発光装置及び電子機器
【課題】 有機ＥＬ素子の輝度ムラを低減することが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、基板上に構築される画素電極１３及び対向電極、並びに、これらに挟持される発光機能層を含む有機ＥＬ素子８と、前記画素電極１３及び有機ＥＬ素子を駆動する駆動トランジスタ９間を電気的に連絡する中継線６１と、この中継線に流れる電流によって発生する磁場を検知するホール素子５００と、を備える。ホール素子５００の図中上下の端子（符号５０２ａ及び５０３ａ参照）間に電流が流され、前記磁場が紙面を貫く方向に印加されると、ホール電場が生じる。制御回路Ｃは、この検知結果に応じて有機ＥＬ素子に流れる電流の大きさを制御する。
【解決手段】発光装置は、基板上に構築される画素電極１３及び対向電極、並びに、これらに挟持される発光機能層を含む有機ＥＬ素子８と、前記画素電極１３及び有機ＥＬ素子を駆動する駆動トランジスタ９間を電気的に連絡する中継線６１と、この中継線に流れる電流によって発生する磁場を検知するホール素子５００と、を備える。ホール素子５００の図中上下の端子（符号５０２ａ及び５０３ａ参照）間に電流が流され、前記磁場が紙面を貫く方向に印加されると、ホール電場が生じる。制御回路Ｃは、この検知結果に応じて有機ＥＬ素子に流れる電流の大きさを制御する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネセンスにより発光する発光装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、ＯＬＥＤ（organic light emitting diode）、即ち有機ＥＬ（electro luminescent）素子が提供されている。有機ＥＬ素子は、有機材料で形成された発光層を画素電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。
このような有機ＥＬ素子における発光原理は概ね以下のようである。すなわち、（ｉ）前記発光層に、陽極たる画素電極からホール（正孔）が、陰極たる対向電極から電子が、それぞれ注入される、（ｉｉ）これらホール及び電子の再結合により励起子が生成される、（ｉｉｉ）この励起子が基底状態に遷移するときに、エネルギ放出、即ち発光現象が生じる。
これらの過程において、発光に関与する正孔及び電子の量は、当該有機ＥＬ素子に流れる電流量とみなすことができるが、当該有機ＥＬ素子の発光輝度は、この電流量の大きさに概ね比例することが知られている。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子としては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。
【特許文献１】特開２００２−２６０８５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、前述した有機ＥＬ素子には、一般に、前述した電流−輝度特性等その他の特性について素子間のばらつきみられる。すなわち、多数の有機ＥＬ素子を同じ条件下で製造し、かつ、同じ条件下で発光させたとしても、そのうちの一部はより強く発光し、他の一部はより弱く発光する、などといったことが生じる。これは、例えば、これら有機ＥＬ素子（特に、その各々の構成要素たる前記発光層）を製造するためのプロセス上の各種パラメータの微妙な変動や、有機ＥＬ素子を駆動するための駆動トランジスタの特性の相違等が影響することによる。
また、製造当初は全素子の輝度が一定範囲内に収まっていたとしても、時間の経過とともに有機ＥＬ素子の劣化が進行し、かつ、その劣化の度合いが各有機ＥＬ素子について異なる、などという事象が発生する可能性もある。この場合、経時的に、輝度の変化、あるいは、そのばらつきが生じることになる。
このようなことから、複数の有機ＥＬ素子が存在すれば、それらの間では殆ど必ずといっていい程、輝度のばらつきを観測することができる。実際上の対応は、これらのばらつきを、如何にして許容範囲内に閉じ込めることができるかにある。
【０００５】
従来、このような発光輝度のばらつきを改善するべく、様々な提案がなされている。例えば、前記の特許文献１は、「発光素子から発せられる光強度を検出するための光センサ」（特許文献１の〔請求項１〕、あるいは〔００１８〕中の（１））を備え、かつ、その「検出された光情報をもとに各素子の発光量（発光素子に流す電流値）および／または発光時間を最適化」（特許文献１の〔００２３〕）することにより、上述したような課題を解決しようとする。この特許文献１は、発光素子が発する光それ自体に着目する技術だといえる。
【０００６】
しかしながら、この特許文献１には次のような問題がある。すなわち、特許文献１にいう「光センサ」は、「発光素子上に」（特許文献１の〔請求項１〕等）、より詳しくは、「上電極１１」の上に形成されるのである（特許文献１の〔図１〕及び〔図２〕、あるいは〔００２６〕参照）。
しかし、これでは、発光素子の発光領域の一部は、画像表示には寄与しないという意味において、いわば必然的に犠牲に供されることになる。たしかに、「光センサを発光素子の上に形成しているので、発光素子から発せられる光を効率よく光センサに導くことができ」るともいえようが（特許文献１の〔００２３〕）、ただでさえ発光効率がそうは高くない有機ＥＬ素子において、その発光の一部を犠牲にせざるを得ないという点は、無視し得ない不利な点だといえる。
【０００７】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、有機ＥＬ素子の輝度ムラ低減を中心とした、前記の課題の全部又は一部を解決することの可能な発光装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の発光装置は、上述した課題を解決するため、基板と、当該基板上に構築される第１及び第２電極層、及び、これらに挟持される発光機能層を含む、発光素子と、前記第１及び第２電極層のいずれか一方に電気的に接続される配線と、前記配線に流れる電流によって発生する磁場を検知する磁場検知手段と、前記磁場検知手段の検知結果に応じて前記発光素子に流れる電流の大きさを制御する制御手段と、を備える。
【０００９】
本発明によれば、例えば、配線、第１電極層、発光機能層、及び第２電極層という順（又はその逆）に沿った電流が流れ得る。ここで前記発光素子は、例えば有機ＥＬ素子であり、前記電流が発光機能層に流れることによって、当該発光機能層は発光する。
ここで本発明においては特に、磁場検知手段が、配線に流れる電流によって発生する磁場を検知する。この磁場は、いわゆる右ねじの法則に従った磁場を含み、したがって、電流の大きさに比例して、磁場の強さも大きくなる。そして、制御手段は、この検知結果に応じて、前記発光素子に流れる電流の大きさを制御する。つまり、本発明では、磁場検知手段が当該発光素子の現状を把握し、制御手段がその現状に基づくフィードバック制御を行うようになっているとみることができる。
この際、本発明は、発光素子ないし発光機能層が発する光それ自体に着目するのではない。すなわち、本発明によれば、配線周りの磁場が検知対象とされているから、例えばフォトダイオード等の光検出手段を用いることなく、あるいは別の言い方をすれば、発光素子が発する光の全部を本来的用途（例えば、画像表示）に貢献させながら、発光素子の現状が正確に把握されることになる。ちなみに、この場合、前述のように、発光領域の一部をいわば“犠牲”にすることもない。
そして、前記フィードバック制御を行うことにより、発光素子が所望の輝度で発光するよう調整することは容易になり、これにより、輝度ムラの低減等の効果が享受される。
【００１０】
この発明の発光装置では、前記磁場検知手段は、ホール素子を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、磁場検知手段がホール素子を含むので、本発明の最好適な具体例の１つが提供される。これは、ホール素子に関しては、小型化が容易、あるいは、その形成工程が発光素子の形成工程と無理なく並存可能である、等の事情があることによる。
【００１１】
この態様では、前記発光素子を駆動するための駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに含まれ、前記第１電極層に電気的に接続される第１半導体層と、を更に備え、前記ホール素子は、前記第１半導体層が形成される下地膜の上に、かつ、当該第１半導体層と同時に形成される第２半導体層を含む、ように構成してもよい。
この態様は、発光素子の駆動トランジスタの構成要素である第１半導体層と、ホール素子の構成要素である第２半導体層とが、同時に形成されるようになっているので、製造工程の簡略化が可能になる。
【００１２】
また、本発明の発光装置では、 前記磁場検知手段は、磁気抵抗効果素子を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、磁場検知手段が磁気抵抗効果素子を含むので、本発明の最好適な具体例の１つが提供される。ここで磁気抵抗効果素子とは、磁場の印加により自身の電気抵抗を変化させる素子を意味する。これは、例えばＧＭＲ（Giant Magneto Resistance）型、ＴＭＲ（Tunneling Magneto Resistance）型、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resistance）型、あるいはＣＭＲ（Colossal Magneto Resistance）型等と分類されているが、本態様にいう「磁気抵抗効果素子」は、そのいずれをも範囲内に収める。
【００１３】
また、本発明の発光装置では、前記磁場検知手段は、磁気インピーダンス素子を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、磁場検知手段が磁気インピーダンス素子を含むので、本発明の最好適な具体例の１つが提供される。ここで磁気インピーダンス素子とは、いわゆるＭＩ効果（Magneto Impedance Effect）を利用した素子であり、ＭＩ効果とは、高周波電流が流れるアモルファス磁性体に磁場を印加するとその両端のインピーダンスが変化する効果をいう。
【００１４】
また、本発明の発光装置では、前記磁場検知手段は、磁場検知素子を含み、当該磁場検知素子は、前記基板を平面視した場合、前記発光機能層の形成領域の一部と重なるように形成されており、かつ、前記第１及び第２電極層のうち前記発光機能層からみて前記磁場検知素子が存在しない側の電極層は透光性をもつ、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述した、発光素子が発する光の全部の有効利用という態様がよりよく実現される。なぜなら、本態様においては、磁場検知素子と、透光性をもつ電極層とは、それぞれ、発光機能層を挟んで、その両面側に配置されることになるからである。これによれば、発光機能層を発した光は、当該透光性をもつ電極層から無駄なく出射し、磁場検知素子が、そのような光の進行の邪魔になることがない。なお、このことは同時に、本態様（の規定）が、当該発光装置内における磁場検知素子の最も適切な配置例の１つを提供することを意味する。
なお、念のため、前記の規定ぶりからも明らかではあるが、本態様は、第１及び第２電極層の双方が透光性を持つ態様を排除しない。
【００１５】
また、本発明の発光装置では、前記磁場検知手段は、複数の磁場検知素子を含み、これら複数の磁場検知素子は、前記配線の延在方向に交わる方向に沿って並ぶ、ように構成してもよい。
この態様によれば、配線に流れる電流によって発生する磁場が、より正確に検知されうることになる。というのも、当該磁場の強さは、一般に、配線と磁場検知素子との距離に反比例して弱くなるが、磁場検知素子が、前述のように「配線の延在方向に交わる方向に沿って並ぶ」のであれば、磁場の強さは、その変化の様子さえをも含めて、つぶさに観察され得ることになるからである。
【００１６】
なお、この態様は特に、「磁場検知手段」が、前述した「磁気抵抗効果素子」を含む場合（換言すれば、本態様にいう「磁場検知素子」が「磁気抵抗効果素子」を含む場合）に適用されて好適である。なぜなら、磁気抵抗効果素子は、通常、磁場が印加されているか、いないかといった、いわばデジタル的な検出用途には優れた性能を発揮するものの、これに対する、いわばアナログ的な用途には向いていない。そうすると、前述したフィードバック制御も、いきおい“１”か“０”か、といった粗い制御を基礎とするものになりかねない。
しかるに、本態様では、当該磁場検知素子が前述のように「並ぶ」ので、例えば、前記配線を中心として、磁場の影響力が及ぶ範囲では“１”、及ばない範囲では“０”といった検出を行いながら、そのうち“１”であったものの個数を確認する、等といった運用を行えば、当該磁場の強さを推測することが可能になるからである。
【００１７】
また、本発明の発光装置では、前記磁場検知手段は、磁場検知素子を含み、当該磁場検知素子は、前記配線との間に少なくとも１層の層間絶縁膜を挟んで形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、当該発光装置内における磁場検知素子の最も適切な配置例の１つが提供される。というのも、磁場検知素子が、いわば検知対象となる配線からみて、層間絶縁膜を挟んで配置されるならば、当該磁場検知素子と当該配線との間の距離をより小さく、しかもこれを比較的容易に実現することが可能になるからである。前者によれば、磁場の検知をより感度よく行うことが可能になり、後者によれば、当該発光装置の設計自由度や製造容易性等が高まる。
かかる効果は、仮に、磁場検知素子と配線とを共通の下地膜の上に同時に形成してしまう場合と対比すると明らかである。この場合でも、たしかに、磁場検知素子と配線との間の物理的距離を狭めることは難なくできそうであるが、しかし、磁場検知素子に必要な各種の配線を接続し、また、当該配線に必要な各種の配線を接続しなければならないことを考えると、これは容易ではない。例えば、磁場検知素子が前記ホール素子を含む場合、ホール磁場の発生層に通常少なくとも４つの接続端子と、これに連なる配線が必要となるので、前述のような水平配置は極めて困難である。本態様では、かかる不具合を被らないのである。
【００１８】
また、本発明の発光装置では、前記配線は、前記第１電極層に電気的に接続される第１配線、及び、前記第２電極層に電気的に接続される第２配線を含み、前記磁場検知手段は、前記第１配線に対応する第１磁場検知素子、及び、前記第２配線に対応する第２磁場検知素子を含む、、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１電極層に接続される第１配線と、第２電極層に接続される第２配線との双方に関して、磁場検知が行われるので、発光素子の現状把握がより正確になされ得ることになり、したがって、前述したフィードバック制御がよりよく行われ得る。
【００１９】
一方、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種態様の発光装置を備える。
本発明の電子機器は、上述した各種の発光装置を備えてなるので、輝度ムラが低減された画像を表示することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
＜第１実施形態＞
以下では、本発明に係る第１の実施の形態について図１乃至図７を参照しながら説明する。なお、これらの図面及び後に参照するそれ以降の各図面においては、各部の寸法の比率、あるいは各要素間の距離等は実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある（図面を見易くするため、あるいは紙面の大きさの都合上、変更を加えている場合もある。）。
【００２１】
図１は、第１実施形態の有機ＥＬ装置（発光装置）の一例を示す平面図である。
この図１において、有機ＥＬ装置は、素子基板７と、この素子基板７上に形成される各種の要素を備えている。ここで各種の要素とは、有機ＥＬ素子８、走査線３及びデータ線６、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、データ線駆動回路１０６、プリチャージ回路１０６Ａ、並びに対向電極用電源線２０１、そしてホール素子５００等である。
【００２２】
有機ＥＬ素子（発光素子）８は、図１に示すように、素子基板７上に複数備えられており、それら複数の有機ＥＬ素子８はマトリクス状に配列されている。有機ＥＬ素子８の各々は、画素電極、発光機能層及び対向電極から構成されている。これら各要素に関しては後に図４等を参照しながら改めて触れる。
画像表示領域７ａは、素子基板７上、これら複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域である。画像表示領域７ａでは、各有機ＥＬ素子８の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、素子基板７の面のうち、この画像表示領域７ａを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶ。
【００２３】
走査線３及びデータ線６は、それぞれ、マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子８の各行及び各列に対応するように配列されている。より詳しくは、走査線３は、図１に示すように、図中左右方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されている走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂに接続されている。一方、データ線６は、図中上下方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されているデータ線駆動回路１０６に接続されている。これら各走査線３及び各データ線６の各交点の近傍には、前述の有機ＥＬ素子８等を含む単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。
【００２４】
この単位回路Ｐは、図２に示すように、前述の有機ＥＬ素子８を含むほか、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８、ｐチャネル型の第２トランジスタ９、及び容量素子６９を含む（なお、図２においては、図１に示されているホール素子５００の図示は省略されている。）。
単位回路Ｐは、電流供給線１１３から給電を受ける。複数の電流供給線１１３は、図示しない発光用電源に接続されている。また、ｐチャネル型の第２トランジスタ（駆動トランジスタ）９のソース電極は電流供給線１１３に接続される一方、そのドレイン電極は有機ＥＬ素子８の画素電極に接続される。この第２トランジスタ９のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている。一方、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８のゲート電極は走査線３に接続され、そのソース電極はデータ線６に接続され、そのドレイン電極は第２トランジスタ９のゲート電極と接続される。
単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線３を走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂが選択すると、第１トランジスタ６８がオンされて、データ線６を介して供給されるデータ信号を内部の容量素子６９に保持する。そして、第２トランジスタ９が、データ信号のレベルに応じた電流を有機ＥＬ素子８に供給する。これにより、有機ＥＬ素子８は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。
【００２５】
素子基板７上の周辺領域上には、プリチャージ回路１０６Ａが備えられている。このプリチャージ回路１０６Ａは、有機ＥＬ素子８へのデータ信号の書込み動作に先立って、データ線６を所定の電位に設定するための回路である。
また、対向電極用電源線２０１（以下、単に「電源線２０１」という。）は、素子基板７の外形輪郭線にほぼ沿うように、平面視してΠ字状の形状をもつ。この電源線２０１は、有機ＥＬ素子８の対向電極に例えばグランドレベル等の電源電圧を供給する。
なお、前述では、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、データ線駆動回路１０６、並びにプリチャージ回路１０６Ａのすべてが素子基板７上に形成される例について説明しているが、場合によっては、そのうちの全部又は一部を、フレキシブル基板に形成するのであってもよい。この場合、当該のフレキシブル基板と素子基板７との両当接部分に適当な端子を設けておくことにより、両者間の電気的な接続を可能とする。
【００２６】
概要以上述べたような構成を備える有機ＥＬ装置は、より実際的には、前記単位回路Ｐにつき、平面視して図３に示すような構造を備え、また、素子基板７上に図４に示すような積層構造物２５０を備えている。この積層構造物２５０は、図４に示すように、素子基板７を基準として、図中下から順に、第２トランジスタ９（ゲート絶縁膜３００を含む）、及び、ホール素子５００、第１乃至第３層間絶縁膜３０１乃至３０３、反射層３４、第４層間絶縁膜３０４、画素電極１３、発光機能層１８、並びに対向電極５等を含む。
【００２７】
このうち、ゲート絶縁膜３００、及び、第１乃至第４層間絶縁膜３０１乃至３０４（以下、単に「絶縁膜３００乃至３０４」ということがある。）は、その他の残る導電性要素間の短絡が生じないように、あるいは、これら導電性要素の積層構造物２５０中の好適な配置を実現するため等に貢献する。これら絶縁膜３００乃至３０４は、様々な厚さでもって様々な絶縁性材料から作られうるが、好適には、各絶縁膜の積層構造物２５０中の配置位置や役割等に応じて、適宜適当な厚さ及び材料が選択されるとよい。
より具体的には例えば、絶縁膜３００乃至３０４は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等々で作られて好ましい。あるいは、その表面がより平坦であることが望ましい場合は、当該の絶縁膜３００乃至３０４のうちの全部又は一部は、製造時に一定程度以上の流動性をもつ樹脂（例えば、アクリル樹脂）等で作られてもよい。これによれば、当該の絶縁膜の下層側の凹凸が比較的激しくても、該絶縁膜はいわばその凹凸を均すように覆い被さるので、その表面は平坦化面として現出する。このような特性が満たされて好ましいのは、図４でいえば、反射層３４ないし画素電極１３の下地膜として機能する第２及び第３層間絶縁膜３０２及び３０３、等である。
【００２８】
第２トランジスタ９は、前述のように単位回路Ｐに含まれる。この第２トランジスタ９は、図４に示すように、半導体層１、ゲート絶縁膜３００、及びゲート電極３１の積層構造をもつ。ゲート電極３１は半導体層１のチャネル領域に対向する。また、半導体層１のソース領域には前述した電源供給線１１３の一部がソース電極として接続され、ドレイン領域には中継線６１の一部がドレイン電極として接続される。なお、これら両者はそれぞれ、コンタクトホール３６１及び３６２を介して、半導体層１に接続されている。
なお、図２を参照して説明した第１トランジスタ６８を構成する、半導体層、ゲート絶縁膜、ゲートメタル等や容量素子６９を構成する電極用薄膜、更には走査線３及びデータ線６等も、積層構造物２５０の一部を構成するが、図４においてはその図示が省略されている。
【００２９】
一方、前述の有機ＥＬ素子８の各々は、図４に示すように、積層構造物２５０を構成する前述の各種の要素のうち、画素電極１３、発光機能層１８、及び対向電極５から構成される。
【００３０】
このうち画素電極１３は、素子基板７上に、マトリクス状に配列するように形成されている。有機ＥＬ素子８がマトリクス状に配列されているということは、このように画素電極１３がマトリクス状に配列されているということに相応する（図１参照）。
この画素電極１３は、コンタクトホール３６３を介して、前述したドレイン電極としての中継層６１と電気的に接続されている。これにより、この画素電極１３は、図２に示した第２トランジスタ９を介して電流供給線１１３から供給される電流を、発光機能層１８に印加可能である。なお、コンタクトホール３６３は、第２及び第３層間絶縁膜３０２及び３０３を貫通するようにして形成されている。
このような画素電極１３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性かつ導電性の材料から作られている。
【００３１】
反射層３４は、このような画素電極１３の形成領域に対応するように、第３層間絶縁膜３０３上、且つ、第４層間絶縁膜３０４下に形成されている。反射層３４は、図４に示すように、発光機能層１８から発せられた光を反射する。この反射光は、図中上方に向かって進行する（図４中の矢印参照。）。このように、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置は、いわゆるトップエミッション型である。なお、このことから、素子基板７は、セラミックスや金属等の不透明材料で作られてよい（これとは反対に、ボトムエミッション型の場合、素子基板７は、透光性材料から作られている必要がある。）
このような反射層３４は、上述の反射機能をよりよく発揮するため、光反射性能の比較的高い材料から作られているとよい。例えば、アルミニウムや銀等の金属を利用することができる。
【００３２】
発光機能層１８は、図４に示すように、画素電極１３の上に形成されている。この発光機能層１８は、少なくとも有機発光層を含む。有機発光層は、正孔と電子の再結合により生起した励起子が基底状態へと遷移することによって発光する有機ＥＬ物質から構成されている。この有機ＥＬ物質が例えば高分子材料である場合、当該有機ＥＬ物質は、例えば液滴塗布法（インクジェット法）により、図示しない隔壁により区画された各空間内のみに（即ち、画素ごとに）供給される。
発光機能層１８を構成する他の層として、電子ブロック層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層及び正孔ブロック層の一部又は全部を備えていてもよい。
【００３３】
対向電極５は、図４に示すように、発光機能層１８に接触している。この対向電極５は、平面視して、素子基板７の全面を覆うかのような矩形状（その内部に特別な開口、間隙等をもたない、いわゆるベタ状）に形成される（図４ではその一部が図示されている。）。対向電極５の周囲は、図１に示した電源線２０１に電気的に接続される（その接続態様は不図示）。
このような対向電極５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性かつ導電性の材料から作られる。あるいは、どのような材料でも、十分に薄い薄膜を形成すれば、それは一定程度以上の透光性をもつので、対向電極５は、ＩＴＯ以外にも、ＭｇＡｇ等の金属材料、合金材料等で作られてもよい。
【００３４】
以上の構成に加えて、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置は特に、図３、あるいは図４に示すように、ホール素子（磁場検知素子）５００を備えている。このホール素子５００に関連して、有機ＥＬ装置は、半導体層５０１（これはホール素子５００の一部である。）、第１及び第２電流供給線５０２及び５０３、第１及び第２電圧検知線５０４及び５０５等を備える。なお、いま述べたホール素子５００を初めとした各種要素と、後述する磁場検知手段５５０とは、本発明にいう「磁場検知手段」の一具体例を構成する。
【００３５】
このうち半導体層５０１は、図３に示すように、平面視して概ね長方形状をもつ。この半導体層５０１は、前述した第２トランジスタ９の構成要素である半導体層１と同時に形成される。すなわち、図４に示すように、これら半導体層５０１及び１は、それらの下地としての素子基板７の表面の上に同時に形成されるようになっている。
【００３６】
なお、本発明にいう「下地膜」は、いま述べたところからも明らかなように、“素子基板７の表面”も特別に含む。ただし、これら半導体層５０１及び１は、それらの保護等を目的として、例えば素子基板７の表面に、ＳｉＯ２等で作られる下地絶縁膜の上に形成されてもよい。この場合、半導体層５０１及び１は、文字通り、「下地膜」の上に形成されるということになる。
また、半導体層５０１は、図３からも明らかなように、半導体層１と同時に形成されるほか、第１トランジスタ６８を構成する半導体層とも同時に形成される。なお、これに関連して、半導体層５０１は、ｐ型又はｎ型のいずれであるかの別等に特にこだわらない。よって、半導体層５０１と、半導体層１及び第１トランジスタ６８の半導体層と、に関するドーピング工程も、同時的に行われうるが、必要があれば、適当なマスク等を利用することにより両者間の調整を行うことはできる。
【００３７】
第１電流供給線５０２は、画素電極１３の形成領域を図３中左右方向に横切るように延びる。この第１電流供給線５０２は、その一部に、半導体層５０１の一部とコンタクトをとるための張り出し部５０２ａをもつ。この張り出し部５０２ａは、第１電流供給線５０２の延在方向に沿って一定間隔ごとに設けられる。この一定間隔は、図１に示す行方向に沿った画素配列の間隔にほぼ一致する。つまり、第１電流供給線５０２は、少なくとも画素行毎に共通に設けられる。
また、この第１電流供給線５０２は、図３及び図４に示すように、ゲート絶縁膜３００の上に形成されており、したがって、前述したゲート電極３１、走査線３等と同時に形成される。
【００３８】
一方、第２電流供給線５０３は、画素電極１３の形成領域を図３中上下方向に横切るように延びる。また、この第２電流供給線５０３もまた、その一部に、前記第１電流供給線５０２と同様、半導体層５０１の一部とコンタクトをとるための張り出し部５０３aをもつ。この張り出し部５０３ａは図示するように平面視してＬ字状をもつ。そして、この張り出し部５０３ａも、第２電流供給線５０３の延在方向に沿って一定間隔（この場合は、図１に示す列方向に沿った画素配列の間隔にほぼ一致する。）ごとに設けられる。つまり、第２電流供給線５０３は、少なくとも画素列毎に共通に設けられる。
また、この第２電流供給線５０３は、図３及び図４に示すように、第１層間絶縁膜５０１の上に形成されており、したがって、前述した中継線６１、データ線６等と同時に形成される。
【００３９】
前述の張り出し部５０２ａ及び５０３aそれぞれの先端部は、図３に示すように半導体層５０１を挟んで互いに対向する。これにより、前者及び後者間に適当な電位が設定されれば、前者から後者（あるいは、後者から前者）へ向かう方向に沿って電流が流れ得る。図３でいえば、その向きは、図中上方向又は下方向に沿った方向である。
【００４０】
続いて、第１電圧検知線５０４は、前述の第２電流供給線５０３と配置態様に関してほぼパラレルな関係にある。すなわち、この第１電圧検知線５０４は、第２電流供給線５０３と比べて、画素電極１３の形成領域を図３中上下方向に横切るように延びる点、その一部に半導体層５０１とコンタクトをとるための張り出し部５０４ａをもつ点、第１層間絶縁膜３０１の上に形成される点、という各点で同じである。
このことは、第２電圧検知線５０５と、第１電流供給線５０２との関係についてもいえる。すなわち、第２電圧検知線５０５は、第１電流供給線５０２と比べて、画素電極１３の形成領域を図３中左右方向に横切るように延びる点、その一部に半導体層５０１とコンタクトをとるための張り出し部５０５ａをもつ点、ゲート絶縁膜３００の上に形成される点、という各点で同じである。
【００４１】
ただし、前記のうち、第１電圧検知線５０４の張り出し部５０４ａと、第２電圧供給線５０５の張り出し部５０５ａとは、いずれも、半導体層５０１中、前記の張り出し部５０２ａ及び５０３ａそれぞれの先端部間であって、これらを結ぶ直線に直交する方向に延びる部分をもつ。そして、これら張り出し部５０４ａ及び５０５ａは、それぞれの先端部が対向するように配置される。
以上により、これら張り出し部５０４ａ及び５０５ａ間を結ぶ直線は、前記の張り出し部５０２ａ及び５０３ａを結ぶ直線と直交する。
【００４２】
また、前記のうち、第１電圧検知線５０４の張り出し部５０４ａは、前述した張り出し部５０３ａが第２電流供給線５０３から延在する部分であるのとは異なって（即ち、いずれの要素（５０３ａ及び５０３）も第１層間絶縁膜３０１上でいわば一体的関係を保つのとは異なって）、ゲート絶縁膜３００の上に、ゲート電極３１等々と同時に形成される要素である。そして、かかる張り出し部５０４ａは、その一端で、コンタクトホールを介して、第１電圧検知線５０４の一部に接続される。
このような配置態様は、前記中継線６１との短絡を防ぐためにとられている。すなわち、中継線６１は、前述のように第２トランジスタ９ないしその構成要素たる半導体層１と画素電極１３とを電気的に接続するための中継配線であるが、かかる中継線６１は、図３及び図４に示すように、第１層間絶縁膜３０１の上で、かつ、第１電圧検知線５０４と半導体層５０１との間を図３中上下方向に沿って延びるように配置されている。このため、第１電圧検知線５０４の張り出し部５０４ａは、このような中継線６１のいわば下側を潜って半導体層５０１に到達するために、ゲート絶縁膜３００の上に形成されるのである。
【００４３】
さらに、前記のうち第１及び第２電圧検知線５０４及び５０５は、図１に示す磁場検知回路５５０に接続されている。この磁場検知回路５５０は、ホール素子５００に生起したホール電圧の大きさを検知することを通じて、中継線６１回りの磁場を検知する。第１実施形態に係る磁場検知回路５５０は、検知されたホール電圧ないし磁場が、どの単位回路Ｐに対応するものかを特定する能力をもつ。
また、磁場検知回路５５０は、その検知結果を有機ＥＬ装置制御回路（以下、単に「制御回路」という。）Ｃに供給する。制御回路Ｃは、この検知結果に応じて、前述した、データ線駆動回路１０６が送り出すデータ信号の内容を変更すること等を通じて、有機ＥＬ素子８に流れる電流の大きさを制御する。
なお、制御回路Ｃは、いま述べた制御のほか、前述した、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ等々の制御をはじめ、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置全体の調和的動作を実現するための制御を行う。
【００４４】
以上述べた、ホール素子５００を構成する各種要素等に関する配置関係は、第１実施形態において比較的重要な意味をもつ。その意味は、後述する、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の作用、あるいは効果の説明の際により明瞭になるが、これを意義あらしめるための当該配置関係の特徴的要素をいくつか抽出しておくと、以下のようになる。
【００４５】
〔Ｉ〕 中継線６１の延在方向は、第１及び第２電流供給線５０２及び５０３それぞれが半導体層５０１とコンタクトをとる部分を結ぶ直線が延びる方向と平行関係にある。つまり、半導体層５０１に流れる電流と、中継線６１を流れる電流とは、同じ向き又は相互に真反対の向きに流れる。
〔ＩＩ〕 中継線６１は、第２トランジスタ９と画素電極１３との間を中継する配線である。
〔ＩＩＩ〕 中継線６１は、第１層間絶縁膜３０１を挟んでホール素子５００の上層に位置付けられる。あるいは、ホール素子５００、第１層間絶縁膜３０１及び中継線６１は、この順に、積層構造を呈する。
〔ＩＶ〕 中継線６１は、画素電極１３の形成領域の全長を横切るように延びる。
【００４６】
以上のような構成をもつ有機ＥＬ装置によれば、次のような作用効果が奏される。
まず、第１実施形態の有機ＥＬ装置では、図示しない発光用電源により、画素電極１３及び対向電極５間に所定の電位差が設定されることで、発光機能層１８に電流が流される。すなわち、画素電極１３からは正孔が、対向電極５からは電子が、それぞれ発光機能層１８に注入される。この際、これら正孔及び電子は再結合して励起子を生起する。そして、この励起子が基底状態に遷移する際、発光現象が生じる。この光は、図４を参照して説明したように、そのうちの一部が反射層３４で反射した後装置外部へと進行する。他の一部は、直接に装置外部へと進行する（図４参照）。
【００４７】
この際、第１実施形態では特に、ホール素子５００が作用する。すなわち、前述のように有機ＥＬ素子８に電流が流されるとき、その電流は、図２を参照して説明したように第２トランジスタ９の供給にかかるものであるから、中継線６１にも電流が流れる。そうすると、この電流の方向が、図５に示す図中下方向を向く矢印（符合Ｉｅｌ参照）で表される方向に一致するなら、当該中継線６１の周りには、これを中心とした磁場が発生する。この磁場は右ねじの法則に従うので、図５に示すように、その向きは、紙面のこちら側では図中右から左へ、紙面の向こう側では図中左から右へ、というようになる。また、この場合同時に、中継線６１よりも紙面右側の領域では、当該磁場の向きは、紙面の向こう側からこちら側へと当該紙面を貫くように、ということになるから、ホール素子５００にも、同様の向きの磁場が貫くことになる（なお、図６も参照。）。
【００４８】
また、磁束密度をＢ、透磁率をμ、電流をＩ、中継線６１の中心からの距離をＲとすると、
Ｂ＝μＩ／２πＲ … （１）
が成立する。この（１）式から、ホール素子５００に印加される磁場の強さは、中継線６１に流れる電流の値、あるいはホール素子５００及び中継線６１間の距離に影響を受けることがわかる。
【００４９】
ここで、第１及び第２電流供給線５０２及び５０３間に所定の電位を設定しておいて、半導体層５０１の図５中上から下（又は下から上）に向かって電流を流しておけば、半導体層５０１にはホール電場が生じる。すなわち、前記電流及び磁場の向きの双方に直交する図５中左右方向の向きに、ホール電圧Ｖｈａが発生する。第１及び第２電圧検知線５０４及び５０５には、このホール電圧Ｖｈａに応じた電流が流れる。磁場検知回路５５０は、第１及び第２電圧検知線５０４及び５０５を通じて、このホール電圧Ｖｈａの大きさを検知する。そして、制御回路Ｃは、この検知結果を受けて、当該の有機ＥＬ素子８に流れる電流の大きさを制御する（図１参照）。
【００５０】
この場合、磁場検知回路５５０及び制御回路Ｃによる検知及び電流制御の具体的態様としては様々なものがありうる。例えば、次のようである。
第１に、磁場検知回路５５０は、図１に示す全有機ＥＬ素子８を同一条件下で発光させた場合における、これら各々のホール電圧Ｖｈａを検知する（ここでは、以下、有機ＥＬ素子８の数をＮ個とし、その各々につき検知された固有のホール電圧を、Ｖｈａ（１），Ｖｈａ（２），…，Ｖｈａ（Ｎ）と表すことにする。）、第２に、これらの全ホール電圧の平均値、即ちＶＡ＝（Ｖｈａ（１），Ｖｈａ（２），…，Ｖｈａ（Ｎ））／Ｎをとる、そして第３に、この平均値ＶＡと、各ホール電圧Ｖｈａ（１），Ｖｈａ（２），…，Ｖｈａ（Ｎ）の値との差をみて、ＶＡ＜Ｖｈａ（ｐ）（ただし、ｐ＝１，２，…，Ｎ）ならば当該ｐ番目の有機ＥＬ素子８の電流を小さく、ＶＡ＞Ｖｈａ（ｐ）ならば当該ｐ番目の有機ＥＬ素子８の電流を大きく、ＶＡ＝Ｖｈａ（ｐ）ならば当該ｐ番目の有機ＥＬ素子８の現状の電流を維持する、などというようである。
【００５１】
なお、最後の第３の工程は、必要であれば、有機ＥＬ装置の運用中、随時実施することができる。一般に、有機ＥＬ素子８については、図７に示すように、電流−輝度間に比例関係が成立する。したがって、例えば、装置運用中、ある有機ＥＬ素子８についての磁場を観測したら、電流Ｉ０に相当する輝度Ｌ０でしか発光していないとわかれば、その電流をＩ＊に上げ、電流Ｉ１に相当する輝度Ｌ１で発光しているとわかれば、その電流をＩ＊に下げる、などといった運用が可能である（なお、図７では、同図中のＩ＊が前記平均値ＶＡの役割に相当する。）。
【００５２】
以上のような作用ないし動作により、第１実施形態では以下のような効果が奏される。
（１） まず、画像表示領域７ａ上の有機ＥＬ素子８の特性がばらばらであっても、当該領域７ａを全体的な観点からみた輝度ムラが低減される。これは、上に述べたところからも明らかなように、第１実施形態では、中継線６１に流れる電流によって発生する磁場を検知することにより、全有機ＥＬ素子８それぞれに関するフィードバック制御が行われるようになっているからである。
【００５３】
（２） 特に、第１実施形態では、前述した〔Ｉ〕から〔ＩＶ〕までの特徴的要素が存在することにより、前述した効果は、より実効的に享受される。
すなわち、中継線６１と半導体層５０１内の電流の流れる方向とが平行関係にあること（〔Ｉ〕）により、ホール電場の方向は好適に設定されることになり、したがって、磁場の検知は、構造上無理なく、また、よりよく行える。
また、磁場の検知対象として、画素電極１３及び第２トランジスタ９間を結ぶ中継線６１が選択されていること（〔ＩＩ〕）は、フィードバック制御の前提となる有機ＥＬ素子８の現状把握にとっては最適な一具体例を提供する。これに関連して、第１実施形態においては、中継線６１とホール素子５００と第１層間絶縁膜３０１を介して積層構造を呈していること（〔ＩＩＩ〕）は、両者間の距離をより狭めることを可能とし、したがって、前記（１）式からわかるとおり、よりよい磁場の検知を可能とする。このことは、図６をみるとより明瞭に把握される。この図から推測されるように、中継線６１と半導体層５０１との間の距離Ｒをより狭めようと思えば、当該距離Ｒは、原理上は、第１層間絶縁膜３０１の厚さに相当する距離に至るまで小さくすることができる（この場合、半導体層５０１のいわば直上に、中継線６１が存在する、ということになる。）。
加えて、中継線６１が、画素電極１３の形成領域の全長を横切るように延びていること（〔ＩＶ〕）は、磁場検知場所の設定が比較的自由になる等の利点を通じて、よりよい磁場検知に貢献する。
【００５４】
（３） 第１実施形態に係る有機ＥＬ装置では、上述のように、反射層３４等の具備等によるトップエミッション型が採用されているとともに、ホール素子５００が、発光機能層１８からみて対向電極５が存在する側とは反対側に配置されていることから、発光機能層１８から発した光の全部の有効利用が可能となっている。ホール素子５００は、画素電極１３の形成領域内に形成されてはいるが（図３参照）、これが、光の進行に邪魔になるようなことがないからである。
【００５５】
（４） 第１実施形態に係る有機ＥＬ装置では、ホール素子５００の半導体層５０１と、第２トランジスタ９の半導体層１とが、素子基板７の表面に同時に形成されるようになっているので、例えばこれらを別々に製造するなどといった場合に比べて、製造工程の簡略化が可能になる。また、このことは、本発明において、「磁場検知手段」の一具体化として、「ホール素子」を利用することの有利性を増強する。
【００５６】
＜第２実施形態＞
以下では、本発明の第２の実施の形態について、図８乃至図１０を参照しながら説明する。なお、この第２実施形態の有機ＥＬ装置の基本的な構成は、第１実施形態の有機ＥＬ装置と実質的に同じである。したがって、以下では、両者で共通する部分に関する図面の符号は共通に用いることとし、また、その説明は省略することとする。
【００５７】
第２実施形態の有機ＥＬ装置は、図８及び図９に示すように、本発明にいう「磁場検知手段」の一具体化として、磁気抵抗効果素子（磁場検知素子）６０１を利用する。
【００５８】
この磁気抵抗効果素子６０１は、図９に比較的よく示されているように、積層構造をもつ素子である。この積層構造は、第１磁性層６１１及び第２磁性層６２１と、これらに挟まれた非磁性層６３１とからなる。
このうち第１及び第２磁性層６１１及び６２１は、例えば、ＩｎＳｂ、ＭｇＯ、Ｇａ等を主成分とする材料から作られてよく、Ｃｒ（クロム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）及び希土類元素のうち少なくとも１つの磁性材料を含んでいることが好ましい。あるいは、特に、ハーフメタルと呼ばれる材料であれば、なおよい。なお、ハーフメタルとは、電気伝導に関与する電子のスピンがすべて同じ向きの物質（言い換えれば、１００％スピン分極した物質）をいう。
また、非磁性層６３１は、電気絶縁性樹脂や電気絶縁性のセラミック材料から作られて好適である。
【００５９】
前述のうち第１及び第２磁性層６１１及び６２１には、これらそれぞれに接するように、第１電極６０２ａ及び第２電極６０３ａが設けられる（図９参照）。第１電極６０２ａは、図８に示すように、これに電気的に接続する第１電極用配線６０２の一部であり、第２電極６０３ａは、これに電気的に接続する第２電極用配線６０３の一部である。また、第２電極用配線６０３は更に、中継線６０４に接続され、この中継線６０４は更に、検知線６０５に接続される。そして、この検知線６０５は、図１に示すと同様の磁場検知回路に接続される。
これら各種配線等の中で、第１電極６０２ａを含む第１電極用配線６０２及び中継線６０４は、前述した第２トランジスタ９用のゲート電極３１等と同時に形成される要素であり、第２電極６０３ａを含む第２電極用配線６０３及び検知線６０５は、データ線６等と同時に形成される要素である。
【００６０】
このような磁気抵抗効果素子６０１は、一種のＴＭＲ型磁気抵抗効果素子として機能する。すなわち、前述の第１磁性層６１１及び第２磁性層６２１に電圧をかけておくと、これらの間の非磁性層６３１にはトンネル電流が流れる。このトンネル電流の流れやすさは、第１磁性層６１１の磁化方向と第２磁性層６２１のそれとの関係に応じて変化する。両者が平行であれば、電気抵抗は最小になり、反平行であれば最大になる。そして、第２実施形態において、この磁化方向の変化は、中継線６１に流れる電流によって発生する磁場によってもたらされる。
【００６１】
このような結果、この第２実施形態でも、上述した第１実施形態によって奏された効果と本質的に異ならない効果が奏されることは明白である。すなわち、中継線６１が発する磁場の検知結果に応じて、有機ＥＬ素子８に流れる電流の大きさが制御され得る。
【００６２】
なお、この効果をよりよく享受するためには、前記の非磁性層６３１の厚さは、少なくとも第１及び第２磁性層６１１に比べて相対的に薄く、より具体的には例えば０．００１〜０．５μｍ等とされて好適である。
また、同じく前記効果をよりよく享受するためには、第１磁性層６１１及び第２磁性層６２１それぞれの保磁力に差を設けておくようにすると好ましい。このようにしておけば、一方の磁性層の磁化方向のみが変化を受け、他方の磁性層のそれは変化しない、といった現象を比較的容易に作り出すことができ、中継線６１の磁場はよりよく検知され得ることになるからである。なお、両層６１１及び６２１の保磁力に差をもたせるためには、例えばこれら各層６１１及び６２１間で、その厚さや材料構成につき適当な差を設けること等によるとよい。
【００６３】
さらに、本発明では、この第２実施形態に関連して、これを応用した図１０に示すような態様を採用することも可能である。すなわち、図８及び図９に示すような磁気抵抗効果素子６０１を用いる場合には、その磁気抵抗効果素子６０１を、図１０に示すように、複数備えるとよい（符号６０１−１，６０１−２，…，６０１−５、参照）。これら複数の磁気抵抗効果素子６０１−１，６０１−２，…，６０１−５は、この順番に従い、中継線６１の延在方向に直交する方向に沿って次第に遠ざかりながら、並んでいる。
このような磁気抵抗効果素子６０１−１，６０１−２，…，６０１−５を備える態様によれば、前記の（１）式中のＲの効果を考えれば明白なように、中継線６１に流れる電流によって発生する磁場の影響力が及ぶ範囲では、電気抵抗が最小、そうでない範囲では最大、ということが生じ得る。また、この場合もちろん、磁場の強さが大きければ大きいほど、前記影響力は大きくなるから、電気抵抗が最小になる磁気抵抗効果素子の数はそれだけ多くなる。
図１０では、図中左側の３つの磁気抵抗効果素子６０１−１乃至６０１−３が磁場の影響を受けて“ＯＮ”（即ち、電気抵抗が最小）となり、残る２つの磁気抵抗効果素子６０１−４及び６０１−５がその影響を受けずに“ＯＦＦ”（即ち、電気抵抗が最大）となる場合が例示されている。
【００６４】
このような態様によれば、“ＯＮ”となる磁気抵抗効果素子６０１の数をカウントすれば、中継線６１に流れる電流によって発生する磁場の強さを推測することが可能となる。このように、図１０の態様では、当該磁場の強さは、いわばデジタル的な手法により検知されることになる。
このような手法は、第２実施形態の場合に適用されて好適である。なぜなら、磁気抵抗効果素子は、通常、磁場が印加されたか、されていないかといった、いわばデジタル的な検出用途には優れた性能を発揮するものの、これに対する、いわばアナログ的な用途には向いていないからである（上述のような手法によれば、そのような磁気抵抗効果素子を用いても、アナログ的な運用が可能になる。）。
【００６５】
なお、言うまでもないが、図１０において、磁気抵抗効果素子の数が５つであるのは、単なる一例を示しているに過ぎない。磁気抵抗効果素子をいくつ設けるかは、画素電極１３の形成領域の大きさと第１及び第２磁性層６１１及び６２１の形成領域の大きさとの相対的関係等といった物理的制約のほか、どの程度精度の高いフィードバック制御を行うか等といった合目的的配慮等、各種の考慮要素に基づいて適宜定められる。
また、本発明においては、「磁気抵抗効果素子」として、上述したＴＭＲ型以外にも、ＧＭＲ型、ＣＭＲ型、ＡＭＲ型等の各種のタイプの利用が基本的には可能である。
【００６６】
以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る発光装置は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１） 上記各実施形態で述べたように、本発明にいう「磁場検知手段」は、「ホール素子５００」、あるいは「磁気抵抗効果素子６０１」を含みうるが、本発明は、これら以外の選択肢を当然排除しない。上述の各素子（５００及び６０１）以外では、好適には例えば、「磁気インピーダンス素子」を利用することもできる。ここに磁気インピーダンス素子とは、いわゆるＭＩ効果を利用した素子であり、ＭＩ効果とは、高周波電流が流れるアモルファス磁性体に磁場を印加するとその両端のインピーダンスが変化する効果をいう。このような磁気インピーダンス素子については、例えば、文献、「磁気インピーダンス効果を有する積層型薄膜磁界検出素子」，西部他，豊田中央研究所Ｒ＆Ｄレビュー，Vol32,No.1(1997.3)において紹介されているように、“薄膜型”の磁界検出素子としての利用可能性が指摘されている。このような薄膜型の素子は特に、本発明にいう「磁場検知素子」として有効に利用されうる。
あるいは、場合によっては、以上述べたようなものも含め、複数種類の磁場検知素子が一装置内で同時に併用されてもよい。
以上を要するに、本発明にいう「磁場検知手段」、ないしは「磁場検知素子」は、「配線」周りに発生する磁場を検知可能であれば、基本的に、どのような態様をもとることができる。
【００６７】
（２） 上記各実施形態では、ホール素子５００、あるいは磁気抵抗効果素子６０１の検知対象が中継線６１（正確には、「その周りに発生する磁場」であるが、以下同様に略す。）となっているが、本発明は、かかる形態に限定されない。例えば、場合によっては、対向電極５に接続される配線（不図示）が検知対象とされてもよく、あるいは、当該配線及び中継線６１の双方が検知対象とされてもよい。特に後者の場合によれば、有機ＥＬ素子８の現状把握がより正確になされ得ることになり、したがって、前述したようなフィードバック制御がよりよく行われ得る。
【００６８】
（３） 上記第２実施形態では、図１０を参照して、磁気抵抗効果素子６０１を複数並べる態様について説明しているが、この態様は、上述した第１実施形態のホール素子５００、あるいはそれ以外の各種の素子に適用可能である。いずれの場合でも、磁場の強さをよりよく検知することに貢献する。
【００６９】
＜応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図１１ないし図１３には、以上に説明した実施形態に係る有機ＥＬ装置を採用した電子機器の形態が図示されている。
【００７０】
図１１は、有機ＥＬ装置を採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、各種の画像を表示する有機ＥＬ装置１００と、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを具備する。
【００７１】
図１２は、有機ＥＬ装置１００を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２と、各種の画像を表示する有機ＥＬ装置１００とを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１００に表示される画面がスクロールされる。
【００７２】
図１３は、有機ＥＬ装置１００を適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す斜視図である。携帯情報端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２と、各種の画像を表示する有機ＥＬ装置１００とを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が有機ＥＬ装置１００に表示される。
【００７３】
本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１１から図１３に例示した機器のほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、カーナビゲーションシステム等などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１の単位回路の詳細を示す回路図である。
【図３】図１に示す有機ＥＬ装置の一部拡大平面図であって、特にホール素子５００及びそれに関わる要素の配置を示す図である（なお、この図において、符号３６１等で表されるコンタクトホールは適宜要部のみに図示している。図８において同じ。）。
【図４】図３のＸ１―Ｘ１’線断面図である。
【図５】ホール素子５００に、中継線６１を流れる電流によって発生する磁場が印加される様子を模式的に示した図である。
【図６】図３のＸ２―Ｘ２’線断面図である。
【図７】有機ＥＬ素子の電流-輝度特性を表すグラフである。
【図８】図３と同趣旨の図であって、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の一部拡大平面図であって、特にホール素子５００及びそれに関わる要素の配置を示す図である。
【図９】図３のＹ−Ｙ’線断面図である。
【図１０】図７及び図８に示す磁気抵抗効果素子６０１を中継線６１と交わる方向に沿って複数並べる態様を模式的に示した図である。
【図１１】本発明に係る電子機器の形態（パーソナルコンピュータ）を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る電子機器の形態（携帯電話機）を示す斜視図である。
【図１３】本発明に係る電子機器の形態（携帯情報端末）を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７５】
７……素子基板、７ａ……画像表示領域、８……有機ＥＬ素子、１３……画素電極、１８……発光機能層、５……対向電極、９……第２トランジスタ（駆動トランジスタ）、１……半導体層、６１……中継線、５００……ホール素子、５０１……半導体層、５０２，５０３……第１，第２電流供給線、５０４，５０５……第１，第２電圧検知線、５５０……磁場検知回路、Ｃ……有機ＥＬ装置制御回路、６０１……磁気抵抗効果素子、６０２……第１電極用配線、６０２ａ……第１電極、６０３……第２電極用配線、６０３ａ……第２電極、
３……走査線、６……データ線、１１３……電源供給線、３４……反射層、１０３Ａ，１０３Ｂ……走査線駆動回路、１０６……データ線駆動回路、１０６Ａ……プリチャージ回路、２０１……電源線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネセンスにより発光する発光装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、ＯＬＥＤ（organic light emitting diode）、即ち有機ＥＬ（electro luminescent）素子が提供されている。有機ＥＬ素子は、有機材料で形成された発光層を画素電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。
このような有機ＥＬ素子における発光原理は概ね以下のようである。すなわち、（ｉ）前記発光層に、陽極たる画素電極からホール（正孔）が、陰極たる対向電極から電子が、それぞれ注入される、（ｉｉ）これらホール及び電子の再結合により励起子が生成される、（ｉｉｉ）この励起子が基底状態に遷移するときに、エネルギ放出、即ち発光現象が生じる。
これらの過程において、発光に関与する正孔及び電子の量は、当該有機ＥＬ素子に流れる電流量とみなすことができるが、当該有機ＥＬ素子の発光輝度は、この電流量の大きさに概ね比例することが知られている。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子としては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。
【特許文献１】特開２００２−２６０８５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、前述した有機ＥＬ素子には、一般に、前述した電流−輝度特性等その他の特性について素子間のばらつきみられる。すなわち、多数の有機ＥＬ素子を同じ条件下で製造し、かつ、同じ条件下で発光させたとしても、そのうちの一部はより強く発光し、他の一部はより弱く発光する、などといったことが生じる。これは、例えば、これら有機ＥＬ素子（特に、その各々の構成要素たる前記発光層）を製造するためのプロセス上の各種パラメータの微妙な変動や、有機ＥＬ素子を駆動するための駆動トランジスタの特性の相違等が影響することによる。
また、製造当初は全素子の輝度が一定範囲内に収まっていたとしても、時間の経過とともに有機ＥＬ素子の劣化が進行し、かつ、その劣化の度合いが各有機ＥＬ素子について異なる、などという事象が発生する可能性もある。この場合、経時的に、輝度の変化、あるいは、そのばらつきが生じることになる。
このようなことから、複数の有機ＥＬ素子が存在すれば、それらの間では殆ど必ずといっていい程、輝度のばらつきを観測することができる。実際上の対応は、これらのばらつきを、如何にして許容範囲内に閉じ込めることができるかにある。
【０００５】
従来、このような発光輝度のばらつきを改善するべく、様々な提案がなされている。例えば、前記の特許文献１は、「発光素子から発せられる光強度を検出するための光センサ」（特許文献１の〔請求項１〕、あるいは〔００１８〕中の（１））を備え、かつ、その「検出された光情報をもとに各素子の発光量（発光素子に流す電流値）および／または発光時間を最適化」（特許文献１の〔００２３〕）することにより、上述したような課題を解決しようとする。この特許文献１は、発光素子が発する光それ自体に着目する技術だといえる。
【０００６】
しかしながら、この特許文献１には次のような問題がある。すなわち、特許文献１にいう「光センサ」は、「発光素子上に」（特許文献１の〔請求項１〕等）、より詳しくは、「上電極１１」の上に形成されるのである（特許文献１の〔図１〕及び〔図２〕、あるいは〔００２６〕参照）。
しかし、これでは、発光素子の発光領域の一部は、画像表示には寄与しないという意味において、いわば必然的に犠牲に供されることになる。たしかに、「光センサを発光素子の上に形成しているので、発光素子から発せられる光を効率よく光センサに導くことができ」るともいえようが（特許文献１の〔００２３〕）、ただでさえ発光効率がそうは高くない有機ＥＬ素子において、その発光の一部を犠牲にせざるを得ないという点は、無視し得ない不利な点だといえる。
【０００７】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、有機ＥＬ素子の輝度ムラ低減を中心とした、前記の課題の全部又は一部を解決することの可能な発光装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の発光装置は、上述した課題を解決するため、基板と、当該基板上に構築される第１及び第２電極層、及び、これらに挟持される発光機能層を含む、発光素子と、前記第１及び第２電極層のいずれか一方に電気的に接続される配線と、前記配線に流れる電流によって発生する磁場を検知する磁場検知手段と、前記磁場検知手段の検知結果に応じて前記発光素子に流れる電流の大きさを制御する制御手段と、を備える。
【０００９】
本発明によれば、例えば、配線、第１電極層、発光機能層、及び第２電極層という順（又はその逆）に沿った電流が流れ得る。ここで前記発光素子は、例えば有機ＥＬ素子であり、前記電流が発光機能層に流れることによって、当該発光機能層は発光する。
ここで本発明においては特に、磁場検知手段が、配線に流れる電流によって発生する磁場を検知する。この磁場は、いわゆる右ねじの法則に従った磁場を含み、したがって、電流の大きさに比例して、磁場の強さも大きくなる。そして、制御手段は、この検知結果に応じて、前記発光素子に流れる電流の大きさを制御する。つまり、本発明では、磁場検知手段が当該発光素子の現状を把握し、制御手段がその現状に基づくフィードバック制御を行うようになっているとみることができる。
この際、本発明は、発光素子ないし発光機能層が発する光それ自体に着目するのではない。すなわち、本発明によれば、配線周りの磁場が検知対象とされているから、例えばフォトダイオード等の光検出手段を用いることなく、あるいは別の言い方をすれば、発光素子が発する光の全部を本来的用途（例えば、画像表示）に貢献させながら、発光素子の現状が正確に把握されることになる。ちなみに、この場合、前述のように、発光領域の一部をいわば“犠牲”にすることもない。
そして、前記フィードバック制御を行うことにより、発光素子が所望の輝度で発光するよう調整することは容易になり、これにより、輝度ムラの低減等の効果が享受される。
【００１０】
この発明の発光装置では、前記磁場検知手段は、ホール素子を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、磁場検知手段がホール素子を含むので、本発明の最好適な具体例の１つが提供される。これは、ホール素子に関しては、小型化が容易、あるいは、その形成工程が発光素子の形成工程と無理なく並存可能である、等の事情があることによる。
【００１１】
この態様では、前記発光素子を駆動するための駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに含まれ、前記第１電極層に電気的に接続される第１半導体層と、を更に備え、前記ホール素子は、前記第１半導体層が形成される下地膜の上に、かつ、当該第１半導体層と同時に形成される第２半導体層を含む、ように構成してもよい。
この態様は、発光素子の駆動トランジスタの構成要素である第１半導体層と、ホール素子の構成要素である第２半導体層とが、同時に形成されるようになっているので、製造工程の簡略化が可能になる。
【００１２】
また、本発明の発光装置では、 前記磁場検知手段は、磁気抵抗効果素子を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、磁場検知手段が磁気抵抗効果素子を含むので、本発明の最好適な具体例の１つが提供される。ここで磁気抵抗効果素子とは、磁場の印加により自身の電気抵抗を変化させる素子を意味する。これは、例えばＧＭＲ（Giant Magneto Resistance）型、ＴＭＲ（Tunneling Magneto Resistance）型、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resistance）型、あるいはＣＭＲ（Colossal Magneto Resistance）型等と分類されているが、本態様にいう「磁気抵抗効果素子」は、そのいずれをも範囲内に収める。
【００１３】
また、本発明の発光装置では、前記磁場検知手段は、磁気インピーダンス素子を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、磁場検知手段が磁気インピーダンス素子を含むので、本発明の最好適な具体例の１つが提供される。ここで磁気インピーダンス素子とは、いわゆるＭＩ効果（Magneto Impedance Effect）を利用した素子であり、ＭＩ効果とは、高周波電流が流れるアモルファス磁性体に磁場を印加するとその両端のインピーダンスが変化する効果をいう。
【００１４】
また、本発明の発光装置では、前記磁場検知手段は、磁場検知素子を含み、当該磁場検知素子は、前記基板を平面視した場合、前記発光機能層の形成領域の一部と重なるように形成されており、かつ、前記第１及び第２電極層のうち前記発光機能層からみて前記磁場検知素子が存在しない側の電極層は透光性をもつ、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述した、発光素子が発する光の全部の有効利用という態様がよりよく実現される。なぜなら、本態様においては、磁場検知素子と、透光性をもつ電極層とは、それぞれ、発光機能層を挟んで、その両面側に配置されることになるからである。これによれば、発光機能層を発した光は、当該透光性をもつ電極層から無駄なく出射し、磁場検知素子が、そのような光の進行の邪魔になることがない。なお、このことは同時に、本態様（の規定）が、当該発光装置内における磁場検知素子の最も適切な配置例の１つを提供することを意味する。
なお、念のため、前記の規定ぶりからも明らかではあるが、本態様は、第１及び第２電極層の双方が透光性を持つ態様を排除しない。
【００１５】
また、本発明の発光装置では、前記磁場検知手段は、複数の磁場検知素子を含み、これら複数の磁場検知素子は、前記配線の延在方向に交わる方向に沿って並ぶ、ように構成してもよい。
この態様によれば、配線に流れる電流によって発生する磁場が、より正確に検知されうることになる。というのも、当該磁場の強さは、一般に、配線と磁場検知素子との距離に反比例して弱くなるが、磁場検知素子が、前述のように「配線の延在方向に交わる方向に沿って並ぶ」のであれば、磁場の強さは、その変化の様子さえをも含めて、つぶさに観察され得ることになるからである。
【００１６】
なお、この態様は特に、「磁場検知手段」が、前述した「磁気抵抗効果素子」を含む場合（換言すれば、本態様にいう「磁場検知素子」が「磁気抵抗効果素子」を含む場合）に適用されて好適である。なぜなら、磁気抵抗効果素子は、通常、磁場が印加されているか、いないかといった、いわばデジタル的な検出用途には優れた性能を発揮するものの、これに対する、いわばアナログ的な用途には向いていない。そうすると、前述したフィードバック制御も、いきおい“１”か“０”か、といった粗い制御を基礎とするものになりかねない。
しかるに、本態様では、当該磁場検知素子が前述のように「並ぶ」ので、例えば、前記配線を中心として、磁場の影響力が及ぶ範囲では“１”、及ばない範囲では“０”といった検出を行いながら、そのうち“１”であったものの個数を確認する、等といった運用を行えば、当該磁場の強さを推測することが可能になるからである。
【００１７】
また、本発明の発光装置では、前記磁場検知手段は、磁場検知素子を含み、当該磁場検知素子は、前記配線との間に少なくとも１層の層間絶縁膜を挟んで形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、当該発光装置内における磁場検知素子の最も適切な配置例の１つが提供される。というのも、磁場検知素子が、いわば検知対象となる配線からみて、層間絶縁膜を挟んで配置されるならば、当該磁場検知素子と当該配線との間の距離をより小さく、しかもこれを比較的容易に実現することが可能になるからである。前者によれば、磁場の検知をより感度よく行うことが可能になり、後者によれば、当該発光装置の設計自由度や製造容易性等が高まる。
かかる効果は、仮に、磁場検知素子と配線とを共通の下地膜の上に同時に形成してしまう場合と対比すると明らかである。この場合でも、たしかに、磁場検知素子と配線との間の物理的距離を狭めることは難なくできそうであるが、しかし、磁場検知素子に必要な各種の配線を接続し、また、当該配線に必要な各種の配線を接続しなければならないことを考えると、これは容易ではない。例えば、磁場検知素子が前記ホール素子を含む場合、ホール磁場の発生層に通常少なくとも４つの接続端子と、これに連なる配線が必要となるので、前述のような水平配置は極めて困難である。本態様では、かかる不具合を被らないのである。
【００１８】
また、本発明の発光装置では、前記配線は、前記第１電極層に電気的に接続される第１配線、及び、前記第２電極層に電気的に接続される第２配線を含み、前記磁場検知手段は、前記第１配線に対応する第１磁場検知素子、及び、前記第２配線に対応する第２磁場検知素子を含む、、ように構成してもよい。
この態様によれば、第１電極層に接続される第１配線と、第２電極層に接続される第２配線との双方に関して、磁場検知が行われるので、発光素子の現状把握がより正確になされ得ることになり、したがって、前述したフィードバック制御がよりよく行われ得る。
【００１９】
一方、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種態様の発光装置を備える。
本発明の電子機器は、上述した各種の発光装置を備えてなるので、輝度ムラが低減された画像を表示することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
＜第１実施形態＞
以下では、本発明に係る第１の実施の形態について図１乃至図７を参照しながら説明する。なお、これらの図面及び後に参照するそれ以降の各図面においては、各部の寸法の比率、あるいは各要素間の距離等は実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある（図面を見易くするため、あるいは紙面の大きさの都合上、変更を加えている場合もある。）。
【００２１】
図１は、第１実施形態の有機ＥＬ装置（発光装置）の一例を示す平面図である。
この図１において、有機ＥＬ装置は、素子基板７と、この素子基板７上に形成される各種の要素を備えている。ここで各種の要素とは、有機ＥＬ素子８、走査線３及びデータ線６、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、データ線駆動回路１０６、プリチャージ回路１０６Ａ、並びに対向電極用電源線２０１、そしてホール素子５００等である。
【００２２】
有機ＥＬ素子（発光素子）８は、図１に示すように、素子基板７上に複数備えられており、それら複数の有機ＥＬ素子８はマトリクス状に配列されている。有機ＥＬ素子８の各々は、画素電極、発光機能層及び対向電極から構成されている。これら各要素に関しては後に図４等を参照しながら改めて触れる。
画像表示領域７ａは、素子基板７上、これら複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域である。画像表示領域７ａでは、各有機ＥＬ素子８の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、素子基板７の面のうち、この画像表示領域７ａを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶ。
【００２３】
走査線３及びデータ線６は、それぞれ、マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子８の各行及び各列に対応するように配列されている。より詳しくは、走査線３は、図１に示すように、図中左右方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されている走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂに接続されている。一方、データ線６は、図中上下方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されているデータ線駆動回路１０６に接続されている。これら各走査線３及び各データ線６の各交点の近傍には、前述の有機ＥＬ素子８等を含む単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。
【００２４】
この単位回路Ｐは、図２に示すように、前述の有機ＥＬ素子８を含むほか、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８、ｐチャネル型の第２トランジスタ９、及び容量素子６９を含む（なお、図２においては、図１に示されているホール素子５００の図示は省略されている。）。
単位回路Ｐは、電流供給線１１３から給電を受ける。複数の電流供給線１１３は、図示しない発光用電源に接続されている。また、ｐチャネル型の第２トランジスタ（駆動トランジスタ）９のソース電極は電流供給線１１３に接続される一方、そのドレイン電極は有機ＥＬ素子８の画素電極に接続される。この第２トランジスタ９のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている。一方、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８のゲート電極は走査線３に接続され、そのソース電極はデータ線６に接続され、そのドレイン電極は第２トランジスタ９のゲート電極と接続される。
単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線３を走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂが選択すると、第１トランジスタ６８がオンされて、データ線６を介して供給されるデータ信号を内部の容量素子６９に保持する。そして、第２トランジスタ９が、データ信号のレベルに応じた電流を有機ＥＬ素子８に供給する。これにより、有機ＥＬ素子８は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。
【００２５】
素子基板７上の周辺領域上には、プリチャージ回路１０６Ａが備えられている。このプリチャージ回路１０６Ａは、有機ＥＬ素子８へのデータ信号の書込み動作に先立って、データ線６を所定の電位に設定するための回路である。
また、対向電極用電源線２０１（以下、単に「電源線２０１」という。）は、素子基板７の外形輪郭線にほぼ沿うように、平面視してΠ字状の形状をもつ。この電源線２０１は、有機ＥＬ素子８の対向電極に例えばグランドレベル等の電源電圧を供給する。
なお、前述では、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、データ線駆動回路１０６、並びにプリチャージ回路１０６Ａのすべてが素子基板７上に形成される例について説明しているが、場合によっては、そのうちの全部又は一部を、フレキシブル基板に形成するのであってもよい。この場合、当該のフレキシブル基板と素子基板７との両当接部分に適当な端子を設けておくことにより、両者間の電気的な接続を可能とする。
【００２６】
概要以上述べたような構成を備える有機ＥＬ装置は、より実際的には、前記単位回路Ｐにつき、平面視して図３に示すような構造を備え、また、素子基板７上に図４に示すような積層構造物２５０を備えている。この積層構造物２５０は、図４に示すように、素子基板７を基準として、図中下から順に、第２トランジスタ９（ゲート絶縁膜３００を含む）、及び、ホール素子５００、第１乃至第３層間絶縁膜３０１乃至３０３、反射層３４、第４層間絶縁膜３０４、画素電極１３、発光機能層１８、並びに対向電極５等を含む。
【００２７】
このうち、ゲート絶縁膜３００、及び、第１乃至第４層間絶縁膜３０１乃至３０４（以下、単に「絶縁膜３００乃至３０４」ということがある。）は、その他の残る導電性要素間の短絡が生じないように、あるいは、これら導電性要素の積層構造物２５０中の好適な配置を実現するため等に貢献する。これら絶縁膜３００乃至３０４は、様々な厚さでもって様々な絶縁性材料から作られうるが、好適には、各絶縁膜の積層構造物２５０中の配置位置や役割等に応じて、適宜適当な厚さ及び材料が選択されるとよい。
より具体的には例えば、絶縁膜３００乃至３０４は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等々で作られて好ましい。あるいは、その表面がより平坦であることが望ましい場合は、当該の絶縁膜３００乃至３０４のうちの全部又は一部は、製造時に一定程度以上の流動性をもつ樹脂（例えば、アクリル樹脂）等で作られてもよい。これによれば、当該の絶縁膜の下層側の凹凸が比較的激しくても、該絶縁膜はいわばその凹凸を均すように覆い被さるので、その表面は平坦化面として現出する。このような特性が満たされて好ましいのは、図４でいえば、反射層３４ないし画素電極１３の下地膜として機能する第２及び第３層間絶縁膜３０２及び３０３、等である。
【００２８】
第２トランジスタ９は、前述のように単位回路Ｐに含まれる。この第２トランジスタ９は、図４に示すように、半導体層１、ゲート絶縁膜３００、及びゲート電極３１の積層構造をもつ。ゲート電極３１は半導体層１のチャネル領域に対向する。また、半導体層１のソース領域には前述した電源供給線１１３の一部がソース電極として接続され、ドレイン領域には中継線６１の一部がドレイン電極として接続される。なお、これら両者はそれぞれ、コンタクトホール３６１及び３６２を介して、半導体層１に接続されている。
なお、図２を参照して説明した第１トランジスタ６８を構成する、半導体層、ゲート絶縁膜、ゲートメタル等や容量素子６９を構成する電極用薄膜、更には走査線３及びデータ線６等も、積層構造物２５０の一部を構成するが、図４においてはその図示が省略されている。
【００２９】
一方、前述の有機ＥＬ素子８の各々は、図４に示すように、積層構造物２５０を構成する前述の各種の要素のうち、画素電極１３、発光機能層１８、及び対向電極５から構成される。
【００３０】
このうち画素電極１３は、素子基板７上に、マトリクス状に配列するように形成されている。有機ＥＬ素子８がマトリクス状に配列されているということは、このように画素電極１３がマトリクス状に配列されているということに相応する（図１参照）。
この画素電極１３は、コンタクトホール３６３を介して、前述したドレイン電極としての中継層６１と電気的に接続されている。これにより、この画素電極１３は、図２に示した第２トランジスタ９を介して電流供給線１１３から供給される電流を、発光機能層１８に印加可能である。なお、コンタクトホール３６３は、第２及び第３層間絶縁膜３０２及び３０３を貫通するようにして形成されている。
このような画素電極１３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性かつ導電性の材料から作られている。
【００３１】
反射層３４は、このような画素電極１３の形成領域に対応するように、第３層間絶縁膜３０３上、且つ、第４層間絶縁膜３０４下に形成されている。反射層３４は、図４に示すように、発光機能層１８から発せられた光を反射する。この反射光は、図中上方に向かって進行する（図４中の矢印参照。）。このように、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置は、いわゆるトップエミッション型である。なお、このことから、素子基板７は、セラミックスや金属等の不透明材料で作られてよい（これとは反対に、ボトムエミッション型の場合、素子基板７は、透光性材料から作られている必要がある。）
このような反射層３４は、上述の反射機能をよりよく発揮するため、光反射性能の比較的高い材料から作られているとよい。例えば、アルミニウムや銀等の金属を利用することができる。
【００３２】
発光機能層１８は、図４に示すように、画素電極１３の上に形成されている。この発光機能層１８は、少なくとも有機発光層を含む。有機発光層は、正孔と電子の再結合により生起した励起子が基底状態へと遷移することによって発光する有機ＥＬ物質から構成されている。この有機ＥＬ物質が例えば高分子材料である場合、当該有機ＥＬ物質は、例えば液滴塗布法（インクジェット法）により、図示しない隔壁により区画された各空間内のみに（即ち、画素ごとに）供給される。
発光機能層１８を構成する他の層として、電子ブロック層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層及び正孔ブロック層の一部又は全部を備えていてもよい。
【００３３】
対向電極５は、図４に示すように、発光機能層１８に接触している。この対向電極５は、平面視して、素子基板７の全面を覆うかのような矩形状（その内部に特別な開口、間隙等をもたない、いわゆるベタ状）に形成される（図４ではその一部が図示されている。）。対向電極５の周囲は、図１に示した電源線２０１に電気的に接続される（その接続態様は不図示）。
このような対向電極５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性かつ導電性の材料から作られる。あるいは、どのような材料でも、十分に薄い薄膜を形成すれば、それは一定程度以上の透光性をもつので、対向電極５は、ＩＴＯ以外にも、ＭｇＡｇ等の金属材料、合金材料等で作られてもよい。
【００３４】
以上の構成に加えて、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置は特に、図３、あるいは図４に示すように、ホール素子（磁場検知素子）５００を備えている。このホール素子５００に関連して、有機ＥＬ装置は、半導体層５０１（これはホール素子５００の一部である。）、第１及び第２電流供給線５０２及び５０３、第１及び第２電圧検知線５０４及び５０５等を備える。なお、いま述べたホール素子５００を初めとした各種要素と、後述する磁場検知手段５５０とは、本発明にいう「磁場検知手段」の一具体例を構成する。
【００３５】
このうち半導体層５０１は、図３に示すように、平面視して概ね長方形状をもつ。この半導体層５０１は、前述した第２トランジスタ９の構成要素である半導体層１と同時に形成される。すなわち、図４に示すように、これら半導体層５０１及び１は、それらの下地としての素子基板７の表面の上に同時に形成されるようになっている。
【００３６】
なお、本発明にいう「下地膜」は、いま述べたところからも明らかなように、“素子基板７の表面”も特別に含む。ただし、これら半導体層５０１及び１は、それらの保護等を目的として、例えば素子基板７の表面に、ＳｉＯ２等で作られる下地絶縁膜の上に形成されてもよい。この場合、半導体層５０１及び１は、文字通り、「下地膜」の上に形成されるということになる。
また、半導体層５０１は、図３からも明らかなように、半導体層１と同時に形成されるほか、第１トランジスタ６８を構成する半導体層とも同時に形成される。なお、これに関連して、半導体層５０１は、ｐ型又はｎ型のいずれであるかの別等に特にこだわらない。よって、半導体層５０１と、半導体層１及び第１トランジスタ６８の半導体層と、に関するドーピング工程も、同時的に行われうるが、必要があれば、適当なマスク等を利用することにより両者間の調整を行うことはできる。
【００３７】
第１電流供給線５０２は、画素電極１３の形成領域を図３中左右方向に横切るように延びる。この第１電流供給線５０２は、その一部に、半導体層５０１の一部とコンタクトをとるための張り出し部５０２ａをもつ。この張り出し部５０２ａは、第１電流供給線５０２の延在方向に沿って一定間隔ごとに設けられる。この一定間隔は、図１に示す行方向に沿った画素配列の間隔にほぼ一致する。つまり、第１電流供給線５０２は、少なくとも画素行毎に共通に設けられる。
また、この第１電流供給線５０２は、図３及び図４に示すように、ゲート絶縁膜３００の上に形成されており、したがって、前述したゲート電極３１、走査線３等と同時に形成される。
【００３８】
一方、第２電流供給線５０３は、画素電極１３の形成領域を図３中上下方向に横切るように延びる。また、この第２電流供給線５０３もまた、その一部に、前記第１電流供給線５０２と同様、半導体層５０１の一部とコンタクトをとるための張り出し部５０３aをもつ。この張り出し部５０３ａは図示するように平面視してＬ字状をもつ。そして、この張り出し部５０３ａも、第２電流供給線５０３の延在方向に沿って一定間隔（この場合は、図１に示す列方向に沿った画素配列の間隔にほぼ一致する。）ごとに設けられる。つまり、第２電流供給線５０３は、少なくとも画素列毎に共通に設けられる。
また、この第２電流供給線５０３は、図３及び図４に示すように、第１層間絶縁膜５０１の上に形成されており、したがって、前述した中継線６１、データ線６等と同時に形成される。
【００３９】
前述の張り出し部５０２ａ及び５０３aそれぞれの先端部は、図３に示すように半導体層５０１を挟んで互いに対向する。これにより、前者及び後者間に適当な電位が設定されれば、前者から後者（あるいは、後者から前者）へ向かう方向に沿って電流が流れ得る。図３でいえば、その向きは、図中上方向又は下方向に沿った方向である。
【００４０】
続いて、第１電圧検知線５０４は、前述の第２電流供給線５０３と配置態様に関してほぼパラレルな関係にある。すなわち、この第１電圧検知線５０４は、第２電流供給線５０３と比べて、画素電極１３の形成領域を図３中上下方向に横切るように延びる点、その一部に半導体層５０１とコンタクトをとるための張り出し部５０４ａをもつ点、第１層間絶縁膜３０１の上に形成される点、という各点で同じである。
このことは、第２電圧検知線５０５と、第１電流供給線５０２との関係についてもいえる。すなわち、第２電圧検知線５０５は、第１電流供給線５０２と比べて、画素電極１３の形成領域を図３中左右方向に横切るように延びる点、その一部に半導体層５０１とコンタクトをとるための張り出し部５０５ａをもつ点、ゲート絶縁膜３００の上に形成される点、という各点で同じである。
【００４１】
ただし、前記のうち、第１電圧検知線５０４の張り出し部５０４ａと、第２電圧供給線５０５の張り出し部５０５ａとは、いずれも、半導体層５０１中、前記の張り出し部５０２ａ及び５０３ａそれぞれの先端部間であって、これらを結ぶ直線に直交する方向に延びる部分をもつ。そして、これら張り出し部５０４ａ及び５０５ａは、それぞれの先端部が対向するように配置される。
以上により、これら張り出し部５０４ａ及び５０５ａ間を結ぶ直線は、前記の張り出し部５０２ａ及び５０３ａを結ぶ直線と直交する。
【００４２】
また、前記のうち、第１電圧検知線５０４の張り出し部５０４ａは、前述した張り出し部５０３ａが第２電流供給線５０３から延在する部分であるのとは異なって（即ち、いずれの要素（５０３ａ及び５０３）も第１層間絶縁膜３０１上でいわば一体的関係を保つのとは異なって）、ゲート絶縁膜３００の上に、ゲート電極３１等々と同時に形成される要素である。そして、かかる張り出し部５０４ａは、その一端で、コンタクトホールを介して、第１電圧検知線５０４の一部に接続される。
このような配置態様は、前記中継線６１との短絡を防ぐためにとられている。すなわち、中継線６１は、前述のように第２トランジスタ９ないしその構成要素たる半導体層１と画素電極１３とを電気的に接続するための中継配線であるが、かかる中継線６１は、図３及び図４に示すように、第１層間絶縁膜３０１の上で、かつ、第１電圧検知線５０４と半導体層５０１との間を図３中上下方向に沿って延びるように配置されている。このため、第１電圧検知線５０４の張り出し部５０４ａは、このような中継線６１のいわば下側を潜って半導体層５０１に到達するために、ゲート絶縁膜３００の上に形成されるのである。
【００４３】
さらに、前記のうち第１及び第２電圧検知線５０４及び５０５は、図１に示す磁場検知回路５５０に接続されている。この磁場検知回路５５０は、ホール素子５００に生起したホール電圧の大きさを検知することを通じて、中継線６１回りの磁場を検知する。第１実施形態に係る磁場検知回路５５０は、検知されたホール電圧ないし磁場が、どの単位回路Ｐに対応するものかを特定する能力をもつ。
また、磁場検知回路５５０は、その検知結果を有機ＥＬ装置制御回路（以下、単に「制御回路」という。）Ｃに供給する。制御回路Ｃは、この検知結果に応じて、前述した、データ線駆動回路１０６が送り出すデータ信号の内容を変更すること等を通じて、有機ＥＬ素子８に流れる電流の大きさを制御する。
なお、制御回路Ｃは、いま述べた制御のほか、前述した、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ等々の制御をはじめ、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置全体の調和的動作を実現するための制御を行う。
【００４４】
以上述べた、ホール素子５００を構成する各種要素等に関する配置関係は、第１実施形態において比較的重要な意味をもつ。その意味は、後述する、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の作用、あるいは効果の説明の際により明瞭になるが、これを意義あらしめるための当該配置関係の特徴的要素をいくつか抽出しておくと、以下のようになる。
【００４５】
〔Ｉ〕 中継線６１の延在方向は、第１及び第２電流供給線５０２及び５０３それぞれが半導体層５０１とコンタクトをとる部分を結ぶ直線が延びる方向と平行関係にある。つまり、半導体層５０１に流れる電流と、中継線６１を流れる電流とは、同じ向き又は相互に真反対の向きに流れる。
〔ＩＩ〕 中継線６１は、第２トランジスタ９と画素電極１３との間を中継する配線である。
〔ＩＩＩ〕 中継線６１は、第１層間絶縁膜３０１を挟んでホール素子５００の上層に位置付けられる。あるいは、ホール素子５００、第１層間絶縁膜３０１及び中継線６１は、この順に、積層構造を呈する。
〔ＩＶ〕 中継線６１は、画素電極１３の形成領域の全長を横切るように延びる。
【００４６】
以上のような構成をもつ有機ＥＬ装置によれば、次のような作用効果が奏される。
まず、第１実施形態の有機ＥＬ装置では、図示しない発光用電源により、画素電極１３及び対向電極５間に所定の電位差が設定されることで、発光機能層１８に電流が流される。すなわち、画素電極１３からは正孔が、対向電極５からは電子が、それぞれ発光機能層１８に注入される。この際、これら正孔及び電子は再結合して励起子を生起する。そして、この励起子が基底状態に遷移する際、発光現象が生じる。この光は、図４を参照して説明したように、そのうちの一部が反射層３４で反射した後装置外部へと進行する。他の一部は、直接に装置外部へと進行する（図４参照）。
【００４７】
この際、第１実施形態では特に、ホール素子５００が作用する。すなわち、前述のように有機ＥＬ素子８に電流が流されるとき、その電流は、図２を参照して説明したように第２トランジスタ９の供給にかかるものであるから、中継線６１にも電流が流れる。そうすると、この電流の方向が、図５に示す図中下方向を向く矢印（符合Ｉｅｌ参照）で表される方向に一致するなら、当該中継線６１の周りには、これを中心とした磁場が発生する。この磁場は右ねじの法則に従うので、図５に示すように、その向きは、紙面のこちら側では図中右から左へ、紙面の向こう側では図中左から右へ、というようになる。また、この場合同時に、中継線６１よりも紙面右側の領域では、当該磁場の向きは、紙面の向こう側からこちら側へと当該紙面を貫くように、ということになるから、ホール素子５００にも、同様の向きの磁場が貫くことになる（なお、図６も参照。）。
【００４８】
また、磁束密度をＢ、透磁率をμ、電流をＩ、中継線６１の中心からの距離をＲとすると、
Ｂ＝μＩ／２πＲ … （１）
が成立する。この（１）式から、ホール素子５００に印加される磁場の強さは、中継線６１に流れる電流の値、あるいはホール素子５００及び中継線６１間の距離に影響を受けることがわかる。
【００４９】
ここで、第１及び第２電流供給線５０２及び５０３間に所定の電位を設定しておいて、半導体層５０１の図５中上から下（又は下から上）に向かって電流を流しておけば、半導体層５０１にはホール電場が生じる。すなわち、前記電流及び磁場の向きの双方に直交する図５中左右方向の向きに、ホール電圧Ｖｈａが発生する。第１及び第２電圧検知線５０４及び５０５には、このホール電圧Ｖｈａに応じた電流が流れる。磁場検知回路５５０は、第１及び第２電圧検知線５０４及び５０５を通じて、このホール電圧Ｖｈａの大きさを検知する。そして、制御回路Ｃは、この検知結果を受けて、当該の有機ＥＬ素子８に流れる電流の大きさを制御する（図１参照）。
【００５０】
この場合、磁場検知回路５５０及び制御回路Ｃによる検知及び電流制御の具体的態様としては様々なものがありうる。例えば、次のようである。
第１に、磁場検知回路５５０は、図１に示す全有機ＥＬ素子８を同一条件下で発光させた場合における、これら各々のホール電圧Ｖｈａを検知する（ここでは、以下、有機ＥＬ素子８の数をＮ個とし、その各々につき検知された固有のホール電圧を、Ｖｈａ（１），Ｖｈａ（２），…，Ｖｈａ（Ｎ）と表すことにする。）、第２に、これらの全ホール電圧の平均値、即ちＶＡ＝（Ｖｈａ（１），Ｖｈａ（２），…，Ｖｈａ（Ｎ））／Ｎをとる、そして第３に、この平均値ＶＡと、各ホール電圧Ｖｈａ（１），Ｖｈａ（２），…，Ｖｈａ（Ｎ）の値との差をみて、ＶＡ＜Ｖｈａ（ｐ）（ただし、ｐ＝１，２，…，Ｎ）ならば当該ｐ番目の有機ＥＬ素子８の電流を小さく、ＶＡ＞Ｖｈａ（ｐ）ならば当該ｐ番目の有機ＥＬ素子８の電流を大きく、ＶＡ＝Ｖｈａ（ｐ）ならば当該ｐ番目の有機ＥＬ素子８の現状の電流を維持する、などというようである。
【００５１】
なお、最後の第３の工程は、必要であれば、有機ＥＬ装置の運用中、随時実施することができる。一般に、有機ＥＬ素子８については、図７に示すように、電流−輝度間に比例関係が成立する。したがって、例えば、装置運用中、ある有機ＥＬ素子８についての磁場を観測したら、電流Ｉ０に相当する輝度Ｌ０でしか発光していないとわかれば、その電流をＩ＊に上げ、電流Ｉ１に相当する輝度Ｌ１で発光しているとわかれば、その電流をＩ＊に下げる、などといった運用が可能である（なお、図７では、同図中のＩ＊が前記平均値ＶＡの役割に相当する。）。
【００５２】
以上のような作用ないし動作により、第１実施形態では以下のような効果が奏される。
（１） まず、画像表示領域７ａ上の有機ＥＬ素子８の特性がばらばらであっても、当該領域７ａを全体的な観点からみた輝度ムラが低減される。これは、上に述べたところからも明らかなように、第１実施形態では、中継線６１に流れる電流によって発生する磁場を検知することにより、全有機ＥＬ素子８それぞれに関するフィードバック制御が行われるようになっているからである。
【００５３】
（２） 特に、第１実施形態では、前述した〔Ｉ〕から〔ＩＶ〕までの特徴的要素が存在することにより、前述した効果は、より実効的に享受される。
すなわち、中継線６１と半導体層５０１内の電流の流れる方向とが平行関係にあること（〔Ｉ〕）により、ホール電場の方向は好適に設定されることになり、したがって、磁場の検知は、構造上無理なく、また、よりよく行える。
また、磁場の検知対象として、画素電極１３及び第２トランジスタ９間を結ぶ中継線６１が選択されていること（〔ＩＩ〕）は、フィードバック制御の前提となる有機ＥＬ素子８の現状把握にとっては最適な一具体例を提供する。これに関連して、第１実施形態においては、中継線６１とホール素子５００と第１層間絶縁膜３０１を介して積層構造を呈していること（〔ＩＩＩ〕）は、両者間の距離をより狭めることを可能とし、したがって、前記（１）式からわかるとおり、よりよい磁場の検知を可能とする。このことは、図６をみるとより明瞭に把握される。この図から推測されるように、中継線６１と半導体層５０１との間の距離Ｒをより狭めようと思えば、当該距離Ｒは、原理上は、第１層間絶縁膜３０１の厚さに相当する距離に至るまで小さくすることができる（この場合、半導体層５０１のいわば直上に、中継線６１が存在する、ということになる。）。
加えて、中継線６１が、画素電極１３の形成領域の全長を横切るように延びていること（〔ＩＶ〕）は、磁場検知場所の設定が比較的自由になる等の利点を通じて、よりよい磁場検知に貢献する。
【００５４】
（３） 第１実施形態に係る有機ＥＬ装置では、上述のように、反射層３４等の具備等によるトップエミッション型が採用されているとともに、ホール素子５００が、発光機能層１８からみて対向電極５が存在する側とは反対側に配置されていることから、発光機能層１８から発した光の全部の有効利用が可能となっている。ホール素子５００は、画素電極１３の形成領域内に形成されてはいるが（図３参照）、これが、光の進行に邪魔になるようなことがないからである。
【００５５】
（４） 第１実施形態に係る有機ＥＬ装置では、ホール素子５００の半導体層５０１と、第２トランジスタ９の半導体層１とが、素子基板７の表面に同時に形成されるようになっているので、例えばこれらを別々に製造するなどといった場合に比べて、製造工程の簡略化が可能になる。また、このことは、本発明において、「磁場検知手段」の一具体化として、「ホール素子」を利用することの有利性を増強する。
【００５６】
＜第２実施形態＞
以下では、本発明の第２の実施の形態について、図８乃至図１０を参照しながら説明する。なお、この第２実施形態の有機ＥＬ装置の基本的な構成は、第１実施形態の有機ＥＬ装置と実質的に同じである。したがって、以下では、両者で共通する部分に関する図面の符号は共通に用いることとし、また、その説明は省略することとする。
【００５７】
第２実施形態の有機ＥＬ装置は、図８及び図９に示すように、本発明にいう「磁場検知手段」の一具体化として、磁気抵抗効果素子（磁場検知素子）６０１を利用する。
【００５８】
この磁気抵抗効果素子６０１は、図９に比較的よく示されているように、積層構造をもつ素子である。この積層構造は、第１磁性層６１１及び第２磁性層６２１と、これらに挟まれた非磁性層６３１とからなる。
このうち第１及び第２磁性層６１１及び６２１は、例えば、ＩｎＳｂ、ＭｇＯ、Ｇａ等を主成分とする材料から作られてよく、Ｃｒ（クロム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）及び希土類元素のうち少なくとも１つの磁性材料を含んでいることが好ましい。あるいは、特に、ハーフメタルと呼ばれる材料であれば、なおよい。なお、ハーフメタルとは、電気伝導に関与する電子のスピンがすべて同じ向きの物質（言い換えれば、１００％スピン分極した物質）をいう。
また、非磁性層６３１は、電気絶縁性樹脂や電気絶縁性のセラミック材料から作られて好適である。
【００５９】
前述のうち第１及び第２磁性層６１１及び６２１には、これらそれぞれに接するように、第１電極６０２ａ及び第２電極６０３ａが設けられる（図９参照）。第１電極６０２ａは、図８に示すように、これに電気的に接続する第１電極用配線６０２の一部であり、第２電極６０３ａは、これに電気的に接続する第２電極用配線６０３の一部である。また、第２電極用配線６０３は更に、中継線６０４に接続され、この中継線６０４は更に、検知線６０５に接続される。そして、この検知線６０５は、図１に示すと同様の磁場検知回路に接続される。
これら各種配線等の中で、第１電極６０２ａを含む第１電極用配線６０２及び中継線６０４は、前述した第２トランジスタ９用のゲート電極３１等と同時に形成される要素であり、第２電極６０３ａを含む第２電極用配線６０３及び検知線６０５は、データ線６等と同時に形成される要素である。
【００６０】
このような磁気抵抗効果素子６０１は、一種のＴＭＲ型磁気抵抗効果素子として機能する。すなわち、前述の第１磁性層６１１及び第２磁性層６２１に電圧をかけておくと、これらの間の非磁性層６３１にはトンネル電流が流れる。このトンネル電流の流れやすさは、第１磁性層６１１の磁化方向と第２磁性層６２１のそれとの関係に応じて変化する。両者が平行であれば、電気抵抗は最小になり、反平行であれば最大になる。そして、第２実施形態において、この磁化方向の変化は、中継線６１に流れる電流によって発生する磁場によってもたらされる。
【００６１】
このような結果、この第２実施形態でも、上述した第１実施形態によって奏された効果と本質的に異ならない効果が奏されることは明白である。すなわち、中継線６１が発する磁場の検知結果に応じて、有機ＥＬ素子８に流れる電流の大きさが制御され得る。
【００６２】
なお、この効果をよりよく享受するためには、前記の非磁性層６３１の厚さは、少なくとも第１及び第２磁性層６１１に比べて相対的に薄く、より具体的には例えば０．００１〜０．５μｍ等とされて好適である。
また、同じく前記効果をよりよく享受するためには、第１磁性層６１１及び第２磁性層６２１それぞれの保磁力に差を設けておくようにすると好ましい。このようにしておけば、一方の磁性層の磁化方向のみが変化を受け、他方の磁性層のそれは変化しない、といった現象を比較的容易に作り出すことができ、中継線６１の磁場はよりよく検知され得ることになるからである。なお、両層６１１及び６２１の保磁力に差をもたせるためには、例えばこれら各層６１１及び６２１間で、その厚さや材料構成につき適当な差を設けること等によるとよい。
【００６３】
さらに、本発明では、この第２実施形態に関連して、これを応用した図１０に示すような態様を採用することも可能である。すなわち、図８及び図９に示すような磁気抵抗効果素子６０１を用いる場合には、その磁気抵抗効果素子６０１を、図１０に示すように、複数備えるとよい（符号６０１−１，６０１−２，…，６０１−５、参照）。これら複数の磁気抵抗効果素子６０１−１，６０１−２，…，６０１−５は、この順番に従い、中継線６１の延在方向に直交する方向に沿って次第に遠ざかりながら、並んでいる。
このような磁気抵抗効果素子６０１−１，６０１−２，…，６０１−５を備える態様によれば、前記の（１）式中のＲの効果を考えれば明白なように、中継線６１に流れる電流によって発生する磁場の影響力が及ぶ範囲では、電気抵抗が最小、そうでない範囲では最大、ということが生じ得る。また、この場合もちろん、磁場の強さが大きければ大きいほど、前記影響力は大きくなるから、電気抵抗が最小になる磁気抵抗効果素子の数はそれだけ多くなる。
図１０では、図中左側の３つの磁気抵抗効果素子６０１−１乃至６０１−３が磁場の影響を受けて“ＯＮ”（即ち、電気抵抗が最小）となり、残る２つの磁気抵抗効果素子６０１−４及び６０１−５がその影響を受けずに“ＯＦＦ”（即ち、電気抵抗が最大）となる場合が例示されている。
【００６４】
このような態様によれば、“ＯＮ”となる磁気抵抗効果素子６０１の数をカウントすれば、中継線６１に流れる電流によって発生する磁場の強さを推測することが可能となる。このように、図１０の態様では、当該磁場の強さは、いわばデジタル的な手法により検知されることになる。
このような手法は、第２実施形態の場合に適用されて好適である。なぜなら、磁気抵抗効果素子は、通常、磁場が印加されたか、されていないかといった、いわばデジタル的な検出用途には優れた性能を発揮するものの、これに対する、いわばアナログ的な用途には向いていないからである（上述のような手法によれば、そのような磁気抵抗効果素子を用いても、アナログ的な運用が可能になる。）。
【００６５】
なお、言うまでもないが、図１０において、磁気抵抗効果素子の数が５つであるのは、単なる一例を示しているに過ぎない。磁気抵抗効果素子をいくつ設けるかは、画素電極１３の形成領域の大きさと第１及び第２磁性層６１１及び６２１の形成領域の大きさとの相対的関係等といった物理的制約のほか、どの程度精度の高いフィードバック制御を行うか等といった合目的的配慮等、各種の考慮要素に基づいて適宜定められる。
また、本発明においては、「磁気抵抗効果素子」として、上述したＴＭＲ型以外にも、ＧＭＲ型、ＣＭＲ型、ＡＭＲ型等の各種のタイプの利用が基本的には可能である。
【００６６】
以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る発光装置は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１） 上記各実施形態で述べたように、本発明にいう「磁場検知手段」は、「ホール素子５００」、あるいは「磁気抵抗効果素子６０１」を含みうるが、本発明は、これら以外の選択肢を当然排除しない。上述の各素子（５００及び６０１）以外では、好適には例えば、「磁気インピーダンス素子」を利用することもできる。ここに磁気インピーダンス素子とは、いわゆるＭＩ効果を利用した素子であり、ＭＩ効果とは、高周波電流が流れるアモルファス磁性体に磁場を印加するとその両端のインピーダンスが変化する効果をいう。このような磁気インピーダンス素子については、例えば、文献、「磁気インピーダンス効果を有する積層型薄膜磁界検出素子」，西部他，豊田中央研究所Ｒ＆Ｄレビュー，Vol32,No.1(1997.3)において紹介されているように、“薄膜型”の磁界検出素子としての利用可能性が指摘されている。このような薄膜型の素子は特に、本発明にいう「磁場検知素子」として有効に利用されうる。
あるいは、場合によっては、以上述べたようなものも含め、複数種類の磁場検知素子が一装置内で同時に併用されてもよい。
以上を要するに、本発明にいう「磁場検知手段」、ないしは「磁場検知素子」は、「配線」周りに発生する磁場を検知可能であれば、基本的に、どのような態様をもとることができる。
【００６７】
（２） 上記各実施形態では、ホール素子５００、あるいは磁気抵抗効果素子６０１の検知対象が中継線６１（正確には、「その周りに発生する磁場」であるが、以下同様に略す。）となっているが、本発明は、かかる形態に限定されない。例えば、場合によっては、対向電極５に接続される配線（不図示）が検知対象とされてもよく、あるいは、当該配線及び中継線６１の双方が検知対象とされてもよい。特に後者の場合によれば、有機ＥＬ素子８の現状把握がより正確になされ得ることになり、したがって、前述したようなフィードバック制御がよりよく行われ得る。
【００６８】
（３） 上記第２実施形態では、図１０を参照して、磁気抵抗効果素子６０１を複数並べる態様について説明しているが、この態様は、上述した第１実施形態のホール素子５００、あるいはそれ以外の各種の素子に適用可能である。いずれの場合でも、磁場の強さをよりよく検知することに貢献する。
【００６９】
＜応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図１１ないし図１３には、以上に説明した実施形態に係る有機ＥＬ装置を採用した電子機器の形態が図示されている。
【００７０】
図１１は、有機ＥＬ装置を採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、各種の画像を表示する有機ＥＬ装置１００と、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを具備する。
【００７１】
図１２は、有機ＥＬ装置１００を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２と、各種の画像を表示する有機ＥＬ装置１００とを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１００に表示される画面がスクロールされる。
【００７２】
図１３は、有機ＥＬ装置１００を適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す斜視図である。携帯情報端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２と、各種の画像を表示する有機ＥＬ装置１００とを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が有機ＥＬ装置１００に表示される。
【００７３】
本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１１から図１３に例示した機器のほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、カーナビゲーションシステム等などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１の単位回路の詳細を示す回路図である。
【図３】図１に示す有機ＥＬ装置の一部拡大平面図であって、特にホール素子５００及びそれに関わる要素の配置を示す図である（なお、この図において、符号３６１等で表されるコンタクトホールは適宜要部のみに図示している。図８において同じ。）。
【図４】図３のＸ１―Ｘ１’線断面図である。
【図５】ホール素子５００に、中継線６１を流れる電流によって発生する磁場が印加される様子を模式的に示した図である。
【図６】図３のＸ２―Ｘ２’線断面図である。
【図７】有機ＥＬ素子の電流-輝度特性を表すグラフである。
【図８】図３と同趣旨の図であって、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の一部拡大平面図であって、特にホール素子５００及びそれに関わる要素の配置を示す図である。
【図９】図３のＹ−Ｙ’線断面図である。
【図１０】図７及び図８に示す磁気抵抗効果素子６０１を中継線６１と交わる方向に沿って複数並べる態様を模式的に示した図である。
【図１１】本発明に係る電子機器の形態（パーソナルコンピュータ）を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る電子機器の形態（携帯電話機）を示す斜視図である。
【図１３】本発明に係る電子機器の形態（携帯情報端末）を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７５】
７……素子基板、７ａ……画像表示領域、８……有機ＥＬ素子、１３……画素電極、１８……発光機能層、５……対向電極、９……第２トランジスタ（駆動トランジスタ）、１……半導体層、６１……中継線、５００……ホール素子、５０１……半導体層、５０２，５０３……第１，第２電流供給線、５０４，５０５……第１，第２電圧検知線、５５０……磁場検知回路、Ｃ……有機ＥＬ装置制御回路、６０１……磁気抵抗効果素子、６０２……第１電極用配線、６０２ａ……第１電極、６０３……第２電極用配線、６０３ａ……第２電極、
３……走査線、６……データ線、１１３……電源供給線、３４……反射層、１０３Ａ，１０３Ｂ……走査線駆動回路、１０６……データ線駆動回路、１０６Ａ……プリチャージ回路、２０１……電源線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
当該基板上に構築される第１及び第２電極層、及び、これらに挟持される発光機能層を含む、発光素子と、
前記第１及び第２電極層のいずれか一方に電気的に接続される配線と、
前記配線に流れる電流によって発生する磁場を検知する磁場検知手段と、
前記磁場検知手段の検知結果に応じて前記発光素子に流れる電流の大きさを制御する制御手段と、
を備える、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記磁場検知手段は、ホール素子を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光素子を駆動するための駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタに含まれ、前記第１電極層に電気的に接続される第１半導体層と、
を更に備え、
前記ホール素子は、
前記第１半導体層が形成される下地膜の上に、かつ、当該第１半導体層と同時に形成される第２半導体層を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記磁場検知手段は、磁気抵抗効果素子を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記磁場検知手段は、磁気インピーダンス素子を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記磁場検知手段は、磁場検知素子を含み、
当該磁場検知素子は、
前記基板を平面視した場合、前記発光機能層の形成領域の一部と重なるように形成されており、かつ、
前記第１及び第２電極層のうち前記発光機能層からみて前記磁場検知素子が存在しない側の電極層は透光性をもつ、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記磁場検知手段は、複数の磁場検知素子を含み、
これら複数の磁場検知素子は、
前記配線の延在方向に交わる方向に沿って並ぶ、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記磁場検知手段は、磁場検知素子を含み、
当該磁場検知素子は、
前記配線との間に少なくとも１層の層間絶縁膜を挟んで形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記配線は、
前記第１電極層に電気的に接続される第１配線、及び、前記第２電極層に電気的に接続される第２配線を含み、
前記磁場検知手段は、
前記第１配線に対応する第１磁場検知素子、及び、前記第２配線に対応する第２磁場検知素子を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の発光装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板と、
当該基板上に構築される第１及び第２電極層、及び、これらに挟持される発光機能層を含む、発光素子と、
前記第１及び第２電極層のいずれか一方に電気的に接続される配線と、
前記配線に流れる電流によって発生する磁場を検知する磁場検知手段と、
前記磁場検知手段の検知結果に応じて前記発光素子に流れる電流の大きさを制御する制御手段と、
を備える、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記磁場検知手段は、ホール素子を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光素子を駆動するための駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタに含まれ、前記第１電極層に電気的に接続される第１半導体層と、
を更に備え、
前記ホール素子は、
前記第１半導体層が形成される下地膜の上に、かつ、当該第１半導体層と同時に形成される第２半導体層を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記磁場検知手段は、磁気抵抗効果素子を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記磁場検知手段は、磁気インピーダンス素子を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記磁場検知手段は、磁場検知素子を含み、
当該磁場検知素子は、
前記基板を平面視した場合、前記発光機能層の形成領域の一部と重なるように形成されており、かつ、
前記第１及び第２電極層のうち前記発光機能層からみて前記磁場検知素子が存在しない側の電極層は透光性をもつ、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記磁場検知手段は、複数の磁場検知素子を含み、
これら複数の磁場検知素子は、
前記配線の延在方向に交わる方向に沿って並ぶ、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記磁場検知手段は、磁場検知素子を含み、
当該磁場検知素子は、
前記配線との間に少なくとも１層の層間絶縁膜を挟んで形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記配線は、
前記第１電極層に電気的に接続される第１配線、及び、前記第２電極層に電気的に接続される第２配線を含み、
前記磁場検知手段は、
前記第１配線に対応する第１磁場検知素子、及び、前記第２配線に対応する第２磁場検知素子を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の発光装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００９−１９８７６４（Ｐ２００９−１９８７６４Ａ）
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３９７６１（Ｐ２００８−３９７６１）
【出願日】平成２０年２月２１日（２００８．２．２１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月２１日（２００８．２．２１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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