磁性体ペーストおよびそれを用いた電子部品
【課題】高い透磁率を有する基材を得ることができる磁性体ペーストを提供するとともに、このような磁性体ペーストを用いることにより、高性能な電子部品を提供する。
【解決手段】磁性体ペーストは、平均粒径が０．５〜１０μｍの磁性体焼結粉末、ガラス粉末および有機成分を含む。ここで、磁性体焼結粉末／ガラス粉末の質量比を８０／２０〜９０／１０の範囲とする。さらに、ガラス粉末におけるＳｉＯ2の割合を７０〜９０質量％とする。この磁性体ペーストを硬化させて基材１２、１６、２２、２６を作製し、基材上に電極パターン１４、１８、２４、２８を形成して、基材の積層体１０を焼成することにより、高透磁率を利用したインダクタンスを有する電子部品を得ることができる。
【解決手段】磁性体ペーストは、平均粒径が０．５〜１０μｍの磁性体焼結粉末、ガラス粉末および有機成分を含む。ここで、磁性体焼結粉末／ガラス粉末の質量比を８０／２０〜９０／１０の範囲とする。さらに、ガラス粉末におけるＳｉＯ2の割合を７０〜９０質量％とする。この磁性体ペーストを硬化させて基材１２、１６、２２、２６を作製し、基材上に電極パターン１４、１８、２４、２８を形成して、基材の積層体１０を焼成することにより、高透磁率を利用したインダクタンスを有する電子部品を得ることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁性体ペーストおよびそれを用いた電子部品に関し、特にたとえば、硬化、焼結させることによって磁性体基材を得ることができる磁性体ペーストと、それを用いた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の磁性体ペーストとして、例えば、無機粉末と感光性有機成分とからなるペーストであって、無機粉末が０．１〜５μｍの中心粒子径を有する軟磁性体粉末とガラス粉末とを含み、軟磁性体粉末とガラス粉末との質量比が２０／８０〜７０／３０の範囲にある感光性軟磁性体ペーストが知られている。また、この感光性軟磁性体ペーストでは、ガラス粉末として、例えば、酸化ビスマス（７５質量％）、酸化珪素（５質量％）、酸化硼素（１０質量％）、酸化ジルコニウム（３質量％）、酸化亜鉛（３質量％）および酸化アルミニウム（４質量％）からなるガラス粉末が用いられている。この感光性軟磁性体ペーストは、例えば、ディスプレイパネルに視認性と電磁波シールド性を付与するために用いられる。
【０００３】
この場合、ディスプレイ用のガラス基板の表面に感光性金属ペーストと感光性軟磁性体ペーストとを塗布することにより、積層塗布膜が形成される。この積層塗布膜にフォトマスクを介して活性光線を照射して露光し、現像することによって、メッシュ状の金属層と黒色層の積層体が形成される。抵抗値の小さい金属層により電磁波シールド性が付与され、感光性軟磁性体ペーストから形成される黒色層により視認性と電磁波シールド性が付与される（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００６／００９０５１号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような従来の感光性軟磁性体ペーストでは、軟磁性体粉末とガラス粉末の質量比が２０／８０〜７０／３０の範囲であるので、無機成分中に占める磁性体粉末の量が少なく、高い透磁率を有する基材が得られにくいという問題がある。
また、この感光性軟磁性体ペーストでは、ガラス粉末として、酸化ビスマス（７５質量％）、酸化珪素（５質量％）、酸化硼素（１０質量％）、酸化ジルコニウム（３質量％）、酸化亜鉛（３質量％）および酸化アルミニウム（４質量％）からなるガラス粉末が用いられているが、ガラス粉末と軟磁性体粉末が焼成中に反応してしまうと、焼結体に含まれる磁性体部分の割合が減少するので、同じく高い透磁率を有する基材が得られにくいという問題がある。
【０００６】
このように、従来の感光性軟磁性体ペーストを硬化させて得られる基材では、高透磁率を得ることが困難であり、コモンモードチョークコイルや積層型ＬＣ部品などの磁性体基材として使用することが困難である。そのため、この感光性軟磁性体ペーストを用いて電子部品を作製すると、高性能な電子部品を得ることが困難である。
【０００７】
それゆえに、この発明の主たる目的は、高い透磁率を有する基材を得ることができる磁性体ペーストを提供することである。
また、この発明の目的は、このような磁性体ペーストを用いることにより、高性能な電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明にかかる磁性体ペーストは、平均粒径が０．５〜１０μｍの磁性体焼結粉末、ガラス粉末および有機成分を含み、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比について、磁性体焼結粉末／ガラス粉末の比率が８０／２０〜９０／１０の範囲にあり、ガラス粉末におけるＳｉＯ2の割合が７０〜９０質量％であることを特徴とする、磁性体ペーストである。
この発明にかかる磁性体ペーストでは、磁性体焼結粉末の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であることを特徴としている。これは、平均粒径が０．５〜１０μｍの微粒の磁性体焼結粉末を用いることで、焼成時に焼結によって磁性体粉末同士が粒成長を起こし、高い透磁率および高い抗折強度を有する焼結体を得ることができるからである。一方、磁性体焼結粉末の平均粒径が０．５μｍ未満となると、磁性体焼結粉末を製造することが困難になるとともに、磁性体焼結粉末を製造することができたとしても粒径が小さくなることにより高い透磁率が得られなくなるので、好ましくない。また、磁性体焼結粉末の平均粒径が１０μｍを超えると、焼結体内に空隙が多くなり、抗折強度が小さくなるので、好ましくない。
さらに、この発明にかかる磁性体ペーストでは、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比（磁性体焼結粉末／ガラス粉末）が８０/２０〜９０/１０の範囲にあることも特徴としている。これは、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比（磁性体焼結粉末／ガラス粉末）をそのような範囲にすることで、無機成分中の磁性体粉末の割合が大きくなり、高い透磁率および高い抗折強度を有する焼結体を得ることができるからである。一方、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比（磁性体焼結粉末／ガラス粉末）が８０／２０未満になると、焼結体中の磁性体の割合が低下して、透磁率が低下するので、好ましくない。また、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比（磁性体焼結粉末／ガラス粉末）が９０／１０を超えると、焼結体の抗折強度が低下するので、好ましくない。
さらに、この発明にかかる磁性体ペーストでは、ガラス粉末におけるＳｉＯ2の割合が７０〜９０質量％であることも特徴としている。これは、ガラス粉末中に含まれるＳｉＯ2の割合を７０〜９０質量％とすることで、焼成時の磁性体粉末とガラス粉末との反応が抑制され、高い透磁率および高い抗折強度を有する焼結体を得ることができるからである。一方、ＳｉＯ2の割合が９０質量％を超えると、焼結性が低下し、十分な抗折強度が得られなくなるとともに、透磁率も低下するので、好ましくない。また、ＳｉＯ2の割合が７０質量％を下回ると、磁性体粉末とガラス粉末との反応が進み、焼結体に含まれる磁性体部分の割合が低下し、高い透磁率を有する焼結体を得ることができないので、好ましくない。
【０００９】
この発明にかかる磁性体ペーストでは、磁性体焼結粉末の平均粒径が０．７〜３μｍであることを特徴とすることが好ましい。これは、このように磁性体焼結粉末の平均粒径を０．７〜３μｍとすると、焼結体の透磁率および抗折強度がさらに高くなるからである。
【００１０】
また、この発明にかかる電子部品は、この発明にかかる磁性体ペーストを硬化して基材を形成し、基材上に電極パターンを形成し、電極パターンを形成した基材を焼成することにより形成される、電子部品である。
この発明にかかる磁性体ペーストを用いることにより、高い透磁率および高い抗折強度を有する基材を得ることができる。したがって、この基材に電極パターンを形成し、焼成することによって、高透磁率を利用した電子部品を得ることができる。
【００１１】
この発明にかかる電子部品は、例えば、電極パターンを形成した複数の基材を積層して積層体を形成し、積層体を焼成することにより形成することができる。
電極パターンを形成した複数の基材を積層し、得られた積層体を焼成することにより、積層型の電子部品を得ることができる。したがって、インダクタンスを利用した高性能の積層型コモンモードチョークコイルや積層型ＬＣ部品などを作製することができる。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、高い透磁率を有する基材を作製することができる磁性体ペーストを得ることができる。このように作製された基板は、付随的に高い抗折強度も有する。
また、この発明にかかる磁性体ペーストを用いて形成した基材を用いることにより、高透磁率を利用したインダクタンスを有する高性能な電子部品を得ることができる。このように得られた電子部品は、付随的に破損しにくい。
【００１３】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明にかかる磁性体ペーストを用いた積層型コモンモードチョークコイルの製造工程を示す斜視図である。
【図２】この発明にかかる電子部品としての積層型コモンモードチョークコイルを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
この発明にかかる磁性体ペーストは、磁性体焼結粉末と、ガラス粉末と、有機成分と、溶剤とを含む。
【００１６】
磁性体焼結粉末としては、たとえば、Ｆｅ2Ｏ3−ＮｉＯ−ＣｕＯ−ＺｎＯ系フェライトなどの軟磁性体の焼結粉末が用いられる。このような磁性体焼結粉末としては、０．５〜１０μｍの平均粒径を有するものが用いられる。この場合、このような磁性体焼結粉末としては、好ましくは、０．７〜３μｍの平均粒径を有するものが用いられる。なお、磁性体焼結粉末は、９００℃以上の温度で焼結させた焼結粉末であることが好ましい。これは、９００℃以上の温度で焼結することで、スピネル相の生成率が高くなり、仮焼粉末を用いた場合などに比べて、粉末自体の透磁率を高くすることができるとともに、ガラスとの反応が抑制されるので、高い透磁率を有する焼結体を得ることができるからである。
【００１７】
また、ガラス粉末としては、たとえば、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｋ2Ｏ系ガラスやＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ−ＺｎＯ系ガラスなどのＳｉＯ2含むガラスが用いられる。このようなガラス粉末としては、ガラス粉末におけるＳｉＯ2の割合が７０〜９０質量％となるように調整される。また、磁性体焼結粉末とガラス粉末との混合比率としては、磁性体焼結粉末／ガラス粉末の質量比が８０／２０〜９０／１０の比率となるように調整される。
【００１８】
さらに、有機成分としては、たとえば、アクリルポリマーと光反応性モノマーと光重合開始剤などが用いられる。ここで、たとえば、光反応性モノマーとして、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、光重合開始剤として、２，４−ジエチルチオキサントン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイドの混合物が用いられる。
【００１９】
さらに、溶剤としては、たとえば、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルが用いられる。
【００２０】
この発明にかかる磁性体ペーストには、消泡剤などのその他の添加剤が添加されてもよい。
【００２１】
なお、ここでは、有機成分として光硬化性の有機成分を例示したが、必ずしも光硬化性の材料を用いる必要はない。この発明にかかる磁性体ペーストは、硬化して基材を形成したのち、最終的に焼成されて電子部品の磁性体素材を得ることができるが、光硬化以外の方法で磁性体ペーストを硬化させてもよい。この場合、磁性体ペーストの硬化方法に応じて、有機成分を選択することができる。
【００２２】
磁性体ペーストは、これらの材料を含むものであり、たとえば、積層型電子部品を作製するために用いられる。たとえば、積層型コモンモードチョークコイルを作製する場合、図１に示すように、積層体１０が形成される。積層体１０を形成するために、平面状のベース上に磁性体ペーストが塗布され、光硬化させることにより、積層体１０に用いられる板状の基材が形成される。
【００２３】
積層体１０は、第１の基材１２を含み、第１の基材１２上に電極ペーストなどを用いて第１の引出し電極パターン１４が形成される。第１の引出し電極パターン１４は、第１の基材１２の一端から中央部に延びるように形成される。第１の基材１４の一端において、第１の引出し電極パターン１４は、端縁の中央部から一方側にずれた位置に引き出される。
【００２４】
第１の基材１２の下面には、第２の基材１６が配置される。第２の基材１６上には、第１の巻線電極パターン１８が形成される。第１の巻線電極パターン１８は、第２の基材１６の中央部から外側に向かって渦巻き状に形成され、第１の引出し電極パターン１４が引き出された端部に対向する端部に引き出される。第１の引出し電極パターン１４と第１の巻線電極パターン１８とは、互いに対向する位置に引き出される。第１の引出し電極パターン１４と第１の巻線電極パターン１８とは、第１の基材１２の中央部に形成されたビアホール２０において接続される。
【００２５】
第２の基材１６の下面には、第３の基材２２が配置される。第３の基材２２上には、第２の巻線電極パターン２４が形成される。第２の巻線電極パターン２４は、第３の基材２２の中央部から外側に向かって渦巻き状に形成され、第１の巻線電極パターン１８が引き出された端部に引き出される。ここで、第１の巻線電極パターン１８の引出し位置から間隔を隔てた位置に、第２の巻線電極パターン２４が引き出される。第１の巻線電極パターン１８と第２の巻線電極パターン２４とは、同じ向きに巻回するように形成される。
【００２６】
第３の基材２２の下面には、第４の基材２６が配置される。第４の基材２６上には、第２の引出し電極パターン２８が形成される。第２の引出し電極パターン２８は、第１の引出し電極パターン１４の引き出された側の端部から第４の基材２６の中央部に延びるように形成される。第２の引出し電極パターン２８は、第１の引出し電極パターン１４と同じ側の端部において、第１の引出し電極パターン１４と間隔を隔てた位置に引き出される。第２の巻線電極パターン２４と第２の引出し電極パターン２８とは、第３の基材２２の中央部に形成されたビアホール３０において接続される。
【００２７】
第１の基材１２の上面および第４の基材２６の下面には、電極パターンの形成されていない基材３２が配置される。これらの基材１２、１６、２２、２６、３２が積層されて、積層体１０が形成される。積層体１０の端部において、第１の引出し電極パターン１４、第１の巻線電極パターン１８、第２の巻線電極パターン２４、第２の引出し電極パターン２８に接続されるようにして、４つの外部電極パターンが形成される。そして、外部電極パターンが形成された積層体１０を焼成することにより、図２に示すように、基体３４の対向する端部に外部電極３６ａ、３６ｂ、３６ｃ、３６ｄを有する積層型コモンモードチョークコイル４０が形成される。
【００２８】
なお、この磁性体ペーストを用いることにより、積層型コモンモードチョークコイル以外にも、積層型ＬＣ部品などの電子部品を作製することができる。この場合、コンデンサを形成するためのコンデンサ用電極の間には、誘電体材料で形成された基材が用いられ、インダクタンス形成部における基材として磁性体ペーストで形成された基材が用いられる。
【００２９】
この磁性体ペーストでは、磁性体焼結粉末が用いられているので、磁性体仮焼結粉末を用いた場合に比べて、高い透磁率および高い強度を有する磁性体粉末を得ることができる。たとえば、１０００℃以上で焼結した磁性体粉末を用いることにより、基材を磁性体粉末の焼結温度より低い８００〜９００℃で焼成しても、高い透磁率を得ることができる。
【００３０】
また、この磁性体ペーストでは、平均粒径が０．５〜１０μｍの微粒の磁性体焼結粉末が用いられているので、焼成時に焼結によって磁性体粉末同士が粒成長を起こし、高い透磁率および高い抗折強度を有する焼結体を得ることができる。この磁性体ペーストでは、特に、平均粒径が０．７〜３μｍの微粒の磁性体焼結粉末が用いられると、さらに高い透磁率およびさらに高い抗折強度を有する焼結体を得ることができる。
【００３１】
さらに、この磁性体ペーストでは、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比（磁性体焼結粉末／ガラス粉末）が８０/２０〜９０/１０の範囲にしているので、無機成分中の磁性体粉末の割合が大きくなり、高い透磁率および高い抗折強度を有する焼結体を得ることができる。
【００３２】
さらに、この磁性体ペーストでは、ガラス粉末におけるＳｉＯ2の割合が７０〜９０質量％としているので、焼成時の磁性体粉末とガラス粉末との反応が抑制され、高い透磁率および高い抗折強度を有する焼結体を得ることができる。
【００３３】
このように、この発明にかかる磁性体ペーストを用いることにより、高い透磁率および高い抗折強度を有する基材を得ることができる。そのため、このような基材を用いて電子部品を形成することにより、良好な特性を有するインダクタンス成分を含む高強度の電子部品を得ることができる。
【００３４】
（実験例）
実験例では、本発明にかかる磁性体ペーストなどを用いて形成された基材（焼結体）の透磁率および抗折強度を調べるために、実験を行った。
【００３５】
まず、磁性体焼結粉末として、Ｆｅ2Ｏ3−ＮｉＯ−ＣｕＯ−ＺｎＯ系フェライトを準備した。この場合、磁性体焼結粉末の素原料として、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯを用意し、所定の組成となるように、これらの素原料を秤量した。これらの秤量物を純水及びＰＳＺボールとともに、塩化ビニル製のポットミルに入れ、湿式で混合粉砕し、蒸発乾燥した後、８００℃の温度で仮焼して、仮焼物を得た。
次に、これらの仮焼物を再び純水及びＰＳＺボールとともに、塩化ビニル製のポットミルに入れ、湿式で粉砕して、粉砕物を得た。粉砕物を蒸発乾燥した後、９００〜１１００℃の温度で、２時間焼成して、焼成物を得た。
これらの焼成物を再び純水及びＰＳＺボールとともに、塩化ビニル製のポットミルに入れ、湿式で粉砕し、これを蒸発乾燥して、本発明にかかる磁性体ペーストに用いられる磁性体焼結粉末を作製した。さらに、粉砕時間を変えることで、平均粒径Ｄ５０が異なる磁性体焼結粉末を複数作製した。ここで、平均粒径は、堀場製作所製のレーザ回折散乱粒度分布測定装置ＬＡ−９２０で粒度分布を測定して求めた。
【００３６】
さらに、ガラス粉末として、次の２種類の組成を有した平均粒子径Ｄ５０が１μｍのガラスフリット１およびガラスフリット２を準備した。
ガラスフリット１：９０質量％ＳｉＯ2−９．１質量％Ｂ2Ｏ3−０．９質量％Ｋ2Ｏ：ガラス軟化点８１０℃
ガラスフリット２：４７質量％ＳｉＯ2−１７質量％Ｂ2Ｏ3−１９質量％ＣａＯ−１３質量％Ｌｉ2Ｏ−４質量％ＺｎＯ：ガラス軟化点７１８℃
【００３７】
また、樹脂成分および溶剤を含む感光性ワニスを作製した。この場合、感光性ワニスを作製するために、アクリルポリマー、光反応性モノマーとしてエトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、光重合開始剤として、２，４−ジエチルチオキサントン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、および溶剤としてジプロピレングリコールモノメチルエーテルなどを準備した。
次に、アクリルポリマーを２６．０質量％、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレートを２７．６質量％、２，４−ジエチルチオキサントンを２．８質量％、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オンを０．９質量％、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイドを１．４質量％、消泡剤などのその他の添加剤を１．０質量％、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルを４０．３質量％混合して、感光性ワニスを作製した。
【００３８】
そして、感光性磁性体ペーストを作製した。この場合、実験例で作製・準備した上述の磁性体焼結粉末、ガラスフリット１、ガラスフリット２、および感光性ワニスを、表１に示した質量比で混合し、この混合物を３本ロールミルで混練することで、感光性磁性体ペーストを作製した。なお、表１には、感光性磁性体ペーストに用いられる磁性体焼結粉末の平均粒径、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比（磁性体焼結粉末／ガラス粉末）、およびガラス粉末に含まれるＳｉＯ2の割合も示した。
【００３９】
【表１】
【００４０】
作製した感光性磁性体ペーストをポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フイルム上にドクターブレード法で膜形成、乾燥、膜形成を繰り返して厚み１ｍｍの塗膜を作製した。作製した塗膜をリング状および矩形状にそれぞれ打ち抜いて、８７０℃で３０分焼成して、リング状の試料（焼結体）および矩形状の試料（焼結体）を得た。
【００４１】
得られたリング状の試料について、アジレント社製のインピーダンスアナライザＥ４９９１Ａを用いて、１００ＭＨｚにおける透磁率を測定した。また、得られた矩形状の試料について、ＪＩＳＲ１６０１に基づいて抗折強度を測定した。それらの測定結果を表１に示した。
【００４２】
さらに、測定した透磁率および抗折強度を評価した評価結果を表１に示した。
ここで、透磁率については、１４以上１８未満のものが好ましいものとして「△」印で示し、１８以上のものがさらに好ましいものとして「○」印で示し、１４未満のものが好ましくないもとして「×」印で示した。
また、抗折強度については、２０ＭＰａ以上３０ＭＰａ未満のものが好ましいものとして「△」印で示し、３０ＭＰａ以上のものがさらに好ましいものとして「○」印で示し、２０ＭＰａ未満のものが好ましくないものとして「×」印で示した。
なお、表１において、試料番号に＊印を付したものは、本発明の範囲外のものであることを示す。
【００４３】
表１の試料番号１〜５、９〜１３、１６、１７から明らかなように、本発明の範囲内に調整した感光性磁性体ペーストを用いると、高い透磁率および高い抗折強度を有する磁性体を得ることができる。
また、試料番号１〜５、１０、１１、１６、１７に示すように、本発明の範囲内に調整した感光性磁性体ペーストにおいて磁性体焼結粉末の平均粒径を０．７〜３μｍの範囲にすると、さらに高い透磁率およびさらに高い抗折強度を有する磁性体を得ることができる。
【００４４】
それに対して、試料番号で示さないが、平均粒径が０．５μｍ未満となると、磁性体焼結粉末を製造することが困難になるとともに、磁性体焼結粉末を製造することができたとしても粒径が小さくなることにより高い透磁率が得られなくなる。
また、試料番号１４に示すように、磁性体焼結粉末の平均粒径が１０μｍを超えると、焼結体内に空隙が多くなり、抗折強度が小さくなる。
【００４５】
さらに、試料番号１５に示すように、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比（磁性体焼結粉末／ガラス粉末）が８０／２０未満になると、焼結体中の磁性体の割合が低下して、透磁率が低下する。
また、試料番号１８に示すように、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比（磁性体焼結粉末／ガラス粉末）が９０／１０を超えると、焼結体の抗折強度が低下する。
【００４６】
さらに、試料番号で示さないが、ＳｉＯ2の割合が９０質量％を超えると、焼結性が低下し、十分な抗折強度が得られなくなるとともに、透磁率も低下する。
また、試料番号６〜８に示すように、ＳｉＯ2の割合が７０質量％を下回ると、磁性体粉末とガラス粉末との反応が進み、焼結体に含まれる磁性体部分の割合が低下し、高い透磁率を有する焼結体を得ることができない。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
この発明にかかる磁性体ペーストは、特に、インダクタンスを利用した積層型コモンモードチョークコイルや積層型ＬＣ部品などの積層電子部品に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００４８】
１０ 積層体
１２ 第１の基材
１４ 第１の引出し電極パターン
１６ 第２の基材
１８ 第１の巻線電極パターン
２０ ビアホール
２２ 第３の基材
２４ 第２の巻線電極パターン
２６ 第４の基材
２８ 第２の引出し電極パターン
３０ ビアホール
３２ 基材
３４ 基体
３６ａ、３６ｂ、３６ｃ、３６ｄ 外部電極
４０ 積層型コモンモードチョークコイル
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁性体ペーストおよびそれを用いた電子部品に関し、特にたとえば、硬化、焼結させることによって磁性体基材を得ることができる磁性体ペーストと、それを用いた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の磁性体ペーストとして、例えば、無機粉末と感光性有機成分とからなるペーストであって、無機粉末が０．１〜５μｍの中心粒子径を有する軟磁性体粉末とガラス粉末とを含み、軟磁性体粉末とガラス粉末との質量比が２０／８０〜７０／３０の範囲にある感光性軟磁性体ペーストが知られている。また、この感光性軟磁性体ペーストでは、ガラス粉末として、例えば、酸化ビスマス（７５質量％）、酸化珪素（５質量％）、酸化硼素（１０質量％）、酸化ジルコニウム（３質量％）、酸化亜鉛（３質量％）および酸化アルミニウム（４質量％）からなるガラス粉末が用いられている。この感光性軟磁性体ペーストは、例えば、ディスプレイパネルに視認性と電磁波シールド性を付与するために用いられる。
【０００３】
この場合、ディスプレイ用のガラス基板の表面に感光性金属ペーストと感光性軟磁性体ペーストとを塗布することにより、積層塗布膜が形成される。この積層塗布膜にフォトマスクを介して活性光線を照射して露光し、現像することによって、メッシュ状の金属層と黒色層の積層体が形成される。抵抗値の小さい金属層により電磁波シールド性が付与され、感光性軟磁性体ペーストから形成される黒色層により視認性と電磁波シールド性が付与される（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００６／００９０５１号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような従来の感光性軟磁性体ペーストでは、軟磁性体粉末とガラス粉末の質量比が２０／８０〜７０／３０の範囲であるので、無機成分中に占める磁性体粉末の量が少なく、高い透磁率を有する基材が得られにくいという問題がある。
また、この感光性軟磁性体ペーストでは、ガラス粉末として、酸化ビスマス（７５質量％）、酸化珪素（５質量％）、酸化硼素（１０質量％）、酸化ジルコニウム（３質量％）、酸化亜鉛（３質量％）および酸化アルミニウム（４質量％）からなるガラス粉末が用いられているが、ガラス粉末と軟磁性体粉末が焼成中に反応してしまうと、焼結体に含まれる磁性体部分の割合が減少するので、同じく高い透磁率を有する基材が得られにくいという問題がある。
【０００６】
このように、従来の感光性軟磁性体ペーストを硬化させて得られる基材では、高透磁率を得ることが困難であり、コモンモードチョークコイルや積層型ＬＣ部品などの磁性体基材として使用することが困難である。そのため、この感光性軟磁性体ペーストを用いて電子部品を作製すると、高性能な電子部品を得ることが困難である。
【０００７】
それゆえに、この発明の主たる目的は、高い透磁率を有する基材を得ることができる磁性体ペーストを提供することである。
また、この発明の目的は、このような磁性体ペーストを用いることにより、高性能な電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明にかかる磁性体ペーストは、平均粒径が０．５〜１０μｍの磁性体焼結粉末、ガラス粉末および有機成分を含み、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比について、磁性体焼結粉末／ガラス粉末の比率が８０／２０〜９０／１０の範囲にあり、ガラス粉末におけるＳｉＯ2の割合が７０〜９０質量％であることを特徴とする、磁性体ペーストである。
この発明にかかる磁性体ペーストでは、磁性体焼結粉末の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であることを特徴としている。これは、平均粒径が０．５〜１０μｍの微粒の磁性体焼結粉末を用いることで、焼成時に焼結によって磁性体粉末同士が粒成長を起こし、高い透磁率および高い抗折強度を有する焼結体を得ることができるからである。一方、磁性体焼結粉末の平均粒径が０．５μｍ未満となると、磁性体焼結粉末を製造することが困難になるとともに、磁性体焼結粉末を製造することができたとしても粒径が小さくなることにより高い透磁率が得られなくなるので、好ましくない。また、磁性体焼結粉末の平均粒径が１０μｍを超えると、焼結体内に空隙が多くなり、抗折強度が小さくなるので、好ましくない。
さらに、この発明にかかる磁性体ペーストでは、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比（磁性体焼結粉末／ガラス粉末）が８０/２０〜９０/１０の範囲にあることも特徴としている。これは、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比（磁性体焼結粉末／ガラス粉末）をそのような範囲にすることで、無機成分中の磁性体粉末の割合が大きくなり、高い透磁率および高い抗折強度を有する焼結体を得ることができるからである。一方、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比（磁性体焼結粉末／ガラス粉末）が８０／２０未満になると、焼結体中の磁性体の割合が低下して、透磁率が低下するので、好ましくない。また、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比（磁性体焼結粉末／ガラス粉末）が９０／１０を超えると、焼結体の抗折強度が低下するので、好ましくない。
さらに、この発明にかかる磁性体ペーストでは、ガラス粉末におけるＳｉＯ2の割合が７０〜９０質量％であることも特徴としている。これは、ガラス粉末中に含まれるＳｉＯ2の割合を７０〜９０質量％とすることで、焼成時の磁性体粉末とガラス粉末との反応が抑制され、高い透磁率および高い抗折強度を有する焼結体を得ることができるからである。一方、ＳｉＯ2の割合が９０質量％を超えると、焼結性が低下し、十分な抗折強度が得られなくなるとともに、透磁率も低下するので、好ましくない。また、ＳｉＯ2の割合が７０質量％を下回ると、磁性体粉末とガラス粉末との反応が進み、焼結体に含まれる磁性体部分の割合が低下し、高い透磁率を有する焼結体を得ることができないので、好ましくない。
【０００９】
この発明にかかる磁性体ペーストでは、磁性体焼結粉末の平均粒径が０．７〜３μｍであることを特徴とすることが好ましい。これは、このように磁性体焼結粉末の平均粒径を０．７〜３μｍとすると、焼結体の透磁率および抗折強度がさらに高くなるからである。
【００１０】
また、この発明にかかる電子部品は、この発明にかかる磁性体ペーストを硬化して基材を形成し、基材上に電極パターンを形成し、電極パターンを形成した基材を焼成することにより形成される、電子部品である。
この発明にかかる磁性体ペーストを用いることにより、高い透磁率および高い抗折強度を有する基材を得ることができる。したがって、この基材に電極パターンを形成し、焼成することによって、高透磁率を利用した電子部品を得ることができる。
【００１１】
この発明にかかる電子部品は、例えば、電極パターンを形成した複数の基材を積層して積層体を形成し、積層体を焼成することにより形成することができる。
電極パターンを形成した複数の基材を積層し、得られた積層体を焼成することにより、積層型の電子部品を得ることができる。したがって、インダクタンスを利用した高性能の積層型コモンモードチョークコイルや積層型ＬＣ部品などを作製することができる。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、高い透磁率を有する基材を作製することができる磁性体ペーストを得ることができる。このように作製された基板は、付随的に高い抗折強度も有する。
また、この発明にかかる磁性体ペーストを用いて形成した基材を用いることにより、高透磁率を利用したインダクタンスを有する高性能な電子部品を得ることができる。このように得られた電子部品は、付随的に破損しにくい。
【００１３】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明にかかる磁性体ペーストを用いた積層型コモンモードチョークコイルの製造工程を示す斜視図である。
【図２】この発明にかかる電子部品としての積層型コモンモードチョークコイルを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
この発明にかかる磁性体ペーストは、磁性体焼結粉末と、ガラス粉末と、有機成分と、溶剤とを含む。
【００１６】
磁性体焼結粉末としては、たとえば、Ｆｅ2Ｏ3−ＮｉＯ−ＣｕＯ−ＺｎＯ系フェライトなどの軟磁性体の焼結粉末が用いられる。このような磁性体焼結粉末としては、０．５〜１０μｍの平均粒径を有するものが用いられる。この場合、このような磁性体焼結粉末としては、好ましくは、０．７〜３μｍの平均粒径を有するものが用いられる。なお、磁性体焼結粉末は、９００℃以上の温度で焼結させた焼結粉末であることが好ましい。これは、９００℃以上の温度で焼結することで、スピネル相の生成率が高くなり、仮焼粉末を用いた場合などに比べて、粉末自体の透磁率を高くすることができるとともに、ガラスとの反応が抑制されるので、高い透磁率を有する焼結体を得ることができるからである。
【００１７】
また、ガラス粉末としては、たとえば、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｋ2Ｏ系ガラスやＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ−ＺｎＯ系ガラスなどのＳｉＯ2含むガラスが用いられる。このようなガラス粉末としては、ガラス粉末におけるＳｉＯ2の割合が７０〜９０質量％となるように調整される。また、磁性体焼結粉末とガラス粉末との混合比率としては、磁性体焼結粉末／ガラス粉末の質量比が８０／２０〜９０／１０の比率となるように調整される。
【００１８】
さらに、有機成分としては、たとえば、アクリルポリマーと光反応性モノマーと光重合開始剤などが用いられる。ここで、たとえば、光反応性モノマーとして、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、光重合開始剤として、２，４−ジエチルチオキサントン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイドの混合物が用いられる。
【００１９】
さらに、溶剤としては、たとえば、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルが用いられる。
【００２０】
この発明にかかる磁性体ペーストには、消泡剤などのその他の添加剤が添加されてもよい。
【００２１】
なお、ここでは、有機成分として光硬化性の有機成分を例示したが、必ずしも光硬化性の材料を用いる必要はない。この発明にかかる磁性体ペーストは、硬化して基材を形成したのち、最終的に焼成されて電子部品の磁性体素材を得ることができるが、光硬化以外の方法で磁性体ペーストを硬化させてもよい。この場合、磁性体ペーストの硬化方法に応じて、有機成分を選択することができる。
【００２２】
磁性体ペーストは、これらの材料を含むものであり、たとえば、積層型電子部品を作製するために用いられる。たとえば、積層型コモンモードチョークコイルを作製する場合、図１に示すように、積層体１０が形成される。積層体１０を形成するために、平面状のベース上に磁性体ペーストが塗布され、光硬化させることにより、積層体１０に用いられる板状の基材が形成される。
【００２３】
積層体１０は、第１の基材１２を含み、第１の基材１２上に電極ペーストなどを用いて第１の引出し電極パターン１４が形成される。第１の引出し電極パターン１４は、第１の基材１２の一端から中央部に延びるように形成される。第１の基材１４の一端において、第１の引出し電極パターン１４は、端縁の中央部から一方側にずれた位置に引き出される。
【００２４】
第１の基材１２の下面には、第２の基材１６が配置される。第２の基材１６上には、第１の巻線電極パターン１８が形成される。第１の巻線電極パターン１８は、第２の基材１６の中央部から外側に向かって渦巻き状に形成され、第１の引出し電極パターン１４が引き出された端部に対向する端部に引き出される。第１の引出し電極パターン１４と第１の巻線電極パターン１８とは、互いに対向する位置に引き出される。第１の引出し電極パターン１４と第１の巻線電極パターン１８とは、第１の基材１２の中央部に形成されたビアホール２０において接続される。
【００２５】
第２の基材１６の下面には、第３の基材２２が配置される。第３の基材２２上には、第２の巻線電極パターン２４が形成される。第２の巻線電極パターン２４は、第３の基材２２の中央部から外側に向かって渦巻き状に形成され、第１の巻線電極パターン１８が引き出された端部に引き出される。ここで、第１の巻線電極パターン１８の引出し位置から間隔を隔てた位置に、第２の巻線電極パターン２４が引き出される。第１の巻線電極パターン１８と第２の巻線電極パターン２４とは、同じ向きに巻回するように形成される。
【００２６】
第３の基材２２の下面には、第４の基材２６が配置される。第４の基材２６上には、第２の引出し電極パターン２８が形成される。第２の引出し電極パターン２８は、第１の引出し電極パターン１４の引き出された側の端部から第４の基材２６の中央部に延びるように形成される。第２の引出し電極パターン２８は、第１の引出し電極パターン１４と同じ側の端部において、第１の引出し電極パターン１４と間隔を隔てた位置に引き出される。第２の巻線電極パターン２４と第２の引出し電極パターン２８とは、第３の基材２２の中央部に形成されたビアホール３０において接続される。
【００２７】
第１の基材１２の上面および第４の基材２６の下面には、電極パターンの形成されていない基材３２が配置される。これらの基材１２、１６、２２、２６、３２が積層されて、積層体１０が形成される。積層体１０の端部において、第１の引出し電極パターン１４、第１の巻線電極パターン１８、第２の巻線電極パターン２４、第２の引出し電極パターン２８に接続されるようにして、４つの外部電極パターンが形成される。そして、外部電極パターンが形成された積層体１０を焼成することにより、図２に示すように、基体３４の対向する端部に外部電極３６ａ、３６ｂ、３６ｃ、３６ｄを有する積層型コモンモードチョークコイル４０が形成される。
【００２８】
なお、この磁性体ペーストを用いることにより、積層型コモンモードチョークコイル以外にも、積層型ＬＣ部品などの電子部品を作製することができる。この場合、コンデンサを形成するためのコンデンサ用電極の間には、誘電体材料で形成された基材が用いられ、インダクタンス形成部における基材として磁性体ペーストで形成された基材が用いられる。
【００２９】
この磁性体ペーストでは、磁性体焼結粉末が用いられているので、磁性体仮焼結粉末を用いた場合に比べて、高い透磁率および高い強度を有する磁性体粉末を得ることができる。たとえば、１０００℃以上で焼結した磁性体粉末を用いることにより、基材を磁性体粉末の焼結温度より低い８００〜９００℃で焼成しても、高い透磁率を得ることができる。
【００３０】
また、この磁性体ペーストでは、平均粒径が０．５〜１０μｍの微粒の磁性体焼結粉末が用いられているので、焼成時に焼結によって磁性体粉末同士が粒成長を起こし、高い透磁率および高い抗折強度を有する焼結体を得ることができる。この磁性体ペーストでは、特に、平均粒径が０．７〜３μｍの微粒の磁性体焼結粉末が用いられると、さらに高い透磁率およびさらに高い抗折強度を有する焼結体を得ることができる。
【００３１】
さらに、この磁性体ペーストでは、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比（磁性体焼結粉末／ガラス粉末）が８０/２０〜９０/１０の範囲にしているので、無機成分中の磁性体粉末の割合が大きくなり、高い透磁率および高い抗折強度を有する焼結体を得ることができる。
【００３２】
さらに、この磁性体ペーストでは、ガラス粉末におけるＳｉＯ2の割合が７０〜９０質量％としているので、焼成時の磁性体粉末とガラス粉末との反応が抑制され、高い透磁率および高い抗折強度を有する焼結体を得ることができる。
【００３３】
このように、この発明にかかる磁性体ペーストを用いることにより、高い透磁率および高い抗折強度を有する基材を得ることができる。そのため、このような基材を用いて電子部品を形成することにより、良好な特性を有するインダクタンス成分を含む高強度の電子部品を得ることができる。
【００３４】
（実験例）
実験例では、本発明にかかる磁性体ペーストなどを用いて形成された基材（焼結体）の透磁率および抗折強度を調べるために、実験を行った。
【００３５】
まず、磁性体焼結粉末として、Ｆｅ2Ｏ3−ＮｉＯ−ＣｕＯ−ＺｎＯ系フェライトを準備した。この場合、磁性体焼結粉末の素原料として、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯを用意し、所定の組成となるように、これらの素原料を秤量した。これらの秤量物を純水及びＰＳＺボールとともに、塩化ビニル製のポットミルに入れ、湿式で混合粉砕し、蒸発乾燥した後、８００℃の温度で仮焼して、仮焼物を得た。
次に、これらの仮焼物を再び純水及びＰＳＺボールとともに、塩化ビニル製のポットミルに入れ、湿式で粉砕して、粉砕物を得た。粉砕物を蒸発乾燥した後、９００〜１１００℃の温度で、２時間焼成して、焼成物を得た。
これらの焼成物を再び純水及びＰＳＺボールとともに、塩化ビニル製のポットミルに入れ、湿式で粉砕し、これを蒸発乾燥して、本発明にかかる磁性体ペーストに用いられる磁性体焼結粉末を作製した。さらに、粉砕時間を変えることで、平均粒径Ｄ５０が異なる磁性体焼結粉末を複数作製した。ここで、平均粒径は、堀場製作所製のレーザ回折散乱粒度分布測定装置ＬＡ−９２０で粒度分布を測定して求めた。
【００３６】
さらに、ガラス粉末として、次の２種類の組成を有した平均粒子径Ｄ５０が１μｍのガラスフリット１およびガラスフリット２を準備した。
ガラスフリット１：９０質量％ＳｉＯ2−９．１質量％Ｂ2Ｏ3−０．９質量％Ｋ2Ｏ：ガラス軟化点８１０℃
ガラスフリット２：４７質量％ＳｉＯ2−１７質量％Ｂ2Ｏ3−１９質量％ＣａＯ−１３質量％Ｌｉ2Ｏ−４質量％ＺｎＯ：ガラス軟化点７１８℃
【００３７】
また、樹脂成分および溶剤を含む感光性ワニスを作製した。この場合、感光性ワニスを作製するために、アクリルポリマー、光反応性モノマーとしてエトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、光重合開始剤として、２，４−ジエチルチオキサントン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、および溶剤としてジプロピレングリコールモノメチルエーテルなどを準備した。
次に、アクリルポリマーを２６．０質量％、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレートを２７．６質量％、２，４−ジエチルチオキサントンを２．８質量％、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オンを０．９質量％、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイドを１．４質量％、消泡剤などのその他の添加剤を１．０質量％、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルを４０．３質量％混合して、感光性ワニスを作製した。
【００３８】
そして、感光性磁性体ペーストを作製した。この場合、実験例で作製・準備した上述の磁性体焼結粉末、ガラスフリット１、ガラスフリット２、および感光性ワニスを、表１に示した質量比で混合し、この混合物を３本ロールミルで混練することで、感光性磁性体ペーストを作製した。なお、表１には、感光性磁性体ペーストに用いられる磁性体焼結粉末の平均粒径、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比（磁性体焼結粉末／ガラス粉末）、およびガラス粉末に含まれるＳｉＯ2の割合も示した。
【００３９】
【表１】
【００４０】
作製した感光性磁性体ペーストをポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フイルム上にドクターブレード法で膜形成、乾燥、膜形成を繰り返して厚み１ｍｍの塗膜を作製した。作製した塗膜をリング状および矩形状にそれぞれ打ち抜いて、８７０℃で３０分焼成して、リング状の試料（焼結体）および矩形状の試料（焼結体）を得た。
【００４１】
得られたリング状の試料について、アジレント社製のインピーダンスアナライザＥ４９９１Ａを用いて、１００ＭＨｚにおける透磁率を測定した。また、得られた矩形状の試料について、ＪＩＳＲ１６０１に基づいて抗折強度を測定した。それらの測定結果を表１に示した。
【００４２】
さらに、測定した透磁率および抗折強度を評価した評価結果を表１に示した。
ここで、透磁率については、１４以上１８未満のものが好ましいものとして「△」印で示し、１８以上のものがさらに好ましいものとして「○」印で示し、１４未満のものが好ましくないもとして「×」印で示した。
また、抗折強度については、２０ＭＰａ以上３０ＭＰａ未満のものが好ましいものとして「△」印で示し、３０ＭＰａ以上のものがさらに好ましいものとして「○」印で示し、２０ＭＰａ未満のものが好ましくないものとして「×」印で示した。
なお、表１において、試料番号に＊印を付したものは、本発明の範囲外のものであることを示す。
【００４３】
表１の試料番号１〜５、９〜１３、１６、１７から明らかなように、本発明の範囲内に調整した感光性磁性体ペーストを用いると、高い透磁率および高い抗折強度を有する磁性体を得ることができる。
また、試料番号１〜５、１０、１１、１６、１７に示すように、本発明の範囲内に調整した感光性磁性体ペーストにおいて磁性体焼結粉末の平均粒径を０．７〜３μｍの範囲にすると、さらに高い透磁率およびさらに高い抗折強度を有する磁性体を得ることができる。
【００４４】
それに対して、試料番号で示さないが、平均粒径が０．５μｍ未満となると、磁性体焼結粉末を製造することが困難になるとともに、磁性体焼結粉末を製造することができたとしても粒径が小さくなることにより高い透磁率が得られなくなる。
また、試料番号１４に示すように、磁性体焼結粉末の平均粒径が１０μｍを超えると、焼結体内に空隙が多くなり、抗折強度が小さくなる。
【００４５】
さらに、試料番号１５に示すように、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比（磁性体焼結粉末／ガラス粉末）が８０／２０未満になると、焼結体中の磁性体の割合が低下して、透磁率が低下する。
また、試料番号１８に示すように、磁性体焼結粉末とガラス粉末との質量比（磁性体焼結粉末／ガラス粉末）が９０／１０を超えると、焼結体の抗折強度が低下する。
【００４６】
さらに、試料番号で示さないが、ＳｉＯ2の割合が９０質量％を超えると、焼結性が低下し、十分な抗折強度が得られなくなるとともに、透磁率も低下する。
また、試料番号６〜８に示すように、ＳｉＯ2の割合が７０質量％を下回ると、磁性体粉末とガラス粉末との反応が進み、焼結体に含まれる磁性体部分の割合が低下し、高い透磁率を有する焼結体を得ることができない。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
この発明にかかる磁性体ペーストは、特に、インダクタンスを利用した積層型コモンモードチョークコイルや積層型ＬＣ部品などの積層電子部品に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００４８】
１０ 積層体
１２ 第１の基材
１４ 第１の引出し電極パターン
１６ 第２の基材
１８ 第１の巻線電極パターン
２０ ビアホール
２２ 第３の基材
２４ 第２の巻線電極パターン
２６ 第４の基材
２８ 第２の引出し電極パターン
３０ ビアホール
３２ 基材
３４ 基体
３６ａ、３６ｂ、３６ｃ、３６ｄ 外部電極
４０ 積層型コモンモードチョークコイル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径が０．５〜１０μｍの磁性体焼結粉末、ガラス粉末および有機成分を含み、
前記磁性体焼結粉末と前記ガラス粉末との質量比について、磁性体焼結粉末／ガラス粉末の比率が８０／２０〜９０／１０の範囲にあり、
前記ガラス粉末におけるＳｉＯ2の割合が７０〜９０質量％であることを特徴とする、磁性体ペースト。
【請求項２】
前記磁性体焼結粉末の平均粒径が０．７〜３μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の磁性体ペースト。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の磁性体ペーストを硬化して基材を形成し、前記基材上に電極パターンを形成し、前記電極パターンを形成した前記基材を焼成することにより形成される、電子部品。
【請求項４】
前記電極パターンを形成した複数の前記基材を積層して積層体を形成し、前記積層体を焼成することにより形成される、請求項３に記載の電子部品。
【請求項１】
平均粒径が０．５〜１０μｍの磁性体焼結粉末、ガラス粉末および有機成分を含み、
前記磁性体焼結粉末と前記ガラス粉末との質量比について、磁性体焼結粉末／ガラス粉末の比率が８０／２０〜９０／１０の範囲にあり、
前記ガラス粉末におけるＳｉＯ2の割合が７０〜９０質量％であることを特徴とする、磁性体ペースト。
【請求項２】
前記磁性体焼結粉末の平均粒径が０．７〜３μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の磁性体ペースト。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の磁性体ペーストを硬化して基材を形成し、前記基材上に電極パターンを形成し、前記電極パターンを形成した前記基材を焼成することにより形成される、電子部品。
【請求項４】
前記電極パターンを形成した複数の前記基材を積層して積層体を形成し、前記積層体を焼成することにより形成される、請求項３に記載の電子部品。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１２−２５３２１０（Ｐ２０１２−２５３２１０Ａ）
【公開日】平成２４年１２月２０日（２０１２．１２．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１２４９８９（Ｐ２０１１−１２４９８９）
【出願日】平成２３年６月３日（２０１１．６．３）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月２０日（２０１２．１２．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月３日（２０１１．６．３）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
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