発光デバイス
【課題】発光素子や集積回路などの電子デバイス素子を搭載した電子デバイスにおいて、高い放熱性とパッケージの反りを調整できるようにすることである。
【解決手段】 セラミック材料からなる基体の上面中央領域に、金属材料からなる第１伝熱層を介して電子デバイス素子が配置され、前記基体の下面中央領域には、金属材料からなる第１放熱層が形成され、前記基体内には、金属材料からなり、前記第１伝熱層と前記第１放熱層とを結ぶ複数のサーマルビアが埋設され、更に前記基体内には、金属材料からなり、前記基体の下面中央領域の上方から前記基体の下面周辺領域の上方にまで延在する第２伝熱層が、前記複数のサーマルビアと交差して埋設されていることを特徴とする。
【解決手段】 セラミック材料からなる基体の上面中央領域に、金属材料からなる第１伝熱層を介して電子デバイス素子が配置され、前記基体の下面中央領域には、金属材料からなる第１放熱層が形成され、前記基体内には、金属材料からなり、前記第１伝熱層と前記第１放熱層とを結ぶ複数のサーマルビアが埋設され、更に前記基体内には、金属材料からなり、前記基体の下面中央領域の上方から前記基体の下面周辺領域の上方にまで延在する第２伝熱層が、前記複数のサーマルビアと交差して埋設されていることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャビティ内に配置された発光デバイス素子を備える発光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、発光デバイス素子を搭載するための発光素子用パッケージは、セラミック材料からなる基体とセラミック材料からなる枠体とを接合一体化して構成されており、枠体の内側には発光デバイス素子１００を収容するキャビティ３ａが形成されている。
【０００３】
セラミック材料からなる基体２００には、図１５のようにサーマルビア４００を形成することが可能であり（例えば、特許文献１参照）、基体にサーマルビア４００が形成されている発光デバイス素子用パッケージにおいては、キャビティ３ａ内に収容した発光デバイス素子１００の熱を外部に放熱することが可能である。尚、サーマルビア４００は、基体２００を貫通したビアに金属ペーストなどが充填されることにより構成される。
【０００４】
サーマルビア４００がセラミック材料からなる基体２００の上面から下面に貫通することで、サーマルビア４００がキャビティ３ａ内に露出した発光デバイス素子用パッケージにおいては、キャビティ３ａ内に収容した発光デバイス素子１００の熱が、サーマルビア４００を通って基体２００の下面に向かって移動することになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２０１１５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のサーマルビアでは発光デバイス素子の放熱性が十分ではなく、熱による発光素子の性能が低下するなどの問題があった。また、発光デバイス素子だけでなくその他の電子デバイス素子でも同様放熱の問題があった。さらに、電子デバイス素子を搭載するパッケージがセラミック材料からなる場合、反りなどの問題もあった。
【０００７】
そこで本発明の目的は、発光デバイス素子や集積回路などの電子デバイス素子を搭載するための電子デバイス素子用パッケージを備えた電子デバイスにおいては、高い放熱性を得ること及びパッケージの反りの緩和することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、セラミック材料からなる基体の上面中央領域に、金属材料からなる第１伝熱層を介して電子デバイス素子が配置され、前記基体の下面中央領域には、金属材料からなる第１放熱層が形成され、前記基体内には、金属材料からなり、前記第１伝熱層と前記第１放熱層とを結ぶ複数のサーマルビアが埋設され、更に前記基体内には、金属材料からなり、前記基体の下面中央領域の上方から前記基体の下面周辺領域の上方にまで延在する第２伝熱層が、前記複数のサーマルビアと交差して埋設されていることを特徴とする。
【０００９】
好ましくは、前記基体の下面周辺領域には、金属材料からなる第２放熱層が形成され、
前記基体内には、金属材料からなり、前記第２伝熱層と前記第１放熱層とを結ぶ複数のサーマルビアが埋設されていることを特徴とする。
【００１０】
好ましくは、前記第２放熱層は、前記基体の周辺領域にまで延在し、該基体側面の表面に露出する第２放熱層露出部を備えたことを特徴とする。
【００１１】
好ましくは、前記基体上面にセラミック材料からなる枠体が配置され、前記枠体は、前記枠体の内周面と前記基体の上面とにより構成されるキャビティを有し、前記キャビティ内には電子デバイス素子を備えたことを特徴とする。
【００１２】
基体の下面中央領域の上方から前記基体の下面周辺領域の上方にまで延在する前記第２伝熱層は、前記基体の下面周辺領域の上方にまで延在されたところから、前記基体の下面に向かってサイドビアが形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、電子デバイス素子からの熱をサーマルビアだけで伝熱し第１放熱層で放熱するだけでなく、サーマルビアの伝熱を第２伝熱層にも伝熱することで、基体全体に伝熱され放熱することができる。
【００１４】
また、第２伝熱層と第２放熱層とが複数のサーマルビアで繋がることで、基体周辺領域にも早く熱が伝わり、より早く基体全体で放熱できる。
【００１５】
また、第２伝熱層が基体側面の表面に露出することで、より早く熱を基体外部に放熱できる。
【００１６】
また、第１伝熱層と基体との関係で反りが生じていたが、第２伝熱層を備えることで、電子デバイスの反りを調整できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電子素子用パッケージを備えた電子部品の斜視図である。
【図２】セラミック積層体の工程を示す図で、図１のＡ−Ａ‘線で切断した電子素子用パッケージの断面図である。
【図３】セラミック積層体を焼成した後の電子素子用パッケージの断面図である。
【図４】電子素子用パッケージに電子素子を配置した状態を示す断面図である。
【図５】電子素子用パッケージの電子素子を樹脂で覆った状態を示す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る電子素子用パッケージの工程を示す図で、図１のＡ−Ａ‘線と同様な線で切断した断面図である。
【図７】セラミック積層体を焼成した後の電子素子用パッケージの断面図である。
【図８】電子素子用パッケージに電子素子を配置した状態を示す断面図である。
【図９】電子素子用パッケージのキャビティの中に樹脂を充填した後の状態を示す断面図である。
【図１０】第２の実施形態の電極配置の例を示す断面図である。
【図１１】第３の実施形態における電子素子用パッケージのキャビティの中に樹脂を充填した後の状態を示す断面図である。
【図１２】第４の実施形態における電子素子用パッケージのキャビティの中に樹脂を充填した後の状態を示す断面図である。
【図１３】第４の実施形態におけるその他の電子素子用パッケージのキャビティの中に樹脂を充填した後の状態を示す断面図である。
【図１４】第４の実施形態におけるその他の電子素子用パッケージのキャビティの中に樹脂を充填した後の状態を示す断面図である。
【図１５】従来例における電子素子用パッケージの状態を示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の電子デバイス素子を備えた電子デバイスの形態について図面に沿って具体的に説明する。
（第１の実施形態）
図１〜図５は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスについて、完成品及びその製造方法の工程を示した断面図である。
【００１９】
まず、図１において、セラミック材料からなる基体２の上面に第１伝熱層８と、電子デバイス素子１と、電極１０（正極と負極など）と、電子デバイス素子１を接続する金ワイヤー１２と、蛍光体を含む樹脂６と、基体２の下面には第１放熱層９（図では省略）を備え、Ａ−Ａ‘で切断した図が図２以降である。
【００２０】
セラミック体形成工程において、図２に示す如く、絶縁性のセラミック材料からなるセラミックシート２１を複数積層することにより、セラミックシート２１の積層体７１１（焼結後基体２となる）を形成する。積層体７１１（焼結後基体２となる）の上面中央領域に電子デバイス素子１を配置する第１伝熱層８及び電子デバイス素子１に接続する電極１０、電極接続用ビア４を形成して、ビア４には金属ペーストを充填する。さらに、積層体７１１（焼結後基体２となる）の下面中央領域には第１放熱層９を形成する。尚、第１伝熱層８、電極１０及び第１放熱層９は、積層体７１１（焼結後基体２となる）を焼成後形成しても良い。
【００２１】
セラミックシート２１のそれぞれには、金属ペーストなどを充填した複数のビア４が形成される。焼結後結合して繋がりサーマルビア５１となり、第１伝熱層８と第１放熱層９結ぶ。
第２伝熱層５２は、積層体７１１（焼結後基体２となる）の下面中央領域の上方から積層体７１１（焼結後基体２となる）の下面周辺領域の上方にまで延在する。この時、第２伝熱層５２は、サーマルビア５１と交差する。尚、サーマルビア５１、第２伝熱層５２には、熱伝導率が高い銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）などの金属が用いられる。
又、セラミックシート２１を形成するセラミックには、第１伝熱層８及び第２伝熱層５２との同時焼成が可能な低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）が用いられる。
ただ、高融点の金属材料を選択することで、高温焼成用のセラミック材でも使用可能である。
【００２２】
又、第１放熱層９は、実装基板及び放熱板などに半田付けするときに接続部として使用されるが、第１放熱層９を形成することで、焼成後基体２が反ったりする。そのため、第２伝熱層５２の厚みを第１放熱層９より薄く、または厚くすることで焼成後の反りを調整することができ、反りの少ない電子デバイスを作製できる。
【００２３】
又、電子デバイス素子１を発光デバイス素子とした場合、第２伝熱層５２は反射層にもなる。第２伝熱層５２を基体２の内部に埋設することで、蛍光体を含む樹脂６と第２伝熱層５２とが反応することが無く、蛍光体を含む樹脂６と第２伝熱層５２との反応などによる反射率の低下を防止できる。
【００２４】
ここで、反射率の大きさについて考えると、銀＞ＬＴＣＣ＞金の順で大きい。銀は、後工程で使用する蛍光体を含む樹脂６と直接触れると酸化（硫化）などして反射率が低下するが、ＬＴＣＣ及び金はほとんど反応しない。そのため、基体２の上面は、反射率及び酸化から考えるとＬＴＣＣの面を多く出して、発光素子の部分のみを第１伝熱層８、電極１０は金からなる形状とする方が良い。即ち、第１伝熱層８から基体２の外周に線を引いたとき、その線が必ずＬＴＣＣ面を通るようにする。
【００２５】
次に焼成工程において、図３に示す様に、積層体７１１に形成していたビア４どうしが互い連結し、基体２を上面２ａから下面２ｂに貫通するサーマルビア５１となり、また、交差するサーマルビア５１と第２伝熱層５２とが接合される。
【００２６】
本実施の形態においては、基体２を形成するセラミックとして低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）が用いられているので、８００℃〜１０００℃の温度にて該セラミックを焼結させることが出来る。従って、サーマルビア５１、第１伝熱層８、第２伝熱層５２、第１放熱層９に用いた金属材料の異常収縮などを抑制しつつ、積層体７１１を焼結させることが出来る。
【００２７】
又、伝熱を良くするために基体２の上面に平行なサーマルビア５１の断面積を広げると、サーマルビア５１は主原料が金属であるためセラミックより柔らかく、焼結後サーマルビア５１の断面が凹んだり、パッケージ自体の強度が弱くなる。しかし、第２伝熱層５２のようにセラミックシート２１に挟みこめば強度が弱くなることはなく、基体２全体にも放熱されやすくなる。さらに、電子デバイス素子１が小さい場合は、部品直下のビア４の断面積がより小さくなるが、本構成によれば、サーマルビア５１と第２伝熱層５２との合計放熱面積を大きくすることが可能となる。
【００２８】
次に電子デバイス素子１設置工程において、図４に示す如く、焼成工程にて作製した第１伝熱層８に電子デバイス素子１を設置し、金ワイヤー１２で電極１０（金などで構成される）などに接続する。
【００２９】
次に蛍光体を含む樹脂６で覆う工程において、図５に示す如く、電子デバイス素子１を蛍光体を含む樹脂６で覆い、該樹脂６を硬化させる。これにより、本発明の第１の実施形態に係る電子素子デバイスが作製される。
【００３０】
作製された電子デバイスにおいては、電子デバイス素子１から発生した熱が、第１伝熱層８からサーマルビア５１を通って基体２の下面２ｂに向かって移動し下面から放熱する。この時、サーマルビア５１から熱が第２伝熱層５２にも伝わり、基体２中に拡散することになるため、電子デバイス素子１の熱を効率良くデバイス全体でも放熱できる。
【００３１】
また、第１伝熱層８と第１放熱層９を形成することで基体２の反りが大きくなるが、第２伝熱層５２を入れることで、基体２の反りを緩和できる。
【００３２】
また、基体２の上面における第１伝熱層８が電子デバイス素子１と同じ大きさでの効率よく放熱できる構造である。そのため、電子デバイス素子１が発光素子であった場合、第１伝熱層８の面積を出来る限り小さくしても反射率の低下を防止できる。
（第２の実施形態）
図６〜図９は、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスについて、完成品及びその製造方法の工程を示した断面図である。尚、電子デバイス素子１を接続する電極などは、第１と同様な方法で形成するため省略する。
【００３３】
まず、セラミック体形成工程において、図６に示す如く、第１の実施形態に対して、基体２の上面に枠体３１及び該枠体３１の内周面と基体２の上面で構成される空間３１ａ（焼結後キャビティ３１ａとなる）を有する点が異なっている。
【００３４】
枠体３１の空間３１ａには、該空間３１ａ領域の中で前記積層体７１２の上面中央領域に電子デバイス素子１を配置する第１伝熱層８が形成される。積層体７１２（焼結後基体２となる）の下面中央領域には第１放熱層９が形成される。尚、第１伝熱層８及び第１放熱層９は焼成後形成しても良い。
【００３５】
セラミックシート２１のそれぞれには、ビア４が形成される。
第２伝熱層５２は、第１の実施形態と同じように形成する。
【００３６】
次に焼成工程において、セラミック体形成工程にて形成した積層体７１２及び枠体３１を焼成することにより、基体２と枠体３１とが接合一体化され、図７に示す電子デバイス素子用パッケージ７３を作製する。
【００３７】
そして、枠体３１の焼結により、枠体３１の内周面と基体２との上面により構成されるキャビティ３１ａが形成される。ここで、電子デバイス素子１が発光素子の場合、第１の実施形態に記載したような構成をキャビティ３１ａ内においても適用することで、放熱だけでなく、基体２の上面とキャビティ３１ａの内周面との合計により光の反射も良くなる。
【００３８】
本実施の形態においては、基体２と枠体３１を形成するセラミックとして、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）が用いられているので、８００℃〜１０００℃の温度にて該セラミックを焼結させることが出来る。
【００３９】
次に電子素子設置工程において、図８に示す如く、焼成工程にて作製した電子デバイス素子用パッケージ７３の第１放熱層８に電子デバイス素子１を配置する。
【００４０】
次に、樹脂充填工程において、図９に示す如くキャビティ３ａの内部に、蛍光体を含む樹脂６を充填し、該樹脂６を硬化させる。これにより、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスが作製される。
【００４１】
作製された電子デバイスにおいては、第１の実施例と同様放熱の効果が発揮されるが、キャビティ３ａが有る事により、電子デバイス素子１が発光素子の場合には、発光素子の光をより反射することができる。
【００４２】
また、例として、図１０のように電極接続用ビア１１と電極１０の配置などできる。
（第３の実施形態）
第３の実施形態について、図１１によって説明する。
第３の実施形態において、第２の実施形態と違う点は、図１１の第２伝熱層５２が、基体２の側面の表面にまで露出するように形成され、それ以外は、第２の実施形態と同様に作製した。
【００４３】
第２伝熱層５２が基体２の側面の表面にまで露出するため、基体２から外部への放熱特性が向上する。さらに、第２伝熱層５２の側面の表面露出部を形成することで基体２外部への放熱が良くなる。さらに、側部伝熱層１２を形成すると実装基板に半田付けするとき、フィレットが形成され、放熱特性が第１、第２の実施形態よりさらに向上する。
（第４の実施形態）
第４の実施形態について、図１２によって説明する。
第４の実施形態において、第２の実施形態と違う点は、図１２の第２伝熱層５２が、一つでなく複数積層されている。それ以外は、第２の実施形態と同様に形成できる。
第２伝熱層５２が、複数積層されていることにより、第２の実施形態より基体２への伝熱が大きくなることにより放熱特性が向上する。また、第２伝熱層５２が複数であることによりパッケージの反りを調整しやすくなる。
【００４４】
また、図１３のように、基体２に埋設された複数の第２伝熱層５２は、基体２の上面に略垂直な方向の厚みをそれぞれ変更することで、パッケージの反りをより調整することができる。
上記の形態により、第１、２、３より放熱特性の向上、反りの調整も向上する。
【００４５】
また、図１４のように、第２伝熱層５２の基体２の下面周辺領域の上方にまで延在されたところから、基体２の下面に向かってサイドビア４１形成されて第２放熱層９ａにつながり、第２放熱層９ａは第１放熱層９とつながっても良い。ここで、サイドビア４１には、熱伝導の良い金属材料が充填されている。
上記の形態により、第１、２、３の実施形態より放熱特性の向上する。
【００４６】
尚、本発明の各部構成は上記実施形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。
【符号の説明】
【００４７】
１ 電子デバイス素子、２ 基体、２ａ 基体の上面、２ｂ 基体の下面、２１ セラミックシート、３１ 枠体、３ａ キャビティ、３１ａ キャビティ、４ ビア、４１ サイドビア、４００ サーマルビア、５１ サーマルビア、５２ 第２伝熱層、６ 樹脂、７２ 電子素子用パッケージ、７３ 電子素子用パッケージ、７１１ 積層体、７１２ 積層体８ 第１伝熱層、９ 第１放熱層、９ａ 第２放熱層、１０電極、１１ 電極接続用ビア、１２ 金ワイヤー、１３ 側部伝熱層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャビティ内に配置された発光デバイス素子を備える発光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、発光デバイス素子を搭載するための発光素子用パッケージは、セラミック材料からなる基体とセラミック材料からなる枠体とを接合一体化して構成されており、枠体の内側には発光デバイス素子１００を収容するキャビティ３ａが形成されている。
【０００３】
セラミック材料からなる基体２００には、図１５のようにサーマルビア４００を形成することが可能であり（例えば、特許文献１参照）、基体にサーマルビア４００が形成されている発光デバイス素子用パッケージにおいては、キャビティ３ａ内に収容した発光デバイス素子１００の熱を外部に放熱することが可能である。尚、サーマルビア４００は、基体２００を貫通したビアに金属ペーストなどが充填されることにより構成される。
【０００４】
サーマルビア４００がセラミック材料からなる基体２００の上面から下面に貫通することで、サーマルビア４００がキャビティ３ａ内に露出した発光デバイス素子用パッケージにおいては、キャビティ３ａ内に収容した発光デバイス素子１００の熱が、サーマルビア４００を通って基体２００の下面に向かって移動することになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２０１１５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のサーマルビアでは発光デバイス素子の放熱性が十分ではなく、熱による発光素子の性能が低下するなどの問題があった。また、発光デバイス素子だけでなくその他の電子デバイス素子でも同様放熱の問題があった。さらに、電子デバイス素子を搭載するパッケージがセラミック材料からなる場合、反りなどの問題もあった。
【０００７】
そこで本発明の目的は、発光デバイス素子や集積回路などの電子デバイス素子を搭載するための電子デバイス素子用パッケージを備えた電子デバイスにおいては、高い放熱性を得ること及びパッケージの反りの緩和することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、セラミック材料からなる基体の上面中央領域に、金属材料からなる第１伝熱層を介して電子デバイス素子が配置され、前記基体の下面中央領域には、金属材料からなる第１放熱層が形成され、前記基体内には、金属材料からなり、前記第１伝熱層と前記第１放熱層とを結ぶ複数のサーマルビアが埋設され、更に前記基体内には、金属材料からなり、前記基体の下面中央領域の上方から前記基体の下面周辺領域の上方にまで延在する第２伝熱層が、前記複数のサーマルビアと交差して埋設されていることを特徴とする。
【０００９】
好ましくは、前記基体の下面周辺領域には、金属材料からなる第２放熱層が形成され、
前記基体内には、金属材料からなり、前記第２伝熱層と前記第１放熱層とを結ぶ複数のサーマルビアが埋設されていることを特徴とする。
【００１０】
好ましくは、前記第２放熱層は、前記基体の周辺領域にまで延在し、該基体側面の表面に露出する第２放熱層露出部を備えたことを特徴とする。
【００１１】
好ましくは、前記基体上面にセラミック材料からなる枠体が配置され、前記枠体は、前記枠体の内周面と前記基体の上面とにより構成されるキャビティを有し、前記キャビティ内には電子デバイス素子を備えたことを特徴とする。
【００１２】
基体の下面中央領域の上方から前記基体の下面周辺領域の上方にまで延在する前記第２伝熱層は、前記基体の下面周辺領域の上方にまで延在されたところから、前記基体の下面に向かってサイドビアが形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、電子デバイス素子からの熱をサーマルビアだけで伝熱し第１放熱層で放熱するだけでなく、サーマルビアの伝熱を第２伝熱層にも伝熱することで、基体全体に伝熱され放熱することができる。
【００１４】
また、第２伝熱層と第２放熱層とが複数のサーマルビアで繋がることで、基体周辺領域にも早く熱が伝わり、より早く基体全体で放熱できる。
【００１５】
また、第２伝熱層が基体側面の表面に露出することで、より早く熱を基体外部に放熱できる。
【００１６】
また、第１伝熱層と基体との関係で反りが生じていたが、第２伝熱層を備えることで、電子デバイスの反りを調整できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電子素子用パッケージを備えた電子部品の斜視図である。
【図２】セラミック積層体の工程を示す図で、図１のＡ−Ａ‘線で切断した電子素子用パッケージの断面図である。
【図３】セラミック積層体を焼成した後の電子素子用パッケージの断面図である。
【図４】電子素子用パッケージに電子素子を配置した状態を示す断面図である。
【図５】電子素子用パッケージの電子素子を樹脂で覆った状態を示す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る電子素子用パッケージの工程を示す図で、図１のＡ−Ａ‘線と同様な線で切断した断面図である。
【図７】セラミック積層体を焼成した後の電子素子用パッケージの断面図である。
【図８】電子素子用パッケージに電子素子を配置した状態を示す断面図である。
【図９】電子素子用パッケージのキャビティの中に樹脂を充填した後の状態を示す断面図である。
【図１０】第２の実施形態の電極配置の例を示す断面図である。
【図１１】第３の実施形態における電子素子用パッケージのキャビティの中に樹脂を充填した後の状態を示す断面図である。
【図１２】第４の実施形態における電子素子用パッケージのキャビティの中に樹脂を充填した後の状態を示す断面図である。
【図１３】第４の実施形態におけるその他の電子素子用パッケージのキャビティの中に樹脂を充填した後の状態を示す断面図である。
【図１４】第４の実施形態におけるその他の電子素子用パッケージのキャビティの中に樹脂を充填した後の状態を示す断面図である。
【図１５】従来例における電子素子用パッケージの状態を示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の電子デバイス素子を備えた電子デバイスの形態について図面に沿って具体的に説明する。
（第１の実施形態）
図１〜図５は、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスについて、完成品及びその製造方法の工程を示した断面図である。
【００１９】
まず、図１において、セラミック材料からなる基体２の上面に第１伝熱層８と、電子デバイス素子１と、電極１０（正極と負極など）と、電子デバイス素子１を接続する金ワイヤー１２と、蛍光体を含む樹脂６と、基体２の下面には第１放熱層９（図では省略）を備え、Ａ−Ａ‘で切断した図が図２以降である。
【００２０】
セラミック体形成工程において、図２に示す如く、絶縁性のセラミック材料からなるセラミックシート２１を複数積層することにより、セラミックシート２１の積層体７１１（焼結後基体２となる）を形成する。積層体７１１（焼結後基体２となる）の上面中央領域に電子デバイス素子１を配置する第１伝熱層８及び電子デバイス素子１に接続する電極１０、電極接続用ビア４を形成して、ビア４には金属ペーストを充填する。さらに、積層体７１１（焼結後基体２となる）の下面中央領域には第１放熱層９を形成する。尚、第１伝熱層８、電極１０及び第１放熱層９は、積層体７１１（焼結後基体２となる）を焼成後形成しても良い。
【００２１】
セラミックシート２１のそれぞれには、金属ペーストなどを充填した複数のビア４が形成される。焼結後結合して繋がりサーマルビア５１となり、第１伝熱層８と第１放熱層９結ぶ。
第２伝熱層５２は、積層体７１１（焼結後基体２となる）の下面中央領域の上方から積層体７１１（焼結後基体２となる）の下面周辺領域の上方にまで延在する。この時、第２伝熱層５２は、サーマルビア５１と交差する。尚、サーマルビア５１、第２伝熱層５２には、熱伝導率が高い銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）などの金属が用いられる。
又、セラミックシート２１を形成するセラミックには、第１伝熱層８及び第２伝熱層５２との同時焼成が可能な低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）が用いられる。
ただ、高融点の金属材料を選択することで、高温焼成用のセラミック材でも使用可能である。
【００２２】
又、第１放熱層９は、実装基板及び放熱板などに半田付けするときに接続部として使用されるが、第１放熱層９を形成することで、焼成後基体２が反ったりする。そのため、第２伝熱層５２の厚みを第１放熱層９より薄く、または厚くすることで焼成後の反りを調整することができ、反りの少ない電子デバイスを作製できる。
【００２３】
又、電子デバイス素子１を発光デバイス素子とした場合、第２伝熱層５２は反射層にもなる。第２伝熱層５２を基体２の内部に埋設することで、蛍光体を含む樹脂６と第２伝熱層５２とが反応することが無く、蛍光体を含む樹脂６と第２伝熱層５２との反応などによる反射率の低下を防止できる。
【００２４】
ここで、反射率の大きさについて考えると、銀＞ＬＴＣＣ＞金の順で大きい。銀は、後工程で使用する蛍光体を含む樹脂６と直接触れると酸化（硫化）などして反射率が低下するが、ＬＴＣＣ及び金はほとんど反応しない。そのため、基体２の上面は、反射率及び酸化から考えるとＬＴＣＣの面を多く出して、発光素子の部分のみを第１伝熱層８、電極１０は金からなる形状とする方が良い。即ち、第１伝熱層８から基体２の外周に線を引いたとき、その線が必ずＬＴＣＣ面を通るようにする。
【００２５】
次に焼成工程において、図３に示す様に、積層体７１１に形成していたビア４どうしが互い連結し、基体２を上面２ａから下面２ｂに貫通するサーマルビア５１となり、また、交差するサーマルビア５１と第２伝熱層５２とが接合される。
【００２６】
本実施の形態においては、基体２を形成するセラミックとして低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）が用いられているので、８００℃〜１０００℃の温度にて該セラミックを焼結させることが出来る。従って、サーマルビア５１、第１伝熱層８、第２伝熱層５２、第１放熱層９に用いた金属材料の異常収縮などを抑制しつつ、積層体７１１を焼結させることが出来る。
【００２７】
又、伝熱を良くするために基体２の上面に平行なサーマルビア５１の断面積を広げると、サーマルビア５１は主原料が金属であるためセラミックより柔らかく、焼結後サーマルビア５１の断面が凹んだり、パッケージ自体の強度が弱くなる。しかし、第２伝熱層５２のようにセラミックシート２１に挟みこめば強度が弱くなることはなく、基体２全体にも放熱されやすくなる。さらに、電子デバイス素子１が小さい場合は、部品直下のビア４の断面積がより小さくなるが、本構成によれば、サーマルビア５１と第２伝熱層５２との合計放熱面積を大きくすることが可能となる。
【００２８】
次に電子デバイス素子１設置工程において、図４に示す如く、焼成工程にて作製した第１伝熱層８に電子デバイス素子１を設置し、金ワイヤー１２で電極１０（金などで構成される）などに接続する。
【００２９】
次に蛍光体を含む樹脂６で覆う工程において、図５に示す如く、電子デバイス素子１を蛍光体を含む樹脂６で覆い、該樹脂６を硬化させる。これにより、本発明の第１の実施形態に係る電子素子デバイスが作製される。
【００３０】
作製された電子デバイスにおいては、電子デバイス素子１から発生した熱が、第１伝熱層８からサーマルビア５１を通って基体２の下面２ｂに向かって移動し下面から放熱する。この時、サーマルビア５１から熱が第２伝熱層５２にも伝わり、基体２中に拡散することになるため、電子デバイス素子１の熱を効率良くデバイス全体でも放熱できる。
【００３１】
また、第１伝熱層８と第１放熱層９を形成することで基体２の反りが大きくなるが、第２伝熱層５２を入れることで、基体２の反りを緩和できる。
【００３２】
また、基体２の上面における第１伝熱層８が電子デバイス素子１と同じ大きさでの効率よく放熱できる構造である。そのため、電子デバイス素子１が発光素子であった場合、第１伝熱層８の面積を出来る限り小さくしても反射率の低下を防止できる。
（第２の実施形態）
図６〜図９は、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスについて、完成品及びその製造方法の工程を示した断面図である。尚、電子デバイス素子１を接続する電極などは、第１と同様な方法で形成するため省略する。
【００３３】
まず、セラミック体形成工程において、図６に示す如く、第１の実施形態に対して、基体２の上面に枠体３１及び該枠体３１の内周面と基体２の上面で構成される空間３１ａ（焼結後キャビティ３１ａとなる）を有する点が異なっている。
【００３４】
枠体３１の空間３１ａには、該空間３１ａ領域の中で前記積層体７１２の上面中央領域に電子デバイス素子１を配置する第１伝熱層８が形成される。積層体７１２（焼結後基体２となる）の下面中央領域には第１放熱層９が形成される。尚、第１伝熱層８及び第１放熱層９は焼成後形成しても良い。
【００３５】
セラミックシート２１のそれぞれには、ビア４が形成される。
第２伝熱層５２は、第１の実施形態と同じように形成する。
【００３６】
次に焼成工程において、セラミック体形成工程にて形成した積層体７１２及び枠体３１を焼成することにより、基体２と枠体３１とが接合一体化され、図７に示す電子デバイス素子用パッケージ７３を作製する。
【００３７】
そして、枠体３１の焼結により、枠体３１の内周面と基体２との上面により構成されるキャビティ３１ａが形成される。ここで、電子デバイス素子１が発光素子の場合、第１の実施形態に記載したような構成をキャビティ３１ａ内においても適用することで、放熱だけでなく、基体２の上面とキャビティ３１ａの内周面との合計により光の反射も良くなる。
【００３８】
本実施の形態においては、基体２と枠体３１を形成するセラミックとして、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）が用いられているので、８００℃〜１０００℃の温度にて該セラミックを焼結させることが出来る。
【００３９】
次に電子素子設置工程において、図８に示す如く、焼成工程にて作製した電子デバイス素子用パッケージ７３の第１放熱層８に電子デバイス素子１を配置する。
【００４０】
次に、樹脂充填工程において、図９に示す如くキャビティ３ａの内部に、蛍光体を含む樹脂６を充填し、該樹脂６を硬化させる。これにより、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスが作製される。
【００４１】
作製された電子デバイスにおいては、第１の実施例と同様放熱の効果が発揮されるが、キャビティ３ａが有る事により、電子デバイス素子１が発光素子の場合には、発光素子の光をより反射することができる。
【００４２】
また、例として、図１０のように電極接続用ビア１１と電極１０の配置などできる。
（第３の実施形態）
第３の実施形態について、図１１によって説明する。
第３の実施形態において、第２の実施形態と違う点は、図１１の第２伝熱層５２が、基体２の側面の表面にまで露出するように形成され、それ以外は、第２の実施形態と同様に作製した。
【００４３】
第２伝熱層５２が基体２の側面の表面にまで露出するため、基体２から外部への放熱特性が向上する。さらに、第２伝熱層５２の側面の表面露出部を形成することで基体２外部への放熱が良くなる。さらに、側部伝熱層１２を形成すると実装基板に半田付けするとき、フィレットが形成され、放熱特性が第１、第２の実施形態よりさらに向上する。
（第４の実施形態）
第４の実施形態について、図１２によって説明する。
第４の実施形態において、第２の実施形態と違う点は、図１２の第２伝熱層５２が、一つでなく複数積層されている。それ以外は、第２の実施形態と同様に形成できる。
第２伝熱層５２が、複数積層されていることにより、第２の実施形態より基体２への伝熱が大きくなることにより放熱特性が向上する。また、第２伝熱層５２が複数であることによりパッケージの反りを調整しやすくなる。
【００４４】
また、図１３のように、基体２に埋設された複数の第２伝熱層５２は、基体２の上面に略垂直な方向の厚みをそれぞれ変更することで、パッケージの反りをより調整することができる。
上記の形態により、第１、２、３より放熱特性の向上、反りの調整も向上する。
【００４５】
また、図１４のように、第２伝熱層５２の基体２の下面周辺領域の上方にまで延在されたところから、基体２の下面に向かってサイドビア４１形成されて第２放熱層９ａにつながり、第２放熱層９ａは第１放熱層９とつながっても良い。ここで、サイドビア４１には、熱伝導の良い金属材料が充填されている。
上記の形態により、第１、２、３の実施形態より放熱特性の向上する。
【００４６】
尚、本発明の各部構成は上記実施形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。
【符号の説明】
【００４７】
１ 電子デバイス素子、２ 基体、２ａ 基体の上面、２ｂ 基体の下面、２１ セラミックシート、３１ 枠体、３ａ キャビティ、３１ａ キャビティ、４ ビア、４１ サイドビア、４００ サーマルビア、５１ サーマルビア、５２ 第２伝熱層、６ 樹脂、７２ 電子素子用パッケージ、７３ 電子素子用パッケージ、７１１ 積層体、７１２ 積層体８ 第１伝熱層、９ 第１放熱層、９ａ 第２放熱層、１０電極、１１ 電極接続用ビア、１２ 金ワイヤー、１３ 側部伝熱層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック材料からなる基体の上面中央領域に、金属材料からなる第１伝熱層を介して電子デバイス素子が配置され、
前記基体の下面中央領域には、金属材料からなる第１放熱層が形成され、
前記基体内には、金属材料からなり、前記第１伝熱層と前記第１放熱層とを結ぶ複数のサーマルビアが埋設され、
更に前記基体内には、金属材料からなり、前記基体の下面中央領域の上方から前記基体の下面周辺領域の上方にまで延在する第２伝熱層が、前記複数のサーマルビアと交差して埋設されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記基体の下面周辺領域には、金属材料からなる第２放熱層が形成され、
前記基体内には、金属材料からなり、前記第２伝熱層と前記第１放熱層とを結ぶ複数のサーマルビアが埋設されていることを特徴とする請求項１記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記第２放熱層は、前記基体の周辺領域にまで延在し、該基体側面の表面に露出させたことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記基体上面にセラミック材料からなる枠体が配置され、
前記枠体は、前記枠体の内周面と前記基体の上面とにより構成されるキャビティを有し、前記キャビティ内には電子デバイス素子を備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子デバイス。
【請求項５】
基体の下面中央領域の上方から前記基体の下面周辺領域の上方にまで延在する前記第２伝熱層は、前記基体の下面周辺領域の上方にまで延在されたところから、前記基体の下面に向かってサイドビアが形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子デバイス。
【請求項１】
セラミック材料からなる基体の上面中央領域に、金属材料からなる第１伝熱層を介して電子デバイス素子が配置され、
前記基体の下面中央領域には、金属材料からなる第１放熱層が形成され、
前記基体内には、金属材料からなり、前記第１伝熱層と前記第１放熱層とを結ぶ複数のサーマルビアが埋設され、
更に前記基体内には、金属材料からなり、前記基体の下面中央領域の上方から前記基体の下面周辺領域の上方にまで延在する第２伝熱層が、前記複数のサーマルビアと交差して埋設されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記基体の下面周辺領域には、金属材料からなる第２放熱層が形成され、
前記基体内には、金属材料からなり、前記第２伝熱層と前記第１放熱層とを結ぶ複数のサーマルビアが埋設されていることを特徴とする請求項１記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記第２放熱層は、前記基体の周辺領域にまで延在し、該基体側面の表面に露出させたことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記基体上面にセラミック材料からなる枠体が配置され、
前記枠体は、前記枠体の内周面と前記基体の上面とにより構成されるキャビティを有し、前記キャビティ内には電子デバイス素子を備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子デバイス。
【請求項５】
基体の下面中央領域の上方から前記基体の下面周辺領域の上方にまで延在する前記第２伝熱層は、前記基体の下面周辺領域の上方にまで延在されたところから、前記基体の下面に向かってサイドビアが形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子デバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１０−２３８９４１（Ｐ２０１０−２３８９４１Ａ）
【公開日】平成２２年１０月２１日（２０１０．１０．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−８５７６０（Ｐ２００９−８５７６０）
【出願日】平成２１年３月３１日（２００９．３．３１）
【出願人】（０００００１８８９）三洋電機株式会社 (18,308)
【出願人】（３９７０１６７１４）三洋電波工業株式会社 (22)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月２１日（２０１０．１０．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月３１日（２００９．３．３１）
【出願人】（０００００１８８９）三洋電機株式会社 (18,308)
【出願人】（３９７０１６７１４）三洋電波工業株式会社 (22)
【Ｆターム（参考）】
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