説明

熱硬化性樹脂組成物及び該組成物を封止材とする半導体発光装置

【課題】カチオン硬化性が無いかあるいは低いエポキシ樹脂を、エポキシ樹脂含量を極力低下させずに熱硬化させる。
【解決手段】エポキシ樹脂と、硬化剤としての機能を発揮しない少量の酸無水物と、カチオン硬化に用いられる通常量あるいはそれ以下の量のカチオン硬化触媒とを含んだ耐紫外線性、耐熱性および体積安定性の良好な熱硬化性樹脂組成物と、該組成物を半導体発光素子の封止樹脂とした耐久性が良好で安定した光学特性を有する半導体発光装置とを実現させた。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、耐紫外線性、耐熱性に優れ、硬化後の体積変化が極めて少ない熱硬化性樹脂組成物と、該組成物を封止材とする半導体発光装置とに関する。
【背景技術】
【0002】
従来、紫外〜可視〜赤外の波長(周波数)領域の光を発光する半導体発光素子(例えば、発光ダイオード(LED)チップ)の封止材として、酸無水物系硬化剤を使ったビスフェノール系エポキシ樹脂が広く用いられてきた。
【0003】
このような透明性を有するビスフェノール系エポキシ樹脂は、LEDチップが実装される回路基板やリードフレームおよびLEDチップの近傍周囲を囲繞する樹脂パッケージなどとの接着性が高く、圧力や応力などに対する力学的な耐久性は良好であるが、紫外〜青色の短波長領域の光に対する光線透過率が低いために耐光耐久性に劣り、光劣化や熱劣化によって着色するという欠点を有していた。
【0004】
ところで、主発光ピーク波長が約350〜550nmの紫外光、あるいは青色光の短波長領域の光を発光するLEDチップは、GaN、GaAlN、InGaNおよびInAlGaNなどのGaN系化合物半導体材料を使用した高輝度のものが得られるようになっており、これらのLEDチップと蛍光物質とを組み合わせることによって高輝度白色LEDの実現も可能となっている。
【0005】
その場合、紫外〜青色の短波長領域の光を発光するLEDチップを封止する封止樹脂には、導光損失を生じないように短波長領域の光に対する透過率が高いこと、LEDチップの点灯時の自己発熱による熱や発光光に含まれる短波長領域の光による透過率の低下が生じないこと、太陽光や照明光など外部から照射される光に含まれる短波長領域の光による透過率の低下が生じないこと、などの要件が求められる。
【0006】
そこで、LEDチップを封止する封止樹脂の組成物として、非芳香族エポキシ樹脂を有効成分とする樹脂組成物が提案されている。具体的には、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートとメチルヘキサヒドロフタル酸無水物とを有効成分とするLEDチップ封止用樹脂組成物(例えば、特許文献1参照。)や、水素添加ビスフェノールA型エポキシ樹脂とメチルヘキサヒドロフタル酸無水物とを主成分とするLEDチップ封止用樹脂組成物(例えば、特許文献2及び3参照。)などが開示されている。
【0007】
上記、非芳香族エポキシ樹脂を主体として脂環式カルボン酸無水物で硬化させたエポキシ樹脂硬化物は、光劣化の要因となる炭素−炭素二重結合が重合体にほとんど存在しないために、長時間に亘って光照射を受けても比較的良好な可視光透過性を維持することができる。
【0008】
ところが、表面実装型LEDと称される半導体発光装置においては、表面実装型LEDの特徴の1つである小型、薄型化を実現するためにLEDチップを封止する封止樹脂を薄膜状に形成する必要があり、そのために酸無水物硬化系のエポキシ樹脂の使用が敬遠されることがある。
【0009】
その理由は、酸無水物硬化剤は揮発性や吸湿性が高く且つ硬化速度が遅いために表面実装型LEDの封止樹脂として使用すると揮発や吸湿の影響で硬化物の特性が変動し、十分な封止効果が得られない場合があるからである。更に、揮発性に起因して硬化後の封止樹脂の体積が減少し、表面実装型LEDの外部に対する光出射面となる封止樹脂面にヒケが発生して光出射面の形状が変わり、そのために所望する光度、配向特性などの光学特性が得られないと共に、光学特性に対する製品の再現性が損なわれて製品間のバラツキが生じる場合もあるからである。
【0010】
特に、LEDチップを封止する封止樹脂にLEDチップの発光光の少なくとも一部を波長変換する蛍光物質を添加し、LEDチップの発光光と蛍光物質による波長変換光との加法混色によってLEDチップの発光光とは異なる色調の光を放出するタイプの半導体発光装置においては、硬化後の封止樹脂の体積変化した部分ではLEDチップの光出射面から半導体発光装置の外部に対する光出射面となる封止樹脂面までの光路長が変化するためにLEDチップから出射された光が蛍光物質で波長変換される割合が変化し、半導体発光装置から外部に放出される光の色調が変化することになる。つまり、硬化後の封止樹脂の体積が減少した部分では、蛍光物質で波長変換される光の割合が減少することになる。
【0011】
また、蛍光物質には一般的に光を拡散させる性質がある。そのため、LEDチップから出射された光のうち蛍光物質で波長変換される割合が変わることによって半導体発光装置から外部に放出される光の拡散状態が変わり、配向特性も変化することになる。つまり、硬化後の封止樹脂の体積変化が半導体発光装置の発光色、指向特性などの光学特性を不安定なものにする要因となる。
【0012】
そこで、酸無水物硬化剤に替えて芳香族スルホニウム塩などのカチオン性硬化剤が用いられる場合がある。カチオン性硬化剤は揮発性が低く、酸無水物系硬化剤に比べて速やかな硬化を誘起する性質を有している。
【0013】
但し、カチオン性硬化剤は芳香族環などの炭素−炭素二重結合を分子の基本骨格として有しているものが多く、青色以下の短波長領域の光を吸収しやすく熱的にも不安定である。即ち、カチオン性硬化剤で得られる硬化物は短波長領域の光の照射や高温環境下においては黄変を生じやすいという問題を含んでいる。
【0014】
エポキシ樹脂のカチオン硬化における触媒量の低減を図る技術としては、脂環式エポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂に、特定の酸無水物あるいはジカルボン酸、およびカチオン硬化剤を加えた樹脂組成物を熱硬化させることで必要なカチオン硬化触媒を低減させたものがある(例えば、特許文献4参照。)。
【特許文献1】特開2000−196151号公報
【特許文献2】特開2003−73452号公報
【特許文献3】特開2003−12896号公報
【特許文献4】特開2003−176334号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0015】
近年、半導体発光素子を封止する封止樹脂として種々の特徴を有するエポキシ樹脂が開発されているが、エポキシ樹脂のカチオン硬化性はその化学構造に応じて変化し、比較的低温下においても速やかに硬化するものから、高温下においても反応が進行せず自立性の硬化物が得られないものまで多種多様である。
【0016】
そこで、短波長領域の光の照射や高温環境下においても黄変を生ずることがなく、カチオン硬化性が無いかあるいは低いエポキシ樹脂を半導体発光素子の封止樹脂として採用する場合には硬化剤として酸無水物を用いざるを得ない。ところがその場合、樹脂組成物中のエポキシ樹脂含量が低下するためにエポキシ樹脂が本来有している固有の特異的特長が意図したとおりには発現されないことがある。
【0017】
また、比表面積が相対的に小さい小型の表面実装型LEDの封止樹脂として使用する際には、酸無水物が揮発して硬化物の特性が変動すると共に、硬化後の封止樹脂の体積減少によって半導体発光装置の外部に対する光出射面となる封止樹脂面が極端に凹化することになる。
【0018】
そこで、本発明は上記問題に鑑みて創案なされたもので、その目的とするところは、カチオン硬化性が無いかあるいは低いエポキシ樹脂を、通常量あるいはそれ以下の量のカチオン硬化剤(特に、熱的にカチオン種を生み出す熱潜在性触媒)で硬化させる手法を提供することにある。
【0019】
特に、耐紫外線性および耐熱性に優れたトリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸(以下、TEPICと称する)はカチオン硬化性がなく、一般的な酸無水物硬化でTEPIC単独の硬化物を作ろうとするとTEPIC38重量部にメチルヘキサヒドロフタル酸無水物(新日本理化株式会社製 MH−700)62重量部(エポキシ当量に対して0.95モルに相当)を混合することになる。
【0020】
従って、TEPICの酸無水物による硬化物は上述の問題点を有しているが、本発明において当該TEPICを少量のカチオン硬化剤と少量の酸無水物とによって硬化させる手法を提供し、半導体発光装置に採用しても体積の減少(樹脂ビケ)を生じることのない封止樹脂を実現すると共に、該封止樹脂を採用した半導体発光装置を実現することを課題とした。
【0021】
また、よりTEPIC含量の多い硬化物を得ることによって、TEPICの有する優れた耐紫外線性および耐熱性を発揮する樹脂硬化物を実現することを課題とした。
【課題を解決するための手段】
【0022】
上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載された発明は、(A);下記化学式1で示されるトリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸を含有するエポキシ樹脂と、(B); エポキシ樹脂の平均エポキシ当量に対して0.001〜0.3モルの酸無水物と、(C);エポキシ樹脂100重量部に対して0.02〜0.5重量部のカチオン硬化触媒とを含む熱硬化性樹脂組成物であることを特徴とするものである。
【化3】

【0023】
また、本発明の請求項2に記載された発明は、請求項1において、(A);下記化学式1で示されるトリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸を含有するエポキシ樹脂と、(B); エポキシ樹脂の平均エポキシ当量に対して0.001〜0.3モルの酸無水物との混合物を加熱処理したものに、(C);エポキシ樹脂100重量部に対して0.02〜0.5重量部のカチオン硬化触媒を添加した熱硬化性樹脂組成物であることを特徴とするものである。
【化4】

【0024】
また、本発明の請求項3に記載された発明は、少なくとも一対のリード電極と、前記リード電極に電気的に接続された少なくとも1つの半導体発光素子と、前記半導体発光素子を封止する封止樹脂とを有する半導体発光装置であって、前記封止樹脂は、請求項1または2のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物であることを特徴とするものである。
【0025】
また、本発明の請求項4に記載された発明は、請求項3において、前記半導体発光素子は、主発光ピーク波長が550nm以下の発光ダイオードチップであることを特徴とするものである。
【0026】
また、本発明の請求項5に記載された発明は、請求項4において、前記熱硬化性樹脂組成物は、前記発光ダイオードチップからの発光光の少なくとも一部を吸収し、吸収した光の波長とは異なる波長の光を放出する少なくとも1種類の蛍光物質を含有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【0027】
本発明によれば、耐紫外線性および耐熱性に優れたトリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸を高含量で含み、硬化後の体積減少(樹脂ビケ)が起きない熱硬化性樹脂組成物と、該組成物を半導体発光素子の封止材とすることによって耐久性が良好で安定した光学特性を有する半導体発光装置とが実現できた。
【発明を実施するための最良の形態】
【0028】
トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸(TEPICあるいはトリグリシジルイソシアヌレート)はトリアジン骨格を有するエポキシ樹脂であり、耐熱性、耐薬品性、機械的強度、可視光透過性および耐候性に優れており、短波長領域の光を発光するLEDチップの封止樹脂の原料として有望視されている。
【0029】
上記エポキシ樹脂は、汎用的に用いられるポリアミン、ポリアミド、酸無水物などの硬化剤で硬化が可能であるが、一般的なエポキシ樹脂と比較してエポキシ当量が小さいために化学量論的な組成物では相対的に多量の硬化剤を必要とする。従って、トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸が硬化剤の添加で希釈されることは、本来的に持っている特徴が発揮されづらい状況下で使用されることを意味している。
【0030】
トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸は、3官能のエポキシ樹脂であって通常の硬化剤とは反応性が高く架橋密度の高い硬化物を与えるが、この化合物の単独あるいは高含量のエポキシ樹脂組成物のカチオン硬化性は非常に低い。従って、このような樹脂組成物を触媒量のカチオン硬化剤で硬化することができるようになれば、トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸の剛直なトリアジン骨格に起因する高い耐熱性、可視光透過性および耐候性を従来に増して顕在化した硬化物が得られる。
【0031】
このような状況を背景に、本発明の熱硬化性樹脂組成物が含有するエポキシ樹脂成分のうち、下記化学式1で示されるトリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸含量が高ければ高いほど特徴的な硬化物を得ることができるが、LEDチップの封止樹脂に求められる可撓性、靭性などの他の要求特性を満たすために異種のエポキシ樹脂成分や樹脂改質剤などで希釈することを妨げるものではない。
【0032】
【化5】

【0033】
トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸の希釈に有効なエポキシ樹脂としては、耐紫外線性に優れる各種脂環式エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールAジグリシジルエーテル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステルおよびエポキシ変性テトラメチルジシロキサンなどを例示できるが、本発明で希釈に使用できるエポキシ樹脂はこれらに限定されるものではなく、これらを適宜混合して用いても構わない。また、封止樹脂として要求される耐久性を損なわない範囲において、少量の炭素−炭素二重結合を有するエポキシ樹脂を補うことを妨げるものではない。更には、エポキシ樹脂と共重合可能なオキセタン樹脂や各種変性樹脂などの使用を制限するものではない。
【0034】
本発明の熱硬化性樹脂組成物が含有する酸無水物の量は、含有するエポキシ樹脂の平均エポキシ当量に対して0.001〜0.3モルであることが望ましい。エポキシ当量に対する酸無水物の比が0.001モルより小さくなると硬化不良の要因となり、極端な場合は硬化しなくなる。逆に、エポキシ当量に対する酸無水物の比が0.3モルより大きくなると、小型の表面実装型LEDを封止した際の酸無水物の気化に伴う樹脂の体積減少(樹脂ビケ)が無視できなくなる。
【0035】
本発明を構成する酸無水物としては、耐紫外線性を考慮して炭素−炭素二重結合を含まないものから適宜選択して使用することができる。好適な酸無水物を、下記化学式2〜5に例示するが、本発明を構成する酸無水物はこれらに限定されものではなく、これらを適宜混合して用いても構わない。
【0036】
【化6】

【0037】
【化7】

【0038】
【化8】

【0039】
【化9】

【0040】
本発明の熱硬化性樹脂組成物が含有するカチオン硬化剤(触媒)としては、芳香族スルホニウム塩、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ヨードニウム塩および芳香族セレニウム塩などを用いることができるが、そのなかで芳香族スルホニウムの6フッ化アンチモン塩を用いることが最も好適である。また、本発明の熱硬化性樹脂組成物が含有するエポキシ樹脂100重量部に対して、カチオン硬化剤の量が0.02〜0.5重量部であることが望ましい。硬化剤の量が0.02重量部以下になると、硬化に長い時間を要し、あるいは、より高温での処理が必要となり、硬化物の着色の要因となる。また、硬化剤の量が0.5重量部以上になると、カチオン硬化のエポキシ樹脂硬化物の欠点である短波長領域の光の照射や高温環境下で黄変を起こしやすいという性質が顕著に表れる。
【0041】
本発明の熱硬化性樹脂組成は、(A);下記化学式1で示されるトリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸を含有するエポキシ樹脂と、(B);単独では硬化剤としての機能を発揮しない少量の酸無水物と、(C);カチオン硬化に用いられる通常量あるいはそれ以下の量のカチオン硬化触媒とを含むことを特徴としている。また、(A)、(B)および(C)の混合物を一度に調製し、その組成物をそのまま熱硬化させることもできる。更に、別法として(A)および(B)の混合物を予め熱処理してエポキシ樹脂と酸無水物とを反応させて流動性を保持した架橋オリゴマーを形成した後、(C)成分のカチオン硬化剤を添加することで最終的に透光性を有する熱硬化物を得ることもできる。トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸は、常温では粉末状のエポキシ樹脂であり、この含量の高い樹脂組成物を一度に熱硬化させると、トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸の溶融と硬化反応が同時に進行するために、均一な混合がされにくく硬化ムラの要因となりやすい。従って、前述の別法による硬化が推奨される。
【0042】
【化10】

【0043】
ところで、本発明の目的は、耐紫外線性および耐熱性に優れたトリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸を高含量で含み、且つ樹脂ビケが起きない熱硬化性樹脂組成物と、該組成物を半導体発光素子の封止材とした半導体発光装置とを提供することである。従って、本目的から逸脱しない範囲内で、樹脂組成物に波長変換用蛍光物質、無機フィラー、酸化防止剤、光安定化剤、樹脂改質剤およびシランカップリング剤からなる群から選択される少なくとも1つを含めることを妨げない。
【0044】
本発明の熱硬化性樹脂組成物が与える硬化物の耐熱安定性を一層向上させるために、該組成物に酸化防止剤を添加剤として含有させることが推奨される。その場合、酸化防止剤としては例えば、フェノール系酸化防止剤(2,6−di−tert−butyl−p−cresol(以下、BHTと称する)など)、イオウ系酸化防止剤(メルカプトプロピオン酸誘導体など)、リン系酸化防止剤(9,10−dihydro−9−oxa−10−phosphaphenanthrene−10−oxide(以下、HCAと称する)など)などが挙げられる。これらの中で、フェノール系酸化防止剤を用いることが好適であり、フェノール系酸化防止剤と相対的に少量のイオウ系酸化防止剤とを併用することが更に好適である。
【0045】
本発明の樹脂組成物におけるフェノール系酸化防止剤の含有量としては、通常、組成物成分の合計100重量部に対して0.1〜4重量部程度であり、好ましくは0.2〜2重量部程度、より好ましくは0.5〜1重量部程度である。イオウ系酸化防止剤を併用する場合は、その含有量を組成物成分の合計100重量部に対して0.1重量部程度に抑えることが推奨される。
【0046】
以下、この発明の好適な実施形態を図1〜図3を参照しながら、詳細に説明する(同一部分については同じ符号を付す)。尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施形態に限られるものではない。
【0047】
そこで、2つの実施例および4つの比較例の夫々について厚さ2mmの板状プレートを作成し、一部については後述のサイドビュータイプ表面実装型LEDを作製して夫々についての評価を試みた。
【実施例1】
【0048】
高純度グレードのトリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸(日産化学工業株式会社製 TEPIC−S)100重量部、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物(新日本理化株式会社製 MH−700)1.6重量部(TEPICのエポキシ当量に対し0.01モルに相当)、およびフェノール系酸化防止剤(BHT)0.5重量部を混合し、130℃、 1時間の予備加熱処理を施した。ついで、(旭電化工業株式会社製 アデカオプトンCP−77)0.5重量部を添加して攪拌混合した樹脂組成物を樹脂整形型に流しこみ、150℃、 1時間および180℃、3時間の熱硬化処理を施してわずかに黄色味を帯びた透光性の硬化物(2mm厚の樹脂プレート)を得た。
【実施例2】
【0049】
高純度グレードのトリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸(日産化学工業株式会社製 TEPIC−S)57重量部、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル (阪本薬品工業株式会社製 SR−HHPA)43重量部、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物(新日本理化株式会社製 MH−700)1.6重量部(平均エポキシ当量に対し0.011モルに相当)、フェノール系酸化防止剤(BHT)0.5重量部、およびリン系酸化防止剤(HCA)0.1重量部を混合し、130℃、1時間の予備加熱処理を施した。ついで、カチオン硬化剤(三新化学工業株式会社製 SI−100L)0.2重量部を添加して攪拌混合した樹脂組成物を、樹脂成形型およびサイドビュータイプ表面実装型LEDのパッケージの樹脂成形部に注入し(LED一個あたりの樹脂注入量;1マイクロリットル)、130℃ 、1時間および150℃、5時間の熱硬化処理を施して無色透明の硬化物(2mm厚の樹脂プレートおよびサイドビュータイプ表面実装型LEDの封止樹脂部)を得た。
【0050】
実施例2で得られた2mm厚の樹脂プレートについて、以下の項目の評価試験を行い、その結果を確認した。
(1)透過率:可視光領域の光に対する透過率は90%以上であった。
(2)耐紫外線性:高圧水銀灯による波長365nmの光を、60℃の雰囲気下で5000mW/cmの強度で48時間照射した。その結果、着色や劣化はみられなかった。
(3)耐熱性:150℃の恒温槽内に48時間放置した。その結果、黄変はみられなかった。
よって、耐紫外線性および耐熱性の評価試験結果より、短波長領域の光を発光するLEDチップの封止樹脂に求められる耐久性を満足することが確認できた。
【0051】
また、実施例2で得られたサイドビュータイプ表面実装型LEDについて、封止状態を実体顕微鏡で確認した。その結果、樹脂ビケによる封止樹脂表面の凹化および封止樹脂の剥離やクラックは認められなかった。
【0052】
つまり、従来はTEPICの良好な樹脂特性を維持したままTEPIC含量を38%以上とすることはできなかったが、本発明によるとTEPIC含量38%以上を達成することができ、更にTEPIC含量約57%の耐紫外線性および耐熱性の高い樹脂硬化物を実現できることが確認できた。
【0053】
[比較例1]
高純度グレードのトリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸(日産化学工業株式会社製 TEPIC−S)100重量部、フェノール系酸化防止剤(BHT)0.5重量部、および(旭電化工業株式会社製 アデカオプトンCP−77)0.5重量部を130℃で加熱溶解し、よく攪拌混合した樹脂組成物を樹脂整形型に流しこみ、150℃ 、 1時間および180℃、5時間の熱硬化処理を施したが、自立性の硬化物は得られなかった。つまり、TEPICはカチオン硬化剤のみでは硬化物を得ることができず、カチオン硬化性がないことがわかった。
【0054】
[比較例2]
高純度グレードのトリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸(日産化学工業株式会社製 TEPIC−S)57重量部、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル(阪本薬品工業株式会社製 SR−HHPA)43重量部、フェノール系酸化防止剤(BHT)0.5重量部、リン系酸化防止剤(HCA)0.1重量部、およびカチオン硬化剤 (三新化学工業株式会社製 SI−100L)0.5重量部を130℃で加熱溶解し、よく攪拌混合した樹脂組成物を樹脂成形型に流しこみ、130℃、1時間および150℃、 5時間の熱硬化処理を施したが、上記比較例1と同様に自立性の硬化物は得られなかった。
つまり、TEPICはカチオン硬化剤のみでは硬化物を得ることができず、カチオン硬化性がないことがわかった。
【0055】
[比較例3]
高純度グレードのトリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸(日産化学工業株式会社製 TEPIC−S)38重量部、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物(新日本理化株式会社製 MH−700)62重量部(エポキシ当量に対し0.95モルに相当)、フェノール系酸化防止剤(BHT)0.5重量部、およびリン系酸化防止剤(HCA)0.1重量部を混合し、130℃、10分間の予備加熱処理を施した。ついで、硬化促進剤として(日本化学工業株式会社製 ヒシコーリンPX−4ET)0.2重量部を添加して攪拌混合した樹脂組成物を、樹脂成形型およびサイドビュータイプ表面実装型LEDのパッケージの樹脂成形部に注入し(LED一個あたりの樹脂注入量:1マイクロリットル)、120℃ 、1時間および150℃、3時間の熱硬化処理を施して無色透明の硬化物(2mm厚の樹脂プレートおよびサイドビュータイプ表面実装型LEDの封止樹脂部)を得た。
【0056】
また、比較例3で得られたサイドビュータイプ表面実装型LEDについて、封止状態を実体顕微鏡で確認した。その結果、一部にクラックが認められ、且つ封止樹脂表面に樹脂ビケによる顕著な凹化が認められた。
【0057】
本比較例3は、エポキシ樹脂としてTEPIC単独の硬化物を酸無水物硬化により得る場合の一般的な条件であるが、本条件による硬化物を封止材とすると、クラック、樹脂ビケの問題が生じることが確認できた。
【0058】
[比較例4]
高純度グレードのトリス(2,3-エポキシプロピル)イソシアヌル酸(日産化学工業株式会社製 TEPIC−S)25重量部、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル(阪本薬品工業株式会社製 SR−HHPA)19重量部、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物(新日本理化株式会社製 MH−700)56重量部(平均エポキシ当量に対し0.91モルに相当)、フェノール系酸化防止剤(BHT)0.5重量部、およびリン系酸化防止剤(HCA)0.1重量部を混合し、130℃、10分間の予備加熱処理を施した。ついで、硬化促進剤として(日本化学工業株式会社製 ヒシコーリンPX−4ET)0.2重量部を添加して攪拌混合した樹脂組成物を、樹脂成形型およびサイドビュータイプ表面実装型LEDのパッケージの樹脂成形部に注入し(LED一個あたりの樹脂注入量:1マイクロリットル)、120℃ 、1時間および150℃、3時間の熱硬化処理を施して無色透明の硬化物(2mm厚の樹脂プレートおよびサイドビュータイプ表面実装型LEDの封止樹脂部)を得た。
【0059】
また、比較例4で得られたサイドビュータイプ表面実装型LEDについて、封止状態を実体顕微鏡で確認した。その結果、剥離やクラックは認められなかったものの、封止樹脂表面に樹脂ビケによる顕著な凹化が認められた。
【0060】
耐紫外線性、耐熱性の観点からは、TEPIC含量が高いほうが好ましいが、機械的特性を高めるために他のエポキシ樹脂を混合したところ、機械的特性を高めることはできたものの、樹脂ビケは解消されなかった。
【0061】
以上、本発明の樹脂組成物に係わる実施例を比較例と共に説明してきたが、次に、本発明の熱硬化性樹脂組成物を封止材とする半導体発光装置について例を挙げて説明する。
【0062】
図1および図2に示される半導体発光装置はいずれも表面実装型半導体発光装置と称されるものであり、図1に示されるものはトップビュータイプ表面実装型半導体発光装置、図2に示されるものはサイドビュータイプ表面実装型半導体発光装置と称されている。
【0063】
まず、図1に示すトップビュータイプ表面実装型半導体発光装置について説明する。紙フェノール、紙エポキシ、ガラスエポキシなどからなる絶縁基材1の一方の面側(表面側)の対向する両縁部に一対の回路パターン2a、2bが形成されており、夫々の回路パターン2a、2bは絶縁基材1の縁部から側面側を経て他方の面側(裏面側)に回り込んでいる。また、絶縁基材1の表面側の対向する両縁部に形成された一対の回路パターン2a、2bの夫々からは、所定の間隔で互いに対向するように絶縁基材1の内側に向かって回路パターンが延び、夫々の端部にダイボンディングパッド3およびワイヤボンディングパッド4が形成されている。
【0064】
そして、ダイボンディングパッド3上に導電性接着剤5を介してLEDチップ6が載置され、LEDチップ6の下側電極と回路パターン2aとの電気的接続が図られている。一方、LEDチップ6の上側電極はボンディングワイヤ7を介してワイヤボンディングパット4に接続され、LEDチップ6の上側電極と回路パターン2bとの電気的接続が図られている。
【0065】
更に、LEDチップ6及びボンディングワイヤ7が封止樹脂8によって樹脂封止されており、LEDチップ6の上方に位置する封止樹脂8の主光出射面9はLEDチップ6の主光出射面10と略平行な平面形状に成形されている。
【0066】
次に、図2に示すサイドビュータイプ表面実装型半導体発光装置について説明する。板状の一対のリードフレーム20a、20bを樹脂によってインサート成形してパッケージが形成され、パッケージの樹脂成形部21には開口22を有する凹部23が設けられている。
【0067】
また、凹部23の内底面にはリードフレーム20a、20bの夫々の一方の端部が互いに対向するように露出しており、露出した一方のリードフレーム20a上に導電性接着剤を介してLEDチップ6が載置され、LEDチップ6の下側電極とリードフレーム20aとの電気的接続が図られている。一方、LEDチップ6の上側電極はボンディングワイヤ7を介して凹部23の内底面に露出した他方のリードフレーム20bに接続され、LEDチップ6の上側電極とリードフレーム20bとの電気的接続が図られている。
【0068】
更に、凹部23内には封止樹脂8が充填され、LEDチップ6及びボンディングワイヤ7が封止樹脂8によって樹脂封止されており、LEDチップ6の上方に位置する封止樹脂8の光出射面24はLEDチップ6の主光出射面10と略平行に、且つ凹部23の開口端面25と略面一に平面形状に成形されている。
【0069】
夫々の一方の端部が樹脂成形部21の凹部23内底面に露出したリードフレーム20a、20bの他方の端部側は、樹脂成形部21の対向する側面から外部に突出し、突出部近傍で樹脂成形部の側面に沿って開口22側に折り曲げられ、更に開口22近傍で該開口22に対する外側の縁部を折り目として略直角に開口22方向に折り曲げられている。
【0070】
なお、上記実施例2、比較例3および比較例4において、樹脂組成物を封止材として注入して評価試験を行なったサイドビュータイプ表面実装型LEDは図2に示すものである。
【0071】
いずれにしても、図1および図2に示される表面実装型半導体発光装置は、小型・薄型化が要求される要件の1つであると共に、パッケージの樹脂成形部の体積に対する封止材の体積の占める割合が比較的高い。よって、従来の封止材では、硬化後に封止樹脂の体積減少による樹脂ビケが顕著に現れ、種々の光学特性に影響を与えるものである。
【0072】
ところで、LEDチップおよびボンディングワイヤを封止樹脂で樹脂封止する目的は、LEDチップを水分、塵埃及びガス等の外部環境から保護し、且つボンディングワイヤを振動及び衝撃等の機械的応力から保護することであると共に、封止樹脂はLEDチップの光出射面とで界面を形成しており、LEDチップの発光光をLEDチップの光出射面から封止樹脂内に効率良く出射させる機能も持たせている。従って、封止樹脂には一般的に屈折率が高く、耐久性が良好で、光透過率が高い材料が使用される。
【0073】
また、本発明の熱硬化性樹脂組成物に蛍光物質を混入して封止樹脂とし、LEDチップから出射された光の一部で蛍光物質を励起して波長変換し、LEDチップの発光光とは異なる色調の光を放出するような半導体発光装置を実現することができる。
【0074】
例えば、LEDチップから出射される光が青色光の場合、青色光に励起されて青色の補色となる黄色光に波長変換する蛍光物質を用いることにより、LEDチップから出射された青色光の一部が蛍光物質を励起することによって波長変換された黄色光と、LEDチップから出射された青色光との加法混色によって白色光を作り出すことができる。
【0075】
同様に、LEDチップから出射される光が青色光の場合、青色光に励起されて緑色光及び赤色光にそれぞれ波長変換する2種類の蛍光体物質を混合したものを用いることにより、LEDチップから出射された青色光の一部が蛍光物質を励起することによって波長変換された緑色光及び赤色光と、LEDチップから出射された青色光との加法混色によって白色光を作り出すこともできる。
【0076】
また、LEDチップから出射される光が紫外光の場合、紫外光に励起されて青色光、緑色光及び赤色光にそれぞれ波長変換する3種類の蛍光物質を混合したものを用いることにより、LEDチップから出射された紫外光の一部が蛍光物質を励起することによって波長変換された青色光、緑色光及び赤色光の加法混色によって白色光を作り出すこともできる。
【0077】
更に、LEDチップから出射される光の波長と1種類以上の蛍光物質とを適宜組み合わせることによって白色光以外の種々な色調の光を作り出すことができる。
【0078】
この場合、図3に示すように、封止樹脂に樹脂ビケがある場合とない場合とでは、LEDチップの主光出射面から封止樹脂の光出射面までの光路長に差(光路差)が生じる。すると、LEDチップから発出射された光が封止樹脂の光出射面に至るまでに封止樹脂に混入された蛍光物質によって波長変換される割合が変わり、封止樹脂の光出射面から外部に放出される光の色調が変化することになる。
【0079】
また、蛍光物質には一般的に光を拡散させる性質がある。そのため、LEDチップから出射された光のうち蛍光物質で波長変換される割合が変わることによって半導体発光装置から外部に放出される光の拡散状態が変わり、配向特性も変化することになる。
【0080】
つまり、硬化後に体積変化を生じる性質を有する封止樹脂でLEDチップを樹脂封止した半導体発光装置は、色調、等の光学特性が不安定なものとなってしまう。
【0081】
一方、本発明の熱硬化性樹脂組成物をLEDチップの樹脂封止とすることによって封止樹脂の体積変化が抑えられ、樹脂ビケによる封止樹脂表面の凹化が抑制される。その結果、封止樹脂の光出射面の形状が一定に保たれるために、安定した光度、配向などの光学特性を確保することができる。
【0082】
また、本発明の蛍光物質を混入した熱硬化性樹脂組成物をLEDチップの樹脂封止とすることによって封止樹脂の体積変化が抑えられ、樹脂ビケによる封止樹脂表面の凹化が抑制される。その結果、LEDチップの光出射面から半導体発光装置の外部に対する光出射面となる封止樹脂面までの光路長が一定に保たれるために、安定した発光色、配向などの光学特性を確保することができる。
【0083】
上述のように、耐紫外線性および耐熱性に優れ、硬化後の樹脂ビケが起きない本発明の熱硬化性樹脂組成物をLEDチップの封止樹脂とすることによって、耐久性が良好で安定した光学特性を有する半導体発光装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0084】
【図1】本発明の樹脂組成物を使用した半導体発光装置の斜視図である。
【図2】同じく、本発明の樹脂組成物を使用した他の半導体発光装置の斜視図である。
【図3】LEDチップを蛍光物質を混入した樹脂で樹脂封止した状態を示す参考図である。
【符号の説明】
【0085】
1 絶縁基材
2a、2b 回路パターン
3 ダイボンディングパッド
4 ワイヤボンディングパッド
5 導電性接着剤
6 LEDチップ
7 ボンディングワイヤ
8 封止樹脂
9 主光出射面
10 主光出射面
20a、20b リードフレーム
21 樹脂成形部
22 開口
23 凹部
24 光出射面
25 開口端面

【特許請求の範囲】
【請求項1】
(A);下記化学式1で示されるトリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸を含有するエポキシ樹脂と、(B); エポキシ樹脂の平均エポキシ当量に対して0.001〜0.3モルの酸無水物と、(C);エポキシ樹脂100重量部に対して0.02〜0.5重量部のカチオン硬化触媒とを含むことを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。
【化1】

【請求項2】
(A);下記化学式1で示されるトリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸を含有するエポキシ樹脂と、(B); エポキシ樹脂の平均エポキシ当量に対して0.001〜0.3モルの酸無水物との混合物を加熱処理したものに、(C);エポキシ樹脂100重量部に対して0.02〜0.5重量部のカチオン硬化触媒を添加したことを特徴とする請求項1に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【化2】

【請求項3】
少なくとも一対のリード電極と、前記リード電極に電気的に接続された少なくとも1つの半導体発光素子と、前記半導体発光素子を封止する封止樹脂とを有する半導体発光装置であって、前記封止樹脂は、請求項1または2のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項4】
前記半導体発光素子は、主発光ピーク波長が550nm以下の発光ダイオードチップであることを特徴とする請求項3に記載の半導体発光装置。
【請求項5】
前記熱硬化性樹脂組成物は、前記発光ダイオードチップからの発光光の少なくとも一部を吸収し、吸収した光の波長とは異なる波長の光を放出する少なくとも1種類の蛍光物質を含有することを特徴とする請求項4に記載の半導体発光装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【公開番号】特開2007−106795(P2007−106795A)
【公開日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−296377(P2005−296377)
【出願日】平成17年10月11日(2005.10.11)
【出願人】(000002303)スタンレー電気株式会社 (2,684)
【Fターム(参考)】