローブＰ３の他の例の構成を示している。
【０１００】
シングルプローブＰ３は、可撓性基板１に、複数のコイル１Ｆ，２Ｆ，１Ｇ，２Ｇを取り付けたものとして構成される。
【０１０１】
ここで、可撓性基板１の性質により、プローブ自体が曲がることで、被検査面の曲率に密着させることができる。
【０１０２】
複数のコイル１Ｆ，２Ｆ，１Ｇ，２Ｇの内、例えば、コイル１Ｆを励磁コイルとして用いて、検査部に渦電流を発生させ、励磁コイル以外の、例えば、コイル２Ｆや１Ｇを検出コイルとして用いることで、検出信号を得ることができる。
【０１０３】
本実施形態のマルチコイルプローブは、励磁コイルと検出コイルを有する相互誘導形標準比較型の渦電流探傷プローブであり、プローブと被検査面との距離（リフトオフ）に対応して信号が発生する。
【符号の説明】
【０１０４】
Ｐ…プローブ
１…可撓性基板
１Ａ，１Ｂ…コイル
１０…試験体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、渦電流探傷方法に係り、特に、被検査体に対するプローブの密着性を確認するに好適な渦電流探傷方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
渦電流探傷法は、導電性の被検査体を対象としてコイルにより発生する交流磁場により、被試験体に渦電流を誘起させ、欠陥による渦電流の乱れに起因するコイルのインピーダンス変化から欠陥の有無を評価する手法である。ここで、渦電流探傷はプローブと被検査体の距離であるリフトオフの変化によっても、信号が発生する。この特性を利用することでリフトオフを測定することが可能である。
【０００３】
一方、プローブとして、広範囲の測定や曲面の検査が可能である複数のコイルを規則的に配列したフレキシブルに曲がるマルチコイルプローブが開発されている（例えば、引用文献１参照）。フレキシブルなプローブを用いることで、曲面の検査が可能となった。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】第８回表面探傷シンポジウム講演論文集ｐ．１３９−１４２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、引用文献１記載のプローブで曲面の検査をする場合、検査面に密着しているかを評価することが必要となる。特に遠隔操作による狭隘部の検査では、検査面に対して適切に設置できたかの確認が重要となる。
【０００６】
上述したリフトオフ変化による信号を利用して検査面への設置を評価する方法があるが、特許文献１記載のフレキシブルなプローブを用いた場合、リフトオフ信号にプローブの曲がりによる信号が重畳するため、リフトオフ量を精度良く評価できないという問題があった。
【０００７】
本発明の目的は、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できる渦電流探傷方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）上記目的を達成するために、本発明は、励磁コイルと検出コイルの並び方向が検査面の曲面方向と同じ渦電流探傷プローブを用いて、前記検査面に前記渦電流プローブを設置する前から、設置するまで信号において、Ｘ又はＹ成分のいずれかの最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１の大小関係を比較する工程と、前記渦電流プローブを前記検査面に密着させる際に発生する検出のＸ成分又はＹ成分の信号値とリフトオフの特性と前記最大値信号値Ｖ０と前記設置時点の信号値Ｖ１のいずれかを用いて、前記リフトオフ特性からリフトオフ値を求める工程を備えるようにしたものである。
かかる方法により、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できるものとなる。
【０００９】
（２）また、上記目的を達成するために、本発明は、励磁コイルと検出コイルの並び方向が検査面の曲面方向と同じ渦電流探傷プローブを用いて、前記検査面に前記渦電流プローブを設置する前から、設置するまで信号において、Ｘ成分信号又はＹ成分信号から、最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１の大小関係を比較する工程と、前記渦電流プローブを前記検査面に密着させる際に発生する上に凸となる電圧特性を有するＸ成分又はＹ成分の最大値からの差電圧値とリフトオフの特性と、前記最大値信号値Ｖ０と前記設置時点の信号値Ｖ１との差電圧値を用いて、前記リフトオフ特性からリフトオフ値を求める工程を備えるようにしたものである。
かかる方法により、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できるものとなる。
【００１０】
（３）また、上記目的を達成するために、本発明は、励磁コイルと検出コイルの並び方向が検査面の曲面方向と同じ渦電流探傷プローブを用いて、前記検査面に前記渦電流プローブを設置する前から、設置するまで信号において、Ｘ成分信号又はＹ成分信号から、最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１の大小関係を比較する工程と、前記渦電流プローブを試験体に密着させる際に発生する下に凸となる電圧特性有するＸ成分又はＹ成分の最大値からの差電圧値とリフトオフの特性と、前記最大値信号値Ｖ０と前記設置時点の信号値Ｖ１との差電圧値を用いて、前記リフトオフ特性からリフトオフ値を求める工程を備えるようにしたものである。
かかる方法により、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できるものとなる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法にて用いるフレキシブルなマルチコイルプローブの構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法にて用いるマルチコイルプローブの曲がりの影響の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法にて用いるマルチコイルプローブの曲がりの影響の説明図である。
【図４】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法にて用いるマルチコイルプローブの曲がりの影響の説明図である。
【図５】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法における、リフトオフ信号と検査面の曲率の影響の説明図である。
【図６】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法における、リフトオフ信号と検査面の曲率の影響の説明図である。
【図７】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法における、リフトオフ信号と検査面の曲率の影響の説明図である。
【図８】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法における、リフトオフ信号とリフトオフ量の関係を示す検量線の説明図である。
【図９】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法の説明図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法の説明図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法で用いる検量線の説明図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法を示すフローチャートである。
【図１４】本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法の説明図である。
【図１５】本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法の説明図である。
【図１６】本発明の各実施形態による渦電流探傷方法におけるリフトオフ特性の評価法の他の例の説明図である。
【図１７】本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法で対象とするリサージュ図形の説明図である。
【図１８】本発明の第３の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法を示すフローチャートである。
【図１９】本発明の第４の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法を示すフローチャートである。
【図２０】本発明の各実施形態による渦電流探傷方法に用いるプローブの他の構成の説明図である。
【図２１】本発明の各実施形態による渦電流探傷方法に用いるプローブの他の構成の説明図である。
【図２２】本発明の各実施形態による渦電流探傷方法に用いるプローブの他の構成の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図１〜図１１を用いて、本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法について説明する。
最初に、図１を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法にて用いるフレキシブルなマルチコイルプローブの構成について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法にて用いるフレキシブルなマルチコイルプローブの構成の説明図である。図１（Ａ）は平面図であり、図１（Ｂ）は正面図である。
【００１４】
マルチコイルプローブＰは、可撓性基板１に、複数のコイル１Ａ，２Ａ，…，（ｎ＋１）Ａ，１Ｂ，２Ｂ，…，（ｎ＋１）Ｂを、規則的に取り付けたものとして構成される。図示の例では、コイル１Ａ，２Ａ，…，（ｎ＋１）Ａは、可撓性基板１の長手方向に等間隔で配置される。また、コイル１Ｂ，２Ｂ，…，（ｎ＋１）Ｂも、可撓性基板１の長手方向に等間隔で配置される。コイル１Ａ，２Ａ，…，（ｎ＋１）Ａと、コイル１Ｂ，２Ｂ，…，（ｎ＋１）Ｂとは、可撓性基板１の短手方向において、互い違いに、すなわち、千鳥配置で配置される。
【００１５】
ここで、可撓性基板１の性質により、プローブ自体が曲がることで、被検査面の曲率に密着させることができる。
【００１６】
複数のコイル１Ａ，２Ａ，…，（ｎ＋１）Ａ，１Ｂ，２Ｂ，…，（ｎ＋１）Ｂの内、例えば、コイル１Ａを励磁コイルとして用いて、検査部に渦電流を発生させ、励磁コイル以外の、例えば、コイル２Ａを検出コイルとして用いることで、検出信号を得ることができる。
【００１７】
本実施形態のマルチコイルプローブは、励磁コイルと検出コイルを有する相互誘導形標準比較型の渦電流探傷プローブであり、プローブと被検査面との距離（リフトオフ）に対応して信号が発生する。
【００１８】
次に、図２〜図４を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法にて用いるマルチコイルプローブの曲がりの影響について説明する。
図２〜図４は、本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法にて用いるマルチコイルプローブの曲がりの影響の説明図である。
【００１９】
ここでは、励磁及び検出コイルの例として、図１に示したコイルｎＡを励磁コイルとしてこの励磁コイルにより励磁して、コイル（ｎ＋１）Ａ，ｎＢを検出コイルとして利用する場合の、プローブの曲がりによる影響について説明する。
【００２０】
図２において、図２（Ａ）は、プローブＰを平坦に伸ばした状態である。それに対して、図２（Ｂ）はプローブＰを曲げた状態である。
【００２１】
図３は、図２（Ａ）から図２（Ｂ）の状態にプローブの平坦度を変えた場合の、検出コイル（ｎ＋１）Ａからの検出信号のリサージュ図形を示している。なお、検出コイルｎＢからは信号は発生しないものである。
【００２２】
図３において、図２（Ａ）のようにプローブを平坦に伸ばした状態におけるＸ成分及びＹ成分の出力を原点Ａとする。この状態から、図２（Ｂ）に示すようにプローブを曲げると、それに応じて、リサージュ図形は、点Ａから点Ｂに変化する。
【００２３】
これは、プローブが曲がることにより、図２に示した励磁コイルｎＡと検出コイル（ｎ＋１）Ａの間隔が変化することに起因する現象である。例えば、図４に示すように、励磁コイル１Ａと検出コイル２Ａは、曲げによりコイル間隔の変化することから、検出コイル２Ａと鎖交する磁束５が変化し信号が発生する。
【００２４】
これに対して、検出コイル１Ｂは、検出コイル２Ａとほぼ９０度異なる位置に配置している，すなわち、可撓性基板１の短手方向に配列されているため、図２（Ｂ）に示すように、プローブの可撓性基板１が長手方向に曲げられたとしても、短手方向には曲げられないため、検出コイルｎＢからは信号は発生しないものである。つまり、図４の紙面に垂直な方向（以下、「曲面方向」と称する）に励磁コイルと検出コイルが配置される位置関係では、プローブが曲がることによるコイル間隔変化がないため、信号は発生しないものである。
【００２５】
次に、図５〜図７を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法における、リフトオフ信号と検査面の曲率の影響について説明する。
図５〜図７は、本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法における、リフトオフ信号と検査面の曲率の影響の説明図である。
【００２６】
ここでは、プローブ曲がりによる信号が発生しない、励磁コイルと検出コイルの位置関係が曲面方向である場合に関して説明する。すなわち、例えば、図１に示したコイルｎＡを励磁コイルとして用い、コイルｎＢを検出コイルとして用いる。
【００２７】
特性評価として、図５に示すように、プローブＰを平面状の試験体１０に配置した「状態３」から、プローブＰを離した「状態１」とし、この間の、リフトオフ量を増大させていく場合の信号を検出して、特性を評価する。
【００２８】
また、図６に示すように、プローブＰを曲面を有する試験体１０’の表面に配置した「状態４」から、プローブＰを曲げたままの状態で、試験体１０’の表面から離していく信号、つまり、リフトオフ量を増大させていく特性を測定する。
【００２９】
図７は、励磁コイルと検出コイルの間隔５ｍｍ、試験周波数１００ｋＨｚでの実測結果を示している。試験体としては、曲率半径３０ｍｍ，６５ｍｍ，１００ｍｍの曲面を有する試験体と、平面を有する試験体の４種類を用いている。
【００３０】
そして、プローブＰが試験体の表面に接触している状態における検出信号のＸ方向成分及びＹ方向成分がそれぞれ０となるように、０点調整し、その後、図５若しくは図６にて説明したように、プローブを試験体の表面から徐々に離し、そのときのプローブの検出コイルからの信号によりリサージュ図形を描いたものが、図７である。
【００３１】
図７において、実線は、試験体が平板の場合のリフトオフ信号のリサージュ図形を示し、破線は、試験体が曲率半径１００ｍｍの曲面を有する試験体の場合のリフトオフ信号のリサージュ図形を示している。一点鎖線は試験体が曲率半径６５ｍｍの曲面を有する試験体の場合のリフトオフ信号のリサージュ図形を示し、２点鎖線は試験体が曲率半径３０ｍｍの曲面を有する試験体の場合のリフトオフ信号のリサージュ図形を示している。
【００３２】
図７より、励磁コイルと検出コイルの位置関係が曲面方向である条件では、リフトオフによる信号はほぼ同じように発生することが分かる。図７において、符号ＬＦ１で示すＸ成分電圧及びＹ成分電圧が０であり、プローブＰが試験体に接触している場合の信号である。それに対して、プローブＰが試験体から離れると、図７の例では、Ｙ成分電圧が増加し、Ｘ成分電圧が減少する。符号ＬＦ２の付近においてＹ成分電圧が最大となる。この状態からさらにプローブＰを試験体から離すと、Ｙ成分電圧が減少し、Ｘ成分電圧は減少する。
【００３３】
このように、励磁コイルと検出コイルの位置関係が曲面方向である場合、リフトオフ信号は曲率の影響を殆ど受けないといえる。そこで、本実施形態では、この特性を利用することで、検査面の曲率に関係なくリフトオフを評価するようにしている。
【００３４】
次に、図８を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法における、リフトオフ信号とリフトオフ量の関係を示す検量線について説明する。
図８は、本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法における、リフトオフ信号とリフトオフ量の関係を示す検量線の説明図である。
【００３５】
図８は、平板の試験体による試験結果を基に作成した検量線を示している。図８において、縦軸の信号電圧は、図７におけるＹ成分電圧を示し、横軸はリフトオフ量（プローブと試験体の距離）を示している。
【００３６】
検量線は、図７のプローブの密着状態を示す点ＬＦ１から、リフトオフの増加による通過点を示す点ＬＦ２を示す特性と、点ＬＦ２から点ＬＦ３までの変化を示す特性Ｂから構成される。
【００３７】
この特性を利用して、図８にて後述する手順により、曲面にプローブを設置した際のリフトオフ量を評価できる。
【００３８】
次に、図９〜図１１を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法について説明する。
図９は、本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法を示すフローチャートである。図１０及び図１１は、本発明の第１の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法の説明図である。図１０（Ａ）はリサージュ図形を示し、図１０（Ｂ）はＹ信号成分の時間変化を示している。図１１（Ａ）はリサージュ図形を示し、図１１（Ｂ）はＹ信号成分の時間変化を示している。
【００３９】
ステップＳ１０において、検査面に設置する前の状態で出力信号の０Ｖ設定を実施する。例えば、図１０（Ａ）に示すように、プローブＰを検査面に設置する前の状態で、出力信号のＹ成分及びＸ成分が点ＬＦ３’のようにそれぞれ０Ｖとなるように、設定する。
【００４０】
次に、ステップＳ２０において、測定を開始し、ステップＳ３０において、その後プローブＰを検査面に接近させて、最終的に検査面にプローブＰを押し付けて設置する。この間の信号を検出することで、ステップＳ４０において、信号測定終了となる。
【００４１】
次に、ステップＳ５０において、励磁コイルと検出コイルが曲面方向と同じ方向に配置されている検出コイル信号に関して、最大値Ｖ０及び設置後の信号値Ｖ１を抽出する。例えば、図１０（Ａ）に示す例では、点ＬＦ２’の時のＹ成分が最大電圧Ｖ０となり、プローブＰが検査面に押し付けられた時の点ＬＦ１’のＹ成分が設置後の電圧Ｖ１となる。
【００４２】
そして、ステップＳ６０において、電圧Ｖ０と電圧Ｖ１の大小比較を実施する。Ｖ０＞Ｖ１の場合、リサージュ波形では図１０に示すような場合である。最大値Ｖ０は点ＬＦ２’であり、設置後の信号値Ｖ１は点ＬＦ１’である。この値は、図１０（Ｂ）に示すＹ成分信号は、それぞれＬＦ２’、ＬＦ１’に対応する。
【００４３】
この場合、ステップＳ７０において、リフトオフ量の評価は、図８に示した検量線の特性Ａを利用してリフトオフ量を算出する。
【００４４】
一方、これ以外の場合（Ｖ０＝Ｖ１）、リサージュ波形では図１１に示すような場合で、大きなリフトオフ量の状態で設置した場合である。最大値Ｖ０と設置後の信号値Ｖ１は点ＬＦ１’で、同一点となる。
【００４５】
この場合、ステップＳ８０において、リフトオフ量の評価は、図８に示した検量線の特性Ｂを利用してリフトオフ量を算出する。
【００４６】
このようにして算出されたリフトオフ量から、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できるので、適切な探傷が実施可能となる。
【００４７】
以上説明したように、本実施形態によれば、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できるものとなる。
【００４８】
次に、図１２〜図１５を用いて、本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法について説明する。なお、本実施形態による渦電流探傷方法にて用いるフレキシブルなマルチコイルプローブの構成は、図１に示したものと同様である。
【００４９】
最初に、図１２を用いて、本実施形態で用いる検量線について説明する。
図１２は、本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法で用いる検量線の説明図である。
【００５０】
本実施形態は、プローブを検査面に設置する過程において、検査面以外の近傍構造物と接近又は接触するような場合に適用される。この状態では、測定開始時点で構造物の信号が含まれている可能性があるため、上述した第１の実施形態で示した測定開始時点を基準点とすると、誤差を生じるために正確に評価できなくなる。そこで、基準点を図８の最大点ＬＦ２とする。
【００５１】
図１２は、基準点を図８の最大点ＬＦ２とした場合の検量線を示している。検量線は、横軸にリフトオフ量、縦軸にＹ成分信号における図８の最大点ＬＦ２からの差電圧として整理したものを利用する。
【００５２】
図８のプローブの密着状態を示す点ＬＦ１からリフトオフの増加による通過点を示す点ＬＦ２’（リフトオフ量Ｘ）の特性Ａ’を示す。
【００５３】
図８の最大点ＬＦ２に対する差電圧を利用するため、リフトオフ量Ｘを越える領域に関しては、正確なリフトオフ量を求められないため、リフトオフ量は一律Ｘとの判定となる。ここで、リフトオフ量Ｘは、例えば、１ｍｍ程度である。一般に適切な探傷を行うためには、リフトオフ量は１ｍｍ以下にする必要がある。従って、本実施形態のように、リフトオフ量Ｘ（例えば、１ｍｍ）以上の領域のリフトオフ量が求められないとしても、格別問題になるものではない。
【００５４】
次に、図１３〜図１５を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法について説明する。
図１３は、本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法を示すフローチャートである。図１４及び図１５は、本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法の説明図である。図１４（Ａ）はリサージュ図形を示し、図１４（Ｂ）はＹ信号成分の時間変化を示している。図１５（Ａ）はリサージュ図形を示し、図１５（Ｂ）はＹ信号成分の時間変化を示している。
【００５５】
ステップＳ１０において、検査面に設置する前の状態で出力信号の０Ｖ設定を実施する。例えば、図１４（Ａ）に示すように、プローブＰを検査面に設置する前の状態で、出力信号のＹ成分及びＸ成分が点ＬＦ３’のようにそれぞれ０Ｖとなるように、設定する。
【００５６】
次に、ステップＳ２０において、測定を開始し、ステップＳ３０において、その後プローブＰを検査面に接近させて、最終的に検査面にプローブＰを押し付けて設置する。この間の信号を検出することで、ステップＳ４０において、信号測定終了となる。
【００５７】
次に、ステップＳ５０Ａにおいて、励磁コイルと検出コイルが曲面方向と同じ方向に配置されている検出コイル信号に対して、Ｘ又はＹ成分のうち、リフトオフ特性で上に凸となる傾向を示す成分に関して、最大値Ｖ０及び設置後の信号値Ｖ１を抽出する。例えば、図１４（Ａ）に示す例では、点ＬＦ２’の時のＹ成分が最大電圧Ｖ０となり、プローブＰが検査面に押し付けられた時の点ＬＦ１’のＹ成分が設置後の電圧Ｖ１となる。
【００５８】
そして、ステップＳ６０において、電圧Ｖ０と電圧Ｖ１の大小比較を実施する。Ｖ０＞Ｖ１の場合、リサージュ波形では図１０に示すような場合である。最大値Ｖ０は点ＬＦ２’であり、設置後の信号値Ｖ１は点ＬＦ１’である。この値は、図１３（Ｂ）に示すＹ成分信号は、それぞれＬＦ２’、ＬＦ１’に対応する。
【００５９】
この場合、ステップＳ７０において、リフトオフ量の評価は、図１２に示した検量線の特性Ａ’を利用してリフトオフ量を算出する。
【００６０】
一方、これ以外の場合（Ｖ０＝Ｖ１）、リサージュ波形では図１５に示すような場合で、大きなリフトオフ量の状態で設置した場合である。最大値Ｖ０と設置後の信号値Ｖ１は点ＬＦ１’で、同一点となる。
【００６１】
この場合、ステップＳ８０Ａにおいて、リフトオフ量の評価は、このリフトオフ量の評価は、全てリフトオフＸ以上として評価する。例えば、Ｘ以上と評価された場合、再度プローブの設置作業を実施して設置状態が良好となるように調整する。
【００６２】
このようにして算出されたリフトオフ量から、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できるので、適切な探傷が実施可能となる。
【００６３】
以上説明したように、本実施形態によれば、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できるものとなる。
【００６４】
次に、図１６を用いて、本発明の各実施形態による渦電流探傷方法におけるリフトオフ特性の評価法の他の例について説明する。
図１６は、本発明の各実施形態による渦電流探傷方法におけるリフトオフ特性の評価法の他の例の説明図である。
【００６５】
図９のステップＳ５０若しくは図１３のステップＳ５０Ａに関し、図１０若しくは図１４の説明では、リフトオフ特性信号のＹ成分で評価している。それに対して、探傷器の位相設定により、図１６（Ａ）に示すようにＸ成分で上に凸となる特性を示す場合がある。リサージュ波形で図１６（Ａ）に示すようなリフトオフ特性の場合は、図１６（Ｂ）に示すように、Ｘ成分波形に最大値Ｖ０が発生する。この状態での評価手順は、Ｘ成分で上述したＹ成分と同様に検量線を求め、Ｘ成分で最大値Ｖ０及び設置後の信号値Ｖ１を求めるようにすることで、同様の評価が可能となる。なお、図１６（Ｃ）はＹ成分波形を示している。
【００６６】
次に、図１７及び図１８を用いて、本発明の第３の実施形態による渦電流探傷方法について説明する。なお、本実施形態による渦電流探傷方法にて用いるフレキシブルなマルチコイルプローブの構成は、図１に示したものと同様である。
【００６７】
最初に、図１７を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法で対象とするリサージュ図形について説明する。
図１７は、本発明の第２の実施形態による渦電流探傷方法で対象とするリサージュ図形の説明図である。
【００６８】
ここで、探傷器の内部処理等の違いにより、リフトオフによるリサージュ波形が反転や転地されて出力される場合がある。本実施形態は、このような場合に適応できるものである。
【００６９】
ここで、図１７（Ａ）に示すように、リサージュ波形のリフトオフ特性となり、対応するＸ成分波形は図１７（Ｂ）に示すようになり、Ｙ成分波形は図１７（Ｃ）に示すようになる。ここで、図１７（Ｃ）に示すように、Ｙ成分波形は下に凸となる。評価手順は、図１８を用いて説明するが、最大値Ｖ０及び設置後の信号値Ｖ１の大小比較が逆となる。
【００７０】
次に、図１８を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法について説明する。
図１８は、本発明の第３の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法を示すフローチャートである。
【００７１】
ステップＳ１０において、検査面に設置する前の状態で出力信号の０Ｖ設定を実施する。例えば、図１４（Ａ）に示すように、プローブＰを検査面に設置する前の状態で、出力信号のＹ成分及びＸ成分が点ＬＦ３’のようにそれぞれ０Ｖとなるように、設定する。
【００７２】
次に、ステップＳ２０において、測定を開始し、ステップＳ３０において、その後プローブＰを検査面に接近させて、最終的に検査面にプローブＰを押し付けて設置する。この間の信号を検出することで、ステップＳ４０において、信号測定終了となる。
【００７３】
次に、ステップＳ５０Ａにおいて、励磁コイルと検出コイルが曲面方向と同じ方向に配置されている検出コイル信号に対して、Ｘ又はＹ成分のうち、リフトオフ特性で上に凸となる傾向を示す成分に関して、最大値Ｖ０及び設置後の信号値Ｖ１を抽出する。例えば、図１４（Ａ）に示す例では、点ＬＦ２’の時のＹ成分が最大電圧Ｖ０となり、プローブＰが検査面に押し付けられた時の点ＬＦ１’のＹ成分が設置後の電圧Ｖ１となる。
【００７４】
そして、ステップＳ６０Ｂにおいて、電圧Ｖ０と電圧Ｖ１の大小比較を実施する。Ｖ０＜Ｖ１の場合、ステップＳ７０において、リサージュ波形の最小点に対応するリフトオフ量より小さい領域の検量線を利用してリフトオフ量を算出する。検量線は、Ｙ成分が下に凸となる状態で予め作成しておく
一方、これ以外の場合（Ｖ０＝Ｖ１）、 リサージュ波形の最小点に対応するリフトオフ量より大きな領域の検量線を利用するリフトオフ量を算出する。
【００７５】
このようにして算出されたリフトオフ量から、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できるので、適切な探傷が実施可能となる。
【００７６】
以上説明したように、本実施形態によれば、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できるものとなる。
【００７７】
次に、図１９を用いて、本発明の第４の実施形態による渦電流探傷方法について説明する。なお、本実施形態による渦電流探傷方法にて用いるフレキシブルなマルチコイルプローブの構成は、図１に示したものと同様である。
図１９は、本発明の第４の実施形態による渦電流探傷方法を用いたリフトオフ量の算出方法を示すフローチャートである。
【００７８】
本実施形態は、図１３に示した第２の実施形態において、図１８に示した第３の実施形態のように、 リフトオフによるリサージュ波形が反転や転地されて出力される場合の例である。
【００７９】
ステップＳ１０において、検査面に設置する前の状態で出力信号の０Ｖ設定を実施する。例えば、図１４（Ａ）に示すように、プローブＰを検査面に設置する前の状態で、出力信号のＹ成分及びＸ成分が点ＬＦ３’のようにそれぞれ０Ｖとなるように、設定する。
【００８０】
次に、ステップＳ２０において、測定を開始し、ステップＳ３０において、その後プローブＰを検査面に接近させて、最終的に検査面にプローブＰを押し付けて設置する。この間の信号を検出することで、ステップＳ４０において、信号測定終了となる。
【００８１】
次に、ステップＳ５０Ａにおいて、励磁コイルと検出コイルが曲面方向と同じ方向に配置されている検出コイル信号に対して、Ｘ又はＹ成分のうち、リフトオフ特性で上に凸となる傾向を示す成分に関して、最大値Ｖ０及び設置後の信号値Ｖ１を抽出する。例えば、図１４（Ａ）に示す例では、点ＬＦ２’の時のＹ成分が最大電圧Ｖ０となり、プローブＰが検査面に押し付けられた時の点ＬＦ１’のＹ成分が設置後の電圧Ｖ１となる。
【００８２】
そして、ステップＳ６０Ｂにおいて、電圧Ｖ０と電圧Ｖ１の大小比較を実施する。Ｖ０＜Ｖ１の場合、ステップＳ７０において、リサージュ波形の最小点に対応するリフトオフ量より小さい領域の検量線を利用してリフトオフ量を算出する。検量線は、Ｙ成分が下に凸となる状態で予め作成しておく。
【００８３】
一方、これ以外の場合（Ｖ０＝Ｖ１）、ステップＳ８０Ａにおいて、このリフトオフ量の評価は、全てＸとして評価する。例えば、Ｘと評価された場合、再度プローブの設置作業を実施して設置状態が良好となるように調整する。
【００８４】
このようにして算出されたリフトオフ量から、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できるので、適切な探傷が実施可能となる。
【００８５】
以上説明したように、本実施形態によれば、フレキシブルなプローブを用いて、曲面の検査をする場合でも、リフトオフ量を精度良く評価できるものとなる。
【００８６】
なお、第３と４の実施形態は、リフトオフ特性信号のＹ成分で評価した例であったが、探傷器の位相設定により、Ｘ成分で下に凸となる特性を示す場合がある。この状態での評価手順は、Ｘ成分で検量線を求め、Ｘ成分で最大値Ｖ０及び設置後の信号値Ｖ１を求めるようにすることで同様の評価が可能となる。
【００８７】
以上説明したように、本発明の各実施形態によれば、プローブの曲がりの影響を受けないコイル配置による信号を測定して、リサージュ波形のＸ成分又はＹ成分の何れかに着目し、ピーク値からの信号変化分を利用して、プローブの密着性を確認することができる。したがって、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できるので、適切な探傷が実施可能となる。
【００８８】
次に、図２０〜図２２を用いて、本発明の各実施形態による渦電流探傷方法に用いるプローブの他の構成について説明する。
図２０及び図２１は、本発明の各実施形態による渦電流探傷方法に用いるプローブの他の構成の説明図である。
【００８９】
図２０は、マルチプローブＰ１の他の構成を示している。
【００９０】
マルチコイルプローブＰ１は、可撓性基板１に、複数のコイル１Ａ，２Ａ，…，（ｎ＋１）Ａ，１Ｃ，２Ｃ，…，（ｎ＋１）Ｃを、規則的に取り付けたものとして構成される。図示の例では、コイル１Ａ，２Ａ，…，（ｎ＋１）Ａは、可撓性基板１の長手方向に等間隔で配置される。また、コイル１Ｃ，２Ｃ，…，（ｎ＋１）Ｃも、可撓性基板１の長手方向に等間隔で配置される。コイル１Ａ，２Ａ，…，（ｎ＋１）Ａと、コイル１Ｃ，２Ｃ，…，（ｎ＋１）Ｃとは、可撓性基板１の短手方向において、同じ位置に配置される。
【００９１】
ここで、可撓性基板１の性質により、プローブ自体が曲がることで、被検査面の曲率に密着させることができる。
【００９２】
複数のコイル１Ａ，２Ａ，…，（ｎ＋１）Ａ，１Ｃ，２Ｃ，…，（ｎ＋１）Ｃの内、例えば、コイル１Ａを励磁コイルとして用いて、検査部に渦電流を発生させ、励磁コイル以外の、例えば、コイル２Ａを検出コイルとして用いることで、検出信号を得ることができる。
【００９３】
本実施形態のマルチコイルプローブは、励磁コイルと検出コイルを有する相互誘導形標準比較型の渦電流探傷プローブであり、プローブと被検査面との距離（リフトオフ）に対応して信号が発生する。
【００９４】
図２１は、シングルプローブＰ２の一例の構成を示している。
【００９５】
シングルプローブＰ２は、可撓性基板１に、複数のコイル１Ｄ，１Ｅを取り付けたものとして構成される。
【００９６】
ここで、可撓性基板１の性質により、プローブ自体が曲がることで、被検査面の曲率に密着させることができる。
【００９７】
複数のコイル１Ｄ，１Ｅの内、例えば、コイル１Ｄを励磁コイルとして用いて、検査部に渦電流を発生させ、励磁コイル以外の、例えば、コイル１Ｅを検出コイルとして用いることで、検出信号を得ることができる。
【００９８】
本実施形態のシングルプローブは、励磁コイルと検出コイルを有する相互誘導形標準比較型の渦電流探傷プローブであり、プローブと被検査面との距離（リフトオフ）に対応して信号が発生する。
【００９９】
図２２は、シングルプローブＰ３の他の例の構成を示している。
【０１００】
シングルプローブＰ３は、可撓性基板１に、複数のコイル１Ｆ，２Ｆ，１Ｇ，２Ｇを取り付けたものとして構成される。
【０１０１】
ここで、可撓性基板１の性質により、プローブ自体が曲がることで、被検査面の曲率に密着させることができる。
【０１０２】
複数のコイル１Ｆ，２Ｆ，１Ｇ，２Ｇの内、例えば、コイル１Ｆを励磁コイルとして用いて、検査部に渦電流を発生させ、励磁コイル以外の、例えば、コイル２Ｆや１Ｇを検出コイルとして用いることで、検出信号を得ることができる。
【０１０３】
本実施形態のマルチコイルプローブは、励磁コイルと検出コイルを有する相互誘導形標準比較型の渦電流探傷プローブであり、プローブと被検査面との距離（リフトオフ）に対応して信号が発生する。
【符号の説明】
【０１０４】
Ｐ…プローブ
１…可撓性基板
１Ａ，１Ｂ…コイル
１０…試験体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励磁コイルと検出コイルの並び方向が検査面の曲面方向と同じ渦電流探傷プローブを用いて、
前記検査面に前記渦電流プローブを設置する前から、設置するまで信号において、Ｘ又はＹ成分のいずれかの最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１の大小関係を比較する工程と、
前記渦電流プローブを前記検査面に密着させる際に発生する検出のＸ成分又はＹ成分の信号値とリフトオフの特性と前記最大値信号値Ｖ０と前記設置時点の信号値Ｖ１のいずれかを用いて、前記リフトオフ特性からリフトオフ値を求める工程を備えることを特徴とする渦電流探傷方法。
【請求項２】
励磁コイルと検出コイルの並び方向が検査面の曲面方向と同じ渦電流探傷プローブを用いて、
前記検査面に前記渦電流プローブを設置する前から、設置するまで信号において、Ｘ成分信号又はＹ成分信号から、最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１の大小関係を比較する工程と、
前記渦電流プローブを前記検査面に密着させる際に発生する上に凸となる電圧特性を有するＸ成分又はＹ成分の最大値からの差電圧値とリフトオフの特性と、前記最大値信号値Ｖ０と前記設置時点の信号値Ｖ１との差電圧値を用いて、前記リフトオフ特性からリフトオフ値を求める工程を備えることを特徴とする渦電流探傷方法。
【請求項３】
励磁コイルと検出コイルの並び方向が検査面の曲面方向と同じ渦電流探傷プローブを用いて、
前記検査面に前記渦電流プローブを設置する前から、設置するまで信号において、Ｘ成分信号又はＹ成分信号から、最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１の大小関係を比較する工程と、
前記渦電流プローブを試験体に密着させる際に発生する下に凸となる電圧特性有するＸ成分又はＹ成分の最大値からの差電圧値とリフトオフの特性と、前記最大値信号値Ｖ０と前記設置時点の信号値Ｖ１との差電圧値を用いて、前記リフトオフ特性からリフトオフ値を求める工程を備えることを特徴とする渦電流探傷方法。
【請求項１】
励磁コイルと検出コイルの並び方向が検査面の曲面方向と同じ渦電流探傷プローブを用いて、
前記検査面に前記渦電流プローブを設置する前から、設置するまで信号において、Ｘ又はＹ成分のいずれかの最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１の大小関係を比較する工程と、
前記渦電流プローブを前記検査面に密着させる際に発生する検出のＸ成分又はＹ成分の信号値とリフトオフの特性と前記最大値信号値Ｖ０と前記設置時点の信号値Ｖ１のいずれかを用いて、前記リフトオフ特性からリフトオフ値を求める工程を備えることを特徴とする渦電流探傷方法。
【請求項２】
励磁コイルと検出コイルの並び方向が検査面の曲面方向と同じ渦電流探傷プローブを用いて、
前記検査面に前記渦電流プローブを設置する前から、設置するまで信号において、Ｘ成分信号又はＹ成分信号から、最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１の大小関係を比較する工程と、
前記渦電流プローブを前記検査面に密着させる際に発生する上に凸となる電圧特性を有するＸ成分又はＹ成分の最大値からの差電圧値とリフトオフの特性と、前記最大値信号値Ｖ０と前記設置時点の信号値Ｖ１との差電圧値を用いて、前記リフトオフ特性からリフトオフ値を求める工程を備えることを特徴とする渦電流探傷方法。
【請求項３】
励磁コイルと検出コイルの並び方向が検査面の曲面方向と同じ渦電流探傷プローブを用いて、
前記検査面に前記渦電流プローブを設置する前から、設置するまで信号において、Ｘ成分信号又はＹ成分信号から、最大値信号値Ｖ０と設置時点の信号値Ｖ１の大小関係を比較する工程と、
前記渦電流プローブを試験体に密着させる際に発生する下に凸となる電圧特性有するＸ成分又はＹ成分の最大値からの差電圧値とリフトオフの特性と、前記最大値信号値Ｖ０と前記設置時点の信号値Ｖ１との差電圧値を用いて、前記リフトオフ特性からリフトオフ値を求める工程を備えることを特徴とする渦電流探傷方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２０１２−１４１２３８（Ｐ２０１２−１４１２３８Ａ）
【公開日】平成２４年７月２６日（２０１２．７．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５１０（Ｐ２０１１−５１０）
【出願日】平成２３年１月５日（２０１１．１．５）
【出願人】（５０７２５０４２７）日立ＧＥニュークリア・エナジー株式会社 (858)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月２６日（２０１２．７．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月５日（２０１１．１．５）
【出願人】（５０７２５０４２７）日立ＧＥニュークリア・エナジー株式会社 (858)
【Ｆターム（参考）】
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