積層型電子部品
【課題】設計値から予測できない減衰極を制御して、所望する周波数に減衰極を有する積層型電子部品を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明に係る積層型電子部品１００は、複数の絶縁基板Ｄ１からＤ１６を積層してなる積層体を形成する積層型電子部品であって、前記積層体の側面に形成されたグランド用側面電極１００ａ、１００ｃまたは１００ｅと、前記グランド用側面電極の幅ｗ２よりも太い幅ｗ１の引き出し線１５１〜１５６で前記のグランド用側面電極１００ａ、１００ｃ及び１００ｅと接続されるグランド電極パターン１２６、１３１が形成される絶縁基板Ｄ１４、Ｄ１６を備える。
【解決手段】本発明に係る積層型電子部品１００は、複数の絶縁基板Ｄ１からＤ１６を積層してなる積層体を形成する積層型電子部品であって、前記積層体の側面に形成されたグランド用側面電極１００ａ、１００ｃまたは１００ｅと、前記グランド用側面電極の幅ｗ２よりも太い幅ｗ１の引き出し線１５１〜１５６で前記のグランド用側面電極１００ａ、１００ｃ及び１００ｅと接続されるグランド電極パターン１２６、１３１が形成される絶縁基板Ｄ１４、Ｄ１６を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型電子部品に関し、特に高周波で使用される積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のローパスフィルタ回路は、第１のコイル素子Ｌ１と第１の容量素子Ｃ１とからなる第１の共振回路部分と、第２のコイル素子Ｌ２と第２の容量素子Ｃ２とからなる第２の共振回路部分とから構成され、第１のコイル素子Ｌ１のインダクタンスの値と第１の容量素子Ｃ１の容量の値から決まる周波数において第１の減衰極を発生させ、第２のコイル素子Ｌ２のインダクタンスの値と第２の容量素子Ｃ２の容量の値から決まる周波数において第２の減衰極を発生させ、かかる周波数帯の信号を遮断して、それよりも低周波数の信号を通過させている（特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２２０３１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のローパスフィルタ回路を用いた積層型電子部品を、例えば、携帯電話のようなＧＨｚ帯の周波数の電気信号を使用する機器で使用すると、設計値から予測できない減衰極が発生し、当該減衰極を制御することができなかった。
【０００５】
本発明の目的は、上記課題を解決し、設計値から予測できない減衰極を制御して、所望する周波数に減衰極を有する積層型電子部品を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る積層型電子部品は、複数の絶縁基板を積層してなる積層体を形成する積層型電子部品であって、前記積層体の側面に形成されたグランド用側面電極と、前記グランド用側面電極の幅よりも太い幅の引き出し線で前記のグランド用側面電極と接続されるグランド電極パターンが形成される絶縁基板とを備える。
【０００７】
本発明によれば、グランド用側面電極の幅よりも太い引き出し線で側面電極とグランド電極パターンが接続されるので、引き出し線で発生する寄生インダクタの値を小さくできる。その結果、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を高周波数側に移動させることができる。
【０００８】
本発明に係る積層型電子部品において、前記グランド用側面電極が複数ある場合には、前記絶縁基板は、前記グランド用側面電極の幅よりも太い幅の引き出し線で前記複数のグランド用側面電極の少なくとも一部と接続されるグランド電極パターンが形成される絶縁基板である。本発明によれば、グランド用側面電極が複数ある場合には、グランド用側面電極の幅よりも太い幅の引き出し線で、複数のグランド用側面電極の少なくとも１つと接続されていればよい。引き出し線で発生する寄生インダクタの１つでも小さくなれば、合成インダクタは小さくなるからである。この場合、残りの引き出し線の幅は、側面電極の幅以下となる。なお、グランド電極パターンは、グランド用側面電極の幅よりも太い幅の引き出し線で、全部のグランド用側面電極が接続されてもよい。この場合、残りの引き出し線の数はゼロとなる。
【０００９】
本発明に係る積層型電子部品において、前記絶縁基板は、第１の引き出し線幅の引き出し線で前記複数のグランド用側面電極の少なくとも一部と接続され、残りのグランド用側面電極とは前記第１の引き出し線幅とは異なる引き出し線幅の引き出し線で接続されるグランド電極パターンが形成される絶縁基板である。本発明によれば、グランド用側面電極とグランド電極パターンを接続する引き出し線の幅をグランド用側面電極ごとに任意に設定するので、各引き出し線による寄生インダクタの値を任意に制御できる。その結果、寄生インダクタの合成インダクタンスの値も制御できるので、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を任意に制御できる。
【００１０】
本発明に係る積層型電子部品はさらに、一端が前記グランド電極パターンに接続される受動素子を形成する電極パターンが形成される第２の絶縁基板を備える。積層体内の絶縁基板に受動素子が形成されている場合は、グランド用側面電極とグランド電極パターン間の引き出し配線による寄生インダクタが受動素子に対して影響を与えるが、本発明によれば寄生インダクタによるインダクタンスを減少させることができるので、電気特性を良くする効果がある。
【００１１】
本発明に係る積層型電子部品は、前記受動素子は容量素子である。グランド電極パターンが接続される受動素子が容量素子の場合は、容量素子の容量を変更することで、ほかの減衰極に影響を与えることなく減衰極を制御することは困難であるが、本発明によれば、容易に制御できる。
【００１２】
本発明に係る積層型電子部品は、前記容量素子は、前記グランド電極パターンが容量素子を構成する一方の電極である容量素子である。本発明によれば、容量素子の一方の電極をグランド電極パターンと同一にすることにより、一方の電極とグランド電極パターン間の配線がなくなるため、寄生インダクタの発生を防止できる。また、絶縁基板を減らすことにより製造コストを下げることができる。
【００１３】
本発明に係る積層型電子部品は、積層型電子部品はフィルタ回路またはダイプレクサ回路またはマルチプレクサ回路のいずれかを構成する。本発明は、マルチプレクサ回路、あるいはダイプレクサ回路、あるいはローパスフィルタに代表されるフィルタ回路、特に高周波用のローパスフィルタ回路に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態をいくつかの実施例に基づいて以下の順序で説明する。
Ａ．第１の実施例に係るダイプレクサ１００：
Ｂ．第２の実施例に係るローパスフィルタ２００：
Ｃ．変形例：
【００１５】
Ａ．第１の実施例に係るダイプレクサ１００：
図１から図３を参照して、第１の実施例に係るダイプレクサ１００について説明する。図１は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の外観を模式的に示す説明図である。図２は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００を構成する絶縁基板を展開して示す斜視図である。図３は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の等価回路を示す説明図である。
【００１６】
ダイプレクサ１００は、複数の絶縁基板Ｄ１からＤ１６を積層してなる積層体を形成している集積型電子部品であり、上から順に絶縁基板Ｄ１から絶縁基板Ｄ１６までの１６枚の絶縁基板で構成されている。積層体の側面には、絶縁基板Ｄ１から絶縁基板Ｄ１６にまでわたる凹部が６つ形成され、凹部には側面電極１００ａから１００ｆが形成されている。なお、図２に示す斜視図では、凹部は省略して図示してある。
【００１７】
側面電極１００ａ、１００ｃ、１００ｅは、外部基板のグランド電極に接続されるグランド端子（ＧＮＤ）である。図３に示す等価回路において、側面電極１００ｄは、ローパスフィルタ端子（ＬＰＦ）１０２、側面電極１００ｆは、ハイパスフィルタ端子（ＨＰＦ）１１１、側面電極１００ｂはアンテナ端子（ＡＮＴ）１０５に相当する。
【００１８】
絶縁基板Ｄ１は蓋であり、素子を形成する電極パターンは形成されておらず、絶縁基板Ｄ２から絶縁基板Ｄ１６にかけて、コイル素子、容量素子、グランド電極を形成する電極パターンが形成されている。
【００１９】
絶縁基板Ｄ２から絶縁基板Ｄ１２には、図示しない電極パターンがそれぞれ形成されている。これら電極パターンは、それぞれ図３の等価回路に示す容量素子Ｃ７とＣ８とＣ１０とコイル素子Ｌ７とＬ８とを形成する。
【００２０】
以下、第１の実施例に係るダイプレクサ１００における特徴的な構成要素である絶縁基板Ｄ１３からＤ１６について詳細に説明する。絶縁基板Ｄ１３には、第１の電極パターン１２４と第２の電極パターン１２５とが形成され、絶縁基板Ｄ１４には、第３の電極パターン１２６が形成され、絶縁基板Ｄ１５には、第４の電極パターン１２８と第５の電極パターン１２９とが形成され、絶縁基板Ｄ１６には第６の電極パターン１３１が形成されている。
【００２１】
絶縁基板Ｄ１３の第２の電極パターン１２５と絶縁基板Ｄ１５の第５の電極パターン１２９とはスルーホール配線１３２で接続され、絶縁基板Ｄ１４の第３の電極パターン１２６と絶縁基板Ｄ１６の第６の電極パターン１３１とはスルーホール配線１３３で接続されている。
【００２２】
第１の電極パターン１２４と第３の電極パターン１２６とが重なる部分、及び第３の電極パターン１２６と第４の電極パターン１２８とが重なる部分、及び第４の電極パターン１２８と第６の電極パターン１３１とが重なる部分には図３の等価回路に示す容量素子Ｃ６が形成されている。第２の電極パターン１２５と第３の電極パターン１２６とが重なる部分、及び第３の電極パターン１２６と第５の電極パターン１２９とが重なる部分、及び第５の電極パターン１２９と第６の電極パターン１３１とが重なる部分には、図３の等価回路に示す容量素子Ｃ９が形成されている。
【００２３】
第３の電極パターン１２６は、引き出し線１５１、１５２、１５３により側面電極１００ａ、１００ｃ及び１００ｅに接続されている。側面電極１００ａ、１００ｃ及び１００ｅは、外部基板のグランドに接続されるグランド電極であることから、第３の電極パターン１２６はグランド電極である。ここで、引き出し線１５１、１５２、１５３の幅ｗ１は、側面電極１００ａ、１００ｃ及び１００ｅの幅ｗ２よりも太い。
【００２４】
また、第６の電極パターン１３１は、引き出し線１５４、１５５、１５６により側面電極１００ａ、１００ｃ及び１００ｅに接続されている。側面電極１００ａ、１００ｃ及び１００ｅは、外部基板のグランドに接続されているグランド電極であることから、第６の電極パターン１３１はグランド電極である。ここで、引き出し線１５４、１５５、１５６の幅ｗ１は、側面電極１００ａ、１００ｃ及び１００ｅの幅ｗ２よりも太い。
【００２５】
図２及び図４を参照して、第１の実施例に係るダイプレクサと従来のダイプレクサ４００の構造の違いを比較する。図４は、従来のダイプレクサ４００を構成する絶縁基板Ｅ１からＥ１６を展開して示す斜視図である。
【００２６】
従来のダイプレクサ４００は、積層体の側面に側面電極４００ａから４００ｆが形成されている点、絶縁基板Ｅ１３上に第１の電極パターン４２４と第２の電極パターン４２５が形成され、絶縁基板Ｅ１４上に第３の電極パターン４２６が形成され、絶縁基板Ｅ１５上に第４の電極パターン４２８と第５の電極パターン４２９が形成され、絶縁基板Ｅ１６上に第６の電極パターン４３１が形成されている点、第２の電極パターン４２５と第５の電極パターン４２９とがスルーホール配線４３２で接続され、第３の電極パターン４２６と第６の電極パターン４３１とがスルーホール配線４３３で接続されている点は同じである。
【００２７】
しかし、従来のダイプレクサ４００では、側面電極の幅ｗ２よりも細い幅ｗ３の引き出し線４５１、４５２、４５３により、第３の電極パターン４２６とグランド用側面電極４００ａ、４００ｃ、４００ｅとが接続され、側面電極の幅ｗ２よりも細い幅ｗ３の引き出し線４５４、４５５、４５６により、第６の電極パターン４３１とグランド用側面電極４００ａ、４００ｃ、４００ｅとが接続されている。
【００２８】
従来のダイプレクサ４００において、引き出し線４５１から４５６は、長さと幅のある配線であるから、それぞれ寄生インダクタＬｓ９'からＬｓ１４'が発生する。一方、第１の実施例に係るダイプレクサ１００でも引き出し線１５１から１５６には寄生インダクタＬｓ９からＬｓ１４が発生する。したがって、第１の実施例に係るダイプレクサ１００と従来のダイプレクサ４００とでは、発生する寄生インダクタの数は変わりがない。
【００２９】
しかし、上述したように、従来のダイプレクサ４００の引き出し線４５１から４５６の幅ｗ３は、側面電極４００ａ、４００ｃまたは４００ｅの幅ｗ２よりも細いのに対し、第１の実施例に係るダイプレクサ１００では、引き出し線１５１から１５６の幅ｗ１は、側面電極１００ａ、１００ｃまたは１００ｅの幅ｗ２より太い。
【００３０】
そこで、対応するインダクタの大きさを比較すると、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の引き出し線の幅ｗ１＞側面電極の幅ｗ２＞従来のダイプレクサ４００の引き出し線の幅ｗ３、であるから、寄生インダクタＬｓ９のインダクタンスの大きさ＜寄生インダクタＬｓ９'のインダクタンスの大きさ、寄生インダクタＬｓ１０のインダクタンスの大きさ＜寄生インダクタＬｓ１０'のインダクタンスの大きさ、寄生インダクタＬｓ１１のインダクタンスの大きさ＜寄生インダクタＬｓ１１'のインダクタンスの大きさ、寄生インダクタＬｓ１２のインダクタンスの大きさ＜寄生インダクタＬｓ１２'のインダクタンスの大きさ、寄生インダクタＬｓ１３のインダクタンスの大きさ＜寄生インダクタＬｓ１３'のインダクタンスの大きさ、寄生インダクタＬｓ１４のインダクタンスの大きさ＜寄生インダクタＬｓ１４'のインダクタンスの大きさ、となる。
【００３１】
したがって、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の６つの寄生インダクタ（Ｌｓ９からＬｓ１４）の合成インダクタンスの値は、従来のダイプレクサ４００の６つの寄生インダクタ（Ｌｓ９'からＬｓ１４'）の合成インダクタンスの値より小さい。
【００３２】
図５を用いて、第１の実施例に係るダイプレクサと従来のダイプレクサの電気特性の違いを説明する。図５は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００と従来のダイプレクサ４００の電気特性を比較するグラフである。図５において、横軸は周波数、縦軸は減衰量を示している。曲線Ａが第１の実施例に係るダイプレクサ１００の電気特性であり、曲線Ｂが従来のダイプレクサ４００の電気特性である。第１の実施例に係るダイプレクサ１００の電気特性を従来のダイプレクサ４００の電気特性と比較すると、従来のダイプレクサ４００では６．５ＧＨｚ付近にあった減衰極が、第１の実施例に係るダイプレクサ１００では７．５ＧＨｚ付近に移動している。しかし、約３ＧＨｚまでの周波数帯域においては、第１の実施例に係るダイプレクサ１００と従来のダイプレクサ４００の電気特性（減衰特性）は変わりがない。したがって、第１の実施例に係るダイプレクサ１００によれば、３ＧＨｚまでの低周波数帯における電気特性に影響を与えることなく、６．５ＧＨｚ付近の高周波数帯で発生する減衰極を制御できる。
【００３３】
すなわち、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の寄生インダクタの合成インダクタンスは、従来のダイプレクサ４００の寄生インダクタの合成インダクタンスよりも小さくなり、寄生インダクタの合成インダクタンスによる共振周波数が大きくなり、６．５ＧＨｚ付近にあった減衰極が、７．５ＧＨｚ付近に移動する。しかし、寄生インダクタは、約３GHｚまでの低周波数帯における電気特性には影響を与えないため、所望する周波数域に減衰極を有する積層型電子部品を得ることができる。
【００３４】
以上説明したように、第１の実施例に係るダイプレクサ１００では、絶縁基板上のグランド電極パターンとグランド用側面電極を接続する引き出し線の幅ｗ１が側面電極の幅ｗ２よりも太い。その結果、絶縁基板上のグランド電極パターンとグランド用側面電極を接続する引き出し線による寄生インダクタのインダクタンスの値が小さくなり、寄生インダクタの合成インダクタンスの値も小さくなり、寄生インダクタによる減衰極を高周波数側に移動させることができる。すなわち、絶縁基板上のグランド電極パターンとグランド用側面電極を接続する引き出し線の幅を制御することにより、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を制御することができる。この場合に、３ＧＨｚまでの周波数帯における減衰量、減衰特性は、ほぼ同じであり、ダイプレクサ１００の３ＧＨｚまでの低周波数帯における電気特性を損なうことなく、寄生インダクタにより６．５ＧＨｚ付近の高周波帯で発生する減衰極を制御できる。
【００３５】
第１の実施例によれば、受動素子が容量素子であっても低周波数領域、例えば約３ＧＨｚにおける減衰特性（電気特性）に影響を与えることなく高周波数領域、例えば６．５ＧＨｚ付近の減衰極を制御できる。一般的に、受動素子が容量素子の場合であっても容量素子の容量を変更すれば、高周波数領域の減衰極は制御できるが、容量を変更して減衰極を制御しようとすると、低周波数領域の減衰特性も変わってしまう。すなわち、容量素子の容量の変更によっては、低周波数領域の電気特性（減衰特性）に影響を与えることなく高周波数領域の減衰極を制御することは困難である。また、受動素子が容量素子の場合には、容量素子を構成する電極の一方をグランド電極パターンと同一にすれば、容量素子を構成する電極の一方とグランド電極パターンの間の配線による寄生インダクタの発生を抑制できるために、特に有効である。また、製造コストも下げることができる。
【００３６】
なお、第１の実施例における極値は例示であり、ダイプレクサ回路を構成するコイル素子のインダクタンスの値、あるいは容量素子の容量の値により、減衰極の発生周波数は低い周波数または高い周波数へと変わり、さらに、電気特性（減衰特性）も変わり得るのはいうまでもない。
【００３７】
Ｂ．第２の実施例に係るローパスフィルタ２００：
図６から図８を参照して、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００について説明する。図６は、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の外観を模式的に示す説明図である。図７は、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００を構成する絶縁基板を展開して示す斜視図である。図８は、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の等価回路を示す説明図である。
【００３８】
ローパスフィルタ２００は、複数の絶縁基板Ｆ１からＦ７を積層してなる積層体状の集積型電子部品であり、上から順に絶縁基板Ｆ１から絶縁基板Ｆ７までの７枚の絶縁基板で構成されている。積層体の側面には、絶縁基板Ｆ１から絶縁基板Ｆ７にまでわたる凹部が６つ形成され、凹部には側面電極２００ａから２００ｆが形成されている。なお、図７に示す斜視図では、凹部は省略して図示してある。
【００３９】
側面電極２００ａ、２００ｂ、２００ｃ、２００ｅは、外部基板のグランド電極に接続されるグランド端子（ＧＮＤ）である。側面電極２００ｄは、図８に示す等価回路において、ローパスフィルタ２００の入力端子（ＩＮ）２０３、側面電極２００ｆはローパスフィルタ２００の出力端子（ＯＵＴ）２０４に相当する。
【００４０】
絶縁基板Ｆ１は、蓋であり、電極パターンは形成されておらず、絶縁基板Ｆ２から絶縁基板Ｆ７にかけて、コイル素子、容量素子が形成される。
【００４１】
絶縁基板Ｆ２から絶縁基板Ｆ５には、図示しない電極パターンがそれぞれ形成されている。これらの電極パターンは、図８に示す容量素子Ｃ１とＣ２及びコイル素子Ｌ１とＬ２とを形成する。
【００４２】
絶縁基板Ｆ６には第１の電極パターン２１６と第２の電極パターン２１７と第３の電極パターン２１８とが形成され、絶縁基板Ｆ７には第４の電極パターン２２０が形成されている。
【００４３】
第１の電極パターン２１６と第４の電極パターン２２０とが重なる部分で図８に示す容量素子Ｃ３が形成され、第２の電極パターン２１７と第４の電極パターン２２０とが重なる部分で図８に示す容量素子Ｃ５が形成され、第３の電極パターン２１８と第４の電極パターン２２０とが重なる部分で図８に示す容量素子Ｃ４が形成されている。
【００４４】
第１の電極パターン２１６は、側面電極２００ｄに接続されている。側面電極２００ｄは、上述したとおりローパスフィルタ２００の入力端子２０３である。第２の電極パターン２１７は、側面電極２００ｆに接続されている。側面電極２００ｆは、上述したとおりローパスフィルタの出力端子２０４である。第３の電極パターン２１８は、スルーホール配線（図示せず）で絶縁基板Ｆ２から絶縁基板Ｆ５上に形成されている容量素子Ｃ１、Ｃ２及びコイル素子Ｌ１、Ｌ２（図示せず）と接続されている。
【００４５】
第４の電極パターン２２０は、側面電極２００ａ、２００ｂ、２００ｃ及び２００ｅに接続されている。側面電極２００ａ、２００ｂ、２００ｃ及び２００ｅは、外部基板のグランド電極に接続されるグランド電極であることから、第４の電極パターン２２０はグランド電極である。第４の電極パターン２２０と側面電極２００ａ、２００ｂ、２００ｃ及び２００ｅとを接続する引き出し線の幅ｗ４は、側面電極２００ａ、２００ｂ、２００ｃまたは２００ｅの幅ｗ５よりも太い。
【００４６】
図７及び図９を参照して、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００と従来のローパスフィルタ３００との構造の違いを比較する。図９は、従来のローパスフィルタ３００を構成する絶縁基板を展開して示す斜視図である。
【００４７】
従来のローパスフィルタ３００は、積層体の側面に側面電極３００ａから３００ｆが形成されている点、絶縁基板Ｇ６上に第１の電極パターン３１６と第２の電極パターン３１７と第３の電極パターン３１８が形成され、絶縁基板Ｇ７上に第４の電極パターン３２０が形成されている点は同じである。
【００４８】
しかし、従来のローパスフィルタ３００では、側面電極の幅ｗ５よりも細い幅ｗ６の引き出し線３５１、３５２、３５３、３５４により、第４の電極パターン３２０とグランド用側面電極３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｅとが接続されている。
【００４９】
従来のローパスフィルタ３００において、引き出し線３５１から３５４は、長さと幅のある配線であるから、それぞれ寄生インダクタＬｓ３'からＬｓ６'が発生する。一方、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００でも、引き出し線２５１から２５４には、寄生インダクタＬｓ３からＬｓ６が発生する。したがって、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００と従来のローパスフィルタ３００とでは、寄生インダクタの数は変わらない。
【００５０】
しかし、上述したように、従来のローパスフィルタ３００の引き出し線３５１から３５４の幅ｗ６は、側面電極３００ａ、３００ｂ、３００ｃまたは３００ｅの幅ｗ５よりも細いのに対し、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００では、引き出し線２５１から２５４の幅ｗ４は、側面電極２００ａ、２００ｂ、２００ｃまたは２００ｅの幅ｗ５より太い。
【００５１】
そこで、対応するインダクタの値を比較すると、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の引き出し線の幅ｗ４＞側面電極の幅ｗ５＞従来のローパスフィルタ３００の引き出し線の幅ｗ６、であるから、寄生インダクタＬｓ３のインダクタンスの値＜寄生インダクタＬｓ３'のインダクタンスの値、寄生インダクタＬｓ４＜寄生インダクタＬｓ４'のインダクタンスの値、寄生インダクタＬｓ５＜寄生インダクタＬｓ５'のインダクタンスの値、寄生インダクタＬｓ６＜寄生インダクタＬｓ６'のインダクタンスの値、となる。
【００５２】
したがって、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の４つの寄生インダクタ（Ｌｓ３からＬｓ６まで）の合成インダクタンスの値は、従来のローパスフィルタ３００の４つの寄生インダクタ（Ｌｓ３'からＬｓ６'）の合成インダクタンスの値より小さい。
【００５３】
図１０を用いて、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００と従来のローパスフィルタ３００の電気特性の違いを説明する。図１０は、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００と従来のローパスフィルタ３００の電気特性を比較するグラフである。図１０において、横軸は周波数、縦軸は減衰量を示している。曲線Ａが第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の電気特性であり、曲線Ｂが従来のローパスフィルタ３００の電気特性である。第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の電気特性を従来技術のローパスフィルタ３００の電気特性と比較すると、従来のローパスフィルタ３００では６ＧＨｚ付近にあった減衰極が、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００では、６．５ＧＨｚ付近に移動している。しかし、約４ＧＨｚまでの周波数帯域においては、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００と従来のローパスフィルタ３００の電気特性（減衰特性）は変わりがない。したがって、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００によれば、４ＧＨｚまでの低周波数帯における電気特性に影響を与えることなく、６ＧＨｚ付近の高周波数帯で発生する減衰極を制御できる。
【００５４】
すなわち、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の寄生インダクタの合成インダクタンスは、従来のローパスフィルタ３００の寄生インダクタの合成インダクタンスよりも小さくなり、寄生インダクタの合成インダクタンスによる共振周波数が大きくなり、６ＧＨｚ付近にあった減衰極が、６．５ＧＨｚ付近に移動する。しかし、寄生インダクタは、約４GHｚまでの低周波数帯における電気特性には影響を与えないため、所望する周波数域に減衰極を有する積層型電子部品を得ることができる。
【００５５】
以上説明したように、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００でも第１の実施例に係るダイプレクサ１００と同様の効果が得られている。したがって、受動素子を備えた電子部品であれば、ダイプレクサ回路、フィルタ回路に限らず、例えば、マルチプレクサ回路でも効果がある。
【００５６】
なお、第２の実施例における極値は例示であり、ローパスフィルタ回路を構成するコイル素子のインダクタンスの値、あるいは容量素子の容量の値により、減衰極の発生周波数は低い周波数または高い周波数へと変わり、さらに、電気特性（減衰特性）も変わり得るのはいうまでもない。
【００５７】
Ｃ．変形例：
（１）第１の実施例及び第２の実施例においては、グランド電極パターンと側面電極とを接続する引き出し線の幅はすべて同幅で、側面電極の幅よりも太いとして説明したが、任意の引き出し線のみを側面電極の幅よりも太くし、その他の引き出し線の幅を側面電極の幅以下にしてもよい。この場合であっても当該引き出し線による寄生インダクタのインダクタンスの値は小さくなるので、寄生インダクタの合成インダクタンスは小さくなり、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を高周波側に移動させることができる。
【００５８】
（２）引き出し線のグランド用側面電極とグランド電極パターンを接続する引き出し線が複数ある場合には、少なくとも一部の引き出し線の幅を他の引き出し線の幅と変えてもよい。例えば、第１の実施例及び第２の実施例では、引き出し線の幅をグランド用側面電極の幅よりも太くしているが、一部の引き出し線の幅をグランド用側面電極の幅よりも細いが、他の引き出し線の幅よりも太くしてもよい。この場合であっても当該引き出し線による寄生インダクタのインダクタンスの値は小さくなるので、寄生インダクタの合成インダクタンスは小さくなり、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を高周波側に移動させることができる。
【００５９】
（３）第１の実施例及び第２の実施例では、引き出し線の幅をグランド用側面電極の幅よりも太くしているが、一部の引き出し線の幅を、他の引き出し線の幅よりも細くしてもよい。この場合には、当該引き出し線による寄生インダクタのインダクタンスの値は大きくなるので、寄生インダクタの合成インダクタンスは大きくなり、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を低周波側に移動させることができる。
【００６０】
したがって、変形例（２）（３）によれば、引き出し線の幅を、引き出し線ごとに任意に変えることも可能であり、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を所望の周波数に制御することも可能である。
【００６１】
（４）第１の実施例及び第２の実施例では引き出し線の幅を変えているが、引き出し線の幅だけでなく長さを変えてもよい。寄生インダクタのインダクタンスの値は、引き出し線の幅だけでなく長さにも影響を受けるため、引き出し線の長さを、引き出し線ごとに任意に変えることにより、あるいは、引き出し線の長さと幅を任意に調整することにより、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を所望の周波数に制御することも可能である。
【００６２】
（５）第１の実施例及び第２の実施例では、積層体の側面に凹部を形成し凹部に側面電極を形成しているが、凹部を形成せずに、側面電極を形成してもよい。引き出し線の幅、長さが同じであれば、凹部の有無は、寄生インダクタに影響を与えないため、凹部の有無により、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数は変わらないからである。
【００６３】
以上、いくつかの実施例に基づいて本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】第１の実施例に係るダイプレクサの外観を模式的に示す説明図。
【図２】第１の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す斜視図。
【図３】第１の実施例に係るダイプレクサの等価回路を示す説明図。
【図４】従来のダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す斜視図。
【図５】第１の実施例に係るダイプレクサと従来のダイプレクサの電気特性を比較するグラフ。
【図６】第２の実施例に係るローパスフィルタの外観を模式的に示す説明図。
【図７】第２の実施例に係るローパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す斜視図。
【図８】第２の実施例に係るローパスフィルタの等価回路を示す説明図。
【図９】従来のローパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す斜視図。
【図１０】第２の実施例に係るローパスフィルタと従来のローパスフィルタの電気特性を比較するグラフ。
【符号の説明】
【００６５】
１００...第１の実施例に係るダイプレクサ
１０２...第１の実施例に係るダイプレクサ１００のローパスフィルタ（ＬＰＦ）端子
１０５...第１の実施例に係るダイプレクサ１００のアンテナ（ＡＮＴ）端子
１１１...第１の実施例に係るダイプレクサ１００のハイパスフィルタ（ＨＰＦ）端子
１２４...第１の実施例に係るダイプレクサ１００の第１の電極パターン
１２５...第１の実施例に係るダイプレクサ１００の第２の電極パターン
１２６...第１の実施例に係るダイプレクサ１００の第３の電極パターン
１２８...第１の実施例に係るダイプレクサ１００の第４の電極パターン
１２９...第１の実施例に係るダイプレクサ１００の第５の電極パターン
１３１...第１の実施例に係るダイプレクサ１００の第６の電極パターン
１３２...電極パターン１２５と電極パターン１２９とを接続するスルーホール配線
１３３...電極パターン１２６と電極パターン１３１とを接続するスルーホール配線
１５１〜１５６...引き出し線
２００...第２の実施例に係るローパスフィルタ
２００ａ〜２００ｆ...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の側面電極
２０２...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の入力端子
２０３...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の出力端子
２１６...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の第１の電極パターン
２１７...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の第２の電極パターン
２１８...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の第３の電極パターン
２２０...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の第４の電極パターン
２５１〜２５４...引き出し線
３００...従来のローパスフィルタ
３１６...従来のローパスフィルタ３００の第１の電極パターン
３１７...従来のローパスフィルタ３００の第２の電極パターン
３１８...従来のローパスフィルタ３００の第３の電極パターン
３２０...従来のローパスフィルタ３００の第４の電極パターン
３５１〜３５４引き出し線
３００ａ〜３００ｆ...従来のローパスフィルタ３００の側面電極
４００...従来のダイプレクサ
４２４...従来のダイプレクサ４００の第１の電極パターン
４２５...従来のダイプレクサ４００の第２の電極パターン
４２６...従来のダイプレクサ４００の第３の電極パターン
４２８...従来のダイプレクサ４００の第４の電極パターン
４２９...従来のダイプレクサ４００の第５の電極パターン
４３１...従来のダイプレクサ４００の第６の電極パターン
４３２...電極パターン４２５と電極パターン４２９とを接続するスルーホール配線
４３３...電極パターン４２６と電極パターン４３１とを接続するスルーホール配線
４５１〜４５６...引き出し線
４００ａ〜４００ｆ...従来のダイプレクサ４００の側面電極
Ｃ１〜Ｃ１０...容量素子
Ｄ１〜Ｄ１６...第１の実施例に係るダイプレクサ１００の絶縁基板
Ｅ１〜Ｅ１６...従来のダイプレクサ４００の絶縁基板
Ｆ１〜Ｆ７...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の絶縁基板
Ｇ１〜Ｇ７...従来のローパスフィルタ３００の絶縁基板
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ７、Ｌ８...コイル素子
Ｌｓ３〜Ｌｓ６、Ｌｓ９〜Ｌｓ１４...寄生インダクタ
ｗ１...第１の実施例に係るダイプレクサ１００のグランド電極パターンと側面電極を接続する引き出し線の幅
ｗ２...ダイプレクサの側面電極の幅
ｗ３...従来のダイプレクサ４００のグランド電極パターンと側面電極を接続する引き出し線の幅
ｗ４...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００のグランド電極パターンと側面電極を接続する引き出し線の幅
ｗ５...ローパスフィルタの側面電極の幅
ｗ６...従来のローパスフィルタ３００のグランド電極パターンと側面電極を接続する引き出し線の幅
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型電子部品に関し、特に高周波で使用される積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のローパスフィルタ回路は、第１のコイル素子Ｌ１と第１の容量素子Ｃ１とからなる第１の共振回路部分と、第２のコイル素子Ｌ２と第２の容量素子Ｃ２とからなる第２の共振回路部分とから構成され、第１のコイル素子Ｌ１のインダクタンスの値と第１の容量素子Ｃ１の容量の値から決まる周波数において第１の減衰極を発生させ、第２のコイル素子Ｌ２のインダクタンスの値と第２の容量素子Ｃ２の容量の値から決まる周波数において第２の減衰極を発生させ、かかる周波数帯の信号を遮断して、それよりも低周波数の信号を通過させている（特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２２０３１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のローパスフィルタ回路を用いた積層型電子部品を、例えば、携帯電話のようなＧＨｚ帯の周波数の電気信号を使用する機器で使用すると、設計値から予測できない減衰極が発生し、当該減衰極を制御することができなかった。
【０００５】
本発明の目的は、上記課題を解決し、設計値から予測できない減衰極を制御して、所望する周波数に減衰極を有する積層型電子部品を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る積層型電子部品は、複数の絶縁基板を積層してなる積層体を形成する積層型電子部品であって、前記積層体の側面に形成されたグランド用側面電極と、前記グランド用側面電極の幅よりも太い幅の引き出し線で前記のグランド用側面電極と接続されるグランド電極パターンが形成される絶縁基板とを備える。
【０００７】
本発明によれば、グランド用側面電極の幅よりも太い引き出し線で側面電極とグランド電極パターンが接続されるので、引き出し線で発生する寄生インダクタの値を小さくできる。その結果、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を高周波数側に移動させることができる。
【０００８】
本発明に係る積層型電子部品において、前記グランド用側面電極が複数ある場合には、前記絶縁基板は、前記グランド用側面電極の幅よりも太い幅の引き出し線で前記複数のグランド用側面電極の少なくとも一部と接続されるグランド電極パターンが形成される絶縁基板である。本発明によれば、グランド用側面電極が複数ある場合には、グランド用側面電極の幅よりも太い幅の引き出し線で、複数のグランド用側面電極の少なくとも１つと接続されていればよい。引き出し線で発生する寄生インダクタの１つでも小さくなれば、合成インダクタは小さくなるからである。この場合、残りの引き出し線の幅は、側面電極の幅以下となる。なお、グランド電極パターンは、グランド用側面電極の幅よりも太い幅の引き出し線で、全部のグランド用側面電極が接続されてもよい。この場合、残りの引き出し線の数はゼロとなる。
【０００９】
本発明に係る積層型電子部品において、前記絶縁基板は、第１の引き出し線幅の引き出し線で前記複数のグランド用側面電極の少なくとも一部と接続され、残りのグランド用側面電極とは前記第１の引き出し線幅とは異なる引き出し線幅の引き出し線で接続されるグランド電極パターンが形成される絶縁基板である。本発明によれば、グランド用側面電極とグランド電極パターンを接続する引き出し線の幅をグランド用側面電極ごとに任意に設定するので、各引き出し線による寄生インダクタの値を任意に制御できる。その結果、寄生インダクタの合成インダクタンスの値も制御できるので、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を任意に制御できる。
【００１０】
本発明に係る積層型電子部品はさらに、一端が前記グランド電極パターンに接続される受動素子を形成する電極パターンが形成される第２の絶縁基板を備える。積層体内の絶縁基板に受動素子が形成されている場合は、グランド用側面電極とグランド電極パターン間の引き出し配線による寄生インダクタが受動素子に対して影響を与えるが、本発明によれば寄生インダクタによるインダクタンスを減少させることができるので、電気特性を良くする効果がある。
【００１１】
本発明に係る積層型電子部品は、前記受動素子は容量素子である。グランド電極パターンが接続される受動素子が容量素子の場合は、容量素子の容量を変更することで、ほかの減衰極に影響を与えることなく減衰極を制御することは困難であるが、本発明によれば、容易に制御できる。
【００１２】
本発明に係る積層型電子部品は、前記容量素子は、前記グランド電極パターンが容量素子を構成する一方の電極である容量素子である。本発明によれば、容量素子の一方の電極をグランド電極パターンと同一にすることにより、一方の電極とグランド電極パターン間の配線がなくなるため、寄生インダクタの発生を防止できる。また、絶縁基板を減らすことにより製造コストを下げることができる。
【００１３】
本発明に係る積層型電子部品は、積層型電子部品はフィルタ回路またはダイプレクサ回路またはマルチプレクサ回路のいずれかを構成する。本発明は、マルチプレクサ回路、あるいはダイプレクサ回路、あるいはローパスフィルタに代表されるフィルタ回路、特に高周波用のローパスフィルタ回路に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態をいくつかの実施例に基づいて以下の順序で説明する。
Ａ．第１の実施例に係るダイプレクサ１００：
Ｂ．第２の実施例に係るローパスフィルタ２００：
Ｃ．変形例：
【００１５】
Ａ．第１の実施例に係るダイプレクサ１００：
図１から図３を参照して、第１の実施例に係るダイプレクサ１００について説明する。図１は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の外観を模式的に示す説明図である。図２は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００を構成する絶縁基板を展開して示す斜視図である。図３は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の等価回路を示す説明図である。
【００１６】
ダイプレクサ１００は、複数の絶縁基板Ｄ１からＤ１６を積層してなる積層体を形成している集積型電子部品であり、上から順に絶縁基板Ｄ１から絶縁基板Ｄ１６までの１６枚の絶縁基板で構成されている。積層体の側面には、絶縁基板Ｄ１から絶縁基板Ｄ１６にまでわたる凹部が６つ形成され、凹部には側面電極１００ａから１００ｆが形成されている。なお、図２に示す斜視図では、凹部は省略して図示してある。
【００１７】
側面電極１００ａ、１００ｃ、１００ｅは、外部基板のグランド電極に接続されるグランド端子（ＧＮＤ）である。図３に示す等価回路において、側面電極１００ｄは、ローパスフィルタ端子（ＬＰＦ）１０２、側面電極１００ｆは、ハイパスフィルタ端子（ＨＰＦ）１１１、側面電極１００ｂはアンテナ端子（ＡＮＴ）１０５に相当する。
【００１８】
絶縁基板Ｄ１は蓋であり、素子を形成する電極パターンは形成されておらず、絶縁基板Ｄ２から絶縁基板Ｄ１６にかけて、コイル素子、容量素子、グランド電極を形成する電極パターンが形成されている。
【００１９】
絶縁基板Ｄ２から絶縁基板Ｄ１２には、図示しない電極パターンがそれぞれ形成されている。これら電極パターンは、それぞれ図３の等価回路に示す容量素子Ｃ７とＣ８とＣ１０とコイル素子Ｌ７とＬ８とを形成する。
【００２０】
以下、第１の実施例に係るダイプレクサ１００における特徴的な構成要素である絶縁基板Ｄ１３からＤ１６について詳細に説明する。絶縁基板Ｄ１３には、第１の電極パターン１２４と第２の電極パターン１２５とが形成され、絶縁基板Ｄ１４には、第３の電極パターン１２６が形成され、絶縁基板Ｄ１５には、第４の電極パターン１２８と第５の電極パターン１２９とが形成され、絶縁基板Ｄ１６には第６の電極パターン１３１が形成されている。
【００２１】
絶縁基板Ｄ１３の第２の電極パターン１２５と絶縁基板Ｄ１５の第５の電極パターン１２９とはスルーホール配線１３２で接続され、絶縁基板Ｄ１４の第３の電極パターン１２６と絶縁基板Ｄ１６の第６の電極パターン１３１とはスルーホール配線１３３で接続されている。
【００２２】
第１の電極パターン１２４と第３の電極パターン１２６とが重なる部分、及び第３の電極パターン１２６と第４の電極パターン１２８とが重なる部分、及び第４の電極パターン１２８と第６の電極パターン１３１とが重なる部分には図３の等価回路に示す容量素子Ｃ６が形成されている。第２の電極パターン１２５と第３の電極パターン１２６とが重なる部分、及び第３の電極パターン１２６と第５の電極パターン１２９とが重なる部分、及び第５の電極パターン１２９と第６の電極パターン１３１とが重なる部分には、図３の等価回路に示す容量素子Ｃ９が形成されている。
【００２３】
第３の電極パターン１２６は、引き出し線１５１、１５２、１５３により側面電極１００ａ、１００ｃ及び１００ｅに接続されている。側面電極１００ａ、１００ｃ及び１００ｅは、外部基板のグランドに接続されるグランド電極であることから、第３の電極パターン１２６はグランド電極である。ここで、引き出し線１５１、１５２、１５３の幅ｗ１は、側面電極１００ａ、１００ｃ及び１００ｅの幅ｗ２よりも太い。
【００２４】
また、第６の電極パターン１３１は、引き出し線１５４、１５５、１５６により側面電極１００ａ、１００ｃ及び１００ｅに接続されている。側面電極１００ａ、１００ｃ及び１００ｅは、外部基板のグランドに接続されているグランド電極であることから、第６の電極パターン１３１はグランド電極である。ここで、引き出し線１５４、１５５、１５６の幅ｗ１は、側面電極１００ａ、１００ｃ及び１００ｅの幅ｗ２よりも太い。
【００２５】
図２及び図４を参照して、第１の実施例に係るダイプレクサと従来のダイプレクサ４００の構造の違いを比較する。図４は、従来のダイプレクサ４００を構成する絶縁基板Ｅ１からＥ１６を展開して示す斜視図である。
【００２６】
従来のダイプレクサ４００は、積層体の側面に側面電極４００ａから４００ｆが形成されている点、絶縁基板Ｅ１３上に第１の電極パターン４２４と第２の電極パターン４２５が形成され、絶縁基板Ｅ１４上に第３の電極パターン４２６が形成され、絶縁基板Ｅ１５上に第４の電極パターン４２８と第５の電極パターン４２９が形成され、絶縁基板Ｅ１６上に第６の電極パターン４３１が形成されている点、第２の電極パターン４２５と第５の電極パターン４２９とがスルーホール配線４３２で接続され、第３の電極パターン４２６と第６の電極パターン４３１とがスルーホール配線４３３で接続されている点は同じである。
【００２７】
しかし、従来のダイプレクサ４００では、側面電極の幅ｗ２よりも細い幅ｗ３の引き出し線４５１、４５２、４５３により、第３の電極パターン４２６とグランド用側面電極４００ａ、４００ｃ、４００ｅとが接続され、側面電極の幅ｗ２よりも細い幅ｗ３の引き出し線４５４、４５５、４５６により、第６の電極パターン４３１とグランド用側面電極４００ａ、４００ｃ、４００ｅとが接続されている。
【００２８】
従来のダイプレクサ４００において、引き出し線４５１から４５６は、長さと幅のある配線であるから、それぞれ寄生インダクタＬｓ９'からＬｓ１４'が発生する。一方、第１の実施例に係るダイプレクサ１００でも引き出し線１５１から１５６には寄生インダクタＬｓ９からＬｓ１４が発生する。したがって、第１の実施例に係るダイプレクサ１００と従来のダイプレクサ４００とでは、発生する寄生インダクタの数は変わりがない。
【００２９】
しかし、上述したように、従来のダイプレクサ４００の引き出し線４５１から４５６の幅ｗ３は、側面電極４００ａ、４００ｃまたは４００ｅの幅ｗ２よりも細いのに対し、第１の実施例に係るダイプレクサ１００では、引き出し線１５１から１５６の幅ｗ１は、側面電極１００ａ、１００ｃまたは１００ｅの幅ｗ２より太い。
【００３０】
そこで、対応するインダクタの大きさを比較すると、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の引き出し線の幅ｗ１＞側面電極の幅ｗ２＞従来のダイプレクサ４００の引き出し線の幅ｗ３、であるから、寄生インダクタＬｓ９のインダクタンスの大きさ＜寄生インダクタＬｓ９'のインダクタンスの大きさ、寄生インダクタＬｓ１０のインダクタンスの大きさ＜寄生インダクタＬｓ１０'のインダクタンスの大きさ、寄生インダクタＬｓ１１のインダクタンスの大きさ＜寄生インダクタＬｓ１１'のインダクタンスの大きさ、寄生インダクタＬｓ１２のインダクタンスの大きさ＜寄生インダクタＬｓ１２'のインダクタンスの大きさ、寄生インダクタＬｓ１３のインダクタンスの大きさ＜寄生インダクタＬｓ１３'のインダクタンスの大きさ、寄生インダクタＬｓ１４のインダクタンスの大きさ＜寄生インダクタＬｓ１４'のインダクタンスの大きさ、となる。
【００３１】
したがって、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の６つの寄生インダクタ（Ｌｓ９からＬｓ１４）の合成インダクタンスの値は、従来のダイプレクサ４００の６つの寄生インダクタ（Ｌｓ９'からＬｓ１４'）の合成インダクタンスの値より小さい。
【００３２】
図５を用いて、第１の実施例に係るダイプレクサと従来のダイプレクサの電気特性の違いを説明する。図５は、第１の実施例に係るダイプレクサ１００と従来のダイプレクサ４００の電気特性を比較するグラフである。図５において、横軸は周波数、縦軸は減衰量を示している。曲線Ａが第１の実施例に係るダイプレクサ１００の電気特性であり、曲線Ｂが従来のダイプレクサ４００の電気特性である。第１の実施例に係るダイプレクサ１００の電気特性を従来のダイプレクサ４００の電気特性と比較すると、従来のダイプレクサ４００では６．５ＧＨｚ付近にあった減衰極が、第１の実施例に係るダイプレクサ１００では７．５ＧＨｚ付近に移動している。しかし、約３ＧＨｚまでの周波数帯域においては、第１の実施例に係るダイプレクサ１００と従来のダイプレクサ４００の電気特性（減衰特性）は変わりがない。したがって、第１の実施例に係るダイプレクサ１００によれば、３ＧＨｚまでの低周波数帯における電気特性に影響を与えることなく、６．５ＧＨｚ付近の高周波数帯で発生する減衰極を制御できる。
【００３３】
すなわち、第１の実施例に係るダイプレクサ１００の寄生インダクタの合成インダクタンスは、従来のダイプレクサ４００の寄生インダクタの合成インダクタンスよりも小さくなり、寄生インダクタの合成インダクタンスによる共振周波数が大きくなり、６．５ＧＨｚ付近にあった減衰極が、７．５ＧＨｚ付近に移動する。しかし、寄生インダクタは、約３GHｚまでの低周波数帯における電気特性には影響を与えないため、所望する周波数域に減衰極を有する積層型電子部品を得ることができる。
【００３４】
以上説明したように、第１の実施例に係るダイプレクサ１００では、絶縁基板上のグランド電極パターンとグランド用側面電極を接続する引き出し線の幅ｗ１が側面電極の幅ｗ２よりも太い。その結果、絶縁基板上のグランド電極パターンとグランド用側面電極を接続する引き出し線による寄生インダクタのインダクタンスの値が小さくなり、寄生インダクタの合成インダクタンスの値も小さくなり、寄生インダクタによる減衰極を高周波数側に移動させることができる。すなわち、絶縁基板上のグランド電極パターンとグランド用側面電極を接続する引き出し線の幅を制御することにより、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を制御することができる。この場合に、３ＧＨｚまでの周波数帯における減衰量、減衰特性は、ほぼ同じであり、ダイプレクサ１００の３ＧＨｚまでの低周波数帯における電気特性を損なうことなく、寄生インダクタにより６．５ＧＨｚ付近の高周波帯で発生する減衰極を制御できる。
【００３５】
第１の実施例によれば、受動素子が容量素子であっても低周波数領域、例えば約３ＧＨｚにおける減衰特性（電気特性）に影響を与えることなく高周波数領域、例えば６．５ＧＨｚ付近の減衰極を制御できる。一般的に、受動素子が容量素子の場合であっても容量素子の容量を変更すれば、高周波数領域の減衰極は制御できるが、容量を変更して減衰極を制御しようとすると、低周波数領域の減衰特性も変わってしまう。すなわち、容量素子の容量の変更によっては、低周波数領域の電気特性（減衰特性）に影響を与えることなく高周波数領域の減衰極を制御することは困難である。また、受動素子が容量素子の場合には、容量素子を構成する電極の一方をグランド電極パターンと同一にすれば、容量素子を構成する電極の一方とグランド電極パターンの間の配線による寄生インダクタの発生を抑制できるために、特に有効である。また、製造コストも下げることができる。
【００３６】
なお、第１の実施例における極値は例示であり、ダイプレクサ回路を構成するコイル素子のインダクタンスの値、あるいは容量素子の容量の値により、減衰極の発生周波数は低い周波数または高い周波数へと変わり、さらに、電気特性（減衰特性）も変わり得るのはいうまでもない。
【００３７】
Ｂ．第２の実施例に係るローパスフィルタ２００：
図６から図８を参照して、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００について説明する。図６は、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の外観を模式的に示す説明図である。図７は、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００を構成する絶縁基板を展開して示す斜視図である。図８は、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の等価回路を示す説明図である。
【００３８】
ローパスフィルタ２００は、複数の絶縁基板Ｆ１からＦ７を積層してなる積層体状の集積型電子部品であり、上から順に絶縁基板Ｆ１から絶縁基板Ｆ７までの７枚の絶縁基板で構成されている。積層体の側面には、絶縁基板Ｆ１から絶縁基板Ｆ７にまでわたる凹部が６つ形成され、凹部には側面電極２００ａから２００ｆが形成されている。なお、図７に示す斜視図では、凹部は省略して図示してある。
【００３９】
側面電極２００ａ、２００ｂ、２００ｃ、２００ｅは、外部基板のグランド電極に接続されるグランド端子（ＧＮＤ）である。側面電極２００ｄは、図８に示す等価回路において、ローパスフィルタ２００の入力端子（ＩＮ）２０３、側面電極２００ｆはローパスフィルタ２００の出力端子（ＯＵＴ）２０４に相当する。
【００４０】
絶縁基板Ｆ１は、蓋であり、電極パターンは形成されておらず、絶縁基板Ｆ２から絶縁基板Ｆ７にかけて、コイル素子、容量素子が形成される。
【００４１】
絶縁基板Ｆ２から絶縁基板Ｆ５には、図示しない電極パターンがそれぞれ形成されている。これらの電極パターンは、図８に示す容量素子Ｃ１とＣ２及びコイル素子Ｌ１とＬ２とを形成する。
【００４２】
絶縁基板Ｆ６には第１の電極パターン２１６と第２の電極パターン２１７と第３の電極パターン２１８とが形成され、絶縁基板Ｆ７には第４の電極パターン２２０が形成されている。
【００４３】
第１の電極パターン２１６と第４の電極パターン２２０とが重なる部分で図８に示す容量素子Ｃ３が形成され、第２の電極パターン２１７と第４の電極パターン２２０とが重なる部分で図８に示す容量素子Ｃ５が形成され、第３の電極パターン２１８と第４の電極パターン２２０とが重なる部分で図８に示す容量素子Ｃ４が形成されている。
【００４４】
第１の電極パターン２１６は、側面電極２００ｄに接続されている。側面電極２００ｄは、上述したとおりローパスフィルタ２００の入力端子２０３である。第２の電極パターン２１７は、側面電極２００ｆに接続されている。側面電極２００ｆは、上述したとおりローパスフィルタの出力端子２０４である。第３の電極パターン２１８は、スルーホール配線（図示せず）で絶縁基板Ｆ２から絶縁基板Ｆ５上に形成されている容量素子Ｃ１、Ｃ２及びコイル素子Ｌ１、Ｌ２（図示せず）と接続されている。
【００４５】
第４の電極パターン２２０は、側面電極２００ａ、２００ｂ、２００ｃ及び２００ｅに接続されている。側面電極２００ａ、２００ｂ、２００ｃ及び２００ｅは、外部基板のグランド電極に接続されるグランド電極であることから、第４の電極パターン２２０はグランド電極である。第４の電極パターン２２０と側面電極２００ａ、２００ｂ、２００ｃ及び２００ｅとを接続する引き出し線の幅ｗ４は、側面電極２００ａ、２００ｂ、２００ｃまたは２００ｅの幅ｗ５よりも太い。
【００４６】
図７及び図９を参照して、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００と従来のローパスフィルタ３００との構造の違いを比較する。図９は、従来のローパスフィルタ３００を構成する絶縁基板を展開して示す斜視図である。
【００４７】
従来のローパスフィルタ３００は、積層体の側面に側面電極３００ａから３００ｆが形成されている点、絶縁基板Ｇ６上に第１の電極パターン３１６と第２の電極パターン３１７と第３の電極パターン３１８が形成され、絶縁基板Ｇ７上に第４の電極パターン３２０が形成されている点は同じである。
【００４８】
しかし、従来のローパスフィルタ３００では、側面電極の幅ｗ５よりも細い幅ｗ６の引き出し線３５１、３５２、３５３、３５４により、第４の電極パターン３２０とグランド用側面電極３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｅとが接続されている。
【００４９】
従来のローパスフィルタ３００において、引き出し線３５１から３５４は、長さと幅のある配線であるから、それぞれ寄生インダクタＬｓ３'からＬｓ６'が発生する。一方、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００でも、引き出し線２５１から２５４には、寄生インダクタＬｓ３からＬｓ６が発生する。したがって、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００と従来のローパスフィルタ３００とでは、寄生インダクタの数は変わらない。
【００５０】
しかし、上述したように、従来のローパスフィルタ３００の引き出し線３５１から３５４の幅ｗ６は、側面電極３００ａ、３００ｂ、３００ｃまたは３００ｅの幅ｗ５よりも細いのに対し、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００では、引き出し線２５１から２５４の幅ｗ４は、側面電極２００ａ、２００ｂ、２００ｃまたは２００ｅの幅ｗ５より太い。
【００５１】
そこで、対応するインダクタの値を比較すると、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の引き出し線の幅ｗ４＞側面電極の幅ｗ５＞従来のローパスフィルタ３００の引き出し線の幅ｗ６、であるから、寄生インダクタＬｓ３のインダクタンスの値＜寄生インダクタＬｓ３'のインダクタンスの値、寄生インダクタＬｓ４＜寄生インダクタＬｓ４'のインダクタンスの値、寄生インダクタＬｓ５＜寄生インダクタＬｓ５'のインダクタンスの値、寄生インダクタＬｓ６＜寄生インダクタＬｓ６'のインダクタンスの値、となる。
【００５２】
したがって、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の４つの寄生インダクタ（Ｌｓ３からＬｓ６まで）の合成インダクタンスの値は、従来のローパスフィルタ３００の４つの寄生インダクタ（Ｌｓ３'からＬｓ６'）の合成インダクタンスの値より小さい。
【００５３】
図１０を用いて、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００と従来のローパスフィルタ３００の電気特性の違いを説明する。図１０は、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００と従来のローパスフィルタ３００の電気特性を比較するグラフである。図１０において、横軸は周波数、縦軸は減衰量を示している。曲線Ａが第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の電気特性であり、曲線Ｂが従来のローパスフィルタ３００の電気特性である。第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の電気特性を従来技術のローパスフィルタ３００の電気特性と比較すると、従来のローパスフィルタ３００では６ＧＨｚ付近にあった減衰極が、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００では、６．５ＧＨｚ付近に移動している。しかし、約４ＧＨｚまでの周波数帯域においては、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００と従来のローパスフィルタ３００の電気特性（減衰特性）は変わりがない。したがって、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００によれば、４ＧＨｚまでの低周波数帯における電気特性に影響を与えることなく、６ＧＨｚ付近の高周波数帯で発生する減衰極を制御できる。
【００５４】
すなわち、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の寄生インダクタの合成インダクタンスは、従来のローパスフィルタ３００の寄生インダクタの合成インダクタンスよりも小さくなり、寄生インダクタの合成インダクタンスによる共振周波数が大きくなり、６ＧＨｚ付近にあった減衰極が、６．５ＧＨｚ付近に移動する。しかし、寄生インダクタは、約４GHｚまでの低周波数帯における電気特性には影響を与えないため、所望する周波数域に減衰極を有する積層型電子部品を得ることができる。
【００５５】
以上説明したように、第２の実施例に係るローパスフィルタ２００でも第１の実施例に係るダイプレクサ１００と同様の効果が得られている。したがって、受動素子を備えた電子部品であれば、ダイプレクサ回路、フィルタ回路に限らず、例えば、マルチプレクサ回路でも効果がある。
【００５６】
なお、第２の実施例における極値は例示であり、ローパスフィルタ回路を構成するコイル素子のインダクタンスの値、あるいは容量素子の容量の値により、減衰極の発生周波数は低い周波数または高い周波数へと変わり、さらに、電気特性（減衰特性）も変わり得るのはいうまでもない。
【００５７】
Ｃ．変形例：
（１）第１の実施例及び第２の実施例においては、グランド電極パターンと側面電極とを接続する引き出し線の幅はすべて同幅で、側面電極の幅よりも太いとして説明したが、任意の引き出し線のみを側面電極の幅よりも太くし、その他の引き出し線の幅を側面電極の幅以下にしてもよい。この場合であっても当該引き出し線による寄生インダクタのインダクタンスの値は小さくなるので、寄生インダクタの合成インダクタンスは小さくなり、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を高周波側に移動させることができる。
【００５８】
（２）引き出し線のグランド用側面電極とグランド電極パターンを接続する引き出し線が複数ある場合には、少なくとも一部の引き出し線の幅を他の引き出し線の幅と変えてもよい。例えば、第１の実施例及び第２の実施例では、引き出し線の幅をグランド用側面電極の幅よりも太くしているが、一部の引き出し線の幅をグランド用側面電極の幅よりも細いが、他の引き出し線の幅よりも太くしてもよい。この場合であっても当該引き出し線による寄生インダクタのインダクタンスの値は小さくなるので、寄生インダクタの合成インダクタンスは小さくなり、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を高周波側に移動させることができる。
【００５９】
（３）第１の実施例及び第２の実施例では、引き出し線の幅をグランド用側面電極の幅よりも太くしているが、一部の引き出し線の幅を、他の引き出し線の幅よりも細くしてもよい。この場合には、当該引き出し線による寄生インダクタのインダクタンスの値は大きくなるので、寄生インダクタの合成インダクタンスは大きくなり、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を低周波側に移動させることができる。
【００６０】
したがって、変形例（２）（３）によれば、引き出し線の幅を、引き出し線ごとに任意に変えることも可能であり、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を所望の周波数に制御することも可能である。
【００６１】
（４）第１の実施例及び第２の実施例では引き出し線の幅を変えているが、引き出し線の幅だけでなく長さを変えてもよい。寄生インダクタのインダクタンスの値は、引き出し線の幅だけでなく長さにも影響を受けるため、引き出し線の長さを、引き出し線ごとに任意に変えることにより、あるいは、引き出し線の長さと幅を任意に調整することにより、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数を所望の周波数に制御することも可能である。
【００６２】
（５）第１の実施例及び第２の実施例では、積層体の側面に凹部を形成し凹部に側面電極を形成しているが、凹部を形成せずに、側面電極を形成してもよい。引き出し線の幅、長さが同じであれば、凹部の有無は、寄生インダクタに影響を与えないため、凹部の有無により、寄生インダクタによる減衰極の発生周波数は変わらないからである。
【００６３】
以上、いくつかの実施例に基づいて本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】第１の実施例に係るダイプレクサの外観を模式的に示す説明図。
【図２】第１の実施例に係るダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す斜視図。
【図３】第１の実施例に係るダイプレクサの等価回路を示す説明図。
【図４】従来のダイプレクサを構成する絶縁基板を展開して示す斜視図。
【図５】第１の実施例に係るダイプレクサと従来のダイプレクサの電気特性を比較するグラフ。
【図６】第２の実施例に係るローパスフィルタの外観を模式的に示す説明図。
【図７】第２の実施例に係るローパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す斜視図。
【図８】第２の実施例に係るローパスフィルタの等価回路を示す説明図。
【図９】従来のローパスフィルタを構成する絶縁基板を展開して示す斜視図。
【図１０】第２の実施例に係るローパスフィルタと従来のローパスフィルタの電気特性を比較するグラフ。
【符号の説明】
【００６５】
１００...第１の実施例に係るダイプレクサ
１０２...第１の実施例に係るダイプレクサ１００のローパスフィルタ（ＬＰＦ）端子
１０５...第１の実施例に係るダイプレクサ１００のアンテナ（ＡＮＴ）端子
１１１...第１の実施例に係るダイプレクサ１００のハイパスフィルタ（ＨＰＦ）端子
１２４...第１の実施例に係るダイプレクサ１００の第１の電極パターン
１２５...第１の実施例に係るダイプレクサ１００の第２の電極パターン
１２６...第１の実施例に係るダイプレクサ１００の第３の電極パターン
１２８...第１の実施例に係るダイプレクサ１００の第４の電極パターン
１２９...第１の実施例に係るダイプレクサ１００の第５の電極パターン
１３１...第１の実施例に係るダイプレクサ１００の第６の電極パターン
１３２...電極パターン１２５と電極パターン１２９とを接続するスルーホール配線
１３３...電極パターン１２６と電極パターン１３１とを接続するスルーホール配線
１５１〜１５６...引き出し線
２００...第２の実施例に係るローパスフィルタ
２００ａ〜２００ｆ...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の側面電極
２０２...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の入力端子
２０３...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の出力端子
２１６...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の第１の電極パターン
２１７...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の第２の電極パターン
２１８...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の第３の電極パターン
２２０...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の第４の電極パターン
２５１〜２５４...引き出し線
３００...従来のローパスフィルタ
３１６...従来のローパスフィルタ３００の第１の電極パターン
３１７...従来のローパスフィルタ３００の第２の電極パターン
３１８...従来のローパスフィルタ３００の第３の電極パターン
３２０...従来のローパスフィルタ３００の第４の電極パターン
３５１〜３５４引き出し線
３００ａ〜３００ｆ...従来のローパスフィルタ３００の側面電極
４００...従来のダイプレクサ
４２４...従来のダイプレクサ４００の第１の電極パターン
４２５...従来のダイプレクサ４００の第２の電極パターン
４２６...従来のダイプレクサ４００の第３の電極パターン
４２８...従来のダイプレクサ４００の第４の電極パターン
４２９...従来のダイプレクサ４００の第５の電極パターン
４３１...従来のダイプレクサ４００の第６の電極パターン
４３２...電極パターン４２５と電極パターン４２９とを接続するスルーホール配線
４３３...電極パターン４２６と電極パターン４３１とを接続するスルーホール配線
４５１〜４５６...引き出し線
４００ａ〜４００ｆ...従来のダイプレクサ４００の側面電極
Ｃ１〜Ｃ１０...容量素子
Ｄ１〜Ｄ１６...第１の実施例に係るダイプレクサ１００の絶縁基板
Ｅ１〜Ｅ１６...従来のダイプレクサ４００の絶縁基板
Ｆ１〜Ｆ７...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００の絶縁基板
Ｇ１〜Ｇ７...従来のローパスフィルタ３００の絶縁基板
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ７、Ｌ８...コイル素子
Ｌｓ３〜Ｌｓ６、Ｌｓ９〜Ｌｓ１４...寄生インダクタ
ｗ１...第１の実施例に係るダイプレクサ１００のグランド電極パターンと側面電極を接続する引き出し線の幅
ｗ２...ダイプレクサの側面電極の幅
ｗ３...従来のダイプレクサ４００のグランド電極パターンと側面電極を接続する引き出し線の幅
ｗ４...第２の実施例に係るローパスフィルタ２００のグランド電極パターンと側面電極を接続する引き出し線の幅
ｗ５...ローパスフィルタの側面電極の幅
ｗ６...従来のローパスフィルタ３００のグランド電極パターンと側面電極を接続する引き出し線の幅
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁基板を積層してなる積層体を形成する積層型電子部品であって、
前記積層体の側面に形成されたグランド用側面電極と、
前記グランド用側面電極の幅よりも太い幅の引き出し線で前記のグランド用側面電極と接続されるグランド電極パターンが形成される絶縁基板と、
を備える、積層型電子部品。
【請求項２】
請求項１に記載の積層型電子部品において、
前記グランド用側面電極が複数ある場合には、前記絶縁基板は、前記グランド用側面電極の幅よりも太い幅の引き出し線で前記複数のグランド用側面電極の少なくとも一部と接続されるグランド電極パターンが形成される絶縁基板である、積層型電子部品。
【請求項３】
請求項２に記載の積層型電子部品において、
前記絶縁基板は、第１の引き出し線幅の引き出し線で前記複数のグランド用側面電極の少なくとも一部と接続され、残りのグランド用側面電極とは前記第１の引き出し線幅とは異なる引き出し線幅の引き出し線で接続されるグランド電極パターンが形成される絶縁基板である、積層型電子部品。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の積層型電子部品はさらに、
一端が前記グランド電極パターンに接続される受動素子を形成する電極パターンが形成される第２の絶縁基板を備える、積層型電子部品。
【請求項５】
請求項４に記載の積層型電子部品において、
前記受動素子は容量素子である、積層型電子部品。
【請求項６】
請求項５に記載の積層型電子部品において、
前記容量素子は、前記グランド電極パターンが容量素子を構成する一方の電極である容量素子である、積層型電子部品。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の積層型電子部品において、積層型電子部品はフィルタ回路またはダイプレクサ回路またはマルチプレクサ回路のいずれかを構成する、積層型電子部品。
【請求項１】
複数の絶縁基板を積層してなる積層体を形成する積層型電子部品であって、
前記積層体の側面に形成されたグランド用側面電極と、
前記グランド用側面電極の幅よりも太い幅の引き出し線で前記のグランド用側面電極と接続されるグランド電極パターンが形成される絶縁基板と、
を備える、積層型電子部品。
【請求項２】
請求項１に記載の積層型電子部品において、
前記グランド用側面電極が複数ある場合には、前記絶縁基板は、前記グランド用側面電極の幅よりも太い幅の引き出し線で前記複数のグランド用側面電極の少なくとも一部と接続されるグランド電極パターンが形成される絶縁基板である、積層型電子部品。
【請求項３】
請求項２に記載の積層型電子部品において、
前記絶縁基板は、第１の引き出し線幅の引き出し線で前記複数のグランド用側面電極の少なくとも一部と接続され、残りのグランド用側面電極とは前記第１の引き出し線幅とは異なる引き出し線幅の引き出し線で接続されるグランド電極パターンが形成される絶縁基板である、積層型電子部品。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の積層型電子部品はさらに、
一端が前記グランド電極パターンに接続される受動素子を形成する電極パターンが形成される第２の絶縁基板を備える、積層型電子部品。
【請求項５】
請求項４に記載の積層型電子部品において、
前記受動素子は容量素子である、積層型電子部品。
【請求項６】
請求項５に記載の積層型電子部品において、
前記容量素子は、前記グランド電極パターンが容量素子を構成する一方の電極である容量素子である、積層型電子部品。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の積層型電子部品において、積層型電子部品はフィルタ回路またはダイプレクサ回路またはマルチプレクサ回路のいずれかを構成する、積層型電子部品。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００７−２５８５３４（Ｐ２００７−２５８５３４Ａ）
【公開日】平成１９年１０月４日（２００７．１０．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−８２５５４（Ｐ２００６−８２５５４）
【出願日】平成１８年３月２４日（２００６．３．２４）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１０月４日（２００７．１０．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年３月２４日（２００６．３．２４）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]