発光構造物、発光構造物を含む表示装置、及び表示装置の製造方法
【課題】発光構造物、発光構造物を含む表示装置、及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 表示装置はスイッチング構造物、第１電極、発光構造物、第２電極などを含むことができる。発光構造物は第１正孔注入層、第１有機発光層、電荷生成層、第２正孔注入層、第２有機発光層、電子輸送層、光学距離調節層、遮断部材などを含むことができる。遮断部材と光学距離調節層は第１〜３サブ画素領域のうち少なくとも一つに配置されることができる。遮断部材と光学距離調節層を具備する発光構造物を通じて表示装置の色順度、輝度、色再現性などを向上させることができる。
【解決手段】 表示装置はスイッチング構造物、第１電極、発光構造物、第２電極などを含むことができる。発光構造物は第１正孔注入層、第１有機発光層、電荷生成層、第２正孔注入層、第２有機発光層、電子輸送層、光学距離調節層、遮断部材などを含むことができる。遮断部材と光学距離調節層は第１〜３サブ画素領域のうち少なくとも一つに配置されることができる。遮断部材と光学距離調節層を具備する発光構造物を通じて表示装置の色順度、輝度、色再現性などを向上させることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光構造物、発光構造物を含む表示装置、及び発光構造物を含む表示装置の製造方法に関する。より詳しくは、本発明は遮断部材を有する発光構造物、遮断部材を有する発光構造物を含む表示装置、及び遮断部材を有する発光構造物を含む表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示（organic light emitting display、ＯＬＥＤ）装置は、陽極（anode）と陰極（cathode）とからそれぞれ提供される正孔と電子が、このような陽極と陰極との間に位置する有機層（organic layer）において結合し生成される光を利用して画像、文字などの情報を示すことのできる表示装置をいう。液晶表示（ＬＣＤ）装置、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）装置、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）装置など、多様な表示装置のうち有機発光表示装置は、広い視野角、速い応答速度、薄い厚さ、低い消費電力など色々な長所を有するのでテレビ、モニタ、移動通信機器、ＭＰ３、携帯用ディスプレイ機器などの多様な電気、及び電子装置に広く適用されており、有機発光表示装置は、最も有望な次世代ディスプレイ装置の一つとして急激に発展している。
【０００３】
通常の有機発光表示装置において、電極から提供される電子と正孔が有機層で再結合しながらエキシトン（excitons）を形成し、このような励起子からのエネルギによって所定の波長を有する光が発生することによって画像を形成する。従来の有機発光表示装置の具現方式には、断層発光方式、多層発光方式、色変換方式、素子積層方式などがあり、この中で多層発光方式が最も広く利用されている。多層発光方式を有する有機発光表示装置において、赤色、青色、及び緑色の光を放出する有機発光層を多層構造で形成し、前記多層構造で放出された光が混色され白色光が放出される。しかし、従来の白色光を放出する有機発光表示装置において、多層構造の有機発光層自体の安定性が低下し色純度が低下するという短所がある。有機発光層の上部にカラーフィルタを配置して色純度を向上させることができるが、カラーフィルタが追加される場合には装置の製造工程が複雑になり、費用が増加するだけでなくカラーフィルタによる光効率が減少するという問題点が発生する
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一目的は、向上した色純度、色再現性、輝度などを確保できる発光構造物を提供することにある。
【０００５】
本発明の他の目的は、色純度、輝度などを向上させることができ、高解像度の画像をディスプレイできる表示装置を提供することにある。
【０００６】
本発明のまた他の目的は、色純度、輝度などを改善することができ、高解像度の画像をディスプレイできる表示装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
本発明の解決しようとする課題は、上述した課題に限定されるのではなく、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で多様に拡張するべきである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の本発明の一目的を達成するために、本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物は、第１サブ画素領域、第２サブ画素領域、及び第３サブ画素領域を含むことができる。前記発光構造物は、第１正孔注入層、前記第１正孔注入層上に配置される第１有機発光層、前記第１有機発光層上に配置される電荷生成層、前記電荷生成層上に配置される第２正孔注入層、前記第２正孔注入層上に配置される第２有機発光層、前記第２有機発光層上に配置される電子輸送層、そして前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに配置される遮断部材を含むことができる。
【０００９】
例示的な実施形態において、前記第１サブ画素領域の第１光学共振距離、前記第２サブ画素領域の第２光学共振距離、そして前記第３サブ画素領域の第３光学共振距離は実質的に互いに相異なることができる。
【００１０】
例示的な実施形態において、前記第１サブ画素領域〜前記第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つには光学距離調節層が配置されることができる。例えば、前記光学距離調節層は、前記第１正孔注入層下部に配置されることができる。また、隣接するサブ画素領域で前記光学距離調節層は、実質的に相異なる厚さを有することができる。例えば、前記光学距離調節層は、前記第１正孔注入層と実質的に同一または実質的に類似する物質を含むことができる。
【００１１】
例示的な実施形態において、前記第１光学共振距離は、前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される赤色光に対して光学的共振を起こすように調節することができ、前記第２光学共振距離は前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される緑色光に対して光学的共振を起こすように調節することができる。また、前記第３光学共振距離は前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される青色光に対して光学的共振を起こすように調節することができる。
【００１２】
例示的な実施形態によれば、前記第１有機発光層は青色発光層を含むことができる。この場合、前記第２有機発光層は緑色発光層及び赤色発光層を含むか、または、緑色光及び赤色光を発光させる一つの発光層を含むことができる。そこで、前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記第２正孔注入層と前記第１有機発光層との間に位置することができ、前記第１サブ画素領域で前記第２正孔注入層から前記第１有機発光層への電子の流れを遮断することができる。
【００１３】
他の例示的な実施形態において、前記遮断部材は前記第１サブ画素領域で前記第１有機発光層と前記電荷生成層との間に位置することができ、前記第１サブ画素領域で前記第１有機発光層から形成されるエキシトンの移動を遮断することができる。
【００１４】
例示的な実施形態において、前記第１有機発光層は緑色発光層及び赤色発光層を含むか、または、緑色光及び赤色光を発生させる一つの発光層を含むことができ、前記第２有機発光層は青色発光層を含むことができる。この場合、前記遮断部材は前記第１サブ画素領域で前記第２正孔注入層と前記第２有機発光層との間に位置することができ、前記第１サブ画素領域で前記第２正孔注入層から前記第２有機発光層への電子の流れを遮断することができる。他の例示的な実施形態によれば、前記遮断部材は前記第１サブ画素領域で前記第２有機発光層と前記電子輸送層との間に位置することができ、前記第１サブ画素領域で前記第２有機発光層から形成されるエキシトンの移動を遮断することができる。
【００１５】
例示的な実施形態において、前記遮断部材は、電子遮断層またはエキシトンクエンチング層を含むことができる。例えば、前記遮断部材はフラーレン（fullerene）、置換されたトリアリールアミンを含む高分子物質、カルバゾール系高分子物質、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロペンタン、４,４’−（９Ｈ−フルオレン−９−イリデン）ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−ベンゼンアミン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−メチルシクロヘキサン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−３−フェニルプロパン、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）エタン、４−（４−ジエチルアミノフェニル）トリフェニルメタン、４,４’−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）ジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ−ビス［２,５−ジメチル−４−［（３−メチルフェニル）フェニルアミノ］フェニル］−２,５−ジメチル−Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニル−１,４−ベンゼンジアミン、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン（ＴＣＴＡ）、４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン、９,９’−（２,２’−ジメチル［１,１’−ビフェニル］−４,４’−ジイル）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＤＢＰ）、９,９’−［１,１’−ビフェニル］−４,４’−ジイルビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＢＰ）、９,９’−（１,３−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ｍＣＰ）、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール、９,９’，９’’−（１,３,５−ベンゼントリイル）トリス−９Ｈ−カルバゾール、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３,６−ジアミン、９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３,６−ジアミン、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールなどを含むことができる。
【００１６】
上述した本発明の他の目的を達成するために、本発明の例示的な実施形態に係る表示装置は、第１〜第３サブ画素領域を含む基板、前記基板上に配置される第１電極、前記第１電極上に配置され、前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに配置される遮断部材を具備する発光構造物、そして前記発光構造物上に配置される第２電極を含むことができる。この場合、前記第１サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極との間の第１光学共振距離、前記第２サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極との間の第２光学共振距離、そして前記第３サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極との間の第３光学共振距離が実質的に互いに相異なることができる。
【００１７】
例示的な実施形態において、前記発光構造物は前記第１電極上に配置される第１正孔注入層、前記第１正孔注入層上に配置される第１有機発光層、前記第１有機発光層上に配置される電荷生成層、前記電荷生成層上に配置される第２正孔注入層、前記第２正孔注入層上に配置される第２有機発光層、そして前記第２有機発光層上に配置される電子輸送層を含むことができる。
【００１８】
例示的な実施形態において、前記発光構造物は前記第１電極上に配置される光学距離調節層をさらに含むことができる。この時、隣接するサブ画素領域で前記光学距離調節層が実質的に相異なる厚さを有することができる。
【００１９】
例示的な実施形態によれば、前記第１光学共振距離は、前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される赤色光に対して光学的共振を起こすように調節することができ、前記第２光学共振距離は前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される緑色光に対して光学的共振を起こすように調節することができる。また、前記第３光学共振距離は前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される青色光に対して光学的共振を起こすように調節することができる。
【００２０】
例示的な実施形態において、前記第１有機発光層は青色発光層を含むことができるが、前記第２有機発光層は緑色発光層及び赤色発光層を含むかまたは緑色光及び赤色光を発光する一つの発光層を含むことができる。この時、前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記第１正孔注入層と前記第１有機発光層との間に配置されることができ、前記第１サブ画素領域で前記第１正孔注入層から前記第１有機発光層への電子の流れを遮断することができる。他の例示的な実施形態において、前記遮断部材は前記第１サブ画素領域で前記第１有機発光層と前記電荷生成層との間に配置されることができ、前記第１サブ画素領域で前記第１有機発光層から形成されるエキシトンの移動を遮断することができる。
【００２１】
例示的な実施形態において、前記第１有機発光層は、緑色発光層及び赤色発光層を含むか、或いは、緑色光及び赤色光を発光する一つの発光層を含むことができ、前記第２有機発光層は青色発光層を含むことができる。そこで、前記遮断部材は前記第１サブ画素領域で前記第２正孔注入層と前記第２有機発光層との間に配置されることができ、前記第１サブ画素領域で前記第２正孔注入層から前記第２有機発光層への電子の流れを遮断することができる。他の例示的な実施形態によれば、前記遮断部材は前記第１サブ画素領域で前記第２有機発光層と前記電子輸送層との間に配置されることができ、前記第１サブ画素領域で前記第２有機発光層から形成されるエキシトンの移動を遮断することができる。
【００２２】
上述した本発明のまた他の目的を達成するために、本発明の例示的な実施形態に係る表示装置の製造方法において、第１〜第３サブ画素領域を具備する基板上に第１電極を形成した後、前記第１電極上に光学距離調節層及び遮断部材を含む発光構造物を形成することができる。前記発光構造物上に第２電極を形成することができる。この場合、前記第１サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極の間の第１光学共振距離、前記第２サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極の間の第２光学共振距離、そして前記第３サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極の間の第３光学共振距離が実質的に互いに相異に具現されることができる。
【００２３】
例示的な実施形態において、前記光学距離調節層は前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに形成されることができる。例えば、前記光学距離調節層は、レーザー熱転写工程を利用して前記第１電極上に形成することができる。例示的な実施形態に係る前記光学距離調節層を形成する過程において、前記基板上にドナー基板をラミネートした後、前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに対応する前記ドナー基板の少なくとも一つの領域にレーザービームを照射することができる。前記基板から前記ドナー基板を除去し前記光学距離調節層を形成することができる。
【００２４】
例示的な実施形態に係る前記発光構造物を形成する過程において、前記光学距離調節層上に第１有機発光層を形成した後、前記第１有機発光層上に電荷生成層を形成することができる。前記電荷生成層上に第２有機発光層を形成することができる。
【００２５】
例示的な実施形態において、前記遮断部材は前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つにおいて前記光学距離調節層と前記第１有機発光層との間に形成されることができる。例えば、前記遮断部材はレーザー熱転写工程を利用して形成することができる。例示的な実施形態に係る前記遮断部材を形成する過程において、前記基板上にドナー基板をラミネートした後、前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに対応する前記ドナー基板の少なくとも一つの領域にレーザービームを照射することができる。前記基板から前記ドナー基板を除去して前記遮断部材を収得することができる。
【００２６】
他の例示的な実施形態において、前記遮断部材は前記第１〜前記第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つにおいて前記第１有機発光層と前記電荷生成層との間に形成されることができる。また他の例示的な実施形態によれば、前記遮断部材は前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つにおいて前記第２有機発光層と前記第２電極との間に形成されることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の例示的な実施形態に係る表示装置において、各サブ画素領域が実質的に相異なる光学共振距離を有するようにして、前記サブ画素領域でそれぞれ互いに異なる波長を有する色光を起こすことができ、これに従って、表示装置の画素領域において色純度、輝度、色再現性などを改善することができ、前記表示装置の駆動電圧を減少させて寿命を延長させることができる。また、青色発光層から赤色発光層及び／または緑色発光層が互いに分離することができ、画素領域から発光される色光の色安定性と色再現性を向上させることができ、青色発光層の寿命を延長させることができる。さらに、各サブ画素領域が色純度と輝度の高い色光を放出できるので、前記表示装置が別途のカラーフィルタを具備しなくても高い色純度と輝度を有する高解像度の画像を実現することができる。前記表示装置の製造過程において、付加的な層を形成する必要がないので、その製造費用を節減でき、製造工程も単純化できる。例えば、カラーフィルタを形成するための工程が要求されないのでカラーフィルタによる画像の輝度減少を防止できる。
【００２８】
ただし、本発明の効果が上述の効果に限定されるのではなく、本発明の思想及び領域の範囲内で多様に拡張されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を説明するための断面図である。
【図２】電子遮断層の層厚に応じた赤色光及び青色光の光学的共振による発光ピーク波長を示すグラフである。
【図３】本発明の他の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を説明するための断面図である。
【図４】本発明のまた他の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を示す断面図である。
【図５】本発明のまた他の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を説明するための断面図である。
【図６】本発明のまた他の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を示す断面図である。
【図７】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の例示的な実施形態に係る液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法に対し添付した図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明が下記実施形態によって制限されるのではなく、当該分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想の範疇内において、本発明を多様な形態で具現できる。
【００３１】
本明細書に開示されている本発明の例示的な実施形態に対して、特定の構造的乃至機能的説明は、単に本発明の例示的な実施形態を説明するための目的として例示したものであり、本発明の例示的な実施形態は多様な形態で実施でき、本明細書に説明した例示的な実施形態に限定されるものと解釈してはならない。
【００３２】
本発明は多様な変更を加えることができ、種々の形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示して本明細書に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての変更、均等物ないし代替物を含むと理解するべきである。
【００３３】
本明細書において、第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するのに使用することができるが、これらの構成要素がこのような用語によって限定されてはならない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使われる。例えば、本発明の権利範囲から逸脱せずに第１構成要素は第２構成要素と命名することができ、類似に第２構成要素も第１構成要素と命名することができる。
【００３４】
ある構成要素が他の構成要素に「連結されて」いる、または「接続されて」いると言及された場合には、その他の構成要素に直接的に連結されていたり、接続されていることも意味するが、中間に他の構成要素が存在する場合も含むと理解するべきである。一方、ある構成要素が他の構成要素に「直接連結されて」いる、または「直接接続されて」いると言及された場合には、中間に他の構成要素が存在しないと理解すべきである。構成要素の間の関係を説明する他の表現、すなわち「〜間に」と「すぐに〜間に」または「〜に隣接する」と「〜に直接隣接する」等も同じように解釈すべきである。
【００３５】
本明細書で使用した用語は単に特定の実施形態を説明するために使用したもので、本発明を限定するものではない。単数の表現は文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。本明細書で、「含む」または「有する」等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品または、これを組み合わせたものが存在するということを示すものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品または、これを組み合わせたものなどの存在または、付加の可能性を、予め排除するわけではない。
【００３６】
また、別に定義しない限り、技術的或いは科学的用語を含み、本明細書中において使用される全ての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、一般的に理解するのと同一の意味を有する。一般的に使用される辞書において定義する用語と同じ用語は関連技術の文脈上に有する意味と一致する意味を有するものと理解するべきで、本明細書において明白に定義しない限り、理想的或いは形式的な意味として解釈してはならない
【００３７】
以下、添付図面を参照して、本発明の望ましい実施形態をより詳細に説明する。図面上の同一構成要素に対しては同一参照符号を使用し、同一構成要素に対しての重複した説明は省略する。
【００３８】
図１は本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を示す断面図である。
【００３９】
図１を参照すれば、前記表示装置は基板１００、スイッチング構造物（switching structure）、第１電極３００、発光構造物（light emitting structure）４００、第２電極５００などを含むことができる。
【００４０】
例示的な実施形態において、前記表示装置は発光構造物４００が位置する表示領域と、このような表示領域に隣接する非表示領域を含むことができる。また、前記表示装置の表示領域は第１サブ画素領域（Ｉ）,第２サブ画素領域（ＩＩ）及び第３サブ画素領域（ＩＩＩ）を含むことができる。この場合、発光構造物４００も第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）に区分できる。
【００４１】
前記スイッチング構造物は基板１００と第１電極３００との間に位置することができ、発光構造物４００は第１電極３００と第２電極５００との間に配置することができる。そこで、前記スイッチング構造物は基板１００上に提供されることができる。
【００４２】
基板１００は透明基板を含むことができる。例えば、基板１００はガラス基板、透明プラスチック基板、透明セラミック基板などを含むことができる。他の例示的な実施形態において、基板１００は軟性を有する基板（flexible substrate）からなることもできる。
【００４３】
基板１００上にはバッファ層１１０が配置されることができる。バッファ層１１０は基板１００から不純物が広がる現象を防止することができ、基板１００の平坦度を向上させることもできる。また、バッファ層１１０は基板１００に前記スイッチング構造物を形成する過程で発生するストレス（stress）を減少させる役割を遂行することもできる。バッファ層１１０は酸化物、窒化物、酸窒化物などを含むことができる。例えば、バッファ層１１０はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）及び／またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯｘＮｙ）を含む断層構造または多層構造を有することができる。
【００４４】
前記表示装置が能動型駆動方式を採用する場合、基板１００と第１電極３００との間に前記スイッチング構造物が配置されることができる。前記スイッチング構造物はスイッチング素子と少なくとも一つの絶縁層とを含むことができる。
【００４５】
例示的な実施形態において、前記スイッチング素子はシリコンを含有する半導体層を具備する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含むことができる。他の例示的な実施形態によれば、前記スイッチング素子は半導体酸化物で構成されるアクティブ層を具備する酸化物半導体素子を含むこともできる。
【００４６】
前記スイッチング構造物のスイッチング素子が薄膜トランジスタを含む場合、前記スイッチング素子は半導体層２１０、ゲート絶縁膜２２０、ゲート電極２３１、ソース電極２３３、ドレーン電極２３５などを含むことができる。
【００４７】
半導体層２１０はバッファ層１１０上に配置でき、ゲート絶縁膜２２０は、半導体層２１０を覆ってバッファ層１１０上に位置できる。半導体層２１０は第１不純物領域２１１、チャネル領域２１３、及び第２不純物領域２１５を含むことができる。そこで、第１及び第２不純物領域２１１、２１５は、それぞれ前記スイッチング素子のドレーン領域及びソース領域として機能することができる。半導体層２１０は、ポリシリコン（polysilicon）、不純物を含むポリシリコン、アモルファスシリコン（amorphous silicon）、不純物を含むアモルファスシリコンなどからなることができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。ゲート絶縁膜２２０は、酸化物、有機絶縁物質などを含むことができる。例えば、ゲート絶縁膜２２０はシリコン酸化物、ハフニウム酸化物（ＨｆＯｘ）、アルミニウム酸化物（ＡｌＯｘ）、ジルコニウム酸化物（ＺｒＯｘ）、チタン酸化物（ＴｉＯｘ）、タンタル酸化物（ＴａＯｘ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系樹脂、アクリル（acryl）系樹脂などを含むことができる。ゲート絶縁膜２２０は、前記酸化物または前記有機絶縁物質を含む断層構造または多層構造を有することができる。
【００４８】
ゲート電極２３１は、半導体層２１０に隣接するゲート絶縁膜２２０上に配置されることができる。例えば、ゲート電極２３１は下に半導体層２１０のチャネル領域２１３が位置する部分のゲート絶縁膜２２０上に位置することができる。ゲート電極２３１は、金属、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性物質などを含むことができる。例えば、ゲート電極２３１は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、アルミニウム窒化物（ＡｌＮｘ）、銀（Ａｇ）、銀合金、タングステン（Ｗ）、タングステン窒化物（ＷＮｘ）、銅（Ｃｕ）、銅合金、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金、チタン（Ｔｉ）、チタン窒化物（ＴｉＮｘ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、ネオジム（Ｎｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）、タンタル窒化物（ＴａＮｘ）、ストロンチウムルテニウム酸化物（ＳｒＲｕｘＯｙ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯｘ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、スズ酸化物（ＳｎＯｘ）、インジウム酸化物（ＩｎＯｘ）、ガリウム酸化物（ＧａＯｘ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などを含むことができる。ゲート電極２３１は金属、金属窒化物、導電性金属酸化物、及び／または、透明導電性物質を含む断層構造または多層構造を有することができる。
【００４９】
例示的な実施形態において、ゲート絶縁膜２２０上にはゲート電極２３１に連結されるゲートライン（図示せず）が配置されることができる。ゲート電極２３１には前記ゲートラインを通じてゲート信号が印加されることができる。前記ゲートラインは、ゲート電極２３１と実質的に同一または実質的に類似物質で構成できる。また、前記ゲートラインも金属、金属窒化物、導電性金属酸化物、及び／または、透明導電性物質を含む断層構造または多層構造を有することができる。
【００５０】
ゲート絶縁膜２２０上にはゲート電極２３１を覆う層間絶縁膜２４０が配置できる。層間絶縁膜２４０は、酸化物、窒化物、酸窒化物、有機絶縁物質などを含むことができる。例えば、層間絶縁膜２４０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、アクリル系樹脂、ポリイミド（polyimide）系樹脂、シロキサン（siloxane）系樹脂などで構成できる。 これらは単独でまたは互いに組合わせて使うことができる。層間絶縁膜２４０はゲート電極２３１のプロファイルに沿ってゲート絶縁膜２２０上で均一な厚さを有することができる。他の例示的な実施形態において、層間絶縁膜２４０はゲート電極２３１を十分にカバーしながら実質的に平坦な上面を有することもできる。
【００５１】
ソース電極２３３とドレーン電極２３５は、それぞれ層間絶縁膜２４０とゲート絶縁膜２２０を貫通して第２不純物領域２１５及び第１不純物領域２１１に接続できる。ソース電極２３３とドレーン電極２３５は、それぞれ金属、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性物質などを含むことができる。例えば、ソース電極２３３及びドレーン電極２３５は、各々アルミニウム、アルミニウムの合金、アルミニウム窒化物、銀、銀合金、タングステン、タングステン窒化物、銅、銅の合金、ニッケル、クロム、モリブデン、モリブデンの合金、チタン、チタン窒化物、白金、タンタル、ネオジム、スカンジウム、タンタル窒化物、ストロンチウムルテニウム酸化物、亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、スズ酸化物、インジウム酸化物、ガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物などを含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。また、ソース電極２３３及びドレーン電極２３５は、それぞれ金属、金属窒化物、導電性金属酸化物及び／または透明導電性物質を含む断層構造または多層構造を有することができる。
【００５２】
例示的な実施形態において、層間絶縁膜２４０上にはソース電極２３３に接続されるデータライン（図示せず）が配置され、このようなデータラインを通じてソース電極２３３にデータ信号が印加されることができる。前記データラインはソース電極２３３と実質的に同一または類似物質を含むことができる。また、前記データラインは金属、金属窒化物、導電性金属酸化物、及び／または、透明導電性物質を含む断層構造または多層構造を有することができる。前記ゲートラインと前記データラインは基板１００の上部で互いに実質的に直交する方向に沿って交差でき、このようなゲートラインとデータラインとの交差により前記表示装置の表示領域を定義できる。
【００５３】
前記スイッチング構造物の絶縁層２５０はソース電極２３３とドレーン電極２３５を覆って層間絶縁膜２４０上に配置できる。絶縁層２５０にはドレーン電極２３５の一部を露出させる孔が提供されることができる。絶縁層２５０は透明プラスチック、透明樹脂などのような透明絶縁性物質を含むことができる。例えば、絶縁層２５０はベンゾシクロブテン系樹脂、オレフィン（olefin）系樹脂、ポリイミド（polyimide）系樹脂、アクリル系樹脂、ポリビニール（polyvinyl）系樹脂、シロキサン（siloxane）系樹脂などを含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。例示的な実施形態によれば、絶縁層２５０は平坦化工程を通じて収得する実質的に平坦な対面を有することができる。例えば、絶縁層２５０の上部を化学機械的研磨（ＣＭＰ）工程、エッチバック（etch−back）工程などを利用して平坦化させることができる。他の例示的な実施形態において、絶縁層２５０は、自己平坦性（self planarizing property）を有する物質を含むことができる。
【００５４】
図１に例示的に図示した表示装置において、前記スイッチング構造物は半導体層２１０上にゲート電極２３１が配置されるトップゲート（top gate）構造を有する薄膜トランジスタを含むが、前記スイッチング素子の構成がそれに限定されるのではない。例えば、前記スイッチング素子は半導体層２１０の下にゲート電極２３１が位置するボトムゲート（bottom gate）構造を有することもでき、半導体酸化物で構成されたアクティブ層を具備する酸化物半導体素子を含むこともできる。
【００５５】
再び図１を参照すれば、第１電極３００は絶縁層２５０上に配置できる。例示的な実施形態において、第１電極３００は絶縁層２５０の孔を部分的または全体的に埋め立てることができ、これによって、第１電極３００は前記スイッチング素子に電気的に連結されることができる。つまり、第１電極３００は前記孔を通じて露出されるドレーン電極２３５に接続されることができる。他の例示的な実施形態によれば、ドレーン電極２３５上には絶縁層２５０の孔を埋め立てるコンタクト（図示せず）、プラグ（図示せず）、パッド（図示せず）などが追加的に配置されることができる。この場合、第１電極３００は、前記パッド、前記プラグまたは前記コンタクトを通じてドレーン電極２３５に電気的に接続されることができる。
【００５６】
前記表示装置が前面発光方式を有する場合、第１電極３００は反射性を有する反射電極に該当することができる。この場合、第２電極５００は半透過性を有する半透過電極または透過性を有する透過電極に該当することができる。しかし、第１電極３００及び第２電極５００の構成物質は、前記表示装置の発光方式によって変わることができる。例えば、第１電極３００が透過電極または半透過電極に該当することができ、第２電極５００が反射電極に該当することもできる。本明細書において、「反射性」というのは、入射光に対する反射率が約７０％以上約１００％以下であることを意味し、「半透過性」というのは、入射光の反射率が約３０％以上約７０％以下であることを意味する。また、「透過性」というのは、入射光に対する反射率が約３０％以下であることを意味する。
【００５７】
例示的な実施形態により第１電極３００が反射電極に該当する場合には、第１電極３００は相対的に高い反射率を有する金属、合金などを含むことができる。例えば、第１電極３００は、アルミニウム、銀、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、クロム、タングステン、モリブデン、チタン、パラジウム（Ｐｄ）、これらの合金などを含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。第１電極３００に含まれる合金としては、ＡＣＡ（Ａｇ−Ｃｕ−Ａｕ）合金、ＡＰＣ（Ａｇ−Ｐａ−Ｃｕ）合金などを挙げることができる。例示的な実施形態によれば、第１電極３００は、前記金属及び／または合金を含む断層構造または多層構造を有することができる。
【００５８】
第２電極５００が半透過電極に該当する場合、第２電極５００は実質的に一つの金属薄膜を含むことができる。この場合、第２電極５００は所定の反射率を有すると同時に所定の透過率を有することができる。第２電極５００が相対的に厚い厚さを有する場合には、前記表示装置の光効率が低下することがあるので、第２電極５００は相対的に薄い厚さを有することができる。例えば、第２電極５００は、約３０ｎｍ以下の厚さを有することができる。第２電極５００に含まれる金属としては、アルミニウム、銀、金、白金、クロム、タングステン、モリブデン、チタン、パラジウム、これらの合金などを挙げることができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。他の例示的な実施形態において、第２電極５００は透明導電性物質を含むことができる。すなわち、第２電極５００は透過電極に該当することができる。例えば、第２電極５００はインジウム亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、ガリウムスズ酸化物、亜鉛酸化物、ガリウム酸化物、スズ酸化物、インジウム酸化物などを含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。また他の例示的な実施形態において、第２電極５００は互いに相異なる屈折率を有する複数の透過層または複数の半透過層を含む多層構造を有することができる。
【００５９】
例示的な実施形態において、第１電極３００は、発光構造物４００の第１正孔注入層４１０に正孔（holes）を提供する陽極（anode）に該当し、第２電極５００は電子輸送層４９０に電子を提供する陰極（cathode）に該当する。しかし、第１電極３００及び第２電極５００の役割がこれに限定するのではなく、第１電極３００と第２電極５００の機能が互いに変わることができる。例えば、第１電極３００が陰極の役割をし、第２電極５００が陽極として機能することもできる。第１電極３００及び第２電極５００の機能によって発光構造物４００の正孔輸送層４２０、有機発光層４３０、電子輸送層４８０などの積層順が変わることができる。
【００６０】
例示的な実施形態によれば、図１に図示したように、前記表示装置の表示領域は第１サブ画素領域（Ｉ）、第２サブ画素領域（ＩＩ）及び第３サブ画素領域（ＩＩＩ）を含むことができる。
【００６１】
前記表示領域の第１電極３００上には光学距離調節層３５０が配置でき、前記表示領域に隣接する非表示領域の絶縁層２５０上には保護層２８０が位置できる。例示的な実施形態において、保護層２８０はドレーン電極２３５に接続される第１電極３００の一部をカバーするように延長することができる。保護層２８０は、酸化物、窒化物、酸窒化物、有機絶縁物質などを含むことができる。例えば、保護層２８０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、ベンゾシクロブテン系樹脂、オレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリビニル系樹脂、シロキサン系樹脂などを含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。他の例示的な実施形態によれば、前記表示装置が保護層２８０を具備しないことによって、より簡単な構成を有することもできる。
【００６２】
例示的な実施形態によれば、光学距離調節層３５０は第１サブ画素領域（Ｉ）及び第２サブ画素領域（ＩＩ）に位置する第１電極３００上に配置されることができる。他の例示的な実施形態によれば、光学距離調節層３５０は第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）全部に配置できる。また他の例示的な実施形態において、光学距離調節層３５０は第１サブ画素領域（Ｉ）内のみに位置できる。
【００６３】
光学距離調節層３５０は後述するように発光構造物４００から発生する光の光学的共振のために所定の光学距離を確保または光学距離を調節する機能を遂行することができる。例示的な実施形態において、第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で光学距離調節層３５０の部分は実質的に相異なる厚さを有することができる。例えば、第１サブ画素領域（Ｉ）に位置する光学距離調節層３５０の第１部分の厚さが第１サブ画素領域（ＩＩ）に位置する光学距離調節層３５０の第２部分の厚さに比べて実質的に厚いこともある。このような光学距離調節層３５０の厚さの差によって第１電極３００と第２電極５００との間の間隔が第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で実質的に相異に変化できる。
【００６４】
光学距離調節層３５０は実質的に光透過性を有することができる。例えば、光学距離調節層３５０は入射光に対して約７０％以上約１００％以下の光透過率を有することができる。例示的な実施形態において、光学距離調節層３５０は後述する遮断部材４４０または第１正孔注入層４１０を構成する物質と実質的に同一または実質的に類似物質を含むことができる。他の例示的な実施形態によれば、光学距離調節層３５０は透明絶縁物質を含むことができる。例えば、光学距離調節層３５０は、ベンゾシクロブテン系樹脂、オレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリビニル系樹脂、シロキサン系樹脂などを含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。
【００６５】
通常的に、「光学的共振（optical resonance）」または「微小共振器（microcavity）効果」は、入射光に対して反射性または半透過性を有する２つの面の間の光学距離が特定波長の光に対する干渉条件を満足する場合に、このような特定波長を有する光の輝度または光の強度が増加する現象を意味する。そこで、「反射性」は入射光に対する光の反射率が約７０％以上約１００％以下になることを意味して、「半透過性」は入射光に対する光の反射率が約３０％以上約７０％以下であることを意味する。前記光学距離は光が所定の層または電極を通過する時、このような層や電極の屈折率（ｎ）と厚さ（ｄ）を乗算した値に該当する。屈折率が互いに異なる複数の電極や層を光が通過する時の全体的な光学距離は、各電極や層の屈折率と、厚さの積である光学距離を合算した値（ｎｄ）に該当する。
【００６６】
実質的に反射性または半透過性を有する２つの面の間に複数の層や電極が介在する場合、前記２つ面の間で光学的共振が発生する条件は次の式（１）で示すことができる。
【００６７】
【数１】
【００６８】
前記式（１）において、ｎｊは反射性または半透過性を有する２つの面の間に介在した複数の層または電極のうち所定の波長（λ）を有する光が通過するｊ番目層の屈折率を意味する。また、ｄｊは前記ｊ番目層の厚さを示し、ｍは任意の整数を示す。一方、θｊは光が前記ｊ番目層を通過したり反射性または半透過性を有する面で反射する時に生じる位相変化を意味する。前記式（１）を光学距離に対して変形すると、次の式（２）を得ることができる。
【００６９】
【数２】
【００７０】
前記式（２）において、Ｌは所定の波長（λ）を有する光に対して共振条件を満足させる光学距離を意味する。以下、所定の波長を有する光に対する共振条件を満足させる光学距離を「光学共振距離」と称する。Φは光学共振距離（Ｌ）の間で発生する光の位相変化の合計であり、−πラジアン（radian）以上πラジアン以下の値を有することができる。特定の光学共振距離（Ｌ）で光学的共振を起こす光の波長を「ピーク波長」と称する。
【００７１】
前記式（２）によると、所定の波長（λ）を有する光に対する光学共振距離（Ｌ）は任意の整数ｍに従がって多様な値を有することが分かる。従って、光学共振距離（Ｌ）の値が大きい場合、同一の光学共振距離（Ｌ）に対して互いに異なるピーク波長にそれぞれ対応する互いに異なるｍ値（すなわち、式（２）の解に該当する値）が存在できる。
【００７２】
例えば、光学共振距離（Ｌ）の間で発生する光の位相変化の合計が「０」であると仮定し、計算の便宜のために赤色光の波長を６６０ｎｍとし、青色光の波長を４４０ｎｍと仮定する。このような６６０ｎｍ波長の赤色光に対して共振を起こす光学共振距離（Ｌ）は約３３０ｎｍ（ｍ＝１の場合）、約６６０ｎｍ（ｍ＝２の場合）、約９９０ｎｍ（ｍ＝３の場合）、約１，３２０ｎｍ（ｍ＝４の場合）などのようにいくつかが存在し、４４０ｎｍ波長の青色光に対して共振を起こす光学共振距離（Ｌ）は約２２０ｎｍ（ｍ＝１の場合）、約４４０ｎｍ（ｍ＝２の場合）、約６６０ｎｍ（ｍ＝３の場合）、約８８０ｎｍ（ｍ＝４の場合）などのようにいくつかが存在できる。すなわち、一つのピーク波長に対して複数の光学共振距離（Ｌ）が導き出されることができる。ただし、製造工程的な側面で表示装置の現実的な大きさ制限により光学共振距離（Ｌ）が制限できる。
【００７３】
再び図１を参照すれば、前記表示装置の第１サブ画素領域（Ｉ）は主に赤色光を放出する領域に該当でき、第２サブ画素領域（ＩＩ）は主に緑色光を生成する領域に該当する。また、第３サブ画素領域（ＩＩＩ）は主に青色光を発生させる領域に該当する。これによって、第１サブ画素領域（Ｉ）での第１光学共振距離は主に赤色光に対して光学的共振を起こすように調節でき、第２サブ画素領域（ＩＩ）での第２光学共振距離は実質的に緑色光に対して光学的共振を起こすように調節でき、第３サブ画素領域（ＩＩＩ）での第３光学共振距離は主に青色光に対して光学的共振を起こすように調節できる。
【００７４】
例示的な実施形態において、前記第１〜第３光学共振距離は第１電極３００と第２電極５００との間に配置される色々な層の厚さ、及び／または、屈折率を調節して変化できる。前記表示装置の第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で発光構造物４００の厚さが一定する場合には、第１電極３００と発光構造物４００との間に配置された光学距離調節層３５０の厚さ、及び／または、屈折率を調節して前記第１〜第３光学共振距離を調節できる。
【００７５】
上述通り、光学的共振でmの値が同一の場合には共振される波長の長さが長ければ光学共振距離の長さも長くなる。従って、赤色光の発光のため第１サブ画素領域（Ｉ）での第１光学共振距離が、緑色光の発光のための第２サブ画素領域（ＩＩ）での第２光学共振距離より、実質的にさらに大きいことがある。また、第２サブ画素領域（ＩＩ）での第２光学共振距離が、青色光の発光のため第３サブ画素領域（ＩＩＩ）での第３光学共振距離より実質的により大きいことがある。これによって、第１サブ画素領域（Ｉ）での光学距離調節層３５０の厚さは第２サブ画素領域（ＩＩ）での光学距離調節層３５０の厚さより実質的に大きいことがある。
【００７６】
例示的な実施形態に係る表示装置において、第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）が実質的に互いに異なる光学共振距離を有することによって、第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）でそれぞれ互いに異なる波長の光が光学的共振を起こすことができる。従って、前記表示装置の表示領域で色純度と輝度が向上するという効果を得ることができる。また、前記表示装置の駆動電圧を減少させて寿命の延長を期待できる。
【００７７】
図１に図示したように、発光構造物４００は光学距離調節層３５０を含むことができ、第１電極３００上に配置されることができる。例示的な実施形態において、発光構造物４００は第１正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、第１有機発光層４３０、遮断部材４４０、電荷生成層（ＣＧＬ）４５０、第２正孔注入層４６０、第２有機発光層４８０、電子輸送層４９０などを含むことができる。
【００７８】
例示的な実施形態において、第１正孔注入層４１０は、光学距離調節層３５０をカバーし、第１電極３００上に配置されることができる。第１正孔注入層４１０は、第１電極３００から第１有機発光層４３０に正孔の注入を円滑にする役割を遂行できる。例えば、第１正孔注入層４１０は、ＣｕＰｃ（copper phthalocyanine）、ＰＥＤＯＴ（poly(3,4)-ethylenedioxythiophene）、ＰＡＮＩ（polyaniline）、ＮＰＤ（N,N-dinaphthyl-N,N’-diphenyl benzidine）などを含むことができるが、これに限定されるのではない。
【００７９】
正孔輸送層４２０は第１正孔注入層４１０上に配置されることができる。正孔輸送層４２０は第１正孔注入層４１０からの正孔の輸送を円滑にする機能を遂行することができる。そこで、正孔輸送層４２０の最高被占分子軌道エネルギ（highest occupied molecular orbital energy；ＨＯＭＯ）が第１電極３００を構成する物質の仕事関数（work function）より実質的に低く、第１有機発光層４３０の最高被占分子軌道エネルギ（ＨＯＭＯ）より実質的に高い場合には正孔輸送効率が最適化されることができる。例えば、正孔輸送層４２０は、ＮＰＤ（N,N-dinaphthyl-N,N’-diphenyl benzidine）、ＴＰＤ（ N,N’-bis-(3-methylphenyl)-N,N’-bis-(phenyl)-benzidine）、ｓ−ＴＡＤ、ＭＴＤＡＴＡ（4,4’,4”-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine）などを含むことができるが、これに限定されるのではない。
【００８０】
第１有機発光層４３０は正孔輸送層４２０上に配置されることができる。第１有機発光層４３０は、一つのホストに分散されるリン光青色ドーパントまたは蛍光青色ドーパントを含むことができる。例示的な実施形態において、第１有機発光層４３０は実質的に青色光のみを発光することができ、これによって、色安定性を向上させることができ、従来の有機発光表示装置の問題点である青色発光層の低い寿命問題を解決することができる。電荷生成層（ＣＧＬ）４５０は第１有機発光層４３０上に配置されることができる。電荷生成層４５０は第１有機発光層４３０に対しては実質的に陰極の役割を遂行でき、第２有機発光層４８０に対しては実質的に陽極として機能することができる。
【００８１】
電荷生成層４５０は断層構造または二階構造を有することができる。例示的な実施形態において、電荷生成層４５０はバナジウム酸化物（ＶＯｘ）、タングステン酸化物（ＷＯｘ）などを含む金属酸化物から構成される断層構造を有することができる。他の例示的な実施形態によれば、電荷生成層４５０は金属酸化物層及び金属層を含む二重層構造を有することもできうる。この場合、前記金属酸化物層はバナジウム酸化物、タングステン酸化物などを含むことができ、前記金属層はアルミニウム、銀などを含むことができる。
【００８２】
第１電極３００及び／または第２電極５００に電圧が印加される場合、このような電圧によって電荷生成層４５０内で電荷、すなわち、電子または正孔が生成され、生成された電子または正孔が電荷生成層４５０から隣接する第１有機発光層４３０及び／または第２有機発光層４８０に提供することができる。従って、電荷の分布が第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）内で実質的に均一になされて、一つの色光が支配的に発光される問題点を解決することができる。また、一つの有機発光層を含む有機発光表示装置に比べて発光効率を増大させることができる。
【００８３】
他の例示的な実施形態によれば、前記表示装置の駆動電圧を減少させながら発光効率をより向上させるために、第１有機発光層４３０と電荷生成層４５０との間に追加的な電子輸送層（図示せず）、追加的な電子注入層（図示せず）などが配置されることができる。
【００８４】
第２正孔注入層４６０は電荷生成層４５０上に配置されることができる。第２正孔注入層４６０はその役割及び構成物質において第１正孔注入層４１０の場合と実質的に同一または実質的に類似することができる。
【００８５】
第２有機発光層４８０は第２正孔注入層４６０上に位置することができる。第２有機発光層４８０は断層構造または二階構造を有することができる。例示的な実施形態において、第２有機発光層４８０は一つのホストに分散する緑色ドーパントを含む緑色発光層と一つのホストに分散する赤色ドーパントを含む赤色発光層を含む二階構造を有することができる。他の例示的な実施形態によれば、第２有機発光層４８０は一つのホストに分散する緑色及び赤色ドーパントを含む断層構造を有することもできる。
【００８６】
電子輸送層４９０は第２有機発光層４８０上に配置されることができる。電子輸送層４９０は第２有機発光層４８０への電子の輸送を円滑にする役割を遂行することができる。例えば、電子輸送層４９０は、Ａｌｑ３（tris(8-hydroxyquinolino)aluminum）、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ｓｐｒｉｏ−ｐｂｄ、ＢＡｌｑ、ＳＡｌｑなどを含むことができるが、これに限定されるのではない。
【００８７】
他の例示的な実施形態において、前記表示装置の駆動電圧を減少させながら発光効率をより向上させるために、第２正孔注入層４６０と第２有機発光層４８０との間には追加的な正孔輸送層（図示せず）が配置され、電子輸送層４９０と第２電極５００との間には追加的な電子注入層（図示せず）が位置することができる。
【００８８】
図１に図示したように、遮断部材４４０は、第１サブ画素領域（Ｉ）に位置する第１有機発光層４３０上に配置されることができる。例示的な実施形態において、遮断部材４４０は電子の移動を遮断する機能を遂行することができる。この場合、遮断部材４４０はフラーレン（fullerene）、ＬＧ１０１Ｃ、置換されたトリアリールアミンを含む高分子物質、カルバゾール系高分子物質、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロペンタン、４,４’−（９Ｈ−フルオレン−９−イリデン）ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−ベンゼンアミン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−メチルシクロヘキサン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−３−フェニルプロパン、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）エタン、４−（４−ジエチルアミノフェニル）トリフェニルメタン、４,４’−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）ジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ−ビス［２,５−ジメチル−４−［（３−メチルフェニル）フェニルアミノ］フェニル］−２,５−ジメチル−Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニル−１,４−ベンゼンジアミン、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン（ＴＣＴＡ）、４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン、９,９’−（２,２’−ジメチル［１,１’−ビフェニル］−４,４’−ジイル）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＤＢＰ）、９,９’−［１,１’−ビフェニル］−４,４’−ジイルビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＢＰ）、９,９’−（１,３−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ｍＣＰ）、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３,６−ジアミン、９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３,６−ジアミン、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールなどを含むことができる。また、電子を遮断する役割を遂行する遮断部材４４０は。約３０ｎｍ以上の厚さを有することができる。例えば、遮断部材４４０は約３０ｎｍ〜約１５０ｎｍ程度の厚さを有することができる。 他の例示的な実施形態において、遮断部材４４０は、最高被占分子軌道エネルギ（highest occupied molecular orbital energy；ＨＯＭＯ）が相対的に大きく、透明な物質を含むこともできる。
【００８９】
例示的な実施形態によれば、遮断部材４４０は第１サブ画素領域（Ｉ）で電荷生成層４５０から第１有機発光層４３０への電子の輸送を遮断する役割を遂行することができる。これによって、遮断部材４４０により第１サブ画素領域（Ｉ）では第１有機発光層４３０は、電子が提供されないために第１サブ画素領域（Ｉ）に位置する第１有機発光層４３０は実質的に光を発生させないことがある。
【００９０】
図１に図示した表示装置において、第１サブ画素領域（Ｉ）と第２サブ画素領域（ＩＩ）で光学距離調節層３５０の厚さが実質的に互いに異なるように図示されているが、光学距離調節層３５０の構造がそれに限定されるのではない。例えば、第１サブ画素領域（Ｉ）と第２サブ画素領域（Ｉ）の光学距離調節層３５０の厚さが実質的に同一または実質的に類似していることもある。この場合、遮断部材４４０の厚さを調節することによって、第１及び第２サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ）の第１及び第２光学共振距離をそれぞれ赤色光及び青色光に適合するように調節することができる。
【００９１】
図２は遮断部材の膜厚に応じた表示装置の光学的共振ピーク波長を示すグラフである。
【００９２】
図２を参照すれば、遮断部材で電子遮断層を具備していない表示装置（ＩＶ）では赤色光の共振のために光学共振距離を調節しても青色光の共振が共に起きることが確認できる。上述したように、赤色光が共振（ｍ＝２）する光学共振距離と青色光が共振（ｍ＝３）する光学共振距離が約６６０ｎｍ程度であり概略的に一致するので、遮断部材として電子遮断層を具備していない表示装置（ＩＶ）の場合には、赤色光と青色光が実質的に共に共振されて色純度が低下する。これに比べて、約３０ｎｍ程度の厚さを有する電子遮断層を含む表示装置（Ｖ）、約５０ｎｍ程度の厚さを有する電子遮断層を含む表示装置（ＶＩ）及び約１００ｎｍ程度の厚さを有する電子遮断層を含む表示装置（ＶＩＩ）の場合には実質的に同じ光学共振距離内でも赤色光のみが共振され、青色光は実質的に共振されないことを確認できる。従って、遮断部材として電子遮断層を具備する表示装置が向上した色純度を確保できるが分かる。
【００９３】
図１及び図２を参照すれば、前記表示装置の第１サブ画素領域（Ｉ）で第１有機発光層４３０と電荷生成層４５０との間に遮断部材４４０が配置される場合、電荷生成層４５０で第１有機発光層４３０への電子の移動を遮断することができる。すなわち、第１サブ画素領域（Ｉ）で第１有機発光層４３０はエキシトンが形成されないので、遮断部材４４０により青色光の発光を遮断することができる。従って、第１サブ画素領域（Ｉ）では光学的共振によって赤色光のみが発光されることができ、第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）はそれぞれ色純度が高い色光を放出することができ、前記表示装置がカラーフィルタを具備しなくても高い色純度及び輝度を確保することができる。その結果、付加的な層が要求されないため前記表示装置の構成が簡単になることができ、製造費用を節減することもでき、製造工程も単純化することができる。また、カラーフィルタを配置する過程が要求されないので、高解像度の画像をディスプレイできる表示装置を実現することができ、カラーフィルタによる画像の輝度減少を最小化することができる。
【００９４】
図３は本発明の他の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を説明するための断面図である。図３に図示した表示装置は、発光構造物を除けば図１を参照して説明した表示装置と実質的に同一または実質的に類似の構成を有することができる。
【００９５】
図３を参照すれば、前記表示装置は基板１００、スイッチング構造物、第１電極３００、発光構造物４０２、第２電極５００などを含むことができる。前記表示装置の表示領域は第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）に区分でき、これによって、発光構造物４０２も第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）に分けることができる。
【００９６】
スイッチング素子と少なくとも一つの絶縁層を含む前記スイッチング構造物は、バッファ層１１０を有する基板１００上に提供されることができる。例示的な実施形態において、前記スイッチング構造物は半導体層２１０、ゲート絶縁膜２２０、ゲート電極２３１、層間絶縁膜２４０、ソース電極２３３、ドレーン電極２３５、絶縁層２５０などを含むことができる。この時、半導体層２１０は、第１不純物領域２１１、チャネル領域２１３、及び第２不純物領域２１５を含むことができる。このようなスイッチング構造物の構成は、図１を参照して説明したスイッチング構造物の場合と実質的に同一または実質的に類似している。
【００９７】
第１電極３００は前記表示領域の絶縁層２５０上に配置することができ、前記表示装置の非表示領域の絶縁層２５０上には保護層２８０が形成されることができる。第１電極３００の上部には第１電極３００に実質的に対向される第２電極５００が配置されることができ、第１電極３００と第２電極５００との間に光学距離調節層３５０と発光構造物４０２が位置することができる。
【００９８】
光学距離調節層３５０は前記表示領域の第１電極３００上に位置することができる。例示的な実施形態によれば、光学距離調節層３５０は、第１サブ画素領域（Ｉ）,第２サブ画素領域（ＩＩ）、及び第３サブ画素領域（ＩＩＩ）全てに配置されることができ、場合により第３サブ画素領域（ＩＩＩ）には位置しないこともある。第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で光学距離調節層３５０の厚さは、互いに相異しており、これによって、第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で第１電極３００と第２電極５００は互いに相異なる間隔で離隔されることによって、相異なる色光に対してそれぞれ光学的共振を起こすことができる。
【００９９】
発光構造物４０２の第１正孔注入層４１０は光学距離調節層３５０をカバーし第１電極３００上に配置することができる。第１正孔注入層４１０は第１電極３００から第１有機発光層４３０に正孔の注入を円滑にする役割を遂行することができる。第１有機発光層４３０は第１正孔注入層４１０上に配置されることができる。第１有機発光層４３０は断層構造または二階構造を有することができる。例示的な実施形態において、第１有機発光層４３０は一つのホストに分散した緑色ドーパントを含む緑色発光層と、一つのホストに分散した赤色ドーパントを含む赤色発光層を含む二階構造を有することができる。他の例示的な実施形態によれば、第１有機発光層４３０は一つのホストに分散した緑色及び赤色ドーパントを含む断層構造を有することもある。
【０１００】
電荷生成層４５０は前記第１有機発光層４３０上に配置されることができる。電荷生成層４５０は第１有機発光層４３０に対しては陰極として機能することができ、第２有機発光層４８０に対しては陽極として機能することができる。電荷生成層４５０は断層構造或いは二階構造を有することができる。第２正孔注入層４６０及び正孔輸送層４７０が電荷生成層４５０上に配置され、電荷生成層４５０から第２有機発光層４８０への正孔の注入と輸送を円滑にする役割を遂行することができる。
【０１０１】
正孔輸送層４７０上には第２有機発光層４８０が配置されることができる。例えば、第２有機発光層４８０は一つのホストに分散した青色ドーパントを含む青色発光層を含むことができる。電子輸送層４９０は第２有機発光層４８０上に配置されて、電子の輸送を円滑にする役割になる。
【０１０２】
例示的な実施形態によれば、遮断部材４４０は電子遮断層を含むことができる。この場合、前記電子遮断層は第１サブ画素領域（Ｉ）で第２有機発光層４８０と電子輸送層４９０との間に配置されることができる。前記電子遮断層を含む遮断部材４４０は第１サブ画素領域（Ｉ）で電子輸送層４９０で第２有機発光層４８０への電子の輸送を遮断する役割を遂行することができる。遮断部材４４０により第１サブ画素領域（Ｉ）で第２有機発光層４８０には電子が提供されないので発光を起すことができない。
【０１０３】
図１を参照して説明した表示装置と比較する場合、図３を参照して説明した表示装置は、発光構造物４０２の青色発光層の位置が赤色及び緑色発光層の位置と互いに交替することができ、これによって遮断部材４４０と正孔輸送層４７０の位置も変更されることができる。ただし、このような位置の変更があっても第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）でそれぞれ光学的共振が発生し、遮断部材４４０によって第１サブ画素領域（Ｉ）で青色光の生成が遮断されて別途のカラーフィルタを具備しなくても前記表示装置は高い色純度、改善された色再現性、向上された輝度などを有することができる。
【０１０４】
図４は本発明の他の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を説明するための断面図である。図４に図示した表示装置は、発光構造物を除けば図１を参照して説明した表示装置と実質的に同一または実質的に類似する構成を有することができる。
【０１０５】
図４を参照すれば、前記表示装置は基板１００、スイッチング構造物、第１電極３００、発光構造物４０４、第２電極５００などを含むことができる。前記表示装置は第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）を含む表示領域と非表示領域を具備することができ、発光構造物４０４は前記表示領域に位置して第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）に区分することができる。
【０１０６】
基板１００上にはバッファ層１１０が配置されることができ、前記スイッチング構造物はバッファ層１１０上に配置されることができる。前記スイッチング構造物は、第１及び第２不純物領域２１１、２１５とチャネル領域２１３を有する半導体層２１０、ゲート絶縁膜２２０、ゲート電極２３１、ソース電極２３３、ドレーン電極２３５、層間絶縁膜２４０、絶縁層２５０などを含むことができ、これに対しては図１を参照して詳細に説明したので繰り返される説明は省略する。
【０１０７】
例示的な実施形態において、第１電極３００上には光学距離調節層３５０が位置することができる。光学距離調節層３５０は第１サブ画素領域（Ｉ）、第２サブ画素領域（ＩＩ）、及び第３サブ画素領域（ＩＩＩ）において第１電極３００上に配置されるが、場合によって第２サブ画素領域（ＩＩ）、及び／または、第３サブ画素領域（ＩＩＩ）には配置されないこともある。第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）において光学距離調節層３５０の厚さは互いに相異し、これによって第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で第１電極３００と第２電極５００は、それぞれ相異なる間隔で離隔されることができ、第１電極３００と第２電極５００との間で互いに異なる色光の光学的共振が起きることができる。
【０１０８】
前記表示領域に位置する発光構造物４０４は、第１正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、第１有機発光層４３０、追加的な電子輸送層４３５、遮断部材４４０、電荷生成層４５０、第２正孔注入層４６０、第２有機発光層４８０、電子輸送層４９０などを含むことができ、このような発光構造物４０４の構成に対しては図１を参照して説明した発光構造物４００の場合と実質的に同一または類似するので繰り返される説明は省略する。
【０１０９】
例示的な実施形態において、第１有機発光層４３０と電荷生成層４５０との間に追加的な電子輸送層４３５が位置することができる。追加的な電子輸送層４３５により電荷生成層４５０から第１有機発光層４３０への電子の流れが実質的に活性化することがあるので発光構造物４０４の発光効率が向上することができる。遮断部材４４０は電子遮断層を含むことができる。この場合、前記電子遮断層は第１サブ画素領域（Ｉ）で追加的な電子輸送層４３５上に配置されることができる。遮断部材４４０は第１サブ画素領域（Ｉ）で電荷生成層４５０から第１有機発光層４３０への電子輸送を遮断する役割を遂行することができる。遮断部材４４０により第１サブ画素領域（Ｉ）で第１有機発光層４３０には電子が提供されないので発光を起すことができない。他の例示的な実施形態によれば、第１有機発光層４３０と電荷生成層４５０との間に追加的な電子輸送層４３５の代わりに正孔遮断層（図示せず）が位置することができる。このような正孔遮断層によって第１電極３００から第１有機発光層４３０に移動した正孔が電荷生成層４５０に移動することを遮断して発光構造物４０４の発光効率をより向上させることができる。
【０１１０】
図１を参照して説明した表示装置と比較する場合、図４に図示した表示装置は青色発光層を含む第１有機発光層４３０と遮断部材４４０が物理的に離隔されることができる。ただし、このような場合にも遮断部材４４０によって青色発光層への電子の移動が遮断されるので、第１サブ画素領域（Ｉ）で実質的に赤色光のみが発光されることができる。これによって、前記表示装置がカラーフィルタが具備されなくても高い色純度を確保でき、向上された輝度と光効率を有することができる。
【０１１１】
図５は本発明のまた他の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を説明するための断面図である。図５に図示した表示装置は、発光構造物を除けば図１を参照して説明した表示装置と実質的に同一または実質的に類似の構成を有することができる。
【０１１２】
図５を参照すれば、前記表示装置は基板１００、スイッチング構造物、第１電極３００、発光構造物４０６、第２電極５００などを含むことができる。前記表示装置と発光構造物４０６は第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）を含むことができる。
【０１１３】
前記スイッチング構造物は少なくとも一つの絶縁層とスイッチング素子を具備することができる。例えば、前記スイッチング素子はチャネル領域２１３と第１及び第２不純物領域（２１１,２１５）を有する半導体層２１０、ゲート絶縁膜２２０、ゲート電極２３１、ソース電極２３３、ドレーン電極２３５などを具備することができる。また、前記少なくとも一つの絶縁層は、層間絶縁膜２４０、絶縁層２５０などを含むことができる。
【０１１４】
例示的な実施形態において、前記表示装置の表示領域で第１電極３００上には光学距離調節層３５０が配置されることができる。光学距離調節層３５０は第１サブ画素領域（Ｉ）、第２サブ画素領域（ＩＩ）、及び／または、第３サブ画素領域（ＩＩＩ）に位置することができる。そこで、光学距離調節層３５０は第１サブ画素領域（Ｉ）、第２サブ画素領域（ＩＩ）、及び／または、第３サブ画素領域で相異なる厚さを有することができる。これによって、第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で第１電極３００と第２電極５００との間には第１〜第３光学的共振距離が提供されることができる。
【０１１５】
例示的な実施形態によれば、発光構造物４０６は第１正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、遮断部材４２５、第１有機発光層４３０、電荷生成層４５０、第２正孔注入層４６０、第２有機発光層４８０、電子輸送層４９０などを含むことができる。発光構造物４００の第１サブ画素領域（Ｉ）で第１有機発光層４３０と第１正孔輸送層４２０との間にはエキシトンクエンチング層（exciton quenching layer；ＥＱＬ）を含む遮断部材４２５が配置されることができる。そこで、前記エキシトンクエンチング層を含む遮断部材４４０はフラーレン（fullerene）、ＬＧ１０１Ｃ、置換されたトリアリールアミンを含む高分子物質、カルバゾール系高分子物質、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロペンタン、４,４’−（９Ｈ−フルオレン−９−イリデン）ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−ベンゼンアミン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−メチルシクロヘキサン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−３−フェニルプロパン、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）エタン、４−（４−ジエチルアミノフェニル）トリフェニルメタン、４,４’−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）ジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ−ビス［２,５−ジメチル−４−［（３−メチルフェニル）フェニルアミノ］フェニル］−２,５−ジメチル−Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニル−１,４−ベンゼンジアミン、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン（ＴＣＴＡ）、４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン、９,９’−（２,２’−ジメチル［１,１’−ビフェニル］−４,４’−ジイル）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＤＢＰ）、９,９’−［１,１’−ビフェニル］−４,４’−ジイルビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＢＰ）、９,９’−（１,３−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ｍＣＰ）、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３,６−ジアミン、９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３,６−ジアミン、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールなどを含むことができる。前記表示装置の駆動時に第１有機発光層４３０と第１正孔輸送層４２０との間で電子と正孔が会ってエキシトンを形成することができる。前記エキシトンクエンチング層を含む遮断部材４２５は、前記エキシトンクエンチング層周囲の高いエネルギを有している電子或いはエキシトンを低いエネルギに変換させる役割を遂行することができる。これによって、第１サブ画素領域（Ｉ）の第１有機発光層４３０では発光に参与する電子或いはエキシトンが存在しないので、実質的に発光が発生しないことがある。
【０１１６】
図１を参照して説明した表示装置と比較する場合、図５に図示した表示装置は、第１サブ画素領域（Ｉ）で遮断部材４２５として電子遮断層の代わりにエキシトンクエンチング層を具備することができる。ただし、このような場合にも第１サブ画素領域（Ｉ）で実質的に赤色光のみが発光され、青色光の発光が制限されることができる。
【０１１７】
図６は本発明のまた他の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を説明するための断面図である。図６に図示した表示装置は、発光方式、第１電極３００、第２電極５００などを除けば図１を参照して説明した表示装置と実質的に同一または実質的に類似する構成を有する。
【０１１８】
図６を参照すれば、前記表示装置は基板１００、スイッチング構造物、第１電極３００、発光構造物４０８、第２電極５００などを含むことができる。
【０１１９】
前記スイッチング構造物はバッファ層１１０を有する基板１００上に配置されることができる。前記スイッチング構造物はスイッチング素子と少なくとも一つの絶縁層を具備することができる。前記スイッチング素子は半導体層２１０、ゲート絶縁膜２２０、ゲート電極２３１、ソース電極２３３、ドレーン電極２３５などを含むことができ、前記少なくとも一つの絶縁層は層間絶縁膜２４０、絶縁層２５０などを含むことができる。
【０１２０】
例示的な実施形態により前記表示装置が背面発光方式（矢印参照）を有する場合、第１電極３００は発光構造物４０８から入射される光の一部を透過すると同時に光の一部を反射する半透過層に該当でき、第２電極５００は反射性を有する反射電極に該当することができる。
【０１２１】
第１電極３００が半透過電極に該当する場合、第１電極３００は金属、合金、導電性金属酸化物、金属がドーピングされた透明無機物質などからなることができる。例えば、第１電極３００は屈折率が互いに相異なる複数の透明層または複数の半透過層を含む多層構造を有することができる。例示的な実施形態において、第１電極３００は第１電極膜、第２電極膜、第３電極膜を含む三重層構造を有することができる。この場合、前記第１電極膜と前記第３電極膜は、それぞれインジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、亜鉛酸化物などの金属酸化物で構成され、前記第２電極膜はマグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）合金、銀、銀−パラジウム−銅（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ）合金などからなることができる。前記第２電極膜が、相対的に高い反射性を有する金属を含んでも、前記第２電極膜の厚さが薄い場合には半透過性を有することができる。
【０１２２】
第２電極５００が反射電極に該当する場合、第２電極５００は、アルミニウム、白金、銀、金、クロム、タングステン、モリブデン、チタン、パラジウム、これらの合金（例えば、ＡＣＡ合金、ＡＰＣ合金）などを含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。第２電極５００が反射電極の場合には発光構造物４０８から発生した光は第１電極３００と基板１００を通過するので、前記表示装置が背面発光方式を有することができる。
【０１２３】
例示的な実施形態において、第１電極３００上に配置される光学距離調節層３５０は、第１サブ画素領域（Ｉ）、第２サブ画素領域（ＩＩ）、及び／または、第３サブ画素領域（ＩＩＩ）に位置することができる。第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で光学距離調節層３５０の厚さは実質的に互いに異なることがあり、これによって、第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で第１電極３００と第２電極５００との間には実質的に相異なる第１〜第３光学的共振距離が提供されることができる。
【０１２４】
前記表示装置の発光構造物４０８は、第１正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、第１有機発光層４３０、遮断部材４４０、電荷生成層４５０、第２正孔注入層４６０、第２有機発光層４８０、電子輸送層４９０などを含むことができ、このような発光構造物４０８の構成要素は、図１を参照して説明した発光構造物４００の構成要素と実質的に同一または実質的に類似している。
【０１２５】
例示的な実施形態において、遮断部材４４０は電子遮断層を含むことができる。前記電子遮断層は第１サブ画素領域（Ｉ）で電荷生成層４５０と第１有機発光層４３０との間に配置されることができる。遮断部材４４０は第１サブ画素領域（Ｉ）で電荷生成層４５０から第１有機発光層４３０への電子の輸送を遮断する役割をする。このような遮断部材４４０によって第１サブ画素領域（Ｉ）では第１有機発光層４３０には電子が供給されないために実質的に発光が起きないこともある。
【０１２６】
図１を参照して説明した表示装置と比較する時、図６に図示された表示装置は第１電極３００と第２電極５００の構成物質を変更することによって発光の方式が背面発光方式に変更されることができる。ただし、第１及び第２電極３００、５００の変更があっても第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）でそれぞれ光学的共振が発生することができ、遮断部材４４０により第１サブ画素領域（Ｉ）で青色光の生成が実質的に遮断されることができる。
【０１２７】
図７〜図１４は本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。図７〜図１４において、図１を参照して説明した表示装置と実質的に同一または類似の構成を有する表示装置の製造方法を例示的に説明するが、図３〜図６を参照して説明した表示装置も構成要素を形成するための工程の省略、追加などの自明な変更を通じて製造されることができる。
【０１２８】
図７を参照すれば、基板１００上にバッファ層１１０を形成することができる。基板１００は透明絶縁物質で構成され、バッファ層１１０は酸化物、窒化物、酸窒化物、有機絶縁物質などを使って形成することができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。また、バッファ層１１０は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）工程、プラズマ増大化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）工程、高密度プラズマ−化学気相蒸着（ＨＤＰ−ＣＶＤ）工程、スピンコーティング工程、熱酸化工程、プリンティング工程を利用して基板１００上に形成することができる。
【０１２９】
バッファ層１１０上にはスイッチング構造物が提供されることができる。例示的な実施形態に係るスイッチング構造物を形成する過程においてバッファ層１１０上に半導体層２１０を形成した後、半導体層２１０を覆ってバッファ層１１０上にゲート絶縁膜２２０を形成することができる 半導体層２１０はシリコンを使って形成し、化学気相蒸着工程、プラズマ増大化学気相蒸着工程、高密度プラズマ−化学気相蒸着工程、スピンコーティング工程、プリンティング工程などを通じて収得することができる。ゲート絶縁膜２２０は酸化物、有機絶縁物質などを使って形成することができる。そこで、ゲート絶縁膜２２０は半導体層２１０のプロファイルに沿ってバッファ層１１０上に均一に形成されることができる。ゲート絶縁膜２２０は、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、原子層積層（ＡＬＤ）工程、高密度プラズマ−化学気相蒸着工程、スピンコーティング工程、プリンティング工程などを利用して収得することができる。
【０１３０】
ゲート絶縁膜２２０のうち、下に半導体層２１０が位置する部分上にゲート電極２３１を形成することができる。ゲート電極２３１は金属、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性物質などを使って形成することができる。また、ゲート電極２３１は、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程、スピンコーティング工程、真空蒸着工程、パルスレーザー蒸着（ＰＬＤ）工程、プリンティング工程などを利用して形成されることができる。ゲート電極２２０をマスクとして利用して、半導体層２１０に不純物を注入することによって、半導体層２１０の両側部に第１不純物領域２１１と第２不純物領域２１５を形成することができる。これによって、半導体層２１０の中央部はチャネル領域２１３と定義することができる。例えば、第１及び第２不純物領域２１１、２１５は、イオン注入工程を利用して形成することができる。例示的な実施形態において、ゲート電極２３１を形成する間、ゲート絶縁膜２２０の一側にはゲートライン（図示せず）が形成されることができる。前記ゲートラインはゲート絶縁膜２２０上で延長することができ、ゲート電極２３１に接続されることができる。
【０１３１】
ゲート絶縁膜２２０上にはゲート電極２３１をカバーする層間絶縁膜２４０が形成されることができる。層間絶縁膜２４０は酸化物、窒化物、酸窒化物、有機絶縁物質などを使って形成されることができる。また、層間絶縁膜２４０は、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、プラズマ増大化学気相蒸着工程、原子層積層工程、スピンコーティング工程、真空蒸着工程、パルスレーザー蒸着工程、プリンティング工程などを通じて収得することができる。例示的な実施形態において、層間絶縁膜２４０はゲート電極２３１のプロファイルに沿ってゲート絶縁膜２２０上に均一に形成されることができる。他の例示的な実施形態によれば、層間絶縁膜２４０はゲート電極２３１を充分に覆って実質的に平坦な上面を有することもできる。
【０１３２】
層間絶縁膜２４０を部分的にエッチングして第１及び第２不純物領域２１１、２１５を、それぞれ露出させる孔を形成した後、この孔を埋め立てながら層間絶縁膜２４０上にソース電極２３３とドレーン電極２３５を形成することができる。ソース電極２３３とドレーン電極２３５は、それぞれ金属、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性物質などを使って形成することができる。また、ソース及びドレーン電極２３３、２３５は、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、プラズマ増大化学気相蒸着工程、原子層積層工程、スピンコーティング工程、真空蒸着工程、パルスレーザー蒸着工程、プリンティング工程などを通じて収得することができる。ソース及びドレーン電極２３３、２３５は、それぞれ第１及び第２不純物領域２１１、２１５に接続することができる。例示的な実施形態によれば、層間絶縁膜２４０の一側にはソース及びドレーン電極２３３、２３５と共にデータライン（図示せず）が形成されることができる。前記データラインは層間絶縁膜２４０上で延長してソース電極２３３に連結されることができる。
【０１３３】
上述においては、基板１００上に薄膜トランジスタを含むスイッチング素子を形成する過程を説明したが、基板１００上にゲート電極２１３とゲート絶縁膜２２０を形成した後、ゲート絶縁膜２２０上に半導体酸化物で構成されたアクティブ層を形成する過程を通じて酸化物半導体素子を含むスイッチング素子を具現することもできる。
【０１３４】
再び図７を参照すれば、前記スイッチング素子を覆いながら基板１００上に少なくとも一つの絶縁層２５０を形成することによって、前記スイッチング素子と絶縁層を含むスイッチング構造物を基板１００上に形成することができる。絶縁層２５０は透明プラスチック、透明樹脂などのような透明絶縁性物質を使って形成することができる。また、絶縁層２５０はスピンコーティング工程、プリンティング工程、真空蒸着工程などを利用して形成することができる。例示的な実施形態において、絶縁層２５０に対して化学機械的研磨工程、エッチバック工程などを含む平坦化工程を遂行して絶縁層２５０の上面を平坦化させることができる。他の例示的な実施形態によれば、絶縁層２５０は自己平坦性を有する物質を使って形成し、これによって、絶縁層２５０が平坦な上面を有することができる。
【０１３５】
図８を参照すれば、絶縁層２５０を部分的にエッチングして、ドレーン電極２３５の一部を露出させる孔（図示せず）を形成することができる。例えば、絶縁層２５０の孔を写真エッチング工程を利用して形成することができる。例示的な実施形態において、絶縁層２５０の孔を満たしながら絶縁層２５０上に第１導電層（図示せず）を形成した後、前記第１導電層をパターニングして第１電極３００を形成することができる。従って、第１電極３００はドレーン電極２３５に直接連結されることができる。前記第１導電層はスパッタリング工程、プリンティング工程、スプレー工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程、真空蒸着工程、パルスレーザー蒸着工程などを利用して絶縁層２５０上に形成されることができる。また、第１電極３００は金属、合金、透明導電性物質などを使って形成することができる。例示的な実施形態において、第１電極３００を構成する物質の種類によって第１電極３００が反射電極、半透過電極、透過電極などに該当することができる。他の例示的な実施形態によれば、ドレーン電極２３５上に絶縁層２５０の孔を埋め立てるコンタクト、パッド、プラグなどを形成した後、絶縁層２５０上に第１電極３００を形成することもできる。この場合、第１電極３００は前記コンタクト、前記パッド、または前記プラグを通じてドレーン電極２３５に電気的に連結されることができる。
【０１３６】
例示的な実施形態によれば、レーザー熱転写工程を利用して第１電極３００上に光学距離調節層３５０を形成することができる。この場合、光学距離調節層３５０は、第２サブ画素領域（ＩＩ）（図１３を参照）に形成されることができる。
【０１３７】
図９に図示したように、第１電極３００が形成された基板１００の上部にドナー基板６００を配置することができる。この場合、第１電極３００を有する基板１００を支持部材（図示せず）などを利用して固定した後、基板１００に対してドナー基板６００を整列（align）させることができる。ドナー基板６００は、ベース基板６１０上に設けた複数の層を含むことができる。例示的な実施形態において、ドナー基板６００は、ベース基板６１０上に配置された光熱変換層（light to heat conversion layer；ＬＴＨＣ）６２０及び光熱変換層６２０上に配置された転写層６３０を含むことができる。そこで、ドナー基板６００の転写層６３０は、光学距離調節層３５０を形成するために提供することができる。例えば、転写層６３０はベンゾシクロブテン系樹脂、オレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリビニル系樹脂、シロキサン系樹脂などの透明絶縁物質を含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。
【０１３８】
図１０を参照すれば、ドナー基板６００を第１電極３００が形成された基板１００に接触させた後、加圧部材６４０を利用してドナー基板６００に圧力を加えることによって、第１電極３００と絶縁層２５０上に転写層６３０をラミネーション（lamination）させることができる。例えば、加圧部材６４０はローラ、クラウンプレスなどを含むことができる。他の例示的な実施形態によれば、別途の加圧部材６４０を使わずにドナー基板６００に気体を利用して圧力を加えることによって第１電極３００と絶縁層２５０上に転写層６３０をラミネーションさせることができる。
【０１３９】
図１１を参照すれば、ドナー基板６００のうち、第２サブ画素領域（ＩＩ）上に位置する部分のみに矢印で図示したようにレーザー照射装置（図示せず）からレーザービームを照射することができる。この場合、光熱変換層６２０は前記レーザービームのエネルギを熱エネルギに変換させることができる。このような熱エネルギによって前記レーザービームが照射された第２サブ画素領域（ＩＩ）で互いに密着した転写層６３０と第１電極３００との間に発生する接着力が転写層６３０と光熱変換層６２０との間の接着力より実質的に大きいこともある。例示的な実施形態によれば、前記レーザービームの高い分解能によってレーザー熱転写工程を利用する場合にはマスクを利用する薄膜形成工程より低い費用で実質的に高い高解像度を有するパターンを収得することができる。
【０１４０】
図１２を参照すれば、ドナー基板６００を基板１００から分離して第２サブ画素領域（ＩＩ）に光学距離調節層３５０を形成することができる。例示的な実施形態において、ドナー基板６００に隣接して空気噴射（air blowing）装置（図示せず）を配置した後、前記空気噴射装置からドナー基板６００の端部に空気を噴射することによってドナー基板６００を分離することができる。
【０１４１】
例示的な実施形態よれば、第１サブ画素領域（Ｉ）（図１３を参照）に対しても図１０〜図１２を参照して説明したレーザー熱転写工程と実質的に同一または実質的に類似のレーザー熱転写工程を遂行して第１サブ画素領域（Ｉ）に位置する第１電極３００上に光学距離調節層３５０を形成することができる。この場合、ドナー基板の転写層の厚さに従って光学距離調節層３５０の厚さが変化することができる。従って、光学距離調節層３５０は第１サブ画素領域（Ｉ）及び第２サブ画素領域（ＩＩ）で相異なる厚さを有することができる。他の例示的な実施形態において、図１０〜図１２を参照して説明したレーザー熱転写工程と実質的に同一または実質的に類似のレーザー熱転写工程を通じて第３サブ画素領域（ＩＩ）（図１３を参照）に位置する第１電極３００上にも光学距離調節層３５０を形成することもできる。
【０１４２】
図１３を参照すれば、前記表示装置の非表示領域に位置する絶縁層２５０上に保護層２８０を形成することができる。そこで、保護層２８０は前記表示装置の表示領域に位置する第１電極３００の一部上に延長することができる。保護層２８０は、酸化物、窒化物、酸窒化物、有機絶縁物質などを使って形成することができる。また、保護層２８０は、化学気相蒸着工程、スピンコーティング工程、プラズマ増大化学気相蒸着工程、真空蒸着工程、プリンティング工程などを利用して収得することができる。
【０１４３】
光学距離調節層３５０と保護層２８０が形成された基板１００の上部発光構造物４００を形成することができる。発光構造物４００は光学距離調節層３５０、第１電極３００、及び保護層２８０上に第１正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、第１有機発光層４３０、遮断部材４４０、電荷生成層（ＣＧＬ）４５０、第２正孔注入層４６０、第２有機発光層４８０、電子輸送層４９０などを順次に積層して形成することができる。例示的な実施形態において、第１有機発光層４３０と第２有機発光層４８０は、前記表示領域のみに形成することができ、遮断部材４４０は第１サブ画素領域（Ｉ）に位置する第１有機発光層４３０の一部上のみに形成することができる。有機物を含む第１正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、第１有機発光層４３０、第２正孔注入層４６０、第２有機発光層４８０、及び電子輸送層４９０は、真空蒸着工程、インクジェットプリンティング工程、スピンコーティング工程、レーザー熱転写工程などを利用して収得することができる。金属及び／または金属酸化物を含む電荷生成層４５０は、スパッタリング工程、プリンティング工程、スプレー工程、化学気相蒸着工程などを利用して収得することができる。また、電子遮断層またはエキシトンクエンチング層を含む遮断部材４４０は、図９〜図１２を参照して説明したレーザー熱転写工程と実質的に同一または実質的に類似のレーザー熱転写工程を通じて第１有機発光層４３０上に形成することができる。
【０１４４】
図１４を参照すれば、電子輸送層４９０上に第２電極５００を形成することができる。第２電極５００は金属、合金、透明導電性物質などをスパッタリング工程、プリンティング工程、スプレー工程、化学気相蒸着工程、真空蒸着工程、原子層積層などで電子輸送層４９０上に蒸着して収得することができる。
【０１４５】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１４６】
本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置は、カラーフィルタを具備せずとも向上された色純度が確保でき、表示装置の製造費用を節減しながら製造工程を簡略化することができる。このような表示装置は背面発光方式、前面発光方式、両面発光方式など、多様な発光方式を有するテレビ、モニタ、移動通信機器、ＭＰ３、携帯用ディスプレイ機器などの色々な電気及び電子装置に適用することができる。
【符号の説明】
【０１４７】
１０、１１０、２１０、３１０ 第１基板
１００ 基板
１１０ バッファ層
２１０ 半導体層
２１１ 第１不純物領域
２１３ チャネル領域
２１５ 第２不純物領域
２２０ ゲート絶縁膜
２３１ ゲート電極
２３３ ソース電極
２３５ ドレーン電極
２４０ 層間絶縁膜
２５０ 絶縁層
３００ 第１電極
３５０ 光学距離調節層
４００ 発光構造物
４１０ 第１正孔注入層
４２０、４７０ 正孔輸送層
４２５、４４０ 遮断部材
４３０ 第１有機発光層
４５０ 電荷生成層
４６０ 第２正孔注入層
４８０ 第２有機発光層
４９０ 電子輸送層
５００ 第２電極
６００ ドナー基板
６１０ ベース基板
６２０ 光熱変換層
６３０ 転写層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光構造物、発光構造物を含む表示装置、及び発光構造物を含む表示装置の製造方法に関する。より詳しくは、本発明は遮断部材を有する発光構造物、遮断部材を有する発光構造物を含む表示装置、及び遮断部材を有する発光構造物を含む表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示（organic light emitting display、ＯＬＥＤ）装置は、陽極（anode）と陰極（cathode）とからそれぞれ提供される正孔と電子が、このような陽極と陰極との間に位置する有機層（organic layer）において結合し生成される光を利用して画像、文字などの情報を示すことのできる表示装置をいう。液晶表示（ＬＣＤ）装置、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）装置、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）装置など、多様な表示装置のうち有機発光表示装置は、広い視野角、速い応答速度、薄い厚さ、低い消費電力など色々な長所を有するのでテレビ、モニタ、移動通信機器、ＭＰ３、携帯用ディスプレイ機器などの多様な電気、及び電子装置に広く適用されており、有機発光表示装置は、最も有望な次世代ディスプレイ装置の一つとして急激に発展している。
【０００３】
通常の有機発光表示装置において、電極から提供される電子と正孔が有機層で再結合しながらエキシトン（excitons）を形成し、このような励起子からのエネルギによって所定の波長を有する光が発生することによって画像を形成する。従来の有機発光表示装置の具現方式には、断層発光方式、多層発光方式、色変換方式、素子積層方式などがあり、この中で多層発光方式が最も広く利用されている。多層発光方式を有する有機発光表示装置において、赤色、青色、及び緑色の光を放出する有機発光層を多層構造で形成し、前記多層構造で放出された光が混色され白色光が放出される。しかし、従来の白色光を放出する有機発光表示装置において、多層構造の有機発光層自体の安定性が低下し色純度が低下するという短所がある。有機発光層の上部にカラーフィルタを配置して色純度を向上させることができるが、カラーフィルタが追加される場合には装置の製造工程が複雑になり、費用が増加するだけでなくカラーフィルタによる光効率が減少するという問題点が発生する
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一目的は、向上した色純度、色再現性、輝度などを確保できる発光構造物を提供することにある。
【０００５】
本発明の他の目的は、色純度、輝度などを向上させることができ、高解像度の画像をディスプレイできる表示装置を提供することにある。
【０００６】
本発明のまた他の目的は、色純度、輝度などを改善することができ、高解像度の画像をディスプレイできる表示装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
本発明の解決しようとする課題は、上述した課題に限定されるのではなく、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で多様に拡張するべきである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の本発明の一目的を達成するために、本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物は、第１サブ画素領域、第２サブ画素領域、及び第３サブ画素領域を含むことができる。前記発光構造物は、第１正孔注入層、前記第１正孔注入層上に配置される第１有機発光層、前記第１有機発光層上に配置される電荷生成層、前記電荷生成層上に配置される第２正孔注入層、前記第２正孔注入層上に配置される第２有機発光層、前記第２有機発光層上に配置される電子輸送層、そして前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに配置される遮断部材を含むことができる。
【０００９】
例示的な実施形態において、前記第１サブ画素領域の第１光学共振距離、前記第２サブ画素領域の第２光学共振距離、そして前記第３サブ画素領域の第３光学共振距離は実質的に互いに相異なることができる。
【００１０】
例示的な実施形態において、前記第１サブ画素領域〜前記第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つには光学距離調節層が配置されることができる。例えば、前記光学距離調節層は、前記第１正孔注入層下部に配置されることができる。また、隣接するサブ画素領域で前記光学距離調節層は、実質的に相異なる厚さを有することができる。例えば、前記光学距離調節層は、前記第１正孔注入層と実質的に同一または実質的に類似する物質を含むことができる。
【００１１】
例示的な実施形態において、前記第１光学共振距離は、前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される赤色光に対して光学的共振を起こすように調節することができ、前記第２光学共振距離は前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される緑色光に対して光学的共振を起こすように調節することができる。また、前記第３光学共振距離は前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される青色光に対して光学的共振を起こすように調節することができる。
【００１２】
例示的な実施形態によれば、前記第１有機発光層は青色発光層を含むことができる。この場合、前記第２有機発光層は緑色発光層及び赤色発光層を含むか、または、緑色光及び赤色光を発光させる一つの発光層を含むことができる。そこで、前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記第２正孔注入層と前記第１有機発光層との間に位置することができ、前記第１サブ画素領域で前記第２正孔注入層から前記第１有機発光層への電子の流れを遮断することができる。
【００１３】
他の例示的な実施形態において、前記遮断部材は前記第１サブ画素領域で前記第１有機発光層と前記電荷生成層との間に位置することができ、前記第１サブ画素領域で前記第１有機発光層から形成されるエキシトンの移動を遮断することができる。
【００１４】
例示的な実施形態において、前記第１有機発光層は緑色発光層及び赤色発光層を含むか、または、緑色光及び赤色光を発生させる一つの発光層を含むことができ、前記第２有機発光層は青色発光層を含むことができる。この場合、前記遮断部材は前記第１サブ画素領域で前記第２正孔注入層と前記第２有機発光層との間に位置することができ、前記第１サブ画素領域で前記第２正孔注入層から前記第２有機発光層への電子の流れを遮断することができる。他の例示的な実施形態によれば、前記遮断部材は前記第１サブ画素領域で前記第２有機発光層と前記電子輸送層との間に位置することができ、前記第１サブ画素領域で前記第２有機発光層から形成されるエキシトンの移動を遮断することができる。
【００１５】
例示的な実施形態において、前記遮断部材は、電子遮断層またはエキシトンクエンチング層を含むことができる。例えば、前記遮断部材はフラーレン（fullerene）、置換されたトリアリールアミンを含む高分子物質、カルバゾール系高分子物質、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロペンタン、４,４’−（９Ｈ−フルオレン−９−イリデン）ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−ベンゼンアミン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−メチルシクロヘキサン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−３−フェニルプロパン、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）エタン、４−（４−ジエチルアミノフェニル）トリフェニルメタン、４,４’−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）ジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ−ビス［２,５−ジメチル−４−［（３−メチルフェニル）フェニルアミノ］フェニル］−２,５−ジメチル−Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニル−１,４−ベンゼンジアミン、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン（ＴＣＴＡ）、４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン、９,９’−（２,２’−ジメチル［１,１’−ビフェニル］−４,４’−ジイル）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＤＢＰ）、９,９’−［１,１’−ビフェニル］−４,４’−ジイルビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＢＰ）、９,９’−（１,３−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ｍＣＰ）、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール、９,９’，９’’−（１,３,５−ベンゼントリイル）トリス−９Ｈ−カルバゾール、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３,６−ジアミン、９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３,６−ジアミン、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールなどを含むことができる。
【００１６】
上述した本発明の他の目的を達成するために、本発明の例示的な実施形態に係る表示装置は、第１〜第３サブ画素領域を含む基板、前記基板上に配置される第１電極、前記第１電極上に配置され、前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに配置される遮断部材を具備する発光構造物、そして前記発光構造物上に配置される第２電極を含むことができる。この場合、前記第１サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極との間の第１光学共振距離、前記第２サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極との間の第２光学共振距離、そして前記第３サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極との間の第３光学共振距離が実質的に互いに相異なることができる。
【００１７】
例示的な実施形態において、前記発光構造物は前記第１電極上に配置される第１正孔注入層、前記第１正孔注入層上に配置される第１有機発光層、前記第１有機発光層上に配置される電荷生成層、前記電荷生成層上に配置される第２正孔注入層、前記第２正孔注入層上に配置される第２有機発光層、そして前記第２有機発光層上に配置される電子輸送層を含むことができる。
【００１８】
例示的な実施形態において、前記発光構造物は前記第１電極上に配置される光学距離調節層をさらに含むことができる。この時、隣接するサブ画素領域で前記光学距離調節層が実質的に相異なる厚さを有することができる。
【００１９】
例示的な実施形態によれば、前記第１光学共振距離は、前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される赤色光に対して光学的共振を起こすように調節することができ、前記第２光学共振距離は前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される緑色光に対して光学的共振を起こすように調節することができる。また、前記第３光学共振距離は前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される青色光に対して光学的共振を起こすように調節することができる。
【００２０】
例示的な実施形態において、前記第１有機発光層は青色発光層を含むことができるが、前記第２有機発光層は緑色発光層及び赤色発光層を含むかまたは緑色光及び赤色光を発光する一つの発光層を含むことができる。この時、前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記第１正孔注入層と前記第１有機発光層との間に配置されることができ、前記第１サブ画素領域で前記第１正孔注入層から前記第１有機発光層への電子の流れを遮断することができる。他の例示的な実施形態において、前記遮断部材は前記第１サブ画素領域で前記第１有機発光層と前記電荷生成層との間に配置されることができ、前記第１サブ画素領域で前記第１有機発光層から形成されるエキシトンの移動を遮断することができる。
【００２１】
例示的な実施形態において、前記第１有機発光層は、緑色発光層及び赤色発光層を含むか、或いは、緑色光及び赤色光を発光する一つの発光層を含むことができ、前記第２有機発光層は青色発光層を含むことができる。そこで、前記遮断部材は前記第１サブ画素領域で前記第２正孔注入層と前記第２有機発光層との間に配置されることができ、前記第１サブ画素領域で前記第２正孔注入層から前記第２有機発光層への電子の流れを遮断することができる。他の例示的な実施形態によれば、前記遮断部材は前記第１サブ画素領域で前記第２有機発光層と前記電子輸送層との間に配置されることができ、前記第１サブ画素領域で前記第２有機発光層から形成されるエキシトンの移動を遮断することができる。
【００２２】
上述した本発明のまた他の目的を達成するために、本発明の例示的な実施形態に係る表示装置の製造方法において、第１〜第３サブ画素領域を具備する基板上に第１電極を形成した後、前記第１電極上に光学距離調節層及び遮断部材を含む発光構造物を形成することができる。前記発光構造物上に第２電極を形成することができる。この場合、前記第１サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極の間の第１光学共振距離、前記第２サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極の間の第２光学共振距離、そして前記第３サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極の間の第３光学共振距離が実質的に互いに相異に具現されることができる。
【００２３】
例示的な実施形態において、前記光学距離調節層は前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに形成されることができる。例えば、前記光学距離調節層は、レーザー熱転写工程を利用して前記第１電極上に形成することができる。例示的な実施形態に係る前記光学距離調節層を形成する過程において、前記基板上にドナー基板をラミネートした後、前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに対応する前記ドナー基板の少なくとも一つの領域にレーザービームを照射することができる。前記基板から前記ドナー基板を除去し前記光学距離調節層を形成することができる。
【００２４】
例示的な実施形態に係る前記発光構造物を形成する過程において、前記光学距離調節層上に第１有機発光層を形成した後、前記第１有機発光層上に電荷生成層を形成することができる。前記電荷生成層上に第２有機発光層を形成することができる。
【００２５】
例示的な実施形態において、前記遮断部材は前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つにおいて前記光学距離調節層と前記第１有機発光層との間に形成されることができる。例えば、前記遮断部材はレーザー熱転写工程を利用して形成することができる。例示的な実施形態に係る前記遮断部材を形成する過程において、前記基板上にドナー基板をラミネートした後、前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに対応する前記ドナー基板の少なくとも一つの領域にレーザービームを照射することができる。前記基板から前記ドナー基板を除去して前記遮断部材を収得することができる。
【００２６】
他の例示的な実施形態において、前記遮断部材は前記第１〜前記第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つにおいて前記第１有機発光層と前記電荷生成層との間に形成されることができる。また他の例示的な実施形態によれば、前記遮断部材は前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つにおいて前記第２有機発光層と前記第２電極との間に形成されることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の例示的な実施形態に係る表示装置において、各サブ画素領域が実質的に相異なる光学共振距離を有するようにして、前記サブ画素領域でそれぞれ互いに異なる波長を有する色光を起こすことができ、これに従って、表示装置の画素領域において色純度、輝度、色再現性などを改善することができ、前記表示装置の駆動電圧を減少させて寿命を延長させることができる。また、青色発光層から赤色発光層及び／または緑色発光層が互いに分離することができ、画素領域から発光される色光の色安定性と色再現性を向上させることができ、青色発光層の寿命を延長させることができる。さらに、各サブ画素領域が色純度と輝度の高い色光を放出できるので、前記表示装置が別途のカラーフィルタを具備しなくても高い色純度と輝度を有する高解像度の画像を実現することができる。前記表示装置の製造過程において、付加的な層を形成する必要がないので、その製造費用を節減でき、製造工程も単純化できる。例えば、カラーフィルタを形成するための工程が要求されないのでカラーフィルタによる画像の輝度減少を防止できる。
【００２８】
ただし、本発明の効果が上述の効果に限定されるのではなく、本発明の思想及び領域の範囲内で多様に拡張されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を説明するための断面図である。
【図２】電子遮断層の層厚に応じた赤色光及び青色光の光学的共振による発光ピーク波長を示すグラフである。
【図３】本発明の他の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を説明するための断面図である。
【図４】本発明のまた他の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を示す断面図である。
【図５】本発明のまた他の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を説明するための断面図である。
【図６】本発明のまた他の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を示す断面図である。
【図７】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の例示的な実施形態に係る液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法に対し添付した図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明が下記実施形態によって制限されるのではなく、当該分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想の範疇内において、本発明を多様な形態で具現できる。
【００３１】
本明細書に開示されている本発明の例示的な実施形態に対して、特定の構造的乃至機能的説明は、単に本発明の例示的な実施形態を説明するための目的として例示したものであり、本発明の例示的な実施形態は多様な形態で実施でき、本明細書に説明した例示的な実施形態に限定されるものと解釈してはならない。
【００３２】
本発明は多様な変更を加えることができ、種々の形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示して本明細書に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての変更、均等物ないし代替物を含むと理解するべきである。
【００３３】
本明細書において、第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するのに使用することができるが、これらの構成要素がこのような用語によって限定されてはならない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使われる。例えば、本発明の権利範囲から逸脱せずに第１構成要素は第２構成要素と命名することができ、類似に第２構成要素も第１構成要素と命名することができる。
【００３４】
ある構成要素が他の構成要素に「連結されて」いる、または「接続されて」いると言及された場合には、その他の構成要素に直接的に連結されていたり、接続されていることも意味するが、中間に他の構成要素が存在する場合も含むと理解するべきである。一方、ある構成要素が他の構成要素に「直接連結されて」いる、または「直接接続されて」いると言及された場合には、中間に他の構成要素が存在しないと理解すべきである。構成要素の間の関係を説明する他の表現、すなわち「〜間に」と「すぐに〜間に」または「〜に隣接する」と「〜に直接隣接する」等も同じように解釈すべきである。
【００３５】
本明細書で使用した用語は単に特定の実施形態を説明するために使用したもので、本発明を限定するものではない。単数の表現は文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。本明細書で、「含む」または「有する」等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品または、これを組み合わせたものが存在するということを示すものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品または、これを組み合わせたものなどの存在または、付加の可能性を、予め排除するわけではない。
【００３６】
また、別に定義しない限り、技術的或いは科学的用語を含み、本明細書中において使用される全ての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、一般的に理解するのと同一の意味を有する。一般的に使用される辞書において定義する用語と同じ用語は関連技術の文脈上に有する意味と一致する意味を有するものと理解するべきで、本明細書において明白に定義しない限り、理想的或いは形式的な意味として解釈してはならない
【００３７】
以下、添付図面を参照して、本発明の望ましい実施形態をより詳細に説明する。図面上の同一構成要素に対しては同一参照符号を使用し、同一構成要素に対しての重複した説明は省略する。
【００３８】
図１は本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を示す断面図である。
【００３９】
図１を参照すれば、前記表示装置は基板１００、スイッチング構造物（switching structure）、第１電極３００、発光構造物（light emitting structure）４００、第２電極５００などを含むことができる。
【００４０】
例示的な実施形態において、前記表示装置は発光構造物４００が位置する表示領域と、このような表示領域に隣接する非表示領域を含むことができる。また、前記表示装置の表示領域は第１サブ画素領域（Ｉ）,第２サブ画素領域（ＩＩ）及び第３サブ画素領域（ＩＩＩ）を含むことができる。この場合、発光構造物４００も第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）に区分できる。
【００４１】
前記スイッチング構造物は基板１００と第１電極３００との間に位置することができ、発光構造物４００は第１電極３００と第２電極５００との間に配置することができる。そこで、前記スイッチング構造物は基板１００上に提供されることができる。
【００４２】
基板１００は透明基板を含むことができる。例えば、基板１００はガラス基板、透明プラスチック基板、透明セラミック基板などを含むことができる。他の例示的な実施形態において、基板１００は軟性を有する基板（flexible substrate）からなることもできる。
【００４３】
基板１００上にはバッファ層１１０が配置されることができる。バッファ層１１０は基板１００から不純物が広がる現象を防止することができ、基板１００の平坦度を向上させることもできる。また、バッファ層１１０は基板１００に前記スイッチング構造物を形成する過程で発生するストレス（stress）を減少させる役割を遂行することもできる。バッファ層１１０は酸化物、窒化物、酸窒化物などを含むことができる。例えば、バッファ層１１０はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）及び／またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯｘＮｙ）を含む断層構造または多層構造を有することができる。
【００４４】
前記表示装置が能動型駆動方式を採用する場合、基板１００と第１電極３００との間に前記スイッチング構造物が配置されることができる。前記スイッチング構造物はスイッチング素子と少なくとも一つの絶縁層とを含むことができる。
【００４５】
例示的な実施形態において、前記スイッチング素子はシリコンを含有する半導体層を具備する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含むことができる。他の例示的な実施形態によれば、前記スイッチング素子は半導体酸化物で構成されるアクティブ層を具備する酸化物半導体素子を含むこともできる。
【００４６】
前記スイッチング構造物のスイッチング素子が薄膜トランジスタを含む場合、前記スイッチング素子は半導体層２１０、ゲート絶縁膜２２０、ゲート電極２３１、ソース電極２３３、ドレーン電極２３５などを含むことができる。
【００４７】
半導体層２１０はバッファ層１１０上に配置でき、ゲート絶縁膜２２０は、半導体層２１０を覆ってバッファ層１１０上に位置できる。半導体層２１０は第１不純物領域２１１、チャネル領域２１３、及び第２不純物領域２１５を含むことができる。そこで、第１及び第２不純物領域２１１、２１５は、それぞれ前記スイッチング素子のドレーン領域及びソース領域として機能することができる。半導体層２１０は、ポリシリコン（polysilicon）、不純物を含むポリシリコン、アモルファスシリコン（amorphous silicon）、不純物を含むアモルファスシリコンなどからなることができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。ゲート絶縁膜２２０は、酸化物、有機絶縁物質などを含むことができる。例えば、ゲート絶縁膜２２０はシリコン酸化物、ハフニウム酸化物（ＨｆＯｘ）、アルミニウム酸化物（ＡｌＯｘ）、ジルコニウム酸化物（ＺｒＯｘ）、チタン酸化物（ＴｉＯｘ）、タンタル酸化物（ＴａＯｘ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系樹脂、アクリル（acryl）系樹脂などを含むことができる。ゲート絶縁膜２２０は、前記酸化物または前記有機絶縁物質を含む断層構造または多層構造を有することができる。
【００４８】
ゲート電極２３１は、半導体層２１０に隣接するゲート絶縁膜２２０上に配置されることができる。例えば、ゲート電極２３１は下に半導体層２１０のチャネル領域２１３が位置する部分のゲート絶縁膜２２０上に位置することができる。ゲート電極２３１は、金属、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性物質などを含むことができる。例えば、ゲート電極２３１は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、アルミニウム窒化物（ＡｌＮｘ）、銀（Ａｇ）、銀合金、タングステン（Ｗ）、タングステン窒化物（ＷＮｘ）、銅（Ｃｕ）、銅合金、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金、チタン（Ｔｉ）、チタン窒化物（ＴｉＮｘ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、ネオジム（Ｎｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）、タンタル窒化物（ＴａＮｘ）、ストロンチウムルテニウム酸化物（ＳｒＲｕｘＯｙ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯｘ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、スズ酸化物（ＳｎＯｘ）、インジウム酸化物（ＩｎＯｘ）、ガリウム酸化物（ＧａＯｘ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などを含むことができる。ゲート電極２３１は金属、金属窒化物、導電性金属酸化物、及び／または、透明導電性物質を含む断層構造または多層構造を有することができる。
【００４９】
例示的な実施形態において、ゲート絶縁膜２２０上にはゲート電極２３１に連結されるゲートライン（図示せず）が配置されることができる。ゲート電極２３１には前記ゲートラインを通じてゲート信号が印加されることができる。前記ゲートラインは、ゲート電極２３１と実質的に同一または実質的に類似物質で構成できる。また、前記ゲートラインも金属、金属窒化物、導電性金属酸化物、及び／または、透明導電性物質を含む断層構造または多層構造を有することができる。
【００５０】
ゲート絶縁膜２２０上にはゲート電極２３１を覆う層間絶縁膜２４０が配置できる。層間絶縁膜２４０は、酸化物、窒化物、酸窒化物、有機絶縁物質などを含むことができる。例えば、層間絶縁膜２４０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、アクリル系樹脂、ポリイミド（polyimide）系樹脂、シロキサン（siloxane）系樹脂などで構成できる。 これらは単独でまたは互いに組合わせて使うことができる。層間絶縁膜２４０はゲート電極２３１のプロファイルに沿ってゲート絶縁膜２２０上で均一な厚さを有することができる。他の例示的な実施形態において、層間絶縁膜２４０はゲート電極２３１を十分にカバーしながら実質的に平坦な上面を有することもできる。
【００５１】
ソース電極２３３とドレーン電極２３５は、それぞれ層間絶縁膜２４０とゲート絶縁膜２２０を貫通して第２不純物領域２１５及び第１不純物領域２１１に接続できる。ソース電極２３３とドレーン電極２３５は、それぞれ金属、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性物質などを含むことができる。例えば、ソース電極２３３及びドレーン電極２３５は、各々アルミニウム、アルミニウムの合金、アルミニウム窒化物、銀、銀合金、タングステン、タングステン窒化物、銅、銅の合金、ニッケル、クロム、モリブデン、モリブデンの合金、チタン、チタン窒化物、白金、タンタル、ネオジム、スカンジウム、タンタル窒化物、ストロンチウムルテニウム酸化物、亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、スズ酸化物、インジウム酸化物、ガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物などを含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。また、ソース電極２３３及びドレーン電極２３５は、それぞれ金属、金属窒化物、導電性金属酸化物及び／または透明導電性物質を含む断層構造または多層構造を有することができる。
【００５２】
例示的な実施形態において、層間絶縁膜２４０上にはソース電極２３３に接続されるデータライン（図示せず）が配置され、このようなデータラインを通じてソース電極２３３にデータ信号が印加されることができる。前記データラインはソース電極２３３と実質的に同一または類似物質を含むことができる。また、前記データラインは金属、金属窒化物、導電性金属酸化物、及び／または、透明導電性物質を含む断層構造または多層構造を有することができる。前記ゲートラインと前記データラインは基板１００の上部で互いに実質的に直交する方向に沿って交差でき、このようなゲートラインとデータラインとの交差により前記表示装置の表示領域を定義できる。
【００５３】
前記スイッチング構造物の絶縁層２５０はソース電極２３３とドレーン電極２３５を覆って層間絶縁膜２４０上に配置できる。絶縁層２５０にはドレーン電極２３５の一部を露出させる孔が提供されることができる。絶縁層２５０は透明プラスチック、透明樹脂などのような透明絶縁性物質を含むことができる。例えば、絶縁層２５０はベンゾシクロブテン系樹脂、オレフィン（olefin）系樹脂、ポリイミド（polyimide）系樹脂、アクリル系樹脂、ポリビニール（polyvinyl）系樹脂、シロキサン（siloxane）系樹脂などを含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。例示的な実施形態によれば、絶縁層２５０は平坦化工程を通じて収得する実質的に平坦な対面を有することができる。例えば、絶縁層２５０の上部を化学機械的研磨（ＣＭＰ）工程、エッチバック（etch−back）工程などを利用して平坦化させることができる。他の例示的な実施形態において、絶縁層２５０は、自己平坦性（self planarizing property）を有する物質を含むことができる。
【００５４】
図１に例示的に図示した表示装置において、前記スイッチング構造物は半導体層２１０上にゲート電極２３１が配置されるトップゲート（top gate）構造を有する薄膜トランジスタを含むが、前記スイッチング素子の構成がそれに限定されるのではない。例えば、前記スイッチング素子は半導体層２１０の下にゲート電極２３１が位置するボトムゲート（bottom gate）構造を有することもでき、半導体酸化物で構成されたアクティブ層を具備する酸化物半導体素子を含むこともできる。
【００５５】
再び図１を参照すれば、第１電極３００は絶縁層２５０上に配置できる。例示的な実施形態において、第１電極３００は絶縁層２５０の孔を部分的または全体的に埋め立てることができ、これによって、第１電極３００は前記スイッチング素子に電気的に連結されることができる。つまり、第１電極３００は前記孔を通じて露出されるドレーン電極２３５に接続されることができる。他の例示的な実施形態によれば、ドレーン電極２３５上には絶縁層２５０の孔を埋め立てるコンタクト（図示せず）、プラグ（図示せず）、パッド（図示せず）などが追加的に配置されることができる。この場合、第１電極３００は、前記パッド、前記プラグまたは前記コンタクトを通じてドレーン電極２３５に電気的に接続されることができる。
【００５６】
前記表示装置が前面発光方式を有する場合、第１電極３００は反射性を有する反射電極に該当することができる。この場合、第２電極５００は半透過性を有する半透過電極または透過性を有する透過電極に該当することができる。しかし、第１電極３００及び第２電極５００の構成物質は、前記表示装置の発光方式によって変わることができる。例えば、第１電極３００が透過電極または半透過電極に該当することができ、第２電極５００が反射電極に該当することもできる。本明細書において、「反射性」というのは、入射光に対する反射率が約７０％以上約１００％以下であることを意味し、「半透過性」というのは、入射光の反射率が約３０％以上約７０％以下であることを意味する。また、「透過性」というのは、入射光に対する反射率が約３０％以下であることを意味する。
【００５７】
例示的な実施形態により第１電極３００が反射電極に該当する場合には、第１電極３００は相対的に高い反射率を有する金属、合金などを含むことができる。例えば、第１電極３００は、アルミニウム、銀、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、クロム、タングステン、モリブデン、チタン、パラジウム（Ｐｄ）、これらの合金などを含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。第１電極３００に含まれる合金としては、ＡＣＡ（Ａｇ−Ｃｕ−Ａｕ）合金、ＡＰＣ（Ａｇ−Ｐａ−Ｃｕ）合金などを挙げることができる。例示的な実施形態によれば、第１電極３００は、前記金属及び／または合金を含む断層構造または多層構造を有することができる。
【００５８】
第２電極５００が半透過電極に該当する場合、第２電極５００は実質的に一つの金属薄膜を含むことができる。この場合、第２電極５００は所定の反射率を有すると同時に所定の透過率を有することができる。第２電極５００が相対的に厚い厚さを有する場合には、前記表示装置の光効率が低下することがあるので、第２電極５００は相対的に薄い厚さを有することができる。例えば、第２電極５００は、約３０ｎｍ以下の厚さを有することができる。第２電極５００に含まれる金属としては、アルミニウム、銀、金、白金、クロム、タングステン、モリブデン、チタン、パラジウム、これらの合金などを挙げることができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。他の例示的な実施形態において、第２電極５００は透明導電性物質を含むことができる。すなわち、第２電極５００は透過電極に該当することができる。例えば、第２電極５００はインジウム亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、ガリウムスズ酸化物、亜鉛酸化物、ガリウム酸化物、スズ酸化物、インジウム酸化物などを含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。また他の例示的な実施形態において、第２電極５００は互いに相異なる屈折率を有する複数の透過層または複数の半透過層を含む多層構造を有することができる。
【００５９】
例示的な実施形態において、第１電極３００は、発光構造物４００の第１正孔注入層４１０に正孔（holes）を提供する陽極（anode）に該当し、第２電極５００は電子輸送層４９０に電子を提供する陰極（cathode）に該当する。しかし、第１電極３００及び第２電極５００の役割がこれに限定するのではなく、第１電極３００と第２電極５００の機能が互いに変わることができる。例えば、第１電極３００が陰極の役割をし、第２電極５００が陽極として機能することもできる。第１電極３００及び第２電極５００の機能によって発光構造物４００の正孔輸送層４２０、有機発光層４３０、電子輸送層４８０などの積層順が変わることができる。
【００６０】
例示的な実施形態によれば、図１に図示したように、前記表示装置の表示領域は第１サブ画素領域（Ｉ）、第２サブ画素領域（ＩＩ）及び第３サブ画素領域（ＩＩＩ）を含むことができる。
【００６１】
前記表示領域の第１電極３００上には光学距離調節層３５０が配置でき、前記表示領域に隣接する非表示領域の絶縁層２５０上には保護層２８０が位置できる。例示的な実施形態において、保護層２８０はドレーン電極２３５に接続される第１電極３００の一部をカバーするように延長することができる。保護層２８０は、酸化物、窒化物、酸窒化物、有機絶縁物質などを含むことができる。例えば、保護層２８０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、ベンゾシクロブテン系樹脂、オレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリビニル系樹脂、シロキサン系樹脂などを含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。他の例示的な実施形態によれば、前記表示装置が保護層２８０を具備しないことによって、より簡単な構成を有することもできる。
【００６２】
例示的な実施形態によれば、光学距離調節層３５０は第１サブ画素領域（Ｉ）及び第２サブ画素領域（ＩＩ）に位置する第１電極３００上に配置されることができる。他の例示的な実施形態によれば、光学距離調節層３５０は第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）全部に配置できる。また他の例示的な実施形態において、光学距離調節層３５０は第１サブ画素領域（Ｉ）内のみに位置できる。
【００６３】
光学距離調節層３５０は後述するように発光構造物４００から発生する光の光学的共振のために所定の光学距離を確保または光学距離を調節する機能を遂行することができる。例示的な実施形態において、第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で光学距離調節層３５０の部分は実質的に相異なる厚さを有することができる。例えば、第１サブ画素領域（Ｉ）に位置する光学距離調節層３５０の第１部分の厚さが第１サブ画素領域（ＩＩ）に位置する光学距離調節層３５０の第２部分の厚さに比べて実質的に厚いこともある。このような光学距離調節層３５０の厚さの差によって第１電極３００と第２電極５００との間の間隔が第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で実質的に相異に変化できる。
【００６４】
光学距離調節層３５０は実質的に光透過性を有することができる。例えば、光学距離調節層３５０は入射光に対して約７０％以上約１００％以下の光透過率を有することができる。例示的な実施形態において、光学距離調節層３５０は後述する遮断部材４４０または第１正孔注入層４１０を構成する物質と実質的に同一または実質的に類似物質を含むことができる。他の例示的な実施形態によれば、光学距離調節層３５０は透明絶縁物質を含むことができる。例えば、光学距離調節層３５０は、ベンゾシクロブテン系樹脂、オレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリビニル系樹脂、シロキサン系樹脂などを含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。
【００６５】
通常的に、「光学的共振（optical resonance）」または「微小共振器（microcavity）効果」は、入射光に対して反射性または半透過性を有する２つの面の間の光学距離が特定波長の光に対する干渉条件を満足する場合に、このような特定波長を有する光の輝度または光の強度が増加する現象を意味する。そこで、「反射性」は入射光に対する光の反射率が約７０％以上約１００％以下になることを意味して、「半透過性」は入射光に対する光の反射率が約３０％以上約７０％以下であることを意味する。前記光学距離は光が所定の層または電極を通過する時、このような層や電極の屈折率（ｎ）と厚さ（ｄ）を乗算した値に該当する。屈折率が互いに異なる複数の電極や層を光が通過する時の全体的な光学距離は、各電極や層の屈折率と、厚さの積である光学距離を合算した値（ｎｄ）に該当する。
【００６６】
実質的に反射性または半透過性を有する２つの面の間に複数の層や電極が介在する場合、前記２つ面の間で光学的共振が発生する条件は次の式（１）で示すことができる。
【００６７】
【数１】
【００６８】
前記式（１）において、ｎｊは反射性または半透過性を有する２つの面の間に介在した複数の層または電極のうち所定の波長（λ）を有する光が通過するｊ番目層の屈折率を意味する。また、ｄｊは前記ｊ番目層の厚さを示し、ｍは任意の整数を示す。一方、θｊは光が前記ｊ番目層を通過したり反射性または半透過性を有する面で反射する時に生じる位相変化を意味する。前記式（１）を光学距離に対して変形すると、次の式（２）を得ることができる。
【００６９】
【数２】
【００７０】
前記式（２）において、Ｌは所定の波長（λ）を有する光に対して共振条件を満足させる光学距離を意味する。以下、所定の波長を有する光に対する共振条件を満足させる光学距離を「光学共振距離」と称する。Φは光学共振距離（Ｌ）の間で発生する光の位相変化の合計であり、−πラジアン（radian）以上πラジアン以下の値を有することができる。特定の光学共振距離（Ｌ）で光学的共振を起こす光の波長を「ピーク波長」と称する。
【００７１】
前記式（２）によると、所定の波長（λ）を有する光に対する光学共振距離（Ｌ）は任意の整数ｍに従がって多様な値を有することが分かる。従って、光学共振距離（Ｌ）の値が大きい場合、同一の光学共振距離（Ｌ）に対して互いに異なるピーク波長にそれぞれ対応する互いに異なるｍ値（すなわち、式（２）の解に該当する値）が存在できる。
【００７２】
例えば、光学共振距離（Ｌ）の間で発生する光の位相変化の合計が「０」であると仮定し、計算の便宜のために赤色光の波長を６６０ｎｍとし、青色光の波長を４４０ｎｍと仮定する。このような６６０ｎｍ波長の赤色光に対して共振を起こす光学共振距離（Ｌ）は約３３０ｎｍ（ｍ＝１の場合）、約６６０ｎｍ（ｍ＝２の場合）、約９９０ｎｍ（ｍ＝３の場合）、約１，３２０ｎｍ（ｍ＝４の場合）などのようにいくつかが存在し、４４０ｎｍ波長の青色光に対して共振を起こす光学共振距離（Ｌ）は約２２０ｎｍ（ｍ＝１の場合）、約４４０ｎｍ（ｍ＝２の場合）、約６６０ｎｍ（ｍ＝３の場合）、約８８０ｎｍ（ｍ＝４の場合）などのようにいくつかが存在できる。すなわち、一つのピーク波長に対して複数の光学共振距離（Ｌ）が導き出されることができる。ただし、製造工程的な側面で表示装置の現実的な大きさ制限により光学共振距離（Ｌ）が制限できる。
【００７３】
再び図１を参照すれば、前記表示装置の第１サブ画素領域（Ｉ）は主に赤色光を放出する領域に該当でき、第２サブ画素領域（ＩＩ）は主に緑色光を生成する領域に該当する。また、第３サブ画素領域（ＩＩＩ）は主に青色光を発生させる領域に該当する。これによって、第１サブ画素領域（Ｉ）での第１光学共振距離は主に赤色光に対して光学的共振を起こすように調節でき、第２サブ画素領域（ＩＩ）での第２光学共振距離は実質的に緑色光に対して光学的共振を起こすように調節でき、第３サブ画素領域（ＩＩＩ）での第３光学共振距離は主に青色光に対して光学的共振を起こすように調節できる。
【００７４】
例示的な実施形態において、前記第１〜第３光学共振距離は第１電極３００と第２電極５００との間に配置される色々な層の厚さ、及び／または、屈折率を調節して変化できる。前記表示装置の第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で発光構造物４００の厚さが一定する場合には、第１電極３００と発光構造物４００との間に配置された光学距離調節層３５０の厚さ、及び／または、屈折率を調節して前記第１〜第３光学共振距離を調節できる。
【００７５】
上述通り、光学的共振でmの値が同一の場合には共振される波長の長さが長ければ光学共振距離の長さも長くなる。従って、赤色光の発光のため第１サブ画素領域（Ｉ）での第１光学共振距離が、緑色光の発光のための第２サブ画素領域（ＩＩ）での第２光学共振距離より、実質的にさらに大きいことがある。また、第２サブ画素領域（ＩＩ）での第２光学共振距離が、青色光の発光のため第３サブ画素領域（ＩＩＩ）での第３光学共振距離より実質的により大きいことがある。これによって、第１サブ画素領域（Ｉ）での光学距離調節層３５０の厚さは第２サブ画素領域（ＩＩ）での光学距離調節層３５０の厚さより実質的に大きいことがある。
【００７６】
例示的な実施形態に係る表示装置において、第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）が実質的に互いに異なる光学共振距離を有することによって、第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）でそれぞれ互いに異なる波長の光が光学的共振を起こすことができる。従って、前記表示装置の表示領域で色純度と輝度が向上するという効果を得ることができる。また、前記表示装置の駆動電圧を減少させて寿命の延長を期待できる。
【００７７】
図１に図示したように、発光構造物４００は光学距離調節層３５０を含むことができ、第１電極３００上に配置されることができる。例示的な実施形態において、発光構造物４００は第１正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、第１有機発光層４３０、遮断部材４４０、電荷生成層（ＣＧＬ）４５０、第２正孔注入層４６０、第２有機発光層４８０、電子輸送層４９０などを含むことができる。
【００７８】
例示的な実施形態において、第１正孔注入層４１０は、光学距離調節層３５０をカバーし、第１電極３００上に配置されることができる。第１正孔注入層４１０は、第１電極３００から第１有機発光層４３０に正孔の注入を円滑にする役割を遂行できる。例えば、第１正孔注入層４１０は、ＣｕＰｃ（copper phthalocyanine）、ＰＥＤＯＴ（poly(3,4)-ethylenedioxythiophene）、ＰＡＮＩ（polyaniline）、ＮＰＤ（N,N-dinaphthyl-N,N’-diphenyl benzidine）などを含むことができるが、これに限定されるのではない。
【００７９】
正孔輸送層４２０は第１正孔注入層４１０上に配置されることができる。正孔輸送層４２０は第１正孔注入層４１０からの正孔の輸送を円滑にする機能を遂行することができる。そこで、正孔輸送層４２０の最高被占分子軌道エネルギ（highest occupied molecular orbital energy；ＨＯＭＯ）が第１電極３００を構成する物質の仕事関数（work function）より実質的に低く、第１有機発光層４３０の最高被占分子軌道エネルギ（ＨＯＭＯ）より実質的に高い場合には正孔輸送効率が最適化されることができる。例えば、正孔輸送層４２０は、ＮＰＤ（N,N-dinaphthyl-N,N’-diphenyl benzidine）、ＴＰＤ（ N,N’-bis-(3-methylphenyl)-N,N’-bis-(phenyl)-benzidine）、ｓ−ＴＡＤ、ＭＴＤＡＴＡ（4,4’,4”-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine）などを含むことができるが、これに限定されるのではない。
【００８０】
第１有機発光層４３０は正孔輸送層４２０上に配置されることができる。第１有機発光層４３０は、一つのホストに分散されるリン光青色ドーパントまたは蛍光青色ドーパントを含むことができる。例示的な実施形態において、第１有機発光層４３０は実質的に青色光のみを発光することができ、これによって、色安定性を向上させることができ、従来の有機発光表示装置の問題点である青色発光層の低い寿命問題を解決することができる。電荷生成層（ＣＧＬ）４５０は第１有機発光層４３０上に配置されることができる。電荷生成層４５０は第１有機発光層４３０に対しては実質的に陰極の役割を遂行でき、第２有機発光層４８０に対しては実質的に陽極として機能することができる。
【００８１】
電荷生成層４５０は断層構造または二階構造を有することができる。例示的な実施形態において、電荷生成層４５０はバナジウム酸化物（ＶＯｘ）、タングステン酸化物（ＷＯｘ）などを含む金属酸化物から構成される断層構造を有することができる。他の例示的な実施形態によれば、電荷生成層４５０は金属酸化物層及び金属層を含む二重層構造を有することもできうる。この場合、前記金属酸化物層はバナジウム酸化物、タングステン酸化物などを含むことができ、前記金属層はアルミニウム、銀などを含むことができる。
【００８２】
第１電極３００及び／または第２電極５００に電圧が印加される場合、このような電圧によって電荷生成層４５０内で電荷、すなわち、電子または正孔が生成され、生成された電子または正孔が電荷生成層４５０から隣接する第１有機発光層４３０及び／または第２有機発光層４８０に提供することができる。従って、電荷の分布が第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）内で実質的に均一になされて、一つの色光が支配的に発光される問題点を解決することができる。また、一つの有機発光層を含む有機発光表示装置に比べて発光効率を増大させることができる。
【００８３】
他の例示的な実施形態によれば、前記表示装置の駆動電圧を減少させながら発光効率をより向上させるために、第１有機発光層４３０と電荷生成層４５０との間に追加的な電子輸送層（図示せず）、追加的な電子注入層（図示せず）などが配置されることができる。
【００８４】
第２正孔注入層４６０は電荷生成層４５０上に配置されることができる。第２正孔注入層４６０はその役割及び構成物質において第１正孔注入層４１０の場合と実質的に同一または実質的に類似することができる。
【００８５】
第２有機発光層４８０は第２正孔注入層４６０上に位置することができる。第２有機発光層４８０は断層構造または二階構造を有することができる。例示的な実施形態において、第２有機発光層４８０は一つのホストに分散する緑色ドーパントを含む緑色発光層と一つのホストに分散する赤色ドーパントを含む赤色発光層を含む二階構造を有することができる。他の例示的な実施形態によれば、第２有機発光層４８０は一つのホストに分散する緑色及び赤色ドーパントを含む断層構造を有することもできる。
【００８６】
電子輸送層４９０は第２有機発光層４８０上に配置されることができる。電子輸送層４９０は第２有機発光層４８０への電子の輸送を円滑にする役割を遂行することができる。例えば、電子輸送層４９０は、Ａｌｑ３（tris(8-hydroxyquinolino)aluminum）、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ｓｐｒｉｏ−ｐｂｄ、ＢＡｌｑ、ＳＡｌｑなどを含むことができるが、これに限定されるのではない。
【００８７】
他の例示的な実施形態において、前記表示装置の駆動電圧を減少させながら発光効率をより向上させるために、第２正孔注入層４６０と第２有機発光層４８０との間には追加的な正孔輸送層（図示せず）が配置され、電子輸送層４９０と第２電極５００との間には追加的な電子注入層（図示せず）が位置することができる。
【００８８】
図１に図示したように、遮断部材４４０は、第１サブ画素領域（Ｉ）に位置する第１有機発光層４３０上に配置されることができる。例示的な実施形態において、遮断部材４４０は電子の移動を遮断する機能を遂行することができる。この場合、遮断部材４４０はフラーレン（fullerene）、ＬＧ１０１Ｃ、置換されたトリアリールアミンを含む高分子物質、カルバゾール系高分子物質、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロペンタン、４,４’−（９Ｈ−フルオレン−９−イリデン）ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−ベンゼンアミン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−メチルシクロヘキサン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−３−フェニルプロパン、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）エタン、４−（４−ジエチルアミノフェニル）トリフェニルメタン、４,４’−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）ジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ−ビス［２,５−ジメチル−４−［（３−メチルフェニル）フェニルアミノ］フェニル］−２,５−ジメチル−Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニル−１,４−ベンゼンジアミン、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン（ＴＣＴＡ）、４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン、９,９’−（２,２’−ジメチル［１,１’−ビフェニル］−４,４’−ジイル）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＤＢＰ）、９,９’−［１,１’−ビフェニル］−４,４’−ジイルビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＢＰ）、９,９’−（１,３−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ｍＣＰ）、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３,６−ジアミン、９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３,６−ジアミン、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールなどを含むことができる。また、電子を遮断する役割を遂行する遮断部材４４０は。約３０ｎｍ以上の厚さを有することができる。例えば、遮断部材４４０は約３０ｎｍ〜約１５０ｎｍ程度の厚さを有することができる。 他の例示的な実施形態において、遮断部材４４０は、最高被占分子軌道エネルギ（highest occupied molecular orbital energy；ＨＯＭＯ）が相対的に大きく、透明な物質を含むこともできる。
【００８９】
例示的な実施形態によれば、遮断部材４４０は第１サブ画素領域（Ｉ）で電荷生成層４５０から第１有機発光層４３０への電子の輸送を遮断する役割を遂行することができる。これによって、遮断部材４４０により第１サブ画素領域（Ｉ）では第１有機発光層４３０は、電子が提供されないために第１サブ画素領域（Ｉ）に位置する第１有機発光層４３０は実質的に光を発生させないことがある。
【００９０】
図１に図示した表示装置において、第１サブ画素領域（Ｉ）と第２サブ画素領域（ＩＩ）で光学距離調節層３５０の厚さが実質的に互いに異なるように図示されているが、光学距離調節層３５０の構造がそれに限定されるのではない。例えば、第１サブ画素領域（Ｉ）と第２サブ画素領域（Ｉ）の光学距離調節層３５０の厚さが実質的に同一または実質的に類似していることもある。この場合、遮断部材４４０の厚さを調節することによって、第１及び第２サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ）の第１及び第２光学共振距離をそれぞれ赤色光及び青色光に適合するように調節することができる。
【００９１】
図２は遮断部材の膜厚に応じた表示装置の光学的共振ピーク波長を示すグラフである。
【００９２】
図２を参照すれば、遮断部材で電子遮断層を具備していない表示装置（ＩＶ）では赤色光の共振のために光学共振距離を調節しても青色光の共振が共に起きることが確認できる。上述したように、赤色光が共振（ｍ＝２）する光学共振距離と青色光が共振（ｍ＝３）する光学共振距離が約６６０ｎｍ程度であり概略的に一致するので、遮断部材として電子遮断層を具備していない表示装置（ＩＶ）の場合には、赤色光と青色光が実質的に共に共振されて色純度が低下する。これに比べて、約３０ｎｍ程度の厚さを有する電子遮断層を含む表示装置（Ｖ）、約５０ｎｍ程度の厚さを有する電子遮断層を含む表示装置（ＶＩ）及び約１００ｎｍ程度の厚さを有する電子遮断層を含む表示装置（ＶＩＩ）の場合には実質的に同じ光学共振距離内でも赤色光のみが共振され、青色光は実質的に共振されないことを確認できる。従って、遮断部材として電子遮断層を具備する表示装置が向上した色純度を確保できるが分かる。
【００９３】
図１及び図２を参照すれば、前記表示装置の第１サブ画素領域（Ｉ）で第１有機発光層４３０と電荷生成層４５０との間に遮断部材４４０が配置される場合、電荷生成層４５０で第１有機発光層４３０への電子の移動を遮断することができる。すなわち、第１サブ画素領域（Ｉ）で第１有機発光層４３０はエキシトンが形成されないので、遮断部材４４０により青色光の発光を遮断することができる。従って、第１サブ画素領域（Ｉ）では光学的共振によって赤色光のみが発光されることができ、第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）はそれぞれ色純度が高い色光を放出することができ、前記表示装置がカラーフィルタを具備しなくても高い色純度及び輝度を確保することができる。その結果、付加的な層が要求されないため前記表示装置の構成が簡単になることができ、製造費用を節減することもでき、製造工程も単純化することができる。また、カラーフィルタを配置する過程が要求されないので、高解像度の画像をディスプレイできる表示装置を実現することができ、カラーフィルタによる画像の輝度減少を最小化することができる。
【００９４】
図３は本発明の他の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を説明するための断面図である。図３に図示した表示装置は、発光構造物を除けば図１を参照して説明した表示装置と実質的に同一または実質的に類似の構成を有することができる。
【００９５】
図３を参照すれば、前記表示装置は基板１００、スイッチング構造物、第１電極３００、発光構造物４０２、第２電極５００などを含むことができる。前記表示装置の表示領域は第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）に区分でき、これによって、発光構造物４０２も第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）に分けることができる。
【００９６】
スイッチング素子と少なくとも一つの絶縁層を含む前記スイッチング構造物は、バッファ層１１０を有する基板１００上に提供されることができる。例示的な実施形態において、前記スイッチング構造物は半導体層２１０、ゲート絶縁膜２２０、ゲート電極２３１、層間絶縁膜２４０、ソース電極２３３、ドレーン電極２３５、絶縁層２５０などを含むことができる。この時、半導体層２１０は、第１不純物領域２１１、チャネル領域２１３、及び第２不純物領域２１５を含むことができる。このようなスイッチング構造物の構成は、図１を参照して説明したスイッチング構造物の場合と実質的に同一または実質的に類似している。
【００９７】
第１電極３００は前記表示領域の絶縁層２５０上に配置することができ、前記表示装置の非表示領域の絶縁層２５０上には保護層２８０が形成されることができる。第１電極３００の上部には第１電極３００に実質的に対向される第２電極５００が配置されることができ、第１電極３００と第２電極５００との間に光学距離調節層３５０と発光構造物４０２が位置することができる。
【００９８】
光学距離調節層３５０は前記表示領域の第１電極３００上に位置することができる。例示的な実施形態によれば、光学距離調節層３５０は、第１サブ画素領域（Ｉ）,第２サブ画素領域（ＩＩ）、及び第３サブ画素領域（ＩＩＩ）全てに配置されることができ、場合により第３サブ画素領域（ＩＩＩ）には位置しないこともある。第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で光学距離調節層３５０の厚さは、互いに相異しており、これによって、第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で第１電極３００と第２電極５００は互いに相異なる間隔で離隔されることによって、相異なる色光に対してそれぞれ光学的共振を起こすことができる。
【００９９】
発光構造物４０２の第１正孔注入層４１０は光学距離調節層３５０をカバーし第１電極３００上に配置することができる。第１正孔注入層４１０は第１電極３００から第１有機発光層４３０に正孔の注入を円滑にする役割を遂行することができる。第１有機発光層４３０は第１正孔注入層４１０上に配置されることができる。第１有機発光層４３０は断層構造または二階構造を有することができる。例示的な実施形態において、第１有機発光層４３０は一つのホストに分散した緑色ドーパントを含む緑色発光層と、一つのホストに分散した赤色ドーパントを含む赤色発光層を含む二階構造を有することができる。他の例示的な実施形態によれば、第１有機発光層４３０は一つのホストに分散した緑色及び赤色ドーパントを含む断層構造を有することもある。
【０１００】
電荷生成層４５０は前記第１有機発光層４３０上に配置されることができる。電荷生成層４５０は第１有機発光層４３０に対しては陰極として機能することができ、第２有機発光層４８０に対しては陽極として機能することができる。電荷生成層４５０は断層構造或いは二階構造を有することができる。第２正孔注入層４６０及び正孔輸送層４７０が電荷生成層４５０上に配置され、電荷生成層４５０から第２有機発光層４８０への正孔の注入と輸送を円滑にする役割を遂行することができる。
【０１０１】
正孔輸送層４７０上には第２有機発光層４８０が配置されることができる。例えば、第２有機発光層４８０は一つのホストに分散した青色ドーパントを含む青色発光層を含むことができる。電子輸送層４９０は第２有機発光層４８０上に配置されて、電子の輸送を円滑にする役割になる。
【０１０２】
例示的な実施形態によれば、遮断部材４４０は電子遮断層を含むことができる。この場合、前記電子遮断層は第１サブ画素領域（Ｉ）で第２有機発光層４８０と電子輸送層４９０との間に配置されることができる。前記電子遮断層を含む遮断部材４４０は第１サブ画素領域（Ｉ）で電子輸送層４９０で第２有機発光層４８０への電子の輸送を遮断する役割を遂行することができる。遮断部材４４０により第１サブ画素領域（Ｉ）で第２有機発光層４８０には電子が提供されないので発光を起すことができない。
【０１０３】
図１を参照して説明した表示装置と比較する場合、図３を参照して説明した表示装置は、発光構造物４０２の青色発光層の位置が赤色及び緑色発光層の位置と互いに交替することができ、これによって遮断部材４４０と正孔輸送層４７０の位置も変更されることができる。ただし、このような位置の変更があっても第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）でそれぞれ光学的共振が発生し、遮断部材４４０によって第１サブ画素領域（Ｉ）で青色光の生成が遮断されて別途のカラーフィルタを具備しなくても前記表示装置は高い色純度、改善された色再現性、向上された輝度などを有することができる。
【０１０４】
図４は本発明の他の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を説明するための断面図である。図４に図示した表示装置は、発光構造物を除けば図１を参照して説明した表示装置と実質的に同一または実質的に類似する構成を有することができる。
【０１０５】
図４を参照すれば、前記表示装置は基板１００、スイッチング構造物、第１電極３００、発光構造物４０４、第２電極５００などを含むことができる。前記表示装置は第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）を含む表示領域と非表示領域を具備することができ、発光構造物４０４は前記表示領域に位置して第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）に区分することができる。
【０１０６】
基板１００上にはバッファ層１１０が配置されることができ、前記スイッチング構造物はバッファ層１１０上に配置されることができる。前記スイッチング構造物は、第１及び第２不純物領域２１１、２１５とチャネル領域２１３を有する半導体層２１０、ゲート絶縁膜２２０、ゲート電極２３１、ソース電極２３３、ドレーン電極２３５、層間絶縁膜２４０、絶縁層２５０などを含むことができ、これに対しては図１を参照して詳細に説明したので繰り返される説明は省略する。
【０１０７】
例示的な実施形態において、第１電極３００上には光学距離調節層３５０が位置することができる。光学距離調節層３５０は第１サブ画素領域（Ｉ）、第２サブ画素領域（ＩＩ）、及び第３サブ画素領域（ＩＩＩ）において第１電極３００上に配置されるが、場合によって第２サブ画素領域（ＩＩ）、及び／または、第３サブ画素領域（ＩＩＩ）には配置されないこともある。第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）において光学距離調節層３５０の厚さは互いに相異し、これによって第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で第１電極３００と第２電極５００は、それぞれ相異なる間隔で離隔されることができ、第１電極３００と第２電極５００との間で互いに異なる色光の光学的共振が起きることができる。
【０１０８】
前記表示領域に位置する発光構造物４０４は、第１正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、第１有機発光層４３０、追加的な電子輸送層４３５、遮断部材４４０、電荷生成層４５０、第２正孔注入層４６０、第２有機発光層４８０、電子輸送層４９０などを含むことができ、このような発光構造物４０４の構成に対しては図１を参照して説明した発光構造物４００の場合と実質的に同一または類似するので繰り返される説明は省略する。
【０１０９】
例示的な実施形態において、第１有機発光層４３０と電荷生成層４５０との間に追加的な電子輸送層４３５が位置することができる。追加的な電子輸送層４３５により電荷生成層４５０から第１有機発光層４３０への電子の流れが実質的に活性化することがあるので発光構造物４０４の発光効率が向上することができる。遮断部材４４０は電子遮断層を含むことができる。この場合、前記電子遮断層は第１サブ画素領域（Ｉ）で追加的な電子輸送層４３５上に配置されることができる。遮断部材４４０は第１サブ画素領域（Ｉ）で電荷生成層４５０から第１有機発光層４３０への電子輸送を遮断する役割を遂行することができる。遮断部材４４０により第１サブ画素領域（Ｉ）で第１有機発光層４３０には電子が提供されないので発光を起すことができない。他の例示的な実施形態によれば、第１有機発光層４３０と電荷生成層４５０との間に追加的な電子輸送層４３５の代わりに正孔遮断層（図示せず）が位置することができる。このような正孔遮断層によって第１電極３００から第１有機発光層４３０に移動した正孔が電荷生成層４５０に移動することを遮断して発光構造物４０４の発光効率をより向上させることができる。
【０１１０】
図１を参照して説明した表示装置と比較する場合、図４に図示した表示装置は青色発光層を含む第１有機発光層４３０と遮断部材４４０が物理的に離隔されることができる。ただし、このような場合にも遮断部材４４０によって青色発光層への電子の移動が遮断されるので、第１サブ画素領域（Ｉ）で実質的に赤色光のみが発光されることができる。これによって、前記表示装置がカラーフィルタが具備されなくても高い色純度を確保でき、向上された輝度と光効率を有することができる。
【０１１１】
図５は本発明のまた他の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を説明するための断面図である。図５に図示した表示装置は、発光構造物を除けば図１を参照して説明した表示装置と実質的に同一または実質的に類似の構成を有することができる。
【０１１２】
図５を参照すれば、前記表示装置は基板１００、スイッチング構造物、第１電極３００、発光構造物４０６、第２電極５００などを含むことができる。前記表示装置と発光構造物４０６は第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）を含むことができる。
【０１１３】
前記スイッチング構造物は少なくとも一つの絶縁層とスイッチング素子を具備することができる。例えば、前記スイッチング素子はチャネル領域２１３と第１及び第２不純物領域（２１１,２１５）を有する半導体層２１０、ゲート絶縁膜２２０、ゲート電極２３１、ソース電極２３３、ドレーン電極２３５などを具備することができる。また、前記少なくとも一つの絶縁層は、層間絶縁膜２４０、絶縁層２５０などを含むことができる。
【０１１４】
例示的な実施形態において、前記表示装置の表示領域で第１電極３００上には光学距離調節層３５０が配置されることができる。光学距離調節層３５０は第１サブ画素領域（Ｉ）、第２サブ画素領域（ＩＩ）、及び／または、第３サブ画素領域（ＩＩＩ）に位置することができる。そこで、光学距離調節層３５０は第１サブ画素領域（Ｉ）、第２サブ画素領域（ＩＩ）、及び／または、第３サブ画素領域で相異なる厚さを有することができる。これによって、第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で第１電極３００と第２電極５００との間には第１〜第３光学的共振距離が提供されることができる。
【０１１５】
例示的な実施形態によれば、発光構造物４０６は第１正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、遮断部材４２５、第１有機発光層４３０、電荷生成層４５０、第２正孔注入層４６０、第２有機発光層４８０、電子輸送層４９０などを含むことができる。発光構造物４００の第１サブ画素領域（Ｉ）で第１有機発光層４３０と第１正孔輸送層４２０との間にはエキシトンクエンチング層（exciton quenching layer；ＥＱＬ）を含む遮断部材４２５が配置されることができる。そこで、前記エキシトンクエンチング層を含む遮断部材４４０はフラーレン（fullerene）、ＬＧ１０１Ｃ、置換されたトリアリールアミンを含む高分子物質、カルバゾール系高分子物質、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロペンタン、４,４’−（９Ｈ−フルオレン−９−イリデン）ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−ベンゼンアミン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−メチルシクロヘキサン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−３−フェニルプロパン、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）エタン、４−（４−ジエチルアミノフェニル）トリフェニルメタン、４,４’−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）ジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ−ビス［２,５−ジメチル−４−［（３−メチルフェニル）フェニルアミノ］フェニル］−２,５−ジメチル−Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニル−１,４−ベンゼンジアミン、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン（ＴＣＴＡ）、４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン、９,９’−（２,２’−ジメチル［１,１’−ビフェニル］−４,４’−ジイル）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＤＢＰ）、９,９’−［１,１’−ビフェニル］−４,４’−ジイルビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＢＰ）、９,９’−（１,３−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ｍＣＰ）、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３,６−ジアミン、９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３,６−ジアミン、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールなどを含むことができる。前記表示装置の駆動時に第１有機発光層４３０と第１正孔輸送層４２０との間で電子と正孔が会ってエキシトンを形成することができる。前記エキシトンクエンチング層を含む遮断部材４２５は、前記エキシトンクエンチング層周囲の高いエネルギを有している電子或いはエキシトンを低いエネルギに変換させる役割を遂行することができる。これによって、第１サブ画素領域（Ｉ）の第１有機発光層４３０では発光に参与する電子或いはエキシトンが存在しないので、実質的に発光が発生しないことがある。
【０１１６】
図１を参照して説明した表示装置と比較する場合、図５に図示した表示装置は、第１サブ画素領域（Ｉ）で遮断部材４２５として電子遮断層の代わりにエキシトンクエンチング層を具備することができる。ただし、このような場合にも第１サブ画素領域（Ｉ）で実質的に赤色光のみが発光され、青色光の発光が制限されることができる。
【０１１７】
図６は本発明のまた他の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置を説明するための断面図である。図６に図示した表示装置は、発光方式、第１電極３００、第２電極５００などを除けば図１を参照して説明した表示装置と実質的に同一または実質的に類似する構成を有する。
【０１１８】
図６を参照すれば、前記表示装置は基板１００、スイッチング構造物、第１電極３００、発光構造物４０８、第２電極５００などを含むことができる。
【０１１９】
前記スイッチング構造物はバッファ層１１０を有する基板１００上に配置されることができる。前記スイッチング構造物はスイッチング素子と少なくとも一つの絶縁層を具備することができる。前記スイッチング素子は半導体層２１０、ゲート絶縁膜２２０、ゲート電極２３１、ソース電極２３３、ドレーン電極２３５などを含むことができ、前記少なくとも一つの絶縁層は層間絶縁膜２４０、絶縁層２５０などを含むことができる。
【０１２０】
例示的な実施形態により前記表示装置が背面発光方式（矢印参照）を有する場合、第１電極３００は発光構造物４０８から入射される光の一部を透過すると同時に光の一部を反射する半透過層に該当でき、第２電極５００は反射性を有する反射電極に該当することができる。
【０１２１】
第１電極３００が半透過電極に該当する場合、第１電極３００は金属、合金、導電性金属酸化物、金属がドーピングされた透明無機物質などからなることができる。例えば、第１電極３００は屈折率が互いに相異なる複数の透明層または複数の半透過層を含む多層構造を有することができる。例示的な実施形態において、第１電極３００は第１電極膜、第２電極膜、第３電極膜を含む三重層構造を有することができる。この場合、前記第１電極膜と前記第３電極膜は、それぞれインジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、亜鉛酸化物などの金属酸化物で構成され、前記第２電極膜はマグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）合金、銀、銀−パラジウム−銅（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ）合金などからなることができる。前記第２電極膜が、相対的に高い反射性を有する金属を含んでも、前記第２電極膜の厚さが薄い場合には半透過性を有することができる。
【０１２２】
第２電極５００が反射電極に該当する場合、第２電極５００は、アルミニウム、白金、銀、金、クロム、タングステン、モリブデン、チタン、パラジウム、これらの合金（例えば、ＡＣＡ合金、ＡＰＣ合金）などを含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。第２電極５００が反射電極の場合には発光構造物４０８から発生した光は第１電極３００と基板１００を通過するので、前記表示装置が背面発光方式を有することができる。
【０１２３】
例示的な実施形態において、第１電極３００上に配置される光学距離調節層３５０は、第１サブ画素領域（Ｉ）、第２サブ画素領域（ＩＩ）、及び／または、第３サブ画素領域（ＩＩＩ）に位置することができる。第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で光学距離調節層３５０の厚さは実質的に互いに異なることがあり、これによって、第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）で第１電極３００と第２電極５００との間には実質的に相異なる第１〜第３光学的共振距離が提供されることができる。
【０１２４】
前記表示装置の発光構造物４０８は、第１正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、第１有機発光層４３０、遮断部材４４０、電荷生成層４５０、第２正孔注入層４６０、第２有機発光層４８０、電子輸送層４９０などを含むことができ、このような発光構造物４０８の構成要素は、図１を参照して説明した発光構造物４００の構成要素と実質的に同一または実質的に類似している。
【０１２５】
例示的な実施形態において、遮断部材４４０は電子遮断層を含むことができる。前記電子遮断層は第１サブ画素領域（Ｉ）で電荷生成層４５０と第１有機発光層４３０との間に配置されることができる。遮断部材４４０は第１サブ画素領域（Ｉ）で電荷生成層４５０から第１有機発光層４３０への電子の輸送を遮断する役割をする。このような遮断部材４４０によって第１サブ画素領域（Ｉ）では第１有機発光層４３０には電子が供給されないために実質的に発光が起きないこともある。
【０１２６】
図１を参照して説明した表示装置と比較する時、図６に図示された表示装置は第１電極３００と第２電極５００の構成物質を変更することによって発光の方式が背面発光方式に変更されることができる。ただし、第１及び第２電極３００、５００の変更があっても第１〜第３サブ画素領域（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）でそれぞれ光学的共振が発生することができ、遮断部材４４０により第１サブ画素領域（Ｉ）で青色光の生成が実質的に遮断されることができる。
【０１２７】
図７〜図１４は本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置の製造方法を説明するための断面図である。図７〜図１４において、図１を参照して説明した表示装置と実質的に同一または類似の構成を有する表示装置の製造方法を例示的に説明するが、図３〜図６を参照して説明した表示装置も構成要素を形成するための工程の省略、追加などの自明な変更を通じて製造されることができる。
【０１２８】
図７を参照すれば、基板１００上にバッファ層１１０を形成することができる。基板１００は透明絶縁物質で構成され、バッファ層１１０は酸化物、窒化物、酸窒化物、有機絶縁物質などを使って形成することができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。また、バッファ層１１０は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）工程、プラズマ増大化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）工程、高密度プラズマ−化学気相蒸着（ＨＤＰ−ＣＶＤ）工程、スピンコーティング工程、熱酸化工程、プリンティング工程を利用して基板１００上に形成することができる。
【０１２９】
バッファ層１１０上にはスイッチング構造物が提供されることができる。例示的な実施形態に係るスイッチング構造物を形成する過程においてバッファ層１１０上に半導体層２１０を形成した後、半導体層２１０を覆ってバッファ層１１０上にゲート絶縁膜２２０を形成することができる 半導体層２１０はシリコンを使って形成し、化学気相蒸着工程、プラズマ増大化学気相蒸着工程、高密度プラズマ−化学気相蒸着工程、スピンコーティング工程、プリンティング工程などを通じて収得することができる。ゲート絶縁膜２２０は酸化物、有機絶縁物質などを使って形成することができる。そこで、ゲート絶縁膜２２０は半導体層２１０のプロファイルに沿ってバッファ層１１０上に均一に形成されることができる。ゲート絶縁膜２２０は、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、原子層積層（ＡＬＤ）工程、高密度プラズマ−化学気相蒸着工程、スピンコーティング工程、プリンティング工程などを利用して収得することができる。
【０１３０】
ゲート絶縁膜２２０のうち、下に半導体層２１０が位置する部分上にゲート電極２３１を形成することができる。ゲート電極２３１は金属、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性物質などを使って形成することができる。また、ゲート電極２３１は、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程、スピンコーティング工程、真空蒸着工程、パルスレーザー蒸着（ＰＬＤ）工程、プリンティング工程などを利用して形成されることができる。ゲート電極２２０をマスクとして利用して、半導体層２１０に不純物を注入することによって、半導体層２１０の両側部に第１不純物領域２１１と第２不純物領域２１５を形成することができる。これによって、半導体層２１０の中央部はチャネル領域２１３と定義することができる。例えば、第１及び第２不純物領域２１１、２１５は、イオン注入工程を利用して形成することができる。例示的な実施形態において、ゲート電極２３１を形成する間、ゲート絶縁膜２２０の一側にはゲートライン（図示せず）が形成されることができる。前記ゲートラインはゲート絶縁膜２２０上で延長することができ、ゲート電極２３１に接続されることができる。
【０１３１】
ゲート絶縁膜２２０上にはゲート電極２３１をカバーする層間絶縁膜２４０が形成されることができる。層間絶縁膜２４０は酸化物、窒化物、酸窒化物、有機絶縁物質などを使って形成されることができる。また、層間絶縁膜２４０は、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、プラズマ増大化学気相蒸着工程、原子層積層工程、スピンコーティング工程、真空蒸着工程、パルスレーザー蒸着工程、プリンティング工程などを通じて収得することができる。例示的な実施形態において、層間絶縁膜２４０はゲート電極２３１のプロファイルに沿ってゲート絶縁膜２２０上に均一に形成されることができる。他の例示的な実施形態によれば、層間絶縁膜２４０はゲート電極２３１を充分に覆って実質的に平坦な上面を有することもできる。
【０１３２】
層間絶縁膜２４０を部分的にエッチングして第１及び第２不純物領域２１１、２１５を、それぞれ露出させる孔を形成した後、この孔を埋め立てながら層間絶縁膜２４０上にソース電極２３３とドレーン電極２３５を形成することができる。ソース電極２３３とドレーン電極２３５は、それぞれ金属、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性物質などを使って形成することができる。また、ソース及びドレーン電極２３３、２３５は、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、プラズマ増大化学気相蒸着工程、原子層積層工程、スピンコーティング工程、真空蒸着工程、パルスレーザー蒸着工程、プリンティング工程などを通じて収得することができる。ソース及びドレーン電極２３３、２３５は、それぞれ第１及び第２不純物領域２１１、２１５に接続することができる。例示的な実施形態によれば、層間絶縁膜２４０の一側にはソース及びドレーン電極２３３、２３５と共にデータライン（図示せず）が形成されることができる。前記データラインは層間絶縁膜２４０上で延長してソース電極２３３に連結されることができる。
【０１３３】
上述においては、基板１００上に薄膜トランジスタを含むスイッチング素子を形成する過程を説明したが、基板１００上にゲート電極２１３とゲート絶縁膜２２０を形成した後、ゲート絶縁膜２２０上に半導体酸化物で構成されたアクティブ層を形成する過程を通じて酸化物半導体素子を含むスイッチング素子を具現することもできる。
【０１３４】
再び図７を参照すれば、前記スイッチング素子を覆いながら基板１００上に少なくとも一つの絶縁層２５０を形成することによって、前記スイッチング素子と絶縁層を含むスイッチング構造物を基板１００上に形成することができる。絶縁層２５０は透明プラスチック、透明樹脂などのような透明絶縁性物質を使って形成することができる。また、絶縁層２５０はスピンコーティング工程、プリンティング工程、真空蒸着工程などを利用して形成することができる。例示的な実施形態において、絶縁層２５０に対して化学機械的研磨工程、エッチバック工程などを含む平坦化工程を遂行して絶縁層２５０の上面を平坦化させることができる。他の例示的な実施形態によれば、絶縁層２５０は自己平坦性を有する物質を使って形成し、これによって、絶縁層２５０が平坦な上面を有することができる。
【０１３５】
図８を参照すれば、絶縁層２５０を部分的にエッチングして、ドレーン電極２３５の一部を露出させる孔（図示せず）を形成することができる。例えば、絶縁層２５０の孔を写真エッチング工程を利用して形成することができる。例示的な実施形態において、絶縁層２５０の孔を満たしながら絶縁層２５０上に第１導電層（図示せず）を形成した後、前記第１導電層をパターニングして第１電極３００を形成することができる。従って、第１電極３００はドレーン電極２３５に直接連結されることができる。前記第１導電層はスパッタリング工程、プリンティング工程、スプレー工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程、真空蒸着工程、パルスレーザー蒸着工程などを利用して絶縁層２５０上に形成されることができる。また、第１電極３００は金属、合金、透明導電性物質などを使って形成することができる。例示的な実施形態において、第１電極３００を構成する物質の種類によって第１電極３００が反射電極、半透過電極、透過電極などに該当することができる。他の例示的な実施形態によれば、ドレーン電極２３５上に絶縁層２５０の孔を埋め立てるコンタクト、パッド、プラグなどを形成した後、絶縁層２５０上に第１電極３００を形成することもできる。この場合、第１電極３００は前記コンタクト、前記パッド、または前記プラグを通じてドレーン電極２３５に電気的に連結されることができる。
【０１３６】
例示的な実施形態によれば、レーザー熱転写工程を利用して第１電極３００上に光学距離調節層３５０を形成することができる。この場合、光学距離調節層３５０は、第２サブ画素領域（ＩＩ）（図１３を参照）に形成されることができる。
【０１３７】
図９に図示したように、第１電極３００が形成された基板１００の上部にドナー基板６００を配置することができる。この場合、第１電極３００を有する基板１００を支持部材（図示せず）などを利用して固定した後、基板１００に対してドナー基板６００を整列（align）させることができる。ドナー基板６００は、ベース基板６１０上に設けた複数の層を含むことができる。例示的な実施形態において、ドナー基板６００は、ベース基板６１０上に配置された光熱変換層（light to heat conversion layer；ＬＴＨＣ）６２０及び光熱変換層６２０上に配置された転写層６３０を含むことができる。そこで、ドナー基板６００の転写層６３０は、光学距離調節層３５０を形成するために提供することができる。例えば、転写層６３０はベンゾシクロブテン系樹脂、オレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリビニル系樹脂、シロキサン系樹脂などの透明絶縁物質を含むことができる。これらは単独または互いに組合わせて使うことができる。
【０１３８】
図１０を参照すれば、ドナー基板６００を第１電極３００が形成された基板１００に接触させた後、加圧部材６４０を利用してドナー基板６００に圧力を加えることによって、第１電極３００と絶縁層２５０上に転写層６３０をラミネーション（lamination）させることができる。例えば、加圧部材６４０はローラ、クラウンプレスなどを含むことができる。他の例示的な実施形態によれば、別途の加圧部材６４０を使わずにドナー基板６００に気体を利用して圧力を加えることによって第１電極３００と絶縁層２５０上に転写層６３０をラミネーションさせることができる。
【０１３９】
図１１を参照すれば、ドナー基板６００のうち、第２サブ画素領域（ＩＩ）上に位置する部分のみに矢印で図示したようにレーザー照射装置（図示せず）からレーザービームを照射することができる。この場合、光熱変換層６２０は前記レーザービームのエネルギを熱エネルギに変換させることができる。このような熱エネルギによって前記レーザービームが照射された第２サブ画素領域（ＩＩ）で互いに密着した転写層６３０と第１電極３００との間に発生する接着力が転写層６３０と光熱変換層６２０との間の接着力より実質的に大きいこともある。例示的な実施形態によれば、前記レーザービームの高い分解能によってレーザー熱転写工程を利用する場合にはマスクを利用する薄膜形成工程より低い費用で実質的に高い高解像度を有するパターンを収得することができる。
【０１４０】
図１２を参照すれば、ドナー基板６００を基板１００から分離して第２サブ画素領域（ＩＩ）に光学距離調節層３５０を形成することができる。例示的な実施形態において、ドナー基板６００に隣接して空気噴射（air blowing）装置（図示せず）を配置した後、前記空気噴射装置からドナー基板６００の端部に空気を噴射することによってドナー基板６００を分離することができる。
【０１４１】
例示的な実施形態よれば、第１サブ画素領域（Ｉ）（図１３を参照）に対しても図１０〜図１２を参照して説明したレーザー熱転写工程と実質的に同一または実質的に類似のレーザー熱転写工程を遂行して第１サブ画素領域（Ｉ）に位置する第１電極３００上に光学距離調節層３５０を形成することができる。この場合、ドナー基板の転写層の厚さに従って光学距離調節層３５０の厚さが変化することができる。従って、光学距離調節層３５０は第１サブ画素領域（Ｉ）及び第２サブ画素領域（ＩＩ）で相異なる厚さを有することができる。他の例示的な実施形態において、図１０〜図１２を参照して説明したレーザー熱転写工程と実質的に同一または実質的に類似のレーザー熱転写工程を通じて第３サブ画素領域（ＩＩ）（図１３を参照）に位置する第１電極３００上にも光学距離調節層３５０を形成することもできる。
【０１４２】
図１３を参照すれば、前記表示装置の非表示領域に位置する絶縁層２５０上に保護層２８０を形成することができる。そこで、保護層２８０は前記表示装置の表示領域に位置する第１電極３００の一部上に延長することができる。保護層２８０は、酸化物、窒化物、酸窒化物、有機絶縁物質などを使って形成することができる。また、保護層２８０は、化学気相蒸着工程、スピンコーティング工程、プラズマ増大化学気相蒸着工程、真空蒸着工程、プリンティング工程などを利用して収得することができる。
【０１４３】
光学距離調節層３５０と保護層２８０が形成された基板１００の上部発光構造物４００を形成することができる。発光構造物４００は光学距離調節層３５０、第１電極３００、及び保護層２８０上に第１正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、第１有機発光層４３０、遮断部材４４０、電荷生成層（ＣＧＬ）４５０、第２正孔注入層４６０、第２有機発光層４８０、電子輸送層４９０などを順次に積層して形成することができる。例示的な実施形態において、第１有機発光層４３０と第２有機発光層４８０は、前記表示領域のみに形成することができ、遮断部材４４０は第１サブ画素領域（Ｉ）に位置する第１有機発光層４３０の一部上のみに形成することができる。有機物を含む第１正孔注入層４１０、正孔輸送層４２０、第１有機発光層４３０、第２正孔注入層４６０、第２有機発光層４８０、及び電子輸送層４９０は、真空蒸着工程、インクジェットプリンティング工程、スピンコーティング工程、レーザー熱転写工程などを利用して収得することができる。金属及び／または金属酸化物を含む電荷生成層４５０は、スパッタリング工程、プリンティング工程、スプレー工程、化学気相蒸着工程などを利用して収得することができる。また、電子遮断層またはエキシトンクエンチング層を含む遮断部材４４０は、図９〜図１２を参照して説明したレーザー熱転写工程と実質的に同一または実質的に類似のレーザー熱転写工程を通じて第１有機発光層４３０上に形成することができる。
【０１４４】
図１４を参照すれば、電子輸送層４９０上に第２電極５００を形成することができる。第２電極５００は金属、合金、透明導電性物質などをスパッタリング工程、プリンティング工程、スプレー工程、化学気相蒸着工程、真空蒸着工程、原子層積層などで電子輸送層４９０上に蒸着して収得することができる。
【０１４５】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１４６】
本発明の例示的な実施形態に係る発光構造物を含む表示装置は、カラーフィルタを具備せずとも向上された色純度が確保でき、表示装置の製造費用を節減しながら製造工程を簡略化することができる。このような表示装置は背面発光方式、前面発光方式、両面発光方式など、多様な発光方式を有するテレビ、モニタ、移動通信機器、ＭＰ３、携帯用ディスプレイ機器などの色々な電気及び電子装置に適用することができる。
【符号の説明】
【０１４７】
１０、１１０、２１０、３１０ 第１基板
１００ 基板
１１０ バッファ層
２１０ 半導体層
２１１ 第１不純物領域
２１３ チャネル領域
２１５ 第２不純物領域
２２０ ゲート絶縁膜
２３１ ゲート電極
２３３ ソース電極
２３５ ドレーン電極
２４０ 層間絶縁膜
２５０ 絶縁層
３００ 第１電極
３５０ 光学距離調節層
４００ 発光構造物
４１０ 第１正孔注入層
４２０、４７０ 正孔輸送層
４２５、４４０ 遮断部材
４３０ 第１有機発光層
４５０ 電荷生成層
４６０ 第２正孔注入層
４８０ 第２有機発光層
４９０ 電子輸送層
５００ 第２電極
６００ ドナー基板
６１０ ベース基板
６２０ 光熱変換層
６３０ 転写層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１サブ画素領域、第２サブ画素領域、及び第３サブ画素領域を含む発光構造物において、
第１正孔注入層と、
前記第１正孔注入層上に配置される第１有機発光層と、
前記第１有機発光層上に配置される電荷生成層と、
前記電荷生成層上に配置される第２正孔注入層と、
前記第２正孔注入層上に配置される第２有機発光層と、
前記第２有機発光層上に配置される電子輸送層と、
前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに配置される遮断部材と、を含むことを特徴とする発光構造物。
【請求項２】
前記第１サブ画素領域の第１光学共振距離、前記第２サブ画素領域の第２光学共振距離、及び前記第３サブ画素領域の第３光学共振距離は互いに相異なることを特徴とする請求項１に記載の発光構造物。
【請求項３】
前記第１サブ画素領域〜前記第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに配置される光学距離調節層をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の発光構造物。
【請求項４】
前記光学距離調節層は、前記第１正孔注入層下部に配置されることを特徴とする請求項３に記載の発光構造物。
【請求項５】
隣接するサブ画素領域で前記光学距離調節層は、相異なる厚さを有することを特徴とする請求項３に記載の発光構造物。
【請求項６】
前記光学距離調節層は、前記第１正孔注入層と同一物質を含むことを特徴とする請求項３に記載の発光構造物。
【請求項７】
前記第１光学共振距離は、前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される赤色光に対して光学的共振を起こすように調節され、前記第２光学共振距離は前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される緑色光に対して光学的共振を起こすように調節され、前記第３光学共振距離は前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される青色光に対して光学的共振を起こすように調節されることを特徴とする請求項２に記載の発光構造物。
【請求項８】
前記第１有機発光層は青色発光層を含み、前記第２有機発光層は緑色発光層及び赤色発光層または緑色光及び赤色光を発光させる一つの発光層を含むことを特徴とする請求項７に記載の発光構造物。
【請求項９】
前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記電荷生成層と前記第１有機発光層との間に位置し、前記第１サブ画素領域で前記電荷生成層から前記第１有機発光層への電子の流れを遮断することを特徴とする請求項８に記載の発光構造物。
【請求項１０】
前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記第１有機発光層と前記第１正孔注入孔との間に位置し、前記第１サブ画素領域で前記第１有機発光層から形成されるエキシトンの移動を遮断することを特徴とする請求項８に記載の発光構造物。
【請求項１１】
前記第１有機発光層は、緑色発光層及び赤色発光層、または、緑色光及び赤色光を発生させる一つの発光層を含み、前記第２有機発光層は、青色発光層を含むことを特徴とする請求項７に記載の発光構造物。
【請求項１２】
前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記電子輸送層と前記第２有機発光層との間に位置し、前記第１サブ画素領域で前記電子輸送層から前記第２有機発光層への電子の流れを遮断することを特徴とする請求項１１に記載の発光構造物。
【請求項１３】
前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記第２有機発光層と前記第２正孔注入層との間に位置し、前記第１サブ画素領域で前記第２有機発光層から形成されるエキシトンの移動を遮断することを特徴とする請求項１１に記載の発光構造物。
【請求項１４】
前記遮断部材は、電子遮断層またはエキシトンクエンチング層を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光構造物。
【請求項１５】
前記遮断部材はフラーレン（fullerene）、置換されたトリアリールアミンを含む高分子物質、カルバゾール系高分子物質、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロペンタン、４,４’−（９Ｈ−フルオレン−９−イリデン）ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−ベンゼンアミン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−メチルシクロヘキサン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−３−フェニルプロパン、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）エタン、４−（４−ジエチルアミノフェニル）トリフェニルメタン、４,４’−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）ジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ−ビス［２,５−ジメチル−４−［（３−メチルフェニル）フェニルアミノ］フェニル］−２,５−ジメチル−Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニル−１,４−ベンゼンジアミン、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン（ＴＣＴＡ）、４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン、９,９’−（２,２’−ジメチル［１,１’−ビフェニル］−４,４’−ジイル）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＤＢＰ）、９,９’−［１,１’−ビフェニル］−４,４’−ジイルビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＢＰ）、９,９’−（１,３−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ｍＣＰ）、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール、９,９’，９’’−（１,３,５−ベンゼントリイル）トリス−９Ｈ−カルバゾール、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３,６−ジアミン、９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３,６−ジアミン、及び、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールからなるグループから選択された一つ以上を含むことを特徴とする請求項１４に記載の発光構造物。
【請求項１６】
第１サブ画素領域 、第２サブ画素領域 、及び第３サブ画素領域を含む基板と、
前記基板上に配置される第１電極と、
前記第１電極上に配置され、前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに配置される遮断部材を具備する発光構造物と、
前記発光構造物上に配置される第２電極を含み、
前記第１サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極との間の第１光学共振距離、前記第２サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極との間の第２光学共振距離、及び前記第３サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極との間の第３光学共振距離が互いに相異なることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
前記発光構造物は、
前記第１電極上に配置される第１正孔注入層と、
前記第１正孔注入層上に配置される第１有機発光層と、
前記第１有機発光層上に配置される電荷生成層と、
前記電荷生成層上に配置される第２正孔注入層と、
前記第２正孔注入層上に配置される第２有機発光層と、
前記第２有機発光層上に配置される電子輸送層と、を含むことを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記発光構造物は前記第１電極上に配置される光学距離調節層をさらに含み、隣接するサブ画素領域で前記光学距離調節層が相異なる厚さを有することを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第１光学共振距離は、前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される赤色光に対して光学的共振を起こすように調節され、前記第２光学共振距離は前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される緑色光に対して光学的共振を起こすように調節され、前記第３光学共振距離は前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される青色光に対して光学的共振を起こすように調節されることを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第１有機発光層は青色発光層を含み、前記第２有機発光層は緑色発光層及び赤色発光層、または、緑色光及び赤色光を発光する一つの発光層を含むことを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記第１電荷生成層と前記第１有機発光層との間に配置され、前記第１サブ画素領域で前記第１電荷生成層から前記第１有機発光層への電子の流れを遮断することを特徴とする請求項２０に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記第１有機発光層と前記第１正孔注入層との間に配置し、前記第１サブ画素領域で前記第１有機発光層から形成されるエキシトンの移動を遮断することを特徴とする請求項２０に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記第１有機発光層は、緑色発光層及び赤色発光層、或いは、緑色光及び赤色光を発光する一つの発光層を含み、前記第２有機発光層は、青色発光層を含むことを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記電子輸送層と前記第２有機発光層との間に位置し、前記第１サブ画素領域で前記電子輸送層から前記第２有機発光層への電子の流れを遮断することを特徴とする請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２５】
前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記第２有機発光層と前記第２正孔注入層との間に位置し、前記第１サブ画素領域で前記第２有機発光層から形成されるエキシトンの移動を遮断することを特徴とする請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２６】
第１サブ画素領域 、第２サブ画素領域 、及び第３サブ画素領域を具備する基板上に第１電極を形成する段階と、
前記第１電極上に光学距離調節層及び遮断部材を含む発光構造物を形成する段階と、
前記発光構造物上に第２電極を形成する段階と、を含み、
前記第１サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極の間の第１光学共振距離、前記第２サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極の間の第２光学共振距離、及び前記第３サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極の間の第３光学共振距離が互いに相異なることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記光学距離調節層は、前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに形成されることを特徴とする請求項２６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記光学距離調節層は、レーザー熱転写工程を利用して前記第１電極上に形成されることを特徴とする請求項２７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記光学距離調節層を形成する段階は、
前記基板上にドナー基板をラミネート（laminate)する段階と、
前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに対応する前記ドナー基板の少なくとも一つの領域にレーザービームを照射する段階と、
前記基板から前記ドナー基板を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記発光構造物を形成する段階は、
前記光学距離調節層上に第１有機発光層を形成する段階と、
前記第１有機発光層上に電荷生成層を形成する段階と、
前記電荷生成層上に第２有機発光層を形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項２７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記遮断部材は、前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つにおいて前記光学距離調節層と前記第１有機発光層との間に形成されることを特徴とする請求項３０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３２】
前記遮断部材は、レーザー熱転写工程を利用して形成することを特徴とする請求項３１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３３】
前記遮断部材を形成する段階は、
前記基板上にドナー基板をラミネートする段階と、
前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに対応する前記ドナー基板の少なくとも一つの領域にレーザービームを照射する段階と、
前記基板から前記ドナー基板を除去する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項３２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３４】
前記遮断部材は、前記第１〜前記第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つにおいて前記第１有機発光層と前記電荷生成層との間に形成されることを特徴とする請求項３０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３５】
前記遮断部材は、前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つにおいて前記第２有機発光層と前記第２電極との間に形成されることを特徴とする請求項３０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１】
第１サブ画素領域、第２サブ画素領域、及び第３サブ画素領域を含む発光構造物において、
第１正孔注入層と、
前記第１正孔注入層上に配置される第１有機発光層と、
前記第１有機発光層上に配置される電荷生成層と、
前記電荷生成層上に配置される第２正孔注入層と、
前記第２正孔注入層上に配置される第２有機発光層と、
前記第２有機発光層上に配置される電子輸送層と、
前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに配置される遮断部材と、を含むことを特徴とする発光構造物。
【請求項２】
前記第１サブ画素領域の第１光学共振距離、前記第２サブ画素領域の第２光学共振距離、及び前記第３サブ画素領域の第３光学共振距離は互いに相異なることを特徴とする請求項１に記載の発光構造物。
【請求項３】
前記第１サブ画素領域〜前記第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに配置される光学距離調節層をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の発光構造物。
【請求項４】
前記光学距離調節層は、前記第１正孔注入層下部に配置されることを特徴とする請求項３に記載の発光構造物。
【請求項５】
隣接するサブ画素領域で前記光学距離調節層は、相異なる厚さを有することを特徴とする請求項３に記載の発光構造物。
【請求項６】
前記光学距離調節層は、前記第１正孔注入層と同一物質を含むことを特徴とする請求項３に記載の発光構造物。
【請求項７】
前記第１光学共振距離は、前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される赤色光に対して光学的共振を起こすように調節され、前記第２光学共振距離は前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される緑色光に対して光学的共振を起こすように調節され、前記第３光学共振距離は前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される青色光に対して光学的共振を起こすように調節されることを特徴とする請求項２に記載の発光構造物。
【請求項８】
前記第１有機発光層は青色発光層を含み、前記第２有機発光層は緑色発光層及び赤色発光層または緑色光及び赤色光を発光させる一つの発光層を含むことを特徴とする請求項７に記載の発光構造物。
【請求項９】
前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記電荷生成層と前記第１有機発光層との間に位置し、前記第１サブ画素領域で前記電荷生成層から前記第１有機発光層への電子の流れを遮断することを特徴とする請求項８に記載の発光構造物。
【請求項１０】
前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記第１有機発光層と前記第１正孔注入孔との間に位置し、前記第１サブ画素領域で前記第１有機発光層から形成されるエキシトンの移動を遮断することを特徴とする請求項８に記載の発光構造物。
【請求項１１】
前記第１有機発光層は、緑色発光層及び赤色発光層、または、緑色光及び赤色光を発生させる一つの発光層を含み、前記第２有機発光層は、青色発光層を含むことを特徴とする請求項７に記載の発光構造物。
【請求項１２】
前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記電子輸送層と前記第２有機発光層との間に位置し、前記第１サブ画素領域で前記電子輸送層から前記第２有機発光層への電子の流れを遮断することを特徴とする請求項１１に記載の発光構造物。
【請求項１３】
前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記第２有機発光層と前記第２正孔注入層との間に位置し、前記第１サブ画素領域で前記第２有機発光層から形成されるエキシトンの移動を遮断することを特徴とする請求項１１に記載の発光構造物。
【請求項１４】
前記遮断部材は、電子遮断層またはエキシトンクエンチング層を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光構造物。
【請求項１５】
前記遮断部材はフラーレン（fullerene）、置換されたトリアリールアミンを含む高分子物質、カルバゾール系高分子物質、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロペンタン、４,４’−（９Ｈ−フルオレン−９−イリデン）ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−ベンゼンアミン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−メチルシクロヘキサン、１,１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−３−フェニルプロパン、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）エタン、４−（４−ジエチルアミノフェニル）トリフェニルメタン、４,４’−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）ジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ−ビス［２,５−ジメチル−４−［（３−メチルフェニル）フェニルアミノ］フェニル］−２,５−ジメチル−Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニル−１,４−ベンゼンジアミン、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン（ＴＣＴＡ）、４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン、９,９’−（２,２’−ジメチル［１,１’−ビフェニル］−４,４’−ジイル）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＤＢＰ）、９,９’−［１,１’−ビフェニル］−４,４’−ジイルビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＢＰ）、９,９’−（１,３−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ｍＣＰ）、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール、９,９’，９’’−（１,３,５−ベンゼントリイル）トリス−９Ｈ−カルバゾール、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３,６−ジアミン、９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、９,９’−（１,４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ,Ｎ’,Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３,６−ジアミン、及び、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールからなるグループから選択された一つ以上を含むことを特徴とする請求項１４に記載の発光構造物。
【請求項１６】
第１サブ画素領域 、第２サブ画素領域 、及び第３サブ画素領域を含む基板と、
前記基板上に配置される第１電極と、
前記第１電極上に配置され、前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに配置される遮断部材を具備する発光構造物と、
前記発光構造物上に配置される第２電極を含み、
前記第１サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極との間の第１光学共振距離、前記第２サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極との間の第２光学共振距離、及び前記第３サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極との間の第３光学共振距離が互いに相異なることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
前記発光構造物は、
前記第１電極上に配置される第１正孔注入層と、
前記第１正孔注入層上に配置される第１有機発光層と、
前記第１有機発光層上に配置される電荷生成層と、
前記電荷生成層上に配置される第２正孔注入層と、
前記第２正孔注入層上に配置される第２有機発光層と、
前記第２有機発光層上に配置される電子輸送層と、を含むことを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記発光構造物は前記第１電極上に配置される光学距離調節層をさらに含み、隣接するサブ画素領域で前記光学距離調節層が相異なる厚さを有することを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第１光学共振距離は、前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される赤色光に対して光学的共振を起こすように調節され、前記第２光学共振距離は前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される緑色光に対して光学的共振を起こすように調節され、前記第３光学共振距離は前記第１有機発光層または前記第２有機発光層から生成される青色光に対して光学的共振を起こすように調節されることを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第１有機発光層は青色発光層を含み、前記第２有機発光層は緑色発光層及び赤色発光層、または、緑色光及び赤色光を発光する一つの発光層を含むことを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記第１電荷生成層と前記第１有機発光層との間に配置され、前記第１サブ画素領域で前記第１電荷生成層から前記第１有機発光層への電子の流れを遮断することを特徴とする請求項２０に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記第１有機発光層と前記第１正孔注入層との間に配置し、前記第１サブ画素領域で前記第１有機発光層から形成されるエキシトンの移動を遮断することを特徴とする請求項２０に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記第１有機発光層は、緑色発光層及び赤色発光層、或いは、緑色光及び赤色光を発光する一つの発光層を含み、前記第２有機発光層は、青色発光層を含むことを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記電子輸送層と前記第２有機発光層との間に位置し、前記第１サブ画素領域で前記電子輸送層から前記第２有機発光層への電子の流れを遮断することを特徴とする請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２５】
前記遮断部材は、前記第１サブ画素領域で前記第２有機発光層と前記第２正孔注入層との間に位置し、前記第１サブ画素領域で前記第２有機発光層から形成されるエキシトンの移動を遮断することを特徴とする請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２６】
第１サブ画素領域 、第２サブ画素領域 、及び第３サブ画素領域を具備する基板上に第１電極を形成する段階と、
前記第１電極上に光学距離調節層及び遮断部材を含む発光構造物を形成する段階と、
前記発光構造物上に第２電極を形成する段階と、を含み、
前記第１サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極の間の第１光学共振距離、前記第２サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極の間の第２光学共振距離、及び前記第３サブ画素領域で前記第１電極と前記第２電極の間の第３光学共振距離が互いに相異なることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記光学距離調節層は、前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに形成されることを特徴とする請求項２６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記光学距離調節層は、レーザー熱転写工程を利用して前記第１電極上に形成されることを特徴とする請求項２７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記光学距離調節層を形成する段階は、
前記基板上にドナー基板をラミネート（laminate)する段階と、
前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに対応する前記ドナー基板の少なくとも一つの領域にレーザービームを照射する段階と、
前記基板から前記ドナー基板を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記発光構造物を形成する段階は、
前記光学距離調節層上に第１有機発光層を形成する段階と、
前記第１有機発光層上に電荷生成層を形成する段階と、
前記電荷生成層上に第２有機発光層を形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項２７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記遮断部材は、前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つにおいて前記光学距離調節層と前記第１有機発光層との間に形成されることを特徴とする請求項３０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３２】
前記遮断部材は、レーザー熱転写工程を利用して形成することを特徴とする請求項３１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３３】
前記遮断部材を形成する段階は、
前記基板上にドナー基板をラミネートする段階と、
前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つに対応する前記ドナー基板の少なくとも一つの領域にレーザービームを照射する段階と、
前記基板から前記ドナー基板を除去する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項３２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３４】
前記遮断部材は、前記第１〜前記第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つにおいて前記第１有機発光層と前記電荷生成層との間に形成されることを特徴とする請求項３０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３５】
前記遮断部材は、前記第１〜第３サブ画素領域のうち、少なくとも一つにおいて前記第２有機発光層と前記第２電極との間に形成されることを特徴とする請求項３０に記載の表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１３−１２４５６（Ｐ２０１３−１２４５６Ａ）
【公開日】平成２５年１月１７日（２０１３．１．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４９７６６（Ｐ２０１１−２４９７６６）
【出願日】平成２３年１１月１５日（２０１１．１１．１５）
【出願人】（５１２１８７３４３）三星ディスプレイ株式會社 (73)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】９５，Ｓａｍｓｕｎｇ ２ Ｒｏ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ，Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月１７日（２０１３．１．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１５日（２０１１．１１．１５）
【出願人】（５１２１８７３４３）三星ディスプレイ株式會社 (73)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】９５，Ｓａｍｓｕｎｇ ２ Ｒｏ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ，Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
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