説明

絶縁材料、ならびにプリント配線板

【課題】無電解めっき触媒を付与し無電解めっきを行う製造方法において、無電解めっき触媒が存在する箇所での異常析出により微細配線同士が導通するのを防止し、絶縁信頼性を向上させる。
【解決手段】絶縁材料であって、湿式処理を施すことにより溝が形成されることを特徴とする絶縁材料であり、前記湿式処理を施した場合において、前記絶縁材料にめっき処理を施した際に、溝が形成された箇所にはめっきが析出し、溝が形成されていない箇所にはめっきが析出しない。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
絶縁材料、ならびにプリント配線板に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、電子機器の高性能化、高機能化、小型化が急速に進んでおり、これに伴って電子機器に用いられる電子部品に対しても小型化、軽量化の要請が高まっている。上記要請を受け、半導体素子パッケージ方法やそれらを実装する配線板にも、より高密度、高機能、かつ高性能なものが求められるようになっている。
【0003】
プリント配線板を得る方法として、フルアディティブプリント配線板を挙げることができる。
【0004】
従来のフルアディティブプリント配線板の製造方法としては、無電解めっき触媒を含有するガラスエポキシ基板上に無電解めっき触媒を含有した接着剤層を塗布形成し、積層体を得る。次いで、該積層体に選択的にスルーホールを形成する。 次いで、デスミア除去を行い、その後スルーホール内に無電解銅めっき触媒を付与し、スクリーン印刷法により永久レジスト層を塗布形成する。次いで、該永久レジストを露光、現像等の方法によりパターニングを施し、さらに無電解めっきを施すことにより、所望の箇所に配線を得る、という方法を挙げることができる(例えば、特許文献1参照)。尚、無電解めっきのみにより厚膜の配線層を形成する手法がフルアディティブ工法と呼ばれており、サブトラクティブ工法、セミアディティブ工法、と区別される。
【0005】
しかしながら、上記の製造方法においては、活性を保持した無電解めっき触媒が絶縁樹脂全面に含有されているという理由から、特に微細配線においては、無電解めっき触媒が存在する箇所での異常析出により配線同士が導通してしまい、絶縁信頼性が低下するという問題が生じていた。
【特許文献1】特開平11―40923号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、絶縁信頼性が高い絶縁材料、ならびに該絶縁材料を用いたプリント配線板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明者は、上記の課題に鑑み鋭意検討した結果、湿式処理を施すことにより良好に溝が形成される絶縁材料を用いることにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【0008】
即ち、本発明は、絶縁材料であって、湿式処理を施すことにより溝が形成されることを特徴とする絶縁材料に関する。また、前記湿式処理を施した場合において、前記絶縁材料にめっき処理を施した際に、溝が形成された箇所にはめっきが析出し、溝が形成されていない箇所にはめっきが析出しないことが好ましい。また、形成された溝の間に無電解めっき触媒及び/または金属を実質的に含まないことが好ましく、さらに、硫黄を有する化合物、クロムを有する化合物及びオキシム構造を有する化合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物を含有することが好ましい。また、上記絶縁材料を用いて製造されることを特徴とするプリント配線板、に関する。
【発明の効果】
【0009】
本発明に係る絶縁材料、ならびに該絶縁材料を用いて得られるプリント配線板は、微細配線形成性、絶縁信頼性に優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0010】
本発明の実施の形態について、以下に説明する。
【0011】
(絶縁材料及び湿式処理)
本発明に係る絶縁材料の構成は、湿式処理を施すことにより溝が形成できさえすれば、いかなる構成であっても構わない。従って、本発明に係る絶縁材料の形態は、塊状やフィルム状などを挙げることができる。
【0012】
本発明に係る絶縁材料がフィルム状である場合は、ある絶縁樹脂材料単独からなる単層フィルムであっても良いし、複数の絶縁樹脂材料からなる複層のフィルムであっても良い。
【0013】
次に、本発明に用いられる絶縁材料に溝を形成する手法について具体的に説明する。
【0014】
本発明に用いられる絶縁材料に溝を形成する一例としては、湿式処理で溶解しない絶縁材料中に、湿式処理で溶解する成分を、所望の溝の形状に合うように絶縁材料に形成しておけば良い。溝状に湿式処理で溶解する成分を形成しておくことで、湿式処理を施すことで、その箇所飲み溶解し、結果として溝が形成されることとなる。
【0015】
本発明に用いられる絶縁材料の別の例としては、湿式処理で溶解する絶縁材料上に湿式処理で溶解しない材料をマスクとして形成する方法を挙げることができる。このようにマスクしておくことで、湿式処理により絶縁材料が露出した箇所のみ溶解し、結果として溝が形成されることとなる。尚、溝を形成する方法はこれに限定されない。
【0016】
従って、本発明に用いられる絶縁材料は、溝を形成する手法の違いにより、湿式処理で溶解しない絶縁材料が必須となる場合もあり、湿式処理で溶解する絶縁材料が必須となる場合もある。
【0017】
湿式処理で溶解しない絶縁材料は、湿式処理で用いられる薬液成分に対して耐性を有していれば良い。例えば、薬液成分が有機溶媒であれば、その有機溶媒に溶けないような絶縁材料を用いれば良い。
【0018】
湿式処理で溶解する絶縁材料は、湿式処理で用いられる薬液成分に対して溶解性を有していれば良い。例えば、薬液成分が有機溶媒であれば、その有機溶媒に溶ける絶縁材料を用いれば良い。
【0019】
発明の絶縁材料はプリント配線板に好適に適用されることから、耐熱性、機械強度等が必要であり、エポキシ樹脂および/またはポリイミド樹脂が好ましく用いられる。 また、機械特性の向上や難燃性を付与する等の目的で、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、フィラー、難燃剤、等を適宜添加しても良い。
【0020】
従って、薬液成分は、エポキシ樹脂および/またはポリイミド樹脂を溶解しない、若しくは溶解するものを適宜選んで使用することとなる。
【0021】
このような観点で湿式処理に用いられる薬液成分を例示すると、有機溶媒としては、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド等のホルムアミド系溶媒、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド等のアセトアミド系溶媒、N−メチル−2−ピロリドン等のピロリドン系溶媒、フェノール、o−、m−またはp−クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノール、カテコール等のフェノール系溶媒、あるいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラクトン、エタノールアミン等を挙げることができる。
【0022】
また、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、等のアルカリ水溶液等も好ましく適用できる。
【0023】
また、過マンガン酸ナトリウム水溶液、或いは過マンガン酸カリウム水溶液等を用いて、絶縁材料を酸化分解して溶解させることも可能である。
【0024】
本発明の絶縁材料においては、溝が形成された箇所にはめっきが析出し、溝が形成されていない箇所にはめっきが析出しないことが好ましい。
本発明に用いられる絶縁材料は、主に、湿式処理で溶解しない絶縁材料中に、湿式処理で溶解する成分を、所望の溝の形状に合うように絶縁材料に形成する方法、若しくは、
湿式処理で溶解する絶縁材料上に湿式処理で溶解しない材料をマスクとして形成する方法、で溝を形成するが、これらの方法においては、本発明の絶縁材料は実質的ににめっきが析出しない材料であり、湿式処理で溝形成された箇所のみめっきが析出することが好ましい。
【0025】
本発明において、めっきが析出しないとは、めっきが析出する箇所にめっきがaμmの厚みだけ析出するときに、a×(1/7)μm以下の厚みだけ析出すること、と定義される。例えば、めっきが析出する箇所に、7μmの厚みだけめっきが析出する際に、めっきが析出しない材料には1μm以下の厚みだけめっきが析出する。ここで、a×(1/7)μm以下の厚みだけ析出しためっき層は、ソフトエッチング等の公知の方法により除去することができる。従って、最終的には、めっきが析出しない部分には実質的にめっきは形成されていないことになり、電気絶縁性を保つことができる。勿論、めっきが析出しない部分に実質的にめっきが析出していない場合は、ソフトエッチング等を行う必要はない。
【0026】
本発明において、めっきは湿式めっきでも乾式めっきでも良いが、選択的にめっきが析出する部分とめっきが析出しない部分とを形成しやすいという利点を有するため、湿式めっきが好ましく、湿式めっきの中でも無電解めっきがより好ましい。無電解めっきは一般的に、材料上に無電解めっき触媒を形成した後に所望の金属を無電解めっきによって形成するが、本発明に係る絶縁材料は、無電解めっき触媒が付与されないために無電解めっきが析出しないという材料であってもよく、無電解めっき触媒は付与されているが、触媒活性を示さないため無電解めっきが析出しないという材料であってもよく、無電解めっき触媒は付与されているが、触媒活性が低いため、無電解めっきが析出する箇所に無電解めっきがaμmの厚みだけ析出するときに、a×(1/7)μm以下の厚みだけ析出するという材料であってもよい。
【0027】
上記無電解めっき触媒が付与されないためには、無電解めっき触媒と無電解めっきが析出しない材料表面とが相互作用しないような状態であればよい。例えば、無電解めっき触媒がアミノ基と相互作用して吸着するという特徴を有している場合、材料表面にアミノ基を導入しないようにせしめることで無電解めっき触媒の付与を阻害することができる。
【0028】
また、無電解めっきが析出しない材料表面の触媒濃度が、XPS分析により算出した原子濃度で0.2%以下であれば、無電解めっきが析出しない傾向にあるため好ましい。0.2%より触媒濃度が高いと、無電解めっきが析出しやすい状態となる。
【0029】
上記無電解めっき触媒は付与されているが、触媒活性を示さないためには、無電解めっきが析出しない材料中に、無電解めっき触媒に対して触媒毒を示す化合物を添加しておき、表面に露出せしめれば良い。例えば、無電解めっき触媒がリン系化合物との相互作用により触媒活性を失う場合、樹脂層にリン系化合物を添加する方法により無電解めっき触媒の触媒活性を失活させることができる。
【0030】
また、例えば、無電解めっき触媒、特には無電解銅めっき触媒として一般的に用いられるパラジウム触媒を用いる場合は、パラジウムは硫黄を有する化合物、クロムを有する化合物により被毒されるため、これらの化合物を添加しておく方法により無電解めっき触媒の触媒活性を失活させることができる。
【0031】
また、パラジウムは、オキシム構造を有する化合物によっても被毒されることを発明者らは発見した。これは、オキシム構造を有する化合物とパラジウムとが錯体を形成するためと考えられる。オキシム構造を有する化合物としては、1,2−オクタンジオン−,1−[4−(フェニルチオ)−,2−(O−ベンゾイルオキシム)]、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(0−アセチルオキシム)、等を挙げることができる。オキシム構造を有する化合物についても上記と同様の方法により無電解めっき触媒の触媒活性を失活させることができる。
【0032】
次に、本発明の絶縁材料の溝形成部分にめっきが析出する点に関して説明する。
発明の絶縁材料は、有機溶媒、アルカリ水溶液、過マンガン酸カリウム水溶液等を用いた湿式処理により化学的な改質、あるいは物理的な改質のいずれか、あるいは両者を利用して無電解めっきが形成されるようにすれば良い。
【0033】
化学的な改質について説明する。上述したように、無電解めっきが析出するためには、無電解めっき触媒が付与される必要がある。化学的な改質として、発明者らは、絶縁材料の分解により官能基が生成し、触媒と相互作用することにより触媒が付与されるというメカニズムを推定している。
【0034】
物理的な改質について説明する。湿式処理することにより、溶解して露出した表面凹凸が形成される。表面凹凸が形成されることにより凹凸中に無電解めっき触媒が物理的に付与され、無電解めっきが析出するようになると考えられる。
【0035】
以上、本発明の絶縁材料に関して説明した。
【0036】
(めっき)
めっきに関して説明する。本発明において、めっきは湿式めっきでも乾式めっきでも良いが、選択的にめっきが析出する部分とめっきが析出しない部分とを形成しやすいという利点を有するため、湿式めっきが好ましく、湿式めっきの中でも無電解めっきがより好ましい。
【0037】
本発明に用いられる無電解めっきとしては特に限定はなく、カーボン、パラジウム触媒、有機マンガン導電膜等を用いるダイレクトプレーティング、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき、無電解金めっき、無電解銀めっき、無電解錫めっき、等を挙げる事ができ本発明に使用可能である。
【0038】
上記の中でも、生産性や耐マイグレーション性等の電気特性の観点より、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっきが好ましく、無電解めっきの中でも、無電解銅めっきが特に好ましい。以下、無電解銅めっきについて説明する。
【0039】
本発明の無電解めっきが析出する樹脂層に無電解銅めっきを析出せしめる方法としては、無電解銅めっきを直接析出せしめる方法、パラジウム触媒等の無電解銅めっき触媒を付与した後に、無電解銅めっき触媒を核として無電解銅めっきを析出せしめる方法、等を挙げることができるが、無電解銅めっきをまんべんなく均一に析出せしめるという観点から、パラジウム触媒等の無電解銅めっき触媒を付与した後に、パラジウムを核として無電解銅めっきを析出せしめる方法が好ましい。
【0040】
ここで、本発明で言う無電解めっき触媒とは、析出させる金属を絶縁層上に選択的に形成せしめる触媒の事をいい、例えば無電解銅めっきであれば、上述のようにパラジウム触媒等に限らず、銅イオン、金属銅、等も含む。
【0041】
無電解めっきの厚みとしては、特に限定はなく、所望の導体層厚みまで析出させればよいが、微細配線形成という観点からは、無電解めっき厚みは1μm〜30μmの範囲であることが好ましい。
【0042】
また、5μm以下程度の厚みで無電解めっきを形成した後、電解めっきにより所望の導体層厚みまで析出せしめても良い。
【0043】
(絶縁材料の製造方法)
本発明の絶縁材料をプリント配線板に適用する場合を考慮すると、形態はシート状であることが好ましい。以下、本発明に係るシート状の絶縁材料の製造方法の一例について説明する。もちろん、本発明の用途はこれに限定されるものではなく、種々の用途に利用できることはいうまでもない。
【0044】
まず絶縁材料溶液を調整する。絶縁材料は、エポキシ樹脂および/またはポリイミド樹脂を含有することが好ましい。これら絶縁材料を適当な溶媒に溶解する事で絶縁材料溶液を得ることができる。該溶液を、支持体上に流延塗布し、その後乾燥させることにより支持体付きのシート状絶縁材料を得ることができる。同様にして、あらゆる構成の支持体付きのシート状の絶縁材料を得ることができる。
【0045】
(プリント配線板)
本発明のプリント配線板は、上記で記載した絶縁材料を用いてなることを特徴としてなる。本発明で得られるプリント配線板は、絶縁信頼性が高く、微細配線形成性に優れる。尚、本発明でいうプリント配線板は、絶縁層上に導電性の配線パターンを形成した板のことを言い、少なくとも配線と絶縁層とから構成されてなる。
【0046】
(プリント配線板の製造方法)
本発明のプリント配線板の製造方法は公知の製造方法を適用できるが、絶縁信頼性の高いプリント配線板が得られるという観点から、絶縁層に溝を形成し、形成した溝にのみ無電解めっきを析出させて製造することが好ましい。以下、上記プリント配線板の製造方法の一例について説明する。
【0047】
まず、本発明の絶縁材料を必要に応じて内層配線板に積層する。積層は内層配線板に本発明の絶縁材料溶液を塗布、乾燥して形成しても良いし、本発明のシート状の絶縁材料をプレス、ラミネート等を用いて加圧加熱することで形成させても良い。
【0048】
次に、本発明の絶縁材料に、湿式処理により溝を形成する。このときに溝を形成した部分が改質されることが好ましい。湿式処理で溝を形成するには、湿式処理で溶解しない絶縁材料中に、湿式処理で溶解する成分を、所望の溝の形状に合うように絶縁材料に形成する方法を挙げることができる。また、別の例としては、湿式処理で溶解する絶縁材料上に湿式処理で溶解しない材料をマスクとして形成する方法を挙げることができる。
【0049】
その後、無電解めっきを行ない、溝を形成した箇所にのみ無電解めっきを析出させ、配線形成する。
【0050】
以上、本発明のプリント配線板の製造方法の一例を示したが、もちろん、これに限定されるものではない。
【実施例】
【0051】
以下、実施例および比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例および比較例における微細配線形成性は、次のようにして評価した。
【0052】
〔微細配線形成性〕
実施例ならびに比較例で得られたプリント配線板について、配線幅/配線間隔=10μm/10μmの配線形成箇所で導通が確認されなかった場合を合格、導通が確認された場合を不合格とした。
【0053】
(合成例1;熱可塑性ポリイミドの合成)
容量2000mlのガラス製フラスコに、両末端アミノ変性シリコーンオイル(信越化学工業株式会社製KF−8010)を37g(0.045mol)と、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル21g(0.105mol)と、DMFとを投入し、撹拌しながら溶解させ、4,4´−(4,4´−イソプロピリデンジフェノキシ)ビス(無水フタル酸)78g(0.15mol)を添加、20℃で約1時間撹拌し、固形分濃度30%のポリアミド酸溶液を得た。上記ポリアミド酸溶液をフッ素コートしたバットにとり、真空オーブンで、200℃、120分、665Paで減圧加熱し、ポリイミド樹脂1を得た。
【0054】
(調合例1;絶縁材料溶液の調合1)
合成例1で得たポリイミド樹脂1を20重量部、及びオキシム構造を有する化合物である1,2−オクタンジオン−,1−[4−(フェニルチオ)−,2−(O−ベンゾイルオキシム)](チバ・スペシャルティ・ケミカルズ(株)製イルガキュアOXE 01)10重量部、を1,3−ジオキソラン70重量部に添加、均一撹拌、溶解して、絶縁材料溶液(a)を得た。
【0055】
(調合例2;めっき用めっき未析出材料溶液の調合2)
合成例1で得たポリイミド樹脂1を20重量部、及びオキシム構造を有する化合物であるエタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(0−アセチルオキシム)10重量部、を1,3−ジオキソラン70重量部に添加、均一撹拌、溶解して、絶縁材料溶液(b)を得た。
【0056】
(実施例1)
支持体(商品名:ルミラーT−60、東レ(株)製;38μm)上に絶縁材料溶液(a)を絶縁材料の最終厚みが20μmとなるように塗布、60℃で5分間加熱して、絶縁材料(A)/支持体なる積層体を得た。該積層体の絶縁材料(A)と両面銅箔付きのガラスエポキシ基板(商品番号:CS−3665D、利昌工業(株)製;銅厚み5μm)とを対向させ、1段目、温度90℃、真空引き30秒、大気開放、加圧時間30秒、及び2段目、温度110℃、圧力1MPa、加圧時間60秒なる条件にて真空ラミネートを行った後、支持体を引き剥がして、ガラスエポキシ基板/絶縁材料(A)なる積層体を得た。
【0057】
該積層体の絶縁材料(A)側にガラスマスクパターンを貼り付け、DMFに30℃で10分浸漬することにより、ライン/スペースが10μm/10μm、厚みが5μmになるような溝を形成し、その後ガラスマスクパターンを剥がした。
【0058】
このようにして得られた積層体にパラジウム触媒を付与し、無電解銅めっき(ロームアンドハース社製CUPOSIT厚付けタイプ)を施すことにより、ライン/スペースが10μm/10μm、厚みが5μmの銅配線を形成し、プリント配線板を得た。このプリント配線板の微細配線形成性を評価した結果を表1に示す。
【0059】
【表1】

【0060】
(実施例2)
絶縁材料溶液(a)のかわりに絶縁材料溶液(b)を用いた以外は実施例1と同様にして、プリント配線板を得た。このプリント配線板の微細配線形成性を評価した結果を表1に示す。
【0061】
(比較例1)
無電解銅めっき触媒を含有するガラスエポキシ基板(E)(日立化成工業製、商品名:ACL3−E−168,1.44t)の片面上に、感光性永久レジスト層(F)(日立化成工業製商品名:ネガ型の感光性フィルムフォテックSR−3000)を、温度110℃,2m毎分速度でラミネートして積層体を得た。該積層体の感光性永久レジスト層上に配線幅/配線間隔=10μm/10μmを有するマスクパターンを載せ、波長365nmの光を300mJ/cmだけ露光した。続いて、スプレー現像機(サンハヤト(株)製エッチングマシーンES−655D)を用いて、現像液(ジエチレングリコール、モノブチルエーテル:200ml/L,水:800ml/L,ホウ砂:8/L)にて、液温40℃でスプレー現像処理を行い、部分的に、無電解銅めっき触媒を含有するガラスエポキシ基板を露出させた。このようにして得られた積層体に機械ドリルにてスルーホールを形成した後、続いて、無電解銅めっき(ロームアンドハース社製CUPOSIT厚付けタイプ)を施すことにより、厚みが10μmの配線を形成し、プリント配線板を得た。このプリント配線板の微細配線形成性を評価した結果を表1に示す。
【0062】
比較例に示すように、不必要な箇所(ガラスエポキシ基板の全面)に無電解銅めっき触媒が存在するため、無電解銅めっき時に、永久レジスト層とガラスエポキシ基板との界面に無電解銅めっきが異常析出するため、微細配線箇所で導通してしまうという結果となった。
【0063】
これに対して実施例では、比較例で見られるような材料間の界面がないため、無電解銅めっきの異常析出は見られず、また、溝を形成した箇所のみに無電解めっきが析出したことで良好に微細配線形成ができ、且つ良好な絶縁信頼性を示した。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁材料であって、湿式処理を施すことにより溝が形成されることを特徴とする絶縁材料。
【請求項2】
前記湿式処理を施した場合において、前記絶縁材料にめっき処理を施した際に、溝が形成された箇所にはめっきが析出し、溝が形成されていない箇所にはめっきが析出しないことを特徴とする請求項1に記載の絶縁材料。
【請求項3】
形成された溝の間に無電解めっき触媒及び/または金属を実質的に含まないことを特徴とする請求項1または2に記載の絶縁材料。
【請求項4】
硫黄を有する化合物、クロムを有する化合物及びオキシム構造を有する化合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物を含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の絶縁材料。
【請求項5】
請求項1〜4のいずれか1項に記載の絶縁材料を用いて製造されることを特徴とするプリント配線板。

【公開番号】特開2010−21303(P2010−21303A)
【公開日】平成22年1月28日(2010.1.28)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−179689(P2008−179689)
【出願日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【出願人】(000000941)株式会社カネカ (3,932)
【Fターム(参考)】