薄膜コンデンサ
【課題】トレンチ型の薄膜コンデンサの反りを抑制すること。
【解決手段】基板と、誘電体膜と、一対の電極と、を備え、誘電体膜が、基板から離れる方向に向けて延びる複数の凸部を形成する凹凸面に沿って設けられている薄膜コンデンサ。凹凸面が、基板の主面に平行な面に配置された１又は２以上の区画７を有するパターン５ａを構成し、区画７の部分及びこれ以外の部分のうちいずれかに凸部が配されている。区画７のうち少なくとも一部がｘ軸方向に沿って延びた部分７１を有し、ｘ軸方向に直交するｙ軸方向から見たときに、２以上の延びた部分７１が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。
【解決手段】基板と、誘電体膜と、一対の電極と、を備え、誘電体膜が、基板から離れる方向に向けて延びる複数の凸部を形成する凹凸面に沿って設けられている薄膜コンデンサ。凹凸面が、基板の主面に平行な面に配置された１又は２以上の区画７を有するパターン５ａを構成し、区画７の部分及びこれ以外の部分のうちいずれかに凸部が配されている。区画７のうち少なくとも一部がｘ軸方向に沿って延びた部分７１を有し、ｘ軸方向に直交するｙ軸方向から見たときに、２以上の延びた部分７１が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄膜コンデンサの小型化、高容量化を図るために、基板にトレンチを形成することにより電極表面積を増大させた、いわゆるトレンチ型の薄膜コンデンサが知られている（特許文献１）。
【特許文献１】特開平６−３２５９７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来のトレンチ型の薄膜コンデンサは、外部から熱を受けたときに反りが生じやすいという問題を有していた。特に、トレンチを増やして高い静電容量を達成しようとすると、反りの問題が顕在化する傾向にあった。薄膜コンデンサの反りは、誘電体膜の特性の変動等、種々の不具合を引き起こすため、この反りを十分に抑制することが強く求められる。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、トレンチ型の薄膜コンデンサの反りを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、基板と、該基板の一方面側に設けられた誘電体膜と、該誘電体膜を間に挟んで設けられた一対の電極膜とを備え、誘電体膜が、基板から離れる方向に向けて延びる凸部を形成する凹凸面に沿って設けられている薄膜コンデンサに関する。凹凸面は、基板の主面に平行な面に配置された１又は２以上の区画を有するパターンを構成し、この区画の部分及びこれ以外の部分のうちいずれかに凸部が配されている。この区画のうち少なくとも一部が所定の方向に沿って延びた部分を有し、所定の方向に直交する方向から見たときに、２以上の延びた部分が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。
【０００６】
上記区画に凸部が配されている場合には、上記所定の方向に直交する方向において、凸部の端部の位置が揃うことなく、ずれた状態となる。換言すれば、上記所定の方向に直交する方向から区画を投影した場合に、その投影像において上述した区画以外の部分は残らなくなる。このように凸部の端部の位置がずれていると、それら凸部の間のトレンチは、屈曲した線に沿って形成される。トレンチの部分の剛性は、凸部の部分よりも相対的に低いため、トレンチが直線状に連続的に形成されていると、その部分でトレンチに直交する方向に対する薄膜コンデンサの剛性が低下して、反りが生じやすい。しかし、上記のようにトレンチが屈曲することにより、トレンチが直線状に形成されている部分が少なくなり、その結果薄膜コンデンサの反りが抑制される。上記区画以外の部分に凸部が配されている場合も同様に、トレンチが直線状に形成されている部分が少なくなるため、薄膜コンデンサの反りが抑制される。
【０００７】
上記延びた部分を有する区画は、互いに直交する２以上の短冊状の部分が連結した形状を有するものを含んでいることが好ましい。これにより反り抑制の効果がより顕著になる。また、これらの区画に凸部が配されている場合には、凸部自体が安定して形成されるため、凸部を形成する工程やその後の工程において凸部が損傷することが少なくなる。その結果、より高い歩留まりで薄膜コンデンサを製造することが可能になる。さらには、電極表面積を高密度に形成できる点でも有利である。
【０００８】
本発明に係る薄膜コンデンサにおいては、基板の主面内の任意の直線上に少なくとも１つの凸部が配されていることが好ましい。基板の主面内の直線上にトレンチのみが連続的に形成されていると、その直線に直交する方向において反り抑制の効果が小さくなる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の薄膜コンデンサによれば、反りの発生を十分に抑制しながら、電極表面積を大きくして高い静電容量を達成することが可能である。また、凸部又はトレンチが、所定の方向において終端する区画の部分に配されていることにより、その所定の方向の全域にわたって凸部又はトレンチが形成されている場合と比較して、その方向における応力が緩和される。応力が緩和されると、誘電体膜の損傷等に起因するリーク電流も抑制される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の好適な実施形態について必要により図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。各図において同一又は相当する要素には同一符号が付される。重複する説明は適宜省略される。
【００１１】
図１及び２は、薄膜コンデンサの一実施形態を示す斜視図及び平面図である。図３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う端面図である。図１〜３に示す薄膜コンデンサ１は、基板１０と、基板１０の一方面側に設けられた誘電体膜２０と、誘電体膜２０を間に挟んで設けられた下部電極１１及び上部電極１２と、誘電体膜２０の基板１０とは反対側にある上部電極１２上に設けられ、下部電極１１又は上部電極１２の一部が露出する２つの開口２１ａを形成している保護膜２１と、開口２１ａにおいて下部電極１１又は上部電極１２にそれぞれ接続された２つの電極パッド１５とを備える。下部電極１１、誘電体膜２０及び上部電極１２は基板１０上のトレンチ形成層５０に設けられている。
【００１２】
下部電極１１の誘電体膜２０側の面Ｓは、基板１０から離れる方向に向けて延びる複数の凸部３を形成する凹凸面である。隣り合う凸部３の間にはトレンチ４が形成されている。下部電極１１上の誘電膜２０は、この凹凸面Ｓに沿って設けられている。
【００１３】
凹凸面Ｓは、基板１０の主面に平行な面に配列された複数の区画７を有する周期的な二次元のパターンを構成している。図４は、凹凸面Ｓのパターンを示す平面図である。図３の一部は図４のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う端面図に相当する。図４に示すパターン５ａは、互いに離れて規則的に配置された複数の区画７を有する。区画７の部分に凸部３が配される。
【００１４】
区画７は、基板１０の長手方向であるｘ軸方向に沿って延びた短冊状の第１の部分７１、及び／又はｘ軸に直交するｙ軸方向に沿って延びた短冊状の第２の部分７２を有している。第１の部分７１及び第２の部分７２を有する区画７は、これらがそれぞれの中間部において互いに直交しながら連結した形状を有している。係る形状を有する区画７は十字型であると言うこともできる。
【００１５】
パターン５ａにおいては、パターン５ａ内でｘ軸方向に直交するｙ軸方向から見たときに、２以上の第１の部分７１が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第１の部分７１を有する複数の区画７が、それぞれが終端する端部７ｘのｘ軸方向における位置を互い違いにずらしながらｙ軸方向に沿って配列されている。同様に、ｘ軸方向から見たときに、２以上の第２の部分７２が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第２の部分７２を有する複数の区画７が、それぞれが終端する端部７ｙのｙ軸方向における位置を互い違いにずらしながらｘ軸方向に沿って配列されている。このように複数の区画７が互い違いに配列されていることにより、区画７以外の部分に配されるトレンチ４が多くの部分で屈曲した線に沿って形成される。これにより反り抑制の効果が高められる。
【００１６】
パターン５ａにおいては、基板１０の主面内に任意の直線を引いたときに、その直線上に少なくとも１つの区画７が存在する。これは、薄膜コンデンサ１において、基板１０の主面内の任意の直線上に少なくとも１つの凸部１０が設けられることに対応する。
【００１７】
図５、６、７、８及び９は、それぞれ、凹凸面Ｓのパターンの他の実施形態を示す平面図である。
【００１８】
図５に示すパターン５ｂを構成する区画７も、ｘ軸方向に沿って延びた短冊状の第１の部分７１、及び／又はｙ軸方向に沿って延びた短冊状の第２の部分７２を有している。パターン５ｂを構成する区画７は、２つの第１の部分７１及び１つの第２の部分７２を有し、これらが第１の部分７１の中間部において互いに直交しながら連結された形状を有するものを含んでいる。係る形状を有する区画はＨ形であると言うこともできる。
【００１９】
パターン５ｂをｙ軸方向から見たときに、２以上の第１の部分７１が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第１の部分７１を有する複数の区画７が、それぞれが終端する端部７ｘのｘ軸方向における位置を互い違いにずらしながらｙ軸方向に沿って配列されている。同様に、パターン５ｂをｘ軸方向から見たときに、２以上の第２の部分７２が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第２の部分７２を有する複数の区画７が、それぞれが終端する端部７ｙのｙ軸方向における位置を互い違いにずらしながらｘ軸方向に沿って配列されている。このように隣り合う２つの区画を抽出したとき、一方の区画の短冊状の第１の部分７１と、他方の区画の端部７ｘとが重なるようにずらして配置されていることが好ましく、また、そのような位置関係で複数の区画が交互に周期的に配列されていることがより好ましい。
【００２０】
図６に示すパターン５ｃは、ｘ軸方向に沿って延びた短冊状の第１の部分７１からなる区画７ａと、ｙ軸方向に沿って延びた短冊状の第２の部分７２からなる区画７ｂとから構成される。ｙ軸方向からパターン５ｃを見たときに、第１の部分７１は、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第１の部分７１を有する複数の区画７ａが、それぞれが終端する端部７ｘの位置を一定方向に順次ずらしながら配列されている。また、ｘ軸方向からパターン５ｃを見たときに、第２の部分７２は、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第２の部分７２を有する複数の区画７が、それぞれが終端する端部７ｙの位置を一定方向に順次ずらしながら配列されている。
【００２１】
図７に示すパターン５ｄを構成する区画７は、ｘ軸方向に沿って延びた短冊状の第１の部分７１、及び／又はｙ軸方向に沿って延びた短冊状の第２の部分７２を有している。パターン５ｄを構成する区画７は、第１の部分７１及び第２の部分７２を有し、これらがそれぞれの一方の端部において互いに連結された形状を有するものを含んでいる。
【００２２】
パターン５ｄをｙ軸方向から見たときに、２以上の第１の部分７１が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第１の部分７１を有する複数の区画７が、それぞれが終端する端部７ｘの位置を一定方向に順次ずらしながら配列されている。また、パターン５ｄをｘ軸方向から見たときに、２以上の第２の部分７２が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第２の部分７２を有する複数の区画７が、それぞれが終端する端部７ｙの位置を一定方向に順次ずらしながら配列されている。
【００２３】
図８に示すパターン５ｅを構成する区画７は、ｘ軸方向の全域にわたって延びた短冊状の非終端部分７０と、ｙ軸方向に延びた短冊状の複数の第２の部分７２とを有し、これらがそれぞれの中間部において互いに直交しながら連結された形状を有するものを含んでいる。パターン５ｅをｘ軸方向から見たとき、２以上の第２の部分７２が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第２の部分７２を有する２つの区画７が、それぞれが終端する端部７ｙの位置が互い違いになるように配列されている。
【００２４】
図９に示すパターン５ｆは、ｘ軸方向又はｙ軸方向の全域にわたって延びた複数の短冊状の部分によって形成された格子状の非終端部分７０、及びｙ軸方向に沿って延びた短冊状の第２の部分７２を有する区画７ａと、ｘ軸方向に沿って延びた短冊状の第１の部分７１及び／又はｙ軸方向に延びた短冊状の第２の部分７２を有する区画７ｂとから構成される。区画７ｂの格子状の非終端部分７０によって区分された各領域内に区画７ｂが配置されている。区画７ｂは、１つの第１の部分７１及び２つの第２の部分７２を有し、これらが第２の部分７２の中間部において互いに直交しながら連結された形状を有するものを含んでいる。
【００２５】
パターン５ｆをｘ軸方向から見たときに、区画７ａが有する第２の部分７２と、区画７ｂが有する第２の部分７２とが、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、２以上の第２の部分７２が、ｙ軸方向において終端する端部７ｙを互い違いにずらしながら配列されている。
【００２６】
各図面に例示したパターンで凹凸面が形成されている薄膜コンデンサにおいては、凸部とトレンチ部のような、互いに応力の大きさが異なる部分が、基板の一方面上に配置されている。基板面上の任意の一直線上に、凸部またはトレンチ部が連続的に繋がることがない配置を採用することで、反りを防止することができる。このような配置は基板面上の一部において形成されていれば、反りの効果は発現されるが、凸部やトレンチ部を形成する領域の対向する一対の端部を直線的に繋ぐ部分がないことががより好ましい。また、凹凸面のパターンは十字型の区画及び／又はＨ形の区画を含んでいることが好ましい。これらの形状を有する凸部は応力に対する耐性が強く、特に良好な耐久性が得られる。
【００２７】
凹凸面のパターンは以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜変形が可能である。例えば、パターンを構成する区画が所定の方向に延びた部分の形状は短冊状である必要は必ずしもなく、例えば多角形状、楕円状のような形状を有していてもよい。各区画が曲線に沿って延びている場合、その延びた部分の端部における当該曲線の接線に直交する方向からパターンを見たときに、延びた部分が重なり合うとともに互いに異なる位置で終端していればよい。また、反り抑制や応力緩和の観点からは、区画７の部分に凸部が配されていることが好ましいが、区画７以外の部分に凸部が配されていてもよい。言い換えると、区画７の部分にトレンチが形成されていてもよい。
【００２８】
図１０、１１、１２及び１３は、図１の薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を端面図により示す工程図である。本実施形態に係る方法は、凹凸面Ｓを有する金属層１１を基板１０上に形成する工程（図１０）と、基板１０上の金属層１１の一部を除去して下部電極１１の部分を残す工程（図１１）と、下部電極１１上に、凹凸面Ｓに沿って設けられ、下部電極１１の一部が露出する開口２０ａが形成された誘電体膜２０を形成する工程（図１２）と、誘電体膜２０上に、開口２０ａが露出する開口１２ａが形成された上部電極１２を形成する工程（図１２）と、上部電極１２上に、下部電極１１又は上部電極１２の一部が露出する開口２１ａが形成された保護膜２１を形成する工程（図１３）と、開口２１ａ内に下部電極１１又は上部電極１２に接続された電極パッド１５を形成する工程とを備える。
【００２９】
基板１０としては、例えば、シリコン基板、アルミナ等のセラミックス基板、ガラスセラミックス基板、サファイア、ＭｇＯ及びＳｒＴｉＯ３等の単結晶基板、Ｔｉ、Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属基板が用いられる。基板１０として金属板及びシリコン基板のように導電性を有する基板を用いる場合、その表面に酸化膜等の絶縁膜を形成することが好ましい。
【００３０】
基板１０上に、金属層１１の下地部分が形成される。金属層１１の下地部分を構成する金属の好適な例として、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ及びこれらを含む合金が挙げられる。特に下地部分がＮｉを主成分として含むと、膜応力が小さくなることから、反り防止の効果が一層顕著に奏される。この下地部分は、例えば、スパッタリング法等のＰＶＤ法、又はＣＶＤ法によって形成することができる。
【００３１】
金属層１１の下地部分上に、所定のパターンを有するレジスト層３１が形成される（図１０（ａ））。レジスト層３１は、ネガ型又はポジ型の感光性樹脂を用いて形成することができる。次いで、レジスト層３１の開口３１ａ内に、めっき法により金属層１１のめっき部分が形成される（図１０（ｂ））。このめっき部分を構成する金属としては、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ及びこれらを含む合金から選ばれ、下地部分の金属とは異なる種類のものが用いられる。下地部分の主成分がＮｉであり、めっき部分の主成分がＣｕであることが特に好ましい。レジスト層３１を除去して、凸部３及びこららの間のトレンチ４から構成される凹凸面Ｓを有する金属層１１が得られる。金属層１１の基板１０とは反対側の表面（主面）は、必要により、ＣＭＰ法等による研磨によって平坦化される。
【００３２】
金属層１１の一部を覆うレジスト層３２を形成し（図１１（ａ））、レジスト層３２をマスクとして金属層１１の下地部分の一部が除去される。これにより、隣接する他の金属層部分（下部電極）から分離した下部電極１１が基板１０上に残される。金属層１１の選択的な除去は、ウェットエッチング等の通常の方法により行われる。下部電極１１が形成された後、レジスト層３２が除去される（図１１（ｂ））。
【００３３】
続いて、金属層１１の凹凸面Ｓを覆う誘電体膜２０が形成される（図１２（ａ））。誘電体膜２０を構成する誘電体材料としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ、ＰＺＴ及びＢａＴｉＯ３が好適である。誘電体膜２０は、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法等の方法により成膜することができる。凹凸面を均一な厚さで被覆することが容易である等の観点から、ＣＶＤ法が特に好ましい。成膜された誘電体膜２０に対して、必要により、誘電分極を励起させるための熱処理が施される。形成された誘電体膜２０の一部をフォトリソグラフィー法により除去して、下部電極１１が露出する開口２０ａが形成される（図１２（ｂ））。
【００３４】
誘電体膜２０の下部電極１１とは反対側の全面を覆い、開口２０ａ内で下部電極１１に接続される膜状の上部電極１２が形成される。上部電極１２上には、上部電極１２の一部が露出する開口３３ａが形成されたレジスト層３３が形成される（図１２（ｃ））。その状態で、レジスト層３３をマスクとして用いた上部電極１２の選択的なエッチングにより、開口２０ａが露出する開口１２ａが形成される（図１２（ｄ））。
【００３５】
その後、得られた積層体の基板１０とは反対側の全面を覆うとともに、トレンチ４を充填する絶縁性の保護層２１が形成される（図１３（ａ））。保護層２１は、例えば、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３等の無機材料、又はポリイミド及びエポキシ樹脂等の有機材料により形成される。
【００３６】
保護膜２１上に保護膜２１の一部が露出する開口３４ａが形成されたレジスト層３４を形成し（図１３（ｂ））、レジスト層３４をマスクとして用いて保護膜２１の一部が除去する方法により、下部電極１１又は上部電極１２が露出する開口２１ａが形成される（図１３（ｃ））。そして、開口２１ａ内に電極パッド１５を形成して、図１の薄膜コンデンサ１が得られる。電極パッド１５は、例えばＡｕによって形成される。
【００３７】
図１の薄膜コンデンサ１のように下部電極によって凹凸面が形成されるのに代えて、他の層によって形成された凹凸面に沿って誘電体膜が設けられてもよい。例えば、図１４に示す薄膜コンデンサのように、凹凸面が絶縁層によって主として形成されていてもよい。
【００３８】
図１４に示す薄膜コンデンサ１は、基板１０上に設けられた絶縁層２５を備える。絶縁層２５は、基板１０を底面に有するトレンチ４が形成されるようにパターニングされている。すなわち、基板１０及び絶縁層２５によって、基板１０から離れる方向に延びた凸部３を有する凹凸面Ｓが形成されている。トレンチ４の底面上にはエッチングストッパー層２２が設けられている。凹凸面Ｓに沿って、下部電極１１、誘電体膜２０及び上部電極１２がこの順に積層されている。これ以外の構造は図１と本質的に同様である。
【００３９】
図１５、１６、１７及び１８は、図１４の薄膜コンデンサを製造する方法の一実施形態を端面図によって示す工程図である。図１５〜１８の実施形態に係る製造方法は、基板１０表面を底面とし、該底面上にエッチングストッパー層２２が設けらているトレンチ４が形成されるようにパターニングされた絶縁層２５を基板１０上に形成する工程（図１５）と、絶縁層２５及びエッチングストッパー層２２上に、基板１０及び絶縁層２５によって形成された凹凸面Ｓに沿って設けられる膜状の下部電極１１を形成する工程（図１６）と、下部電極１１上に、凹凸面Ｓに沿って設けられ下部電極１１の一部が露出する開口２０ａが形成された誘電体膜２０を形成する工程（図１７）と、誘電体膜２０上に開口２０ａが露出する開口１２ａが形成された膜状の上部電極１２を形成する工程（図１７）と、上部電極１２上に、下部電極１１又は上部電極１２が露出する開口２１ａが形成された保護層２１を形成する工程（図１８）と、開口２１ａ内に下部電極１１又は上部電極１２に接続された電極パッド１５を形成する工程とを備える。
【００４０】
まず、基板１０上のトレンチ４の底部に相当する位置にエッチングストッパー層２２が形成される。エッチングストッパー層２２は、例えばＳｉ３Ｎ４、ＳｉＣのような絶縁材料によって形成される。エッチングストッパー層２２は通常のフォトリソグラフィー法によりパターニングすることができる。
【００４１】
次いで、基板１０及びエッチングストッパー層２２を覆う絶縁層２５がスパッタ法等の成膜法により形成される（図１５（ａ））。絶縁層２５は、例えばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３のような絶縁材料によって形成される。
【００４２】
絶縁層１５上に、エッチングストッパー層２２の上部に位置する開口３５ａが形成されたレジスト層３５が形成される（図１５（ｂ））。レジスト層３５をマスクとしたエッチングにより、開口３５ａの位置においてエッチングストッパー層２２が露出するまで絶縁層２５が除去される（図１５（ｃ））。これにより、凸部３を有する凹凸面Ｓが基板１０及び絶縁層２５によって形成される。
【００４３】
絶縁層２５上のレジスト層３５が除去された後、凹凸面Ｓに沿う膜状の下部電極１１が形成される（図１６（ａ））。膜状の下部電極１１は、例えばＣＶＤ法により形成される。下部電極１１の一部は、フォトリソグラフィー法により除去される（図１６（ｂ））。
【００４４】
得られた構造体の基板１０とは反対側の全面に、ＣＶＤ法等の方法により誘電体膜２０が形成される（図１７（ａ））。形成された誘電体膜２０の一部を除去して、下部電極１１の一部が露出する開口２０ａが形成される。これ以降、図１３等に示す工程と本質的に同様の図１８に示す工程を経て、図１４の薄膜コンデンサ１が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】薄膜コンデンサの一実施形態を示す斜視図である。
【図２】薄膜コンデンサの一実施形態を示す平面である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う端面図である。
【図４】凹凸面のパターンの一実施形態を示す平面図である。
【図５】凹凸面のパターンの一実施形態を示す平面図である。
【図６】凹凸面のパターンの一実施形態を示す平面図である。
【図７】凹凸面のパターンの一実施形態を示す平面図である。
【図８】凹凸面のパターンの一実施形態を示す平面図である。
【図９】凹凸面のパターンの一実施形態を示す平面図である。
【図１０】薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１１】薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１２】薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１３】薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１４】薄膜コンデンサの一実施形態を示す端面図である。
【図１５】薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１６】薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１７】薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１８】薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…薄膜コンデンサ、３…凸部、４…トレンチ、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ…凹凸面のパターン、７，７ａ，７ｂ…区画、７１…区画７がｘ軸方向に沿って延びた部分、７２…区画７がｙ軸方向に沿って延びた部分、７ｘ…延びた部分７１がｘ軸方向において終端する端部、７ｙ…延びた部分７２がｙ軸方向において終端する端部、１０…基板、１１…下部電極、１２…上部電極、１５…電極パッド、２０…誘電体膜、２１…保護層、２５…絶縁層、３１，３２，３３，３４…レジスト層、Ｓ…凹凸面。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄膜コンデンサの小型化、高容量化を図るために、基板にトレンチを形成することにより電極表面積を増大させた、いわゆるトレンチ型の薄膜コンデンサが知られている（特許文献１）。
【特許文献１】特開平６−３２５９７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来のトレンチ型の薄膜コンデンサは、外部から熱を受けたときに反りが生じやすいという問題を有していた。特に、トレンチを増やして高い静電容量を達成しようとすると、反りの問題が顕在化する傾向にあった。薄膜コンデンサの反りは、誘電体膜の特性の変動等、種々の不具合を引き起こすため、この反りを十分に抑制することが強く求められる。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、トレンチ型の薄膜コンデンサの反りを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、基板と、該基板の一方面側に設けられた誘電体膜と、該誘電体膜を間に挟んで設けられた一対の電極膜とを備え、誘電体膜が、基板から離れる方向に向けて延びる凸部を形成する凹凸面に沿って設けられている薄膜コンデンサに関する。凹凸面は、基板の主面に平行な面に配置された１又は２以上の区画を有するパターンを構成し、この区画の部分及びこれ以外の部分のうちいずれかに凸部が配されている。この区画のうち少なくとも一部が所定の方向に沿って延びた部分を有し、所定の方向に直交する方向から見たときに、２以上の延びた部分が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。
【０００６】
上記区画に凸部が配されている場合には、上記所定の方向に直交する方向において、凸部の端部の位置が揃うことなく、ずれた状態となる。換言すれば、上記所定の方向に直交する方向から区画を投影した場合に、その投影像において上述した区画以外の部分は残らなくなる。このように凸部の端部の位置がずれていると、それら凸部の間のトレンチは、屈曲した線に沿って形成される。トレンチの部分の剛性は、凸部の部分よりも相対的に低いため、トレンチが直線状に連続的に形成されていると、その部分でトレンチに直交する方向に対する薄膜コンデンサの剛性が低下して、反りが生じやすい。しかし、上記のようにトレンチが屈曲することにより、トレンチが直線状に形成されている部分が少なくなり、その結果薄膜コンデンサの反りが抑制される。上記区画以外の部分に凸部が配されている場合も同様に、トレンチが直線状に形成されている部分が少なくなるため、薄膜コンデンサの反りが抑制される。
【０００７】
上記延びた部分を有する区画は、互いに直交する２以上の短冊状の部分が連結した形状を有するものを含んでいることが好ましい。これにより反り抑制の効果がより顕著になる。また、これらの区画に凸部が配されている場合には、凸部自体が安定して形成されるため、凸部を形成する工程やその後の工程において凸部が損傷することが少なくなる。その結果、より高い歩留まりで薄膜コンデンサを製造することが可能になる。さらには、電極表面積を高密度に形成できる点でも有利である。
【０００８】
本発明に係る薄膜コンデンサにおいては、基板の主面内の任意の直線上に少なくとも１つの凸部が配されていることが好ましい。基板の主面内の直線上にトレンチのみが連続的に形成されていると、その直線に直交する方向において反り抑制の効果が小さくなる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の薄膜コンデンサによれば、反りの発生を十分に抑制しながら、電極表面積を大きくして高い静電容量を達成することが可能である。また、凸部又はトレンチが、所定の方向において終端する区画の部分に配されていることにより、その所定の方向の全域にわたって凸部又はトレンチが形成されている場合と比較して、その方向における応力が緩和される。応力が緩和されると、誘電体膜の損傷等に起因するリーク電流も抑制される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の好適な実施形態について必要により図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。各図において同一又は相当する要素には同一符号が付される。重複する説明は適宜省略される。
【００１１】
図１及び２は、薄膜コンデンサの一実施形態を示す斜視図及び平面図である。図３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う端面図である。図１〜３に示す薄膜コンデンサ１は、基板１０と、基板１０の一方面側に設けられた誘電体膜２０と、誘電体膜２０を間に挟んで設けられた下部電極１１及び上部電極１２と、誘電体膜２０の基板１０とは反対側にある上部電極１２上に設けられ、下部電極１１又は上部電極１２の一部が露出する２つの開口２１ａを形成している保護膜２１と、開口２１ａにおいて下部電極１１又は上部電極１２にそれぞれ接続された２つの電極パッド１５とを備える。下部電極１１、誘電体膜２０及び上部電極１２は基板１０上のトレンチ形成層５０に設けられている。
【００１２】
下部電極１１の誘電体膜２０側の面Ｓは、基板１０から離れる方向に向けて延びる複数の凸部３を形成する凹凸面である。隣り合う凸部３の間にはトレンチ４が形成されている。下部電極１１上の誘電膜２０は、この凹凸面Ｓに沿って設けられている。
【００１３】
凹凸面Ｓは、基板１０の主面に平行な面に配列された複数の区画７を有する周期的な二次元のパターンを構成している。図４は、凹凸面Ｓのパターンを示す平面図である。図３の一部は図４のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う端面図に相当する。図４に示すパターン５ａは、互いに離れて規則的に配置された複数の区画７を有する。区画７の部分に凸部３が配される。
【００１４】
区画７は、基板１０の長手方向であるｘ軸方向に沿って延びた短冊状の第１の部分７１、及び／又はｘ軸に直交するｙ軸方向に沿って延びた短冊状の第２の部分７２を有している。第１の部分７１及び第２の部分７２を有する区画７は、これらがそれぞれの中間部において互いに直交しながら連結した形状を有している。係る形状を有する区画７は十字型であると言うこともできる。
【００１５】
パターン５ａにおいては、パターン５ａ内でｘ軸方向に直交するｙ軸方向から見たときに、２以上の第１の部分７１が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第１の部分７１を有する複数の区画７が、それぞれが終端する端部７ｘのｘ軸方向における位置を互い違いにずらしながらｙ軸方向に沿って配列されている。同様に、ｘ軸方向から見たときに、２以上の第２の部分７２が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第２の部分７２を有する複数の区画７が、それぞれが終端する端部７ｙのｙ軸方向における位置を互い違いにずらしながらｘ軸方向に沿って配列されている。このように複数の区画７が互い違いに配列されていることにより、区画７以外の部分に配されるトレンチ４が多くの部分で屈曲した線に沿って形成される。これにより反り抑制の効果が高められる。
【００１６】
パターン５ａにおいては、基板１０の主面内に任意の直線を引いたときに、その直線上に少なくとも１つの区画７が存在する。これは、薄膜コンデンサ１において、基板１０の主面内の任意の直線上に少なくとも１つの凸部１０が設けられることに対応する。
【００１７】
図５、６、７、８及び９は、それぞれ、凹凸面Ｓのパターンの他の実施形態を示す平面図である。
【００１８】
図５に示すパターン５ｂを構成する区画７も、ｘ軸方向に沿って延びた短冊状の第１の部分７１、及び／又はｙ軸方向に沿って延びた短冊状の第２の部分７２を有している。パターン５ｂを構成する区画７は、２つの第１の部分７１及び１つの第２の部分７２を有し、これらが第１の部分７１の中間部において互いに直交しながら連結された形状を有するものを含んでいる。係る形状を有する区画はＨ形であると言うこともできる。
【００１９】
パターン５ｂをｙ軸方向から見たときに、２以上の第１の部分７１が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第１の部分７１を有する複数の区画７が、それぞれが終端する端部７ｘのｘ軸方向における位置を互い違いにずらしながらｙ軸方向に沿って配列されている。同様に、パターン５ｂをｘ軸方向から見たときに、２以上の第２の部分７２が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第２の部分７２を有する複数の区画７が、それぞれが終端する端部７ｙのｙ軸方向における位置を互い違いにずらしながらｘ軸方向に沿って配列されている。このように隣り合う２つの区画を抽出したとき、一方の区画の短冊状の第１の部分７１と、他方の区画の端部７ｘとが重なるようにずらして配置されていることが好ましく、また、そのような位置関係で複数の区画が交互に周期的に配列されていることがより好ましい。
【００２０】
図６に示すパターン５ｃは、ｘ軸方向に沿って延びた短冊状の第１の部分７１からなる区画７ａと、ｙ軸方向に沿って延びた短冊状の第２の部分７２からなる区画７ｂとから構成される。ｙ軸方向からパターン５ｃを見たときに、第１の部分７１は、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第１の部分７１を有する複数の区画７ａが、それぞれが終端する端部７ｘの位置を一定方向に順次ずらしながら配列されている。また、ｘ軸方向からパターン５ｃを見たときに、第２の部分７２は、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第２の部分７２を有する複数の区画７が、それぞれが終端する端部７ｙの位置を一定方向に順次ずらしながら配列されている。
【００２１】
図７に示すパターン５ｄを構成する区画７は、ｘ軸方向に沿って延びた短冊状の第１の部分７１、及び／又はｙ軸方向に沿って延びた短冊状の第２の部分７２を有している。パターン５ｄを構成する区画７は、第１の部分７１及び第２の部分７２を有し、これらがそれぞれの一方の端部において互いに連結された形状を有するものを含んでいる。
【００２２】
パターン５ｄをｙ軸方向から見たときに、２以上の第１の部分７１が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第１の部分７１を有する複数の区画７が、それぞれが終端する端部７ｘの位置を一定方向に順次ずらしながら配列されている。また、パターン５ｄをｘ軸方向から見たときに、２以上の第２の部分７２が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第２の部分７２を有する複数の区画７が、それぞれが終端する端部７ｙの位置を一定方向に順次ずらしながら配列されている。
【００２３】
図８に示すパターン５ｅを構成する区画７は、ｘ軸方向の全域にわたって延びた短冊状の非終端部分７０と、ｙ軸方向に延びた短冊状の複数の第２の部分７２とを有し、これらがそれぞれの中間部において互いに直交しながら連結された形状を有するものを含んでいる。パターン５ｅをｘ軸方向から見たとき、２以上の第２の部分７２が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、第２の部分７２を有する２つの区画７が、それぞれが終端する端部７ｙの位置が互い違いになるように配列されている。
【００２４】
図９に示すパターン５ｆは、ｘ軸方向又はｙ軸方向の全域にわたって延びた複数の短冊状の部分によって形成された格子状の非終端部分７０、及びｙ軸方向に沿って延びた短冊状の第２の部分７２を有する区画７ａと、ｘ軸方向に沿って延びた短冊状の第１の部分７１及び／又はｙ軸方向に延びた短冊状の第２の部分７２を有する区画７ｂとから構成される。区画７ｂの格子状の非終端部分７０によって区分された各領域内に区画７ｂが配置されている。区画７ｂは、１つの第１の部分７１及び２つの第２の部分７２を有し、これらが第２の部分７２の中間部において互いに直交しながら連結された形状を有するものを含んでいる。
【００２５】
パターン５ｆをｘ軸方向から見たときに、区画７ａが有する第２の部分７２と、区画７ｂが有する第２の部分７２とが、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。言い換えると、２以上の第２の部分７２が、ｙ軸方向において終端する端部７ｙを互い違いにずらしながら配列されている。
【００２６】
各図面に例示したパターンで凹凸面が形成されている薄膜コンデンサにおいては、凸部とトレンチ部のような、互いに応力の大きさが異なる部分が、基板の一方面上に配置されている。基板面上の任意の一直線上に、凸部またはトレンチ部が連続的に繋がることがない配置を採用することで、反りを防止することができる。このような配置は基板面上の一部において形成されていれば、反りの効果は発現されるが、凸部やトレンチ部を形成する領域の対向する一対の端部を直線的に繋ぐ部分がないことががより好ましい。また、凹凸面のパターンは十字型の区画及び／又はＨ形の区画を含んでいることが好ましい。これらの形状を有する凸部は応力に対する耐性が強く、特に良好な耐久性が得られる。
【００２７】
凹凸面のパターンは以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜変形が可能である。例えば、パターンを構成する区画が所定の方向に延びた部分の形状は短冊状である必要は必ずしもなく、例えば多角形状、楕円状のような形状を有していてもよい。各区画が曲線に沿って延びている場合、その延びた部分の端部における当該曲線の接線に直交する方向からパターンを見たときに、延びた部分が重なり合うとともに互いに異なる位置で終端していればよい。また、反り抑制や応力緩和の観点からは、区画７の部分に凸部が配されていることが好ましいが、区画７以外の部分に凸部が配されていてもよい。言い換えると、区画７の部分にトレンチが形成されていてもよい。
【００２８】
図１０、１１、１２及び１３は、図１の薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を端面図により示す工程図である。本実施形態に係る方法は、凹凸面Ｓを有する金属層１１を基板１０上に形成する工程（図１０）と、基板１０上の金属層１１の一部を除去して下部電極１１の部分を残す工程（図１１）と、下部電極１１上に、凹凸面Ｓに沿って設けられ、下部電極１１の一部が露出する開口２０ａが形成された誘電体膜２０を形成する工程（図１２）と、誘電体膜２０上に、開口２０ａが露出する開口１２ａが形成された上部電極１２を形成する工程（図１２）と、上部電極１２上に、下部電極１１又は上部電極１２の一部が露出する開口２１ａが形成された保護膜２１を形成する工程（図１３）と、開口２１ａ内に下部電極１１又は上部電極１２に接続された電極パッド１５を形成する工程とを備える。
【００２９】
基板１０としては、例えば、シリコン基板、アルミナ等のセラミックス基板、ガラスセラミックス基板、サファイア、ＭｇＯ及びＳｒＴｉＯ３等の単結晶基板、Ｔｉ、Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属基板が用いられる。基板１０として金属板及びシリコン基板のように導電性を有する基板を用いる場合、その表面に酸化膜等の絶縁膜を形成することが好ましい。
【００３０】
基板１０上に、金属層１１の下地部分が形成される。金属層１１の下地部分を構成する金属の好適な例として、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ及びこれらを含む合金が挙げられる。特に下地部分がＮｉを主成分として含むと、膜応力が小さくなることから、反り防止の効果が一層顕著に奏される。この下地部分は、例えば、スパッタリング法等のＰＶＤ法、又はＣＶＤ法によって形成することができる。
【００３１】
金属層１１の下地部分上に、所定のパターンを有するレジスト層３１が形成される（図１０（ａ））。レジスト層３１は、ネガ型又はポジ型の感光性樹脂を用いて形成することができる。次いで、レジスト層３１の開口３１ａ内に、めっき法により金属層１１のめっき部分が形成される（図１０（ｂ））。このめっき部分を構成する金属としては、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ及びこれらを含む合金から選ばれ、下地部分の金属とは異なる種類のものが用いられる。下地部分の主成分がＮｉであり、めっき部分の主成分がＣｕであることが特に好ましい。レジスト層３１を除去して、凸部３及びこららの間のトレンチ４から構成される凹凸面Ｓを有する金属層１１が得られる。金属層１１の基板１０とは反対側の表面（主面）は、必要により、ＣＭＰ法等による研磨によって平坦化される。
【００３２】
金属層１１の一部を覆うレジスト層３２を形成し（図１１（ａ））、レジスト層３２をマスクとして金属層１１の下地部分の一部が除去される。これにより、隣接する他の金属層部分（下部電極）から分離した下部電極１１が基板１０上に残される。金属層１１の選択的な除去は、ウェットエッチング等の通常の方法により行われる。下部電極１１が形成された後、レジスト層３２が除去される（図１１（ｂ））。
【００３３】
続いて、金属層１１の凹凸面Ｓを覆う誘電体膜２０が形成される（図１２（ａ））。誘電体膜２０を構成する誘電体材料としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ、ＰＺＴ及びＢａＴｉＯ３が好適である。誘電体膜２０は、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法等の方法により成膜することができる。凹凸面を均一な厚さで被覆することが容易である等の観点から、ＣＶＤ法が特に好ましい。成膜された誘電体膜２０に対して、必要により、誘電分極を励起させるための熱処理が施される。形成された誘電体膜２０の一部をフォトリソグラフィー法により除去して、下部電極１１が露出する開口２０ａが形成される（図１２（ｂ））。
【００３４】
誘電体膜２０の下部電極１１とは反対側の全面を覆い、開口２０ａ内で下部電極１１に接続される膜状の上部電極１２が形成される。上部電極１２上には、上部電極１２の一部が露出する開口３３ａが形成されたレジスト層３３が形成される（図１２（ｃ））。その状態で、レジスト層３３をマスクとして用いた上部電極１２の選択的なエッチングにより、開口２０ａが露出する開口１２ａが形成される（図１２（ｄ））。
【００３５】
その後、得られた積層体の基板１０とは反対側の全面を覆うとともに、トレンチ４を充填する絶縁性の保護層２１が形成される（図１３（ａ））。保護層２１は、例えば、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３等の無機材料、又はポリイミド及びエポキシ樹脂等の有機材料により形成される。
【００３６】
保護膜２１上に保護膜２１の一部が露出する開口３４ａが形成されたレジスト層３４を形成し（図１３（ｂ））、レジスト層３４をマスクとして用いて保護膜２１の一部が除去する方法により、下部電極１１又は上部電極１２が露出する開口２１ａが形成される（図１３（ｃ））。そして、開口２１ａ内に電極パッド１５を形成して、図１の薄膜コンデンサ１が得られる。電極パッド１５は、例えばＡｕによって形成される。
【００３７】
図１の薄膜コンデンサ１のように下部電極によって凹凸面が形成されるのに代えて、他の層によって形成された凹凸面に沿って誘電体膜が設けられてもよい。例えば、図１４に示す薄膜コンデンサのように、凹凸面が絶縁層によって主として形成されていてもよい。
【００３８】
図１４に示す薄膜コンデンサ１は、基板１０上に設けられた絶縁層２５を備える。絶縁層２５は、基板１０を底面に有するトレンチ４が形成されるようにパターニングされている。すなわち、基板１０及び絶縁層２５によって、基板１０から離れる方向に延びた凸部３を有する凹凸面Ｓが形成されている。トレンチ４の底面上にはエッチングストッパー層２２が設けられている。凹凸面Ｓに沿って、下部電極１１、誘電体膜２０及び上部電極１２がこの順に積層されている。これ以外の構造は図１と本質的に同様である。
【００３９】
図１５、１６、１７及び１８は、図１４の薄膜コンデンサを製造する方法の一実施形態を端面図によって示す工程図である。図１５〜１８の実施形態に係る製造方法は、基板１０表面を底面とし、該底面上にエッチングストッパー層２２が設けらているトレンチ４が形成されるようにパターニングされた絶縁層２５を基板１０上に形成する工程（図１５）と、絶縁層２５及びエッチングストッパー層２２上に、基板１０及び絶縁層２５によって形成された凹凸面Ｓに沿って設けられる膜状の下部電極１１を形成する工程（図１６）と、下部電極１１上に、凹凸面Ｓに沿って設けられ下部電極１１の一部が露出する開口２０ａが形成された誘電体膜２０を形成する工程（図１７）と、誘電体膜２０上に開口２０ａが露出する開口１２ａが形成された膜状の上部電極１２を形成する工程（図１７）と、上部電極１２上に、下部電極１１又は上部電極１２が露出する開口２１ａが形成された保護層２１を形成する工程（図１８）と、開口２１ａ内に下部電極１１又は上部電極１２に接続された電極パッド１５を形成する工程とを備える。
【００４０】
まず、基板１０上のトレンチ４の底部に相当する位置にエッチングストッパー層２２が形成される。エッチングストッパー層２２は、例えばＳｉ３Ｎ４、ＳｉＣのような絶縁材料によって形成される。エッチングストッパー層２２は通常のフォトリソグラフィー法によりパターニングすることができる。
【００４１】
次いで、基板１０及びエッチングストッパー層２２を覆う絶縁層２５がスパッタ法等の成膜法により形成される（図１５（ａ））。絶縁層２５は、例えばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３のような絶縁材料によって形成される。
【００４２】
絶縁層１５上に、エッチングストッパー層２２の上部に位置する開口３５ａが形成されたレジスト層３５が形成される（図１５（ｂ））。レジスト層３５をマスクとしたエッチングにより、開口３５ａの位置においてエッチングストッパー層２２が露出するまで絶縁層２５が除去される（図１５（ｃ））。これにより、凸部３を有する凹凸面Ｓが基板１０及び絶縁層２５によって形成される。
【００４３】
絶縁層２５上のレジスト層３５が除去された後、凹凸面Ｓに沿う膜状の下部電極１１が形成される（図１６（ａ））。膜状の下部電極１１は、例えばＣＶＤ法により形成される。下部電極１１の一部は、フォトリソグラフィー法により除去される（図１６（ｂ））。
【００４４】
得られた構造体の基板１０とは反対側の全面に、ＣＶＤ法等の方法により誘電体膜２０が形成される（図１７（ａ））。形成された誘電体膜２０の一部を除去して、下部電極１１の一部が露出する開口２０ａが形成される。これ以降、図１３等に示す工程と本質的に同様の図１８に示す工程を経て、図１４の薄膜コンデンサ１が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】薄膜コンデンサの一実施形態を示す斜視図である。
【図２】薄膜コンデンサの一実施形態を示す平面である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う端面図である。
【図４】凹凸面のパターンの一実施形態を示す平面図である。
【図５】凹凸面のパターンの一実施形態を示す平面図である。
【図６】凹凸面のパターンの一実施形態を示す平面図である。
【図７】凹凸面のパターンの一実施形態を示す平面図である。
【図８】凹凸面のパターンの一実施形態を示す平面図である。
【図９】凹凸面のパターンの一実施形態を示す平面図である。
【図１０】薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１１】薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１２】薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１３】薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１４】薄膜コンデンサの一実施形態を示す端面図である。
【図１５】薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１６】薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１７】薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１８】薄膜コンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…薄膜コンデンサ、３…凸部、４…トレンチ、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ…凹凸面のパターン、７，７ａ，７ｂ…区画、７１…区画７がｘ軸方向に沿って延びた部分、７２…区画７がｙ軸方向に沿って延びた部分、７ｘ…延びた部分７１がｘ軸方向において終端する端部、７ｙ…延びた部分７２がｙ軸方向において終端する端部、１０…基板、１１…下部電極、１２…上部電極、１５…電極パッド、２０…誘電体膜、２１…保護層、２５…絶縁層、３１，３２，３３，３４…レジスト層、Ｓ…凹凸面。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の一方面側に設けられた誘電体膜と、該誘電体膜を間に挟んで設けられた一対の電極と、を備え、
前記誘電体膜が、前記基板から離れる方向に向けて延びる凸部を形成する凹凸面に沿って設けられており、
前記凹凸面が、前記基板の主面に平行な面に配置された１又は２以上の区画を有するパターンを構成し、前記区画の部分及びこれ以外の部分のうちいずれかに前記凸部が配されており、
前記区画のうち少なくとも一部が所定の方向に沿って延びた部分を有し、
前記所定の方向に直交する方向から見たときに、２以上の前記延びた部分が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している、
薄膜コンデンサ。
【請求項２】
前記延びた部分を有する区画が、互いに直交する２以上の短冊状の部分が連結した形状を有するものを含む、請求項１記載の薄膜コンデンサ。
【請求項３】
前記基板の主面内の任意の直線上に少なくとも１つの前記凸部が配されている、請求項１又は２記載の薄膜コンデンサ。
【請求項１】
基板と、該基板の一方面側に設けられた誘電体膜と、該誘電体膜を間に挟んで設けられた一対の電極と、を備え、
前記誘電体膜が、前記基板から離れる方向に向けて延びる凸部を形成する凹凸面に沿って設けられており、
前記凹凸面が、前記基板の主面に平行な面に配置された１又は２以上の区画を有するパターンを構成し、前記区画の部分及びこれ以外の部分のうちいずれかに前記凸部が配されており、
前記区画のうち少なくとも一部が所定の方向に沿って延びた部分を有し、
前記所定の方向に直交する方向から見たときに、２以上の前記延びた部分が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している、
薄膜コンデンサ。
【請求項２】
前記延びた部分を有する区画が、互いに直交する２以上の短冊状の部分が連結した形状を有するものを含む、請求項１記載の薄膜コンデンサ。
【請求項３】
前記基板の主面内の任意の直線上に少なくとも１つの前記凸部が配されている、請求項１又は２記載の薄膜コンデンサ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２００９−２４６１８０（Ｐ２００９−２４６１８０Ａ）
【公開日】平成２１年１０月２２日（２００９．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−９１８０１（Ｐ２００８−９１８０１）
【出願日】平成２０年３月３１日（２００８．３．３１）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月２２日（２００９．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月３１日（２００８．３．３１）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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